TWI781467B - 曝光裝置 - Google Patents

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TWI781467B
TWI781467B TW109136704A TW109136704A TWI781467B TW I781467 B TWI781467 B TW I781467B TW 109136704 A TW109136704 A TW 109136704A TW 109136704 A TW109136704 A TW 109136704A TW I781467 B TWI781467 B TW I781467B
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金原淳一
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荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明提供一種曝光裝置，其包含一第一基板固持器、一第二基板固持器、一感測器固持器、一投影系統、一量測器件及一另外量測器件。該第一基板固持器經組態以固持一基板。該第二基板固持器經組態以固持該基板。該感測器固持器經組態以固持一感測器。該投影系統經組態以運用一曝光光束曝光該基板。該量測器件經組態以提供該基板之量測資訊。該另外量測器件經組態以提供該基板之另外量測資訊。該感測器經組態以量測該曝光光束及/或該投影系統之一屬性。該投影系統經組態以運用該曝光光束曝光該感測器。

Description

曝光裝置
本發明係關於一種曝光裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。藉由輻照輻射光束將所需圖案施加至基板上的微影裝置亦被稱為曝光裝置。曝光裝置可為步進器或掃描器。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。藉由將所要圖案壓印至基板上而將該圖案施加至基板上的微影裝置可被稱為壓印型微影裝置。一次性將整個圖案壓印至基板之目標部分上的壓印型微影裝置可被稱為壓印型步進器。 存在一種縮減每IC之生產成本的趨勢。為了縮減每IC之生產成本，已知微影裝置已經設計為儘可能快速地且儘可能經常執行曝光程序，亦即將圖案曝光於基板上。為了儘可能經常實行曝光程序，微影裝置可具有多個基板載物台，如美國專利5,677,758中所揭示。在曝光一個基板載物台上之一基板的同時，將第二基板裝載、卸載或對準於第二基板載物台上。當該基板已被完全曝光時，僅短暫中斷曝光程序以將該基板載物台移動遠離投影系統且將另一基板載物台移動處於投影系統下方。以此方式，僅在短暫中斷期間，微影裝置不執行曝光程序。
儘管僅短暫地中斷曝光程序，但需要在每IC之生產成本進一步縮減的情況下來曝光基板以產生IC。一般而言，當產出率及/或正常運行時間改良時微影裝置之總體生產率得以改良。轉印至基板上之圖案的良好成像品質常常為製造IC所需。基板之較準確量測實現較佳成像品質；然而，若藉由使量測時間較長來達成基板之較準確量測，則該較長量測時間將使總體生產率劣化。換言之，在已知微影裝置中在總體生產率與成像品質之間可存在取捨。 例如在由PCT申請公開案第WO 2007/097466A1號中描述的曝光裝置進行之晶圓對準操作期間觀測到此取捨。此PCT公開案中描述之曝光裝置包含單一晶圓載物台及單一晶圓對準系統，該單一晶圓對準系統包含沿著第一方向(例如沿著x軸或步進方向)排成一條直線的五個對準感測器。當如此PCT公開案中所描述進行晶圓對準操作時，可藉由單一(多感測器)晶圓對準系統量測16個對準標記，同時僅沿著第二方向移動晶圓載物台，該第二方向為垂直於第一方向的方向(例如沿著y軸或掃描方向)。然而，當以此組態不同地進行晶圓對準操作時，例如在以下狀況下較長量測時間可為必需的：1)需要量測基板上之較大數目個對準標記以實現較佳成像品質，及/或2)待量測之基板上之對準標記中的至少一者(例如16個對準標記中的一者)並不位於五個對準感測器中之任一者之偵測區域內(亦即，位於五個對準感測器之偵測區域外部)；結果，不僅需要沿著第二方向移動晶圓載物台而且需要沿著第一方向移動晶圓載物台(亦即不僅沿著y軸而且沿著x軸移動晶圓載物台)。 一般而言，在包含單一晶圓載物台之曝光裝置中，在晶圓對準操作上花費的時間(在曝光之前)為純粹附加時間且使曝光裝置之產出率效能直接劣化。即使在包含兩個晶圓載物台及單一晶圓對準系統之曝光裝置中，在晶圓對準操作上花費的時間長於在曝光上花費的時間的狀況下，產出率效能亦將劣化。一般而言，為了某一正常運行時間效能而使曝光裝置之總體生產率與產出率效能成比例。因此，在包含單一晶圓載物台及單一晶圓對準系統之曝光裝置中觀測到總體生產率與成像品質之間的取捨。又，在包含兩個晶圓載物台及單一晶圓對準系統之曝光裝置中在需要量測基板上之大數目個對準標記以便使某高成像品質符合要求的狀況下在總體生產率與成像品質之間可存在取捨。 因此，舉例而言，需要提供可在不使總體生產率劣化的情況下達成較佳成像品質之微影裝置。換言之，舉例而言，需要提供可達成較佳總體生產率同時使製造IC所需之足夠成像品質符合要求的微影裝置。 另外或替代地，舉例而言，需要提供靈活地且有效地與不同基板大小相容之微影裝置，此係由於合意的或可用基板大小可取決於待製造之IC之類型而不同。另外或替代地，舉例而言，需要提供靈活地且有效地與由不同材料製成的不同類型之基板相容之微影裝置，此係由於合意的或可用基板類型可取決於待製造之IC之類型而不同。 另外或替代地，舉例而言，需要提供較便宜(亦即工具價格較低)同時使製造某一類型IC所需之足夠總體生產率及足夠成像品質符合要求的微影裝置。換言之，在曝光裝置之總體生產率與曝光裝置之工具價格之間可存在取捨。因此，舉例而言，需要提供改良所有權成本(CoO)同時使製造某一類型IC所需之足夠總體生產率及足夠成像品質符合要求的微影裝置。可估計微影裝置對CoO之貢獻，例如Proc. of SPIE第5751卷、第964至975頁(2005年)或Proc. of SPIE第7271卷72710Y(2009年)中所揭示。此等公開案亦可被辨識為為了不同成像品質要求(例如分別為了90奈米節點及22奈米節點)的CoO計算之實例。 另外或替代地，實務上為了製造IC，多個曝光裝置及一些其他類型之裝置通常係必需的。因此，需要改良多個曝光裝置之所有權總成本(TCO)及/或製造IC所需的所有類型之裝置及程序之TCO。 換言之，在曝光裝置之總體生產率、成像品質與經濟性(其可例如在佔據面積、工具價格、CoO及/或TCO方面加以辨識)之間可存在三難困境。在此內容背景中，除了上文所描述之各種取捨以外，在曝光裝置之總體生產率與曝光裝置之佔據面積(及/或工具價格)之間亦可存在取捨。舉例而言，PCT申請公開案第WO 2007/055237A1號中所描述之曝光裝置包含兩個照明系統、兩個光罩載物台、兩個投影系統及兩個基板載物台。此曝光裝置之工具價格及佔據面積將與包含單一照明系統、單一光罩載物台、單一投影系統及單一基板載物台的習知曝光裝置之兩個單元相似；此外，由於光學組件(諸如照明系統及投影系統)之數目加倍，故此等光學組件可使成像品質劣化的各種問題亦將加倍。換言之，在此曝光裝置中仍將觀測到總體生產率與成像品質之間的取捨，其與串連習知曝光裝置之多個單元等效或相似。因此，此曝光裝置將並不節省且將不為對曝光裝置之總體生產率、成像品質與經濟性之間的三難困境的解決方案。 根據本發明之一態樣，提供一種曝光裝置，其包含一基板固持器、一感測器固持器及一移動器。該基板固持器用於固持一基板。該感測器固持器用於固持一感測器。該移動器經配置以用於移動該基板固持器。該移動器經配置以在一第一情形下與該感測器固持器耦接以便移動該感測器固持器。該移動器經配置以在一第二情形下自該感測器固持器解耦以便在不移動該感測器固持器的情況下移動。 根據本發明之一另外態樣，提供一種曝光裝置，其包含：一基板固持器，其用於固持一基板；一感測器固持器，其用於固持一感測器；一移動器，其經配置以用於移動該基板固持器；及一投影系統，其經配置以將一輻射光束提供至該基板上。在曝光期間，該投影系統在該感測器固持器自該移動器解耦時將該輻射光束提供至該基板上。該移動器在該感測器量測該投影系統或該輻射光束之一屬性時與該感測器固持器耦接。 根據本發明之另一態樣，提供一種曝光裝置，其包含：一第一基板固持器，其用於固持一第一基板；一第二基板固持器，其用於固持一第二基板；一投影系統，其用於運用一曝光光束曝光該第一基板；一量測器件，其經配置以提供該第二基板之量測資訊；及一另外量測器件，其經配置以提供該第一基板之量測資訊。該另外量測器件比該量測器件更接近該投影系統。 根據本發明之另一態樣，提供一種曝光裝置，其包含：一第一基板固持器，其經組態以固持一基板；一第二基板固持器，其經組態以固持該基板；一感測器固持器，其經組態以固持一感測器；一投影系統，其經組態以運用一曝光光束曝光該基板；一量測器件，其經組態以提供該基板之量測資訊；一另外量測器件，其經組態以提供該基板之另外量測資訊。該感測器經組態以量測該曝光光束及/或該投影系統之一屬性。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該微影裝置包含照明系統IL、支撐結構MT、基板台WT及投影系統PS。照明系統IL經組態以調節輻射光束B。支撐結構MT經建構以支撐圖案化器件MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器件PM。基板台WT經建構以固持基板W (例如抗蝕劑塗佈晶圓)，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板W之第二定位器PW。投影系統PS經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。 照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束B。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影裝置可為單獨實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之部分，且輻射光束B係憑藉包含(例如)合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明系統IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。 照明系統IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明系統IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明系統IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 本文中所使用之術語「輻射光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長，或具有為或為約13.5奈米或6.7奈米之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。輻射光束可包含可見光，諸如由水銀燈提供之光譜線：g線(具有為或為約436奈米之波長)及/或h線(具有為或為約405奈米之波長)。可見光可由單一發光二極體(LED)或多個LED之組合提供。單一LED或多個LED之組合可提供UV輻射、可見光及/或紅外線輻射。 支撐結構MT支撐圖案化器件MA，亦即承載圖案化器件MA之重量。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)之方式來固持該圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。另外，支撐結構MT可包含用以使圖案化器件MA能夠主動彎曲之圖案化器件固持器、機構及/或載物台本體。藉由使圖案化器件MA主動彎曲，可控制圖案化器件MA之曲率。特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2013/0250271A1號及第US 2016/0011525A1號中揭示此支撐結構MT。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束B之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板W之目標部分C中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束B之圖案將對應於目標部分C中產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。 圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。圖案化器件MA可被稱作光罩或倍縮光罩。空中影像(亦即，投影至基板W上之圖案之空中影像)之光學屬性可藉由使透射光罩、透射倍縮光罩或反射光罩主動彎曲來控制。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。 如此處所描繪，微影裝置屬於透射類型(例如使用透射光罩)。替代地，微影裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。一額外台可經配置以固持至少一個感測器，而非固持基板W。該至少一個感測器可為用以量測投影系統PS之屬性之感測器，或用以量測曝光輻射之屬性之感測器、用以偵測圖案化器件MA上之標記相對於感測器之位置的感測器，或可為任何其他類型之感測器。該額外台可包含例如用於清潔投影系統PS之部分或微影裝置之任何其他部分的清潔器件。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板W之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如圖案化器件MA與投影系統PS之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板W之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統PS與基板W之間。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件MA上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿支撐結構MT的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。用於曝光基板W之輻射光束B亦可被稱作曝光光束。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現支撐結構MT之移動。長衝程模組提供支撐結構MT遍及大範圍以有限準確度之移動(粗略定位)，而短衝程模組提供支撐結構MT相對於長衝程模組遍及小範圍以高準確度之移動(精細定位)。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。 可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分C之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間的空間中時，該等基板對準標記P1、P2被稱為切割道對準標記。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，光罩對準標記M1、M2可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 在第一模式(步進模式)中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。 在第二模式(掃描模式)中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。 在第三模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件MA，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件MA。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。此操作模式亦可易於應用於電子束(e-beam/electron beam)微影。 微影裝置進一步包括控制所描述致動器及感測器之控制單元。控制單元亦包括用以實施與微影裝置之操作相關的所要計算之信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元將被實現為許多子單元之系統。每一子單元可處置微影裝置內之組件之即時資料獲取、處理及/或控制。舉例而言，一個子單元可專用於第二定位器PW之伺服控制。單獨子單元可處置短衝程模組及長衝程模組，或不同軸線。另一子單元可專用於位置感測器IF之讀出。微影裝置之總體控制可受到中央處理單元控制，中央處理單元與子單元通信、與操作者通信，且與微影製造程序中涉及之其他裝置通信。 亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。 基板W可為以下基板中之任一者：矽(Si)晶圓、碳化矽(SiC)晶圓、藍寶石晶圓、氮化鎵(GaN)晶圓、Si上GaN晶圓(其為具有GaN層之矽晶圓)、磷化鎵(GaP)晶圓、銻化鎵(GaSb)晶圓、鍺(GE)晶圓、鉭酸鋰(LiTa)晶圓、鈮酸鋰(LiN)晶圓、砷化銦(InAs)晶圓、磷化銦(InP)晶圓或玻璃基板。基板W可由任何其他材料製成，諸如氧化鎵及砷化鎵。由此等材料中之一者製成的基板相比於用於生產特定類型之IC之其他基板可能更合適。為了生產IC，基板W可具有任何合適的大小，例如直徑為12.5毫米或50毫米或100毫米或150毫米或200毫米或300毫米或450毫米。基板W可具有任何合適的形狀；例如，基板W可為圓形、正方形或矩形。為了生產光罩、模板、倍縮光罩、測試倍縮光罩或虛設倍縮光罩，基板W可具有任何合適的大小，例如為6吋的正方形(6吋×6吋)。為了生產平板顯示器(FPD)，基板W可具有任何合適的大小，例如G4、G6 (例如大致1.5公尺×1.8公尺之大小)、G8 (例如大致2.2公尺×2.5公尺之大小)或G10等。可在前開式單元匣(FOUP)中含有多個基板；例如，可在FOUP中含有25個矽晶圓。此等晶圓可被稱作一批次晶圓。第一FOUP中含有之基板可被稱作第一批次中之基板。 圖1之微影裝置為曝光裝置之實例。曝光裝置為提供曝光器件以運用曝光光束(亦即輻射光束B)來曝光基板W的裝置。藉由曝光基板W，圖案產生於該基板W上。倘若曝光裝置為光學微影裝置，則曝光器件通常被稱作投影系統PS。在一實施例中，投影系統PS包含一透鏡鏡筒及多個光學元件(諸如透鏡、稜鏡及/或鏡面)。在一實施例中，投影系統PS進一步包含用於固持每一光學元件之透鏡固持器及用於控制位置(例如在垂直方向(亦即沿著z軸)上之位置)及定向(例如在Rx及Ry方向上之傾斜)之致動器(諸如壓電元件)。特此以引用方式併入之PCT申請公開案第WO 2005/001543A1號、第WO 2005/064382A1號及第WO 2007/091463A1號中揭示可在本發明之內容背景中使用的投影系統PS之實例。 曝光裝置之另一實例為電子束裝置。不同於光學微影裝置，電子束裝置具有將電子束(e-beam/electron beam)供至基板W以在基板W上產生圖案的曝光器件。此曝光器件可被稱作調變器件。電子束可包含一束電子。電子束裝置可經配置以藉由實行多個曝光器件或藉由使單一曝光器件經配置以同時提供多個電子束從而同時提供多個電子束。特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2011-258842A號中揭示可在此實施例之內容背景中使用的調變器件之實例。 圖2在第一視圖中(例如在俯視圖中)描繪本發明之第一實施例。圖3在第二視圖中(例如在側視圖中)描繪本發明之第一實施例。圖2及圖3展示包含基板固持器202、感測器固持器206及移動器204的曝光裝置200之部分。基板固持器202經配置以固持基板W。感測器固持器206經配置以固持感測器。移動器204經配置以移動基板固持器202。基板固持器202可替代地被稱作「基板夾盤」或「晶圓夾盤」。 移動器204經配置以相對於投影系統PS移動基板固持器202，因此自投影系統PS投影之曝光光束可曝光所有目標部分C。移動器204可在x方向、y方向及z方向上移動。移動器204及/或基板固持器202可具備致動器系統，該致動器系統用於在移動器204支撐基板固持器202時相對於移動器204來移動該基板固持器202。移動器204可被認為係長衝程模組，以用於遍及大範圍之不準確移動。基板固持器202可被認為係短衝程模組，以實現遍及小範圍之準確移動。基板固持器202可支撐基板台WT或可與基板台WT整合。移動器204可具備用以相對於曝光器件(例如投影系統PS)移動的平面馬達。移動器204可經配置以相對於投影系統PS在掃描方向(例如如圖2中所指示之y方向)上移動。移動器204可經配置以相對於投影系統PS在垂直於掃描方向之方向(例如如圖2中所指示之x方向)上移動。垂直於掃描方向之方向可被稱作步進方向。移動器204在基板W正由投影系統PS曝光時可在掃描方向上移動。移動器204在基板W並未由投影系統PS曝光時可在步進方向上移動。移動器204可經配置以在掃描方向及步進方向中之一者中以比在掃描方向及步進方向中之另一者中更高的加速度及/或速度移動。平面馬達可在移動器204上具有磁體且在支撐移動器204之基座上具有線圈。此平面馬達可被稱作「移動磁體型平面馬達」。替代地，平面馬達在移動器204上具有線圈且在支撐移動器204之基座上具有磁體。此平面馬達可被稱作「移動線圈型平面馬達」。替代地，移動器204可包含一個線性馬達或多個線性馬達。另外或替代地，移動器204可以H驅動配置而配置；換言之，移動器204可包含至少一個X線性馬達(亦即經組態以主要在x方向上移動之線性馬達)及至少一個Y線性馬達(亦即經組態以主要在y方向上移動之線性馬達)。舉例而言，以H驅動配置而配置的移動器204可包含一對Y線性馬達及一X線性馬達，該X線性馬達之定子附接至該對Y線性馬達之移動部分。 感測器固持器206固持至少一個感測器。舉例而言，感測器固持器206具有一個感測器，或感測器固持器206具有多個感測器。感測器可為用以量測曝光光束之屬性之感測器，屬性諸如劑量或像差或均一性。感測器固持器206可包含用以固持感測器之額外台或可與該額外台整合。感測器固持器206可包含例如用於清潔投影系統PS之部分或微影裝置之任何其他部分的清潔器件。感測器可包含經組態以量測由投影系統PS投影之圖案之空中影像的空中影像量測器件。 在一實施例中，感測器固持器206具備感測器及清潔器件中之至少一者。感測器可被稱為量測部件。在一實施例中，感測器固持器206具備照度不規則性感測器。照度不規則性感測器經組態以偵測在該照度不規則性感測器之針孔形光接收部分處接收的輻射光束B之照度之不規則性。在一實施例中，感測器固持器206具備諸如空中影像量測器件之感測器。空中影像量測器件經組態以量測由投影系統PS投影之圖案之空中影像。在一實施例中，感測器固持器206具備諸如波前像差量測器件之感測器。特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2003-100613A號中描述波前像差量測器件。波前像差量測器件經組態以例如使用夏克-哈特曼(Shack-Hartmann)方法來量測波前之像差。此波前像差量測器件亦可被稱作像差感測器。在一實施例中，感測器固持器206具備諸如照度監視器之感測器。照度監視器經組態以接收投影系統PS之影像平面上之輻射光束B且量測由投影系統PS提供的輻射光束B之至少一個屬性。在一實施例中，波前像差量測器件及/或照度監視器位於感測器固持器206之頂部表面上。 在一實施例中，由感測器固持器206固持之感測器中之一者經配置以量測投影系統PS之像差、投影系統PS之光瞳及/或照明系統IL之偏振。由感測器固持器206固持之感測器中之一者獲得的量測資料可用於調節或控制投影系統PS、圖案化器件MA、照明系統IL及/或輻射源SO之屬性以便改良曝光裝置之成像品質。當感測器經配置以量測投影系統PS之像差時，模擬模型可用以預測基板W上之影像(亦即投影至基板W上之圖案之空中影像)之失真。另外或替代地，模擬模型可用以預測投影系統PS之像差之改變及/或可用以預測照明系統IL之照明光瞳之分佈。另外或替代地，模擬模型可用以預測產生於基板W上之圖案。另外或替代地，波前像差量測器件及/或空中影像量測器件可用以校準、更新及/或改良模擬模型。模擬模型並不限於在感測器經配置以量測投影系統PS之像差時使用。在一替代實施例中，使用均一性感測器(來代替像差感測器)以校準、更新或改良模擬模型。均一性感測器可由感測器固持器206支撐。特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2013-165134A號及第JP 2014-165291A號以及PCT申請公開案第WO 2011/102109A1號、第WO 2014/042044A1號及第WO 2015/182788A1號中揭示可在本發明之內容背景中使用的模擬模型(或用於模擬模型中之演算法)之實例。所提及感測器之實例在圖中被示意性地說明為感測器固持器206上之正方形、圓形及三角形。在一實施例中，感測器之形狀可與所說明形狀不同。 在一實施例中，經組態以量測由投影系統PS投影之圖案之空中影像的空中影像量測器件包含一偵測器、一基準板及/或一光學元件。基準板包含一基準標記及/或一對空中影像量測隙縫圖案。空中影像量測器件可包含多個基準板。在一實施例中，空中影像量測器件之所有部分皆提供於感測器固持器206上。替代地，空中影像量測器件之僅部分、例如僅偵測器可提供於感測器固持器206上。替代地或另外，空中影像量測器件之部分、例如基準板可提供於基板固持器202上。替代地，空中影像量測器件可提供於如特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2007-189180A號中所揭示的虛設晶圓上。此虛設晶圓可代替基板W被裝載於基板固持器202上。 曝光裝置200可包含一交換機構208，該交換機構用於將感測器固持器206提供至移動器204、用於自移動器204移除感測器固持器206、用於支撐感測器固持器206及/或用於移動感測器固持器206。 圖4描繪在第一情形下之曝光裝置200。該移動器204經配置以在第一情形下與感測器固持器206耦接以便移動該感測器固持器206。當移動器204及感測器固持器206彼此耦接時，移動器204之移動可導致感測器固持器206之移動。移動器204可使感測器固持器206相對於投影系統PS移動，因此，感測器固持器206之不同部分可處於投影系統PS下方。舉例而言，移動器204可使感測器固持器206相對於投影系統PS移動，因此，感測器固持器206上之多個感測器可運用來自投影系統PS之曝光光束來曝光(換言之，曝光光束之屬性可藉由感測器固持器206上之此等感測器中的每一者量測)。 如圖4中所描繪，基板固持器202及感測器固持器206兩者係由移動器204支撐。基板固持器202及感測器固持器206可經配置以在該第一情形下相對於移動器204共調地移動。倘若將浸潤技術應用於曝光裝置200中，則在共調移動(亦即，基板固持器202及感測器固持器206共調移動)期間，浸潤液體可自基板固持器202及感測器固持器206中之一者轉移至基板固持器202及感測器固持器206中之另一者。在共調移動期間，基板固持器202與感測器固持器206可彼此接觸或彼此分離一間隙。間隙可足夠小以限制或防止在共調移動期間浸潤液體在基板固持器202與感測器固持器206之間洩漏。在實踐浸潤技術的狀況下，微影裝置可包含一液體處置系統，該液體處置系統經組態以供應浸潤液體且將浸潤液體限制至界定於投影系統PS與基板固持器202、基板W及感測器固持器206中之至少一者之間的空間。 圖5描繪在第二情形下之曝光裝置200。該移動器204經配置以在該第二情形下自感測器固持器206解耦以便在無感測器固持器206的情況下移動。在第二情形下，移動器204可在無感測器固持器206的情況下移動。在第二情形下，移動器204支撐基板固持器202且並不支撐感測器固持器206。感測器固持器206係由交換機構208支撐及/或移動。當交換機構208將感測器固持器206定位於投影系統PS附近或投影系統PS處時，感測器固持器206上之感測器可執行量測。交換機構208可使感測器固持器206相對於投影系統PS移動，因此，感測器固持器206之不同部分可位於投影系統PS下方。當移動器204在該第二情形下移動時，移動器204並不移動感測器固持器206之塊體。在第二情形下，移動器204可使基板固持器202相對於投影系統PS移動以便曝光目標部分C。該第二情形可能在曝光期間。由於移動器204在該第二情形下無需移動感測器固持器206之塊體，故移動器204可較快速地移動。替代地，移動器204可利用較小致動器以達成所要加速度。在移動器204較快速移動之狀況下，可每單位時間曝光更多目標部分C，從而縮減每目標部分C之成本。在移動器204利用較小致動器之狀況下，微影裝置可花費較小(亦即工具價格較低)。因為可需要花費較小的致動器、花費較小的冷卻系統、花費較小的放大器等，所以微影裝置可花費較小。 圖6描繪在第三情形下之曝光裝置200。移動器204支撐感測器固持器206。交換機構208支撐基板固持器202。交換機構208可將基板固持器202移動至基板卸載部位。當基板固持器202處於基板卸載部位時，基板處置器可自基板固持器202移除基板W。另外，可在基板卸載部位處將新基板W置放於基板固持器202上(或裝載至基板固持器202上)。可在另一部位處(例如在基板裝載部位處)將新基板W裝載至基板固持器202上。在該第三情形下，感測器固持器206可位於曝光器件例如投影系統PS附近或曝光器件處。當感測器固持器206位於曝光器件附近或曝光器件處時，感測器固持器206上之感測器可執行量測。移動器204可使感測器固持器206相對於投影系統PS移動，因此，感測器固持器206之不同部分可位於投影系統PS下方。 感測器固持器206可具備用以相對於移動器204移動之致動器。舉例而言，該致動器可經配置以使感測器固持器206相對於移動器204在x方向或y方向上移動。致動器系統可包含線圈陣列及磁體陣列。線圈陣列及磁體陣列中之一者可提供於感測器固持器206上。線圈陣列及磁體陣列中之另一者可提供於移動器204上。線圈陣列及磁體陣列可彼此相互作用以提供驅動力，以使感測器固持器206相對於移動器204移動。替代地，致動器可具備單一磁體或具備單一線圈。另外，可提供感測器系統以判定感測器固持器206相對於移動器204之位置。可提供基於來自感測器系統之信號來控制致動器系統的控制器。 圖7描繪本發明之另一實施例。圖7之左側部分描繪支撐基板固持器202之移動器204的側視圖。基板固持器202支撐具有某直徑之基板W。直徑可為例如12.5毫米或50毫米或100毫米或150毫米或200毫米或300毫米或450毫米中之一者。可有益的是，曝光裝置200經配置以固持直徑與基板W之直徑不同的另外基板W2，如圖7之右側部分所展示。圖7之右側部分展示支撐另外基板固持器702之移動器204。該另外基板固持器702經配置以固持另外基板W2。該另外基板W2之直徑大於基板W之直徑。該另外基板W2之直徑可例如為12.5毫米或50毫米或100毫米或150毫米或200毫米或300毫米或450毫米中之一者。另外基板固持器702大於基板固持器202。替代地，另外基板固持器702可小於基板固持器202。為了容納另外基板固持器702，移動器204可具有兩個部分；左側部分706及右側部分704。左側部分706及右側部分704經配置以共同地支撐基板固持器202及另外基板固持器702。當支撐基板固持器202時，左側部分706與右側部分704彼此相隔一距離710。當支撐另外基板固持器702時，左側部分706與右側部分704彼此相隔一距離720。在另外基板固持器702大於基板固持器202之狀況下，距離720大於距離710，因此，在左側部分706與右側部分704之間存在更多空間供支撐另外基板固持器702 (亦即在此狀況下，左側部分706與右側部分704彼此較遠地隔開)。左側部分706及右側部分704可為手動可調整的以設定距離710及720，或移動器204可具備致動器以設定(或調整)距離710及720。致動器可包含用以使左側部分706及右側部分704相對於彼此移動的導螺桿或壓電致動器或任何其他合適致動器。移動器204可包含用以提供表示距離710及720之信號之感測器。該信號可用作用於用以設定(或調整)距離710及720之致動器之控制信號。 圖7之實施例可提供使單一微影裝置能夠處理具有不同大小之基板的益處。IC製造商並不必須針對每一基板大小購買專用微影裝置；替代地，單一微影裝置處理具有不同大小之基板，此導致微影裝置之高效使用。該微影裝置可具備一基板固持器處置器。該微影裝置可具備多個基板固持器處置器。基板固持器處置器經配置以與基板固持器202耦接且自微影裝置移除基板固持器202。基板固持器處置器經配置以例如藉由將基板固持器202放置至移動器204上而將基板固持器202添加至微影裝置。相似地，基板固持器處置器可經配置以將另一基板固持器212及/或另外基板固持器702添加至微影裝置及自微影裝置移除另一基板固持器212及/或另外基板固持器702。舉例而言，交換機構208可形成基板固持器處置器。交換機構208可包含多個基板固持器處置器，且該等基板固持器處置器中之每一者可獨立地受控制。當IC製造商希望曝光不同大小或類型之基板W時，基板固持器處置器可自微影裝置移除當前基板固持器(亦即當前在使用中之基板固持器)，且用適合於該不同大小或類型之基板W的另一類型之基板固持器來替換其。在此實施例中，另一基板固持器212之大小可與基板固持器202之大小相同，而另外基板固持器702之大小可與基板固持器202之大小不同。在此實施例中，可存在大小與另外基板固持器702相同的另一基板固持器。在此實施例中，當IC製造商希望曝光不同大小之基板W時，基板固持器202及另一基板固持器212可由另外基板固持器702及大小與該另外基板固持器702相同的另一基板固持器替換。基板固持器處置器可極相似於晶圓處置器，且可例如包含用以與基板固持器嚙合之機器人臂及/或夾緊器。 左側部分706及右側部分704可各自具備一線圈陣列740。線圈陣列740可在y方向上延伸。基板固持器202及另外基板固持器702可經配置有磁體陣列730。磁體陣列730可在y方向上延伸。替代地，左側部分706及右側部分704各自具備磁體陣列730，且基板固持器202及另外基板固持器702具備線圈陣列740。磁體陣列730及線圈陣列740一起形成致動器系統，以使基板固持器202及另外基板固持器702相對於移動器204在y方向上移動。致動器系統可經配置以使基板固持器202及另外基板固持器702相對於移動器204移動遍及一或若干目標部分C的距離。此距離可小於100毫米或小於50毫米或小於20毫米或小於10毫米或小於5毫米或小於2毫米。替代地或另外，致動器系統可經配置以使基板固持器202相對於移動器204在x方向上移動。在x方向上之移動範圍可實質上小於在y方向上之移動範圍。舉例而言，致動器系統可使基板固持器202相對於移動器204在x方向上移動遍及小於5毫米之範圍、例如小於2毫米(例如小於1毫米)。左側部分706及右側部分704各自可形成U形。該U形可形成位置量測系統可延伸至之空間。舉例而言，編碼器系統延伸通過該U形。移動器204可經配置成使得基板固持器202可藉由沿著磁體陣列730之方向(亦即在圖7之y方向上)移動而耦接至移動器204及解耦。磁體陣列730及線圈陣列740中之一者可形成用以使感測器固持器206相對於移動器204移動之致動器之部分。 移動器204可支撐導引系統。導引系統可經配置以導引左側部分706及右側部分704在x方向上相對於彼此之移動。舉例而言，導引系統包含用以允許左側部分706沿著x方向相對於右側部分704移動的導軌。 導引左側部分706之導軌可具備兩個末端擋板。一末端擋板可處於導軌之一側。當左側部分706定位於一末端擋板處時，該左側部分706可經設定為支撐基板固持器202。另一末端擋板可處於導軌之另一側。當左側部分706定位於另一末端擋板處時，該左側部分706可經設定(調整)為支撐另外基板固持器702。相似地，導引右側部分704之導軌可具備兩個末端擋板。當右側部分704定位於一末端擋板處時，該右側部分704可經設定為支撐基板固持器202。另一末端擋板可處於導軌之另一側。當右側部分704定位於另一末端擋板處時，該右側部分704可經設定為支撐另外基板固持器702。 在一實施例中，基板固持器202經配置以固持基板W及另外基板W2。舉例而言，基板固持器202可具備夾持裝置以夾持基板W及另外基板W2。夾持裝置在夾持基板W時可在第一區域上提供夾持力，例如真空力或靜電力。夾持裝置在夾持另外基板W2時可在第二區域上提供夾持力。第二區域可大於第一區域。第二區域之直徑可大於第一區域之直徑。 圖8描繪根據本發明之一實施例。在圖8之左側部分中，移動器204支撐基板固持器202及感測器固持器206。感測器固持器206具有寬度800及長度802。長度802實質上等於基板固持器202之大小。舉例而言，基板固持器202之大小約為基板W之直徑。長度802約為基板W之直徑。長度802可實質上等於基板固持器202之大小且可足夠長以容納標記物陣列810。標記物陣列810可沿著約等於基板W之直徑的距離提供(或包含)對準標記物；換言之，多個對準標記物係沿著標記物陣列810而配置。另外，感測器固持器206固持感測器850、852及854。感測器850、852及854中之至少一者可包含上文所提及之照度不規則性感測器、波前像差量測器件或均一性感測器。舉例而言，感測器850可包含照度不規則性感測器、感測器852可包含波前像差量測器件，且感測器854可包含均一性感測器。感測器850、852及854中之至少一者可並非為感測器，而是可替代地為清潔器件。感測器850、852及854中之至少一者可為另一類型之感測器。 如圖8之右側部分中所展示，移動器204支撐大於基板固持器202的另外基板固持器702，其用以支撐另外基板W2。因為另外基板W2大於基板W，所以標記物陣列810可並不足夠大(或足夠長)而不能提供足夠對準標記物及/或適當地配置對準標記物。為了解決此問題，感測器固持器206具備一另外標記物陣列820。該另外標記物陣列820大於標記物陣列810。為了支撐另外標記物陣列820，寬度800實質上等於另外基板固持器702之大小，此意謂在另外基板固持器702大於基板固持器202之狀況下寬度800長於長度802。 如圖8中所展示，感測器固持器206在圖8之左側部分中具有第一定向，且在圖8之右側部分中具有第二定向。在第一定向中，感測器固持器206具有沿著垂直於水平平面之軸線所成的第一角度。在第一定向中，寬度800係沿著y軸對準且長度802係沿著x軸對準。第一定向可被定義為沿著z軸成0º之角度。在第二定向中，感測器固持器206具有沿著垂直於水平平面之軸線所成的第二角度，其中第一角度不同於該第二角度。在第二定向中，長度802係沿著y軸對準且寬度800係沿著x軸對準。第二定向可被定義為沿著z軸成90º之角度。在一實施例中，第一定向中之角度與第二定向中之角度之間的差可為不同於90º之值，例如30º或45º或120º或180º。感測器固持器206之形狀可不同於矩形形狀，例如為三角形或T形。 在一實施例中，感測器固持器206具有長度802及寬度800，該長度及該寬度對於僅處於第一定向中之基板固持器202及另外基板固持器702兩者而言大小合適。替代地，提供兩個感測器固持器206，其中一感測器固持器大於另一感測器固持器。 在一實施例中，感測器固持器206經配置以自基板固持器202接收輻射光束(或曝光光束)。舉例而言，投影系統PS將曝光光束傳播至基板固持器202。經由基板固持器202，曝光光束之至少部分經導向至感測器固持器206。在一實施例中，基板固持器202包含標記物830。投影系統PS運用曝光光束來曝光標記物830以將影像投影於該標記物830上。曝光光束包含關於投影於標記物830上之影像之資訊。隨著曝光光束傳播通過標記物830且到達感測器固持器206，關於影像之資訊經傳播至感測器固持器206。感測器固持器206可具備偵測器840，該偵測器用以接收曝光光束且提供(或產生)表示投影於標記物830上之影像之資訊的信號。舉例而言，資訊可為標記物830上之影像之位置、影像與標記物830之間的干涉圖案、投影於標記物830上之影像之失真或曝光光束之強度。除了偵測器840以外，感測器固持器206亦可具備至少一個額外偵測器。該至少一個額外偵測器中之一者可配置於感測器固持器206之與配置有偵測器840所在的感測器固持器206之側不同的側上。舉例而言，偵測器840配置於具有長度802之側上，且額外偵測器配置於具有寬度800之側上。當感測器固持器206處於第二定向時，該額外偵測器可面向基板固持器202或另外基板固持器702。 在一實施例中，標記物830及偵測器840可為經組態以量測由投影系統PS投影之圖案之空中影像的空中影像量測器件之組件。在此內容背景中，標記物830可包含一基準板或可包含多個基準板。偵測器840可在基板固持器202及感測器固持器206兩者由移動器204支撐時提供關於空中影像(換言之，空中影像量測器件量測空中影像)之資訊(或產生表示關於空中影像之資訊之信號)。偵測器840可在基板固持器202及感測器固持器206執行共調移動時提供關於空中影像之資訊(或產生表示關於空中影像之資訊之信號)。 在一實施例中，偵測器並非配置於感測器固持器206上，而是配置於某別處，使得感測器固持器206可相對於該偵測器移動。舉例而言，偵測器840可配置於移動器204上或偵測器840可配置於靜止框架上。在此實施例中，感測器固持器206可具備用以將曝光光束導向至偵測器840之光學組件。 如圖2及圖9中進一步所描繪，曝光裝置200可包含例如投影系統PS之曝光器件，及量測器件220。曝光器件經配置以運用曝光光束曝光基板W。量測器件220經配置以提供基板W之量測資訊(亦即經配置以量測基板W)。曝光器件與量測器件220遠離彼此。移動器204經配置以在基板固持器202接近曝光器件時支撐該基板固持器202。 量測器件220可為經配置以提供基板W之量測資訊(亦即經配置以量測基板W)的任何合適器件。舉例而言，量測器件220可提供關於基板W之高度剖面、例如關於基板W之扁平度的資訊。關於高度剖面之資訊可用以在某一目標部分C之曝光期間將基板W定位至某一z位置，以在該目標部分C上產生焦點對準影像。另外或替代地，量測器件220可經配置以提供關於基板W之平面內變形之資訊。舉例而言，量測器件220可提供關於基板W上之基板對準標記P1、P2之位置的資訊。關於基板對準標記P1、P2之位置的資訊可用以判定基板對準標記P1、P2相對於彼此之位置或比較該資訊與參考資訊。關於平面內變形之資訊可用以在某一目標部分C之曝光期間將基板W定位至某x及y位置，以在基板W上之正確x及y位置處產生影像。 量測器件220可包含特此以引用方式併入之美國專利申請案US 2009-0233234A1中所揭示之多個對準感測器。換言之，量測器件220可包含一包含此類多個對準感測器之對準系統。替代地，對準系統可包含單一對準感測器。可在對準操作期間相對於單一對準感測器移動基板W，因此，基板對準標記P1、P2隨後面向該單一對準感測器。在對準操作期間，對準感測器可基於基板對準標記P1、P2之位置而產生位置資訊，該位置資訊為一種量測資訊類型；換言之，對準感測器可量測基板對準標記P1、P2之位置。另外或替代地，在對準操作期間，對準感測器可基於可位於目標部分C中的疊對標記之位置而產生位置資訊。另外或替代地，在對準操作期間，對準感測器可基於基板對準標記P1、P2及疊對標記兩者之位置而產生位置資訊；換言之，對準感測器可量測基板對準標記P1、P2及疊對標記兩者之位置。 曝光器件及量測器件220遠離彼此，因此，當基板W在曝光器件處時，基板W並不在量測器件220處，且反之亦然。可將基板W自其中量測器件220執行量測以提供量測資訊的部位移動至其中曝光器件曝光基板W的另一部位。在一實施例中，曝光器件及量測器件220可彼此鄰近。舉例而言，當基板W之一個邊緣在量測器件220處時，基板W之另一邊緣在曝光器件處。 在一實施例中，參見圖2，移動器204經配置以在基板固持器202接近曝光器件時支撐該基板固持器202。當另一基板固持器212接近量測器件220時，提供靜止支撐件210以支撐該另一基板固持器212。另一基板固持器212可與基板固持器202及另外基板固持器702中之一者相同或相似。靜止支撐件210可具備一致動器系統，該致動器系統用以相對於靜止支撐件210移動另一基板固持器212。該致動器系統可為經配置以在另一基板固持器212由靜止支撐件210支撐時移動該另一基板固持器212的移動器件230之部分。舉例而言，移動器件230包含經配置以在x及y方向上移動另一基板固持器212的機器人臂。移動器件230可包含多個機器人臂。機器人臂可經配置以使另一基板固持器212沿著z軸旋轉。換言之，在量測器件220之操作期間(例如在對準操作期間)，移動器件230可使另一基板固持器212相對於靜止支撐件210在水平方向上移動。在一實施例中，該另一基板固持器212具備磁體陣列730及線圈陣列740中之一者。致動器系統可部分地由磁體陣列730及線圈陣列740中之一者形成。致動器系統之另一部分可配置於靜止支撐件210之頂部表面上。舉例而言，該頂部表面具備磁體陣列或線圈陣列。磁體陣列或線圈陣列可以在x方向及y方向兩者上延伸之2D陣列而配置。簡言之，在量測器件220之操作期間，可藉由提供於另一基板固持器212自身上之致動器系統(或致動器系統之部分)相對於靜止支撐件210來移動將該另一基板固持器212 (例如在水平方向上)。 在一實施例中，交換機構208可經配置以將另一基板固持器212自靜止支撐件210轉移至移動器204。另外或替代地，交換機構208可經配置以將基板固持器202自移動器204轉移至靜止支撐件210。交換機構208可在量測器件220之操作期間在另一基板固持器212由靜止支撐件210支撐時移動該另一基板固持器212。可以相似方式來配置及操作移動器件230及交換機構208。可在曝光裝置200中之不同部位處同時操作移動器件230及交換機構208。舉例而言，如圖2及圖3中所描繪，移動器件230可固持(及/或移動)另一基板固持器212，而交換機構208可固持(及/或移動)感測器固持器206。 靜止支撐件210之頂部表面可具備氣體出口，以在該頂部表面與另一基板固持器212之間提供氣膜。該氣膜可充當氣體軸承，其在另一基板固持器212與頂部表面之間無實體接觸的情況下支撐另一基板固持器212。氣體出口中之每一者可具備一閥。該閥可經配置以在另一基板固持器212接近氣體出口或在氣體出口上方時斷開，且可經配置以在另一基板固持器212遠離氣體出口時關閉。由氣體出口提供之氣體可包含空氣、氮氣或任何其他合適氣體。 在一實施例中，如圖9中所展示，曝光裝置200可具備第一編碼器頭910及第一比例尺915。靜止支撐件210包含用於固持第一編碼器頭910之凹座。第一比例尺915配置於另一基板固持器212之底部表面處。第一編碼器頭910在另一基板固持器212接近量測器件220或在量測器件220處時面向第一比例尺915，且經配置以提供(或產生)表示另一基板固持器212之位置資訊的第一信號。舉例而言，第一編碼器頭910可提供(或產生)表示另一基板固持器212沿著x軸及/或沿著y軸及/或沿著z軸、及/或圍繞x軸之旋轉及/或圍繞y軸之旋轉及/或圍繞z軸之旋轉之位置的信號。第一編碼器頭910可為包含多個編碼器頭及/或包含除了編碼器頭之外的其他位置感測器(例如電容性感測器或干涉感測器)的編碼器頭系統。此編碼器頭系統亦可被稱作位置量測器件或位置量測系統。 第一編碼器頭910可經由動力隔離器耦接至靜止支撐件210。動力隔離器可包含機械彈簧或阻尼器。機械彈簧可為螺旋彈簧或片彈簧。阻尼器可包含黏性阻尼器或黏彈阻尼器。動力隔離器可包含致動器、感測器及控制器。感測器可經配置以偵測靜止支撐件210之振動。基於來自感測器之輸入，控制器可控制致動器致動以便防止靜止支撐件210振動從而使第一編碼器頭910振動。舉例而言，致動器為壓電致動器或磁阻致動器或勞侖茲(Lorentz)致動器。替代地，感測器、控制器及致動器可經配置以使第一編碼器頭910相對於參考件維持所要位置，而與靜止支撐件210之振動無關。參考件可為量測器件220或曝光器件。 如圖9中所展示，例如投影系統PS之曝光器件係由框架940支撐。在一實施例中，曝光器件可相對於框架940移動。當曝光器件能夠相對於框架940移動時，曝光器件能夠改變曝光光束之路徑。舉例而言，當曝光器件能夠在x方向上移動時，曝光器件能夠使曝光光束之路徑在x方向上移位。藉由使曝光光束之路徑移位，可在不移動基板固持器202的情況下由曝光光束曝光基板W之較大部分。替代地或另外，藉由使曝光光束在基板固持器202之移動方向上之路徑移位，基板W之某一部分可曝光較長時間段。曝光器件可相對於框架940沿著x軸、y軸或此兩者可移動。曝光器件可由諸如壓電致動器或勞侖茲致動器之致動器移動。曝光器件可由導引器件導引。導引器件可包含可撓性元件，諸如片彈簧。導引器件可包含氣體軸承。替代地或另外，投影系統PS可由框架940經由主動隔振系統(AVIS)支撐。此AVIS可包含阻尼器、彈簧、位置感測器及/或致動器(諸如音圈馬達)。在一實施例中，曝光器件可相對於框架940在垂直方向上(亦即沿著z軸)移動。AVIS使能夠使可在框架940與投影系統PS之間傳播的振動衰減。特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2016-194599A號中揭示可在本發明之內容背景中使用的AVIS之實例。由於振動為使微影裝置之成像品質劣化的不當干擾之典型類型，故AVIS可在不使總體生產率劣化的情況下改良微影裝置之成像品質。 在一實施例中，曝光裝置200具備一另外量測器件950，該另外量測器件經配置以提供基板W之另外量測資訊(亦即，經配置以執行基板W之另外量測)。該另外量測器件950比量測器件220更接近曝光器件(例如投影系統PS)。量測器件220比該另外量測器件950更遠離曝光器件(例如投影系統PS)。該另外量測器件950可相似於量測器件220且可提供關於基板W之相似資訊。舉例而言，該另外量測器件950可為與量測器件220相同類型的感測器系統，但量測器件220可藉由花費較長量測時間而以比該另外量測器件950更佳的準確度具備關於基板W之資訊；換言之，另外量測器件950可花費較少的量測時間來完成基板W之量測。另外量測器件950可在基板固持器202由移動器204支撐時執行基板W之量測。 由另外量測器件950提供之資訊可用以判定基板W之表面相對於曝光器件之影像平面之z位置。另外量測器件950可包含一位階量測感測器系統，該位階量測感測器系統提供關於基板W之高度剖面(例如基板W之扁平度)之資訊。位階量測感測器系統亦可被稱作自動聚焦系統。控制單元可利用關於基板W之高度剖面之資訊以及由空中影像量測系統提供之資訊兩者，以判定基板W與圖案化器件MA之間的位置關係。控制單元可處理由位階量測感測器系統及空中影像量測系統獲得之多個信號，以判定基板W與圖案化器件MA之間的位置關係。控制單元可處理多個信號及/或執行如特此以引用方式併入之PCT申請公開案第WO 2005/096354A1號中所揭示的演算法。 位階量測感測器系統可包含用以提供輻射光束之光源。輻射光束(例如光)可經導向至基板W之頂部表面。輻射光束係由頂部表面反射回至位階量測感測器系統。基於該反射(亦即基於反射光)，位階量測感測器系統可產生表示高度剖面之信號。光源可提供具有複數個波長及/或具有連續光譜之輻射光束。輻射光束可包含紅外光、可見光及/或UV光。光源可包含發光二極體(LED)或可包含多個LED。光源可具有具不同顏色之LED，諸如橙色、紅色、綠色、青色、藍色及紫色(例如具有分別為或為約630奈米、605奈米、560奈米、505奈米、470奈米或405奈米之峰值波長)。位階量測感測器系統可以與基板W成一傾斜角度提供輻射光束。位階量測感測器系統可提供輻射光束使得輻射光束入射於基板W之大部分上，例如沿著橫越基板W之線入射。 另外量測器件950之資訊可用以判定基板W相對於圖案化器件MA之參考標記(例如光罩對準標記M1、M2)之影像的x位置及y位置。另外或替代地，另外量測器件950可提供關於基板W上之基板對準標記P1、P2之位置的資訊；換言之，另外量測器件950可量測基板W上之基板對準標記P1、P2之位置。關於基板對準標記P1、P2之位置的資訊可用以判定基板對準標記P1、P2相對於彼此之位置或比較該資訊與參考資訊。另外量測器件950可包含提供關於基板W之平面內變形之資訊的晶圓對準感測器系統。另外量測器件950可包含特此以引用方式併入之美國專利申請案US 2009-0233234A1中所揭示之多個對準感測器。換言之，晶圓對準感測器系統可包含此類多個對準感測器。替代地，晶圓對準感測器系統可包含單一對準感測器。關於平面內變形之資訊可用以在某一目標部分C之曝光期間將基板W定位至某x及y位置，以在基板W上之正確x及y位置處產生影像。控制單元可利用關於基板W之平面內變形之資訊及由空中影像量測系統提供之資訊兩者，以判定基板W與圖案化器件MA之間的位置關係。控制單元可處理由晶圓對準感測器系統及空中影像量測系統獲得之多個信號，以判定基板W與圖案化器件MA之間的位置關係。控制單元可處理多個信號及/或執行如特此以引用方式併入之PCT申請公開案第WO 2007/097379A1號中所揭示的演算法。 在一實施例中，曝光裝置200包含一第二編碼器頭920及一第二比例尺925。第二比例尺925配置於基板固持器202之底部表面處。第二編碼器頭920經配置為面向第二比例尺925以便提供(或產生)表示基板固持器202之位置資訊的第二信號。第二編碼器頭920在基板固持器202接近曝光器件(例如投影系統PS)或處於該曝光器件處時面向第二比例尺925，且經配置以提供(或產生)表示基板固持器202之位置資訊的第二信號。舉例而言，第二編碼器頭920可提供(或產生)表示基板固持器202沿著x軸及/或沿著y軸及/或沿著z軸、及/或圍繞x軸之旋轉及/或圍繞y軸之旋轉及/或圍繞z軸之旋轉之位置的第二信號。第二編碼器頭920可為包含多個編碼器頭及/或包含除了編碼器頭之外的其他位置感測器(例如電容性感測器或干涉感測器)的編碼器頭系統。此編碼器頭系統亦可被稱作位置量測器件或位置量測系統。第二編碼器頭920可安裝於量測臂上。量測臂可附接至框架940且可在基板固持器202下方延伸。第二編碼器頭920可沿著曝光器件之光軸而定位。 基板固持器202及另一基板固持器702可交換位置使得第一編碼器頭910面向第二比例尺925且使得第二編碼器頭920面向第一比例尺915。在彼情形下，第一編碼器頭910可提供(或產生)表示基板固持器202之位置資訊的第一信號。在彼情形下，第二編碼器頭920可提供(或產生)表示另一基板固持器702之位置資訊的第二信號。 在一實施例中，曝光裝置200包含一第三編碼器頭930及一第三比例尺935。第三比例尺935配置於感測器固持器206之底部表面處。第三編碼器頭930經配置為面向第三比例尺935以便提供(或產生)表示感測器固持器206之位置資訊的第三信號。第三編碼器頭930在感測器固持器206由交換機構208支撐時面向第三比例尺935，且經配置以提供表示感測器固持器206之位置資訊的第三信號。舉例而言，第三編碼器頭930可提供表示感測器固持器206沿著x軸及/或沿著y軸及/或沿著z軸、及/或圍繞x軸之旋轉及/或圍繞y軸之旋轉及/或圍繞z軸之旋轉之位置的第三信號。第三編碼器頭930可為包含多個編碼器頭及/或包含除了編碼器頭之外的其他位置感測器(例如電容性感測器或干涉感測器)的編碼器頭系統。此編碼器頭系統亦可被稱作位置量測器件或位置量測系統。第三編碼器頭930可安裝於一另外量測臂上。該另外量測臂可附接至框架940且可在感測器固持器206下方延伸。 在一實施例中，另外基板固持器702可具有與基板固持器202相同的大小或可具有不同大小。舉例而言，在圖3及圖9之實施例中，在僅與單一大小之基板相容的微影裝置中，另一基板固持器212及/或另外基板固持器702可與基板固持器202相同。替代地或另外，在僅與由不同材料製成的單一大小之基板相容的微影裝置中，另外基板固持器702可具有與基板固持器202相同的大小，但該另外基板固持器702可由與基板固持器202不同的材料製成。替代地，在圖7及圖8之實施例中，在與多個大小之基板相容的微影裝置中，另外基板固持器702可具有與基板固持器202不同的大小，且另外基板固持器702可用另一基板固持器212替換，該另一基板固持器212之大小與基板固持器202相同。另外或替代地，另外基板固持器702可固持與基板固持器202上之基板不同類型的基板W；例如，可在微影裝置之操作期間之某個時刻在將基板W裝載於另外基板固持器702上時將虛設晶圓裝載於基板固持器202上。在一實施例中，曝光裝置200包含兩個基板固持器202及另外兩個基板固持器702。該兩個基板固持器202可具有相同大小。該另外兩個基板固持器702可具有與該兩個基板固持器202相同的大小或可大於該兩個基板固持器202。在第一操作模式中，曝光裝置使用兩個基板固持器202以固持基板W，同時將另外兩個基板固持器702儲存於例如曝光裝置200中之儲存部位處。該另外兩個基板固持器702可在第一操作模式期間保持閒置(亦即保持未使用)。在第二操作模式中，曝光裝置使用另外兩個基板固持器702以固持基板W，同時將兩個基板固持器202儲存於例如曝光裝置200中之儲存部位處。該兩個基板固持器202可在第二操作模式期間保持閒置(亦即保持未使用)。 感測器固持器206可佔據基板固持器202之位置使得第二編碼器頭920面向第三比例尺935。在彼情形下，第二編碼器頭920可提供(或產生)表示感測器固持器206之位置資訊的第二信號。 在一實施例中，提供包含基板固持器202、感測器固持器206、移動器204及投影系統PS的曝光裝置。基板固持器202係用於固持基板W。感測器固持器206係用於固持感測器。移動器204經配置以用於移動基板固持器202。投影系統PS經配置以將輻射光束提供至基板W上。在曝光期間，投影系統PS在感測器固持器206自移動器204解耦時將輻射光束提供至基板W上。移動器204可在感測器量測投影系統PS或輻射光束之屬性時與感測器固持器206耦接。 曝光裝置可包含交換機構208，該交換機構用於將感測器固持器206提供至移動器204且用於自移動器204移除感測器固持器206。 移動器204可經配置以移動用於固持另外基板W2之另外基板固持器702。另外基板W2之大小可不同於基板W之大小。藉由以此方式組態曝光裝置，曝光裝置可靈活地及有效地與不同大小之基板相容。與多個曝光裝置中之每一者專用於曝光一特定大小之基板的狀況相比較，能夠曝光具有不同大小之基板的單一曝光裝置可改良所有權成本(CoO)及/或所有權總成本(TCO)。 感測器固持器206具有一長度及一寬度。長度可實質上等於基板固持器202之大小。寬度實質上可等於另外基板固持器702之大小。長度及寬度可彼此不同。 移動器204可經配置以支撐處於第一定向中及第二定向中之感測器固持器206。在第一定向中，感測器固持器206具有沿著垂直於水平平面之軸線所成的第一角度。在第二定向中，感測器固持器206具有沿著垂直於水平平面之軸線所成的第二角度。第一角度不同於第二角度。 移動器可經配置以自基板固持器解耦以便在不移動基板固持器的情況下移動。 感測器固持器206可經配置以自基板固持器202接收輻射光束。基板固持器202可包含標記物(例如標記物830)。輻射光束可包含關於投影於標記物上之影像之資訊。感測器固持器206可經配置以將輻射光束傳播至偵測器(例如偵測器840)。感測器固持器206可相對於偵測器可移動。 曝光裝置可包含曝光器件及量測器件。曝光器件經配置以運用曝光光束曝光基板。量測器件經配置以提供基板W之量測資訊。曝光器件與量測器件遠離彼此。移動器204經配置以在基板固持器202接近曝光器件時支撐該基板固持器202。 曝光裝置可包含靜止支撐件210，該靜止支撐件經配置以在基板固持器202接近量測器件時支撐該基板固持器202。 曝光裝置可包含第一編碼器頭910及第一比例尺915。靜止支撐件210可包含用於固持第一編碼器頭910之凹座。第一比例尺配置於基板固持器202之底部表面處。第一編碼器頭910在基板固持器202接近量測器件220時面向第一比例尺915，且經配置以提供表示基板固持器202之位置資訊的信號。第一編碼器頭910可經由動力隔離器耦接至靜止支撐件210。曝光裝置可包含一移動器件，該移動器件經配置以在基板固持器由靜止支撐件支撐時移動該基板固持器。曝光裝置可包含用於支撐曝光器件之框架940。曝光器件可相對於該框架可移動。曝光裝置可包含一另外量測器件950，該另外量測器件經配置以提供基板W之另外量測資訊。該另外量測器件950可比該量測器件更接近曝光器件。 曝光裝置可包含第二編碼器頭920。第二編碼器頭920經配置以面向第一比例尺915以便提供表示基板固持器202之位置資訊的第二信號。 曝光裝置可包含第三編碼器頭930及第三比例尺935。第三比例尺935配置於感測器固持器206之底面處。第三編碼器頭930經配置為面向第三比例尺935以便提供表示感測器固持器206之位置資訊的第三信號。 圖9之微影裝置之實施例可以以下方式進行操作。以下方式在圖10A至圖10I中在示意性俯視圖中加以說明。 將第一批次中之第一基板W1L1裝載與於另外基板固持器702上；參見圖10A。第一批次中之第一基板W1L1在此實施例中亦被稱作第一基板W1L1。另外基板固持器702將該第一基板W1L1移動至量測器件220。量測器件220提供第一基板W1L1之量測資訊。量測資訊為晶圓對準資訊，其為關於第一基板W1L1之形狀及位置之資訊。量測器件220提供精細晶圓對準資訊，其係基於大數目個量測，例如基於量測大數目個基板對準標記相對於彼此之位置或比較該資訊與參考資訊。在此實施例中，可由量測器件220量測晶圓上之所有基板對準標記，例如晶圓上之96個基板對準標記。晶圓上之基板對準標記亦可被稱作晶圓對準標記。另外，量測器件220亦可量測第一基板W1L1上之疊對標記。精細晶圓對準資訊提供關於第一基板W1L1之表面之大部分(或整個表面)的準確資訊。在此時刻，感測器固持器206可位於投影系統PS下方，且感測器固持器206上之感測器可量測投影系統PS之屬性、空中影像之屬性及/或曝光光束之屬性。 如圖10B中所描繪，在量測器件220已收集量測資訊之後，移動器件230將第一基板W1L1自另外基板固持器702輸送至基板固持器202。移動器件230經配置以自另外基板固持器702拾取第一基板W1L1且將該第一基板W1L1置放至基板固持器202上。換言之，移動器件230經組態以自另外基板固持器702卸載第一基板W1L1且接著將該第一基板W1L1裝載於基板固持器202上。在此時刻，移動器件230可將第一批次中之第二基板W2L1裝載於另外基板固持器702上。第一批次中之第二基板W2L1亦被稱作第二基板W2L1。在一實施例中，移動器件230可包含用以使能夠同時處置第一基板W1L1及第二基板W2L1的多個機器人臂及/或多個柏努利(Bernoulli)夾盤。換言之，移動器件230在此實施例中不僅經組態以自另外基板固持器702卸載基板，而且經組態以將基板裝載於另外基板固持器702上。 如圖10C中所描繪，基板固持器202將第一基板W1L1定位於另外量測器件950處(或下方)。另外量測器件950提供第一基板W1L1之另外量測資訊。另外量測資訊為另外晶圓對準資訊，其為關於第一基板W1L1之形狀及位置之資訊。另外量測器件950提供粗略晶圓對準資訊，其係基於小數目個量測，例如基於量測小數目個基板對準標記相對於彼此之位置或比較該資訊與參考資訊。在此實施例中，小數目個基板對準標記可例如為介於3個與16個之間的基板對準標記。一般而言，量測較小數目個基板對準標記需要較少量測時間；換言之，相比於由量測器件220獲得精細晶圓對準資訊必需之時間，獲得粗略晶圓對準資訊需要較短的操作另外量測器件950之時間。當量測器件950正收集另外量測資訊時，感測器固持器206位於投影系統PS下方。感測器固持器206可例如由交換機構208支撐及/或移動，如圖5中所描繪。當另外量測器件950正收集另外量測資訊時，感測器固持器206上之感測器正量測投影系統PS之屬性、空中影像之屬性及/或曝光光束之屬性。當另外量測器件950正收集另外量測資訊時，量測器件220正自第二基板W2L1收集量測資訊，該第二基板W2L1已被裝載於另外基板固持器702上且由該另外基板固持器702固持。 在另外量測器件950已收集另外量測資訊之後，亦即，另外量測器件950一獲得粗略晶圓對準資訊，移動器204就將具有第一基板W1L1之基板固持器202移動於投影系統PS下方；參見圖10D。將感測器固持器206自投影系統PS下方移開。感測器固持器206可由交換機構208支撐及/或移動，如圖9中所描繪。當第一基板W1L1在投影系統PS下方時，運用曝光光束來曝光該第一基板W1L1以將圖案投影於該第一基板W1L1上。由於操作比量測器件220更接近投影系統而定位的另外量測器件950必需相對較短的時間，故此組態在改良微影裝置之產出率效能方面有益。若另外量測器件950定位成極遠離投影系統PS及/或若另一物件干涉基板固持器202及感測器固持器206之平滑移動，則將使微影裝置之產出率效能劣化。 如圖10E中及圖9中所描繪，在基板固持器202上之第一基板W1L1之曝光期間(亦即，在投影系統PS下方之基板固持器202之步進及/或掃描運動期間)，量測器件220繼續量測另外基板固持器702上之第二基板W2L1(自該第二基板W2L1收集量測資訊)。在基板固持器202上之第一基板W1L1之曝光期間，感測器固持器206位於(或佈置於)曝光裝置200內部之一地點，其中感測器固持器206不干涉基板固持器202之步進及/或掃描運動及另外基板固持器702上之第二基板W2L1之量測。 當第一基板W1L1上之所有目標部分C已曝光時，基板固持器202自移動器204解耦，且感測器固持器206耦接至移動器204；換言之，基板固持器202及感測器固持器206相對於移動器204共調地移動，如圖10F及圖4中所描繪。交換機構208將具有第一基板W1L1之基板固持器202移動至基板卸載部位，如圖10G中辨識到。當交換機構208將基板固持器202自投影系統PS下方移開時，如圖6中所描繪，移動器204將感測器固持器206移動於投影系統PS下方，此允許感測器固持器206上之感測器開始量測投影系統PS之屬性或曝光光束之屬性，如圖10H中所描繪。同時，量測器件220繼續自另外基板固持器702上之第二基板W2L1收集量測資訊。 在基板卸載部位處，亦如圖10H中所描繪，例如藉由移動器件230將第一基板W1L1自基板固持器202卸載；移動器件230可以與如圖10B中所描述的移動器件230自另外基板固持器702卸載第一基板W1L1之方式相似的方式進行操作。在自基板固持器202卸載第一基板W1L1之後，第一基板W1L1離開微影裝置(或經輸送至微影裝置之外部)；例如使在FOUP中含有第一基板W1L1。 在自基板固持器202卸載第一基板W1L1之後，基板固持器202耦接至移動器204，如圖10I中所描繪；換言之，基板固持器202及感測器固持器206相對於移動器204共調地移動，如圖4中所描繪。當基板固持器202耦接至移動器204時，感測器固持器206可由交換機構208支撐及/或移動，如圖5中所描繪。替代地，感測器固持器206可保持由移動器204支撐，如圖4中所描繪。當感測器固持器206例如由交換機構208、由移動器204及/或由裝備於感測器固持器206自身上之致動器定位於投影系統PS下方時，該感測器固持器206上之感測器可量測投影系統PS之屬性、空中影像之屬性及/或曝光光束之屬性。移動器件230以與如10B中所描述的移動器件230將第一基板W1L1自另外基板固持器702輸送至基板固持器202之方式相似的方式將第二基板W2L1自另外基板固持器702輸送至基板固持器202。現在針對第二基板W2L1重複上文關於第一基板W1L1所描述之步驟。當針對第一批次中之所有基板完成上文所描述之步驟時，可針對第二批次中之基板重複相同或相似操作。 圖10A描繪曝光裝置經配置以在量測器件220在自第一基板W1L1獲取量測資訊的同時將第一基板W1L1固持於另外基板固持器702上。在此時刻，感測器固持器206可位於投影系統PS下方，且感測器固持器206上之感測器可執行量測。圖10C描繪曝光裝置經配置以在另外量測器件950在自基板W1L1獲取另外量測資訊的同時將第一基板W1L1固持於基板固持器202上。在此時刻，量測器件220可已經開始量測另外基板固持器702上之第二基板W2L1 (自該第二基板W2L1獲取量測資訊)。圖9及圖10E描繪量測器件220在基板固持器202上之第一基板W1L1曝光時繼續量測另外基板固持器702上之第二基板W2L1。圖10G描繪量測器件220在基板固持器202遠離投影系統PS朝向基板卸載部位移動時繼續量測另外基板固持器702上之第二基板W2L1。圖10H描繪量測器件220在第一基板W1L1自基板固持器202卸載時繼續量測另外基板固持器702上之第二基板W2L1。在此時刻，感測器固持器206可位於投影系統PS下方，且感測器固持器206上之感測器可執行量測。 藉由以此方式組態及操作微影裝置，量測器件220具有最大時間量來收集量測資訊，而不限制微影裝置之產出率效能，此係由於產出率效能不受量測器件220所需之量測時間限制。因此，可在不使總體生產率劣化的情況下達成較佳成像品質。換言之，可達成較佳總體生產率，同時使某足夠成像品質符合要求。與此對比，若由另外量測器件950花費較長量測時間(例如，若由另外量測器件950獲得精細晶圓對準資訊)，則微影裝置將遭受產出率效能與成像品質之間的取捨。通常在包含單一晶圓載物台及單一晶圓對準系統之微影裝置中亦觀測到此取捨。另外，感測器固持器206上之感測器可在不干涉基板之曝光的情況下量測投影系統PS之屬性、空中影像之屬性及/或曝光光束之屬性；因此，可在不使產出率效能劣化的情況下達成較佳成像品質(及/或較佳正常運行時間效能，例如在感測器固持器206包含清潔器件之狀況下)。另外，量測器件220及另外量測器件950並不增大亦被稱為曝光裝置的微影裝置之佔據面積，此係由於量測器件220及另外量測器件950比基板固持器202、另外基板固持器702或基板W小(尤其在水平方向上，亦即在xy平面上)。因此，曝光裝置200之組態為對曝光裝置之總體生產率、成像品質與經濟性之間的三難困境的解決方案。 控制單元可基於量測資訊及/或另外量測資訊而驅動基板固持器202 (或控制基板固持器202之位置)。舉例而言，基於量測資訊及/或另外量測資訊，控制單元可判定目標部分C並不處於基板W上之標稱位置(亦即，當基板W未變形時基板W上之目標部分C之位置)。另外或替代地，基於量測資訊及/或另外量測資訊，控制單元可導出圖案之空中影像應經投影至之(經變形)基板W上之位置。控制單元可驅動基板固持器202且校正基板固持器202之位置使得目標部分C在曝光期間處於投影系統PS下方之正確位置。特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2002-353121A號中揭示可在本發明之內容背景中使用的此控制單元之實例。 另外或替代地，基於量測資訊及/或另外量測資訊，控制單元可控制空中影像之光學屬性、投影系統PS之光學屬性或此兩者。舉例而言，控制單元可藉由控制此等光學屬性中之一者或兩者來補償待投影至基板W上之影像之失真、投影系統PS之像差及/或基板W之平面內變形。控制單元控制的此等光學屬性可為放大率X(亦即沿著x軸或在步進方向上之放大率)、放大率Y (亦即沿著y軸或在掃描方向上之放大率)、失真、彗星像差、場曲率、球面像差及/或像散。此等光學屬性中之一者或一些可藉由在曝光期間、在掃描期間及/或在步進期間致動(投影系統PS中之)光學元件之位置及/或定向來控制。特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2007-012673A號中揭示可在本發明之內容背景中使用的此控制單元之實例。 控制單元可使用如由量測器件220提供之精細晶圓對準資訊以判定準確的對準校正(或失真映圖)。準確的對準校正(或失真映圖)可具有線性分量(或低階分量)及高階分量以界定基板W相比於標稱形狀之實際形狀。失真映圖之此等分量可在數學上依據多項式係數來表達。舉例而言，精細晶圓對準資訊係基於每一目標部分C處之一對準標記，或基於每一目標部分C處之複數個對準標記(例如基板對準標記P1、P2)。目標部分C內(亦即曝光場內或晶粒內)之基板W之變形或失真可被稱作場內失真。至少部分地由場內失真誘發之疊對誤差可被稱作場內疊對誤差。晶粒場或曝光場之間的基板W之變形或失真可被稱作場間失真。至少部分地由場間失真誘發之疊對誤差可被稱作場間疊對誤差。在一實施例中，此等對準標記之數目小於曝光場之數目(或晶粒之數目)。替代地，此等對準標記之數目等於曝光場之數目(或晶粒之數目)。基板W之變形(諸如彎曲或翹曲或拉伸)導致對準標記相對於彼此位移。基於精細對準資訊，控制單元可準確地判定基板W之實際形狀。量測器件220可基於可位於目標部分C中的疊對標記及/或基於可位於目標部分C之間的基板對準標記P1、P2來提供精細晶圓對準資訊。在一實施例中，含有基板W之變形之資訊的精細晶圓對準資訊係基於疊對標記及基板對準標記兩者之量測。在一實施例中，藉由量測器件220量測的基板W上之疊對標記及/或基板對準標記之數目之總和大於或等於曝光場之數目(或晶粒之數目)；例如，若在基板W上存在96個曝光場(或晶粒)，則藉由量測器件220量測的基板W上之疊對標記及/或基板對準標記之數目之總和可大於或等於96。一般而言，基於大數目個標記(例如基板W上之基板對準標記及/或疊對標記)之量測的晶圓對準資訊使能夠較準確地判定基板W之實際形狀。因此，當量測器件220量測基板W上之大數目個標記時，微影裝置之成像品質可增強(或可改良)。 當移動器件230將第一基板W1L1自另外基板固持器702輸送至基板固持器202時，基板W之實際形狀可改變成新實際形狀。然而，實際形狀與新實際形狀之間的差異通常僅具有低空間頻率。基於基板對準標記之小數目個量測，另外量測器件950可提供粗略對準資訊。小數目可在3至20之範圍內，例如16。基於粗略對準資訊且基於精細對準資訊，控制單元可判定基板W之新形狀。因為控制單元能夠以此方式判定基板W之新形狀，所以微影裝置之成像品質可增強(或可改良)，及/或可達成較佳總體生產率，同時使製造IC所需之足夠成像品質符合要求。 如由量測器件220提供之精細晶圓對準資訊可被實施為精細失真映圖，亦即，基板W之表面之映圖以大量細節指示失真之量。如由另外量測器件950提供之粗略晶圓對準資訊可被實施為粗略失真映圖，亦即，基板W之表面之映圖以較少細節指示失真之量。控制單元可組合(或合成)精細失真映圖及粗略失真映圖以產生組合之失真映圖，其亦可被稱作複合失真映圖或整合式失真映圖。基於組合之失真映圖，控制單元可控制基板固持器202之位置。另外或替代地，控制單元可針對一批次中之每一基板(或針對一批次中之一些基板)產生組合之失真映圖。舉例而言，控制單元可藉由組合(或合成)為第一基板W1L1之表面之映圖的第一精細失真映圖及第一粗略失真映圖而產生第一基板W1L1之第一組合之失真映圖。相似地，控制單元可藉由組合(或合成)為第二基板W2L1之表面之映圖的第二精細失真映圖及第二粗略失真映圖而產生第二基板W2L1之第二組合之失真映圖。替代地，控制單元可針對該批次中之其他基板中的任一者基於該基板之精細失真映圖及粗略失真映圖而產生第二組合之失真映圖。另外或替代地，控制單元可針對第二批次中之其他基板中的一者基於該第二批次中之該基板之精細失真映圖及粗略失真映圖而產生第三組合之失真映圖。 另外或替代地，基於精細失真映圖及/或組合之失真映圖，控制單元可控制空中影像之光學屬性、投影系統PS之光學屬性或此兩者。基於精細失真映圖及/或基於組合之失真映圖及/或基於感測器固持器206固持之感測器中的一者之量測資料及/或基於模擬模型，控制單元可補償待投影至基板W上之影像之失真、投影系統PS之像差及/或基板W之平面內變形。由感測器固持器206固持之感測器中的一者獲得的量測資料可包括投影系統PS之屬性、空中影像之屬性及/或曝光光束之屬性。控制單元可控制空中影像及/或投影系統PS之以下光學屬性中的一者或一些：放大率X、放大率Y、失真、彗星像差、場曲率、球面像差、像散或任何其他類型之像差。 空中影像及/或投影系統PS之此等光學屬性中的一者或一些可藉由在曝光期間、在掃描期間及/或在步進期間致動光學元件(相對於透鏡鏡筒、相對於輻射光束B之路徑或相對於投影系統PS之光軸)之位置及/或定向來控制。投影系統PS中之此等光學元件中的一或多者可由透鏡固持器支撐及/或可在曝光期間及/或在掃描期間由壓電致動器主動地致動(或控制)。 空中影像及/或投影系統PS之此等光學屬性中的一者或一些可由投影系統PS中之可變形鏡面主動地控制。特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2013-161992A號中揭示可在本發明之內容背景中使用的此可變形鏡面之實例。 空中影像之光學屬性中之至少一者可藉由使圖案化器件MA彎曲及/或藉由控制基板固持器202之位置來控制。在一實施例中，場曲率至少部分地藉由使圖案化器件MA彎曲來補償。另外或替代地，場間疊對誤差及/或場內疊對誤差之低階分量至少部分地藉由在曝光期間控制基板固持器202之位置來補償。藉由此等補償，將達成較佳成像品質；換言之，將達成較佳總體生產率，同時使製造IC所需之足夠成像品質符合要求。 在一實施例中，控制單元藉由組合(或合成)精細失真映圖及粗略失真映圖而產生組合之失真映圖，該精細失真映圖及該粗略失真映圖兩者含有關於基板W之平面內變形的資訊。另外或替代地，基於精細失真映圖及/或組合之失真映圖，控制單元藉由控制基板固持器202之位置、空中影像之光學屬性及/或投影系統PS之光學屬性來補償基板W之平面內變形。藉由以此方式操作微影裝置，可滿足例如針對一特定節點之某一成像品質要求(例如疊對要求)。與此對比，當僅基於粗略失真映圖補償基板W之平面內變形時，同樣的某成像品質要求可並未得以滿足。 在一實施例中，一精細失真映圖及/或一組合之失真映圖可用以校準、更新及/或改良預測空中影像及/或產生於基板上之圖案的模擬模型。另外或替代地，多個精細失真映圖及/或多個組合之失真映圖可用以校準、更新及/或改良模擬模型。舉例而言，提供關於第一基板W1L1之平面內變形之資訊的第一精細失真映圖(及/或第一組合之失真映圖)及提供關於第二基板W2L1之平面內變形之資訊的第二精細失真映圖(及/或第二組合之失真映圖)可用作在用於曝光一批次晶圓之曝光裝置之操作期間在不同時間點獲得的量測資料之集合。此量測資料集合可用以校準、更新及/或改良預測依據時間而變化的空中影像及/或產生於基板上之圖案之模擬模型。舉例而言，此模擬模型可預測空中影像(及/或產生於基板上之圖案)如何受到圖案化器件MA、投影系統PS中之光學元件及/或基板固持器202的溫度改變(隨著時間推移)影響。比較模擬之集合與在不同時間點獲得之量測資料之集合，模擬模型之準確度可得以改良。除了此等多個精細失真映圖(及/或多個組合之失真映圖)以外，其他類型之量測資料(諸如淨化氣體、圖案化器件MA、投影系統PS中之光學元件及/或基板固持器202之溫度)亦可用以校準、更新及/或改良模擬模型。若可基於在IC之生產期間(亦即在曝光裝置之正常運行時間期間)獲得的量測資料來校準、更新及/或改良模擬模型，則相比於基於使用測試倍縮光罩之離線測試曝光(亦即在曝光裝置之停工時間期間)來校準、更新及/或改良模擬模型的方法，可達成較佳總體生產率。 可依據任尼克多項式來描述像差。可依據三角函數之集合來描述像差。可例如基於任尼克多項式之特性及/或三角函數之集合之特性而將像差類型分類為奇數階分量及偶數階分量。舉例而言，由正弦函數描述之任尼克項可被稱作奇數階分量。由餘弦函數描述之任尼克項可被稱作偶數階分量。由投影系統PS中之光學元件之溫度改變(例如加熱或冷卻)造成的像差可被稱作熱像差。 在一實施例中，像差之偶數階分量中之至少一者係由投影系統PS中之可變形鏡面控制。另外或替代地，像差之奇數階分量中之至少一者係由投影系統PS中之可變形鏡面控制。另外或替代地，熱像差係至少部分地由投影系統PS中之可變形鏡面補償。另外或替代地，像差之奇數階分量中之至少一者係藉由在曝光期間、在掃描期間及/或在步進期間致動光學元件(相對於透鏡鏡筒、相對於輻射光束B之路徑或相對於投影系統PS之光軸)之位置及/或定向來控制。藉由以此方式操作微影裝置，可達成較佳成像品質。 移動器件230可經配置以將基板W自另外基板固持器702輸送至基板固持器202。移動器件230可包含機器人臂及/或晶圓處置器。移動器件230可包含用以接觸基板W之底面之夾緊器。移動器件230可包含用以在基板W之頂部表面處固持該基板W的柏努利(Bernouilli)夾盤。基板W之頂部表面與柏努利夾盤之間的氣膜防止基板W與柏努利夾盤之間的實體接觸。特此以引用方式併入之PCT申請公開案第WO 2013/100203A2號中描述柏努利夾盤。移動器件230之部分可被實施為用以自基板固持器202提昇基板W之提昇銷釘。提昇銷釘可將基板W自基板固持器202提昇足夠遠從而在基板W與基板固持器202之間提供空間，使得移動器件230可在基板W下方提供夾緊器以自提昇銷釘提昇基板W。 在一實施例中，微影裝置可包含一液體處置系統，該液體處置系統經組態以供應浸潤液體且將浸潤液體限制至界定於投影系統PS與基板固持器202、基板W及感測器固持器206中之至少一者之間的空間。包含液體處置系統之微影裝置可被稱作浸潤微影裝置、浸潤曝光裝置或浸潤掃描器。當感測器固持器206位於投影系統PS下方時，如圖10C中所描繪，液體處置系統可供應浸潤液體且將浸潤液體限制至界定於投影系統PS與感測器固持器206之間的空間。在浸潤曝光裝置之操作期間的不同時間點(例如在曝光期間)，當基板固持器202位於投影系統PS下方時，如圖9及圖10D中所描繪，液體處置系統可供應浸潤液體且將浸潤液體限制至界定於投影系統PS與基板W之間的空間(及/或限制至界定於投影系統PS與基板固持器202之間的空間)。 在一實施例中，液體處置系統包含一供應埠，該供應埠能夠將浸潤液體供應至界定於投影系統PS與基板W之間(或界定於投影系統PS與基板固持器202之間，或界定於投影系統PS與感測器固持器206之間)的空間。液體處置系統進一步包含一回收埠，該回收埠能夠自該空間回收液體。具有複數個孔(亦即開口或微孔)之多孔部件可安置於該回收埠中。多孔部件可例如為網目板，其中眾多小孔以網目之形式而形成。全文特此以引用方式併入之PCT申請公開案第WO 2010/018825A1號中揭示此液體處置系統之實例。 另外或替代地，液體處置系統包含一可致動流動板，該可致動流動板經組態以相對於投影系統PS及/或相對於基板固持器202而獨立地經位置控制。一般而言，在(基板固持器202之步進及/或掃描運動之)較高速度/加速度與受限制浸潤液體之彎液面的穩定性之間可存在取捨。換言之，基板固持器202之步進及/或掃描運動之較高速度/加速度改良了浸潤曝光裝置之產出率效能，但其亦意謂液體處置系統與基板W(及/或基板固持器202)之間的相對速度/加速度較高。較高的相對速度/加速度可使得彎液面較不穩定；此外，不穩定彎液面可造成缺陷問題，諸如浸潤液體洩漏，及小滴產生於基板固持器202、基板W及/或感測器固持器206之表面上。此等缺陷問題可使浸潤曝光裝置之正常運行時間效能劣化。在藉由縮減基板固持器202之步進及/或掃描運動之速度/加速度(亦即，藉由以較低掃描速度、掃描加速度及步進加速度曝光基板W)來防止此等缺陷問題的狀況下，將使浸潤曝光裝置之產出率效能劣化。因此，此取捨亦可被辨識為產出率效能與正常運行時間效能之間的取捨，其使浸潤曝光裝置之總體生產率劣化。為了防止此等潛在缺陷問題，控制單元可驅動基板固持器202及/或可致動流動板(或控制基板固持器202及/或可致動流動板之位置)以縮減可致動流動板與基板W (及/或基板固持器202)之間的相對速度及加速度。藉由以此方式控制基板固持器202及/或可致動流動板(亦即，藉由縮減可致動流動板與基板W之間的相對速度/加速度，而不縮減掃描速度、掃描加速度及/或步進加速度)，可防止在曝光期間(在基板固持器202之步進及/或掃描運動期間)浸潤液體洩漏，及/或可確保浸潤液體保持被限制於界定於投影系統PS與基板W之間的空間中(及/或界定於投影系統PS與基板固持器202之間的空間中)。因此，可達成較佳總體生產率。全文特此以引用方式併入之日本專利申請公開案第JP 2014-120693A號中揭示可在此實施例之內容背景中使用的液體處置系統之實例。 在一實施例中，基板固持器202及感測器固持器206可經配置以共調地移動以便將浸潤液體自基板固持器202 (及/或基板W)轉移至感測器固持器206 (且反之亦然)。在共調移動期間，基板固持器202與感測器固持器206可彼此接觸或彼此分離一間隙，該間隙足夠小以防止浸潤液體洩漏。 在一實施例中，基板固持器202及感測器固持器206中之每一者具有其自身移動器204。基板固持器202具有用以使基板固持器202相對於投影系統PS移動的移動器。感測器固持器206具有用以使感測器固持器206相對於投影系統PS移動的一另外移動器。該移動器及/或該另外移動器可包含用以在x方向及y方向兩者上移動之平面馬達。平面馬達可為移動磁體型平面馬達，其具有磁體及電線圈。磁體可配置於基板固持器202上及/或感測器固持器206上，而電線圈係靜止的。另外或替代地，另外移動器可包含兩個堆疊式線性馬達且可以H驅動配置而配置。在一實施例中，基板固持器202及另一基板固持器212各自係由一平面馬達移動，而感測器固持器206係由兩個堆疊式線性馬達移動且可以H驅動配置而配置。在一實施例中，基板固持器202、另一基板固持器212及感測器固持器206各自係由以H驅動配置而配置的線性馬達移動。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板W。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板W處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板W亦可指已經含有多個經處理層之基板。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件MA中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件MA移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取以下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。 以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍的範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。在以下編號條項中闡明本發明之其他態樣： 1.   一種曝光裝置，其包含： 一基板固持器，其用於固持一基板； 一感測器固持器，其用於固持一感測器；及 一移動器，其經配置以用於移動該基板固持器 其中該移動器經配置以在一第一情形下與該感測器固持器耦接以便移動該感測器固持器， 其中該移動器經配置以在一第二情形下自該感測器固持器解耦以便在移動該感測器固持器的情況下移動。 2.   如條項1之曝光裝置，其包含一交換機構，該交換機構用於將該感測器固持器提供至該移動器且用於自該移動器移除該感測器固持器。 3.   如條項1或2之曝光裝置，其中該移動器經配置以移動用於固持一另外基板之一另外基板固持器，其中該另外基板之一大小不同於該基板之一大小。 4.   如條項3之曝光裝置，其中該感測器固持器具有一長度及一寬度，其中該長度實質上等於該基板固持器之一大小，其中該寬度實質上等於該另外基板固持器之一大小，其中該長度與該寬度彼此不同。 5.   如條項3或4之曝光裝置，其中該移動器經配置以支撐處於一第一定向中及一第二定向中之該感測器固持器， 其中在該第一定向中，該感測器固持器具有沿著垂直於一水平平面之一軸線所成的一第一角度， 其中在該第二定向中，該感測器固持器具有沿著垂直於該水平平面之該軸線所成的一第二角度， 其中該第一角度不同於該第二角度。 6.   如前述條項中任一項之曝光裝置，其中該基板固持器及該感測器固持器經配置以在該第一情形下相對於該移動器共調地移動。 7.   如條項6之曝光裝置，其包含一噴嘴，該噴嘴用於將一液體提供至該基板固持器之一頂部表面及該感測器固持器之一頂部表面中的一者，其中該曝光裝置經配置以在該基板固持器及該感測器固持器相對於該移動器共調地移動時將該液體自該基板固持器之該頂部表面及該感測器固持器之該頂部表面中的該一者轉移至該基板固持器之該頂部表面及該感測器固持器之該頂部表面中之另一者。 8.   如條項1至5中任一項之曝光裝置，其中該移動器經配置以在該第一情形下與該基板固持器解耦以便在不移動該基板固持器的情況下移動。 9.   如前述條項中任一項之曝光裝置，其中該感測器固持器經配置以自該基板固持器接收一輻射光束。 10.  如條項9之曝光裝置，其中該基板固持器包含一標記物，其中該輻射光束包含關於投影於該標記物上之一影像之資訊。 11.  如條項9或10之曝光裝置，其中該感測器固持器經配置以將該輻射光束傳播至一偵測器，其中該感測器固持器可相對於該偵測器移動。 12.  如前述條項中任一項之曝光裝置，其包含一曝光器件及一量測器件，其中該曝光器件經配置以運用一曝光光束來曝光該基板，其中該量測器件經配置以提供該基板之量測資訊，其中該曝光器件與該量測器件遠離彼此，其中該移動器經配置以在該基板固持器接近該曝光器件時支撐該基板固持器。 13.  如條項12之曝光裝置，其包含一靜止支撐件，該靜止支撐件經配置以在該基板固持器接近該量測器件時支撐該基板固持器。 14.  如條項13之曝光裝置，其包含一第一編碼器頭及一第一比例尺，其中該靜止支撐件包含用於固持該第一編碼器頭之一凹座，其中該第一比例尺配置於該基板固持器之一底部表面處，其中該第一編碼器頭在該基板固持器接近該量測器件時面向該第一比例尺，且經配置以提供表示該基板固持器之位置資訊的一信號。 15.  如條項14之曝光裝置，其中該第一編碼器頭經由一動力隔離器耦接至該靜止支撐件。 16.  如條項12至15中任一項之曝光裝置，其包含一移動器件，該移動器件經配置以在該基板固持器由該靜止支撐件支撐時移動該基板固持器。 17.  如條項12至16中任一項之曝光裝置，其包含用於支撐該曝光器件之一框架，其中該曝光器件相對於該框架可移動。 18.  如條項12至17中任一項之曝光裝置，其包含一另外量測器件，該另外量測器件經配置以提供該基板之另外量測資訊，其中該另外量測器件比該量測器件更接近該曝光器件。 19.  如前述條項中任一項之曝光裝置，其包含一第二編碼器，其中該第二編碼器頭經配置以面向該第一比例尺以便提供表示該基板固持器之位置資訊的一第二信號。 20.  如前述條項中任一項之曝光裝置，其包含一第三編碼器頭及一第三比例尺，其中該第三比例尺配置於該感測器固持器之一底面處，其中該第三編碼器頭經配置為面向該第三比例尺，以便提供表示該感測器固持器之位置資訊的一第三信號。 21.  一種曝光裝置，其包含： 一基板固持器，其用於固持一基板； 一感測器固持器，其用於固持一感測器； 一移動器，其經配置以用於移動該基板固持器；及 一投影系統，其經配置以將一輻射光束提供至該基板上， 其中在曝光期間，該投影系統在該感測器固持器自該移動器解耦時將該輻射光束提供至該基板上， 其中該移動器在該感測器量測該投影系統或該輻射光束之一屬性時與該感測器固持器耦接。 22.  如條項21之曝光裝置，其包含一交換機構，該交換機構用於將該感測器固持器提供至該移動器且用於自該移動器移除該感測器固持器。 23.  如條項21或22之曝光裝置，其中該移動器經配置以移動用於固持一另外基板之一另外基板固持器，其中該另外基板之一大小不同於該基板之一大小。 24.  如條項23之曝光裝置，其中該感測器固持器具有一長度及一寬度，其中該長度實質上等於該基板固持器之一大小，其中該寬度實質上等於該另外基板固持器之一大小，其中該長度與該寬度彼此不同。 25.  如條項23或24之曝光裝置，其中該移動器經配置以支撐處於一第一定向中及一第二定向中之該感測器固持器， 其中在該第一定向中，該感測器固持器具有沿著垂直於一水平平面之一軸線所成的一第一角度， 其中在該第二定向中，該感測器固持器具有沿著垂直於該水平平面之該軸線所成的一第二角度， 其中該第一角度不同於該第二角度。 26.  如條項21至25中任一項之曝光裝置，其中該移動器經配置以自該基板固持器解耦以便在不移動該基板固持器的情況下移動。 27.  如條項21至26中任一項之曝光裝置，其中該感測器固持器經配置以自該基板固持器接收該輻射光束。 28.  如條項27之曝光裝置，其中該基板固持器包含一標記物，其中該輻射光束包含關於投影於該標記物上之一影像之資訊。 29.  如條項27或28之曝光裝置，其中該感測器固持器經配置以將該輻射光束傳播至一偵測器，其中該感測器固持器可相對於該偵測器移動。 30.  如條項21至29中任一項之曝光裝置，其包含一曝光器件及一量測器件，其中該曝光器件經配置以運用一曝光光束來曝光該基板，其中該量測器件經配置以提供該基板之量測資訊，其中該曝光器件與該量測器件遠離彼此，其中該移動器經配置以在該基板固持器接近該曝光器件時支撐該基板固持器。 31.  如條項30之曝光裝置，其包含一靜止支撐件，該靜止支撐件經配置以在該基板固持器接近該量測器件時支撐該基板固持器。 32.  如條項31之曝光裝置，其包含一第一編碼器頭及一第一比例尺，其中該靜止支撐件包含用於固持該第一編碼器頭之一凹座，其中該第一比例尺配置於該基板固持器之一底部表面處，其中該第一編碼器頭在該基板固持器接近該量測器件時面向該第一比例尺，且經配置以提供表示該基板固持器之位置資訊之一信號。 33.  如條項32之曝光裝置，其中該第一編碼器頭經由一動力隔離器耦接至該靜止支撐件。 34.  如條項31至33中任一項之曝光裝置，其包含一移動器件，該移動器件經配置以在該基板固持器由該靜止支撐件支撐時移動該基板固持器。 35.  如條項31至34中任一項之曝光裝置，其包含用於支撐該曝光器件之一框架，其中該曝光器件可相對於該框架移動。 36.  如條項31至35中任一項之曝光裝置，其包含一另外量測器件，該另外量測器件經配置以提供該基板之另外量測資訊，其中該另外量測器件比該量測器件更接近該曝光器件。 37.  如條項31至36中任一項之曝光裝置，其包含一第二編碼器頭，其中該第二編碼器頭經配置以面向該第一比例尺以便提供表示該基板固持器之位置資訊的一第二信號。 38.  如條項31至37中任一項之曝光裝置，其包含一第三編碼器頭及一第三比例尺，其中該第三比例尺配置於該感測器固持器之一底面處，其中該第三編碼器頭經配置為面向該第三比例尺，以便提供表示該感測器固持器之位置資訊的一第三信號。 39.  一種曝光裝置，其包含： 一第一基板固持器，其用於固持一第一基板； 一第二基板固持器，其用於固持一第二基板； 一投影系統，其用於運用一曝光光束來曝光該第一基板； 一量測器件，其經配置以提供該第二基板之量測資訊； 一另外量測器件，其經配置以提供該第一基板之量測資訊， 其中該另外量測器件比該量測器件更接近該投影系統。 40.  如條項39之曝光裝置，其中該第一基板之該另外量測資訊包含該第一基板之一高度剖面及/或一平面內變形。 41.  如條項39至40之曝光裝置，其中該量測器件經組態以提供關於該第二基板上之基板對準標記之位置的資訊。 42.  如條項39至41中任一項之曝光裝置，其包含一感測器固持器，該感測器固持器用於固持一感測器，及 一移動器，其用於相對於該投影系統移動該基板固持器， 其中該感測器經配置以量測該曝光光束或該投影系統之一屬性。 43.  如條項42之曝光裝置，其中該另外量測器件經配置以在該感測器量測該曝光光束之該屬性的同時獲取該第一基板之該量測資訊。 44.  如條項39至43中任一項之曝光裝置，該微影裝置經配置以將該第一基板自該第一基板固持器輸送至該第二基板固持器，其中該量測器件經配置以提供該第一基板之量測資訊。 45.  如條項39至44中任一項之曝光裝置，其中該量測器件經配置以在該第二基板固持器處於第一位置時獲取該第二基板之該量測資訊，其中該另外量測器件經配置以在該第二基板固持器處於第二位置時獲取該第二基板之該量測資訊。 46.  如條項39至45中任一項之曝光裝置，其中該另外量測器件經配置以將複數個量測光束同時傳播於該第一基板上。 47.  如條項39至46中任一項之曝光裝置，其包含一控制單元，該控制單元經配置以基於該第一基板之該量測資訊及該第二基板之量測資訊驅動該第一基板固持器及該第二基板固持器。 48.  如條項39至47中任一項之曝光裝置，其中該第一基板具備一第一對準標記，其中該另外量測器件經配置以基於第二對準標記之一位置而提供該第一基板之該量測資訊。 49.  如條項39至48中任一項之曝光裝置，其中該第二基板具備一第二對準標記，其中該量測器件經配置以基於該第二對準標記之一位置而提供該第二基板之該量測資訊。
200:曝光裝置 202:基板固持器 204:移動器 206:感測器固持器 208:交換機構 210:靜止支撐件 212:另一基板固持器 220:量測器件 230:移動器件 702:另外基板固持器 704:右側部分 706:左側部分 710:距離 720:距離 730:磁體陣列 740:線圈陣列 800:寬度 802:長度 810:標記物陣列 820:標記物陣列 830:標記物 840:偵測器 850:感測器 852:感測器 854:感測器 910:第一編碼器頭 915:第一比例尺 920:第二編碼器頭 925:第二比例尺 930:第三編碼器頭 935:第三比例尺 940:框架 950:另外量測器件 AD:調整器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 CO:聚光器 IF:位置感測器 IL:照明系統 IN:積光器 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:可程式化圖案化器件 MT:支撐結構 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器件/第一定位器 PS:投影系統 PW:第一定位器 SO:輻射源 W:基板 W1L1:第一批次中之第一基板/第一基板 W2:另外基板 W2L1:第一批次中之第二基板/第二基板 WT:基板台
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分，且在該等圖式中： -  圖1描繪根據本發明之實施例； -  圖2在第一視圖中(例如在俯視圖中)描繪根據本發明之另一實施例； -  圖3在第二視圖中(例如在側視圖中)描繪根據本發明之另一實施例； -  圖4描繪在第一情形下之根據本發明之曝光裝置； -  圖5描繪在第二情形下之根據本發明之曝光裝置； -  圖6描繪在第三情形下之根據本發明之曝光裝置； -  圖7描繪根據本發明之又一實施例； -  圖8描繪根據本發明之另一實施例； -  圖9在側視圖中描繪根據本發明之又一實施例； -  圖10A至圖10I在俯視圖中描繪操作圖9之實施例之方式。
202:基板固持器
204:移動器
206:感測器固持器
208:交換機構
210:靜止支撐件
220:量測器件
702:另外基板固持器
910:第一編碼器頭
915:第一比例尺
920:第二編碼器頭
925:第二比例尺
930:第三編碼器頭
935:第三比例尺
940:框架
950:另外量測器件
PS:投影系統

Claims (32)

  1. 一種曝光裝置，其包含：一第一基板固持器，其經組態以固持一基板；一第二基板固持器，其經組態以固持該基板；一感測器固持器，其經組態以固持一感測器及/或一偵測器；一投影系統，其經組態將藉由一圖案化器件賦予至一輻射光束之一圖案投影至該基板之一目標部分上；一量測器件，其經組態以提供該基板之量測資訊；及一另外量測器件，其經組態以提供該基板之另外量測資訊，其中該量測器件提供關於該基板之一平面內變形之資訊及/或關於該基板之一高度剖面之資訊，其中該另外量測器件經組態以提供關於在該基板上之基板對準標記之位置之資訊，其中該量測器件量測一基板對準標記及一疊對標記兩者之位置，該基板對準標記位於在該基板上之該等目標部分之間之空間中，該疊對標記位於該基板上之該目標部分中。
  2. 如請求項1之曝光裝置，其中藉由該量測器件量測之該基板上之該等基板疊對標記及/或該等對準標記之數目之總和係大於或等於96。
  3. 一種曝光裝置，其包含：一第一基板固持器，其經組態以固持一基板； 一第二基板固持器，其經組態以固持該基板；一感測器固持器，其經組態以固持一感測器及/或一偵測器；一投影系統，其經組態將藉由一圖案化器件賦予至一輻射光束之一圖案投影至該基板之一目標部分上；一量測器件，其經組態以提供關於該基板之一平面內變形之資訊及/或關於該基板之一高度剖面之資訊；一另外量測器件，其經組態以提供關於該基板上之基板對準標記之位置之資訊；及一移動器件，其經組態以將該基板自該第一基板固持器輸送至該第二基板固持器。
  4. 一種曝光裝置，其包含：一第一基板固持器，其經組態以固持一基板；一第二基板固持器，其經組態以固持該基板；一感測器固持器，其經組態以固持一感測器及/或一偵測器；一投影系統，其經組態將藉由一圖案化器件賦予至一輻射光束之一圖案投影至該基板之一目標部分上，該投影系統包含：一透鏡鏡筒、一光學元件及經組態以固持該光學元件之一透鏡固持器；一量測器件，其經組態以提供關於該基板之一平面內變形之資訊及/或關於該基板之一高度剖面之資訊；一另外量測器件，其經組態以提供關於該基板上之基板對準標記之位置之資訊；及一控制單元，其經組態以：實施與該曝光之操作相關之所要計算、 處理多個信號、執行一演算法、控制該第二基板固持器之一位置、控制一空中影像)之一光學屬性及/或控制該投影系統之一光學屬性，其中該控制單元經組態以補償待投影至該基板上之一影像之失真、該投影系統之一像差、該基板之一變形、一場間失真、一場內失真、一場間疊對誤差及/或一場內疊對誤差，及其中控制單元藉由控制：該第二基板固持器之一位置、該空中影像之一光學屬性、該投影系統之一光學屬性及/或該光學元件之相對於該透鏡鏡筒之一位置及/或定向以基於一精細失真映圖及/或一組合失真映圖補償該場間疊對誤差及/或該場內疊對誤差。
  5. 如請求項4之曝光裝置，其中該量測器件經組態以基於大數目個量測提供精細對準資訊，其中該大數目係等於或大於96。
  6. 如請求項5之曝光裝置，其中該另外量測器件經組態以基於在該基板上介於3個與16個之間之基板對準標記提供粗略晶圓對準資訊。
  7. 如請求項6之曝光裝置，其中該粗略晶圓對準資訊係關於該基板之一形狀、該基板之一位置及/或該基板之一平面內變形之資訊。
  8. 如請求項6或7之曝光裝置，其中該控制單元經組態以：基於該精細對準資訊產生該精細失真映圖、基於粗略對準資訊產生一粗略失真映圖及/或藉由組合該精細失真映圖及該粗略失真映圖而產生該組合失真映圖。
  9. 如請求項4至7中任一項之曝光裝置，其中該控制單元所控制之該空中影像之一光學屬性及/或該投影系統之一光學屬性包含放大率X、放大率Y、失真、彗星像差、場曲率、球面像差及/或像散。
  10. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該量測器件包含一第一對準系統，該第一對準系統包含一單一對準感測器。
  11. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該另外量測器件包含一第二對準系統。
  12. 如請求項11之曝光裝置，其中該第二對準系統包含複數個對準感測器。
  13. 如請求項3或4之曝光裝置，其中該量測器件量測一基板對準標記及一疊對標記兩者之位置，該基板對準標記位於在該基板上之該等目標部分之間之空間中，該疊對標記位於該基板上之該目標部分中。
  14. 如請求項13之曝光裝置，其中藉由該量測器件量測之該基板上之該等基板疊對標記及/或該等對準標記之數目之總和係大於或等於96。
  15. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該量測器件比該另外量測器件更遠離該投影系統而定位。
  16. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該曝光裝置經配置以在該量測器件獲取該基板之該量測資訊時將該基板固持於該第一基板固持器上，且其中該曝光裝置經配置以在該另外量測器件獲取該基板之該另外量測資訊時將該基板固持於該第二基板固持器上。
  17. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該曝光裝置包含配置於該第一基板固持器之一底部表面處之一第一比例尺。
  18. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該曝光裝置包含位於該量測器件下方之一第一編碼器頭。
  19. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該曝光裝置包含一第一位置量測系統，該第一位置量測系統經配置以在該第一基板固持器接近該量測器件時提供表示該第一基板固持器之位置資訊之一第一信號。
  20. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該曝光裝置包含一第二位置量測系統，該第二位置量測系統經配置以在該第一基板固持器及/或該感測器固持器經定位於接近或在該量測器件處時提供表示該第二基板固持器及/或該感測器固持器之位置資訊之一第二信號。
  21. 如請求項20之曝光裝置，其中該第二位置量測系統包含：一第二編碼器頭及經配置於該第二基板固持器處之一表面處之一第二比例尺，其中該第二編碼器頭在該第二基板固持器接近或在該投影系統處時 經定位以面向該第二比例尺。
  22. 如請求項21之曝光裝置，其中該第二位置量測系統進一步包含經配置於該第二基板固持器之一表面處之一第三比例尺，其中該第二編碼器頭在該感測器固持器接近或在該投影系統處時經定位以面向該第三比例尺。
  23. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該曝光裝置包含一空中影像量測器件，該空中影像量測器件經組態以量測藉由該投影系統投影之該圖案之一空中影像。
  24. 如請求項23之曝光裝置，其中該第二基板固持器包含一標記，其中該空中影像量測器件包含在該第二基板固持器上之該標記及在該感測器固持器上之該偵測器。
  25. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中該感測器固持器固持一波前像差量測器件、一照度監視器、一照度不規則性感測器及/或一均一性感測器。
  26. 如請求項25之曝光裝置，其中該另外量測器件包含一自動聚焦系統。
  27. 如請求項26之曝光裝置，其中該自動聚焦系統包含一光源以指向該 基板之一頂部表面之一傾斜角度提供一輻射光束，且該自動聚焦系統經組態以基於由該基板之該頂部表面反射之一反射光提供關於藉由該第二基板固持器固持之該基板之一扁平度之資訊。
  28. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其中藉由該量測器件提供之關於該基板之該高度剖面之資訊係關於該基板之一扁平度之資訊。
  29. 如請求項28之曝光裝置，其中藉由該量測器件提供之關於該基板之該扁平度之資訊係關於藉由該第一基板固持器固持之該基板之一扁平度之資訊。
  30. 如請求項1、3、4、5、6或7之曝光裝置，其包含一液體處置系統，該液體處置系統經組態以供應浸潤液體且將該浸潤液體限制至界定於該投影系統與該第一基板固持器、該第二基板固持器、該基板及該感測器固持器中之至少一者之間的一空間。
  31. 如請求項30之曝光裝置，其中該液體處置系統包含一回收埠，該回收埠經組態以自該空間回收該浸潤液體。
  32. 如請求項31之曝光裝置，其中一多孔部件經安置於該回收埠中。
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