JP2022168485A - 校正装置及び校正方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正する技術を提供する。【解決手段】例示的実施形態に係る校正装置は、板状のベース基板と、ベース基板上に配置され、互いに異なる波長の光を発する複数の発光装置と、ベース基板上に配置された反射部材であって、複数の発光装置が発する光を、平面視においてベース基板の外側に向けて反射する反射部材と、ベース基板に配置され、複数の発光装置を制御する制御装置と、を備える。【選択図】図５

Description

本開示の例示的実施形態は、校正装置及び校正方法に関する。

特許文献１には、プラズマ処理装置が開示されている。このプラズマ処理装置では、発光分光分析装置によって、プラズマ処理装置内で生成されたプラズマ光の波長スペクトルの変化が監視される。

特開２０２０－６５０１３号公報

本開示は、プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正するための技術を提供する。

一つの例示的実施形態においては、プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正する治具が提供される。治具は、板状のベース基板と、複数の光源と、反射部材と、制御装置と、を備える。複数の光源は、ベース基板上に配置されており、互いに異なる波長の光を発する。反射部材は、ベース基板上に配置されており、複数の光源が発する光を、平面視においてベース基板の外側に向けて反射する。制御装置は、ベース基板に配置されており、複数の光源を制御する。

一つの例示的実施形態に係る校正装置によれば、プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正することができる。

処理システムを例示する図である。 アライナを例示する斜視図である。 プラズマ処理装置の一例を示す図である。 一例の校正装置を上面側から見た平面図である。 図４のＶ－Ｖ断面図である。 一例の校正装置を示すブロック図である。 一例の校正装置の加速度センサを説明するための模式図である。 一例の校正装置に加わる加速度を説明するためのグラフの例である。 処理システムを搬送される校正装置の搬送経路の例を示す図である。 一例の校正装置で利用される搬送レシピの例である。 校正装置の動作方法の一例を示すフローチャートである。 他の例に係る発光装置を説明するための図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態においては、プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正する校正装置が提供される。校正装置は、板状のベース基板と、複数の光源と、反射部材と、制御装置と、を備える。複数の光源は、ベース基板上に配置されており、互いに異なる波長の光を発する。反射部材は、ベース基板上に配置されており、複数の光源が発する光を、平面視においてベース基板の外側に向けて反射する。制御装置は、ベース基板に配置されており、複数の光源を制御する。

上記実施形態の校正装置では、プラズマ処理装置内に設けられたステージ上に校正装置が配置された状態で、複数の光源から光が発せられるように、制御装置が複数の光源を制御する。複数の光源から発せられた光は、反射部材によって、平面視においてベース基板の外側に向かって反射する。プラズマ処理装置において、発光分光分析装置に光を入射させる窓がステージの側方に設けられている場合、反射部材によって反射された光源からの光は、発光分光分析装置に入射され易くなる。すなわち、発光分光分析装置に入射する光の強度は高くなる。複数の光源の光は校正のための基準とすることができるので、プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正することができる。

一つの例示的実施形態において、複数の光源のそれぞれは、ＬＥＤ光源である。

一つの例示的実施形態において、ベース基板は、円盤状を呈しており、周縁の一部にノッチを含んでいる。処理システムに、ウエハの回転位置を制御するアライナが設けられている場合に、当該アライナによって校正装置の回転位置を制御できる。

一つの例示的実施形態において、複数の光源は、ベース基板の周縁に沿って周方向に配列されている。この構成では、プラズマ処理装置において、発光分光分析装置に光を入射させる窓がステージの側方に設けられている場合、複数の光源のいずれかを窓に近づけることができる。

一つの例示的実施形態において、ベース基板に配置された加速度センサをさらに備えてもよい。制御装置は、加速度センサの出力値に基づいて、プラズマ処理装置内における校正装置の搬送位置を認識し、校正装置が所定の位置に搬送されたと認識されたときに複数の光源を発光させてもよい。この構成では、搬送装置によって校正装置がステージ上に搬送されたタイミングで複数の光源を発光させることができる。

一つの例示的実施形態においては、プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正する校正装置が提供される。校正装置は、板状のベース基板と、複数の光源と、制御装置とを備える。複数の光源は、ベース基板上に配置されており、互いに異なる波長の光を発する。制御装置は、複数の光源を制御する。光源の光軸は、平面視においてベース基板の外側に向いている。

上記実施形態の校正装置では、プラズマ処理装置内に設けられたステージ上に校正装置が配置された状態で、複数の光源から光が発せられるように、制御装置が複数の光源を制御する。複数の光源から発せられた光は、平面視においてベース基板の外側に向かって照射される。プラズマ処理装置において、発光分光分析装置に光を入射させる窓がステージの側方に設けられている場合、光源からの光は、発光分光分析装置に入射され易くなる。すなわち、発光分光分析装置に入射する光の強度は高くなる。複数の光源の光は校正のための基準とすることができるので、プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正することができる。

一つの例示的実施形態においては、校正装置を用いて、プラズマ処理装置内で生成されるプラズマを監視する発光分光分析装置を校正する方法が提供される。校正装置は、上記いずれかの校正装置であってよい。該方法は、搬送装置によって校正装置を前記プラズマ処理装置内に搬送する工程を含む。また、該方法は、プラズマ処理装置内に搬送された校正装置の複数の光源を発光させる工程を含む、また、該方法は、複数の光源から発せられる光の強度データを発光分光分析装置によって測定する工程を含む。また、該方法は、強度データに基づいて発光分光分析装置を校正する工程を含む。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

一つの例示的実施形態に係る校正装置は、半導体製造装置Ｓ１としての機能を有する処理システム１によって搬送され得る。まず、被加工物を処理するための処理装置、及び、当該処理装置に被加工物を搬送するための搬送装置を有する処理システムについて説明する。図１は、処理システムを例示する図である。処理システム１は、台２ａ～２ｄ、容器４ａ～４ｄ、ローダモジュールＬＭ、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６、トランスファーモジュールＴＦ、及び、制御部ＭＣを備えている。なお、台２ａ～２ｄの個数、容器４ａ～４ｄの個数、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の個数、及び、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の個数は限定されるものではなく、一以上の任意の個数であり得る。

台２ａ～２ｄは、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。容器４ａ～４ｄはそれぞれ、台２ａ～２ｄ上に搭載されている。容器４ａ～４ｄの各々は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）と称される容器である。容器４ａ～４ｄのそれぞれは、被加工物Ｗを収容するように構成され得る。被加工物Ｗは、ウエハのように略円盤形状を有する。

ローダモジュールＬＭは、大気圧状態の搬送空間をその内部に画成するチャンバ壁を有している。この搬送空間内には搬送装置ＴＵ１が設けられている。搬送装置ＴＵ１は、例えば、多関節ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ１は、容器４ａ～４ｄとアライナＡＮとの間、アライナＡＮとロードロックモジュールＬＬ１～ＬＬ２の間、ロードロックモジュールＬＬ１～ＬＬ２と容器４ａ～４ｄの間で被加工物Ｗを搬送するように構成されている。

アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭと接続されている。アライナＡＮは、被加工物Ｗの位置の調整（位置の校正）を行うように構成されている。図２は、アライナを例示する斜視図である。アライナＡＮは、支持台６Ｔ、駆動装置６Ｄ、及び、センサ６Ｓを有している。支持台６Ｔは、鉛直方向に延びる軸線中心に回転可能な台であり、その上に被加工物Ｗを支持するように構成されている。支持台６Ｔは、駆動装置６Ｄによって回転される。駆動装置６Ｄは、制御部ＭＣによって制御される。駆動装置６Ｄからの動力により支持台６Ｔが回転すると、当該支持台６Ｔ上に載置された被加工物Ｗも回転するようになっている。

センサ６Ｓは、光学センサであり、被加工物Ｗが回転されている間、被加工物Ｗのエッジを検出する。センサ６Ｓは、エッジの検出結果から、基準角度位置に対する被加工物ＷのノッチＷＮ（或いは、別のマーカー）の角度位置のずれ量、及び、基準位置に対する被加工物Ｗの中心位置のずれ量を検出する。センサ６Ｓは、ノッチＷＮの角度位置のずれ量及び被加工物Ｗの中心位置のずれ量を制御部ＭＣに出力する。制御部ＭＣは、ノッチＷＮの角度位置のずれ量に基づき、ノッチＷＮの角度位置を基準角度位置に補正するための支持台６Ｔの回転量を算出する。制御部ＭＣは、この回転量の分だけ支持台６Ｔを回転させるよう、駆動装置６Ｄを制御する。これにより、ノッチＷＮの角度位置を基準角度位置に補正することができる。また、制御部ＭＣは、ノッチＷＮの角度位置を任意の角度位置に補正してもよい。また、制御部ＭＣは、アライナＡＮから被加工物Ｗを受け取る際の搬送装置ＴＵ１のエンドエフェクタ（ｅｎｄ ｅｆｆｅｃｔｏｒ）の位置を、被加工物Ｗの中心位置のずれ量に基づき、制御する。これにより、搬送装置ＴＵ１のエンドエフェクタ上の所定位置に被加工物Ｗの中心位置が一致する。

図１に戻り、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、ローダモジュールＬＭとトランスファーモジュールＴＦとの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。

トランスファーモジュールＴＦは、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２にゲートバルブを介して気密に接続されている。トランスファーモジュールＴＦは、減圧可能な減圧室を提供している。この減圧室には、搬送装置ＴＵ２が設けられている。搬送装置ＴＵ２は、例えば、搬送アームＴＵａを有する多関節ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ２は、ロードロックモジュールＬＬ１～ＬＬ２とプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６との間、及び、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち任意の二つのプロセスモジュール間において、被加工物Ｗを搬送するように構成されている。

プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６は、トランスファーモジュールＴＦにゲートバルブを介して気密に接続されている。プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の各々は、被加工物Ｗに対してプラズマ処理といった専用の処理を行うよう構成された処理装置である。

この処理システム１において被加工物Ｗの処理が行われる際の一連の動作は以下の通り例示される。ローダモジュールＬＭの搬送装置ＴＵ１が、容器４ａ～４ｄの何れかから被加工物Ｗを取り出し、当該被加工物ＷをアライナＡＮに搬送する。次いで、搬送装置ＴＵ１は、その位置が調整された被加工物ＷをアライナＡＮから取り出して、当該被加工物ＷをロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送する。次いで、一方のロードロックモジュールが、予備減圧室の圧力を所定の圧力に減圧する。次いで、トランスファーモジュールＴＦの搬送装置ＴＵ２が、一方のロードロックモジュールから被加工物Ｗを取り出し、当該被加工物ＷをプロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち何れかに搬送する。そして、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６のうち一以上のプロセスモジュールが被加工物Ｗを処理する。そして、搬送装置ＴＵ２が、処理後の被加工物ＷをプロセスモジュールからロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送する。次いで、搬送装置ＴＵ１が被加工物Ｗを一方のロードロックモジュールから容器４ａ～４ｄの何れかに搬送する。

この処理システム１は、上述したように制御部ＭＣを備えている。制御部ＭＣは、プロセッサ、メモリといった記憶装置、表示装置、入出力装置、通信装置等を備えるコンピュータであり得る。上述した処理システム１の一連の動作は、記憶装置に記憶されたプログラムに従った制御部ＭＣによる処理システム１の各部の制御により、実現されるようになっている。

図３は、プロセスモジュールＰＭ１～ＰＭ６の何れかとして採用され得るプラズマ処理装置の一例を示す図である。図３に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型プラズマエッチング装置である。プラズマ処理装置１０は、略円筒形状のチャンバ本体１２を備えている。チャンバ本体１２は、例えば、アルミニウムから形成されており、その内壁面には、陽極酸化処理が施され得る。このチャンバ本体１２は保安接地されている。

チャンバ本体１２の底部上には、略円筒形状の支持部１４が設けられている。支持部１４は、例えば、絶縁材料から構成されている。支持部１４は、チャンバ本体１２内に設けられており、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。また、チャンバ本体１２によって提供されるチャンバＳ内には、ステージＳＴが設けられている。ステージＳＴは、支持部１４によって支持されている。

ステージＳＴは、下部電極ＬＥ及び静電チャックＥＳＣを有している。下部電極ＬＥは、第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂを含んでいる。第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂは、例えばアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。第２プレート１８ｂは、第１プレート１８ａ上に設けられており、第１プレート１８ａに電気的に接続されている。

第２プレート１８ｂ上には、静電チャックＥＳＣが設けられている。静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極を一対の絶縁層又は絶縁シート間に配置した構造を有しており、略円盤形状を有している。静電チャックＥＳＣの電極には、直流電源２２がスイッチ２３を介して電気的に接続されている。この静電チャックＥＳＣは、直流電源２２からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力により被加工物Ｗを吸着する。これにより、静電チャックＥＳＣは、被加工物Ｗを保持することができる。

第２プレート１８ｂの周縁部上には、フォーカスリングＦＲが設けられている。このフォーカスリングＦＲは、被加工物Ｗのエッジ及び静電チャックＥＳＣを囲むように設けられている。このフォーカスリングＦＲは、シリコン、炭化ケイ素、酸化シリコンといった種々の材料のうち何れかから形成され得る。

第２プレート１８ｂの内部には、冷媒流路２４が設けられている。冷媒流路２４は、温調機構を構成している。冷媒流路２４には、チャンバ本体１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻される。このように、冷媒流路２４とチラーユニットとの間では、冷媒が循環される。この冷媒の温度を制御することにより、静電チャックＥＳＣによって支持された被加工物Ｗの温度が制御される。

ステージＳＴには、当該ステージＳＴを貫通する複数（例えば、三つ）の貫通孔２５が形成されている。複数の貫通孔２５は、平面視において静電チャックＥＳＣの内側に形成されている。これら、それぞれの貫通孔２５には、リフトピン２５ａが挿入されている。なお、図３においては、一本のリフトピン２５ａが挿入された一つの貫通孔２５が描かれている。リフトピン２５ａは、貫通孔２５内において上下動可能に設けられている。リフトピン２５ａの上昇によって、静電チャックＥＳＣ上に支持された被加工物Ｗが上昇する。

ステージＳＴには、平面視において静電チャックＥＳＣよりも外側の位置に、当該ステージＳＴ（下部電極ＬＥ）を貫通する複数（例えば、三つ）の貫通孔２７が形成されている。これら、それぞれの貫通孔２７には、リフトピン２７ａが挿入されている。なお、図３においては、一本のリフトピン２７ａが挿入された一つの貫通孔２７が描かれている。リフトピン２７ａは、貫通孔２７内において上下動可能に設けられている。リフトピン２７ａの上昇によって、第２プレート１８ｂ上に支持されたフォーカスリングＦＲが上昇する。

また、プラズマ処理装置１０には、ガス供給ライン２８が設けられている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャックＥＳＣの上面と被加工物Ｗの裏面との間に供給する。

また、プラズマ処理装置１０は、上部電極３０を備えている。上部電極３０は、ステージＳＴの上方において、当該ステージＳＴと対向配置されている。上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４はチャンバＳに面しており、当該天板３４には複数のガス吐出孔３４ａが設けられている。この天板３４は、シリコン又は石英から形成され得る。或いは、天板３４は、アルミニウム製の母材の表面に酸化イットリウムといった耐プラズマ性の膜を形成することによって構成され得る。

支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この支持体３６は、水冷構造を有し得る。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０は、複数種のガス用の複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４２は複数のバルブを含んでおり、流量制御器群４４はマスフローコントローラといった複数の流量制御器を含んでいる。ガスソース群４０の複数のガスソースはそれぞれ、バルブ群４２の対応のバルブ及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。

また、プラズマ処理装置１０では、チャンバ本体１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、チャンバ本体１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。

チャンバ本体１２の底部側、且つ、支持部１４とチャンバ本体１２の側壁との間には排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材に酸化イットリウム等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。排気プレート４８には、その板厚方向に貫通する複数の孔が形成されている。この排気プレート４８の下方、且つ、チャンバ本体１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ本体１２内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。また、チャンバ本体１２の側壁には被加工物Ｗの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。

また、プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を更に備えている。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波を発生する電源であり、例えば、２７～１００ＭＨｚの周波数を有する高周波を発生する。第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して上部電極３０に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（上部電極３０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して下部電極ＬＥに接続されていてもよい。

第２の高周波電源６４は、被加工物Ｗにイオンを引き込むための第２の高周波を発生する電源であり、例えば、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数の高周波を発生する。第２の高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。

プラズマ処理装置１０では、複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスがチャンバＳに供給される。また、チャンバＳの圧力が排気装置５０によって所定の圧力に設定される。さらに、第１の高周波電源６２からの第１の高周波によってチャンバＳ内のガスが励起される。これにより、プラズマが生成される。そして、発生した活性種によって被加工物Ｗが処理される。なお、必要に応じて、第２の高周波電源６４の第２の高周波に基づくバイアスにより、被加工物Ｗにイオンが引き込まれてもよい。

チャンバ本体１２には光を透過する窓１２ｗが設けられている。窓１２ｗは、例えばハニカム形状の２重窓構造となっていてもよい。この場合、窓１２ｗ内へのプラズマ及びラジカルの進入が抑制され、窓１２ｗに付着する反応生成物の量が低減される。窓１２ｗの外側には、レンズ、ミラー等の集光部１２ａが配置されていてもよい。窓１２ｗには、集光部１２ａ及び光ファイバ７１を介して発光分光分析装置７２が接続されている。発光分光分析装置７２は、チャンバＳ内に生成されたプラズマの発光強度を分析する。発光分光分析装置７２は、プラズマからの光を、窓１２ｗを介して受光する。発光分光分析装置７２は、プラズマの発光強度を分析する通常モードでの動作の他に、メンテナンスモードでの動作が可能となっている。メンテナンスモードでは、所定の光源を基準として発光分光分析装置７２に搭載された分光器の校正が実行される。

続いて、校正装置について説明する。校正装置は、メンテナンスモードで動作する発光分光分析装置７２の校正が実行されるときの基準となる光を発する。すなわち、校正装置１００は、発光分光分析装置７２の校正のための、いわゆる基準器である。なお、一例の校正装置１００は、プロセスモジュールＰＭ内のステージＳＴ上において、所定位置に光源を配置するための装置であるため、治具と称してもよい。

図４は、実施形態に係る校正装置１００を上面側から見た平面図である。図５は、校正装置１００に設けられた発光装置１３０を説明する図であり、図４のＶ－Ｖ断面図である。図６は、校正装置を示すブロック図である。なお、図６では、校正装置１００を使用する際に用いられる専用のＦＯＵＰ４Ｆも模式的に示されている。校正装置１００は、ベース基板１１０と、制御基板１２０と、バッテリ１４０と、を有する。校正装置１００は、半導体製造装置Ｓ１としての機能を有する処理システム１の搬送装置によって搬送されて、複数の発光装置１３０を発光させる。

ベース基板１１０は、円盤状のウエハを一例とする基板である。ただし、ベース基板１１０は、円盤状に限られず、基板を搬送する搬送装置により搬送できれば、多角形、楕円等、形状には限定されない。ベース基板１１０のエッジには、ノッチ１１０Ｎが形成されている。基板の材質としては、例えばシリコン、カーボンファイバ、石英ガラス、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、アルミナなどが挙げられる。

制御基板１２０は、ベース基板１１０の上面に設けられる回路基板であり、複数の発光装置１３０Ａ～１３０Ｄ（以下、発光装置を総称する場合には「発光装置１３０」という）と、コネクタパッド１６０と、制御回路１７０と、加速度センサ１８０とを有する。

発光装置１３０Ａ～１３０Ｄは、例えば、制御基板１２０上に配置されている。図４に示すように、一例の発光装置１３０Ａ～１３０Ｄは、制御基板１２０の周縁において、周方向に等間隔となるように、互いに離間して配置されている。発光装置１３０は、光源１３１と反射部材１３５とを含む。一例の光源１３１はＬＥＤ（light emitting diode）光源であり、基板１３２と、基板１３２上に設けられたＬＥＤ素子１３３と、ＬＥＤ素子１３３を覆うレンズ１３４と、を含む。なお、光源１３１は、ＯＬＥＤ（Organic light emitting diode）であってもよい。光源１３１は、発光分光分析装置７２のメンテナンスモードにおける校正の基準となる光を発する。すなわち、プロセスモジュールＰＭ内で光源１３１が発光している状態において、メンテナンスモードで動作する発光分光分析装置７２が校正される。例えば、光源１３１から出力される光の強度データは、基準となる発光分光分析装置によって事前に取得されている。プラズマ処理装置１０に接続された校正の対象となる発光分光分析装置７２は、光源１３１から出力される光の強度データを校正用の基準データとして記憶していてよい。

一例では、基板１３２は矩形板状を有している。また、一例の光源１３１の光軸１３１ａの向きは、ベース基板１１０の上面１１０ａに垂直であってよい。なお、光軸１３１ａの向きは、ＬＥＤ素子１３３の発光面１３３ａに垂直な向きとして定義され得る。一例では、ＬＥＤ素子１３３の発光面１３３ａは、制御基板１２０の上面１２０ａおよびベース基板１１０の上面１１０ａに平行となっている。発光装置１３０Ａ～１３０Ｄのぞれぞれは、複数の光源１３１を有している。図示例では、発光装置１３０Ａ～１３０Ｄは、それぞれ３つの光源１３１を有している。発光装置１３０Ａの光源１３１と、発光装置１３０Ｂの光源１３１と、発光装置１３０Ｃの光源１３１と、発光装置１３０Ｄの光源１３１とは、それぞれ互いに異なる波長（つまり、異なる色）の光を発する。各波長の光源１３１の個数は３つに限られず、２以下又は４以上であってもよい。

反射部材１３５は、光源１３１から出力される光を平面視においてベース基板１１０の外側に向けて反射する。一例の反射部材１３５は、反射板（ミラー）であってよい。反射部材１３５は、光を反射する平面状の反射面１３５ａを有する。なお、反射面とは、入射された光を鏡面反射させる面であってよい。図示例の反射部材１３５は、支持体１３７に支持されている。図示例の支持体は、直方体形状を呈している。

支持体１３７は、制御基板１２０上において、光源１３１よりも制御基板１２０（ベース基板１１０）の中心側に位置している。図示例では、一つの発光装置１３０を構成する３つの光源１３１が、ベース基板１１０の径方向に対して交差（図示例では直交）する方向に離間して配列されている。支持体１３７は、ベース基板１１０の径方向において、３つの光源１３１よりも中心側において、３つの光源１３１に当接する位置に配置されている。支持体１３７の高さは、光源１３１の高さよりも高い。

反射部材１３５の基端は、支持体１３７の上端に接続されている。反射部材１３５は、支持体１３７の上端から光源１３１の上方に張り出している。反射部材１３５の基端から先端までの長さは、例えば、ベース基板１１０の径方向における光源１３１の基板１３２の長さと同程度であってもよい。また、反射部材１３５の反射面１３５ａと基板１３２の上面に平行な面とは、所定の角度をもって交差している。反射面１３５ａと基板１３２の上面に平行な面とのなす角度θは、発光分光分析装置７２が接続される窓１２Ｗの高さに応じて決定され得る。例えば、ステージＳＴの静電チャックＥＳＣ上に校正装置１００が載置された状態で、光源１３１の光軸１３１ａが反射面１３５ａで反射したときに窓１２Ｗに向かうように、反射部材１３５の角度θが調整され得る。反射部材１３５は、角度θがずれないように、ネジ等の締結部材１３８によって支持体１３７に固定されてもよい。反射部材１３５の角度θは、反射部材１３５と窓１２ｗとの高さが同程度の場合、一例として４２°～４８°程度であってよいが、これに限定されない。なお、図６に破線で示すように、反射部材１３５の角度位置は、調整可能であってよい。

コネクタパッド１６０は、バッテリを充電するための接続部であり、外部電源に接続され得る。コネクタパッド１６０は、専用のＦＯＵＰ４Ｆ内に載置された状態で、専用のＦＯＵＰ４Ｆに設けられたコネクタ４ＦＣを介して外部電源に接続される。バッテリ１４０は、ベース基板１１０の上に４つ配置されている。バッテリ１４０は、発光装置１３０ａ～１３０ｄ及び制御回路１７０に電力を供給する。バッテリ１４０は、発光装置１３０ａ～１３０ｄの最大電流値に耐え得る数であれば、４つに限られない。図６に示されるように、コネクタパッド１６０とバッテリ１４０との間には充電回路１７７が接続されており、充電回路１７７によってバッテリ１４０の充電が制御されている。また、バッテリ１４０には電源回路１７８が接続されており、電源回路１７８を介してバッテリ１４０からの電力が各デバイスに供給されている。

制御回路１７０は、制御基板１２０に配置されており、プロセッサを含む演算装置１７１、メモリ１７２、コントローラ１７３、電流／電圧計１７４等を有し、メモリ１７２に記憶されたプログラムに基づいて校正装置１００の動作を統括的に制御する。制御回路１７０は、校正装置１００の各部を制御する制御部として機能する。例えば発光装置１３０のそれぞれの点灯及び消灯は、発光装置１３０に入力される電力が電流／電圧計１７４によって計測されている状態で、コントローラ１７３によって制御される。また、外部の他の機器との通信の制御のために、制御回路１７０には、通信機器１７５が接続されている。一例において、校正装置１００には、通信機器１７５を介して外部のコンピュータ８８等から後述する搬送レシピを含む情報が入力され得る。通信機器１７５とコンピュータ８８との接続方式は、有線及び無線のいずれであってもよい。また、一例においては、校正装置１００は、制御回路１７０に接続されたコネクタパッド１７６を含んでいる。コネクタパッド１７６は、専用のＦＯＵＰ４Ｆに設けられたスイッチＳＷに接続される。制御回路１７０は、スイッチＳＷから入力される信号に基づいて校正装置１００の制御を開始し得る。

加速度センサ１８０は、校正装置１００に加わる加速度を検出することによって、処理システム１内における校正装置１００の搬送動作を検出する。図６に示すように、加速度センサ１８０は、少なくとも第１加速度センサ１８０Ｘと第２加速度センサ１８０Ｙとを含んで構成されている。

図７は、校正装置１００の加速度センサ１８０を説明するための模式図である。図７では、校正装置１００を上側から見た模式的な平面図が示されている。図７におけるＹ軸は、校正装置１００の中心とノッチ１１０Ｎとを通っている。Ｘ軸は、Ｙ軸に直交するとともに、校正装置１００の中心を通っている。Ｘ軸とＹ軸とは、制御基板１２０に沿った平面に沿って互いに直交（交差）する軸であってよい。

第１加速度センサ１８０Ｘは、Ｘ軸方向における加速度を検出するように構成され、第２加速度センサ１８０Ｙは、Ｙ軸方向における加速度を検出するように構成されている。そのため、校正装置１００が水平の状態では、第１加速度センサ１８０Ｘによって水平方向に沿った第１方向における加速度が検出可能である。また、第２加速度センサ１８０Ｙによって水平方向に沿った第１方向に交差する第２方向における加速度が検出可能である。

一例において、第１加速度センサ１８０Ｘは、Ｘ軸の正方向に加わる加速度が検出されたときに、加速度の大きさに応じた正の検出値を出力し、Ｘ軸の負方向に加わる加速度が検出されたときに、加速度の大きさに応じた負の検出値を出力する。また、第２加速度センサ１８０Ｙは、Ｙ軸の正方向に加わる加速度が検出されたときに、加速度の大きさに応じた正の検出値を出力し、Ｙ軸の負方向に加わる加速度が検出されたときに、加速度の大きさに応じた負の検出値を出力する。

一般的に、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にベクトルを持つ加速度の算出には、二乗和平方根が用いられる。しかし、一例の実施形態においては、Ｘ軸方向及びＹ軸方向における正負の方向も重要となるため、以下のように合算値を用いた演算が実行される。

一例の校正装置１００では、第１加速度センサ１８０Ｘ及び第２加速度センサ１８０Ｙからのそれぞれの検出値が演算装置１７１に入力される。演算装置１７１は、第１加速度センサ１８０Ｘの検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値とを合算し、合算値を導出する。演算装置１７１は、合算値に基づいて処理システム１における搬送動作をカウントする。

図７に示すＸ軸に沿った方向Ｄ１，Ｄ２に校正装置１００が搬送される場合、第２加速度センサ１８０Ｙでは実質的に加速度が検出されない。そのため、演算装置１７１は、第１加速度センサ１８０Ｘのみの検出値を合算値としてもよい。同様に、図７に示すＹ軸に沿った方向Ｄ３，Ｄ４に校正装置１００が搬送される場合には、演算装置１７１は、第２加速度センサ１８０Ｙのみの検出値を合算値としてもよい。また、Ｘ軸とＹ軸との両方が正方向である方向Ｄ５、及び、Ｘ軸とＹ軸との両方が負方向である方向Ｄ６に校正装置が搬送される場合には、検出値がそのまま足し合わされた値を合算値としてもよい。

Ｘ軸が正方向でありＹ軸が負方向である方向Ｄ７、及び、Ｘ軸が負方向でありＹ軸が正方向である方向Ｄ８に校正装置１００が搬送される場合、第１加速度センサ１８０Ｘの検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値とでは符号が逆になる。そのため、第１加速度センサ１８０Ｘの検出値から第２加速度センサ１８０Ｙの検出値を引いた値を合算値としてもよい。なお、第１加速度センサ１８０Ｘの検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値とが合算によって打ち消されなければよいため、第２加速度センサ１８０Ｙの検出値から第１加速度センサ１８０Ｘの検出値を引いた値を合算値としてもよい。

一例として、演算装置１７１に入力される２つの検出値のうちの一方が実質的にゼロである場合に、演算装置１７１は、校正装置１００が方向Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４に搬送されていると判定して、合算値を算出してもよい。また、演算装置１７１に入力される２つの検出値の符号が同じである場合に、演算装置１７１は、校正装置１００が方向Ｄ５，Ｄ６に搬送されていると判定して、合算値を算出してもよい。また、演算装置１７１に入力される２つの検出値の符号が互いに異なる場合に、演算装置１７１は、校正装置１００が方向Ｄ７，Ｄ８に搬送されていると判定して、合算値を算出してもよい。

処理システム１においては、搬送装置ＴＵ１，ＴＵ２によって校正装置１００が搬送される。例えば、搬送装置によって、静止している校正装置１００がある位置まで搬送されて静止した場合、校正装置１００には、搬送の開始時に搬送方向と逆向きに加速度がかかり、搬送の停止時に搬送方向に加速度がかかる。そこで、一例の校正装置１００は、第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値との合算値が、正の第１の閾値を超えた後に一定時間内に負の第２の閾値を下回った場合に、一回の搬送動作が実行されたと判定する。さらに、校正装置１００は、負の第１の閾値を下回った後に一定時間内に正の第２の閾値を超えた場合に、一回の搬送動作が実行されたと判定する。

図８は、校正装置に加わる加速度を説明するためのグラフの例である。図８では、第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値が「Ｘ方向」として示され、第２加速度センサ１８０ｙにおける検出値が「Ｙ方向」として示されている。第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値と第２加速度センサ１８０Ｙにおける検出値との合算値が「合算値」として示されている。図８では、Ｘ方向とＹ方向との検出値の符号が互いに異なるため、Ｘ方向の検出値からＹ方向の検出値を引いた値が合算値となっている。グラフにおける「移動平均」は、合算値の移動平均を示している。図８では、２回の搬送動作が時間間隔を空けて実施されたときの加速度が示されている。この例では、２回の搬送動作の間に校正装置１００に回転等の動作が加わることによって検出値に乱れが生じている。このような検出値の乱れを誤検出しないために、搬送動作の有無は移動平均に基づいて判定されてもよい。

図８の例では、第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値との合算値（ここでは移動平均）が、正の第１の閾値ＴＨ１を超えた後に一定時間ＴＳ内に負の第２の閾値ＴＨ２を下回っている。そのため、演算装置１７１は、搬送動作が実行されたと判定する。また、その後、合算値が負の閾値ＴＨ２を下回った後に一定時間内に正の閾値ＴＨ１を超えていることから、演算装置１７１は、２回目の搬送動作が実行されたと判定する。

図９は、処理システムを搬送される校正装置の搬送経路の例を示す図である。一例の処理システム１において校正装置１００が搬送される場合、校正装置１００は複数回の搬送動作によって目的の位置まで搬送される。例えば、校正装置１００がプロセスモジュールＰＭ１まで搬送される場合を考える。校正装置１００は、搬送動作Ｔ１～Ｔ６を含む工程によって搬送される。搬送動作Ｔ１は、容器４ａ（専用のＦＯＵＰ４Ｆ）からの取り出しのための動作である。搬送動作Ｔ２は、容器４ａからの取り出し位置からアライナＡＮまでの搬送のための動作である。搬送動作Ｔ３は、アライナＡＮからの取り出しのための動作である。搬送動作Ｔ４は、アライナＡＮからの取り出し位置からロードロックモジュールＬＬ１までの搬送のための動作である。搬送動作Ｔ５は、ロードロックモジュールＬＬ１からトランスファーモジュールＴＦまでの搬送のための動作である。搬送動作Ｔ６は、トランスファーモジュールＴＦからプロセスモジュールＰＭ１までの搬送のための動作である。これらの搬送動作Ｔ１～Ｔ６では、互いに校正装置１００に加わる加速度の状態が異なっている場合がある。そこで、一例の校正装置１００では、搬送レシピに基づいて、搬送動作の判定がなされる。

図１０は、一例の校正装置で利用される搬送レシピの例である。搬送レシピＲは、搬送装置に搬送される校正装置１００に加わる加速度の情報と搬送位置の情報との関係を示し得る。図１０に示す搬送レシピＲは、順番に実行される搬送動作ごとに、所要時間、最大加速度、最小加速度、動作が紐付けられている。最大加速度は、第１加速度センサ１８０Ｘによる検出値と第２加速度センサ１８０Ｙの検出値との合算値（ここでは移動平均）についての正の閾値ＴＨ１に相当する。最小加速度は、合算値についての負の閾値ＴＨ２に相当する。所要時間は、合算値の最大値の検出から最小値の検出までに経過した時間、又は、合算値の最小値の検出から最大値の検出までに経過した時間である。すなわち、所要時間は、搬送の開始から終了までに必要な時間に相当し、一定時間ＴＳに対応する。所要時間、最大加速度、および最小加速度は、動作ごとに任意に決定されてよい。

図１０の例では、第１動作から第６動作が搬送動作Ｔ１から搬送動作Ｔ６にそれぞれ対応している。そのため、例えば、第２動作が実施されたことが演算装置１７１によって判定された時点では、校正装置１００はアライナＡＮに位置していると認識できる。また、第１動作から第６動作までが終了したと判定された場合には、校正装置１００はプロセスモジュールＰＭ１に載置されたと認識できる。演算装置１７１は、校正装置１００がプロセスモジュールＰＭ１に載置されたことを認識したときに、発光装置１３０を発光させる。

続いて、校正装置１００の動作について説明する。図１１は、校正装置の動作方法の一例を示すフローチャートである。図１１に示すように、一例の動作方法では、搬送装置によって校正装置１００がプロセスモジュールＰＭ内に搬送される（ステップＳＴ１）。校正装置１００を動作させる場合、まず、専用のＦＯＵＰ４Ｆに載置された校正装置１００を起動させる。上述のように、専用のＦＯＵＰ４Ｆには、校正装置１００を起動させるためのスイッチＳＷが設けられているため、当該スイッチＳＷによって校正装置１００の起動が可能となる。校正装置１００が起動されると、加速度センサ１８０が動作することにより、加速度センサ１８０からの信号が演算装置１７１によって取得される。校正装置１００を利用して発光分光分析装置７２の校正を行う場合、スイッチＳＷによって校正装置１００が起動される。この際、制御部ＭＣは、搬送装置ＴＵ１，ＴＵ２が校正装置１００をＦＯＵＰ４ＦからプロセスモジュールＰＭ内のステージＳＴ上まで搬送するように処理システム１を制御する。また、制御部ＭＣは、発光分光分析装置７２がメンテナンスモードで動作するように制御する。

演算装置１７１は、加速度センサ１８０から取得した検出値に基づいて加速度の合算値を導出する。演算装置１７１は、搬送レシピＲを参照して、導出された合算値を解析することにより、校正装置１００の搬送位置を認識する。搬送位置の認識は、搬送レシピＲの動作がどこまで終了したかの判定と同意である。

演算装置１７１は、校正装置１００がプロセスモジュールＰＭ１に搬送されたと認識されたときに、光源１３１を発光させるようにコントローラ１７３を制御する（ステップＳＴ２）。すなわち、演算装置１７１は、ステージＳＴの静電チャックＥＳＣ上に校正装置１００が載置されたと判定したときに、所定の発光装置１３０を発光させる。制御部ＭＣによって発光分光分析装置７２がメンテナンスモードで待機している場合には、光源１３１が発光されることを契機として発光分光分析装置７２の校正が実行され得る。すなわち、発光分光分析装置７２は、窓１２ｗから入射される光源１３１からの光の強度データを計測する（ステップＳＴ３）。発光分光分析装置７２は、計測された強度データを予め保持している基準の強度データと比較し、互いの強度データが一致するように、計測された強度データを補正する（ステップＳ４）。光源１３１が発光してから所定時間経過した場合、演算装置１７１は発光分光分析装置７２の校正が終了したと判定し、光源１３１の発光を停止してもよい。

なお、発光分光分析装置７２の校正のプログラムに応じて、校正装置１００がプロセスモジュールＰＭとアライナＡＮとの間を複数回にわたって搬送されてもよい。演算装置１７１は、校正装置１００がプロセスモジュールＰＭ１に搬送されたと判定する度に発光装置１３０を発光させてもよい。この場合、搬送レシピは、ＦＯＵＰ４ＦからプロセスモジュールＰＭまで搬送される際の動作レシピに加えて、プロセスモジュールＰＭとアライナＡＮとの間の複数の搬送動作に対応するレシピを含んでもよい。さらに、搬送レシピは、搬送動作のレシピに加えて、発光装置１３０の発光の制御手順を含んでもよい。この場合、演算装置１７１は、搬送レシピを参照して発光装置１３０を制御することができる。

例えば、搬送レシピに含まれる発光の制御手順は、プロセスモジュールＰＭとアライナＡＮとの間の搬送動作ごとに異なる発光装置１３０が発光されることを示す手順である。一例の制御手順では、プロセスモジュールＰＭに搬送されたときに発光装置１３０Ａが窓１２ｗに最も近くなるように、アライナＡＮにおいて校正装置１００の回転位置が調整される。その後、プロセスモジュールＰＭに校正装置１００が搬送されたと認識されたときに発光装置１３０Ａが発光され、所定時間経過後に発光が停止される。

次いで、再びアライナＡＮに搬送された校正装置１００は、プロセスモジュールＰＭに搬送されたときに発光装置１３０Ｂが窓１２ｗに最も近くなるように、アライナＡＮにおいて校正装置１００の回転位置が調整される。その後、プロセスモジュールＰＭに校正装置１００が搬送されたと認識されたときに発光装置１３０Ｂが発光され、所定時間経過後に発光が停止される。

次いで、再びアライナＡＮに搬送された校正装置１００は、プロセスモジュールＰＭに搬送されたときに発光装置１３０Ｃが窓１２ｗに最も近くなるように、アライナＡＮにおいて校正装置１００の回転位置が調整される。その後、プロセスモジュールＰＭに校正装置１００が搬送されたと認識されたときに発光装置１３０Ｃが発光され、所定時間経過後に発光が停止される。

最後に、再びアライナＡＮに搬送された校正装置１００は、プロセスモジュールＰＭに搬送されたときに発光装置１３０Ｄが窓１２ｗに最も近くなるように、アライナＡＮにおいて校正装置１００の回転位置が調整される。その後、プロセスモジュールＰＭに校正装置１００が搬送されたと認識されたときに発光装置１３０Ｄが発光され、所定時間経過後に発光が停止される。

全ての発光装置１３０Ａ～１３０Ｄの発光動作が終了すると、発光分光分析装置７２では、発光装置１３０Ａ～１３０Ｄの発光に基づいて取得された各波長の光の強度データに基づいて、分光器の校正が実行される。また、全ての発光装置１３０Ａ～１３０Ｄの発光動作が終了すると、校正装置１００は搬送装置ＴＵ１，ＴＵ２によってＦＯＵＰ４Ｆに搬送される。そして、残りのプロセスモジュールＰＭに接続された他の発光分光分析装置７２の校正が終了しているか否かの判定が行われる。校正が終了していない発光分光分析装置７２がある場合、当該発光分光分析装置７２に接続されたプロセスモジュールＰＭに校正装置１００が搬送され、上記と同様の手順によって発光分光分析装置７２の校正が実行される。

以上説明したように、校正装置１００では、プロセスモジュールＰＭ内に設けられたステージＳＴ上に校正装置１００が配置された状態で、光源１３１から光が発せられるように、演算装置１７１が光源１３１を制御する。光源１３１から発せられた光は、反射部材１３５によって、平面視においてベース基板１１０の外側に向かって反射する。プロセスモジュールＰＭにおいて、発光分光分析装置７２に光を入射させる窓１２ｗがステージＳＴの側方に設けられている場合、反射部材３５によって反射された光源１３１からの光は、発光分光分析装置７２に入射され易くなる。すなわち、発光分光分析装置７２に入射する光の強度は大きくなる。光源１３１の光は校正のための基準とすることができるので、校正装置１００によって発光分光分析装置７２を校正することができる。また、校正装置１００は、搭載されたバッテリ１４０によって駆動される。反射部材１３５によって、光源１３１の光を窓１２ｗに効率よく照射できるため、バッテリ１４０の消費が抑えられ、長時間の光源１３１の動作が可能となる。これにより、複数のプロセスモジュールＰＭに接続された複数の発光分光分析装置７２の校正を実行できる。

一つの例示的実施形態において、複数の光源１３１のそれぞれは、ＬＥＤ光源である。この構成では、光源の発熱を抑制できるとともに、光源による電力消費を抑制することができる。

一つの例示的実施形態において、ベース基板１１０は、円盤状を呈しており、周縁の一部にノッチを含んでいる。この構成では、アライナＡＮによって校正装置１００の回転位置を制御できるため、アライナＡＮおよび搬送装置ＴＵ１，ＴＵ２によって、校正装置１００を適切な回転位置でプロセスモジュールＰＭに搬送できる。

一つの例示的実施形態において、複数の発光装置１３０は、ベース基板１１０の周縁に沿って周方向に配列されている。この構成では、プロセスモジュールＰＭ内において、複数の発光装置１３０のいずれかを窓１２ｗに近づけることができる。

プロセスモジュールＰＭ内においては、校正装置１００を無線によって制御することができない。しかしながら、発光装置１３０を用いて発光分光分析装置７２の校正を行う場合に、搬送動作中にも発光装置１３０を発光させておくことは、運用上、必ずしも好ましくない。そこで、一つの例示的実施形態において、ベース基板１１０に配置された加速度センサ１８０をさらに備えている。演算装置１７１は、加速度センサ１８０の出力値に基づいて、校正装置１００の搬送位置を認識し、校正装置１００がプロセスモジュールＰＭ内に搬送されたと認識されたときに光源１３１を発光させてもよい。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。

例えば、発光装置１３０の発する光が反射部材によって反射される例を示したが、発光装置は反射部材を有さなくてもよい。図１２は、他の例に係る発光装置２３０を示す校正装置の断面図である。図１２に示す発光装置２３０は、発光装置１３０と同様に、互いに異なる波長の光を発し、制御基板１２０の周縁に互いに離間して配置される複数の発光装置の一つである。発光装置２３０は、制御基板１２０上に配置されている。発光装置２３０は、光源２３１を含む。一例の光源２３１は、発光装置１３０と同様に、基板２３２と基板２３２上に設けられたＬＥＤ素子２３３とＬＥＤ素子２３３を覆うレンズ２３４とを含む。

一例の光源２３１の光軸２３１ａの向きは、平面視においてベース基板１１０の外側に向いている。すなわち、光源２３１から照射される光は、平面視において、ベース基板１１０の外側に向かって進行する。換言すると、光源２３１は、ベース基板１１０の外側に向かって光を照射する。図示例では、光源２３１の光軸２３１ａは、平面視においてベース基板１１０の径方向に沿っているとともに、ベース基板１１０の上面に平行になっている。なお、光源２３１の光軸２３１ａは、窓１２ｗに向かうように、角度調整されていてもよい。例えば、光源２３１の光軸２３１ａは、ベース基板１１０に平行な面に対して所定の角度をもって傾斜してもよい。例えば、光源２３１は、ベース基板１１０の外側に向かって、斜め上に向けて光を照射してもよい。

発光装置２３０では、発光装置１３０と同様に、平面視において光源２３１の光軸がベース基板１１０の外側に向いている。この構成によれば、プロセスモジュールＰＭにおいて、発光分光分析装置７２に光を入射させる窓１２ｗがステージＳＴの側方に設けられている場合、光源２３１からの光は、発光分光分析装置７２に入射され易くなる。

また、反射部材１３５として、平面状の反射面１３５ａを有する反射板を例示したが、反射部材の他の形態であってもよい。例えば、反射部材は、凸面又は凹面などの非平面状の反射面を有してもよい。また、反射部材は、例えばプリズム等の反射面を有する光学部品であってもよい。

また、ベース基板上において周縁の４カ所にそれぞれ発光装置１３０が配置された例を示したが、発光装置の数は、特に限定されない。発光装置の数は、３以下であってもよいし、５以上であってもよい。例えば、ベース基板上の周縁において、周方向に離間した１０カ所に、互いに異なる波長の光を出力する１０種類の発光装置がそれぞれ配置されてもよい。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１００…校正装置、１１０…ベース基板、１３０…発光装置、１３５…反射部材、１７１…演算装置（制御装置）。

Claims (7)

1. プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正する校正装置であって、
   板状のベース基板と、
   前記ベース基板上に配置され、互いに異なる波長の光を発する複数の発光装置と、
   前記ベース基板上に配置された反射部材であって、前記複数の発光装置が発する光を、平面視において前記ベース基板の外側に向けて反射する反射部材と、
   前記ベース基板に配置され、前記複数の発光装置を制御する制御装置と、を備える校正装置。
2. 前記複数の発光装置のそれぞれは、ＬＥＤ光源である、請求項１に記載の校正装置。
3. 前記ベース基板は、円盤状を呈しており、周縁の一部にノッチを含んでいる、請求項１又は２に記載の校正装置。
4. 前記複数の発光装置は、前記ベース基板の周縁に沿って周方向に配列されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の校正装置。
5. 前記ベース基板に配置された加速度センサをさらに備え、
   前記制御装置は、前記加速度センサの出力値に基づいて、前記プラズマ処理装置内における前記校正装置の搬送位置を認識し、前記校正装置が所定の位置に搬送されたと認識されたときに前記複数の発光装置を発光させる、請求項１～４のいずれか一項に記載の校正装置。
6. プラズマ処理装置内で生成されたプラズマを監視する発光分光分析装置を校正する校正装置であって、
   板状のベース基板と、
   前記ベース基板上に配置され、互いに異なる波長の光を発する複数の発光装置と、
   前記ベース基板に配置され、前記複数の発光装置を制御する制御装置と、を備え、
   前記発光装置の光軸は、平面視において前記ベース基板の外側に向いている、校正装置。
7. プラズマ処理装置内で生成されるプラズマを監視する発光分光分析装置を校正装置を用いて校正する校正方法であって、
   前記校正装置は、
   板状のベース基板と、
   前記ベース基板上に配置され、互いに異なる波長の光を発する複数の発光装置と、
   前記ベース基板上に配置された反射部材であって、前記複数の発光装置が発する光を、平面視において前記ベース基板の外側に向けて反射する反射部材と、
   前記ベース基板に配置され、前記複数の発光装置を制御する制御装置と、を備え、
   該方法は、
   搬送装置によって前記校正装置を前記プラズマ処理装置内に搬送する工程と、
   前記プラズマ処理装置内に搬送された前記校正装置の前記複数の発光装置を発光させる工程と、
   前記複数の発光装置から発せられる光の強度データを前記発光分光分析装置によって測定する工程と、
   前記強度データに基づいて前記発光分光分析装置を校正する工程と、を備える、校正方法。

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