TW202242991A - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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後藤京成
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齊木大輔
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Abstract

[課題]本揭示說明將在基板的表面形成的金屬多晶膜進行蝕刻處理時，能夠有效地除去蝕刻殘渣的基板處理方法及基板處理裝置。 [解決手段]基板處理方法，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時對基板的周緣部供應蝕刻液的第1工程；使基板旋轉，同時對比第1工程中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液的第2工程；使基板旋轉，同時對基板的周緣部供應蝕刻液的第3工程；使基板旋轉，同時對比第3工程中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液的第4工程；在第4工程之後，使基板乾燥的第5工程。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本揭示係有關於基板處理方法及基板處理裝置。
專利文獻1，揭示了對在基板的表面形成的自然氧化膜之中位於基板的周緣部的部分，供應氫氟酸等的藥液，將該膜藉由蝕刻處理除去的基板處理方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2019-040958號公報
[發明所欲解決的問題]
本揭示說明將在基板的表面形成的金屬多晶膜進行蝕刻處理時，能夠有效地除去蝕刻殘渣的基板處理方法及基板處理裝置。 [解決問題的手段]
基板處理方法的一例，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時對基板的周緣部供應蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜在厚度方向部分地進行蝕刻處理的第1工程；使基板旋轉，同時對比第1工程中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第1工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2工程；使基板旋轉，同時對基板的周緣部供應蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜的殘留部進行蝕刻處理的第3工程；使基板旋轉，同時對比第3工程中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第3工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第4工程；在第4工程之後，使基板乾燥的第5工程。 [發明的效果]
根據本揭示的基板處理方法及基板處理裝置，將在基板的表面形成的金屬多晶膜進行蝕刻處理時，能夠有效地除去蝕刻殘渣。
以下的說明中，相同要素或具有相同機能的要素使用相同符號來，省略重覆的說明。此外，在本說明書中，提到圖的上、下、右、左時，以圖中的符號的方向為基準。
[基板處理系統] 首先，參照圖1，說明關於處理基板W的基板處理系統1(基板處理裝置)。基板處理系統1具備搬出入站2、處理站3、控制器Ctr(控制部)。搬出入站2及處理站3，例如在水平方向排成一列也可以。
基板W可以呈圓板狀、也可以呈多角形等圓形以外的板狀。基板W具有一部分欠缼的缼口部也可以。缼口部，例如，可以是缺口(U字形、V字形等的溝)、也可以是以直線狀延伸的直線部(所謂的方位平坦)。基板W，例如，也可以是包含半導體基板(矽晶圓)、玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)基板等的各種基板。基板W的直徑例如可以是200mm～450mm左右。
如圖2例示那樣，在基板W的表面Wa形成金屬多晶膜F。金屬多晶膜F由多數金屬的結晶粒G集合的多晶構成。該金屬，例如，也可以是氮化鈦、氧化鈦、鈦、鎢、鉭、氮化鉭、鋁、氧化鋁、銅、釕、氧化鋯、氧化鉿等。該等結晶粒G彼此的界面，稱為結晶粒界B，成為結晶粒G彼此的方向不同的不連續面。
回到圖1，搬出入站2包含載置部4、搬出入部5、棚單元6。載置部4包含在寬度方向(圖1的上下方向)排列的複數載置台(圖未示)。各載置台能夠載置載體7(收容容器)。載體7將至少一個基板W以密封狀態收容。載體7包含用來使基板W出入的開關門(圖未示)。
搬出入部5，在搬出入站2及處理站3排列的方向(圖1的左右方向)，鄰接載置部4配置。搬出入部5包含對應載置部4設置的開關門(圖未示)。藉由在載置部4上載置載體7的狀態下，將載體7的開關門與搬出入部5的開關門一同開放，連通搬出入部5內與載體7內。
搬出入部5內藏搬送臂A1及棚單元6。搬送臂A1，能夠進行搬出入部5的寬度方向(圖1的上下方向)的水平移動、鉛直方向的上下動、及繞鉛直軸的旋轉動作。搬送臂A1，從載體7將基板W取出送至棚單元6，又從棚單元6接收基板W並返回載體7內。棚單元6，位於處理站3的附近，仲介在搬出入部5與處理站3之間的基板W的收授。
處理站3包含搬送部8、及複數處理單元10。搬送部8，例如，在搬出入站2及處理站3排列的方向(圖1的左右方向)於水平延伸。搬送部8內藏搬送臂A2。搬送臂A2，能夠進行搬送部8的長度方向(圖1的左右方向)的水平移動、鉛直方向的上下動、及繞鉛直軸的旋轉動作。搬送臂A2，從棚單元6將基板W取出並送至各處理單元10，又從各處理單元10接收基板W並返回棚單元6內。
複數處理單元10，在搬送部8的兩側分別沿著搬送部8的長度方向(圖1的左右方向)以排列成一列的方式配置。處理單元10，在基板W進行預定的處理(例如金屬多晶膜F的蝕刻處理、基板W的洗淨處理等)。關於處理單元10的詳細將於後述。
控制器Ctr部分地或全體地控制基板處理系統1。關於控制器Ctr的詳細將於後述。
[處理單元] 接著，參照圖3及圖4，詳細說明關於處理單元10。處理單元10具備旋轉保持部20、藥液供應部30、沖洗液供應部40、加熱部50、攝像部60。
旋轉保持部20包含旋轉部21、軸22、保持部23。旋轉部21，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，使軸22旋轉。旋轉部21，例如是電動馬達等的動力源也可以。
保持部23設置於軸22的前端部。保持部23，例如藉由吸附等，將基板W的裏面Wb吸附保持。亦即，旋轉保持部20，在基板W的姿勢為略水平的狀態下，相對於基板W的表面Wa繞垂直的中心軸(旋轉軸)使基板W旋轉也可以。圖3等例示那樣，旋轉保持部20，從上方看時順時針使基板W旋轉也可以。此外，保持部23，將基板W的裏面Wb全體吸附保持也可以。此時，在基板W即便有彎曲等，也將基板W矯正成略水平。
藥液供應部30對基板W供應蝕刻液L1。蝕刻液L1，例如，包含用來除去基板W的表面Wa的金屬多晶膜F的鹼性或酸性的藥液。鹼性的藥液，例如，包含SC-1液(氨、過氧化氫及純水的混合液)等。酸性的藥液，例如，包含SC-2液(鹽酸、過氧化氫水及純水的混合液)、SPM(硫酸及過氧化氫水的混合液)、HF/HNO 3液(氫氟酸及硝酸的混合液)等。
藥液供應部30包含液源31、泵32、閥門33、噴嘴34、配管35、驅動源36。液源31為蝕刻液L1的供應源。泵32，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，將從液源31吸引的蝕刻液L1，經由配管35及閥門33送出至噴嘴34。
閥門33，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，在容許配管35中的流體的流通的開狀態、與妨礙配管35中的流體的流通的關閉狀態之間遷移。噴嘴34，以吐出口34a朝向基板W的表面Wa的方式配置於基板W的上方。噴嘴34，如圖4例示那樣，將從泵32送出的蝕刻液L1，從吐出口34a向基板W的周緣部Wc吐出。
基板W因為藉由旋轉保持部20旋轉，吐出至周緣部Wc的蝕刻液L1，遍及基板W的全周擴散至周緣部Wc，同時從基板W的周緣向外方甩開。因此，在基板W的蝕刻液L1的著液點附近，基板W的徑方向的蝕刻液L1的寬度較大。另一方面，在蝕刻液L1的下游側，基板W的徑方向的蝕刻液L1的寬度較小。
回到圖3，配管35從上游側依序連接液源31、泵32、閥門33及噴嘴34。驅動源36對噴嘴34直接或間接連接。驅動源36，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，在基板W的上方，沿著水平方向或鉛直方向使噴嘴34移動。
沖洗液供應部40對基板W供應沖洗液L2。沖洗液L2，例如，為用來從基板W除去(沖洗)供應至基板W的表面Wa的蝕刻液L1、蝕刻液L1所致的金屬多晶膜F的溶解成份、後述蝕刻殘渣RE等的液體。沖洗液L2，例如包含純水(DIW：deionized water)、臭氧水、碳酸水(CO 2水)、氨水等。
沖洗液供應部40包含液源41、泵42、閥門43、噴嘴44、配管45、驅動源46。液源41為沖洗液L2的供應源。泵42，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，將從液源41吸引的沖洗液L2，經由配管45及閥門43送出至噴嘴44。
閥門43，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，在容許配管45中的流體的流通的開狀態、與妨礙配管45中的流體的流通的關閉狀態之間遷移。噴嘴44，以吐出口44a朝向基板W的表面Wa的方式配置於基板W的上方。噴嘴44，與噴嘴34一樣，將從泵42送出的蝕刻液L2，從吐出口44a向基板W的周緣部Wc吐出。為了將基板W上的蝕刻液L1等以沖洗液L2沖洗，基板W的沖洗液L2的著液點，設定成比蝕刻液L1的著液點還較基板W的中心側。
基板W因為藉由旋轉保持部20旋轉，吐出至周緣部Wc的沖洗液L2，與蝕刻液L1一樣，遍及基板W的全周擴散至周緣部Wc，同時從基板W的周緣向外方甩開。因此，在基板W的沖洗液L2的著液點附近，基板W的徑方向的沖洗液L2的寬度較大。另一方面，在沖洗液L2的下游側，基板W的徑方向的沖洗液L2的寬度較小。
配管45從上游側依序連接液源41、泵42、閥門43及噴嘴44。驅動源46對噴嘴44直接或間接連接。驅動源46，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，在基板W的上方，沿著水平方向或鉛直方向使噴嘴44移動。
加熱部50，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，將基板W加熱。加熱部50包含氣體源51、噴嘴52、配管53、加熱源54。氣體源51為氮等的不活性氣體的供應源。
噴嘴52，以吐出口52a朝向基板W的裏面Wb的方式配置於基板W的下方。噴嘴52，將來自氣體源51的不活性氣體向基板W的裏面Wb吐出。配管53連接氣體源51與噴嘴52。
加熱源54例如是電阻加熱器等，將流通至配管53的不活性氣體加熱。因此，在基板W的裏面Wb供應加熱後的不活性氣體。因此，基板W加熱至預定溫度(例如50℃～80℃左右)。藉此，促進供應至基板W的蝕刻液L1所致的金屬多晶膜F的蝕刻處理。
攝像部60，如圖3及圖4例示那樣，配置於基板W的周緣部Wc的上方。攝像部60，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，攝像基板W的周緣部Wc的一部分。攝像部60，將攝像影像發送至控制器Ctr。攝像部60，例如，也可以是CCD攝影機、COMS攝影機等。攝像部60的設置位置，若在處理單元10內則沒有特別限制。
攝像部60，如圖4例示那樣，攝像基板W的周緣部Wc之中蝕刻液L1的下游側的部分也可以。因為越蝕刻液L1的下游側蝕刻殘渣RE越容易殘留於基板W，容易藉由影像處理辨識蝕刻殘渣RE的對比度。
[控制器的詳細] 控制器Ctr，如圖5所示，作為機能模組具有讀取部M1、記憶部M2、處理部M3、指示部M4。該等機能模組不過是將控制器Ctr的機能方便上畫分成複數模組而已，未必代表要將構成控制器Ctr的硬體分成這樣的模組。各機能模組不限於藉由程式的執行而實現者，藉由專用的電路(例如邏輯電路)、或將其集積的積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)來實現也可以。
讀取部M1從電腦可讀取記錄媒體RM讀取程式。記錄媒體RM記錄了用來使包含處理單元10的基板處理系統1的各部動作的程式。記錄媒體RM，例如，也可以是半導體記憶體、光記錄碟盤、磁記錄碟盤、光磁記錄碟盤。此外，在以下，基板處理系統1的各部，能包含旋轉保持部20、藥液供應部30、沖洗液供應部40、加熱部50及攝像部60。
記憶部M2記憶各種資料。記憶部M2，例如，記憶有在讀取部M1中從記錄媒體RM讀出的程式、經由外部輸入裝置(圖未示)由操作者輸入的設定資料等。記憶部M2記憶藉由攝像部60攝像到的攝像影像的資料也可以。記憶部M2記憶基板W的處理所需的處理條件等也可以。
處理部M3處理各種資料。處理部M3，例如，基於記憶於記憶部M2的各種資料，生成用來使基板處理系統1的各部動作的信號也可以。
指示部M4，將在處理部M3中生成的動作信號發送至基板處理系統1的各部。
控制器Ctr的硬體，例如藉由一或複數控制用的電腦構成也可以。控制器Ctr，如圖6所示，作為硬體上的構造包含電路C1也可以。電路C1以電路要素(circuitry)構成也可以。電路C1，例如，包含處理器C2、記憶體C3、儲存器C4、驅動器C5、輸出入端口C6也可以。
處理器C2，與記憶體C3及儲存器C4的至少一者協動並執行程式，經由輸出入端口C6執行信號的輸出入，實現上述各機能模組。記憶體C3及儲存器C4作為記憶部M2作用。驅動器C5為分別驅動基板處理系統1的各部的電路也可以。輸出入端口C6，在驅動器C5與基板處理系統1的各部之間，仲介信號的輸出入也可以。
基板處理系統1，具備一個控制器Ctr也可以、具備以複數控制器Ctr構成的控制器群(控制部)也可以。基板處理系統1具備控制器群時，上述機能模組分別可以藉由一個控制器Ctr來實現、也可以藉由2個以上的控制器Ctr的組合來實現。控制器Ctr以複數電腦(電路C1)構成時，上述機能模組分別藉由一個電腦(電路C1)來實現也可以、藉由2個以上的電腦(電路C1)的組合來實現也可以。控制器Ctr具有複數處理器C2也可以。此時，上述機能模組分別可以藉由一個處理器C2來實現、也可以藉由2個以上的處理器C2的組合來實現。
[基板處理方法] 接著，參照圖7～圖11，說明關於將在基板W形成的金屬多晶膜F進行蝕刻處理的方法。此外，該方法開始前，在載置部4的載置台預先載置載體7。在該載體7內，收容在表面Wa形成金屬多晶膜F的至少一片基板W。
首先，控制器Ctr控制搬送臂A1、A2，從載體7取出1片基板W，搬送至任一處理單元10內。搬送至處理單元10內的基板W，載置於保持部23。
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部20，將基板W的裏面以保持部23吸附保持，且使基板W旋轉。在該狀態下，控制器Ctr控制藥液供應部30，從噴嘴34向基板W的周緣部Wc以預定時間供應蝕刻液L1(圖7的步驟S11及圖8(a)參照)。例如，如圖8(a)所示那樣，在從噴嘴34吐出蝕刻液L1的狀態下，驅動源36使噴嘴34從基板W的外側超越基板W的周緣向基板W的中心部側移動也可以。經過預定時間時，在從噴嘴34吐出蝕刻液L1的狀態下，驅動源36使噴嘴34從基板W的中心部側超越基板W的周緣向基板W的外側移動也可以。
供應至周緣部Wc的蝕刻液L1，藉由基板W的旋轉，遍及基板W的全周擴散至周緣部Wc，同時從基板W的周緣向外方甩開。因此，來自噴嘴34的蝕刻液L1的供應持續的期間，在周緣部Wc形成蝕刻液L1的液膜。藉此，蝕刻金屬多晶膜F之中配置在周緣部Wc的部分。步驟S11中，藉由蝕刻液L1，金屬多晶膜F在該厚度方向部分地被蝕刻。
此時，如圖9(a)所示，在金屬多晶膜F溶解之前蝕刻液L1會浸入結晶粒界B，在結晶粒界B，金屬多晶膜F會部分地剝離。藉此，剝離的金屬多晶膜F的一部分溶入蝕刻液L1而剩餘，產生蝕刻殘渣RE。
在步驟S11中，例如，以以下的處理條件對基板W供應蝕刻液L1也可以(圖11參照)。 基板W的轉速：2400rpm左右 蝕刻液L1的著液點：  從基板W的周緣起算1.0mm左   右的位置 蝕刻液L1的供應時間：70秒左右 蝕刻液L1的吐出流量：15ml/min左右
此外，在步驟S11前，控制器Ctr控制加熱部50，將加熱後的不活性氣體供應至基板W也可以。此時，基板W被加熱至預定溫度，促進蝕刻液L1所致的金屬多晶膜F的蝕刻。如圖11例示那樣，不活性氣體的供應流量為250l/min左右也可以。
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部20及沖洗液供應部40，維持基板W的旋轉，同時從噴嘴44對基板W的周緣部Wc使沖洗液L2以預定時間供應(圖7的步驟S12及圖8(b)參照)。例如，如圖8(b)所示那樣，在從噴嘴44吐出沖洗液L2的狀態下，驅動源46使噴嘴44從基板W的外側超越基板W的周緣向基板W的中心部側移動也可以。經過預定時間時，在從噴嘴44吐出沖洗液L2的狀態下，驅動源46使噴嘴44從基板W的中心部側超越基板W的周緣向基板W的外側移動也可以。
供應至周緣部Wc的沖洗液L2，藉由基板W的旋轉，遍及基板W的全周擴散至周緣部Wc，同時從基板W的周緣向外方甩開。因此，來自噴嘴44的沖洗液L2的供應持續的期間，在周緣部Wc形成沖洗液L2的液膜。藉此，如圖9(b)所示，在步驟S11中產生的蝕刻殘渣RE藉由沖洗液L2沖洗。
在步驟S12中，例如，以以下的處理條件對基板W供應沖洗液L2也可以(圖11參照)。 基板W的轉速：         2400rpm左右 沖洗液L2的著液點：  從基板W的周緣起算1.5mm左                                  右的位置 沖洗液L2的供應時間：20秒左右 沖洗液L2的吐出流量：15ml/min左右
此外，在步驟S11前進行加熱部50所致的基板W的加熱時，在步驟S12也持續加熱基板W也可以。此時也一樣，如圖11例示那樣，不活性氣體的供應流量為250l/min左右也可以。
接著，與步驟S11一樣，控制器Ctr控制旋轉保持部20及藥液供應部30，維持基板W的旋轉，同時從噴嘴34對基板W的周緣部Wc使蝕刻液L1以預定時間供應(圖7的步驟S13及圖8(c)參照)。步驟S13中也與步驟S11一樣，如圖8(c)所示那樣，在從噴嘴34吐出蝕刻液L1的狀態下，驅動源36使噴嘴34從基板W的外側超越基板W的周緣向基板W的中心部側移動也可以。經過預定時間時，在從噴嘴34吐出蝕刻液L1的狀態下，驅動源36使噴嘴34從基板W的中心部側超越基板W的周緣向基板W的外側移動也可以。
步驟S13中，藉由蝕刻液L1，金屬多晶膜F之中配置於周緣部Wc的部分，全部被蝕刻。此時，如圖10(a)所示，與步驟S11一樣產生蝕刻殘渣RE。在步驟S13中，例如，以與步驟S11一樣的處理條件對基板W供應蝕刻液L1也可以(圖11參照)。
此外，在步驟S11前進行加熱部50所致的基板W的加熱時，在步驟S13也持續加熱基板W也可以。此時也一樣，不活性氣體的供應流量為250l/min左右也可以。或者，如圖11例示那樣，控制器Ctr控制加熱部50，在停止蝕刻液L1的供應前，使不活性氣體的供應流量例如降低至100l/min左右也可以。此時，以後續的步驟S14供應沖洗液L2至基板W前，基板W的溫度降低。
接著，與步驟S12一樣，控制器Ctr控制旋轉保持部20及沖洗液供應部40，維持基板W的旋轉，同時從噴嘴44對基板W的周緣部Wc使沖洗液L2以預定時間供應(圖7的步驟S14及圖8(d)參照)。步驟S14中也與步驟S12一樣，如圖8(d)所示那樣，在從噴嘴44吐出沖洗液L2的狀態下，驅動源46使噴嘴44從基板W的外側超越基板W的周緣向基板W的中心部側移動也可以。經過預定時間時，在從噴嘴44吐出沖洗液L2的狀態下，驅動源46使噴嘴44從基板W的中心部側超越基板W的周緣向基板W的外側移動也可以。
供應至周緣部Wc的沖洗液L2，與步驟S12一樣，藉由基板W的旋轉，遍及基板W的全周擴散至周緣部Wc，同時從基板W的周緣向外方甩開。藉此，步驟S14中，如圖10(b)所示，在步驟S13中產生的蝕刻殘渣RE藉由沖洗液L2沖洗。
在步驟S14中，例如，以以下的處理條件對基板W供應沖洗液L2也可以(圖11參照)。 基板W的轉速：         2400rpm左右 沖洗液L2的著液點：  從基板W的周緣起算1.5mm左                                  右的位置 沖洗液L2的供應時間：30秒左右 沖洗液L2的吐出流量：15ml/min左右
此外，在步驟S11前進行加熱部50所致的基板W的加熱時，在步驟S13也持續加熱基板W也可以。此時也一樣，不活性氣體的供應流量為250l/min左右也可以。或者，如圖11例示那樣，在之前的步驟S13中不活性氣體的供應流量降低時，控制器Ctr控制加熱部50，在供應沖洗液L2後，使不活性氣體的供應流量例如增加至250l/min左右也可以。此時，以後續的步驟S15開始基板W的乾燥前，基板W的溫度上升。
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部20，維持基板W的旋轉。藉此，沖洗液L2從基板W甩開，進行基板W的乾燥(圖7的步驟S15及圖8(e)參照)。藉由以上，基板W的處理結束。
在步驟S15中，例如，以以下的處理條件乾燥基板W也可以(圖11參照)。 基板W的轉速：2500rpm左右 基板W的乾燥時間：20秒左右
此外，在步驟S11前進行加熱部50所致的基板W的加熱時，在步驟S15也持續加熱基板W也可以。此時也一樣，不活性氣體的供應流量，如圖11例示那樣，為250l/min左右也可以。
[作用] 此外，對金屬多晶膜F供應蝕刻液L1，產生蝕刻殘渣RE時(圖12(a)參照)，其多數雖伴隨著蝕刻液L1從基板W排出，但其一部分會有在蝕刻液L1與氛圍的界面(氣液界面)集合的情形。若蝕刻殘渣RE乾燥及固化，之後則便供應沖洗液L2至基板W(圖12(b)參照)，也無法將蝕刻殘渣RE從基板W除去(圖12(c)參照)。
但是，根據以上之例，在金屬多晶膜F的蝕刻進行途中供應沖洗液L2(步驟S12)。因此，在金屬多晶膜F的蝕刻中產生的蝕刻殘渣RE，在乾燥及固化前，一但藉由沖洗液L2被沖洗。因此，將在基板W的表面Wa形成的金屬多晶膜F進行蝕刻處理時，能夠有效地除去蝕刻殘渣RE。
以上之例中，在步驟S11～步驟S15中，加熱部50能加熱基板W，使得在步驟S14的沖洗液L2的供應開始前後的基板W的溫度變得相對低。此時，因為步驟S14中的沖洗液L2的供應開始前後的基板W的溫度變得較低，抑制了蝕刻殘渣RE的乾燥及固化。另一方面，因為步驟S14中的沖洗液L2的供應開始前後以外的基板W的溫度變得較高，促進了金屬多晶膜F的蝕刻。因此，能夠兼具蝕刻處理的高速化、及蝕刻殘渣RE的有效除去。此外，不只是步驟S14(基板W的乾燥跟前)中的沖洗液L2的供應開始前後，在步驟S12(金屬多晶膜F的蝕刻處理中)中的沖洗液L2的供應開始前後，加熱部50加熱基板W，使得基板的溫度變得相對低也可以。
[變形例] 應考量本說明書中的揭示在所有的點都是例示而並非限制者。在不偏離申請專利範圍及其要旨的範圍中，對以上之例進行各種省略、置換、變更等也可以。
(1)以上之例中，為了將在基板W的表面Wa形成的金屬多晶膜F進行蝕刻，從基板W的上方朝向表面Wa供應蝕刻液L1及沖洗液L2。但是，在基板W的裏面Wb形成金屬多晶膜F的情形中，從基板W的下方朝向裏面Wb供應蝕刻液L1及沖洗液L2也可以。
或者，在基板W的兩面形成金屬多晶膜F的情形中，從基板W的上方及下方，朝向表面Wa及裏面Wb的各者供應蝕刻液L1及沖洗液L2也可以。此時，如圖13例示那樣，在向表面Wa的蝕刻液L1的供應開始後，開始供應向裏面Wb的蝕刻液L1，並且在向裏面Wb的蝕刻液L1的供應停止後，停止向表面Wa供應蝕刻液L1。同樣地，在向表面Wa的沖洗液L2的供應開始後，開始供應向裏面Wb的沖洗液L2，並且在向裏面Wb的沖洗液L2的供應停止後，停止向表面Wa供應沖洗液L2也可以。該等情形中，能夠抑制蝕刻液L1或沖洗液L2從裏面Wb向表面Wa回流。
(2)如圖14(a)～(c)及圖15例示那樣，在金屬多晶膜F的蝕刻處理中，持續蝕刻液L1的供應(維持從噴嘴34吐出蝕刻液L1)，將沖洗液L2供應至基板W也可以。之後，如圖14(d)及(e)及圖15例示那樣，與步驟S14、S15一樣，進行最後的沖洗液L2的供應與基板W的乾燥也可以。此時，因為持續(沒有停止)向基板W的液體(蝕刻液L1或沖洗液L2)的供應，維持周緣部Wc濕潤的狀態，蝕刻殘渣RE難以乾燥及固化。因此，能夠將蝕刻殘渣RE更有效地除去。
將蝕刻液L1與沖洗液L2同時供應至基板W時，噴嘴34、44設於相同臂(圖未示)也可以、設於不同臂(圖未示)也可以。換言之，噴嘴34、44物理上近接也可以、物理上離間也可以。後者的情形，將蝕刻液L1與沖洗液L2同時供應至基板W時，變得難以產生液反彈。此外，如圖16例示那樣，噴嘴34與噴嘴44，包夾基板W的中心對向配置也可以。
(3)雖未圖示，但最後(例如步驟S14)的沖洗液L2的供應，在之前的步驟(例如步驟S13)供應至基板W的蝕刻液L1的供應停止前開始也可以。或者，如圖17例示那樣，在蝕刻液L1的供應中，開始最後的沖洗液L2的供應也可以。該等情形也一樣，因為持續(沒有停止)向基板W的液體(蝕刻液L1或沖洗液L2)的供應，維持周緣部Wc濕潤的狀態，蝕刻殘渣RE難以乾燥及固化。因此，能夠將蝕刻殘渣RE更有效地除去。
(4)此外，蝕刻殘渣RE產生時，蝕刻殘渣RE與其附近的對比度差有變大的傾向。其中，控制器Ctr，基於藉由攝像部60攝像到的攝像影像，判斷在周緣部Wc是否產生蝕刻殘渣RE也可以。具體上，控制器Ctr，在攝像影像中檢出預定的閾值以上的對比度的變化(例如亮度值的變化)時，判斷成蝕刻殘渣RE產生也可以。此時，藉由影像處理，能夠自動地檢測蝕刻殘渣RE的產生的有無。
控制器Ctr，判斷蝕刻殘渣RE產生時，控制沖洗液供應部40，對基板W供應沖洗液L2也可以。此時，在蝕刻殘渣RE產生時，該蝕刻殘渣RE自動地被沖洗液L2沖洗。因此，基於預先設定的處理條件，與進行蝕刻液L1及沖洗液L2的供應開始及停止的情形相比較，能夠提高基板處理的效率性。
控制器Ctr，判斷蝕刻殘渣RE的產生間隔比預定的基準值還過短、或者還過長也可以。判斷蝕刻殘渣RE的產生間隔比預定的基準值還過短、或者還過長時，因為金屬多晶膜F的蝕刻的進行過早、或過晚，控制器Ctr變更各種處理條件之中至少一個也可以。該處理條件，例如，包含噴嘴34的位置、噴嘴44的位置、噴嘴34的移動速度、噴嘴44的移動速度、蝕刻液L1的流量、沖洗液L2的流量、蝕刻液L1的供應時間、沖洗液L2的供應時間、基板W的溫度(不活性氣體的流量、不活性氣體的溫度等)、基板W的轉速等也可以。
(5)步驟S12、S14中，從噴嘴44使沖洗液L2吐出，同時使噴嘴44從基板W的外側超越基板W的周緣向基板W的中心部側移動時，在噴嘴44超越基板W的周緣的前後使沖洗液L2的流量變化也可以。例如，如圖18例示那樣，到噴嘴44超越基板W的周緣為止，以第1流量(例如7.5ml左右)使沖洗液L2從噴嘴44吐出也可以。噴嘴44超越基板W的周緣後。以比第1流量還大的第2流量(例如15.0ml左右)使沖洗液L2從噴嘴44吐出也可以。
此時，噴嘴44穿越基板W的周緣時的來自噴嘴44的流量較小。因此，即便從噴嘴44吐出的沖洗液L2碰撞至先供應至基板W的蝕刻液L1的液膜，蝕刻液L1的液反彈也難以產生。因此，能夠抑制蝕刻液L1在氛圍中擴散所致的基板W的汙染。另一方面，一旦對基板W供應沖洗液L2後，來自噴嘴44的流量較大。因此，能夠從基板W有效地沖洗蝕刻殘渣RE。
(6)步驟S12、S14中，從噴嘴44使沖洗液L2吐出，同時使噴嘴44從基板W的外側超越基板W的周緣向基板W的中心部側移動時，使從噴嘴44的沖洗液L2的吐出角變化也可以。其中，該吐出角，如圖19例示那樣，定義成將著液點與噴嘴44的吐出口44a連結的沖洗液的流線F2，相對於從噴嘴44吐出的沖洗液L2向基板W的著液點與基板W的中心連結的基準線F1的角度也可以。例如，到噴嘴44超越基板W的周緣為止，以第1吐出角θ1(例如30°～70°左右)使沖洗液L2從噴嘴44吐出也可以(圖19(a)參照)。噴嘴44超越基板W的周緣後，以比第1吐出角θ1還大的第2吐出角θ2(例如70°～90°左右)使沖洗液L2從噴嘴44吐出也可以(圖19(b)參照)。
此時，噴嘴44穿越基板W的周緣時的沖洗液L2的吐出角較小(第1吐出角θ1)。亦即，從噴嘴44吐出的沖洗液L2，在基板W的徑方向容易朝向基板W的外側。因此，從噴嘴44吐出的沖洗液L2碰撞至先供應至基板W的蝕刻液L1的液膜時，即便產生蝕刻液L1的液反彈，蝕刻液L1也容易向基板W的外側擴散。因此，擴散的蝕刻液L1變得難以附著至基板W，故能夠抑制基板W的汙染。另一方面，一旦對基板W供應沖洗液L2後，吐出角變得較大(第2吐出角θ2)。亦即，將著液點作為基準看時，沖洗液L2的流線F2的方向接近基板W的切線的方向。因此，供應至基板W的沖洗液L2，在基板W的周緣部Wc遍及更廣範圍流動。因此，能夠從基板W有效地沖洗蝕刻殘渣RE。
(7)從噴嘴34使蝕刻液L1吐出，同時使噴嘴34從基板W的外側超越基板W的周緣向基板W的中心部側移動時，使噴嘴34的移動速度變化也可以。例如，如圖20及圖21例示那樣，到噴嘴34超越基板W的周緣到達第1位置為止，從噴嘴34吐出蝕刻液L1，並且以第1速度使噴嘴34移動也可以(圖20(a)及圖21參照)。該第1位置，例如，是著液點成為從基板W的周緣起算0.5mm左右的位置也可以。該第1速度，例如，是10mm/sec左右也可以。到噴嘴34超越第1位置到達第2位置(目標位置)為止，從噴嘴34吐出蝕刻液L1，並且以比第1速度還慢的第2速度使噴嘴34移動也可以(圖20(b)、(c)及圖21參照)。該第2位置，例如，是著液點成為從基板W的周緣起算1.0mm左右的位置也可以。該第2速度，例如，是0.1mm/sec左右也可以。之後，如圖20(d)及(e)及圖21例示那樣，與步驟S14、S15一樣，進行沖洗液L2的供應與基板W的乾燥也可以。
此時，吐出蝕刻液L1的噴嘴34，在從第1位置到達第2位置的期間，以比較低速移動。因此，噴嘴34到達第2位置並停止時，因為作用於從噴嘴34吐出的蝕刻液L1的慣性力變小，蝕刻液L1難以流至基板W的中心部側。因此，因為抑制了蝕刻液L1擴散至基板W的中心部側，蝕刻液L1變得難以滯留在氣液界面。其結果，因為蝕刻殘渣RE變得難以乾燥及固化，之後藉由供應沖洗液L2，能夠將蝕刻殘渣RE有效地除去。另一方面，此時，吐出蝕刻液L1的噴嘴34，在到達第1位置的為止以比較高速移動。因此，蝕刻的處理時間作為全體被縮短化。因此，能夠提高基板處理的效率性。
(8)此外，如圖22例示那樣，蝕刻液L1所致的金屬多晶膜F的蝕刻速率，在蝕刻液L1的著液點成為最高。因此，若不改變吐出蝕刻液L1的噴嘴34的位置而進行蝕刻處理，雖金屬多晶膜F之中在該著液點較快地結束蝕刻，但到金屬多晶膜F之中比該著液點還較基板W的周圍側的部分完全被蝕刻為止，需要比較多時間。此時，在氣液界面，蝕刻殘渣變得容易乾燥及固化。
在此，如圖23及圖24例示那樣，首先，對基板W的周緣部Wc的第1位置供應蝕刻液L1，在該第1位置蝕刻金屬多晶膜F也可以(圖23(a)及圖24參照)。該第1位置，例如，是著液點成為從基板W的周緣起算0.5mm左右的位置也可以。之後，對比第1位置還較基板W的中心部側的第2位置供應蝕刻液L1，在該第2位置蝕刻金屬多晶膜F也可以(圖23(b)及圖24參照)。該第2位置，例如，是著液點成為從基板W的周緣起算1.0mm左右的位置也可以。之後，如圖23(c)及(d)及圖24例示那樣，與步驟S14、S15一樣，進行沖洗液L2的供應與基板W的乾燥也可以。
此時，首先，對基板W的周緣部Wc的第1位置供應蝕刻液，之後，對周緣部之中比第1位置還較基板W的中心部側的第2位置供應蝕刻液(圖23(a)及圖24參照)。因此，在第2位置將金屬多晶膜F進行蝕刻時，在比第1位置還較周圍側，金屬多晶膜F已被蝕刻(圖23(b)及圖24參照)。因此，第2位置的蝕刻處理以比較短時間結束。其結果，因為蝕刻殘渣RE變得難以乾燥及固化，之後藉由供應沖洗液L2，能夠將蝕刻殘渣RE有效地除去。又，此時，蝕刻的處理時間作為全體被縮短化(圖24參照)。因此，能夠提高基板處理的效率性。
(9)如圖25～圖27例示那樣，將基板W的周緣部Wc的金屬多晶膜F以蝕刻液L1進行蝕刻後，使基板W的轉速降低也可以。首先，控制器Ctr控制旋轉保持部20及藥液供應部30，維持基板W的旋轉，同時從噴嘴34對以轉速ω1旋轉的基板W的周緣部Wc供應蝕刻液L1(圖25(a)及圖27參照)。
在蝕刻液L1的供應處理中，以以下的處理條件對基板W供應蝕刻液L1也可以(圖27參照)。 蝕刻液L1的著液點：  從基板W的周緣起算1.0mm左                                  右的位置 蝕刻液L1的供應時間：70秒左右 蝕刻液L1的吐出流量：15ml/min左右
藉此，除去在基板W的周緣部Wc中較蝕刻液L1的著液點還外側的金屬多晶膜F(圖25(b)及圖26(a)參照)。亦即，金屬多晶膜F的蝕刻處理時，蝕刻液L1的大部分，因離心力而從著液點朝向基板W的周緣流動後，從基板W的周緣向外方甩開。此外，基板W的轉速ω1，例如，是2400rpm左右也可以、是1200rpm～3000rpm左右也可以。
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部20及藥液供應部30，在供應蝕刻液L1至基板W的周緣部Wc的狀態下，使基板W的轉速變更成轉速ω2(圖25(c)、圖26(b)及圖27參照)。基板W的轉速ω2設定成比轉速ω1還小的值。
基板W的轉速ω2，例如，是600rpm左右也可以、是600rpm～2400rpm左右也可以。變更基板W的轉速的時點，在停止蝕刻液L1的供應前即可。變更基板W的轉速的時點，例如，是蝕刻液L1的供應停止的1秒前左右也可以、是1秒前～5秒前左右也可以。變更基板W的轉速的時點中，噴嘴34不移動也可以、移動也可以。變更基板W的轉速的時點中，蝕刻液L1的著液點，是相同位置也可以、是不同位置也可以。
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部20及沖洗液供應部40，維持基板W的旋轉在轉速ω2，同時在維持從噴嘴44吐出沖洗液L2的狀態下，從基板W的外側超越基板W的周緣向基板W的中心部側使噴嘴44移動(圖25(d)及圖27參照)。此外，對基板W開始供應沖洗液L2時的基板W的轉速，可以是比轉速ω1還小的值、也可以是600rpm～2400rpm左右。
在沖洗液L2的供應處理中，以以下的處理條件對基板W供應沖洗液L2也可以(圖27參照)。 沖洗液L2的著液點：  從基板W的周緣起算1.5mm左                                  右的位置 沖洗液L2的供應時間：10秒左右 沖洗液L2的吐出流量：15ml/min左右
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部20及沖洗液供應部40，在供應蝕刻液L1至基板W的周緣部Wc的狀態下，使基板W的轉速變更成轉速ω1(圖25(e)及圖27參照)。變更基板W的轉速的時點，可以是從噴嘴44吐出的沖洗液L2到達上述著液點之後也可以。變更基板W的轉速的時點，例如，是沖洗液L2的供應開始1秒後左右也可以、是1秒後～5秒後左右也可以。此外，變更後的基板W的轉速，可以是比轉速ω2還大的值、也可以是600rpm～2400rpm左右。
接著，控制器Ctr控制旋轉保持部20，維持基板W的旋轉。藉此，沖洗液L2從基板W甩開，進行基板W的乾燥(圖25(f)及圖27參照)。藉由以上，基板W的處理結束。
在乾燥處理中，以以下的處理條件乾燥基板W也可以(圖27參照)。 基板W的轉速：         2500rpm左右 基板W的乾燥時間：   5秒左右
根據圖25~圖27的例，維持供應蝕刻液L1至基板W的周緣部Wc，使基板W的轉速變更成比轉速ω1還小的轉速ω2。因此，隨著基板W的轉速的變更，作用於蝕刻液L1的離心力降低，蝕刻液L1與氛圍的界面(氣液界面)移動至基板W的中心側(圖26(b)參照)。因此，藉由移動至中心側的蝕刻液L1，除去在蝕刻處理中集合至氣液界面的蝕刻殘渣RE，並且抑制在蝕刻處理中集合至氣液界面的蝕刻殘渣RE的乾燥及固化。因此，之後藉由將沖洗液L2供應至基板W的周緣部Wc，能夠將蝕刻殘渣RE有效地除去。又，根據圖25~圖27之例，因為使基板W的轉速變化即可，不需要變更蝕刻液L1及沖洗液L2的供應處理。因此，能夠將基板W的處理有效率地執行。再來，根據圖25～圖27之例，在基板W的轉速比轉速ω1還低的狀態，開始對基板W供應沖洗液L2。亦即，在蝕刻液L1與氛圍的界面(氣液界面)維持在基板W的中心側的狀態，對基板W開始供應沖洗液L2。因此，也抑制了從蝕刻液L1的供應結束到沖洗液L2的供應開始之間的蝕刻殘渣RE的乾燥及固化。因此，能夠更加有效地除去蝕刻殘渣RE。
(10)對基板W的裏面Wb供應蝕刻液L1及沖洗液L2也可以。圖28例示的處理單元10，在為了對基板W的裏面Wb供應蝕刻液L1及沖洗液L2，具有旋轉保持部20、藥液供應部30及沖洗液供應部40的點，與圖3所例示的處理單元10不同。以下，主要說明關於不同點。此外，在圖28中省略了加熱部50及攝像部60的圖示。
旋轉保持部20包含旋轉部210、升降部220。旋轉部210包含旋轉軸211、驅動機構212、支持板213、複數支持銷214。旋轉軸211為沿鉛直方向延伸的中空管狀構件。旋轉軸211能繞中心軸Ax旋轉。
驅動機構212連接至旋轉軸211。驅動機構212，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，使旋轉軸211旋轉。驅動機構212例如是電動馬達等的動力源也可以。
支持板213例如為呈圓環狀的平板，沿著水平延伸。亦即，在支持板213的中央部形成貫通孔。支持板213的內周部連接至旋轉軸211的前端部。因此，支持板213，繞旋轉軸211的中心軸Ax，伴隨著旋轉軸211的旋轉進行旋轉。
複數支持銷214，以從支持板213的上面向上方突出的方式設於支持板213。複數支持銷214，藉由該等前端與基板W的裏面Wb抵接，將基板W略水平支持。
升降部220包含軸構件221、驅動機構222、複數支持銷223。軸構件221為沿鉛直方向延伸的中空管狀構件。軸構件221能夠在上下方向升降。軸構件221插通於旋轉軸211的內部。
驅動機構222連接至軸構件221。驅動機構222，基於來自控制器Ctr的動作信號動作，使軸構件221升降。藉由驅動機構222使軸構件221升降，軸構件221，在複數支持銷223位於比複數支持銷214還上方的上升位置、與複數支持銷223位於比複數支持銷214還下方的下降位置之間上下動也可以。驅動機構222例如是線性致動器等的動力源也可以。
複數支持銷223，以從軸構件221的上端向上方突出的方式設於軸構件221。複數支持銷223，藉由該等前端與基板W的裏面Wb抵接，支持基板W。
圖28之例中的藥液供應部30未包含噴嘴34。取而代之，配管35的下游端以流體地連接至軸構件221。因此，藥液供應部30，將液源31的蝕刻液L1，通過軸構件221的內部供應至基板W的裏面Wb。
同樣地，圖28之例中的沖洗液供應部40未包含噴嘴44。取而代之，配管45的下游端以流體地連接至軸構件221。因此，沖洗液供應部40，將液源41的沖洗液L2，通過軸構件221的內部供應至基板W的裏面Wb。
接著，參照圖28及圖29，說明關於使用圖28例示的處理單元10將在基板W形成的金屬多晶膜F進行蝕刻處理的方法。
首先，控制器Ctr控制搬送臂A1、A2，從載體7取出1片基板W，搬送至任一處理單元10內。此時，控制器Ctr，控制驅動機構222，使軸構件221先位於上升位置。搬入至處理單元10內的基板W，從搬送臂A2收授至支持銷223。藉此，以裏面Wb與支持銷223抵接的方式，基板W載置於支持銷223上(升降部220)。
接著，控制器Ctr，控制驅動機構222，使軸構件221下降至下降位置。軸構件221下降的過程中，基板W從支持銷223收授至支持銷214。藉此，以裏面Wb與支持銷214抵接的方式，基板W載置於支持銷214上(旋轉部210)。
接著，控制器Ctr控制驅動機構212，使基板W與旋轉部210一同旋轉。基板W的轉速例如也可以是100rpm～3000rpm左右。在該狀態下，控制器Ctr控制藥液供應部30，從軸構件221向基板W的裏面Wb以預定時間供應蝕刻液L1(步驟X1：圖29(a)參照)。向基板W的裏面Wb的蝕刻液L1的供應時間是10秒～180秒左右也可以。供應至基板W的裏面Wb的蝕刻液L1，如圖29(a)例示那樣，藉由離心力向基板W的外周緣沿著裏面Wb流動後，在基板W的外周緣回流並供應至基板W的表面Wa的周緣部Wc，向外方甩開。因此，來自軸構件221的蝕刻液L1的供應持續的期間，在周緣部Wc形成蝕刻液L1的液膜。因此，蝕刻金屬多晶膜F之中配置在周緣部Wc的部分。
接著，控制器Ctr控制沖洗液供應部40，從軸構件221向基板W的裏面Wb以預定時間供應沖洗液L2(步驟X2：圖29(b)參照)。向基板W的裏面Wb的沖洗液L2的供應時間是10秒～180秒左右也可以。供應至基板W的裏面Wb的沖洗液L2，如圖29(b)例示那樣，藉由離心力向基板W的外周緣沿著裏面Wb流動後，在基板W的外周緣回流並供應至基板W的表面Wa的周緣部Wc，向外方甩開。因此，來自軸構件221的沖洗液L2的供應持續的期間，在周緣部Wc形成沖洗液L2的液膜。因此，供應蝕刻液L1時產生的蝕刻殘渣RE藉由沖洗液L2沖洗。
接著，重複1次以上步驟X1、X2(蝕刻液L1及沖洗液L2的供應)。重複的次數是1次~20次左右也可以。之後，控制器Ctr控制藥液供應部30及沖洗液供應部40，使蝕刻液L1及沖洗液L2的供應停止。接著，控制器Ctr控制旋轉部210，維持基板W的旋轉。藉此，沖洗液L2從基板W甩開，進行基板W的乾燥。藉由以上，基板W的處理結束。
根據圖28及圖29之例，基板W的周緣部Wc的蝕刻處理分割成複數次執行。因此，在蝕刻處理產生的蝕刻殘渣RE在乾燥及固化前，蝕刻殘渣RE藉由沖洗液L2除去。其結果，能夠將蝕刻殘渣RE更有效地除去。
[其他例] 例1.基板處理方法的一例，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時對基板的周緣部供應蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜在厚度方向部分地進行蝕刻處理的第1工程；使基板旋轉，同時對比第1工程中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第1工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2工程；使基板旋轉，同時對基板的周緣部供應蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜的殘留部進行蝕刻處理的第3工程；使基板旋轉，同時對比第3工程中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第3工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第4工程；在第4工程之後，使基板乾燥的第5工程。
此外，金屬多晶膜(例如氮化鈦、鎢等)由多數結晶粒集合的多晶構成。該等結晶粒彼此的界面，稱為結晶粒界(也單稱為粒界。)，成為結晶粒彼此的方向不同的不連續面。此時，對金屬多晶膜供應蝕刻液後，在金屬多晶膜溶解之前蝕刻液會浸入粒界，在粒界，金屬多晶膜會部分地剝離。藉此，剝離的金屬多晶膜的一部分溶入蝕刻液而剩餘，產生蝕刻殘渣。蝕刻殘渣的多數，雖然會伴隨供應至基板的蝕刻液從基板排出，但其一部分會有在蝕刻液與氛圍的界面(氣液界面)集合的情形。這是因為在供應至基板的蝕刻液的著液點產生液體的滯留、或供應至基板的蝕刻液不只是在基板的周圍側而多少也在中心側流動。在基板處理時，基板會旋轉，又為了蝕刻的促進也會加熱基板，因此蝕刻殘渣乾燥及固化後，即便之後再將沖洗液供應至基板，也無法將蝕刻殘渣從基板除去。
但是，例1的情形，在金屬多晶膜的蝕刻進行途中供應沖洗液。因此，在金屬多晶膜的蝕刻中產生的蝕刻殘渣，在乾燥及固化前，一但藉由沖洗液被沖洗。因此，將在基板的表面形成的金屬多晶膜進行蝕刻處理時，能夠有效地除去蝕刻殘渣。
例2.例1的方法中，第2工程，包含在第1工程中的蝕刻液的供應中開始供應沖洗液也可以。此時，因為持續向基板的液體的供應，蝕刻殘渣難以乾燥及固化。因此，能夠將蝕刻殘渣更有效地除去。
例3.例1或例2的方法中，第4工程，包含在第3工程中的蝕刻液的供應中開始供應沖洗液也可以。此時，能得到與例2一樣的作用效果。
例4.例2或例3的方法中，第2工程或第4工程，包含從噴嘴吐出沖洗液，同時噴嘴從基板的外側超越基板的周緣向基板的中心部側移動，噴嘴在超過基板的周緣之後，使從噴嘴吐出的沖洗液的流量增加也可以。此時，噴嘴穿越基板的周緣時的來自噴嘴的流量較小。因此，即便從噴嘴吐出的沖洗液碰撞至先供應至基板的蝕刻液的液膜，蝕刻液的液反彈也難以產生。因此，能夠抑制蝕刻液在氛圍中擴散所致的基板的汙染。另一方面，一旦對基板供應沖洗液後，來自噴嘴的流量較大。因此，能夠從基板有效地沖洗蝕刻殘渣。
例5.例2~例4的任一者的方法中，從上方看時，將著液點與噴嘴的吐出口連結的沖洗液的流線，相對於從噴嘴吐出的沖洗液向基板的著液點與基板的中心連結的基準線的角度，定義成從噴嘴的沖洗液的吐出角時，第2工程或第4工程，包含從噴嘴吐出沖洗液，噴嘴從基板的外側超越基板的周緣向基板的中心部側移動，噴嘴在超過基板的周緣之後，使吐出角增加也可以。此時，噴嘴穿越基板的周緣時的沖洗液的吐出角較小。亦即，從噴嘴吐出的沖洗液，在基板的徑方向容易朝向基板的外側。因此，從噴嘴吐出的沖洗液碰撞至先供應至基板的蝕刻液的液膜時，即便產生蝕刻液的液反彈，蝕刻液也容易向基板的外側擴散。因此，擴散的蝕刻液變得難以附著至基板，故能夠抑制基板的汙染。另一方面，一旦對基板供應沖洗液後，吐出角變得較大。亦即，將著液點作為基準看時，沖洗液的流線的方向接近基板的切線的方向。因此，供應至基板的沖洗液，在基板的周緣部遍及更廣範圍流動。因此，能夠從基板有效地沖洗蝕刻殘渣。
例6.例1～例5的任一者的方法，更包含：在第1工程~第4工程中加熱基板的第6工程；第6工程，包含加熱基板，使得第4工程中的沖洗液的供應開始前後的基板的溫度，比第1工程及第3工程中的蝕刻液的供應中的基板的溫度還低也可以。此時，因為沖洗液的供應開始前後的基板的溫度變得較低，抑制了蝕刻殘渣的乾燥及固化，另一方面因為沖洗液的供應開始的前後以外的基板的溫度變得較高，促進了金屬多晶膜的蝕刻。因此，能夠兼具蝕刻處理的高速化、及蝕刻殘渣的有效除去。
例7.例1～例6的任一者的方法，更包含：在向基板的蝕刻液的供應中，藉由攝像部攝像周緣部的第7工程；基於藉由攝像部攝像到的攝像影像的對比度的變化，判斷在周緣部是否產生蝕刻殘渣的第8工程也可以。此時，藉由影像處理，能夠自動地檢測蝕刻殘渣的產生的有無。
例8.例7的方法中，判斷在第8工程中產生蝕刻殘渣時，進行對基板供應沖洗液，將蝕刻殘渣以沖洗液沖洗的第2工程或第4工程也可以。此外，因應蝕刻條件(例如金屬多晶膜的材質、蝕刻液的種類等)，蝕刻殘渣的產生時點也會不同。因此，藉由事前的試驗等先掌握該時點，因應蝕刻條件先適切地設定沖洗液的供應時點後，能夠更有效率地除去蝕刻殘渣。不過，例8的情形，在蝕刻殘渣產生時，該蝕刻殘渣自動地被沖洗液沖洗。因此，能夠省略事前的試驗等，能夠提高基板處理的效率性。
例9.基板處理方法的其他例，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時從噴嘴吐出蝕刻液，並且噴嘴以第1速度從基板的外側超過基板的周緣向基板的中心部側移動，藉此將基板的周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1工程；使基板旋轉，同時從噴嘴吐出蝕刻液，並且超過基板的周緣的噴嘴再以比第1速度還慢的第2速度向基板的中心部側的預定位置移動，藉此將基板的周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第2工程；使基板旋轉，同時對比第2工程中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第2工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3工程；在第3工程之後，使基板乾燥的第4工程。例9的情形，吐出蝕刻液的噴嘴，在從途中到達預定的位置的期間，以比較低速移動。因此，噴嘴到達預定的位置並停止時，因為作用於從噴嘴吐出的蝕刻液的慣性力變小，蝕刻液難以流至基板的中心部側。因此，因為抑制了蝕刻液擴散至基板的中心部側，蝕刻液變得難以滯留在氣液界面。其結果，因為蝕刻殘渣變得難以乾燥及固化，之後藉由供應沖洗液，能夠將蝕刻殘渣有效地除去。另一方面，例9的情形，吐出蝕刻液的噴嘴，在到達途中為止以比較高速移動。因此，蝕刻的處理時間作為全體被縮短化。因此，能夠提高基板處理的效率性。
例10.基板處理方法的其他例，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時對基板的周緣部的第1位置供應蝕刻液，將第1位置的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1工程；使基板旋轉，同時對周緣部之中比第1位置還較基板的中心部側的第2位置供應蝕刻液，將第2位置的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第2工程；使基板旋轉，同時對比第2位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第2工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3工程；在第3工程之後，使基板乾燥的第4工程。
此外，蝕刻液所致的金屬多晶膜的蝕刻速率，在蝕刻液的著液點成為最高。因此，若不改變吐出蝕刻液的噴嘴的位置而進行蝕刻處理，雖金屬多晶膜之中在該著液點較快地結束蝕刻，但到金屬多晶膜之中比該著液點還較基板的周圍側的部分完全被蝕刻為止，需要比較多時間。此時，在氣液界面，蝕刻殘渣變得容易乾燥及固化。
但是，例10的情形，首先，對基板的周緣部的第1位置供應蝕刻液，之後，對周緣部之中比第1位置還較基板的中心部側的第2位置供應蝕刻液。因此，在第2位置將金屬多晶膜進行蝕刻時，在比第1位置還較周圍側，金屬多晶膜已被蝕刻。因此，第2位置的蝕刻處理以比較短時間結束。其結果，因為蝕刻殘渣變得難以乾燥及固化，之後藉由供應沖洗液，能夠將蝕刻殘渣有效地除去。又，例10的情形，蝕刻的處理時間作為全體被縮短化。因此，能夠提高基板處理的效率性。
例11.基板處理方法的其他例，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板以第1轉速旋轉，同時對基板的周緣部供應蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1工程；以維持對基板的周緣部供應蝕刻液的狀態，將基板的轉速變更成比第1轉速還低的第2轉速的第2工程；使基板旋轉，同時對比第1工程及第2工程中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第1工程及第2工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3工程；在第3工程之後，使基板乾燥的第4工程。例11的情形，將以第1轉速旋轉的基板的周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理後，持續向該周緣部的蝕刻液的供應，將基板的轉速變更成比第1轉速還小的第2轉速。因此，作用於蝕刻液的離心力降低，蝕刻液與氛圍的界面(氣液界面)移動至基板的中心側。因此，藉由移動至中心側的蝕刻液，除去在第1工程中集合至氣液界面的蝕刻殘渣，並且抑制在第1工程中集合至氣液界面的蝕刻殘渣的乾燥及固化。因此，之後藉由將沖洗液供應至基板的周緣部，能夠將蝕刻殘渣有效地除去。又，例11的情形，因為使基板的轉速變化即可，不需要變更蝕刻液及沖洗液的供應處理。因此，能夠將基板處理有效率地執行。
例12.基板處理方法的其他例，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時對基板的裏面供應蝕刻液，藉由從裏面回流至基板的周緣部的蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1工程；在第1工程之後，使基板旋轉，同時對基板的裏面供應沖洗液，藉由從裏面回流至周緣部的沖洗液，將在第1工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2工程；第2工程之後，將第1工程及第2工程重複1次以上的第3工程；在第3工程之後，使基板乾燥的第4工程。此時，基板的周緣部的蝕刻處理分割成複數次執行。因此，在蝕刻處理產生的蝕刻殘渣在乾燥及固化前，該蝕刻殘渣藉由沖洗液除去。其結果，能夠將蝕刻殘渣更有效地除去。
例13.基板處理裝置的一例，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部；對基板的表面供應蝕刻液的藥液供應部；對基板的表面供應沖洗液的沖洗液供應部；控制部；控制部，執行：控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制藥液供應部，以對基板的周緣部供應蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜在厚度方向部分地進行蝕刻處理的第1處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制沖洗液供應部，以對比第1處理中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第1處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制藥液供應部，以對基板的周緣部供應蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜的殘留部進行蝕刻處理的第3處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制沖洗液供應部，以對比第3處理中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第3處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第4處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，使基板乾燥的第5處理。此時，能得到與例1的方法一樣的作用效果。
例14.例13的裝置中，第2處理，包含在第1處理中的蝕刻液的供應中開始供應沖洗液也可以。此時，能得到與例2的方法一樣的作用效果。
例15.例13或例14的裝置中，第4處理，包含在第3處理中的蝕刻液的供應中開始供應沖洗液也可以。此時，能得到與例3的方法一樣的作用效果。
例16.例14或例15的裝置中，第2處理或第4處理，包含從沖洗液供應部的噴嘴吐出沖洗液，同時使噴嘴從基板的外側超越基板的周緣向基板的中心部側移動，噴嘴在超過基板的周緣之後，使從噴嘴吐出的沖洗液的流量增加也可以。此時，能得到與例4的方法一樣的作用效果。
例17.例14~例16的任一者的裝置中，從上方看時，將著液點與噴嘴的吐出口連結的沖洗液的流線，相對於從沖洗液供應部的噴嘴吐出的沖洗液向基板的著液點與基板的中心連結的基準線的角度，定義成從噴嘴的沖洗液的吐出角時，第2處理或第4處理，包含從沖洗液供應部的噴嘴吐出沖洗液，同時使噴嘴從基板的外側超越基板的周緣向基板的中心部側移動，噴嘴在超過基板的周緣之後，使吐出角增加也可以。此時，能得到與例5的方法一樣的作用效果。
例18.例13～例17的任一者的裝置，更具備加熱基板的加熱部；控制部，控制加熱部，再執行在第1處理～第4處理中加熱基板的第6處理；第6處理，包含加熱部加熱基板，使得第4處理中的沖洗液的供應開始前後的基板的溫度，比第1處理及第3處理中的蝕刻液的供應中的基板的溫度還低也可以。此時，能得到與例6的方法一樣的作用效果。
例19.例13～例18的任一者的裝置，更具備：攝像周緣部的攝像部；控制部，更執行：控制攝像部，在向基板的蝕刻液的供應中攝像周緣部的第7處理；基於藉由攝像部攝像到的攝像影像的對比度的變化，判斷在周緣部是否產生蝕刻殘渣的第8處理也可以。此時，能得到與例7的方法一樣的作用效果。
例20.例19的裝置中，控制部，判斷在第8處理中產生蝕刻殘渣時，進行對基板供應沖洗液，將蝕刻殘渣以沖洗液沖洗的第2處理或第4處理也可以。此時，能得到與例8的方法一樣的作用效果。
例21.基板處理裝置的其他例，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部；對基板的表面供應蝕刻液的藥液供應部；對基板的表面供應沖洗液的沖洗液供應部；控制部；控制部，執行：控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制藥液供應部，以從藥液供應部的噴嘴吐出蝕刻液，並從基板的外側超過基板的周緣向基板的中心部側以第1速度使噴嘴移動，將基板的周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制藥液供應部，以從噴嘴吐出蝕刻液，並使超過基板的周緣的噴嘴，再以比第1速度還慢的第2速度向基板的中心部側的預定位置移動，將基板的周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第2處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制沖洗液供應部，以對比第2處理中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第2處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，使基板乾燥的第4處理。此時，能得到與例9的方法一樣的作用效果。
例22.基板處理裝置的其他例，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部；對基板的表面供應蝕刻液的藥液供應部；對基板的表面供應沖洗液的沖洗液供應部；控制部；控制部，執行：控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制藥液供應部，以對基板的周緣部的第1位置供應蝕刻液，將第1位置的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制藥液供應部，以對周緣部之中比第1位置還較基板的中心部側的第2位置供應蝕刻液，將第2位置的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第2處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制沖洗液供應部，以對比第2位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第2處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，使基板乾燥的第4處理。此時，能得到與例10的方法一樣的作用效果。
例23.基板處理裝置的其他例，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部；對基板的表面供應蝕刻液的藥液供應部；對基板的表面供應沖洗液的沖洗液供應部；控制部。控制部，執行：控制旋轉保持部，以保持基板並使其以第1轉速旋轉，同時控制藥液供應部，以對基板的周緣部供應蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1處理；控制藥液供應部，以對基板的周緣部持續供應蝕刻液，同時控制旋轉保持部，將基板的轉速變更成比第1轉速還低的第2轉速的第2處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制沖洗液供應部，以對比第1處理及第2處理中的蝕刻液的供應位置還較基板的中心部側供應沖洗液，將在第1處理及第2處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3處理；控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，使基板乾燥的第4處理。此時，能得到與例11的方法一樣的作用效果。
例24.基板處理裝置的其他例，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部；對基板的裏面供應蝕刻液的藥液供應部；對基板的裏面供應沖洗液的沖洗液供應部；控制部。控制部，執行：控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，同時控制藥液供應部，以對裏面供應蝕刻液，藉由從裏面回流至基板的周緣部的蝕刻液，將周緣部的金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1處理；控制旋轉保持部，以在第1處理之後，保持基板並使其旋轉，同時控制沖洗液供應部，以對裏面供應沖洗液，藉由從裏面回流至周緣部的沖洗液，將在第1處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2處理；第2處理之後，將第1處理及第2處理重複1次以上的第3處理；在第3處理之後，控制旋轉保持部，以保持基板並使其旋轉，使基板乾燥的第4處理。此時，能得到與例12的方法一樣的作用效果。
例25.電腦可讀取記錄媒體的一例，記錄用來使基板處理裝置執行例1～例11的任一者的方法的程式也可以。此時，能得到與例1的方法一樣的作用效果。在本說明書中，電腦可讀取記錄媒體，包含非暫時的有形媒體(non-transitory computer reco rdingmedium)(例如各種主記憶裝置或補助記憶裝置)或傳播信號(transitory computer recording medium)(例如可經由網路提供的資料信號)也可以。
1:基板處理系統(基板處理裝置) 10:處理單元 20:旋轉保持部 30:藥液供應部 34:噴嘴 34a:吐出口 44:噴嘴 44a:吐出口 40:沖洗液供應部 50:加熱部 60:攝像部 Ctr:控制器(控制部) F:金屬多晶膜 L1:蝕刻液 L2:沖洗液 RE:蝕刻殘渣 RM:記錄媒體 W:基板 Wa:表面 Wc:周緣部
[圖1]圖1為示意表示基板處理系統的一例的平面圖。 [圖2]圖2為示意表示基板及金屬多晶膜的一例的剖面圖。 [圖3]圖3為示意表示處理單元的一例的側視圖。 [圖4]圖4為示意圖3的處理單元的一部分的斜視圖。 [圖5]圖5為表示基板處理系統的主要部的一例的區塊圖。 [圖6]圖6為表示控制器的硬體構造的一例的概略圖。 [圖7]圖7為用來說明基板的處理順序的一例的流程圖。 [圖8]圖8為用來說明基板的處理順序的一例的剖面圖。 [圖9]圖9為用來說明基板的處理順序的一例的剖面圖。 [圖10]圖10為用來說明圖9的後續的順序的一例的剖面圖。 [圖11]圖11為表示基板處理的一例中的各液的流量、氣體的流量及基板的轉速的時間變化的圖。 [圖12]圖12為用來說明基板的處理順序的比較例的剖面圖。 [圖13]圖13為表示基板處理的其他例中的各液的流量、氣體的流量及基板的轉速的時間變化的圖。 [圖14]圖14為用來說明基板的處理順序的其他例的剖面圖。 [圖15]圖15為表示基板處理的其他例中的各液的流量及基板的轉速的時間變化的圖。 [圖16]圖16為表示處理單元的其他例的一部分的斜視圖。 [圖17]圖17為表示基板處理的其他例中的各液的流量及基板的轉速的時間變化的圖。 [圖18]圖18為表示基板處理的其他例中的各液的流量及基板的轉速的時間變化的圖。 [圖19]圖19為用來說明基板處理的其他例中的從噴嘴的沖洗液的吐出角的變化的俯視圖。 [圖20]圖20為用來說明基板的處理順序的其他例的剖面圖。 [圖21]圖21為表示基板處理的其他例中的各液的流量及基板的轉速的時間變化的圖。 [圖22]圖22為表示從基板的中心的距離、與金屬多晶膜的蝕刻速率的關係的一例的圖。 [圖23]圖23為用來說明基板的處理順序的其他例的剖面圖。 [圖24]圖24為表示基板處理的其他例中的各液的流量及基板的轉速的時間變化的圖。 [圖25]圖25為用來說明基板的處理順序的其他例的剖面圖。 [圖26]圖26(a)為將圖25(b)部分地表示的擴大圖；圖26(b)為將圖25(c)部分地表示的擴大圖。 [圖27]圖27為表示基板處理的其他例中的各液的流量及基板的轉速的時間變化的圖。 [圖28]圖28為示意表示處理單元的其他例的側視圖。 [圖29]圖29為用來說明基板的處理順序的其他例的剖面圖。

Claims (22)

  1. 一種基板處理方法，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時對前述基板的周緣部供應蝕刻液，將前述周緣部的前述金屬多晶膜在厚度方向部分地進行蝕刻處理的第1工程； 使前述基板旋轉，同時對比前述第1工程中的蝕刻液的供應位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第1工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2工程； 使前述基板旋轉，同時對前述基板的周緣部供應蝕刻液，將前述周緣部的前述金屬多晶膜的殘留部進行蝕刻處理的第3工程； 使前述基板旋轉，同時對比前述第3工程中的蝕刻液的供應位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第3工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第4工程； 在前述第4工程之後，使前述基板乾燥的第5工程。
  2. 如請求項1記載的方法，其中，前述第2工程，包含在前述第1工程中的蝕刻液的供應中開始供應沖洗液。
  3. 如請求項2記載的方法，其中，前述第4工程，包含在前述第3工程中的蝕刻液的供應中開始供應沖洗液。
  4. 如請求項3記載的方法，其中，前述第2工程或前述第4工程，包含從噴嘴吐出沖洗液，同時前述噴嘴從前述基板的外側超越前述基板的周緣向前述基板的中心部側移動，前述噴嘴在超過前述基板的周緣之後，使從前述噴嘴吐出的沖洗液的流量增加。
  5. 如請求項4記載的方法，其中，從上方看時，將著液點與噴嘴的吐出口連結的沖洗液的流線，相對於從前述噴嘴吐出的沖洗液向前述基板的前述著液點與前述基板的中心連結的基準線的角度，定義成從前述噴嘴的沖洗液的吐出角時， 前述第2工程或前述第4工程，包含從前述噴嘴吐出沖洗液，同時前述噴嘴從前述基板的外側超越前述基板的周緣向前述基板的中心部側移動，前述噴嘴在超過前述基板的周緣之後，使前述吐出角增加。
  6. 如請求項1記載的方法，更包含：在前述第1工程~前述第4工程中加熱前述基板的第6工程； 前述第6工程，包含加熱前述基板，使得前述第4工程中的沖洗液的供應開始前後的前述基板的溫度，比前述第1工程及前述第3工程中的蝕刻液的供應中的前述基板的溫度還低。
  7. 如請求項1記載的方法，更包含：在向前述基板的蝕刻液的供應中，藉由攝像部攝像前述周緣部的第7工程； 基於藉由前述攝像部攝像到的攝像影像的對比度的變化，判斷在前述周緣部是否產生蝕刻殘渣的第8工程。
  8. 如請求項7記載的方法，其中，判斷在前述第8工程中產生蝕刻殘渣時，進行對前述基板供應沖洗液，將蝕刻殘渣以沖洗液沖洗的前述第2工程或前述第4工程。
  9. 一種基板處理方法，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時從噴嘴吐出蝕刻液，並且前述噴嘴以第1速度從前述基板的外側超過前述基板的周緣向前述基板的中心部側移動，藉此將前述基板的周緣部的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1工程； 使前述基板旋轉，同時從前述噴嘴吐出蝕刻液，並且超過前述基板的周緣的前述噴嘴再以比前述第1速度還慢的第2速度移動到前述基板的中心部側的預定位置，藉此將前述基板的周緣部的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第2工程； 使前述基板旋轉，同時對比前述第2工程中的蝕刻液的供應位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第2工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3工程； 在前述第3工程之後，使前述基板乾燥的第4工程。
  10. 一種基板處理方法，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時對前述基板的周緣部的第1位置供應蝕刻液，將前述第1位置的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1工程； 使前述基板旋轉，同時對前述周緣部之中比前述第1位置還較前述基板的中心部側的第2位置供應蝕刻液，將前述第2位置的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第2工程； 使前述基板旋轉，同時對比前述第2位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第2工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3工程； 在前述第3工程之後，使前述基板乾燥的第4工程。
  11. 一種基板處理方法，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板以第1轉速旋轉，同時對前述基板的周緣部供應蝕刻液，將前述周緣部的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1工程； 以維持對前述基板的周緣部供應蝕刻液的狀態，將前述基板的轉速變更成比前述第1轉速還低的第2轉速的第2工程； 使前述基板旋轉，同時對比前述第1工程及前述第2工程中的蝕刻液的供應位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第1工程及前述第2工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3工程； 在前述第3工程之後，使前述基板乾燥的第4工程。
  12. 一種基板處理方法，包含：使在表面形成金屬多晶膜的基板旋轉，同時對前述基板的裏面供應蝕刻液，藉由從前述裏面回流至前述基板的周緣部的前述蝕刻液，將前述周緣部的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1工程； 在前述第1工程之後，使前述基板旋轉，同時對前述基板的裏面供應沖洗液，藉由從前述裏面回流至前述周緣部的前述沖洗液，將在前述第1工程中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2工程； 前述第2工程之後，將前述第1工程及前述第2工程重複1次以上的第3工程； 在前述第3工程之後，使前述基板乾燥的第4工程。
  13. 一種基板處理裝置，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部； 對前述基板的表面供應蝕刻液的藥液供應部； 對前述基板的表面供應沖洗液的沖洗液供應部； 控制部； 前述控制部，執行： 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述藥液供應部，以對前述基板的周緣部供應蝕刻液，將前述周緣部的前述金屬多晶膜在厚度方向部分地進行蝕刻處理的第1處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述沖洗液供應部，以對比前述第1處理中的蝕刻液的供應位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第1處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述藥液供應部，以對前述基板的周緣部供應蝕刻液，將前述周緣部的前述金屬多晶膜的殘留部進行蝕刻處理的第3處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述沖洗液供應部，以對比前述第3處理中的蝕刻液的供應位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第3處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第4處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，使前述基板乾燥的第5處理。
  14. 如請求項13記載的裝置，其中，前述第2處理，包含在前述第1處理中的蝕刻液的供應中開始供應沖洗液。
  15. 如請求項14記載的裝置，其中，前述第4處理，包含在前述第3處理中的蝕刻液的供應中開始供應沖洗液。
  16. 如請求項15記載的裝置，其中，前述第2處理或前述第4處理，包含從前述沖洗液供應部的噴嘴吐出沖洗液，同時使前述噴嘴從前述基板的外側超越前述基板的周緣向前述基板的中心部側移動，前述噴嘴在超過前述基板的周緣之後，使從前述噴嘴吐出的沖洗液的流量增加。
  17. 如請求項16記載的裝置，其中，從上方看時，將著液點與噴嘴的吐出口連結的沖洗液的流線，相對於從前述沖洗液供應部的噴嘴吐出的沖洗液向前述基板的前述著液點與前述基板的中心連結的基準線的角度，定義成從前述噴嘴的沖洗液的吐出角時， 前述第2處理或前述第4處理，包含從前述沖洗液供應部的噴嘴吐出沖洗液，同時使前述噴嘴從前述基板的外側超越前述基板的周緣向前述基板的中心部側移動，前述噴嘴在超過前述基板的周緣之後，使前述吐出角增加。
  18. 如請求項13記載的裝置，更具備：攝像前述周緣部的攝像部； 前述控制部，更執行： 控制前述攝像部，在向前述基板的蝕刻液的供應中攝像前述周緣部的第7處理； 基於藉由前述攝像部攝像到的攝像影像的對比度的變化，判斷在前述周緣部是否產生蝕刻殘渣的第8工程。
  19. 一種基板處理裝置，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部； 對前述基板的表面供應蝕刻液的藥液供應部； 對前述基板的表面供應沖洗液的沖洗液供應部； 控制部； 前述控制部，執行： 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述藥液供應部，以從前述藥液供應部的噴嘴吐出蝕刻液，並從前述基板的外側超過前述基板的周緣向前述基板的中心部側以第1速度使前述噴嘴移動，將前述基板的周緣部的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述藥液供應部，以從前述噴嘴吐出蝕刻液，並使超過前述基板的周緣的前述噴嘴，再以比前述第1速度還慢的第2速度移動到前述基板的中心部側的預定位置，將前述基板的周緣部的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第2處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述沖洗液供應部，以對比前述第2處理中的蝕刻液的供應位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第2處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，使前述基板乾燥的第4處理。
  20. 一種基板處理裝置，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部； 對前述基板的表面供應蝕刻液的藥液供應部； 對前述基板的表面供應沖洗液的沖洗液供應部； 控制部； 前述控制部，執行： 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述藥液供應部，以對前述基板的周緣部的第1位置供應蝕刻液，將前述第1位置的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述藥液供應部，以對前述周緣部之中比前述第1位置還較前述基板的中心部側的第2位置供應蝕刻液，將前述第2位置的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第2處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述沖洗液供應部，以對比前述第2位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第2處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，使前述基板乾燥的第4處理。
  21. 一種基板處理裝置，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部； 對前述基板的表面供應蝕刻液的藥液供應部； 對前述基板的表面供應沖洗液的沖洗液供應部； 控制部； 前述控制部，執行： 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其以第1轉速旋轉，同時控制前述藥液供應部，以對前述基板的周緣部供應蝕刻液，將前述周緣部的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1處理； 控制前述藥液供應部，以對前述基板的周緣部持續供應蝕刻液，同時控制前述旋轉保持部，將前述基板的轉速變更成比前述第1轉速還低的第2轉速的第2處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述沖洗液供應部，以對比前述第1處理及前述第2處理中的蝕刻液的供應位置還較前述基板的中心部側供應沖洗液，將在前述第1處理及前述第2處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第3處理； 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，使前述基板乾燥的第4處理。
  22. 一種基板處理裝置，具備：保持在表面形成金屬多晶膜的基板並使其旋轉的旋轉保持部； 對前述基板的裏面供應蝕刻液的藥液供應部； 對前述基板的裏面供應沖洗液的沖洗液供應部； 控制部； 前述控制部，執行： 控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述藥液供應部，以對前述裏面供應蝕刻液，藉由從前述裏面回流至前述基板的周緣部的前述蝕刻液，將前述周緣部的前述金屬多晶膜進行蝕刻處理的第1處理； 控制前述旋轉保持部，以在前述第1處理之後，保持前述基板並使其旋轉，同時控制前述沖洗液供應部，以對前述裏面供應沖洗液，藉由從前述裏面回流至前述周緣部的前述沖洗液，將在前述第1處理中產生的蝕刻殘渣以沖洗液進行沖洗的第2處理； 前述第2處理之後，將前述第1處理及前述第2處理重複1次以上的第3處理； 在前述第3處理之後，控制前述旋轉保持部，以保持前述基板並使其旋轉，使前述基板乾燥的第4處理。
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