JP5016455B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5016455B2 JP5016455B2 JP2007303309A JP2007303309A JP5016455B2 JP 5016455 B2 JP5016455 B2 JP 5016455B2 JP 2007303309 A JP2007303309 A JP 2007303309A JP 2007303309 A JP2007303309 A JP 2007303309A JP 5016455 B2 JP5016455 B2 JP 5016455B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brush
- wafer
- substrate
- contact surface
- processing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 130
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 109
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 97
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 17
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
ウエハの周縁部の洗浄に関する先行技術として、たとえば、ウエハを回転させつつ、ウエハの周縁部に円筒状のブラシの外周面を接触させるとともに、ブラシにおけるウエハの回転半径方向の内側に配置した処理液ノズルから、ウエハの周縁部におけるブラシの接触する領域に向けて純水などの処理液を吐出させることにより、ウエハの周縁部に付着している汚染を除去する構成が提案されている(たとえば、特許文献1および特許文献2参照)。
このような問題を回避するため、ブラシに処理液を供給しないことも考えられるが、そうすると、ブラシにより基板の周縁部から掻き取られた汚染が周縁部上に残り、その汚染が残存したまま基板が乾燥されることにより、汚染の基板へのこびりつきが発生するおそれがある。
この発明によれば、処理液を含浸した状態のブラシが基板の周縁部に接触される。これにより、基板の周縁部に処理液が供給される。その一方で、基板の周縁部におけるブラシとの接触領域には、当該接触領域に対してブラシが配置される側と反対側から気体が供給される。この気体の供給により、基板の周縁部に供給された処理液は、基板の外方に向かって押し流される。したがって、デバイス形成領域への処理液の進入を防止することができる。これにより、基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる。
また、ブラシの内部に含まれた汚染が、ブラシの内部から染み出す処理液により、接触面に向けて押し出される。したがって、ブラシの内部に含まれた汚染を、効率的に除去することができる。
また、処理液供給手段から溝に供給された処理液は、溝に溜められるとともに、接続路をブラシの上端面に向けて流れる。そして、ブラシの上端面に達した処理液はブラシの内部に浸透し、ブラシの内部を通って接触面に供給される。このため、ブラシの周囲に処理液がほとんど飛散しない。
前記気体供給手段は、基板の周縁部における前記ブラシが接触する領域に向けて気体を吹き付けるものであることが好ましい。この場合、基板の周縁部に供給された処理液を、基板の外方に向かってより一層押し流すことができる。
また、前記気体供給手段により供給される気体は、N2ガスや空気などの不活性ガスであることが好ましい。この場合、基板に対する処理に悪影響を与えない。
この発明によれば、ブラシの周囲の雰囲気が吸引機構により吸引される。
基板の周縁部に供給される処理液が基板の外側に流れることにより、ブラシの周囲には、処理液を含む雰囲気が存在する。この雰囲気がデバイス形成領域に進入すると、デバイス形成領域に悪影響を及ぼすおそれがある。
請求項3記載の発明は、前記吸引機構は、前記ブラシの周囲を取り囲むように覆うカバー体(49)と、前記カバー体の内部の雰囲気を吸引する吸引手段(60)とを含むことを特徴とする、請求項2記載の基板処理装置である。
請求項4に記載のように、前記カバー体に固定されて、前記カバー体の内部と吸引口(54)を介して連通する排気路(57)が、内部に区画形成されたケーシング(56)をさらに含み、前記吸引手段は、前記排気路に形成された排出口(58)と、前記排出口に接続される吸引管(59)と、前記吸引管の内部を真空吸引する真空発生装置(60)とを有していてもよい。
請求項6記載の発明は、前記ブラシを、鉛直軸線を中心に、前記ブロック体と一体的に回転させるブラシ回転手段(15)をさらに含み、前記接続路は、鉛直方向に対し、前記ブラシに近づくにつれて前記ブラシの前記鉛直軸線に近づくように傾斜していることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項7に記載のように、前記接触面は、下方側に向けて狭まる形状の第1接触面(32)を含むものであってもよい。このような形状の第1接触面は、鉛直方向に対して傾斜しているので基板の上面の周縁領域および周端面に跨って接触させることができる。これにより、基板の上面の周縁領域および周端面を同時に洗浄することができる。
よって、第1接触面により基板の上面の周縁領域および周端面を同時に洗浄することができ、また、第2接触面により基板の下面の周縁領域および周端面を同時に洗浄することができる。その結果、基板の上下両面の周縁領域ならびに周端面を含む周縁部全域を良好に洗浄することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。また、図2は、図1に示す基板処理装置の内部の図解的な側面図である。
この基板処理装置1は、基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ]という。)Wを1枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置1は、隔壁で区画された処理室2内に、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック3と、ウエハWの周縁部を洗浄するためのブラシ機構4を備えている。
スピンチャック3は、真空吸着式チャックである。このスピンチャック3は、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸5と、このスピン軸5の上端に取り付けられて、ウエハWをほぼ水平な姿勢でその裏面(下面)を吸着して保持する吸着ベース6と、スピン軸5と同軸に結合されたブラシ回転軸を有するスピンモータ7とを備えている。これにより、ウエハWの裏面が吸着ベース6に吸着保持された状態で、スピンモータ7が駆動されると、ウエハWがスピン軸5の中心軸線まわりに回転する。
アーム支持軸10は、鉛直方向に延びて設けられている。このアーム支持軸10の上端部は、揺動アーム9の一端部(基端部)の下面に結合されている。アーム支持軸10には、揺動駆動機構12の駆動力が入力されるようになっている。揺動駆動機構12の駆動力をアーム支持軸10に入力して、アーム支持軸10を往復回転させることによって、揺動アーム9を、アーム支持軸10を支点に揺動させることができる。具体的には、揺動アーム9の揺動により、ブラシ11が、ウエハWの周縁部と接触して、その周縁部を洗浄する処理位置(図1に、揺動アーム9を二点鎖線で示す。)と、スピンチャック3の側方のホームポジション(図1に、揺動アーム9を実線で示す。)との間を移動するようになっている。
揺動アーム9の先端部には、鉛直方向に延びるブラシ回転軸14が回転可能に設けられている。ブラシ回転軸14には、揺動アーム9の内部において、ブラシ回転軸14を回転させるためのブラシ自転機構15が結合されている。一方、ブラシ回転軸14には、ホルダ取付部16(図3参照)を介して、ホルダ20が取り付けられている。ホルダ20の下方に、ブラシ11が取り付けられている。ブラシ11の周囲は、カバー体49により覆われている。
ブラシ回転軸14の下端部には、ホルダ取付部16が固定されている。ホルダ取付部16は、ブラシ回転軸14が挿通されて、ブラシ回転軸14に固定された円板状の上面部17と、この上面部17の周縁から下方に向けて延びる円筒状の側面部18と、この側面部18の下端縁に固定された円環状の下面部19とを一体的に備えている。下面部19の内周面には、ねじが切られている。このねじとホルダ20の後述するねじ部28に形成されているねじとを螺合させることによって、ホルダ20をホルダ取付部16に取り付けることができる。
ブロック体21は、ブラシ11の上端面11aに接するように配置されている。ブロック体21は、樹脂により形成されている。ブロック体21の上面には、液を溜めることのできる貯留溝24が形成されている。
ブロック体21には、ブロック体21を貫通して、貯留溝24の底面とブラシ11の上端面11aとを接続する接続路25が、複数(たとえば、4個)形成されている。各接続路25は、貯留溝24の底面において、その外周寄りに開口する上開口26と、ブロック体21の下面において、この上開口26よりもその中心軸線側に開口する下開口27とを連通している。各接続路25は、鉛直方向に対し、下方に向かうにつれて中心軸線に近づくように約30°傾斜している。複数の接続路25の上開口26は、図4に示すように、貯留溝24の底面に、ブロック体21の回転軸線を中心とする円周上にほぼ等角度間隔で形成されている。
また、芯材22の下端部には、ねじ孔が形成されている。このねじ孔にプレート23の中心を貫通するボルト29がねじ込まれることによって、プレート23が芯材22に着脱可能に取り付けられている。
吐出口37から吐出された処理液は、貯留溝24に溜められるとともに、接続路25を、ブラシ11の上端面11aに向けて流れる。そして、ブラシ11の上端面11aに達した処理液は、ブラシ11の内部に浸透し、ブラシ11の内部を通って第1接触面32および第2接触面33に供給される。下開口27が上開口26よりもその中心軸線側に開口しているので、ブラシ11の回転軸線近くに処理液が供給される。
カバー体49は、その内部にブラシ11を収容するものであり、ブラシ11の回転軸線を中心とする有底四角筒状に形成されている。カバー体49は、ブラシ11の側方を取り囲む側壁51と、この側壁51を下方から閉鎖する底壁52とを有している。側壁51には、ブラシ11におけるウエハWとの接触部分と対向する領域に、ウエハWの周縁部を受けるための開口53が形成されている。カバー体49には、開口53側と反対側の側壁51の下端に、吸引口54が形成されている。
図5は、基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
この制御部50には、スピンモータ7、揺動駆動機構12、昇降駆動機構13、ブラシ自転機構15、処理液バルブ39、N2バルブ45および真空発生装置60が制御対象として接続されている。
図6は、基板処理装置におけるウエハWの処理を説明するための工程図である。以下、その表面の中央部(デバイス形成領域)にLow−k膜(疎水性膜)が形成されたウエハWを洗浄する場合を例にとって説明するが、この洗浄処理は、その表面の中央部に銅配線が形成されたウエハWを洗浄対象とすることもできるし、それ以外のウエハWを洗浄対象とすることもできる。
処理対象のウエハWは、処理室2内に搬入され、スピンチャック3に保持される(ステップS1)。ウエハWがスピンチャック3に保持されると、制御部50によりスピンモータ7が制御されて、スピンチャック3によるウエハWの回転が開始される(ステップS2)。
ブラシ11がウエハWの裏面の周縁領域41および周端面42に接触してから予め定める時間が経過すると、制御部50により処理液バルブ39が開かれる。これにより、吐出口37からブロック体21の貯留溝24に向けて処理液が吐出される(ステップS4)。このときの吐出口37からの処理液の吐出流量は、たとえば30mL/minである。吐出口37からの処理液は、ブロック体21の貯留溝24に溜められる。
カバー体49の底壁52上に溜まった処理液も、カバー体49の側壁51の下端に形成された吸引口54を介して真空発生装置60により吸引される。
ウエハWの表面の周縁領域40および周端面42に対する表面側洗浄処理が所定時間にわたって続けられると、制御部50により揺動駆動機構12および昇降駆動機構13が制御されて、ブラシ11が処理開始前のホームポジションに退避される(ステップS7)。また、ブラシ11がホームポジションに戻される間に、ブラシ自転機構15が制御されて、ブラシ11の回転が停止される。さらに、制御部50によって処理液バルブ39が閉じられて、吐出口37からの処理液の吐出が停止される(ステップS8)。また、制御部50によってN2バルブ45が閉じられて、N2ノズル44からのN2ガスの吐出が停止される(ステップS9)。また、制御部50によって真空発生装置60の駆動が停止される(ステップS9)。
その後は、制御部50によりスピンモータ7が制御されて、ウエハWが高速(たとえば、3000rpm)で回転され(ステップS10)、ウエハWに付着している処理液が振り切られて、ウエハWが乾燥される。ウエハWの高速回転が所定時間にわたって続けられた後、スピンチャック3によるウエハWの回転が停止される(ステップS11)。そして、ウエハWが静止した後、その処理済みのウエハWが処理室2から搬出されていく(ステップS12)。
ウエハWの周縁部40,41,42に供給される処理液がウエハWの外側に流れることにより、ブラシ11の周囲には、処理液を含む雰囲気が存在する。この雰囲気がデバイス形成領域に進入すると、デバイス形成領域に悪影響を及ぼすおそれがある。
ブラシ11の周囲の処理液を含む雰囲気は、真空発生装置60により吸引され、ブラシ11の周囲から排除される。その結果、処理液を含む雰囲気がデバイス形成領域に悪影響を及ぼすことを防止することができる。
さらにまた、ブラシ11がウエハWの周縁部40,41,42に接触される。また、ブラシ11に供給されてブラシ11の内部に浸透した処理液が、ブラシ11の内部から第1接触面32および第2接触面33を介して、ウエハWの周縁部40,41,42に供給される。処理液がブラシ11の内部を通ってウエハWの周縁部40,41,42に供給されるので、処理液が周囲にほとんど飛散しない。したがって、ウエハWの表面のデバイス形成領域への付着を防止することができる。これにより、デバイス形成領域に影響を与えることなく、ウエハWの周縁部40,41,42から汚染を良好に除去することができる。
たとえば、前記の実施形態では、ブラシ11の内部に処理液を浸透させ、その内部からブラシ11の接触面32,33に処理液を供給する構成を例にとって説明したが、たとえば、ブラシ11への処理液の供給のために、ウエハWの裏面に処理液を供給する構成を採用することもできる。
11 ブラシ
11a 上端面
15 ブラシ自転機構(ブラシ回転手段)
21 ブロック体
24 貯留溝
25 接続路
32 第1接触面
33 第2接触面
36 処理液供給管(処理液供給手段)
37 吐出口
39 処理液バルブ(処理液供給手段)
40 周縁領域
41 周縁領域
42 周端部
44 N2ノズル(気体供給手段)
49 カバー体
51 側壁
52 底壁
54 吸引口
56 ケーシング
57 排気路
58 排出口
59 吸引管
60 真空発生装置
P ブラシ接触領域
W ウエハ(基板)
Claims (8)
- 接触面を有し、処理液が含浸した状態で、基板の周縁部に前記接触面が接触されるように配置されるブラシと、
基板の周縁部における前記ブラシが接触する領域に、当該領域に対して前記ブラシが配置される側と反対側から気体を供給するための気体供給手段と、
前記ブラシの内部に処理液が浸透し、その浸透した処理液が前記接触面に供給されるように、前記ブラシに対して処理液を供給する処理液供給機構と、
下面を有し、当該下面の全域が、前記ブラシにおける前記接触面とは異なる上端面に接するブロック体とを含み、
前記処理液供給機構は、
前記ブロック体の上面に形成され、液を溜めることができる溝と、
前記溝に対し、処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記溝の底面と前記ブロック体の下面とを貫通して形成され、前記ブロック体の下面における前記上端面が接触する部分に開口する接続路とを含むことを特徴とする、基板処理装置。 - 前記ブラシの周囲の雰囲気を吸引するための吸引機構をさらに含むことを特徴とする、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記吸引機構は、前記ブラシの周囲を取り囲むように覆うカバー体と、前記カバー体の内部の雰囲気を吸引する吸引手段とを含むことを特徴とする、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記カバー体に固定されて、前記カバー体の内部と吸引口を介して連通する排気路が、内部に区画形成されたケーシングをさらに含み、
前記吸引手段は、前記排気路に形成された排出口と、前記排出口に接続される吸引管と、前記吸引管の内部を真空吸引する真空発生装置とを有することを特徴とする、請求項3記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給手段は、前記溝よりも上方位置に配置されて、前記溝に向けて処理液を吐出する吐出口を含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ブラシを、鉛直軸線を中心に、前記ブロック体と一体的に回転させるブラシ回転手段をさらに含み、
前記接続路は、鉛直方向に対し、前記ブラシに近づくにつれて前記ブラシの前記鉛直軸線に近づくように傾斜していることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記接触面は、下方側に向けて狭まる形状の第1接触面を含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記接触面は、前記第1接触面の下方側の端縁から下方側に向けて拡がる形状の第2接触面を含むことを特徴とする、請求項7記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007303309A JP5016455B2 (ja) | 2007-11-22 | 2007-11-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007303309A JP5016455B2 (ja) | 2007-11-22 | 2007-11-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009130122A JP2009130122A (ja) | 2009-06-11 |
JP5016455B2 true JP5016455B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=40820747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007303309A Active JP5016455B2 (ja) | 2007-11-22 | 2007-11-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5016455B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6362575B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2018-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
JP6751634B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-09-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0515857A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-26 | Sharp Corp | 洗浄装置 |
US20090038641A1 (en) * | 2006-01-10 | 2009-02-12 | Kazuhisa Matsumoto | Substrate Cleaning Apparatus, Substrate Cleaning Method, Substrate Processing System, and Storage Medium |
JP4719051B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US8127395B2 (en) * | 2006-05-05 | 2012-03-06 | Lam Research Corporation | Apparatus for isolated bevel edge clean and method for using the same |
-
2007
- 2007-11-22 JP JP2007303309A patent/JP5016455B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009130122A (ja) | 2009-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4976949B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101280768B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP4757882B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体 | |
JP5031671B2 (ja) | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 | |
JP2007273610A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009267101A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102627828B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법 | |
KR20080020503A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
US20100147335A1 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium | |
JP5139090B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2002151455A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
JP5016455B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2010010348A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH11102882A (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP2022174633A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4719052B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2004235216A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
JP5031654B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JPH11145099A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5016462B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4342324B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2009123951A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2009238938A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100745482B1 (ko) | 기판 이면 처리 장치 | |
JP2019125659A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120531 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120608 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150615 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5016455 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |