JP3512270B2 - 回転式基板塗布装置 - Google Patents
回転式基板塗布装置Info
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- JP3512270B2 JP3512270B2 JP17328795A JP17328795A JP3512270B2 JP 3512270 B2 JP3512270 B2 JP 3512270B2 JP 17328795 A JP17328795 A JP 17328795A JP 17328795 A JP17328795 A JP 17328795A JP 3512270 B2 JP3512270 B2 JP 3512270B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板を回転させつつ
基板上に塗布液を塗り広げる回転式基板塗布装置に関す
る。
基板上に塗布液を塗り広げる回転式基板塗布装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板（ウエハ）の表面に例えばレ
ジスト等の感光液を塗布するために回転式基板塗布装置
が用いられている。図４は従来の回転式基板塗布装置の
一例を示す概略図である。
ジスト等の感光液を塗布するために回転式基板塗布装置
が用いられている。図４は従来の回転式基板塗布装置の
一例を示す概略図である。
【０００３】図４において、塗布室１内にカップ２が配
置されている。カップ２内には基板１００を吸引して保
持するための基板載置台３が設けられ、この基板載置台
３はモータ４により回転駆動される。基板載置台３の中
心部の上方には、基板１００上にレジスト等の塗布液を
吐出する塗布液吐出用のノズル５が配設されている。
置されている。カップ２内には基板１００を吸引して保
持するための基板載置台３が設けられ、この基板載置台
３はモータ４により回転駆動される。基板載置台３の中
心部の上方には、基板１００上にレジスト等の塗布液を
吐出する塗布液吐出用のノズル５が配設されている。
【０００４】塗布室１の上部には、塗布室１内へ空気を
供給するための吸気管６が設けられ、吸気管６内にマニ
ュアルダンパー１２が取り付けられている。また、塗布
室１内のカップ２の上方には、ＵＬＰＡ（Ultra Low Pe
netration Air）フィルタ８が装着されている。一方、
カップ２の下部には、塗布室１の排気を行うための排気
孔２ａが形成され、排気孔２ａに排気管９が取り付けら
れている。排気管９には、排気量を２段階に切り替える
ためのオートダンパー１３およびマニュアルダンパー１
４が設けられている。また、カップ２には、廃液を行う
ためのドレイン口１１が設けられている。
供給するための吸気管６が設けられ、吸気管６内にマニ
ュアルダンパー１２が取り付けられている。また、塗布
室１内のカップ２の上方には、ＵＬＰＡ（Ultra Low Pe
netration Air）フィルタ８が装着されている。一方、
カップ２の下部には、塗布室１の排気を行うための排気
孔２ａが形成され、排気孔２ａに排気管９が取り付けら
れている。排気管９には、排気量を２段階に切り替える
ためのオートダンパー１３およびマニュアルダンパー１
４が設けられている。また、カップ２には、廃液を行う
ためのドレイン口１１が設けられている。
【０００５】シーケンスコントローラ１５は、モータ４
の回転数をシーケンシャルに制御するとともに、シリン
ダ１６を制御してオートダンパー１３の排気量を２段階
に切り替える。
の回転数をシーケンシャルに制御するとともに、シリン
ダ１６を制御してオートダンパー１３の排気量を２段階
に切り替える。
【０００６】図４の回転式基板塗布装置においては、基
板載置台３に保持された基板１００がモータ４により回
転され、ノズル５から基板１００の中心部に吐出された
塗布液が基板１００の回転に伴う遠心力によって基板１
００の中心部から周縁部に塗り広げられる。それによ
り、回転数および塗布液の粘度に応じた厚さの膜が基板
１００上に形成される。
板載置台３に保持された基板１００がモータ４により回
転され、ノズル５から基板１００の中心部に吐出された
塗布液が基板１００の回転に伴う遠心力によって基板１
００の中心部から周縁部に塗り広げられる。それによ
り、回転数および塗布液の粘度に応じた厚さの膜が基板
１００上に形成される。
【０００７】このとき、余分な塗布液は基板１００の周
縁部から飛散し、塗布室１内にミスト（霧）として浮遊
する。このミストが基板１００の表面に付着すると塗布
面が汚染される。これを防止するために、吸気管６から
マニュアルダンパー１２およびフィルタ８を介して塗布
室１内に清浄な空気を定量供給するとともに排気管９か
らオートダンパー１３およびマニュアルダンパー１４を
介して塗布室１内の空気を排出する。
縁部から飛散し、塗布室１内にミスト（霧）として浮遊
する。このミストが基板１００の表面に付着すると塗布
面が汚染される。これを防止するために、吸気管６から
マニュアルダンパー１２およびフィルタ８を介して塗布
室１内に清浄な空気を定量供給するとともに排気管９か
らオートダンパー１３およびマニュアルダンパー１４を
介して塗布室１内の空気を排出する。
【０００８】排気量が少なすぎると、ミストの巻き上げ
が引き起こされ、基板１００の表面が汚染されるおそれ
があり、逆に、排気量が多すぎると、空気の流れが速く
なり、基板１００上の塗布液の膜厚分布が乱されるおそ
れがある。したがって、通常は、基板１００上の塗布液
の膜厚分布に悪影響を与えない範囲で、排気量が多くな
るようにオートダンパー１３を切り替えて強めの排気を
行う。特に、排気による基板１００への影響を極力抑え
たい場合には、排気量が少なくなるようにオートダンパ
ー１３を切り替えて弱めの排気を行う。
が引き起こされ、基板１００の表面が汚染されるおそれ
があり、逆に、排気量が多すぎると、空気の流れが速く
なり、基板１００上の塗布液の膜厚分布が乱されるおそ
れがある。したがって、通常は、基板１００上の塗布液
の膜厚分布に悪影響を与えない範囲で、排気量が多くな
るようにオートダンパー１３を切り替えて強めの排気を
行う。特に、排気による基板１００への影響を極力抑え
たい場合には、排気量が少なくなるようにオートダンパ
ー１３を切り替えて弱めの排気を行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
回転式基板塗布装置においては、排気量を２段階に切り
替えることにより、カップ２内のミストや臭気の排出を
行うとともに、基板１００への排気の影響を抑えてい
る。
回転式基板塗布装置においては、排気量を２段階に切り
替えることにより、カップ２内のミストや臭気の排出を
行うとともに、基板１００への排気の影響を抑えてい
る。
【００１０】しかしながら、カップ２内では、基板１０
０の回転に伴う遠心ポンプ効果によって回転する基板１
００自体が気流を引き起こす。基板１００の回転数が高
くなると、基板１００の近傍にミストを含んだ強い気流
が発生し、基板１００の表面にミストが付着するととも
に、基板１００上の塗布液の膜厚が不均一となる。した
がって、排気量を２段階に切り替えるだけでは、ミスト
による基板表面の汚染および気流の影響による膜厚分布
の乱れを十分に防止することができない。
０の回転に伴う遠心ポンプ効果によって回転する基板１
００自体が気流を引き起こす。基板１００の回転数が高
くなると、基板１００の近傍にミストを含んだ強い気流
が発生し、基板１００の表面にミストが付着するととも
に、基板１００上の塗布液の膜厚が不均一となる。した
がって、排気量を２段階に切り替えるだけでは、ミスト
による基板表面の汚染および気流の影響による膜厚分布
の乱れを十分に防止することができない。
【００１１】一方、特公昭６０−４５９５０号公報に
は、基板の回転数に応じて排気量を制御する回転塗布機
が開示されている。この回転塗布機においては、基板の
回転数が低いときに排気量を少なくし、基板の回転数が
高いときに排気量を多くすることにより、基板の塗布面
の空気の流れを制御している。
は、基板の回転数に応じて排気量を制御する回転塗布機
が開示されている。この回転塗布機においては、基板の
回転数が低いときに排気量を少なくし、基板の回転数が
高いときに排気量を多くすることにより、基板の塗布面
の空気の流れを制御している。
【００１２】しかしながら、塗布室内の空気の流れを排
気量だけで制御するのは困難である。排気量が最適であ
っても、吸気量が少なすぎると、カップの周辺部、特に
下部からのミストの巻き込みが誘発され、基板の表面が
汚染されるおそれがある。逆に、吸気量が多すぎると、
空気の流れが乱され、基板上の塗布液の膜厚分布が不均
一になるだけでなく、カップからミストを含む気流が溢
れ出て基板の表面が汚染されることもある。
気量だけで制御するのは困難である。排気量が最適であ
っても、吸気量が少なすぎると、カップの周辺部、特に
下部からのミストの巻き込みが誘発され、基板の表面が
汚染されるおそれがある。逆に、吸気量が多すぎると、
空気の流れが乱され、基板上の塗布液の膜厚分布が不均
一になるだけでなく、カップからミストを含む気流が溢
れ出て基板の表面が汚染されることもある。
【００１３】また、カップ内のミストの状態は、基板の
回転数、基板の径、基板の表面状態、塗布液の粘度等の
性質、カップの形状等の種々の条件によって変化する。
しかも、基板の回転数および基板の表面状態は、塗布液
の吐出前、塗布液の吐出時、基板上の塗布液の塗り広げ
過程、塗り広げ終了後の基板の洗浄および乾燥等の処理
過程に従って刻々と変化し、それにより、カップ内に浮
遊するミストの状態も刻々と変化する。そのため、塗布
室内の気流の最適な状態も処理過程によって変化する。
回転数、基板の径、基板の表面状態、塗布液の粘度等の
性質、カップの形状等の種々の条件によって変化する。
しかも、基板の回転数および基板の表面状態は、塗布液
の吐出前、塗布液の吐出時、基板上の塗布液の塗り広げ
過程、塗り広げ終了後の基板の洗浄および乾燥等の処理
過程に従って刻々と変化し、それにより、カップ内に浮
遊するミストの状態も刻々と変化する。そのため、塗布
室内の気流の最適な状態も処理過程によって変化する。
【００１４】したがって、基板の回転数に応じて排気量
を制御するだけでは、基板表面の汚染の防止および塗布
液の膜厚の均一化を十分に達成することが困難である。
を制御するだけでは、基板表面の汚染の防止および塗布
液の膜厚の均一化を十分に達成することが困難である。
【００１５】本発明の目的は、ミストによる基板表面の
汚染を防止しつつ基板表面に均一な塗布膜を形成するこ
とができる回転式基板塗布装置を提供することである。
汚染を防止しつつ基板表面に均一な塗布膜を形成するこ
とができる回転式基板塗布装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る回転式基板塗布装置は、塗布室内で基板上に
吐出された塗布液を基板を回転させて塗り広げる回転式
基板塗布装置において、基板の回転数を制御するととも
に、塗布室内の吸気量および排気量を塗布液の吐出過
程、塗布液の塗り広げ過程および不要な塗布液の除去過
程を含む処理過程に応じてシーケンシャルに制御する制
御手段を備え、制御手段は、塗布液の吐出前に、基板の
回転数を塗布液の塗り広げ過程中よりも低く設定し、か
つ塗布室内の吸気量および排気量を塗布液の塗り広げ過
程中よりも高く設定するものである。
発明に係る回転式基板塗布装置は、塗布室内で基板上に
吐出された塗布液を基板を回転させて塗り広げる回転式
基板塗布装置において、基板の回転数を制御するととも
に、塗布室内の吸気量および排気量を塗布液の吐出過
程、塗布液の塗り広げ過程および不要な塗布液の除去過
程を含む処理過程に応じてシーケンシャルに制御する制
御手段を備え、制御手段は、塗布液の吐出前に、基板の
回転数を塗布液の塗り広げ過程中よりも低く設定し、か
つ塗布室内の吸気量および排気量を塗布液の塗り広げ過
程中よりも高く設定するものである。
【００１７】本発明に係る回転式基板塗布装置において
は、塗布室内の吸気量および排気量を処理過程に応じて
シーケンシャルに制御することができるので、塗布室内
の気流の状態を刻々と変化する最適状態に調整すること
ができる。したがって、ミストによる基板表面の汚染お
よび臭気の発生ならびに気流の影響による膜厚分布の乱
れを防止することができる。その結果、均一で清浄な塗
布膜を形成することが可能となる。
は、塗布室内の吸気量および排気量を処理過程に応じて
シーケンシャルに制御することができるので、塗布室内
の気流の状態を刻々と変化する最適状態に調整すること
ができる。したがって、ミストによる基板表面の汚染お
よび臭気の発生ならびに気流の影響による膜厚分布の乱
れを防止することができる。その結果、均一で清浄な塗
布膜を形成することが可能となる。
【００１８】また、塗布液の塗り広げ過程において吸気
量および排気量が基板の回転数に応じて変化するので、
基板の回転に伴う基板周辺の気流を過不足なく排気およ
び吸気することができる。したがって、基板の回転に伴
ったミストの巻き上げが防止されるとともにミストおよ
び臭気が効率的に排出され、かつ塗布膜の膜厚分布への
気流の影響が最小限に抑えられる。
量および排気量が基板の回転数に応じて変化するので、
基板の回転に伴う基板周辺の気流を過不足なく排気およ
び吸気することができる。したがって、基板の回転に伴
ったミストの巻き上げが防止されるとともにミストおよ
び臭気が効率的に排出され、かつ塗布膜の膜厚分布への
気流の影響が最小限に抑えられる。
【００１９】特に、塗布液の吐出前に、基板の回転数が
塗布液の塗り広げ過程中よりも低く設定され、かつ塗布
室内の吸気量および排気量が塗布液の塗り広げ過程中よ
りも高く設定されるので、塗布室内に浮遊しているミス
トが効率的に排出される。したがって、塗布液の塗布前
に基板表面に前処理で残っているミストが付着すること
が防止され、かつ塗布膜の表面へミストが付着すること
が防止される。
塗布液の塗り広げ過程中よりも低く設定され、かつ塗布
室内の吸気量および排気量が塗布液の塗り広げ過程中よ
りも高く設定されるので、塗布室内に浮遊しているミス
トが効率的に排出される。したがって、塗布液の塗布前
に基板表面に前処理で残っているミストが付着すること
が防止され、かつ塗布膜の表面へミストが付着すること
が防止される。
【００２０】第２の発明に係る回転式基板塗布装置は、
第１の発明に係る回転式基板塗布装置の構成において、
制御手段は、塗布液の除去過程中に、基板の回転数を塗
布液の塗り広げ過程中よりも低く設定し、かつ塗布室内
の吸気量および排気量を塗布液の塗り広げ過程中よりも
高く設定するものである。
第１の発明に係る回転式基板塗布装置の構成において、
制御手段は、塗布液の除去過程中に、基板の回転数を塗
布液の塗り広げ過程中よりも低く設定し、かつ塗布室内
の吸気量および排気量を塗布液の塗り広げ過程中よりも
高く設定するものである。
【００２１】本発明に係る回転式基板塗布装置において
は、塗布液の除去過程中に、基板の回転数が塗布液の塗
り広げ過程中よりも低く設定され、かつ塗布室内の吸気
量および排気量が塗布液の塗り広げ過程中よりも高く設
定されるので、塗布室内に浮遊しているミストが効率的
に排出される。したがって、塗布液の塗布前に基板表面
に前処理で残っているミストが付着することがさらに防
止され、かつ塗布膜の表面へミストが付着することがさ
らに防止される。
は、塗布液の除去過程中に、基板の回転数が塗布液の塗
り広げ過程中よりも低く設定され、かつ塗布室内の吸気
量および排気量が塗布液の塗り広げ過程中よりも高く設
定されるので、塗布室内に浮遊しているミストが効率的
に排出される。したがって、塗布液の塗布前に基板表面
に前処理で残っているミストが付着することがさらに防
止され、かつ塗布膜の表面へミストが付着することがさ
らに防止される。
【００２２】第３の発明に係る回転式基板塗布装置は、
塗布室内で基板上に吐出された塗布液を基板を回転させ
て塗り広げる回転式基板塗布装置において、基板の回転
数を制御するとともに、塗布室内の吸気量および排気量
を塗布液の吐出過程、塗布液の塗り広げ過程および不要
な塗布液の除去過程を含む処理過程に応じてシーケンシ
ャルに制御する制御手段を備え、制御手段は、塗布液の
除去過程中に、基板の回転数を塗布液の塗り広げ過程中
よりも低く設定し、かつ塗布室内の吸気量および排気量
を塗布液の塗り広げ過程中よりも高く設定するものであ
る。
塗布室内で基板上に吐出された塗布液を基板を回転させ
て塗り広げる回転式基板塗布装置において、基板の回転
数を制御するとともに、塗布室内の吸気量および排気量
を塗布液の吐出過程、塗布液の塗り広げ過程および不要
な塗布液の除去過程を含む処理過程に応じてシーケンシ
ャルに制御する制御手段を備え、制御手段は、塗布液の
除去過程中に、基板の回転数を塗布液の塗り広げ過程中
よりも低く設定し、かつ塗布室内の吸気量および排気量
を塗布液の塗り広げ過程中よりも高く設定するものであ
る。
【００２３】本発明に係る回転式基板塗布装置において
は、塗布室内の吸気量および排気量を処理過程に応じて
シーケンシャルに制御することができるので、塗布室内
の気流の状態を刻々と変化する最適状態に調整すること
ができる。したがって、ミストによる基板表面の汚染お
よび臭気の発生ならびに気流の影響による膜厚分布の乱
れを防止することができる。その結果、均一で清浄な塗
布膜を形成することが可能となる。
は、塗布室内の吸気量および排気量を処理過程に応じて
シーケンシャルに制御することができるので、塗布室内
の気流の状態を刻々と変化する最適状態に調整すること
ができる。したがって、ミストによる基板表面の汚染お
よび臭気の発生ならびに気流の影響による膜厚分布の乱
れを防止することができる。その結果、均一で清浄な塗
布膜を形成することが可能となる。
【００２４】また、塗布液の塗り広げ過程において吸気
量および排気量が基板の回転数に応じて変化するので、
基板の回転に伴う基板周辺の気流を過不足なく排気およ
び吸 気することができる。したがって、基板の回転に伴
ったミストの巻き上げが防止されるとともにミストおよ
び臭気が効率的に排出され、かつ塗布膜の膜厚分布への
気流の影響が最小限に抑えられる。
量および排気量が基板の回転数に応じて変化するので、
基板の回転に伴う基板周辺の気流を過不足なく排気およ
び吸 気することができる。したがって、基板の回転に伴
ったミストの巻き上げが防止されるとともにミストおよ
び臭気が効率的に排出され、かつ塗布膜の膜厚分布への
気流の影響が最小限に抑えられる。
【００２５】特に、塗布液の除去過程中に、基板の回転
数が塗布液の塗り広げ過程中よりも低く設定され、かつ
塗布室内の吸気量および排気量が塗布液の塗り広げ過程
中よりも高く設定されるので、塗布室内に浮遊している
ミストが効率的に排出される。したがって、塗布液の塗
布前に基板表面に前処理で残っているミストが付着する
ことが防止され、かつ塗布膜の表面へミストが付着する
ことが防止される。
数が塗布液の塗り広げ過程中よりも低く設定され、かつ
塗布室内の吸気量および排気量が塗布液の塗り広げ過程
中よりも高く設定されるので、塗布室内に浮遊している
ミストが効率的に排出される。したがって、塗布液の塗
布前に基板表面に前処理で残っているミストが付着する
ことが防止され、かつ塗布膜の表面へミストが付着する
ことが防止される。
【００２６】第４の発明に係る回転式基板塗布装置は、
第１〜第３のいずれかの発明に係る回転式基板塗布装置
の構成において、制御手段は、塗布室内の吸気量を調整
する吸気量調整手段と、塗布室内の排気量を調整する排
気量調整手段と、予めプログラムされたパターンに従っ
て吸気量調整手段および排気量調整手段をシーケンシャ
ルに制御するシーケンシャル制御手段とを含むものであ
る。
第１〜第３のいずれかの発明に係る回転式基板塗布装置
の構成において、制御手段は、塗布室内の吸気量を調整
する吸気量調整手段と、塗布室内の排気量を調整する排
気量調整手段と、予めプログラムされたパターンに従っ
て吸気量調整手段および排気量調整手段をシーケンシャ
ルに制御するシーケンシャル制御手段とを含むものであ
る。
【００２７】本発明に係る回転式基板塗布装置において
は、予めプログラムされたパターンに従ってシーケンシ
ャル制御手段により吸気量調整手段および排気量調整手
段がシーケンシャルに制御される。したがって、処理過
程や処理条件に応じてパターンを予めプログラムするこ
とにより、種々の処理過程および処理条件で基板上に清
浄で均一な塗布膜を形成することができる。
は、予めプログラムされたパターンに従ってシーケンシ
ャル制御手段により吸気量調整手段および排気量調整手
段がシーケンシャルに制御される。したがって、処理過
程や処理条件に応じてパターンを予めプログラムするこ
とにより、種々の処理過程および処理条件で基板上に清
浄で均一な塗布膜を形成することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例における
回転式基板塗布装置の概略構成図である。図１におい
て、塗布室１内にカップ２が配置されている。カップ２
内には、基板１００を吸引して保持する基板載置台３が
設けられ、この基板載置台３はモータ４により回転駆動
される。基板載置台３の中心部の上方には、基板１００
の表面にレジスト等の塗布液を吐出するための塗布液吐
出用のノズル５が配設されている。
回転式基板塗布装置の概略構成図である。図１におい
て、塗布室１内にカップ２が配置されている。カップ２
内には、基板１００を吸引して保持する基板載置台３が
設けられ、この基板載置台３はモータ４により回転駆動
される。基板載置台３の中心部の上方には、基板１００
の表面にレジスト等の塗布液を吐出するための塗布液吐
出用のノズル５が配設されている。
【００２９】塗布室１の上部には、塗布室１内に空気を
供給するための吸気管６が設けられ、吸気管６内に吸気
ダンパー７が取り付けられている。また、塗布室１内の
カップ２の上方には、ＵＬＰＡフィルタ８が装着されて
いる。一方、カップ２の下部には、塗布室１の排気を行
うための排気孔２ａが形成され、排気孔２ａに排気管９
が取り付けられている。排気管９には排気ダンパー１０
が取り付けられている。また、カップ２の下部には廃液
のためのドレイン口１１が設けられている。
供給するための吸気管６が設けられ、吸気管６内に吸気
ダンパー７が取り付けられている。また、塗布室１内の
カップ２の上方には、ＵＬＰＡフィルタ８が装着されて
いる。一方、カップ２の下部には、塗布室１の排気を行
うための排気孔２ａが形成され、排気孔２ａに排気管９
が取り付けられている。排気管９には排気ダンパー１０
が取り付けられている。また、カップ２の下部には廃液
のためのドレイン口１１が設けられている。
【００３０】制御部２０は、シーケンスコントローラ２
１、吸気量コントローラ２２、吸気ダンパー駆動系２
３、排気量コントローラ２４および排気ダンパー駆動系
２５を含む。
１、吸気量コントローラ２２、吸気ダンパー駆動系２
３、排気量コントローラ２４および排気ダンパー駆動系
２５を含む。
【００３１】シーケンスコントローラ２１は、予めプロ
グラムされた回転数パターンに従ってモータ４の回転数
をシーケンシャルに制御するとともに、予めプログラム
された吸排気量パターンに従って吸気量および排気量の
制御をそれぞれ吸気量コントーラ２２および排気量コン
トローラ２４に指示する。回転数パターンおよび吸排気
量パターンはコンピュータ等の処理装置（図示せず）か
らシーケンスコントローラ２１に与えられる。
グラムされた回転数パターンに従ってモータ４の回転数
をシーケンシャルに制御するとともに、予めプログラム
された吸排気量パターンに従って吸気量および排気量の
制御をそれぞれ吸気量コントーラ２２および排気量コン
トローラ２４に指示する。回転数パターンおよび吸排気
量パターンはコンピュータ等の処理装置（図示せず）か
らシーケンスコントローラ２１に与えられる。
【００３２】吸気量コントローラ２２は、シーケンスコ
ントローラ２１からの指示に従って吸気ダンパー駆動系
２３を制御し、吸気ダンパー７の吸気量をシーケンシャ
ルに調整する。排気量コントローラ２４は、シーケンス
コントローラ２１からの指示に従って排気ダンパー駆動
系２５を制御し、排気ダンパー１０の排気量をシーケン
シャルに調整する。
ントローラ２１からの指示に従って吸気ダンパー駆動系
２３を制御し、吸気ダンパー７の吸気量をシーケンシャ
ルに調整する。排気量コントローラ２４は、シーケンス
コントローラ２１からの指示に従って排気ダンパー駆動
系２５を制御し、排気ダンパー１０の排気量をシーケン
シャルに調整する。
【００３３】本実施例では、制御部２０が制御手段を構
成し、シーケンスコントローラ２１がシーケンス制御手
段を構成する。また、吸気量コントローラ２２、吸気ダ
ンパー駆動系２３および吸気ダンパー７が吸気量調整手
段を構成し、排気量コントローラ２４、排気ダンパー駆
動系２５および排気ダンパー１０が排気量調整手段を構
成する。
成し、シーケンスコントローラ２１がシーケンス制御手
段を構成する。また、吸気量コントローラ２２、吸気ダ
ンパー駆動系２３および吸気ダンパー７が吸気量調整手
段を構成し、排気量コントローラ２４、排気ダンパー駆
動系２５および排気ダンパー１０が排気量調整手段を構
成する。
【００３４】次に、図１の回転式基板塗布装置の動作を
説明する。温度および湿度が調整された空気が吸気管６
の吸気ダンパー７により流量制御され、フィルタ８を通
して塗布室１内のカップ２の上部から鉛直下向きに供給
される。塗布室１内の気流は完全な層流ではないが、ほ
ぼ下向きに揃った流れとなっている。一方、塗布室１内
の空気はカップ２の排気孔２ａから排気管９の排気ダン
パー１０により流量制御され、外部に排出される。ここ
で、排気量は吸気量よりもやや高く設定される。
説明する。温度および湿度が調整された空気が吸気管６
の吸気ダンパー７により流量制御され、フィルタ８を通
して塗布室１内のカップ２の上部から鉛直下向きに供給
される。塗布室１内の気流は完全な層流ではないが、ほ
ぼ下向きに揃った流れとなっている。一方、塗布室１内
の空気はカップ２の排気孔２ａから排気管９の排気ダン
パー１０により流量制御され、外部に排出される。ここ
で、排気量は吸気量よりもやや高く設定される。
【００３５】モータ４により基板載置台３が回転駆動さ
れると、基板１００の回転に伴って矢印Ａで示すよう
に、基板１の中心部から周縁部に向かって気流が発生す
る。シーケンスコントローラ２１は、予めプログラムさ
れた回転数パターンに従ってモータ４の回転数を制御す
るとともに、予めプログラムされた吸排気量パターンに
従って吸気量コントローラ２２および排気量コントロー
ラ２４にそれぞれ吸気量および排気量の制御を指示す
る。
れると、基板１００の回転に伴って矢印Ａで示すよう
に、基板１の中心部から周縁部に向かって気流が発生す
る。シーケンスコントローラ２１は、予めプログラムさ
れた回転数パターンに従ってモータ４の回転数を制御す
るとともに、予めプログラムされた吸排気量パターンに
従って吸気量コントローラ２２および排気量コントロー
ラ２４にそれぞれ吸気量および排気量の制御を指示す
る。
【００３６】吸排気量パターンは、基板１００の回転
数、基板１００の径、塗布液の吐出タイミング、塗布液
の性質、カップ２の形状等の条件を考慮して予め作成さ
れる。吸気量コントーラ２２は、シーケンスコントロー
ラ２１の指示に従って吸気ダンパー駆動系２３をシーケ
ンシャルに制御する。それにより、吸気量が吸排気量パ
ターンに従って変化するように吸気ダンパー７が制御さ
れる。同時に、排気量コントローラ２４が、シーケンス
コントローラ２１の指示に従って排気ダンパー駆動系２
５をシーケンシャルに制御する。それにより、排気量が
吸排気量パターンに従って変化するように排気ダンパー
１０が制御される。
数、基板１００の径、塗布液の吐出タイミング、塗布液
の性質、カップ２の形状等の条件を考慮して予め作成さ
れる。吸気量コントーラ２２は、シーケンスコントロー
ラ２１の指示に従って吸気ダンパー駆動系２３をシーケ
ンシャルに制御する。それにより、吸気量が吸排気量パ
ターンに従って変化するように吸気ダンパー７が制御さ
れる。同時に、排気量コントローラ２４が、シーケンス
コントローラ２１の指示に従って排気ダンパー駆動系２
５をシーケンシャルに制御する。それにより、排気量が
吸排気量パターンに従って変化するように排気ダンパー
１０が制御される。
【００３７】このようにして、吸気量および排気量が処
理過程に応じて最適な状態に制御される。それにより、
矢印Ａで示す流れに沿って浮遊する塗布液のミストが基
板１００の上方に舞い上がることなく排気孔２ａから速
やかに排出されるとともに、その排気量に見合った量の
清浄な空気がカップ２の上部から供給される。したがっ
て、基板１００の上方は、一方向への流れを有する清浄
な空気で覆われ続ける。その結果、基板１００の表面が
ミストで汚染されず、基板１００の膜厚分布に及ぼす気
流の影響が最小限に抑えられる。
理過程に応じて最適な状態に制御される。それにより、
矢印Ａで示す流れに沿って浮遊する塗布液のミストが基
板１００の上方に舞い上がることなく排気孔２ａから速
やかに排出されるとともに、その排気量に見合った量の
清浄な空気がカップ２の上部から供給される。したがっ
て、基板１００の上方は、一方向への流れを有する清浄
な空気で覆われ続ける。その結果、基板１００の表面が
ミストで汚染されず、基板１００の膜厚分布に及ぼす気
流の影響が最小限に抑えられる。
【００３８】図２は回転数パターンおよび吸排気量パタ
ーンの第１の例を示す図である。また、図３は回転数パ
ターンおよび吸排気量パターンの第２の例を示す図であ
る。
ーンの第１の例を示す図である。また、図３は回転数パ
ターンおよび吸排気量パターンの第２の例を示す図であ
る。
【００３９】図２（ａ）および図３（ａ）に示す回転数
パターンにおいて、期間Ｔ１では、基板１００の各部分
が周囲から受ける影響を均一にするために、基板１００
を低速で回転させる。期間Ｔ２では、基板１００の回転
を停止させて塗布液を基板１００上に吐出する。期間Ｔ
３では、所定の回転数パターンに従って基板１００を回
転させて塗布液を基板１００に塗り広げる。期間Ｔ４で
は、基板１００を低速で回転させ、基板１００の周縁部
の塗布液の除去、裏面の洗浄および乾燥を行う。
パターンにおいて、期間Ｔ１では、基板１００の各部分
が周囲から受ける影響を均一にするために、基板１００
を低速で回転させる。期間Ｔ２では、基板１００の回転
を停止させて塗布液を基板１００上に吐出する。期間Ｔ
３では、所定の回転数パターンに従って基板１００を回
転させて塗布液を基板１００に塗り広げる。期間Ｔ４で
は、基板１００を低速で回転させ、基板１００の周縁部
の塗布液の除去、裏面の洗浄および乾燥を行う。
【００４０】図２（ｂ）および図３（ｂ）に示す吸排気
量パターンにおいて、吸気量および排気量の値は、基板
１００の回転数、基板１００の径、処理液の性質、カッ
プ１の形状等の条件に応じて設定する。また、排気量は
吸気量よりもやや高く設定する。
量パターンにおいて、吸気量および排気量の値は、基板
１００の回転数、基板１００の径、処理液の性質、カッ
プ１の形状等の条件に応じて設定する。また、排気量は
吸気量よりもやや高く設定する。
【００４１】吐出前の期間Ｔ１および塗り広げ後の期間
Ｔ４では、吸気量および排気量を吐出の期間Ｔ２および
塗り広げの期間Ｔ３に比べて高く設定する。それによ
り、塗布室１内に浮遊するミストや臭気が排出され、基
板１００の表面が清浄な状態に保たれる。
Ｔ４では、吸気量および排気量を吐出の期間Ｔ２および
塗り広げの期間Ｔ３に比べて高く設定する。それによ
り、塗布室１内に浮遊するミストや臭気が排出され、基
板１００の表面が清浄な状態に保たれる。
【００４２】また、塗り広げの期間Ｔ３においては、吸
気量および排気量を回転数に応じてシーケンシャルに制
御する。それにより、基板１００の回転に伴う基板１０
０周辺の気流を過不足なく排気および吸気することがで
きる。したがって、基板１００の回転に伴ったミストの
巻き上げが防止されるとともに効率的にミストおよび臭
気が排出され、かつ塗布膜の膜厚分布への気流の影響が
最小限に抑えられる。
気量および排気量を回転数に応じてシーケンシャルに制
御する。それにより、基板１００の回転に伴う基板１０
０周辺の気流を過不足なく排気および吸気することがで
きる。したがって、基板１００の回転に伴ったミストの
巻き上げが防止されるとともに効率的にミストおよび臭
気が排出され、かつ塗布膜の膜厚分布への気流の影響が
最小限に抑えられる。
【００４３】なお、基板１００上の塗布膜の膜厚分布に
悪影響を与えない範囲で、吸気量および排気量を破線で
示す値まで上昇させてもよい。それにより、臭気の漏れ
を防止することができる。
悪影響を与えない範囲で、吸気量および排気量を破線で
示す値まで上昇させてもよい。それにより、臭気の漏れ
を防止することができる。
【００４４】以上のように、本実施例の回転式基板塗布
装置においては、塗布室１内の吸気量および排気量を処
理過程に応じてシーケンシャルに制御することができる
ので、塗布室１内の気流の状態を刻々と変化する最適状
態に調整することができる。したがって、ミストによる
基板表面の汚染および臭気の発生ならびに気流の影響に
よる膜厚分布の乱れを防止することができる。その結
果、均一で清浄な塗布膜を形成することが可能となる。
装置においては、塗布室１内の吸気量および排気量を処
理過程に応じてシーケンシャルに制御することができる
ので、塗布室１内の気流の状態を刻々と変化する最適状
態に調整することができる。したがって、ミストによる
基板表面の汚染および臭気の発生ならびに気流の影響に
よる膜厚分布の乱れを防止することができる。その結
果、均一で清浄な塗布膜を形成することが可能となる。
【００４５】また、予めプログラムされた吸排気量パタ
ーンに従ってシーケンスコントローラ２１により吸気ダ
ンパー７および排気ダンパー９がシーケンシャルに制御
される。したがって、処理過程や処理条件に応じて種々
の吸排気量パターンを予めプログラムすることにより、
種々の処理過程および処理条件で基板１００上に清浄で
均一な塗布膜を形成することができる。
ーンに従ってシーケンスコントローラ２１により吸気ダ
ンパー７および排気ダンパー９がシーケンシャルに制御
される。したがって、処理過程や処理条件に応じて種々
の吸排気量パターンを予めプログラムすることにより、
種々の処理過程および処理条件で基板１００上に清浄で
均一な塗布膜を形成することができる。
【図１】本発明の一実施例における回転式基板塗布装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図２】回転数パターンおよび吸排気量パターンの第１
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図３】回転数パターンおよび吸排気量パターンの第２
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図４】従来の回転式基板塗布装置の概略構成図であ
る。
る。
１ 塗布室
２ カップ
３ 基板載置台
４ モータ
５ ノズル
６ 吸気管
７ 吸気ダンパー
９ 排気管
１０ 排気ダンパー
２０ 制御部
２１ シーケンスコントローラ
２２ 吸気量コントローラ
２３ 吸気ダンパー駆動系
２４ 排気量コントローラ
２５ 排気ダンパー駆動系
１００ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−291127（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−186379（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−107812（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−95629（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−50738（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/16 502
Claims (4)
- 【請求項１】 塗布室内で基板上に吐出された塗布液を
前記基板を回転させて塗り広げる回転式基板塗布装置に
おいて、 前記基板の回転数を制御するとともに、前記塗布室内の
吸気量および排気量を塗布液の吐出過程、塗布液の塗り
広げ過程および不要な塗布液の除去過程を含む処理過程
に応じてシーケンシャルに制御する制御手段を備え、 前記制御手段は、前記塗布液の吐出前に、前記基板の回
転数を前記塗布液の塗り広げ過程中よりも低く設定し、
かつ前記塗布室内の吸気量および排気量を前記塗布液の
塗り広げ過程中よりも高く設定することを特徴とする回
転式基板塗布装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、前記塗布液の除去過程
中に、前記基板の回転数を前記塗布液の塗り広げ過程中
よりも低く設定し、かつ前記塗布室内の吸気量および排
気量を前記塗布液の塗り広げ過程中よりも高く設定する
ことを特徴とする請求項１記載の回転式基板塗布装置。 - 【請求項３】 塗布室内で基板上に吐出された塗布液を
前記基板を回転させて塗り広げる回転式基板塗布装置に
おいて、 前記基板の回転数を制御するとともに、前記塗布室内の
吸気量および排気量を塗布液の吐出過程、塗布液の塗り
広げ過程および不要な塗布液の除去過程を含む処理過程
に応じてシーケンシャルに制御する制御手段を備え、 前記制御手段は、前記塗布液の除去過程中に、前記基板
の回転数を前記塗布液の塗り広げ過程中よりも低く設定
し、かつ前記塗布室内の吸気量および排気量を前記塗布
液の塗り広げ過程中よりも高く設定することを特徴とす
る回転式基板塗布装置。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記塗布室内の吸気量
を調整する吸気量調整手段と、前記塗布室内の排気量を
調整する排気量調整手段と、予めプログラムされたパタ
ーンに従って前記吸気量調整手段および前記排気量調整
手段をシーケンシャルに制御するシーケンシャル制御手
段とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載の回転式基板塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17328795A JP3512270B2 (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 回転式基板塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17328795A JP3512270B2 (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 回転式基板塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927444A JPH0927444A (ja) | 1997-01-28 |
| JP3512270B2 true JP3512270B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=15957657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17328795A Expired - Fee Related JP3512270B2 (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 回転式基板塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3512270B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4471865B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及びその方法 |
| JP4816747B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP6980457B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17328795A patent/JP3512270B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0927444A (ja) | 1997-01-28 |
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