CN101388333B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置以及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101388333B
CN101388333B CN2008102123797A CN200810212379A CN101388333B CN 101388333 B CN101388333 B CN 101388333B CN 2008102123797 A CN2008102123797 A CN 2008102123797A CN 200810212379 A CN200810212379 A CN 200810212379A CN 101388333 B CN101388333 B CN 101388333B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
flushing liquor
exposure
supply
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008102123797A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101388333A (zh
Inventor
宫城聪
金冈雅
茂森和士
安田周一
真田雅和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Original Assignee
Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40454073&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN101388333(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Screen Semiconductor Solutions Co Ltd filed Critical Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Publication of CN101388333A publication Critical patent/CN101388333A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101388333B publication Critical patent/CN101388333B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

一种基板处理装置和基板处理方法，在清洗基板后，基板进行旋转的状态下，液体供给喷嘴一边喷出冲洗液，一边从基板的中心部上方向外方移动。此时，没有冲洗液的干燥区域在基板上扩大。若液体供给喷嘴移动至基板周边部上方，则基板的旋转速度下降。液体供给喷嘴的移动速度维持原状态。然后，停止喷出冲洗液，并且，液体供给喷嘴移动到基板的外方。由此，干燥区域扩展到基板上整体，基板被干燥。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及用于对基板实施处理的基板处理装置以及基板处理方法。 
背景技术
为了在半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等的各种基板上实施各种处理而使用基板处理装置。 
在这样的基板处理装置中，一般对一张基板连续实施多个不同的处理。日本特开2003-324139号公报中记载的基板处理装置包括分度器区、防反射膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区以及接口区。以与接口区相邻的方式配置有与基板处理装置独立的作为外部装置的曝光装置。 
在上述基板处理装置中，从分度器区搬入的基板在防反射膜用处理区以及抗蚀膜用处理区中实施防反射膜的形成以及抗蚀膜的涂布处理后，经由接口区搬送至曝光装置。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜实施曝光处理后，基板经由接口区搬送至显影处理区。通过在显影处理区对基板上的抗蚀膜实施显影处理而形成抗蚀图案后，基板被搬送至分度器区。 
近年来，随着器件的高密度化以及高集成化，抗蚀图案的细微化成为了重要的课题。在以往一般的曝光装置中，通过投影透镜将标线的图案缩小投影在基板上来实施曝光处理。但是，在这样的以往曝光装置中，由于曝光图案的线宽取决于曝光装置的光源的波长，所以限制了抗蚀图案的细微化。 
于是，作为可以进一步细微化曝光图案的投影曝光方法而提出了浸液法(例如参考国际公开第99/49504号手册)。在专利文献2的投影曝光装置中，在投影光学系统和基板之间充满液体，可以缩短基板表面的曝光光的波长。由此，可以进一步细微化曝光图案。 
但是，在上述国际公开第99/49504号手册公开的投影曝光装置中，在基板与液体接触的状态下实施曝光处理，所以在基板上附着有液体的状态下，从曝光装置搬出基板。因此，在上述特开2003-324139号公报的基板处理装 置上，作为外部装置而设置采用上述国际公开第99/49504号手册记载的浸液法的曝光装置的情况下，有可能附着在从曝光装置搬出的基板上的液体落到基板处理装置内，而产生基板处理装置的电气系统异常等的动作不良。 
另外，若在曝光处理后的基板上附着有液体，则有时该基板上容易附着尘埃等，并且，附着在基板上的液体对形成在基板上的膜产生坏影响。由于这些原因，而有可能在基板上产生处理不良。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止由在曝光装置中附着在基板上的液体引起的动作不良以及处理不良的基板处理装置以及基板处理方法。 
根据本发明某一观点的基板处理装置为相邻于曝光装置而配置的基板处理装置，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部和交接部中的至少一个包括进行基板的干燥处理的干燥处理单元，干燥处理单元包括：基板保持装置，其将基板保持为近似水平；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板围绕垂直于该基板的轴进行旋转；冲洗液供给部，其向由基板保持装置保持的基板上供给冲洗液；冲洗液供给移动机构，其使冲洗液供给部移动，以便从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液；气体供给部，其在由所述冲洗液供给部向基板的从中心离开的位置处供给冲洗液的状态下，向基板的中心部吹出气体；旋转驱动装置在通过冲洗液供给移动机构移动所述冲洗液供给部的期间，使基板的旋转速度阶段性地或者连续性地变化，使得在向基板的中心部供给冲洗液的状态下，使基板以第一旋转速度旋转，在向基板的周边部供给冲洗液的状态下，使基板以低于第一旋转速度的第二旋转速度旋转。 
在该基板处理装置中，通过处理部对基板实施规定的处理，通过交接部将该基板从处理部被交接到曝光装置。通过曝光装置对基板实施曝光处理后，该基板通过交接部从曝光装置被交接到处理部。在通过曝光装置进行曝光处理前或者曝光处理后，通过干燥处理单元进行基板的干燥处理。 
在干燥处理单元中，基板在被基板保持装置近似水平地保持的状态下，通过旋转驱动装置进行旋转。然后，冲洗液供给部一边向基板供给冲洗液一边通过冲洗液供给移动机构进行移动。由此，能够从基板的中心部开始向周边部连续地供给冲洗液。 
通过向旋转的基板的中心部供给冲洗液，而能够在基板上形成冲洗液的 液层。接着，基板上的冲洗液的供给位置从基板的中心部向周边部移动。由此，在液层的中心部形成没有冲洗液的干燥区域。然后，在基板上环状的液层被一体保持的状态下，通过离心力，干燥区域从液层的中心部向外侧扩大。此时，通过液层的表面张力，能够防止在干燥区域内形成微小液滴。 
在此，基板周边部的圆周速度大于基板中心部的圆周速度。因此，供给到基板周边部的冲洗液比供给到基板中心部的冲洗液更容易飞散。于是，在向基板中心部供给冲洗液的状态下，使基板以第一旋转速度旋转，向基板周边部供给冲洗液的状态下，使基板以低于第一旋转速度的第二旋转速度旋转。此时，能够防止供给到基板周边部的冲洗液飞散。因此，能够防止飞散的冲洗液再次附着到基板的干燥区域内，能够可靠地防止基板上残留微小液滴。 
在对曝光处理后的基板进行这种干燥处理的情况下，即使在曝光装置内基板上附着有液体，也能够防止该液体落到基板处理装置内。其结果是，能够防止基板处理装置的动作不良。 
另外，能够防止残留在基板上的液体上附着环境中的尘埃等。进一步，能够防止残留在基板上的液体对基板上的膜造成坏影响。因此，能够防止基板的处理不良。 
另一方面，在对曝光处理前的基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，而能够在曝光处理前除掉在曝光处理前的工序中附着在基板上的尘埃等。其结果是，能够防止曝光装置内的污染，能够防止基板的处理不良。 
根据本发明另一观点的基板处理装置是相邻于曝光装置而配置的基板处理装置，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部和交接部中的至少一个包括进行基板的干燥处理的干燥处理单元，干燥处理单元包括：基板保持装置，其将基板保持为近似水平；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板围绕垂直于该基板的轴进行旋转；冲洗液供给部，其向由基板保持装置保持的基板上供给冲洗液；冲洗液供给移动机构，其使冲洗液供给部移动，以便从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液；冲洗液供给部使冲洗液的流量阶段性地或者连续性地变化，使得在通过所述冲洗液供给移动机构进行移动时，以第一流量向基板的中心部供给冲洗液，以比第一流量少的第二流量向基板的周边部供给冲洗液。 
在该基板处理装置中，通过处理部对基板实施规定的处理，通过交接部 将该基板从处理部交接到曝光装置。通过曝光装置对基板实施曝光处理后，该基板通过交接部从曝光装置交接到处理部。在通过曝光装置的曝光处理前或者曝光处理后，通过干燥处理单元实施基板的干燥处理。 
在干燥处理单元中，基板在被基板保持装置近似水平地保持的状态下通过旋转驱动装置进行旋转。然后，冲洗液供给部一边向基板供给冲洗液，一边通过冲洗液移动机构进行移动。由此，能够从基板中心部开始向周边部连续地供给冲洗液。 
通过向旋转的基板中心部供给冲洗液，而能够在基板上形成冲洗液的液层。接着，基板上的冲洗液的供给位置从基板中心部向周边部移动。由此，在液层的中心部形成没有冲洗液的干燥区域。然后，在基板上环状的液层被一体保持的状态下，通过离心力，干燥区域从液层的中心部向外侧扩大。此时，通过液层的表面张力，能够防止在干燥区域内形成微小液滴。 
另外，向基板中心部以第一流量供给冲洗液，向基板周边部以少于第一流量的第二流量供给冲洗液。由此，能够防止供应到基板周边部上的冲洗液飞散。因此，能够防止飞散的冲洗液再次附着到基板的干燥区域内，能够可靠地防止基板上残留微小液滴。 
在对曝光处理后的基板进行这种干燥处理的情况下，即使在曝光装置内在基板上附着有液体，也能够防止该液体落到基板处理装置内。其结果能够防止基板处理装置的动作不良。 
另外，能够防止残留在基板上的液体上附着环境中的尘埃等。进一步，能够防止残留在基板上的液体对基板上的膜造成坏影响。因此，能够防止基板的处理不良。 
另一方面，在对曝光处理前的基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，而能够在曝光处理前除掉在曝光处理前的工序中附着在基板上的尘埃等。其结果是，能够防止曝光装置内的污染，能够防止基板的处理不良。 
根据本发明又一观点的基板处理装置为相邻于曝光装置而配置的基板处理装置，具有：处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；处理部和交接部中的至少一个包括进行基板的干燥处理的干燥处理单元，干燥处理单元包括：基板保持装置，其将 基板保持为近似水平；旋转驱动装置，其使由基板保持装置保持的基板围绕垂直于该基板的轴进行旋转；冲洗液供给部，其向由基板保持装置保持的基板上供给冲洗液；冲洗液供给移动机构，其使冲洗液供给部移动，以便从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液；冲洗液供给部使冲洗液的供给压阶段性地或者连续性地变化，以便在通过所述冲洗液供给移动机构进行移动时，以第一供给压向基板的中心部供给冲洗液，以低于第一供给压的第二供给压向基板的周边部供给冲洗液。 
在该基板处理装置中，通过处理部对基板实施规定的处理，通过交接部将该基板从处理部交接到曝光装置。通过曝光装置对基板实施曝光处理后，该基板通过交接部从曝光装置被交接到处理部。在通过曝光装置的曝光处理前或者曝光处理后，通过干燥处理单元实施基板的干燥处理。 
在干燥处理单元中，基板在被基板保持装置近似水平地保持的状态下通过旋转驱动装置旋转。然后，冲洗液供给部一边向基板供给冲洗液，一边通过冲洗液移动机构进行移动。由此，能够从基板中心部开始向周边部连续地供给冲洗液。 
通过向旋转的基板中心部供给冲洗液，而能够在基板上形成冲洗液的液层。接着，基板上的冲洗液的供给位置从基板中心部向周边部移动。由此，在液层的中心部形成没有冲洗液的干燥区域。然后，在基板上环状的液层被一体保持的状态下，通过离心力，干燥区域从液层的中心部向外侧扩大。此时，通过液层的表面张力，能够防止在干燥区域内形成微小液滴。 
在此，向基板中心部以第一供给压供给冲洗液，而向基板周边部以低于第一供给压的第二供给压供给冲洗液。因此，能够防止供应到基板周边部上的冲洗液飞散。因此，能够防止飞散的冲洗液再次附着到基板的干燥区域内，能够可靠地防止在基板上残留微小液滴。 
在对曝光处理后的基板上进行这种干燥处理的情况下，即使在曝光装置内在基板上附着有液体，也能够防止该液体落到基板处理装置内。其结果是，能够防止基板处理装置的动作不良。 
另外，能够防止残留在基板上的液体上附着环境中的尘埃等。进一步，能够防止残留在基板上的液体对基板上的膜造成坏影响。因此，能够防止基板的处理不良。 
另一方面，在对曝光处理前的基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，而能够在曝光处理前除掉在曝光处理前的工序中附着在基板上的尘埃等。其结果是，能够防止曝光装置内的污染，能够防止基板的处理不良。 
冲洗液供给移动机构在向远离基板中心部规定距离的位置上供给冲洗液的状态下，暂时停止冲洗液供给部的移动也可。 
此时，能够防止基板上的液层被分割成多个部分，能够从液层的中心部开始可靠地扩大一个干燥区域。由此，能够稳定地进行基板的干燥，并且，能够更可靠地防止在基板上形成微小液滴。 
干燥处理单元可以还包括气体供给部，该气体供给部在通过冲洗液供给部向基板的从中心离开的位置处供给冲洗液的状态下，向基板中心部吹出气体。 
此时，在基板上的液层形成干燥区域后，马上通过气体供给部向基板中心部吹出气体，由此能够在瞬间扩大该干燥区域。由此，能够防止基板上的液层被分割成多个部分。因此，能够稳定地进行基板的干燥，并且，能够更可靠地防止在基板上形成微小液滴。 
干燥处理单元可以还包括气体供给移动机构，该气体供给移动机构使气体供给部移动，使得基板上的气体的供给位置处于比由冲洗液供给部供给冲洗液的供给位置更接近基板中心部的位置，而从基板的中心部向基板的周边部移动。 
此时，由于向基板上的干燥区域吹出气体，所以能够更可靠地防止在干燥区域内的微小液滴的残留。另外，由于能够可靠地扩大干燥区域，所以可以有效且可靠地干燥基板。 
处理部可以还包括：感光膜形成单元，其在曝光处理前的基板上形成由感光材料构成的感光膜；显影处理单元，其对曝光处理后的基板进行显影处理，干燥处理单元在通过曝光装置进行曝光后处理后且通过显影处理单元进行显影处理前，进行基板的干燥处理。 
此时，在对基板实施曝光处理后到实施显影处理的期间，能够防止感光膜上残留液体。由此，能够防止在曝光处理后的感光膜上进行的反应受到残 留液体的阻碍。另外，能够防止由残留液体引起的曝光图案的变形。因此，能够可靠地防止显影处理时的线宽精度下降等的处理不良。 
根据本发明又一观点的基板处理方法，在基板处理装置中处理基板，该基板处理装置相邻于曝光装置而配置，并且包含有处理部和交接部，该基板处理方法包括：通过处理部对基板进行曝光前的处理的工序；通过交接部将由处理部处理过的基板从处理部交接到曝光装置的工序；通过交接部将由曝光装置进行曝光处理后的基板从曝光装置交接到处理部的工序；通过处理部对基板进行曝光处理后的处理的工序；在处理部和交接部中的至少一个中对基板进行干燥处理的工序；对基板进行干燥处理的工序包括：将基板保持为近似水平并使基板围绕垂直于基板的轴进行旋转的工序；从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液的工序；在向基板的从中心离开的位置处供给冲洗液的状态下，向基板的中心部吹出气体的工序；在使基板进行旋转的工序中，在冲洗液的供给位置从基板的中心部向周边部移动的期间，使基板的旋转速度阶段性地或者连续性地变化，使得在向基板的中心部供给冲洗液的期间，以第一旋转速度旋转基板，在向基板的周边部供给冲洗液的期间，以低于第一旋转速度的第二旋转速度旋转基板。 
在该基板的处理方法中，通过处理部对基板实施曝光处理前的处理，通过交接部将该基板从处理部交接到曝光装置。通过曝光装置对基板实施曝光处理后，该基板通过交接部从曝光装置被交接到处理部，对该基板实施曝光处理后的处理。在通过曝光装置曝光处理前或者曝光处理后，在处理部以及交接部的至少一个中，通过干燥处理单元对基板实施干燥处理。 
在干燥处理时，基板在保持为近似水平的状态下进行旋转。然后，从旋转的基板的中心部开始向周边部连续地供给冲洗液。通过向旋转的基板中心部供给冲洗液，而在基板上形成冲洗液的液层。接着，在基板上的冲洗液的供给位置从基板中心部开始向周边部移动。由此，液层的中心部上形成没有冲洗液的干燥区域。然后，在基板上环状液层被一体地保持的状态下，通过离心力，干燥区域从液层的中心部向外侧扩大。此时，通过液层的表面张力，能够防止在干燥区域内形成微小液滴。 
另外，在向基板中心部供给冲洗液的状态下，基板以第一旋转速度旋转，在向基板周边部供给冲洗液的状态下，基板以低于第一旋转速度的第二旋转速度旋转。由此，能够防止供给到基板周边部的冲洗液飞散。由此，能够防止飞散了的冲洗液再次附着到基板的干燥区域内，能够可靠地防止基板上残 留微小液滴。 
在对曝光处理后的基板上实施这样的干燥处理的情况下，即使在曝光装置中基板上附着有液体，也能够防止该液体落到基板处理装置内。其结果是，能够防止基板处理装置的动作不良。 
另外，能够防止残留在基板上的液体上附着环境中的尘埃等。进一步，能够防止残留在基板上的液体对基板上的膜造成坏影响。因此，能够防止基板的处理不良。 
另一方面，在对曝光处理前的基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，而能够在曝光处理前除掉在曝光处理前的工序中附着在基板上的尘埃等。其结果是，能够防止曝光装置内的污染，能够防止基板的处理不良。 
根据本发明又一观点的基板处理方法，在基板处理装置中处理基板，该基板处理装置相邻于曝光装置而配置，并且包含有处理部和交接部，该基板处理方法包括：通过处理部对基板进行曝光前的处理的工序；通过交接部将由处理部处理过的基板从处理部交接到曝光装置的工序；通过交接部将由曝光装置曝光处理后的基板从曝光装置交接到处理部的工序；通过处理部对基板进行曝光处理后的处理的工序；在处理部和交接部中的至少一个中对基板进行干燥处理的工序；对基板进行干燥处理的工序包括：将基板保持为近似水平并使基板围绕垂直于基板的轴进行旋转的工序；从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液的工序；在供给冲洗液的工序中，使冲洗液的流量阶段性地或者连续性地变化，使得在使冲洗液的供给位置从基板的中心部向周边部移动时，向基板的中心部以第一流量供给冲洗液，向基板的周边部以比第一流量少的第二流量供给冲洗液。 
在该基板的处理方法中，通过处理部对基板进行曝光处理前的处理，通过交接部将该基板从处理部交接到曝光装置。通过曝光装置对基板实施曝光处理后，该基板通过交接部从曝光装置被交接到处理部，对该基板进行曝光处理后的处理。在通过曝光装置曝光处理前或者曝光处理后，在处理部以及交接部的至少一个中，通过干燥处理单元对基板实施干燥处理。 
在干燥处理时，基板在保持为近似水平状态下进行旋转。然后，从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液。通过向旋转的基板中心部供给 冲洗液，而在基板上形成冲洗液的液层。接着，在基板上的冲洗液的供给位置从基板中心部向周边部移动。由此，液层的中心部上形成没有冲洗液的干燥区域。然后，在基板上环状液层被一体地保持的状态下，通过离心力，干燥区域从液层的中心部向外侧扩大。此时，通过液层的表面张力，能够防止在干燥区域内形成微小液滴。 
另外，向基板中心部以第一流量供给冲洗液的状态下，向基板周边部以少于第一流量的第二流量供给冲洗液。由此，能够防止供给到基板周边部的冲洗液飞散。因此能够防止飞散了的冲洗液再次附着到基板的干燥区域内，能够可靠地防止基板上残留微小液滴。 
在对曝光处理后的基板上实施这样的干燥处理的情况下，即使在曝光装置中基板上附着有液体，也能够防止该液体落到基板处理装置内。其结果是，能够防止基板处理装置的动作不良。 
另外，能够防止残留在基板上的液体上附着环境中的尘埃等。进一步，能够防止残留在基板上的液体对基板上的膜造成坏影响。因此，能够防止基板的处理不良。 
另一方面，在对曝光处理前的基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，而能够在曝光处理前除掉在曝光处理前的工序中附着在基板上的尘埃等。其结果是，能够防止曝光装置内的污染，能够防止基板的处理不良。 
根据本发明又一观点的基板处理方法，在基板处理装置中处理基板，该基板处理装置相邻于曝光装置而配置，并且包含有处理部和交接部，其特征在于，该基板处理方法包括：通过处理部对基板进行曝光前的处理的工序；通过交接部将由处理部处理过的基板从处理部交接到曝光装置的工序；通过交接部将由曝光装置曝光处理后的基板从曝光装置交接到处理部的工序；通过处理部对基板进行曝光处理后的处理的工序；在处理部和交接部中的至少一个中对基板进行干燥处理的工序；对基板进行干燥处理的工序包括：将基板保持为近似水平并使基板围绕垂直于基板的轴进行旋转的工序；从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液的工序；在供给冲洗液的工序中，使冲洗液的供给压阶段性地或者连续性地变化，使得在使冲洗液的供给位置从基板的中心部向周边部移动时，向基板的中心部以第一供给压供给冲洗液，向基板的周边部以低于第一供给压的第二供给压供给冲洗液。 
在该基板的处理方法中，通过处理部对基板实施曝光处理前的处理，通过交接部将基板从处理部交接到曝光装置。通过曝光装置对基板实施曝光处理后，该基板通过交接部从曝光装置被交接到处理部，对该基板实施曝光处理后的处理。在通过曝光装置曝光处理前或者曝光处理后，在处理部以及交接部的至少一个中，通过干燥处理单元对基板实施干燥处理。 
在干燥处理时，基板在保持为近似水平的状态下进行旋转。然后，从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液。通过向旋转的基板中心部供给冲洗液，而在基板上形成冲洗液的液层。接着，在基板上的冲洗液的供给位置从基板中心部向周边部移动。由此，液层的中心部上形成没有冲洗液的干燥区域。然后，在基板上环状液层被一体地保持的状态下，通过离心力，干燥区域从液层的中心部向外侧扩大。此时，通过液层的表面张力，能够防止在干燥区域内形成微小液滴。 
另外，向基板中心部以第一供给压供给冲洗液，向基板周边部以低于第一供给压的第二供给压供给冲洗液。由此，能够防止供给到基板周边部的冲洗液飞散。因此，能够防止飞散了的冲洗液再次附着到基板的干燥区域内，能够可靠地防止基板上残留微小液滴。 
在对曝光处理后的基板上实施这样的干燥处理的情况下，即使在曝光装置中基板上附着有液体，也能够防止该液体落到基板处理装置内。其结果是，能够防止基板处理装置的动作不良。 
另外，能够防止残留在基板上的液体上附着环境中的尘埃等。进一步，能够防止残留在基板上的液体对基板上的膜造成坏影响。因此，能够防止基板的处理不良。 
另一方面，在对曝光处理前的基板进行干燥处理的情况下，通过在基板上形成液层，能够在曝光处理前除掉在曝光处理前的工序中附着在基板上的尘埃等。其结果是，能够防止曝光装置内的污染，能够防止基板的处理不良。 
根据本发明，对通过曝光装置曝光处理前或者曝光处理后的基板进行干燥处理。在对曝光处理后的基板进行干燥处理的情况下，即使在曝光装置中基板上附着有液体，也能够防止该液体落到基板处理装置内。 
另外，也能够防止环境中的尘埃等附着到残留在基板上的液体上。进一步，也能够防止基板上残留的液体对基板上的膜造成坏影响。因此，能够防 止基板的处理不良。 
一方面，在对曝光处理前的基板进行干燥处理的情况，通过在基板上形成液层，而能够在曝光处理前除掉在曝光处理前的工序中附着在基板上的尘埃等。其结果是，能够防止曝光装置内的污染，能够防止基板的处理不良。 
附图说明
图1是本发明第一实施方式的基板处理装置的俯视图。 
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置的概略侧视图。 
图3是从-X方向观察图1的基板处理装置的概略侧视图。 
图4是从+Y侧观察接口区的概略侧视图。 
图5是用于说明清洗/干燥处理单元的结构的图。 
图6是图5的清洗/干燥处理单元的示意性俯视图。 
图7是用于说明基板的干燥处理的详细的图。 
图8是用于说明基板的干燥处理的详细的图。 
图9是表示基板的旋转速度的变化之一例的图。 
图10是显示清洗/干燥处理单元的其他结构的示意性侧视图。 
图11是图9的清洗/干燥处理单元的示意性俯视图。 
图12是表示图10及图11的清洗/干燥处理单元中的基板的干燥处理的一部分的图。 
图13是表示清洗/干燥处理单元的又一结构的示意性侧视图。 
图14是显示清洗/干燥处理单元的又一结构的示意性侧视图。 
具体实施方式
以下，采用附图说明本发明实施方式的基板处理装置。在以下说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。 
(1)基板处理装置的结构 
图1为本发明一实施方式的基板处理装置的俯视图。此外，在图1以及后述的图2～图4中，为了明确位置关系，添加了表示相互垂直的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，Z方向 相当于铅垂方向。此外，在各方向中，箭头所示方向为+方向，其相反方向为-方向。另外，以Z方向为中心的旋转方向为θ方向。 
如图1所示，基板处理装置500具有分度器区9、防反射膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀剂盖膜用处理区13、抗蚀剂盖膜除去区14以及接口区15。另外，以与接口区15相邻的方式配置有曝光装置16。在曝光装置16中通过浸液法对基板W实施曝光处理。 
以下，将分度器区9、防反射膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀剂盖膜用处理区13、抗蚀剂盖膜除去区14以及接口区15称为处理区。 
分度器区9包括控制各处理区的动作的主控制器(控制部)30、多个运送器装载台40以及分度器机械手IR。分度器机械手IR上设置有用于交接基板W的手部IRH。 
防反射膜用处理区10包括防反射膜用热处理部100、101、防反射膜用涂布处理部50以及第一中央机械手CRI。防反射膜用涂布处理部50隔着第一中央机械手CRI与防反射膜用热处理部100、101对向设置。在第一中央机械手CRI上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。 
在分度器区9和防反射膜用处理区10之间，设置有隔离环境用的隔壁17。在该隔壁17上，上下接近设置有基板装载部PASS1、PASS2，其用于在分度器区9和防反射膜用处理部10之间进行基板W的交接。在从分度器区9向防反射膜用处理区10搬送基板W之际使用上侧的基板装载部PASS1，在从防反射膜用处理区10向分度器区9搬送基板W之际使用下侧的基板装载部PASS2。 
另外，在基板装载部PASS1、PASS2上，设置有检测有无基板W的光学式的传感器(未图示)。由此可以判断在基板装载部PASS1、PASS2上是否装载有基板W。另外，在基板装载部PASS1、PASS2上设置有被固定设置的多个支撑销。此外，上述光学式的传感器以及支撑销也同样地设置在后述的基板装载部PASS3～PASS13中。 
抗蚀膜用处理区11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂布处理部60以及第二中央机械手CR2。抗蚀膜用涂布处理部60隔着第二中央机械手CR2与抗蚀膜用热处理部110、111对向设置。在第二中央机械手CR2 上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。 
在防反射膜用处理区10和抗蚀膜用处理区11之间，设置有隔离环境用的隔壁18。在该隔壁18上，上下接近设置有基板装载部PASS3、PASS4，其用于在防反射膜用处理部10和抗蚀膜用处理区11之间进行基板W的交接。在从防反射膜用处理区10向抗蚀膜用处理区11搬送基板W之际使用上侧的基板装载部PASS3，在从抗蚀膜用处理区11向防反射膜用处理区10搬送基板W之际使用下侧的基板装载部PASS4。 
显影处理区12包括显影用热处理部120、121、显影处理部70以及第三中央机械手CR3。显影处理部70隔着第三中央机械手CR3与显影用热处理部120、121对向设置。在第三中央机械手CR3上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。 
在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间，设置有隔离环境用的隔壁19。在该隔壁19上，上下接近设置有基板装载部PASS5、PASS6，其用于在抗蚀膜用处理区11和显影处理区12之间进行基板W的交接。在从抗蚀膜用处理区11向显影处理区12搬送基板W之际使用上侧的基板装载部PASS5，在从显影处理区12向抗蚀膜用处理区11搬送基板W之际使用下侧的基板装载部PASS6。 
抗蚀剂盖膜用处理区13包括抗蚀剂盖膜用热处理部130、131、抗蚀剂盖膜用涂布处理部80以及第四中央机械手CR4。抗蚀剂盖膜用涂布处理部80隔着第四中央机械手CR4与抗蚀剂盖膜用热处理部130、131对向设置。在第四中央机械手CR4上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。 
在显影处理区12和抗蚀剂盖膜用处理区13之间，设置有隔离环境的隔壁20。在该隔壁20上，上下接近设置有基板装载部PASS7、PASS8，其用于在显影处理区12和抗蚀剂盖膜用处理区13之间进行基板W的交接。在从显影处理区12向抗蚀剂盖膜用处理区13搬送基板W之际使用上侧的基板装载部PASS7，在从抗蚀剂盖膜用处理区13向显影处理区12搬送基板W之际使用下侧的基板装载部PASS8。 
抗蚀剂盖膜除去区14包括曝光后烘焙用热处理部140、141、抗蚀剂盖膜除去用处理部90以及第五中央机械手CR5。曝光后烘焙用热处理部141 相邻于接口区15，如后所述具有基板装载部PASS11、PASS12。抗蚀剂盖膜除去用处理部90隔着第五中央机械手CR5与曝光后烘焙用热处理部140、141对向设置。在第五中央机械手CR5上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。 
在抗蚀剂盖膜用处理区13和抗蚀剂盖膜除去区14之间，设置有隔离环境用的隔壁21。在该隔壁21上，上下接近设置有基板装载部PASS9、PASS10，其用于在抗蚀剂盖膜用处理区13和抗蚀剂盖膜除去处理区14之间进行基板W的交接。在从抗蚀剂盖膜用处理区13向抗蚀剂盖膜除去区14搬送基板W之际使用上侧的基板装载部PASS9，在从抗蚀剂盖膜除去处理区14向抗蚀剂盖膜用处理区13搬送基板W之际使用下侧的基板装载部PASS10。 
接口区15包括输送缓冲贮存部SBF、清洗/干燥处理单元SD1、第六中央机械手CR6、边缘曝光部EEW、返回缓冲贮存部RBF、装载兼冷却单元PASS-CP(以下简略为P-CP)、基板装载部PASS13、接口用搬送机构IFR以及清洗/干燥处理单元SD2。另外，清洗/干燥处理单元SD1对曝光处理前的基板W进行清洗以及干燥处理，清洗/干燥处理单元SD2对曝光处理后的基板W进行清洗以及干燥处理。在后面详细描述清洗/干燥处理单元SD1、SD2。 
另外，在第六中央机械手CR6上，上下设置有用于交接基板W的手部CRH11、CRH12(参考图4)，在接口用搬送机构IFR上，上下设置有用于交接基板W的手部H1、H2(参考图4)。在后面详细描述接口区15。 
在本实施方式的基板处理装置500中，沿着Y方向，依次并列设置有分度器区9、防反射膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀剂盖膜用处理区13、抗蚀剂盖膜除去区14以及接口区15。 
图2是从+X方向观察图1的基板处理装置500的概略侧视图。图3是从-X方向观察图1的基板处理装置500的概略侧视图。另外，在图2中主要表示在基板处理装置500的+X侧设置的部件，在图3中主要表示在基板处理装置500的-X侧设置的部件。 
首先，利用图2说明基板处理装置500的+X侧的结构。如图2所示，在防反射膜用处理区10的防反射膜用涂布处理部50(参考图1)上，上下层叠配置有3个涂布单元BARC。各涂布单元BARC具有旋转卡盘51和供 给喷嘴52，该旋转卡盘51以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转，该供给喷嘴52向保持在旋转卡盘51上的基板W供给防反射膜的涂布液。 
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用涂布处理部60(参考图1)上，上下层叠设置有3个涂布单元RES。各涂布单元RES具有旋转卡盘61和供给喷嘴62，该旋转卡盘61以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转，该供给喷嘴62向保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀膜的涂布液。 
在显影处理区12的显影处理部70上，上下层叠设置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有旋转卡盘71和供给喷嘴72，该旋转卡盘71以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转，该供给喷嘴72向保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液。 
在抗蚀剂盖膜用处理区13的抗蚀剂盖膜用涂布处理部80上，上下层叠设置有3个涂布单元COV。各涂布单元COV具有旋转卡盘81和供给喷嘴82，该旋转卡盘81以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转，该供给喷嘴82向保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀剂盖膜的涂布液。作为抗蚀剂盖膜的涂布液，可以使用与抗蚀剂以及水的亲和力低的材料(与抗蚀剂以及水的反应性低的材料)。例如可以使用氟树脂。涂布单元COV通过一边旋转基板W一边向基板W上涂布涂布液，从而在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀剂盖膜。 
在抗蚀剂盖膜除去区14的抗蚀剂盖膜除去用处理部90上，上下层叠设置有3个除去单元REM。各除去单元REM具有旋转卡盘91和供给喷嘴92，该旋转卡盘91以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转，该供给喷嘴92向保持在旋转卡盘91上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)。除去单元REM通过一边旋转基板W一边向基板W涂布剥离液，从而除去形成在基板W上的抗蚀剂盖膜。 
另外，除去单元REM中的抗蚀剂盖膜的除去方法并不限于上述例子。例如，也可以通过在基板W的上方移动狭缝式喷嘴的同时向基板W供给剥离液来除去抗蚀剂盖膜。 
在接口区15内的+X侧，上下层叠设置有边缘曝光部EEW以及3个清洗/干燥处理单元SD2。各边缘曝光部EEW具有旋转卡盘98和光照射器99，该旋转卡盘98以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转，该光照射部99曝 光保持在旋转卡盘98上的基板W的边缘。 
接着，利用图3说明基板处理装置500的-X侧的结构。如图3所示，在防反射膜用处理区10的防反射膜用热处理部100、101上，分别层叠设置有两个加热单元(加热板)HP以及两个冷却单元(冷却板)CP。另外，在防反射膜用热处理部100、101的最上部分别设置有控制加热单元HP以及冷却单元CP的温度的局部控制器LC。 
在抗蚀膜用处理区11的抗蚀膜用热处理部100、101上，分别层叠设置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在抗蚀膜用热处理部100、101的最上部分别设置有控制加热单元HP和冷却单元CP的温度的局部控制器LC。 
在显影处理区12的显影用热处理部120、121上，分别层叠设置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在显影用热处理部120、121的最上部分别设置有控制加热单元HP和冷却单元CP的温度的局部控制器LC。 
在抗蚀剂盖膜用处理区13的抗蚀剂盖膜用热处理部130、131上，分别层叠设置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP。另外，在抗蚀剂盖膜用热处理部130、131的最上部设置有控制加热单元HP和冷却单元CP的温度的局部控制器LC。 
在抗蚀剂盖膜除去区14的曝光后烘焙用热处理部140上，上下层叠设置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP，在曝光后烘焙用热处理部141上，上下层叠设置有两个加热单元HP、两个冷却单元CP以及基板装载部PASS11、PASS12。另外，在曝光后烘焙用热处理部140、141的最上部分别设置有控制加热单元HP和冷却单元CP的温度的局部控制器LC。 
接着，利用图4详细说明接口区15。 
图4是从+Y侧观察接口区15的概略侧视图。如图4所示，在接口区15内，在-X侧层叠设置有输送缓冲贮存部SBF以及三个清洗/干燥处理单元SD1。另外，在接口区15内，在+X侧的上部设置有边缘曝光部EEW。 
在边缘曝光部EEW的下方，在接口区15内的大致中央部，上下层叠设置有返回缓冲部贮存部RBF、两个装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13。在边远曝光部EEW的下方，在接口区15内的+X侧，上下层叠设置有三个清洗/干燥处理单元SD2。
另外，在接口区15内的下部，设置有第六中央机械手CR6以及接口用搬送机构IFR。中央机械手CR6在输送缓冲贮存部SBF和清洗/干燥处理单元SD1，以及边缘曝光部EEW、返回缓冲贮存部RBF、装载兼冷却单元P-CP和基板装载部PASS13之间，可上下移动且可旋转地设置。接口用搬送机构IFR在返回缓冲贮存部RBF、装载兼冷却单元P-CP以及基板装载部PASS13和清洗/干燥处理单元SD2之间，可上下移动且可旋转地设置。 
(2)基板处理装置的动作 
接着，参考图1～图4，说明本实施方式的基板处理装置500的动作。 
(2-1)分度器区～抗蚀剂盖膜除去区的动作 
首先，简单说明分度器区9～抗蚀剂盖膜除去区14的动作。 
在分度器区9的运送器装载台40之上，搬入多级容纳多张基板W的运送器C。分度器机械手IR使用手部IRH取出容纳在运送器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR一边在±X方向上移动一边在±θ方向旋转移动，并将未处理基板W装载在基板装载部PASS1上。 
在本实施例中，作为运送器C采用了FOUP((front opening unified pod：晶元传送盒))，但并不限于此，也可以使用SMIF(Standard Mechanical InterFace：标准机械界面晶圆)盒或者将容纳基板W曝光在外部空气中的OC(open cassette：开放式晶元匣)等。 
进一步，在分度器机械手IR、第一～第六中央机械手CR1～CR6以及接口用搬送机构IFR，虽然分别使用了相对于基板W直线滑动来进行手部的进退动作的直动型搬送机械手，但并不限于此，也可以使用通过使关节动作来直线地进行手部的进退动作的多关节型搬送机械手。 
装载在基板装载部PASS1上的未处理基板W被防反射膜用处理区10的第一中央机械手CR1接受。第一中央机械手CR1将该基板W搬入至防反射膜用热处理部100、101。 
然后，第一中央机械手CR1从防反射膜用热处理部100、101取出经热处理的基板W，并将该基板W搬入至防反射膜用涂布处理部50。在该防反射膜用涂布处理部50，为了减少曝光时产生的驻波或者光晕，而通过涂布单元BARC在基板W上涂布形成防反射膜。 
接着，第一中央机械手CR1从防反射膜用涂布处理部50取出经涂布处 理的基板W，并将该基板W搬入至防反射膜用热处理部100、101。然后，第一中央机械手CR1从防反射膜用热处理部100、101取出经热处理的基板W，并将该基板W装载于基板装载部PASS3上。 
装载在基板装载部PASS3上的基板W被抗蚀膜用处理区11的第二中央机械手CR2接受。第二中央机械手CR2将该基板W搬入至抗蚀膜用热处理部110、111。 
然后，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110、111取出经热处理的基板W，并将该基板W搬入至抗蚀膜用涂布处理部60。在该抗蚀膜用涂布处理部60中，通过涂布单元RES在涂布形成有防反射膜的基板W上涂布形成抗蚀膜。 
接着，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用涂布处理部60取出经涂布处理的基板W，并将该基板W搬入至抗蚀膜用热处理部110、111。然后，第二中央机械手CR2从抗蚀膜用热处理部110、111取出经热处理的基板W，并将该基板W装载于基板装载部PASS5。 
装载于基板装载部PASS5上的基板W被显影处理区12的第三中央机械手CR3接受。第三中央机械手CR3将该基板W装载于基板装载部PASS7上。 
装载于基板装载部PASS7上的基板W被抗蚀剂盖膜用处理区13的第四中央机械手CR4接受。第四中央机械手CR4将该基板W搬入至抗蚀剂盖膜用涂布处理部80。在该抗蚀剂盖膜用涂布处理部80，通过涂布单元COV在涂布形成有抗蚀膜的基板W上涂布形成抗蚀剂盖膜。通过形成抗蚀剂盖膜，从而在曝光装置16中，即使基板与液体接触，也能够防止抗蚀膜与液体接触，能够防止抗蚀剂的成分溶出到液体中。 
接着，第四中央机械手CR4从抗蚀剂盖膜用涂布处理部80取出经涂布处理的基板W，并将该基板W搬入至抗蚀剂盖膜用热处理部130、131。然后，第四中央机械手从抗蚀剂盖膜用热处理部130、131取出经热处理的基板W，并将该基板W装载于基板装载部PASS9。 
装载于基板装载部PASS9上的基板W由抗蚀剂盖膜除去区14的第五中央机械手CR5接受。第五中央机械手CR5将该基板W装载于基板装载部PASS11。
装载于基板装载部PASS11上的基板W被接口区15的第六中央机械手CR6接受，如后所述，在接口区15以及曝光装置16中实施规定的处理。在接口部15以及曝光装置16中对基板W实施了规定的处理后，该基板W由第六中央机械手CR6搬入至抗蚀剂盖膜除去区14的曝光后烘焙用热处理部141。 
在曝光后烘焙用热处理部141，对基板W进行曝光后烘焙(PEB)。然后，第六中央机械手CR6从曝光后烘焙用热处理部141取出基板W，并将该基板W装载于基板装载部PASS12。 
另外，在本实施方式中，通过曝光后烘焙用热处理部141进行了曝光后烘焙，但是也可以通过曝光后烘焙用热处理部140进行曝光后烘焙。 
装载在基板装载部PASS12上的基板W被抗蚀剂盖膜除去区14的第五中央机械手CR5接受。第五中央机械手CR5将该基板W搬入至抗蚀剂盖膜除去用处理部90。在抗蚀剂盖膜除去用热处理部90中除去抗蚀剂盖膜。 
接着，第五中央机械手CR5从抗蚀剂盖膜除去用处理部90取出经处理后的基板W，并将该基板W装载于基板装载部PASS10。 
装载于基板装载部PASS10上的基板W通过抗蚀剂盖膜用处理区13的第四中央机械手CR4装载于基板装载部PASS8。 
装载于基板装载部PASS8上的基板W被显影处理区12的第三中央机械手CR3接受。第三中央机械手CR3将该基板W搬入至显影处理部70。在显影处理部70中，对曝光后的基板W实施显影处理。 
接着，第三中央机械手CR3从显影处理部70取出经显影处理的基板W，并将该基板W搬入至显影用热处理部120、121。然后，第三中央机械手CR3从显影用热处理部120、121取出经热处理后的基板W，并将该基板W装载于基板装载部PASS6。 
装载于基板装载部PASS6的基板W通过抗蚀膜用处理区11的第二中央机械手CR2装载于基板装载部PASS4。装载于基板装载部PASS4上的基板W通过防反射膜用处理区10的第一中央机械手CR1装载于基板装载部PASS2。 
装载于基板装载部PASS2上的基板W被分度器区9的分度器机械手IR容纳于运送器C内。由此，结束了基板处理装置500中的基板W的各处理。
(2-2)接口区的动作 
接着，详细说明接口区15的动作。 
如上所述，搬入至分度器区9的基板W被实施了规定的处理后，被装载于抗蚀剂盖膜除去区14(图1)的基板装载部PASS11。 
装载于基板装载部PASS11上的基板W被接口区15的第六中央机械手CR6接受。第六中央机械手CR6将该基板W搬入至边缘曝光部EEW(图4)。在该边缘曝光部EEW对基板W的周边部实施曝光处理。 
接着，第六中央机械手CR6从边缘曝光部EEW取出经边缘曝光的基板W，并将该基板W搬入至清洗/干燥处理处理单元SD1中的任意一个中。在清洗/干燥处理单元SD1中，如上所述地对曝光处理前的基板W实施清洗以及干燥处理。 
在此，曝光装置16的曝光处理时间通常比其他处理工序以及搬送工序长。其结果是，曝光装置16无法接受随后的基板W的情况比较多。在该情况下，基板W暂时由输送缓冲贮存部SBF(图4)容纳保管。在本实施方式中，第六中央机械手CR6从清洗/干燥处理单元SD1取出经清洗和干燥处理后的基板W，并将该基板W搬送至输送缓冲贮存部SBF。 
接着，第六中央机械手CR6取出容纳保管在输送缓冲贮存部SBF中的基板W，并将该基板W搬入至装载兼冷却单元P-CP。搬入至装载兼冷却单元P-CP的基板W被维持在与曝光装置16相同的温度(例如23℃)。 
此外，在曝光装置16具有充分的处理速度的情况下，无需在输送缓冲贮存部SBF容纳保管基板W，而将基板W从清洗/干燥处理单元SD1搬送至装载兼冷却单元P-CP即可。 
接着，在装载兼冷却单元P-CP中维持在上述规定温度的基板W被接口用搬送机构IFR的上侧的手部H1(图4)接受，并搬入至曝光装置16内的基板搬入部16a(图1)。 
在曝光装置16实施了曝光处理的基板W通过接口用搬送机构IFR的下侧的手部H2(图4)从基板搬出部16b(图1)搬出。接口用搬送机构IFR通过手部H2将该基板W搬入至清洗/干燥处理单元SD2中的任意一个中。在清洗/干燥处理单元SD2中，如上述那样对曝光处理后的基板W实施清洗以及干燥处理。
在清洗/干燥处理单元SD2实施了清洗以及干燥处理的基板W由接口用搬送机构IFR的手部H1(图4)取出。接口用搬送机构IFR通过手部H1将该基板W装载于基板装载部PASS13。 
装载于基板装载部PASS13上的基板W被第六中央机械手CR6接受。第六中央机械手CR6将该基板W搬送至抗蚀剂盖膜除去区14(图1)的曝光后烘焙用热处理部141。 
此外，在由于除去单元REM(图2)的故障等，抗蚀剂盖膜除去区14暂时无法接受基板W时，在返回缓冲贮存部RBF暂时容纳保管曝光处理后的基板W。 
在此，在本实施方式中，第六中央机械手CR6在基板装载部PASS11(图1)、边缘曝光部EEW、清洗/干燥处理单元SD1、输送缓冲贮存部SBF、装载兼冷却单元P-CP、基板装载部PASS13以及曝光后烘焙用热处理部141之间搬送基板W，但能够在短时间(如24秒)内完成该一系列动作。 
另外，接口用搬送机构IFR在装载兼冷却单元P-CP、曝光装置16、清洗/干燥处理单元SD2以及基板装载部PASS13之间搬送基板W，但能够在短时间(如24秒)内完成该一系列动作。 
其结果是，能够可靠地提高生产量。 
(3)清洗/干燥处理单元 
接着，使用附图详细说明清洗/干燥处理单元SD1、SD2。此外，清洗/干燥处理单元SD1、SD2可以采用同样的结构。 
(3-1)结构 
图5是说明清洗/干燥处理单元SD1、SD2的结构的示意性侧视图，图6是图5的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的示意性俯视图。如图5以及图6所示，清洗/干燥处理单元SD1、SD2具有旋转卡盘621，该旋转卡盘621水平地保持基板W，并且使基板W围绕通过基板W的中心的铅垂的旋转轴旋转。 
旋转卡盘621固定在旋转轴625(图5)的上端，旋转轴625通过卡盘旋转驱动机构636(图5)进行旋转。另外，在旋转卡盘621上形成有吸气路径(未图示)。通过在旋转卡盘621上装载了基板W的状态下对吸气路径内排气，从而在旋转卡盘621上真空吸附基板W的下表面，由此能够水 平姿势保持基板W。 
在旋转卡盘621的外方设置有马达660。在马达660上连接有旋转轴661。另外，在旋转轴661上以在水平方向延伸的方式连接有臂662，在臂662的前端设置有液体供给喷嘴650。 
通过马达660旋转旋转轴661，并且转动臂662。由此，液体供给喷嘴650在被旋转卡盘621保持的基板W的中心部上方的位置和基板W的外方位置之间移动(图6)。 
以通过马达660、旋转轴661以及臂662的内部的方式设置有清洗处理用供给管663。清洗处理用供给管663经由阀Va以及阀Vb而连接到清洗液供给源R1以及冲洗液供给源R2。 
通过控制该阀Va、Vb的开闭，而能够进行向清洗处理用供给管663供给的处理液的选择以及供给量的调整。在图5的结构中，通过开启阀Va，而能够向清洗处理用供给管663供给清洗液，通过开启阀Vb，而能够向清洗处理用供给管663供给冲洗液。 
从清洗液供给源R1或者冲洗液供给源R2通过清洗处理用供给管663向液体供给喷嘴650供给清洗液或者冲洗液。由此，能够向基板W表面供给清洗液或者冲洗液。作为清洗液例如可以使用纯水、纯水中溶解了络合物(离子化的物质)的液体或者氟类药液等。作为冲洗液例如可以使用纯水、碳酸水、含氢水、电解离子水、HFE(氢氟醚)或者有机类液体等。 
另外，作为清洗液或者冲洗液，也可以使用在曝光装置16中曝光处理之际采用的浸液液体。作为浸液液体的例子，可以举出纯水、具有高折射率的丙三醇、混合了高折射率的微粒(如铝氧化物)和纯水的混合液以及有机类的液体等。作为浸液液体的其他例子，可以举出在纯水中溶解了络合物(离子化的物质)的液体、碳酸水、含氢水、电解离子水、HFE(氢氟醚)、氢氟酸、硫酸以及硫酸/过氧化氢水溶液等。 
如图5所示，被旋转卡盘621保持的基板W被容纳在处理杯623内。在处理杯623的内侧设置有筒状的隔离壁633。另外，以围绕旋转卡盘621的周围的方式，设置有排液空间631，其用于排出在基板W的处理中使用过的处理液(清洗液或者冲洗液)。进一步，以围绕排液空间631的方式，在处理杯623和隔离壁633之间，形成有用于回收在基板W的处理中使用过 的处理液的回收液空间632。 
在排液空间631连接有用于向排液处理装置(未图示)导入处理液的排液管634，在回收液空间632连接有用于向回收处理装置(未图示)导入处理液的回收管636。 
在处理杯623的上方，设置有用于防止来自基板W的处理液向外方飞散的防护装置624。该防护装置624形成为相对于旋转轴626旋转对称的形状。在防护装置624上端部的内面呈环状地形成有断面为く字状的排液引导槽641。 
另外，在防护装置624的下端部的内面，形成有由向外侧下方倾斜的倾斜面构成的回收液引导部642。在回收液引导部642的上端附近，形成有用于接收处理杯623的隔离壁633的隔离壁容纳槽643。 
在该防护装置624上设置有由滚珠螺杆机构等构成的防护装置升降驱动机构(未图示)。防护装置升降驱动机构使防护装置624在回收液引导部642与被旋转卡盘621保持的基板W外周端面对向的回收位置和排液引导部641与被旋转卡盘621保持的基板W外周端面对向的排液位置之间上下移动。在防护装置624处于回收位置(图5所示的防护装置的位置)的情况下，从基板W向外方飞散的处理液通过回收液引导部642导入到回收液空间632中，通过回收管635被回收。另一方面，在防护装置624处于排液位置的情况下，从基板W向外方飞散的处理液通过排液引导槽641导入到排液空间631中，通过排液管634被排液。通过以上的结构，进行处理液的排液以及回收。 
(3-2)动作 
接着，说明具有上述结构的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的处理动作。另外，以下说明的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的各构成要素的动作可以通过图1的主控制器(控制部)30进行控制。 
首先，在搬入基板W之际，防护装置624下降，并且，图1的第六中央机械手CR6或者接口用搬送机构IFR将基板W装载到旋转卡盘621上。装载在旋转卡盘621上的基板W被旋转卡盘621吸附保持。 
接着，防护装置624移动到上述排液位置，并且，液体供给喷嘴650移动到基板W的中心部上方。然后，旋转轴625旋转，伴随着该旋转，保持在旋转卡盘621上的基板W旋转。然后，从液体供给喷嘴650向基板W上 表面喷出清洗液。由此，进行基板W的清洗。 
另外，在清洗/干燥处理单元SD1中，在该清洗之际，基板W上的清洗剂盖膜的成分溶出到清洗液中。另外，在基板W的清洗中，一边旋转基板W一边向基板W供给清洗液。此时，基板W上的清洗液通过离心力总是向基板W的周边部移动并飞散。因此，能够防止溶出到清洗液中的抗蚀剂盖膜的成分残留到基板W上。 
此外，例如也可以通过在基板W上充满水并保持一定时间来使上述抗蚀剂盖膜的成分溶出。另外，向基板W的清洗液的供给也可以通过使用了双流体喷嘴的柔性喷射方式进行。 
经过规定时间后，停止清洗液的供给，从液体供给喷嘴650喷出冲洗液。由此，冲走基板W上的清洗液。然后，进行后述的干燥处理，由此除去了基板W上的冲洗液，基板W被干燥。详细内容后面描述。 
然后，使防护装置624下降，并且，图1的第六中央机械手CR6或者接口用搬送机构IFR搬出基板W。由此，清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的处理动作结束。此外，清洗以及干燥处理中的防护装置624的位置优选根据处理液的回收或者排液的必要性进行适当的变更。 
另外，在上述实施方式中，采用了如下结构：在清洗液的供给以及冲洗液的供给中共用了液体供给喷嘴650，以便从液体供给喷嘴650能够供给清洗液以及冲洗液中的任意一种，但也可以采用清洗液供给用的喷嘴和冲洗液供给用的喷嘴分别独立的结构。 
另外，在清洗基板W的清洗液采用纯水的情况下，也可以使用该清洗液进行后述的干燥处理。 
另外，在基板W轻微污染的情况下，也可以不进行采用了清洗液的清洗。此时，通过进行采用以下所示那样的冲洗液的干燥处理，而能够充分除去基板W上的污染物。 
(3-3)基板的干燥处理的详细内容 
下面，详细说明清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的基板W的干燥处理。另外，在本例中使用的基板W的直径例如为200～300mm。 
在利用离心力干燥基板W的情况下，容易在基板W上残留微小液滴。这是因为对微小液滴仅作用与质量相应的离心力，所以很难使其从基板W脱 离。另外，若在基板W的中心部附近存在微小液滴，则对该微小液滴作用的离心力进一步变小，除掉微小液滴变得更困难。在基板W上的抗蚀剂盖膜的疏水性高的情况下，尤其容易产生这样的微小液滴。 
在本实施方式中，能够防止在基板W上的微小液滴的形成和附着，能够可靠地从基板W除去冲洗液。 
图7以及图8是用于说明基板W的干燥处理的详细的图。另外，图7中的(a)～图7中的(c)以及图8中的(a)～图8中的(c)是从上方观察基板W的图，图7中的(d)～图7中的(f)以及图8中的(d)～图8中的(f)是从侧面观察基板W的图。 
如上所述，在对基板W进行了清洗处理后，液体供给喷嘴650移动到基板W的中心部上方，向基板W上喷出冲洗液。由此，冲走基板W上的清洗液。经过规定时间后，在从液体供给喷嘴650持续喷出冲洗液的状态下，上升基板W的旋转速度。冲洗液的流量例如为0.2～0.8L/min。此时，如图7中的(a)以及图7中的(d)所示，以覆盖基板W一面的方式形成冲洗液的液层L。 
接着，如图7中的(b)以及图7中的(e)所示，液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方向外方移动。移动速度例如为6～10mm/sec。此时，因伴随基板W旋转产生的离心力，液层L的中心部的厚度变小。下面，将厚度变小的液层L的区域称为薄层区域。 
液体供给喷嘴650在从基板W的中心部上方移动规定距离的时刻暂时停止。液体供给喷嘴650的停止位置和基板W的旋转轴之间的水平距离例如为15～25mm。另外，停止时间例如为10秒左右。在该期间，如图7中的(c)以及图7中的(f)所示，由于离心力，液层L在薄层区域内被分割，在液层L的中心部形成了孔部(以下称为干燥中心C)。 
此时，通过暂时停止液体供给喷嘴650，从而液层L的薄层区域的扩大被限制。若薄层区域扩大，则有时在该薄层区域内形成多个干燥中心。在本实施方式中，防止了形成多个干燥中心C，仅形成一个干燥中心C。 
暂时停止液体供给喷嘴650的位置以及停止的时间通过实验等事先进行确定，使得能够可靠地仅形成一个干燥中心C。另外，优选根据基板W的种类、大小、表面状态以及旋转速度、来自液体供给喷嘴650的冲洗液的喷出 流量、以及液体供给喷嘴650的移动速度等各种条件，来适当设定使液体供给喷嘴650暂时停止的定时(timing)以及位置。 
干燥中心C形成后，如图8中的(a)以及图8中的(d)所示，液体供给喷嘴650再次向外方移动。伴随于此，由于离心力，以干燥中心C为起点不存在冲洗液的干燥区域R1在基板W上扩大。 
接着，如图8中的(b)以及图8中的(e)所示，当液体供给喷嘴650移动至基板W的周边部上方时，基板W的旋转速度下降。液体供给喷嘴650的移动速度维持原样。 
然后，停止喷出冲洗液，并且，使液体供给喷嘴650向基板W的外方移动。由此，如图8中的(c)以及图8中的(f)所示，干燥区域R1扩展至基板W的整体，基板W被干燥。 
这样，在基板W旋转的状态下，液体供给喷嘴650一边喷出冲洗液一边从基板W的中心部上方移动到周边部上方，由此，在基板W上一体地保持冲洗液的液层L的状态下，干燥区域R1不断扩大。此时，因液层L的表面张力而能够防止在干燥区域R1上形成微小液滴。由此，能够可靠地干燥基板W。 
另外，在液体供给喷嘴650移动规定距离之际，暂时停止液体供给喷嘴650，由此能够调整液层L的薄层区域的面积，能够可靠地形成一个干燥中心C。在没有形成一个干燥中心C而形成了多个干燥中心C的情况下，无法稳定地扩大干燥区域R1。另外，由于以多个干燥中心C为起点，多个干燥区域R1分别扩大，所以多个干燥区域R1相互干扰，容易形成微小液滴。因此，通过仅形成一个干燥中心C，而能够稳定地进行基板W的干燥，并且能够可靠地防止在基板W上残留微小液滴。 
接着，说明干燥处理时的基板W的旋转速度的变化。图9是表示基板W的旋转速度的变化之一例的图。在图9中，横轴表示基板W的旋转轴和液体供给喷嘴650之间的水平距离，纵轴表示基板W的旋转速度。 
在图9所示例子中，基板W的旋转轴和液体供给喷嘴650之间的水平距离在0～60mm期间，基板W的旋转速度设定为1800～2100rpm。若基板W的旋转轴和液体供给喷嘴650之间的水平距离超过60mm，则基板W的旋转速度设定为1000～1200rpm。即，相比液体供给喷嘴650在基板W的中心 部上方移动期间的基板W的旋转速度，液体供给喷嘴650在基板W的周边部上方移动期间的基板W的旋转速度设定得低。 
在基板W旋转时，基板W周边部的圆周速度大于基板W中心部的圆周速度。另外，在基板W的周边部容易产生冲洗液的紊流。因此，当基板W的旋转速度恒定的情况，喷出到基板W周边部的冲洗液比喷出到基板W的中心部的冲洗液更容易飞散。若从基板W周边部飞散的冲洗液作为微小液滴附着到基板W的干燥区域R1，则很难在此后除去。 
于是，在液体供给喷嘴650在基板W的周边部上方移动之际，降低基板W的旋转速度，由此能够防止喷出到基板W周边部的冲洗液飞散。因此，能够进一步可靠地防止微小液滴残留在基板W上，能够进一步可靠地干燥基板W。 
另外，在本实施方式中，干燥处理时，基板W的旋转速度被调整为两个阶段，但并不限于此，也可以三个阶段以上的多个阶段调整基板W的旋转速度，或者，在液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方向基板W的周边部上方移动的期间，连续降低基板W的旋转速度也可。 
(4)实施方式的效果 
在本实施方式的基板处理装置500中，在接口区15的清洗/干燥处理单元SD2中对曝光处理后的基板W实施干燥处理，基板W被可靠地干燥。由此，能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体落到基板处理装置500内。因此，能够防止基板处理装置500的电气系统的异常等动作不良。 
另外，能够防止环境中的尘埃等附着到曝光处理后的基板W上，所以能够防止基板W的污染。进一步，通过防止在基板W上残留液体，而能够防止该液体对基板W上的抗蚀膜以及抗蚀剂盖膜的坏影响。由此，能够防止基板W的处理不良。 
另外，由于能够防止附着了液体的基板W在基板处理装置500内搬送，所以能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体对基板处理装置500内的环境造成影响。由此，能够容易调整基板处理装置500内的温度和湿度。 
另外，能够防止曝光处理时附着在基板W上的液体附着于分度器机械手IR以及第一～第六中央机械手CR1～CR6上，所以能够防止液体附着于曝光处理前的基板W上。由此，能够防止环境中的尘埃等附着于曝光处理 前的基板W上，所以能够防止基板W受污染。其结果是，能够防止曝光处理时的分辨性能的恶化，并且，能够防止曝光装置16内的污染。 
另外，在从清洗/干燥处理单元SD2向显影处理部70搬送基板W的期间，能够可靠地防止抗蚀剂成分或者抗蚀剂盖膜成分溶解于残留在基板W上的清洗液以及冲洗液中。由此，能够防止形成于抗蚀膜上的曝光图案的变形。其结果能够可靠地防止显影处理时线宽精度的降低。 
另外，在清洗/干燥处理单元SD2中，在干燥处理前进行基板W的清洗处理。此时，即使在曝光处理时附着了液体的基板W上附着了环境中的尘埃等，也能够除去该附着物。由此，能够防止基板W的污染。其结果是，能够可靠地防止基板的处理不良。 
另外，在曝光装置16中进行基板W的曝光处理之前，在清洗/干燥处理单元SD1中进行基板W的清洗处理。在该清洗处理时，基板W上的一部分抗蚀剂盖膜的成分溶出到清洗液或者冲洗液中而被冲洗掉。因此，在曝光装置16中，即使基板W与液体接触，基板W上的抗蚀剂盖膜的成分几乎不会溶出到液体中。另外，能够除去附着在曝光处理前的基板W上的尘埃等。其结果是，防止了曝光装置16内的污染。 
另外，在从清洗/干燥处理单元SD1中，基板W的清洗处理后进行基板W的干燥处理。由此，能够除去清洗处理时附着在基板W上的清洗液或者冲洗液，所以能够防止清洗处理后的基板W上再次附着环境中的尘埃等。其结果是，能够可靠地防止曝光装置16内的污染。 
另外，通过除去清洗处理时附着在基板W上的清洗液或者冲洗液，从而能够防止在曝光处理前清洗液或者冲洗液渗入到基板W上的抗蚀剂盖膜或者抗蚀膜中。由此，能够防止曝光处理时的分辨性能的恶化。 
(5)清洗/干燥处理单元的其他例 
图10是表示清洗/干燥处理单元SD1、SD2的其他结构的示意性侧视图，图11是图10的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的示意性俯视图。下面，说明图10以及图11所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2与图5以及图6所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的不同点。 
在该清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，在隔着旋转卡盘621与马达660对向的位置上设置有马达671。在马达671上连接有旋转轴672。旋转轴672 上以在水平方向延伸的方式连接有臂673，在臂673的前端设置有气体供给喷嘴670。 
通过马达671使旋转轴672旋转，并且，转动臂673。由此，气体供给喷嘴670在被旋转卡盘621保持的基板W的中心部上方位置和基板W的外方位置之间移动。此时，液体供给喷嘴650和气体供给喷嘴670从基板W中心部上方相互向着反对侧方向移动到基板W的外方位置。 
以通过马达671、旋转轴672以及臂673的内部的方式设置有干燥处理用供给管674。干燥处理用供给管674经由阀Vc连接到非活性气体供给源R3。通过控制该阀Vc的开闭，而能够调整供给到干燥处理用供给管674的非活性气体的供给量。 
非活性气体从非活性气体供给源R3通过干燥处理用供给管674供给到气体供给喷嘴670中。由此能够向基板W的表面供给非活性气体。作为非活性气体，例如可以使用氮气。另外也可以代替非活性气体而使用空气等其他气体。 
接着，说明在图10以及图11的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的基板W的干燥处理。图12是表示图10以及图11的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的基板W的干燥处理的一部分的图。 
关于液体供给喷嘴650的动作以及基板W的旋转速度的变化，与图5以及图6的清洗/干燥处理单元SD1、SD2相同。在此，主要说明气体供给喷嘴670的动作。 
在液体供给喷嘴650开始从基板W的中心部上方移动后(参考图7中的(b)以及图7中的(e))，气体供给喷嘴670移动到基板W的中心部。然后，当在液层L上形成干燥中心C时(参考图7中的(c)以及图7中的(f))，如图12中的(a)以及图12中的(d)所示，气体供给喷嘴670向基板W的中心部吹出非活性气体。 
此时，以在液层L上形成的第一个干燥中心C为起点，干燥区域R1瞬间扩大。由此，能够防止在形成第一个干燥中心C后形成其他干燥中心C。如上所述，若形成多个干燥中心C，则很容易在基板W上形成微小液滴。因此，在本例中能够进一步可靠地防止形成微小液滴。 
另外，吹出非活性气体的定时可以通过实验等事先确定，以便在形成第 一个干燥中心C后，不形成其他干燥中心C。另外，优选根据基板W的种类、大小、表面状态以及旋转速度、来自液体供给喷嘴650的冲洗液的喷出流量、以及液体供给喷嘴650的移动速度等各种条件，适当设定吹出非活性气体的定时。 
接着，如图12中的(b)以及图12中的(e)所示，液体供给喷嘴650一边喷出冲洗液一边向外方移动，并且，气体供给喷嘴670一边吹出非活性气体一边向与液体供给喷嘴650相反的方向移动。液体供给喷嘴650的移动速度和气体供给喷嘴670的移动速度被调整为大致相同。由此，气体供给喷嘴670相比于液体供给喷嘴650总是处于接近基板W的旋转轴的位置，向基板W上的干燥区域R1吹出非活性气体。 
然后，液体供给喷嘴650停止喷出冲洗液并且向外方移动，气体供给喷嘴670停止吹出非活性气体并且向外方移动。由此，如图12中的(c)以及图12中的(f)所示，干燥区域R1扩展到基板W上整体，基板W被干燥。 
这样，气体供给喷嘴670一边吹出非活性气体一边从基板W的中心部上方向外方移动，从而能够可靠地防止在基板W上的干燥区域R1中残留微小液滴。另外，能够可靠地扩大干燥区域R1，能够有效且可靠地干燥基板W。 
另外，液体供给喷嘴650和气体供给喷嘴670在反方向上移动，由此从液体供给喷嘴650喷出的冲洗液和从气体供给喷嘴670吹出的非活性气体不会相互干涉。由此，能够防止由与非活性气体的干涉而引起的冲洗液的飞散，能够防止在干燥区域R1上附着冲洗液的微小液滴。 
另外，由于冲洗液和非活性气体不干涉，从而设定非活性气体的流量以及吹出角度等的自由度变大。由此，能够更有效地干燥基板W。 
另外，在上述例子中，气体供给喷嘴670一边吹出非活性气体一边从基板W的中心部上方向周边部上方移动，但也可以仅在形成干燥中心C后的短时间(如1秒)内，气体供给喷嘴670吹出非活性气体。即，也可以向如图12中的(a)以及图12中的(d)所示的基板W中心部例如吹出一秒左右非活性气体，然后停止吹出非活性气体。此时，非活性气体的流量例如调整为10L/min。 
另外，气体供给喷嘴670无需从基板W的中心部上方移动，向基板W 的中心部持续数秒吹出非活性气体也可。此时，非活性气体的流量例如调整为10L/min。 
另外，在上述例子中，液体供给喷嘴650和气体供给喷嘴670从基板W的中心部上方互相反方向移动，但只要能抑制冲洗液和非活性气体之间的干涉，则液体供给喷嘴650和气体供给喷嘴670在例如垂直的方向上移动也可，或者在相同方向上移动也可。在液体供给喷嘴650和气体供给喷嘴670在相同方向上移动的情况下，液体供给喷嘴650和气体供给喷嘴670也可以成一体。 
(6)清洗/干燥处理单元的又一例 
图13是表示清洗/干燥处理单元SD1、SD2的又一结构的示意性侧视图。下面，说明图13所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2与图5以及图6所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的不同点。 
在该清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，设置有三通阀Vt、旁通管663a以及流量调整阀680。旁通管663a的一端经由三通阀Vt连接到阀Vb上游侧的清洗处理用供给管663的部分，旁通管663a的另一端连接到三通阀Vt和阀Vb之间的清洗处理用供给管663的部分。流量控制阀680安装在旁通管663a上。通过流量控制阀680降低了经旁通管663a供给到液体供给喷嘴650中的冲洗液的流量。 
在图5以及图6的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，干燥处理时，若液体供给喷嘴650移动到基板W的周边部上方，则基板W的旋转速度变低。由此能够防止喷出到基板W周边部的冲洗液飞散。 
相对于此，在图13所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，干燥处理时，若液体供给喷嘴650移动到基板W的周边部上方，则切换三通阀Vt，使得冲洗液导入到旁通管663a中。另外，基板W旋转速度如在1800～2100rpm中维持恒定。此时，相比于喷出到基板W中心部附近的冲洗液的流量，喷出到基板W周边部的冲洗液的流量减少。由此能够防止喷出到基板W周边部的冲洗液飞散。 
另外，在本例中，干燥处理时，冲洗液的流量被调整为两个阶段，但并不限于此，也可以三个阶段以上的多个阶段调整冲洗液的流量，或者，在液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方向基板W的外方移动的期间，连续 降低冲洗液的流量也可。 
另外，图13所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，也可以设置有图10的马达671、旋转轴672、臂673以及气体供给喷嘴670。 
(7)清洗/干燥处理单元的又一例 
图14是表示清洗/干燥处理单元SD1、SD2的又一结构的示意性侧视图。以下，说明图14所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2和图13所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2的不同点。 
在该清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，代替流量调整阀680而设置有减压阀681。通过减压阀681降低了经旁通管663a供给到液体供给喷嘴650中的冲洗液的供给压。 
在该清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，干燥处理时，若液体供给喷嘴650移动到基板W的周边部上方，则切换三通阀Vt，使得冲洗液导入到旁通管663a中。此时，相比于向基板W中心部附近的冲洗液的喷出压，向基板W周边部的冲洗液的喷出压变低。由此能够防止喷出到基板W周边部的冲洗液飞散。 
另外，在本例中，干燥处理时的冲洗液的喷出压被调整为两个阶段，但并不限于此，也可以三个阶段以上的多个阶段调整冲洗液的喷出压，或者在液体供给喷嘴650从基板W的中心部上方向基板W的外方移动的期间，连续降低冲洗液的喷出压也可。 
另外，图14所示的清洗/干燥处理单元SD1、SD2中，也可以设置有图10的马达671、旋转轴672、臂673以及气体供给喷嘴670。 
(8)其他实施方式 
也可以不设置抗蚀剂盖膜用处理区13。此时，在清洗/干燥处理单元SD1中清洗处理时，抗蚀膜成分中的一部分溶出到清洗液中。由此，在曝光装置16中，即使抗蚀膜与液体接触，也能够防止抗蚀剂成分溶出到液体中。其结果，能够防止曝光装置16内的污染。 
另外，在没有设置抗蚀剂盖膜用处理区13的情况下，也可以不设置抗蚀剂盖膜除去区14。由此能够减少基板处理装置500的占地面积(foot print)。此外，在没有设置抗蚀剂盖膜用处理区13和抗蚀剂盖膜除去区14的情况下，在显影处理区12的显影用热处理部121中进行基板W的曝光后烘焙。
另外，在上述实施方式中，清洗/干燥处理单元SD1、SD2配置在接口区15内，但清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的至少一个也可以配置在图1所示的抗蚀剂盖膜除去区14内。或者也可以将含有清洗/干燥处理单元SD1、SD2中的至少一个的清洗/干燥处理区配置在图1所示的抗蚀剂盖膜除去区14和接口区15之间。 
另外，清洗/干燥处理单元SD1、清洗/干燥处理单元SD2、涂布单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、加热单元HP、冷却单元CP以及装载兼冷却单元P-CP的个数可以根据各处理区的处理速度进行适当变更。例如，在设置两个边缘曝光部EEW的情况下，也可以将清洗/干燥处理单元SD2的个数设置成两个。 
(9)本发明观点的各构成要素和实施方式的各要素之间的对应 
以下，说明本发明观点的各构成要素和实施方式的各要素之间的对应例，但本发明并不限于下述例子。 
在上述实施方式中，防反射膜用处理区10、抗蚀膜用处理区11、显影处理区12、抗蚀剂盖膜用处理区13以及抗蚀剂盖膜除去区14为处理部的例子，接口区15为交接部的例子，清洗/干燥处理单元SD1、SD2为干燥处理单元的例子。 
另外，旋转卡盘621为基板保持装置的例子，卡盘旋转驱动机构636为旋转驱动装置的例子，液体供给喷嘴650为冲洗液供给部的例子，马达660为冲洗液供给移动机构的例子，气体供给喷嘴670为气体供给部的例子，马达671为气体供给移动机构的例子，涂布单元RES为感光膜形成单元的例子。 
作为本发明观点的各构成要素，也可以使用具有本发明观点所述构成或者功能的其他各种各样的要素。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，相邻于曝光装置而配置，其特征在于，该基板处理装置具有：
处理部，其用于对基板进行处理；
交接部，其用于在所述处理部和所述曝光装置之间进行基板的交接；
所述处理部和所述交接部中的至少一个包括进行基板的干燥处理的干燥处理单元，
所述干燥处理单元包括：
基板保持装置，其将基板保持为近似水平；
旋转驱动装置，其使由所述基板保持装置保持的基板围绕垂直于该基板的轴进行旋转；
冲洗液供给部，其向由所述基板保持装置保持的基板上供给冲洗液；
冲洗液供给移动机构，其使所述冲洗液供给部移动，以便从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液；
气体供给部，其在由所述冲洗液供给部向基板的从中心离开的位置处供给冲洗液的状态下，向基板的中心部吹出气体；
所述旋转驱动装置在通过冲洗液供给移动机构移动所述冲洗液供给部的期间，使基板的旋转速度阶段性地或者连续性地变化，使得在向基板的中心部供给冲洗液的状态下，使基板以第一旋转速度旋转，在向基板的周边部供给冲洗液的状态下，使基板以低于所述第一旋转速度的第二旋转速度旋转。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述冲洗液供给移动机构在向基板的从中心部离开规定距离的位置处供给冲洗液的状态下，使所述冲洗液供给部的移动暂时停止。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述干燥处理单元还包括气体供给移动机构，所述气体供给移动机构使所述气体供给部移动，使得基板上的气体的供给位置处于比通过所述冲洗液供给部供给的冲洗液的供给位置更接近基板的中心部的位置，而从基板的中心部向基板的周边部移动。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理部还包括：
感光膜形成单元，其在曝光处理前的基板上形成由感光材料构成的感光膜；
显影处理单元，其对曝光处理后的基板进行显影处理；
所述干燥处理单元在由所述曝光装置进行曝光处理后且由所述显影处理单元进行显影处理前进行基板的干燥处理。
5.一种基板处理方法，在基板处理装置中处理基板，该基板处理装置相邻于曝光装置而配置，且包含有处理部和交接部，其特征在于，该基板处理方法包括：
通过所述处理部对基板进行曝光前的处理的工序；
通过所述交接部将由所述处理部处理过的基板从所述处理部交接到所述曝光装置的工序；
通过所述交接部将由所述曝光装置进行曝光处理后的基板从所述曝光装置交接到所述处理部的工序；
通过所述处理部对基板进行曝光处理后的处理的工序；
在所述处理部和所述交接部中的至少一个中对基板进行干燥处理的工序；
对所述基板进行干燥处理的工序包括：
将基板保持为近似水平并使基板围绕垂直于基板的轴进行旋转的工序；
从旋转的基板的中心部向周边部连续地供给冲洗液的工序；
在向基板的从中心离开的位置处供给冲洗液的状态下，向基板的中心部吹出气体的工序；
在使所述基板进行旋转的工序中，在冲洗液的供给位置从基板的中心部向周边部移动的期间，使基板的旋转速度阶段性地或者连续性地变化，使得在向基板的中心部供给冲洗液的期间，以第一旋转速度旋转基板，在向基板的周边部供给冲洗液的期间，以低于所述第一旋转速度的第二旋转速度旋转基板。
CN2008102123797A 2007-09-13 2008-09-12 基板处理装置以及基板处理方法 Active CN101388333B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007237700 2007-09-13
JP2007-237700 2007-09-13
JP2007237700A JP5192206B2 (ja) 2007-09-13 2007-09-13 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101388333A CN101388333A (zh) 2009-03-18
CN101388333B true CN101388333B (zh) 2012-09-19

Family

ID=40454073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008102123797A Active CN101388333B (zh) 2007-09-13 2008-09-12 基板处理装置以及基板处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8218124B2 (zh)
JP (1) JP5192206B2 (zh)
KR (1) KR101012554B1 (zh)
CN (1) CN101388333B (zh)
TW (1) TWI387034B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5008280B2 (ja) * 2004-11-10 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154007B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4761907B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5096849B2 (ja) * 2007-09-13 2012-12-12 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5166802B2 (ja) * 2007-09-13 2013-03-21 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
US20100224217A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-09 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor cleaning method and apparatus and controlling method of the same
JP2011176035A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Disco Corp ウエーハの洗浄方法
JP5538102B2 (ja) 2010-07-07 2014-07-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板洗浄方法および基板洗浄装置
CN102346382A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体元器件显影过程中的清洗方法
CN102580941A (zh) * 2012-02-27 2012-07-18 上海集成电路研发中心有限公司 提高晶圆清洁度的清洗方法及清洗甩干设备
JP6061484B2 (ja) 2012-03-27 2017-01-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP5683539B2 (ja) * 2012-07-10 2015-03-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体
JP6183705B2 (ja) 2013-01-15 2017-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6224515B2 (ja) * 2013-06-07 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN104425321B (zh) * 2013-08-30 2017-09-29 细美事有限公司 基板处理装置以及方法、包括该装置的基板处理系统
JP6318012B2 (ja) * 2014-06-04 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
CN106507684B (zh) 2014-06-16 2020-01-10 Asml荷兰有限公司 光刻设备、转移衬底的方法和器件制造方法
JP6215787B2 (ja) * 2014-07-25 2017-10-18 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6273178B2 (ja) * 2014-08-13 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6178019B2 (ja) * 2014-10-31 2017-08-09 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP6588819B2 (ja) * 2015-12-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101985763B1 (ko) * 2016-11-24 2019-09-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
DE102017212887A1 (de) 2017-07-26 2019-01-31 Gebr. Schmid Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Anlage zur Leiterplattenherstellung
JP6980457B2 (ja) * 2017-08-23 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6771080B2 (ja) * 2019-09-13 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7509657B2 (ja) * 2020-10-29 2024-07-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148459A (ja) 1994-11-18 1996-06-07 Toshiba Corp 半導体基板の洗浄方法
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP3322853B2 (ja) * 1999-08-10 2002-09-09 株式会社プレテック 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法
JP3694641B2 (ja) * 2000-08-09 2005-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、現像処理装置及び現像処理方法
JP2002367899A (ja) * 2001-06-12 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法
JP3834542B2 (ja) * 2001-11-01 2006-10-18 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
TW561516B (en) * 2001-11-01 2003-11-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004335542A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Toshiba Corp 基板洗浄方法及び基板乾燥方法
US7050751B2 (en) * 2003-07-28 2006-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Image forming system with temporary storage trays between sheet storage units and image forming apparatus
CN100423205C (zh) 2003-11-18 2008-10-01 东京毅力科创株式会社 基板清洗方法、基板清洗装置
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
JP4794232B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
CN100535757C (zh) 2004-12-06 2009-09-02 株式会社迅动 基板处理装置
US7766565B2 (en) * 2005-07-01 2010-08-03 Sokudo Co., Ltd. Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system
JP4753641B2 (ja) * 2005-07-01 2011-08-24 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理システム
JP4607755B2 (ja) * 2005-12-19 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2007311439A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2008016781A (ja) 2006-07-10 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4832201B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4937678B2 (ja) 2006-08-29 2012-05-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100940136B1 (ko) * 2006-08-29 2010-02-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
JP4730787B2 (ja) 2006-08-29 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5166802B2 (ja) * 2007-09-13 2013-03-21 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI387034B (zh) 2013-02-21
JP2009071026A (ja) 2009-04-02
US8218124B2 (en) 2012-07-10
JP5192206B2 (ja) 2013-05-08
TW200924096A (en) 2009-06-01
CN101388333A (zh) 2009-03-18
US20090073394A1 (en) 2009-03-19
KR101012554B1 (ko) 2011-02-07
KR20090028417A (ko) 2009-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101388333B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN101114577B (zh) 基板处理装置
CN101388327B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN100547724C (zh) 基板处理装置
CN100495639C (zh) 基板处理装置
CN1773674B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN1773673B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN100401469C (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP4845463B2 (ja) 基板処理装置
KR100736802B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
CN1773376B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN101355019B (zh) 基板清洗装置及具有该基板清洗装置的基板处理装置
CN1812050B (zh) 基板处理装置
KR100684627B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
JP4794232B2 (ja) 基板処理装置
CN100592468C (zh) 基板处理装置
JP2007214365A (ja) 基板処理装置
US8031324B2 (en) Substrate processing apparatus with integrated cleaning unit
CN100535757C (zh) 基板处理装置
CN100520594C (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN100424815C (zh) 基板处理装置及基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SCREEN SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: SOKUDO CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Kyoto Japan

Patentee after: Skrine Semiconductor Technology Co. Ltd.

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: Sokudo Co., Ltd.