JP2014216441A - 計測システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高精度でウエハステージの位置を計測する。【解決手段】 計測アーム71に設けられた歪センサ22及び/又は加速度センサ23によりそれぞれ計測アーム71の歪及び加速度を測定し、それらの測定結果から計測アーム71の先端の変位を求め、その結果を用いて微動ステージ位置計測系による微動ステージの位置(特に、X軸及びZ軸方向の位置)の計測値を補正する。これにより、片持ち梁状の計測アーム71に空気圧等が外力(計測アーム71を曲げる又は撓ませる力)として作用し、ヘッドユニット77が設けられた計測アーム71の先端が微小変位しても、それに伴う計測誤差の無い高精度な微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)の位置情報の計測、及びその計測結果に基づく、高精度な位置の制御が可能となる。【選択図】図7
Description
本発明は、計測システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、移動体の位置を計測する計測システム及び該計測システムを、被露光物体を保持する移動体の位置計測システムとして備える露光装置、並びに該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
従来、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、主として、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(いわゆるステッパ)、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが用いられている。
この種の露光装置では、一般的に、パターンが転写(又は形成)されるウエハ又はガラスプレート等の基板(以下、ウエハと総称する)を保持して2次元移動するウエハステージの位置が、レーザ干渉計を用いて計測されていた。しかし、近年の半導体素子の高集積化に伴うパターンの微細化により、さらに高精度なウエハステージの位置制御性能が要求されるようになり、その結果、レーザ干渉計のビーム路上の雰囲気の温度変化、及び/又は温度勾配の影響で発生する空気揺らぎに起因する計測値の短期的な変動が、無視できなくなってきた。
かかる不都合を改善するものとして、レーザ干渉計と同程度以上の計測分解能を有するエンコーダを、ウエハステージの位置計測装置として採用した露光装置に係る発明が、種々提案されている(例えば、特許文献1参照)。しかるに、特許文献1などに開示される液浸露光装置では、液体が蒸発する際の気化熱などの影響によりウエハステージ(ウエハステージ上面に設けられていたグレーティング)が変形するおそれがあるなど、未だ改善すべき点があった。
かかる不都合を改善するものとして、発明者は、カンチレバーから成る計測アームの先端に設けられたヘッド部からウエハを保持するテーブルの裏面に設けられたグレーティングに計測ビームを照射するエンコーダシステムを備えた露光装置を先に提案した(例えば、特許文献2及び3参照)。
しかし、ウエハの大型化とともにこれを保持するウエハテーブルが大型化し、例えば直径450mmのウエハを保持するウエハテーブルに対して計測アームの長さは500mm以上になる。かかる場合、ウエハテーブル(ウエハステージ)の移動に伴う空気圧等が外圧として加わることで、計測ビームが射出される計測アームの先端部が変位する。また、100Hz〜400Hz位の帯域の床振動等を含む暗振動により、計測アームの先端部が振動する。この先端部の変位、さらにはその振動は、計測アームを用いるウエハステージの位置計測精度において無視できない程の誤差を生ずるものと予想される。
本発明の第1の態様によれば、移動体の位置を計測する計測システムであって、前記移動体に設けられた計測面に光を照射し、前記計測面からの光を受光する光学部材が自由端に設けられた片持ち梁状のアーム部材と、前記アーム部材の歪を測定する歪センサと、前記光学部材を用いて計測された前記移動体の位置を、前記歪センサの測定結果を用いて補正する制御装置と、を備える計測システムが、提供される。
これによれば、光学部材を用いて計測された移動体の位置が、アーム部材の歪を測定する歪センサの測定結果を用いて補正される。従って、片持ち梁状のアーム部材に曲げ応力が作用し、光学部材が設けられたその自由端が微小変位しても、それに伴う計測誤差を生ずることなく高精度で移動体の位置を計測することが可能となる。
本発明の第2の態様によれば、エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成する露光装置であって、物体を保持して移動する移動体と、本発明の計測システムと、前記計測システムの計測結果に従って前記移動体を駆動する制御系と、を備える露光装置が、提供される。
これによれば、本発明の計測システムにより移動体の位置が計測され、その計測結果に従って移動体が駆動されるので、移動体が保持する物体を高精度に露光することが可能となる。
本発明の第3の態様によれば、本発明の露光装置を用いて、物体上にパターンを形成することと、前記パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
以下、本発明の一実施形態を、図1〜図13(B)に基づいて説明する。
図1には、一実施形態の露光装置100の構成が概略的に示されている。露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向をY軸方向、Z軸方向及びY軸方向に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
露光装置100は、照明系10、レチクルステージRST、投影ユニットPU、局所液浸装置8、ウエハステージWSTを有するステージ装置55、及びこれらの制御系等を備えている。図1において、ウエハステージWST上には、ウエハWが載置されている。
照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等(いずれも不図示)を有する照明光学系と、を含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステムとも呼ばれる)で規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを、照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとしては、一例として、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。
レチクルステージRST上には、そのパターン面(図1における下面)に回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図6参照)によって、XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面内左右方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)13によって、レチクルステージRSTに固定された移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計13の計測値は、主制御装置50(図1では不図示、図6参照)に送られる。なお、例えば米国特許出願公開第2007/0288121号明細書などに開示されているように、エンコーダシステムによってレチクルステージRSTの位置情報を計測しても良い。
投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方(−Z側)に配置されている。投影ユニットPUは、不図示の支持部材によって水平に支持されたメインフレーム(メトロロジーフレームとも呼ばれる)BDによってその外周部に設けられたフランジ部を介して支持されている。投影ユニットPUは、鏡筒40と、鏡筒40内に保持された複数の光学素子から成る投影光学系PLと、を含む。投影光学系PLとしては、例えば、両側テレセントリックで、所定の投影倍率(例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍など)を有する屈折光学系が用いられている。このため、照明系10からの照明光ILによってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL(投影ユニットPU)を介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、投影光学系PLの第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上で前記照明領域IARに共役な領域(以下、露光領域とも呼ぶ)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWST(より正確には後述する微動ステージWFS)との同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域IA(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、及び投影光学系PLによってウエハW上にレチクルRのパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。ここで、投影ユニットPUはメインフレームBDに保持され、本実施形態では、メインフレームBDが、それぞれ防振機構を介して設置面(床面など)に配置される複数(例えば3つ又は4つ)の支持部材によってほぼ水平に支持されている。なお、その防振機構は各支持部材とメインフレームBDとの間に配置しても良い。また、例えば国際公開第2006/038952号に開示されているように、投影ユニットPUの上方に配置される不図示のメインフレーム部材、あるいはレチクルベースなどに対して投影ユニットPUを吊り下げ支持しても良い。
局所液浸装置8は、液体供給装置5、液体回収装置6(いずれも図1では不図示、図6参照)、及びノズルユニット32等を含む。ノズルユニット32は、図1に示されるように、投影光学系PLを構成する最も像面側(ウエハW側)の光学素子、ここではレンズ(以下、「先端レンズ」ともいう)191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように不図示の支持部材を介して、投影ユニットPU等を支持するメインフレームBDに吊り下げ支持されている。本実施形態では、主制御装置50が液体供給装置5(図6参照)を制御して、ノズルユニット32を介して先端レンズ191とウエハWとの間に液体Lq(図1参照)を供給するとともに、液体回収装置6(図6参照)を制御して、ノズルユニット32を介して先端レンズ191とウエハWとの間から液体Lqを回収する。このとき、主制御装置50は、供給される液体の量と回収される液体の量とが常に等しくなるように、液体供給装置5と液体回収装置6を制御する。従って、先端レンズ191とウエハWとの間には、一定量の液体Lq(図1参照)が常に入れ替わって保持される。本実施形態では、上記の液体Lqとして、一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nmの光)が透過する純水を用いるものとする。
メインフレームBDには、複数(本実施形態では4)の支持部材(不図示)を介して、計測マウント151(図1では不図示。図2〜図4参照。)が支持されている。計測マウント151は、図3の斜視図に示されるように、円形板状の本体部152と、本体部152から+X方向、+Y方向、−X方向、−Y方向にそれぞれ突設された平面視略正方形状の4つの延設部153A,153B,153C,153Dとを有している。
本体部152は、上面の外周縁のリング状のリム部を除く部分(内部の円形の部分)が、リム部に比べてその内部底面が一段低い凹部152aとなっている。そして、凹部152aの中央には、凹部152aの内部底面より幾分低い上面に平行な環状の面領域が形成されている。この環状の面領域の内周縁、外周縁は、前述のリム部と同心である。面領域の内周縁は、円形開口152cの内周面となっている。面領域と凹部152aの内部底面とは、テーパ状の斜面によって、連結されている。円形開口152c周囲の面領域とテーパ状の斜面とによって、収容部152bが形成されている。
図2及び図3に示されるように、計測マウント151の凹部152aの内部底面上には、後述するリニアエンコーダ150x、150y(図6参照)のセンサヘッド部である、ピックアップ154x及びピックアップ154yが配置されている。
ピックアップ154xは、図2に示されるように直線Px上に配置され、上方(+Z方向)に光を照射するxヘッド156xを備えている。同様にピックアップ154yは直線Py上に配置され、上方に光を照射するyヘッド156yを備えている。
投影ユニットPUの下面(−Z側の面)、例えば鏡筒40の下面には、図4にxスケール158xを取り上げて代表的に示されるように、ピックアップ154x及び154yそれぞれに対向してxスケール158x及びyスケール158yが、固定されている。
xスケール158xは、図2の配置図に示されるように、投影光学系PLの光軸に直交しX軸と45度の角度をなす直線Px上に、直線Pxと平行な方向を長手方向として配置され、yスケール158yは、投影光学系PLの光軸に直交しY軸と45度の角度をなす直線Py上に、直線Pyと平行な方向を長手方向として配置されている。また、スケール158x,158yの下面(−Z側の面)には長手方向を周期方向とする反射型の回折格子が形成されている。
ピックアップ154xは、鏡筒40の下面に固定されたxスケール158xに光を照射して得られる反射光(回折格子からの回折光)を用いて、例えば振動などに起因する、直線Pxに平行な方向の鏡筒40(投影光学系PL)の変位を検出する光学式のxリニアエンコーダ150x(図6参照)を構成する。同様に、ピックアップ154yは、鏡筒40の下面に固定されたyスケール158yに光を照射して得られる反射光(回折格子からの回折光)を用いて、直線Pyに平行な方向の鏡筒40(投影光学系PL)の変位を検出する光学式のyリニアエンコーダ150y(図6参照)を構成する。
xリニアエンコーダ150x及びyリニアエンコーダ150yでは、例えば米国特許第7,238,931号明細書、及び米国特許出願公開第2007/0288121号明細書などに開示されるエンコーダヘッドと同様の構成の回折干渉型のヘッドが、ピックアップ154x,154yとして用いられている。
上述のように構成された計測マウント151は、メインフレームBDに上端が固定(接続)され、下端が延設部153A〜153Dにそれぞれ固定(接続)された前述の4本の支持部材(不図示)によって支持され、鏡筒40の下面から所定距離だけ下方(−Z方向)の位置に配置されている。この支持状態では、図4に示されるように、鏡筒40下端の突出部が計測マウント151に形成された収容部152bに収容された状態となる。また、図4に示されるように、鏡筒40の下面と凹部152aの内部底面とが、所定の隙間を介して対向し、ピックアップ154xのxヘッド156xと鏡筒40の下面に配置されたxスケール158xとが対向し、ピックアップ154yのyヘッド156yと鏡筒40の下面に配置されたyスケール158yとが対向した状態となる。
露光動作の際には、鏡筒40の下面に配置されたxスケール158xに対向するピックアップ154x(xリニアエンコーダ150x)と、yスケール158yに対向するピックアップ154y(yリニアエンコーダ150y)とで、鏡筒40の直線Px及び直線Pyに平行な方向の変位、すなわち鏡筒40のXY平面内での位置が計測される。その計測結果は、主制御装置50に供給される(図6参照)。
さらに、計測マウント151には、図4に示されるように、その底面に形成された孔部1510内に加速度センサ24が配置されている。加速度センサ24は、2つの加速度センサ241,242を含む。加速度センサ241,242は、それぞれ、計測マウント151、すなわちそれを支持するメインフレームBDに加わるX軸及びZ軸方向に関する加速度を測定する。それらの測定結果は、積分器(不図示)を介して時間に関して二重積分されて、それぞれ、計測マウント151(メインフレームBD)のX軸及びZ軸方向に関する変位に変換される。さらに、これらの結果は、上述のxリニアエンコーダ150x及びyリニアエンコーダ150yの計測結果からの差に変換され、鏡筒40(投影光学系PL)の位置を基準とする計測マウント151(メインフレームBD)の変位ΔX0,ΔZ0が求められる。求められた変位ΔX0,ΔZ0は、後述する微動ステージ位置計測系70(エンコーダシステム73及びレーザ干渉計システム75)の計測誤差の補正(先端変位補償)に利用される。
なお、加速度センサ24(加速度センサ241,242)は、後述する先端変位補償の目的において、鏡筒40(投影光学系PL)に設けることとしてもよい。また、鏡筒40(投影光学系PL)の位置を基準とするメインフレームBDの変位を求めることができればいずれに設けることとしてもよい。
ステージ装置55は、図1に示されるように、床面上に防振機構(図示省略)によってほぼ水平に支持されたベース盤12、ウエハWを保持してベース盤12上で移動するウエハステージWST、ウエハステージWSTを駆動するウエハステージ駆動系53(図6参照)及び各種計測系(16、70(図6参照)等)等を備えている。
ベース盤12は、平板状の外形を有する部材から成り、その上面は平坦度が非常に高く仕上げられ、ウエハステージWSTの移動の際のガイド面とされている。
ウエハステージWSTは、図1及び図5(A)等に示されるように、その底面に設けられた複数の非接触軸受(例えばエアベアリング(図示省略))によりベース盤12上に浮上支持され、ウエハステージ駆動系53の一部を構成する粗動ステージ駆動系51(図6参照)により、XY二次元方向に駆動されるウエハ粗動ステージ(以下、粗動ステージと略記する)WCSと、粗動ステージWCSに非接触状態で支持され、粗動ステージWCSに対して相対移動可能なウエハ微動ステージ(以下、微動ステージと略記する)WFSとを有している。微動ステージWFSは、ウエハステージ駆動系53の一部を構成する微動ステージ駆動系52(図6参照)によって粗動ステージWCSに対してX軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θx方向、θy方向及びθz方向(以下、6自由度方向、又は6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)と記述する)に駆動される。本実施形態では、粗動ステージ駆動系51と微動ステージ駆動系52とを含んで、ウエハステージ駆動系53が構成されている。
ウエハステージWST(粗動ステージWCS)のXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、ウエハステージ位置計測系16によって計測される。また、微動ステージWFSの6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)の位置情報は微動ステージ位置計測系70(図6参照)によって計測される。ウエハステージ位置計測系16及び微動ステージ位置計測系70の計測結果(計測情報)は、粗動ステージWCS及び微動ステージWFSの位置制御のため、主制御装置50(図6参照)に供給される。
上記各種計測系を含めて、ステージ装置55の構成等については、後に詳述する。
露光装置100では、投影ユニットPUの中心から+Y側に所定距離隔てた位置にウエハアライメント系ALG(図1では不図示、図6参照)が配置されている。ウエハアライメント系ALGとしては、例えば画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系が用いられる。ウエハアライメント系ALGは、主制御装置50により、ウエハアライメント(例えばエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA))の際に、後述する微動ステージWFS上の計測プレートに形成された第2基準マーク、又はウエハW上のアライメントマークの検出に用いられる。ウエハアライメント系ALGの撮像信号は、不図示の信号処理系を介して主制御装置50に供給される。主制御装置50は、ウエハアライメント系ALGの検出結果(撮像結果)と、検出時の微動ステージWFS(ウエハW)の位置情報とに基づいて、対象マークのアライメント時座標系におけるX,Y座標を算出する。
この他、本実施形態における露光装置100には、投影ユニットPUの近傍に、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系(以下、多点AF系と略述する)AF(図1では不図示、図6参照)が設けられている。多点AF系AFの検出信号は、不図示のAF信号処理系を介して主制御装置50に供給される(図6参照)。主制御装置50は、多点AF系AFの検出信号に基づいて、多点AF系AFの複数の検出点それぞれにおけるウエハW表面のZ軸方向の位置情報(面位置情報)を検出し、その検出結果に基づいて走査露光中のウエハWのいわゆるフォーカス・レベリング制御を実行する。なお、ウエハアライメント系ALGの近傍に多点AF系を設けて、ウエハアライメント(EGA)時にウエハW表面の面位置情報(凹凸情報)を事前に取得し、露光時には、その面位置情報と、後述する微動ステージ位置計測系70の一部を構成するレーザ干渉計システム75(図6参照)の計測値とを用いて、ウエハWのいわゆるフォーカス・レベリング制御を実行することとしても良い。なお、微動ステージ位置計測系70を構成する後述のエンコーダシステム73を、Z軸方向の位置計測も可能に構成する場合には、レーザ干渉計システム75ではなく、そのエンコーダシステム73の計測値を、フォーカス・レベリング制御で用いても良い。
また、レチクルステージRSTの上方には、例えば米国特許第5,646,413号明細書などに詳細に開示されるように、露光波長の光(本実施形態では照明光IL)をアライメント用照明光として、後述する微動ステージWFS上の計測プレートに形成された一対の第1基準マークを検出する画像処理方式の一対のレチクルアライメント系RA1,RA2(図1においてはレチクルアライメント系RA2は、レチクルアライメント系RA1の紙面奥側に隠れている)が配置されている。レチクルアライメント系RA1,RA2の検出信号は、不図示の信号処理系を介して主制御装置50に供給される(図6参照)。なお、レチクルアライメント系RA1,RA2は設けなくても良い。この場合、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号明細書などに開示されるように、微動ステージWFSに光透過部(受光部)が設けられる検出系を搭載して、レチクルアライメントマークの投影像を検出することが好ましい。
図6には、露光装置100の制御系の主要な構成が示されている。制御系は、主制御装置50を中心として構成されている。主制御装置50は、ワークステーション(又はマイクロコンピュータ)等を含み、前述の局所液浸装置8、粗動ステージ駆動系51、微動ステージ駆動系52など、露光装置100の構成各部を統括制御する。
ここで、ステージ装置55の構成等について詳述する。粗動ステージWCSは、図5(A)及び図5(B)に示されるように、平面視で(+Z方向から見て)X軸方向を長手方向とする長方形板状の粗動スライダ部91と、粗動スライダ部91の長手方向の一端部と他端部の上面にYZ平面に平行な状態でそれぞれ固定され、かつY軸方向を長手方向とする長方形板状の一対の側壁部92a,92bと、側壁部92a,92bそれぞれの上面に固定された一対の固定子部93a、93bと、を備えている。粗動ステージWCSは、全体として、上面のX軸方向中央部及びY軸方向の両側面が開口した高さの低い箱形の形状を有している。すなわち、粗動ステージWCSには、その内部にY軸方向に貫通した空間が形成されている。
粗動ステージWCSの底面(粗動スライダ部91の底面)には、図5(A)に示されるように、マトリックス状に配置された複数の永久磁石91aから成る磁石ユニットが固定されている。磁石ユニットに対応して、ベース盤12の内部には、図1に示されるように、XY二次元方向を行方向、列方向としてマトリックス状に配置された複数のコイル14を含む、コイルユニットが収容されている。磁石ユニットは、ベース盤12のコイルユニットと共に、例えば米国特許第5,196,745号明細書などに開示される電磁力(ローレンツ力)駆動方式の平面モータから成る粗動ステージ駆動系51(図6参照)を構成している。コイルユニットを構成する各コイル14に供給される電流の大きさ及び方向は、主制御装置50によって制御される(図6参照)。粗動ステージWCSは、上記磁石ユニットが設けられた粗動スライダ部91の底面の周囲に固定された前述のエアベアリングによって、ベース盤12上に例えば数μm程度の隙間(ギャップ又はクリアランス)を介して浮上支持され、粗動ステージ駆動系51によって、X軸方向、Y軸方向及びθz方向に駆動される。なお、粗動ステージ駆動系51としては、電磁力(ローレンツ力)駆動方式の平面モータに限らず、例えば可変磁気抵抗駆動方式の平面モータを用いることもできる。なお、電磁力駆動方式における電磁力はローレンツ力に限られない。この他、粗動ステージ駆動系51を、磁気浮上型の平面モータによって構成しても良い。この場合、粗動スライダ部91の底面にエアベアリングを設けなくても良くなる。
一対の固定子部93a、93bそれぞれは、図5(A)及び図5(B)に示されるように、外形が板状の部材から成り、その内部に微動ステージWFSを駆動するためのコイルユニットCUa、CUbが収容されている。コイルユニットCUa、CUbを構成する各コイルに供給される電流の大きさ及び方向は、主制御装置50によって制御される。
一対の固定子部93a,93bそれぞれは、図5(A)及び図5(B)に示されるように、Y軸方向を長手方向とする矩形板状の形状を有する。固定子部93aは、+X側の端部が側壁部92a上面に固定され、固定子部93bは、−X側の端部が側壁部92b上面に固定されている。
微動ステージWFSは、図5(A)及び図5(B)に示されるように、平面視でX軸方向を長手方向とする八角形板状の部材から成る本体部81と、本体部81の長手方向の一端部と他端部にそれぞれ固定された一対の可動子部82a、82bと、を備えている。
本体部81は、その内部を後述するエンコーダシステムの計測ビーム(レーザ光)が進行可能とする必要があることから、光が透過可能な透明な素材で形成されている。また、本体部81は、その内部におけるレーザ光に対する空気揺らぎの影響を低減するため、中実に形成されている(内部に空間を有しない)。なお、透明な素材は、低熱膨張率であることが好ましく、本実施形態では一例として合成石英(ガラス)などが用いられる。なお、本体部81は、その全体が透明な素材で構成されていても良いが、エンコーダシステムの計測ビームが透過する部分のみが透明な素材で構成されていても良く、この計測ビームが透過する部分のみが中実に形成されていても良い。
微動ステージWFSの本体部81(より正確には、後述するカバーガラス)の上面中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ(不図示)が設けられている。本実施形態では、例えば環状の凸部(リム部)内に、ウエハWを支持する複数の支持部(ピン部材)が形成される、いわゆるピンチャック方式のウエハホルダが用いられ、一面(表面)がウエハ載置面となるウエハホルダの他面(裏面)側に後述するグレーティングRGなどが設けられる。なお、ウエハホルダは、微動ステージWFSと一体に形成されていても良いし、本体部81に対して、例えば静電チャック機構あるいはクランプ機構等を介して、又は接着等により固定されていても良い。
さらに、本体部81の上面には、ウエハホルダ(ウエハWの載置領域)の外側に、図5(A)及び図5(B)に示されるように、ウエハW(ウエハホルダ)よりも一回り大きな円形の開口が中央に形成され、かつ本体部81に対応する八角形状の外形(輪郭)を有するプレート(撥液板)83が取り付けられている。プレート83の表面は、液体Lqに対して撥液化処理されている(撥液面が形成されている)。プレート83は、その表面の全部(あるいは一部)がウエハWの表面と同一面となるように本体部81の上面に固定されている。また、プレート83には、図5(B)に示されるように、一端部に円形の開口が形成され、この開口内にその表面がプレート83の表面と、すなわちウエハWの表面とほぼ同一面となる状態で計測プレート86が埋め込まれている。計測プレート86の表面には、前述した一対の第1基準マークと、ウエハアライメント系ALGにより検出される第2基準マークとが少なくとも形成されている(第1及び第2基準マークはいずれも図示省略)。なお、プレート83を本体部81に取り付ける代わりに、例えばウエハホルダを微動ステージWFSと一体に形成し、微動ステージWFSの、ウエハホルダを囲む周囲領域(プレート83と同一の領域(計測プレート86の表面を含んでも良い))の上面に撥液化処理を施して、撥液面を形成しても良い。
図5(A)に示されるように、本体部81の上面には、2次元グレーティング(以下、単にグレーティングと呼ぶ)RGが水平(ウエハW表面と平行)に配置されている。グレーティングRGは、透明な素材から成る本体部81の上面に、固定(あるいは形成)されている。グレーティングRGは、X軸方向を周期方向とする反射型の回折格子(X回折格子)と、Y軸方向を周期方向とする反射型回折格子(Y回折格子)と、を含む。本実施形態では、本体部81上で2次元グレーティングが固定あるいは形成される領域(以下、形成領域)は、一例として、ウエハWよりも一回り大きな円形となっている。
グレーティングRGは、保護部材、例えばカバーガラス84によって覆われて、保護されている。本実施形態では、カバーガラス84の上面に、ウエハホルダを吸着保持する前述の静電チャック機構が設けられている。なお、本実施形態では、カバーガラス84は、本体部81の上面のほぼ全面を覆うように設けられているが、グレーティングRGを含む本体部81の上面の一部のみを覆うように設けても良い。また、保護部材(カバーガラス84)は、本体部81と同一の素材によって形成しても良いが、これに限らず、保護部材を、例えば金属、セラミックスで形成しても良い。また、グレーティングRGを保護するのに十分な厚みを要するため板状の保護部材が望ましいが、素材に応じて薄膜状の保護部材を用いても良い。
なお、グレーティングRGの形成領域のうち、ウエハホルダの周囲にはみ出す領域に対応するカバーガラス84の一面には、グレーティングRGに照射されるエンコーダシステムの計測ビームがカバーガラス84を透過しないように、すなわち、ウエハホルダ裏面の領域の内外で計測ビームの強度が大きく変動しないように、例えばその形成領域を覆う反射部材(例えば薄膜など)を設けることが望ましい。
本体部81は、図5(A)からもわかるように、長手方向の一端部と他端部との下端部に外側に突出した張り出し部が形成された全体として八角形板状部材から成り、その底面の、グレーティングRGに対向する部分に凹部が形成されている。本体部81は、グレーティングRGが配置された中央の領域は、その厚さが実質的に均一な板状に形成されている。
本体部81の+X側、−X側の張り出し部それぞれの上面には、断面凸形状のスペーサ85a、85bが、それぞれの凸部89a、89bを、外側に向けてY軸方向に延設されている。
可動子部82aは、図5(A)及び図5(B)に示されるように、Y軸方向寸法(長さ)及びX軸方向寸法(幅)が、共に固定子部93aよりも短い(半分程度の)2枚の平面視矩形状の板状部材82a1、82a2を含む。板状部材82a1、82a2は、本体部81の+X側の端部に対し、前述したスペーサ85aの凸部89aを介して、Z軸方向(上下)に所定の距離だけ離間した状態でともにXY平面に平行に固定されている。この場合、板状部材82a2は、スペーサ85aと本体部81の+X側の張り出し部とによって、その−X側端部が挟持されている。2枚の板状部材82a1、82a2の間には、固定子部93aの−X側の端部が非接触で挿入されている。板状部材82a1、82a2の内部には、磁石ユニットMUa1、MUa2が、収容されている。
可動子部82bは、スペーサ85bにZ軸方向(上下)に所定の間隔が維持された2枚の板状部材82b1、82b2を含み、可動子部82aと左右対称ではあるが同様に構成されている。2枚の板状部材82b1、82b2の間には、固定子部93bの+X側の端部が非接触で挿入されている。板状部材82b1、82b2の内部には、磁石ユニットMUa1、MUa2と同様に構成された磁石ユニットMUb1、MUb2が、収容されている。
ここで、前述したように、粗動ステージWCSは、Y軸方向の両側面が開口しているので、微動ステージWFSを粗動ステージWCSに装着する際には、板状部材82a1、82a2、及び82b1、82b2間に固定子部93a、93bがそれぞれ位置するように、微動ステージのWFSのZ軸方向の位置決めを行い、この後に微動ステージWFSをY軸方向に移動(スライド)させれば良い。
微動ステージ駆動系52は、前述した可動子部82aが有する一対の磁石ユニットMUa1、MUa2と、固定子部93aが有するコイルユニットCUaと、可動子部82bが有する一対の磁石ユニットMUb1、MUb2と、固定子部93bが有するコイルユニットCUbと、を含む。
可動子部82aが有する一対の磁石ユニットMUa1、MUa2及び固定子部93aが有するコイルユニットCUa、並びに可動子部82bが有する一対の磁石ユニットMUb1、MUb2及び固定子部93bが有するコイルユニットCUbは、前述した米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されているものと同様に構成されている。従って、本実施形態では、米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されている露光装置と同様に、主制御装置50は、微動ステージ駆動系52が有する各コイルに対する電流の供給を制御する(電流の方向及び大きさの少なくとも一方を制御する)ことで、微動ステージWFSを、粗動ステージWCSに対して非接触状態で浮上支持するとともに、粗動ステージWCSに対して、非接触で6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)へ駆動することができるようになっている。
本実施形態の露光装置100では、ウエハWに対するステップ・アンド・スキャン方式の露光動作時には、微動ステージWFSのXY平面内の位置情報(θz方向の位置情報を含む)は、主制御装置50により、後述する微動ステージ位置計測系70のエンコーダシステム73(図6参照)を用いて計測される。微動ステージWFSの位置情報は、主制御装置50に送られ、主制御装置50は、この位置情報に基づいて微動ステージWFSの位置を制御する。
これに対し、ウエハステージWST(微動ステージWFS)が微動ステージ位置計測系70の計測領域外にあるときには、ウエハステージWSTの位置情報は、主制御装置50により、ウエハステージ位置計測系16(図6参照)を用いて計測される。ウエハステージ位置計測系16は、図1に示されるように、粗動ステージWCS側面に鏡面加工により形成された反射面に測長ビームを照射してウエハステージWSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)を計測するレーザ干渉計を含んでいる。なお、ウエハステージWSTのXY平面内での位置情報は、上述のウエハステージ位置計測系16に代えて、その他の計測装置、例えばエンコーダシステムによって計測しても良い。この場合、例えばベース盤12の上面に2次元スケールを配置し、粗動ステージWCSの底面にエンコーダヘッドを取り付けることができる。
微動ステージ位置計測系70は、図1に示されるように、ウエハステージWSTが投影ユニットPUの下方に配置された状態で粗動ステージWCSの前述の空間内に挿入される計測アーム71を備えている。計測アーム71は、メインフレームBDに支持部材72を介して片持ち支持されている(一側(−Y側)の端部のみが支持部材72に支持(固定)されている)。
計測アーム71は、図7の斜視図、図8(A)の縦断面図、及び図8(B)の一部省略した横断面図に示されるように、アーム本体71a、カバー71b、ヘッドユニット77、歪センサ22、加速度センサ23等を備えている。図7は、カバー71bを、アーム本体71aから取り外した状態を示す。図8(A)は、図8(B)のA−A線断面図に相当する。
アーム本体71aは、Y軸方向を長手方向とし、上方が開口した空間710がほぼ全長に渡って形成された中空の部材から成る。アーム本体71aは、XZ断面が長方形(矩形)の所定長さの部材から成る。アーム本体71aは、図7及び図8(B)に示されるように、幅方向(X軸方向)の寸法が異なる3つの部分、すなわち先端(+Y側端)から長手方向(Y軸方向)の中央より幾分基端(−Y側端)寄りの位置まで一定幅で延びるアーム部71a1と、−Y側の端部に位置し一定の幅を有し、Y軸方向の寸法が支持部材72のY軸方向の寸法とほぼ等しい基端部71a3と、アーム部71a1と基端部71a3との間に位置する中間部71a2とを有する。このうち、基端部71a3の幅が最も広く、中間部71a2はその幅が基端部71a3からアーム部71a1側に行くにつれて徐々に細くなっている。一例として、アーム部71a1は、アーム本体71aの約2/3の長さを有し、中間部71a2と基端部71a3とが、それぞれアーム部71a1の約1/4の長さを有している。基端部71a3の上面(+Z側の面)が支持部材72の下面(−Z側の面)に固定されている。
アーム本体71a(アーム部71a1、中間部71a2、及び基端部71a3)は、例えばショット社のゼロデュア(商品名)など低熱膨張率(ゼロ熱膨張率)の素材により一体成形されている。アーム部71a1は、底壁と該底壁とともに空間710を区画する一対の側壁とを有する。アーム部71a1の底壁及び一対の側壁は、図8(A)に示されるように、その先端側(+Y側)の約3分の2がその基端側(−Y側)の約3分の1に比べて肉厚が薄く形成され、これにより、アーム本体71a(アーム部71a1)には、その内部に段部711が設けられている。空間710は、図8(A)及び図8(B)からわかるように、段部711から基端部71a3までの空間部分が、高さ寸法及び幅寸法が先端部に比べて小さく、基端部71a3の内部では、幅が基端側に行くに連れて徐々に広くなっている。
中間部71a2及び基端部71a3には肉抜きが施され、肉抜きされなかった残りの部分がリブ部とされている。これにより、アーム本体71a(計測アーム71)は、軽量であるが高い剛性を備えた構造となっている。
カバー71bは、先端部(+Y側端部)の一部を除くアーム部71a1、及び中間部71a2を上方から覆う状態で、アーム本体71aに取付けられている。カバー71bも、アーム本体71aと同様、低熱膨張率(ゼロ熱膨張率)の素材から成る。カバー71bは、アーム本体71aに対応して、その先端部(+Y側端部)の下面(−Z側の面)に所定深さの凹部が、アーム部71a1の底壁に設けられた段部711に対応する位置までY軸方向に沿って形成されている。すなわち、カバー71bの先端部は、X軸方向の両端部を除き、他の部分に比べて薄く形成されている。
アーム部71a1の先端の部分には、矩形の開口を有する固定カバー71cが、上方から取付けられている。固定カバー71cは、その−Y端が、カバー71bの+Y端に接し、その+Y端が、アーム部71a1の先端部上面に形成された段部に接する状態で、固定されている。固定カバー71cの開口内にヘッドユニット77が隙間なく挿入され、上端部を除く残りの部分が、空間710内に配置されている。固定カバー71cは、厚さがカバー71bの薄肉部を除く部分と同程度の厚さを有し、その上面がカバー71bの上面と同一面を形成している。また、ヘッドユニット77の上面も、固定カバー71c及びカバー71bと同一面を形成している。ヘッドユニット77は、後に詳述するエンコーダヘッドを含む。
歪センサ22は、図7に示されるように、4つの歪ゲージ221,222,223,224を含み、アーム本体71a(空間710)内の基端部71a3近傍、詳細には、アーム部71a1と中間部71a2との接続部近傍に配置されている。歪ゲージ221,222は、図8(B)に示されるように、それぞれ、アーム本体71aの+X側及び−X側の側壁に固定され、それらのY軸方向に関する歪を測定する。歪ゲージ223,224は、図8(A)に示されるように、それぞれ、カバー71bの下面(−Z面)及びアーム本体71aの底壁に固定され、それらのY軸方向に関する歪を測定する。歪ゲージ221,222,223,224の測定結果は、処理器(不図示)を介して、計測アーム71の先端(ヘッドユニット77の中心(検出点DP))の変位に変換される。その詳細は後述する。
なお、歪センサ22が配置されたアーム部71a1と中間部71a2との接続部近傍は、計測アーム71(アーム本体71a及びカバー71b)の曲がりに伴う応力が最も集中する部分であり、その部分の歪を歪センサ22を用いて測定することで計測アーム71の曲がりが求められる。従って、歪センサ22は曲げ応力が集中し得るアーム本体71aの基端部71a3近傍に配置されるが、その具体的配置は計測アーム71の構造等から曲げ応力が最も集中する部分から決定される。
加速度センサ23は、図7、図8(A)、及び図8(B)に示されるように、2つの加速度センサ231,232を含み、アーム本体71a(空間710)内の先端近傍、すなわちヘッドユニット77の近傍に配置されている。加速度センサ231,232は、それぞれ、アーム本体71a(アーム部71a1)の先端のX軸及びZ軸方向に関する加速度を測定する。加速度センサ231,232の測定結果は、積分器(不図示)を介して時間に関して二重積分されて、それぞれ、計測アーム71の先端(ヘッドユニット77の中心(検出点DP))のX軸及びZ軸方向に関する変位(ΔX,ΔZ)に変換される。
さらに、求められた変位(ΔX,ΔZ)は、先述の加速度センサ24の測定結果、すなわち鏡筒40(投影光学系PL)の位置を基準とする計測マウント151(メインフレームBD)の変位(ΔX0,ΔZ0)からの差(ΔX−ΔX0,ΔZ−ΔZ0)に変換される。ここで、計測アーム71はメインフレームBDに支持されている。従って、メインフレームBD、すなわち鏡筒40(投影光学系PL)とともに計測アーム71が変位する限りにおいては、後述する計測アーム71の先端変位に伴う微動ステージ位置計測系70の計測誤差は発生しない。そのため、係る取扱により、鏡筒40(投影光学系PL)の位置を基準とする計測アーム71の先端(ヘッドユニット77の中心(検出点DP))の変位を求めることとしている。
なお、上述の取扱に代えて、それぞれ加速度センサ241,242の測定結果(計測マウント151(メインフレームBD)に加わる加速度)からの加速度センサ231,232の測定結果の差を積分器(不図示)を介して時間に関して二重積分することで、計測マウント151(メインフレームBD)の位置を基準とする計測アーム71の先端の変位を求め、さらにこれらの結果を先述のxリニアエンコーダ150x及びyリニアエンコーダ150yの計測結果からの差に変換することで、鏡筒40(投影光学系PL)の位置を基準とする計測アーム71の先端の変位を求めることとしてもよい。
加速度センサ231,232の測定結果から得られる計測アーム71の先端の変位は、積分器(不図示)による積分処理により誤差が蓄積し得る。そこで、例えば、露光装置100の停止時等、計測アーム71が安定している状態において変位の基準(原点)をリセットすることとする。
また、計測アーム71の先端、詳細にはヘッドユニット77の中心(検出点DP)の変位を求めるため、加速度センサ231,232はヘッドユニット77の極近傍に配置することとする。なお、加速度センサ231,232とヘッドユニット77の中心とのずれに伴う測定誤差を適宜補正することとしてもよい。
歪センサ22(処理機)の出力信号fs(t)と加速度センサ23(積分器)の出力信号fa(t)は、信号処理装置160により合成処理され、ハイブリッド信号f(t)が作成される。ここで、3つの信号fs(t),fa(t),f(t)のラプラス変換(F(s)=∫0 ∞f(t)e−stdt)を、それぞれ、Fs(s),Fa(s),F(s)と表記する。なお、tは時間、s=iω=i2πf、fは周波数である。
図9(A)には、信号処理装置160の一構成例が、ブロック図にて示されている。信号処理装置160は、カットオフ周波数fcのローパスフィルタ162(伝達関数Lfc(s))及びハイパスフィルタ163(伝達関数Hfc(s))、並びに合成器164を含む。信号処理装置160は、歪センサ22の出力信号Fs(s)と加速度センサ23の出力信号Fa(s)とをそれぞれローパスフィルタ162及びハイパスフィルタ163に通し、それらの出力信号を合成器164に通すことで、次のようにハイブリッド信号F(s)を合成する。
F(s)=Lfc(s)Fs(s)+Hfc(s)Fa(s) ……(1)
F(s)=Lfc(s)Fs(s)+Hfc(s)Fa(s) ……(1)
ローパスフィルタ162及びハイパスフィルタ163として、例えば、RC回路型フィルタLfc(s)=1/(1+s/ωc)、Hfc(s)=(s/ωc)/(1+s/ωc)を採用することができる。ただし、ωc=2πfcである。図9(B)には、これらのフィルタLfc(s),Hfc(s)の周波数特性(入出力信号の利得の周波数依存性)が示されている。ローパスフィルタLfc(s)は、カットオフ周波数fcより高い周波数帯域(f>fc)で利得(絶対値)0、低い周波数帯域(f<fc)で利得(絶対値)1を与える。ハイパスフィルタHfc(s)は、カットオフ周波数fcより高い周波数帯域(f>fc)で利得(絶対値)1、低い周波数帯域(f<fc)で利得(絶対値)0を与える。なお、本実施形態では、ハイパスフィルタHfc(s)とローパスフィルタLfc(s)とのカットオフ周波数をともにfcと等しく定めたため、任意の周波数fに対して、次の関係が満たされる。
Lfc(s)+Hfc(s)=1 ……(2)
ここで、周波数f=fcにて、ローパスフィルタLfc(s)とハイパスフィルタHfc(s)は、ともに利得(絶対値)0.5を与える。
ここで、周波数f=fcにて、ローパスフィルタLfc(s)とハイパスフィルタHfc(s)は、ともに利得(絶対値)0.5を与える。
歪センサ22の測定結果から、例えば、後述するように1次の振動モードを仮定して、計測アーム71の先端(ヘッドユニット77の中心(検出点DP))の変位が求められる。従って、歪センサ22の測定結果は、計測アーム71の振動の低周波帯域において信頼される。これに対して、加速度センサ23の測定結果は、加速度を時間に関して二重積分することで変位に換算するため、計測アーム71の振動が強い(加速度の大きい)高周波帯域で信頼される。そこで、ローパスフィルタ162及びハイパスフィルタ163のカットオフ周波数fcは、例えば1次の振動モードの固有周波数と2次の振動モードとの固有周波数の間の80Hzに定められる。
信号処理装置160は、上述の通り求めたハイブリッド信号F(s)を主制御装置50に供給する(図6参照)。主制御装置50は、ハイブリッド信号F(s)、すなわち歪センサ22(歪ゲージ221,222,223,224)の測定結果、加速度センサ23(231,232)の測定結果を用いて、微動ステージ位置計測系70(後述するエンコーダシステム73及びレーザ干渉計システム75)の計測値(微動ステージWFSの6自由度方向の位置、特にX軸方向及びZ軸方向の位置の計測結果)を補正する。この補正については後述する。
本実施形態では、計測アーム71が上述のようにして構成されていることから、ウエハステージWSTが投影光学系PLの下方に位置する場合、計測アーム71(先端部)は粗動ステージWCSの空間内に位置する。このとき、図1に示されるように、計測アーム71の上面が、例えば数mm程度の隙間(ギャップ又はクリアランス)を介して、微動ステージWFSの下面(より正確には、本体部81(図1では不図示、図5(A)等参照)の下面)に対向する。これにより、計測アーム71に干渉することなく、ウエハステージWSTが移動することができる。
なお、計測アーム71(アーム本体71a)内に、例えば100Hz程度の固有の共振周波数を有するマスダンパ(ダイナミックダンパとも呼ばれる)を設けても良い。ここで、マスダンパとは、弾性部材、例えばバネと重りとから構成された振り子を含み、その重りが共振することで計測アーム71の振動(マスダンパーの共振周波数の振動)を減衰する振動減衰部材である。
微動ステージ位置計測系70は、図6に示されるように、エンコーダシステム73と、レーザ干渉計システム75とを備えている。
本実施形態のエンコーダシステム73では、例えば米国特許第7,238,931号明細書及び米国特許出願公開第2007/0288121号明細書などに開示されるエンコーダヘッド(以下、適宜、ヘッドと呼ぶ。)と同様の構成の回折干渉型のヘッドが用いられている。ただし、本実施形態では、ヘッドは、後述するように光源及び受光系(光検出器を含む)が、計測アーム71の外部に配置され、光学系のみが計測アーム71の内部に配置されている。以下、特に必要な場合を除いて、計測アーム71の内部に配置された光学系をヘッドと呼ぶ。
エンコーダシステム73は、微動ステージWFSのX軸方向の位置を計測するXリニアエンコーダ73xと、微動ステージWFSのY軸方向の位置を計測する一対のYリニアエンコーダ73ya,73ybとを含む。Xリニアエンコーダ73xは、グレーティングRGのX回折格子を用いて微動ステージWFSのX軸方向の位置を計測する1つのXヘッド77x(図10(A)及び図10(B)参照)を有し、一対のYリニアエンコーダ73ya,73ybはグレーティングRGのY回折格子を用いてそのY軸方向の位置を計測する一対のYヘッド77ya,77yb(図10(B)参照)を、それぞれ、有している。
ここで、エンコーダシステム73を構成する3つのヘッド77x、77ya、77ybの構成について説明する。図10(A)には、3つのヘッド77x、77ya、77ybを代表して、Xヘッド77xの概略構成が示されている。また、図10(B)には、Xヘッド77x、Yヘッド77ya、77ybそれぞれの計測アーム71(ヘッドユニット77)内での配置が示されている。
図10(A)に示されるように、Xヘッド77xは、その分離面がYZ平面と平行である偏光ビームスプリッタPBS、一対の反射ミラーR1a,R1b、レンズL2a,L2b、四分の一波長板(以下、λ/4板と表記する)WP1a,WP1b、反射ミラーR2a,R2b、及び反射ミラーR3a,R3b等を有し、これらの光学素子が所定の位置関係で配置されている。Yヘッド77ya、77ybも同様の構成の光学系を有している。Xヘッド77x、Yヘッド77ya、77ybそれぞれは、図10(A)及び図10(B)に示されるように、ユニット化されて計測アーム71(ヘッドユニット77)の内部に固定されている。
Xヘッド77x(Xリニアエンコーダ73x)では、計測アーム71の−Y側の端部の上面(又はその上方)に設けられた光源LDx(図10(B)参照)から射出されたレーザビームLBx0が、計測アーム71(前述の空間710)内に配設された送光用光ファイバ76aを介して反射ミラーR3a(図10(A)参照)に導かれる。そして、レーザビームLBx0は、反射ミラーR3aによりその光路が折り曲げられて、偏光ビームスプリッタPBSに入射する。レーザビームLBx0は、偏光ビームスプリッタPBSで偏光分離されて2つの計測ビームLBx1,LBx2となる。偏光ビームスプリッタPBSを透過した計測ビームLBx1は反射ミラーR1aを介して微動ステージWFSに形成されたグレーティングRGに到達し、偏光ビームスプリッタPBSで反射された計測ビームLBx2は反射ミラーR1bを介してグレーティングRGに到達する。なお、ここで「偏光分離」とは、入射ビームをP偏光成分とS偏光成分に分離することを意味する。
計測ビームLBx1,LBx2の照射によってグレーティングRGから発生する所定次数の回折ビーム、例えば1次回折ビームそれぞれは、レンズL2a,L2bを介して、λ/4板WP1a,WP1bにより円偏光に変換された後、反射ミラーR2a,R2bにより反射されて再度λ/4板WP1a,WP1bを通り、往路と同じ光路を逆方向に辿って偏光ビームスプリッタPBSに達する。
偏光ビームスプリッタPBSに達した2つの1次回折ビームは、各々その偏光方向が元の方向に対して90度回転している。このため、先に偏光ビームスプリッタPBSを透過した計測ビームLBx1の1次回折ビームは、偏光ビームスプリッタPBSで反射される。また、先に偏光ビームスプリッタPBSで反射された計測ビームLBx2の1次回折ビームは、偏光ビームスプリッタPBSを透過する。これにより、計測ビームLBx1,LBx2それぞれの1次回折ビームは同軸上に合成ビームLBx12として合成される。合成ビームLBx12は、反射ミラーR3bで反射され、計測アーム71(前述の空間710)内に配設された受光用光ファイバ76bを介して、計測アーム71の−Y側の端部の上面(又はその上方)に設けられたX受光系74xに送光される。
X受光系74xでは、合成ビームLBx12として合成された計測ビームLBx1,LBx2の1次回折ビームが不図示の偏光子(検光子)によって偏光方向が揃えられ、相互に干渉して干渉光となり、この干渉光が不図示の光検出器によって検出され、干渉光の強度に応じた電気信号に変換される。ここで、微動ステージWFSが計測方向(この場合、X軸方向)に移動すると、2つのビーム間の位相差が変化して干渉光の強度が変化する。この干渉光の強度の変化は、微動ステージWFSのX軸方向に関する位置情報として主制御装置50(図6参照)に供給される。
Yヘッド77ya,77ybも、Xヘッド77xと同様に構成されている。Yヘッド77ya、77ybには、それぞれの光源LDya、LDyb(図10(B)参照)から射出されたレーザビームLBya0、LByb0が、送光用光ファイバをそれぞれ介して入射し、前述と同様にして、Yヘッド77ya、77ybから、偏向ビームスプリッタで偏光分離された計測ビームそれぞれのグレーティングRG(のY回折格子)による1次回折ビームの合成ビームLBya12、LByb12が、それぞれ出力され、受光用光ファイバをそれぞれ介してY受光系74ya、74yb(図10(B)参照)に戻される。図10(B)中では、光源LDyaとYヘッド77yaとを接続する送光用光ファイバと、Yヘッド77yaとY受光系74yaとを接続する受光用光ファイバとが重なっており、これら両光ファイバが、符号76cで示されている。同様に、図10(B)中では、光源LDybとYヘッド77ybとを接続する送光用光ファイバと、Yヘッド77ybとY受光系74ybとを接続する受光用光ファイバとが重なっており、これら両光ファイバが、符号76dで示されている。
図11(A)には、計測アーム71の先端部が斜視図にて示されており、図11(B)には、計測アーム71の先端部の上面を+Z方向から見た平面図が示されている。図11(A)及び図11(B)に示されるように、Xヘッド77xは、X軸に平行な直線LX上で計測アーム71のセンターラインCLから等距離にある2点(図11(B)の白丸参照)から、計測ビームLBx1、LBx2(図11(A)中に実線で示されている)を、グレーティングRG上の同一の照射点に照射する(図10(A)参照)。計測ビームLBx1、LBx2の照射点、すなわちXヘッド77xの検出点(図11(B)中の符号DP参照)は、ウエハWに照射される照明光ILの照射領域(露光領域)IAの中心である露光位置に一致している(図1参照)。なお、計測ビームLBx1、LBx2は、実際には、本体部81と空気層との境界面などで屈折するが、図10(A)等では、簡略化して図示されている。
図10(B)に示されるように、一対のYヘッド77ya、77ybそれぞれは、センターラインCLの+X側、−X側に配置されている。
Yヘッド77yaは、Y軸に平行な直線LYa上で直線LXからの距離が等しい2点(図11(B)の白丸参照)から、グレーティングRG上の共通の照射点に図11(A)においてそれぞれ破線で示される計測ビームLBya1,LBya2を照射する。計測ビームLBya1,LBya2の照射点、すなわちYヘッド77yaの検出点が、図11(B)に符号DPyaで示されている。
Yヘッド77ybは、センターラインCLに関して、Yヘッド77yaの計測ビームLBya1,LBya2の射出点に対称な2点(図11(B)の白丸参照)から、計測ビームLByb1,LByb2を、グレーティングRG上の共通の照射点DPybに照射する。図11(B)に示されるように、Yヘッド77ya、77ybそれぞれの検出点DPya、DPybは、X軸に平行な直線LX上に配置される。
ここで、主制御装置50は、微動ステージWFSのY軸方向の位置は、2つのYヘッド77ya、77ybの計測値の平均に基づいて決定する。従って、本実施形態では、微動ステージWFSのY軸方向の位置は、検出点DPya、DPybの中点DPを実質的な計測点として計測される。中点DPは、計測ビームLBx1,LBX2のグレーティングRG上の照射点と一致する。
すなわち、本実施形態では、微動ステージWFSのX軸方向及びY軸方向の位置情報の計測に関して、共通の検出点を有し、この検出点は、ウエハWに照射される照明光ILの照射領域(露光領域)IAの中心である露光位置に一致する。従って、本実施形態では、主制御装置50は、エンコーダシステム73を用いることで、微動ステージWFS上に載置されたウエハWの所定のショット領域にレチクルRのパターンを転写する際、微動ステージWFSのXY平面内の位置情報の計測を、常に露光位置の直下(微動ステージWFSの裏面側)で行うことができる。また、主制御装置50は、一対のYヘッド77ya、77ybの計測値の差に基づいて、微動ステージWFSのθz方向の回転量を計測する。
レーザ干渉計システム75は、図11(A)に示されるように、3本の測長ビームLBz1、LBz2、LBz3を計測アーム71の先端部(ヘッドユニット77)から、微動ステージWFSの下面に入射させる。レーザ干渉計システム75は、これら3本の測長ビームLBz1、LBz2、LBz3それぞれを照射する3つのレーザ干渉計75a〜75c(図6参照)を備えている。
レーザ干渉計システム75では、3本の測長ビームLBz1、LBz2、LBz3は、図11(A)及び図11(B)に示されるように、計測アーム71の上面上の同一直線上に無い3点それぞれから、Z軸に平行に射出される。ここで、3本の測長ビームLBz1、LBz2、LBz3は、図11(B)に示されるように、その重心が、照射領域(露光領域)IAの中心である露光位置に一致する、二等辺三角形(又は正三角形)の各頂点に相当する3点から、それぞれ射出される。この場合、測長ビームLBz3の射出点(照射点)はセンターラインCL上に位置し、残りの測長ビームLBz1、LBz2の射出点(照射点)は、センターラインCLから等距離にある。本実施形態では、主制御装置50は、レーザ干渉計システム75を用いて、微動ステージWFSのZ軸方向の位置、θx方向及びθy方向の回転量の情報を計測する。なお、レーザ干渉計75a〜75cは、計測アーム71の−Y側の端部の上面(又はその上方)に設けられている。レーザ干渉計75a〜75cから−Z方向に射出された測長ビームLBz1、LBz2、LBz3は、送受光用の光ファイバ(不図示)を介してヘッドユニット77に導かれ、上述の3点から射出される。
本実施形態では、微動ステージWFSの下面に、エンコーダシステム73からの各計測ビームを透過させ、レーザ干渉計システム75からの各測長ビームの透過を阻止する、波長選択フィルタ(図示省略)が設けられている。この場合、波長選択フィルタは、レーザ干渉計システム75からの各測長ビームの反射面をも兼ねる。波長選択フィルタとして、波長選択性を有する薄膜などが用いられ、本実施形態では、波長選択フィルタは、例えば透明板(本体部81)の一面に設けられ、グレーティングRGはその一面に対してウエハホルダ側に配置される。
以上の説明からわかるように、主制御装置50は、微動ステージ位置計測系70のエンコーダシステム73及びレーザ干渉計システム75を用いることで、微動ステージWFSの6自由度方向の位置を計測することができる。この場合、エンコーダシステム73では、計測ビームの空気中での光路長が極短くかつほぼ等しいため、空気揺らぎの影響が殆ど無視できる。従って、エンコーダシステム73により、微動ステージWFSのXY平面内(θz方向も含む)の位置情報を高精度に計測できる。また、エンコーダシステム73によるX軸方向、及びY軸方向の実質的なグレーティング上の検出点、及びレーザ干渉計システム75によるZ軸方向の微動ステージWFS下面上の検出点は、それぞれ露光領域IAの中心(露光位置)にXY平面内で一致するので、検出点と露光位置とのXY平面内のずれに起因するいわゆるアッベ誤差の発生が実質的に無視できる程度に抑制される。従って、主制御装置50は、微動ステージ位置計測系70を用いることで、検出点と露光位置とのXY平面内のずれに起因するアッベ誤差なく、微動ステージWFSのX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の位置を高精度に計測できる。
本実施形態に係る露光装置100では、計測アーム71の曲がりに伴う先端の変位による微動ステージ位置計測系70(エンコーダシステム73及びレーザ干渉計システム75)の計測誤差の補正(先端変位補償)が行われる。先端変位補償では、前述の歪センサ22及び加速度センサ23,24の測定結果を用いて、微動ステージWFSの6自由度方向の位置、特にX軸方向及びZ軸方向の位置(X,Z)の計測値を補正する。
歪センサ22(歪ゲージ221,222,223,224)の測定結果を用いた微動ステージWFSのX軸及びZ軸方向の位置補正について説明する。ただし、計測アーム71の曲がり(振動)として1次の振動モードを考える。
図12には、計測アーム71(アーム部71a1)の胴部がX軸方向に曲げられた状態が模式的に示されている。歪ゲージ221,222の測定結果(Y軸方向に関する側壁の歪)をそれぞれε1,ε2、歪ゲージ221,222の長さをl、歪ゲージ221,222(計測アーム71の側壁)のX軸方向の離間距離をH、X軸方向の曲げの角度をθ、計測アーム71(アーム部71a1)の長さをLとする。なお、計測アーム71(アーム部71a1)の長さは、アーム部71a1と中間部71a2との接続部からヘッドユニット77の中心(検出点DP)までの距離である。測定結果ε1,ε2より、計測アーム71の曲がりsinθ=(ε1−ε2)l/Hと求められる。従って、計測アーム71の先端(ヘッドユニット77の中心(検出点DP))のX軸方向の変位ΔX=Lsinθと求められる。
同様に、歪ゲージ223,224の測定結果(Y軸方向に関するカバー71bと底壁の歪)をそれぞれε3,ε4、歪ゲージ223,224の長さをl、歪ゲージ223,224(カバー71bと計測アーム71の底壁)のZ軸方向の離間距離をD、Z軸方向の曲げの角度をφとする。測定結果ε1,ε2より、計測アーム71の曲がりsinφ=(ε3−ε4)l/Dと求められる。従って、計測アーム71の先端(ヘッドユニット77の中心(検出点DP))のZ軸方向の変位ΔZ=Lsinφと求められる。
上述の手続により、計測アーム71の先端の変位が0.01nmのオーダーで精密に求められる。
なお、変位ΔX(ΔZ)は歪ゲージ221,222(223,224)の測定結果の差ε1−ε2(ε3−ε4)に比例することから、比例係数kx(kz)を用いてΔX=kx(ε1−ε2)(ΔZ=kz(ε3−ε4))と求めることとしてもよい。ただし、比例係数kx(kz)は、予め経験的に(実測又はシミュレーションにより)求めることとする。
なお、計測アーム71のY軸方向の伸縮が無視できる場合、歪ゲージ221,222の測定結果(ε1=−ε2)の一方のみから計測アーム71のX軸方向の曲がりsinθ=2ε1l/H=−2ε2l/Hと求めることができる。或いは、比例係数kx1,kx2を用いて、経験的にΔX=kx1ε1=kx2ε2と求めることとしてもよい。同様に、歪ゲージ223,224の測定結果(ε3=−ε4)の一方のみから計測アーム71のZ軸方向の曲がりsinφ=2ε3l/D=−2ε4l/Dと求めることができる。或いは、比例係数kx3,kx4を用いて、経験的にΔZ=kx3ε3=kx4ε4と求めることとしてもよい。
また、歪ゲージをY軸方向に複数配置することとしてもよい。係る場合、例えば、i番目の歪ケージの測定結果をεiと表記すると、変位ΔX=Σikxiεiと表すことができる。ここで、kxiは比例係数である。また、複数の歪ゲージを用いることで高次の曲げ(振動)モードを考慮することができる。係る場合、変位ΔX=Σinkxinεi nと表すことができる。ここで、kxinは比例係数である。比例係数kxi又はkxinを予め経験的に求めておくこととする。変位ΔZについても同様である。
処理器(不図示)は、上述の通り、歪センサ22の測定結果を用いて検出点DPの変位ΔX,ΔZを求め、その結果を信号処理装置160に供給する。信号処理装置160は、先述の通り、歪センサ22の測定結果と加速度センサ23,24の測定結果を合成して、ハイブリッド信号として主制御装置50に供給する(図6参照)。主制御装置50は、得られた検出点DPの変位ΔX,ΔZを微動ステージ位置計測系70の計測結果X,Zにオフセットとして加算する。
なお、参照アーム20はその構成より十分高い剛性を有し、その固有振動数は十分に高くなることから、計測アーム71の例えば200Hz以下の低周波帯域の振動に対して十分な計測精度(0.01nmあるいはそれ以下)が得られることが期待される。また、先端変位補償における比例係数kx,kzが、十分な計測精度を得るために必要な例えばシミュレーション等により求められた範囲の値(例えば3〜4程度の値)になるよう、参照アーム20の構成、配置を調整することとすれば良い。
上述のようにして構成された本実施形態に係る露光装置100では、デバイスの製造に際し、まず、主制御装置50により、ウエハアライメント系ALGを用いて、微動ステージWFSの計測プレート86上の第2基準マークが検出される。次いで、主制御装置50により、ウエハアライメント系ALGを用いてウエハアライメント(例えば米国特許第4,780,617号明細書などに開示されるエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)など)などが行われる。なお、本実施形態の露光装置100では、ウエハアライメント系ALGは、投影ユニットPUからY軸方向に離間して配置されているので、ウエハアライメントを行う際、微動ステージ位置計測系70のエンコーダシステム(計測アーム)による微動ステージWFSの位置計測ができない。そこで、前述したウエハステージ位置計測系16と同様のレーザ干渉計システム(不図示)を介してウエハW(微動ステージWFS)の位置を計測しながらウエハのアライメントを行うものとする。また、ウエハアライメント系ALGと投影ユニットPUとが離間しているので、主制御装置50は、ウエハアライメントの結果得られたウエハW上の各ショット領域の配列座標を、第2基準マークを基準とする配列座標に変換する。
そして、主制御装置50は、露光開始に先立って、前述の一対のレチクルアライメント系RA1,RA2、及び微動ステージWFSの計測プレート86上の一対の第1基準マークなどを用いて、通常のスキャニング・ステッパと同様の手順(例えば、米国特許第5,646,413号明細書などに開示される手順)で、レチクルアライメントを行う。そして、主制御装置50は、レチクルアライメントの結果と、ウエハアライメントの結果(ウエハW上の各ショット領域の第2基準マークを基準とする配列座標)とに基づいて、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作を行い、ウエハW上の複数のショット領域にレチクルRのパターンをそれぞれ転写する。この露光動作は、前述したレチクルステージRSTとウエハステージWSTとの同期移動を行う走査露光動作と、ウエハステージWSTをショット領域の露光のための加速開始位置に移動するショット間移動(ステッピング)動作とを交互に繰り返すことで行われる。この場合、液浸露光による走査露光が行われる。本実施形態に係る露光装置100では、上述の一連の露光動作中、主制御装置50により、微動ステージ位置計測系70を用いて、微動ステージWFS(ウエハW)の位置が計測され、エンコーダシステム73の各エンコーダの計測値が、上述したようにして補正され、その補正後のエンコーダシステム73の各エンコーダの計測値に基づいてウエハWのXY平面内の位置が制御される。また、露光中のウエハWのフォーカス・レベリング制御は、前述の如く、主制御装置50により、多点AF系AFの計測結果に基づいて行われる。
なお、上述の走査露光動作時は、ウエハWをY軸方向に高加速度で走査する必要があるが、本実施形態の露光装置100では、主制御装置50は、走査露光動作時には、図13(A)に示されるように、原則的に粗動ステージWCSを駆動せず、微動ステージWFSのみをY軸方向に(必要に応じて他の5自由度方向にも併せて)駆動する(図13(A)の黒塗り矢印参照)ことで、ウエハWをY軸方向に走査する。これは、粗動ステージWCSを駆動する場合に比べ、微動ステージWFSのみを動かす方が駆動対象の重量が軽い分、高加速度でウエハWを駆動できて有利だからである。また、前述のように、微動ステージ位置計測系70は、その位置計測精度がウエハステージ位置計測系16よりも高いので、走査露光時には微動ステージWFSを駆動した方が有利である。なお、この走査露光時には、微動ステージWFSの駆動による反力(図13(A)の白抜き矢印参照)の作用により、粗動ステージWCSが微動ステージWFSと反対側に駆動される。すなわち、粗動ステージWCSがカウンタマスとして機能し、ウエハステージWSTの全体から成る系の運動量が保存され、重心移動が生じないので、微動ステージWFSの走査駆動によってベース盤12に偏荷重が作用するなどの不都合が生じることがない。
一方、X軸方向にショット間移動(ステッピング)動作を行う際には、微動ステージWFSのX軸方向への移動可能量が少ないことから、主制御装置50は、図13(B)に示されるように、粗動ステージWCSをX軸方向に駆動することによって、ウエハWをX軸方向に移動させる。
以上説明したように、本実施形態に係る露光装置100によると、計測アーム71に設けられた歪センサ22及び/又は加速度センサ23,24によりそれぞれ計測アーム71の歪及び加速度が測定され、それらの測定結果から計測アーム71の先端の変位が求められ、その結果を用いて微動ステージ位置計測系70による微動ステージWFSの位置(特に、X軸及びZ軸方向の位置)の計測値が補正される。これにより、片持ち梁状の計測アーム71に空気圧等が外力(計測アーム71を曲げる又は撓ませる力)として作用し、ヘッドユニット77が設けられた計測アーム71の先端が微小変位しても、それに伴う計測誤差の無い高精度な微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)の位置情報の計測、及びその計測結果に基づく、高精度な位置の制御が可能となり、ひいては微動ステージWFSに保持されたウエハWに対する高精度な露光が可能になる。
なお、ウエハステージWSTの移動に伴う空気圧等が外部から加わらないように、例えば、計測アーム71の外側にカバーを設置することとしてもよい。図14には、外部カバー25が設置された計測アーム71が斜視図により示されている。ここで、外部カバー25の内側に位置する計測アーム71が細線を用いて、支持部材72及び外部カバー25を固定するための支持部材720の背部が点線を用いて、示されている。また、図15(A)及び図15(B)には、それぞれ、外部カバー25を取り付けた計測アーム71を示す縦断面図及び横断面図が示されている。
外部カバー25は、軽量で高剛性の素材を用いて、その内側に計測アーム71を接触することなく収容可能なシェル状の形状に構成されている。外部カバー25の先端上部には、計測アーム71を収容した状態でヘッドユニット77の上方(+Z側)に位置するカバーガラス251が設けられている。カバーガラス251の厚みは例えば0.5mm以下と薄く、これにより、外部カバー25が動くことによってカバーガラス251を透過するヘッドユニット77からの計測ビームの光路長が変化することはほとんどない。外部カバー25の基端上部は支持部材72の下端を通すために開放され、基端側部には外部カバー25を支持部材72に固定するための接続部250が設けられている。ここで、支持部材72には、平面視コの字状の支持部材720が支持部材72を−Y側から収容した状態で固定されている。その支持部材720の底面に接続部250を固定することで、外部カバー25が、計測アーム71に接触することなく支持部材72に固定される。
外部カバー25には、その基端側を除いて、孔等、僅かな開口もなく構成されている。これにより、ウエハステージWSTの移動に伴う空気圧等が外部カバー25内に入り、計測アーム71に外力が加わることはない。なお、外部カバー25は、計測アーム71に接触することなくこれをカバーすることができれば支持部材72,720に限らず、他の部材に固定してもよい。
なお、上記実施形態では、エンコーダシステム73が、Xヘッドと一対のYヘッドを備える場合について例示したが、これに限らず、例えばX軸方向及びY軸方向の2方向を計測方向とする2次元ヘッド(2Dヘッド)を、1つ又は2つ設けても良い。2Dヘッドを2つ設ける場合には、それらの検出点がグレーティング上で露光位置を中心として、X軸方向に同一距離離れた2点になるようにしても良い。
また、微動ステージ位置計測系70は、レーザ干渉計システム75を備えることなく、エンコーダシステム73のみで微動ステージの6自由度方向に関する位置情報を計測できるようにしても良い。この場合、例えばX軸方向及びY軸方向の少なくとも一方とZ軸方向に関する位置情報を計測可能なエンコーダを用いることができる。この場合のエンコーダとしては、例えば米国特許第7,561,280号明細書に開示される変異計測センサヘッドシステムを用いることができる。そして、例えば、2次元のグレーティングRG上の同一直線上に無い3つの計測点に、X軸方向とZ軸方向に関する位置情報を計測可能なエンコーダ(上記変異計測センサヘッドシステムなど)と、Y軸方向とZ軸方向に関する位置情報を計測可能なエンコーダ(上記変異計測センサヘッドシステムなど)とを含む合計3つのエンコーダから計測ビームを照射し、グレーティングRGからのそれぞれの戻り光を受光することで、グレーティングRGが設けられた移動体の6自由度方向の位置情報を計測することとすることができる。かかる場合、レーザ干渉計システム75は不要となる。また、エンコーダシステム73の構成は上記実施形態に限られない。例えばX軸、Y軸及びZ軸の各方向に関する位置情報を計測可能な3次元ヘッド(3Dヘッド)を用いても良い。3Dヘッドとしては、例えば、X軸方向及びZ軸方向を計測方向とする上記変異計測センサヘッドシステムと、Y軸方向及びZ軸方向を計測方向とする上記変異計測センサヘッドシステムとを、それぞれの計測点(検出点)が同一点となり、かつX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の計測が可能となるように組み合わせて構成した3Dヘッドを用いることができる。この場合において、3Dヘッドの検出点は、ウエハWに照射される照明光ILの照射領域(露光領域)IAの中心である露光位置の真下に位置させることが好ましい。
また、上記実施形態では、微動ステージの上面、すなわちウエハに対向する面にグレーティングが配置されているものとしたが、これに限らず、グレーティングRGは、ウエハWを保持するウエハホルダWHの下面に形成されていても良い。この場合、露光中にウエハホルダWHが膨張したり、微動ステージWFSに対する装着位置がずれたりした場合であっても、これに追従してウエハホルダ(ウエハ)の位置を計測することができる。グレーティングRGは、ウエハホルダWHの下面に固定されていても良い。この場合、グレーティングRGが固定又は形成される透明板の一面をウエハホルダの裏面に接触又は近接して配置しても良い。
また、グレーティングRGは、微動ステージの下面に配置されていても良く、この場合、セラミックスなどの不透明な部材にグレーティングRGを固定又は形成しても良い。また、この場合、エンコーダヘッドから照射される計測ビームが微動ステージの内部を進行しないので、微動ステージを光が透過可能な中実部材とする必要がなく、微動ステージを中空構造にして内部に配管、配線等を配置することができ、微動ステージを軽量化できる。この場合、グレーティングRGの表面に保護部材(カバーガラス)を設けても良い。あるいは、従来の微動ステージにウエハホルダとグレーティングRGを保持するだけでも良い。また、ウエハホルダを、中実のガラス部材によって形成し、該ガラス部材の上面(ウエハ載置面)にグレーティングRGを配置しても良い。
また、上記実施形態では、微動ステージ位置計測系70が、内部に送光用の光ファイバ、受光用の光ファイバ、及び送受光用の光ファイバなどが配設された中空の計測アーム71を備える場合を説明したが、これに限らず、計測アーム71は、少なくとも前述の各レーザビームが進行する部分が、光を透過可能であれば、その構成は特に問わない。
また、例えば計測アームとしては、グレーティングに対向する部分から計測ビームを照射できれば、例えば計測アームの先端部(ヘッドユニット77)に光源や光検出器等を内蔵していても良い。この場合、計測アーム71の内部に光ファイバ等を配置したり、計測アーム71の内部をエンコーダの計測ビームを進行させたりする必要は無い。さらに、計測アームは、その形状は特に問わない。
なお、上記実施形態において、微動ステージ位置計測系70に加えて、微動ステージWFSの位置情報を計測する干渉計システムを備えることとしても良い。また、ウエハテーブル(ウエハステージ)上にグレーティングを設け、これに対向してエンコーダヘッドをウエハステージの上方に配置する構成のエンコーダシステム、又は例えば米国特許出願公開第2006/0227309号明細書などに開示されるように、ウエハテーブル(ウエハステージ)にエンコーダヘッドを設け、これに対向してウエハステージの上方にグレーティングを配置する構成のエンコーダシステムを備えることとしても良い。
なお、上記実施形態では、レーザ干渉計システム(不図示)を介してウエハW(微動ステージWFS)の位置を計測しながらウエハのアライメントを行うものとしたが、これに限らず、上述した微動ステージ位置計測系70の計測アーム71と同様の構成の計測アームを含む第2の微動ステージ位置計測系をウエハアライメント系ALGの近傍に設け、これを用いてウエハアライメント時における微動ステージのXY平面内の位置計測を行うものとしても良い。
なお、上記実施形態では、微動ステージを、粗動ステージに対して移動可能に支持すると共に、6自由度方向に駆動する微動ステージ駆動系52を構成する一対の駆動部として、コイルユニットを一対の磁石ユニットで上下から挟み込むサンドイッチ構造が採用される場合について例示した。しかし、これに限らず、一対の駆動部は、磁石ユニットを一対のコイルユニットで上下から挟み込む構造であっても良いし、サンドイッチ構造でなくても良い。また、コイルユニットを微動ステージに配置し、磁石ユニットを粗動ステージに配置しても良い。
また、上記実施形態では、微動ステージ駆動系52により、微動ステージを、6自由度方向に駆動するものとしたが、必ずしも6自由度に駆動できなくても良い。
なお、上記実施形態では、微動ステージWFSは、ローレンツ力(電磁力)の作用により粗動ステージWCSに非接触支持されたが、これに限らず、例えば微動ステージWFSに真空予圧空気静圧軸受等を設けて、粗動ステージWCSに対して浮上支持しても良い。また、微動ステージ駆動系52は、上述したムービングマグネット型のものに限らず、ムービングコイル型のものであっても良い。さらに微動ステージWFSは、粗動ステージWCSに接触支持されていても良い。従って、微動ステージWFSを粗動ステージWCSに対して駆動する微動ステージ駆動系52としては、例えばロータリモータとボールねじ(又は送りねじ)とを組み合わせたものであっても良い。
また、上記実施形態では、露光装置が液浸型の露光装置である場合について説明したが、これに限られるものではなく、液体(水)を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプの露光装置にも上記実施形態は好適に適用することができる。
また、上記実施形態では、露光装置が、スキャニング・ステッパである場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。ステッパなどであっても、露光対象の物体が搭載されたステージの位置をエンコーダで計測することにより、干渉計を用いてこのステージの位置を計測する場合と異なり、空気揺らぎに起因する位置計測誤差の発生を殆ど零にすることができ、エンコーダの計測値に基づいて、ステージを高精度に位置制御することが可能になり、結果的に高精度なレチクルパターンの物体上への転写が可能になる。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置にも上記実施形態は適用することができる。
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、この投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。
また、照明光ILは、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)に限らず、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光として、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を用いるEUV露光装置に上記実施形態を適用することができる。その他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、上記実施形態は適用できる。
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。かかる可変成形マスクを用いる場合には、ウエハ又はガラスプレート等が搭載されるステージが、可変成形マスクに対して走査されるので、このステージの位置をエンコーダシステム及びレーザ干渉計システムを用いて計測することで、上記実施形態と同等の効果を得ることができる。
また、例えば国際公開第2001/035168号に開示されているように、干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも上記実施形態を適用することができる。
さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。
なお、本発明に係る計測システムは、露光装置に限らず、その他の基板の処理装置(例えば、レーザリペア装置、基板検査装置その他)、あるいはその他の精密機械における試料の位置決め装置、ワイヤーボンディング装置等の移動ステージを備えた装置にも広く適用できる。
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置(パターン形成装置)及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
22…歪センサ、23,24…加速度センサ、50…主制御装置、70…微動ステージ位置計測系、71…計測アーム、73…エンコーダシステム、77…ヘッドユニット、77x…Xヘッド、77ya,77yb…Yヘッド、IL…照明光、W…ウエハ、WCS…粗動ステージ、WFS…微動ステージ、WST…ウエハステージ、RG…グレーティング。
Claims (16)
- 移動体の位置を計測する計測システムであって、
前記移動体に設けられた計測面に光を照射し、前記計測面からの光を受光する光学部材が自由端に設けられた片持ち梁状のアーム部材と、
前記アーム部材の歪を測定する歪センサと、
前記光学部材を用いて計測された前記移動体の位置を、前記歪センサの測定結果を用いて補正する制御装置と、
を備える計測システム。 - 前記歪センサは、前記アーム部材の固定端近傍に少なくとも1つ配置される、請求項1に記載の計測システム。
- 前記歪センサは、前記アーム部材の長手方向に交差する方向の一側の側面と他側の側面とのそれぞれに配置される、請求項1又は2に記載の計測システム。
- 前記制御装置は、前記歪センサの測定結果から求められた前記アーム部材の前記自由端の前記交差する方向に関する変位を用いて、前記移動体の前記アーム部材の長手方向に交差する方向に関する位置の計測結果を補正する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記アーム部材の加速度を測定する加速度センサをさらに備え、
前記制御装置は、前記移動体の位置の計測結果を、前記加速度センサの測定結果を用いて補正する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の計測システム。 - 前記加速度センサは、前記アーム部材の前記自由端近傍に配置される、請求項5に記載の計測システム。
- 前記加速度センサは、前記アーム部材の長手方向に交差する方向に関する加速度を測定し、
前記制御装置は、前記加速度センサの測定結果から求められた前記アーム部材の前記自由端の前記交差する方向に関する変位を用いて前記移動体の前記アーム部材の長手方向に交差する方向に関する位置の計測結果を補正する、請求項5又は6に記載の計測システム。 - 前記アーム部材の振動周波数が基準周波数以下の場合に前記歪センサの測定結果を用い、前記振動周波数が前記基準周波数以上の場合に前記加速度センサの測定結果を用いて、前記移動体の位置の計測結果を補正する、請求項5〜7のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記歪センサの測定結果を前記基準周波数以下の周波数帯で通すローパスフィルタと前記加速度センサの測定結果を前記基準周波数以上の周波数帯で通すハイパスフィルタとを用いて、前記歪センサの測定結果と前記加速度センサの測定結果とを合成する合成器をさらに備え、該合成器からの出力を用いて前記移動体の位置の計測結果を補正する、請求項8に記載の計測システム。
- 前記移動体が保持する物体上にエネルギビームを照射する光学系の加速度を測定する別の加速度センサをさらに備え、
前記制御装置は、前記移動体の位置の計測結果を、前記別の加速度センサの測定結果をさらに用いて補正する、請求項5〜9のいずれか一項に記載の計測システム。 - 前記別の加速度センサは、前記光学系の位置を測定する位置測定器の近傍に配置される、請求項10に記載の計測システム。
- 前記別の加速度センサの測定結果から前記光学系の変位を求め、該変位からの前記加速度センサの測定結果から求められる前記アーム部材の前記自由端の変位の差を用いて、前記移動体の位置の計測結果を補正する、請求項10又は11に記載の計測システム。
- 前記計測面には、グレーティングが形成される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記移動体は、前記移動面に平行な一軸方向に延びる空間部を有し、
前記アーム部材の前記自由端は、前記空間部内に配置される、請求項1〜13のいずれか一項に記載の計測システム。 - エネルギビームを照射して物体上にパターンを形成する露光装置であって、
物体を保持して移動する移動体と、
請求項1〜14のいずれか一項に記載の計測システムと、
前記計測システムの計測結果に従って前記移動体を駆動する制御系と、
を備える露光装置。 - 請求項15に記載の露光装置を用いて、物体上にパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記物体を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
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WO2017057539A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法 |
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