KR20220088320A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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쿄세이 고토
히로키 아소
다이스케 사이키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 개시는, 기판의 표면에 형성된 금속 다결정막을 에칭 처리할 시에, 에칭 잔사를 효과적으로 제거하는 것이 가능한 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 설명한다. 기판 처리 방법은, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급하는 제 1 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 1 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하는 제 2 공정과, 기판을 회전시키면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급하는 제 3 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 3 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하는 제 4 공정과, 제 4 공정 후에, 기판을 건조시키는 제 5 공정을 포함한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허 문헌 1은, 기판의 표면에 형성된 자연 산화막 중, 기판의 주연부에 위치하는 부분에 대하여, 불산 등의 약액을 공급하고, 당해 막을 에칭 처리에 의해 제거하는 기판 처리 방법을 개시하고 있다.
특허 문헌 1 : 일본특허공개공보 2019-040958호
본 개시는, 기판의 표면에 형성된 금속 다결정막을 에칭 처리할 시에, 에칭 잔사를 효과적으로 제거하는 것이 가능한 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 설명한다.
기판 처리 방법의 일례는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급하여, 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 두께 방향에 있어서 부분적으로 에칭 처리하는 제 1 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 1 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 제 1 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 공정과, 기판을 회전시키면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급하여, 주연부에 있어서의 금속 다결정막의 잔부를 에칭 처리하는 제 3 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 3 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 제 3 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 4 공정과, 제 4 공정 후에, 기판을 건조시키는 제 5 공정을 포함한다.
본 개시에 따른 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 의하면, 기판의 표면에 형성된 금속 다결정막을 에칭 처리할 시에, 에칭 잔사를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.
도 1은 기판 처리 시스템의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 기판 및 금속 다결정막의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 처리 유닛의 일례를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 4는 도 3의 처리 유닛의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 기판 처리 시스템의 주요부의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 6은 컨트롤러의 하드웨어 구성의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 7은 기판의 처리 순서의 일례를 설명하기 위한 순서도이다.
도 8은 기판의 처리 순서의 일례를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 기판의 처리 순서의 일례를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 도 9의 후속의 순서의 일례를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 기판 처리의 일례에 있어서의, 각 액의 유량, 가스의 유량 및 기판의 회전수의 시간 변화를 나타내는 도이다.
도 12는 기판의 처리 순서의 비교예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 13은 기판 처리의 다른 예에 있어서의, 각 액의 유량, 가스의 유량 및 기판의 회전수의 시간 변화를 나타내는 도이다.
도 14는 기판의 처리 순서의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 기판 처리의 다른 예에 있어서의, 각 액의 유량 및 기판의 회전수의 시간 변화를 나타내는 도이다.
도 16은 처리 유닛의 다른 예의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 17은 기판 처리의 다른 예에 있어서의, 각 액의 유량 및 기판의 회전수의 시간 변화를 나타내는 도이다.
도 18은 기판 처리의 다른 예에 있어서의, 각 액의 유량 및 기판의 회전수의 시간 변화를 나타내는 도이다.
도 19는 기판 처리의 다른 예에 있어서의, 노즐로부터의 린스액의 토출각의 변화를 설명하기 위한 상면도이다.
도 20은 기판의 처리 순서의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 21은 기판 처리의 다른 예에 있어서의, 각 액의 유량 및 기판의 회전수의 시간 변화를 나타내는 도이다.
도 22는 기판의 중심으로부터의 거리와, 금속 다결정막의 에칭 레이트와의 관계의 일례를 나타내는 도이다.
도 23은 기판의 처리 순서의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 24는 기판 처리의 다른 예에 있어서의, 각 액의 유량 및 기판의 회전수의 시간 변화를 나타내는 도이다.
도 25는 기판의 처리 순서의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 26의 (a)는 도 25의 (b)를 부분적으로 나타내는 확대도이며, 도 26의 (b)는 도 25의 (c)를 부분적으로 나타내는 확대도이다.
도 27은 기판 처리의 다른 예에 있어서의, 각 액의 유량 및 기판의 회전수의 시간 변화를 나타내는 도이다.
도 28은 처리 유닛의 다른 예를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 29는 기판의 처리 순서의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
이하의 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일 부호를 이용하는 것으로 하여, 중복되는 설명은 생략한다. 또한 본 명세서에 있어서, 도면의 상, 하, 우, 좌라고 할 때는, 도면 중의 부호의 방향을 기준으로 하는 것으로 한다.
[기판 처리 시스템]
먼저, 도 1을 참조하여, 기판(W)을 처리하도록 구성된 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치)에 대하여 설명한다. 기판 처리 시스템(1)은 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)과, 컨트롤러(Ctr)(제어부)를 구비한다. 반입반출 스테이션(2) 및 처리 스테이션(3)은 예를 들면 수평 방향으로 일렬로 배열되어 있어도 된다.　
기판(W)은 원판 형상을 나타내도 되고, 다각형 등 원형 이외의 판 형상을 나타내고 있어도 된다. 기판(W)은, 일부가 잘라내진 홈부를 가지고 있어도 된다. 홈부는, 예를 들면, 노치(U자형, V자형 등의 홈)여도 되고, 직선 형상으로 연장되는 직선부(이른바, 오리엔테이션 플랫)여도 된다. 기판(W)은, 예를 들면, 반도체 기판(실리콘 웨이퍼), 글라스 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 기판 그 외의 각종 기판이어도 된다. 기판(W)의 직경은, 예를 들면 200 mm ~ 450 mm 정도여도 된다.　
도 2에 예시되는 바와 같이, 기판(W)의 표면(Wa)에는, 금속 다결정막(F)이 형성되어 있다. 금속 다결정막(F)은, 다수의 금속의 결정립(G)이 집합된 다결정에 의해 구성되어 있다. 당해 금속은, 예를 들면, 질화 티탄, 산화 티탄, 티탄, 텅스텐, 탄탈, 질화 탄탈, 알루미늄, 산화 알루미늄, 구리, 루테늄, 산화 지르코늄, 산화 하프늄 등이어도 된다. 이들 결정립(G)끼리의 계면은, 결정립계(B)라 불리고, 결정립(G)끼리의 방향이 상이한 불연속면으로 되어 있다.　
도 1로 돌아와, 반입반출 스테이션(2)은 배치부(4)와, 반입반출부(5)와, 선반 유닛(6)을 포함한다. 배치부(4)는 폭 방향(도 1의 상하 방향)에 있어서 배열되는 복수의 배치대(도시하지 않음)를 포함하고 있다. 각 배치대는, 캐리어(7)(수용 용기)를 배치 가능하게 구성되어 있다. 캐리어(7)는, 적어도 하나의 기판(W)을 밀봉 상태로 수용하도록 구성되어 있다. 캐리어(7)는, 기판(W)을 출입하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)를 포함한다.　
반입반출부(5)는, 반입반출 스테이션(2) 및 처리 스테이션(3)이 배열되는 방향(도 1의 좌우 방향)에 있어서, 배치부(4)에 인접하여 배치되어 있다. 반입반출부(5)는, 배치부(4)에 대응하여 마련된 개폐 도어(도시하지 않음)를 포함한다. 배치부(4) 상에 캐리어(7)가 배치된 상태로, 캐리어(7)의 개폐 도어와 반입반출부(5)의 개폐 도어가 모두 개방됨으로써, 반입반출부(5) 내와 캐리어(7) 내가 연통한다.
반입반출부(5)는, 반송 암(A1) 및 선반 유닛(6)을 내장하고 있다. 반송 암(A1)은, 반입반출부(5)의 폭 방향(도 1의 상하 방향)에 있어서의 수평 이동과, 연직 방향에 있어서의 상하동과, 연직축 둘레에 있어서의 선회 동작이 가능하게 구성되어 있다. 반송 암(A1)은, 캐리어(7)로부터 기판(W)을 취출하여 선반 유닛(6)에 건네주고, 또한, 선반 유닛(6)으로부터 기판(W)을 수취하여 캐리어(7) 내로 되돌리도록 구성되어 있다. 선반 유닛(6)은, 처리 스테이션(3)의 근방에 위치하고 있고, 반입반출부(5)와 처리 스테이션(3)과의 사이에서의 기판(W)의 전달을 중개하도록 구성되어 있다.　
처리 스테이션(3)은 반송부(8)와, 복수의 처리 유닛(10)을 포함한다. 반송부(8)는, 예를 들면, 반입반출 스테이션(2) 및 처리 스테이션(3)이 배열되는 방향(도 1의 좌우 방향)에 있어서 수평으로 연장되어 있다. 반송부(8)는, 반송 암(A2)을 내장하고 있다. 반송 암(A2)은, 반송부(8)의 긴 방향(도 1의 좌우 방향)에 있어서의 수평 이동과, 연직 방향에 있어서의 상하동과, 연직축 둘레에 있어서의 선회 동작이 가능하게 구성되어 있다. 반송 암(A2)은, 선반 유닛(6)으로부터 기판(W)을 취출하여 각 처리 유닛(10)에 건네주고, 또한, 각 처리 유닛(10)으로부터 기판(W)을 수취하여 선반 유닛(6) 내로 되돌리도록 구성되어 있다.　
복수의 처리 유닛(10)은, 반송부(8)의 양측의 각각에 있어서, 반송부(8)의 긴 방향(도 1의 좌우 방향)을 따라 일렬로 배열되도록 배치되어 있다. 처리 유닛(10)은, 기판(W)에 정해진 처리(예를 들면, 금속 다결정막(F)의 에칭 처리, 기판(W)의 세정 처리 등)를 행하도록 구성되어 있다. 처리 유닛(10)의 상세에 대해서는 후술한다.
컨트롤러(Ctr)는, 기판 처리 시스템(1)을 부분적 또는 전체적으로 제어하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(Ctr)의 상세에 대해서는 후술한다.　
[처리 유닛]
이어서, 도 3 및 도 4를 참조하여, 처리 유닛(10)에 대하여 상세하게 설명한다. 처리 유닛(10)은 회전 유지부(20)와, 약액 공급부(30)와, 린스액 공급부(40)와, 가열부(50)와, 촬상부(60)를 구비한다.　
회전 유지부(20)는 회전부(21)와, 샤프트(22)와, 유지부(23)를 포함한다. 회전부(21)는 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 샤프트(22)를 회전시키도록 구성되어 있다. 회전부(21)는, 예를 들면 전동 모터 등의 동력원이어도 된다.　
유지부(23)는, 샤프트(22)의 선단부에 마련되어 있다. 유지부(23)는, 예를 들면 흡착 등에 의해, 기판(W)의 이면(Wb)을 흡착 유지하도록 구성되어 있다. 즉, 회전 유지부(20)는, 기판(W)의 자세가 대략 수평인 상태에서, 기판(W)의 표면(Wa)에 대하여 수직인 중심축(회전축) 둘레로 기판(W)을 회전시키도록 구성되어 있어도 된다. 도 3 등에 예시되는 바와 같이, 회전 유지부(20)는, 상방에서 봤을 때 시계 방향으로 기판(W)을 회전시켜도 된다. 또한 유지부(23)는, 기판(W)의 이면(Wb) 전체를 흡착 유지하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 기판(W)에 휨 등이 있어도, 기판(W)이 대략 수평이 되도록 교정된다.　
약액 공급부(30)는, 기판(W)에 에칭액(L1)을 공급하도록 구성되어 있다. 에칭액(L1)은, 예를 들면, 기판(W)의 표면(Wa)의 금속 다결정막(F)을 제거하기 위한 알칼리성 또는 산성의 약액을 포함한다. 알칼리성의 약액은, 예를 들면, SC-1액(암모니아, 과산화 수소 및 순수의 혼합액) 등을 포함한다. 산성의 약액은, 예를 들면, SC-2액(염산, 과산화 수소수 및 순수의 혼합액), SPM(황산 및 과산화 수소수의 혼합액), HF/HNO3액(불산 및 질산의 혼합액) 등을 포함한다.　
약액 공급부(30)는 액원(31)과, 펌프(32)와, 밸브(33)와, 노즐(34)과, 배관(35)과, 구동원(36)을 포함한다. 액원(31)은, 에칭액(L1)의 공급원이다. 펌프(32)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 액원(31)으로부터 흡인한 에칭액(L1)을, 배관(35) 및 밸브(33)를 거쳐 노즐(34)로 보내도록 구성되어 있다.　
밸브(33)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 배관(35)에 있어서의 유체의 유통을 허용하는 개방 상태와, 배관(35)에 있어서의 유체의 유통을 방해하는 폐쇄 상태와의 사이에서 천이하도록 구성되어 있다. 노즐(34)은, 토출구(34a)가 기판(W)의 표면(Wa)을 향하도록 기판(W)의 상방에 배치되어 있다. 노즐(34)은, 도 4에 예시되는 바와 같이, 펌프(32)로부터 보내진 에칭액(L1)을, 토출구(34a)로부터 기판(W)의 주연부(Wc)를 향해 토출하도록 구성되어 있다.　
기판(W)은 회전 유지부(20)에 의해 회전하고 있으므로, 주연부(Wc)에 토출된 에칭액(L1)은, 기판(W)의 전 둘레에 걸쳐 주연부(Wc)로 확산되면서, 기판(W)의 주연으로부터 외방으로 털어내진다. 이 때문에, 기판(W)에 있어서의 에칭액(L1)의 착액점의 근방에서는, 기판(W)의 직경 방향에 있어서의 에칭액(L1)의 폭이 비교적 크다. 한편, 에칭액(L1)의 하류측에서는, 기판(W)의 직경 방향에 있어서의 에칭액(L1)의 폭이 비교적 작아진다.　
도 3으로 돌아와, 배관(35)은, 상류측으로부터 차례로, 액원(31), 펌프(32), 밸브(33) 및 노즐(34)을 접속하고 있다. 구동원(36)은, 노즐(34)에 대하여 직접적 또는 간접적으로 접속되어 있다. 구동원(36)은, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 기판(W)의 상방에 있어서, 수평 방향 또는 연직 방향을 따라 노즐(34)을 이동시키도록 구성되어 있다.　
린스액 공급부(40)는, 기판(W)에 린스액(L2)을 공급하도록 구성되어 있다. 린스액(L2)은, 예를 들면, 기판(W)의 표면(Wa)에 공급된 에칭액(L1), 에칭액(L1)에 의한 금속 다결정막(F)의 용해 성분, 후술하는 에칭 잔사(RE) 등을, 기판(W)으로부터 제거하기(씻어내기) 위한 액이다. 린스액(L2)은, 예를 들면, 순수(DIW : deionized water), 오존수, 탄산수(CO2수), 암모니아수 등을 포함한다.　
린스액 공급부(40)는 액원(41)과, 펌프(42)와, 밸브(43)와, 노즐(44)과, 배관(45)과, 구동원(46)을 포함한다. 액원(41)은, 린스액(L2)의 공급원이다. 펌프(42)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 액원(41)으로부터 흡인한 린스액(L2)을, 배관(45) 및 밸브(43)를 거쳐 노즐(44)로 보내도록 구성되어 있다.
밸브(43)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 배관(45)에 있어서의 유체의 유통을 허용하는 개방 상태와, 배관(45)에 있어서의 유체의 유통을 방해하는 폐쇄 상태와의 사이에서 천이하도록 구성되어 있다. 노즐(44)은, 토출구(44a)가 기판(W)의 표면(Wa)을 향하도록 기판(W)의 상방에 배치되어 있다. 노즐(44)은, 노즐(34)과 마찬가지로, 펌프(42)로부터 보내진 린스액(L2)을, 토출구(44a)로부터 기판(W)의 주연부(Wc)를 향해 토출하도록 구성되어 있다. 기판(W) 상의 에칭액(L1) 등을 린스액(L2)으로 씻어내기 위하여, 기판(W)에 있어서의 린스액(L2)의 착액점은, 에칭액(L1)의 착액점보다 기판(W)의 중심측으로 설정된다.　
기판(W)은 회전 유지부(20)에 의해 회전하고 있으므로, 주연부(Wc)에 토출된 린스액(L2)은, 에칭액(L1)과 마찬가지로, 기판(W)의 전 둘레에 걸쳐 주연부(Wc)로 확산되면서, 기판(W)의 주연으로부터 외방으로 털어내진다. 이 때문에, 기판(W)에 있어서의 린스액(L2)의 착액점의 근방에서는, 기판(W)의 직경 방향에 있어서의 린스액(L2)의 폭이 비교적 크다. 한편, 린스액(L2)의 하류측에서는, 기판(W)의 직경 방향에 있어서의 린스액(L2)의 폭이 비교적 작아진다.　
배관(45)은, 상류측으로부터 차례로, 액원(41), 펌프(42), 밸브(43) 및 노즐(44)을 접속하고 있다. 구동원(46)은, 노즐(44)에 대하여 직접적 또는 간접적으로 접속되어 있다. 구동원(46)은, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 기판(W)의 상방에 있어서, 수평 방향 또는 연직 방향을 따라 노즐(44)을 이동시키도록 구성되어 있다.　
가열부(50)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 기판(W)을 가열하도록 구성되어 있다. 가열부(50)는 가스원(51)과, 노즐(52)과, 배관(53)과, 가열원(54)을 포함한다. 가스원(51)은, 질소 등의 불활성 가스의 공급원이다.　
노즐(52)은, 토출구(52a)가 기판(W)의 이면(Wb)을 향하도록 기판(W)의 하방에 배치되어 있다. 노즐(52)은, 가스원(51)으로부터의 불활성 가스를 기판(W)의 이면(Wb)을 향해 토출하도록 구성되어 있다. 배관(53)은, 가스원(51)과 노즐(52)을 접속하고 있다.　
가열원(54)은, 예를 들면 저항 가열 히터 등이며, 배관(53)을 흐르는 불활성 가스를 가열하도록 구성되어 있다. 이 때문에, 기판(W)의 이면(Wb)에는 가열된 불활성 가스가 공급된다. 따라서, 기판(W)이 정해진 온도(예를 들면, 50℃ ~ 80℃ 정도)로 가열된다. 이에 의해, 기판(W)에 공급되는 에칭액(L1)에 의한 금속 다결정막(F)의 에칭 처리가 촉진된다.　
촬상부(60)는, 도 3 및 도 4에 예시되는 바와 같이, 기판(W)의 주연부(Wc)의 상방에 배치되어 있다. 촬상부(60)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 기판(W)의 주연부(Wc)의 일부를 촬상하도록 구성되어 있다. 촬상부(60)는, 촬상 화상을 컨트롤러(Ctr)로 송신하도록 구성되어 있다. 촬상부(60)는, 예를 들면, CCD 카메라, COMS 카메라 등이어도 된다. 촬상부(60)의 설치 개소는, 처리 유닛(10) 내이면 특별히 제한되지 않는다.　
촬상부(60)는, 도 4에 예시되는 바와 같이, 기판(W)의 주연부(Wc) 중 에칭액(L1)의 하류측의 부분을 촬상하도록 구성되어 있어도 된다. 에칭액(L1)의 하류측일수록 에칭 잔사(RE)가 기판(W)에 잔존하기 쉬워, 에칭 잔사(RE)의 콘트라스트를 화상 처리에 의해 인식하기 쉽기 때문이다.　
[컨트롤러의 상세]
컨트롤러(Ctr)는, 도 5에 나타나는 바와 같이, 기능 모듈로서, 판독부(M1)와, 기억부(M2)와, 처리부(M3)와, 지시부(M4)를 가진다. 이들 기능 모듈은, 컨트롤러(Ctr)의 기능을 편의상 복수의 모듈로 구획한 것에 불과하며, 컨트롤러(Ctr)를 구성하는 하드웨어가 이러한 모듈로 나누어져 있는 것을 반드시 의미하는 것은 아니다. 각 기능 모듈은, 프로그램의 실행에 의해 실현되는 것에 한정되지 않고, 전용의 전기 회로(예를 들면 논리 회로), 또는, 이를 집적한 집적회로(ASIC : Application Specific Integrated Circuit)에 의해 실현되는 것이어도 된다.　
판독부(M1)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체(RM)로부터 프로그램을 판독하도록 구성되어 있다. 기록 매체(RM)는, 처리 유닛(10)을 포함하는 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 동작시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체(RM)는, 예를 들면, 반도체 메모리, 광 기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광자기 기록 디스크여도 된다. 또한 이하에서는, 기판 처리 시스템(1)의 각 부는, 회전 유지부(20), 약액 공급부(30), 린스액 공급부(40), 가열부(50) 및 촬상부(60)를 포함할 수 있다.　
기억부(M2)는, 각종 데이터를 기억하도록 구성되어 있다. 기억부(M2)는, 예를 들면, 판독부(M1)에 있어서 기록 매체(RM)로부터 읽어낸 프로그램, 외부 입력 장치(도시하지 않음)를 개재하여 오퍼레이터로부터 입력된 설정 데이터 등을 기억해도 된다. 기억부(M2)는, 촬상부(60)에 의해 촬상된 촬상 화상의 데이터를 기억해도 된다. 기억부(M2)는, 기판(W)의 처리를 위한 처리 조건 등을 기억해도 된다.　
처리부(M3)는, 각종 데이터를 처리하도록 구성되어 있다. 처리부(M3)는, 예를 들면, 기억부(M2)에 기억되어 있는 각종 데이터에 기초하여, 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 동작시키기 위한 신호를 생성해도 된다.　
지시부(M4)는, 처리부(M3)에 있어서 생성된 동작 신호를, 기판 처리 시스템(1)의 각 부로 송신하도록 구성되어 있다.　
컨트롤러(Ctr)의 하드웨어는, 예를 들면 하나 또는 복수의 제어용의 컴퓨터에 의해 구성되어 있어도 된다. 컨트롤러(Ctr)는, 도 6에 나타나는 바와 같이, 하드웨어 상의 구성으로서 회로(C1)를 포함하고 있어도 된다. 회로(C1)는, 전기 회로 요소(circuitry)로 구성되어 있어도 된다. 회로(C1)는, 예를 들면, 프로세서(C2)와, 메모리(C3)와, 스토리지(C4)와, 드라이버(C5)와, 입출력 포트(C6)를 포함하고 있어도 된다.　
프로세서(C2)는, 메모리(C3) 및 스토리지(C4) 중 적어도 일방과 협동하여 프로그램을 실행하고, 입출력 포트(C6)를 개재한 신호의 입출력을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 실현하도록 구성되어 있어도 된다. 메모리(C3) 및 스토리지(C4)는, 기억부(M2)로서 기능해도 된다. 드라이버(C5)는, 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 각각 구동하도록 구성된 회로여도 된다. 입출력 포트(C6)는, 드라이버(C5)와 기판 처리 시스템(1)의 각 부와의 사이에서, 신호의 입출력을 중개하도록 구성되어 있어도 된다.　
기판 처리 시스템(1)은, 1 개의 컨트롤러(Ctr)를 구비하고 있어도 되고, 복수의 컨트롤러(Ctr)로 구성되는 컨트롤러군(제어부)을 구비하고 있어도 된다. 기판 처리 시스템(1)이 컨트롤러군을 구비하고 있는 경우에는, 상기의 기능 모듈이 각각, 1 개의 컨트롤러(Ctr)에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 컨트롤러(Ctr)의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 컨트롤러(Ctr)가 복수의 컴퓨터(회로(C1))로 구성되어 있는 경우에는, 상기의 기능 모듈이 각각, 1 개의 컴퓨터(회로(C1))에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 컴퓨터(회로(C1))의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 컨트롤러(Ctr)는, 복수의 프로세서(C2)를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 상기의 기능 모듈이 각각, 1 개의 프로세서(C2)에 의해 실현되어 있어도 되고, 2 개 이상의 프로세서(C2)의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다.　
[기판 처리 방법]
이어서, 도 7 ~ 도 11을 참조하여, 기판(W)에 형성되어 있는 금속 다결정막(F)을 에칭 처리하는 방법에 대하여 설명한다. 또한, 당해 방법의 개시 전에, 배치부(4)의 배치대에 캐리어(7)가 미리 배치된다. 당해 캐리어(7) 내에는, 표면(Wa)에 금속 다결정막(F)이 형성된 적어도 1 매의 기판(W)이 수용되어 있다.　
먼저, 컨트롤러(Ctr)가 반송 암(A1, A2)을 제어하여, 캐리어(7)로부터 기판(W)을 1 매 취출하고, 어느 하나의 처리 유닛(10) 내로 반송한다. 처리 유닛(10) 내로 반송된 기판(W)은, 유지부(23)에 배치된다.　
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20)를 제어하여, 기판(W)의 이면을 유지부(23)로 흡착 유지하고, 또한, 기판(W)을 회전시킨다. 이 상태에서, 컨트롤러(Ctr)가 약액 공급부(30)를 제어하여, 노즐(34)로부터 기판(W)의 주연부(Wc)로 에칭액(L1)을 정해진 시간 공급시킨다(도 7의 단계(S11) 및 도 8의 (a) 참조). 예를 들면, 도 8의 (a)에 나타나는 바와 같이, 노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 토출한 상태에서, 구동원(36)이 노즐(34)을, 기판(W)의 외측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 중심부측으로 이동시켜도 된다. 정해진 시간이 경과했을 때, 노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 토출한 상태에서, 구동원(36)이 노즐(34)을, 기판(W)의 중심부측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 외측으로 이동시켜도 된다.　
주연부(Wc)에 공급된 에칭액(L1)은, 기판(W)의 회전에 의해, 기판(W)의 전 둘레에 걸쳐 주연부(Wc)로 확산되고, 기판(W)의 주연으로부터 외방으로 털어내진다. 이 때문에, 노즐(34)로부터의 에칭액(L1)의 공급이 계속되고 있는 동안, 주연부(Wc)에 에칭액(L1)의 액막이 형성된다. 이에 의해, 금속 다결정막(F) 중 주연부(Wc)에 배치되어 있는 부분이 에칭된다. 단계(S11)에서는, 에칭액(L1)에 의해, 금속 다결정막(F)이 그 두께 방향에 있어서 부분적으로 에칭된다.　
이 때, 도 9의 (a)에 나타나는 바와 같이, 금속 다결정막(F)이 용해되는 것보다도 먼저 에칭액(L1)이 결정립계(B)에 침입하고, 결정립계(B)에 있어서 금속 다결정막(F)이 부분적으로 박리된다. 이에 의해, 박리된 금속 다결정막(F)의 일부가 에칭액(L1)에 녹지 않고 남아, 에칭 잔사(RE)가 발생한다.
단계(S11)에 있어서, 예를 들면, 이하의 처리 조건으로 기판(W)에 에칭액(L1)이 공급되어도 된다(도 11 참조).
기판(W)의 회전수 : 2400 rpm 정도
에칭액(L1)의 착액점 : 　 기판(W)의 주연으로부터 1.0 mm 정도의 위치
에칭액(L1)의 공급 시간 : 70 초 정도
에칭액(L1)의 토출 유량 : 15 ml/min 정도　
또한 단계(S11)에 앞서, 컨트롤러(Ctr)가 가열부(50)를 제어하여, 가열된 불활성 가스를 기판(W)에 공급해도 된다. 이 경우, 기판(W)이 정해진 온도로 가열되어, 에칭액(L1)에 의한 금속 다결정막(F)의 에칭이 촉진된다. 도 11에 예시되는 바와 같이, 불활성 가스의 공급 유량은, 250 l/min 정도여도 된다.
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20) 및 린스액 공급부(40)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 유지하면서, 노즐(44)로부터 기판(W)의 주연부(Wc)로 린스액(L2)을 정해진 시간 공급시킨다(도 7의 단계(S12) 및 도 8의 (b) 참조). 예를 들면, 도 8의 (b)에 나타나는 바와 같이, 노즐(44)로부터 린스액(L2)을 토출한 상태에서, 구동원(46)이 노즐(44)을, 기판(W)의 외측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 중심부측으로 이동시켜도 된다. 정해진 시간이 경과했을 때, 노즐(44)로부터 린스액(L2)을 토출한 상태에서, 구동원(46)이 노즐(44)을, 기판(W)의 중심부측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 외측으로 이동시켜도 된다.　
주연부(Wc)에 공급된 린스액(L2)은, 기판(W)의 회전에 의해, 기판(W)의 전 둘레에 걸쳐 주연부(Wc)로 확산되고, 기판(W)의 주연으로부터 외방으로 털어내진다. 이 때문에, 노즐(44)로부터의 린스액(L2)의 공급이 계속되고 있는 동안, 주연부(Wc)에 린스액(L2)의 액막이 형성된다. 이에 의해, 도 9의 (b)에 나타나는 바와 같이, 단계(S11)에 있어서 발생한 에칭 잔사(RE)가 린스액(L2)에 의해 씻겨내진다.
단계(S12)에 있어서, 예를 들면, 이하의 처리 조건으로 기판(W)에 린스액(L2)이 공급되어도 된다(도 11 참조).
기판(W)의 회전수 : 2400 rpm 정도
린스액(L2)의 착액점 : 기판(W)의 주연으로부터 1.5 mm 정도의 위치
린스액(L2)의 공급 시간 : 20 초 정도
린스액(L2)의 토출 유량 : 15 ml/min 정도　
또한 단계(S11)에 앞서 가열부(50)에 의한 기판(W)의 가열이 행해지고 있는 경우에는, 단계(S12)에서도 계속하여 기판(W)이 가열되어도 된다. 이 경우도, 도 11에 예시되는 바와 같이, 불활성 가스의 공급 유량은, 250 l/min 정도여도 된다.
이어서, 단계(S11)와 마찬가지로, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20) 및 약액 공급부(30)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 유지하면서, 노즐(34)로부터 기판(W)의 주연부(Wc)로 에칭액(L1)을 정해진 시간 공급시킨다(도 7의 단계(S13) 및 도 8의 (c) 참조). 단계(S13)에 있어서도, 단계(S11)와 마찬가지로, 도 8의 (c)에 나타나는 바와 같이, 노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 토출한 상태에서, 구동원(36)이 노즐(34)을, 기판(W)의 외측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 중심부측으로 이동시켜도 된다. 정해진 시간이 경과했을 때, 노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 토출한 상태에서, 구동원(36)이 노즐(34)을, 기판(W)의 중심부측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 외측으로 이동시켜도 된다.　
단계(S13)에서는, 에칭액(L1)에 의해, 금속 다결정막(F) 중 주연부(Wc)에 배치되어 있는 부분이, 전부 에칭된다. 이 때, 도 10의 (a)에 나타나는 바와 같이, 단계(S11)와 마찬가지로 에칭 잔사(RE)가 발생한다. 단계(S13)에서는, 예를 들면, 단계(S11)와 동일한 처리 조건으로 기판(W)에 에칭액(L1)이 공급되어도 된다(도 11 참조).　
또한 단계(S11)에 앞서 가열부(50)에 의한 기판(W)의 가열이 행해지고 있는 경우에는, 단계(S13)에서도 계속하여 기판(W)이 가열되어도 된다. 이 경우도, 불활성 가스의 공급 유량은, 250 l/min 정도여도 된다. 혹은, 도 11에 예시되는 바와 같이, 컨트롤러(Ctr)가 가열부(50)를 제어하여, 에칭액(L1)의 공급이 정지되기 전에, 불활성 가스의 공급 유량을 예를 들면 100 l/min 정도로 저하시켜도 된다. 이 경우, 후속의 단계(S14)에서 린스액(L2)이 기판(W)에 공급되기 전에, 기판(W)의 온도가 저하된다.　
이어서, 단계(S12)와 마찬가지로, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20) 및 린스액 공급부(40)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 유지하면서, 노즐(44)로부터 기판(W)의 주연부(Wc)로 린스액(L2)을 정해진 시간 공급시킨다(도 7의 단계(S14) 및 도 8의 (d) 참조). 단계(S14)에 있어서도, 단계(S12)와 마찬가지로, 도 8의 (d)에 나타나는 바와 같이, 노즐(44)로부터 린스액(L2)을 토출한 상태에서, 구동원(46)이 노즐(44)을, 기판(W)의 외측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 중심부측으로 이동시켜도 된다. 정해진 시간이 경과했을 때, 노즐(44)로부터 린스액(L2)을 토출한 상태에서, 구동원(46)이 노즐(44)을, 기판(W)의 중심부측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 외측으로 이동시켜도 된다.　
주연부(Wc)에 공급된 린스액(L2)은, 단계(S12)와 마찬가지로, 기판(W)의 회전에 의해, 기판(W)의 전 둘레에 걸쳐 주연부(Wc)로 확산되고, 기판(W)의 주연으로부터 외방으로 털어내진다. 이 때문에, 단계(S14)에서는, 도 10의 (b)에 나타나는 바와 같이, 단계(S13)에 있어서 발생한 에칭 잔사(RE)가 린스액(L2)에 의해 씻겨내진다.　
단계(S14)에 있어서, 예를 들면, 이하의 처리 조건으로 기판(W)에 린스액(L2)이 공급되어도 된다(도 11 참조).
기판(W)의 회전수 : 2400 rpm 정도
린스액(L2)의 착액점 : 기판(W)의 주연으로부터 1.5 mm 정도의 위치
린스액(L2)의 공급 시간 : 30 초 정도
린스액(L2)의 토출 유량 : 15 ml/min 정도　
또한 단계(S11)에 앞서 가열부(50)에 의한 기판(W)의 가열이 행해지고 있는 경우에는, 단계(S14)에서도 계속하여 기판(W)이 가열되어도 된다. 이 경우도, 불활성 가스의 공급 유량은, 250 l/min 정도여도 된다. 혹은, 도 11에 예시되는 바와 같이, 전의 단계(S13)에 있어서 불활성 가스의 공급 유량이 저하되어 있는 경우에는, 컨트롤러(Ctr)가 가열부(50)를 제어하여, 린스액(L2)이 공급된 후에, 불활성 가스의 공급 유량을 예를 들면 250 l/min 정도로 증가시켜도 된다. 이 경우, 후속의 단계(S15)에서 기판(W)의 건조가 개시되기 전에, 기판(W)의 온도가 상승한다.　
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 유지시킨다. 이에 의해, 기판(W)으로부터 린스액(L2)이 털어내져, 기판(W)의 건조가 행해진다(도 7의 단계(S15) 및 도 8의 (e) 참조). 이상에 의해, 기판(W)의 처리가 완료된다.
단계(S15)에 있어서, 예를 들면, 이하의 처리 조건으로 기판(W)이 건조되어도 된다(도 11 참조).
기판(W)의 회전수 : 2500 rpm 정도
기판(W)의 건조 시간 : 20 초 정도　
또한, 단계(S11)에 앞서 가열부(50)에 의한 기판(W)의 가열이 행해지고 있는 경우에는, 단계(S15)에서도 계속하여 기판(W)이 가열되어도 된다. 이 경우도, 불활성 가스의 공급 유량은, 도 11에 예시되는 바와 같이, 250 l/min 정도여도 된다.　
[작용]
그런데, 금속 다결정막(F)에 에칭액(L1)이 공급되어, 에칭 잔사(RE)가 발생하면(도 12의 (a) 참조), 그 상당수는, 에칭액(L1)에 수반하여 기판(W)으로부터 배출되지만, 그 일부가, 에칭액(L1)과 분위기와의 계면(기액 계면)에 집합해 버리는 경우가 있다. 에칭 잔사(RE)가 건조 및 고화되면, 그 후에 린스액(L2)이 기판(W)에 공급되어도(도 12의 (b) 참조), 에칭 잔사(RE)를 기판(W)으로부터 제거할 수 없게 된다(도 12의 (c) 참조).　
그러나, 이상의 예에 따르면, 금속 다결정막(F)의 에칭의 진행 도중에 린스액(L2)을 공급하고 있다(단계(S12)). 이 때문에, 금속 다결정막(F)의 에칭 중에 발생한 에칭 잔사(RE)는, 건조 및 고화되기 전에, 린스액(L2)에 의해 일단 씻겨내진다. 따라서, 기판(W)의 표면(Wa)에 형성된 금속 다결정막(F)을 에칭 처리할 시에, 에칭 잔사(RE)를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.　
이상의 예에서는, 단계(S11) ~ 단계(S15)에 있어서, 단계(S14)에서의 린스액(L2)의 공급 개시의 전후에 있어서의 기판(W)의 온도가 상대적으로 낮아지도록, 가열부(50)가 기판(W)을 가열할 수 있다. 이 경우, 단계(S14)에 있어서의 린스액(L2)의 공급 개시의 전후에서의 기판(W)의 온도가 비교적 낮아짐으로써, 에칭 잔사(RE)의 건조 및 고화가 억제된다. 한편, 단계(S14)에 있어서의 린스액(L2)의 공급 개시의 전후 이외에서의 기판(W)의 온도가 비교적 높아짐으로써, 금속 다결정막(F)의 에칭이 촉진된다. 이 때문에, 에칭 처리의 고속화와, 에칭 잔사(RE)의 효과적인 제거를 양립시키는 것이 가능해진다. 또한, 단계(S14)(기판(W)의 건조 직전)에 있어서의 린스액(L2)의 공급 개시의 전후뿐 아니라, 단계(S12)(금속 다결정막(F)의 에칭 처리 중)에 있어서의 린스액(L2)의 공급 개시의 전후에 있어서도, 기판의 온도가 상대적으로 낮아지도록 가열부(50)가 기판(W)을 가열해도 된다.　
[변형예]
본 명세서에 있어서의 개시는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 특허 청구의 범위 및 그 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서, 이상의 예에 대하여 각종 생략, 치환, 변경 등이 행해져도 된다.　
(1) 이상의 예에서는, 기판(W)의 표면(Wa)에 형성된 금속 다결정막(F)을 에칭 하기 위하여, 기판(W)의 상방으로부터 표면(Wa)을 향해 에칭액(L1) 및 린스액(L2)을 공급하고 있었다. 그러나, 기판(W)의 이면(Wb)에 금속 다결정막(F)이 형성되어 있는 경우에는, 기판(W)의 하방으로부터 이면(Wb)을 향해 에칭액(L1) 및 린스액(L2)이 공급되어도 된다.　
혹은, 기판(W)의 양면에 금속 다결정막(F)이 형성되어 있는 경우에는, 기판(W)의 상방 및 하방으로부터, 표면(Wa) 및 이면(Wb)의 각각을 향해, 에칭액(L1) 및 린스액(L2)이 공급되어도 된다. 이 경우, 도 13에 예시되는 바와 같이, 표면(Wa)으로의 에칭액(L1)의 공급 개시 후에, 이면(Wb)으로의 에칭액(L1)이 공급 개시되고, 또한 이면(Wb)으로의 에칭액(L1)의 공급 정지 후에, 표면(Wa)으로의 에칭액(L1)이 공급 정지되어도 된다. 마찬가지로, 표면(Wa)으로의 린스액(L2)의 공급 개시 후에, 이면(Wb)으로의 린스액(L2)이 공급 개시되고, 또한 이면(Wb)으로의 린스액(L2)의 공급 정지 후에, 표면(Wa)으로의 린스액(L2)이 공급 정지되어도 된다. 이들의 경우, 이면(Wb)으로부터 표면(Wa)으로의 에칭액(L1) 또는 린스액(L2)의 흘러드는 것을 억제하는 것이 가능해진다.　
(2) 도 14의 (a) ~ (c) 및 도 15에 예시되는 바와 같이, 금속 다결정막(F)의 에칭 처리 중에 있어서, 에칭액(L1)의 공급을 계속한 채로(노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 토출한 채로), 린스액(L2)을 기판(W)에 공급해도 된다. 그 후에는, 도 14의 (d) 및 (e) 및 도 15에 예시되는 바와 같이, 단계(S14, S15)와 마찬가지로, 마지막의 린스액(L2)의 공급과 기판(W)의 건조가 행해져도 된다. 이 경우, 기판(W)으로의 액체(에칭액(L1) 또는 린스액(L2))의 공급이 계속되(중단되지 않으)므로, 주연부(Wc)가 젖은 상태가 유지되어, 에칭 잔사(RE)가 건조 및 고화되기 어렵다. 이 때문에, 에칭 잔사(RE)를 보다 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.　
에칭액(L1)과 린스액(L2)이 동시에 기판(W)에 공급될 시, 노즐(34, 44)은, 동일한 암(도시하지 않음)에 마련되어 있어도 되고, 상이한 암(도시하지 않음)에 마련되어 있어도 된다. 환언하면, 노즐(34, 44)은, 물리적으로 근접하고 있어도 되고, 물리적으로 이간되어 있어도 된다. 후자의 경우, 에칭액(L1)과 린스액(L2)이 동시에 기판(W)에 공급될 시에, 액 튐이 발생하기 어려워진다. 또한 도 16에 예시되는 바와 같이, 노즐(34)과 노즐(44)이, 기판(W)의 중심을 사이에 두고 대향하도록 배치되어 있어도 된다.　
(3) 도시는 하고 있지 않지만, 마지막(예를 들면, 단계(S14))의 린스액(L2)의 공급이, 그 전의 단계(예를 들면, 단계(S13))에서 기판(W)에 공급되어 있는 에칭액(L1)의 공급 정지 전에 개시되어도 된다. 혹은, 도 17에 예시되는 바와 같이, 에칭액(L1)의 공급 중에, 마지막의 린스액(L2)의 공급이 개시되어도 된다. 이들 경우도, 기판(W)으로의 액체(에칭액(L1) 또는 린스액(L2))의 공급이 계속되(중단되지 않으)므로, 주연부(Wc)가 젖은 상태가 유지되어, 에칭 잔사(RE)가 건조 및 고화되기 어렵다. 이 때문에, 에칭 잔사(RE)를 보다 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.　
(4) 그런데, 에칭 잔사(RE)가 발생하면, 에칭 잔사(RE)와 그 근방과의 콘트라스트 차가 커지는 경향에 있다. 따라서, 컨트롤러(Ctr)는, 촬상부(60)에 있어서 촬상된 촬상 화상에 기초하여, 주연부(Wc)에 에칭 잔사(RE)가 발생했는지 여부를 판단해도 된다. 구체적으로, 컨트롤러(Ctr)는, 촬상 화상에 있어서 정해진 임계치 이상의 콘트라스트의 변화(예를 들면, 휘도값의 변화)를 검출한 경우에, 에칭 잔사(RE)가 발생했다고 판단해도 된다. 이 경우, 화상 처리에 의해, 에칭 잔사(RE)의 발생의 유무를 자동적으로 검지하는 것이 가능해진다.　
컨트롤러(Ctr)는, 에칭 잔사(RE)가 발생했다고 판단했을 때에, 린스액 공급부(40)를 제어하여, 기판(W)에 린스액(L2)을 공급시켜도 된다. 이 경우, 에칭 잔사(RE)가 발생했을 때에, 당해 에칭 잔사(RE)가 자동적으로 린스액(L2)으로 씻겨내진다. 이 때문에, 미리 설정된 처리 조건에 기초하여, 에칭액(L1) 및 린스액(L2)의 공급 개시 및 정지를 행하는 경우와 비교하여, 기판 처리의 효율성을 높이는 것이 가능해진다.　
컨트롤러(Ctr)는, 에칭 잔사(RE)의 발생 간격이 정해진 기준값보다 너무 짧은지, 혹은, 너무 긴지 판단해도 된다. 에칭 잔사(RE)의 발생 간격이 정해진 기준값보다 너무 짧다고, 혹은, 너무 길다고 판단된 경우, 금속 다결정막(F)의 에칭의 진행이 너무 빠르거나, 혹은, 너무 느린 점에서, 컨트롤러(Ctr)는, 각종 처리 조건 중 적어도 하나를 변경해도 된다. 당해 처리 조건은, 예를 들면, 노즐(34)의 위치, 노즐(44)의 위치, 노즐(34)의 이동 속도, 노즐(44)의 이동 속도, 에칭액(L1)의 유량, 린스액(L2)의 유량, 에칭액(L1)의 공급 시간, 린스액(L2)의 공급 시간, 기판(W)의 온도(불활성 가스의 유량, 불활성 가스의 온도 등), 기판(W)의 회전수 등을 포함하고 있어도 된다.　
(5) 단계(S12, S14)에 있어서, 노즐(44)로부터 린스액(L2)을 토출시키면서, 기판(W)의 외측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 중심부측으로 노즐(44)을 이동시킬 시에, 노즐(44)이 기판(W)의 주연을 넘기 전후에서 린스액(L2)의 유량을 변화시켜도 된다. 예를 들면, 도 18에 예시되는 바와 같이, 노즐(44)이 기판(W)의 주연을 넘을 때까지는, 제 1 유량(예를 들면, 7.5 ml 정도)으로 린스액(L2)을 노즐(44)로부터 토출시켜도 된다. 노즐(44)이 기판(W)의 주연을 넘은 후에는, 제 1 유량보다 큰 제 2 유량(예를 들면, 15.0 ml 정도)으로 린스액(L2)을 노즐(44)로부터 토출시켜도 된다.　
이 경우, 노즐(44)이 기판(W)의 주연을 횡단할 시의 노즐(44)로부터의 유량이 비교적 작다. 이 때문에, 선행하여 기판(W)에 공급된 에칭액(L1)의 액막에 대하여, 노즐(44)로부터 토출된 린스액(L2)이 충돌해도, 에칭액(L1)의 액 튐이 발생하기 어렵다. 따라서, 에칭액(L1)이 분위기 중에 확산되는 것에 따른 기판(W)의 오염을 억제하는 것이 가능해진다. 한편, 일단 린스액(L2)이 기판(W)에 공급된 후에는, 노즐(44)로부터의 유량이 비교적 커진다. 이 때문에, 에칭 잔사(RE)를 기판(W)으로부터 효과적으로 씻어내는 것이 가능해진다.　
(6) 단계(S12, S14)에 있어서, 노즐(44)로부터 린스액(L2)을 토출시키면서, 기판(W)의 외측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 중심부측으로 노즐(44)을 이동시킬 시에, 노즐(44)로부터의 린스액(L2)의 토출각을 변화시켜도 된다. 여기서, 당해 토출각은, 도 19에 예시되는 바와 같이, 노즐(44)로부터 토출되는 린스액(L2)의 기판(W)에 대한 착액점과 기판(W)의 중심을 잇는 기준선(F1)에 대한, 착액점과 노즐(44)의 토출구(44a)를 잇는 린스액의 유선(流線)(F2)의 각도로서 정의되어도 된다. 예를 들면, 노즐(44)이 기판(W)의 주연을 넘을 때까지는, 제 1 토출각(θ1)(예를 들면, 30° ~ 70° 정도)으로 린스액(L2)을 노즐(44)로부터 토출시켜도 된다(도 19의 (a) 참조). 노즐(44)이 기판(W)의 주연을 넘은 후에는, 제 1 토출각(θ1)보다 큰 제 2 토출각(θ2)(예를 들면, 70° ~ 90° 정도)으로 린스액(L2)을 노즐(44)로부터 토출시켜도 된다(도 19의 (b) 참조).　
이 경우, 노즐(44)이 기판(W)의 주연을 횡단할 시의 린스액(L2)의 토출각이, 비교적 작다(제 1 토출각(θ1)). 즉, 노즐(44)로부터 토출되는 린스액(L2)이, 기판(W)의 직경 방향에 있어서 기판(W)의 외측을 향하기 쉽다. 이 때문에, 선행하여 기판(W)에 공급된 에칭액(L1)의 액막에 대하여, 노즐(44)로부터 토출된 린스액(L2)이 충돌했을 때에, 에칭액(L1)의 액 튐이 발생했다 하더라도, 에칭액(L1)이 기판(W)의 외측을 향해 확산되기 쉽다. 따라서, 확산된 에칭액(L1)이 기판(W)에 부착하기 어려워지므로, 기판(W)의 오염을 억제하는 것이 가능해진다. 한편, 일단 린스액(L2)이 기판(W)에 공급된 후에는, 토출각이 비교적 커진다(제 2 토출각(θ2)). 즉, 착액점을 기준으로 봤을 때에, 린스액(L2)의 유선(F2)의 방향이 기판(W)의 접선의 방향에 가까워진다. 이 때문에, 기판(W)에 공급된 린스액(L2)은, 기판(W)의 주연부(Wc)를 보다 광범위에 걸쳐 흐르게 된다. 따라서, 에칭 잔사(RE)를 기판(W)으로부터 효과적으로 씻어내는 것이 가능해진다.　
(7) 노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 토출시키면서, 기판(W)의 외측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 중심부측으로 노즐(34)을 이동시킬 시에, 노즐(34)의 이동 속도를 변화시켜도 된다. 예를 들면, 도 20 및 도 21에 예시되는 바와 같이, 노즐(34)이 기판(W)의 주연을 넘어 제 1 위치에 도달할 때까지는, 노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 토출시키면서, 제 1 속도로 노즐(34)을 이동시켜도 된다(도 20의 (a) 및 도 21 참조). 당해 제 1 위치는, 예를 들면, 착액점이 기판(W)의 주연으로부터 0.5 mm 정도가 되는 위치여도 된다. 당해 제 1 속도는, 예를 들면, 10 mm/sec 정도여도 된다. 노즐(34)이 제 1 위치를 넘어 제 2 위치(목표 위치)에 도달할 때까지는, 노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 토출시키면서, 제 1 속도보다 느린 제 2 속도로 노즐(34)을 이동시켜도 된다(도 20의 (b), (c) 및 도 21 참조). 당해 제 2 위치는, 예를 들면, 착액점이 기판(W)의 주연으로부터 1.0 mm 정도가 되는 위치여도 된다. 당해 제 2 속도는, 예를 들면, 0.1 mm/sec 정도여도 된다. 그 후에는, 도 20의 (d) 및 (e) 및 도 21에 예시되는 바와 같이, 단계(S14, S15)와 마찬가지로, 린스액(L2)의 공급과 기판(W)의 건조가 행해져도 된다.　
이 경우, 에칭액(L1)을 토출하는 노즐(34)은, 제 1 위치로부터 제 2 위치에 달할 때까지의 사이, 비교적 저속으로 이동한다. 이 때문에, 노즐(34)이 제 2 위치에 도달하여 정지할 시에, 노즐(34)로부터 토출되는 에칭액(L1)에 작용하는 관성력이 작아지므로, 에칭액(L1)이 기판(W)의 중심부측으로 흐르기 어려워진다. 따라서, 에칭액(L1)이 기판(W)의 중심부측으로 확산되는 것이 억제되므로, 에칭액(L1)이 기액 계면에 있어서 체류하기 어려워진다. 그 결과, 에칭 잔사(RE)가 건조 및 고화되기 어려워지므로, 그 후에 린스액(L2)이 공급됨으로써, 에칭 잔사(RE)를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다. 한편, 이 경우, 에칭액(L1)을 토출하는 노즐(34)은, 제 1 위치까지는 비교적 고속으로 이동한다. 이 때문에, 에칭의 처리 시간이 전체로서 단축화된다. 따라서, 기판 처리의 효율성을 높이는 것이 가능해진다.　
(8) 그런데, 도 22에 예시되는 바와 같이, 에칭액(L1)에 의한 금속 다결정막(F)의 에칭 레이트는, 에칭액(L1)의 착액점에 있어서 가장 높아진다. 이 때문에, 에칭액(L1)을 토출하는 노즐(34)의 위치를 바꾸지 않고 에칭 처리를 행하면, 금속 다결정막(F) 중 당해 착액점에 있어서 비교적 빨리 에칭이 완료되지만, 금속 다결정막(F) 중 당해 착액점보다 기판(W)의 주연측의 부분이 완전히 에칭될 때까지, 비교적 시간을 요한다. 이 경우, 기액 계면에 있어서 에칭 잔사가 건조 및 고화되기 쉬워진다.　
따라서, 도 23 및 도 24에 예시되는 바와 같이, 먼저, 기판(W)의 주연부(Wc)의 제 1 위치에 에칭액(L1)을 공급하여, 당해 제 1 위치에 있어서 금속 다결정막(F)을 에칭해도 된다(도 23의 (a) 및 도 24 참조). 당해 제 1 위치는, 예를 들면, 착액점이 기판(W)의 주연으로부터 0.5 mm 정도가 되는 위치여도 된다. 이 후, 제 1 위치보다 기판(W)의 중심부측의 제 2 위치에 에칭액(L1)을 공급하여, 당해 제 2 위치에 있어서 금속 다결정막(F)을 에칭해도 된다(도 23의 (b) 및 도 24 참조). 당해 제 2 위치는, 예를 들면, 착액점이 기판(W)의 주연으로부터 1.0 mm 정도가 되는 위치여도 된다. 그 후에는, 도 23의 (c) 및 (d) 및 도 24에 예시되는 바와 같이, 단계(S14, S15)와 마찬가지로, 린스액(L2)의 공급과 기판(W)의 건조가 행해져도 된다.　
이 경우, 먼저, 기판(W)의 주연부(Wc)의 제 1 위치에 에칭액을 공급하고, 이 후, 주연부 중 제 1 위치보다 기판(W)의 중심부측의 제 2 위치에 에칭액을 공급하고 있다(도 23의 (a) 및 도 24 참조). 이 때문에, 제 2 위치에 있어서 금속 다결정막(F)을 에칭할 시에는, 제 1 위치보다 주연측에 있어서 금속 다결정막(F)이 이미 에칭되어 있다(도 23의 (b) 및 도 24 참조). 따라서, 제 2 위치에 있어서의 에칭 처리가, 비교적 단시간에 완료된다. 그 결과, 에칭 잔사(RE)가 건조 및 고화되기 어려워지므로, 그 후에 린스액(L2)이 공급됨으로써, 에칭 잔사(RE)를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다. 또한, 이 경우, 에칭의 처리 시간이 전체로서 단축화된다(도 24 참조). 따라서, 기판 처리의 효율성을 높이는 것이 가능해진다.　
(9) 도 25 ~ 도 27에 예시되는 바와 같이, 기판(W)의 주연부(Wc)에 있어서의 금속 다결정막(F)을 에칭액(L1)으로 에칭한 후, 기판(W)의 회전수를 저하시켜도 된다. 먼저, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20) 및 약액 공급부(30)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 유지하면서, 회전수(ω1)로 회전하고 있는 기판(W)의 주연부(Wc)에 있어서 노즐(34)로부터 에칭액(L1)을 공급시킨다(도 25의 (a) 및 도 27 참조).　
에칭액(L1)의 공급 처리에 있어서, 이하의 처리 조건으로 기판(W)에 에칭액(L1)이 공급되어도 된다(도 27 참조).
에칭액(L1)의 착액점 : 기판(W)의 주연으로부터 1.0 mm 정도의 위치
에칭액(L1)의 공급 시간 : 70 초 정도
에칭액(L1)의 토출 유량 : 15 ml/min 정도　
이에 의해, 기판(W)의 주연부(Wc)에 있어서 에칭액(L1)의 착액점보다 외측의 금속 다결정막(F)이 제거된다(도 25의 (b) 및 도 26의 (a) 참조). 즉, 금속 다결정막(F)의 에칭 처리 시에는, 에칭액(L1)의 대부분은, 원심력에 의해 착액점으로부터 기판(W)의 주연을 향해 흐른 후, 기판(W)의 주연으로부터 외방으로 털어내진다. 또한 기판(W)의 회전수(ω1)는, 예를 들면, 2400 rpm 정도여도 되고, 1200 rpm ~ 3000 rpm 정도여도 된다.　
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20) 및 약액 공급부(30)를 제어하여, 에칭액(L1)이 기판(W)의 주연부(Wc)에 공급되어 있는 상태에서, 기판(W)의 회전수를 회전수(ω2)로 변경시킨다(도 25의 (c), 도 26의 (b) 및 도 27 참조). 기판(W)의 회전수(ω2)는, 회전수(ω1)보다 작은 값으로 설정된다.　
기판(W)의 회전수(ω2)는, 예를 들면, 600 rpm 정도여도 되고, 600 rpm ~ 2400 rpm 정도여도 된다. 기판(W)의 회전수가 변경되는 타이밍은, 에칭액(L1)의 공급이 정지되기 전이면 된다. 기판(W)의 회전수가 변경되는 타이밍은, 예를 들면, 에칭액(L1)의 공급 정지의 1 초 전 정도여도 되고, 1 초 전 ~ 5초 전 정도여도 된다. 기판(W)의 회전수가 변경되는 타이밍에 있어서, 노즐(34)은, 이동하지 않아도 되고, 이동해도 된다. 기판(W)의 회전수가 변경되는 타이밍에 있어서, 에칭액(L1)의 착액점은, 동일한 위치여도 되고, 상이한 위치여도 된다.　
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20) 및 린스액 공급부(40)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 회전수(ω2)로 유지하면서, 노즐(44)로부터 린스액(L2)을 토출한 상태에서, 기판(W)의 외측으로부터 기판(W)의 주연을 넘어 기판(W)의 중심부측으로 노즐(44)을 이동시킨다(도 25의 (d) 및 도 27 참조). 또한 기판(W)에 린스액(L2)이 공급 개시될 시의 기판(W)의 회전수는, 회전수(ω1)보다 작은 값이어도 되고, 600 rpm ~ 2400 rpm 정도여도 된다.　
린스액(L2)의 공급 처리에 있어서, 이하의 처리 조건으로 기판(W)에 린스액(L2)이 공급되어도 된다(도 27 참조).
린스액(L2)의 착액점 : 기판(W)의 주연으로부터 1.5 mm 정도의 위치
린스액(L2)의 공급 시간 : 10 초 정도
린스액(L2)의 토출 유량 : 15 ml/min 정도　
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20) 및 린스액 공급부(40)를 제어하여, 린스액(L2)이 기판(W)의 주연부(Wc)에 공급되어 있는 상태에서, 기판(W)의 회전수를 회전수(ω1)로 변경시킨다(도 25의 (e) 및 도 27 참조). 기판(W)의 회전수가 변경되는 타이밍은, 노즐(44)로부터 토출되는 린스액(L2)이 상기의 착액점에 도달한 후여도 된다. 기판(W)의 회전수가 변경되는 타이밍은, 예를 들면, 린스액(L2)의 공급 개시부터 1 초 후 정도여도 되고, 1 초 후 ~ 5 초 후 정도여도 된다. 또한, 변경 후의 기판(W)의 회전수는, 회전수(ω2)보다 큰 값이어도 되고, 600 rpm ~ 2400 rpm 정도여도 된다.　
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 회전 유지부(20)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 유지시킨다. 이에 의해, 기판(W)으로부터 린스액(L2)이 털어내져 기판(W)의 건조가 행해진다(도 25의 (f) 및 도 27 참조). 이상에 의해, 기판(W)의 처리가 완료된다.　
건조 처리에 있어서, 이하의 처리 조건으로 기판(W)이 건조되어도 된다(도 27 참조).
기판(W)의 회전수 : 2500 rpm 정도
기판(W)의 건조 시간 : 5 초 정도　
도 25 ~ 도 27의 예에 따르면, 기판(W)의 주연부(Wc)로의 에칭액(L1)의 공급을 계속시킨 채로, 기판(W)의 회전수가 회전수(ω1)로부터 보다 작은 회전수(ω2)로 변경된다. 이 때문에, 기판(W)의 회전수의 변경에 수반하여, 에칭액(L1)에 작용하는 원심력이 저하되고, 에칭액(L1)과 분위기와의 계면(기액 계면)이 기판(W)의 중심측으로 이동한다(도 26의 (b) 참조). 이 때문에, 중심측으로 이동한 에칭액(L1)에 의해, 에칭 처리에 있어서 기액 계면에 집합한 에칭 잔사(RE)가 제거되고, 또한 에칭 처리에 있어서 기액 계면에 집합한 에칭 잔사(RE)의 건조 및 고화가 억제된다. 따라서, 그 후에 린스액(L2)을 기판(W)의 주연부(Wc)에 공급함으로써, 에칭 잔사(RE)를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다. 또한, 도 25 ~ 도 27의 예에 따르면, 기판(W)의 회전수를 변화시키면 되므로, 에칭액(L1) 또는 린스액(L2)의 공급 처리의 변경을 요하지 않는다. 이 때문에, 기판(W)의 처리를 효율적으로 실행하는 것이 가능해진다. 또한 도 25 ~ 도 27의 예에 따르면, 기판(W)의 회전수가 회전수(ω1)보다 낮은 상태에서, 기판(W)에 린스액(L2)이 공급 개시된다. 즉, 에칭액(L1)과 분위기와의 계면(기액 계면)이 기판(W)의 중심측에 유지된 상태에서, 기판(W)에 린스액(L2)이 공급 개시된다. 이 때문에, 에칭액(L1)의 공급 종료로부터 린스액(L2)의 공급 개시의 사이에 있어서의 에칭 잔사(RE)의 건조 및 고화도 억제된다. 따라서, 에칭 잔사(RE)를 보다 한층 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.
(10) 기판(W)의 이면(Wb)에 대하여 에칭액(L1) 및 린스액(L2)을 공급해도 된다. 도 28에 예시되는 처리 유닛(10)은, 기판(W)의 이면(Wb)에 대하여 에칭액(L1) 및 린스액(L2)을 공급하기 때문에, 회전 유지부(20), 약액 공급부(30) 및 린스액 공급부(40)의 점에서, 도 3에 예시되는 처리 유닛(10)과 상이하다. 이하에서는, 주로 상이한 점에 대하여 설명한다. 또한 도 28에서는, 가열부(50) 및 촬상부(60)의 도시를 생략하고 있다.
회전 유지부(20)는 회전부(210)와, 승강부(220)를 포함한다. 회전부(210)는 회전축(211)과, 구동 기구(212)와, 지지 플레이트(213)와, 복수의 지지 핀(214)을 포함한다. 회전축(211)은, 연직 방향을 따라 연장되는 중공의 관 형상 부재이다. 회전축(211)은, 중심축(Ax) 둘레에 있어서 회전 가능하게 구성되어 있다.　
구동 기구(212)는, 회전축(211)에 접속되어 있다. 구동 기구(212)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 회전축(211)을 회전시키도록 구성되어 있다. 구동 기구(212)는, 예를 들면 전동 모터 등의 동력원이어도 된다.　
지지 플레이트(213)는, 예를 들면 원환 형상을 나타내는 평판이며, 수평을 따라 연장되어 있다. 즉, 지지 플레이트(213)의 중앙부에는, 관통홀이 형성되어 있다. 지지 플레이트(213)의 내주부는, 회전축(211)의 선단부에 접속되어 있다. 이 때문에, 지지 플레이트(213)는, 회전축(211)의 중심축(Ax) 둘레에, 회전축(211)의 회전에 수반하여 회전하도록 구성되어 있다.　
복수의 지지 핀(214)은, 지지 플레이트(213)의 상면으로부터 상방을 향해 돌출되도록 지지 플레이트(213)에 마련되어 있다. 복수의 지지 핀(214)은, 이들 선단과 기판(W)의 이면(Wb)이 접촉함으로써, 기판(W)을 대략 수평으로 지지하도록 구성되어 있다.　
승강부(220)는 축 부재(221)와, 구동 기구(222)와, 복수의 지지 핀(223)을 포함한다. 축 부재(221)는, 연직 방향을 따라 연장되는 중공의 관 형상 부재이다. 축 부재(221)는, 상하 방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다. 축 부재(221)는, 회전축(211)의 내부에 삽입 관통되어 있다.　
구동 기구(222)는, 축 부재(221)에 접속되어 있다. 구동 기구(222)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 축 부재(221)를 승강시키도록 구성되어 있다. 구동 기구(222)가 축 부재(221)를 승강시킴으로써, 축 부재(221)는, 복수의 지지 핀(223)이 복수의 지지 핀(214)보다 상방에 위치하는 상승 위치와, 복수의 지지 핀(223)이 복수의 지지 핀(214)보다 하방에 위치하는 강하 위치와의 사이에서 상하동해도 된다. 구동 기구(222)는, 예를 들면 리니어 액츄에이터 등의 동력원이어도 된다.　
복수의 지지 핀(223)은, 축 부재(221)의 상단으로부터 상방을 향해 돌출되도록 축 부재(221)에 마련되어 있다. 복수의 지지 핀(223)은, 이들의 선단과 기판(W)의 이면(Wb)이 접촉함으로써, 기판(W)을 지지하도록 구성되어 있다.　
도 28의 예에 있어서의 약액 공급부(30)는, 노즐(34)을 포함하고 있지 않다. 그것 대신에, 배관(35)의 하류단은, 축 부재(221)에 유체적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 약액 공급부(30)는, 액원(31)의 에칭액(L1)을, 축 부재(221)의 내부를 통하여 기판(W)의 이면(Wb)에 공급하도록 구성되어 있다.　
마찬가지로, 도 28의 예에 있어서의 린스액 공급부(40)는, 노즐(44)을 포함하고 있지 않다. 그것 대신에, 배관(45)의 하류단은, 축 부재(221)에 유체적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 린스액 공급부(40)는, 액원(41)의 린스액(L2)을, 축 부재(221)의 내부를 통하여 기판(W)의 이면(Wb)에 공급하도록 구성되어 있다.　
이어서, 도 28 및 도 29를 참조하여, 도 28에 예시되는 처리 유닛(10)을 이용하여 기판(W)에 형성되어 있는 금속 다결정막(F)을 에칭 처리하는 방법에 대하여 설명한다.　
먼저, 컨트롤러(Ctr)가 반송 암(A1, A2)을 제어하여, 캐리어(7)로부터 기판(W)을 1 매 취출하고, 어느 하나의 처리 유닛(10) 내로 반송한다. 이 때, 컨트롤러(Ctr)는, 구동 기구(222)를 제어하여, 축 부재(221)를 상승 위치에 위치시켜 둔다. 처리 유닛(10) 내로 반입된 기판(W)은, 반송 암(A2)으로부터 지지 핀(223)으로 전달된다. 이에 의해, 이면(Wb)이 지지 핀(223)과 접촉하도록, 기판(W)이 지지 핀(223) 상(승강부(220))에 배치된다.　
이어서, 컨트롤러(Ctr)는, 구동 기구(222)를 제어하여, 축 부재(221)를 강하 위치까지 강하시킨다. 축 부재(221)가 강하하는 과정에서, 기판(W)이, 지지 핀(223)으로부터 지지 핀(214)으로 전달된다. 이에 의해, 이면(Wb)이 지지 핀(214)과 접촉하도록, 기판(W)이 지지 핀(214) 상(회전부(210))에 배치된다.　
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 구동 기구(212)를 제어하여, 기판(W)을 회전부(210)와 함께 회전시킨다. 기판(W)의 회전수는, 예를 들면, 100 rpm ~ 3000 rpm 정도여도 된다. 이 상태에서, 컨트롤러(Ctr)가 약액 공급부(30)를 제어하여, 축 부재(221)로부터 기판(W)의 이면(Wb)으로 에칭액(L1)을 정해진 시간 공급시킨다(단계(X1) : 도 29의 (a) 참조). 기판(W)의 이면(Wb)으로의 에칭액(L1)의 공급 시간은, 10 초 ~ 180 초 정도여도 된다. 기판(W)의 이면(Wb)으로 공급된 에칭액(L1)은, 도 29의 (a)에 예시되는 바와 같이, 원심력에 의해 기판(W)의 외주연을 향해 이면(Wb)을 따라 흐른 후, 기판(W)의 외주연을 흘러들어 기판(W)의 표면(Wa)의 주연부(Wc)로 공급되고, 외방으로 털어내진다. 이에 의해, 축 부재(221)로부터의 에칭액(L1)의 공급이 계속되고 있는 동안, 주연부(Wc)에 에칭액(L1)의 액막이 형성된다. 따라서, 금속 다결정막(F) 중 주연부(Wc)에 배치되어 있는 부분이 에칭된다.　
이어서, 컨트롤러(Ctr)가 린스액 공급부(40)를 제어하여, 축 부재(221)로부터 기판(W)의 이면(Wb)으로 린스액(L2)을 정해진 시간 공급시킨다(단계(X2) : 도 29의 (b) 참조). 기판(W)의 이면(Wb)으로의 린스액(L2)의 공급 시간은, 10 초 ~ 180 초 정도여도 된다. 기판(W)의 이면(Wb)으로 공급된 린스액(L2)은, 도 29의 (b)에 예시되는 바와 같이, 원심력에 의해 기판(W)의 외주연을 향해 이면(Wb)을 따라 흐른 후, 기판(W)의 외주연을 흘러들어 기판(W)의 표면(Wa)의 주연부(Wc)로 공급되고, 외방으로 털어내진다. 이에 의해, 축 부재(221)로부터의 린스액(L2)의 공급이 계속되고 있는 동안, 주연부(Wc)에 린스액(L2)의 액막이 형성된다. 따라서, 에칭액(L1)의 공급에 있어 발생한 에칭 잔사(RE)가 린스액(L2)에 의해 씻겨내진다. 　
이어서, 단계(X1, X2)(에칭액(L1) 및 린스액(L2)의 공급)를, 1 회 이상 반복한다. 반복하는 횟수는, 1 회 ~ 20 회 정도여도 된다. 이 후, 컨트롤러(Ctr)가 약액 공급부(30) 및 린스액 공급부(40)를 제어하여, 에칭액(L1) 및 린스액(L2)의 공급을 정지시킨다. 그리고, 컨트롤러(Ctr)가 회전부(210)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 유지시킨다. 이에 의해, 기판(W)으로부터 린스액(L2)이 털어내져, 기판(W)의 건조가 행해진다. 이상에 의해, 기판(W)의 처리가 완료된다.　
도 28 및 도 29의 예에 따르면, 기판(W)의 주연부(Wc)에 있어서의 에칭 처리가 복수 회로 분할하여 실행된다. 이 때문에, 에칭 처리에 있어서 발생하는 에칭 잔사(RE)가 건조 및 고화되기 전에, 에칭 잔사(RE)가 린스액(L2)에 의해 제거된다. 그 결과, 에칭 잔사(RE)를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.　
[다른 예]
예 1. 기판 처리 방법의 일례는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급하여, 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 두께 방향에 있어서 부분적으로 에칭 처리하는 제 1 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 1 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 제 1 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 공정과, 기판을 회전시키면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급하여, 주연부에 있어서의 금속 다결정막의 잔부를 에칭 처리하는 제 3 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 3 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 제 3 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 4 공정과, 제 4 공정 후에, 기판을 건조시키는 제 5 공정을 포함한다.　
그런데, 금속 다결정막(예를 들면, 질화 티탄, 텅스텐 등)은, 다수의 결정립이 집합한 다결정에 의해 구성되어 있다. 이들 결정립끼리의 계면은, 결정립계(단순히, 입계라고도 함)라 불리고, 결정립끼리의 방향이 상이한 불연속면으로 되어 있다. 이 때문에, 금속 다결정막에 에칭액이 공급되면, 금속 다결정막이 용해되는 것보다도 먼저 에칭액이 입계에 침입하고, 입계에 있어서 금속 다결정막이 부분적으로 박리된다. 이에 의해, 박리된 금속 다결정막의 일부가 에칭액에 녹지 않고 남아, 에칭 잔사가 발생한다. 에칭 잔사의 대부분은, 기판에 공급되는 에칭액에 수반하여 기판으로부터 배출되지만, 그 일부가, 에칭액과 분위기와의 계면(기액 계면)에 집합해 버리는 경우가 있다. 왜냐하면, 기판에 공급되는 에칭액의 착액점에 있어서 액의 체류가 발생하거나, 기판에 공급되는 에칭액이, 기판의 주연측뿐 아니라 중심측으로도 다소 흐르기 때문이다. 기판 처리에 있어, 기판이 회전하고 있고, 또한, 에칭의 촉진을 위하여 기판이 가열되는 경우도 있으므로, 에칭 잔사가 건조 및 고화되면, 그 후에 린스액이 기판에 공급되어도, 에칭 잔사를 기판으로부터 제거할 수가 없게 된다.　
그러나, 예 1의 경우, 금속 다결정막의 에칭의 진행 도중에 린스액을 공급하고 있다. 이 때문에, 금속 다결정막의 에칭 중에 발생한 에칭 잔사는, 건조 및 고화되기 전에, 린스액에 의해 일단 씻겨내진다. 따라서, 기판의 표면에 형성된 금속 다결정막을 에칭 처리할 시에, 에칭 잔사를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.
예 2. 예 1의 방법에 있어서, 제 2 공정은, 제 1 공정에 있어서의 에칭액의 공급 중에 린스액을 공급 개시하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 기판으로의 액체의 공급이 계속되므로, 에칭 잔사가 건조 및 고화되기 어렵다. 이 때문에, 에칭 잔사를 보다 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.　
예 3. 예 1 또는 예 2의 방법에 있어서, 제 4 공정은, 제 3 공정에 있어서의 에칭액의 공급 중에 린스액을 공급 개시하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 예 2와 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 4. 예 2 또는 예 3의 방법에 있어서, 제 2 공정 또는 제 4 공정은, 노즐로부터 린스액을 토출하면서, 노즐이 기판의 외측으로부터 기판의 주연을 넘어 기판의 중심부측으로 이동하는 것으로서, 노즐이 기판의 주연을 넘은 후에, 노즐로부터 토출되는 린스액의 유량을 증가시키는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 노즐이 기판의 주연을 횡단할 시의 노즐로부터의 유량이 비교적 작다. 이 때문에, 선행하여 기판에 공급된 에칭액의 액막에 대하여, 노즐로부터 토출된 린스액이 충돌해도, 에칭액의 액 튐이 발생하기 어렵다. 따라서, 에칭액이 분위기 중에 확산되는 것에 따른 기판의 오염을 억제하는 것이 가능해진다. 한편, 일단 린스액이 기판에 공급된 후에는, 노즐로부터의 유량이 비교적 커진다. 이 때문에, 에칭 잔사를 기판으로부터 효과적으로 씻어내는 것이 가능해진다.　
예 5. 예 2 ~ 예 4 중 어느 한 방법에 있어서, 상방에서 봤을 때에, 노즐로부터 토출되는 린스액의 기판에 대한 착액점과 기판의 중심을 잇는 기준선에 대한, 착액점과 노즐의 토출구를 잇는 린스액의 유선의 각도를, 노즐로부터의 린스액의 토출각이라고 정의했을 때에, 제 2 공정 또는 제 4 공정은, 노즐로부터 린스액을 토출하면서, 노즐이 기판의 외측으로부터 기판의 주연을 넘어 기판의 중심부측으로 이동하는 것으로서, 노즐이 기판의 주연을 넘은 후에, 토출각을 증가시키는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 노즐이 기판의 주연을 횡단할 시의 린스액의 토출각이, 비교적 작다. 즉, 노즐로부터 토출되는 린스액이, 기판의 직경 방향에 있어서 기판의 외측을 향하기 쉽다. 이 때문에, 선행하여 기판에 공급된 에칭액의 액막에 대하여, 노즐로부터 토출된 린스액이 충돌했을 때에, 에칭액의 액 튐이 생겼다 하더라도, 에칭액이 기판의 외측을 향해 확산되기 쉽다. 따라서, 확산된 에칭액이 기판에 부착하기 어려워지므로, 기판의 오염을 억제하는 것이 가능해진다. 한편, 일단 린스액이 기판에 공급된 후에는, 토출각이 비교적 커진다. 즉, 착액점을 기준으로 봤을 때에, 린스액의 유선의 방향이 기판의 접선의 방향에 가까워진다. 이 때문에, 기판에 공급된 린스액은, 기판의 주연부를 보다 광범위에 걸쳐 흐르게 된다. 따라서, 에칭 잔사를 기판으로부터 효과적으로 씻어내는 것이 가능해진다.　
예 6. 예 1 ~ 예 5 중 어느 한 방법은, 제 1 공정 ~ 제 4 공정에 있어서 기판을 가열하는 제 6 공정을 더 포함하고, 제 6 공정은, 제 4 공정에 있어서의 린스액의 공급 개시의 전후에서의 기판의 온도가, 제 1 공정 및 제 3 공정에 있어서의 에칭액의 공급 중에서의 기판의 온도보다 낮아지도록, 기판을 가열하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 린스액의 공급 개시의 전후에서의 기판의 온도가 비교적 낮아짐으로써, 에칭 잔사의 건조 및 고화가 억제되는 한편, 린스액의 공급 개시의 전후 이외에서의 기판의 온도가 비교적 높아짐으로써, 금속 다결정막의 에칭이 촉진된다. 이 때문에, 에칭 처리의 고속화와, 에칭 잔사의 효과적인 제거를 양립시키는 것이 가능해진다.　
예 7. 예 1 ~ 예 6의 방법은, 기판으로의 에칭액의 공급 중에, 주연부를 촬상부에 의해 촬상하는 제 7 공정과, 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상의 콘트라스트의 변화에 기초하여, 주연부에 에칭 잔사가 발생했는지 여부를 판단하는 제 8 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 화상 처리에 의해, 에칭 잔사의 발생의 유무를 자동적으로 검지하는 것이 가능해진다.　
예 8. 예 7의 방법에 있어서, 제 8 공정에 있어서 에칭 잔사가 발생했다고 판단된 경우, 기판에 린스액을 공급하여, 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 공정 또는 제 4 공정을 행해도 된다. 그런데, 에칭 조건(예를 들면, 금속 다결정막의 재질, 에칭액의 종류 등)에 따라, 에칭 잔사가 발생하는 타이밍이 상이할 수 있다. 이 때문에, 사전의 시험 등에 의해 당해 타이밍을 파악해 두고, 에칭 조건에 따라 린스액의 공급 타이밍을 적절히 설정해 두면, 보다 효율적으로 에칭 잔사를 제거할 수 있다. 그러나, 예 8의 경우, 에칭 잔사가 발생했을 때에, 당해 에칭 잔사가 자동적으로 린스액으로 씻겨내진다. 이 때문에, 사전의 시험 등을 생략할 수 있으므로, 기판 처리의 효율성을 높이는 것이 가능해진다.　
예 9. 기판 처리 방법의 다른 예는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 또한, 노즐로부터 에칭액을 토출하면서, 기판의 외측으로부터 기판의 주연을 넘어 기판의 중심부측으로 노즐이 제 1 속도로 이동함으로써, 기판의 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 1 공정과, 기판을 회전시키면서, 또한, 노즐로부터 에칭액을 토출하면서, 기판의 주연을 넘은 노즐이 또한 기판의 중심부측의 정해진 위치까지, 제 1 속도보다 느린 제 2 속도로 이동함으로써, 기판의 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 2 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 2 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 제 2 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 공정과, 제 3 공정 후에, 기판을 건조시키는 제 4 공정을 포함한다. 예 9의 경우, 에칭액을 토출하는 노즐은, 도중부터 정해진 위치에 달할 때까지의 사이, 비교적 저속으로 이동한다. 이 때문에, 노즐이 정해진 위치에 도달하여 정지할 시에, 노즐로부터 토출되는 에칭액에 작용하는 관성력이 작아지므로, 에칭액이 기판의 중심부측으로 흐르기 어려워진다. 따라서, 에칭액이 기판의 중심부측으로 확산되는 것이 억제되므로, 에칭액이 기액 계면에 있어서 체류하기 어려워진다. 그 결과, 에칭 잔사가 건조 및 고화되기 어려워지므로, 그 후에 린스액이 공급됨으로써, 에칭 잔사를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다. 한편, 예 9의 경우, 에칭액을 토출하는 노즐은, 도중까지는 비교적 고속으로 이동한다. 이 때문에, 에칭의 처리 시간이 전체로서 단축화된다. 따라서, 기판 처리의 효율성을 높이는 것이 가능해진다.
예 10. 기판 처리 방법의 다른 예는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 기판의 주연부의 제 1 위치에 에칭액을 공급하여, 제 1 위치에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 공정과, 기판을 회전시키면서, 주연부 중 제 1 위치보다 기판의 중심부측의 제 2 위치에 에칭액을 공급하여, 제 2 위치에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 2 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 2 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 제 2 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 공정과, 제 3 공정 후에, 기판을 건조시키는 제 4 공정을 포함한다.　
그런데, 에칭액에 의한 금속 다결정막의 에칭 레이트는, 에칭액의 착액점에 있어서 가장 높아진다. 이 때문에, 에칭액을 토출하는 노즐의 위치를 바꾸지 않고 에칭 처리를 행하면, 금속 다결정막 중 당해 착액점에 있어서는 비교적 빠르게 에칭이 완료되지만, 금속 다결정막 중 당해 착액점보다 기판의 주연측의 부분이 완전히 에칭될 때까지, 비교적 시간을 요한다. 이 경우, 기액 계면에 있어서 에칭 잔사가 건조 및 고화되기 쉬워진다.　
그러나, 예 10의 경우, 먼저, 기판의 주연부의 제 1 위치에 에칭액을 공급하고, 이 후, 주연부 중 제 1 위치보다 기판의 중심부측의 제 2 위치에 에칭액을 공급하고 있다. 이 때문에, 제 2 위치에 있어서 금속 다결정막을 에칭할 시에는, 제 1 위치보다 주연측에 있어서 금속 다결정막이 이미 에칭되어 있다. 따라서, 제 2 위치에 있어서의 에칭 처리가, 비교적 단시간에 완료된다. 그 결과, 에칭 잔사가 건조 및 고화되기 어려워지므로, 그 후에 린스액이 공급됨으로써, 에칭 잔사를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다. 또한, 예 10의 경우, 에칭의 처리 시간이 전체로서 단축화된다. 따라서, 기판 처리의 효율성을 높이는 것이 가능해진다.　
예 11. 기판 처리 방법의 다른 예는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 제 1 회전수로 회전시키면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급하여, 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 공정과, 기판의 주연부에 에칭액을 공급한 상태에서, 기판의 회전수를 제 1 회전수보다 작은 제 2 회전수로 변경하는 제 2 공정과, 기판을 회전시키면서, 제 1 공정 및 제 2 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 제 1 공정 및 제 2 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 공정과, 제 3 공정 후에, 기판을 건조시키는 제 4 공정을 포함한다. 예 11의 경우, 제 1 회전수로 회전하는 기판의 주연부의 금속 다결정막이 에칭 처리된 후, 당해 주연부로의 에칭액의 공급을 계속시킨 채로, 기판의 회전수를 제 1 회전수보다 작은 제 2 회전수로 변경하고 있다. 이 때문에, 에칭액에 작용하는 원심력이 저하되어, 에칭액과 분위기와의 계면(기액 계면)이 기판의 중심측으로 이동한다. 이 때문에, 중심측으로 이동한 에칭액에 의해, 제 1 공정에 있어서 기액 계면에 집합한 에칭 잔사가 제거되고, 또한 제 1 공정에 있어서 기액 계면에 집합한 에칭 잔사의 건조 및 고화가 억제된다. 따라서, 그 후에 린스액을 기판의 주연부에 공급함으로써, 에칭 잔사를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다. 또한, 예 11의 경우, 기판의 회전수를 변화시키면 되므로, 에칭액 또는 린스액의 공급 처리의 변경을 요하지 않는다. 이 때문에, 기판의 처리를 효율적으로 실행하는 것이 가능해진다.　
예 12. 기판 처리 방법의 다른 예는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 기판의 이면에 에칭액을 공급하여, 이면으로부터 기판의 주연부로 돌아들어간 에칭액에 의해, 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 공정과, 제 1 공정 후에, 기판을 회전시키면서, 기판의 이면에 린스액을 공급하여, 이면으로부터 주연부로 돌아들어간 린스액에 의해, 제 1 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 공정과, 제 2 공정 후에, 제 1 공정 및 제 2 공정을 1 회 이상 반복하는 제 3 공정과, 제 3 공정 후에, 기판을 건조시키는 제 4 공정을 포함한다. 이 경우, 기판의 주연부에 있어서의 에칭 처리가 복수 회로 분할하여 실행된다. 이 때문에, 에칭 처리에 있어서 발생하는 에칭 잔사가 건조 및 고화되기 전에, 당해 에칭 잔사가 린스액에 의해 제거된다. 그 결과, 에칭 잔사를 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.　
예 13. 기판 처리 장치의 일례는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와, 기판의 표면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와, 기판의 표면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급시키도록 약액 공급부를 제어하여, 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 두께 방향에 있어서 부분적으로 에칭 처리하는 제 1 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 제 1 처리에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 린스액 공급부를 제어하여, 제 1 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급시키도록 약액 공급부를 제어하여, 주연부에 있어서의 금속 다결정막의 잔부를 에칭 처리하는 제 3 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 제 3 처리에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 린스액 공급부를 제어하여, 제 3 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 4 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하여, 기판을 건조시키는 제 5 처리를 실행하도록 구성되어 있다. 이 경우, 예 1의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 14. 예 13의 장치에 있어서, 제 2 처리는, 제 1 처리에 있어서의 에칭액의 공급 중에 린스액을 공급 개시하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 예 2의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 15. 예 13 또는 예 14의 장치에 있어서, 제 4 처리는, 제 3 처리에 있어서의 에칭액의 공급 중에 린스액을 공급 개시하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 예 3의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 16. 예 14 또는 예 15의 장치에 있어서, 제 2 처리 또는 제 4 처리는, 린스액 공급부의 노즐로부터 린스액을 토출시키면서, 기판의 외측으로부터 기판의 주연을 넘어 기판의 중심부측으로 노즐을 이동시키는 것으로서, 노즐이 기판의 주연을 넘은 후에, 노즐로부터 토출되는 린스액의 유량을 증가시키는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 예 4의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 17. 예 14 ~ 예 16 중 어느 한 장치에 있어서, 상방에서 봤을 때에, 린스액 공급부의 노즐로부터 토출되는 린스액의 기판에 대한 착액점과 기판의 중심을 잇는 기준선에 대한, 착액점과 노즐의 토출구를 잇는 린스액의 유선의 각도를, 노즐로부터의 린스액의 토출각이라고 정의했을 때에, 제 2 처리 또는 제 4 처리는, 린스액 공급부의 노즐로부터 린스액을 토출시키면서, 기판의 외측으로부터 기판의 주연을 넘어 기판의 중심부측으로 노즐을 이동시키는 것으로서, 노즐이 기판의 주연을 넘은 후에, 토출각을 증가시키는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 예 5의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 18. 예 13 ~ 예 17 중 어느 한 장치는, 기판을 가열하도록 구성된 가열부를 더 구비하고, 제어부는, 가열부를 제어하여, 제 1 처리 ~ 제 4 처리에 있어서 기판을 가열하는 제 6 처리를 더 실행하도록 구성되어 있고, 제 6 처리는, 제 4 처리에 있어서의 린스액의 공급 개시의 전후에서의 기판의 온도가, 제 1 처리 및 제 3 처리에 있어서의 에칭액의 공급 중에서의 기판의 온도보다 낮아지도록, 가열부가 기판을 가열하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 예 6의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 19. 예 13 ~ 예 18의 장치는, 주연부를 촬상하도록 구성된 촬상부를 더 구비하고, 제어부는, 촬상부를 제어하여, 기판으로의 에칭액의 공급 중에 주연부를 촬상하는 제 7 처리와, 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상의 콘트라스트의 변화에 기초하여, 주연부에 에칭 잔사가 발생했는지 여부를 판단하는 제 8 처리를 더 실행하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 예 7의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 20. 예 19의 장치에 있어서, 제어부는, 제 8 처리에 있어서 에칭 잔사가 발생했다고 판단한 경우, 기판에 린스액을 공급하여, 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 처리 또는 제 4 처리를 실행해도 된다. 이 경우, 예 8의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 21. 기판 처리 장치의 다른 예는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와, 기판의 표면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와, 기판의 표면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하고, 또한, 약액 공급부의 노즐로부터 에칭액을 토출시키면서, 기판의 외측으로부터 기판의 주연을 넘어 기판의 중심부측으로 제 1 속도로 노즐을 이동시키도록 약액 공급부를 제어하여, 기판의 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 1 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하고, 또한, 노즐로부터 에칭액을 토출시키면서, 기판의 주연을 넘은 노즐을, 또한 기판의 중심부측의 정해진 위치까지, 제 1 속도보다 느린 제 2 속도로 이동시키도록, 약액 공급부를 제어하여, 기판의 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 2 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 제 2 처리에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 린스액 공급부를 제어하여, 제 2 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하여, 기판을 건조시키는 제 4 처리를 실행하도록 구성되어 있다. 이 경우, 예 9의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 22. 기판 처리 장치의 다른 예는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와, 기판의 표면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와, 기판의 표면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와, 제어부를 구비하고, 제어부는, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 기판의 주연부의 제 1 위치에 에칭액을 공급시키도록 약액 공급부를 제어하여, 제 1 위치에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 1 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 주연부 중 제 1 위치보다 기판의 중심부측의 제 2 위치에 에칭액을 공급시키도록 약액 공급부를 제어하여, 제 2 위치에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 2 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 제 2 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 린스액 공급부를 제어하여, 제 2 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하여, 기판을 건조시키는 제 4 처리를 실행하도록 구성되어 있다. 이 경우, 예 10의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 23. 기판 처리 장치의 다른 예는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와, 기판의 표면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와, 기판의 표면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와, 제어부를 구비한다. 제어부는, 기판을 유지하여 제 1 회전수로 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 기판의 주연부에 에칭액을 공급시키도록 약액 공급부를 제어하여, 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 처리와, 기판의 주연부에 에칭액을 계속하여 공급시키도록 약액 공급부를 제어하면서, 기판의 회전수를 제 1 회전수보다 작은 제 2 회전수로 변경시키도록 회전 유지부를 제어하는 제 2 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 제 1 처리 및 제 2 처리에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 린스액 공급부를 제어하여, 제 1 처리 및 제 2 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 처리와, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하여, 기판을 건조시키는 제 4 처리를 실행하도록 구성되어 있다. 이 경우, 예 11의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 24. 기판 처리 장치의 다른 예는, 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와, 기판의 이면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와, 기판의 이면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와, 제어부를 구비한다. 제어부는, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 이면에 에칭액을 공급시키도록 약액 공급부를 제어하여, 이면으로부터 기판의 주연부로 돌아들어간 에칭액에 의해, 주연부에 있어서의 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 처리와, 제 1 처리 후에, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하면서, 이면에 린스액을 공급시키도록 린스액 공급부를 제어하여, 이면으로부터 주연부로 돌아들어간 린스액에 의해, 제 1 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 처리와, 제 2 처리 후에, 제 1 처리 및 제 2 처리를 1 회 이상 반복하는 제 3 처리와, 제 3 처리 후에, 기판을 유지하여 회전시키도록 회전 유지부를 제어하여, 기판을 건조시키는 제 4 처리를 실행하도록 구성되어 있다. 이 경우, 예 12의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.　
예 25. 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체의 일례는, 예 1 ~ 예 11 중 어느 한 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있어도 된다. 이 경우, 예 1의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다. 본 명세서에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는, 일시적이 아닌 유형의 매체(non-transitory computer recording medium)(예를 들면, 각종의 주 기억 장치 또는 보조 기억 장치) 또는 전파 신호(transitory computer recording medium)(예를 들면, 네트워크를 개재하여 제공 가능한 데이터 신호)를 포함하고 있어도 된다.

Claims (22)

  1. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 주연부에 에칭액을 공급하여, 상기 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 두께 방향에 있어서 부분적으로 에칭 처리하는 제 1 공정과,
    상기 기판을 회전시키면서, 상기 제 1 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 상기 제 1 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 공정과,
    상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 주연부에 에칭액을 공급하여, 상기 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막의 잔부를 에칭 처리하는 제 3 공정과,
    상기 기판을 회전시키면서, 상기 제 3 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 상기 제 3 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 4 공정과,
    상기 제 4 공정 후에, 상기 기판을 건조시키는 제 5 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은, 상기 제 1 공정에 있어서의 에칭액의 공급 중에 린스액을 공급 개시하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 4 공정은, 상기 제 3 공정에 있어서의 에칭액의 공급 중에 린스액을 공급 개시하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 공정 또는 상기 제 4 공정은, 노즐로부터 린스액을 토출하면서, 상기 노즐이 상기 기판의 외측으로부터 상기 기판의 주연을 넘어 상기 기판의 중심부측으로 이동하는 것으로서, 상기 노즐이 상기 기판의 주연을 넘은 후에, 상기 노즐로부터 토출되는 린스액의 유량을 증가시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상방에서 봤을 때에, 노즐로부터 토출되는 린스액의 상기 기판에 대한 착액점과 상기 기판의 중심을 잇는 기준선에 대한, 상기 착액점과 상기 노즐의 토출구를 잇는 린스액의 유선의 각도를, 상기 노즐로부터의 린스액의 토출각이라고 정의했을 때에,
    상기 제 2 공정 또는 상기 제 4 공정은, 상기 노즐로부터 린스액을 토출하면서, 상기 노즐이 상기 기판의 외측으로부터 상기 기판의 주연을 넘어 상기 기판의 중심부측으로 이동하는 것으로서, 상기 노즐이 상기 기판의 주연을 넘은 후에, 상기 토출각을 증가시키는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정 ~ 상기 제 4 공정에 있어서 상기 기판을 가열하는 제 6 공정을 더 포함하고,
    상기 제 6 공정은, 상기 제 4 공정에 있어서의 린스액의 공급 개시의 전후에서의 상기 기판의 온도가, 상기 제 1 공정 및 상기 제 3 공정에 있어서의 에칭액의 공급 중에서의 상기 기판의 온도보다 낮아지도록, 상기 기판을 가열하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판으로의 에칭액의 공급 중에, 상기 주연부를 촬상부에 의해 촬상하는 제 7 공정과,
    상기 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상의 콘트라스트의 변화에 기초하여, 상기 주연부에 에칭 잔사가 발생했는지 여부를 판단하는 제 8 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 8 공정에 있어서 에칭 잔사가 발생했다고 판단된 경우, 상기 기판에 린스액을 공급하여, 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 상기 제 2 공정 또는 상기 제 4 공정을 행하는, 기판 처리 방법.
  9. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 또한, 노즐로부터 에칭액을 토출하면서, 상기 기판의 외측으로부터 상기 기판의 주연을 넘어 상기 기판의 중심부측으로 상기 노즐이 제 1 속도로 이동함으로써, 상기 기판의 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 1 공정과,
    상기 기판을 회전시키면서, 또한, 상기 노즐로부터 에칭액을 토출하면서, 상기 기판의 주연을 넘은 상기 노즐이 또한 상기 기판의 중심부측의 정해진 위치까지, 상기 제 1 속도보다 느린 제 2 속도로 이동함으로써, 상기 기판의 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 2 공정과,
    상기 기판을 회전시키면서, 상기 제 2 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 상기 제 2 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 공정과,
    상기 제 3 공정 후에, 상기 기판을 건조시키는 제 4 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 주연부의 제 1 위치에 에칭액을 공급하여, 상기 제 1 위치에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 공정과,
    상기 기판을 회전시키면서, 상기 주연부 중 상기 제 1 위치보다 상기 기판의 중심부측의 제 2 위치에 에칭액을 공급하여, 상기 제 2 위치에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 2 공정과,
    상기 기판을 회전시키면서, 상기 제 2 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 상기 제 2 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 공정과,
    상기 제 3 공정 후에, 상기 기판을 건조시키는 제 4 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 제 1 회전수로 회전시키면서, 상기 기판의 주연부에 에칭액을 공급하여, 상기 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 공정과,
    상기 기판의 주연부에 에칭액을 공급한 상태에서, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수보다 작은 제 2 회전수로 변경하는 제 2 공정과,
    상기 기판을 회전시키면서, 상기 제 1 공정 및 상기 제 2 공정에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급하여, 상기 제 1 공정 및 상기 제 2 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 공정과,
    상기 제 3 공정 후에, 상기 기판을 건조시키는 제 4 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  12. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 이면에 에칭액을 공급하여, 상기 이면으로부터 상기 기판의 주연부로 돌아들어간 상기 에칭액에 의해, 상기 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 공정과,
    상기 제 1 공정 후에, 상기 기판을 회전시키면서, 상기 기판의 이면에 린스액을 공급하여, 상기 이면으로부터 상기 주연부로 돌아들어간 상기 린스액에 의해, 상기 제 1 공정에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 공정과,
    상기 제 2 공정 후에, 상기 제 1 공정 및 상기 제 2 공정을 1 회 이상 반복하는 제 3 공정과,
    상기 제 3 공정 후에, 상기 기판을 건조시키는 제 4 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  13. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와,
    상기 기판의 표면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와,
    상기 기판의 표면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 기판의 주연부에 에칭액을 공급시키도록 상기 약액 공급부를 제어하여, 상기 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 두께 방향에 있어서 부분적으로 에칭 처리하는 제 1 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 제 1 처리에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 상기 린스액 공급부를 제어하여, 상기 제 1 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 기판의 주연부에 에칭액을 공급시키도록 상기 약액 공급부를 제어하여, 상기 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막의 잔부를 에칭 처리하는 제 3 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 제 3 처리에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 상기 린스액 공급부를 제어하여, 상기 제 3 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 4 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하여, 상기 기판을 건조시키는 제 5 처리를 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 처리는, 상기 제 1 처리에 있어서의 에칭액의 공급 중에 린스액을 공급 개시하는 것을 포함하는, 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 4 처리는, 상기 제 3 처리에 있어서의 에칭액의 공급 중에 린스액을 공급 개시하는 것을 포함하는, 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 또는 상기 제 4 처리는, 상기 린스액 공급부의 노즐로부터 린스액을 토출시키면서, 상기 기판의 외측으로부터 상기 기판의 주연을 넘어 상기 기판의 중심부측으로 상기 노즐을 이동시키는 것으로서, 상기 노즐이 상기 기판의 주연을 넘은 후에, 상기 노즐로부터 토출되는 린스액의 유량을 증가시키는 것을 포함하는, 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상방에서 봤을 때에, 상기 린스액 공급부의 노즐로부터 토출되는 린스액의 상기 기판에 대한 착액점과 상기 기판의 중심을 잇는 기준선에 대한, 상기 착액점과 상기 노즐의 토출구를 잇는 린스액의 유선의 각도를, 상기 노즐로부터의 린스액의 토출각이라고 정의했을 때에,
    상기 제 2 처리 또는 상기 제 4 처리는, 상기 린스액 공급부의 노즐로부터 린스액을 토출시키면서, 상기 기판의 외측으로부터 상기 기판의 주연을 넘어 상기 기판의 중심부측으로 상기 노즐을 이동시키는 것으로서, 상기 노즐이 상기 기판의 주연을 넘은 후에, 상기 토출각을 증가시키는 것을 포함하는, 기판 처리 장치.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 주연부를 촬상하도록 구성된 촬상부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 촬상부를 제어하여, 상기 기판으로의 에칭액의 공급 중에 상기 주연부를 촬상하는 제 7 처리와,
    상기 촬상부에 의해 촬상된 촬상 화상의 콘트라스트의 변화에 기초하여, 상기 주연부에 에칭 잔사가 발생했는지 여부를 판단하는 제 8 처리를 더 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  19. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와,
    상기 기판의 표면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와,
    상기 기판의 표면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하고, 또한, 상기 약액 공급부의 노즐로부터 에칭액을 토출시키면서, 상기 기판의 외측으로부터 상기 기판의 주연을 넘어 상기 기판의 중심부측으로 제 1 속도로 상기 노즐을 이동시키도록 상기 약액 공급부를 제어하여, 상기 기판의 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 1 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하고, 또한, 상기 노즐로부터 에칭액을 토출시키면서, 상기 기판의 주연을 넘은 상기 노즐을, 또한 상기 기판의 중심부측의 정해진 위치까지, 상기 제 1 속도보다 느린 제 2 속도로 이동시키도록, 상기 약액 공급부를 제어하여, 상기 기판의 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 2 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 제 2 처리에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 상기 린스액 공급부를 제어하여, 상기 제 2 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하여, 상기 기판을 건조시키는 제 4 처리를 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  20. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와,
    상기 기판의 표면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와,
    상기 기판의 표면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 기판의 주연부의 제 1 위치에 에칭액을 공급시키도록 상기 약액 공급부를 제어하여, 상기 제 1 위치에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 1 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 주연부 중 상기 제 1 위치보다 상기 기판의 중심부측의 제 2 위치에 에칭액을 공급시키도록 상기 약액 공급부를 제어하여, 상기 제 2 위치에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는, 제 2 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 제 2 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 상기 린스액 공급부를 제어하여, 상기 제 2 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하여, 상기 기판을 건조시키는 제 4 처리를 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  21. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와,
    상기 기판의 표면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와,
    상기 기판의 표면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 유지하여 제 1 회전수로 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 기판의 주연부에 에칭액을 공급시키도록 상기 약액 공급부를 제어하여, 상기 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 처리와,
    상기 기판의 주연부에 에칭액을 계속하여 공급시키도록 상기 약액 공급부를 제어하면서, 상기 기판의 회전수를 상기 제 1 회전수보다 작은 제 2 회전수로 변경시키도록 상기 회전 유지부를 제어하는 제 2 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 제 1 처리 및 상기 제 2 처리에 있어서의 에칭액의 공급 위치보다 상기 기판의 중심부측에 린스액을 공급시키도록 상기 린스액 공급부를 제어하여, 상기 제 1 처리 및 상기 제 2 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 3 처리와,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하여, 상기 기판을 건조시키는 제 4 처리를 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
  22. 표면에 금속 다결정막이 형성된 기판을 유지하여 회전시키도록 구성된 회전 유지부와,
    상기 기판의 이면에 에칭액을 공급하도록 구성된 약액 공급부와,
    상기 기판의 이면에 린스액을 공급하도록 구성된 린스액 공급부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 이면에 에칭액을 공급시키도록 상기 약액 공급부를 제어하여, 상기 이면으로부터 상기 기판의 주연부로 돌아들어간 상기 에칭액에 의해, 상기 주연부에 있어서의 상기 금속 다결정막을 에칭 처리하는 제 1 처리와,
    상기 제 1 처리 후에, 상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하면서, 상기 이면에 린스액을 공급시키도록 상기 린스액 공급부를 제어하여, 상기 이면으로부터 상기 주연부로 돌아들어간 상기 린스액에 의해, 상기 제 1 처리에 있어서 발생한 에칭 잔사를 린스액으로 씻어내는 제 2 처리와,
    상기 제 2 처리 후에, 상기 제 1 처리 및 상기 제 2 처리를 1 회 이상 반복하는 제 3 처리와,
    상기 제 3 처리 후에, 상기 기판을 유지하여 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하여, 상기 기판을 건조시키는 제 4 처리를 실행하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.
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