KR20210155355A - 실행 장치 및 실행 방법 - Google Patents

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KR20210155355A
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깃페이 스기타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

예시적 실시형태에 관한 실행 장치는, 동작 장치와, 제1 가속도 센서와, 제2 가속도 센서와, 제어 장치를 구비한다. 동작 장치는, 소정의 동작을 실행한다. 제1 가속도 센서는, 수평 방향을 따른 제1 방향에 있어서의 가속도를 검출한다. 제2 가속도 센서는, 수평 방향을 따른 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 있어서의 가속도를 검출한다. 제어 장치는, 제1 가속도 센서 및 제2 가속도 센서의 출력값에 근거하여, 반도체 제조 장치 내에 있어서의 실행 장치의 반송 위치를 인식한다. 제어 장치는, 실행 장치가 소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에, 소정의 동작을 동작 장치에 실행시킨다.

Description

실행 장치 및 실행 방법{EXECUTION DEVICE AND EXECUTION METHOD}
본 개시의 예시적 실시형태는, 실행 장치 및 실행 방법에 관한 것이다.
일본 공개특허공보 2017-183683호에는, 정전 용량을 측정한다는 동작을 실행하는 측정기가 기재되어 있다. 이 측정기는, 베이스 기판, 제1 센서, 제2 센서, 및, 회로 기판을 구비하고 있다. 제1 센서는, 베이스 기판의 에지를 따라 마련된 제1 전극을 갖는다. 제2 센서는, 베이스 기판 상에 고정된 제2 전극을 갖는다. 회로 기판은, 베이스 기판 상에 탑재되어 있고, 제1 센서 및 제2 센서에 접속되어 있다. 회로 기판은, 제1 전극 및 제2 전극에 고주파 신호를 부여하여, 제1 전극에 있어서의 전압 진폭으로부터 정전 용량에 따른 제1 측정값을 취득하고, 제2 전극에 있어서의 전압 진폭으로부터 정전 용량에 따른 제2 측정값을 취득한다.
일 예시적 실시형태에 있어서는, 반도체 제조 장치에 마련된 반송 장치로 반송되어, 소정의 동작을 실행하는 실행 장치가 제공된다. 실행 장치는, 동작 장치와, 제1 가속도 센서와, 제2 가속도 센서와, 제어 장치를 구비한다. 동작 장치는, 소정의 동작을 실행하기 위한 장치이다. 제1 가속도 센서는, 수평 방향을 따른 제1 방향에 있어서의 가속도를 검출한다. 제2 가속도 센서는, 수평 방향을 따른 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 있어서의 가속도를 검출한다. 제어 장치는, 제1 가속도 센서 및 제2 가속도 센서의 출력값에 근거하여, 반도체 제조 장치 내에 있어서의 실행 장치의 반송 위치를 인식한다. 제어 장치는, 실행 장치가 소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에, 소정의 동작을 동작 장치에 실행시킨다.
도 1은, 처리 시스템을 예시하는 도이다.
도 2는, 얼라이너를 예시하는 사시도이다.
도 3은, 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 도이다.
도 4는, 일례의 실행 장치의 단면 모식도이다.
도 5는, 일례의 실행 장치를 나타내는 블록도이다.
도 6은, 일례의 실행 장치의 가속도 센서를 설명하기 위한 모식도이다.
도 7은, 일례의 실행 장치에 가해지는 가속도를 설명하기 위한 그래프의 예이다.
도 8은, 처리 시스템에서 반송되는 실행 장치의 반송 경로의 예를 나타내는 도이다.
도 9는, 일례의 실행 장치에서 이용되는 반송 레시피의 예이다.
도 10은, 실행 장치의 동작 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
이하, 다양한 예시적 실시형태에 대하여 설명한다.
일 예시적 실시형태에 있어서는, 반도체 제조 장치에 마련된 반송 장치로 반송되어, 소정의 동작을 실행하는 실행 장치가 제공된다. 실행 장치는, 동작 장치와, 제1 가속도 센서와, 제2 가속도 센서와, 제어 장치를 구비한다. 동작 장치는, 소정의 동작을 실행하기 위한 장치이다. 제1 가속도 센서는, 수평 방향을 따른 제1 방향에 있어서의 가속도를 검출한다. 제2 가속도 센서는, 수평 방향을 따른 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 있어서의 가속도를 검출한다. 제어 장치는, 제1 가속도 센서 및 제2 가속도 센서의 출력값에 근거하여, 반도체 제조 장치 내에 있어서의 실행 장치의 반송 위치를 인식한다. 제어 장치는, 실행 장치가 소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에, 소정의 동작을 동작 장치에 실행시킨다.
상기 실시형태의 실행 장치에서는, 실행 장치에 마련된 제1 가속도 센서 및 제2 가속도 센서에 의하여, 실행 장치에 가해지는 수평 방향의 가속도가 검출된다. 그 때문에, 제1 가속도 센서 및 제2 가속도 센서의 출력값에 근거하여 반송 상태를 특정함으로써, 실행 장치의 반송 위치를 인식할 수 있다. 실행 장치가 소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에, 소정의 동작을 동작 장치에 실행시키도록 제어함으로써, 원하는 위치에 있어서 자동으로 소정의 동작을 실행시킬 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 제어 장치는, 반송 장치로 반송되는 실행 장치에 가해지는 가속도의 정보와 반송 위치의 정보의 관계를 나타내는 레시피 정보를 기억하고 있어도 된다. 제어 장치는, 레시피 정보를 참조하여, 제1 가속도 센서 및 제2 가속도 센서의 출력값에 근거하여 도출되는 가속도로부터 반송 위치를 인식해도 된다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 동작 장치는, 서로 다른 파장의 광을 발하는 복수의 광원을 포함하고, 소정의 동작은, 복수의 광원의 발광이어도 된다.
다른 예시적 실시형태에 있어서는, 반도체 제조 장치에 마련된 반송 장치로 반송되는 실행 장치에, 소정의 동작을 실행시키는 실행 방법이 제공된다. 이 방법은, 수평 방향을 따른 제1 방향과 제1 방향에 교차하는 수평 방향을 따른 제2 방향에 있어서의 실행 장치의 가속도를 취득하는 공정을 구비한다. 이 방법은, 가속도에 근거하여, 반도체 제조 장치 내에 있어서의 실행 장치의 반송 위치를 인식하는 공정을 구비한다. 이 방법은, 소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에 소정의 동작을 실행 장치에 실행시키는 공정을 구비한다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 반송 위치를 인식하는 공정은, 반송 장치로 반송되는 실행 장치에 가해지는 가속도의 정보와 반송 위치의 정보의 관계를 나타내는 레시피 정보를 참조하는 것을 포함해도 된다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 소정의 동작을 실행하는 공정은, 복수의 광원에 의하여 서로 다른 파장의 광을 발하는 것을 포함해도 된다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다.
일 예시적 실시형태에 관한 실행 장치는, 반도체 제조 장치(S1)로서의 기능을 갖는 처리 시스템(1)에 의하여 반송될 수 있다. 먼저, 피가공물을 처리하기 위한 처리 장치, 및, 당해 처리 장치로 피가공물을 반송하기 위한 반송 장치를 갖는 처리 시스템에 대하여 설명한다. 도 1은, 처리 시스템을 예시하는 도이다. 처리 시스템(1)은, 받침대(2a~2d), 용기(4a~4d), 로더 모듈(LM), 얼라이너(AN), 로드록 모듈(LL1, LL2), 프로세스 모듈(PM1~PM6), 트랜스퍼 모듈(TF), 및, 제어부(MC)를 구비하고 있다. 또한, 받침대(2a~2d)의 개수, 용기(4a~4d)의 개수, 로드록 모듈(LL1, LL2)의 개수, 및, 프로세스 모듈(PM1~PM6)의 개수는 한정되는 것은 아니고, 하나 이상의 임의의 개수일 수 있다.
받침대(2a~2d)는, 로더 모듈(LM)의 일 가장자리를 따라 배열되어 있다. 용기(4a~4d)는 각각, 받침대(2a~2d) 상에 탑재되어 있다. 용기(4a~4d)의 각각은, 예를 들면, FOUP(Front Opening Unified Pod)라고 칭해지는 용기이다. 용기(4a~4d)의 각각은, 피가공물(W)을 수용하도록 구성될 수 있다. 피가공물(W)은, 웨이퍼와 같이 대략 원반 형상을 갖는다.
로더 모듈(LM)은, 대기압 상태의 반송 공간을 그 내부에 구획 형성하는 챔버벽을 갖고 있다. 이 반송 공간 내에는 반송 장치(TU1)가 마련되어 있다. 반송 장치(TU1)는, 예를 들면, 다관절 로봇이며, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 반송 장치(TU1)는, 용기(4a~4d)와 얼라이너(AN)의 사이, 얼라이너(AN)와 로드록 모듈(LL1~LL2)의 사이, 로드록 모듈(LL1~LL2)과 용기(4a~4d)의 사이에서 피가공물(W)을 반송하도록 구성되어 있다.
얼라이너(AN)는, 로더 모듈(LM)과 접속되어 있다. 얼라이너(AN)는, 피가공물(W)의 위치의 조정(위치의 교정)을 행하도록 구성되어 있다. 도 2는, 얼라이너를 예시하는 사시도이다. 얼라이너(AN)는, 지지대(6T), 구동 장치(6D), 및, 센서(6S)를 갖고 있다. 지지대(6T)는, 연직 방향으로 뻗는 축선 중심으로 회전 가능한 받침대이다. 지지대(6T)는, 피가공물(W)을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대(6T)는, 구동 장치(6D)에 의하여 회전된다. 구동 장치(6D)는, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 구동 장치(6D)로부터의 동력에 의하여 지지대(6T)가 회전하면, 당해 지지대(6T) 상에 재치된 피가공물(W)도 회전하게 되어 있다.
센서(6S)는, 광학 센서이다. 센서(6S)는, 피가공물(W)이 회전되고 있는 동안, 피가공물(W)의 에지를 검출한다. 센서(6S)는, 에지의 검출 결과로부터, 기준 각도 위치에 대한 피가공물(W)의 노치(WN)(혹은, 다른 마커)의 각도 위치의 어긋남양, 및, 기준 위치에 대한 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남양을 검출한다. 센서(6S)는, 노치(WN)의 각도 위치의 어긋남양 및 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남양을 제어부(MC)에 출력한다. 제어부(MC)는, 노치(WN)의 각도 위치의 어긋남양에 근거하여, 노치(WN)의 각도 위치를 기준 각도 위치로 보정하기 위한 지지대(6T)의 회전량을 산출한다. 제어부(MC)는, 이 회전량의 정도만큼 지지대(6T)를 회전시키도록, 구동 장치(6D)를 제어한다. 이로써, 노치(WN)의 각도 위치를 기준 각도 위치로 보정할 수 있다. 또, 제어부(MC)는, 얼라이너(AN)로부터 피가공물(W)을 전달받을 때의 반송 장치(TU1)의 엔드 이펙터(end effector)의 위치를, 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남양에 근거하여, 제어한다. 이로써, 반송 장치(TU1)의 엔드 이펙터 상의 소정 위치에 피가공물(W)의 중심 위치가 일치한다.
도 1로 되돌아가, 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2)의 각각은, 로더 모듈(LM)과 트랜스퍼 모듈(TF)의 사이에 마련되어 있다. 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2)의 각각은, 예비 감압실을 제공하고 있다.
트랜스퍼 모듈(TF)은, 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2)에 게이트 밸브를 통하여 기밀하게 접속되어 있다. 트랜스퍼 모듈(TF)은, 감압 가능한 감압실을 제공하고 있다. 이 감압실에는, 반송 장치(TU2)가 마련되어 있다. 반송 장치(TU2)는, 예를 들면, 반송 암(TUa)을 갖는 다관절 로봇이다. 반송 장치(TU2)는, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 반송 장치(TU2)는, 로드록 모듈(LL1~LL2)과 프로세스 모듈(PM1~PM6)의 사이, 및, 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 임의의 2개의 프로세스 모듈 사이에 있어서, 피가공물(W)을 반송하도록 구성되어 있다.
프로세스 모듈(PM1~PM6)은, 트랜스퍼 모듈(TF)에 게이트 밸브를 통하여 기밀하게 접속되어 있다. 프로세스 모듈(PM1~PM6)의 각각은, 피가공물(W)에 대하여 플라즈마 처리와 같은 전용의 처리를 행하도록 구성된 처리 장치이다.
이 처리 시스템(1)에 있어서 피가공물(W)의 처리가 행해질 때의 일련의 동작은 이하와 같이 예시된다. 로더 모듈(LM)의 반송 장치(TU1)가, 용기(4a~4d) 중 어느 하나로부터 피가공물(W)을 취출하여, 당해 피가공물(W)을 얼라이너(AN)로 반송한다. 이어서, 반송 장치(TU1)는, 그 위치가 조정된 피가공물(W)을 얼라이너(AN)로부터 취출하여, 당해 피가공물(W)을 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2) 중 일방의 로드록 모듈로 반송한다. 이어서, 일방의 로드록 모듈이, 예비 감압실의 압력을 소정의 압력으로 감압한다. 이어서, 트랜스퍼 모듈(TF)의 반송 장치(TU2)가, 일방의 로드록 모듈로부터 피가공물(W)을 취출하여, 당해 피가공물(W)을 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 어느 하나로 반송한다. 그리고, 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 하나 이상의 프로세스 모듈이 피가공물(W)을 처리한다. 그리고, 반송 장치(TU2)가, 처리 후의 피가공물(W)을 프로세스 모듈로부터 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2) 중 일방의 로드록 모듈로 반송한다. 이어서, 반송 장치(TU1)가 피가공물(W)을 일방의 로드록 모듈로부터 용기(4a~4d) 중 어느 하나로 반송한다.
이 처리 시스템(1)은, 상술한 바와 같이 제어부(MC)를 구비하고 있다. 제어부(MC)는, 프로세서, 메모리와 같은 기억 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 통신 장치 등을 구비하는 컴퓨터일 수 있다. 상술한 처리 시스템(1)의 일련의 동작은, 기억 장치에 기억된 프로그램에 따른 제어부(MC)에 의한 처리 시스템(1)의 각부(各部)의 제어에 의하여, 실현되게 되어 있다.
도 3은, 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 어느 하나로서 채용될 수 있는 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 도이다. 도 3에 나타내는 플라즈마 처리 장치(10)는, 용량 결합형 플라즈마 에칭 장치이다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 대략 원통 형상의 챔버 본체(12)를 구비하고 있다. 챔버 본체(12)는, 예를 들면, 알루미늄으로 형성되어 있고, 그 내벽면에는, 양극 산화 처리가 실시될 수 있다. 이 챔버 본체(12)는 보안 접지되어 있다.
챔버 본체(12)의 바닥부 상에는, 대략 원통 형상의 지지부(14)가 마련되어 있다. 지지부(14)는, 예를 들면, 절연 재료로 구성되어 있다. 지지부(14)는, 챔버 본체(12) 내에 마련되어 있다. 지지부(14)는, 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 뻗어 있다. 또, 챔버 본체(12)에 의하여 제공되는 챔버(S) 내에는, 스테이지(ST)가 마련되어 있다. 스테이지(ST)는, 지지부(14)에 의하여 지지되어 있다.
스테이지(ST)는, 하부 전극(LE) 및 정전 척(ESC)을 갖고 있다. 하부 전극(LE)은, 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)를 포함하고 있다. 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)는, 예를 들면 알루미늄과 같은 금속으로 구성되어 있고, 대략 원반 형상을 이루고 있다. 제2 플레이트(18b)는, 제1 플레이트(18a) 상에 마련되어 있고, 제1 플레이트(18a)에 전기적으로 접속되어 있다.
제2 플레이트(18b) 상에는, 정전 척(ESC)이 마련되어 있다. 정전 척(ESC)은, 도전막인 전극을 한 쌍의 절연층 또는 절연 시트 사이에 배치한 구조를 갖고 있으며, 대략 원반 형상을 갖고 있다. 정전 척(ESC)의 전극에는, 직류 전원(22)이 스위치(23)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 이 정전 척(ESC)은, 직류 전원(22)으로부터의 직류 전압에 의하여 발생한 크론력 등의 정전력에 의하여 피가공물(W)을 흡착한다. 이로써, 정전 척(ESC)은, 피가공물(W)을 지지할 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 둘레 가장자리부 상에는, 포커스 링(FR)이 마련되어 있다. 이 포커스 링(FR)은, 피가공물(W)의 에지 및 정전 척(ESC)을 둘러싸도록 마련되어 있다. 이 포커스 링(FR)은, 실리콘, 탄화 규소, 산화 실리콘과 같은 다양한 재료 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 내부에는, 냉매 유로(24)가 마련되어 있다. 냉매 유로(24)는, 온도 조절 기구를 구성하고 있다. 냉매 유로(24)에는, 챔버 본체(12)의 외부에 마련된 칠러 유닛으로부터 배관(26a)을 통하여 냉매가 공급된다. 냉매 유로(24)에 공급된 냉매는, 배관(26b)을 통하여 칠러 유닛으로 되돌려진다. 이와 같이, 냉매 유로(24)와 칠러 유닛의 사이에서는, 냉매가 순환된다. 이 냉매의 온도를 제어함으로써, 정전 척(ESC)에 의하여 지지된 피가공물(W)의 온도가 제어된다.
스테이지(ST)에는, 당해 스테이지(ST)를 관통하는 복수(예를 들면, 3개)의 관통 구멍(25)이 형성되어 있다. 복수의 관통 구멍(25)은, 평면시(平面視)에 있어서 정전 척(ESC)의 내측에 형성되어 있다. 이들, 각각의 관통 구멍(25)에는, 리프트 핀(25a)이 삽입되어 있다. 또한, 도 3에 있어서는, 한 개의 리프트 핀(25a)이 삽입된 하나의 관통 구멍(25)이 그려져 있다. 리프트 핀(25a)은, 관통 구멍(25) 내에 있어서 상하 이동 가능하게 마련되어 있다. 리프트 핀(25a)의 상승에 의하여, 정전 척(ESC) 상에 지지된 피가공물(W)이 상승한다.
스테이지(ST)에는, 평면시에 있어서 정전 척(ESC)보다 외측의 위치에, 당해 스테이지(ST)(하부 전극(LE))를 관통하는 복수(예를 들면, 3개)의 관통 구멍(27)이 형성되어 있다. 이들, 각각의 관통 구멍(27)에는, 리프트 핀(27a)이 삽입되어 있다. 또한, 도 3에 있어서는, 한 개의 리프트 핀(27a)이 삽입된 하나의 관통 구멍(27)이 그려져 있다. 리프트 핀(27a)은, 관통 구멍(27) 내에 있어서 상하 이동 가능하게 마련되어 있다. 리프트 핀(27a)의 상승에 의하여, 제2 플레이트(18b) 상에 지지된 포커스 링(FR)이 상승한다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에는, 가스 공급 라인(28)이 마련되어 있다. 가스 공급 라인(28)은, 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예를 들면 He 가스를, 정전 척(ESC)의 상면과 피가공물(W)의 이면의 사이에 공급한다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는, 상부 전극(30)을 구비하고 있다. 상부 전극(30)은, 스테이지(ST)의 상방에 있어서, 당해 스테이지(ST)와 대향 배치되어 있다. 상부 전극(30)은, 절연성 차폐 부재(32)를 통하여, 챔버 본체(12)의 상부에 지지되어 있다. 상부 전극(30)은, 천판(天板)(34) 및 지지체(36)를 포함할 수 있다. 천판(34)은 챔버(S)에 면(面)하고 있다. 당해 천판(34)에는, 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 마련되어 있다. 이 천판(34)은, 실리콘 또는 석영으로 형성될 수 있다. 혹은, 천판(34)은, 알루미늄제의 모재(母材)의 표면에 산화 이트륨과 같은 내(耐)플라즈마성의 막을 형성함으로써 구성될 수 있다.
지지체(36)는, 천판(34)을 착탈 가능하게 지지한다. 지지체(36)는, 예를 들면 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성될 수 있다. 이 지지체(36)는, 수랭 구조를 가질 수 있다. 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 이 가스 확산실(36a)로부터는, 가스 토출 구멍(34a)에 연통하는 복수의 가스 통류 구멍(36b)이 하방으로 뻗어 있다. 또, 지지체(36)에는, 가스 확산실(36a)에 처리 가스를 유도하는 가스 도입구(36c)가 형성되어 있다. 이 가스 도입구(36c)에는, 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는, 밸브군(42) 및 유량 제어기군(44)을 통하여, 가스 소스군(40)이 접속되어 있다. 가스 소스군(40)은, 복수 종의 가스용의 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 밸브군(42)은 복수의 밸브를 포함하고 있고, 유량 제어기군(44)은 매스 플로 컨트롤러와 같은 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스는 각각, 밸브군(42)의 대응의 밸브 및 유량 제어기군(44)의 대응의 유량 제어기를 통하여, 가스 공급관(38)에 접속되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 챔버 본체(12)의 내벽을 따라 디포지션 실드(46)가 착탈 가능하게 마련되어 있다. 디포지션 실드(46)는, 지지부(14)의 외주에도 마련되어 있다. 디포지션 실드(46)는, 챔버 본체(12)에 에칭 부생물(디포지트)이 부착되는 것을 방지한다. 디포지션 실드(46)는, 알루미늄재에 산화 이트륨 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다.
챔버 본체(12)의 바닥부 측, 또한, 지지부(14)와 챔버 본체(12)의 측벽의 사이에는 배기 플레이트(48)가 마련되어 있다. 배기 플레이트(48)는, 예를 들면, 알루미늄재에 산화 이트륨 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다. 배기 플레이트(48)에는, 그 판두께 방향으로 관통하는 복수의 구멍이 형성되어 있다. 이 배기 플레이트(48)의 하방, 또한, 챔버 본체(12)에는, 배기구(12e)가 마련되어 있다. 배기구(12e)에는, 배기관(52)을 통하여 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는, 압력 조정 밸브 및 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고 있다. 배기 장치(50)는, 챔버 본체(12) 내의 공간을 원하는 진공도까지 감압할 수 있다. 또, 챔버 본체(12)의 측벽에는 피가공물(W)의 반입출구(12g)가 마련되어 있다. 이 반입출구(12g)는, 게이트 밸브(54)에 의하여 개폐 가능하게 되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는, 제1 고주파 전원(62) 및 제2 고주파 전원(64)을 더 구비하고 있다. 제1 고주파 전원(62)은, 플라즈마 생성용의 제1 고주파를 발생하는 전원이다. 제1 고주파 전원(62)은, 예를 들면, 27~100MHz의 주파수를 갖는 고주파를 발생한다. 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통하여 상부 전극(30)에 접속되어 있다. 정합기(66)는, 제1 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하 측(상부 전극(30) 측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다. 또한, 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통하여 하부 전극(LE)에 접속되어 있어도 된다.
제2 고주파 전원(64)은, 피가공물(W)에 이온을 끌어 들이기 위한 제2 고주파를 발생하는 전원이다. 제2 고주파 전원(64)은, 예를 들면, 400kHz~13.56MHz의 범위 내의 주파수의 고주파를 발생한다. 제2 고주파 전원(64)은, 정합기(68)를 통하여 하부 전극(LE)에 접속되어 있다. 정합기(68)는, 제2 고주파 전원(64)의 출력 임피던스와 부하 측(하부 전극(LE) 측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
플라즈마 처리 장치(10)에서는, 복수의 가스 소스 중 선택된 하나 이상의 가스 소스로부터의 가스가 챔버(S)에 공급된다. 또, 챔버(S)의 압력이 배기 장치(50)에 의하여 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 제1 고주파에 의하여 챔버(S) 내의 가스가 여기된다. 이로써, 플라즈마가 생성된다. 그리고, 발생한 활성종에 의하여 피가공물(W)이 처리된다. 또한, 필요에 따라, 제2 고주파 전원(64)의 제2 고주파에 근거하는 바이어스에 의하여, 피가공물(W)에 이온이 끌어 들여져도 된다.
챔버 본체(12)에는 광을 투과하는 창(12w)이 마련되어 있다. 창(12w)은, 예를 들면 허니콤 형상의 2중창 구조로 되어 있어도 된다. 이 경우, 창(12w) 내로의 플라즈마 및 라디칼의 진입이 억제되어, 창(12w)에 부착되는 반응 생성물의 양이 저감된다. 창(12w)에는, 집광부 및 광파이버(71)를 통하여 발광 분광 분석 장치(72)가 접속되어 있다. 발광 분광 분석 장치(72)는, 챔버(S) 내에 생성된 플라즈마의 발광 강도를 분석한다. 발광 분광 분석 장치(72)는, 플라즈마로부터의 광을, 창(12w)을 통하여 수광한다. 발광 분광 분석 장치(72)는, 플라즈마의 발광 강도를 분석하는 통상 모드에서의 동작 외에, 메인터넌스 모드에서의 동작이 가능하게 되어 있다. 메인터넌스 모드에서는, 소정의 광원을 기준으로 하여 발광 분광 분석 장치(72)에 탑재된 분광기의 교정이 실행된다.
계속해서, 실행 장치에 대하여 설명한다.
도 4는, 실시형태에 관한 실행 장치(100)의 일례를 나타내는 단면 모식도이다. 도 5는, 실행 장치를 나타내는 블록도이다. 또한, 도 5에서는, 실행 장치(100)를 사용할 때에 이용되는 전용의 FOUP(4F)도 모식적으로 나타나 있다. 실행 장치(100)는, 베이스(110)와, 제어 기판(120)과, 배터리(140)를 갖는다. 실행 장치(100)는, 반도체 제조 장치(S1)로서의 기능을 갖는 처리 시스템(1)의 반송 장치에 의하여 반송되어, 소정의 동작으로서, 복수의 광원(130)(동작 장치)의 발광을 실행한다.
베이스(110)는, 원반상의 웨이퍼를 일례로 하는 기판이다. 단, 베이스(110)는, 원반상에 한정되지 않고, 기판을 반송하는 반송 장치에 의하여 반송할 수 있으면, 다각형, 타원 등, 형상에는 한정되지 않는다. 베이스(110)의 에지에는, 노치(110N)가 형성되어 있다. 기판의 재질로서는, 예를 들면 실리콘, 카본 파이버, 석영 유리, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, 알루미나 등을 들 수 있다.
제어 기판(120)은, 베이스(110) 위에 마련되는 회로 기판이다. 제어 기판(120)은, 광원(130a~130d)(총칭하여 "광원(130)"이라고도 한다.)과, 온도 센서(150a~150d)(총칭하여 "온도 센서(150)"라고도 한다.)와, 커넥터 패드(160)와, 제어 회로(170)와, 가속도 센서(180)를 갖는다. 광원(130a~130d)은, 베이스(110) 위의 제어 기판(120)에 배치된다. 광원(130a), 광원(130b), 광원(130c), 및 광원(130d)은, 서로 다른 파장(즉, 다른 색)의 광을 발한다. 도시예에서는, 다른 파장마다 각각 3개의 광원이, 베이스(110)의 최외주를 따라 나열되어 배치되어 있다. 단, 각 파장의 광원(130)의 개수는 3개에 한정되지 않고, 2 이하 또는 4 이상이어도 된다. 또, 복수의 광원(130a~130d)의 배치는, 제어 기판(120) 위이면 특별히 제한은 없다. 광원(130)은, LED(light emitting diode) 또는 OLED(Organic light emitting diode)여도 된다. 광원(130)은, 발광 분광 분석 장치(72)의 메인터넌스 모드에 있어서의 기준의 광원이다. 즉, 프로세스 모듈(PM) 내에서 광원(130)이 발광하고 있는 상태에 있어서, 메인터넌스 모드에서 동작하는 발광 분광 분석 장치(72)가 교정된다.
온도 센서(150a~150d)는, 광원(130a~130d)에 대하여 일대일이 되도록 각 광원의 근방에 배치되어 있다. 온도 센서(150a)는, 광원(130a)의 주변 온도를 측정한다. 온도 센서(150b)는, 광원(130b)의 주변 온도를 측정한다. 온도 센서(150c)는, 광원(130c)의 주변 온도를 측정한다. 온도 센서(150d)는, 광원(130d)의 주변 온도를 측정한다.
커넥터 패드(160)는, 배터리를 충전하기 위한 접속부이다. 커넥터 패드(160)는, 외부 전원에 접속될 수 있다. 커넥터 패드(160)는, 전용의 FOUP(4F) 내에 재치된 상태에서, 전용의 FOUP(4F)에 마련된 커넥터(4FC)를 통하여 외부 전원에 접속된다. 배터리(140)는, 베이스(110) 위에 4개 배치되어 있다. 배터리(140)는, 광원(130a~130d) 및 제어 회로(170)에 전력을 공급한다. 배터리(140)는, 광원(130a~130d)의 최대 전류값에 견딜 수 있는 수이면, 4개에 한정되지 않는다. 도 5에 나타나는 바와 같이, 커넥터 패드(160)와 배터리(140)의 사이에는 충전 회로(177)가 접속되어 있다. 배터리(140)의 충전은, 충전 회로(177)에 의하여 제어되고 있다. 또, 배터리(140)에는 전원 회로(178)가 접속되어 있다. 배터리(140)로부터의 전력은, 전원 회로(178)를 통하여 각 디바이스에 공급되고 있다.
제어 회로(170)는, 제어 기판(120)에 배치되어 있다. 제어 회로(170)는, 프로세서를 포함하는 연산 장치(171), 메모리(172), 컨트롤러(173), 전류/전압계(174) 등을 갖고, 메모리(172)에 기억된 프로그램에 근거하여 실행 장치(100)의 동작을 통괄적으로 제어한다. 제어 회로(170)는, 실행 장치(100)의 각부를 제어하는 제어부로서 기능한다. 예를 들면 광원(130)의 각각의 점등 및 소등은, 광원(130)에 입력되는 전력이 전류/전압계(174)에 의하여 계측되어 있는 상태에서, 컨트롤러(173)에 의하여 제어된다. 또, 외부의 다른 기기와의 통신의 제어를 위하여, 제어 회로(170)에는, 통신 기기(175)가 접속되어 있다. 일례에 있어서, 실행 장치(100)에는, 통신 기기(175)를 통하여 외부의 컴퓨터(88) 등으로부터 후술하는 반송 레시피를 포함하는 정보가 입력될 수 있다. 통신 기기(175)와 컴퓨터(88)의 접속 방식은, 유선 및 무선 중 어느 것이어도 된다. 또, 일례에 있어서는, 실행 장치(100)는, 제어 회로(170)에 접속된 커넥터 패드(176)를 포함하고 있다. 커넥터 패드(176)는, 전용의 FOUP(4F)에 마련된 스위치(SW)에 접속된다. 제어 회로(170)는, 스위치(SW)로부터 입력되는 신호에 근거하여 실행 장치(100)의 제어를 개시할 수 있다.
가속도 센서(180)는, 실행 장치(100)에 가해지는 가속도를 검출함으로써, 처리 시스템(1) 내에 있어서의 실행 장치(100)의 반송 동작을 검출한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 가속도 센서(180)는, 적어도 제1 가속도 센서(180X)와 제2 가속도 센서(180Y)를 포함하여 구성되어 있다.
도 6은, 실행 장치(100)의 가속도 센서(180)를 설명하기 위한 모식도이다. 도 6에서는, 실행 장치(100)를 상측에서 본 모식적인 평면도가 나타나 있다. 도 6에 있어서의 Y축은, 실행 장치(100)의 중심과 노치(110N)를 통과하고 있다. X축은, Y축에 직교함과 함께, 실행 장치(100)의 중심을 통과하고 있다. X축과 Y축은, 제어 기판(120)을 따른 평면을 따라 서로 직교(교차)하는 축이어도 된다.
제1 가속도 센서(180X)는, X축 방향에 있어서의 가속도를 검출하도록 구성되고, 제2 가속도 센서(180Y)는, Y축 방향에 있어서의 가속도를 검출하도록 구성되어 있다. 그 때문에, 실행 장치(100)가 수평인 상태에서는, 제1 가속도 센서(180X)에 의하여 수평 방향을 따른 제1 방향에 있어서의 가속도가 검출 가능하다. 또, 제2 가속도 센서(180Y)에 의하여 수평 방향을 따른 제1 방향에 교차하는 제2 방향에 있어서의 가속도가 검출 가능하다.
일례에 있어서, 제1 가속도 센서(180X)는, X축의 정방향으로 가해지는 가속도가 검출되었을 때에, 가속도의 크기에 따른 정(正)의 검출값을 출력하고, X축의 부방향으로 가해지는 가속도가 검출되었을 때에, 가속도의 크기에 따른 부(負)의 검출값을 출력한다. 또, 제2 가속도 센서(180Y)는, Y축의 정방향으로 가해지는 가속도가 검출되었을 때에, 가속도의 크기에 따른 정의 검출값을 출력하고, Y축의 부방향으로 가해지는 가속도가 검출되었을 때에, 가속도의 크기에 따른 부의 검출값을 출력한다.
일례의 실행 장치(100)에서는, 제1 가속도 센서(180X) 및 제2 가속도 센서(180Y)로부터의 각각의 검출값이 연산 장치(171)에 입력된다. 연산 장치(171)는, 제1 가속도 센서(180X)의 검출값과 제2 가속도 센서(180Y)의 검출값을 합산하여, 합산값을 도출한다. 연산 장치(171)는, 합산값에 근거하여 처리 시스템(1)에 있어서의 반송 동작을 카운트한다.
도 6에 나타내는 X축을 따른 방향 D1, D2로 실행 장치(100)가 반송되는 경우, 제2 가속도 센서(180Y)에서는 실질적으로 가속도가 검출되지 않는다. 그 때문에, 연산 장치(171)는, 제1 가속도 센서(180X)만의 검출값을 합산값으로 해도 된다. 동일하게, 도 6에 나타내는 Y축을 따른 방향 D3, D4로 실행 장치(100)가 반송되는 경우에는, 연산 장치(171)는, 제2 가속도 센서(180Y)만의 검출값을 합산값으로 해도 된다. 또, X축과 Y축의 양방이 정방향인 방향 D5, 및, X축과 Y축의 양방이 부방향인 방향 D6으로 실행 장치가 반송되는 경우에는, 검출값이 그대로 모두 더해진 값을 합산값으로 해도 된다.
방향 D7에서는, X축이 정방향이며 Y축이 부방향이다. 방향 D8에서는, X축이 부방향이며 Y축이 정방향이다. 방향 D7 및 방향 D8로 실행 장치(100)가 반송되는 경우, 제1 가속도 센서(180X)의 검출값의 부호와 제2 가속도 센서(180Y)의 검출값의 부호는 반대가 된다. 그 때문에, 제1 가속도 센서(180X)의 검출값으로부터 제2 가속도 센서(180Y)의 검출값을 뺀 값을 합산값으로 해도 된다. 또한, 제1 가속도 센서(180X)의 검출값과 제2 가속도 센서(180Y)의 검출값이 합산에 의하여 상쇄되지 않으면 되기 때문에, 제2 가속도 센서(180Y)의 검출값으로부터 제1 가속도 센서(180X)의 검출값을 뺀 값을 합산값으로 해도 된다.
일례로서, 연산 장치(171)에 입력되는 2개의 검출값 중 일방이 실질적으로 제로인 경우에, 연산 장치(171)는, 실행 장치(100)가 방향 D1, D2, D3, D4로 반송되고 있다고 판정하여, 합산값을 산출해도 된다. 또, 연산 장치(171)에 입력되는 2개의 검출값의 부호가 동일한 경우에, 연산 장치(171)는, 실행 장치(100)가 방향 D5, D6으로 반송되고 있다고 판정하여, 합산값을 산출해도 된다. 또, 연산 장치(171)에 입력되는 2개의 검출값의 부호가 서로 다른 경우에, 연산 장치(171)는, 실행 장치(100)가 방향 D7, D8로 반송되고 있다고 판정하여, 합산값을 산출해도 된다.
처리 시스템(1)에 있어서는, 반송 장치(TU1, TU2)에 의하여 실행 장치(100)가 반송된다. 예를 들면, 반송 장치에 의하여, 정지하고 있는 실행 장치(100)가 소정 위치까지 반송되어 정지한 경우, 실행 장치(100)에는, 반송의 개시 시에 반송 방향과 반대 방향으로 가속도가 붙고, 반송의 정지 시에 반송 방향으로 가속도가 붙는다. 따라서, 일례의 실행 장치(100)는, 제1 가속도 센서(180X)에 의한 검출값과 제2 가속도 센서(180Y)의 검출값의 합산값이, 정의 제1 임계값을 초과한 후에 일정 시간 내에 부의 제2 임계값을 하회한 경우에, 1회의 반송 동작이 실행되었다고 판정한다. 또한, 실행 장치(100)는, 부의 제1 임계값을 하회한 후에 일정 시간 내에 정의 제2 임계값을 초과한 경우에, 1회의 반송 동작이 실행되었다고 판정한다.
도 7은, 실행 장치에 가해지는 가속도를 설명하기 위한 그래프의 예이다. 도 7에서는, 제1 가속도 센서(180X)에 의한 검출값이 "X방향"으로서 나타나고, 제2 가속도 센서(180Y)에 있어서의 검출값이 "Y방향"으로서 나타나 있다. 제1 가속도 센서(180X)에 의한 검출값과 제2 가속도 센서(180Y)에 있어서의 검출값의 합산값이 "합산값"으로서 나타나 있다. 도 7에서는, X방향과 Y방향의 검출값의 부호가 서로 다르기 때문에, X방향의 검출값으로부터 Y방향의 검출값을 뺀 값이 합산값으로 되어 있다. 그래프에 있어서의 "이동 평균"은, 합산값의 이동 평균을 나타내고 있다. 도 7에서는, 2회의 반송 동작이 시간 간격을 두고 실시되었을 때의 가속도가 나타나 있다. 이 예에서는, 2회의 반송 동작 동안에 실행 장치(100)에 회전 등의 동작이 더해짐으로써 검출값에 불균일이 발생하고 있다. 이와 같은 검출값의 불균일을 오검출하지 않기 위하여, 반송 동작의 유무는 이동 평균에 근거하여 판정되어도 된다.
도 7의 예에서는, 제1 가속도 센서(180X)에 의한 검출값과 제2 가속도 센서(180Y)의 검출값의 합산값(여기에서는 이동 평균)이, 정의 제1 임계값 TH1을 초과한 후에 일정 시간 TS 내에 부의 제2 임계값 TH2를 하회하고 있다. 그 때문에, 연산 장치(171)는, 반송 동작이 실행되었다고 판정한다. 또, 그 후, 합산값이 부의 임계값 TH2를 하회한 후에 일정 시간 내에 정의 임계값 TH1을 초과하고 있는 점에서, 연산 장치(171)는, 2번째의 반송 동작이 실행되었다고 판정한다.
도 8은, 처리 시스템에서 반송되는 실행 장치의 반송 경로의 예를 나타내는 도이다. 일례의 처리 시스템(1)에 있어서 실행 장치(100)가 반송되는 경우, 실행 장치(100)는 복수 회의 반송 동작에 의하여 목적의 위치까지 반송된다. 예를 들면, 실행 장치(100)가 프로세스 모듈(PM1)까지 반송되는 경우를 생각한다. 실행 장치(100)는, 반송 동작 T1~T6을 포함하는 공정에 의하여 반송된다. 반송 동작 T1은, 용기(4a)(전용의 FOUP(4F))로부터의 취출을 위한 동작이다. 반송 동작 T2는, 용기(4a)로부터의 취출 위치부터 얼라이너(AN)까지의 반송을 위한 동작이다. 반송 동작 T3은, 얼라이너(AN)로부터의 취출을 위한 동작이다. 반송 동작 T4는, 얼라이너(AN)로부터의 취출 위치부터 로드록 모듈(LL1)까지의 반송을 위한 동작이다. 반송 동작 T5는, 로드록 모듈(LL1)부터 트랜스퍼 모듈(TF)까지의 반송을 위한 동작이다. 반송 동작 T6은, 트랜스퍼 모듈(TF)부터 프로세스 모듈(PM1)까지의 반송을 위한 동작이다. 이들 반송 동작 T1~T6에서는, 서로 실행 장치(100)에 가해지는 가속도의 상태가 다른 경우가 있다. 따라서, 일례의 실행 장치(100)에서는, 반송 레시피에 근거하여, 반송 동작의 판정이 이루어진다.
도 9는, 일례의 실행 장치에서 이용되는 반송 레시피의 예이다. 반송 레시피(R)는, 반송 장치로 반송되는 실행 장치(100)에 가해지는 가속도의 정보와 반송 위치의 정보의 관계를 나타낼 수 있다. 도 9에 나타내는 반송 레시피(R)는, 차례로 실행되는 반송 동작마다, 소요 시간, 최대 가속도, 최소 가속도, 동작이 연결되어 있다. 최대 가속도는, 제1 가속도 센서(180X)에 의한 검출값과 제2 가속도 센서(180Y)의 검출값의 합산값(여기에서는 이동 평균)에 대한 정의 임계값 TH1에 상당한다. 최소 가속도는, 합산값에 대한 부의 임계값 TH2에 상당한다. 소요 시간은, 합산값의 최대값의 검출부터 최소값의 검출까지 경과한 시간, 또는, 합산값의 최소값의 검출부터 최대값의 검출까지 경과한 시간이다. 즉, 소요 시간은, 반송의 개시부터 종료까지 필요한 시간에 상당하고, 일정 시간 TS에 대응한다. 소요 시간, 최대 가속도, 최소 가속도는, 동작마다 임의로 결정되어도 된다.
도 9의 예에서는, 제1 동작부터 제6 동작이 반송 동작 T1부터 반송 동작 T6에 각각 대응하고 있다. 그 때문에, 예를 들면, 제2 동작이 실시된 것이 연산 장치(171)에 의하여 판정된 시점에서는, 실행 장치(100)는 얼라이너(AN)에 위치하고 있다고 인식할 수 있다. 또, 제1 동작부터 제6 동작까지가 종료되었다고 판정된 경우에는, 실행 장치(100)는 프로세스 모듈(PM1)에 재치되었다고 인식할 수 있다.
연산 장치(171)는, 실행 장치(100)가 소정의 위치로 반송되었다고 인식했을 때에, 소정의 동작을 동작 장치에 실행시킨다. 일례에 있어서, 연산 장치(171)는, 실행 장치(100)가 프로세스 모듈(PM1)에 재치되었다고 인식했을 때에, 광원(130)을 발광시켜도 된다.
계속해서, 실행 장치(100)의 동작에 대하여 설명한다. 도 10은, 실행 장치의 동작 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다. 일례의 실행 장치(100)를 동작시키는 경우, 먼저, 전용의 FOUP(4F)에 재치된 실행 장치(100)를 기동시킨다. 상술과 같이, 전용의 FOUP(4F)에는, 실행 장치(100)를 기동시키기 위한 스위치(SW)가 마련되어 있기 때문에, 당해 스위치(SW)에 의하여 실행 장치(100)의 기동이 가능해진다. 실행 장치(100)가 기동되면, 가속도 센서(180)가 동작함으로써, 가속도 센서로부터의 신호가 연산 장치(171)에 의하여 취득된다(스텝 ST1). 실행 장치(100)를 이용하여 발광 분광 분석 장치(72)의 교정을 행하는 경우, 스위치(SW)에 의하여 실행 장치(100)가 기동된다. 이때, 제어부(MC)는, 반송 장치(TU1, TU2)가 실행 장치(100)를 FOUP(4F)로부터 프로세스 모듈(PM)까지 반송하도록 처리 시스템(1)을 제어한다. 또, 제어부(MC)는, 발광 분광 분석 장치(72)가 메인터넌스 모드에서 동작하도록 제어한다.
연산 장치(171)는, 취득한 검출값에 근거하여 가속도의 합산값을 도출하고, 반송 레시피(R)를 참조하여, 도출된 합산값을 해석함으로써, 실행 장치(100)의 반송 위치를 인식한다(스텝 ST2). 반송 위치의 인식은, 반송 레시피(R)의 동작이 어디까지 종료되었는지의 판정과 동일한 의미이다.
연산 장치(171)는, 실행 장치(100)가 소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에 소정의 동작을 동작 장치에 실행시킨다(스텝 ST3). 일례에 있어서는, 연산 장치(171)는, 실행 장치(100)가 프로세스 모듈(PM1)로 반송되었다고 인식되었을 때에, 광원(130)을 발광시키도록 컨트롤러(173)를 제어한다. 제어부(MC)에 의하여 발광 분광 분석 장치(72)가 메인터넌스 모드에서 대기하고 있는 경우에는, 광원(130)이 발광되는 것을 계기로 하여 발광 분광 분석 장치(72)의 교정이 실행된다. 광원(130)이 발광하고 나서 소정 시간 경과한 경우, 연산 장치(171)는 발광 분광 분석 장치(72)의 교정이 종료되었다고 판정하여, 광원(130)의 발광을 정지해도 된다. 또한, 발광 분광 분석 장치(72)의 교정의 프로그램에 따라, 실행 장치(100)가 프로세스 모듈(PM)과 얼라이너(AN)의 사이를 복수 회에 걸쳐 반송되어도 된다. 연산 장치(171)는, 실행 장치(100)가 프로세스 모듈(PM1)로 반송되었다고 판정할 때에 광원(130)을 발광시켜도 된다. 이 경우, 반송 레시피는, FOUP(4F)로부터 프로세스 모듈(PM)까지 반송될 때의 동작에 더하여, 프로세스 모듈(PM)과 얼라이너(AN)의 사이의 반송 동작에 대응하는 레시피를 포함해도 된다. 또한, 반송 레시피는, 반송 동작의 레시피에 더하여, 소정의 동작의 레시피로서 광원(130)의 발광의 제어 수순을 포함해도 된다. 이 경우, 연산 장치(171)는, 반송 레시피를 참조하여 광원(130)을 제어할 수 있다. 발광 분광 분석 장치(72)의 교정이 종료되면, 실행 장치(100)는 반송 장치(TU1, TU2)에 의하여 FOUP(4F)로 반송된다.
프로세스 모듈(PM) 내에 있어서는, 실행 장치(100)를 무선에 의하여 제어할 수 없다. 그러나, 광원(130)을 이용하여 발광 분광 분석 장치(72)의 교정을 행하는 경우에, 반송 동작 중에도 광원(130)을 발광시켜 두는 것은, 운용상, 반드시 바람직하지는 않다. 이상 설명한 실행 장치(100)에서는, 실행 장치(100)에 마련된 제1 가속도 센서(180X) 및 제2 가속도 센서(180Y)에 의하여, 실행 장치(100)에 가해지는 수평 방향의 가속도가 검출된다. 그 때문에, 제1 가속도 센서(180X) 및 제2 가속도 센서(180Y)의 출력값에 근거하여, 실행 장치(100)의 반송 상태를 특정함으로써, 실행 장치(100)의 반송 위치를 인식할 수 있다. 즉, 실행 장치(100)는, 반송 중에 있어서의 반송 위치를 판정하는 위치 판정 장치로서 기능한다. 실행 장치(100)가 소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에, 소정의 동작을 동작 장치(일례에서는 광원(130))에 실행시키도록 제어함으로써, 원하는 위치에 있어서 자동으로 소정의 동작을 실행시킬 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 연산 장치(171)(제어 장치)는, 반송 장치로 반송되는 실행 장치(100)에 가해지는 가속도의 정보와 반송 위치의 정보의 관계를 나타내는 반송 레시피(레시피 정보)(R)를 기억하고 있다. 연산 장치(171)는, 반송 레시피(R)를 참조하여, 제1 가속도 센서(180X) 및 제2 가속도 센서(180Y)의 출력값에 근거하여 도출되는 가속도로부터 반송 위치를 인식할 수 있다. 연산 장치(171)가 미리 반송 레시피(R)를 기억하고 있기 때문에, 복잡한 반송 동작이 실행되는 경우여도, 적확하게 반송 위치를 인식할 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 동작 장치는, 서로 다른 파장의 광을 발하는 복수의 광원(130)을 포함하고, 소정의 동작은, 복수의 광원(130)의 발광이어도 된다. 이 교정에서는, 처리 시스템(1)에 있어서의 발광 분광 분석 장치(72)의 교정 작업을 적합하게 실시할 수 있다.
이상, 다양한 예시적 실시형태에 대하여 설명해 왔지만, 상술한 예시적 실시형태에 한정되지 않고, 다양한 생략, 치환, 및 변경이 이루어져도 된다.
예를 들면, 실행 장치(100)는, X축과 Y축의 양방에 직교하는 Z축 방향으로 가속도를 검출하는 제3 가속도 센서를 더 포함해도 된다.
실행 장치(100)가 프로세스 모듈(PM)로 반송되었을 때에 광원(130)이 발광되는 예에 대하여 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 실행 장치(100)가 반송되는 위치, 및, 당해 위치에 있어서 실행되는 제어의 내용은, 임의로 결정되어도 된다. 예를 들면, 소정의 동작이 실행되는 위치는, 로더 모듈(LM), 얼라이너(AN), 로드록 모듈(LL1, LL2), 트랜스퍼 모듈(TF) 등이어도 된다. 또, 실행 장치는, 소정의 동작을 실행하는 동작 장치로서, 실행 장치와 대상물의 사이의 정전 용량을 계측하는 계측기, 실행 장치의 주위를 촬상하는 촬상 장치 등을 갖고 있어도 된다.
이상의 설명으로부터, 본 개시의 다양한 실시형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에서 설명되어 있으며, 본 개시의 범위 및 주지로부터 벗어나지 않고 다양한 변경을 이룰 수 있는 것이, 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 다양한 실시형태는 한정하는 것을 의도하고 있지 않고, 실제 범위와 주지는, 첨부된 특허청구범위에 의하여 나타난다.

Claims (10)

  1. 반도체 제조 장치에 마련된 반송 장치로 반송되어, 소정의 동작을 실행하는 실행 장치로서,
    상기 소정의 동작을 실행하기 위한 동작 장치와,
    수평 방향을 따른 제1 방향에 있어서의 가속도를 검출 가능한 제1 가속도 센서와,
    수평 방향을 따른 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에 있어서의 가속도를 검출 가능한 제2 가속도 센서와,
    상기 제1 가속도 센서 및 상기 제2 가속도 센서의 출력값에 근거하여, 상기 반도체 제조 장치 내에 있어서의 상기 실행 장치의 반송 위치를 인식하여, 소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에 상기 소정의 동작을 상기 동작 장치에 실행시키는 제어 장치를 구비하는, 실행 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 반송 장치로 반송되는 상기 실행 장치에 가해지는 가속도의 정보와 반송 위치의 정보의 관계를 나타내는 레시피 정보를 기억하고 있고, 상기 레시피 정보를 참조하여, 상기 제1 가속도 센서 및 상기 제2 가속도 센서의 출력값에 근거하여 도출되는 가속도로부터 상기 반송 위치를 인식하는, 실행 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 동작 장치는, 서로 다른 파장의 광을 발하는 복수의 광원을 포함하고,
    상기 소정의 동작은, 상기 복수의 광원의 발광인, 실행 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 동작 장치는, 정전 용량을 계측하는 계측기이며,
    상기 소정의 동작은, 상기 실행 장치와 대상물의 사이의 정전 용량의 계측인, 실행 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 동작 장치는, 촬상 장치이며,
    상기 소정의 동작은, 상기 실행 장치의 주위의 촬상인, 실행 장치.
  6. 반도체 제조 장치에 마련된 반송 장치로 반송되는 실행 장치에, 소정의 동작을 실행시키는 실행 방법으로서,
    수평 방향을 따른 제1 방향과 상기 제1 방향에 교차하는 수평 방향을 따른 제2 방향에 있어서의 상기 실행 장치의 가속도를 취득하는 것과,
    상기 가속도에 근거하여, 상기 반도체 제조 장치 내에 있어서의 상기 실행 장치의 반송 위치를 인식하는 것과,
    소정의 위치로 반송되었다고 인식되었을 때에 상기 소정의 동작을 상기 실행 장치에 실행시키는 것을 구비하는, 실행 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 반송 위치를 인식하는 것은, 상기 반송 장치로 반송되는 상기 실행 장치에 가해지는 가속도의 정보와 반송 위치의 정보의 관계를 나타내는 레시피 정보를 참조하는 것을 포함하는, 실행 방법.
  8. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 소정의 동작을 실행하는 것은, 복수의 광원에 의하여 서로 다른 파장의 광을 발하는 것을 포함하는, 실행 방법.
  9. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 소정의 동작을 실행하는 것은, 상기 실행 장치와 대상물의 사이의 정전 용량의 계측을 포함하는, 실행 방법.
  10. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 소정의 동작을 실행하는 것은, 상기 실행 장치의 주위의 촬상을 포함하는, 실행 방법.
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