JPH11147066A

JPH11147066A - 処理方法及び処理装置

Info

Publication number: JPH11147066A
Application number: JP33229097A
Authority: JP
Inventors: Hideyuki Takamori; 秀之高森; Masafumi Nomura; 雅文野村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1997-11-18
Filing date: 1997-11-18
Publication date: 1999-06-02

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の表面に均一な液膜を形成・維持させ，
しかも処理液のミストが基板の表面に再付着することを
防止する。【解決手段】ＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給
し，回転カップ３４内でＬＣＤ基板Ｇを回転させた際の
遠心力によってレジスト膜を形成する処理方法におい
て，ＬＣＤ基板Ｇの表面に均一なレジスト膜が形成され
た所定の時間Ｔ₁経過後に，回転カップ３４内の排気量
を増加して回転カップ３４内の浮遊ミストを漏れなく排
気させる。回転カップ３４内の排気量を増加させること
に対して，相対的にＬＣＤ基板Ｇの回転数を低下させて
レジスト膜の形状の安定性を図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，例えばＬＣＤ基板
や半導体ウェハ等のような基板の表面にレジスト液等の
処理液を塗布する処理方法及び処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に，液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては，ＬＣＤ基板の表面に例
えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）の薄
膜や電極パターン等を形成するために，半導体製造工程
において用いられるものと同様なフォトリソグラフィ技
術を用いて回路パターン等をＬＣＤ基板の表面のフォト
レジストに露光し，その後に現像処理する一連の処理が
施される。

【０００３】ここで，ＬＣＤ基板の表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布装置には，ＬＣＤ基板の表面に均
一なレジスト膜を形成するスピンコーティング方式が採
用されている。従来のスピンコーティング方式のレジス
ト塗布装置は，ＬＣＤ基板を載置する回転自在なスピン
チャックと，ＬＣＤ基板の表面にレジスト液を滴下する
塗布液供給機構と，ＬＣＤ基板及びスピンチャクの周囲
を取り囲むように配置された回転カップと，この回転カ
ップの外側に配置されたドレインカップとを備えてい
る。

【０００４】以上のようなレジスト塗布装置によって行
われるレジスト液の塗布工程では，まずスピンチャック
の上面にＬＣＤ基板を載置し吸着保持させる。そして，
ＬＣＤ基板を回転させながら上方の塗布液供給機構より
ＬＣＤ基板の中心部にレジスト液を滴下し，遠心力によ
ってレジスト液を拡散させて均一に塗布するようにして
いる。この時に，ＬＣＤ基板から飛散したレジスト液
は，回転カップによって受け取られドレインカップの排
液通路を経て外部に排液される。また，回転カップ内の
雰囲気は，回転カップの下方に設けられた排気口を経て
ドレインカップの排気通路から排気される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで，従来のレジ
スト塗布装置では，処理終了の際，ＬＣＤ基板の回転を
停止したときに，排気しきれずに回転カップ内に浮遊し
ているレジスト液のミストがＬＣＤ基板の表面に降り注
ぎ，ＬＣＤ基板の表面に形成されたレジスト膜に再付着
する場合がある。このミストの再付着によりＬＣＤ基板
の表面が汚染され，液晶ディスプレー（ＬＣＤ）の製造
における歩留まりを低下する恐れがある。

【０００６】ここで，回転カップ内の排気量を増加させ
れば上記課題を解決できると考えられるが，塗布中の排
気量を単に増加させると，排気の気流の影響が増しＬＣ
Ｄ基板の表面に均一なレジスト膜を形成するのが難しく
なる。特に矩形状で非常に大型化したＬＣＤ基板におい
てはこの傾向が顕著になる。

【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされてもので
あり，基板の表面に均一な液膜を形成・維持させ，しか
も処理液のミストが基板の表面に再付着するのを防止で
きる処理方法，及びこの処理方法を好適に実施できる処
理装置を提供して上記問題の解決を図ることを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に，請求項１の発明は，基板の表面に処理液を供給し，
処理容器内で基板を回転させた際の遠心力によって処理
液を拡散させて基板の表面に処理液の膜を形成する処理
方法において，基板の表面に所定の厚さの液膜が形成さ
れた後，基板の回転停止前に，処理容器内の雰囲気の排
気量を増加させる工程を有することを特徴とする，処理
方法を提供する。かかる処理方法によれば，基板の表面
に所定の厚さの液膜が形成された後に排気量を増加させ
るため，液膜の形成時に影響を与えることが無い。しか
も，処理容器内の雰囲気の排気量を増加させているの
で，処理容器内の浮遊ミストを従来よりも多く排気する
ことができる。従って，基板の回転停止の際に起こる浮
遊ミストの再付着を大幅に抑制することが可能となる。

【０００９】また，請求項２によれば，基板の表面に処
理液を供給し，処理容器内で基板を回転させた際の遠心
力によって処理液を拡散させて基板の表面に処理液の膜
を形成する処理方法において，基板の表面に所定の厚さ
の液膜が形成された後，基板の回転停止前に，基板の表
面に液膜を形成した位置から処理液のミストがより少な
い場所へ基板を移動させる工程を有することを特徴とす
る，処理方法を提供する。かかる処理方法によれば，液
膜が形成された基板を，処理液のミストがより少ない場
所に移動させるため，基板の回転停止の際に起こる浮遊
ミストの再付着を大幅に抑制することが可能となる。

【００１０】また，請求項３によれば，基板の表面に処
理液を供給し，処理容器内で基板を回転させた際の遠心
力によって処理液を拡散させて基板の表面に処理液の膜
を形成する処理方法において，基板の表面に所定の厚さ
の液膜が形成された後，基板の回転停止前に，基板を処
理容器内の上方に持ち上げる工程を有すること特徴とす
る，処理方法が提供される。かかる処理方法によれば，
浮遊ミストが殆ど存在しない処理容器の上方空間で基板
の回転を停止させるようにしたので，基板の回転停止の
際に起こる浮遊ミストの再付着を従来より大幅に抑える
ことができる。

【００１１】また，請求項４では，基板の表面に処理液
を供給し，処理容器内で基板を回転させた際の遠心力に
よって処理液を拡散させて基板の表面に処理液の膜を形
成する処理方法において，基板の表面に所定の厚さの液
膜が形成された後，基板の回転停止前に，処理容器の上
方から処理容器内の雰囲気を排気する工程を有すること
を特徴とする，処理方法を提供する。かかる処理方法に
よれば，基板の回転停止の際に処理容器の上方から排気
を行って基板の表面に降り注ぐ前にミストを処理容器内
から排気するようにしたので，基板の回転停止の際に起
こる浮遊ミストの再付着を従来より大幅に抑えることが
できる。しかも，基板の上方空間でミストが排気されて
いるため，基板の表面における均一なレジスト膜の形成
には影響しない。

【００１２】さらにこれら請求項１，２，３又は４に記
載の処理方法において，請求項５に記載したように，基
板の回転停止前に，基板の回転数を低下させる工程を付
加させてもよい。この場合，特に請求項１の処理方法に
かかる工程を付加すれば，排気量を増加させることに対
して，相対的に基板の回転数を低下させて液膜の形状の
安定性を図るようにしたので，液膜の膜厚の均一性を排
気量を増加の際にも引き続き整わせることができる。さ
らに請求項２の処理方法にかかる工程を付加すれば，基
板の回転数を低下させてから基板を持ち上げるので，持
ち上げる際の振動は抑えられ，例えば液膜の形状に対す
る影響を緩和することができる。

【００１３】また，請求項６の発明は，処理容器と，こ
の処理容器内に配置されて基板を保持する保持手段と，
保持手段に保持された基板の表面に処理液を供給する処
理液供給手段と，処理容器内の下方に設けられた排気口
とを備えた処理装置において，処理容器内の上方に他の
排気口を設けたことを特徴とする，処理装置を提供す
る。かかる処理装置によれば，請求項４の発明に記載
の処理方法を好適に実施することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を添付図面に基いて説明する。図１は，ＬＣＤ基板Ｇ
をフォトリソグラフィ技術を用いて処理する塗布現像処
理システム１の斜視図であり，この塗布現像処理システ
ム１は第１の実施の形態にかかる処理装置としての塗布
・周縁部除去装置２４を備えている。

【００１５】この塗布現像処理システム１は，例えば矩
形状のＬＣＤ基板Ｇを搬入・搬出するローダ部２と，Ｌ
ＣＤ基板Ｇを処理する第１の処理部３と，この第１の処
理部３とインターフェイス部４を介して連設された第２
の処理部５と，この第２の処理部５と例えば露光装置６
等との間でＬＣＤ基板Ｇを授受するためのインターフェ
イス部７から構成されている。

【００１６】ローダ部２には，カセットステーション１
０が設けられており，このカセットステーション１０に
は未処理のＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１１と，処
理済みのＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１２とがそれ
ぞれ複数個載置自在である。またローダ部２には，未処
理のＬＣＤ基板Ｇを搬入または搬出するためのサブ搬送
アーム１３が備えられている。なお，サブ搬送アーム１
３はＹ，Ｚ方向への移動とθ方向に回転可能に構成され
ている。

【００１７】第１の処理部３には，ＬＣＤ基板Ｇに対し
て所定の処理を施す各種の処理装置がメイン搬送アーム
１５の搬送路１６を挟んで両側に配置されている。搬送
路１６の一方の側に，カセット１１から取り出されたＬ
ＣＤ基板Ｇを洗浄するためのブラシ洗浄装置１７，現像
装置１８が並んで配置され，搬送路１６を挟んで反対側
に，ＬＣＤ基板Ｇに疎水化処理を施すアドヒージョン装
置１９，加熱装置２０，ＬＣＤ基板Ｇを所定の温度に冷
却する冷却装置２１が適宜多段に配置されている。

【００１８】第２の処理部５には，メイン搬送アーム２
２の搬送路２３の一方の側に，本実施の形態にかかる塗
布・周縁部除去装置２４が配置され，搬送路２２を挟ん
で反対側には，加熱装置２０，冷却装置２１が適宜多段
に配置されている。

【００１９】インターフェイス部７には，ＬＣＤ基板Ｇ
を一時待機させるためのカセット２５と，このカセット
２５との間でＬＣＤ基板Ｇの出入れを行うサブ搬送アー
ム２６と，ＬＣＤ基板Ｇの受渡し台２７が設けられてい
る。なお，これら第１の処理部３及び第２の処理部５の
構成，各種装置の配列等は適宜変更することが可能であ
る。

【００２０】次に，上記のように構成される塗布現像処
理システム１に組み込まれた第１の実施の形態にかかる
塗布・周縁部除去装置２４の構成について説明する。図
２は塗布・周縁部除去装置２４の平面図であり，図３は
塗布・周縁部除去装置２４の構成を説明するための断面
図である。

【００２１】図２に示すように，塗布・周縁部除去装置
２４内には，ＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を塗布す
る塗布系３０と，ＬＣＤ基板Ｇの周縁部に塗布形成され
た不要なレジスト膜を除去する周縁部除去系３１とを隣
接させ，図示しない搬送機構を用いてこれら塗布系３０
と周縁部除去系３１との間でＬＣＤ基板Ｇの搬送を行っ
ている。

【００２２】図３に示すように，塗布系３０は，ＬＣＤ
基板Ｇを図示しない真空装置によって吸着保持すると共
に水平方向に回転するスピンチャック３２と，このスピ
ンチャック３２を包囲する処理室３３を有する上方部が
閉口した処理容器としてのカップ状の回転カップ３４
と，回転カップ３４の開口部３４ａを開閉可能に被着
（着脱）し得る蓋体３５と，この蓋体３５を閉止位置と
待機位置に移動させるロボットアーム３６と，回転カッ
プ３４の外周側を取囲むように配置される中空リング状
のドレンカップ３７と，上記スピンチャックの上方位置
で移動可能に構成されＬＣＤ基板Ｇの表面に所定の塗布
液を供給する塗布液供給機構３８とを備えている。な
お，これら処理室３３，回転カップ３４，蓋体３５及び
ドレインカップ３７などは，纏められて容器３９として
構成されている。

【００２３】上記スピンチャック３２は，下方に配置し
た駆動モータ４０の駆動によって回転される回転軸４１
を介して水平方向に回転（自転）可能になっており，ま
た回転軸４１に連結される昇降シリンダ４２の駆動によ
って上下方向に移動し得るようになっている。この場
合，回転軸４１は，固定カラー４３の内周面にベアリン
グ４４ａを介して回転可能に装着される回転内筒４５ａ
の内周面に嵌着されるスプライン軸受４６に摺動可能に
連結されている。スプライン軸受４６には従動プーリ４
７ａが装着されており，従勤プーリ４７ａには駆動モー
タ４０の駆動軸４０ａに装着された駆動プーリ４０ｂと
の間にベルト４８ａが掛け渡されている。従って，駆動
モータ４０の駆動によってベルト４８ａを介して回転軸
４１が回転してスピンチャック３２が回転される。ま
た，回転軸４１の下部側は図示しない筒体内に配設され
ており，筒体内において回転軸４１は，バキュームシー
ル部４９を介して昇降シリンダ４２に連結され，昇降シ
リンダ４２の駆動によって回転軸４１が上下方向に移動
し得るようになっている。

【００２４】上記回転カップ３４は，上記固定カラー４
３の外周面にベアリング４４ｂを介して装着される回転
外筒４５ｂの上端部に固定される連結筒５０を介して取
り付けられており，回転カップ３４の底部３４ｂとスピ
ンチャック３２の下面との間には，シール機能を有する
ベアリング５１が介在されてスピンチャック３２と相対
的に回転可能になっている。そして，回転外筒４５ｂに
装着される従動プーリ４７ｂと上記駆動モータ４０に装
着される駆動プーリ４０ｂに掛け渡されるベルト４８ｂ
によって駆動モータ４０からの駆動が回転カップ３４に
伝達されて回転カップ３４が回転される。この場合，従
動プーリ４７ｂの直径は，上記回転軸４１に装着された
従動プーリ４７ａの直径と同一に形成され，同一の駆動
モータ４０にベルト４８ａ，４８ｂが掛け渡されている
ので，回転カップ３４とスピンチャック３２は，同一回
転する。なお，固定カラー４３と回転内筒４５ａおよび
回転外筒４５ｂとの対向面には，ラビリンスシール部
（図示せず）が形成されて回転処理時に下部の駆動系か
ら回転カップ３４内にこみが進入するのを防止してい
る。なお，上記従動プーリ４７ａと４７ｂの直径を異な
らせ，異なる回転数で回転させるようにしてもよい。

【００２５】図３に示すように，回転カップ３４におい
て，側壁３４ｃの下部側の周方向の適宜位置に排気口５
５を設け，一方蓋体３５において，中心都側に給気口５
６を穿設し下方側に整流板５７を配置している。そし
て，回転カップ３４が回転する際には，給気口５６から
処理室３３内に流れる空気が，整流板５７上を通って側
壁３４ｃの側面に沿って流れ，排気口５５を経て排気す
る構成になっている。

【００２６】上記ドレンカップ３７の外周壁において，
適宜箇所（例えば周方向の４箇所）に排気口５８を設
け，ドレンカップ３７の内部において，ドレンカップ３
７の底部３７ａから起立する壁３７ｂとドレンカップ１
４の天井部３７ｃから垂下する壁３７ｄとで迂回状に区
画された環状通路３７ｅが設けられている。ドレインカ
ップ３７の内周側上方部には排気口５８と連通する排気
経路５９が形成されている。底部３７ｄにはレジスト液
等を排液するドレン孔３７ｆが設けられている。

【００２７】上記蓋体３５は，回転処理特に回転カップ
３４の閉口部３４ａに固定されて一体に回転する必要が
あるので，例えば回転カップ３４の上部に突出する固定
ピン（図示せず）と，この固定ピンに嵌合する嵌合凹所
（図示せず）とを互いに嵌合させて蓋体３５を回転カッ
プ３４に固定することができる。蓋体３５を開閉する場
合には，蓋体３５の上面に突設された膨隆頭部６０の下
にロボットアーム３６を挿入し係合させ，その後にロボ
ットアーム３６を上下動させることによって行うことが
できる構成になっている。

【００２８】上記塗布液供給機構３８は，塗布液の溶剤
（溶媒）を供給するノズル本体６１と，塗布液として例
えばレジスト液を供給するノズル本体６２を備えてお
り，これらノズル本体６１，６２を取り付けた回動アー
ム６３と，回動アーム６３を待機位置とＬＣＤ基板Ｇの
上方位置との間でθ方向に回動させる回動機構６４から
構成されている。

【００２９】図４で示すように，排気口５８には排気管
７０が接続されており，排気管７０の途中には排気量調
整弁７１が配置されている。この排気量調整弁７１は，
制御部７２からの操作信号が入力される構成になってお
り，制御部７２からの操作信号によって排気量調整弁７
１を介して流れる空気の流量が調整され，排気口５８か
らの排気量が決定されるようになっている。

【００３０】ここで，回転処理時に処理室３３内で遠心
力により飛散したレジスト液のミストは，排気口５５を
介して処理室３３の下方から排気され通ってドレンカッ
プ３７内に流れ込むようになっており，排気口５８の排
気量の増減の如何によって，処理室３３内からレジスト
液のミストが速やかに排気されるか否かが左右される。
また，排気口５８の排気量は処理室３３内の雰囲気に影
響を与えるので，ＬＣＤ基板Ｇの表面に形成されるレジ
スト膜の均一性を左右する重要な要因の一つでもある。
従って，塗布処理の進行状況に合わせて制御部７２から
の操作信号が出力され排気口５８の排気量が変化させら
れる構成になっており，これにより，処理室３３内の雰
囲気及びＬＣＤ基板Ｇのレジスト膜の形成の最適化を図
るようになっている。

【００３１】また，駆動モータ４０には，排気量調整弁
７１と同様に制御部７２からの操作信号が入力される構
成になっており，制御部７２からの操作信号によって駆
動モータ４０の回転数が制御され，スピンチャック３２
の回転数が決定されるようになっている。ここで，スピ
ンチャック３２の回転数の増減は，ＬＣＤ基板Ｇの表面
に形成されるレジスト膜の均一性を左右する重要な要因
の一つである。従って，塗布処理の進行状況に合わせて
制御部７２からの操作信号が出力されスピンチャック３
２の回転数が変化させられる構成になっており，これに
より，ＬＣＤ基板Ｇのレジスト膜の形成の最適化を図る
ようになっている。

【００３２】次に，以上のように構成される第１の実施
の形態にかかる塗布・周縁部除去装置２４を備えた現像
塗布処理システム１における処理工程について説明す
る。

【００３３】まず，カセット１１内に収容された未処理
のＬＣＤ基板Ｇはローダ部２のサブ搬送アーム１３によ
って取出された後，第１処理部３のメイン搬送アーム１
５に受け渡され，そして，ブラシ洗浄装置１７内に搬送
される。このブラシ洗浄装置１７内にてブラシ洗浄され
たＬＣＤ基板Ｇは，この後，アドヒージョン装置１９に
て疎水化処理が施され，冷却装置２１にて冷却された
後，塗布・周縁部除去装置２４に搬入される。

【００３４】ここで，塗布・周縁部除去装置２４で行わ
れる処理工程について，図５に示した処理時間とスピン
チャック３２の回転数との関係を示すグラフＡ，処理時
間と排気口５８の排気量との関係を示すグラフＢ及び図
６に示したフローチャートに即して説明する。

【００３５】まず，塗布系３０においてＬＣＤ基板Ｇの
レジスト液の塗布形成が行われる。ロボットアーム３６
によって回転カップ３４の蓋体３５を開放し，現像塗布
処理システム１のメイン搬送アーム２２は塗布・周縁部
除去装置２４内に進入する。そして，ＬＣＤ基板Ｇをス
ピンチャック３２上に載置し吸着保持させ，メイン搬送
アーム２２は塗布・周縁部除去装置２４外に退出する。
そして，制御部７２から操作信号が出力され，駆動モー
タ４０の駆動によってスピンチャック３２が回転し始め
る。図５中のグラフＡに示すように，ＬＣＤ基板Ｇの回
転数は所定の回転数Ｘ₁にまで達し，以後，所定の回転
数Ｘ₁を維持したままＬＣＤ基板Ｇの塗布形成が行われ
る。（図６中のステップＳ１）。

【００３６】同様に，制御部７２から所定の操作信号が
排気量調整弁７１に出力され，排気口５８から排気が開
始される。図５中のグラフＢに示すように，排気口５８
の排気量は所定の排気量Ｙ₁にまで調整され，以後，所
定の排気量Ｙ₁を維持したままＬＣＤ基板Ｇの塗布形成
が行われる。

【００３７】この状態で，塗布液供給機構３８は，回動
機構６４の駆動によって回動アーム６３に取り付けられ
たノズル本体６１，６２をＬＣＤ基板Ｇの上方に移動さ
せる。そして，ノズル本体６１から溶剤（例えばエチル
セロソルプアセテート［ＥＣＡ］等），ノズル本体６２
からレジスト液を順次滴下し，レジスト液の塗布を行
う。その後，塗布液供給機構３８は回動アーム６３を待
機位置に移動させ，ロボットアーム３６によって蓋体３
５を回転カップ３４の上方の開口部３４ａを閉止させ，
回転カップ３４内を密閉させた状態にさせる。そして，
ＬＣＤ基板Ｇが継続的に回転することにより，レジスト
膜の膜厚を均一に整う工程が進行する。（図６中のステ
ップ２）

【００３８】ここで，処理開始から所定の時間Ｔ₁を経
過すると，ＬＣＤ基板Ｇの表面に均一なレジスト膜が形
成されることになる。その後，制御部７２から所定の操
作信号が駆動モータ４０に出力され，スピンチャック３
２の回転が減速し，図５中のグラフＡに示すように，Ｌ
ＣＤ基板Ｇの回転数は回転数Ｘ₁よりも低い所定の回転
数Ｘ₂にまで低下する。ＬＣＤ基板Ｇの回転数は低下し
ているので，ＬＣＤ基板Ｇの回転数が高速になっている
時と比べてレジスト膜の状態が安定する。同様に，処理
開始から所定の時間Ｔ₁を経過すると，制御部７２から
所定の操作信号が排気量調整弁７１に出力され，多量の
空気が排気量調整弁７１を介して流れるように調整され
る。図５中のグラフＢに示すように，排気口５８の排気
量は排気量Ｙ₁よりも多い所定の排気量Ｙ₂にまで増加
し，これにより排気口５５の排気量も増加する（図６中
のステップ３）。以後，処理時間が終了するまで，ＬＣ
Ｄ基板Ｇの回転数を所定の回転数Ｘ₂に維持し，排気口
５８の排気量を所定の排気量Ｙ₂に維持する。

【００３９】このように，排気口５８の排気量が所定の
排気量Ｙ₂にまで増加することにより，処理室３３内の
排気機能が強化されミストを下方から漏れなく排気す
る。また，レジスト膜の膜厚を均一に整える工程におい
ては排気口５８の排気量を所定の排気量Ｙ₁に抑え，そ
の後に排気口５８の排気量を増加させているので，レジ
スト膜の膜厚の均一性の形成時に悪影響を与えることは
ない。さらに，排気口５８の排気量を所定の排気量Ｙ₂
と増加させると同時にスピンチャック３２の回転数を所
定の回転数Ｘ₂と下げているので，ＬＣＤ基板Ｇの表面
に形成されたレジスト膜の均一性は引き続き整ってい
る。

【００４０】処理開始から所定の時間Ｔ₂を経過すると
処理が終了し，図５中のグラフＡに示すように，ＬＣＤ
基板Ｇの回転が停止すると共に，図５中のグラフＢに示
すように排気口５８からの排気も停止する（図６中のス
テップ４）。所定の時間Ｔ₁〜Ｔ₂までの間に，処理室３
３内から十分にミストが排気されているので，処理室３
３内に浮遊ミストが存在しなくなる。従って，ＬＣＤ基
板Ｇの回転停止の際において，ＬＣＤ基板の表面に形成
されたレジスト膜にミストが再付着するということが起
こらない。

【００４１】以上のような処理が終了した後，ロボット
アーム３６によって回転カップ３４の蓋体３５を開放
し，メイン搬送アーム２２が塗布・周縁部除去装置２４
内に進入する。そして，スピンチャック３２に載置され
たＬＣＤ基板Ｇがメイン搬送アーム２２に受け渡され，
メイン搬送アーム２２が塗布・周縁部除去装置２４外に
退出し，ＬＣＤ基板Ｇが塗布・周縁部除去装置２４内か
ら搬出される。

【００４２】塗布・周縁部除去装置２４内から搬出され
たＬＣＤ基板Ｇは，加熱装置２４内に搬入されレジスト
膜に対してべーキング処理が施された後，露光装置６に
て所定のパターンが露光される。そして，露光後のＬＣ
Ｄ基板Ｇは現像装置１８内へ搬送され，現像液により現
像された後にリンス液により現像液を洗い流し，現像処
理を完了する。現像処理された処理済みのＬＣＤ基板Ｇ
は，ローダ部２のカセット１２内に収納された後に搬出
される。

【００４３】なお，ＬＣＤ基板Ｇの回転数の低下のタイ
ミングと排気口５８の排気量の増加のタイミングとは特
に同時でなくともよく，処理の種類に応じてＬＣＤ基板
Ｇの回転数が低下した後に排気口５８の排気量を増加さ
せてもよいし，その逆でもよい。また，ＬＣＤ基板Ｇの
回転数は，所定の時間Ｔ₁を経過するまで回転数Ｘ₁と一
定に限定する必要はなく，処理の種類や進行状況によっ
て任意に変化せることが可能である。同様に，排気口５
８の排気量は，所定の時間Ｔ₁を経過するまで排気量Ｙ₁
と一定に限定する必要はなく，処理の種類や進行状況に
よって任意に変化せることが可能である。

【００４４】かくして第１の実施の形態によれば，所定
の時間経過Ｔ₁にＬＣＤ基板Ｇの回転数の低下及び排気
口５８の排気量の増加を図ることにより，均一なレジス
ト膜の形成・維持及びＬＣＤ基板Ｇの表面に形成された
レジスト膜に対するミストの再付着の防止を図ることが
できる。従って，ミストの再付着による処理不良を回避
することができ，ＬＣＤ基板Ｇに対して更なる微細化技
術の実現が可能となる。

【００４５】次に，第１の実施の形態にかかる塗布・周
縁部除去装置２４と所定の時間経過Ｔ₁における処理工
程が異なる第２の実施の形態にかかる塗布・周縁部除去
装置７５について説明する。この第２の実施の形態にか
かる塗布・周縁部除去装置７５は，所定の時間経過Ｔ₁
にＬＣＤ基板Ｇを処理室３３の上方に持ち上げる処理工
程を有しており，それ以外は第１の実施の形態にかかる
塗布・周縁部除去装置２４と同一の構成になっているの
で，略同一の機能におよび構成を有する構成要素につい
ては，同一符号を付することにより，重複説明を省略す
ることにする。

【００４６】図７は，上記昇降シリンダ４２の駆動によ
って回転軸４１が上下稼働し，スピンチャック３２に保
持されたＬＣＤ基板Ｇが処理室３３内を昇降移動した状
態を示す説明図である。図７で実線で示したＬＣＤ基板
Ｇは，昇降シリンダ４２の駆動によって通常の処理を行
う位置にまで下降した状態を示している。図７中の二点
鎖線で示したＬＣＤ基板Ｇ’は，昇降シリンダ４２の駆
動によって処理室３３の上方に上昇した状態を示してい
る。処理室３３の上方空間では処理室３３の下方空間及
ぶ中間空間に比べ浮遊ミストが存在していないため，二
点鎖線で示したＬＣＤ基板Ｇ’の表面に対して，上方か
らミストが降り注ぐ事態を防止している。

【００４７】以上のような第２の実施の形態にかかる塗
布・周縁部除去装置７５において塗布・周縁部除去装置
２４の処理工程について図８のフローチャートに基づい
て説明する。なお，所定の時間Ｔ₁の経過（図６中のス
テップ２）までは，第１の実施の形態にかかる塗布・周
縁部除去装置２４と同一の処理工程を経るので，所定の
時間Ｔ₁の経過（図８中のステップ２）までの工程の説
明は省略する。

【００４８】処理開始から所定の時間Ｔ₁を経過する
と，ＬＣＤ基板Ｇの表面に均一なレジスト膜が形成され
ることになる。すると，制御部７２から所定の操作信号
が駆動モータ４０に出力され，スピンチャック３２の回
転が減速し，図５中のグラフＡに示すように，ＬＣＤ基
板Ｇの回転数は回転数Ｘ₁より低い所定の回転数Ｘ₂にま
で低下する。ＬＣＤ基板Ｇの回転数は低下しているの
で，ＬＣＤ基板Ｇの回転数が高速になっている時と比べ
てレジスト膜の状態が安定する（図８中のステップ
３）。以後，処理時間が終了するまで，ＬＣＤ基板Ｇの
回転数は所定の回転数Ｘ₂を維持する。なお，ＬＣＤ基
板Ｇの回転数は，特に第１の実施の形態にかかる図５中
のグラフＡの流れに限定する必要はなく，任意に回転数
を設定することが可能である。

【００４９】ここで，レジスト膜の状態が安定している
ことを見計らい，図７に示すように，昇降シリンダ４２
の駆動によってＬＣＤ基板Ｇを，図７中の二点鎖線で示
したＬＣＤ基板Ｇ’の位置まで上昇させる（図８中のス
テップ４）。処理室３３の上方空間には浮遊ミストが殆
ど存在しない。従って，このような状態でＬＣＤ基板Ｇ
の回転を停止させても，ミストがＬＣＤ基板Ｇの表面に
形成されたレジスト膜にミストが再付着するということ
が起こらず，後の処理工程に悪影響を及ぼすことはな
い。

【００５０】そして，ＬＣＤ基板Ｇの回転を停止させる
（図８中のステップ５）。こうして塗布処理が終了し塗
布・周縁部除去装置７５内から搬出されたＬＣＤ基板Ｇ
は，以後，第１の実施の形態と同様の処理工程を経て現
像塗布処理システム１から搬出される。

【００５１】かくして第２の実施の形態によれば，所定
の時間Ｔ₁の経過後に，ＬＣＤ基板Ｇの回転数を低下さ
せてから処理室３３の上方にＬＣＤ基板Ｇを持ち上げ，
この状態からＬＣＤ基板Ｇの回転を停止させることによ
り，均一なレジスト膜の形成・維持及びＬＣＤ基板Ｇの
表面に形成されたレジスト膜に対するミストの再付着の
防止を図ることができる。従って，ミストの再付着によ
る処理不良を回避することができ，ＬＣＤ基板Ｇに対し
て更なる微細化技術の実現が可能となる。

【００５２】また，図９に示すように，第３の実施の形
態にかかる塗布・周縁部除去装置８０によれば，回転カ
ップ３４において側壁３４ｃの下部側に周方向の適宜位
置に設けられて排気口５５以外に，側壁３４ｃの上部側
に周方向の適宜位置に排気口８１を設け，回転カップ３
４内の雰囲気を上方から排気するようにしてもよい。以
上のように構成された塗布・周縁部除去装置８０での処
理工程では，ＬＣＤ基板Ｇの表面に所定の厚さのレジス
ト膜が形成された後，ＬＣＤ基板Ｇの回転停止前に，排
気口８１から排気を行って，回転カップ３４の上方から
回転カップ３４内の雰囲気を排気する。このように，Ｌ
ＣＤ基板Ｇの回転停止の際に回転カップ３４の上方から
排気を行ってＬＣＤ基板Ｇの表面に降り注ぐ前にミスト
を回転カップ３４内から排気するようにしたので，ＬＣ
Ｄ基板Ｇの回転停止の際に起こる浮遊ミストの再付着を
防止することができる。さらに，ＬＣＤ基板Ｇの上方空
間で排気が行われるのでレジスト膜の形状に影響を与え
ることがない。

【００５３】以上，本発明の一例として第１〜第３の実
施の形態について説明したが，本発明は，これらの実施
の形態に限定されるものではなく，種々の態様を取り得
るものである。また，基板は上記ＬＣＤ基板Ｇに限るも
のでなく，半導体ウェハ，ガラス基板，ＣＤ基板，フォ
トマスク，プリント基板，セラミック基板等でも可能で
ある。

【００５４】

【発明の効果】請求項１〜５に記載の処理工程によれ
ば，処理の進行状況に応じて処理かかる動作要素（基板
の回転等）を変化させることにより，均一なレジスト膜
の形成・維持及び基板の表面に形成された液膜に対する
処理液のミストの再付着の防止を図ることができる。従
って，処理液のミストの再付着による処理不良を回避す
ることができ，基板に対して更なる微細化技術の実現が
可能となる。

【００５５】請求項６に記載の処理装置によれば，請求
項４の発明を好適に実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる塗布・周縁
部除去装置を備えた処理システムの斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる塗布・周縁
部除去装置の平面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態にかかる塗布・周縁
部除去装置の断面図である。

【図４】駆動モータ及び排気管等の拡大断面図である。

【図５】処理時間とＬＣＤ基板の回転数との関係を示す
グラフ図と，処理時間と排気口の排気量との関係を示す
グラフ図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態にかかる塗布・周縁
部除去装置で行われるＬＣＤ基板の処理工程を示すフロ
ーチャート図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態にかかる塗布・周縁
部除去装置におけるＬＣＤ基板の昇降動作を示す説明図
である。

【図８】本発明の第２の実施の形態にかかる塗布・周縁
部除去装置で行われるＬＣＤ基板の処理工程を示すフロ
ーチャート図である。

【図９】本発明の第３の実施の形態にかかる塗布・周縁
部除去装置の回転カップの要部拡大断面図である。

【符号の説明】

１塗布現像処理システム２４塗布・周縁部除去装置３０塗布系３２スピンチャック３４回転カップ４０駆動モータ４２昇降シリンダ５５，５８排気口ＧＬＣＤ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に処理液を供給し，処理容器
内で前記基板を回転させた際の遠心力によって該処理液
を拡散させて前記基板の表面に該処理液の膜を形成する
処理方法において，前記基板の表面に所定の厚さの液膜
が形成された後，前記基板の回転停止前に，前記処理容
器内の雰囲気の排気量を増加させる工程を有することを
特徴とする，処理方法。
【請求項２】基板の表面に処理液を供給し，処理容器
内で前記基板を回転させた際の遠心力によって該処理液
を拡散させて前記基板の表面に該処理液の膜を形成する
処理方法において，前記基板の表面に所定の厚さの液膜
が形成された後，前記基板の回転停止前に，前記基板の
表面に液膜を形成した位置から処理液のミストがより少
ない場所へ前記基板を移動させる工程を有することを特
徴とする，処理方法。
【請求項３】基板の表面に処理液を供給し，処理容器
内で前記基板を回転させた際の遠心力によって該処理液
を拡散させて前記基板の表面に該処理液の膜を形成する
処理方法において，前記基板の表面に所定の厚さの液膜
が形成された後，前記基板の回転停止前に，前記基板を
前記処理容器内の上方に持ち上げる工程を有すること特
徴とする，処理方法。
【請求項４】基板の表面に処理液を供給し，処理容器
内で前記基板を回転させた際の遠心力によって該処理液
を拡散させて前記基板の表面に該処理液の膜を形成する
処理方法において，前記基板の表面に所定の厚さの液膜
が形成された後，前記基板の回転停止前に，前記処理容
器の上方から前記処理容器内の雰囲気を排気する工程を
有することを特徴とする，処理方法。
【請求項５】前記基板の回転停止前に，前記基板の回
転数を低下させる工程を有することを特徴とする，請求
項１，２，３又は４に記載の処理方法。
【請求項６】処理容器と，この処理容器内に配置され
て基板を保持する保持手段と，前記保持手段に保持され
た前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段
と，前記処理容器内の下方に設けられた排気口とを備え
た処理装置において，前記処理容器内の上方に他の排気
口を設けたことを特徴とする，処理装置。