JP7445532B2 - 実行装置及び実行方法 - Google Patents

実行装置及び実行方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7445532B2
JP7445532B2 JP2020103004A JP2020103004A JP7445532B2 JP 7445532 B2 JP7445532 B2 JP 7445532B2 JP 2020103004 A JP2020103004 A JP 2020103004A JP 2020103004 A JP2020103004 A JP 2020103004A JP 7445532 B2 JP7445532 B2 JP 7445532B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
execution device
acceleration
execution
transport
acceleration sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020103004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021197450A (ja
Inventor
吉平 杉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020103004A priority Critical patent/JP7445532B2/ja
Priority to US17/335,475 priority patent/US20210391195A1/en
Priority to KR1020210071386A priority patent/KR20210155355A/ko
Priority to TW110120164A priority patent/TW202211356A/zh
Priority to CN202110616987.XA priority patent/CN113808901A/zh
Publication of JP2021197450A publication Critical patent/JP2021197450A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7445532B2 publication Critical patent/JP7445532B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0891—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values with indication of predetermined acceleration values
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

本開示の例示的実施形態は、実行装置及び実行方法に関する。
特許文献１には、静電容量を測定するという動作を実行する測定器が記載されている。この測定器は、ベース基板、第１センサ、第２センサ、及び、回路基板を備えている。第１センサは、ベース基板のエッジに沿って設けられた第１電極を有する。第２センサは、ベース基板上に固定された第２電極を有する。回路基板は、ベース基板上に搭載されており、第１センサ及び第２センサに接続されている。回路基板は、第１電極及び第２電極に高周波信号を与え、第１電極における電圧振幅から静電容量に応じた第１の測定値を取得し、第２電極における電圧振幅から静電容量に応じた第２の測定値を取得する。
特開２０１７－１８３６８３号公報
本開示は、所望の位置において自動で所定の動作を実行させる技術を提供する。
一つの例示的実施形態においては、半導体製造装置に設けられた搬送装置に搬送されて、所定の動作を実行する実行装置が提供される。実行装置は、動作装置と、第１加速度センサと、第２加速度センサと、制御装置とを備える。動作装置は、所定の動作を実行するため装置である。第１加速度センサは、水平方向に沿った第１方向における加速度を検出する。第２加速度センサは、水平方向に沿った第１方向と交差する第２方向における加速度を検出する。制御装置は、第１加速度センサ及び第２加速度センサの出力値に基づいて、半導体製造装置内における実行装置の搬送位置を認識する。制御装置は、実行装置が所定の位置に搬送されたと認識されたときに、所定の動作を動作装置に実行させる。
一つの例示的実施形態に係る実行装置によれば、所望の位置において自動で所定の動作を実行させることができる。
処理システムを例示する図である。 アライナを例示する斜視図である。 プラズマ処理装置の一例を示す図である。 一例の実行装置の断面模式図である。 一例の実行装置を示すブロック図である。 一例の実行装置の加速度センサを説明するための模式図である。 一例の実行装置に加わる加速度を説明するためのグラフの例である。 処理システムを搬送される実行装置の搬送経路の例を示す図である。 一例の実行装置で利用される搬送レシピの例である。 実行装置の動作方法の一例を示すフローチャートである。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態においては、半導体製造装置に設けられた搬送装置に搬送されて、所定の動作を実行する実行装置が提供される。実行装置は、動作装置と、第１加速度センサと、第２加速度センサと、制御装置とを備える。動作装置は、所定の動作を実行するため装置である。第１加速度センサは、水平方向に沿った第１方向における加速度を検出する。第２加速度センサは、水平方向に沿った第１方向と交差する第２方向における加速度を検出する。制御装置は、第１加速度センサ及び第２加速度センサの出力値に基づいて、半導体製造装置内における実行装置の搬送位置を認識する。制御装置は、実行装置が所定の位置に搬送されたと認識されたときに、所定の動作を動作装置に実行させる。
上記実施形態の実行装置では、実行装置に設けられた第１加速度センサ及び第２加速度センサによって、実行装置に加わる水平方向の加速度が検出される。そのため、第１加速度センサ及び第２加速度センサの出力値に基いて搬送状態を特定することで、実行装置の搬送位置を認識することができる。実行装置が所定の位置に搬送されたと認識されたときに、所定の動作を動作装置に実行させるように制御することによって、所望の位置において自動で所定の動作を実行させることができる。
一つの例示的実施形態において、制御装置は、搬送装置に搬送される実行装置に加わる加速度の情報と搬送位置の情報との関係を示すレシピ情報を記憶していてもよい。制御装置は、レシピ情報を参照して、第１加速度センサ及び第２加速度センサの出力値に基づいて導出される加速度から搬送位置を認識してもよい。
一つの例示的実施形態において、動作装置は、互いに異なる波長の光を発する複数の光源を含み、所定の動作は、複数の光源の発光であってもよい。
別の例示的実施形態においては、半導体製造装置に設けられた搬送装置に搬送される実行装置に、所定の動作を実行させる実行方法が提供される。この方法は、水平方向に沿った第１方向と第１方向に交差する水平方向に沿った第２方向とにおける実行装置の加速度を取得する工程を備える。この方法は、加速度に基づいて、半導体製造装置内における実行装置の搬送位置を認識する工程を備える。この方法は、所定の位置に搬送されたと認識されたときに所定の動作を実行装置に実行させる工程、を備える。
一つの例示的実施形態において、搬送位置を認識する工程は、搬送装置に搬送される実行装置に加わる加速度の情報と搬送位置の情報との関係を示すレシピ情報を参照することを含んでもよい。
一つの例示的実施形態において、所定の動作を実行する工程は、複数の光源によって互いに異なる波長の光を発することを含んでもよい。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
一つの例示的実施形態に係る実行装置は、半導体製造装置Ｓ１としての機能を有する処理システム１によって搬送され得る。まず、被加工物を処理するための処理装置、及び、当該処理装置に被加工物を搬送するための搬送装置を有する処理システムについて説明する。図１は、処理システムを例示する図である。処理システム１は、台２ａ～２ｄ、容器４ａ～４ｄ、ローダモジュールＬＭ、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６、トランスファーモジュールＴＦ、及び、制御部ＭＣを備えている。なお、台２ａ～２ｄの個数、容器４ａ～４ｄの個数、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の個数、及び、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の個数は限定されるものではなく、一以上の任意の個数であり得る。
台２ａ～２ｄは、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。容器４ａ～４ｄはそれぞれ、台２ａ～２ｄ上に搭載されている。容器４ａ～４ｄの各々は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）と称される容器である。容器４ａ～４ｄのそれぞれは、被加工物Ｗを収容するように構成され得る。被加工物Ｗは、ウエハのように略円盤形状を有する。
ローダモジュールＬＭは、大気圧状態の搬送空間をその内部に画成するチャンバ壁を有している。この搬送空間内には搬送装置ＴＵ１が設けられている。搬送装置ＴＵ１は、例えば、多関節ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ１は、容器４ａ～４ｄとアライナＡＮとの間、アライナＡＮとロードロックモジュールＬＬ１～ＬＬ２の間、ロードロックモジュールＬＬ１～ＬＬ２と容器４ａ～４ｄの間で被加工物Ｗを搬送するように構成されている。
アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭと接続されている。アライナＡＮは、被加工物Ｗの位置の調整（位置の較正）を行うように構成されている。図２は、アライナを例示する斜視図である。アライナＡＮは、支持台６Ｔ、駆動装置６Ｄ、及び、センサ６Ｓを有している。支持台６Ｔは、鉛直方向に延びる軸線中心に回転可能な台であり、その上に被加工物Ｗを支持するように構成されている。支持台６Ｔは、駆動装置６Ｄによって回転される。駆動装置６Ｄは、制御部ＭＣによって制御される。駆動装置６Ｄからの動力により支持台６Ｔが回転すると、当該支持台６Ｔ上に載置された被加工物Ｗも回転するようになっている。
センサ６Ｓは、光学センサであり、被加工物Ｗが回転されている間、被加工物Ｗのエッジを検出する。センサ６Ｓは、エッジの検出結果から、基準角度位置に対する被加工物ＷのノッチＷＮ（或いは、別のマーカー）の角度位置のずれ量、及び、基準位置に対する被加工物Ｗの中心位置のずれ量を検出する。センサ６Ｓは、ノッチＷＮの角度位置のずれ量及び被加工物Ｗの中心位置のずれ量を制御部ＭＣに出力する。制御部ＭＣは、ノッチＷＮの角度位置のずれ量に基づき、ノッチＷＮの角度位置を基準角度位置に補正するための支持台６Ｔの回転量を算出する。制御部ＭＣは、この回転量の分だけ支持台６Ｔを回転させるよう、駆動装置６Ｄを制御する。これにより、ノッチＷＮの角度位置を基準角度位置に補正することができる。また、制御部ＭＣは、アライナＡＮから被加工物Ｗを受け取る際の搬送装置ＴＵ１のエンドエフェクタ（ｅｎｄ ｅｆｆｅｃｔｏｒ）の位置を、被加工物Ｗの中心位置のずれ量に基づき、制御する。これにより、搬送装置ＴＵ１のエンドエフェクタ上の所定位置に被加工物Ｗの中心位置が一致する。
図１に戻り、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、ローダモジュールＬＭとトランスファーモジュールＴＦとの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。
トランスファーモジュールＴＦは、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２にゲートバルブを介して気密に接続されている。トランスファーモジュールＴＦは、減圧可能な減圧室を提供している。この減圧室には、搬送装置ＴＵ２が設けられている。搬送装置ＴＵ２は、例えば、搬送アームＴＵａを有する多関節ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ２は、ロードロックモジュールＬＬ１～ＬＬ２とプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６との間、及び、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち任意の二つのプロセスモジュール間において、被加工物Ｗを搬送するように構成されている。
プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６は、トランスファーモジュールＴＦにゲートバルブを介して気密に接続されている。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、被加工物Ｗに対してプラズマ処理といった専用の処理を行うよう構成された処理装置である。
この処理システム１において被加工物Ｗの処理が行われる際の一連の動作は以下の通り例示される。ローダモジュールＬＭの搬送装置ＴＵ１が、容器４ａ～４ｄの何れかから被加工物Ｗを取り出し、当該被加工物ＷをアライナＡＮに搬送する。次いで、搬送装置ＴＵ１は、その位置が調整された被加工物ＷをアライナＡＮから取り出して、当該被加工物ＷをロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送する。次いで、一方のロードロックモジュールが、予備減圧室の圧力を所定の圧力に減圧する。次いで、トランスファーモジュールＴＦの搬送装置ＴＵ２が、一方のロードロックモジュールから被加工物Ｗを取り出し、当該被加工物ＷをプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち何れかに搬送する。そして、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち一以上のプロセスモジュールが被加工物Ｗを処理する。そして、搬送装置ＴＵ２が、処理後の被加工物ＷをプロセスモジュールからロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送する。次いで、搬送装置ＴＵ１が被加工物Ｗを一方のロードロックモジュールから容器４ａ～４ｄの何れかに搬送する。
この処理システム１は、上述したように制御部ＭＣを備えている。制御部ＭＣは、プロセッサ、メモリといった記憶装置、表示装置、入出力装置、通信装置等を備えるコンピュータであり得る。上述した処理システム１の一連の動作は、記憶装置に記憶されたプログラムに従った制御部ＭＣによる処理システム１の各部の制御により、実現されるようになっている。
図３は、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の何れかとして採用され得るプラズマ処理装置の一例を示す図である。図３に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型プラズマエッチング装置である。プラズマ処理装置１０は、略円筒形状のチャンバ本体１２を備えている。チャンバ本体１２は、例えば、アルミニウムから形成されており、その内壁面には、陽極酸化処理が施され得る。このチャンバ本体１２は保安接地されている。
チャンバ本体１２の底部上には、略円筒形状の支持部１４が設けられている。支持部１４は、例えば、絶縁材料から構成されている。支持部１４は、チャンバ本体１２内に設けられており、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。また、チャンバ本体１２によって提供されるチャンバＳ内には、ステージＳＴが設けられている。ステージＳＴは、支持部１４によって支持されている。
ステージＳＴは、下部電極ＬＥ及び静電チャックＥＳＣを有している。下部電極ＬＥは、第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂを含んでいる。第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂは、例えばアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。第２プレート１８ｂは、第１プレート１８ａ上に設けられており、第１プレート１８ａに電気的に接続されている。
第２プレート１８ｂ上には、静電チャックＥＳＣが設けられている。静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極を一対の絶縁層又は絶縁シート間に配置した構造を有しており、略円盤形状を有している。静電チャックＥＳＣの電極には、直流電源２２がスイッチ２３を介して電気的に接続されている。この静電チャックＥＳＣは、直流電源２２からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力により被加工物Ｗを吸着する。これにより、静電チャックＥＳＣは、被加工物Ｗを保持することができる。
第２プレート１８ｂの周縁部上には、フォーカスリングＦＲが設けられている。このフォーカスリングＦＲは、被加工物Ｗのエッジ及び静電チャックＥＳＣを囲むように設けられている。このフォーカスリングＦＲは、シリコン、炭化ケイ素、酸化シリコンといった種々の材料のうち何れかから形成され得る。
第２プレート１８ｂの内部には、冷媒流路２４が設けられている。冷媒流路２４は、温調機構を構成している。冷媒流路２４には、チャンバ本体１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻される。このように、冷媒流路２４とチラーユニットとの間では、冷媒が循環される。この冷媒の温度を制御することにより、静電チャックＥＳＣによって支持された被加工物Ｗの温度が制御される。
ステージＳＴには、当該ステージＳＴを貫通する複数（例えば、三つ）の貫通孔２５が形成されている。複数の貫通孔２５は、平面視において静電チャックＥＳＣの内側に形成されている。これら、それぞれの貫通孔２５には、リフトピン２５ａが挿入されている。なお、図３においては、一本のリフトピン２５ａが挿入された一つの貫通孔２５が描かれている。リフトピン２５ａは、貫通孔２５内において上下動可能に設けられている。リフトピン２５ａの上昇によって、静電チャックＥＳＣ上に支持された被加工物Ｗが上昇する。
ステージＳＴには、平面視において静電チャックＥＳＣよりも外側の位置に、当該ステージＳＴ（下部電極ＬＥ）を貫通する複数（例えば、三つ）の貫通孔２７が形成されている。これら、それぞれの貫通孔２７には、リフトピン２７ａが挿入されている。なお、図３においては、一本のリフトピン２７ａが挿入された一つの貫通孔２７が描かれている。リフトピン２７ａは、貫通孔２７内において上下動可能に設けられている。リフトピン２７ａの上昇によって、第２プレート１８ｂ上に支持されたフォーカスリングＦＲが上昇する。
また、プラズマ処理装置１０には、ガス供給ライン２８が設けられている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャックＥＳＣの上面と被加工物Ｗの裏面との間に供給する。
また、プラズマ処理装置１０は、上部電極３０を備えている。上部電極３０は、ステージＳＴの上方において、当該ステージＳＴと対向配置されている。上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４はチャンバＳに面しており、当該天板３４には複数のガス吐出孔３４ａが設けられている。この天板３４は、シリコン又は石英から形成され得る。或いは、天板３４は、アルミニウム製の母材の表面に酸化イットリウムといった耐プラズマ性の膜を形成することによって構成され得る。
支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この支持体３６は、水冷構造を有し得る。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０は、複数種のガス用の複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４２は複数のバルブを含んでおり、流量制御器群４４はマスフローコントローラといった複数の流量制御器を含んでいる。ガスソース群４０の複数のガスソースはそれぞれ、バルブ群４２の対応のバルブ及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。
また、プラズマ処理装置１０では、チャンバ本体１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、チャンバ本体１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。
チャンバ本体１２の底部側、且つ、支持部１４とチャンバ本体１２の側壁との間には排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。排気プレート４８には、その板厚方向に貫通する複数の孔が形成されている。この排気プレート４８の下方、且つ、チャンバ本体１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ本体１２内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。また、チャンバ本体１２の側壁には被加工物Ｗの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。
また、プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を更に備えている。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波を発生する電源であり、例えば、２７～１００ＭＨｚの周波数を有する高周波を発生する。第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して上部電極３０に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（上部電極３０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して下部電極ＬＥに接続されていてもよい。
第２の高周波電源６４は、被加工物Ｗにイオンを引き込むための第２の高周波を発生する電源であり、例えば、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数の高周波を発生する。第２の高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。
プラズマ処理装置１０では、複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスがチャンバＳに供給される。また、チャンバＳの圧力が排気装置５０によって所定の圧力に設定される。さらに、第１の高周波電源６２からの第１の高周波によってチャンバＳ内のガスが励起される。これにより、プラズマが生成される。そして、発生した活性種によって被加工物Ｗが処理される。なお、必要に応じて、第２の高周波電源６４の第２の高周波に基づくバイアスにより、被加工物Ｗにイオンが引き込まれてもよい。
チャンバ本体１２には光を透過する窓１２ｗが設けられている。窓１２ｗは、例えばハニカム形状の２重窓構造となっていてもよい。この場合、窓１２ｗ内へのプラズマ及びラジカルの進入が抑制され、窓１２ｗに付着する反応生成物の量が低減される。窓１２ｗには、集光部及び光ファイバ７１を介して発光分光分析装置７２が接続されている。発光分光分析装置７２は、チャンバＳ内に生成されたプラズマの発光強度を分析する。発光分光分析装置７２は、プラズマからの光を、窓１２ｗを介して受光する。発光分光分析装置７２は、プラズマの発光強度を分析する通常モードでの動作の他に、メンテナンスモードでの動作が可能となっている。メンテナンスモードでは、所定の光源を基準として発光分光分析装置７２に搭載された分光器の較正が実行される。
続いて、実行装置について説明する。
図４は、実施形態に係る実行装置１００の一例を示す断面模式図である。図５は、実行装置を示すブロック図である。なお、図５では、実行装置１００を使用する際に用いられる専用のＦＯＵＰ４Ｆも模式的に示されている。実行装置１００は、ベース１１０と、制御基板１２０と、バッテリ１４０と、を有する。実行装置１００は、半導体製造装置Ｓ１としての機能を有する処理システム１の搬送装置によって搬送されて、所定の動作として、複数の光源１３０（動作装置）の発光を実行する。
ベース１１０は、円盤状のウエハを一例とする基板である。ただし、ベース１１０は、円盤状に限られず、基板を搬送する搬送装置により搬送できれば、多角形、楕円等、形状には限定されない。ベース１１０のエッジには、ノッチ１１０Ｎが形成されている。基板の材質としては、例えばシリコン、カーボンファイバ、石英ガラス、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、アルミナなどが挙げられる。
制御基板１２０は、ベース１１０の上に設けられる回路基板であり、光源１３０ａ～１３０ｄ（総称して「光源１３０」ともいう。）と、温度センサ１５０ａ～１５０ｄ（総称して「温度センサ１５０」ともいう。）と、コネクタパッド１６０と、制御回路１７０と、加速度センサ１８０とを有する。光源１３０ａ～１３０ｄは、ベース１１０の上の制御基板１２０に配置される。光源１３０ａ、光源１３０ｂ、光源１３０ｃ、及び光源１３０ｄは、互いに異なる波長（つまり、異なる色）の光を発する。図示例では、異なる波長ごとにそれぞれ３つの光源が、ベース１１０の最外周に沿って並べて配置されている。ただし、各波長の光源１３０の個数は３つに限られず、２以下又は４以上であってもよい。また、複数の光源１３０ａ～１３０ｄの配置は、制御基板１２０の上であれば特に制限はない。光源１３０は、ＬＥＤ（light emitting diode）又はＯＬＥＤ（Organic lightemitting diode）であってよい。光源１３０は、発光分光分析装置７２のメンテナンスモードにおける基準の光源である。すなわち、プロセスモジュールＰＭ内で光源１３０が発光している状態において、メンテナンスモードで動作する発光分光分析装置７２が較正される。
温度センサ１５０ａ～１５０ｄは、光源１３０ａ～１３０ｄに対して一対一になるように各光源の近傍に配置されている。温度センサ１５０ａは、光源１３０ａの周辺温度を測定する。温度センサ１４０ｂは、光源１３０ｂの周辺温度を測定する。温度センサ１４０ｃは、光源１３０ｃの周辺温度を測定する。温度センサ１４０ｄは、光源１３０ｄの周辺温度を測定する。
コネクタパッド１６０は、バッテリを充電するための接続部であり、外部電源に接続され得る。コネクタパッド１６０は、専用のＦＯＵＰ４Ｆ内に載置された状態で、専用のＦＯＵＰ４Ｆに設けられたコネクタ４ＦＣを介して外部電源に接続される。バッテリ１４０は、ベース１１０の上に４つ配置されている。バッテリ１４０は、光源１３０ａ～１３０ｄ及び制御回路１７０に電力を供給する。バッテリ１４０は、光源１３０ａ～１３０ｄの最大電流値に耐え得る数であれば、４つに限られない。図５に示されるように、コネクタパッド１６０とバッテリ１４０との間には充電回路１７７が接続されており、充電回路１７７によってバッテリ１４０の充電が制御されている。また、バッテリ１４０には電源回路１７８が接続されており、電源回路１７８を介してバッテリ１４０からの電力が各デバイスに供給されている。
制御回路１７０は、制御基板１２０に配置されており、プロセッサを含む演算装置１７１、メモリ１７２、コントローラ１７３、電流／電圧計１７４等を有し、メモリ１７２に記憶されたプログラムに基づいて実行装置１００の動作を統括的に制御する。制御回路１７０は、実行装置１００の各部を制御する制御部として機能する。例えば光源１３０のそれぞれの点灯及び消灯は、光源１３０に入力される電力が電流／電圧計１７４によって計測されている状態で、コントローラ１７３によって制御される。また、外部の他の機器との通信の制御のために、制御回路１７０には、通信機器１７５が接続されている。一例において、実行装置１００には、通信機器１７５を介して外部のコンピュータ８８等から後述する搬送レシピを含む情報が入力され得る。通信機器１７５とコンピュータ８８との接続方式は、有線及び無線のいずれであってもよい。また、一例においては、実行装置１００は、制御回路１７０に接続されたコネクタパッド１７６を含んでいる。コネクタパッド１７６は、専用のＦＯＵＰ４Ｆに設けられたスイッチＳＷに接続される。制御回路１７０は、スイッチＳＷから入力される信号に基づいて実行装置１００の制御を開始し得る。
加速度センサ１８０は、実行装置１００に加わる加速度を検出することによって、処理システム１内における実行装置１００の搬送動作を検出する。図５に示すように、加速度センサ１８０は、少なくとも第１加速度センサ１８０Ｘと第２加速度センサ１８０Ｙとを含んで構成されている。
図６は、実行装置１００の加速度センサ１８０を説明するための模式図である。図６では、実行装置１００を上側から見た模式的な平面図が示されている。図６におけるＹ軸は、実行装置１００の中心とノッチ１１０Ｎとを通っている。Ｘ軸は、Ｙ軸に直交するとともに、実行装置１００の中心を通っている。Ｘ軸とＹ軸とは、制御基板１２０に沿った平面に沿って互いに直交（交差）する軸であってよい。
第１加速度センサ１８０Ｘは、Ｘ軸方向における加速度を検出するように構成され、第２加速度センサ１８０Ｙは、Ｙ軸方向における加速度を検出するように構成されている。そのため、実行装置１００が水平の状態では、第１加速度センサ１８０Ｘによって水平方向に沿った第１方向における加速度が検出可能である。また、第２加速度センサ１８０Ｙによって水平方向に沿った第１方向に交差する第２方向における加速度が検出可能である。
一例において、第１加速度センサ１８０Ｘは、Ｘ軸の正方向に加わる加速度が検出されたときに、加速度の大きさに応じた正の検出値を出力し、Ｘ軸の負方向に加わる加速度が検出されたときに、加速度の大きさに応じた負の検出値を出力する。また、第２加速度センサ１８０Ｙは、Ｙ軸の正方向に加わる加速度が検出されたときに、加速度の大きさに応じた正の検出値を出力し、Ｙ軸の負方向に加わる加速度が検出されたときに、加速度の大きさに応じた負の検出値を出力する。
一例の実行装置１００では、第１加速度センサ１８０Ｘ及び第２加速度センサ１８０Ｙからのそれぞれの検出値が演算装置１７１に入力される。演算装置１７１は、第１加速度センサ１８０Ｘの検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値とを合算し、合算値を導出する。演算装置１７１は、合算値に基づいて処理システム１における搬送動作をカウントする。
図６に示すＸ軸に沿った方向Ｄ１，Ｄ２に実行装置１００が搬送される場合、第２加速度センサ１８０Ｙでは実質的に加速度が検出されない。そのため、演算装置１７１は、第１加速度センサ１８０Ｘのみの検出値を合算値としてもよい。同様に、図６に示すＹ軸に沿った方向Ｄ３，Ｄ４に実行装置１００が搬送される場合には、演算装置１７１は、第２加速度センサ１８０Ｙのみの検出値を合算値としてもよい。また、Ｘ軸とＹ軸との両方が正方向である方向Ｄ５、及び、Ｘ軸とＹ軸との両方が負方向である方向Ｄ６に実行装置が搬送される場合には、検出値がそのまま足し合わされた値を合算値としてもよい。
Ｘ軸が正方向でありＹ軸が負方向である方向Ｄ７、及び、Ｘ軸が負方向でありＹ軸が正方向である方向Ｄ８に実行装置１００が搬送される場合、第１加速度センサ１８０Ｘの検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値とでは符号が逆になる。そのため、第１加速度センサ１８０Ｘの検出値から第２加速度センサ１８０Ｙの検出値を引いた値を合算値としてもよい。なお、第１加速度センサ１８０Ｘの検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値とが合算によって打ち消されなければよいため、第２加速度センサ１８０Ｙの検出値から第１加速度センサ１８０Ｘの検出値を引いた値を合算値としてもよい。
一例として、演算装置１７１に入力される２つの検出値のうちの一方が実質的にゼロである場合に、演算装置１７１は、実行装置１００が方向Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４に搬送されていると判定して、合算値を算出してもよい。また、演算装置１７１に入力される２つの検出値の符号が同じである場合に、演算装置１７１は、実行装置１００が方向Ｄ５，Ｄ６に搬送されていると判定して、合算値を算出してもよい。また、演算装置１７１に入力される２つの検出値の符号が互いに異なる場合に、演算装置１７１は、実行装置１００が方向Ｄ７，Ｄ８に搬送されていると判定して、合算値を算出してもよい。
処理システム１においては、搬送装置ＴＵ１，ＴＵ２によって実行装置１００が搬送される。例えば、搬送装置によって、静止している実行装置１００がある位置まで搬送されて静止した場合、実行装置１００には、搬送の開始時に搬送方向と逆向きに加速度がかかり、搬送の停止時に搬送方向に加速度がかかる。そこで、一例の実行装置１００は、第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値との合算値が、正の第１の閾値を超えた後に一定時間内に負の第２の閾値を下回った場合に、一回の搬送動作が実行されたと判定する。さらに、実行装置１００は、負の第１の閾値を下回った後に一定時間内に正の第２の閾値を超えた場合に、一回の搬送動作が実行されたと判定する。
図７は、実行装置に加わる加速度を説明するためのグラフの例である。図７では、第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値が「Ｘ方向」として示され、第２加速度センサ１８０ｙにおける検出値が「Ｙ方向」として示されている。第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値と第２加速度センサ１８０Ｙにおける検出値との合算値が「合算値」として示されている。図７では、Ｘ方向とＹ方向との検出値の符号が互いに異なるため、Ｘ方向の検出値からＹ方向の検出値を引いた値が合算値となっている。グラフにおける「移動平均」は、合算値の移動平均を示している。図７では、２回の搬送動作が時間間隔を空けて実施されたときの加速度が示されている。この例では、２回の搬送動作の間に実行装置１００に回転等の動作が加わることによって検出値に乱れが生じている。このような検出値の乱れを誤検出しないために、搬送動作の有無は移動平均に基づいて判定されてもよい。
図７の例では、第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値との合算値（ここでは移動平均）が、正の第１の閾値ＴＨ１を超えた後に一定時間ＴＳ内に負の第２の閾値ＴＨ２を下回っている。そのため、演算装置１７１は、搬送動作が実行されたと判定する。また、その後、合算値が負の閾値ＴＨ２を下回った後に一定時間内に正の閾値ＴＨ１を超えていることから、演算装置１７１は、２回目の搬送動作が実行されたと判定する。
図８は、処理システムを搬送される実行装置の搬送経路の例を示す図である。一例の処理システム１において実行装置１００が搬送される場合、実行装置１００は複数回の搬送動作によって目的の位置まで搬送される。例えば、実行装置１００がプロセスモジュールＰＭ１まで搬送される場合を考える。実行装置１００は、搬送動作Ｔ１～Ｔ６を含む工程によって搬送される。搬送動作Ｔ１は、容器４ａ（専用のＦＯＵＰ４Ｆ）からの取り出しのための動作である。搬送動作Ｔ２は、容器４ａからの取り出し位置からアライナＡＮまでの搬送のための動作である。搬送動作Ｔ３は、アライナＡＮからの取り出しのための動作である。搬送動作Ｔ４は、アライナＡＮからの取り出し位置からロードロックモジュールＬＬ１までの搬送のための動作である。搬送動作Ｔ５は、ロードロックモジュールＬＬ１からトランスファーモジュールＴＦまでの搬送のための動作である。搬送動作Ｔ６は、トランスファーモジュールＴＦからプロセスモジュールＰＭ１までの搬送のための動作である。これらの搬送動作Ｔ１～Ｔ６では、互いに実行装置１００に加わる加速度の状態が異なっている場合がある。そこで、一例の実行装置１００では、搬送レシピに基づいて、搬送動作の判定がなされる。
図９は、一例の実行装置で利用される搬送レシピの例である。搬送レシピＲは、搬送装置に搬送される実行装置１００に加わる加速度の情報と搬送位置の情報との関係を示し得る。図９に示す搬送レシピＲは、順番に実行される搬送動作ごとに、所要時間、最大加速度、最小加速度、動作が紐付けられている。最大加速度は、第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値との合算値（ここでは移動平均）についての正の閾値ＴＨ１に相当する。最小加速度は、合算値についての負の閾値ＴＨ２に相当する。所要時間は、合算値の最大値の検出から最小値の検出までに経過した時間、又は、合算値の最小値の検出から最大値の検出までに経過した時間である。すなわち、所要時間は、搬送の開始から終了までに必要な時間に相当し、一定時間ＴＳに対応する。所要時間、最大加速度、最小加速度は、動作ごとに任意に決定されてよい。
図９の例では、第１動作から第６動作が搬送動作Ｔ１から搬送動作Ｔ６にそれぞれ対応している。そのため、例えば、第２動作が実施されたことが演算装置１７１によって判定された時点では、実行装置１００はアライナＡＮに位置していると認識できる。また、第１動作から第６動作までが終了したと判定された場合には、実行装置１００はプロセスモジュールＰＭ１に載置されたと認識できる。
演算装置１７１は、実行装置１００が所定の位置に搬送されたと認識したときに、所定の動作を動作装置に実行させる。一例において、演算装置１７１は、実行装置１００がプロセスモジュールＰＭ１に載置されたと認識したときに、光源１３０を発光させてもよい。
続いて、実行装置１００の動作について説明する。図１０は、実行装置の動作方法の一例を示すフローチャートである。一例の実行装置１００を動作させる場合、まず、専用のＦＯＵＰ４Ｆに載置された実行装置１００を起動させる。上述のように、専用のＦＯＵＰ４Ｆには、実行装置１００を起動させるためのスイッチＳＷが設けられているため、当該スイッチＳＷによって実行装置１００の起動が可能となる。実行装置１００が起動されると、加速度センサ１８０が動作することにより、加速度センサからの信号が演算装置１７１によって取得される（ステップＳＴ１）。実行装置１００を利用して発光分光分析装置７２の較正を行う場合、スイッチＳＷによって実行装置１００が起動される。この際、制御部ＭＣは、搬送装置ＴＵ１，ＴＵ２が実行装置１００をＦＯＵＰ４ＦからプロセスモジュールＰＭまで搬送するように処理システム１を制御する。また、制御部ＭＣは、発光分光分析装置７２がメンテナンスモードで動作するように制御する。
演算装置１７１は、取得した検出値に基づいて加速度の合算値を導出し、搬送レシピＲを参照して、導出された合算値を解析することにより、実行装置１００の搬送位置を認識する（ステップＳＴ２）。搬送位置の認識は、搬送レシピＲの動作がどこまで終了したかの判定と同意である。
演算装置１７１は、実行装置１００が所定の位置に搬送されたと認識されたときに所定の動作を動作装置に実行させる（ステップＳＴ３）。一例においては、演算装置１７１は、実行装置１００がプロセスモジュールＰＭ１に搬送されたと認識されたときに、光源１３０を発光させるようにコントローラ１７３を制御する。制御部ＭＣによって発光分光分析装置７２がメンテナンスモードで待機している場合には、光源１３０が発光されることを契機として発光分光分析装置７２の較正が実行される。光源１３０が発光してから所定時間経過した場合、演算装置１７１は発光分光分析装置７２の較正が終了したと判定し、光源１３０の発光を停止してもよい。なお、発光分光分析装置７２の較正のプログラムに応じて、実行装置１００がプロセスモジュールＰＭとアライナＡＮとの間を複数回にわたって搬送されてもよい。演算装置１７１は、実行装置１００がプロセスモジュールＰＭ１に搬送されたと判定する度に光源１３０を発光させてもよい。この場合、搬送レシピは、ＦＯＵＰ４ＦからプロセスモジュールＰＭまで搬送される際の動作に加えて、プロセスモジュールＰＭとアライナＡＮとの間の搬送動作に対応するレシピを含んでもよい。さらに、搬送レシピは、搬送動作のレシピに加えて、所定の動作のレシピとして光源１３０の発光の制御手順を含んでもよい。この場合、演算装置１７１は、搬送レシピを参照して光源１３０を制御することができる。発光分光分析装置７２の較正が終了すると、実行装置１００は搬送装置ＴＵ１，ＴＵ２によってＦＯＵＰ４Ｆに搬送される。
プロセスモジュールＰＭ内においては、実行装置１００を無線によって制御することができない。しかしながら、光源１３０を用いて発光分光分析装置７２の較正を行う場合に、搬送動作中にも光源１３０を発光させておくことは、運用上、必ずしも好ましくない。以上説明した実行装置１００では、実行装置１００に設けられた第１加速度センサ１８０Ｘ及び第２加速度センサ１８０Ｙによって、実行装置１００に加わる水平方向の加速度が検出される。そのため、第１加速度センサ１８０Ｘ及び第２加速度センサ１８０Ｙの出力値に基いて、実行装置１００の搬送状態を特定することで、実行装置１００の搬送位置を認識することができる。すなわち、実行装置１００は、搬送中における搬送位置を判定する位置判定装置として機能する。実行装置１００が所定の位置に搬送されたと認識されたときに、所定の動作を動作装置（一例では光源１３０）に実行させるように制御することによって、所望の位置において自動で所定の動作を実行させることができる。
一つの例示的実施形態において、演算装置１７１（制御装置）は、搬送装置に搬送される実行装置１００に加わる加速度の情報と搬送位置の情報との関係を示す搬送レシピ（レシピ情報）Ｒを記憶している。演算装置１７１は、搬送レシピＲを参照して、第１加速度センサ１８０Ｘ及び第２加速度センサ１８０Ｙの出力値に基づいて導出される加速度から搬送位置を認識し得る。演算装置１７１が予め搬送レシピＲを記憶しているため、複雑な搬送動作が実行される場合であっても、的確に搬送位置を認識することができる。
一つの例示的実施形態において、動作装置は、互いに異なる波長の光を発する複数の光源１３０を含み、所定の動作は、複数の光源１３０の発光であってもよい。この較正では、処理システム１における発光分光分析装置７２の較正作業を好適に実施することができる。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。
例えば、実行装置１００は、Ｘ軸とＹ軸との両方に直交するＺ軸方向に加速度を検出する第３加速度センサをさらに含んでもよい。
実行装置１００がプロセスモジュールＰＭに搬送されたときに光源１３０が発光される例について示したが、これに限定されない。実行装置１００が搬送される位置、及び、当該位置において実行される制御の内容は、任意に決定されてもよい。例えば、所定の動作が実行される位置は、ローダモジュールＬＭ、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、トランスファーモジュールＴＦ等であってもよい。また、実行装置は、所定の動作を実行する動作装置として、実行装置と対象物との間の静電容量を計測する計測器、実行装置の周囲を撮像する撮像装置等を有していてもよい。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１００…実行装置、１３０…光源（動作装置）、１８０Ｘ…第１加速度センサ、１８０Ｙ…第２加速度センサ、１７１…演算装置（制御装置）、Ｒ…搬送レシピ（レシピ情報）。

Claims (4)

  1. 半導体製造装置に設けられた搬送装置に搬送されて、所定の動作を実行する実行装置であって、
    前記所定の動作を実行するための動作装置と、
    水平方向に沿った第１方向における加速度を検出可能な第１加速度センサと、
    水平方向に沿った前記第１方向と交差する第２方向における加速度を検出可能な第２加速度センサと、
    前記第１加速度センサ及び前記第２加速度センサの出力値に基づいて、前記半導体製造装置内における前記実行装置の搬送位置を認識し、所定の位置に搬送されたと認識されたときに前記所定の動作を前記動作装置に実行させる制御装置と、を備え、
    前記動作装置は、互いに異なる波長の光を発する複数の光源を含み、
    前記所定の動作は、前記複数の光源の発光である、実行装置。
  2. 前記制御装置は、前記搬送装置に搬送される前記実行装置に加わる加速度の情報と搬送位置の情報との関係を示すレシピ情報を記憶しており、前記レシピ情報を参照して、前記第１加速度センサ及び前記第２加速度センサの出力値に基づいて導出される加速度から前記搬送位置を認識する、請求項１に記載の実行装置。
  3. 半導体製造装置に設けられた搬送装置に搬送される実行装置に、所定の動作を実行させる実行方法であって、
    水平方向に沿った第１方向と前記第１方向に交差する水平方向に沿った第２方向とにおける前記実行装置の加速度を取得する工程と、
    前記加速度に基づいて、前記半導体製造装置内における前記実行装置の搬送位置を認識する工程と、
    所定の位置に搬送されたと認識されたときに前記所定の動作を前記実行装置に実行させる工程と、を備え、
    前記所定の動作を実行する工程は、複数の光源によって互いに異なる波長の光を発することを含む、実行方法。
  4. 前記搬送位置を認識する工程は、前記搬送装置に搬送される前記実行装置に加わる加速度の情報と搬送位置の情報との関係を示すレシピ情報を参照することを含む、請求項３に記載の実行方法。
JP2020103004A 2020-06-15 2020-06-15 実行装置及び実行方法 Active JP7445532B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020103004A JP7445532B2 (ja) 2020-06-15 2020-06-15 実行装置及び実行方法
US17/335,475 US20210391195A1 (en) 2020-06-15 2021-06-01 Execution device and execution method
KR1020210071386A KR20210155355A (ko) 2020-06-15 2021-06-02 실행 장치 및 실행 방법
TW110120164A TW202211356A (zh) 2020-06-15 2021-06-03 執行裝置及執行方法
CN202110616987.XA CN113808901A (zh) 2020-06-15 2021-06-03 执行装置及执行方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020103004A JP7445532B2 (ja) 2020-06-15 2020-06-15 実行装置及び実行方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021197450A JP2021197450A (ja) 2021-12-27
JP7445532B2 true JP7445532B2 (ja) 2024-03-07

Family

ID=78825906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020103004A Active JP7445532B2 (ja) 2020-06-15 2020-06-15 実行装置及び実行方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210391195A1 (ja)
JP (1) JP7445532B2 (ja)
KR (1) KR20210155355A (ja)
CN (1) CN113808901A (ja)
TW (1) TW202211356A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009012107A (ja) 2007-07-03 2009-01-22 Nec Electronics Corp 基板処理装置のための設置・搬送情報教示治具及び教示方法
JP2017504014A (ja) 2013-12-21 2017-02-02 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 位置敏感基板デバイス

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009054993A (ja) * 2007-08-02 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 位置検出用治具
CN102751210B (zh) * 2011-04-18 2015-02-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种测量晶圆旋转参数的方法及系统
JP2014216441A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 株式会社ニコン 計測システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009012107A (ja) 2007-07-03 2009-01-22 Nec Electronics Corp 基板処理装置のための設置・搬送情報教示治具及び教示方法
JP2017504014A (ja) 2013-12-21 2017-02-02 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 位置敏感基板デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210155355A (ko) 2021-12-22
JP2021197450A (ja) 2021-12-27
TW202211356A (zh) 2022-03-16
US20210391195A1 (en) 2021-12-16
CN113808901A (zh) 2021-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI769237B (zh) 位置檢測系統及處理裝置
US20230282460A1 (en) Focus ring replacement method and plasma processing system
TWI428585B (zh) A substrate inspection mechanism, and a substrate processing apparatus using the same
CN109841555B (zh) 求出偏离量的方法和校准搬送位置数据的方法
TWI794563B (zh) 搬送方法及搬送系統
CN110243273B (zh) 测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法
JP7445532B2 (ja) 実行装置及び実行方法
CN108693409B (zh) 静电电容测量用的测量器
JP2024050059A (ja) 校正方法及び校正システム
JP2022168485A (ja) 校正装置及び校正方法
JP2022070212A (ja) 処理システム及び搬送方法
WO2022249973A1 (ja) プラズマモニタシステム、プラズマモニタ方法およびモニタ装置
TW202131436A (zh) 搬運之系統及方法
US11933826B2 (en) Execution device and execution method
WO2022239800A1 (ja) パーティクルモニタシステム、パーティクルモニタ方法およびモニタ装置
WO2022186353A1 (ja) 基板処理装置および搬送方法
TW202334609A (zh) 測定方法及測定系統
JP2023155942A (ja) 治具

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230201

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7445532

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150