JP2930583B1

JP2930583B1 - 半導体ウェハのスピン枚葉処理装置

Info

Publication number: JP2930583B1
Application number: JP18760198A
Authority: JP
Inventors: 智美越後
Original assignee: Kaijo Corp
Current assignee: Kaijo Corp
Priority date: 1998-07-02
Filing date: 1998-07-02
Publication date: 1999-08-03
Anticipated expiration: 2018-07-02
Also published as: JP2000021840A

Abstract

【要約】【課題】ウェハ表面へのミストの再付着や汚染を完全
に無くし、チャンバー内の気流コントロールを不要とす
るとともに、クラスタツール化を可能とする。【解決手段】ウェハ受け台３の上部側に超音波振動装
置６を配設し、該超音波振動装置は、少なくとも、半導
体ウェハＷとの間に僅かの間隙を有してウェハ表面を覆
うように近接して対向配置された平板状の天板７と、ス
ピーカコーン形振動板８と、超音波振動子１１とを備
え、前記天板７と振動板８との間の空間部を超音波振動
を伝達する超音波伝達媒体９を貯溜するためのタンク部
１０とするとともに、高速回転する半導体ウェハＷの表
面に洗浄液、すすぎ液、乾燥用のガスを順に吹き付ける
ための供給ノズル１３を前記天板７の中心位置からウェ
ハ受け台３の回転軸心位置に向けて臨ませた。超音波振
動装置６は、その全体を半導体ウェハの表面と平行に半
導体ウェハの半径寸法以上の距離にわたって往復動させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの洗
浄、すすぎ、乾燥などの一連の表面処理をウェハ単位で
１枚づつ行なうようにしたスピン枚葉処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図３および図４に従来のスピン枚葉処理
装置の構造を示す。図３は従来装置の略示縦断面図、図
４はその平面図である。図において、５１は蓋５２によ
って内部を密閉された円筒状のチャンバーであって、こ
のチャンバー５１内に半導体ウェハ（以下、「ウェハ」
と略称）Ｗを水平に載置して高速回転するための円板状
のウェハ受け台５３が回転自在に配置されている。この
ウェハ受け台５３は、回転軸５４を介してモータ５５に
接続されており、モータ５５をオン、オフすることによ
って自在に回転できるように構成されている。

【０００３】また、ウェハ受け台５３の上面側には、そ
の先端に供給ノズル５６を備えた回動アーム５７が設け
られており、回動アーム５７を左右に振りながら、供給
ノズル５６から有機溶剤などの洗浄液、純水などのすす
ぎ液、Ｎ_２ガスなどの乾燥用のガスを順にウェハ受け
台５３上に載置されたウェハＷに向けて吹き付けること
ができるように構成されている。なお、５８は排気口、
５９は通風口である。

【０００４】上記構成になる従来のスピン枚葉処理装置
は、次のようにして使用される。まず、チャンバー１の
側壁部などに設けたウェハ出し入れ口（図示せず）の開
閉扉を開き、処理対象とするウェハＷをウェハ受け台３
上に載せた後、扉を閉じてチャンバー１内を密閉する。
次に、モータ５５を駆動し、ウェハ受け台５３を所定の
速度で高速回転する。この状態で、図示しない薬液供給
装置から供給ノズル５６に有機溶剤などの洗浄液を送給
し、可動アーム５７を左右に振りながら高速回転するウ
ェハＷの表面に向けて洗浄液を吹き付け、ウェハ表面を
洗浄する。

【０００５】次に、図示しないすすぎ液供給装置から供
給ノズル５６に純水などのすすぎ液を送給し、可動アー
ム５７を左右に振りながら高速回転するウェハＷの表面
に向けてすすぎ液を吹き付け、ウェハ表面に付着した洗
浄液を洗い流してすすぎを行なう。

【０００６】次に、図示を略したガス供給装置から供給
ノズル５６にＮ_２ガスなどの乾燥用のガスを送給し、
可動アーム５７を左右に振りながら高速回転するウェハ
Ｗの表面に向けて吹き付け、ウェハ表面の乾燥処理を行
なう。

【０００７】上記乾燥処理が終了したら、モータ５５を
停止し、処理の終わったウェーハＷをチャンバー５１内
から取り出し、次工程へ移送するとともに、次のウェハ
Ｗをウェハ受け台５３上に載せ、上記した一連の処理を
繰り返す。このようにして、ウェハＷを回転（スピン）
させながら洗浄、すすぎ、乾燥の各処理お１枚づつ行な
うものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のスピン枚葉処理装置の場合、供給ノズル５６と
これを取り付けた可動アーム５７がチャンバー５１内に
装備されているため、チャンバーの容積が大きくなり、
チャンバー内気流のコントロールが難しいという問題が
あった。このため、ウェハＷの表面に吹き付けられた洗
浄液やすすぎ液がチャンバー内壁にぶつかってミストと
なって舞い上がったりすると、ウェハ受け台５３の高速
回転に伴う気流（図３中の点線の矢印）に乗ってウェハ
表面に再付着してしまい、パーティクル汚染の原因とな
っていた。

【０００９】また、ロードロックチャンバ（真空予備
室）を介して種々の処理装置をセンターロボットに連結
し、ウェハを外気に触れさせることなしにお互いの装置
間でやり取りする、いわゆるクラスタツール化は、ウェ
ハの汚染防止にとってきわめて有効な方法であるが、こ
れを実現するにはウェハが汚染されるおそれのないこと
が必要である。

【００１０】しかしながら、前述した従来装置の場合、
乾燥用のＮ_２ガスやチャンバー内大気がチャンバー内
に残留している有機溶剤などのミストや蒸発ガスによっ
て汚染されると、これら汚染物質がチャンバー５１内の
気流に乗ってウェハ表面に接触してしまい、ウェハを再
汚染するおそれがあった。このため、従来のスピン枚葉
処理装置はクラスタツール化が難しいという問題もあっ
た。

【００１１】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたもので、ウェハ表面へのミストの再付着や
汚染を完全に無くし、チャンバー内の気流コントロール
を不要とするとともに、クラスタツール化を可能とした
半導体ウェハのスピン枚葉処理装置を提供することを目
的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、密閉式のチャンバー内で半導体ウェハを
載置したウェハ受け台を高速回転し、この高速回転する
半導体ウェハの表面に向けて洗浄液、すすぎ液、乾燥用
のガスなどのウェット処理に必要な液体および気体を順
に吹き付けていくことにより、洗浄・すすぎ・乾燥の各
処理をウェーハ単位で１枚づつ行なうようにした半導体
ウェハのスピン枚葉処理装置において、前記半導体ウェ
ハに向けて超音波を照射するための超音波振動装置がウ
ェハ受け台の上面側に位置してウェハ受け台に向けて近
接配置されており、該超音波振動装置は、少なくとも、
前記ウェハ受け台上に載置された半導体ウェハとの間に
僅かの間隙を有してウェハ表面の全面を覆うようにウェ
ハ受け台に対向配置された平板状の天板と、該天板の上
部側に位置して天板に向けて配置されたスピーカコーン
形振動板と、該スピーカコーン形振動板の外表面に固設
された１個または複数個の超音波振動子とを備え、前記
平板状の天板とその上部側に配置されたスピーカコーン
形振動板との間の空間部を超音波伝達媒体を貯溜するた
めのタンク部とするとともに、高速回転する半導体ウェ
ハの表面に向けてウェット処理のための液体および気体
を順に吹き付ける供給ノズルを前記天板の中心位置から
半導体ウェハに向けて臨ませたものである。

【００１３】さらに、本発明は、前記超音波振動装置を
半導体ウェハの表面と平行に半導体ウェハの半径寸法以
上の距離にわたって往復動させるようにしたことを特徴
とするものである。

【００１４】なお、タンク部への超音波伝達媒体供給口
は前記スピーカコーン形振動板のコーン尖端側に設ける
とともに、タンク部からの超音波伝達媒体排出口は前記
スピーカコーン形振動板のコーン裾部側周縁に設けるこ
とが望ましい。また、液体および気体の供給ノズルはス
ピーカコーン形振動板とタンク部の中心部を垂直に貫い
て天板中心位置まで配管することが望ましい。

【００１５】

【作用】本発明の場合、高速回転するウェハの表面は近
接配置された天板によって覆われており、ウェハ表面と
天板の間は狭い間隙部とされている。このため、洗浄、
すすぎ、乾燥などの各処理時に、供給ノズルから洗浄
液、すすぎ液、乾燥用のガスがウェハ表面に吹き付けら
れると、これらの液体や気体は前記間隙部を完全に満た
しながら、高速回転するウェハの遠心力によってウェハ
外周方向へ振り飛ばされていく。

【００１６】したがって、たとえ遠心力で振り飛ばされ
た洗浄液やすすぎ液などがチャンバー内壁にぶつかって
ミストとなり、チャンバー内に舞い上がったとしても、
ウェハ表面と天板の間の隙間に入り込むことは不可能で
あり、ウェハ表面にミストが付着して再汚染するという
ようなことがなくなる。

【００１７】また、チャンバー内に充満する乾燥用のガ
スやチャンバー内大気が残留している有機溶剤などで汚
染されたような場合でも、これらの汚染ガスや大気はウ
ェハ表面と天板の間の隙間に入り込むことができず、ウ
ェハが汚染されることがない。このため、従来のスピン
枚葉処理装置では困難であったクラスタツール化が可能
となる。また、ウェハ表面に超音波を照射しながら洗
浄、すすぎ、乾燥の各処理を行なうようにしているの
で、各処理の効果を高めることができ、ウェハの処理品
質をより一層向上することができる。

【００１８】さらに、超音波振動装置を半導体ウェハの
表面と平行に半導体ウェハの半径寸法以上の距離にわた
って往復動させた場合、洗浄液、すすぎ液、乾燥用のガ
スなどのウェット処理のための液体や気体を、高速回転
する半導体ウェハの表面全面に万遍なく吹き付けること
ができる。このため、処理を高速化することができると
ともに、ウェハＷの中心位置一箇所に固定的に吹き付け
ることによってウェハ表面が傷（例えば、ミクロンオー
ダーの凹状のえぐれなど）つく心配もなくなる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１および図２に、本発明
に係るスピン枚葉処理装置の一実施の形態を示す。図１
は図２中のＡ−Ａ矢視断面図、図２は本発明に係るスピ
ン枚葉処理装置の一実施の形態の平面図である。

【００２０】図において、１は洗浄・すすぎ・乾燥の各
処理を行なうためのチャンバーであって、このチャンバ
ー１内にウェハＷを載置して高速回転する円板状のウェ
ハ受け台３が回転自在に配置されている。このウェハ受
け台３は、回転軸４を介してモータ５に接続されてお
り、モータ５をオン、オフすることによって自在に回転
できるように構成されている。

【００２１】前記高速回転するウェハ受け台３の上部に
は、超音波振動装置６が取り付けられている。この超音
波振動装置６は、高速回転するウェハＷの表面に超音波
を照射することによって、洗浄、すすぎ、乾燥の各処理
を効率的に行なわせるとともに、高速回転されるウェハ
Ｗとの位置関係を後述するような関係に設定することに
より、洗浄、すすぎ、乾燥の各処理の最中にウェハＷが
再汚染されることを防止するためのものである。

【００２２】すなわち、超音波振動装置６の下底面を構
成する平板状の天板７は、ウェハ受け台３上に載せられ
たウェハＷに対向させて近接配置されている。そして、
この天板７の上側に、スピーカコーン形振動板８がウェ
ハ受け台３に向けて配置されており、この振動板８と天
板７との間の空間部が、超音波を効率よく伝達するため
の超音波伝達媒体（例えば純水）９を貯溜するタンク部
１０とされている。

【００２３】さらに、前記スピーカコーン形振動板８の
外表面には、所要個（図示例では６個）の超音波振動子
１１が等間隔に取り付けられており、図示しない高周波
発振器から超音波振動用の高周波信号（例えば、９５０
ＫＨｚ）を供給することによって超音波振動子１１を超
音波振動させ、この超音波振動を振動板８，タンク部１
０内の超音波伝達媒体９，天板７を通じてウェハＷの表
面に向けて照射するように構成されている。

【００２４】なお、超音波の伝播方向と強度分布は、ス
ピーカコーン形振動板８のコーン傾斜角θによって変わ
るが、例えば、スピーカコーン形振動子８と天板７に石
英ガラスを用い、振動周波数９５０ＫＨｚの超音波を用
いた場合、実験の結果によれば、θ＝２８°±５°程度
に設定することが望ましい。この角度範囲に設定した場
合、超音波は天板７の面から垂直下向きに、しかも、均
等な強度分布で放射される。したがって、ウェーハの回
転を併用することによって、超音波をウェハＷの表面全
体にムラなく均等に照射することができる。

【００２５】一方、前記振動板８の中心位置には、振動
板８とタンク部１０を上下方向に垂直に貫いて円筒状の
孔１２が形成されており、この孔１２内に有機溶剤など
の洗浄液、純水などのすすぎ液、Ｎ_２ガスなどの乾燥
用のガスをウェハＷの表面に向けて順に吹き付けるため
の供給ノズル１３が配設されている。１４はタンク部１
０内に超音波伝達媒体９を供給するための超音波伝達媒
体供給口、１５はタンク部１０内の超音波伝達媒体９を
外部へ排出するための超音波伝達媒体排出口、１６は排
気口、１７は通風口である。

【００２６】上記超音波振動装置６は、その外周縁の鍔
部１８をチャンバー１の蓋部２上に摺動自在に載置され
ており、図２に示すように、その一端部にシリンダ１９
のピストンロッド２０が連結され、シリンダ１９を駆動
してピストンロッド２０を進退させることにより、超音
波振動装置６全体をウェハＷの表面と平行にウェハの半
径寸法ｒ以上の距離にわたって、所定の速度（例えば、
１０ｃｍ／ｓｅｃ以下）で往復動（図１では紙面に垂直
な向き、図２では上下方向）させることができるように
構成されている。鍔部１８と蓋部２の間にはオーリング
２１が介装され、チャンバー１内の気密が保たれてい
る。

【００２７】次に、上記構成になる本発明のスピン枚葉
処理装置の動作を説明する。なお、処理開始に先立っ
て、超音波伝達媒体供給口１４からタンク部１０内に純
水などの超音波伝達媒体９を供給し、タンク部１０内を
図示するように超音波伝達媒体９によって満たしてお
く。なお、この超音波伝達媒体９は、タンク部１０内を
一杯に満たした時点で送給を止めてもよいし、一定流量
を継続的に送給し、超音波伝達媒体９で少しづつ入れ換
えるようにしてもよい。

【００２８】まず最初に、チャンバー１の側壁などに設
けたウェハ出し入れ口（図示せず）の扉を開き、処理対
象とするウェハＷをウェハ受け台３上に載せた後、扉を
閉じてチャンバー１内を密閉する。

【００２９】次に、モータ５を駆動してウェハ受け台３
を所定の速度で高速回転するとともに、シリンダ１９を
駆動して超音波振動装置６全体をウェハＷの表面と平行
にウェハの半径寸法ｒ以上の距離にわたって往復動させ
る。

【００３０】さらに、図示しない高周波発振器から超音
波振動用の高周波信号（例えば、９５０ＫＨｚ）を超音
波振動子１１に印加し、超音波振動子１１を振動させ
る。この超音波振動子１１の超音波振動は、コーン状振
動板８で増強された後、タンク部１０内の超音波伝達媒
体９を通じて天板７の全面から高速回転するウェハＷの
表面に向けて均等に放射される。

【００３１】上記状態において、図示しない薬液供給装
置から供給ノズル１３に有機溶剤などの洗浄液を送給
し、高速回転するウェハＷの表面に向けて吹き付ける。
この吹き付けられた洗浄液は、高速回転するウェハ受け
台３の遠心力により、天板７とウェハＷの狭い隙間に沿
ってウェハＷの円周方向に振り飛ばされて流れ出ていく
が、このときウェハ表面に向けて超音波が照射されてい
るので、ウェハ表面に付着している汚れや微粒子などの
異物が超音波振動によってウェハ表面から浮き上がり、
この浮き上がったところを洗浄液が洗い流していくた
め、ウェハ表面の洗浄をきわめて効果的に行なうことが
できる。

【００３２】前述したように、遠心力によってウェハＷ
の外周縁から振り飛ばされた洗浄液は、チャンバー内壁
にぶつかってミストとなり、ウェハ受け台３の高速回転
に伴う気流（図１中に点線の矢印で示した）に乗ってチ
ャンバー内に舞い上がることがあるが、本発明の場合、
ウェハＷの表面は僅かな間隙をおいて超音波振動装置６
の天板７によって、その全面を覆われているので、チャ
ンバー内に舞い上がったミストがウェハ表面に再付着す
ることがない。

【００３３】また、超音波振動装置６は、シリンダ１９
によってウェハＷの表面と平行にウェハの半径寸法ｒ以
上の距離にわたって往復動されているので、供給ノズル
１３から吹き付けられる有機溶剤などの洗浄液は、ウェ
ハＷの全面にわたって万遍なく吹き付けられる。このた
め、洗浄処理が高速化されるとともに、ウェハＷの中心
位置一箇所に固定的に吹き付けることによってウェハ表
面が傷（例えば、ミクロンオーダーの凹状のえぐれな
ど）つく心配もなくなる。

【００３４】次に、図示しないすすぎ液供給装置から供
給ノズル１３に純水などのすすぎ液を送給し、高速回転
するウェハＷの表面に向けて吹き付ける。この吹き付け
られたすすぎ液は、高速回転するウェハ受け台３の遠心
力により、天板７とウェハＷの狭い隙間に沿ってウェハ
Ｗの中心位置から円周方向に向けて振り飛ばされて流れ
出ていくが、このときウェハ表面に向けて超音波が照射
されているので、ウェハ表面に付着した洗浄液粒子やゴ
ミなどの異物は超音波振動によってウェハ表面に浮き上
がり、この浮き上がったところをすすぎ液ですすがれる
ため、きわめて効果的にウェハ表面のすすぎを行なうこ
とができる。

【００３５】このすすぎ処理の場合も、遠心力によって
ウェハＷの外周縁から振り飛ばされたすすぎ液は、チャ
ンバー内壁にぶつかってミストとなり、ウェハ受け台５
３の高速回転に伴う気流に乗ってチャンバー内に舞い上
がることがあるが、前述したようにウェハ表面は近接配
置した天板７によって完全に覆われているので、この舞
い上がったミストがウェハ表面に再付着することがな
い。

【００３６】また、前述したように、超音波振動装置６
は往復動されているので、供給ノズル１３から吹き付け
られるすすぎ液は、ウェハＷの全面にわたって万遍なく
吹き付けられるので、すすぎ処理が高速化されるととも
に、すすぎ液の吹き付けによるウェハ表面の傷の発生の
心配もなくなる。

【００３７】次に、図示しない乾燥用ガス供給装置から
供給ノズル１３にＮ_２ガスなどの乾燥用のガスを送給
し、高速回転するウェハＷの表面に向けて吹き付ける。
この吹き付けられた乾燥用のガスは、高速回転するウェ
ハ受け台３の遠心力により、天板７とウェハＷの狭い隙
間に沿ってウェハＷの中心位置から円周方向に向けて振
り飛ばされて流れ出ていき、すすぎ液で濡れたウェハ表
面の乾燥処理を行なう。

【００３８】この乾燥処理の場合も、天板７とウェハＷ
の間の狭い隙間は供給ノズル１３から吹き付けられる清
浄な乾燥用のガスによって完全に満たされた状態となっ
ているので、乾燥処理後の乾燥用のガスやチャンバー内
大気が入り込むことはできない。このため、たとえ乾燥
処理後の乾燥用のガスやチャンバー内大気が汚染されて
いるような場合でも、これらによってウェハ表面が汚染
されるというようなことがなくなる。

【００３９】また、前述したと同様に、供給ノズル１３
から吹き付けられる乾燥用のガスは、ウェハＷの全面に
わたって万遍なく吹き付けられるので、乾燥処理が高速
化されるとともに、Ｎ_２ガスの吹き付けによるウェハ
表面の傷の発生の心配もなくなる。

【００４０】上記乾燥処理が終了した時点で、モータ５
とシリンダ１９を停止するとともに、図示しない超音波
発振器からの高周波信号切断し、装置を停止して処理の
終わったウェーハＷをチャンバー１内から取り出す。そ
して、この処理の終わったウェハＷを次工程へ移送する
とともに、次のウェハＷをウェハ受け台３上に載せ、上
記した洗浄、すすぎ、乾燥の一連の処理を繰り返す。

【００４１】なお、前記タンク部１０に注入する超音波
伝達媒体９としては、超音波振動による気泡発生を防止
するために、脱ガス処理した純水などを用いることが好
ましい。また、超音波伝達媒体９を排出するための超音
波伝達媒体排出口１５は、図示するように、スピーカコ
ーン形振動板のコーン尖端付近に設けることが好まし
い。このように、コーン尖端付近に設けると、万一、タ
ンク部１０内で気泡が発生した場合でも、発生した気泡
をこの上部側の超音波伝達媒体排出口１５から自然排気
することができる。また、超音波振動による発熱も自然
排熱することができる。

【００４２】また、前記実施の形態では、供給ノズル１
３を振動板８とタンク部１０の中心部を上下方向に垂直
に貫いて天板中心位置まで導いたが、必ずしも振動板８
とタンク部１０の中心部を貫いて設ける必要はなく、少
なくも供給ノズル１３が天板の中心位置からウェハ表面
に向けて臨まされていればよい。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、高速回転するウェハの上側に超音波振動装
置を配置し、この超音波振動装置の天板を高速回転する
ウェハの表面に近接配置することによって、ウェハ表面
と天板との間に洗浄液、すすぎ液、乾燥用のガスなどの
ウェット処理に必要な液体や気体のみが通る狭い間隙を
形成するようにしたので、洗浄、すすぎ、乾燥の各処理
作業時に、遠心力で吹き飛ばされた洗浄液やすすぎ液が
ミストとなってチャンバー内に舞い上がったとしても、
これらのミストがウェハ表面に再付着することがなくな
る。このため、ウェハの再汚染を防止することができ
る。

【００４４】また、ウェハ表面に超音波を均等に照射し
ながら、洗浄、すすぎ、乾燥の各処理を行なうようにし
ているので、表面処理の均一性が向上し、ウェハの処理
品質を向上することができる。また、乾燥処理に使用し
た後の乾燥用ガスやチャンバー内大気の影響を受けるこ
とがないので、これらにガスや大気によってウェハが汚
染されることがなくなり、スピン枚葉処理装置をクラス
タツール化することができる。

【００４５】また、請求項２記載の発明によれば、超音
波振動装置を半導体ウェハの表面と平行に半導体ウェハ
の半径寸法以上の距離にわたって往復動させるようにし
たので、ウェット処理のための液体や気体を高速回転す
る半導体ウェハの表面全面に万遍なく吹き付けることが
できる。このため、処理を高速化することができるとと
もに、ウェハの中心位置一箇所に固定的に吹き付けるこ
とによるウェハ表面の傷の発生なども防止することがで
きる。

【００４６】また、請求項３記載の発明によれば、タン
ク部への超音波伝達媒体供給口をスピーカコーン形振動
板のコーン尖端側に設けるとともに、タンク部からの超
音波伝達媒体排出口をスピーカコーン形振動板のコーン
裾部側周縁に設けたので、タンク部内で発生する気泡や
超音波振動に伴う発熱を自然に外部へ排出することがで
き、安定した処理動作を行なわせることができる。

【００４７】また、請求項４記載の発明によれば、液体
および気体の供給ノズルを、スピーカコーン形振動板と
タンク部の中心部を垂直に貫いて天板中心位置まで配管
したので、超音波振動装置の超音波発生機構部分が３６
０°の全方向にわたって対称構造となり、超音波をより
均一にウェハ表面に照射することができる。このため、
表面処理の均一性が向上し、ウェハの処理品質をより一
層向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図２中のＡ−Ａ矢視断面図である。

【図２】本発明に係るスピン枚葉処理装置の一実施の形
態の平面図である。

【図３】従来装置の略示縦断面図である。

【図４】従来装置の平面図である。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウェハｒウェハの半径寸法１チャンバー２蓋部３ウェハ受け台４回転軸５モータ６超音波振動装置７天板８スピーカコーン形振動板９超音波伝達媒体１０タンク部１１超音波振動子１２円筒状の孔１３液体と気体の供給ノズル１４超音波伝達媒体供給口１５超音波伝達媒体排出口１６排気口１７通風口１８鍔部１９シリンダ２０ピストンロッド２１Ｏリング

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】密閉式のチャンバー内で半導体ウェハを
載置したウェハ受け台を高速回転し、この高速回転する
半導体ウェハの表面に向けて洗浄液、すすぎ液、乾燥用
のガスなどのウェット処理に必要な液体および気体を順
に吹き付けていくことにより、洗浄・すすぎ・乾燥の各
処理をウェーハ単位で１枚づつ行なうようにした半導体
ウェハのスピン枚葉処理装置において、前記半導体ウェハに向けて超音波を照射するための超音
波振動装置がウェハ受け台の上面側に位置してウェハ受
け台に向けて近接配置されており、該超音波振動装置は、少なくとも、前記ウェハ受け台上
に載置された半導体ウェハとの間に僅かの間隙を有して
ウェハ表面の全面を覆うようにウェハ受け台に近接して
対向配置された平板状の天板と、該天板の上部側に位置
して天板に向けて配置されたスピーカコーン形振動板
と、該スピーカ振動板の外表面に固設された１個または
複数個の超音波振動子とを備え、前記平板状の天板とその上部側に配置されたスピーカコ
ーン形振動板との間の空間部を超音波伝達媒体を貯溜す
るためのタンク部とするとともに、高速回転する半導体
ウェハの表面に向けてウェット処理のための液体および
気体を順に吹き付ける供給ノズルを前記天板の中心位置
から半導体ウェハに向けて臨ませたことを特徴とする半
導体ウェハのスピン枚葉処理装置。
【請求項２】前記超音波振動装置を半導体ウェハの表
面と平行に半導体ウェハの半径寸法以上の距離にわたっ
て往復動させるようにしたことを特徴とする請求項１記
載の半導体ウェハのスピン枚葉処理装置。
【請求項３】タンク部への超音波伝達媒体供給口を前
記スピーカコーン形振動板のコーン尖端側に設けるとと
もに、タンク部からの超音波伝達媒体排出口を前記スピ
ーカコーン形振動板のコーン裾部側周縁に設けたことを
特徴とする請求項１または２記載の半導体ウェハのスピ
ン枚葉処理装置。
【請求項４】前記液体および気体の供給ノズルをスピ
ーカコーン形振動板とタンク部の中心部を垂直に貫いて
天板中心位置まで配管したことを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の半導体ウェハのスピン枚葉処理装
置。