JP3029767B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成装置に関し、
特に、各種基板の表面にフォトレジスト等の塗布液を塗
布して薄膜を形成する薄膜形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ、液晶用ガラス角型基板、
カラーフィルタ用基板、サーマルヘッド用セラミック基
板、フォトマスク用基板等の各種基板の表面に塗布液を
塗布して薄膜を形成するために、薄膜形成装置が用いら
れる。従来の薄膜形成装置は、たとえばスピンコータと
端面洗浄ユニットとオーブンとを備えている。スピンコ
ータでは、回転可能な基板保持部に基板が保持され、こ
の基板の中心部に薄膜を形成するための塗布液が供給さ
れる。この状態で基板を基板保持部とともに回転させて
塗布液を基板表面に全面に拡散させる。スピンコータに
よって全面に塗布液が塗布された基板は、搬送用のロボ
ットによって端縁洗浄装置に搬送される。端縁洗浄装置
では、基板端縁に付着した不要な塗布液が除去される。
次に基板はオーブン内のホットプレート上に搬送され、
乾燥させられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前記従来の薄膜形成装
置では、スピンコータにおいて基板の全面に塗布液が塗
布されるが、この状態では基板表面の塗布液は乾燥して
いない。このような未乾燥の塗布液が付着した基板を搬
送ロボットによって搬送すると、塗布液は、搬送中にお
いて周辺の熱や排気等によって生じる風の流れの影響を
受けやすい。このため、基板表面の全体にわたって均一
な膜厚の薄膜が形成されない。

【０００４】また、ホットプレートを用いたオーブンで
は、基板表面の塗布液を乾燥させるために時間がかかる
という問題がある。本発明の目的は、基板表面全体にわ
たって均一な膜厚の薄膜を形成することにある。本発明
の他の目的は、オーブンでの乾燥時間を短縮することに
ある。

【０００５】本発明のさらに他の目的は、従来装置に比
較してスペースを大きくすることなく均一な膜厚の薄膜
を形成できるようにすることにある。本発明のさらに他
の目的は、簡単な構成で均一な膜厚の薄膜を形成できる
ようにすることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜形成装
置は、塗布手段と減圧乾燥手段とを備えている。塗布手
段は基板表面に塗布液を塗布する手段である。減圧乾燥
手段は塗布液が塗布された基板を減圧下で乾燥させる手
段である。塗布手段は、基板が載置される基板載置部
と、基板載置部に載置された基板の表面に塗布液を塗布
する塗布液供給手段と、基板載置部に載置された基板を
その上部空間とともに密閉する基板収容部とを有し、減
圧乾燥手段は、基板収容部を減圧するものであるのが好
ましい。また、基板載置部は載置された基板とともに回
転自在であり、塗布液供給手段は、基板載置部に載置さ
れた基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給部と、供
給された塗布液を基板表面全体に拡散させるために基板
載置部を回転させる回転駆動手段とからなるのが好まし
い。さらに、減圧乾燥手段は、回転駆動手段による基板
載置部の回転中に基板収容部を減圧するのが好ましい。

【０００７】また、塗布手段によって塗布された基板の
端縁の塗布液を除去する端縁洗浄手段と、塗布手段、減
圧乾燥手段、端縁洗浄手段の順に基板に作用させる制御
手段とをさらに備えるのが好ましい。前記減圧乾燥手段
は基板を熱処理するための熱処理手段を含んでいてもよ
い。この熱処理手段は、基板を加熱処理するものである
か、または基板温度を常温に維持するものであることが
好ましい。

【０００８】

【０００９】

【作用】本発明に係る薄膜形成装置では、塗布手段によ
って基板表面に塗布液が塗布される。そして、表面に塗
布液が塗布された基板は減圧乾燥手段により減圧下で乾
燥される。ここでは、基板を減圧下で乾燥させることに
より基板表面の塗布液が風等の影響を受けにくくなる。
このため膜厚のむらを抑えることができる。

【００１０】塗布手段は、基板が載置される基板載置部
と、基板載置部に載置された基板の表面に塗布液を塗布
する塗布液供給手段と、基板載置部に載置された基板を
その上部空間とともに密閉する基板収容部とを有し、減
圧乾燥手段は基板収容部を減圧するものである場合は、
減圧乾燥のためのスペースを新たに設ける必要がなく、
全体の設置スペースを小さくできる。

【００１１】基板載置部は載置された基板とともに回転
自在であり、塗布液供給手段は、基板載置部に載置され
た基板の表面に塗布液を供給する塗布液供給部と、供給
された塗布液を基板表面全体に拡散させるために基板載
置部を回転させる回転駆動手段とからなる場合は、基板
回転中に遠心力によって基板から飛ばされた塗布液が周
囲に飛び散ってカップ等の周囲を汚染することがなく、
また基板表面全体にわたって塗布液を所望の厚さに均一
に塗布することが可能となる。この場合に、基板の回転
中に収容部を減圧すると、基板の回転によって生じる気
流が塗布液に及ぼす影響を低減させることができる。

【００１２】塗布手段によって塗布された基板の端縁の
塗布液を除去する端縁洗浄手段と、塗布手段、減圧乾燥
手段及び端縁洗浄手段の順に基板に作用させる制御手段
とをさらに備える場合は、塗布直後の未乾燥の塗布液を
まず減圧して乾燥させることにより、搬送時の風等によ
る影響がより少なくできる。減圧乾燥手段が熱処理手段
を含んでいる場合は、乾燥がより促進される。この場
合、全体の乾燥時間が短くなる。

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【実施例】第１実施例 図１及び図２において、本発明の第１実施例による薄膜
形成装置は、角型基板１の表面にフォトレジスト液の薄
膜を形成するスピンコータ２と、薄膜が形成された角型
基板１の端縁から不要な薄膜を除去する基板端縁洗浄装
置３と、角型基板１を乾燥させるオーブン４とから主に
構成されている。スピンコータ２は、基板周囲の雰囲気
を減圧して基板を減圧乾燥する機能も有している。スピ
ンコータ２と基板端縁洗浄装置３との間及び基板端縁洗
浄装置３とオーブン４との間には、角型基板１を保持し
て搬送するための基板搬送ロボット５，６がそれぞれ配
置されている。

【００１６】スピンコータ２は、図３に示すように、基
板１を保持して軸芯Ｐ周りに回転可能な回転台１０と、
回転台１０の中心部上方に配置可能な塗布液供給ノズル
１１と、回転台１０を回転させるためのモータ１２と、
回転台１０とともに基板１を収容する収容部１３とを有
している。回転台１０は、モータ１２の出力軸１５に固
定されたフランジ１６に固定されている。また回転台１
０には複数の基板支持ピン１７が配置されており、基板
１はこの基板支持ピン１７上に載置されるようになって
いる。さらに回転台１０上には基板１の四隅に係合する
１対の係合ピン１８が４組設けられており、これらの係
合ピン１８によって回転台１０に対して基板１が位置決
め固定される。

【００１７】収容部１３は、回転台１０の外周部に固定
されたスペーサリング２０と、スペーサリング２０の上
部に固定されたリングプレート２１と、リングプレート
２１上部に密着可能な蓋部２２とを有している。蓋部２
２は、回転台１０と所定の隙間を介して対向可能な上部
回転板２３と、上部回転板２３を支持する上部支持板２
４とを有している。上部支持板２４の外周下面にはシー
ル部材２５が装着されている。なお、蓋部２２は、回転
板１０とともに回転が可能である。このような収容部１
３を構成することにより、基板１の周囲を密閉状態とす
ることが可能である。なお、蓋部２２は図３の二点鎖線
で示す開位置に移動させることが可能である。

【００１８】なお、処理液供給ノズル１１は昇降及び旋
回が可能であり、基板１の中心部に処理液を供給する供
給位置と、蓋部２２が昇降する際の妨げとならない退避
位置とをとり得る。さらに、特開平４−６１９５５号公
報に開示されているように、スペーサリング２０と回転
台１０との間及びスペーサリング２０とリングプレート
２１との間にはそれぞれその連結ボルトに不図示の座金
が配置されており、この座金の厚さに相当する廃液流出
用の間隔がスペーサリング２０と回転台１０との間及び
スペーサリング２０とリングプレート２１との間に形成
されている。

【００１９】回転台１０の下方には廃液回収ケース３０
が配置されている。廃液回収ケース３０の底部は絞り込
まれ、その下端に廃液排出口３１が形成されている。ま
た外周部の複数個所には、塗布液から蒸発した溶剤ガス
や塗布液ミストを排出するための排気口３２が形成され
ている。モータ１２及びその出力軸１５の中心部には負
圧経路３３が形成されている。負圧経路３３は、回転台
１０及びフランジ１６の中心部に形成された孔に連通
し、収容部１３の空間に開口している。またこの負圧経
路３３は、バルブ及び真空ポンプ等を含む排気系３４に
接続されている。

【００２０】次に、本実施例の装置の動作を説明しなが
らレジスト膜の形成方法について説明する。本実施例で
は、図４の製造工程図で示すように、まず工程Ｐ１で基
板１の表面にレジスト液が塗布される。次に工程Ｐ２で
減圧乾燥を行い基板１表面のレジスト液をある程度乾燥
させる。ここで、本実施例では塗布工程及び減圧乾燥工
程がスピンコータ２内で行われる。次に、搬送ロボット
５によってスピンコータ２内の基板１が基板端縁洗浄装
置３に搬送される。そして工程Ｐ３において基板１の端
縁に付着した不要なレジスト液を洗浄して除去する。こ
の端縁洗浄が終了すると端縁洗浄装置３から搬送ロボッ
ト６によって基板をオーブン４側に移す。そして、工程
Ｐ４において加熱乾燥を行い薄膜形成処理を終了する。

【００２１】次に、スピンコータ２内での操作を図５に
示す製造工程図を用いて詳細に説明する。まず工程Ｐ１
０では、基板１をスピンコータ２内に搬入する。ここで
は基板１は回転台１０上に載置され、その四隅が係合ピ
ン１８によって保持される。この状態では基板１は回転
台１０とともに回転可能である。次に工程Ｐ１１におい
て処理液ノズル１１を基板１の中心部上方に位置させ
る。そして処理液ノズル１１からレジスト液を滴下し、
基板１の中心部に液盛りする。液盛りが終了すれば処理
液ノズル１１を基板１の上方から退避させる。

【００２２】次に工程Ｐ１２において蓋部２２を図３の
実線で示す位置まで下降させ、リングプレート２１上に
当接させる。この状態では、基板１を収容する収容部１
３内は密閉された状態となる。次に工程Ｐ１３において
拡散処理を行う。すなわち、モータ１２を駆動して回転
板１０を回転させ、中心部に液盛りされたレジスト液を
基板１の外周方向に向かって移動させ、基板表面の全体
にレジスト液を拡散させる。なお、ここでは回転台１０
の回転と同時に排気系３４を駆動して収容部１３内の減
圧を開始する。このように拡散処理において収容部１３
内を減圧することにより、気流によってレジスト液にむ
らが生じるのを少なくできる。

【００２３】次に工程Ｐ１４で減圧乾燥を行う。すなわ
ち、回転台１０の回転を停止させ、収容部１３内の減圧
状態を維持する。このようにして収容部１３内を減圧状
態に維持することにより、レジスト液の成分の中心であ
る溶剤の蒸発が促進され、基板表面の乾燥を促進するこ
とができる。なお、工程Ｐ１３及びＰ１４においては、
レジスト液に気泡が生じない程度の圧力に調整されてい
る。

【００２４】所定時間減圧乾燥を行った後、工程Ｐ１５
において昇圧を行う。すなわち、負圧経路３３を通して
窒素等を収容部１３内に流す。そして、収容部１３内が
外部の気圧と同程度になった時点で工程Ｐ１６に移行
し、蓋部２２を上昇させる。次に工程Ｐ１７において基
板を端縁洗浄装置３側に搬出する。ここでは、レジスト
液が塗布された直後に減圧乾燥が行われるので、未乾燥
のレジスト液が空気に触れる時間が短く、レジスト液の
特性変化を抑えることができる。

【００２５】第２実施例 図６に示す第２実施例の薄膜形成装置は、スピンコータ
４０と、減圧乾燥装置４１と、基板端縁洗浄装置４２
と、複数のオーブン４３とを有している。スピンコータ
４０は従来のスピンコータと同様であり、基板を保持す
る基板保持部と、基板表面に塗布液を供給する塗布液供
給部と、基板保持部を回転させるための回転機構とを有
している。減圧乾燥装置４１は、装置本体４５と、装置
本体４５に対して開閉自在な蓋４６とを有している。基
板１はケース本体４５に設けられた支持ピン４７上に載
置される。ケース本体４５には真空ポンプ等を含む排気
系が接続されている。また排気経路の途中には切り換え
弁４８が設けられており、ガス供給系が接続されてい
る。基板端縁洗浄装置４２及びオーブン４３は前述の実
施例と同様の構成である。

【００２６】なお、スピンコータ４０、減圧乾燥装置４
１、基板端縁洗浄装置４２、オーブン４３のそれぞれの
間には前記実施例と同様の基板搬送ロボット（図示せ
ず）がそれぞれ配置されている。この実施例装置を用い
て薄膜形成を行う場合には、スピンコータ４０、減圧乾
燥装置４１、基板端縁洗浄装置４２及びオーブン４３を
用いて、塗布工程、減圧乾燥工程、基板端縁洗浄工程及
び加熱乾燥工程が順に行われる。

【００２７】塗布工程及び減圧乾燥工程はそれぞれ別装
置で行われるが、それらの基本的な処理は前記実施例と
同様である。この第２実施例では、塗布工程から基板端
縁洗浄工程に移行する途中に減圧乾燥工程が行われるの
で、塗布処理終了直後にレジスト液が乾燥され、搬送時
における未乾燥レジスト液の移動が少なくなり、膜厚む
らを抑えることが可能となる。また加熱乾燥工程の前工
程において減圧乾燥工程を設けているので、加熱乾燥工
程に要する時間を短縮できる。また加熱乾燥工程におけ
る熱影響を少なくできる。

【００２８】第３実施例 図７に示す第３実施例では、スピンコータ５０と、基板
端縁洗浄装置５１と、減圧及び加熱乾燥装置５２とがこ
の順に配置されている。なお、各装置の間には前記各実
施例同様の基板搬送ロボット（図示せず）が設けられて
いる。スピンコータ４０及び基板端縁洗浄装置５１につ
いては前記実施例と同様の構成である。

【００２９】減圧及び加熱乾燥ユニット５２は、装置本
体５３と、装置本体５３に対して開閉自在な蓋５４とを
有している。ケース本体５３の底面には温度制御が可能
なホットプレート５５が載置されており、このホットプ
レート５５の上面に基板支持ピン５６を介して基板１が
載置されるようになっている。また装置本体５５にはそ
れぞれ切り換え弁５７を介してガス供給系及び排気系が
接続されている。ガス供給系は、装置本体５５内に窒素
ガスを供給して装置本体５５内を昇圧するためのもので
ある。また排気系は真空ポンプ等を含み、装置本体５３
内を減圧状態にするためのものである。

【００３０】この薄膜形成装置においては、スピンコー
タ５０、基板端縁洗浄装置５１及び減圧及び加熱乾燥装
置５２によって、塗布工程、基板端縁洗浄工程及び減圧
・加熱乾燥工程が順に行われる。塗布工程及び基板端縁
洗浄工程での動作は前記各実施例と同様である。またこ
の装置における減圧・加熱乾燥工程では、減圧及び加熱
乾燥装置５２内を減圧状態にして減圧乾燥を行うと同時
に、ホットプレート５５によって装置本体内を加熱し、
加熱乾燥も併せて行われる。

【００３１】ここでは、減圧乾燥及び加熱乾燥を１つの
装置で併せて行うので、乾燥に要する時間を短縮でき
る。また、加熱による基板及びレジスト液の熱影響を少
なくすることができる。さらに本実施例装置では、減圧
乾燥と加熱乾燥とを１つの装置で行っているので、それ
ぞれの乾燥を別装置で行う場合に比較して装置の設置ス
ペースが少なくてすみ、また構成も簡単となる。

【００３２】〔第３実施例の変形例〕第３実施例におい
て、スピンコータ５０と基板端縁洗浄装置５１との間
に、第２実施例で用いた減圧乾燥装置４１を配置しても
よい。第４実施例 図８に示す第４実施例の薄膜形成装置は、スピンコータ
６０、減圧及び加熱乾燥装置６１、冷却装置６２、基板
端縁洗浄装置６３及び加熱乾燥装置６４がこの順に配置
されている。各装置間には基板搬送ロボット（図示せ
ず）が配置されている。スピンコータ６０、減圧及び加
熱乾燥装置６１、基板端縁洗浄装置６３及び加熱乾燥装
置６４は前記各実施例と同様の構成である。この薄膜形
成装置では、減圧及び加熱乾燥装置６１と基板端縁洗浄
装置６３との間に冷却装置６２が設けられている。この
冷却装置６２は、減圧及び加熱乾燥装置６１によって加
熱乾燥された基板を所定の温度まで低下させて基板端縁
洗浄装置６３に引き渡すためのものである。冷却装置６
２内には所定の温度に制御されたクールプレート６５が
設けられており、このクールプレート６５上に基板が密
着して配置されることによって基板の温度が所定温度に
低下させられる。

【００３３】第５実施例 図９に示す第５実施例では、スピンコータ７０、減圧及
び冷却乾燥装置７１、基板端縁洗浄装置７２及び複数の
オーブン７３がこれらの順に配置されている。なお、各
装置の間には前記実施例同様の基板搬送ロボット（図示
せず）が配置されている。スピンコータ７０及び基板端
縁洗浄装置７２及びオーブン７３の構成は前記各実施例
と同様である。

【００３４】本実施例における減圧及び冷却乾燥装置７
１は、装置本体７４と、装置本体７４に対して開閉自在
な蓋７５とを備えている。装置本体７４にはたとえば減
圧乾燥時の基板温度の低下を防止して常温に維持するた
めのクールプレート７６が配置されている。クールプレ
ート７６上面には基板支持ピン７７が配置されており、
この基板支持ピン７７の上に基板１が載置されるように
なっている。装置本体７４には切り換え弁を介して窒素
ガスを装置本体７４内に供給するためのガス供給系と、
同様に切り換え弁を介して装置本体７４内の排気を行っ
て減圧状態とするための排気系が接続されている。

【００３５】本実施例の薄膜形成装置では、塗布工程、
減圧・冷却乾燥工程、端縁洗浄工程及び加熱乾燥工程が
順に行われる。減圧・冷却乾燥工程を除く各工程は前記
実施例と同様の動作が行われる。減圧・冷却乾燥工程で
は、装置本体７４内を減圧状態とすることによって減圧
乾燥が行われる。この減圧乾燥時においては気化熱によ
って基板の温度が低下するので、処理液の種類によって
は温度低下を防止する必要がある。この場合には、基板
温度をたとえば常温に積極的に維持するために、クール
プレート７６の温度を制御し、基板温度を常温に維持す
る。

【００３６】なお、前記実施例はすべて遠心力を利用し
て塗布液を基板表面全体に拡散させるスピンコータによ
って塗布液を基板に塗布していたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、スピンコータに代えて、種々の
ロールコータ、特開平５−１３６０４０号公報に開示さ
れたようなブレード・ディスペンス方式のフォトレジス
ト塗布装置、特開昭５６−１５９６４６号公報や特公平
５−１０８１７号公報に開示されたようなスリット状の
塗布液吐出部からカーテン状もしくはフィルム状に塗布
液を吐出させつつ基板に対して相対移動するノズルを備
えたコータを用いることもできる。

【００３７】

【発明の効果】本発明に係る薄膜形成装置では、塗布液
の塗布後に減圧乾燥するので、成膜中における搬送時に
基板表面の塗布液が風等の影響を受けにくくなる。この
ため膜厚のむらを抑えることができる。減圧乾燥を塗布
手段内で行う場合は、全体のスペースが小さくなり、構
成も簡単になる。また搬送時における風等の影響が最も
少なくなる。

【００３８】塗布手段が、基板が載置される基板載置部
と、基板載置部に載置された基板表面に塗布液を塗布す
る塗布液供給手段と、基板載置部に載置された基板をそ
の上部空間とともに密閉する基板収容部とを有し、減圧
乾燥手段が基板収容部を減圧するものである場合は、減
圧乾燥のために新たな空間を形成する必要がないので、
装置全体のスペースを大きくすることなくかつ装置の構
成も簡単になるとともに、塗布液が塗布された基板を未
乾燥のまま減圧乾燥のために別のステージに搬送する必
要もないので、搬送時における風等の影響を少なくする
ことができる。

【００３９】さらに、基板の回転中に基板収容部を減圧
すると、基板の回転によって生じる気流が塗布液に及ぼ
す影響を低減させることができる。塗布手段によって塗
布された基板の端縁の塗布液を除去する端縁洗浄手段
と、塗布手段、減圧乾燥手段及び乾燥洗浄手段の順に基
板に作用させる制御手段とを備える場合は、塗布直後の
未乾燥の塗布液をまず減圧して乾燥させてから端縁洗浄
処理を行うことにより、端縁洗浄手段に基板を搬送する
際の風等の影響を少なくすることができる。

【００４０】減圧乾燥時に基板の熱処理を行えば、乾燥
処理をより促進させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による薄膜形成装置の全体側
面概略図。

【図２】その平面概略図。

【図３】スピンコータの断面正面部分図。

【図４】薄膜形成の全体工程図。

【図５】薄膜形成時における塗布・減圧乾燥工程図。

【図６】本発明の第２実施例による薄膜形成装置の配置
図。

【図７】本発明の第３実施例による薄膜形成装置の配置
図。

【図８】本発明の第４実施例による薄膜形成装置の配置
図。

【図９】本発明の第５実施例による薄膜形成装置の配置
図。

【符号の説明】

１ 基板 ２，４０，５０，６０，７０ スピンコータ ３，４２，５１，６３，７２ 基板端縁洗浄装置 ４，４３，６２，６４，７３ オーブン １０ 回転台 １１ 処理液供給ノズル １２ モータ １３ 収容部 ２２ 蓋部 ３３ 負圧経路 ３４ 排気系 ４１ 減圧乾燥装置 ５２，６１ 減圧及び加熱乾燥装置 ７１ 減圧及び冷却乾燥装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−272130（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130525（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−107032（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−287622（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−124524（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−151973（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−82112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−142181（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−147220（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−275779（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−231814（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−196837（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表面に薄膜を形成する薄膜形成装置
   であって、 前記基板表面に塗布液を塗布する塗布手段と、 前記塗布液が塗布された基板を減圧下で乾燥させる減圧
   乾燥手段と、前記塗布手段によって塗布された基板の端縁の塗布液を
   除去する端縁洗浄手段と、を備え、 前記塗布手段は、前記基板が載置される基板載置部と、 前記基板載置部に載置された基板の表面に塗布液を塗布
   する塗布液供給手段と、 前記基板載置部に載置された基板をその上部空間ととも
   に密閉する基板収容部とを有し、 前記減圧乾燥手段は前記基板収容部を減圧するものであ
   り、 前記塗布手段、減圧乾燥手段、端縁洗浄手段の順に基板
   に作用させる制御手段を更に備えていることを特徴とす
   る 薄膜形成装置。
2. 【請求項２】 基板表面に薄膜を形成する薄膜形成装置
   であって、 前記基板表面に塗布液を塗布する塗布手段と、 前記塗布液が塗布された基板を減圧下で乾燥させる減圧
   乾燥手段と、 前記塗布手段によって塗布された基板の端縁の塗布液を
   除去する端縁洗浄手段と、を備え、 前記減圧乾燥手段は前記基板を加熱処理するための熱処
   理手段を含んでおり、 前記塗布手段、減圧乾燥手段と熱処理手段、端縁洗浄手
   段の順に基板に作用させる制御手段を更に備えているこ
   とを特徴とする 薄膜形成装置。
3. 【請求項３】 基板表面に薄膜を形成する薄膜形成装置
   であって、 前記基板表面に塗布液を塗布する塗布手段と、 前記塗布液が塗布された基板を減圧下で乾燥させる減圧
   乾燥手段と、 前記塗布手段によって塗布された基板の端縁の塗布液を
   除去する端縁洗浄手段と、 を備え、 前記減圧乾燥手段は前記基板の温度を常温に維持するた
   めの熱処理手段を含んでおり、 前記塗布手段、減圧乾燥手段と熱処理手段、端縁洗浄手
   段の順に基板に作用させる制御手段を更に備えているこ
   とを特徴とする 薄膜形成装置。
4. 【請求項４】 前記基板載置部は載置された基板ととも
   に回転自在であり、 前記塗布液供給手段は、前記基板載置部に載置された基
   板の表面に塗布液を供給する塗布液供給部と、 供給された塗布液を基板表面全体に拡散させるために前
   記基板載置部を回転させる回転駆動手段とを有してい
   る、請求項１に記載の薄膜形成装置。
5. 【請求項５】 前記減圧乾燥手段は、前記回転駆動手段
   による前記基板載置部の回転中に前記基板収容部を減圧
   するものである、請求項４に記載の薄膜形成装置。