JP2001015402A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】簡易な構成で、回収部材の傾斜部の外壁面を洗
浄でき、かつ基板の汚染源を除去できる基板処理装置を
提供する。 【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック１０
と、スピンチャック１０を回転させる電動モータ１１
と、ウエハＷの表面に薬液を供給するノズル３０と、ウ
エハＷの回転に伴ってウエハＷの外周に飛散した薬液を
回収する傾斜部２１を有する回収部材２０と、スピンチ
ャック１０の外周に回収部材２０の傾斜部２１が位置す
る第１の状態（Ｈ２の位置）と回収部材２０の傾斜部２
１より上方の位置にスピンチャック１０に保持されたウ
エハＷの表面が位置する第２の状態（Ｈ１の位置）とに
なるように、スピンチャック１０と回収部材２０とを相
対的に移動させる昇降機構２６と、第２の状態において
ウエハＷの表面に純水を供給するノズル３０を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薬液、純水等の処
理液を半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、フォトマ
スク用基板等の基板の表面に供給して薬液洗浄処理、純
水洗浄処理等の所定の処理を行う基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、基板の一種
である半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。）を
回転させつつ、ウエハの表面に第１処理液となるフッ酸
（ＨＦ）等の薬液を供給して薬液洗浄処理を行い、次に
第２処理液となる純水を供給して純水洗浄処理を行い、
さらにウエハを高速回転させてウエハの表面を乾燥させ
る乾燥処理が行われる。

【０００３】このような一連の処理を行う従来の基板処
理装置は、回転可能にウエハを保持するスピンチャック
と、スピンチャックに保持されたウエハの表面に薬液を
供給する第１のノズルと、スピンチャックに保持された
ウエハの表面に純水を供給する第２のノズルと、スピン
チャックに保持されたウエハの周囲には、薬液や純水を
回収するための傾斜部を有する回収部材（スプラッシュ
カード）等を備えている。

【０００４】また、回収部材の上方には、気体を回収部
材内に導入したり、回収部材に対してウエハを搬入・搬
出を行うための開口が形成され、下部には薬液や純水を
回収するための処理液回収路が設けられている。

【０００５】そして、薬液洗浄処理、純水洗浄処理及び
乾燥処理という一連の処理は、従来、以下のように行わ
れている

【０００６】すなわち、まずスピンチャックに保持され
たウエハの周囲に回収部材を配置させた状態で、ウエハ
を保持したスピンチャックを回転させつつ、第１のノズ
ルからウエハの表面に薬液を供給して薬液洗浄処理が行
われる。このとき、ウエハの回転に伴ってウエハの外周
から飛散される薬液は、回収部材で受け止められて回収
され、処理液回収路を介して排出される。

【０００７】次に、薬液による薬液洗浄処理の後、継続
してスピンチャックに保持されたウエハの周囲に回収部
材を配置させた状態で、ウエハを保持したスピンチャッ
クを回転させつつ、第２のノズルからウエハの表面に純
水を供給して純水洗浄処理が行われる。このとき、ウエ
ハの回転に伴ってウエハの外周から飛散される純水は、
回収部材で受け止められて回収され、処理液回収路を介
して排出される。

【０００８】そして、純水洗浄処理が終了すると、第２
のノズルからウエハの表面への純水の供給を停止し、ス
ピンチャックに保持されたウエハの周囲に回収部材を配
置させた状態のまま、ウエハを保持したスピンチャック
の回転を継続してウエハの乾燥処理が行われる。なお、
第１のノズルや第２のノズルからウエハへ薬液や純水の
供給停止後の乾燥処理の初期段階で、ウエハの表面に残
留している純水等の大部分はウエハの外周から飛散さ
れ、回収部材で受け止められて回収されるが、この段階
ではウエハには分子レベルで液滴が残留した湿った状態
であるので、ウエハが完全に乾燥するのに十分な時間、
ウエハを回転させて乾燥処理が行われる。また、ウエハ
の乾燥を十分に行うために、通常、乾燥処理は、薬液洗
浄処理、純水洗浄処理よりもスピンチャックを高速に回
転させている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理装置では、薬液洗浄処理を行った際に、ウエハ
の回転に伴って薬液が周囲に飛び散ってしまうため、薬
液のミスト状の液滴が、回収部材の傾斜部の外壁面（裏
面）に付着してしまうという問題がある。この回収部材
の外壁面に付着した液滴は、基板処理装置のチャンバ内
に蓄積され、乾燥処理を行うウエハの汚染源となってし
まう。

【００１０】そのため、このウエハの汚染源を除去する
ためには、定期的に回収部材の外壁面に付着した液滴等
の洗浄を行う必要がある。

【００１１】そこで、回収部材の傾斜部の外壁面を洗浄
する装置としては、専用のノズル等を設けるものが考え
られる。しかし、この装置では、回収部材は通常円筒状
の形状をしたものなので複数の別途専用のノズルを回収
部材の上方で、かつ周囲に設けなければならないのでコ
スト高となる。また、定期的な洗浄を行うと、基板処理
装置の稼働率を下げてしまうことになる。

【００１２】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、簡易な構成で、回収部材の傾斜部の外壁面
を洗浄でき、かつ基板の汚染源を除去できる基板処理装
置を提供することを課題とする。

【００１３】上記課題を解決するために、請求項1に記
載の基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理
装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板を
保持している前記基板保持手段を回転させる第１駆動手
段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に第１
処理液を供給する第１供給手段と、基板の回転に伴って
基板の外周に飛散した第１処理液を回収する傾斜部を有
する回収部材と、前記基板保持手段の外周に前記回収部
材の傾斜部が位置する第１の状態と前記回収部材の傾斜
部より上方の位置に前記基板保持手段に保持された基板
の表面が位置する第２の状態とになるように、前記基板
保持手段と前記回収部材とを相対的に移動させる第２駆
動手段と、前記第２の状態において前記基板保持手段に
保持された基板の表面に第１処理液とは異なる第２処理
液を供給する第２供給手段と、を備えたことを特徴とす
る。なお、ここでいう「基板の保持」には、基板の端部
を保持部材等が複数箇所保持している場合、基板の裏面
が吸着保持手段等で吸着保持されている場合、基板の裏
面が複数の支持部材で支持されながら保持されている場
合が含まれる。また、回収部材は、基板保持手段の周囲
に配置されているのが望ましい。

【００１４】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第１の状
態において前記第１供給手段によって基板の表面に第１
処理液を供給して基板の処理を行った後、前記第２駆動
手段によって前記基板保持手段と前記回収部材とを相対
的に移動させて前記第１の状態から前記第２の状態へ切
り換え、前記第２の状態において前記第２供給手段によ
って基板の表面に第２処理液を供給して基板の処理を行
うことを特徴とする。なお、第１の状態において第１供
給手段によって基板の表面に第１処理液を供給して基板
の処理を行う第１の基板の処理としては、薬液を供給す
る薬液洗浄処理が考えられる。また、第２の状態におい
て第２供給手段によって基板の表面に第２処理液を供給
して基板の処理を行う第２の基板の処理としては、純水
を供給する純水洗浄処理が考えられる。

【００１５】請求項３に記載の基板処理装置は、請求項
１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記
第１駆動手段は、前記第２の状態において前記第２供給
手段によって基板の表面に第２処理液を供給している状
態で、基板を保持した前記基板保持手段を第１の回転数
で回転させ、さらに基板を保持した前記基板保持手段を
第１の回転数より低速の第２の回転数で回転させること
を特徴とする。

【００１６】請求項４に記載の基板処理装置は、請求項
３に記載の基板処理装置であって、前記第１駆動手段
は、前記第２の状態において前記第２供給手段によって
基板の表面に第２処理液を供給した後、前記第２の状態
において基板を保持した前記基板保持手段を前記第１の
回転数及び前記第２の回転数よりさらに高速の第３の回
転数で回転させることを特徴とする。

【００１７】請求項５に記載の基板処理装置は、請求項
１乃至請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であっ
て、前記第２駆動手段は、前記基板保持手段に対して前
記回収部材を上下方向に移動させることを特徴とする。

【００１８】請求項６に記載の基板処理装置は、請求項
１乃至請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であっ
て、前記第２駆動手段は、前記回収部材に対して前記基
板保持手段を上下方向に移動させることを特徴とする。

【００１９】請求項７に記載の基板処理装置は、請求項
１乃至請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であっ
て、前記第１処理液は薬液であり、前記第２処理液は純
水であることを特徴とする。なお、ここでいう「薬液」
には、薬液と純水を混合させた混合液も含まれる。

【００２０】請求項８に記載の基板処理装置は、請求項
１乃至請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であっ
て、前記第１供給手段と前記第２供給手段とは、１つの
供給手段で兼用されていることを特徴とする。

【００２１】請求項９に記載の基板処理装置は、請求項
１乃至請求項８のいずれかに記載の基板処理装置であっ
て、前記基板保持手段を収納する処理室をさらに備え、
前記処理室の側部には基板を搬送させるための開口を有
しており、前記第２の状態にある前記基板保持手段と前
記処理室の開口部との高さが一致することを特徴とす
る。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明に係る
基板処理装置の一実施の形態を示す概略構成図である。
この基板処理装置は、基板の一種であるウエハに対して
薬液による薬液洗浄処理、純水による純水洗浄処理、ス
ピン乾燥を行う乾燥処理をそれぞれ行う洗浄・乾燥装置
である。

【００２３】この基板処理装置は、回転可能にウエハＷ
を保持するスピンチャック１０、ウエハＷの回転に伴っ
てウエハＷの外周に飛散した薬液などを回収する回収部
材（スプラッシュガード）２０、スピンチャック１０に
保持されたウエハＷの上面に洗浄液である薬液や純水等
を供給するノズル３０等を処理室であるチャンバ４０内
に備えている。

【００２４】スピンチャック１０は、第１駆動手段に相
当する電動モータ１１によって鉛直方向に軸芯Ｊ周りで
回転される回転軸１２の上端部に円板状のスピンベース
１３が一体回転可能に連結されている。電動モータ１１
は、チャンバ４０外で、かつチャンバ４０の下側に設け
られており、回転速度を適宜に変更することが可能であ
る。なお、この電動モータ１１はチャンバ４０内に設け
てもよい。

【００２５】このスピンベース１３の上面には３個以上
の保持部材１４が設けられており、図１では、２個の保
持部材１４のみを図示している。各保持部材１４は、ス
ピンベース１３の上面を隔ててウエハＷの外周部を支持
する支持部１４ａと支持部１４ａに支持されたウエハＷ
の外周端縁を押圧して保持する保持部１４ｂとを備えて
いる。この保持部材１４によってウエハＷはスピンベー
ス１３の上面から隔てて保持される。なお、各保持部１
４ｂは、ウエハＷの外周端縁を押圧して保持する状態と
ウエハＷの外周端縁から離れて保持を解除する状態とで
切り換え可能である。

【００２６】回収部材２０は、回転軸１２の中心を通る
軸線Ｊに対して略回転対称で円筒状の形状をしている。
回収部材２０の上方先端側には、スピンチャック１０側
に傾斜した傾斜部２１を有している。回収部材２０の傾
斜部２１の内壁面２２側が薬液案内部となり、内壁面２
２の内周に略円筒状の薬液回収路２３が形成される。一
方、回収部材２０の傾斜部２１の外壁面２４とチャンバ
４０の内壁面との間に純水回収路２５が形成されてい
る。

【００２７】回収部材２０は、ボールネジ等の周知の１
軸方向駆動機構で構成される昇降機構２６によって上下
方向に昇降可能である。なお、この昇降機構２６はチャ
ンバ４０外で、かつチャンバ４０の下方に設けられてお
り、昇降機構２６の駆動制御により、回収部材２０は、
図１の実線で示すような最先端部がＨ１の位置と図１の
２点鎖線で示すような最先端部がＨ２の位置とに切り換
えられる。なお、回収部材２０がＨ１の位置にあるとき
が第２の状態に相当し、 Ｈ２の位置にあるときが第１
の状態に相当する。

【００２８】ノズル３０は、チャンバ４０内においてス
ピンチャック１０の保持されたウエハＷの上方に設けら
れている。このノズル３０は、供給管３１及び供給管３
２を介して図示しない薬液供給源に連通接続されてお
り、ウエハＷの表面に薬液を供給する。なお、薬液とし
ては、フッ酸、アンモニア等が挙げられるが、アンモニ
ア水、過酸化水素水及び水からなる混合液のようなもの
でもよい。ノズル３０からウエハＷの表面への薬液の供
給と停止とは、供給管３２の途中に設けられた開閉弁３
３の開閉制御により行われる。また、このノズル３０
は、供給管３１及び供給管３４を介して図示しない純水
供給源に連通接続されており、ウエハＷの表面に純水を
供給する。ノズル３０からウエハＷの表面への純水の供
給と停止とは、管３４の途中に設けられた開閉弁３５の
開閉制御により行われる。

【００２９】チャンバ４０の側部には、ウエハＷをチャ
ンバ４０内に対して搬入・搬出を行うための開口に相当
する搬出入口４１が、スピンベース１３の位置と略同等
の高さに対応させて形成されている。この搬出入口４１
には、この搬出入口４１の開閉を行うシャッタ４２が設
けられている。また、チャンバ４０の上部には、供給管
３１用の孔４３が形成されている。

【００３０】また、薬液回収路２３に対応するチャンバ
４０の底部には、薬液をチャンバ４０から排出するため
の孔４４が形成されている。この孔４４には排出管４５
が接続されており、この排出管４５を介してチャンバ４
０外に薬液が排出される。なお、薬液の排出とその停止
とは、排出管４５の途中に設けられた開閉弁４６の開閉
制御により行われる。さらに、純水回収路２５に対応す
るチャンバ４０の底部には、純水をチャンバ４０から排
出するための孔４７が形成されている。この孔４７には
排出管４８が接続されており、この排出管４８を介して
チャンバ４０外に純水が排出される。なお、純水の排出
とその停止とは、排出管４８の途中に設けられた開閉弁
４９の開閉制御により行われる。

【００３１】なお、チャンバ４０の底部には、回転軸１
２に対してシールされた回転軸１２用の孔が形成されて
いる。

【００３２】図２は、基板処理装置の制御系の構成を示
すブロック図である。電動モータ１１によるスピンチャ
ック１の回転制御、昇降機構２６による回収部材２０の
昇降制御、開閉弁３３の開閉制御によるノズル３０から
供給される薬液の供給とその停止の制御、開閉弁３５の
開閉制御によるノズル３０から供給される純水の供給と
その停止の制御、スピンチャック１０の保持部１４ｂに
よるウエハＷの保持とその解除の制御、開閉弁４６の開
閉制御による薬液排出路２３から排出される薬液の排出
とその停止の制御、開閉弁４９の開閉制御による純水排
出路２５から排出される純水の排出とその停止の制御、
シャッタ４１の開閉制御等は、制御部５０により行われ
る。この制御部５０は、ＣＰＵやメモリ等を備えたコン
ピュータで構成されている。

【００３３】次に、基板処理装置の処理動作について説
明する。図３は、本発明の基板処理装置の処理動作を示
すフローチャートであり、図４及び図５は、基板処理装
置の処理動作時におけるウエハと回収部材との位置関係
を示す図である。なお、図４及び図５においては、便宜
上電動モータ１１、スピンベース３及び保持部材１４を
省略している。

【００３４】まず、制御部５０によってシャッタ４１を
「開」にした状態で、図示しない基板搬送機構によって
ウエハＷをチャンバ４０内に搬入し、保持部１４ｂでウ
エハＷは保持される（ステップＳ１）。このとき、回収
部材２０は、図１で示すＨ１の位置（第２の状態）にあ
り、ウエハＷと回収部材２０との位置関係は図４（ａ）
で示す状態である。次に、制御部５０は、シャッタ４１
を「閉」にするとともに、昇降機構２６を駆動させて回
収部材２０を上昇させる（ステップＳ２）。このときの
状態は、図４（ｂ）に示すように、回収部材２０は、図
１で示すＨ２の位置（第１の状態）にある。

【００３５】そして、制御部５０は、電動モータ１１を
駆動して、ウエハＷの回転を開始する（ステップＳ
３）。ウエハＷの回転が開始されると、制御部５０によ
って開閉弁３３が「開」の状態となり、ノズル３０から
ウエハＷの表面へ薬液の供給が開始され、ウエハＷの表
面の薬液洗浄処理が行われる。（ステップＳ４）。この
ときの状態は、図４（ｃ）に示す状態であり、ウエハＷ
の回転数は２５０ｒｐｍ〜３５０ｒｐｍである。また、
スピンベース１３とウエハＷの回転の伴ってウエハＷの
外周に飛散した薬液は、制御部５０により開閉弁４６を
「開」の状態にして、薬液回収路２３、孔４４及び排出
管４５を介してチャンバ４０外へ排出される。ウエハＷ
の表面への薬液の供給が開始されて所定の時間経過する
と、制御部５０は、開閉弁３３を「閉」にして、ウエハ
Ｗの表面への薬液の供給を停止する（ステップＳ５）。
このときの状態は図４（ｄ）であり、ウエハＷは、２５
０ｒｐｍ〜３５０ｒｐｍの回転数で回転が継続された状
態である。これにより、ステップＳ４及びステップＳ５
による薬液洗浄処理は終了する。

【００３６】次に、制御部５０は、昇降機構２６を駆動
させ、回収部材２０を下降させる（ステップＳ６）。こ
のとき、回収部材２０は、図１で示すＨ２の位置にあ
り、ウエハＷと回収部材２０との位置関係は、図５
（ａ）で示す状態である。回収部材２０が下降すると、
制御部５０によって開閉弁３５が「開」の状態となり、
ノズル３０からウエハＷの表面への純水の供給が開始さ
れ、純水洗浄処理が行われる（ステップＳ７）。このと
きの状態は図５（ｂ）に示す状態であり、ウエハＷの回
転数は、約２５０ｒｐｍ〜３５０ｒｐｍ（第１の回転
数）である。

【００３７】さらに、制御部５０は、電動モータ１１を
制御して、ウエハＷの回転数を減少させる（ステップＳ
８）。例えば、ウエハＷの回転数を１００〜２００ｒｐ
ｍ（第２の回転数）に変更する。これにより、回収部材
２０の傾斜部２２の外壁部２４に純水が確実に供給さ
れ、この外壁部２４に付着しているミスト状の液滴が純
水によって洗浄される。また、スピンベース１３とウエ
ハＷの回転の伴ってウエハＷの外周に飛散した純水は、
制御部５０により開閉弁４９を「開」の状態にして、純
水回収路２５、孔４７及び排出管４８を介してチャンバ
４０外へ排出される。ウエハＷの表面への純水の供給が
開始されて所定の時間経過すると、制御部５０によって
開閉弁３５を「閉」の状態にして、ウエハＷの表面への
純水の供給を停止する（ステップＳ９）。これにより、
ステップＳ７からステップＳ９へと続いた純水洗浄処理
及び傾斜部洗浄処理は終了する。

【００３８】ステップＳ９が終了すると、制御部５０
は、電動モータ１１を制御して、ウエハＷの回転数を増
加させる（ステップＳ１０）。例えば、ウエハＷの回転
数を１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ（第３の回転数）
に変更する。このときの状態は、図５（ｃ）に示すよう
な状態であり、ウエハＷの表面に付着している純水がウ
エハＷの高速回転に伴ってウエハＷの周囲に振り切ら
れ、ウエハＷの乾燥処理が行われる。ウエハＷの高速回
転が所定の時間経過すると、制御部５０は、電動モータ
１１を制御してウエハＷの回転を停止させる（ステップ
Ｓ１１）。これにより、ステップＳ１０及びステップＳ
１１によるウエハＷの乾燥処理は終了する。なお、この
ときの状態は、図５（ｄ）に示すような状態である。

【００３９】最後に、制御部５０は、シャッタ４１を
「開」の状態にして、図示しない基板搬送機構によって
ウエハＷをチャンバ４０外に搬出する（ステップＳ１
２）。このとき、搬出入口４１が、スピンベース１３の
位置と略同等の高さに対応させてチャンバ４０の側部に
形成されているので、回収部材２０の移動等を行うこと
なく、チャンバ４０内からのウエハＷの搬出はスムーズ
に行われる。以上により、一連の基板処理装置の処理動
作は終了する。

【００４０】以上説明した本発明に係る基板処理装置で
は次のような効果がある。

【００４１】まず、ステップＳ４及びステップＳ５にお
いて薬液洗浄処理を行った後、駆動機構２６によって、
回収部材２０をＨ２の位置（第１の状態）からＨ１の位
置（第２の状態）へ下降させ、さらにステップＳ７にお
いて、開閉弁３５が制御部５０によって「開」の状態と
なってノズル３０からウエハＷの表面に純水の供給が開
始されるので、簡易な構成でウエハＷの表面の純水洗浄
処理を行うとともに、傾斜部２１の外壁面２４の洗浄処
理も同時に行うことができる。その結果、傾斜部２１の
外壁面２４の洗浄処理が行えれば、ウエハＷの汚染源を
確実に除去できる。

【００４２】また、ウエハＷの表面の純水洗浄処理を行
う際に、第１段階としてウエハＷの回転数を２５０ｒｐ
ｍ〜３５０ｒｐｍ（第１の回転数）とし、さらに第２段
階としてウエハＷの回転数を１００ｒｐｍ〜２００ｒｐ
ｍ（第２の回転数）とすれば、第１段階でウエハＷの表
面を確実に純水洗浄処理を行え、さらに第２段階でウエ
ハＷの表面と回収部材２０の傾斜部２１の外壁面２４と
を確実に純水で洗浄することができる。

【００４３】また、回収部材２０を駆動機構２６によっ
て上下方向に移動させるという簡素な構成で、回収部材
２０とスピンベース１３との相対的な位置関係を切り換
えることができる。なお、図示していないが、回収部材
２０を上下方向に移動させるかわりに、スピンベース１
３を上下方向に移動させても同じような効果が得られ
る。

【００４４】また、ノズル３０が薬液の供給と純水の供
給を兼用しているので、１つノズルという簡素な構成
で、薬液洗浄処理、純水洗浄処理、スピン乾燥処理の一
連のウエハＷに対する処理を行うことができる。

【００４５】さらに、チャンバ４０の側部にウエハＷの
搬入・搬出を行うための搬出入口４１が、スピンベース
１３の位置と略同等の高さに対応させて形成されている
ので、上述したウエハＷの一連の処理を終了した後、ウ
エハＷのチャンバ４０内からの搬出をスムーズに行うこ
とができる。

【００４６】なお、上述した本発明の一実施の形態で
は、回収部材２０を円筒状の形状をしたスプラッシュガ
ードと呼ばれるもので説明したが、回収部材２０にウエ
ハＷの外周に飛散した処理液を受け止めるスピンカップ
を用いてもよい。

【００４７】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、第２駆動手段によって基板保持手段の外周に回収
部材の傾斜部が位置する第１の状態から回収部材の傾斜
部より上方の位置に基板保持手段に保持された基板の表
面が位置する第２の状態へとなるように、基板保持手段
と回収部材とを相対的に移動させ、第２の状態において
第２供給手段によって基板保持手段に保持された基板の
表面に第１処理液とは異なる第２処理液を供給するの
で、簡易な構成で、回収部材の傾斜部の外側を洗浄で
き、かつ基板の汚染源を除去できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施の形態を示
す概略構成図である。

【図２】基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図
である。

【図３】本発明の基板処理装置の処理動作を示すフロー
チャートである。

【図４】基板処理装置の処理動作時におけるウエハと回
収部材との位置関係を示す図である。

【図５】基板処理装置の処理動作時におけるウエハと回
収部材との位置関係を示す図である。

【符号の説明】

１０ スピンチャック １１ 電動モータ １３ スピンベース １４ 保持部材 ２０ 回収部材 ２１ 傾斜部 ２４ 外壁面 ２６ 昇降機構 ３０ ノズル ４０ チャンバ ４１ 搬出入口 ５０ 制御部 Ｗ ウエハ Ｈ１ 第１の位置（第２の状態） Ｈ２ 第２の位置（第１の状態）

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項1】基板に所定の処理を行う基板処理装置であ
   って、 基板を保持する基板保持手段と、 基板を保持している前記基板保持手段を回転させる第１
   駆動手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面に第１処理液
   を供給する第１供給手段と、 基板の回転に伴って基板の外周に飛散した第１処理液を
   回収する傾斜部を有する回収部材と、 前記基板保持手段の外周に前記回収部材の傾斜部が位置
   する第１の状態と前記回収部材の傾斜部より上方の位置
   に前記基板保持手段に保持された基板の表面が位置する
   第２の状態とになるように、前記基板保持手段と前記回
   収部材とを相対的に移動させる第２駆動手段と、 前記第２の状態において前記基板保持手段に保持された
   基板の表面に第１処理液とは異なる第２処理液を供給す
   る第２供給手段と、を備えたことを特徴とする基板処理
   装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置であって、 前記第１の状態において前記第１供給手段によって基板
   の表面に第１処理液を供給して基板の処理を行った後、
   前記第２駆動手段によって前記基板保持手段と前記回収
   部材とを相対的に移動させて前記第１の状態から前記第
   ２の状態へ切り換え、前記第２の状態において前記第２
   供給手段によって基板の表面に第２処理液を供給して基
   板の処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処理
   装置であって、 前記第１駆動手段は、前記第２の状態において前記第２
   供給手段によって基板の表面に第２処理液を供給してい
   る状態で、基板を保持している前記基板保持手段を第１
   の回転数で回転させ、さらに基板を保持している前記基
   板保持手段を第１の回転数より低速の第２の回転数で回
   転させることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】請求項３に記載の基板処理装置であって、 前記第１駆動手段は、前記第２の状態において前記第２
   供給手段によって基板の表面に第２処理液を供給した
   後、前記第２の状態において基板を保持している前記基
   板保持手段を前記第１の回転数及び前記第２の回転数よ
   りさらに高速の第３の回転数で回転させることを特徴と
   する基板処理装置。
5. 【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の
   基板処理装置であって、 前記第２駆動手段は、前記基板保持手段に対して前記回
   収部材を上下方向に移動させることを特徴とする基板処
   理装置。
6. 【請求項６】請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の
   基板処理装置であって、 前記第２駆動手段は、前記回収部材に対して前記基板保
   持手段を上下方向に移動させることを特徴とする基板処
   理装置。
7. 【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の
   基板処理装置であって、 前記第１処理液は薬液であり、前記第２処理液は純水で
   あることを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の
   基板処理装置であって、 前記第１供給手段と前記第２供給手段と、は１つの供給
   手段で兼用されていることを特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の
   基板処理装置であって、 前記基板保持手段を収納する処理室をさらに備え、 前記処理室の側部には基板を搬送させるための開口を有
   しており、前記第２の状態にある前記基板保持手段と前
   記処理室の開口との高さが一致することを特徴とする基
   板処理装置。