JP6980457B2 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体に関する。
基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）などの上面に集積回路の積層構造（デバイス）を形成する半導体装置の製造工程においては、ウエハの上面に形成された自然酸化膜のうち、ウエハの周縁部に形成された部分を、フッ酸などの薬液で除去することが行われている（例えば、特許文献１参照）。このような自然酸化膜を除去することを、ベベル洗浄またはエッジ洗浄と呼ぶことがある。
特開２０１２−１６４８５８号公報
ところで、ウエハの周縁部という限られた領域で自然酸化膜をエッチングで除去するために、ウエハへの薬液の吐出量を少なくし、自然酸化膜のエッチング幅の精度の向上を図っている。薬液の吐出量を少なくすると、薬液の吐出開始直後では、吐出量が不安定になる。そこで、ウエハの周縁部の自然酸化膜を除去する場合には、ノズルからウエハの周縁部に薬液を供給する前に、ウエハから後退した後退位置でノズルから薬液を所定時間吐出する。その後、薬液を吐出しながらウエハの周縁部にノズルを移動させることにより、ノズルがウエハの周縁部に薬液を供給する際には、ノズルからの薬液の吐出量を安定させている。
しかしながら、ノズルは、薬液を吐出しながらウエハのベベル部の上方を通過するため、吐出された薬液がベベル部に衝突して周囲に飛散する。この飛散した薬液が、エッチング後に残存する自然酸化膜の表面に付着すると、パーティクル源になり得る。とりわけ、近年では、パーティクルの検査対象が小粒径化したり、パーティクルの検査範囲が半径方向に拡大したりしており、パーティクル対策が急務になっている。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板の上面におけるパーティクルの発生を抑制することができる基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
本発明の一実施の形態は、
基板を水平に保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
処理液を吐出する処理液ノズルを含む処理液供給部と、
前記基板に前記処理液を供給する第１処理位置と、前記第１処理位置よりも前記基板の中心側に位置する第２処理位置であって、前記基板に前記処理液を供給する第２処理位置と、前記基板から後退した後退位置との間で前記処理液ノズルを移動させる処理液ノズル駆動部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板を第１回転数で回転させるとともに前記処理液ノズルから前記処理液を吐出させながら前記処理液ノズルを前記後退位置から前記第１処理位置に移動させる第１移動工程と、前記第１移動工程の後、前記基板を前記第１回転数よりも高い第２回転数で回転させるとともに前記処理液ノズルから前記処理液を吐出させながら前記処理液ノズルを前記第１処理位置から前記第２処理位置に移動させる第２移動工程と、を行うように、前記回転駆動部、前記処理液ノズル駆動部および前記処理液供給部を制御する、基板処理装置、
を提供する。
本発明の一実施の形態は、
基板を水平に保持する保持工程と、
前記基板を第１回転数で回転させるとともに処理液ノズルから処理液を吐出させながら、前記処理液ノズルを、前記基板から後退した後退位置から前記処理液を前記基板に供給する第１処理位置に移動させる第１移動工程と、
前記第１移動工程の後、前記基板を前記第１回転数よりも高い第２回転数で回転させるとともに前記処理液ノズルから前記処理液を吐出させながら、前記処理液ノズルを、前記第１処理位置から、前記第１処理位置よりも前記基板の中心の側に位置する第２処理位置であって、前記基板に前記処理液を供給する第２処理位置に移動させる第２移動工程と、を備えた、基板処理方法、
を提供する。
本発明の他の実施の形態は、
基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項９〜１６のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体、
を提供する。
本発明によれば、基板の上面におけるパーティクルの発生を抑制することができる。
図１は、本実施の形態における基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、本実施の形態における基板処理装置の概略縦断面図である。 図３は、図２の各ノズルを示す模式平面図である。 図４は、図３のフッ酸ノズルからのフッ酸の吐出方向を説明するための図であって、図３のＡ−Ａ線断面に相当する模式縦断面図である。 図５は、図３のフッ酸ノズルからのフッ酸の吐出方向を説明するための図であって、図３のＢ−Ｂ線断面に相当する模式縦断面図である。 図６は、図３のフッ酸ノズルからのフッ酸の吐出方向を説明するための模式平面図である。 図７は、本実施の形態における基板処理方法において、回転開始工程を説明するための図である。 図８は、図７に示す回転開始工程に続く、フッ酸の吐出開始工程を説明するための図である。 図９は、図８に示す吐出開始工程に続く、フッ酸ノズルが後退位置から第１処理位置に移動する第１移動工程を説明するための図である。 図１０は、図９に示す第１移動工程に続く、ウエハの回転数上昇工程を説明するための図である。 図１１は、図１０に示す回転数上昇工程に続く、フッ酸ノズルが第１処理位置から第２処理位置に移動する第２移動工程を説明するための図である。 図１２は、図１１に示す第２移動工程に続く、自然酸化膜除去工程を説明するための図である。 図１３は、図１２に示す自然酸化膜除去工程に続く、フッ酸ノズルが第２処理位置から第１処理位置に移動する第３移動工程を説明するための図である。 図１４は、図１２に示す第３移動工程に続く、ウエハの回転数低下工程を説明するための図である。 図１５は、図１４に示す回転数低下工程に続く、フッ酸ノズルが第１処理位置から後退位置に移動する第４工程を説明するための図である。 図１６は、図１５に示す第４移動工程に続く、フッ酸の吐出終了工程を説明するための図である。
以下、図面を参照して本発明の基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれ得る。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ（以下ウエハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
図１に示す処理ユニット１６は、図２に示す基板処理装置３０を備えている。ここで、本実施の形態における基板処理装置３０は、ウエハＷの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチングして除去するための装置であって、処理液の一例としてのフッ酸を用いて自然酸化膜をエッチングで除去する装置について説明する。ここで、ウエハＷの周縁部とは、ウエハＷの上面にデバイスが形成されていないリング状の領域を意味する。ウエハＷの周縁部は、ベベル部Ｗｂ（ウエハＷの外縁の側における湾曲状に形成された部分、図７等参照）を含み、ウエハＷの外縁Ｗｅから半径方向内側に所定の距離（例えば、３ｍｍ）にわたる領域となる。
図２に示すように、基板処理装置３０は、シリコン製の半導体ウエハ等の基板（以下、ウエハＷともいう）を水平に保持する保持部３１と、保持部３１から下方に延びる回転軸３２と、回転軸３２を介して保持部３１を回転させる回転駆動部３３とを備えている。保持部３１は、保持部３１上に載置されたウエハＷを例えば真空吸着により保持するようになっている。
図２に示すように、回転軸３２は鉛直方向に延びている。回転駆動部３３は、回転軸３２の下端部に設けられたプーリ３４と、モータ３５と、モータ３５の回転軸に設けられたプーリ３６と、プーリ３４とプーリ３６とに巻き掛けられた駆動ベルト３７と、を有している。このような構成により、モータ３５の回転駆動力が、駆動ベルト３７を介して回転軸３２に伝達される。回転軸３２は、後述するチャンバー３９にベアリング３８を介して回転可能に保持されている。
上述した保持部３１および回転軸３２などは、チャンバー３９内に収容されている。チャンバー３９の天井付近には、外部から清浄空気を取り込む清浄空気導入ユニット４０が設けられている。また、チャンバー３９の床面近傍には、チャンバー３９内の清浄空気を排出する排気口４１が設けられている。これにより、チャンバー３９内に上部から下部に向けて流れる清浄空気のダウンフローが形成されている。
保持部３１に保持されたウエハＷの上方に、リング状に形成されたトップリング４２（カバー部材）が設けられている。このトップリング４２は、保持部３１に保持されたウエハＷの上方に形成される内側空間Ｓ１を画定している。また、トップリング４２は、保持部３１に保持されたウエハＷの上面の周縁部を覆うように設けられており、ウエハＷの上面に対して対向するとともに離間している。トップリング４２と、ウエハＷの周縁部との間には、内側空間Ｓ１に連通した周縁空間Ｓ２が介在されている。この周縁空間Ｓ２は、清浄空気導入ユニット４０からトップリング４２の内側空間Ｓ１に供給された清浄空気が、後述するカップ体４３に向かう際に通過する空間になっている。この周縁空間Ｓ２によって、清浄空気の流路が絞られて清浄空気の流れがウエハＷの外周側に向くように整流されるとともに清浄空気の流速が増大している。これにより、ウエハＷの周縁部から飛散した処理液（後述するフッ酸やＤＩＷなど）を外周側に排出させて、ウエハＷに舞い戻って付着することを防止している。
保持部３１に保持されたウエハＷの周囲に、カップ体４３が設けられている。このカップ体４３は、保持部３１の外周を取り囲むように設けられた、リング状の部材である。カップ体４３は、ウエハＷから飛散した処理液を受け止めて回収し、外部に排出する役割を有している。
カップ体４３には、リング状の凹部４４がカップ体４３の周方向に沿って形成されている。この凹部４４によってカップ体４３のカップ空間Ｓ３が画定されている。凹部４４の底部に排液口４５が設けられており、この排液口４５に排液路４６が接続されている。また凹部４４のうち排液路４６よりも内周側には排気口４７が設けられており、この排気口４７に排気部４８が接続されている。この排気部４８は、上述したトップリング４２の内側空間Ｓ１の清浄空気（気体）を、周縁空間Ｓ２を介して排出するように構成されている。より具体的には、排気部４８は、排気口４７に接続された排気路４９と、排気路４９に設けられた排気駆動部５０（エジェクタまたは真空ポンプなど）と、排気路４９のうち排気駆動部５０よりも上流側（排気口４７の側）に設けられた流量調整弁５１（排気量調整部）と、を有している。流量調整弁５１（例えば、ダンパー弁など）は、その開度を調整することによって、内側空間Ｓ１から排出される清浄空気の排気量（排気路４９を通る清浄空気の排気量に相当）を調整するように構成されている。ウエハＷの処理中には、排気駆動部５０が駆動されて、カップ空間Ｓ３の清浄空気が吸引されて排気される。この間、清浄空気導入ユニット４０からの清浄空気の一部が、ダウンフローによって、トップリング４２の内側空間Ｓ１に供給され、その内側空間Ｓ１の清浄空気が、トップリング４２とウエハＷとの間の周縁空間Ｓ２を通過してカップ空間Ｓ３に引き込まれる。
なお、図２には示されていないが、排気口４７は、カップ体４３の凹部４４の周方向に複数設けられている。このため、内側空間Ｓ１の清浄空気は、ウエハＷの周方向に均等に排出されるようになっている。
チャンバー３９の側部には、チャンバー３９内にウエハＷを搬入したりチャンバー３９内からウエハＷを搬出したりするための側部開口５２が形成されている。側部開口５２には、開閉可能なシャッター５３が設けられている。
トップリング４２は、図示しない昇降機構によって昇降可能になっている。また、カップ体４３は、図示しない別の昇降機構によって昇降可能になっている。図１に示す基板搬送装置１７のアームと保持部３１との間でウエハＷの受け渡しを行う際には、トップリング４２を図２に示す位置から上昇させるとともに、カップ体４３を、図２に示す位置から下降させる。
図２に示すように、チャンバー３９内には、保持部３１により保持されたウエハＷの周縁部にフッ酸（処理液）を供給するための処理液ノズル６１が設けられている。図３に示すように、処理液ノズル６１は、保持部３１により保持されたウエハＷの周縁部にフッ酸（ＨＦ、処理液）を供給するようになっている。より具体的には、図３に示すように、処理液ノズル６１には、処理液供給管６２を介して処理液供給源６３が接続されており、処理液供給源６３から処理液供給管６２を介して処理液ノズル６１にフッ酸が供給されるようになっている。処理液供給管６２には、処理液ノズル６１へのフッ酸の供給の有無や供給量を制御する処理液バルブ６４が設けられている。これらの処理液ノズル６１、処理液供給管６２、処理液供給源６３および処理液バルブ６４により、保持部３１により保持されたウエハＷの周縁部にフッ酸を供給する処理液供給部６０（処理液供給部）が構成されている。処理液ノズル６１は、トップリング４２に設けられた凹所４２ａ内に配置されている。
図３に示すように、処理液ノズル６１は、処理液ノズルアーム６６を介して処理液ノズル駆動部６５に連結されている。この処理液ノズル駆動部６５は、処理液ノズル６１を、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給する第１処理位置Ｐ１および第２処理位置Ｐ２と、ウエハＷから後退した後退位置Ｑ１との間で処理液ノズル６１を移動させる。処理液ノズル６１は、第１処理位置Ｐ１と第２処理位置Ｐ２と後退位置Ｑ１との間で、ウエハＷの半径方向に移動する。第２処理位置Ｐ２は、第１処理位置Ｐ１よりもウエハＷの中心Ｏの側に位置しており、ウエハＷの上面に形成された自然酸化膜のうちウエハＷの外縁Ｗｅから所望の幅領域（以降、エッチング幅と記す）を除去可能なようにフッ酸を供給できるような位置に設定されている。後退位置Ｑ１は、処理液ノズル６１から吐出されたフッ酸がウエハＷの上面に到達しないような位置に設定されている。第１処理位置Ｐ１は、第２処理位置Ｐ２と後退位置Ｑ１との間の位置であるが、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給可能な位置に設定されている。
図４〜図６に示すように、処理液ノズル６１は、ウエハＷの上面に対して所定の角度でフッ酸を吐出するように構成されている。より具体的には、図４において実線矢印で示すように、ウエハＷの半径方向に直交する方向で見たときには、フッ酸の吐出方向は、鉛直下方よりもウエハＷの半径方向外側に傾斜する。また、図５において実線矢印で示すように、ウエハＷの半径方向で見たときには、フッ酸の吐出方向は、鉛直下方よりもウエハＷの回転方向下流側に傾斜する。この結果、ウエハＷの上方から見たときには、図６の実線矢印で示すように、処理液ノズル６１からのフッ酸の吐出方向は、図６に示す角度θ１で表わされる。この場合、自然酸化膜のエッチング幅の精度を向上させることができる。ここで、角度θ１は、処理液ノズル６１からのフッ酸の吐出方向を示す実線矢印の延長線Ｌ１と、この延長線Ｌ１とウエハＷの外縁Ｗｅとの交点におけるウエハＷの接線Ｔ１とがなす角度で定義される。
このような処理液ノズル６１と同様にして、ＤＩＷノズル７１も設けられている。図３に示すように、ＤＩＷノズル７１は、処理液ノズル６１に対してウエハＷの周方向に異なる位置に配置されている。
図３に示すように、ＤＩＷノズル７１は、保持部３１により保持されたウエハＷの周縁部に、ＤＩＷ（脱イオン水）を供給するようになっている。より具体的には、ＤＩＷノズル７１には、ＤＩＷ供給管７２を介してＤＩＷ供給源７３が接続されており、ＤＩＷ供給源７３からＤＩＷ供給管７２を介してＤＩＷノズル７１にＤＩＷが供給されるようになっている。ＤＩＷ供給管７２には、ＤＩＷノズル７１へのＤＩＷの供給の有無や供給量を制御するＤＩＷバルブ７４が設けられている。これらのＤＩＷノズル７１、ＤＩＷ供給管７２、ＤＩＷ供給源７３およびＤＩＷバルブ７４により、保持部３１により保持されたウエハＷの周縁部にＤＩＷを供給するＤＩＷ供給部７０が構成されている。
図３に示すように、ＤＩＷノズル７１は、ＤＩＷノズルアーム７６を介してＤＩＷノズル駆動部７５に連結されている。このＤＩＷノズル駆動部７５は、ＤＩＷノズル７１を、ウエハＷの周縁部にＤＩＷを供給するリンス位置Ｐ３と、ウエハＷから後退した後退位置Ｑ２との間でＤＩＷノズル７１を移動させる。ＤＩＷノズル７１は、リンス位置Ｐ３と後退位置Ｑ２との間で、ウエハＷの半径方向に移動する。リンス位置Ｐ３は、ウエハＷの上面に残存するフッ酸を洗い流すことができるようにＤＩＷを供給することができるような位置に設定されている。より具体的には、リンス位置Ｐ３は、ウエハＷへのＤＩＷの供給位置が、処理液ノズル６１によるウエハＷへのフッ酸の供給位置よりも、ウエハＷの中心Ｏの側に位置していることが好ましい。後退位置Ｑ２は、ＤＩＷノズル７１からＤＩＷが吐出されたＤＩＷがウエハＷの上面に到達しないような位置に設定されている。
基板処理装置３０の各構成要素の制御は、上述した制御装置４の制御部１８によって行われる。具体的には、制御部１８には、保持部３１、回転駆動部３３、処理液供給部６０（とりわけ、処理液バルブ６４）およびＤＩＷ供給部７０（とりわけＤＩＷバルブ７４）などの構成要素がそれぞれ接続されている。また、制御部１８には、処理液ノズル駆動部６５、ＤＩＷノズル駆動部７５および排気部４８（とりわけ、排気駆動部５０および流量調整弁５１）が接続されている。そして、制御部１８は、当該制御部１８に接続された各構成要素に対して制御信号を送ることにより、各構成要素の制御を行うようになっている。制御部１８による各構成要素の制御の具体的な内容については後述する。
次に、上述のような基板処理装置３０の動作（ウエハＷの処理方法）について、図７〜図１６に示す図を用いて説明する。なお、以下に示すような基板処理装置３０の動作は、記憶媒体に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部１８が基板処理装置３０の各構成要素を制御することにより行われる。ここで、図７〜図１６は、ウエハＷの半径方向に直交する方向から見た図を示している。
［保持工程］
まず、ウエハＷが水平に保持される。より具体的には、基板処理装置３０の外部から図１に示す基板搬送装置１７により、チャンバー３９の側部開口５２を介してチャンバー３９内にウエハＷを搬送する。そして、基板搬送装置１７によりチャンバー３９内の保持部３１上にウエハＷを載置させる。ここで、保持部３１上に載置されるウエハＷの上面には、自然酸化膜が形成されている。
［回転開始工程］
次に、図７に示すように、保持部３１に保持されたウエハＷの回転を開始する。より具体的には、回転駆動部３３（図２参照）を駆動して、鉛直方向に延びる軸線を中心として回転軸３２を回転させる。このことにより、保持部３１により保持されたウエハＷが水平面内で回転される。このときに、モータ３５の回転駆動力が、プーリ３６、駆動ベルト３７およびプーリ３４を介して回転軸３２に付与されることによって回転軸３２が回転する。ここでは、ウエハＷの回転数を第１回転数Ｒ１（例えば、数１０〜数１００ｒｐｍ）にする。
また、回転開始工程において、排気駆動部５０を駆動し、カップ空間Ｓ３の清浄空気を吸引して排気する。この際、流量調整弁５１は、トップリング４２の内側空間Ｓ１から排出される清浄空気の排気量を第１排気量Ｅ１に設定する。
［処理液供給工程］
次に、ウエハＷの周縁部にフッ酸が供給される。すなわち、回転するウエハＷの周縁部に形成された自然酸化膜に、フッ酸が処理液ノズル６１から供給されて、自然酸化膜が除去される。
＜吐出開始工程＞
処理液供給工程においては、まず、処理液バルブ６４（図２参照）が開き、図８に示すように、後退位置Ｑ１に位置する処理液ノズル６１からフッ酸が吐出される。処理液ノズル６１が後退位置Ｑ１に維持されながら、所定時間、フッ酸が吐出される。このことにより、フッ酸の吐出量が少ない場合であっても、フッ酸の吐出量を安定化させることができる。例えば、フッ酸は、３秒間、１５ｍＬ／分の吐出量で吐出され続ける。フッ酸の吐出量は、後述する吐出停止工程まで、一定に維持される。
＜第１移動工程＞
続いて、図９に示すように、ウエハＷを第１回転数Ｒ１で回転させるとともに処理液ノズル６１からフッ酸を吐出させながら、処理液ノズル６１を後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動させる。
より具体的には、処理液ノズル駆動部６５（図３参照）が駆動されて、処理液ノズル６１が後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動する。例えば、処理液ノズル６１は、０．５秒で、後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動する。この間、処理液ノズル６１からはフッ酸が吐出され続けており、第１処理位置Ｐ１に処理液ノズル６１が到達することにより、ウエハＷの周縁部へのフッ酸の供給が開始される。
第１移動工程においては、内側空間Ｓ１から排出される清浄空気の排気量は、後述する第２排気量Ｅ２よりも多い第１排気量Ｅ１に維持されている。このため、処理液ノズル６１から吐出されるフッ酸は、排気に引っ張られるようになり、処理液ノズル６１からは、図４〜図６において破線で示す矢印の方向にフッ酸が吐出される。
より具体的には、図４において破線矢印で示すように、ウエハＷの半径方向に直交する方向で見たときには、フッ酸の吐出方向は、実線矢印で示す吐出方向よりもウエハＷの半径方向外側に向かって傾斜する。また、図５において破線矢印で示すように、ウエハＷの半径方向で見たときには、フッ酸の吐出方向は、鉛直下方よりもウエハＷの回転方向下流側に傾斜するが、実線矢印で示す吐出方向よりは傾斜しない。この結果、ウエハＷの上方から見たときには、図６の破線矢印で示すように、処理液ノズル６１からのフッ酸の吐出方向は、図６に示す角度θ２で表わされる。この場合、ウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突したフッ酸が内周側に飛散することを抑制できる。このようにして、第１排気量Ｅ１で排気が行われる際に処理液ノズル６１から吐出されるフッ酸の吐出方向は、ウエハＷの接線に対してなす角度が垂直に近くなる方向となる。すなわち、フッ酸は、ウエハＷの回転方向下流側よりもウエハＷの半径方向外側に向くような方向に吐出される。ここで、角度θ２は、上述した角度θ１と同様に定義され、処理液ノズル６１からのフッ酸の吐出方向を示す破線矢印の延長線Ｌ２と、この延長線Ｌ２とウエハＷの外縁Ｗｅとの交点におけるウエハＷの接線Ｔ２とがなす角度で定義される。
＜回転数上昇工程＞
次に、図１０に示すように、処理液ノズル６１を第１処理位置Ｐ１に維持しながら、ウエハＷの回転数を第１回転数Ｒ１から、第１回転数Ｒ１よりも高い第２回転数Ｒ２（例えば、数１００〜３０００ｒｐｍ）に上昇させる。
回転数上昇工程においては、内側空間Ｓ１から排出される清浄空気の排気量は、第１排気量Ｅ１から、第１排気量Ｅ１よりも小さい第２排気量Ｅ２に低減させる。このため、処理液ノズル６１からは、図４〜図６において実線で示す矢印の方向にフッ酸が吐出される。このようにして、第２排気量Ｅ２で排気される際に処理液ノズル６１から吐出されるフッ酸の吐出方向は、図６に実線矢印で示すように、ウエハＷの半径方向外側よりもウエハＷの回転方向下流側に向くような方向となる。これにより、図１０に示すように、ウエハＷの半径方向に直交する方向で見たときに、処理液ノズル６１から吐出されたフッ酸のウエハＷの上面における到達点は、ウエハＷの中心Ｏの側にシフトする。
＜第２移動工程＞
次に、図１１に示すように、ウエハＷを第２回転数Ｒ２で回転させるとともに処理液ノズル６１からフッ酸を吐出させながら、処理液ノズル６１を、第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に移動させる。
より具体的には、処理液ノズル駆動部６５が駆動されて、処理液ノズル６１が第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に移動する。例えば、処理液ノズル６１は、０．５秒で、第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に移動する。この間、処理液ノズル６１からはフッ酸が吐出され続けている。
第２移動工程においては、内側空間Ｓ１から排出される清浄空気の排気量は、第１排気量Ｅ１よりも少ない第２排気量Ｅ２に維持されている。このため、処理液ノズル６１からは、図４〜図６において実線矢印で示す方向にフッ酸が吐出される。
＜自然酸化膜除去工程＞
次に、図１２に示すように、所定時間、処理液ノズル６１が第２処理位置Ｐ２に維持される。そして処理液ノズル６１から、回転するウエハＷの周縁部に形成された自然酸化膜に、所定時間フッ酸が供給され続ける。第２処理位置Ｐ２に位置する処理液ノズル６１からのフッ酸の供給位置は、ウエハＷ上の自然酸化膜のうちエッチング幅に相当する領域を除去可能なような位置になっている。このことにより、自然酸化膜の当該領域がフッ酸によってエッチングされて除去され、ウエハＷの周縁部の上面が露出される。例えば、フッ酸は、６０秒間、第２処理位置Ｐ２に位置する処理液ノズル６１から吐出され続ける。ウエハＷの周縁部に吐出されたフッ酸は、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの周縁部から外周側に流され、ウエハＷのベベル部Ｗｂから排出される。なお、自然酸化膜除去工程においては、自然酸化膜の除去精度を向上させるために、ウエハＷの回転数は、第２回転数Ｒ２のようにある程度高いことが好ましい。このことにより、ウエハＷに供給されたフッ酸に遠心力を作用させることができ、ウエハＷの上面におけるフッ酸が内周側に進出することを抑制できる。この場合、自然酸化膜のエッチング幅の精度を向上させることができる。
＜第３移動工程＞
次に、図１３に示すように、ウエハＷを第２回転数Ｒ２で回転させるとともに処理液ノズル６１からフッ酸を吐出させながら処理液ノズル６１を第２処理位置Ｐ２から第１処理位置Ｐ１に移動させる。
より具体的には、処理液ノズル駆動部６５が駆動されて、処理液ノズル６１が第２処理位置Ｐ２から第１処理位置Ｐ１に移動する。例えば、処理液ノズル６１は、０．５秒で、第２処理位置Ｐ２から第１処理位置Ｐ１に移動する。この間、処理液ノズル６１からはフッ酸が吐出され続けている。
＜回転数低下工程＞
次に、図１４に示すように、処理液ノズル６１を第１処理位置Ｐ１に維持しながら、ウエハＷの回転数を第２回転数Ｒ２から第１回転数Ｒ１に低下させる。
回転数低下工程においては、内側空間Ｓ１から排出される清浄空気の排気量は、第２排気量Ｅ２から第１排気量Ｅ１に増大させる。このため、処理液ノズル６１からは、図４〜図６において破線矢印で示す方向にフッ酸が吐出される。このようにして、第１排気量Ｅ１で排気される際に処理液ノズル６１から吐出されるフッ酸の吐出方向は、ウエハＷの回転方向下流側よりもウエハＷの半径方向外側に向くような方向となる。これにより、図１４に示すように、ウエハＷの半径方向に直交する方向で見たときに、処理液ノズル６１から吐出されたフッ酸のウエハＷの上面における到達点は、ウエハＷの外縁Ｗｅの側にシフトする。
＜第４移動工程＞
次に、図１５に示すように、ウエハＷを第１回転数Ｒ１で回転させるとともに処理液ノズル６１からフッ酸を吐出させながら処理液ノズル６１を第１処理位置Ｐ１から後退位置Ｑ１に移動させる。
より具体的には、処理液ノズル駆動部６５が駆動されて、処理液ノズル６１が第１処理位置Ｐ１から後退位置Ｑ１に移動する。例えば、処理液ノズル６１は、０．５秒で、第１処理位置Ｐ１から後退位置Ｑ１に移動する。この間、処理液ノズル６１からはフッ酸が吐出され続けており、後退位置Ｑ１に到達することにより、ウエハＷの周縁部へのフッ酸の供給が終了する。
＜吐出停止工程＞
その後、処理液バルブ６４が閉じ、後退位置Ｑ１に位置する処理液ノズル６１からのフッ酸の吐出を停止する。このようにして、処理液供給工程が終了する。なお、処理液ノズル６１からのフッ酸の吐出の停止は、処理液ノズル６１が後退位置Ｑ１に到達した後に行うことに限られることはない。例えば、上述した回転数低下工程において、第１処理位置Ｐ１に位置するウエハＷの回転数が第１回転数Ｒ１に低下した後に行うようにしてもよい。また、自然酸化膜除去工程の後に処理液ノズル６１を後退位置Ｑ１に後退させる手順としては、上述した手順に限られることはなく、任意である。
［ＤＩＷ供給工程］
上述した処理液供給工程の後、ウエハＷの周縁部にリンス液としてのＤＩＷが供給される。ＤＩＷ供給工程においては、ウエハＷの回転数は、例えば、６００ｒｐｍにする。また、排気路４９から排出される清浄空気の排気量は、第１排気量Ｅ１よりも小さい第２排気量Ｅ２に低減させる。
より具体的には、まず、ＤＩＷバルブ７４が開き、ＤＩＷノズル７１からＤＩＷが吐出される。続いて、ＤＩＷノズル駆動部７５が駆動されて、ＤＩＷノズル７１が後退位置Ｑ２からリンス位置Ｐ３に移動する。次に、所定時間、ＤＩＷノズル７１がリンス位置Ｐ３に維持される。ＤＩＷノズル７１のリンス位置Ｐ３は、ウエハＷへのＤＩＷの供給位置が、ウエハＷへのフッ酸の供給位置よりもウエハＷの中心Ｏに近くなるような位置になっている。このことにより、ウエハＷがリンス処理され、ウエハＷの上面に残存するフッ酸を洗い流すことができる。ウエハＷの周縁部に吐出されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの周縁部から外周側に流され、ウエハＷのベベル部Ｗｂから排出される。続いて、ＤＩＷノズル駆動部７５が駆動されて、ＤＩＷノズル７１がリンス位置Ｐ３から後退位置Ｑ２に移動し、その後、ＤＩＷバルブ７４が閉じ、後退位置Ｑ２に位置するＤＩＷノズル７１からのＤＩＷの吐出を停止する。このようにして、ＤＩＷ供給工程が終了する。
［乾燥工程］
上述したＤＩＷ供給工程の後、ウエハＷの回転数を高めて、ウエハＷの乾燥処理が行われる。例えば、ウエハＷの回転数を２５００ｒｐｍにする。このことにより、ウエハＷの上面に残存するＤＩＷが、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの周縁部から外周側に流され、ウエハＷのベベル部Ｗｂから排出される。このため、ウエハＷの上面からＤＩＷが除去されて、ウエハＷの上面が乾燥される。
このように本実施の形態によれば、まず、ウエハＷを第１回転数Ｒ１で回転させるとともに処理液ノズル６１からフッ酸を吐出させながら、処理液ノズル６１を後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動させる。その後、ウエハＷを第２回転数Ｒ２で回転させるとともに処理液ノズル６１からフッ酸を吐出させながら、処理液ノズル６１を、第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に移動させる。このことにより、後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に処理液ノズル６１が移動する際のウエハＷの回転数を、第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に処理液ノズル６１が移動する際のウエハＷの回転数よりも低くすることができ、処理液ノズル６１から吐出されたフッ酸がウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突する位置を処理液ノズル６１が通過する際に、ウエハＷの回転数を低くすることができる。このため、ウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突したフッ酸が飛散することを抑制でき、エッチング後に残存する自然酸化膜の表面に飛散することを抑制できる。この結果、フッ酸がパーティクル源となってウエハＷの上面に残存することを抑制でき、ウエハＷの上面におけるパーティクルの発生を抑制することができる。
とりわけ、ウエハＷの上面が疎水面で形成されている場合や、疎水面と親水面とが混在している場合には、ウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突したフッ酸は飛散しやすくなるが、上述したようにウエハＷの回転数が低いために、フッ酸の内周側への飛散を抑制することができる。また、ウエハＷの飛散を抑制することにより、ウエハＷのベベル部Ｗｂの周囲に存在する部品（例えば、トップリング４２や処理液ノズル６１など）に飛散したフッ酸が付着することを抑制できる。さらに、本実施の形態では、ウエハＷのベベル部Ｗｂにフッ酸が衝突する位置を処理液ノズル６１が通過する際には、ウエハＷの回転数が低くなっているため、ウエハＷのベベル部Ｗｂの湾曲状の表面にフッ酸の液膜を形成させることができ、ベベル部の表面に形成された自然酸化膜を効果的にエッチングして除去することができる。
また、本実施の形態によれば、処理液ノズル６１が後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動した後、処理液ノズル６１を第１処理位置Ｐ１に維持しながら、ウエハＷの回転数を、第１回転数Ｒ１から第２回転数Ｒ２に上昇させる。このことにより、処理液ノズル６１が第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に移動する際には、ウエハＷの回転数を、第２回転数Ｒ２に高めることができる。このため、自然酸化膜のエッチング幅の精度を向上させることができる。
また、本実施の形態によれば、処理液ノズル６１が後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動する際、トップリング４２の内側空間Ｓ１の清浄空気が、トップリング４２とウエハＷの周縁部との間に介在された周縁空間Ｓ２を介して第１排気量Ｅ１で排出される。処理液ノズル６１が第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に移動する際、内側空間Ｓ１の清浄空気が、周縁空間Ｓ２を介して第２排気量Ｅ２で排出される。このことにより、処理液ノズル６１が後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動する際の内側空間Ｓ１の清浄空気の排気量を、処理液ノズル６１が第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に移動する際の内側空間Ｓ１の清浄空気の排気量よりも多くすることができ、処理液ノズル６１から吐出されたフッ酸がウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突する位置を処理液ノズル６１が通過する際に、内側空間Ｓ１の清浄空気の排気量を多くすることができる。このため、ウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突したフッ酸が内周側に飛散することを抑制して、フッ酸をウエハＷのベベル部Ｗｂから外周側に排出させることができ、エッチング後に残存する自然酸化膜の表面に飛散することをより一層抑制できる。
また、本実施の形態によれば、ウエハＷの回転数を第１回転数Ｒ１から第２回転数Ｒ２に上昇させる際に、トップリング４２の内側空間Ｓ１の清浄空気の排気量を第１排気量Ｅ１から第２排気量Ｅ２に低減させる。このことにより、処理液ノズル６１が第１処理位置Ｐ１から第２処理位置Ｐ２に移動する際には、処理液ノズル６１からのフッ酸の吐出方向を、ウエハＷの回転方向下流側に向けることができる。このため、自然酸化膜のエッチング精度を向上させることができる。
また、本実施の形態によれば、処理液ノズル６１が後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１を介して第２処理位置Ｐ２に移動する間、処理液ノズル６１から吐出されるフッ酸の吐出量が一定に維持されている。このことにより、ウエハＷの周縁部という限られた領域で自然酸化膜を除去するためにフッ酸の吐出量を少なくした場合であっても、処理液ノズル６１が第２処理位置Ｐ２に到達した際の吐出量を安定させることができる。このため、自然酸化膜のエッチング幅の精度を向上させることができる。
また、本実施の形態によれば、ウエハＷを第２回転数Ｒ２で回転させるとともに処理液ノズル６１からフッ酸を吐出させながら、処理液ノズル６１を第２処理位置Ｐ２から第１処理位置Ｐ１に移動させる。その後、ウエハＷを第１回転数Ｒ１で回転させるとともに処理液ノズル６１からフッ酸を吐出させながら、処理液ノズル６１を、第１処理位置Ｐ１から後退位置Ｑ１に移動させる。このことにより、第１処理位置Ｐ１から後退位置Ｑ１に処理液ノズル６１が移動する際のウエハＷの回転数を、第２処理位置Ｐ２から第１処理位置Ｐ１に処理液ノズル６１が移動する際のウエハＷの回転数よりも低くすることができ、処理液ノズル６１から吐出されたフッ酸がウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突する位置を処理液ノズル６１が通過する際に、ウエハＷの回転数を低くすることができる。このため、ウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突したフッ酸が飛散することを抑制でき、エッチング後に残存する自然酸化膜の表面に飛散することを抑制できる。
なお、上述した本実施の形態においては、処理液ノズル６１が、後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動する際にフッ酸を吐出させている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、処理液ノズル６１が、互いに異なる複数種の処理液を吐出可能に構成されて、第１移動工程における処理液ノズル６１が吐出する処理液と、第２移動工程における処理液ノズル６１が吐出する処理液とが、互いに異なっていてもよい。例えば、処理液ノズル６１は、後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に移動する際（第１移動工程）に、フッ酸ではなく、処理液の一例としてのＤＩＷを吐出させるようにしてもよい。この場合、処理液ノズル６１に、図３に示すＤＩＷ供給管７２が接続されていて、処理液ノズル６１が、フッ酸とＤＩＷとを選択的に吐出可能に構成すればよい。
より具体的には、第１移動工程においては、処理液ノズル６１に、ＤＩＷ供給源７３からＤＩＷが供給されて処理液ノズル６１から吐出される。回転数上昇工程においては、処理液ノズル６１に供給される処理液がＤＩＷからフッ酸に切り替えられる。この際、処理液ノズル６１から吐出されるフッ酸の吐出量が安定するまで処理液ノズル６１は第１処理位置Ｐ１に維持されることが好ましい。その後、第２移動工程においては、処理液ノズル６１からフッ酸が吐出される。この場合においても、後退位置Ｑ１から第１処理位置Ｐ１に処理液ノズル６１が移動する際のウエハＷの回転数が低くなっているため、ウエハＷのベベル部Ｗｂに衝突したＤＩＷが飛散することを抑制できる。また、この場合、処理液ノズル６１から吐出されたフッ酸を、ウエハＷの乾いた上面ではなく、ウエハＷの上面に形成されたＤＩＷの液膜に供給させることができる。このため、ウエハＷの上面に供給されたフッ酸が当該上面で跳ね返って飛散することを抑制でき、パーティクル源が形成されることを抑制できる。
また、処理液ノズル６１がフッ酸とＤＩＷとを選択的に吐出可能になっている場合には、自然酸化膜除去工程の後、処理液ノズル６１を後退位置Ｑ１に移動させることなく、ウエハＷの上面をリンス処理することができる。すなわち、処理液ノズル６１を第２処理位置Ｐ２に維持しながら、処理液ノズル６１から吐出される処理液をフッ酸からＤＩＷに切り替えることで、ウエハＷの上面をリンス処理することができる。このため、工程を簡素化することができる。
また、上述した本実施の形態においては、排気部４８が、内側空間Ｓ１から排出される清浄空気の排気量を調整するための流量調整弁５１を有している例について説明した。しかしながら、排気量を調整することができれば、この構成に限られることはない。例えば、互いに流量が異なる複数の排気路を設けておき、これらの排気路を排気口４７に選択的に接続するようにしてもよい。この場合においても、内側空間Ｓ１から排出される清浄空気の排気量を切り替えることができる。
また、上述した本実施の形態においては、基板処理装置３０が、ウエハＷの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチングして除去するための装置である例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、基板処理装置３０は、ウエハＷの周縁部に形成された他の種類の膜をエッチングして除去するための装置であってもよい。例えば、基板処理装置３０は、ウエハＷの上面に形成されたレジスト膜を除去するための装置であってもよい。この場合、処理液としては、レジスト膜を除去するためのレジスト除去液（レジストリムーバ）が用いられる。
また、上述した本実施の形態においては、ウエハＷの上面に形成された自然酸化膜をエッチングで除去するための処理液として、フッ酸を例にとって説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、ウエハＷの周縁部に形成された膜を除去することができれば、フッ酸を含む水溶液である希フッ酸水溶液（ＤＨＦ）など他の薬液を用いることもできる。
本発明は上記実施の形態及び変形例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態及び変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
１８ 制御部
３０ 基板処理装置
３１ 保持部
３３ 回転駆動部
４２ トップリング
４８ 排気部
５１ 流量調整弁
６０ 処理液供給部
６１ 処理液ノズル
６５ 処理液ノズル駆動部
Ｅ１ 第１排気量
Ｅ２ 第２排気量
Ｐ１ 第１処理位置
Ｐ２ 第２処理位置
Ｒ１ 第１回転数
Ｒ２ 第２回転数
Ｑ１ 後退位置
Ｓ１ 内側空間
Ｓ２ 周縁空間
Ｗ ウエハ

Claims (15)

  1. 基板の周縁部に位置する膜を除去するための基板処理装置であって、
    前記基板を水平に保持する保持部と、
    前記保持部を回転させる回転駆動部と、
    処理液を吐出する処理液ノズルを含む処理液供給部と、
    前記基板の外縁よりも前記基板の中心側の位置に前記処理液を供給する第１処理位置と、前記第１処理位置よりも前記基板の中心側に位置する第２処理位置であって、前記基板に前記処理液を供給する第２処理位置と、前記基板から後退した後退位置との間で前記処理液ノズルを移動させる処理液ノズル駆動部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記基板を第１回転数で回転させるとともに前記処理液ノズルから前記処理液を吐出させながら前記処理液ノズルを前記後退位置から前記第１処理位置に移動させる第１移動工程と、前記第１移動工程の後、前記基板を前記第１回転数よりも高い第２回転数で回転させるとともに前記処理液ノズルから前記処理液を吐出させながら前記処理液ノズルを前記第１処理位置から前記第２処理位置に移動させる第２移動工程と、を行うように、前記回転駆動部、前記処理液ノズル駆動部および前記処理液供給部を制御する、基板処理装置。
  2. 前記制御部は、前記第１移動工程と前記第２移動工程との間に、前記処理液ノズルを前記第１処理位置に維持しながら、前記基板の回転数を前記第１回転数から前記第２回転数に上昇させる回転数上昇工程を行うように、前記回転駆動部および前記処理液ノズル駆動部を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記保持部に保持された前記基板の上方に形成される内側空間を画定するリング状のカバー部材であって、前記基板の前記周縁部を、前記内側空間に連通した周縁空間を介して覆うリング状のカバー部材と、
    前記カバー部材の前記内側空間の気体を、前記周縁空間を介して排出する排気部と、を更に備え、
    前記排気部は、前記内側空間から排出される気体の排気量を調整する排気量調整部を有し、
    前記制御部は、前記第１移動工程において、前記内側空間の前記気体を第１排気量で排出し、前記第２移動工程において、前記内側空間の前記気体を前記第１排気量よりも少ない第２排気量で排出するように、前記排気部を制御する、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、前記回転数上昇工程において、前記内側空間の前記気体の排気量を前記第１排気量から前記第２排気量に低減させるように、前記排気部を制御する、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記保持部に保持された前記基板の上方に形成される内側空間を画定するリング状のカバー部材であって、前記基板の前記周縁部を、前記内側空間に連通した周縁空間を介して覆うリング状のカバー部材と、
    前記カバー部材の前記内側空間の気体を前記周縁空間を介して排出する排気部と、を更に備え、
    前記排気部は、前記内側空間から排出される前記気体の排気量を調整する排気量調整部を有し、
    前記制御部は、前記第１移動工程において、前記内側空間の前記気体を第１排気量で排出し、前記第２移動工程において、前記内側空間の前記気体を、前記第１排気量よりも少ない第２排気量で排出するように、前記排気部を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記処理液ノズルは、互いに異なる複数種の前記処理液を吐出可能に構成されており、 前記第１移動工程における前記処理液ノズルが吐出する前記処理液と、前記第２移動工程における前記処理液ノズルが吐出する前記処理液とは、互いに異なっている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記制御部は、前記第２移動工程の後、前記基板を前記第２回転数で回転させるとともに前記処理液ノズルから前記処理液を吐出させながら前記処理液ノズルを前記第２処理位置から前記第１処理位置に移動させる第３移動工程を行うように、前記回転駆動部、前記処理液ノズル駆動部および前記処理液供給部を制御する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 基板の周縁部に位置する膜を除去するための基板処理方法であって、
    前記基板を水平に保持する保持工程と、
    前記基板を第１回転数で回転させるとともに処理液ノズルから処理液を吐出させながら、前記処理液ノズルを、前記基板から後退した後退位置から、前記基板の外縁よりも前記基板の中心側の位置に前記処理液を供給する第１処理位置に移動させる第１移動工程と、
    前記第１移動工程の後、前記基板を前記第１回転数よりも高い第２回転数で回転させるとともに前記処理液ノズルから前記処理液を吐出させながら、前記処理液ノズルを、前記第１処理位置から、前記第１処理位置よりも前記基板の中心の側に位置する第２処理位置であって、前記基板に前記処理液を供給する第２処理位置に移動させる第２移動工程と、を備えた、基板処理方法。
  9. 前記第１移動工程と前記第２移動工程との間に、前記処理液ノズルを前記第１処理位置に維持しながら、前記基板の回転数を前記第１回転数から前記第２回転数に上昇させる回転数上昇工程を更に備えた、請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 前記基板の上方にリング状のカバー部材が配置され、
    前記カバー部材は、前記基板の上方に形成される内側空間を画定し、
    前記基板の前記周縁部は、前記内側空間に連通した周縁空間を介して前記カバー部材によって覆われており、
    前記第１移動工程において、前記内側空間の気体が前記周縁空間を介して第１排気量で排出され、前記第２移動工程において、前記内側空間の前記気体が前記周縁空間を介して前記第１排気量よりも少ない第２排気量で排出される、請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記回転数上昇工程において、前記周縁空間の前記気体の排気量を前記第１排気量から前記第２排気量に低減させる、請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記基板の上方にリング状のカバー部材が配置され、
    前記カバー部材は、前記基板の上方に形成される内側空間を画定し、
    前記基板の前記周縁部は、前記内側空間に連通した周縁空間を介して前記カバー部材によって覆われており、
    前記第１移動工程において、前記内側空間の気体が前記周縁空間を介して第１排気量で排出され、前記第２移動工程において、前記内側空間の前記気体が前記周縁空間を介して前記第１排気量よりも少ない第２排気量で排出される、請求項８に記載の基板処理方法。
  13. 前記処理液ノズルは、互いに異なる複数種の処理液を吐出可能に構成されており、
    前記第１移動工程において前記処理液ノズルから吐出される前記処理液と、前記第２移動工程において前記処理液ノズルから吐出される前記処理液とは、互いに異なっている、請求項８に記載の基板処理方法。
  14. 前記第２移動工程の後、前記基板を前記第２回転数で回転させるとともに前記処理液ノズルから前記処理液を吐出させながら前記処理液ノズルを前記第２処理位置から前記第１処理位置に移動させる第３移動工程を更に備えた、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  15. 基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項８〜１４のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
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