TW202211356A - 執行裝置及執行方法 - Google Patents

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杉田吉平
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

例示性實施方式之執行裝置具備動作裝置、第1加速度感測器、第2加速度感測器、及控制裝置。動作裝置執行規定之動作。第1加速度感測器檢測沿著水平方向之第1方向上之加速度。第2加速度感測器檢測沿著水平方向之與第1方向交叉之第2方向上之加速度。控制裝置基於第1加速度感測器及第2加速度感測器之輸出值，識別半導體製造裝置內之執行裝置之搬送位置。控制裝置於識別出執行裝置被搬送至規定之位置時，使動作裝置執行規定之動作。

Description

執行裝置及執行方法
本發明之例示性實施方式係關於一種執行裝置及執行方法。
日本專利特開2017-183683號公報中記載有執行測定靜電電容之動作之測定器。該測定器具備基底基板、第1感測器、第2感測器、及電路基板。第1感測器具有沿著基底基板之邊沿設置之第1電極。第2感測器具有固定於基底基板上之第2電極。電路基板搭載於基底基板上，連接於第1感測器及第2感測器。電路基板對第1電極及第2電極賦予高頻信號，根據第1電極中之電壓振幅獲取與靜電電容對應之第1測定值，根據第2電極中之電壓振幅獲取與靜電電容對應之第2測定值。
於一例示性實施方式中，提供一種執行裝置，其由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送而執行規定之動作。執行裝置具備動作裝置、第1加速度感測器、第2加速度感測器、及控制裝置。動作裝置係用以執行規定之動作之裝置。第1加速度感測器檢測沿著水平方向之第1方向上之加速度。第2加速度感測器檢測沿著水平方向之與第1方向交叉之第2方向上之加速度。控制裝置基於第1加速度感測器及第2加速度感測器之輸出值，識別半導體製造裝置內之執行裝置之搬送位置。控制裝置於識別出執行裝置被搬送至規定之位置時，使動作裝置執行規定之動作。
以下，對各種例示性實施方式進行說明。
於一例示性實施方式中，提供一種執行裝置，其由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送而執行規定之動作。執行裝置具備動作裝置、第1加速度感測器、第2加速度感測器、及控制裝置。動作裝置係用以執行規定之動作之裝置。第1加速度感測器檢測沿著水平方向之第1方向上之加速度。第2加速度感測器檢測沿著水平方向之與第1方向交叉之第2方向上之加速度。控制裝置基於第1加速度感測器及第2加速度感測器之輸出值，識別半導體製造裝置內之執行裝置之搬送位置。控制裝置於識別出執行裝置被搬送至規定之位置時，使動作裝置執行規定之動作。
於上述實施方式之執行裝置中，藉由設置於執行裝置之第1加速度感測器及第2加速度感測器，檢測施加至執行裝置之水平方向之加速度。因此，藉由基於第1加速度感測器及第2加速度感測器之輸出值對搬送狀態進行特定，可識別執行裝置之搬送位置。於識別出執行裝置被搬送至規定之位置時，以使動作裝置執行規定之動作之方式進行控制，藉此可於所期望之位置自動地執行規定之動作。
於一例示性實施方式中，控制裝置亦可記憶製程參數資訊，該製程參數資訊表示施加至由搬送裝置搬送之執行裝置之加速度之資訊與搬送位置之資訊之關係。控制裝置亦可參照製程參數資訊，並根據自第1加速度感測器及第2加速度感測器之輸出值導出之加速度來識別搬送位置。
於一例示性實施方式中，動作裝置包含發出互不相同之波長之光之複數個光源，規定之動作亦可為複數個光源之發光。
於另一例示性實施方式中，提供一種執行方法，其使由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送之執行裝置執行規定之動作。該方法具備如下工序，即，獲取沿著水平方向之第1方向及與第1方向交叉之沿著水平方向之第2方向上之執行裝置之加速度。該方法具備如下工序，即，基於加速度識別半導體製造裝置內之執行裝置之搬送位置。該方法具備如下工序，即，於識別出執行裝置被搬送至規定之位置時使執行裝置執行規定之動作。
於一例示性實施方式中，識別搬送位置之工序亦可包含參照製程參數資訊之步驟，該製程參數資訊表示施加至由搬送裝置搬送之執行裝置之加速度之資訊與搬送位置之資訊之關係。
於一例示性實施方式中，執行規定之動作之工序亦可包含藉由複數個光源發出互不相同之波長之光的步驟。
以下，參照圖式對各種實施方式詳細地進行說明。再者，於各圖式中對相同或相當之部分標註相同之符號。
一例示性實施方式之執行裝置，可藉由具有作為半導體製造裝置S1之功能之處理系統1搬送。首先，對如下處理系統進行說明，該處理系統具有用以處理被加工物之處理裝置、及用以對該處理裝置搬送被加工物之搬送裝置。圖1係例示處理系統之圖。處理系統1具備台2a～2d、容器4a～4d、裝載模組LM、對準器AN、裝載閉鎖模組LL1、LL2、製程模組PM1～PM6、轉移模組TF、及控制部MC。再者，台2a～2d之個數、容器4a～4d之個數、裝載閉鎖模組LL1、LL2之個數、及製程模組PM1～PM6之個數並不限定，可為一個以上之任意個數。
台2a～2d沿著裝載模組LM之一緣排列。容器4a～4d分別搭載於台2a～2d上。容器4a～4d例如分別為被稱作FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)之容器。容器4a～4d分別可構成為收容被加工物W。被加工物W如晶圓般具有大致圓盤形狀。
裝載模組LM具有於其內部劃分形成大氣壓狀態之搬送空間之腔室壁。於該搬送空間內設置有搬送裝置TU1。搬送裝置TU1例如為多關節機器人，藉由控制部MC控制。搬送裝置TU1構成為於容器4a～4d與對準器AN之間、對準器AN與裝載閉鎖模組LL1～LL2之間、裝載閉鎖模組LL1～LL2與容器4a～4d之間搬送被加工物W。
對準器AN與裝載模組LM連接。對準器AN構成為進行被加工物W之位置之調整(位置校準)。圖2係例示對準器之立體圖。對準器AN具有支持台6T、驅動裝置6D、及感測器6S。支持台6T為能夠繞沿著鉛直方向延伸之軸線中心旋轉之台。支持台6T構成為支持被加工物W。支持台6T藉由驅動裝置6D旋轉。驅動裝置6D藉由控制部MC控制。當支持台6T藉由來自驅動裝置6D之動力而旋轉時，載置於該支持台6T上之被加工物W亦旋轉。
感測器6S為光學感測器。感測器6S於被加工物W旋轉之期間，檢測被加工物W之邊沿。感測器6S根據邊沿之檢測結果，檢測被加工物W之凹口WN(或者其他標記)之角度位置相對於基準角度位置之偏移量、及被加工物W之中心位置相對於基準位置之偏移量。感測器6S將凹口WN之角度位置之偏移量及被加工物W之中心位置之偏移量輸出至控制部MC。控制部MC基於凹口WN之角度位置之偏移量，算出用以將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置之支持台6T之旋轉量。控制部MC以使支持台6T僅旋轉該旋轉量之方式控制驅動裝置6D。藉此，可將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置。又，控制部MC基於被加工物W之中心位置之偏移量，控制自對準器AN接收被加工物W時之搬送裝置TU1之末端效應器(end effector)之位置。藉此，被加工物W之中心位置與搬送裝置TU1之末端效應器上之規定位置一致。
返回至圖1，裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2之各者設置於裝載模組LM與轉移模組TF之間。裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2之各者提供預減壓室。
轉移模組TF經由閘閥氣密地連接於裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2。轉移模組TF提供能夠減壓之減壓室。於該減壓室設置有搬送裝置TU2。搬送裝置TU2例如為具有搬送臂TUa之多關節機器人。搬送裝置TU2藉由控制部MC控制。搬送裝置TU2構成為於裝載閉鎖模組LL1～LL2與製程模組PM1～PM6之間、及製程模組PM1～PM6中任意兩個製程模組間搬送被加工物W。
製程模組PM1～PM6經由閘閥氣密地連接於轉移模組TF。製程模組PM1～PM6之各者為處理裝置，其構成為對被加工物W進行電漿處理等專用處理。
對於該處理系統1中進行被加工物W之處理時之一系列動作例示如下。裝載模組LM之搬送裝置TU1自容器4a～4d之任一者取出被加工物W，將該被加工物W搬送至對準器AN。繼而，搬送裝置TU1將其位置經調整之被加工物W自對準器AN取出，並將該被加工物W搬送至裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2中之一裝載閉鎖模組。繼而，一裝載閉鎖模組將預減壓室之壓力減壓為規定之壓力。繼而，轉移模組TF之搬送裝置TU2自一裝載閉鎖模組取出被加工物W，並將該被加工物W搬送至製程模組PM1～PM6中之任一者。然後，製程模組PM1～PM6中之一個以上之製程模組對被加工物W進行處理。然後，搬送裝置TU2將處理後之被加工物W自製程模組搬送至裝載閉鎖模組LL1及裝載閉鎖模組LL2中之一裝載閉鎖模組。繼而，搬送裝置TU1將被加工物W自一裝載閉鎖模組搬送至容器4a～4d之任一者。
該處理系統1如上所述具備控制部MC。控制部MC可為具備處理器、記憶體等記憶裝置、顯示裝置、輸入輸出裝置、通信裝置等之電腦。上述處理系統1之一系列動作藉由由控制部MC依照記憶於記憶裝置之程式而控制處理系統1之各部來實現。
圖3係表示可用作製程模組PM1～PM6之任一者之電漿處理裝置之一例的圖。圖3所示之電漿處理裝置10為電容耦合型電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置10具備大致圓筒形狀之腔室本體12。腔室本體12例如由鋁形成，可對其內壁面實施陽極氧化處理。該腔室本體12安全接地。
於腔室本體12之底部上設置有大致圓筒形狀之支持部14。支持部14例如由絕緣材料構成。支持部14設置於腔室本體12內。支持部14自腔室本體12之底部向上方延伸。又，於藉由腔室本體12提供之腔室S內設置有載台ST。載台ST藉由支持部14支持。
載台ST具有下部電極LE及靜電吸盤ESC。下部電極LE包含第1板18a及第2板18b。第1板18a及第2板18b例如由鋁等金屬構成，呈大致圓盤形狀。第2板18b設置於第1板18a上，電性連接於第1板18a。
於第2板18b上設置有靜電吸盤ESC。靜電吸盤ESC具有將作為導電膜之電極配置於一對絕緣層或絕緣片間之構造，具有大致圓盤形狀。於靜電吸盤ESC之電極，經由開關23電性連接有直流電源22。該靜電吸盤ESC藉由利用來自直流電源22之直流電壓產生之庫侖力等靜電力而吸附被加工物W。藉此，靜電吸盤ESC可保持被加工物W。
於第2板18b之周緣部上設置有聚焦環FR。該聚焦環FR以包圍被加工物W之邊緣及靜電吸盤ESC之方式設置。該聚焦環FR可由矽、碳化矽、氧化矽等各種材料中之任一種形成。
於第2板18b之內部設置有冷媒流路24。冷媒流路24構成調溫機構。自設置於腔室本體12之外部之冷卻器單元經由配管26a對冷媒流路24供給冷媒。供給至冷媒流路24之冷媒經由配管26b返回至冷卻器單元。如此，冷媒於冷媒流路24與冷卻器單元之間循環。藉由控制該冷媒之溫度，而控制由靜電吸盤ESC支持之被加工物W之溫度。
於載台ST形成有貫通該載台ST之複數個(例如，三個)貫通孔25。複數個貫通孔25於俯視下形成於靜電吸盤ESC之內側。於該等各貫通孔25插入有頂起銷25a。再者，於圖3中，描繪了插入有一根頂起銷25a之一個貫通孔25。頂起銷25a以於貫通孔25內能夠上下移動之方式設置。藉由頂起銷25a之上升，而使支持於靜電吸盤ESC上之被加工物W上升。
於載台ST，於俯視下較靜電吸盤ESC靠外側之位置，形成有貫通該載台ST(下部電極LE)之複數個(例如，三個)貫通孔27。於該等各貫通孔27插入有頂起銷27a。再者，於圖3中，描繪了插入有一根頂起銷27a之一個貫通孔27。頂起銷27a以於貫通孔27內能夠上下移動之方式設置。藉由頂起銷27a之上升，而使支持於第2板18b上之聚焦環FR上升。
又，於電漿處理裝置10設置有氣體供給管線28。氣體供給管線28將來自傳熱氣體供給機構之傳熱氣體，例如He氣體供給至靜電吸盤ESC之上表面與被加工物W之背面之間。
又，電漿處理裝置10具備上部電極30。上部電極30於載台ST之上方與該載台ST對向配置。上部電極30隔著絕緣性屏蔽構件32支持於腔室本體12之上部。上部電極30可包含頂板34及支持體36。頂板34面向腔室S。於該頂板34設置有複數個氣體噴出孔34a。該頂板34可由矽或石英形成。或者，頂板34可藉由於鋁製之母材之表面形成氧化釔等耐電漿性之膜而構成。
支持體36裝卸自如地支持頂板34。支持體36例如可由鋁等導電性材料構成。該支持體36可具有水冷構造。於支持體36之內部設置有氣體擴散室36a。自該氣體擴散室36a，向下方延伸有連通於氣體噴出孔34a之複數個氣體通流孔36b。又，於支持體36，形成有將處理氣體導入至氣體擴散室36a之氣體導入口36c。於該氣體導入口36c連接有氣體供給管38。
於氣體供給管38，經由閥群42及流量控制器群44而連接有氣體源群40。氣體源群40包含複數種氣體用之複數個氣體源。閥群42包含複數個閥，流量控制器群44包含質量流量控制器等複數個流量控制器。氣體源群40之複數個氣體源分別經由閥群42之對應之閥及流量控制器群44之對應之流量控制器連接於氣體供給管38。
又，於電漿處理裝置10中，沿著腔室本體12之內壁裝卸自如地設置有積存物遮罩46。積存物遮罩46亦設置於支持部14之外周。積存物遮罩46防止蝕刻副產物(積存物)附著於腔室本體12。積存物遮罩46可藉由將氧化釔等陶瓷被覆於鋁材而構成。
於腔室本體12之底部側、且支持部14與腔室本體12之側壁之間設置有排氣板48。排氣板48例如可藉由將氧化釔等陶瓷被覆於鋁材而構成。於排氣板48形成有於其板厚方向貫通之複數個孔。於該排氣板48之下方、且腔室本體12設置有排氣口12e。於排氣口12e經由排氣管52連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有壓力調整閥及渦輪分子泵等真空泵。排氣裝置50可將腔室本體12內之空間減壓至所期望之真空度為止。又，於腔室本體12之側壁設置有被加工物W之搬入搬出口12g。該搬入搬出口12g能夠藉由閘閥54而開閉。
又，電漿處理裝置10進而具備第1高頻電源62及第2高頻電源64。第1高頻電源62為產生電漿產生用之第1高頻之電源。第1高頻電源62例如產生具有27～100 MHz之頻率之高頻。第1高頻電源62經由匹配器66連接於上部電極30。匹配器66具有用以使第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(上部電極30側)之輸入阻抗匹配之電路。再者，第1高頻電源62亦可經由匹配器66連接於下部電極LE。
第2高頻電源64為產生用以將離子饋入至被加工物W之第2高頻之電源。第2高頻電源64例如產生400 kHz～13.56 MHz之範圍內之頻率之高頻。第2高頻電源64經由匹配器68連接於下部電極LE。匹配器68具有用以使第2高頻電源64之輸出阻抗與負載側(下部電極LE側)之輸入阻抗匹配之電路。
於電漿處理裝置10中，將來自複數個氣體源中經選擇之一個以上之氣體源之氣體供給至腔室S。又，腔室S之壓力藉由排氣裝置50而設定為規定之壓力。進而，藉由來自第1高頻電源62之第1高頻而激發腔室S內之氣體。藉此，產生電漿。而且，藉由已產生之活性種來對被加工物W進行處理。再者，亦可根據需要，藉由基於第2高頻電源64之第2高頻之偏壓，而將離子饋入至被加工物W。
於腔室本體12設置有供光透過之窗12w。窗12w例如亦可為蜂巢形狀之雙層窗構造。於該情形時，可抑制電漿及自由基進入窗12w內，降低附著於窗12w之反應產物之量。於窗12w經由聚光部及光纖71連接有發光分光分析裝置72。發光分光分析裝置72對腔室S內所產生之電漿之發光強度進行分析。發光分光分析裝置72經由窗12w接受來自電漿之光。發光分光分析裝置72除了對電漿之發光強度進行分析之通常模式之動作以外，還能夠進行維護模式之動作。於維護模式中，以規定之光源為基準執行搭載於發光分光分析裝置72之分光器之校準。
繼而，對執行裝置進行說明。
圖4係表示實施方式之執行裝置100之一例之剖面模式圖。圖5係表示執行裝置之方塊圖。再者，於圖5中，亦模式性地表示了使用執行裝置100時所使用之專用之FOUP4F。執行裝置100具有基底110、控制基板120、電池140。執行裝置100藉由具有作為半導體製造裝置S1之功能之處理系統1之搬送裝置而搬送，執行複數個光源130(動作裝置)之發光作為規定之動作。
基底110為以圓盤狀之晶圓為一例之基板。但是，基底110並不限定於圓盤狀，只要可藉由搬送基板之搬送裝置而搬送，則可為多邊形、橢圓等，形狀並不限定。於基底110之邊沿形成有凹口110N。作為基板之材質，例如可列舉矽、碳纖維、石英玻璃、碳化矽、氮化矽、氧化鋁等。
控制基板120為設置於基底110之上之電路基板。控制基板120具有光源130a～130d(亦總稱為「光源130」)、溫度感測器150a～150d(亦總稱為「溫度感測器150」)、連接器墊160、控制電路170、及加速度感測器180。光源130a～130d配置於基底110之上之控制基板120。光源130a、光源130b、光源130c、及光源130d發出互不相同之波長(即，不同顏色)之光。於圖示例中，針對每種不同波長，分別沿著基底110之最外周排列配置有3個光源。但是，各波長之光源130之個數並不限定為3個，亦可為2個以下或4個以上。又，複數個光源130a～130d只要配置於控制基板120之上則並不特別限制。光源130可為LED(light emitting diode，發光二極體)或OLED(Organic light emitting diode，有機發光二極體)。光源130為發光分光分析裝置72之維護模式中之基準光源。即，於在製程模組PM內光源130發光之狀態下，對以維護模式動作之發光分光分析裝置72進行校準。
溫度感測器150a～150d以相對於光源130a～130d一對一之方式配置於各光源之附近。溫度感測器150a測定光源130a之周邊溫度。溫度感測器140b測定光源130b之周邊溫度。溫度感測器140c測定光源130c之周邊溫度。溫度感測器140d測定光源130d之周邊溫度。
連接器墊160為用以對電池進行充電之連接部。連接器墊160可連接於外部電源。連接器墊160於載置於專用之FOUP4F內之狀態下，經由設置於專用之FOUP4F之連接器4FC連接於外部電源。電池140於基底110之上配置有4個。電池140對光源130a～130d及控制電路170供給電力。電池140只要為可承受光源130a～130d之最大電流值之數量，則並不限定為4個。如圖5所示，於連接器墊160與電池140之間連接有充電電路177。電池140之充電藉由充電電路177控制。又，於電池140連接有電源電路178。來自電池140之電力經由電源電路178供給至各器件。
控制電路170配置於控制基板120。控制電路170具有包含處理器之運算裝置171、記憶體172、控制器173、電流/電壓計174等，且基於記憶於記憶體172之程式統一控制執行裝置100之動作。控制電路170作為控制執行裝置100之各部之控制部發揮功能。例如於藉由電流/電壓計174測量輸入至光源130之電力之狀態下，藉由控制器173而控制各光源130之點亮及熄滅。又，為了控制與外部其他設備之通信，而於控制電路170連接有通信設備175。於一例中，可經由通信設備175自外部之電腦88等對執行裝置100輸入包含下述搬送製程參數之資訊。通信設備175與電腦88之連接方式亦可為有線及無線之任一者。又，於一例中，執行裝置100包含連接於控制電路170之連接器墊176。連接器墊176連接於設置於專用之FOUP4F之開關SW。控制電路170可根據自開關SW輸入之信號而開始控制執行裝置100。
加速度感測器180藉由檢測施加至執行裝置100之加速度，而檢測處理系統1內之執行裝置100之搬送動作。如圖5所示，加速度感測器180至少包含第1加速度感測器180X及第2加速度感測器180Y而構成。
圖6係用以說明執行裝置100之加速度感測器180之模式圖。於圖6中，表示了自上側觀察執行裝置100之模式性俯視圖。圖6中之Y軸通過執行裝置100之中心與凹口110N。X軸與Y軸正交，並且通過執行裝置100之中心。X軸與Y軸亦可為沿著控制基板120之平面而相互正交(交叉)之軸。
第1加速度感測器180X構成為檢測X軸方向上之加速度，第2加速度感測器180Y構成為檢測Y軸方向上之加速度。因此，於執行裝置100水平之狀態下，能夠藉由第1加速度感測器180X檢測沿著水平方向之第1方向上之加速度。又，能夠藉由第2加速度感測器180Y檢測沿著水平方向之與第1方向交叉之第2方向上之加速度。
於一例中，第1加速度感測器180X於檢測出施加至X軸之正方向之加速度時，輸出與加速度之大小對應之正的檢測值，於檢測出施加至X軸之負方向之加速度時，輸出與加速度之大小對應之負的檢測值。又，第2加速度感測器180Y於檢測出施加至Y軸之正方向之加速度時，輸出與加速度之大小對應之正的檢測值，於檢測出施加至Y軸之負方向之加速度時，輸出與加速度之大小對應之負的檢測值。
於一例之執行裝置100中，將來自第1加速度感測器180X及第2加速度感測器180Y之各檢測值輸入至運算裝置171。運算裝置171將第1加速度感測器180X之檢測值與第2加速度感測器180Y之檢測值相加而導出相加值。運算裝置171基於相加值而計數處理系統1中之搬送動作。
於在圖6所示之沿著X軸之方向D1、D2搬送執行裝置100之情形時，第2加速度感測器180Y實質上檢測不到加速度。因此，運算裝置171亦可僅將第1加速度感測器180X之檢測值作為相加值。同樣地，於在圖6所示之沿著Y軸之方向D3、D4搬送執行裝置100之情形時，運算裝置171亦可僅將第2加速度感測器180Y之檢測值作為相加值。又，於在X軸與Y軸雙方為正方向之方向D5、及X軸與Y軸雙方為負方向之方向D6搬送執行裝置之情形時，亦可將檢測值直接相加而得之值作為相加值。
於方向D7中，X軸為正方向且Y軸為負方向。於方向D8中，X軸為負方向且Y軸為正方向。於在方向D7及方向D8搬送執行裝置100之情形時，第1加速度感測器180X之檢測值之符號與第2加速度感測器180Y之檢測值之符號相反。因此，亦可將自第1加速度感測器180X之檢測值減去第2加速度感測器180Y之檢測值所得之值作為相加值。再者，由於第1加速度感測器180X之檢測值與第2加速度感測器180Y之檢測值不藉由相加而抵消即可，故而亦可將自第2加速度感測器180Y之檢測值減去第1加速度感測器180X之檢測值所得之值作為相加值。
作為一例，於輸入至運算裝置171之2個檢測值中之一個檢測值實質上為零之情形時，運算裝置171亦可判定出將執行裝置100在方向D1、D2、D3、D4搬送，算出相加值。又，於輸入至運算裝置171之2個檢測值之符號相同之情形時，運算裝置171亦可判定出將執行裝置100在方向D5、D6搬送，算出相加值。又，於輸入至運算裝置171之2個檢測值之符號互不相同之情形時，運算裝置171亦可判定出將執行裝置100在方向D7、D8搬送，算出相加值。
於處理系統1中，藉由搬送裝置TU1、TU2而搬送執行裝置100。例如，於藉由搬送裝置將靜止之執行裝置100搬送至某位置並靜止於此之情形時，對執行裝置100於開始搬送時向與搬送方向相反方向施加加速度，於停止搬送時向搬送方向施加加速度。因此，一例之執行裝置100於第1加速度感測器180X之檢測值與第2加速度感測器180Y之檢測值之相加值於超過正的第1閾值之後於固定時間內低於負的第2閾值之情形時，判定出執行一次搬送動作。進而，執行裝置100於第1加速度感測器180X之檢測值與第2加速度感測器180Y之檢測值之相加值低於負的第1閾值之後於固定時間內超過正的第2閾值之情形時，判定出執行一次搬送動作。
圖7係用以說明施加至執行裝置之加速度之曲線圖之例。於圖7中，第1加速度感測器180X之檢測值示為「X方向」，第2加速度感測器180Y之檢測值示為「Y方向」。第1加速度感測器180X之檢測值與第2加速度感測器180Y之檢測值之相加值示為「相加值」。於圖7中，由於X方向之檢測值之符號與Y方向之檢測值之符號互不相同，故而自X方向之檢測值減去Y方向之檢測值所得之值成為相加值。曲線圖中之「移動平均」表示相加值之移動平均。於圖7中，表示隔開時間間隔而實施2次搬送動作時之加速度。該例中，因於2次搬送動作之間對執行裝置100施加旋轉等動作而導致檢測值產生紊亂。為了不誤檢測出此種檢測值之紊亂，亦可基於移動平均來判定搬送動作之有無。
於圖7之例中，第1加速度感測器180X之檢測值與第2加速度感測器180Y之檢測值之相加值(此處為移動平均)，於超過正的第1閾值TH1之後於固定時間TS內低於負的第2閾值TH2。因此，運算裝置171判定出執行搬送動作。又，然後，由於在相加值低於負的閾值TH2之後於固定時間內超過正的閾值TH1，故而運算裝置171判定出執行第2次搬送動作。
圖8係表示於處理系統中搬送之執行裝置之搬送路徑之例的圖。於在一例之處理系統1中搬送執行裝置100之情形時，藉由複數次搬送動作而將執行裝置100搬送至目標位置。例如，考慮將執行裝置100搬送至製程模組PM1之情形。執行裝置100藉由包含搬送動作T1～T6之工序而搬送。搬送動作T1為用以自容器4a(專用之FOUP4F)取出之動作。搬送動作T2為用以從自容器4a之取出位置搬送至對準器AN為止之動作。搬送動作T3為用以自對準器AN取出被加工物W之動作。搬送動作T4為用以從自對準器AN之取出位置搬送至裝載閉鎖模組LL1為止之動作。搬送動作T5為用以自裝載閉鎖模組LL1搬送至轉移模組TF為止之動作。搬送動作T6為用以自轉移模組TF搬送至製程模組PM1為止之動作。於該等搬送動作T1～T6中，施加至執行裝置100之加速度之狀態有時互不相同。因此，於一例之執行裝置100中，基於搬送製程參數而進行搬送動作之判定。
圖9係於一例之執行裝置中所利用之搬送製程參數之例。搬送製程參數R可表示施加至由搬送裝置搬送之執行裝置100之加速度之資訊與搬送位置之資訊的關係。圖9所示之搬送製程參數R係將依次執行之每個搬送動作與需要時間、最大加速度、最小加速度、動作建立關聯。最大加速度相當於關於第1加速度感測器180X之檢測值與第2加速度感測器180Y之檢測值之相加值(此處為移動平均)之正的閾值TH1。最小加速度相當於關於相加值之負的閾值TH2。需要時間係自檢測出相加值之最大值至檢測出相加值之最小值為止所經過的時間、或者自檢測出相加值之最小值至檢測出相加值之最大值為止所經過的時間。即，需要時間相當於自開始搬送至結束搬送為止所需要之時間，與固定時間TS對應。需要時間、最大加速度、最小加速度可針對每個動作任意地決定。
於圖9之例中，第1動作至第6動作分別對應於搬送動作T1至搬送動作T6。因此，例如，於藉由運算裝置171判定已實施第2動作之時間點，可識別出執行裝置100位於對準器AN。又，於判定出第1動作至第6動作結束之情形時，可識別出執行裝置100載置於製程模組PM1。
運算裝置171於識別出執行裝置100被搬送至規定之位置時，使動作裝置執行規定之動作。於一例中，運算裝置171於識別出執行裝置100載置於製程模組PM1時，亦可使光源130發光。
繼而，對執行裝置100之動作進行說明。圖10係表示執行裝置之動作方法之一例之流程圖。於使一例之執行裝置100動作之情形時，首先，使載置於專用之FOUP4F之執行裝置100啟動。如上所述，由於在專用之FOUP4F設置有用以使執行裝置100啟動之開關SW，故而可藉由該開關SW而啟動執行裝置100。當啟動執行裝置100時，加速度感測器180動作，藉此，由運算裝置171獲取來自加速度感測器之信號(步驟ST1)。於利用執行裝置100對發光分光分析裝置72進行校準之情形時，藉由開關SW而啟動執行裝置100。此時，控制部MC以使搬送裝置TU1、TU2將執行裝置100自FOUP4F搬送至製程模組PM為止之方式控制處理系統1。又，控制部MC以使發光分光分析裝置72以維護模式動作之方式進行控制。
運算裝置171基於已獲取之檢測值而導出加速度之相加值，並參照搬送製程參數R對導出之相加值進行解析，藉此，識別執行裝置100之搬送位置(步驟ST2)。識別搬送位置等同於判定搬送製程參數R之動作至何處結束。
運算裝置171於識別出執行裝置100被搬送至規定之位置時使動作裝置執行規定之動作(步驟ST3)。於一例中，運算裝置171於識別出執行裝置100被搬送至製程模組PM1時，以使光源130發光之方式對控制器173進行控制。於藉由控制部MC使發光分光分析裝置72在維護模式下待機之情形時，以光源130發光為契機而執行發光分光分析裝置72之校準。於光源130發光後經過規定時間之情形時，運算裝置171亦可判定出發光分光分析裝置72之校準結束，停止光源130之發光。再者，亦可根據發光分光分析裝置72之校準之程式，將執行裝置100於製程模組PM與對準器AN之間搬送複數次。運算裝置171亦可每當判定出執行裝置100被搬送至製程模組PM1時就使光源130發光。於該情形時，搬送製程參數亦可包含如下製程參數，該製程參數除了對應於自FOUP4F搬送至製程模組PM時之動作以外，亦可對應於製程模組PM與對準器AN之間之搬送動作。進而，搬送製程參數除了包含搬送動作之製程參數以外，亦可包含光源130之發光控制順序作為規定動作之製程參數。於該情形時，運算裝置171可參照搬送製程參數控制光源130。當發光分光分析裝置72之校準結束後，藉由搬送裝置TU1、TU2而將執行裝置100搬送至FOUP4F。
於製程模組PM內，無法藉由無線控制執行裝置100。然而，於使用光源130對發光分光分析裝置72進行校準之情形時，於搬送動作中亦預先使光源130發光於運用上未必較佳。於以上所說明之執行裝置100中，藉由設置於執行裝置100之第1加速度感測器180X及第2加速度感測器180Y，而檢測施加至執行裝置100之水平方向之加速度。因此，基於第1加速度感測器180X及第2加速度感測器180Y之輸出值，對執行裝置100之搬送狀態進行特定，藉此，可識別執行裝置100之搬送位置。即，執行裝置100作為判定搬送過程中之搬送位置之位置判定裝置發揮功能。以當識別出執行裝置100被搬送至規定之位置時，使動作裝置(於一例中為光源130)執行規定之動作之方式進行控制，藉此可使動作裝置於所期望之位置自動地執行規定之動作。
於一例示性實施方式中，運算裝置171(控制裝置)記憶表示施加至由搬送裝置搬送之執行裝置100之加速度之資訊與搬送位置之資訊之關係的搬送製程參數(製程參數資訊)R。運算裝置171可參照搬送製程參數R，根據基於第1加速度感測器180X及第2加速度感測器180Y之輸出值導出之加速度來識別搬送位置。由於運算裝置171預先記憶搬送製程參數R，故而即便於執行複雜之搬送動作之情形時，亦可準確地識別搬送位置。
於一例示性實施方式中，動作裝置包含發出互不相同之波長之光之複數個光源130，規定之動作亦可為複數個光源130之發光。於該校準中，可適當地實施處理系統1中之發光分光分析裝置72之校準作業。
以上，對各種例示性實施方式進行了說明，但並不限定於上述例示性實施方式，亦可進行各種省略、置換、及變更。
例如，執行裝置100亦可進而包含第3加速度感測器，該第3加速度感測器在與X軸及Y軸雙方正交之Z軸方向上檢測加速度。
示出了於執行裝置100被搬送至製程模組PM時光源130發光之示例，但並不限定於此。執行裝置100被搬送之位置、及於該位置執行之控制之內容亦可任意地決定。例如，執行規定之動作之位置亦可為裝載模組LM、對準器AN、裝載閉鎖模組LL1、LL2、轉移模組TF等。又，執行裝置亦可具有測量執行裝置與對象物之間之靜電電容之測量器、拍攝執行裝置周圍之攝像裝置等作為執行規定之動作的動作裝置。
根據以上之說明，出於說明之目的而於本說明書中說明了本發明之各種實施方式，但應知曉該等實施方式可於不脫離本發明之範圍及主旨之情況下進行各種變更。因此，本說明書中所揭示之各種實施方式並非意圖限定本發明，本發明之真正範圍與主旨係藉由隨附之申請專利範圍來表示。
1:處理系統 2a～2d:台 4a～4d:容器 4F:FOUP 4FC:連接器 6D:驅動裝置 6S:感測器 6T:支持台 10:電漿處理裝置 12:腔室本體 12e:排氣口 12g:搬入搬出口 12w:窗 14:支持部 18a:第1板 18b:第2板 22:直流電源 24:冷媒流路 25:貫通孔 26a:配管 26b:配管 27:貫通孔 27a:頂起銷 28:氣體供給管線 30:上部電極 32:絕緣性屏蔽構件 34:頂板 34a:氣體噴出孔 36:支持體 36a:氣體擴散室 36b:氣體通流孔 36c:氣體導入口 38:氣體供給管 40:氣體源群 42:閥群 44:流量控制器群 46:積存物遮罩 50:排氣裝置 52:排氣管 54:閘閥 71:光纖 72:發光分光分析裝置 88:電腦 100:執行裝置 110:基底 110N:凹口 120:控制基板 130:光源 130a～130d:光源 140:電池 150:溫度感測器 150a～150d:溫度感測器 160:連接器墊 170:控制電路 171:運算裝置 172:記憶體 173:控制器 174:電流/電壓計 175:通信設備 176:連接器墊 177:充電電路 178:電源電路 180:加速度感測器 180X:第1加速度感測器 180Y:第2加速度感測器 AN:對準器 ESC:靜電吸盤 FR:聚焦環 LE:下部電極 LL1,LL2:裝載閉鎖模組 LM:裝載模組 MC:控制部 PM1～PM6:製程模組 S:腔室 ST:載台 SW:開關 TF:轉移模組 TU2:搬送裝置 TUa:搬送臂 W:被加工物 WN:凹口
圖1係例示處理系統之圖。 圖2係例示對準器之立體圖。 圖3係表示電漿處理裝置之一例之圖。 圖4係一例之執行裝置之剖面模式圖。 圖5係表示一例之執行裝置之方塊圖。 圖6係用以說明一例之執行裝置之加速度感測器之模式圖。 圖7係用以說明施加至一例之執行裝置之加速度之曲線圖之例。 圖8係表示於處理系統中搬送之執行裝置之搬送路徑之例的圖。 圖9係一例之執行裝置中利用之搬送製程參數之例。 圖10係表示執行裝置之動作方法之一例之流程圖。
4F:FOUP
4FC:連接器
88:電腦
100:執行裝置
110:基底
120:控制基板
130:光源
140:電池
150:溫度感測器
160:連接器墊
171:運算裝置
172:記憶體
173:控制器
174:電流/電壓計
175:通信設備
176:連接器墊
177:充電電路
178:電源電路
180:加速度感測器
180X:第1加速度感測器
180Y:第2加速度感測器
SW:開關

Claims (10)

  1. 一種執行裝置，其係由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送而執行規定之動作者，且具備： 動作裝置，其用以執行上述規定之動作； 第1加速度感測器，其能夠檢測沿著水平方向之第1方向上之加速度； 第2加速度感測器，其能夠檢測沿著水平方向之與上述第1方向交叉之第2方向上之加速度；以及 控制裝置，其基於上述第1加速度感測器及上述第2加速度感測器之輸出值，識別上述半導體製造裝置內之上述執行裝置之搬送位置，於識別出上述執行裝置被搬送至規定之位置時使上述動作裝置執行上述規定之動作。
  2. 如請求項1之執行裝置，其中上述控制裝置記憶製程參數資訊，該製程參數資訊表示施加至由上述搬送裝置搬送之上述執行裝置之加速度之資訊與搬送位置之資訊之關係，上述控制裝置參照上述製程參數資訊，根據基於上述第1加速度感測器及上述第2加速度感測器之輸出值導出之加速度而識別上述搬送位置。
  3. 如請求項1或2之執行裝置，其中上述動作裝置包含發出互不相同之波長之光之複數個光源， 上述規定之動作為上述複數個光源之發光。
  4. 如請求項1或2之執行裝置，其中上述動作裝置為測量靜電電容之測量器， 上述規定之動作係測量上述執行裝置與對象物之間之靜電電容。
  5. 如請求項1或2之執行裝置，其中上述動作裝置係攝像裝置， 上述規定之動作係拍攝上述執行裝置之周圍。
  6. 一種執行方法，其係使由設置於半導體製造裝置之搬送裝置搬送之執行裝置執行規定之動作者，該執行方法具備如下步驟： 獲取沿著水平方向之第1方向及與上述第1方向交叉之沿著水平方向之第2方向上之上述執行裝置之加速度； 基於上述加速度，識別上述半導體製造裝置內之上述執行裝置之搬送位置；以及 於識別出上述執行裝置被搬送至規定之位置時使上述執行裝置執行上述規定之動作。
  7. 如請求項6之執行方法，其中識別上述搬送位置之步驟包含參照製程參數資訊之步驟，該製程參數資訊表示施加至由上述搬送裝置搬送之上述執行裝置之加速度之資訊與搬送位置之資訊之關係。
  8. 如請求項6或7之執行方法，其中執行上述規定之動作之步驟，包含藉由複數個光源發出互不相同之波長之光的步驟。
  9. 如請求項6或7之執行方法，其中執行上述規定之動作之步驟，包含測量上述執行裝置與對象物之間之靜電電容。
  10. 如請求項6或7之執行方法，其中執行上述規定之動作之步驟，包含拍攝上述執行裝置之周圍。
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