JP2003124180A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JP2003124180A JP2003124180A JP2001317865A JP2001317865A JP2003124180A JP 2003124180 A JP2003124180 A JP 2003124180A JP 2001317865 A JP2001317865 A JP 2001317865A JP 2001317865 A JP2001317865 A JP 2001317865A JP 2003124180 A JP2003124180 A JP 2003124180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- processing liquid
- outer peripheral
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 293
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 137
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 6
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N nitric acid;hydrate Chemical compound O.O[N+]([O-])=O FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理が必要とされる基板の総ての部位を短時
間で処理することができ、かつ、処理の必要がない基板
の部位への処理液の侵入を防止することができる基板処
理装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗを保持して回転させる基板保持部
１と、基板保持部１により保持された基板Ｗの下面に処
理液を供給して基板Ｗの下面を処理する下面処理部２
と、基板保持部１により保持された基板Ｗの外周縁に処
理液を供給して基板Ｗの外周縁を処理する外周縁処理部
３と、下面処理部２及び外周縁処理部３に処理液を供給
する処理液供給部４と、基板保持部１により保持された
基板Ｗの上面に所定の気体を供給する気体供給部５とを
備えた。
間で処理することができ、かつ、処理の必要がない基板
の部位への処理液の侵入を防止することができる基板処
理装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗを保持して回転させる基板保持部
１と、基板保持部１により保持された基板Ｗの下面に処
理液を供給して基板Ｗの下面を処理する下面処理部２
と、基板保持部１により保持された基板Ｗの外周縁に処
理液を供給して基板Ｗの外周縁を処理する外周縁処理部
３と、下面処理部２及び外周縁処理部３に処理液を供給
する処理液供給部４と、基板保持部１により保持された
基板Ｗの上面に所定の気体を供給する気体供給部５とを
備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、特に、半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネルなど
の基板に所定の処理液を供給してエッチング処理などを
行う基板処理装置に関するものである。
し、特に、半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネルなど
の基板に所定の処理液を供給してエッチング処理などを
行う基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハなどの基板の製造工程で
は、基板に薄膜を形成するための薄膜形成工程が行わ
れ、この薄膜を形成する方法として、スパッタリングや
ＣＶＤ（化学気相成長）方法、めっきなどの方法が用い
られている。これらの方法を用いて基板の薄膜形成を行
った場合、一般に、基板の全面に薄膜が形成されるが、
半導体ウエハなどの基板において薄膜の形成が必要とさ
れるのは、基板の片側の面、特に回路形成部のみであ
る。このように、基板の全面又は薄膜が必要とされない
部位に薄膜が形成されると、例えば、基板の搬送の際に
搬送ロボットハンドを介して他の基板に薄膜が付着して
しまったり、基板から剥れた薄膜が拡散してしまうこと
があり、他の各種工程の処理環境を汚染する、いわゆる
クロスコンタミネーションの原因ともなってしまう。こ
のため、基板製造工程においては、薄膜形成後に、これ
らの不要な薄膜を除去する処理工程が行われている。
は、基板に薄膜を形成するための薄膜形成工程が行わ
れ、この薄膜を形成する方法として、スパッタリングや
ＣＶＤ（化学気相成長）方法、めっきなどの方法が用い
られている。これらの方法を用いて基板の薄膜形成を行
った場合、一般に、基板の全面に薄膜が形成されるが、
半導体ウエハなどの基板において薄膜の形成が必要とさ
れるのは、基板の片側の面、特に回路形成部のみであ
る。このように、基板の全面又は薄膜が必要とされない
部位に薄膜が形成されると、例えば、基板の搬送の際に
搬送ロボットハンドを介して他の基板に薄膜が付着して
しまったり、基板から剥れた薄膜が拡散してしまうこと
があり、他の各種工程の処理環境を汚染する、いわゆる
クロスコンタミネーションの原因ともなってしまう。こ
のため、基板製造工程においては、薄膜形成後に、これ
らの不要な薄膜を除去する処理工程が行われている。
【０００３】不要な薄膜を除去する処理方法としては、
基板にエッチング液を供給して基板に形成された薄膜を
選択的に除去するエッチング処理が広く行われている。
エッチング処理は、チャック（把持具）などにより保持
された基板の処理対象面に処理液としてエッチング液を
供給することにより薄膜を除去するものである。このエ
ッチング処理を行う基板処理装置の一般的構成は、基板
をチャックなどで保持する基板保持部と、基板保持部に
より保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と
を備えて構成される。
基板にエッチング液を供給して基板に形成された薄膜を
選択的に除去するエッチング処理が広く行われている。
エッチング処理は、チャック（把持具）などにより保持
された基板の処理対象面に処理液としてエッチング液を
供給することにより薄膜を除去するものである。このエ
ッチング処理を行う基板処理装置の一般的構成は、基板
をチャックなどで保持する基板保持部と、基板保持部に
より保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と
を備えて構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た基板処理装置を用いてエッチング処理を行った場合、
次のような問題が生じている。即ち、基板保持部はチャ
ックなどの把持具を用いて基板を保持するため、この把
持具が接触する基板の部位にエッチング液が供給され
ず、この部位に形成されている薄膜が残留してしまう。
このため、再度、基板の別の部位を保持し直してエッチ
ング処理をする必要があり、処理時間やエッチング液の
使用量が増加してしまうという問題がある。また、把持
具を用いないで真空パットなどにより基板を真空吸着し
て基板を保持する真空チャック式も採用されているが、
この方式では、処理対象となる基板の裏面を吸着保持す
るために、基板の裏面のエッチング処理ができない。さ
らに、基板を直接保持しないベルヌーイチャック式もあ
るが、この方式では、回路形成部などが形成される面
の、特に外周端部において、薄膜を残留させるべき部位
と除去すべき部位との境界線の制御が困難である。
た基板処理装置を用いてエッチング処理を行った場合、
次のような問題が生じている。即ち、基板保持部はチャ
ックなどの把持具を用いて基板を保持するため、この把
持具が接触する基板の部位にエッチング液が供給され
ず、この部位に形成されている薄膜が残留してしまう。
このため、再度、基板の別の部位を保持し直してエッチ
ング処理をする必要があり、処理時間やエッチング液の
使用量が増加してしまうという問題がある。また、把持
具を用いないで真空パットなどにより基板を真空吸着し
て基板を保持する真空チャック式も採用されているが、
この方式では、処理対象となる基板の裏面を吸着保持す
るために、基板の裏面のエッチング処理ができない。さ
らに、基板を直接保持しないベルヌーイチャック式もあ
るが、この方式では、回路形成部などが形成される面
の、特に外周端部において、薄膜を残留させるべき部位
と除去すべき部位との境界線の制御が困難である。
【０００５】また、基板の裏面を薬液でリンスすること
によりエッチング処理する基板処理装置がある。この装
置では、薬液を基板の裏面全体に広げるために基板をあ
る程度高速で回転させる必要があり、このため、薬液が
飛散して基板に付着してしまい、基板を汚染させる原因
ともなっている。さらに、薬液を回収して再利用する場
合に、飛散した薬液が他の工程を行う装置の壁面などに
付着してしまうため、薬液の回収量が減ってしまうなど
の問題も生じている。
によりエッチング処理する基板処理装置がある。この装
置では、薬液を基板の裏面全体に広げるために基板をあ
る程度高速で回転させる必要があり、このため、薬液が
飛散して基板に付着してしまい、基板を汚染させる原因
ともなっている。さらに、薬液を回収して再利用する場
合に、飛散した薬液が他の工程を行う装置の壁面などに
付着してしまうため、薬液の回収量が減ってしまうなど
の問題も生じている。
【０００６】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
ので、処理が必要とされる基板の総ての部位を短時間で
処理することができ、かつ、処理の必要がない基板の部
位への処理液の侵入を防止することができる基板処理装
置を提供することを目的とする。
ので、処理が必要とされる基板の総ての部位を短時間で
処理することができ、かつ、処理の必要がない基板の部
位への処理液の侵入を防止することができる基板処理装
置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明の一態様は、基板を保持して回転させる
基板保持部と、 前記基板保持部により保持された基板
の下面に処理液を供給して基板の下面を処理する下面処
理部と、 前記基板保持部により保持された基板の外周
縁に処理液を供給して基板の外周縁を処理する外周縁処
理部と、 前記下面処理部及び前記外周縁処理部に処理
液を供給する処理液供給部と、 前記基板保持部により
保持された基板の上面に所定の気体を供給する気体供給
部とを備えたことを特徴とする。
ために、本発明の一態様は、基板を保持して回転させる
基板保持部と、 前記基板保持部により保持された基板
の下面に処理液を供給して基板の下面を処理する下面処
理部と、 前記基板保持部により保持された基板の外周
縁に処理液を供給して基板の外周縁を処理する外周縁処
理部と、 前記下面処理部及び前記外周縁処理部に処理
液を供給する処理液供給部と、 前記基板保持部により
保持された基板の上面に所定の気体を供給する気体供給
部とを備えたことを特徴とする。
【０００８】このように構成された本発明によれば、基
板の下面のみならず、基板の外周縁をも処理することが
できるので、処理が必要とされる基板の部位を確実に処
理することが可能となる。さらに、本発明によれば、基
板の上面に所定の気体を供給することにより、処理液や
処理液の蒸気が基板の上面に侵入してしまうことを防止
することができ、処理の必要がない基板の上面を処理液
から保護することが可能となる。
板の下面のみならず、基板の外周縁をも処理することが
できるので、処理が必要とされる基板の部位を確実に処
理することが可能となる。さらに、本発明によれば、基
板の上面に所定の気体を供給することにより、処理液や
処理液の蒸気が基板の上面に侵入してしまうことを防止
することができ、処理の必要がない基板の上面を処理液
から保護することが可能となる。
【０００９】本発明の好ましい他の態様は、前記基板保
持部は、基板の外周面に当接する複数の回転用コロと、
前記回転用コロを回転駆動する駆動源とを備えたことを
特徴とすることを特徴とする。このように構成された本
発明によれば、基板は回転する回転用コロによって保持
されるので、回転用コロ（基板保持部）が保持する基板
の部位は常に移動することになる。したがって、基板保
持部に阻害されることなく、基板保持部により保持され
る基板の部位に処理液を供給することができ、これによ
り、基板を保持し直して再度処理することが不要にな
り、処理時間を短縮することが可能となる。
持部は、基板の外周面に当接する複数の回転用コロと、
前記回転用コロを回転駆動する駆動源とを備えたことを
特徴とすることを特徴とする。このように構成された本
発明によれば、基板は回転する回転用コロによって保持
されるので、回転用コロ（基板保持部）が保持する基板
の部位は常に移動することになる。したがって、基板保
持部に阻害されることなく、基板保持部により保持され
る基板の部位に処理液を供給することができ、これによ
り、基板を保持し直して再度処理することが不要にな
り、処理時間を短縮することが可能となる。
【００１０】本発明の好ましい他の態様は、前記下面処
理部は、前記基板保持部により保持された基板の下面に
対向する平坦部を有する第１対向部材と、前記第１対向
部材の平坦部で開口する処理液流通孔とを備えたことを
特徴とする。本発明によれば、処理液は処理液流通孔を
介して第１対向部材の平坦部に供給され、この平坦部に
供給された処理液は、表面張力の作用により基板の下面
に接触しながら基板の下面全体に広がることになる。し
たがって、処理液を基板の下面全体に広げるために基板
を高速で回転させることが不要になり、これにより、回
転する基板による処理液の飛散が防止されるとともに、
処理液の回収率を向上させることが可能となる。
理部は、前記基板保持部により保持された基板の下面に
対向する平坦部を有する第１対向部材と、前記第１対向
部材の平坦部で開口する処理液流通孔とを備えたことを
特徴とする。本発明によれば、処理液は処理液流通孔を
介して第１対向部材の平坦部に供給され、この平坦部に
供給された処理液は、表面張力の作用により基板の下面
に接触しながら基板の下面全体に広がることになる。し
たがって、処理液を基板の下面全体に広げるために基板
を高速で回転させることが不要になり、これにより、回
転する基板による処理液の飛散が防止されるとともに、
処理液の回収率を向上させることが可能となる。
【００１１】本発明の好ましい他の態様は、前記外周縁
処理部は、前記基板保持部に保持された基板に接近及び
離間可能なように可動に構成されていることを特徴と
し、さらに好ましくは、前記外周縁処理部は回転自在な
処理用コロを備え、前記処理用コロの外周面に、前記基
板保持部により保持された基板の外周縁を囲むように形
成された溝を設けたことを特徴とする。
処理部は、前記基板保持部に保持された基板に接近及び
離間可能なように可動に構成されていることを特徴と
し、さらに好ましくは、前記外周縁処理部は回転自在な
処理用コロを備え、前記処理用コロの外周面に、前記基
板保持部により保持された基板の外周縁を囲むように形
成された溝を設けたことを特徴とする。
【００１２】このように構成された本発明によれば、外
周縁処理部を基板に近接（あるいは当接）させることに
より、下面処理部の第１対向部材に供給された処理液
は、第１対向部材及び基板を介して外周縁処理部に伝わ
り、さらに処理用コロに形成された溝を介して基板の外
周縁に供給される。即ち、下面処理部に供給された処理
液を利用して下面と同時に外周縁を処理することができ
るので、処理液の使用量を少なくすることが可能になる
とともに、処理時間を短縮することが可能となる。ま
た、基板処理時の処理用コロの位置を調節することによ
り、基板の外周縁において、処理すべき部位と処理が不
要な部位とを正確に設定することが可能となる。
周縁処理部を基板に近接（あるいは当接）させることに
より、下面処理部の第１対向部材に供給された処理液
は、第１対向部材及び基板を介して外周縁処理部に伝わ
り、さらに処理用コロに形成された溝を介して基板の外
周縁に供給される。即ち、下面処理部に供給された処理
液を利用して下面と同時に外周縁を処理することができ
るので、処理液の使用量を少なくすることが可能になる
とともに、処理時間を短縮することが可能となる。ま
た、基板処理時の処理用コロの位置を調節することによ
り、基板の外周縁において、処理すべき部位と処理が不
要な部位とを正確に設定することが可能となる。
【００１３】本発明の好ましい他の態様は、前記気体供
給部は、前記基板保持部により保持された基板の上面に
対向して配置された第２対向部材と、前記基板保持部に
より保持された基板と前記第２対向部材との間に形成さ
れた空間に所定の気体を供給する気体供給手段とを備え
たことを特徴とする。
給部は、前記基板保持部により保持された基板の上面に
対向して配置された第２対向部材と、前記基板保持部に
より保持された基板と前記第２対向部材との間に形成さ
れた空間に所定の気体を供給する気体供給手段とを備え
たことを特徴とする。
【００１４】本発明によれば、下面処理部や外周縁処理
部から基板に供給された処理液が基板の上面に入り込も
うとした場合、この処理液は気体供給部から供給された
所定の気体により押し戻されるので、処理の必要がない
基板の上面にまで処理液が供給されてしまうことを防止
することができる。ここで、例えば、所定の気体として
窒素ガスを供給すれば、基板の上面と第２対向部材の下
面との間に形成された空間部を窒素ガスで満たすことが
でき、この窒素ガスがパージガスとして機能するので基
板上面を処理液の蒸気などから保護することが可能にな
る。
部から基板に供給された処理液が基板の上面に入り込も
うとした場合、この処理液は気体供給部から供給された
所定の気体により押し戻されるので、処理の必要がない
基板の上面にまで処理液が供給されてしまうことを防止
することができる。ここで、例えば、所定の気体として
窒素ガスを供給すれば、基板の上面と第２対向部材の下
面との間に形成された空間部を窒素ガスで満たすことが
でき、この窒素ガスがパージガスとして機能するので基
板上面を処理液の蒸気などから保護することが可能にな
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本実施形態に係る基
板処理装置の概略断面図である。図２は本実施形態に係
る基板処理装置の概略平面図である。図３（ａ）は本実
施形態に係る基板処理装置の外周縁処理部の概略拡大図
であり、図３（ｂ）は処理対象となる基板の外周縁の拡
大図である。
て図面を参照して説明する。図１は本実施形態に係る基
板処理装置の概略断面図である。図２は本実施形態に係
る基板処理装置の概略平面図である。図３（ａ）は本実
施形態に係る基板処理装置の外周縁処理部の概略拡大図
であり、図３（ｂ）は処理対象となる基板の外周縁の拡
大図である。
【００１６】図１に示すように、基板処理装置は、基板
Ｗを保持する基板保持部１と、基板Ｗの下面に処理液を
供給して基板Ｗの下面を処理する下面処理部２と、基板
Ｗの外周縁に処理液を供給して基板Ｗの外周縁を処理す
る外周縁処理部３と、下面処理部２及び外周縁処理部３
に処理液を供給する処理液供給部４と、基板Ｗの上面に
所定の気体を供給する気体供給部５と、処理後の処理液
を回収して再度処理液供給部４に供給する処理液回収部
６とを備えている。
Ｗを保持する基板保持部１と、基板Ｗの下面に処理液を
供給して基板Ｗの下面を処理する下面処理部２と、基板
Ｗの外周縁に処理液を供給して基板Ｗの外周縁を処理す
る外周縁処理部３と、下面処理部２及び外周縁処理部３
に処理液を供給する処理液供給部４と、基板Ｗの上面に
所定の気体を供給する気体供給部５と、処理後の処理液
を回収して再度処理液供給部４に供給する処理液回収部
６とを備えている。
【００１７】図２に示すように、基板保持部１は、基板
Ｗを保持して基板Ｗを水平面内で回転させる回転用コロ
１１を４基備えており、それぞれの回転用コロ１１は駆
動源であるモータ(図示せず)によって回転駆動されるよ
うになっている。各回転用コロ１１は、基板Ｗに当接及
び離間可能なように矢印方向に可動に構成されており、
基板処理装置に基板Ｗが搬入されると、４基の回転用コ
ロ１１が基板Ｗに接近移動して基板Ｗの外周面に当接す
るようになっている。基板Ｗはこれらの回転用コロ１１
が当接することによって保持され、基板Ｗを保持した状
態のまま、回転用コロ１１がモータに回転駆動されるこ
とで基板Ｗが回転される。なお、回転用コロ１１の回転
速度は、回転用コロ１１によって回転される基板Ｗの回
転速度が５〜１００ｍｉｎ−１の範囲内で回転するよう
に設定されている。なお、本実施形態では、基板Ｗは、
処理液による処理が必要とされる面が下面に、処理が不
要な面（例えば、回路形成部）が上面となるように、基
板保持部１により保持される。
Ｗを保持して基板Ｗを水平面内で回転させる回転用コロ
１１を４基備えており、それぞれの回転用コロ１１は駆
動源であるモータ(図示せず)によって回転駆動されるよ
うになっている。各回転用コロ１１は、基板Ｗに当接及
び離間可能なように矢印方向に可動に構成されており、
基板処理装置に基板Ｗが搬入されると、４基の回転用コ
ロ１１が基板Ｗに接近移動して基板Ｗの外周面に当接す
るようになっている。基板Ｗはこれらの回転用コロ１１
が当接することによって保持され、基板Ｗを保持した状
態のまま、回転用コロ１１がモータに回転駆動されるこ
とで基板Ｗが回転される。なお、回転用コロ１１の回転
速度は、回転用コロ１１によって回転される基板Ｗの回
転速度が５〜１００ｍｉｎ−１の範囲内で回転するよう
に設定されている。なお、本実施形態では、基板Ｗは、
処理液による処理が必要とされる面が下面に、処理が不
要な面（例えば、回路形成部）が上面となるように、基
板保持部１により保持される。
【００１８】下面処理部２は、図１に示すように、基板
保持部１によって保持された基板Ｗの下面に対向する平
坦部１４ａを有する第１対向部材１４を備えている。ま
た、下面処理部２には処理液流通孔１５が設けられてお
り、処理液流通孔１５の一端は第１対向部材１４の平坦
部１４ａの略中心部で開口し、他の一端は処理液供給部
４に接続されている。このような構成により、処理液供
給部４から供給された処理液は、処理液流通孔１５を通
って第１対向部材１４の上面、即ち、平坦部１４ａに供
給される。
保持部１によって保持された基板Ｗの下面に対向する平
坦部１４ａを有する第１対向部材１４を備えている。ま
た、下面処理部２には処理液流通孔１５が設けられてお
り、処理液流通孔１５の一端は第１対向部材１４の平坦
部１４ａの略中心部で開口し、他の一端は処理液供給部
４に接続されている。このような構成により、処理液供
給部４から供給された処理液は、処理液流通孔１５を通
って第１対向部材１４の上面、即ち、平坦部１４ａに供
給される。
【００１９】上述した第１対向部材１４は、図示しない
昇降駆動源により昇降可能に構成されており、基板保持
部１に保持された基板Ｗの下面に０．５〜４ｍｍにまで
近接できるように構成されている。即ち、第１対向部材
１４が上昇すると、第１対向部材１４の平坦部１４ａ
（上面）と基板Ｗの下面との間には微小な空隙が形成さ
れ、処理液流通孔１５より第１対向部材１４の平坦部１
４ａに供給された処理液がこの空隙を満たすことによっ
て基板Ｗの下面に処理液が供給される。
昇降駆動源により昇降可能に構成されており、基板保持
部１に保持された基板Ｗの下面に０．５〜４ｍｍにまで
近接できるように構成されている。即ち、第１対向部材
１４が上昇すると、第１対向部材１４の平坦部１４ａ
（上面）と基板Ｗの下面との間には微小な空隙が形成さ
れ、処理液流通孔１５より第１対向部材１４の平坦部１
４ａに供給された処理液がこの空隙を満たすことによっ
て基板Ｗの下面に処理液が供給される。
【００２０】また、下面処理部２は純水供給孔２１を備
えており、純水供給孔２１の一端は第１対向部材１４の
平坦部１４ａの略中心部で開口し、他の一端は図示しな
い純水供給源に接続されている。この構成により、純水
供給源により供給された純水は、図１に示す矢印Ａ方向
から配管１８ｅに供給され、純水供給孔２１を通って第
１対向部材１４の平坦部１４ａに供給される。なお、本
基板処理装置の内壁には、基板保持部１により保持され
た基板Ｗの上面に純水を噴射する第１純水噴射装置２２
が設けられている
えており、純水供給孔２１の一端は第１対向部材１４の
平坦部１４ａの略中心部で開口し、他の一端は図示しな
い純水供給源に接続されている。この構成により、純水
供給源により供給された純水は、図１に示す矢印Ａ方向
から配管１８ｅに供給され、純水供給孔２１を通って第
１対向部材１４の平坦部１４ａに供給される。なお、本
基板処理装置の内壁には、基板保持部１により保持され
た基板Ｗの上面に純水を噴射する第１純水噴射装置２２
が設けられている
【００２１】処理液供給部４は、処理液貯留槽１６、加
温装置２０、ポンプ１７、フィルタ１９などから構成さ
れ、これらは配管１８を介して接続されている。処理液
貯留槽１６に貯留された処理液は、ポンプ１７により送
り出され、配管１８ｃを通ってフィルタ１９により不純
物がろ過された後、加温装置２０に送られる。加温装置
２０は配管１８ｄにより処理液流通孔１５に接続されて
おり、加温装置２０に送られた処理液は加温装置２０に
より所定の温度に昇温された後、配管１８ｄを通って処
理液流通孔１５に供給される。
温装置２０、ポンプ１７、フィルタ１９などから構成さ
れ、これらは配管１８を介して接続されている。処理液
貯留槽１６に貯留された処理液は、ポンプ１７により送
り出され、配管１８ｃを通ってフィルタ１９により不純
物がろ過された後、加温装置２０に送られる。加温装置
２０は配管１８ｄにより処理液流通孔１５に接続されて
おり、加温装置２０に送られた処理液は加温装置２０に
より所定の温度に昇温された後、配管１８ｄを通って処
理液流通孔１５に供給される。
【００２２】また、加温装置２０と処理液流通孔１５と
を接続する配管１８ｃには第１切替弁３７が設けられて
いる。この第１切替弁３７を切り替えると、処理液が処
理液流通孔１５に供給されずに配管１８ｂ側に流通され
るようになっており、処理液貯留槽１６、加温装置２
０、フィルタ１９を循環する処理液の加温循環経路が形
成される。なお、ポンプ１７、配管１８、第１切替弁３
７は、処理液貯留槽１６と、加温装置２０との間で処理
液を循環させる循環手段として機能する。
を接続する配管１８ｃには第１切替弁３７が設けられて
いる。この第１切替弁３７を切り替えると、処理液が処
理液流通孔１５に供給されずに配管１８ｂ側に流通され
るようになっており、処理液貯留槽１６、加温装置２
０、フィルタ１９を循環する処理液の加温循環経路が形
成される。なお、ポンプ１７、配管１８、第１切替弁３
７は、処理液貯留槽１６と、加温装置２０との間で処理
液を循環させる循環手段として機能する。
【００２３】外周縁処理部３は、図３（ａ）に示すよう
に、処理用コロ２５と、処理用コロ２５が取り付けられ
る基台２７とを備えており、処理用コロ２５は基台２７
の頂部に回転自在に取り付けられている。処理用コロ２
５の外周面には溝２６が形成されており、溝２６は、基
板Ｗの外周縁を囲むように断面凹状に形成されている。
この溝２６の深さは、図３（ａ）に示すように、約１０
ｍｍであり、溝２６が形成されている位置は、基板保持
部１によって保持された基板Ｗに処理用コロ２５が接近
したときに基板Ｗの外周縁が溝２６に進入するように設
けられている。なお、処理用コロ２５は、樹脂、不織
布、多孔質の樹脂などにより形成される。ここで、基板
の外周縁とは、図３（ｂ）において符号Ｃが示す、基板
の上下両面の外周近傍及び外周面をいう。なお、図３
（ｂ）において符号Ｄが示す基板Ｗの部位は、処理液に
よる処理を必要としない部位である。
に、処理用コロ２５と、処理用コロ２５が取り付けられ
る基台２７とを備えており、処理用コロ２５は基台２７
の頂部に回転自在に取り付けられている。処理用コロ２
５の外周面には溝２６が形成されており、溝２６は、基
板Ｗの外周縁を囲むように断面凹状に形成されている。
この溝２６の深さは、図３（ａ）に示すように、約１０
ｍｍであり、溝２６が形成されている位置は、基板保持
部１によって保持された基板Ｗに処理用コロ２５が接近
したときに基板Ｗの外周縁が溝２６に進入するように設
けられている。なお、処理用コロ２５は、樹脂、不織
布、多孔質の樹脂などにより形成される。ここで、基板
の外周縁とは、図３（ｂ）において符号Ｃが示す、基板
の上下両面の外周近傍及び外周面をいう。なお、図３
（ｂ）において符号Ｄが示す基板Ｗの部位は、処理液に
よる処理を必要としない部位である。
【００２４】基台２７の底部には正逆回転可能なパルス
制御モータ２８が設置されており、パルス制御モータ２
８には雄ネジ部材２９が接続されている。さらに、この
雄ネジ部材２９は、基板処理装置の内壁に固定された雌
ネジ部材（図示せず）に螺合している。このような構成
のもとでパルス制御モータ２８が回転すると、雄ネジ部
材２９が雌ネジ部材に螺合することによってパルス制御
モータ２８が設置される外周縁処理部３の位置が変動す
る。即ち、このパルス制御モータ２８を駆動させること
により基板Ｗに対する処理用コロ２５の位置を接近又は
離間させることができ、これにより、処理時の処理用コ
ロ２５の位置を調節して基板Ｗの処理すべき部位の境界
線を正確に設定することができる。ここで、外周縁処理
部３によって処理される基板Ｗの外周縁での境界線は、
図３（ａ）に示すように、基板Ｗが溝２６に入り込む深
さｄで調節することができる。なお、本基板処理装置の
内壁には、処理用コロ２５に向けて純水を噴射する第２
純水噴射装置２３が設けられている。
制御モータ２８が設置されており、パルス制御モータ２
８には雄ネジ部材２９が接続されている。さらに、この
雄ネジ部材２９は、基板処理装置の内壁に固定された雌
ネジ部材（図示せず）に螺合している。このような構成
のもとでパルス制御モータ２８が回転すると、雄ネジ部
材２９が雌ネジ部材に螺合することによってパルス制御
モータ２８が設置される外周縁処理部３の位置が変動す
る。即ち、このパルス制御モータ２８を駆動させること
により基板Ｗに対する処理用コロ２５の位置を接近又は
離間させることができ、これにより、処理時の処理用コ
ロ２５の位置を調節して基板Ｗの処理すべき部位の境界
線を正確に設定することができる。ここで、外周縁処理
部３によって処理される基板Ｗの外周縁での境界線は、
図３（ａ）に示すように、基板Ｗが溝２６に入り込む深
さｄで調節することができる。なお、本基板処理装置の
内壁には、処理用コロ２５に向けて純水を噴射する第２
純水噴射装置２３が設けられている。
【００２５】気体供給部５は、基板保持部１によって保
持された基板Ｗの上面に対向して略水平に配置された円
形の第２対向部材３１を備えている。この第２対向部材
３１の直径は、図２に示すように、基板Ｗの直径よりも
やや小さく形成されている。また、気体供給部５は気体
流通孔３２を備えており、この気体流通孔３２の一端は
第２対向部材３１の下面の外周近傍において開口し、他
の一端は図示しない気体供給源に接続されている。
持された基板Ｗの上面に対向して略水平に配置された円
形の第２対向部材３１を備えている。この第２対向部材
３１の直径は、図２に示すように、基板Ｗの直径よりも
やや小さく形成されている。また、気体供給部５は気体
流通孔３２を備えており、この気体流通孔３２の一端は
第２対向部材３１の下面の外周近傍において開口し、他
の一端は図示しない気体供給源に接続されている。
【００２６】上述した気体流通孔３２と気体供給源は、
基板保持部１により保持された基板Ｗの上面と第２対向
部材３１の下面との間に形成された空間に所定の気体を
供給する気体供給手段として機能する。即ち、気体供給
源により供給された所定の気体は、図１に示す矢印Ｂ方
向から気体流通孔３２に供給され、気体流通孔３２を通
って第２対向部材３１の外周近傍から基板Ｗに向けて供
給されるようになっている。なお、上述した第２対向部
材３１は図示しない昇降駆動源により昇降可能に構成さ
れており、基板保持部１により保持された基板Ｗに対し
て０．５〜５ｍｍにまで接近できるように構成されてい
る。
基板保持部１により保持された基板Ｗの上面と第２対向
部材３１の下面との間に形成された空間に所定の気体を
供給する気体供給手段として機能する。即ち、気体供給
源により供給された所定の気体は、図１に示す矢印Ｂ方
向から気体流通孔３２に供給され、気体流通孔３２を通
って第２対向部材３１の外周近傍から基板Ｗに向けて供
給されるようになっている。なお、上述した第２対向部
材３１は図示しない昇降駆動源により昇降可能に構成さ
れており、基板保持部１により保持された基板Ｗに対し
て０．５〜５ｍｍにまで接近できるように構成されてい
る。
【００２７】処理液回収部６は、第１対向部材１４の下
方に配置された回収用傾斜板３５と、回収用傾斜板３５
により回収された処理液を気水分離する気水分離器３６
とを備えている。回収用傾斜板３５と気水分離器３６と
は配管１８ａにより接続され、気水分離器３６は上述し
た処理液貯留槽１６に第２切替弁３８及び配管１８ｂを
介して接続されている。このような構成によれば、基板
Ｗの処理を行った処理液は、回収用傾斜板３５により回
収されて気水分離器３６に送られ、気水分離器３６にお
いて気水分離された後、再び処理液貯留槽１６に供給さ
れる。なお、気水分離器３６により分離されたガスはガ
ス排気口３９から排気される。
方に配置された回収用傾斜板３５と、回収用傾斜板３５
により回収された処理液を気水分離する気水分離器３６
とを備えている。回収用傾斜板３５と気水分離器３６と
は配管１８ａにより接続され、気水分離器３６は上述し
た処理液貯留槽１６に第２切替弁３８及び配管１８ｂを
介して接続されている。このような構成によれば、基板
Ｗの処理を行った処理液は、回収用傾斜板３５により回
収されて気水分離器３６に送られ、気水分離器３６にお
いて気水分離された後、再び処理液貯留槽１６に供給さ
れる。なお、気水分離器３６により分離されたガスはガ
ス排気口３９から排気される。
【００２８】上述した第２切替弁３８にはドレイン口４
０が設けられており、この第２切替弁３８を切り替える
と、気水分離器３６を出た流体は処理液貯留槽１６には
送られず、ドレイン口４０より排水されるようになって
いる。即ち、上述した純水供給孔２１などにより純水を
供給して基板を洗浄する場合は、この第２切替弁３８を
切り替えて純水をドレイン口４０から排水させ、処理液
貯留槽１６に純水を流入させないようにすることができ
る。
０が設けられており、この第２切替弁３８を切り替える
と、気水分離器３６を出た流体は処理液貯留槽１６には
送られず、ドレイン口４０より排水されるようになって
いる。即ち、上述した純水供給孔２１などにより純水を
供給して基板を洗浄する場合は、この第２切替弁３８を
切り替えて純水をドレイン口４０から排水させ、処理液
貯留槽１６に純水を流入させないようにすることができ
る。
【００２９】なお、処理液回収部６により回収された処
理液の温度が低い場合は、上述した第１切替弁３７を適
宜に切り替えることによって、回収された処理液を加温
循環経路内で循環させ、加温装置２０を通過させること
により処理液を適切な温度にまで昇温させることができ
る。
理液の温度が低い場合は、上述した第１切替弁３７を適
宜に切り替えることによって、回収された処理液を加温
循環経路内で循環させ、加温装置２０を通過させること
により処理液を適切な温度にまで昇温させることができ
る。
【００３０】次に、上述のように構成された基板処理装
置の動作について説明する。搬送ロボットなどにより処
理対象となる基板Ｗが基板処理装置に搬入されると、基
板保持部１の４基の回転用コロ１１が基板Ｗに向かって
移動し、各回転用コロ１１が基板Ｗの外周面に当接する
ことで基板Ｗが保持される。基板Ｗが回転用コロ１１
（基板保持部１）により保持されると、処理液供給部４
の第１対向部材１４が上昇し、基板Ｗの下面と第１対向
部材１４の平坦部１４ａとの距離が０．５〜４ｍｍとな
る位置で静止する。また、第１対向部材１４の上昇と同
時に、気体供給部５の第２対向部材３１が下降し、基板
Ｗの上面と第２対向部材３１との距離が０．５〜５ｍｍ
となる位置で静止する。そして、気体流通孔３２から、
所定の気体としての窒素ガスが基板Ｗの上面に向けて噴
射される。
置の動作について説明する。搬送ロボットなどにより処
理対象となる基板Ｗが基板処理装置に搬入されると、基
板保持部１の４基の回転用コロ１１が基板Ｗに向かって
移動し、各回転用コロ１１が基板Ｗの外周面に当接する
ことで基板Ｗが保持される。基板Ｗが回転用コロ１１
（基板保持部１）により保持されると、処理液供給部４
の第１対向部材１４が上昇し、基板Ｗの下面と第１対向
部材１４の平坦部１４ａとの距離が０．５〜４ｍｍとな
る位置で静止する。また、第１対向部材１４の上昇と同
時に、気体供給部５の第２対向部材３１が下降し、基板
Ｗの上面と第２対向部材３１との距離が０．５〜５ｍｍ
となる位置で静止する。そして、気体流通孔３２から、
所定の気体としての窒素ガスが基板Ｗの上面に向けて噴
射される。
【００３１】次に、回転用コロ１１をモータにより回転
駆動して基板Ｗを回転させる。このときの基板Ｗの回転
速度は５〜１００ｍｉｎ−１に設定されている。基板Ｗ
が回転すると、ポンプ１７により処理液貯留槽１６から
処理液が送られ、加温装置２０により所定の温度に昇温
された後に、処理液流通孔１５を介して第１対向部材１
４の上面の略中心部から処理液が供給される。第１対向
部材１４の平坦部１４ａに供給された処理液は、第１対
向部材１４と基板Ｗとの間に形成された空隙を満たし始
め、これにより、基板Ｗの下面への処理液の供給が開始
される。基板Ｗの下面に処理液が供給されると同時に、
処理用コロ２５がパルス制御モータ２８に駆動されて基
板Ｗに接近し、基板Ｗの外周縁が処理用コロ２５に形成
されている溝２６に所定の位置まで進入した後、処理用
コロ２５が静止する。なお、処理用コロ２５が静止する
位置を予め設定することにより、基板Ｗの外周縁での処
理範囲を設定することができる。
駆動して基板Ｗを回転させる。このときの基板Ｗの回転
速度は５〜１００ｍｉｎ−１に設定されている。基板Ｗ
が回転すると、ポンプ１７により処理液貯留槽１６から
処理液が送られ、加温装置２０により所定の温度に昇温
された後に、処理液流通孔１５を介して第１対向部材１
４の上面の略中心部から処理液が供給される。第１対向
部材１４の平坦部１４ａに供給された処理液は、第１対
向部材１４と基板Ｗとの間に形成された空隙を満たし始
め、これにより、基板Ｗの下面への処理液の供給が開始
される。基板Ｗの下面に処理液が供給されると同時に、
処理用コロ２５がパルス制御モータ２８に駆動されて基
板Ｗに接近し、基板Ｗの外周縁が処理用コロ２５に形成
されている溝２６に所定の位置まで進入した後、処理用
コロ２５が静止する。なお、処理用コロ２５が静止する
位置を予め設定することにより、基板Ｗの外周縁での処
理範囲を設定することができる。
【００３２】第１対向部材１４の略中心部から供給され
た処理液は、回転する基板Ｗにより基板Ｗと第１対向部
材１４との間の空隙を外周側に向かって広がり、基板Ｗ
の下面全体に処理液が供給される。基板Ｗの下面を広が
る処理液が処理用コロ２５に到達すると、図３（ａ）に
示す矢印Ｅのように、処理液は溝２６と基板Ｗとの微小
な隙間に入り込み、基板Ｗの外周縁が処理される。この
とき、処理液の一部は、さらに基板Ｗの処理の必要がな
い部位Ｄに入り込もうとするが、第２対向部材３１の下
面から供給されている窒素ガスに処理液が押し戻される
ので、基板Ｗの部位Ｄに処理液が入り込むことが防止さ
れる。
た処理液は、回転する基板Ｗにより基板Ｗと第１対向部
材１４との間の空隙を外周側に向かって広がり、基板Ｗ
の下面全体に処理液が供給される。基板Ｗの下面を広が
る処理液が処理用コロ２５に到達すると、図３（ａ）に
示す矢印Ｅのように、処理液は溝２６と基板Ｗとの微小
な隙間に入り込み、基板Ｗの外周縁が処理される。この
とき、処理液の一部は、さらに基板Ｗの処理の必要がな
い部位Ｄに入り込もうとするが、第２対向部材３１の下
面から供給されている窒素ガスに処理液が押し戻される
ので、基板Ｗの部位Ｄに処理液が入り込むことが防止さ
れる。
【００３３】基板Ｗの下面及び外周縁に供給され処理を
終了した処理液は、随時滴下して回収用傾斜板３５上を
流下して回収され、配管１８ａを通って気水分離器３６
に送られる。気水分離器３６では気水分離されたガスは
ガス排気口３９より排気され、分離後の処理液は配管１
８ｂを通って処理液貯留槽１６に供給される。
終了した処理液は、随時滴下して回収用傾斜板３５上を
流下して回収され、配管１８ａを通って気水分離器３６
に送られる。気水分離器３６では気水分離されたガスは
ガス排気口３９より排気され、分離後の処理液は配管１
８ｂを通って処理液貯留槽１６に供給される。
【００３４】所定時間基板処理を行った後、処理用コロ
２５を基板Ｗから離間させ、ポンプ１７を停止させて処
理液の供給を止める。ここで、第１対向部材１４を下降
させ、同時に、第２対向部材３１を上昇させる。その
後、純水供給孔２１および第１純水噴射装置２２から純
水を基板Ｗに供給して、基板Ｗの上下面に残留する処理
液を洗浄するとともに、第２純水噴射装置２３により純
水を噴射させて処理用コロ２５に付着した処理液を洗浄
する。なお、このとき、第２切替弁３８はドレイン口４
０側に切り替えられており、洗浄後の純水は回収用傾斜
板３５により回収された後、気水分離器３６を通過して
ドレイン口４０より排出される。その後、基板Ｗの回転
を止め、搬送ロボットなどにより基板Ｗが装置外に搬出
されて一連の処理作業が終了する。
２５を基板Ｗから離間させ、ポンプ１７を停止させて処
理液の供給を止める。ここで、第１対向部材１４を下降
させ、同時に、第２対向部材３１を上昇させる。その
後、純水供給孔２１および第１純水噴射装置２２から純
水を基板Ｗに供給して、基板Ｗの上下面に残留する処理
液を洗浄するとともに、第２純水噴射装置２３により純
水を噴射させて処理用コロ２５に付着した処理液を洗浄
する。なお、このとき、第２切替弁３８はドレイン口４
０側に切り替えられており、洗浄後の純水は回収用傾斜
板３５により回収された後、気水分離器３６を通過して
ドレイン口４０より排出される。その後、基板Ｗの回転
を止め、搬送ロボットなどにより基板Ｗが装置外に搬出
されて一連の処理作業が終了する。
【００３５】上述のように構成された本実施形態によれ
ば、基板Ｗの下面の処理と同時に、基板Ｗの外周縁も処
理できるので、処理時間を短縮することが可能となる。
また、回転用コロ１１と基板Ｗとの接触箇所にも処理液
を供給することができるため、基板Ｗを保持し直して再
度処理する必要がなく、処理時間をさらに短縮させるこ
とが可能となる。しかも、基板Ｗの上面には窒素ガスが
供給されて保護されているので、処理の必要のない基板
Ｗの上面が処理されることを防止することができる。さ
らに、基板Ｗの回転速度は５〜１００ｍｉｎ−１と比較
的低速であるので、処理液の飛散が防止され、処理液の
回収率を向上させることが可能となる。
ば、基板Ｗの下面の処理と同時に、基板Ｗの外周縁も処
理できるので、処理時間を短縮することが可能となる。
また、回転用コロ１１と基板Ｗとの接触箇所にも処理液
を供給することができるため、基板Ｗを保持し直して再
度処理する必要がなく、処理時間をさらに短縮させるこ
とが可能となる。しかも、基板Ｗの上面には窒素ガスが
供給されて保護されているので、処理の必要のない基板
Ｗの上面が処理されることを防止することができる。さ
らに、基板Ｗの回転速度は５〜１００ｍｉｎ−１と比較
的低速であるので、処理液の飛散が防止され、処理液の
回収率を向上させることが可能となる。
【００３６】次に、上述した本実施形態に係る基板処理
装置を備えた基板処理ユニットについて説明する。ここ
での基板処理装置は、薄膜が形成された半導体ウエハ
(以下、単にウエハという)を処理対象の基板とし、処理
液としてエッチング液を用いてウエハをエッチング処理
する例について説明するが、本発明はこれに限られるも
のではない。
装置を備えた基板処理ユニットについて説明する。ここ
での基板処理装置は、薄膜が形成された半導体ウエハ
(以下、単にウエハという)を処理対象の基板とし、処理
液としてエッチング液を用いてウエハをエッチング処理
する例について説明するが、本発明はこれに限られるも
のではない。
【００３７】図４は本実施形態に係る基板処理装置を備
えた基板処理ユニットの概略平面図である。図４に示す
ように、基板処理ユニットは、複数のウエハＷが収納さ
れる２基のウエハカセット５１ａ，５１ｂと、ウエハＷ
をエッチング処理する基板処理装置５２と、エッチング
処理の終了したウエハＷを洗浄する基板洗浄装置５３
と、洗浄が終了したウエハＷを乾燥させる基板乾燥装置
５４とを備えている。また、基板処理ユニットは、上述
した各装置間でウエハＷを搬送するための第１搬送ロボ
ット５５ａ及び第２搬送ロボット５５ｂと、これらの搬
送ロボット間でウエハＷを受け渡すために一時的にウエ
ハＷを仮置きする搬送バッファステージ５６とを備えて
いる。
えた基板処理ユニットの概略平面図である。図４に示す
ように、基板処理ユニットは、複数のウエハＷが収納さ
れる２基のウエハカセット５１ａ，５１ｂと、ウエハＷ
をエッチング処理する基板処理装置５２と、エッチング
処理の終了したウエハＷを洗浄する基板洗浄装置５３
と、洗浄が終了したウエハＷを乾燥させる基板乾燥装置
５４とを備えている。また、基板処理ユニットは、上述
した各装置間でウエハＷを搬送するための第１搬送ロボ
ット５５ａ及び第２搬送ロボット５５ｂと、これらの搬
送ロボット間でウエハＷを受け渡すために一時的にウエ
ハＷを仮置きする搬送バッファステージ５６とを備えて
いる。
【００３８】各ウエハカセット５１ａ，５１ｂには、ウ
エハＷを収納する収納棚（図示せず）が複数段設けられ
ており、各収納棚には１枚ずつ処理対象となるウエハＷ
が収納されている。ウエハカセット５１ａ，５１ｂに収
納されたウエハＷは、第１搬送ロボット５５ａにより取
り出され、搬送バッファステージ５６を介して第２搬送
ロボット５５ｂに受け渡される。第２搬送ロボット５５
ｂに受け渡されたウエハＷは、まず、基板処理装置５２
に搬入され、この基板処理装置５２においてエッチング
処理が行われる。なお、この基板処理装置５２の構成及
び処理動作は上述した通りである。ここで、エッチング
処理に使用するエッチング液としては、例えば、ウエハ
Ｗに付着乃至成膜された銅をエッチング処理対象とする
場合は、酸溶液と酸化剤溶液とを組み合わせて用い、酸
溶液と酸化剤溶液とを同時または交互に供給することで
エッチング処理を行う。この場合、酸溶液としては非酸
化成性の酸であればよく、例えば、フッ酸、塩酸、硫
酸、クエン酸、蓚酸などが用いられ、酸化剤溶液として
は、オゾン水、過酸化水素水、硝酸水、次亜塩素酸ナト
リウム水などが用いられる。
エハＷを収納する収納棚（図示せず）が複数段設けられ
ており、各収納棚には１枚ずつ処理対象となるウエハＷ
が収納されている。ウエハカセット５１ａ，５１ｂに収
納されたウエハＷは、第１搬送ロボット５５ａにより取
り出され、搬送バッファステージ５６を介して第２搬送
ロボット５５ｂに受け渡される。第２搬送ロボット５５
ｂに受け渡されたウエハＷは、まず、基板処理装置５２
に搬入され、この基板処理装置５２においてエッチング
処理が行われる。なお、この基板処理装置５２の構成及
び処理動作は上述した通りである。ここで、エッチング
処理に使用するエッチング液としては、例えば、ウエハ
Ｗに付着乃至成膜された銅をエッチング処理対象とする
場合は、酸溶液と酸化剤溶液とを組み合わせて用い、酸
溶液と酸化剤溶液とを同時または交互に供給することで
エッチング処理を行う。この場合、酸溶液としては非酸
化成性の酸であればよく、例えば、フッ酸、塩酸、硫
酸、クエン酸、蓚酸などが用いられ、酸化剤溶液として
は、オゾン水、過酸化水素水、硝酸水、次亜塩素酸ナト
リウム水などが用いられる。
【００３９】基板処理装置５２においてエッチング処理
がなされた後、ウエハＷは第２搬送ロボット５５ｂによ
り基板洗浄装置５３に搬入される。基板洗浄装置５３
は、ウエハＷを洗浄するためのロールスポンジ（図示せ
ず）を備えており、ウエハを保持して回転させながらウ
エハにロールスポンジを接触させることによりウエハを
洗浄するように構成されている。そして、この基板洗浄
装置５３により、エッチング処理により生成された生成
物などが洗浄される。洗浄後のウエハＷは第２搬送ロボ
ット５５ｂにより基板洗浄装置５３から基板乾燥装置５
４に搬送される。基板乾燥装置５４は、ウエハを高速回
転させて乾燥させるスピンドライ処理部(図示せず)を備
えており、このスピンドライ処理部によりウエハＷに付
着した洗浄液などが乾燥処理される。乾燥処理が終了し
たウエハＷは、第１搬送ロボット５５ａにより搬送され
て、ウエハカセット５１ａ，５１ｂに収納され、ここ
で、一連の処理工程が終了する。このように、本実施形
態に係る基板処理装置は、基板のエッチング処理、洗浄
処理、乾燥処理などの種々の処理工程を行う基板処理ユ
ニットに好適に用いることができる。
がなされた後、ウエハＷは第２搬送ロボット５５ｂによ
り基板洗浄装置５３に搬入される。基板洗浄装置５３
は、ウエハＷを洗浄するためのロールスポンジ（図示せ
ず）を備えており、ウエハを保持して回転させながらウ
エハにロールスポンジを接触させることによりウエハを
洗浄するように構成されている。そして、この基板洗浄
装置５３により、エッチング処理により生成された生成
物などが洗浄される。洗浄後のウエハＷは第２搬送ロボ
ット５５ｂにより基板洗浄装置５３から基板乾燥装置５
４に搬送される。基板乾燥装置５４は、ウエハを高速回
転させて乾燥させるスピンドライ処理部(図示せず)を備
えており、このスピンドライ処理部によりウエハＷに付
着した洗浄液などが乾燥処理される。乾燥処理が終了し
たウエハＷは、第１搬送ロボット５５ａにより搬送され
て、ウエハカセット５１ａ，５１ｂに収納され、ここ
で、一連の処理工程が終了する。このように、本実施形
態に係る基板処理装置は、基板のエッチング処理、洗浄
処理、乾燥処理などの種々の処理工程を行う基板処理ユ
ニットに好適に用いることができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理が必要とされる基板の下面及び外周縁を同時に処理
することができるので、基板の処理時間を短縮させるこ
とが可能となる。さらに、本発明によれば、処理が必要
とされない基板の上面は所定の気体が供給されることに
より保護されるため、処理液や処理液の蒸気が基板の上
面に侵入することを防止することが可能となる。
処理が必要とされる基板の下面及び外周縁を同時に処理
することができるので、基板の処理時間を短縮させるこ
とが可能となる。さらに、本発明によれば、処理が必要
とされない基板の上面は所定の気体が供給されることに
より保護されるため、処理液や処理液の蒸気が基板の上
面に侵入することを防止することが可能となる。
【００４１】また、基板は回転する回転用コロに保持さ
れるので、回転用コロと基板との接触箇所が常に移動す
ることになり、接触箇所にも処理液を供給して処理する
ことが可能となる。したがって、基板を保持し直して再
度処理する必要がないため、処理時間を更に短縮させる
ことが可能となる。さらに、基板の回転速度は比較的低
速であるので、処理液の飛散が防止され、処理液の回収
率を向上させることが可能となる。
れるので、回転用コロと基板との接触箇所が常に移動す
ることになり、接触箇所にも処理液を供給して処理する
ことが可能となる。したがって、基板を保持し直して再
度処理する必要がないため、処理時間を更に短縮させる
ことが可能となる。さらに、基板の回転速度は比較的低
速であるので、処理液の飛散が防止され、処理液の回収
率を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略
平面図である。
平面図である。
【図３】図３(ａ)は本発明の一実施形態に係る基板処理
装置の外周縁処理部の概略拡大図であり、図３（ｂ）は
処理対象となる基板の外周縁の拡大図である。
装置の外周縁処理部の概略拡大図であり、図３（ｂ）は
処理対象となる基板の外周縁の拡大図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を備え
た基板処理ユニットの概略平面図である。
た基板処理ユニットの概略平面図である。
１ 基板保持部
２ 下面処理部
３ 外周縁処理部
４ 処理液供給部
５ 気体供給部
６ 処理液回収部
１１ 回転用コロ
１４ 第１対向部材
１５ 処理液流通孔
１６ 処理液貯留槽
１７ ポンプ
１８ 配管
１９ フィルタ
２０ 加温装置
２１ 純水供給孔
２２ 第１純水噴射装置
２３ 第２純水噴射装置
２５ 処理用コロ
２６ 溝
２７ 基台
２８ パルス制御モータ
２９ 雄ネジ部材
３１ 第２対向部材
３２ 気体流通孔
３５ 回収用傾斜板
３６ 気水分離器
３７ 第１切替弁
３８ 第２切替弁
３９ ガス排気口
４０ ドレイン口
５１ ウエハカセット
５２ 基板処理装置
５３ 基板洗浄装置
５４ 基板乾燥装置
５５ 搬送ロボット
５６ 搬送バッファステージ
Ｗ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ
(72)発明者 井上 雄貴
東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社
荏原製作所内
(72)発明者 木原 幸子
東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社
荏原製作所内
Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 DA01 HA09 HA24
HA48 KA02 LA12 MA23 MA24
NA04
5F043 AA21 AA29 BB15 BB30 EE01
EE21 EE27 EE33 EE35 EE40
Claims (12)
- 【請求項１】 基板を保持して回転させる基板保持部
と、前記基板保持部により保持された基板の下面に処理
液を供給して基板の下面を処理する下面処理部と、前記
基板保持部により保持された基板の外周縁に処理液を供
給して基板の外周縁を処理する外周縁処理部と、前記下
面処理部及び前記外周縁処理部に処理液を供給する処理
液供給部と、前記基板保持部により保持された基板の上
面に所定の気体を供給する気体供給部とを備えたことを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記基板保持部は、基板の外周面に当接
する複数の回転用コロと、前記回転用コロを回転駆動す
る駆動源とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の
基板処理装置。 - 【請求項３】 前記下面処理部は、前記基板保持部によ
り保持された基板の下面に対向する平坦部を有する第１
対向部材と、前記第１対向部材の平坦部で開口する処理
液流通孔とを備えたことを特徴とする請求項１又は２に
記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記第１対向部材と前記基板保持部によ
り保持された基板との距離は０．５〜４ｍｍの範囲内で
あることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記外周縁処理部は、前記基板保持部に
保持された基板に接近及び離間可能なように可動に構成
されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
に記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記外周縁処理部は回転自在な処理用コ
ロを備え、前記処理用コロの外周面に、前記基板保持部
により保持された基板の外周縁を囲むように形成された
溝を設けたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
に記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記処理液供給部は、処理液を貯留する
処理液貯留槽と、前記処理液貯留槽に貯留された処理液
を昇温する加温装置と、前記処理液貯留槽と前記加温装
置との間で処理液を循環させる循環手段とを備えたこと
を特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処
理装置。 - 【請求項８】 前記気体供給部は、前記基板保持部によ
り保持された基板の上面に対向して配置された第２対向
部材と、前記基板保持部により保持された基板と前記第
２対向部材との間に形成された空間に所定の気体を供給
する気体供給手段とを備えたことを特徴とする請求項１
乃至７のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項９】 前記第２対向部材は円形に形成されてお
り、前記第２対向部材の直径は基板の直径よりも小さい
ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。 - 【請求項１０】 前記第２対向部材と前記基板保持部に
より保持された基板との距離は０．５〜５ｍｍの範囲内
であることを特徴とする請求項８又は９に記載の基板処
理装置。 - 【請求項１１】 前記下面処理部及び前記外周縁処理部
から基板に供給された処理液を回収して前記処理液供給
部に供給する処理液回収部を備えたことを特徴とする請
求項１乃至１０のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項１２】 前記処理液はエッチング液であること
を特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の基板
処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317865A JP2003124180A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 基板処理装置 |
| US10/485,983 US20040216841A1 (en) | 2001-10-16 | 2002-10-15 | Substrate processing apparatus |
| KR10-2004-7003166A KR20040053118A (ko) | 2001-10-16 | 2002-10-15 | 기판처리장치 |
| PCT/JP2002/010655 WO2003034479A1 (en) | 2001-10-16 | 2002-10-15 | Substrate processing apparatus |
| EP02801560A EP1436832A1 (en) | 2001-10-16 | 2002-10-15 | Substrate processing apparatus |
| TW091123665A TW564474B (en) | 2001-10-16 | 2002-10-15 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001317865A JP2003124180A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124180A true JP2003124180A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19135668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001317865A Withdrawn JP2003124180A (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 基板処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040216841A1 (ja) |
| EP (1) | EP1436832A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003124180A (ja) |
| KR (1) | KR20040053118A (ja) |
| TW (1) | TW564474B (ja) |
| WO (1) | WO2003034479A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011139099A (ja) * | 2011-03-31 | 2011-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
| JP2011159989A (ja) * | 2011-03-31 | 2011-08-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
| JP2011211094A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2019239727A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR20240062931A (ko) | 2022-10-31 | 2024-05-09 | 에바라코포레이숀 | 기판 처리 장치, 연마 장치, 및 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170064003A (ko) | 2003-04-10 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
| CN104597717B (zh) | 2003-04-10 | 2017-09-05 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
| US7883739B2 (en) | 2003-06-16 | 2011-02-08 | Lam Research Corporation | Method for strengthening adhesion between dielectric layers formed adjacent to metal layers |
| KR101504445B1 (ko) | 2004-03-25 | 2015-03-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7714441B2 (en) * | 2004-08-09 | 2010-05-11 | Lam Research | Barrier layer configurations and methods for processing microelectronic topographies having barrier layers |
| DE102005019330A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Transportsystem für ein scheibenförmiges Objekt und System zur Inspektion eines scheibenförmigen Objekts |
| JP4796902B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2011-10-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板のスピン処理装置 |
| JP4841376B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| KR100777658B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2007-11-19 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판을 처리하는 방법 |
| US20080026598A1 (en) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Taek Yong Jang | Semiconductor manufacturing device and method |
| KR100918663B1 (ko) * | 2007-08-22 | 2009-09-22 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 제조 장치 |
| TWI451519B (zh) * | 2010-10-19 | 2014-09-01 | Au Optronics Corp | 基板運輸處理方法 |
| JP6100487B2 (ja) | 2012-08-20 | 2017-03-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3027934A1 (de) * | 1980-07-23 | 1982-02-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur einseitigen aetzung von halbleiterscheiben |
| US4600463A (en) * | 1985-01-04 | 1986-07-15 | Seiichiro Aigo | Treatment basin for semiconductor material |
| JPH02130922A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Toshiba Corp | 半導体基板エッチング装置 |
| JPH0878378A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| JPH09213674A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体基板のエッチング方法とその装置 |
| US5861066A (en) * | 1996-05-01 | 1999-01-19 | Ontrak Systems, Inc. | Method and apparatus for cleaning edges of contaminated substrates |
| DE19622015A1 (de) * | 1996-05-31 | 1997-12-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage |
| US6398975B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-06-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate |
| JP3731634B2 (ja) * | 1998-12-16 | 2006-01-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP3395696B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2003-04-14 | 日本電気株式会社 | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 |
-
2001
- 2001-10-16 JP JP2001317865A patent/JP2003124180A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-10-15 US US10/485,983 patent/US20040216841A1/en not_active Abandoned
- 2002-10-15 TW TW091123665A patent/TW564474B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-15 WO PCT/JP2002/010655 patent/WO2003034479A1/en not_active Application Discontinuation
- 2002-10-15 KR KR10-2004-7003166A patent/KR20040053118A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-10-15 EP EP02801560A patent/EP1436832A1/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011211094A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8734593B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-05-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US9576787B2 (en) | 2010-03-30 | 2017-02-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
| JP2011139099A (ja) * | 2011-03-31 | 2011-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
| JP2011159989A (ja) * | 2011-03-31 | 2011-08-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
| WO2019239727A1 (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2019220514A (ja) * | 2018-06-15 | 2019-12-26 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR20240062931A (ko) | 2022-10-31 | 2024-05-09 | 에바라코포레이숀 | 기판 처리 장치, 연마 장치, 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1436832A1 (en) | 2004-07-14 |
| WO2003034479A1 (en) | 2003-04-24 |
| KR20040053118A (ko) | 2004-06-23 |
| TW564474B (en) | 2003-12-01 |
| US20040216841A1 (en) | 2004-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003124180A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3944368B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| EP1055463B1 (en) | Apparatus and method for plating a metal plating layer onto a surface of a seed layer of a wafer | |
| US6683007B1 (en) | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatus used therefor | |
| TWI406351B (zh) | Cleaning equipment, cleaning methods and memory media | |
| WO2001084621A1 (en) | Rotation holding device and semiconductor substrate processing device | |
| WO2020110709A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2008109058A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2005327807A (ja) | 枚葉式洗浄装置及びその洗浄方法 | |
| WO2005043611A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP3838946B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2003203900A (ja) | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 | |
| JP2005194613A (ja) | 基板の湿式処理方法及び処理装置 | |
| KR20080009838A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP2006181426A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH03272140A (ja) | 半導体基板の薬品処理装置 | |
| JP2000208466A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP3289469B2 (ja) | 基板の洗浄装置と洗浄方法 | |
| KR20100060094A (ko) | 기판 이면 세정 방법 | |
| TWI791956B (zh) | 基板處理裝置以及基板處理方法 | |
| JP2005175036A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2006108349A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR100840127B1 (ko) | 웨이퍼 백사이드 세정시스템 및 이를 이용한 웨이퍼백사이드 세정방법 | |
| JP2005032915A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH08279482A (ja) | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040205 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050922 |