JP6940281B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に処理液の液滴を衝突させる二流体ノズルと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けて保護液を吐出する保護液ノズルとを備えている(下記特許文献1参照)。
すなわち、特許文献1の手法では、基板に与えるダメージを低減しながら、洗浄性能を高めることに限界がある。
このような課題は、処理液の液滴を基板に噴射する液滴洗浄に限られず、超音波振動が付与された処理液を基板に供給することにより、基板から異物を除去する超音波洗浄にも共通している。
ゆえに、基板へのダメージを抑制しながら、物理力を用いて基板を良好に洗浄することができる。
この構成によれば、処理液供給ユニットからの処理液が筒状空間に供給される。そのため、筒状空間に処理液を良好に溜めることができる。これにより、基板の上面に液柱を良好に形成することができる。
この構成によれば、筒状空間に水平に導入された処理液は、下部開口から直ちに流出せずに筒状空間に一旦止まる。すなわち、筒状空間に処理液を良好に溜めることができる。
この構成によれば、フランジの内部に第1の供給流路が形成されているので、フランジの内部を有効活用できる。そのため、処理液ノズル外に第1の供給流路を別途設ける必要がないから、部品点数の低減および/または処理液供給ユニットの小型化を図ることができる。
この構成によれば、前記内筒と前記外筒との間に区画された筒状の第2の供給流路を区画するため、別に供給経路を設ける必要がないから、部品点数の低減および/または処理液供給ユニットの小型化を図ることができる。
この構成によれば、下部開口と基板の上面との間の間隔を変更することにより、第1の液柱部分の上下方向の厚みを変更することができる。そのため、処理液の液柱の上下方向の厚みを、処理液の液柱を伝播する衝撃波が、基板の上面にダメージを与えず、かつ基板の上面に十分な洗浄力を付与できるような最適な厚みに調整することが可能である。
この構成によれば、第2の液柱部分の液面と下部開口との間の間隔を変更することにより、第2の液柱部分の上下方向の厚みを変更することが可能である。そのため、処理液の液柱の上下方向の厚みを、処理液の液柱を伝播する衝撃波が、基板の上面にダメージを与えず、かつ基板の上面に十分な洗浄力を付与できるような最適な厚みに調整することが可能である。
この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルは、前記内壁の下部分から横方向に張り出すフランジを含む。
この発明の一実施形態では、前記物理力付与ユニットが、前記第2の液柱部分の液面に向けて処理液の液滴を噴射する液滴噴射ユニットを含む。
この場合、液滴噴射ユニットからの処理液の液滴を、処理液の液柱を介して基板に付与するので、液滴噴射ユニットからの処理液の液滴を、基板に直接付与する場合と比較して、基板に与えられるダメージを低減させることができる。
この発明の一実施形態では、前記内壁には、前記筒状空間に存在している気体を前記筒状空間外に導出する導出口が形成されている。
前記処理液供給ユニットによって供給される処理液の種類が、前記液滴噴射ユニットから噴射される処理液の液滴の種類と同じであってもよい。また、前記処理液供給ユニットによって供給される処理液の種類が、前記液滴噴射ユニットから噴射される処理液の液滴の種類と異なっていてもよい。
この構成によれば、第2の液柱部分に超音波振動子から超音波振動が付与されることにより、処理液の液柱に衝撃波が発生し、この衝撃波が処理液の液柱を伝播して基板の上面に与えられる。これにより、基板の上面を良好に洗浄することができる。
これにより、基板へのダメージを抑制しながら、超音波振動が付与された処理液を用いた洗浄処理を基板に良好に施すことができる。
この発明の一実施形態は、下部開口、および上下方向の筒状空間であって下部開口から上方に連なる筒状空間を区画する内壁を有する処理液ノズルを、水平姿勢に保持されている基板の上面に前記下部開口が対向するように配置するノズル配置工程と、前記処理液ノズルに処理液を供給することにより、前記下部開口と前記基板の上面との間を処理液で液密に満たす第1の液柱部分と、前記第1の液柱部分から上方に連なり、前記筒状空間に溜められた処理液からなる第2の液柱部分とを含む処理液の液柱を、前記基板の上面に形成する液柱形成工程と、前記第2の液柱部分に物理力を付与する物理力付与工程とを含む、基板処理方法を提供する。
ゆえに、基板へのダメージを抑制しながら、物理力を用いて基板を良好に洗浄することができる。
この方法によれば、処理液供給ユニットからの処理液が筒状空間に供給される。そのため、筒状空間に処理液を良好に溜めることができる。これにより、基板の上面に液柱を良好に形成することができる。
この方法によれば、筒状空間に水平に導入された処理液は、下部開口から直ちに流出せずに筒状空間に一旦止まる。すなわち、筒状空間に処理液を良好に溜めることができる。
この方法によれば、下部開口と基板の上面との間の間隔を変更することにより、第1の液柱部分の上下方向の厚みを変更することができる。そのため、処理液の液柱の上下方向の厚みを、処理液の液柱を伝播する衝撃波が、基板の上面にダメージを与えず、かつ基板の上面に十分な洗浄力を付与できるような最適な厚みに調整することが可能である。
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この発明の一実施形態では、前記物理力付与工程が、前記第2の液柱部分の液面に向けて処理液の液滴を噴射する液滴噴射工程を含む。
この場合、液滴噴射ユニットからの処理液の液滴を、処理液の液柱を介して基板に付与するので、液滴噴射ユニットからの処理液の液滴を、基板に直接付与する場合と比較して、基板に与えられるダメージを低減させることができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法は、前記基板を、当該基板の中央部を通る鉛直軸線周りに回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程において、前記処理液の液柱が形成される液柱形成領域を、前記基板の上面の中央部と、前記基板の上面の周縁部との間で移動させる液柱形成領域移動工程とをさらに含む。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤC1が載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤC1と搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、箱形のチャンバ4と、チャンバ4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に処理液を吐出するための処理液ノズル6と、処理液ノズル6に処理液を供給する処理液供給ユニット7とを含む。
スピンベース15の上面には、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材16が配置されている。複数個の挟持部材16は、スピンベース15の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
処理液ノズル6は、基板Wの上面における処理液の供給位置を変更できるスキャンノズルとしての基本形態を有している。処理液ノズル6は、スピンチャック5の上方でほぼ水平に延びたノズルアーム17の先端部に取り付けられている。ノズルアーム17は、スピンチャック5の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸(図示しない)に支持されている。ノズルアーム17には、モータ等で構成されるアーム揺動ユニット(液柱形成領域移動ユニット)19が結合されている。アーム揺動ユニット19の駆動により、ノズルアーム17を、アーム支持軸を中心として水平面内で揺動させることができる。この揺動により、この揺動軸線まわりに、処理液ノズル6を回動させることができるようになっている。
以下の説明では、ボディ22(筒体24およびフランジ30を含む)の周方向を周方向Cとする。ボディ22の径方向を径方向Rとする。
筒体24の内周面は、所定の鉛直軸まわりに円筒状をなす筒状内壁(内壁)26によって構成されている。筒状内壁26および筒体24の上面24aおよび下面24bによって、上下方向に延びる円筒状の筒状空間21が区画されている。筒状空間21は、筒体24の下面24bに開口して円形の下部開口21bを形成し、筒体24の上面24aに開口して円形の上部開口21aを形成している。下部開口21bと上部開口21aとの径は互いに等しい。
筒体24の上部分には、筒状空間21に存在する気体を筒状空間21外に導出するための導出口27が開口している。導出口27は、筒状空間21に溜められている処理液の液面(第2の液柱部分42の液面43)よりも常に高くなるような位置に設けられている。この実施形態では、2つの導出口27が周方向Cに180°間隔を隔てて設けられており、周方向Cに関し処理液供給口25と揃っている。しかし、周方向Cに関して導出口27が処理液供給口25とずれていてもよい。導出口27には、排気配管39を介して排気装置40(図7参照)が接続されている。排気装置40は、たとえばエジェクタ等の吸引装置によって構成されており、導出口27の内部を排気して、筒状空間21に存在する気体を、導出口27を通して筒状空間21外に排出させる。
フランジ30の内部に第1の供給流路29が形成されているので、フランジ30の内部を有効活用できる。そのため、筒体24外に第1の供給流路を別途設ける必要がないから、部品点数の低減および/または処理液供給ユニット7の小型化を図ることができる。
処理ユニット2により基板Wに対して処理を行う際には、ノズルアーム17の揺動および昇降により、処理液ノズル6が、基板Wの上面に近接して対向する下位置(図3に示す位置)に配置される。この状態で、第1の処理液バルブ34が開かれることにより、処理液供給源からの処理液が、第1の処理液供給配管33を介して第1の供給流路29に供給される。第1の供給流路29に供給された処理液は、水平部29aの下流端に接続された各処理液供給口25から、筒状空間21に水平に導入される。筒状空間21に水平に導入された処理液は、下部開口21bから直ちに流出せずに筒状空間21に一旦止まる。これにより、筒状空間21に処理液を良好に溜めることができる。
処理液の液柱46の上下方向の厚みW3の調整は、次に述べる2つの手法で行うことができる。
次に、2つ目の手法は、第2の液柱部分42の液面43と下部開口21bとの間の間隔W2を変更して第2の液柱部分42の上下方向の厚みを調整し、これにより処理液の液柱46の上下方向の厚みを調整する手法である。これは、物理昇降ユニット38により第1の物理力付与ユニット23をボディ22に対して昇降させ、かつ、流量調整バルブ35の開度を調整して筒状空間21への処理液の供給流量を増減させることにより実現される。図5には、図3に示す状態から、第2の液柱部分42の液面43を上昇させた状態(すなわち、第2の液柱部分42の上下方向の厚みを拡大させた状態。それに合わせて、筒状空間21への処理液の供給流量も増大している)を示す。但し、第1の物理力付与ユニット23の下端と第2の液柱部分42の液面43との間の間隔W0は、第2の液柱部分42の液面43の高さ位置によらずに一定に保たれる。すなわち、第2の液柱部分42の液面43の高さ位置によらずに、第1の物理力付与ユニット23の下端と第2の液柱部分42の液面43との間に隙間が確保されている。
第1の物理力付与ユニット23は、処理液の微小の液滴を噴出するスプレーノズルの形態を有している。図3に示すように、第1の物理力付与ユニット23には、処理液供給源からの処理液を第1の物理力付与ユニット23に供給する第1の処理液配管51と、処理液供給源からの処理液を第1の物理力付与ユニット23に供給する第2の処理液配管52と、気体供給源からの気体の一例としての不活性ガス(窒素ガス、乾燥空気、清浄空気等)を第1の物理力付与ユニット23に供給する第1の気体配管53と、気体供給源からの気体の一例としての不活性ガス(たとえば窒素ガス)を第1の物理力付与ユニット23に供給する第2の気体配管54とが接続されている。
第1の物理力付与ユニット23は、ハウジング36を構成する略直方体状のカバー61と、カバー61の内部に収容された略横長板状の液滴生成ユニット62とを含む。液滴生成ユニット62の下端部(先尖部72)のみがカバー61の外部に露出しているが、液滴生成ユニット62のそれ以外の部分の周囲は、カバー61によって包囲されている。
本体部67は、本体部67の長手方向(図6の左右方向)の中心部に対して左右対称に設けられている。本体部67の内部は、処理液が流通する一対(図6の左右一対)の処理液室68と、気体が流通する一対(図6の左右一対)の気体室69とが区画されている。各処理液室68には、当該処理液室68に対する処理液の流入口である処理液流入口70が形成されている。各気体室69には、当該気体室69に対する気体の流入口である気体流入口71が形成されている。
たとえば、第1の物理力付与ユニット23から噴射される処理液の液滴が、混合薬液の液滴である場合には、それら混合前の個々の液を互いに異なる処理液吐出口74から吐出させることができる。処理液としてSC1を用いる場合には、アンモニア水と過酸化水素水とを互いに異なる処理液吐出口74から吐出させることができる。処理液としてSC2を用いる場合には、塩酸と過酸化水素水とを互いに異なる処理液吐出口74から吐出させることができる。処理液としてSPMを用いる場合には、硫酸と過酸化水素水とを互いに異なる処理液吐出口74から吐出させることができる。処理液としてバッファードフッ酸を用いる場合には、アンモニア水とフッ酸とを互いに異なる処理液吐出口74から吐出させることができる。処理液としてFPMを用いる場合には、フッ酸と過酸化水素水とを互いに異なる処理液吐出口74から吐出させることができる。
また、第1の物理力付与ユニット23から噴射される処理液の液滴の種類は、処理液供給ユニット7によって筒状空間21に供給される処理液と同じである。
図2に示すように、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット8と、スピンチャック5を取り囲む筒状の処理カップ9とを含む。
図2に示すように、処理カップ9は、スピンチャック5に保持されている基板Wよりも外方(回転軸線A1から離れる方向)に配置されている。処理カップ9は、スピンベース15を取り囲んでいる。スピンチャック5が基板Wを回転させている状態で、処理液が基板Wに供給されると、基板Wに供給された処理液が基板Wの周囲に振り切られる。処理液が基板Wに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ9の上端部9aは、スピンベース15よりも上方に配置される。したがって、基板Wの周囲に排出された薬液や水などの処理液は、処理カップ9によって受け止められる。そして、処理カップ9に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置3はCPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
処理ユニット2によって洗浄処理が実行されるときには、未洗浄の基板Wが、チャンバ4の内部に搬入される(図8のステップS1)。
スピンチャック5に基板Wが保持された後、制御装置3はスピンモータ13を制御して、基板Wを回転開始させる(図8のステップS2)。基板Wの回転速度は、液処理速度(約300rpm〜約1000rpmの所定の速度)まで上昇させられる(基板回転工程)。
具体的には、制御装置3は、アーム揺動ユニット19を制御して、処理液ノズル6を退避位置から基板Wの上方へと引き出す。次いで、制御装置3は、アーム昇降ユニット20を制御して、処理液ノズル6を下位置まで下降させる。これにより、処理液ノズル6を下位置に配置することができる(ノズル配置工程)。
第2の液柱部分42の液面43(処理液の液柱46の液面)への処理液の液滴の噴射により、第2の液柱部分42の液面43に振動(物理力)が付与され、これにより、処理液の液柱46に衝撃波が発生し、この衝撃波が処理液の液柱46を伝播して液柱形成領域45(基板Wの上面)に与えられる(物理力付与工程)。
第2の液柱部分42の液面43に対し処理液の液滴が高圧で噴射されるため、筒状空間21の内部圧力が高圧になるおそれがある。導出口27の内部を排気して、筒状空間21に存在する気体(とくに、第1の物理力付与ユニット23の下端と第2の液柱部分42の液面43との間の上下隙間に存在する気体や、筒状内壁26とハウジング36の間の環状の隙間に存在する気体)を、導出口27を通して筒状空間21外に排出させることにより、筒状空間21の内部圧力を低減させることができ、これにより、処理液の液柱46を良好に形成することができる。
次いで、基板Wを乾燥させるスピンドライ工程(図8のステップS5)が行われる。具体的には、制御装置3はスピンモータ13を制御することにより、リンス工程S4における回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、その乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液体が除去され、基板Wが乾燥する。
その後、チャンバ4内から基板Wが搬出される(図8のステップS7)。具体的には、制御装置3は、搬送ロボットCRのハンドをチャンバ4の内部に進入させる。そして、制御装置3は、搬送ロボットCRのハンドにスピンチャック5上の基板Wを保持させる。その後、制御装置3は、搬送ロボットCRのハンドをチャンバ4内から退避させる。これにより、洗浄処理後の基板Wがチャンバ4から搬出される。
これにより、基板Wへのダメージを抑制しながら、処理液の液滴による振動(物理力)を用いた洗浄処理を基板Wに良好に施すことができる。
第2の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には、図1〜図9の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。処理液ノズル201が、第1の実施形態に係る処理液ノズル6(図2参照)と相違する主たる点は、ボディ22に代えて、ボディ202を備えている点である。ボディ202は、ほぼ円柱状の外形を有している。図示しないが、ボディ202は、ノズルアーム17(図2参照)に同伴昇降可能に取り付けられている。
ボディ202は、上下方向に延びる内筒203と、内筒203の側方を取り囲む外筒204と、内筒203の下端部分の外周から、内筒203の径方向Rの外方に向けて突出する円盤状のフランジ205とを含む。内筒203の下端よりやや上寄りから径方向Rの外方に張り出す円環状の底板206によって、外筒204の下端部分が閉塞されている。
以上により、第2の実施形態によれば、第1の実施形態において説明した作用効果と同様の作用効果を奏する。
図11は、本発明の第3の実施形態に係る処理液ノズル301の構成例を説明するための模式的な縦断面図である。処理液ノズル301は、処理液ノズル6(図2参照)に代えて用いられる。
この場合、処理液の液柱46の高さを十分に確保することができるので、薄い液膜を介して超音波振動を基板Wに付与する場合と比較して、基板Wに与えられるダメージを低減させることができる。
また、振動体305の振動面307と基板Wの上面との間の間隔W5が、変更(調整)可能に設けられている。振動体305の振動面307と基板Wの上面との間の間隔W5が小さいと、後述する液柱形成領域45に与えられる衝撃力が大きくなり、基板Wの上面にダメージが与えられるおそれがある。その一方で、振動体305の振動面307と基板Wの上面との間の間隔(すなわち、「第2の液柱部分42の液面43と基板Wの上面との間の間隔」と同視)W5が大きいと、基板Wの上面に十分な衝撃力が与えられないという問題もある。振動体305の振動面307と基板Wの上面との間の間隔W5を最適な厚みに調整することにより、ダメージを抑制しながら基板Wの上面に十分な衝撃力を付与できる。
たとえば第1および第3の実施形態において、第1の供給流路29は水平に延びるものに限られず、水平面に対し傾斜するものであってもよい。この場合、第1の供給流路29は、処理液供給口25から処理液を、水平面に対し傾斜する方向に筒状空間21に導入する。
また、第1および第3の実施形態において、導出口27は、1つであってもよいし、3つ以上であってもよい。また、導出口27は穴ではなく、スリットを用いて形成されていてもよい。
また、第2の実施形態と、第3の実施形態とを組み合わせてもよい。すなわち、処理液ノズルにおいて、超音波付与ユニットからなる第2の物理力付与ユニット302(図11参照)を採用しながら、ボディとしてボディ202(図10参照)を採用してもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
3 :制御装置
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
6 :処理液ノズル
7 :処理液供給ユニット
13 :スピンモータ(基板回転ユニット)
19 :アーム揺動ユニット(液柱形成領域移動ユニット)
20 :アーム昇降ユニット(下間隔変更ユニット)
21 :筒状空間
21b :下部開口
23 :第1の物理力付与ユニット
25 :処理液供給口
26 :筒状内壁(内壁)
27 :導出口
29 :第1の供給流路
30 :フランジ
32 :処理液導入口
38 :物理昇降ユニット(上間隔変更ユニット)
41 :第1の液柱部分
42 :第2の液柱部分
43 :液面
45 :液柱形成領域
46 :処理液の液柱
201 :処理液ノズル
202 :ボディ
203 :内筒
205 :フランジ
207 :筒状内壁(内壁)
208 :第2の供給流路
209 :処理液供給口
210 :導出口
301 :処理液ノズル
302 :第2の物理力付与ユニット
304 :超音波振動子
308 :物理昇降ユニット(上間隔変更ユニット)
309 :ボディ
A1 :回転軸線(鉛直軸線)
W :基板
W1 :間隔
W4 :間隔
W5 :間隔
Claims (20)
- 基板を水平姿勢に保持するための基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に対向する下部開口、および上下方向の筒状空間であって前記下部開口から上方に連なる筒状空間を区画する内壁を有し、前記下部開口から処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記下部開口と前記基板の上面との間を処理液で液密に満たす第1の液柱部分と、前記第1の液柱部分から上方に連なり、前記筒状空間に溜められた処理液からなる第2の液柱部分とを含む処理液の液柱を、前記基板の上面に形成する液柱形成ユニットと、
前記第2の液柱部分に物理力を付与する物理力付与ユニットとを含み、
前記物理力付与ユニットが、前記第2の液柱部分の液面に向けて処理液の液滴を噴射する液滴噴射ユニットを含む、基板処理装置。 - 基板を水平姿勢に保持するための基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に対向する下部開口、および上下方向の筒状空間であって前記下部開口から上方に連なる筒状空間を区画する内壁を有し、前記下部開口から処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記下部開口と前記基板の上面との間を処理液で液密に満たす第1の液柱部分と、前記第1の液柱部分から上方に連なり、前記筒状空間に溜められた処理液からなる第2の液柱部分とを含む処理液の液柱を、前記基板の上面に形成する液柱形成ユニットと、
前記第2の液柱部分に物理力を付与する物理力付与ユニットとを含み、
前記液柱形成ユニットは、前記物理力付与ユニットとは別のユニットであって前記筒状空間に処理液を供給する処理液供給ユニットを含み、
前記処理液ノズルは、前記内壁から横方向に張り出すフランジを含み、
前記処理液供給ユニットは、前記筒状空間と前記フランジに形成された処理液導入口とを連通する第1の供給流路を含む、基板処理装置。 - 基板を水平姿勢に保持するための基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に対向する下部開口、および上下方向の筒状空間であって前記下部開口から上方に連なる筒状空間を区画する内壁を有し、前記下部開口から処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記下部開口と前記基板の上面との間を処理液で液密に満たす第1の液柱部分と、前記第1の液柱部分から上方に連なり、前記筒状空間に溜められた処理液からなる第2の液柱部分とを含む処理液の液柱を、前記基板の上面に形成する液柱形成ユニットと、
前記第2の液柱部分に物理力を付与する物理力付与ユニットとを含み、
前記液柱形成ユニットは、前記物理力付与ユニットとは別のユニットであって前記筒状空間に処理液を供給する処理液供給ユニットを含み、
前記処理液ノズルは、
前記内壁を有する内筒と、
前記内筒の側方を取り囲む外筒とを含み、
前記処理液供給ユニットは、前記内筒と前記外筒との間に区画された筒状の第2の供給流路を含む、基板処理装置。 - 基板を水平姿勢に保持するための基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面に対向する下部開口、および上下方向の筒状空間であって前記下部開口から上方に連なる筒状空間を区画する内壁を有し、前記下部開口から処理液を吐出する処理液ノズルと、
前記下部開口と前記基板の上面との間を処理液で液密に満たす第1の液柱部分と、前記第1の液柱部分から上方に連なり、前記筒状空間に溜められた処理液からなる第2の液柱部分とを含む処理液の液柱を、前記基板の上面に形成する液柱形成ユニットと、
前記第2の液柱部分に物理力を付与する物理力付与ユニットとを含み、
前記第2の液柱部分の液面と前記下部開口との間の間隔を変更する上間隔変更ユニットをさらに含む、基板処理装置。 - 前記液柱形成ユニットは、前記物理力付与ユニットとは別のユニットであって前記筒状空間に処理液を供給する処理液供給ユニットを含む、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記液柱形成ユニットは、前記物理力付与ユニットとは別のユニットであって前記筒状空間に処理液を供給する処理液供給ユニットを含む、請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記内壁には、前記筒状空間に処理液を供給する処理液供給口が形成されており、
前記処理液供給ユニットは、前記処理液供給口から処理液を水平に前記筒状空間に導入する、請求項5または6に記載の基板処理装置。 - 前記液柱形成ユニットは、
前記下部開口と前記基板保持ユニットに保持されている基板の上面との間の間隔を変更する下間隔変更ユニットを含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理液ノズルは、前記内壁の下部分から横方向に張り出すフランジを含む、請求項1および3〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記内壁には、前記筒状空間に存在している気体を前記筒状空間外に導出する導出口が形成されている、請求項1または5に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給ユニットによって供給される処理液の種類が、前記液滴噴射ユニットから噴射される処理液の液滴の種類と同じである、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給ユニットによって供給される処理液の種類が、前記液滴噴射ユニットから噴射される処理液の液滴の種類と異なる、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記物理力付与ユニットが、前記第2の液柱部分に接液して、前記第2の液柱部分に超音波振動を付与する超音波振動子を含む、請求項2〜4および6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持ユニットに保持されている基板を、当該基板の中央部を通る鉛直軸線周りに回転させる基板回転ユニットと、
前記基板回転ユニットにより回転されている基板の上面において、前記処理液の液柱が形成される液柱形成領域を、前記基板の上面の中央部と、前記基板の上面の周縁部との間で移動させる液柱形成領域移動ユニットとをさらに含む、請求項1〜13のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 下部開口、および上下方向の筒状空間であって前記下部開口から上方に連なる筒状空間を区画する内壁を有する処理液ノズルを、水平姿勢に保持されている基板の上面に前記下部開口が対向するように配置するノズル配置工程と、
前記処理液ノズルに処理液を供給することにより、前記下部開口と前記基板の上面との間を処理液で液密に満たす第1の液柱部分と、前記第1の液柱部分から上方に連なり、前記筒状空間に溜められた処理液からなる第2の液柱部分とを含む処理液の液柱を、前記基板の上面に形成する液柱形成工程と、
前記第2の液柱部分に物理力を付与する物理力付与工程とを含み、
前記物理力付与工程が、前記第2の液柱部分の液面に向けて処理液の液滴を噴射する液滴噴射工程を含む、基板処理方法。 - 下部開口、および上下方向の筒状空間であって前記下部開口から上方に連なる筒状空間を区画する内壁を有する処理液ノズルを、水平姿勢に保持されている基板の上面に前記下部開口が対向するように配置するノズル配置工程と、
前記処理液ノズルに処理液を供給することにより、前記下部開口と前記基板の上面との間を処理液で液密に満たす第1の液柱部分と、前記第1の液柱部分から上方に連なり、前記筒状空間に溜められた処理液からなる第2の液柱部分とを含む処理液の液柱を、前記基板の上面に形成する液柱形成工程と、
前記第2の液柱部分に物理力を付与する物理力付与工程と、
前記第2の液柱部分の液面と前記下部開口との間の間隔を変更する上間隔変更工程とを含む、基板処理方法。 - 前記液柱形成工程は、前記物理力付与工程とは別の工程であって前記筒状空間に処理液を供給する処理液供給工程を含む、請求項15または16に記載の基板処理方法。
- 前記内壁には、前記筒状空間に処理液を供給する処理液供給口が形成されており、
前記処理液供給工程は、前記処理液供給口から処理液を水平に前記筒状空間に導入する工程を含む、請求項17に記載の基板処理方法。 - 前記液柱形成工程は、
前記下部開口と前記基板の上面との間の間隔を変更する下間隔変更工程を含む、請求項15〜18のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記基板を、当該基板の中央部を通る鉛直軸線周りに回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程において、前記処理液の液柱が形成される液柱形成領域を、前記基板の上面の中央部と、前記基板の上面の周縁部との間で移動させる液柱形成領域移動工程とをさらに含む、請求項15〜19のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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