TWI397118B - 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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TWI397118B
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Description

液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
本發明有關用以使用處理液對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等之待處理基板進行液體處理的液體處理裝置及液體處理方法，與存放著使用於採用液體處理裝置之液體處理方法且在電腦上動作的電腦程式的記憶媒體。
例如半導體裝置或液晶顯示裝置等之製程中，藉由對半導體晶圓或液晶顯示面板用玻璃基板等之待處理基板供給處理液，進行對待處理基板之表面或形成於其表面之薄膜施加液體處理的步驟(液體處理方法)。
就例如此種液體處理方法而言，一面使待處理基板，即晶圓旋轉，一面對晶圓噴出氨過氧化氫水混合水溶液(第1處理液)後，一面使該晶圓旋轉，一面對晶圓噴出氟酸(第2處理液)，以清洗晶圓的液體處理方法為已知(例如參照專利文獻1)。
此種處理液中也有高價品，且由於環境上的原因，有人將處理液重複使用。此時，必須將第1處理液與第2處理液不致混合而確實地分離回收。
又，如上述用以實行液體處理方法的液體處理裝置中，用以將因晶圓旋轉從晶圓被甩開之處理液往外方引導的杯體設在晶圓周緣外方。然而，設置此種杯體時，於杯體飛濺的處理液飛散成水氣，此因到達晶圓上而有成為水漬或微粒等缺陷之虞。
【專利文獻1】日本特開2002-329696號公報
【專利文獻2】日本特開2008-60203號公報
本發明係考慮上述點所設計，其目的為：提供液體處理裝置及液體處理方法，可將第1處理液與第2處理液確實地分離回收，並且可確實防止待處理基板上產生水漬或微粒等缺陷。又，本發明之另一目的為：提供記憶媒體，存放著用以實行該液體處理方法的電腦程式。
依本發明之液體處理裝置，其特徵在於：包含：基板固持機構，將待處理基板以可呈水平狀態旋轉之方式固持；處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板選擇性地供給第1處理液及第2處理液；旋轉杯體，為可旋轉式，配置於基板固持機構所固持之待處理基板的周緣外方，且具有承受將待處理基板液體處理後之第1處理液及第2處理液的第1承受面；外側排出部及內側排出部，設在旋轉杯體之下方，分別排出旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液與第2處理液；及排出部開閉機構，以可任意升降方式設在旋轉杯體之周緣外方，開閉外側排出部；且旋轉杯體之第1承受面的下端延伸到比基板固持機構所固持的待處理基板下方，排出部開閉機構上升而外側排出部開放時，旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液從第1承受面之下端朝外側排出部被排出；排出部開閉機構下降而外側排出部封閉時，旋轉杯體之第1承受面所承受的第2處理液從第1承受面之下端朝內側排出部被排出。
依本發明之液體處理裝置中，旋轉杯體之第1承受面較佳係以越朝下方其內徑越大的方式傾斜。
依本發明之液體處理裝置中，排出部開閉機構具有承受旋轉杯體之第1承受面所承受之第1處理液的第2承受面；且排出部開閉機構上升而外側排出部開放時，旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液較佳係從第1承受面之下端，經由排出部開閉機構之第2承受面而朝外側排出部被排出。
依本發明之液體處理裝置中，排出部開閉機構之第2承受面較佳係以越朝下方其內徑越大的方式傾斜。
依本發明之液體處理裝置中，排出部開閉機構之第2承受面於排出部開閉機構上升而外側排出部開放的狀態下，較佳係位在旋轉杯體之第1承受面的外側下方。
依本發明之液體處理裝置中，排出部開閉機構係與設在外側排出部的內側環狀部之間開閉外側排出部者，排出部開閉機構具有形成於內周側下部的第1段部，內側環狀部具有形成於上端的第2段部；且排出部開閉機構下降而外側排出部封閉時，較佳係排出部開閉機構之第1段部與內側環狀部之第2段部卡合。
依本發明之液體處理方法，係使用液體處理裝置之液體處理方法，其特徵在於包含：外側排出部開放步驟，使排出部開閉機構上升以開放外側排出部；第1處理液供給步驟，以處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板供給第1處理液；第1處理步驟，使待處理基板以水平狀態旋轉，以第1處理液將待處理基板液體處理；及第1排出步驟，將待處理基板處理後，使旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液從第1承受面的下端朝外側排出部排出。
依本發明之液體處理方法中，較佳係更包含：外側排出部封閉步驟，使排出部開閉機構下降以封閉外側排出部；第2處理液供給步驟，以處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板供給第2處理液；第2處理步驟，使待處理基板以水平狀態旋轉，以第2處理液將待處理基板液體處理；及第2排出步驟，將待處理基板處理後，使旋轉杯體之第1承受面所承受的第2處理液從第1承受面的下端朝內側排出部排出。
依本發明之記憶媒體，係存放有使用於採用液體處理裝置之液體處理方法，並在電腦上動作之電腦程式的記憶媒體；其特徵在於該液體處理方法包含：外側排出部開放步驟，使排出部開閉機構上升以開放外側排出部；第1處理液供給步驟，以處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板供給第1處理液；第1處理步驟，使待處理基板以水平狀態旋轉，以第1處理液將待處理基板液體處理；及第1排出步驟，將待處理基板處理後，使旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液從第1承受面的下端朝外側排出部排出。
依本發明之記憶媒體中，該液體處理方法較佳係更包含：外側排出部封閉步驟，使排出部開閉機構下降以封閉外側排出部；第2處理液供給步驟，以處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板供給第2處理液；第2處理步驟，使待處理基板以水平狀態旋轉，以第2處理液將待處理基板液體處理；及第2排出步驟，將待處理基板處理後，使旋轉杯體之第1承受面所承受的第2處理液從第1承受面的下端朝內側排出部排出。
依本發明，由於旋轉杯體之第1承受面的下端延伸到比基板固持機構所固持的待處理基板下方，因此不會讓水氣回到待處理基板上，而能有效率地從旋轉杯體排出，可確實防止待處理基板上產生水漬或微粒等缺陷。又，排出部開閉機構上升而外側排出部開放時，旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液從第1承受面之下端朝外側排出部被排出；排出部開閉機構下降而外側排出部封閉時，旋轉杯體之第1承受面所承受的第2處理液從第1承受面之下端朝內側排出部被排出。藉此，可將第1處理液及第2處理液確實地分離回收。
 <實施發明之最佳形態>
以下，參照圖1至圖5，說明依本發明之液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體的一實施形態。圖1係從上方觀察包含依本實施形態之液體處理裝置的液體處理系統的上方俯視圖，圖2係顯示依本實施形態之液體處理裝置的縱剖面圖。圖3(a)係顯示環形閥上升狀態之液體處理裝置的部分放大剖面圖，圖3(b)係顯示環形閥下降狀態之液體處理裝置的部分放大剖面圖。圖4係顯示依本實施形態之液體處理裝置之處理液供給機構的概略結構圖，圖5係顯示依本實施形態之液體處理方法的流程圖。
首先，依圖1，說明包含依本實施形態之液體處理裝置的液體處理系統整體的結構。
如圖1所示，液體處理系統包含：載置台81，用以載置從外部收納有作為待處理基板之半導體晶圓W(以下亦僅稱晶圓W)的載體；傳送臂82，用以取出載體所收納的晶圓W；擱架單元83，用以載置傳送臂82所取出的晶圓W；及主臂84，承接擱架單元83所載置的晶圓W，並將該晶圓W輸送到液體處理裝置1內。另外，於該液體處理系統組裝有複數(本實施形態為12個)之液體處理裝置1。
接著，依圖2至圖4，說明依本實施形態之液體處理裝置的結構。
液體處理裝置1如圖2所示，包含：機殼5；基板固持機構20，設在機殼5內，將晶圓W以可呈水平狀態旋轉之方式固持；及處理液供給機構30，對基板固持機構20所固持的晶圓W，選擇性地供給後述第1處理液及第2處理液。
在基板固持機構20所固持之晶圓W的周緣外方配置著從周緣外方覆蓋晶圓W，並且可與上述晶圓W之旋轉一體旋轉的旋轉杯體61(連接於基板固持機構20)。該旋轉杯體61於內側具有承受將晶圓W液體處理後之第1處理液及第2處理液的第1承受面61a。旋轉杯體61之第1承受面61a以越朝下方其內徑越大的方式，從內側(晶圓W側)上方向外側(機殼5側壁側)下方傾斜。
另一方面，基板固持機構20連結著旋轉機構70，藉著該旋轉機構70，旋轉杯體61與基板固持機構20一體旋轉。
而且，如圖2所示，於機殼5內而旋轉杯體61的周緣下方配置著收納將晶圓W清洗後之處理液的環狀的排放液杯體12。該排放液杯體12以不對機殼5旋轉之方式固定。
又，如圖2及圖3(a)、3(b)所示，排放液杯體12從中心側包含：第1環狀部17；第2環狀部(內側環狀部)18，形成於第1環狀部17之外側；及第3環狀部(外側環狀部)19，形成於第2環狀部18之外側。
其中，以第2環狀部18與第3環狀部19形成外側排出部15。該外側排出部15係設在旋轉杯體61之下方，並且排出旋轉杯體 61之第1承受面61a所承受的第1處理液者。又，如圖2所示，外側排出部15連結著排出所收納至外側排出部15之第1處理液的第1排放液管13。
另一方面，以第1環狀部17與第2環狀部18形成內側排出部16。該內側排出部16係排出第2處理液者，設在外側排出部15之內側，且旋轉杯體61之第1承受面61a的大致正下方。又，如圖2所示，內側排出部16連結著排出所收納至內側排出部16之第2處理液的第2排放液管24。
另一方面，如圖2及圖3(a)、3(b)所示，旋轉杯體61之周緣外方設置用以開閉外側排出部15之環狀的環形閥(排出部開閉機構)34。該環形閥34係與設在外側排出部15的第2環狀部18之間開閉外側排出部15者，且利用缸筒機構52以可任意升降方式設置。另一方面，環形閥34之旋轉方向的動作受限制。
如圖2及圖3(a)、3(b)所示，環形閥34於內側具有承受旋轉杯體61之第1承受面61a所承受之第1處理液的第2承受面34a。第2承受面34a與旋轉杯體61之第1承受面61a相同，以越朝下方其內徑越大的方式傾斜。又，第2承受面34a之對水平面的傾斜角度與第1承受面61a之對水平面的傾斜角度大致相同。
再者，如圖3所示，旋轉杯體61之第1承受面61a的下端61b為了往晶圓W下方導引將晶圓W液體處理後之第1處理液及第2處理液以使其不飛濺到晶圓W側，而延伸到基板固持機構20所固持的晶圓W下方。
也就是說，本實施形態中，第1承受面61a的下端61b延伸到比後述旋轉板21更下方，於環形閥34上升的狀態(圖3(a))下，與環形閥34之第1段部34b(後述)下端位於大致相同的高度。
又，如圖3(a)所示，於環形閥34上升而外側排出部15開放的狀態下，環形閥34之第2承受面34a位於旋轉杯體61之第1承受面61a的外側下方。此時，旋轉杯體61之第1承受面61a所承受的第1處理液從第1承受面61a的下端61b經由環形閥34之第2承受面34a朝外側排出部15被排出。
相對於此，如圖3(b)所示，環形閥34下降時，外側排出部15封閉。此時，旋轉杯體61之第1承受面61a所承受的第2處理液從第1承受面61a的下端61b朝外側排出部16被排出。
又，環形閥34具有形成於內周側下部的第1段部34b，第2環狀部18具有形成於上端的第2段部18b。如圖3(b)所示，環形閥34下降而外側排出部15封閉時，環形閥34之第1段部34b與第2環狀部18之第2段部18b卡合，藉此將外側排出部15密閉。
再者，如圖2所示，基板固持機構20包含：旋轉板21，形成水平設置的圓板狀；固持構件22，設在旋轉板21之周緣端部，固持晶圓W；及旋轉軸23，呈圓筒狀，連結於旋轉板21之底面中心部，往鉛直下方延伸。又，於旋轉板21之中心部形成有連通至圓筒狀旋轉軸23之孔23a的圓形之孔21a，在旋轉軸23之孔23a的內部設有可以升降機構56沿上下方向任意升降的升降構件25。
又，如圖2所示，升降構件25內設有從晶圓W之背面(底面)側供給處理液的背面處理液供給路徑26。又，升降構件25之上端部設有晶圓支持台27，該晶圓支持台27之頂面設置用以支持晶圓W的晶圓支持銷28。又，旋轉軸23透過軸承構件29在底板6以可旋轉方式受支持。
另一方面，如圖2所示，旋轉機構70包含：馬達71，具有馬達軸71a；帶部72；掛繞於該馬達軸71a，也掛繞於旋轉軸23之下端部。又，帶部72與馬達軸71a之間設有帶輪74，帶部72與旋轉軸23之間設有帶輪73。
而且，圖2中，對基板固持機構20所固持的晶圓W從晶圓W上方供給來自液體處理系統之風扇過濾器單元(FFU，Fan Filter Unit)(未圖示)的氣體。FFU具有吸附鹼成分之化學濾材，可防止鹼環境氣體從外部被帶進機殼5內。
又，排放液杯體12之下端設有狹縫狀的通氣孔66b，將經過旋轉杯體61之周緣上方的氣體導往排氣管67(參照圖2之虛線箭頭)。
又，如圖2所示，處理液供給機構30包含：噴嘴區塊31，對基板固持機構20所固持之晶圓W的表面供給第1處理液及第2處理液；噴嘴臂32，連結於噴嘴區塊31，使該噴嘴區塊31沿基板固持機構20所固持之晶圓W的表面移動；噴嘴擺動軸33，從該噴嘴臂32朝下方鉛直方向延伸；及噴嘴驅動部75，驅動該噴嘴擺動軸33。又，噴嘴擺動軸33之下端連結著將噴嘴區塊31、噴嘴臂32、噴嘴擺動軸33及噴嘴驅動部75沿上下方向驅動的噴嘴升降機構57。
該噴嘴驅動部75包含：馬達76，具有馬達軸76a；帶部77；掛繞於該馬達軸76a，也掛繞於噴嘴擺動軸33之下端部。又，帶部77與馬達軸76a之間設有帶輪79，帶部77與噴嘴擺動軸33之間設有帶輪78。
又，如圖4所示，處理液供給機構30之具有噴嘴31a、31b的噴嘴區塊31、噴嘴臂32及噴嘴擺動軸33內設有第1處理液及第2處理液通過的處理液流道35；與乾燥溶媒通過的乾燥溶媒流道38。又，處理液流道35與乾燥溶媒流道38連通於處理液供給部40。
該處理液供給部40包含：第1供給源41，供給第1處理液作為進行清洗處理之化學藥液；第2供給源42，供給第2處理液作為進行清洗處理之化學藥液；DIW供給源45，供給例如純水(DIW)作為沖洗液；及IPA供給源43，供給例如IPA(異丙醇)作為乾燥溶媒。又，就第1處理液及第2處理液之組合而言，如後所述，除氨過氧化氫水(SCl：第1處理液)及稀氟酸(DHF：第2處理液)之組合以外，可舉例如硫酸過氧化氫水(SPM：第1處理液)及氨過氧化氫水(SCl：第2處理液)之組合等。
另外，處理液流道35經由第1閥46與第1供給源41連通，經由第2閥47與第2供給源42連通，且經由第3閥48與DIW供給源45連通。另一方面，乾燥溶媒流道38經由第4閥49與IPA供給源43連通。
再者，圖4中，當僅打開第1閥46，而處理液流道35與第1供給源41連通時，處理液供給機構30從第1供給源41供給第1處理液作為進行清洗處理之化學藥液。如此以具有噴嘴31a、31b的噴嘴區塊31、噴嘴臂32、噴嘴擺動軸33、處理液流道35、噴嘴驅動部75(參照圖2)、第1閥46及第1供給源41，構成第1化學藥液供給機構。
另一方面，圖4中，當僅打開第2閥47，而處理液流道35與第2供給源42連通時，處理液供給機構30從第2供給源42供給第2處理液作為進行清洗處理之化學藥液。如此以具有噴嘴31a、31b的噴嘴區塊31、噴嘴臂32、噴嘴擺動軸33、處理液流道35、噴嘴驅動部75(參照圖2)、第2閥47及第2供給源42，構成第2化學藥液供給機構。
又，圖4中，以具有噴嘴31a、31b的噴嘴區塊31、噴嘴臂32、噴嘴擺動軸33、乾燥溶媒流道38、噴嘴驅動部75(參照圖2)、第4閥49及IPA供給源43，構成供給用以乾燥晶圓W之IPA(有機溶媒)的乾燥液供給機構。
又，圖4中，當僅打開第3閥48，而處理液流道35連通DIW供給源45時，處理液供給機構30供給作為化學藥液之沖洗液的純水(清洗液)。因此，以具有噴嘴31a、31b的噴嘴區塊31、噴嘴臂32、噴嘴擺動軸33、處理液流道35、噴嘴驅動部75(參照圖2)、第3閥48及DIW供給源45，構成對基板固持機構20所固持之晶圓W供給純水(化學藥液之沖洗液)的清洗液供給機構。
又，圖2所示之朝背面處理液供給路徑26供給處理液的機構中，除了未設置IPA供給源43以外，與上述處理液供給部40形成相同結構。
又，如圖2所示，第1排放液管13設有擋住通過第1排放液管13之第1處理液流的封閉閥(封閉機構)11，且藉由關閉該封閉閥11，可封閉第1排放液管13。該第1排放液管13與第1供給源41連接，可將來自第1排放液管13之第1處理液送回第1供給源41以進行再利用。
另一方面，第2排放液管24設有擋住通過第2排放液管24之第2處理液流的封閉閥(封閉機構)36，且藉由關閉該封閉閥36，可封閉第2排放液管24。又，與第1處理液不同，第2處理液從第2排放液管24往外方被排出後並不進行再利用。
又，如圖2及圖4所示，第1閥46、第2閥47、第3閥48、第4閥49及封閉閥11分別連接著控制部50，上述第1化學藥液供給機構、第2化學藥液供給機構、乾燥液供給機構及清洗液供給機構分別以控制部50控制。
接著，敘述此種結構所構成之本實施形態的作用。
更具體而言，敘述以本實施形態之液體處理裝置1將晶圓W清洗處理的液體處理方法。並且在此，以使用氨過氧化氫水作為第1處理液，並使用稀氟酸作為第2處理液的情形為例，進行說明。
首先，將主臂84所固持之晶圓W輸送到液體處理裝置1的機殼5內。然後，將如此輸送之晶圓W在使升降構件25上升的狀態下，傳遞至設於晶圓支持台27的晶圓支持銷28上。其後，升降構件25下降，以固持構件22將晶圓W夾持而固持(固持步驟101)(參照圖2及圖5)。
再來，以旋轉機構70，使基板固持機構20所固持之晶圓W與旋轉杯體61一體旋轉(旋轉步驟102)(參照圖2及圖5)。又，晶圓W與旋轉杯體61持續一體旋轉，直到後述乾燥步驟114結束。
更具體而言，藉由使馬達71之馬達軸71a旋轉，以使掛繞於馬達軸71a，也掛繞於旋轉軸23之下端部的帶部72旋轉，並使旋轉軸23旋轉。在此，由於旋轉杯體61與基板固持機構20成為一體，因此藉由使旋轉軸23旋轉，可使該旋轉杯體61與基板固持機構20一體旋轉。
又，於上述旋轉步驟102之前或後，以缸筒機構52使環形閥34上升以開放外側排出部15(外側排出部開放步驟103)(參照圖2、圖3(a)及圖5)。
接著，以處理液供給機構30，對基板固持機構20所固持之晶圓W進行既定之液體處理(參照圖2至圖5)。其間，具體係實施以下各步驟。又，進行後述第1處理液供給步驟104前，閥46、47、48、49均處於關閉狀態(參照圖4)。
首先，依據來自控制部50之信號，打開第1閥46，從第1供給源41供給第1處理液(氨過氧化氫水)。然後，經由噴嘴31a，對基板固持機構20所固持之晶圓W供給第1處理液(第1處理液供給步驟104)(參照圖2、圖3(a)、圖4及圖5)。
如上述，於使晶圓W與旋轉杯體61以水平狀態旋轉的情況下，將晶圓W以第1處理液(氨過氧化氫水)液體處理(第1處理步驟105)。
如此供給至晶圓W之第1處理液因伴隨於晶圓W旋轉的離心力，朝旋轉杯體61之第1承受面61a飛散(參照圖3(a)之虛線箭頭)。如此飛散後之第1處理液由旋轉杯體61之第1承受面61a承擋住，並沿第1承受面61a流往下方。
再來，因伴隨於旋轉杯體61旋轉的離心力沿第1承受面61a往下流的第1處理液係從第1承受面61a的下端61b朝斜下方飛散。此時，第1處理液通過環形閥34之第1段部34b與第2環狀部18之第2段部18b間，而到達環形閥34之第2承受面34a。
其後，第1處理液從環形閥34之第2承受面34a朝外側排出部15被排出(第1排出步驟106)(參照圖3(a)之虛線箭頭)。然後，第1處理液從外側排出部15經由第1排放液管13被送回第1供給源41(參照圖2及圖4)。
接著，利用缸筒機構52，使環形閥34下降以封閉外側排出部15(外側排出部封閉步驟107)(參照圖2、圖3(b)及圖5)。此時，由於環形閥34之第1段部34b與第2環狀部18之第2段部18b卡合，故環形閥34將外側排出部15密閉。
再來，依據來自控制部50之信號，關閉第1閥46並打開第3閥48，從DIW供給源45供給純水。然後，經由噴嘴31a，對晶圓W供給純水，清洗晶圓W表面(沖洗步驟108)(參照圖4及圖5)。此時，將晶圓W處理後之純水與後述第2處理液同樣地，由旋轉杯體61之第1承受面61a承擋住，然後從第1承受面61a的下端61b朝內側排出部16被排出。
接著，依據來自控制部50之信號，關閉第3閥48並打開第2閥47，從第2供給源42供給第2處理液(稀氟酸)。然後，經由噴嘴31a，對基板固持機構20所固持之晶圓W供給第2處理液(稀氟酸)(第2處理液供給步驟109)(參照圖2、圖3(b)、圖4及圖5)。
如上述，於使晶圓W及旋轉杯體61呈水平旋轉的狀態下，以第2處理液(稀氟酸)將晶圓W液體處理(第2處理步驟110)。
於第2處理步驟110將晶圓W液體處理後，第2處理液因伴隨於晶圓W旋轉的離心力，朝旋轉杯體61之第1承受面61a飛散(參照圖3(b)之虛線箭頭)。如此飛散後之第2處理液由旋轉杯體61之第1承受面61a承擋住，並沿第1承受面61a流往下方。
再來，因伴隨於旋轉杯體61旋轉的離心力沿第1承受面61a往下流的第2處理液係從第1承受面61a的下端61b朝斜下方飛散。於此之際，第2處理液碰撞到環形閥34之內壁面34c，並從環形閥34之內壁面34c朝內側排出部16被排出(第2排出步驟111)。
此時，由於環形閥34之第1段部34b與第2環狀部18之第2段部18b卡合，因此不會有第2處理液通過環形閥34與第2環狀部18之間而進入外側排出部15內的情形。尤其，環形閥34之第1段部34b因為配置在比第2環狀部18之第2段部18b內側(內側排出部16側)，故可確實防止第2處理液越過第2段部18b而進入外側排出部15內。
其後，第2處理液從內側排出部16經由第2排放液管24被排往外方。
接著，依據來自控制部50之信號，關閉第2閥47並打開第3閥48，從DIW供給源45供給純水。然後，經由噴嘴31a，對基板固持機構20所固持之晶圓W供給純水(沖洗步驟112)(參照圖4及圖5)。
再來，依據來自控制部50之信號，關閉第3閥48，然後打開第4閥49，經由噴嘴31b對晶圓W供給用以乾燥晶圓W的IPA(乾燥液供給步驟113)(參照圖4及圖5)。
於此之際，以噴嘴驅動部75驅動噴嘴擺動軸33，設在噴嘴臂32之噴嘴區塊31的噴嘴31a、31b以噴嘴擺動軸33為中心，而在晶圓W上方沿晶圓W之表面擺動(參照圖2)。
如上述，對晶圓W供給IPA後，使基板固持機構20所固持之晶圓W以比乾燥液供給步驟113時高的速度旋轉，藉此甩掉附著於晶圓W之IPA，使晶圓W乾燥(乾燥步驟114)。
再者，如上述，於各步驟中，旋轉杯體61與基板固持機構20一體旋轉。因此，從晶圓W所甩掉之各處理液碰撞到旋轉杯體61時，該處理液產生離心力作用。從而，該處理液不易飛散，而變得不易水氣化。
最後，處理完畢之晶圓W於解除固持構件22之夾持後，從基板固持機構20取下，並送往機殼5之外方(送出步驟115)(參照圖2)。
再者，一般而言，上述第2處理步驟110中，於晶圓W周圍之環境氣體中氨成分(鹼成分)雖僅些微但存在時，在乾燥步驟114後，晶圓W有產生如水漬的斑痕之虞。
相對於此，本實施形態中，藉由使環形閥34之第1段部34b與第2環狀部18之第2段部18b卡合，以將外側排出部15確實密閉。於是，第2處理步驟110中，不會有第1處理液(氨過氧化氫水)之氨成分從外側排出部15漏出而到達晶圓W周圍之環境氣體中的可能性。因此，可更確實防止晶圓W產生如水漬的斑痕。
又，上述說明中，使用一支噴嘴臂32，及具有噴嘴31a、31b的一個噴嘴區塊31，對晶圓W供給從第1供給源41所供給之第1處理液，與從第2供給源42所供給之第2處理液，但並不限於此，也可使用專用噴嘴臂及專用噴嘴區塊(包含噴嘴)，對晶圓W分別供給從第1供給源41所供給之第1處理液，與從第2供給源42所供給之第2處理液。
而且，上述說明中，以使用氨過氧化氫水作為第1處理液，並使用稀氟酸作為第2處理液的情形為例，進行說明，但並不限於此。例如，作為該等處理液，也可使用硫酸過氧化氫水及氨過氧化氫水。此時，為確實回收硫酸過氧化氫水，較佳係以硫酸過氧化氫水為第1處理液，並以氨過氧化氫水為第2處理液。亦即，較佳係比較2種處理液，將欲從外側排出部15確實回收(乃至再利用)之處理液，或者即使些微也不想漏洩到晶圓W周圍之環境氣體中的處理液設定為第1處理液。
又，本實施形態中，也提供使用於採用上述液體處理裝置1之液體處理方法，並在電腦上動作的電腦程式，及存放有此種電腦程式的記憶媒體。
如上述，依本實施形態，旋轉杯體61之第1承受面61a的下端61b延伸到比基板固持機構20所固持的晶圓W下方。因此，可確實防止因第1處理液及第2處理液在旋轉杯體61飛濺，而晶圓W上產生水漬或微粒等缺陷。
又，依本實施形態，環形閥34上升而外側排出部15開放時，於旋轉杯體61之第1承受面61a承受的第1處理液沿第1承受面61a流動，然後從第1承受面61a的下端61b朝外側排出部15被排出。另一方面，環形閥34下降而外側排出部15封閉時，於旋轉杯體61之第1承受面61a承受的第2處理液沿第1承受面61a流動，然後從第1承受面61a的下端61b朝內側排出部16被排出。如此一來，可將第1處理液及第2處理液確實地分離回收。
1．．．液體處理裝置
5．．．機殼
6．．．底板
11．．．封閉閥
12．．．排放液杯體
13．．．第1排放液管
15．．．外側排出部
16．．．內側排出部
17．．．第1環狀部
18．．．第2環狀部(內側環狀部)
18b．．．第2段部
19．．．第3環狀部(外側環狀部)
20．．．基板固持機構
21．．．旋轉板
21a．．．孔
22．．．固持構件
23．．．旋轉軸
23a．．．孔
24．．．第2排放液管
25．．．升降構件
26．．．背面處理液供給路徑
27．．．晶圓支持台
28．．．晶圓支持銷
29．．．軸承構件
30．．．處理液供給機構
31．．．噴嘴區塊
31a、31b．．．噴嘴
32．．．噴嘴臂
33．．．噴嘴擺動軸
34．．．環形閥(排出部開閉機構)
34a．．．第2承受面
34b．．．第1段部
34c．．．環形閥之內壁面
35．．．處理液流道
36．．．封閉閥
38．．．乾燥溶媒流道
40．．．處理液供給部
41．．．第1供給源
42．．．第2供給源
43．．．IPA供給源
45．．．DIW供給源
46-49．．．第1閥-第4閥
50．．．控制部
52．．．缸筒機構
56．．．升降機構
57．．．噴嘴升降機構
61．．．旋轉杯體
61a．．．第1承受面
61b．．．第1承受面之下端
66b．．．通氣孔
67．．．排氣管
70．．．旋轉機構
71．．．馬達
71a．．．馬達軸
72．．．帶部
73、74．．．帶輪
75．．．噴嘴驅動部
76．．．馬達
76a．．．馬達軸
77．．．帶部
78、79．．．帶輪
81．．．載置台
82．．．傳送臂
83．．．擱架單元
84．．．主臂
W．．．晶圓(待處理基板)
圖1係從上方觀察包含依本發明之一實施形態之液體處理裝置的液體處理系統的上方俯視圖。
圖2係顯示依本發明之一實施形態之液體處理裝置的縱剖面圖。
圖3(a)，3(b)係分別顯示環形閥上升狀態及下降狀態中，依本發明之一實施形態之液體處理裝置的部分放大剖面圖。
圖4係顯示依本發明之一實施形態之液體處理裝置之處理液供給機構的概略結構圖。
圖5係顯示依本發明之一實施形態之液體處理方法的流程圖。
1．．．液體處理裝置1
5．．．機殼5
6．．．底板
11．．．封閉閥
12．．．排放液杯體
13．．．第1排放液管
15．．．外側排出部
16．．．內側排出部
17．．．第1環狀部
18．．．第2環狀部(內側環狀部)
18b．．．第2段部
19．．．第3環狀部(外側環狀部)
20．．．基板固持機構
21．．．旋轉板
21a．．．孔
22．．．固持構件
23．．．旋轉軸
23a．．．孔
24．．．第2排放液管
25．．．升降構件
26．．．背面處理液供給路徑
27．．．晶圓支持台
28．．．晶圓支持銷
29．．．軸承構件
30．．．處理液供給機構
31．．．噴嘴區塊
32．．．噴嘴臂
33．．．噴嘴擺動軸
34．．．環形閥(排出部開閉機構)
34a．．．第2承受面
34b．．．第1段部
36．．．封閉閥
50．．．控制部
52．．．缸筒機構
56．．．升降機構
57．．．噴嘴升降機構
61．．．旋轉杯體
61a．．．第1承受面
66b．．．通氣孔
67．．．排氣管
70．．．旋轉機構
71．．．馬達
71a．．．馬達軸
72．．．帶部
73、74．．．帶輪
75．．．噴嘴驅動部
76．．．馬達
76a．．．馬達軸
77．．．帶部
78、79．．．帶輪
W．．．晶圓(待處理基板)

Claims (8)

  1. 一種液體處理裝置，其特徵在於：包含：基板固持機構，將待處理基板以可呈水平狀態旋轉之方式固持；處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板選擇性地供給第1處理液及第2處理液；旋轉杯體，為可旋轉式，配置於該基板固持機構所固持之待處理基板的周緣外方，且具有第1承受面，用以承受將對於待處理基板施以液體處理後之第1處理液及第2處理液；外側排出部及內側排出部，設在該旋轉杯體之下方，分別排出該旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液與第2處理液；及排出部開閉機構，以可任意升降方式設在該旋轉杯體之周緣外方，用以開閉該外側排出部；且該旋轉杯體之第1承受面的下端延伸到比該基板固持機構所固持的待處理基板更下方，當該排出部開閉機構上升而該外側排出部開放時，該旋轉杯體之該第1承受面所承受的第1處理液從該第1承受面之下端朝該外側排出部被排出；當該排出部開閉機構下降而該外側排出部封閉時，該旋轉杯體之該第1承受面所承受的第2處理液從該第1承受面之下端朝該內側排出部被排出；該排出部開閉機構具有承受該旋轉杯體之該第1承受面所承受之第1處理液的第2承受面；且當該排出部開閉機構上升而該外側排出部開放時，該旋轉杯體之該第1承受面所承受的第1處理液從該第1承受面之下端，經由該排出部開閉機構之該第2承受面而朝該外側排出部被排出；又該排出部開閉機構係與設在該外側排出部的內側環狀部 之間開閉該外側排出部者，該排出部開閉機構具有形成於內周側下部的第1段部，該內側環狀部具有形成於上端的第2段部；且當該排出部開閉機構下降而該外側排出部封閉時，該排出部開閉機構之該第1段部與該內側環狀部之該第2段部卡合。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該旋轉杯體之該第1承受面以越朝下方其內徑越大的方式傾斜。
  3. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該排出部開閉機構之該第2承受面以越朝下方其內徑越大的方式傾斜。
  4. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該排出部開閉機構之該第2承受面於該排出部開閉機構上升而該外側排出部開放的狀態下，位在該旋轉杯體之該第1承受面的外側下方。
  5. 一種液體處理方法，係使用申請專利範圍第1項之液體處理裝置的液體處理方法，其特徵在於包含：外側排出部開放步驟，使排出部開閉機構上升以開放外側排出部；第1處理液供給步驟，藉由處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板供給第1處理液；第1處理步驟，使待處理基板成水平狀態旋轉，以第1處理液對於待處理基板施以液體處理；及第1排出步驟，於待處理基板完成處理後，使旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液從第1承受面的下端朝外側排出部排出。
  6. 如申請專利範圍第5項之液體處理方法，其中，更包含：外側排出部封閉步驟，使排出部開閉機構下降以封閉外側排出部；第2處理液供給步驟，藉由處理液供給機構，對於基板固持機構所固持之待處理基板供給第2處理液；第2處理步驟，使待處理基板成水平狀態旋轉，以第2處理液對於待處理基板施以液體處理；及 第2排出步驟，於待處理基板完成處理後，使旋轉杯體之第1承受面所承受的第2處理液從第1承受面的下端朝內側排出部排出。
  7. 一種記憶媒體，儲存有使用於採用申請專利範圍第1項之液體處理裝置的液體處理方法，並在電腦上動作之電腦程式；其特徵在於該液體處理方法包含：外側排出部開放步驟，使排出部開閉機構上升以開放外側排出部；第1處理液供給步驟，以處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板供給第1處理液；第1處理步驟，使待處理基板以水平狀態旋轉，以第1處理液將待處理基板液體處理；及第1排出步驟，將待處理基板處理後，使旋轉杯體之第1承受面所承受的第1處理液從第1承受面的下端朝外側排出部排出。
  8. 如申請專利範圍第7項之記憶媒體，其中，該液體處理方法更包含：外側排出部封閉步驟，使排出部開閉機構下降以封閉外側排出部；第2處理液供給步驟，以處理液供給機構，對基板固持機構所固持之待處理基板供給第2處理液；第2處理步驟，使待處理基板以水平狀態旋轉，以第2處理液將待處理基板液體處理；及第2排出步驟，將待處理基板處理後，使旋轉杯體之第1承受面所承受的第2處理液從第1承受面的下端朝內側排出部排出。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5309118B2 (ja) 2010-12-17 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP5667545B2 (ja) * 2011-10-24 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US9805946B2 (en) * 2013-08-30 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Photoresist removal
KR101621482B1 (ko) * 2014-09-30 2016-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6797526B2 (ja) * 2014-11-11 2020-12-09 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
WO2016076303A1 (ja) * 2014-11-11 2016-05-19 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP6467292B2 (ja) * 2015-05-29 2019-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6649837B2 (ja) * 2016-04-13 2020-02-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2017212335A (ja) * 2016-05-25 2017-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP7424424B2 (ja) * 2021-11-02 2024-01-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184660A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルおよびそれを用いた基板処理装置
JP2002329696A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW344097B (en) * 1996-04-09 1998-11-01 Tokyo Electron Co Ltd Photoresist treating device of substrate and photoresist treating method
JP3396377B2 (ja) * 1996-07-22 2003-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2001170573A (ja) 1999-12-20 2001-06-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7596886B1 (en) * 2002-12-18 2009-10-06 Lam Research Corporation Method and system to separate and recycle divergent chemistries
JP4884136B2 (ja) 2006-08-30 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184660A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズルおよびそれを用いた基板処理装置
JP2002329696A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

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