JPH04107812A - 処理方法 - Google Patents

処理方法

Info

Publication number
JPH04107812A
JPH04107812A JP22566290A JP22566290A JPH04107812A JP H04107812 A JPH04107812 A JP H04107812A JP 22566290 A JP22566290 A JP 22566290A JP 22566290 A JP22566290 A JP 22566290A JP H04107812 A JPH04107812 A JP H04107812A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
resist
cup
exhaust
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22566290A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2913607B2 (ja
Inventor
Masaaki Murakami
政明 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP22566290A priority Critical patent/JP2913607B2/ja
Publication of JPH04107812A publication Critical patent/JPH04107812A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2913607B2 publication Critical patent/JP2913607B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、処理方法に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体素子の製造工程においては、例えばスピ
ンコーティング装置や洗浄装置のように、被処理物であ
る半導体ウェハを回転させながら、液状処理剤を供給す
ることによって処理を行う各種回転処理装置が使用され
ている。
ところで、清浄化雰囲気中で処理を行う必要がある半導
体デバイスの製造工程等に使用される回転処理装置、例
えばスピンコーティング装置では、液状塗布剤の外部へ
の飛散防止や飛沫による悪影響等を防止するため、被処
理物の周囲を囲むようにカップを配置し、このカップ内
から排気機構により排気を行いつつ、その中心付近を回
転軸として、例えば2000〜4000rpm程度の回
転数で回転させた被処理物に対して、液状塗布剤の供給
を行うよう構成されたものが多い。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述したような従来のスピンコーティン
グ装置では、一定の排気量でカップ内の排気を行ってい
たため、以下に示すような問題があった。
すなわち、カップ内壁に衝突した例えば液状塗布剤の飛
沫を十分に排出するために、排気量を増大させると、被
処理物表面に形成される塗膜の均一性が悪化してしまう
一方、被処理物表面に形成される塗膜の均一性を高める
ために排気量を低下させると、液状塗布剤の飛沫が被処
理物の上方に舞いあがり、外部への飛散や被処理物表面
への再付着による不良発生を招いてしまう。
本発明は、このような従来技術の課題に対処するべくな
されたもので、外部への液状処理剤の飛散を招くことな
く、液状処理剤による処理の均一性を高めた処理方法を
提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明の処理方法は、処理容器内に配置され、
その中心付近を回転軸として回転させた被処理物の表面
に対し、前記処理容器内を排気しつつ液状処理剤によっ
て所望の処理を施す方法において、前記被処理物に対す
る処理剤の工程変化に応じて、前記処理容器内の排気量
を調節することを特徴としている。
(作 用) 本発明の処理方法においては、例えば処理の均一性を高
める必要がある際には排気量を少なくし、また液状処理
剤が外部へ飛散する可能性が高い際には排気量を多くす
る等、処理容器内のvI気量を被処理物に対する処理工
程に応じて調節しているため、外部への液状処理剤の飛
散や被・処理物上への舞い上がりを防止した上で、処理
の均一性を向上させることができる。
(実施例) 以下、本発明の処理方法を適用した一実施例のスピンコ
ーティング装置について、図面を参照して説明する。
第1図に示すように、例えば半導体ウニへ等の被処理物
1は、真空チャック等により載置台2上に保持されてい
る。この載置台2は、被処理物1を該載置台2と共に高
速で回転させる回転駆動機構3に連結されている。
被処理物lのほぼ中央部上方には、液状処理剤として例
えばレジスト液を一定量供給するレジスト液供給機構(
図示せず)に接続されたレジスト吐出ノズル4が配置さ
れており、このレジスト吐出ノズル4から被処理物1の
表面に所定量のレジスト液が供給される。
また、被処理物1の周囲は、この被処理物1上に吐出さ
れたレジスト液が外部に飛散すること等を防止する如く
、カップ5により囲まれている。
上記カップ5は、上方の開口部5aより下方の径が大と
され、傾斜面5bを有する筒形状とされている。また、
カップ5内には、被処理物1の下側に飛散粒子が舞い込
むことを防止する如く、被処理物1下部より外側下方に
向かって傾斜している内カツプ部6が設けられている。
カップ5の下面5C側には、レジスト廃液を外部に排出
するための排液管7と、カップ5内を排気するための排
気管8とが設けられており、上記下面5Cは排液管7側
に向かって若干傾斜されている。
上記排気管8には、レジスト液の外部への飛散防止や飛
沫による悪影響等を防止するための排気機構9が接続さ
れており、この排気機構9によってカップ5内の排気が
行われる。
また、排気管8および排気機構9間には、ダンパー10
が介挿されており、このダンパー10によって排気量の
調節がレジスト膜形成の各工程に応じて行われる。上記
ダンパー10は、駆動機構例えばステッピングモータ1
1によって開閉され、流路面積が制御されるよう構成さ
れている。
次に、上記構成のスピンコーティング装置によるレジス
ト膜の形成工程について、第2図の工程図を参照して説
明する。なお、第3図に各工程における被処理物1の回
転数と時間、およびその際の排気信号を示す。この排気
信号は、第4図に示す第2表の排気量に基づくものであ
る。
まず、半導体ウェハ等の被処理物1を載置台2上に載置
し、真空チャック等により載置台2上に吸引保持させ、
載置台2と共に被処理物1を回転駆動機構3によって、
第3図に示すように例えば11000rpで回転させる
(第2図−101)。この予備回転工程においては、カ
ップ5内の排気は不要であるため、排気信号(5)がス
テッピングモータ11に送られ、ダンパー10は全閉状
態とされている。
次に、上記予備回転工程によって、被処理物1の回転が
安定したところで、レジスト吐出ノズル4から被処理物
1表面にレジスト液を供給する(第2図−102)。こ
のレジスト液の吐出時(供給時)においては、被処理物
1の周辺温度の低下を防ぐために、排気量を少なくする
必要があるため、排気信号(4)をステッピングモータ
11に送り、5■■H20程度の排気量でカップ5内の
排気を行う。
上記排気量の減少は、排気のとり過ぎによりウェハ周辺
部の温度が下がり、周辺部分だけ面内分布が悪化するこ
とを防止するために行うものである。
レジストの吐出を停止した後(供給停止後)、被処理物
1の回転を例えば4000rp■程度に上昇させて、被
処理物1上の不要なレジスト液の振り切りを行う(第2
図−103)。このレジスト液の振り切り当初は、排気
量を多くする必要がある。これは、排気量が少ないと、
遠心力により飛ばされたレジストミストを排気しきれず
、不要なレジスト液かカップ5外に飛散したり、カップ
5で跳ね返されたミストがウェハ1上に戻ってきたり、
ウェハ1中心付近でミストが舞い上がるためである。
そこで、排気信号(3)をステッピングモータ11に送
り、1ollH20程度の排気量でカップ5内の排気を
行う。この工程は、レジスト液供給停止直前から排気量
を漸次多くしてもよい。
次いで、被処理物1を同回転数で回転させ、レジスト液
の振り切りを継続して行うが(第2図−104) 、上
記工程103によってほぼ不要なレジスト液の振り切り
は終了しているため、この工程は膜厚の形成工程となる
。したがって、ユニフォミティを向上させるために、排
気量を少なくする必要があり、排気信号(4)をステッ
ピングモータ11に送り、5鳳mH20程度の排気量で
カップ5内の排気を行う。
次に、被処理物1の回転を例えば200Orpm程度に
低下させ(第2図−105) 、被処理物1裏面の洗浄
を行う(第2図−106)。この裏面洗浄時のリンス液
は、レジスト液に比べて粘性が低いために、さらに排気
量を多くする必要がある。そこで、排気信号(1)をス
テッピングモータ11に送り、20mm)120程度の
排気量でカップ5内の排気を行い、リンス液がカップ5
外に飛散することを防止する。
リンス液の供給を停止した後、カップ5内の排気を同排
気量(排気信号(1))で継続しつつ、同回転数で被処
理物1を回転させて乾燥を行い(第2図−107) 、
レジスト膜の形成工程が終了する。
上記実施例のスピンコーティング装置を用いたレジスト
膜の形成工程においては、排気管8にステッピングモー
タ11によって流路面積を可変としたダンパー10を介
挿し、上記ステッピングモータ11にレジスト形成の各
工程に応じた排気量に基づく排気信号を送ることによっ
て、カップ5からの排気量を変化させているため、レジ
スト膜の形成(例えば膜厚等)に悪影響を及ぼすことな
く、レジスト液やリンス液がカップ5外部に飛散するこ
とや、被処理物1上に浮上して再付着することによる不
良発生等を防止することができる。
なお、上記実施例ではレジストの塗布について説明した
が、現像材の塗布等にも適用可能である。
[発明の効果コ 以上説明したように、本発明の処理方法によれば、処理
容器外への液状処理剤の飛散や被処理物上への舞い上が
りを防止した上で、処理の均一性を向上させることが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を適用した一実施例のスピンコーテ
ィング装置を示す構成図、第2図は第1図のスピンコー
ティング装置を用いたレジスト膜の形成工程の一例を示
す図、第3図はそのレジスト膜形成の各工程における被
処理物の回転数と排気信号との対比を表として示す図、
第4図はその排気信号と排気量との対比を表として示す
図である。 1・・・・・・被処理物、2・・・・・・載置台、3・
・・・・・回転駆動機構、4・・・・・・レジスト吐出
ノズル、5・・・・・・カップ、7・・・・・・排液管
、8・・・・・・排気管、9・・・・・・排気機構、1
0・・・・・ダンパー 11・・・・・・ステッピング
モータ。 第 図 (スタート) 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 処理容器内に配置され、その中心付近を回転軸として回
    転させた被処理物の表面に対し、前記処理容器内を排気
    しつつ液状処理剤によって所望の処理を施す方法におい
    て、 前記被処理物に対する処理剤の工程変化に応じて、前記
    処理容器内の排気量を調節することを特徴とする処理方
    法。
JP22566290A 1990-08-28 1990-08-28 処理方法 Expired - Lifetime JP2913607B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22566290A JP2913607B2 (ja) 1990-08-28 1990-08-28 処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22566290A JP2913607B2 (ja) 1990-08-28 1990-08-28 処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04107812A true JPH04107812A (ja) 1992-04-09
JP2913607B2 JP2913607B2 (ja) 1999-06-28

Family

ID=16832813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22566290A Expired - Lifetime JP2913607B2 (ja) 1990-08-28 1990-08-28 処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2913607B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159541A (en) * 1997-10-31 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Spin coating process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6159541A (en) * 1997-10-31 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Spin coating process
US6447608B1 (en) 1997-10-31 2002-09-10 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2913607B2 (ja) 1999-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007523463A (ja) 基板処理装置及び方法
JP5485672B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH07115060A (ja) 処理装置及び処理方法
JP2002151455A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP3171965B2 (ja) スピン洗浄乾燥装置
JPH05259060A (ja) 塗布装置
JP2930583B1 (ja) 半導体ウェハのスピン枚葉処理装置
JPH04174848A (ja) レジスト塗布装置
JPH07135137A (ja) 現像処理方法および装置
JPH04107812A (ja) 処理方法
JP3703281B2 (ja) 基板処理装置
JP4342324B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2001110714A (ja) 薬液塗布装置および薬液塗布方法
JP2000346549A (ja) 回転式基板乾燥装置および乾燥方法
JP2000077293A (ja) 基板処理方法およびその装置
JPH10154650A (ja) 塗布液塗布方法
JPH09122560A (ja) 回転式塗布装置
JP3512270B2 (ja) 回転式基板塗布装置
JP3565690B2 (ja) 密閉型洗浄装置およびこの装置を用いて精密基板を洗浄する方法
JP2922754B2 (ja) 回転式基板乾燥装置及び回転式基板乾燥方法
JP2005252137A (ja) 基板の洗浄方法及び基板洗浄装置
JPH05226242A (ja) 現像装置及び現像方法
JPH029476A (ja) スピンコーティング装置
JP6119293B2 (ja) 回転塗布装置および回転塗布装置の洗浄方法
JP2004247752A (ja) クローズドマニュファクチャリング装置およびこの装置を用いて被洗浄基板を処理する方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416

Year of fee payment: 12