KR102408472B1

KR102408472B1 - 기판액 처리 방법 및 기판액 처리 장치

Info

Publication number: KR102408472B1
Application number: KR1020170084066A
Authority: KR
Inventors: 가즈키 고사이; 다카히사 오츠카; 가즈요시 시노하라; 히로유키 스즈키; 요스케 하치야; 히로유키 히가시
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2016-07-06
Filing date: 2017-07-03
Publication date: 2022-06-10
Also published as: CN107591345A; KR20180005609A; JP2018006647A; CN107591345B; JP6765878B2

Abstract

본 발명은, 워터마크 등의 미소 파티클의 발생을 안정적으로 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것을 과제로 하는 것이다.
기판 처리 방법은, 회전하는 기판에 처리액을 공급하는 공정 S12, S13과, 처리액을 공급하는 공정 S12, S13 이후에, 회전하는 기판의 중심부에 린스액을 공급하여, 기판 상에 린스액의 액막을 형성하는 공정 S14를 포함한다. 린스액의 액막을 형성하는 공정 S14 이전에, 처리액의 액막이 도중에 끊긴 기판의 주연부에 처리액의 액막을 형성하는 공정 S13이 있다.

Description

기판액 처리 방법 및 기판액 처리 장치{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 기판에 처리액 및 린스액을 공급하여 액처리를 행하는 기술에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼 등의 기판에 약액 처리 및 린스 처리 등의 액처리를 실시하기 위해, 수평 자세로 유지된 기판을 연직축선을 중심으로 회전시켜, 기판의 처리면의 중앙부 근방에 대하여 DHF(Diluted HydroFluoric acid) 등의 처리액이나 DIW(DeIonized Water) 등의 린스액을 공급하는 수법이 일반적으로 채용되고 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 이 수법에서는, 기판의 중앙부 근방에 공급된 처리액이나 린스액이 원심력에 의해 확산되고, 확산된 처리액이나 린스액이 기판의 처리면을 덮는 것에 의해 약액 처리 및 린스 처리가 행해진다.

전술한 약액 처리를 행하는 경우, 기판 전체를 균일하게 액처리하는 것을 목적으로 하여, 처리액의 유량 및 처리액 공급시의 기판의 회전수가 설정된다.

반도체 웨이퍼 등의 표면에 형성되는 회로가 미세화되어 가면, 미소한 파티클이 문제가 된다는 것을 알 수 있다. 최근에는 미소한 파티클을 측정할 수 있게 되었기 때문에, 지금까지 보이지 않았던 파티클이 보이게 되었다. 그리고, 본건 발명자는, 그와 같은 파티클이 워터마크에 기인하는 것이며, 기판 주연부에 발생하기 쉽다는 것을 발견했다.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2009-59895호 공보

본 발명은, 워터마크 등의 미소 파티클의 발생을 안정적으로 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.

본 발명의 일양태는, 회전하는 기판의 중심부에 처리액을 공급하는 공정과, 처리액을 공급하는 공정 이후에, 회전하는 기판의 중심부에 린스액을 공급하여, 기판 상에 린스액의 액막을 형성하는 공정을 포함하고, 린스액의 액막을 형성하는 공정 이전에, 처리액의 액막이 도중에 끊긴 기판의 주연부에 처리액의 액막을 형성하는 공정을 갖는 기판액 처리 방법에 관한 것이다.

본 발명의 다른 양태는, 기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지부와, 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 처리액 공급부에 의해 처리액이 공급된 후에, 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 린스액을 공급하여, 기판 상에 린스액의 액막을 형성하는 린스액 공급부와, 기판 유지부, 처리액 공급부 및 린스액 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 린스액의 액막을 형성하기 전에, 처리액의 액막이 도중에 끊긴 기판의 주연부에 처리액의 액막을 형성하는 기판액 처리 장치에 관한 것이다.

본 발명에 의하면, 워터마크 등의 미소 파티클의 발생을 안정적으로 억제할 수 있다.

도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 처리 유닛을 구비하는 기판 처리 시스템의 개요를 나타내는 평면도이다.
도 2는, 처리 유닛의 개요를 나타내는 종단 측면도이다.
도 3은, 처리 유닛 및 제어부의 구체적인 구성을 예시하는 도면이다.
도 4는, 액처리 유체가 웨이퍼의 처리면의 일부에만 걸쳐서 액막을 형성하는 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는, 액처리 유체가 웨이퍼의 처리면의 전역(全域)에 걸쳐서 액막을 형성하는 예를 나타내는 단면도이다.
도 6은, 기판액 처리 방법의 플로우차트이다.
도 7은, 제1 약액 처리 공정, 제2 약액 처리 공정 및 린스 처리 공정에서의 웨이퍼 회전수, 시간 및 액공급 유량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 8은, 제1 약액 처리 공정, 제2 약액 처리 공정 및 린스 처리 공정에서의 웨이퍼 회전수, 시간 및 액공급 유량의 관계를 나타내는 그래프이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일실시형태에 관해 설명한다.

우선 본 발명을 적용 가능한 기판 처리 시스템의 전형예에 관해 설명한다.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.

반입반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W) 에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다.

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.

다음으로, 처리 유닛(16)의 전형예에 관해 도 2를 참조하여 설명한다.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축을 중심으로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액부(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액부(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.

이상에 개략 구성을 설명한 처리 유닛(16) 및 제어부(18)는, 본 발명의 실시형태에 따른 기판액 처리 장치의 적어도 일부를 구성한다. 예컨대, 전술한 유지부(31), 지주부(32) 및 구동부(33)는, 처리면에 산화막이 형성된 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 기판 유지부로서 기능한다. 또한 전술한 처리 유체 공급원(70) 및 처리 유체 공급부(40)는, 기판 유지부에 의해 유지된 웨이퍼(W)에, 산화막을 제거하는 처리액인 DHF를 공급하는 처리액 공급부로서 기능한다. 마찬가지로, 처리 유체 공급원(70) 및 처리 유체 공급부(40)는, 기판 유지부에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 대하여, 처리액 공급부에 의해 DHF가 공급된 후에 린스액인 DIW를 공급하여, 웨이퍼(W)의 처리면 상에 DIW의 액막을 형성하는 린스액 공급부로서도 기능한다. 그리고 제어부(18)는, 이들 기판 유지부, 처리액 공급부 및 린스액 공급부를 제어한다.

이하, 이들 처리 유닛(16) 및 제어부(18)의 상세한 구성에 관해 도 3을 참조하여 설명한다.

도 3은, 처리 유닛(16) 및 제어부(18)의 구체적인 구성을 예시하는 도면이다.

처리 유닛(16)은, 도 2에 나타내는 챔버(20) 내에 마련된 회수컵(50) 및 처리 유체 공급부(40)를 구비하고, 챔버(20) 내에 반입된 웨이퍼(W)의 처리를 행한다. 도 1에 나타낸 바와 같이 반송부(15)의 양측에 마련된 복수의 처리 유닛(16)은, 각각 도시하지 않은 반입반출구가 반송부(15)측을 향하게 배치되어 있다. 도 3에는, 새롭게 X'축, Y'축, Z'축을 이용하여 각 처리 유닛(16) 내의 방향이 도시되어 있다. 이들 축의 방향에 관해, 반입반출구가 마련되는 방향을 Y'축 방향의 전방측으로 하고, 이 Y'축에 직교하는 X'축 및 Z'축을 규정하고, 특히 Z'축 정방향을 연직 상향 방향으로 했다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 처리 유체 공급부(40)는, 제1 노즐(400)을 구비하는 노즐 헤드(41)와, 이 노즐 헤드(41)가 선단부에 부착된 노즐 아암(42)과, 노즐 아암(42)의 기단부를 지지하는 회전 구동부(43)를 구비한다. 회전 구동부(43)는, 노즐 아암(42)의 기단부를 회전축으로 하여 노즐 아암(42)을 수평 방향으로 회전시킬 수 있다. 제1 노즐(400)은, 노즐 아암(42)의 회전에 따라서, 웨이퍼(W)의 중앙부 상방측에 설정된 처리 위치와, 회수컵(50)의 측방으로 후퇴한 후퇴 위치의 사이에서 이동된다. 웨이퍼(W)에 대하여 DHF나 DIW를 공급하여 약액 처리나 린스 처리를 행하는 경우, 제1 노즐(400)은 처리 위치에 배치된다. 한편, 그와 같은 약액 처리나 린스 처리를 행하지 않는 경우, 제1 노즐(400)은 후퇴 위치에 배치된다.

회전 구동부(43)는, 또한 노즐 아암(42)을 승강시킬 수 있고, 노즐 아암(42)을 회전시킬 때의 상방측의 높이 위치와, 웨이퍼(W)에 DHF나 DIW를 공급하기 위한 하방측의 높이 위치의 사이에서, 노즐 아암(42) 및 제1 노즐(400)을 연직 방향으로 이동시킬 수 있다.

제1 노즐(400)에는, 린스액 공급로(711) 및 DHF 공급로(713)가 접속되어 있다. 린스액 공급로(711) 및 DHF 공급로(713)는, 전술한 처리 유체 공급원(70)을 구성하는 DIW 공급원(701) 및 DHF 공급원(702)에 각각 접속되어 있다. DIW 공급원(701)은, DIW를 저류(貯留)하는 저류부나, DIW의 공급을 위한 펌프 및 유량 조절 밸브 등을 구비한다. 마찬가지로, DHF 공급원(702)은, DHF를 저류하는 저류부나, DHF의 공급을 위한 펌프 및 유량 조절 밸브 등을 구비한다. 이들 DIW 공급원(701) 및 DHF 공급원(702)은, 제어부(18)로부터의 제어 신호에 의해 제어된다. 이 제어 신호에 따라서, DIW 공급원(701)으로부터 린스액 공급로(711) 및 노즐 아암(42)의 공급관을 통해 제1 노즐(400)에 DIW가 공급되고, 또한 DHF 공급원(702)으로부터 DHF 공급로(713) 및 노즐 아암(42)의 공급관을 통해 제1 노즐(400)에 DHF가 공급된다.

제어부(18)는, 또한 구동부(33)에도 제어 신호를 보낸다. 구동부(33)는 제어부(18)로부터의 제어 신호에 의해 제어되고, 이 제어 신호에 따라서, 지주부(32)의 연직축을 중심으로 한 회전수가 조정되고, 지주부(32)에 고정된 유지부(31)에 유지되는 웨이퍼(W)의 회전수도 바뀐다.

<미소 파티클의 발생 방지>

회전하는 웨이퍼(W)의 중심부를 향해, DHF를 공급하는 약액 처리 및 DIW를 공급하는 린스 처리는 연속적으로 행해진다. 통상, 약액의 공급량 또는 기판의 회전수는, 웨이퍼(W)의 표면을 균일하게 처리할 수 있는 조건으로 설정된다. 본건 발명자는, 이러한 조건에서는, 웨이퍼(W)의 소수성의 처리면에 공급되는 액체가 DHF로부터 DIW로 전환될 때, 액으로 피막되어 있어야 할 웨이퍼(W)의 주연부가 노출된다는 것을 발견했다. 그리고, 이것이 워터마크 등의 미소 파티클을 유발한다는 것을 알았다.

본건 발명자는, 웨이퍼(W)의 소수성의 처리면에 공급되는 액체가 DHF로부터 DIW로 전환될 때의 웨이퍼(W)의 주연부에 대한 액피복성에 주목하여, 그 액피복성을 개선함으로써, 워터마크 등의 미소 파티클을 안정적으로 저감할 수 있다고 하는 지견을 새롭게 얻었다. 구체적으로는, 약액 처리의 종반(예컨대 약액 처리 완료전의 수초 정도)에 있어서 웨이퍼(W)의 회전수나 DHF의 공급량을 증대시켜, DHF의 액막에 의해 웨이퍼(W)의 처리면의 전역을 덮은 상태로 DIW의 공급을 시작함으로써, 미소한 워터마크의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 즉, 약액 처리가 행해지고 있는 단계에서 웨이퍼(W)의 처리면에 대한 액피복성을 향상시켜, 액피복성이 충분히 향상된 상태로 약액 처리로부터 린스 처리로 이행함으로써, 처리면에 대한 액피복성이 불완전한 상태가 되는 시간을 현저하게 단축하거나 없애서, 미소한 워터마크의 발생을 매우 효과적으로 억제하는 것이 가능하다.

전술한 고찰에 근거하여, 도 3에 나타내는 제어부(18)는, DHF 및 DIW를 이용한 액처리 공정에서의 미소 파티클의 발생을 방지하기 위해, 이하의 제어를 행한다.

즉 제어부(18)는, 기판 유지부를 구성하는 구동부(33) 및 처리액 공급부를 구성하는 DHF 공급원(702)을 제어하여, 웨이퍼(W)의 중심부에 DHF를 공급하여 처리면의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막을 형성한다. 또 제어부(18)는, DIW의 액막을 형성하기 전에, DHF의 액막이 도중에 끊긴 웨이퍼(W)의 주연부에 DHF의 액막을 형성하도록, 구동부(33) 및 DHF 공급원(702)을 제어한다. 그리고 제어부(18)는, 린스액 공급부를 구성하는 DIW 공급원(701) 및 구동부(33)를 제어하여, 웨이퍼(W)의 중심부에 DIW를 공급하여, 처리면의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된 상태로 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급을 시작한다.

도 4는, 액처리 유체(L)가 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부에만 걸쳐서 액막을 형성하는 예를 나타내는 단면도이다. 도 5는, 액처리 유체(L)가 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액막을 형성하는 예를 나타내는 단면도이다. 도 4 및 도 5에 도시되는 액처리 유체(L)는, 전술한 DHF 및 DIW를 대표적으로 나타내고 있다.

회전축선(Aw)을 중심으로 회전하는 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)에 대하여 제1 노즐(400)로부터 액처리 유체(L)가 공급되면, 액처리 유체(L)는, 웨이퍼(W)와 함께 회전하고, 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측을 향하여 작용하는 원심력의 영향을 받아 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)를 향해 퍼진다.

예컨대, 웨이퍼(W)의 회전수가 충분히 크지 않은 경우나 웨이퍼(W)에 대한 액처리 유체(L)의 공급량이 충분히 많지 않은 경우에는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 액처리 유체(L)에 의해 형성되는 액막이 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)까지 퍼질 수 없어, 액처리 유체(L)는, 웨이퍼(W)의 중앙부를 중심으로 한 일부 범위에만 액막을 형성한다. 한편, 웨이퍼(W)의 회전수가 충분히 큰 경우나 웨이퍼(W)에 대한 액처리 유체(L)의 공급량이 충분히 많은 경우에는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 액처리 유체(L)에 의해 형성되는 액막이 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)까지 퍼져, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액처리 유체(L)의 액막이 형성된다.

또, 액막의 형성에 기여하지 않은 잉여의 액처리 유체(L)는, 액막으로부터 끊어져 액적이 된다. 특히 도 4에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부 범위에만 액처리 유체(L)의 액막이 형성되어 있는 상태에 있어서, 액막으로부터 끊어진 액처리 유체(L)의 액적은, 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)측으로 흐른 후에, 웨이퍼(W)로부터 털어내어진다. 단, 액막으로부터 끊어져 외주부(Wp)측으로 흐른 액적이 전부 웨이퍼(W)로부터 털어내어진다고는 할 수 없고, 일부의 액처리 유체(L)는 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 액적의 형태로 잔존해 버리는 경우가 있다. 특히, 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 있어서 액적으로서 존재하는 액처리 유체(L)가 DIW인 경우에, 워터마크 등의 미소 파티클의 발생이 유발된다. 본 실시형태의 기판액 처리 장치 및 기판액 처리 방법에서는, 그와 같은 미소 파티클의 발생을 억제하기 위해, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막을 형성하고, 그 후, 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된 상태로 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급을 시작한다.

이하, 본 실시형태에서의 기판액 처리 방법에 관해 상세히 설명한다. 본 실시형태의 기판액 처리 방법은, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 DHF를 공급하는 공정과, DHF를 공급하는 공정 이후에, 회전하는 웨이퍼(W)의 중심부에 DIW를 공급하여, 웨이퍼(W) 상에 DIW의 액막을 형성하는 공정을 포함한다. 또한 이 기판액 처리 방법은, DIW의 액막을 형성하는 공정 이전에, DHF의 액막이 도중에 끊긴 웨이퍼(W)의 주연부에 DHF의 액막을 형성하는 공정을 갖는다.

도 6은, 기판액 처리 방법의 플로우차트이다. 본 실시형태의 기판액 처리 방법에서는, 기판 준비 공정 S11, 제1 약액 처리 공정 S12, 제2 약액 처리 공정 S13 및 린스 처리 공정 S14가 순차적으로 행해진다.

기판 준비 공정 S11은, 처리면에 산화막이 형성된 웨이퍼(W)를 준비하는 공정이다. 처리면에 자연 산화물 등의 산화막이 형성되어 있는 웨이퍼(W)는, 도 1에 나타내는 기판 반송 장치(17)에 의해 반송부(15) 내에서 반송되어, DHF 및 DIW를 사용한 액처리를 행하는 처리 유닛(16) 내에 반입반출구를 통해 반입되고, 웨이퍼(W)는 유지부(31)에 의해 유지된다. 또, 웨이퍼(W)가 유지핀(311)에 전달된 후, 기판 반송 장치(17)는 처리 유닛(16)으로부터 후퇴한다.

제1 약액 처리 공정 S12 및 제2 약액 처리 공정 S13은 각각, 산화막을 제거하는 DHF를 회전하는 웨이퍼(W)에 공급하는 공정이다. 제1 약액 처리 공정 S12에서는, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부(특히 중심부)에만 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된다(도 4 참조). 한편, 제2 약액 처리 공정 S13에서는, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된다(도 5 참조).

DHF에 의한 산화물의 제거 처리가 진행됨에 따라서 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 특성은 변화하기 때문에, 제1 약액 처리 공정 S12에서의 처리면(Ws) 상에서의 DHF의 액막의 상태도 변화할 수 있다. 그 때문에, 제1 약액 처리 공정 S12에 있어서 웨이퍼(W)를 제1 회전수로 회전시킨 경우에, DHF의 공급 시작 당초에는 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막을 형성하는 것이 가능했다 하더라도, DHF에 의해 산화막이 에칭되면 처리면(Ws) 상에서 DHF의 액막이 도중에 끊겨, 웨이퍼(W)의 주연부에는 DHF의 액막이 형성되지 않게 된다. 그 때문에 본 실시형태에서는, DHF의 액막이 도중에 끊긴 웨이퍼(W)의 주연부에, 제2 약액 처리 공정 S13에 있어서 DHF의 액막이 형성된다. 이와 같이 본 실시형태에 있어서, 제1 회전수로 회전하는 웨이퍼(W)에 DHF를 공급하는 공정은, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성되는 공정과, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부 영역(특히 중앙부)에만 걸쳐서 DHF의 액막이 형성되는 공정을 포함한다.

또, 약액 처리의 조건은 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)이 균일하게 처리되도록 설정되기 때문에, 제1 약액 처리 공정 S12에서는 웨이퍼(W)의 처리면(Ws) 상에 DHF의 액막이 형성되지 않는 경우도 있다. 이 경우에도, 제2 약액 처리 공정 S13에서, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성되고, DHF의 액막이 도중에 끊긴 웨이퍼(W)의 주연부에 DHF의 액막이 형성됨으로써, 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또 약액 처리의 균일성을 고려하면, 웨이퍼(W)의 회전수를 높일 수 없는 경우가 있다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 회전수를 지나치게 증대시키면, 웨이퍼(W)로부터 일단 털어낸 DHF가, 주위의 회수컵(50)에 의해 튀어서 되돌아와 웨이퍼(W)에 다시 부착되어 버릴 우려가 있고, 그와 같은 재부착된 DHF에 의해 웨이퍼(W)는 오염된다.

린스 처리 공정 S14는, DHF를 공급하는 전술한 제2 약액 처리 공정 S13 이후에 행해지며, 회전하는 웨이퍼(W)에 DIW를 공급하여, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws) 상에 DIW의 액막을 형성하는 공정이다. 린스 처리 공정 S14는, 전술한 제2 약액 처리 공정 S13의 직후에 행해지며, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된 상태로 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급이 시작된다. 또 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급이 시작된 후에 있어서도, 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액막이 형성된 상태가 유지되도록, 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급량 및 웨이퍼(W)의 회전수가 조정된다. 따라서, 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급의 시작 직후는, DHF 및 DIW의 혼합액에 의해 처리면(Ws) 상에 액막이 형성되지만, DIW의 공급 시작으로부터 시간이 경과함에 따라서 서서히 액막 중의 DIW의 비율이 증가하여, 최종적으로는 DIW에 의해서만 액막이 형성된다.

이와 같이, DIW의 공급 시작전에 DHF에 의해 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액막을 형성해 두고, 처리면(Ws)의 전역에 DHF의 액막이 형성된 상태로 DIW의 공급이 시작된다. 이에 따라, DHF의 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부에만 형성되고 DHF의 액막이 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 존재하지 않는 도 4에 나타낸 바와 같은 상태를 회피할 수 있다. 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 발생하는 워터마크 등의 미소 파티클은, 주로 DHF의 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부에만 형성되어 있는 상태로, DIW의 액적이, DHF의 액막이 존재하지 않는 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 존재하는 것에 기인한다. 따라서, 전술한 바와 같이 DIW의 공급이 시작되는 때 DHF의 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부에만 형성되는 상태를 회피하고, 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 DIW의 액적이 존재하지 않도록 함으로써, 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에서의 워터마크 등의 미소 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

다음으로, 본 실시형태의 변형예인 웨이퍼(W)의 회전수를 조정하여 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 액막을 형성하는 수법에 관해 설명한다.

도 7은, 제1 약액 처리 공정 S12, 제2 약액 처리 공정 S13 및 린스 처리 공정 S14에서의 웨이퍼 회전수, 시간 및 액공급 유량의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 7에 있어서, 횡축은 시간(초)을 나타내고, 좌측의 종축은 웨이퍼(W)의 회전수(rpm : revolutions per minute)를 나타내고, 우측의 종축은 웨이퍼(W)에 대한 DHF 및 DWI의 액공급 유량(ml/min)을 나타낸다. 부호 「R1」에 의해 표시되는 실선은, 본 실시형태에 따른 「시간」 및 「웨이퍼(W)의 회전수」의 관계를 나타낸다. 부호 「R2」에 의해 표시되는 점선은, 비교예에 관한 「시간」 및 「웨이퍼(W)의 회전수」의 관계를 나타낸다. 부호 「F1」에 의해 표시되는 일점쇄선은 「시간」 및 「DHF의 액공급량」의 관계를 나타내고, 부호 「F2」에 의해 표시되는 이점쇄선은 「시간」 및 「DIW의 액공급량」의 관계를 나타낸다.

또 부호 「F1」 및 「F2」로 표시되는 선은 본 실시형태 및 비교예에 있어서 공통되며, 웨이퍼(W)에 대한 DHF의 공급량 및 DIW의 공급량은, 본 실시형태 및 비교예에 있어서 동일하다. 즉 본 실시형태에 따른 기판액 처리 방법 및 비교예에 관한 기판액 처리 방법 모두, 웨이퍼(W)에 대한 DHF의 공급량(부호 「F1」 참조)은 시간에 관계없이 일정하고, 또한 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급량(부호 「F2」 참조)도 시간에 관계없이 일정하며, DHF의 공급량과 DIW의 공급량은 동일하다.

부호 「R2」로 표시되는 비교예에서는, 전술한 제1 약액 처리 공정 S12 및 제2 약액 처리 공정 S13의 양 공정에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수는 제1 회전수 N1로 일정한 비율로 회전하고, DHF가 웨이퍼(W)에 공급되고 있는 동안에는, 도 4에 나타낸 바와 같이 DHF의 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부에만 형성된다. 그리고, 웨이퍼(W)에 대한 DHF의 공급이 종료하고 DIW의 공급이 시작되면, 웨이퍼(W)의 회전수는 서서히 증대되어, 제1 회전수 N1로부터 제2 회전수 N2까지 웨이퍼(W)의 회전수가 증대된다.

이 비교예에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수 N1로부터 제2 회전수 N2까지 증대되는 동안에는, 웨이퍼(W)에는 DIW가 공급되는 한편, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws) 상에 형성되는 액막이 외주부(Wp)에 존재하지 않는 기간이 존재한다. 그 때문에, 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수 N1로부터 제2 회전수 N2까지 증대되는 기간 중, 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부에만 형성되고 있는 동안에는, 액막으로부터 끊어진 DIW를 함유하는 액적이 외주부(Wp)에 존재할 수 있다. 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 발생하는 워터마크 등의 미소 파티클은, DIW의 액적이 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 존재하는 것에 기인하기 때문에, 이 비교예에서는 미소 파티클의 발생이 유발된다.

한편, 부호 「R1」로 표시되는 본 실시형태에서는, DHF를 공급하는 공정이, 제1 회전수 N1로 회전하는 웨이퍼(W)에 DHF가 공급되는 제1 약액 처리 공정 S12와, 제1 회전수 N1보다 빠른 제2 회전수 N2로 회전하는 웨이퍼(W)에 DHF가 공급되는 제2 약액 처리 공정 S13을 갖는다. 제1 약액 처리 공정 S12에 있어서, 제1 회전수 N1로 회전하는 웨이퍼(W)에 공급된 DHF는, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 중심부에 액막을 형성하고, 웨이퍼(W)의 주연부에서는 DHF의 액막이 도중에 끊겼다. 한편, 제2 약액 처리 공정 S13에 있어서, 제1 회전수 N1보다 빠른 제2 회전수 N2로 회전하는 웨이퍼(W)에 DHF가 공급되는 것에 의해, DIW를 공급하는 린스 처리 공정 S14 이전에, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된다. 보다 구체적으로는, 제2 약액 처리 공정 S13에서는, 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수 N1부터 제2 회전수 N2까지 비례적으로 증대되고, 그 후, 웨이퍼(W)의 회전수가 제2 회전수 N2로 유지된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된다. 그리고 린스 처리 공정 S14에서는, 웨이퍼(W)의 회전수가 제2 회전수 N2로 유지되고, 제1 회전수 N1보다 빠른 제2 회전수 N2로 회전하는 웨이퍼(W)에 DIW가 공급된다. 이에 따라, 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액막이 형성된 상태로, 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급이 행해진다.

이와 같이 린스 처리 공정 S14의 전(前)단계에서, 웨이퍼(W)의 회전수를 조정하여 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 DHF의 액막을 형성해 두고, 린스 처리 공정 S14 중에도 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액막이 형성되도록 웨이퍼(W)의 회전수가 조정된다. 이에 따라, DIW를 함유하는 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부에만 형성되는 것을 방지하고, DIW를 함유하는 액적이 외주부(Wp)에 존재할 수 있는 기간을 회피할 수 있어, 외주부(Wp)에서의 워터마크 등의 미소 파티클의 발생을 억제할 수 있다.

또 전술한 도 7에 나타내는 예에서는, 제2 약액 처리 공정 S13에 있어서 웨이퍼(W)의 회전수를 제2 회전수 N2까지 증대시키고 있지만, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막을 형성할 수 있는 것이라면, 제2 약액 처리 공정 S13에서의 웨이퍼(W)의 회전수는 제2 회전수 N2에 한정되지 않는다. 단, 제2 약액 처리 공정 S13의 최종 단계에서, 린스 처리 공정 S14에 있어서 요구되는 웨이퍼(W)의 회전수와 동일한 회전수까지 웨이퍼(W)의 회전수를 증대시킴으로써, 제2 약액 처리 공정 S13으로부터 린스 처리 공정 S14로의 이행을 간편하게 행할 수 있다.

다음으로, 액공급량을 조정하여 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 액막을 형성하는 수법에 관해 설명한다.

도 8은, 제1 약액 처리 공정 S12, 제2 약액 처리 공정 S13 및 린스 처리 공정 S14에서의 웨이퍼 회전수, 시간 및 액공급 유량의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 8에 있어서, 횡축은 시간(초)을 나타내고, 좌측의 종축은 웨이퍼(W)의 회전수(rpm)를 나타내고, 우측의 종축은 웨이퍼(W)에 대한 DHF 및 DWI의 액공급 유량(ml/min)을 나타낸다. 부호 「R1」에 의해 표시되는 실선은, 본 실시형태에 따른 「시간」 및 「웨이퍼(W)의 회전수」의 관계를 나타낸다. 부호 「F1」에 의해 표시되는 일점쇄선은 「시간」 및 「DHF의 액공급량」의 관계를 나타내고, 부호 「F2」에 의해 표시되는 이점쇄선은 「시간」 및 「DIW의 액공급량」의 관계를 나타낸다.

도 8에 나타내는 예에 있어서 DHF를 공급하는 공정은, 제1 공급량 P1의 DHF가 웨이퍼(W)에 공급되는 제1 약액 처리 공정 S12와, 제1 공급량 P1보다 많은 제2 공급량 P2의 DHF가 웨이퍼(W)에 공급되는 제2 약액 처리 공정 S13을 갖는다. 제1 약액 처리 공정 S12에 있어서, 제1 공급량 P1로 웨이퍼(W)에 공급된 DHF는, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 중심부에 액막을 형성하고, 웨이퍼(W)의 주연부에서는 처리액의 액막이 도중에 끊겼다. 한편, 제2 약액 처리 공정 S13에 있어서, 제1 공급량 P1보다 많은 공급량의 DHF가 웨이퍼(W)에 공급되는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된다. 보다 구체적으로는, 제2 약액 처리 공정 S13에서는, DHF의 공급량이 제1 공급량 P1부터 제2 공급량 P2까지 비례적으로 증대되고, 그 후, DHF의 공급량이 제2 공급량 P2로 유지된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된다. 또 제1 약액 처리 공정 S12 및 제2 약액 처리 공정 S13의 동안에, 웨이퍼(W)는 제1 회전수 N1로 회전되고, 웨이퍼(W)의 회전수는 일정하게 유지되고 있다.

그리고 린스 처리 공정 S14에서는, 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수 N1로부터 제2 회전수 N2로 증대되는 한편, DIW의 공급량이 제2 공급량 P2로 공급을 시작하여, 그 후 제1 공급량 P1로 저감된다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수 N1로부터 제2 회전수 N2로 증대되고 또한 DIW의 공급량이 제2 공급량 P2로부터 제1 공급량 P1로 저감되는 동안, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액막이 형성된 상태가 유지된다. 또한 린스 처리 공정 S14에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수가 제2 회전수 N2에 도달한 후에는 웨이퍼(W)의 회전수는 제2 회전수 N2로 유지되고, 또한 DIW의 공급량이 제1 공급량 P1에 도달한 후에는 DIW의 공급량은 제1 공급량 P1로 유지된다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 회전수가 제2 회전수 N2로 유지되고 또한 DIW의 공급량이 제1 공급량 P1로 유지되고 있는 동안에도, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액막이 형성된 상태가 유지된다.

이와 같이 린스 처리 공정 S14의 전(前)단계에서, DHF의 공급량을 조정하여 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막을 형성해 두고, 린스 처리 공정 S14 중에도 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 액막이 형성되도록, DIW의 공급량 및 웨이퍼(W)의 회전수가 조정된다. 이에 따라, DIW를 함유하는 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 일부에만 형성되는 것을 방지하고, DIW를 함유하는 액적이 외주부(Wp)에 존재할 수 있는 기간을 회피할 수 있어, 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에서의 워터마크 등의 미소 파티클의 발생을 억제할 수 있다.

또 전술한 도 8에 나타내는 예에서는, 웨이퍼(W)에 DHF가 공급되는 제1 약액 처리 공정 S12 및 제2 약액 처리 공정 S13의 동안에는, 웨이퍼(W)의 회전수가 일정하게 유지되고 있지만, 웨이퍼(W)의 회전수는 반드시 일정할 필요는 없다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 회전수가 제1 회전수 N1이고 DHF의 공급량이 제3 공급량(단 「제1 공급량 P1<제3 공급량<제2 공급량 P2」의 관계를 만족)이면, DHF의 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서는 형성되지 않는 경우가 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전수가 제3 회전수(단 「제1 회전수 N1<제3 회전수<제2 회전수 N2」의 관계를 만족)이고 DHF의 공급량이 제1 공급량 P1이면, DHF의 액막이 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서는 형성되지 않는 경우가 있다. 한편, 웨이퍼(W)의 회전수가 제3 회전수이고 DHF의 공급량이 제3 공급량이면, DHF의 액막을 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 형성할 수 있는 경우가 있다. 이 경우, 제2 약액 처리 공정 S13에서의 DHF의 공급량의 증대의 정도를 억제할 수 있어, DHF의 소비량을 절약할 수 있다. 또한 제2 약액 처리 공정 S13에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수를 제1 회전수 N1보다 빠른 회전수로 조정함으로써, 그 후의 린스 처리 공정 S14에 있어서 보다 단시간에, 웨이퍼(W)의 회전수를 목표 회전수인 제2 회전수 N2로 조정할 수 있다. 제2 약액 처리 공정 S13으로부터 린스 처리 공정 S14로의 이행을 원활하게 행하는 관점에서는, 제2 약액 처리 공정 S13에서의 웨이퍼(W)의 최종적인 목표 회전수를, 린스 처리 공정 S14에서의 웨이퍼(W)의 목표 회전수와 동일하게 하는 것이 바람직하다.

또한 전술한 도 8에 나타내는 예에서는, 도 3에 나타내는 제어부(18)가 DHF 공급원(702)을 제어함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 DHF의 공급량이 증가되었지만, 웨이퍼(W)에 대한 DHF의 공급을 보조하는 보조 수단이 더 마련되어도 좋다. 즉, 전술한 DHF 공급원(702)과는 별개로 DHF 공급 보조부를 마련하여, 그 DHF 공급 보조부가, 제어부(18)의 제어하에 추가적으로 DHF를 웨이퍼(W)에 공급함으로써 웨이퍼(W)에 대한 DHF의 공급량을 증가시켜도 좋다. 또, 이 DHF 공급 보조부의 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, DHF 공급 보조부는, 도 3에 나타내는 노즐 아암(42)의 공급관이나 제1 노즐(400)을 DHF 공급원(702)과 공용해도 좋고, 노즐 아암(42) 및 제1 노즐(400)과는 별개의 전용의 공급관 및 노즐을 갖고 있어도 좋다.

이상 설명한 바와 같이 본 실시형태 및 변형예의 기판액 처리 방법 및 기판액 처리 장치에 의하면, 웨이퍼(W)의 처리면(Ws)의 전역에 걸쳐서 DHF의 액막이 형성된 상태로, 웨이퍼(W)에 대한 DIW의 공급이 시작된다. 이에 따라, DIW를 함유하는 액적이 웨이퍼(W)의 외주부(Wp)에 존재할 수 있는 기간이 생기는 것을 방지하여, 워터마크 등의 미소 파티클의 발생을 안정적으로 억제할 수 있다.

또 본 발명은, 전술한 실시형태 및 변형예에 한정되는 것이 아니라, 당업자가 이를 수 있는 여러가지 변형이 가해진 각종 양태도 본 발명의 범위에 포함될 수 있는 것이며, 본 발명에 의해 발휘되는 효과도 전술한 사항에 한정되지 않는다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상 및 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 특허청구범위 및 명세서에 기재되는 각 요소에 대하여 여러가지 추가, 변경 및 부분적 삭제가 가능하다.

예컨대 전술한 실시형태에서는, DHF를 처리액으로서 사용하고, DIW를 린스액으로서 사용하는 예에 관해 설명했지만, 처리액 및 린스액은 특별히 한정되지 않는다. 플루오르화수소산을 함유하는 용액을 처리액으로서 적합하게 사용할 수 있다. 산화막의 에칭 제거 등의 원하는 약액 처리에 필요한 임의의 액체를 처리액으로서 사용하는 것이 가능하고, 그와 같은 처리액을 적절하게 씻어낼 수 있는 임의의 액체를 린스액으로서 사용하는 것이 가능하다.

또한 웨이퍼(W)의 조성도 특별히 한정되지 않고, 전형적으로는 고순도의 실리콘에 의해 웨이퍼(W)가 구성된다. 특히, 전술한 기판액 처리 방법 및 기판액 처리 장치는, 처리액에 의해 산화막이 제거된 처리면(Ws)의 접촉각이, 산화막이 형성된 처리면(Ws)의 접촉각보다 커지는 웨이퍼(W)에 대하여, 적합하게 적용할 수 있다.

18 : 제어부
30 : 기판 유지 기구
40 : 처리 유체 공급부
W : 웨이퍼

Claims

회전하는 기판의 중심부에 처리액을 공급하는 공정과,
상기 처리액을 공급하는 공정 이후에, 회전하는 상기 기판의 중심부에 린스액을 공급하여, 상기 기판 상에 상기 린스액의 액막을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 린스액의 액막을 형성하는 공정 이전에, 상기 처리액의 액막이 도중에 끊긴 상기 기판의 주연부에 상기 처리액의 액막을 형성하는 공정을 포함하며,
상기 처리액을 공급하는 공정에서는, 제1 회전수로 회전하는 상기 기판에 상기 처리액이 공급되고,
상기 주연부에 상기 처리액의 액막을 형성하는 공정에서는, 상기 제1 회전수보다 빠른 제2 회전수로 회전하는 상기 기판에 상기 처리액이 공급되는 것에 의해, 상기 린스액을 공급하는 공정 이전에 상기 처리액의 액막이 형성되는 것인 기판액 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 회전수로 회전하는 상기 기판에 공급된 상기 처리액은, 상기 기판의 중심부에 액막을 형성하고, 상기 주연부에서는 상기 처리액의 액막이 도중에 끊겨 있는 것인 기판액 처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 회전수는, 상기 기판의 처리면의 전역(全域)에 상기 처리액의 액막을 형성하는 것이 가능한 회전수인 것인 기판액 처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 린스액을 공급하는 공정에서는, 상기 제1 회전수보다 빠른 제2 회전수로 회전하는 상기 기판에 상기 린스액이 공급되는 것인 기판액 처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 린스액의 액막을 형성하는 공정에서는, 제1 공급량보다 많은 공급량의 상기 린스액이 상기 기판에 공급되고, 그 후, 상기 기판에 공급되는 상기 린스액의 공급량은 저감되는 것인 기판액 처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액을 공급하는 공정은, 상기 기판의 전역에 걸쳐서 상기 처리액의 액막을 형성하는 공정을 포함하며,
상기 린스액을 공급하는 공정에서는, 상기 기판의 전역에 걸쳐서 상기 처리액의 액막이 형성된 상태로, 상기 기판에 대한 상기 린스액의 공급이 시작되는 것인 기판액 처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액에 의해 산화막이 제거된 상기 기판의 접촉각은, 상기 산화막이 형성된 상기 기판의 접촉각보다 큰 것인 기판액 처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액은 플루오르화수소산을 함유하고, 상기 린스액은 순수(純水)인 것인 기판액 처리 방법.
기판을 유지하여 회전시키는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 처리액 공급부에 의해 상기 처리액이 공급된 후에, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 린스액을 공급하여, 상기 기판 상에 상기 린스액의 액막을 형성하는 린스액 공급부와,
상기 기판 유지부, 상기 처리액 공급부 및 상기 린스액 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 처리액 공급부를 제어하여, 회전하는 상기 기판의 중심부에 상기 처리액을 공급하고,
상기 린스액 공급부를 제어하여, 상기 기판에 상기 처리액을 공급한 후에, 회전하는 상기 기판의 중심부에 린스액을 공급하여, 상기 기판 상에 상기 린스액의 액막을 형성하고,
상기 처리액 공급부는,
상기 기판 상에 상기 린스액의 액막이 형성되기 전에, 상기 처리액의 액막이 도중에 끊긴 상기 기판의 주연부에 상기 처리액의 액막을 형성하고,
회전하는 상기 기판의 중심부에 상기 처리액을 공급할 때, 제1 회전수로 회전하는 상기 기판에 상기 처리액을 공급하고,
상기 기판 상에 상기 린스액의 액막이 형성되기 전에 상기 주연부에 상기 처리액의 액막을 형성할 때, 상기 제1 회전수보다 빠른 제2 회전수로 회전하는 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 것인 기판액 처리 장치.
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