JP6320762B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、ポーラス構造を有する膜（ポーラス膜）が表層に形成されている基板を、処理する技術に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板、等が含まれる。

半導体装置や液晶表示装置等の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板等の基板から異物を除去する洗浄処理が行われる。洗浄処理に関して、例えば、特許文献１，２には、所謂、二流体ノズルを用いて、純水とガスとを混合して純水の液滴を生成し、この純水の液滴を基板に向けて噴射して、純水の液滴が基板に衝突する際の運動エネルギーによって、基板に付着している異物を物理的に除去する技術が開示されている。

ところで、近年、層間絶縁膜の低誘電率化の要求に応じるべく、デンス膜では達成することが難しい、比誘電率が２．５以下の膜（いわゆる、Ultra Low-k膜：ＵＬＫ膜）を、ポーラス構造（多孔構造）を有するポーラス膜（多孔膜）により達成する技術が実用化されている。

特許文献３に記載されているように、このようなポーラス膜は水を嫌う（水によって、誘電率に変化が生じる）とされ、ポーラス膜に対しては純水による洗浄は好ましくないとされていた。そこで、例えば特許文献３では、純水を用いずに、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いて、ポーラス膜を有する基板を洗浄することが提案されている。

特開２００９−２１６１７号公報 特開２０１１−７７１５３号公報 特開２００３−２７５６９６号公報

ところで、液滴の生成条件（処理液の流量およびガスの流量）を等しくして、処理液としてＩＰＡを用いてＩＰＡの液滴で基板を洗浄する場合と、処理液として純水を用いて純水の液滴で基板を洗浄する場合とを比べると、前者の方が後者よりも低い異物除去効果しか得られないことが判明している。したがって、純水を用いずに、ＩＰＡの液滴だけで、表層にポーラス膜が形成されている基板を洗浄する場合、基板のダメージは抑制されるものの、相当な時間ＩＰＡの液滴の噴出を続けなければ基板から異物を十分に除去できないという難点がある。この態様では、処理時間が長くなり、ＩＰＡの消費量の増大も避けられない。このため、表層にポーラス膜が形成されている基板を十分に洗浄できる別の手法が求められていた。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、表層にポーラス膜が形成されている基板を、ダメージを抑制しつつ、十分に洗浄できる技術を提供することを目的とする。

第１の態様は、ポーラス構造を有するポーラス膜が表層に形成されている基板を処理する基板処理方法であって、ａ）水を含有する第１処理液と気体とを混合して前記第１処理液の液滴を生成して、前記第１処理液の液滴を、前記ポーラス膜に向けて噴射する工程と、ｂ）前記ａ）工程の後に、前記第１処理液よりも揮発性の高い有機溶剤である第２処理液と気体とを混合して前記第２処理液の液滴を生成して、前記第２処理液の液滴を、前記ポーラス膜に向けて噴射する工程と、を備える。

第２の態様は、第１の態様に係る基板処理方法であって、前記第１処理液が、純水である。

第３の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理方法であって、前記第２処理液が、イソプロピルアルコールである。

第４の態様は、第１から第３のいずれかの態様に係る基板処理方法であって、前記ａ）工程において、前記第１処理液の液滴の着液位置を移動させつつ、前記第１処理液の液滴を前記ポーラス膜に向けて噴射する。

第５の態様は、第１から第４のいずれかの態様に係る基板処理方法であって、前記ｂ）工程において、前記第２処理液の液滴の着液位置を移動させつつ、前記第２処理液の液滴を前記ポーラス膜に向けて噴射する。

第６の態様は、ポーラス構造を有するポーラス膜が表層に形成されている基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持する保持部と、処理液と気体とを混合して前記処理液の液滴を生成して、前記液滴を噴射する二流体ノズルと、前記二流体ノズルに、水を含有する第１処理液の液滴を生成させて、前記第１処理液の液滴を、前記ポーラス膜に向けて噴射させ、その後に、前記第１処理液よりも揮発性の高い有機溶剤である第２処理液の液滴を生成させて、前記第２処理液の液滴を、前記ポーラス膜に向けて噴射させる、制御部と、を備える。

第１〜第６の態様によると、まず、水を含有する第１処理液の液滴によって、基板に付着している異物が有効に除去される。このときに、ポーラス膜のポーラス内に入り込んでしまった第１処理液は、次の工程で、第２処理液に置換されて、ポーラス内から除去される。したがって、水を含有する第１処理液がポーラス内に残留することに起因して基板にダメージが生じることがない。また、ポーラス内の第２処理液は、速やかに揮発するので、第２処理液が基板にダメージを与えることもない。このように、第１〜第６の態様によると、表層にポーラス膜が形成されている基板を、ダメージを抑制しつつ、十分に洗浄できる。

特に、第４の態様によると、第１処理液の液滴の着液位置が移動するので、基板の上面内の広い範囲に第１処理液の液滴を衝突させることができる。これによって、基板の上面内を特に十分に洗浄できる。

特に、第５の態様によると、第２処理液の液滴の着液位置が移動するので、基板の上面内の広い範囲に第２処理液の液滴を衝突させることができる。これによって、基板の上面内におけるダメージの発生を特に十分に抑制できる。

基板処理装置の模式的な側面図である。 二流体ノズルの模式的な側断面図である。 基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。 処理対象となる基板の表層付近の様子を模式的に示す断面図である。 基板処理装置によって行われる処理の一例を説明するための図である。 第１液滴処理を説明するための図である。 第２液滴処理を説明するための図である。 純水およびＩＰＡの各々について、窒素ガスの流量の増加に伴う異物除去率の変動態様を示す図である。 純水およびＩＰＡの各々について、窒素ガスの流量の増加に伴う比誘電率の変動態様を示す図である。

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。

＜１．基板処理装置１００の構成＞
基板処理装置１００は、例えば半導体ウエハ等の円板状の基板９を、１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置１００の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、基板処理装置１００の模式的な側面図である。

基板処理装置１００は、スピンチャック１と、飛散防止部２と、液滴供給部３と、制御部４と、を備える。

＜スピンチャック１＞
スピンチャック１は、基板９を、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板９を、その主面の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる。

スピンチャック１は、基板９より若干大きい円板状の部材であるスピンベース１１を備える。スピンベース１１の下面中央部には、回転軸部１２が連結されている。回転軸部１２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部１２には、これをその軸線まわりに回転駆動する回転駆動部（例えば、モータ）１３が接続される。回転軸部１２および回転駆動部１３は、筒状のケーシング１４内に収容されている。また、スピンベース１１の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個（例えば６個）の保持部材１５が設けられている。保持部材１５は、基板９の端面と当接して基板９の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース１１の上面より僅かに高い位置で（すなわち、スピンベース１１の上面から定められた間隔を隔てて）、基板９を略水平姿勢で保持する。

この構成において、保持部材１５がスピンベース１１の上方で基板９を保持した状態で、回転駆動部１３が回転軸部１２を回転すると、スピンベース１１が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース１１上に保持された基板９が、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで、回転される。

回転駆動部１３および保持部材１５は、制御部４と電気的に接続されており、制御部４の制御下で動作する（図３参照）。つまり、スピンベース１１上に基板９を保持するタイミング、保持された基板９を開放するタイミング、および、スピンベース１１の回転態様（具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数（すなわち、回転速度）、等）は、制御部４によって制御される。

＜飛散防止部２＞
飛散防止部２は、スピンベース１１に保持されて回転される基板９から飛散する処理液等を受け止める。

飛散防止部２は、カップ２１を備える。カップ２１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック１を取り囲むように設けられる。カップ２１は、例えば、内部材２１１、中部材２１２、および、外部材２１３を、備える。

内部材２１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部材２１１ａと、底部材２１１ａの内側縁部から上方に延びる円筒状の内壁部材２１１ｂと、底部材２１１ａの外側縁部から上方に延びる円筒状の外壁部材２１１ｃと、内壁部材２１１ｂと外壁部材２１１ｃとの間に立設された円筒状の案内壁２１１ｄと、を備える。案内壁２１１ｄは、底部材２１１ａから上方に延び、上端部付近が内側上方に向かって湾曲している。内壁部材２１１ｂの少なくとも先端付近は、スピンチャック１のケーシング１４に設けられた鍔状部材１４１の内側空間に収容される。

底部材２１１ａには、内壁部材２１１ｂと案内壁２１１ｄとの間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内壁部材２１１ｂと案内壁２１１ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内壁部材２１１ｂと案内壁２１１ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。

また、底部材２１１ａには、案内壁２１１ｄと外壁部材２１１ｃとの間の空間と連通する第１の回収溝（図示省略）が形成される。第１の回収溝は、第１の回収タンクと接続される。また、この第１の回収溝には、溝内を強制的に排気して、案内壁２１１ｄと外壁部材２１１ｃとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。案内壁２１１ｄと外壁部材２１１ｃとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第１の回収溝を介して、第１の回収タンクに回収される。

中部材２１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材２１１の案内壁２１１ｄの外側に設けられている。中部材２１２の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部は案内壁２１１ｄの上端縁部に沿って折曲されている。

中部材２１２の下部には、内周面に沿って下方に延びる内周壁部材２１２ａと、外周面に沿って下方に延びる外周壁部材２１２ｂとが形成される。内周壁部材２１２ａは、内部材２１１と中部材２１２とが近接する状態（図１に示される状態）において、内部材２１１の案内壁２１１ｄと外壁部材２１１ｃとの間に収容される。また、外周壁部材２１２ｂの下端は、円環状の底部材２１２ｃの内側縁部に着設される。底部材２１２ｃの外側縁部からは、上方に延びる円筒状の外壁部材２１２ｄが立設される。

底部材２１２ｃには、外周壁部材２１２ｂと外壁部材２１２ｄとの間の空間と連通する第２の回収溝（図示省略）が形成される。第２の回収溝は、第２の回収タンクと接続される。また、この第２の回収溝には、溝内を強制的に排気して、外周壁部材２１２ｂと外壁部材２１２ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。外周壁部材２１２ｂと外壁部材２１２ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第２の回収溝を介して、第２の回収タンクに回収される。

外部材２１３は、上端が開放された筒形状の部材であり、中部材２１２の外側に設けられている。外部材２１３の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部２０１は、中部材２１２の上端縁部および内部材２１１の上端縁部より僅かに内方で下方に折曲されている。内部材２１１、中部材２１２、および、外部材２１３が近接する状態（図１に示される状態）において、中部材２１２の上端縁部および内部材２１１の上端縁部が、外部材２１３の折曲された部分によって、覆われる。

外部材２１３の下部には、内周面に沿って下方に延びるように内周壁部材２１３ａが形成される。内周壁部材２１３ａは、中部材２１２と外部材２１３とが近接する状態（図１に示される状態）において、中部材２１２の外周壁部材２１２ｂと外壁部材２１２ｄとの間に収容される。

カップ２１には、これを昇降移動させるカップ駆動機構２２が配設されている。カップ駆動機構２２は、例えば、ステッピングモータにより構成される。カップ駆動機構２２は、カップ２１が備える３個の部材２１１，２１２，２１３を、独立して昇降させる。

内部材２１１、中部材２１２、および、外部材２１３の各々は、カップ駆動機構２２の駆動を受けて、上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材２１１，２１２，２１３の上方位置は、当該部材２１１，２１２，２１３の上端縁部が、スピンベース１１上に保持された基板９の側方に配置される位置である。一方、各部材２１１，２１２，２１３の下方位置は、当該部材２１１，２１２，２１３の上端縁部が、スピンベース１１の上面よりも下方に配置される位置である。ただし、カップ駆動機構２２は、制御部４と電気的に接続されており、制御部４の制御下で動作する（図３参照）。つまり、カップ２１の位置（具体的には、内部材２１１、中部材２１２、および、外部材２１３各々の位置）は、制御部４によって制御される。

外部材２１３が下方位置に配置されている状態（すなわち、内部材２１１、中部材２１２、および、外部材２１３の全てが、下方位置に配置されている状態）を指して、以下「カップ２１が待避位置にある」という。スピンベース１１に対する基板９の搬出入が行われる間は、カップ２１は、待避位置に配置される。

一方、外部材２１３が上方位置に配置されている状態を指して、以下「カップ２１が処理位置にある」という。ただし、「カップ２１が処理位置にある」状態には、以下の３つの状態が含まれる。第１の状態は、内部材２１１、中部材２１２、および、外部材２１３の全てが、上方位置に配置された状態である（図１に示される状態）。この状態では、スピンチャック１に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材２１１の内壁部材２１１ｂと案内壁２１１ｄとの間の空間に集められて、排液溝から排液される。第２の状態は、内部材２１１が下方位置に配置されるとともに、中部材２１２および外部材２１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック１に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材２１１の案内壁２１１ｄと外壁部材２１１ｃとの間の空間に集められて、第１の回収タンクに回収される。第３の状態は、内部材２１１および中部材２１２が下方位置に配置されるとともに、外部材２１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック１に保持されている基板９から飛散した処理液は、中部材２１２の外周壁部材２１２ｂと外壁部材２１２ｄとの間の空間に集められて、第２の回収タンクに回収される。

＜液滴供給部３＞
液滴供給部３は、スピンチャック１に保持されている基板９に向けて、処理液の液滴を供給する。液滴供給部３は、処理液にガスを衝突させて処理液の液滴を生成して、これを噴出する二流体ノズル３１を備える。

二流体ノズル３１の構成例について、図２を参照しながら具体的に説明する。図２は、二流体ノズル３１の構成を模式的に示す縦断面図である。

二流体ノズル３１は、そのケーシング外で、処理液にガスを衝突させて処理液の液滴を生成する、所謂、外部混合型の二流体ノズルであり、ケーシングを構成する外筒３０１と、外筒３０１に内嵌された内筒３０２と、を備える。

外筒３０１および内筒３０２は、いずれも、円筒状の外形を呈し、中心軸Ｌを共有する同軸状に配置されている。また、外筒３０１の下端面３０１ａは、中心軸Ｌと直交するリング状の面となっている。基板９の処理時には、二流体ノズル３１は、この中心軸Ｌが、基板９の上面に垂直になるような姿勢（すなわち、下端面３０１ａが基板９の上面と平行になるような姿勢）で、配置される。

内筒３０２には、中心軸Ｌに沿う直線状の内部空間３０３が形成されている。この内部空間３０３は、内筒３０２の下端で円形に開口する。内部空間３０３の上端には、処理液供給源３２１，３２２と接続された分岐配管３２３（後述する）が、接続されている。分岐配管３２３を介して処理液供給源３２１，３２２から供給された処理液は、内部空間３０３に流入し、その下端の開口３０４から吐出（中心軸Ｌに沿って下向きに吐出）される。つまり、内部空間３０３は、処理液の流路であり、開口３０４は、処理液の吐出口である。以下において、内部空間３０３を「処理液流路３０３」ともいう。また、内部空間３０３の下端の開口３０４を「処理液吐出口３０４」ともいう。

内筒３０２は、大径部分３０２ａと、その下方に連続して設けられ、大径部分３０２ａよりも外径が小さい小径部分３０２ｂと、を備える。内筒３０２の外側に嵌められる外筒３０１の内径は、大径部分３０２ａの外径と等しく、外筒３０１は、その下端部分を除いてほぼ一定の内径を有している。したがって、小径部分３０２ｂの外壁と外筒３０１の内壁との間には間隙３０５が形成される。この間隙３０５は、中心軸Ｌを中心とした断面リング状の空間であり、外筒３０１の下端でリング状（すなわち、処理液吐出口３０４を取り囲むリング状）に開口する。

間隙３０５の上端付近には、外筒３０１の内外面を貫通して設けられたＬ字型の導入管３０６の一端が、連通している。この導入管３０６の他端には、ガス供給源３３１と接続された配管３３２（後述する）が、接続されている。配管３３２および導入管３０６を介してガス供給源３３１から供給されたガスは、間隙３０５に流入し、その下端の開口３０７から吐出される。つまり、間隙３０５は、ガスの流路であり、開口３０７はガスの吐出口である。以下において、間隙３０５を「ガス流路３０５」ともいう。また、間隙３０５の下端の開口３０７を「ガス吐出口３０７」ともいう。

小径部分３０２ｂの下端付近には、その外周面から径方向外方に向けて張り出すフランジ３０８が形成される。フランジ３０８には、これを貫通する貫通孔３０９が形成されており、ガス流路３０５に流入したガスは、この貫通孔３０９を通過する際に流れる方向を変換されて、中心軸Ｌのまわりを旋回するように流れる旋回流とされる。

小径部分３０２ｂにおける、フランジ３０８が形成されている部分よりも下側の部分には、フランジ３０８の下側面から中心軸Ｌに沿って突出する円筒状の短筒部３１０が形成されている。短筒部３１０は、その中心軸が中心軸Ｌと一致するように配置されている。短筒部３１０の外径は、外筒３０１の下端面３０１ａの内縁径よりも小さく、短筒部３１０の下端面と外筒３０１の下端面３０１ａとの間には、中心軸Ｌを取り囲むリング状の開口３０７が形成される。この開口３０７が、間隙（すなわち、ガス流路）３０５を外部空間に連通させる開口（すなわち、ガス吐出口）３０７を形成する。

ガス流路３０５に流入したガスは、フランジ３０８に形成された貫通孔３０９を通過する際に旋回流とされて、短筒部３１０の周囲の空間３１１に流入する。ここで、外筒３０１の内壁面における、短筒部３１０の周りを取り囲む部分は、下方に向かうにしたがって内径が小さくなる縮径形状に形成されている。したがって、短筒部３１０の周囲の空間３１１に流入したガスの旋回流は、当該空間３１１内で、旋回するにつれ中心軸Ｌに近づく渦巻き状の気流となって、ガス吐出口３０７から吐出される。ガス吐出口３０７から吐出された渦巻き状の気流は、処理液吐出口３０４から中心軸Ｌに沿って吐出される処理液を取り囲むように流れて、中心軸Ｌ上のある点Ｆに収束するように進む。以下において、この点Ｆを「収束点Ｆ」ともいう。

処理液吐出口３０４から処理液が吐出されるとともに、ガス吐出口３０７からガスが吐出されると、二流体ノズル３１の外部空間（具体的には、収束点Ｆおよびその付近）において、処理液（すなわち、液相の処理液）とガスとが衝突して混合されて、処理液が微細な液滴となる。すなわち、処理液の液滴が生成される。生成された処理液の液滴は、ガスの気流によって加速されて噴流となる。すなわち、収束点Ｆの下方において、ガスは、旋回するにつれ中心軸Ｌから遠ざかりつつ下方に向かう渦巻き状の気流となっており、液滴は、この気流によって加速されることによって、基板９に向けて噴射される。

再び図１を参照する。二流体ノズル３１には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部３２が接続されている。処理液供給部３２は、具体的には、例えば、第１処理液供給源３２１、第２処理液供給源３２２、分岐配管３２３、および、複数のバルブ３２４，３２５を、組み合わせて構成されている。

第１処理液供給源３２１は、第１処理液の供給源である。第１処理液は、水を含有する処理液である。一方、第２処理液供給源３２２は、第２処理液の供給源である。第２処理液は、第１処理液よりも揮発性の高い有機溶剤である。ここでは、例えば、第１処理液は、純水（Deionized water：ＤＩＷ）であり、第２処理液は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）であるとする。

第１処理液供給源３２１は、分岐配管３２３の分岐側の一端に接続されており、第２処理液供給源３２２は、分岐配管３２３の分岐側の他端に接続されている。また、分岐配管３２３の合流側の端部は、二流体ノズル３１（具体的には、二流体ノズル３１の内筒３０２）に接続されている。分岐配管３２３の分岐位置と第１処理液供給源３２１との間には、第１バルブ３２４が介挿されており、分岐配管３２３の分岐位置と第２処理液供給源３２２との間には、第２バルブ３２５が介挿されている。

また、二流体ノズル３１には、これにガスを供給する配管系であるガス供給部３３が接続されている。ガス供給部３３は、具体的には、例えば、ガス供給源３３１、配管３３２、および、ガスバルブ３３３を、組み合わせて構成されている。この構成において、ガス供給源３３１は、ガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）を供給する供給源であり、このガス供給源３３１が、ガスバルブ３３３が介挿された配管３３２を介して、二流体ノズル３１（具体的には、二流体ノズル３１の導入管３０６）に接続されている。もっとも、ガス供給源３３１は、窒素ガス以外のガス（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）を供給するものであってもよい。

上記の構成において、第１バルブ３２４とガスバルブ３３３とが開放されると、第１処理液供給源３２１から供給される純水（液相の純水）と、ガス供給源３３１から供給される窒素ガスとが、二流体ノズル３１に供給される。そして、二流体ノズル３１で、純水と窒素ガスとが混合されて、純水が微細な液滴となり、この液滴が噴流となって、二流体ノズル３１から吐出される。

また、第２バルブ３２５とガスバルブ３３３とが開放されると、第２処理液供給源３２２から供給されるＩＰＡ（液相のＩＰＡ）と、ガス供給源３３１から供給される窒素ガスとが、二流体ノズル３１に供給される。そして、二流体ノズル３１で、ＩＰＡと窒素ガスとが混合されて、ＩＰＡが微細な液滴となり、この液滴が噴流となって、二流体ノズル３１から吐出される。

ただし、第１バルブ３２４、第２バルブ３２５、および、ガスバルブ３３３の各々は、制御部４と電気的に接続されており、制御部４の制御下で開閉される（図３参照）。つまり、二流体ノズル３１からの処理液の吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出される液滴の種類、吐出流量、吐出される液滴の勢い、等）は、制御部４によって制御される。

二流体ノズル３１は、水平に延在するアーム３４の先端部に取り付けられている。アーム３４の基端部は、軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置された昇降軸３５の上端に連結されている。昇降軸３５は、ノズル基台３６に配設されている。

ノズル基台３６には、二流体ノズル３１を駆動するノズル駆動部３７が配設されている。ノズル駆動部３７は、例えば、昇降軸３５をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、昇降軸３５をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。ノズル駆動部３７が昇降軸３５を回動させると、二流体ノズル３１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、ノズル駆動部３７が昇降軸３５を伸縮させると、二流体ノズル３１が、基板９の上面と近接離間する方向に移動する。

ただし、ノズル駆動部３７は、制御部４と電気的に接続されており、制御部４の制御下で動作する（図３参照）。つまり、二流体ノズル３１の位置は、制御部４によって制御される。なお、制御部４は、二流体ノズル３１からの液滴の噴出が行われない間は、二流体ノズル３１を、基板９の搬送経路と干渉しない位置（待避位置）に配置する。

＜制御部４＞
制御部４は、基板処理装置１００内の各部を動作制御する装置である。制御部４のハードウエアとしての構成は、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部４は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用ソフトウェアやデータ等を記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部４において、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理装置１００の各部を制御する各種の機能部が実現される。もっとも、制御部４において実現される一部あるいは全部の機能部は、専用の論理回路等でハードウエア的に実現されてもよい。また、制御部４のメモリあるいはハードディスクには、基板処理装置１００の処理内容を定めた処理レシピが記憶されている。

制御部４は、図３に示されるように、回転駆動部１３、保持部材１５、カップ駆動機構２２、第１バルブ３２４、第２バルブ３２５、ガスバルブ３３３、ノズル駆動部３７、等と電気的に接続されている。制御部４が、処理レシピに従って、これらの各部を動作させることにより、基板９に対する一連の処理が進行する。

＜２．基板９＞
次に、基板処理装置１００で処理対象とされる基板９の表層付近の様子について、図４を参照しながら説明する。図４は、当該基板９の表層付近の様子を模式的に示す断面図である。

基板処理装置１００で処理対象とされる基板９の表層には、比誘電率（ｋ値）が低い膜（具体的には、比誘電率が例えば２．５以下の膜であり、所謂、Ultra Low-k膜：ＵＬＫ膜）が形成される。比誘電率が２．５以下の膜は、デンス膜では達成することが難しく、このような膜は、ポーラス膜（多孔膜）により達成される。つまり、基板９の表層には、ポーラス構造（多孔構造）を有するＵＬＫ膜（以下、単に、「ポーラス膜９０」ともいう）が形成される。ポーラス膜９０における、ポーラス（空孔）の平均直径は、例えば、約０．９ｎｍ（ナノメートル）程度である。

＜３．処理の流れ＞
基板処理装置１００にて行われる処理の流れについて、図１および図５を参照しながら説明する。図５は、基板処理装置１００において行われる処理の流れの一例を示す図である。基板処理装置１００においては、制御部４の制御下で、以下に説明する一連の処理が実行される。

まず、カップ２１および二流体ノズル３１が、各々の待避位置に配置されている状態において、搬送ロボット（図示省略）が、基板９を基板処理装置１００に搬入し、基板９を、その表面（ポーラス膜９０が形成されている側の面）が上を向く姿勢で、スピンベース１１上に配置する（ステップＳ１）。スピンベース１１上に配置された基板９は、一群の保持部材１５によって保持される。これによって、スピンベース１１上に、基板９が、略水平姿勢で保持された状態となる。

スピンベース１１上に基板９が保持されると、スピンベース１１の回転が開始され、これによって、スピンベース１１上に保持される基板９が、水平姿勢で回転開始される（ステップＳ２）。

続いて、第１液滴処理が行われる（ステップＳ３）。第１液滴処理について、図６を参照しながら説明する。図６は、第１液滴処理を説明するための図であり、その一部分には、第１液滴処理における基板９の表面付近の様子が模式的に拡大表示されている。

第１液滴処理においては、第１バルブ３２４およびガスバルブ３３３が開放される。すると、二流体ノズル３１において、純水と窒素ガスとが混合されて純水の液滴Ｄ１が生成され、二流体ノズル３１から、回転される基板９のポーラス膜９０に向けて、当該純水の液滴Ｄ１の噴流が吐出される。ただし、この吐出と並行して、ノズル駆動部３７が、二流体ノズル３１を、スピンベース１１上の基板９の上面と非接触状態で近接する水平面内において、基板９の回転方向と交差する方向に沿って移動させる。具体的には、ノズル駆動部３７は、二流体ノズル３１を、基板９の中央部と対向する第１位置（すなわち、二流体ノズル３１から吐出された液滴の噴流が、基板９の上面中央部に衝突する位置）Ｐ１と、基板９の周縁部と対向する第２位置（すなわち、二流体ノズル３１から吐出された液滴の噴流が、基板９の上面周縁部に衝突する位置）Ｐ２とを結ぶ円弧軌道に沿って、往復移動させる。基板９が回転している状態で、二流体ノズル３１が第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間を往復移動すると、二流体ノズル３１から吐出される純水の液滴Ｄ１の着液位置が、基板９の上面の全域を移動（走査（スキャン））し、基板９の上面内の全ての位置に、純水の液滴Ｄ１が衝突する。すなわち、基板９の上面の全域に、純水の液滴Ｄ１が供給される。

純水の液滴Ｄ１が、基板９の上面内の各位置に衝突することによって、当該位置に付着している異物（パーティクル）が物理的に除去される。ここでは、主として、ポーラス膜９０のポーラスのサイズよりも十分に大きい異物が、除去対象とされる。ただし、二流体ノズル３１に供給される純水の流量が同じであれば、二流体ノズル３１に供給される窒素ガスの流量が大きいほど、二流体ノズル３１から噴出される液滴の運動エネルギーが大きくなり、基板９の異物除去率（Particle Removal Efficiency：ＰＲＥ）が高まる（後に説明する図８のグラフＡ１（ＤＩＷ）を参照）。第１液滴処理においては、二流体ノズル３１から噴出される純水の液滴Ｄ１の運動エネルギーが、十分に大きなものとなるように（具体的には、純水の液滴Ｄ１が基板９の上面の異物を十分に除去できるような運動エネルギーを有するものとなるように）、十分な流量の窒素ガスを流しながら、純水の液滴Ｄ１が生成される。一例として、純水の流量は０．１（l/min）であり、窒素ガスの流量は３０（l/min）である。十分に大きな運動エネルギーを有する純水の液滴Ｄ１が、基板９の上面内の各位置に勢いよく衝突することによって、当該位置に付着している異物が十分に除去される。一方で、このような大きな運動エネルギーを有する純水の液滴Ｄ１が勢いよく基板９に衝突すると、衝突した純水の液滴Ｄ１の一部が、ポーラス膜９０の表面に露出しているポーラスに入り込む。

第１バルブ３２４およびガスバルブ３３３が開放されてから定められた時間が経過すると、第１バルブ３２４およびガスバルブ３３３が閉鎖されて、二流体ノズル３１からの純水の液滴Ｄ１の噴流の吐出が停止される。これによって、第１液滴処理が終了する。上述したとおり、第１液滴処理が終了した後の基板９の上面においては、純水の液滴Ｄ１の一部が、ポーラス膜９０の表面に露出しているポーラスに入り込んだ状態となっている。

続いて、第２液滴処理が行われる（ステップＳ４）。第２液滴処理について、図７を参照しながら説明する。図７は、第２液滴処理を説明するための図であり、その一部分には、第２液滴処理における基板９の表面付近の様子が模式的に拡大表示されている。

第２液滴処理においては、第２バルブ３２５およびガスバルブ３３３が開放される。すると、二流体ノズル３１において、ＩＰＡと窒素ガスとが混合されてＩＰＡの液滴Ｄ２が生成され、二流体ノズル３１から、回転される基板９のポーラス膜９０に向けて、当該ＩＰＡの液滴Ｄ２の噴流が吐出される。ただし、この吐出と並行して、ノズル駆動部３７が、二流体ノズル３１を、スピンベース１１上の基板９の上面と非接触状態で近接する水平面内において、基板９の回転方向と交差する方向に沿って移動させる。具体的には、ノズル駆動部３７は、二流体ノズル３１を、基板９の中央部と対向する第１位置Ｐ１と、基板９の周縁部と対向する第２位置Ｐ２とを結ぶ円弧軌道に沿って、往復移動させる。このように、第２液滴処理においても、第１液滴処理と同様、基板９が回転している状態で、二流体ノズル３１が第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間を往復移動するので、二流体ノズル３１から吐出されるＩＰＡの液滴Ｄ２の着液位置が、基板９の上面の全域を移動（走査）し、基板９の上面内の全ての位置に、ＩＰＡの液滴Ｄ２が衝突する。すなわち、基板９の上面の全域に、ＩＰＡの液滴Ｄ２が供給される。

ＩＰＡの液滴Ｄ２が、基板９の上面内の各位置に衝突することによって、当該位置に付着している異物が物理的に除去される。また、ＩＰＡの液滴Ｄ２によって、基板９に付着している有機物などの残渣が溶解されて除去される。さらに、ＩＰＡの液滴Ｄ２が、基板９の上面内の各位置に供給されることによって、当該位置に残存している純水が、ＩＰＡに置換される。ただし、第２液滴処理においても、二流体ノズル３１から噴出されるＩＰＡの液滴Ｄ２の運動エネルギーが十分に大きなものとなるように（具体的には、基板９に衝突したＩＰＡの液滴Ｄ２の一部が、ポーラス膜９０の表面に露出しているポーラスに入り込むことができるような運動エネルギーを有するものとなるように）、十分な流量の窒素ガスを流しながらＩＰＡの液滴Ｄ２が生成される。一例として、ＩＰＡの流量は０．１（l/min）であり、窒素ガスの流量は３０（l/min）である。十分に大きな運動エネルギーを有するＩＰＡの液滴Ｄ２が勢いよく基板９に衝突することによって、衝突したＩＰＡの液滴Ｄ２の一部が、ポーラス膜９０の表面に露出しているポーラスに入り込み、当該ポーラス内に残存していた純水が、ＩＰＡに置換される。つまり、第２液滴処理では、基板９の表面上に残存している純水だけでなく、基板９の表面に露出しているポーラス内に入り込んでいる純水までもが、ＩＰＡに置換される。

第２バルブ３２５およびガスバルブ３３３が開放されてから定められた時間が経過すると、第２バルブ３２５およびガスバルブ３３３が閉鎖されて、二流体ノズル３１からのＩＰＡの液滴Ｄ２の噴流の吐出が停止される。これによって、第２液滴処理が終了する。

続いて、乾燥処理が行われる（ステップＳ５）。具体的には、基板９に向けての処理液の吐出が停止された状態で、スピンベース１１の回転速度が、高速の回転速度（例えば、液滴処理時の回転速度よりも高速の回転速度）に上昇される。これによって、スピンベース１１上の基板９に残存しているＩＰＡが振り切られて基板９から除去され、基板９が乾燥される（所謂、スピンドライ）。また、ＩＰＡは、純水に比べて揮発しやすい。したがって、ポーラス内の純水と置換されたＩＰＡも、速やかに揮発する。

スピンベース１１が高速の回転速度で回転され始めてから定められた時間が経過すると、スピンベース１１の回転が停止される。

続いて、カップ２１および二流体ノズル３１が、各々の待避位置に移動されるとともに、保持部材１５が基板９を開放し、搬送ロボット（図示省略）が、当該基板９を基板処理装置１００から搬出する（ステップＳ６）。以上で、当該基板９に対する一連の処理が終了する。

＜４．洗浄態様とダメージとの関係＞
ここで、表層にポーラス膜９０が形成されている基板９の洗浄態様と、当該基板９が受けるダメージとの関係性について、図８、図９を参照しながら説明する。

発明者は、純水と窒素ガスとを混合して生成される純水の液滴を、表層にポーラス膜９０が形成されている基板９に向けて噴射した場合、純水の流量が同じであれば、窒素ガスの流量が大きいほど、異物除去率（Particle Removal Efficiency：ＰＲＥ）が高まることを、見いだした（図８のグラフＡ１（ＤＩＷ）を参照。ただし、図８の各グラフにおいて、縦軸は異物除去率を、横軸は窒素ガスの流量を、それぞれ表している。また、各サンプルにおける純水の流量は全て等しい。）。これは、窒素ガスの流量が大きくなるほど、生成される純水の液滴の運動エネルギーが大きくなり、異物を除去する物理力が大きくなるためと考えられる。

また、発明者は、表層にポーラス膜９０が形成されている基板９に向けて、処理液と窒素ガスとを混合して生成される処理液の液滴を噴射する場合、液滴の生成条件（処理液の流量および窒素ガスの流量）が等しければ、処理液としてＩＰＡを用いるよりも、処理液として純水を用いる方が、高い異物除去効果を得られることを見いだした（図８のグラフＡ２（ＩＰＡ）を参照。ただし、グラフＡ１（ＤＩＷ）の全サンプルにおける純水の流量とグラフＡ２（ＩＰＡ）の全サンプルにおけるＩＰＡの流量とは等しい。）。これは、純水の表面張力がＩＰＡの表面張力よりも大きく、また、純水の方が比重も大きいため、同じ量の窒素ガスを用いて液滴化された純水とＩＰＡとを比べると、前者の液滴の方が異物を除去する物理力が高いためと考えられる。

ここまでの実験および考察に基づけば、表層にポーラス膜９０が形成されている基板９の異物除去率を高めるためには、純水と十分な流量の窒素ガスとを混合して純水の液滴を生成して、当該純水の液滴を基板９に向けて噴射することが有効であると考えられる。

ところが、その一方で、発明者は、純水と混合される窒素ガスの量が増加すると、生成された純水の液滴の噴射を受けたポーラス膜９０の比誘電率が上昇することを、見いだした（図９のグラフＢ１（ＤＩＷ）を参照。ただし、図９の各グラフにおいて、縦軸は比誘電率の変動率を、横軸は窒素ガスの流量を、それぞれ表している）。純水と比較的多量の窒素ガスとを混合して純水の液滴を生成してこれを基板９に噴射した場合に、ポーラス膜９０の比誘電率が上昇してしまう原因は、次のように考えられる。すなわち、一般的なポーラス膜９０のポーラスの平均直径は約０．９ｎｍとごく微小であり、純水の液滴のサイズは、ポーラスのサイズよりも大きい。このため、液滴の運動エネルギーが比較的小さければ、当該液滴がポーラス内に入り込むことはない。ところが、上述したとおり、窒素ガスの流量が大きくなるにつれて生成される純水の液滴の運動エネルギーが大きくなるため、ある境界値を超える流量の窒素ガスを流しながら生成された液滴が基板９に噴射されると、純水の液滴の運動エネルギーが大きすぎるために、当該液滴の一部が、ポーラスの中に押し込まれてしまう現象が生じる。ポーラス内に入り込んでしまった純水は、スピンドライ等では除去されづらいため、ポーラス内に残留し、これが、ポーラス膜９０の比誘電率の上昇を引き起こす原因となる。ポーラス内に入り込んだ純水は、比誘電率の上昇だけでなく、基板９のメタル成分の腐食等も引き起こす虞がある。つまり、ポーラス内に入り込んだ純水は、基板９に各種のダメージを与える原因となり得る。

このように、表層にポーラス膜９０が形成されている基板９の異物除去率を高めるためには、純水と十分な流量の窒素ガスとを混合して純水の液滴を生成して、当該純水の液滴を基板９に向けて噴射することが有効であるものの、そのような洗浄態様では、基板９に各種のダメージ（比誘電率の上昇、メタル成分の腐食等）が生じてしまう虞があることが、発明者の上記の実験および考察によって判明した。

なお、発明者は、ＩＰＡの場合は、これと混合される窒素ガスの量が増加しても、生成されたＩＰＡの液滴の噴射を受けたポーラス膜９０の比誘電率の上昇は生じにくいことを、確認している（図９のグラフＢ２（ＩＰＡ））。これは、純水よりも揮発性が高いＩＰＡは、その液滴がポーラス内に入り込んだとしても、ポーラス内に残留せずに、速やかに揮発するためと考えられる。つまり、ポーラス内に入り込んだＩＰＡは、基板９にダメージを与える原因となりにくい。

上述したとおり、基板処理装置１００においては、はじめに、純水と窒素ガスとを混合して純水の液滴を生成して、当該純水の液滴を基板９に向けて噴射し（ステップＳ３：第１液滴処理）、その後、ＩＰＡと窒素ガスとを混合してＩＰＡの液滴を生成して、当該ＩＰＡの液滴を基板９に向けて噴射する（ステップＳ４：第２液滴処理）。

この構成によると、第１液滴処理において、ＩＰＡよりも異物除去能力が高い純水の液滴によって、表層にポーラス膜９０が形成されている基板９に付着している異物が有効に除去される。一方で、第１液滴処理においてポーラス内に純水が入り込んでしまったとしても、この純水は、続く第２液滴処理において、ＩＰＡに置換されて、ポーラス内から除去される。したがって、ポーラス内に純水が残留することに起因して基板９にダメージが生じることがない。つまり、基板９のダメージを心配せずに、純水の液滴を生成する際の窒素ガスの流量を大きくすることができる。また、ポーラス内のＩＰＡは、速やかに揮発するので、ＩＰＡが基板９にダメージを与えることもない。このように、上記の態様によると、表層にポーラス膜９０が形成されている基板９を、ダメージを抑制しつつ、十分に洗浄できる。

なお、上記の説明においては、第１処理液として純水が、第２処理液としてＩＰＡが、それぞれ用いられていたが、第１処理液として、水を含有する処理液を用い、第２処理液として、第１処理液よりも揮発性の高い有機溶剤を用いれば、純水とＩＰＡの組み合わせ以外の処理液の組み合わせでも、上記に説明したものと同様の効果が得られる。すなわち、第１処理液として、水を含有する処理液（例えば、炭酸水）を用いれば、第１処理液として純水を用いた場合と同程度以上の異物除去効果を得られる。また、第１液滴処理において第１処理液がポーラス内に入り込んでしまっても、当該第１処理液は、続く第２液滴処理において、第２処理液に置換されて、ポーラス内から除去されるので、ポーラス内に水が残留することに起因して基板９にダメージが生じることがない。一方で、第２処理液として、第１処理液よりも揮発性の高い有機溶剤（例えば、メタノール、エタノール、アセトン、および、ＩＰＡのうちの少なくとも１種を含む有機溶剤）を用いれば、ポーラス内の第１処理液が容易に第２処理液に置換されるので、ポーラス内に第１処理液が残存することを、十分に回避できる。また、第１処理液と置き換わってポーラス内に入り込んだ第２処理液は、速やかに揮発するので、当該第２処理液が基板９にダメージを与えることもない。

＜５．効果＞
上記の実施の形態においては、まず、水を含有する第１処理液の液滴によって、基板９に付着している異物が有効に除去される。このときに、ポーラス膜９０のポーラス内に入り込んでしまった第１処理液は、次の工程で、第２処理液に置換されて、ポーラス内から除去される。したがって、水を含有する第１処理液がポーラス内に残留することに起因して基板９にダメージが生じることがない。また、ポーラス内の第２処理液は、速やかに揮発するので、第２処理液が基板９にダメージを与えることもない。このように、上記の実施の形態によると、表層にポーラス膜９０が形成されている基板を、ダメージを抑制しつつ、十分に洗浄できる。

また、上記の実施の形態によると、第１処理液の液滴の着液位置が移動するので、基板９の上面内の広い範囲（上記の実施の形態においては、基板９の上面の全域）に第１処理液の液滴を衝突させることができる。これによって、基板９の上面内を特に十分に洗浄できる。

また、上記の実施の形態によると、第２処理液の液滴の着液位置が移動するので、基板の上面内の広い範囲（上記の実施の形態においては、基板９の上面の全域）に第２処理液の液滴を衝突させることができる。これによって、基板９の上面内におけるダメージの発生を特に十分に抑制できる。

＜６．変形例＞
上記の実施の形態では、二流体ノズル３１は、ケーシング外で処理液に窒素ガスを衝突させて処理液の液滴を生成する、所謂、外部混合型の二流体ノズルであるとしたが、ケーシング内で処理液に窒素ガスを衝突させて処理液の液滴を生成する、所謂、内部混合型の二流体ノズルであってもよい。

また、上記の実施の形態においては、二流体ノズル３１が移動しながら基板９に向けて液滴を噴出する構成としたが、二流体ノズル３１が移動せずに、基板９の上面内における定められた位置に向けて、液滴を噴出する構成としてもよい。例えば、純水の液滴、および、ＩＰＡの液滴の少なくとも一方は、静止した二流体ノズル３１から、基板９の例えば中心に向けて噴出される構成としてもよい。

また、上記の実施の形態において、二流体ノズル３１が基板９に向けて純水の液滴を噴出するのと並行して、ストレートノズル等から、基板９の例えば中心に向けて、液相の純水が吐出供給される構成としてもよい。

また、上記の実施の形態において、二流体ノズル３１が基板９に向けてＩＰＡの液滴を噴出するのと並行して、ストレートノズル等から、基板９の例えば中心に向けて、液相のＩＰＡが吐出供給される構成としてもよい。

また、上記の実施の形態において、第１液滴処理および第２液滴処理のうちの少なくとも一方が行われる間、スピンベース１１上の基板９の上面に向けてガス（例えば、窒素ガス）を供給し続けてもよい（所謂、カバーガス）。

また、上記の実施の形態においては、スピンチャック１は、基板９を水平方向に挟む挟持式のチャックであるとしたが、スピンチャックは、基板９の下面を吸着するバキューム式のチャックであってもよい。

また、上記の実施の形態において、基板９は、半導体ウエハであるとしたが、基板９は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等であってもよい。

以上のとおり、本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ スピンチャック
１１ スピンベース
２ 飛散防止部
２１ カップ
３ 液滴供給部
３１ 二流体ノズル
３２ 処理液供給部
３２１ 第１処理液供給源
３２２ 第２処理液供給源
３２４ 第１バルブ
３２５ 第２バルブ
３３ ガス供給部
３３１ ガス供給源
３３３ ガスバルブ
３７ ノズル駆動部
４ 制御部
９ 基板
９０ ポーラス膜
１００ 基板処理装置

Claims (6)

1. ポーラス構造を有するポーラス膜が表層に形成されている基板を処理する基板処理方法であって、
   ａ）水を含有する第１処理液と気体とを混合して前記第１処理液の液滴を生成して、前記第１処理液の液滴を、前記ポーラス膜に向けて噴射する工程と、
   ｂ）前記ａ）工程の後に、前記第１処理液よりも揮発性の高い有機溶剤である第２処理液と気体とを混合して前記第２処理液の液滴を生成して、前記第２処理液の液滴を、前記ポーラス膜に向けて噴射する工程と、
   を備える、基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法であって、
   前記第１処理液が、純水である、
   基板処理方法。
3. 請求項１または２に記載の基板処理方法であって、
   前記第２処理液が、イソプロピルアルコールである、
   基板処理方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法であって、
   前記ａ）工程において、
   前記第１処理液の液滴の着液位置を移動させつつ、前記第１処理液の液滴を前記ポーラス膜に向けて噴射する、
   基板処理方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法であって、
   前記ｂ）工程において、
   前記第２処理液の液滴の着液位置を移動させつつ、前記第２処理液の液滴を前記ポーラス膜に向けて噴射する、
   基板処理方法。
6. ポーラス構造を有するポーラス膜が表層に形成されている基板を処理する基板処理装置であって、
   基板を保持する保持部と、
   処理液と気体とを混合して前記処理液の液滴を生成して、前記液滴を噴射する二流体ノズルと、
   前記二流体ノズルに、水を含有する第１処理液の液滴を生成させて、前記第１処理液の液滴を、前記ポーラス膜に向けて噴射させ、その後に、前記第１処理液よりも揮発性の高い有機溶剤である第２処理液の液滴を生成させて、前記第２処理液の液滴を、前記ポーラス膜に向けて噴射させる、制御部と、
   を備える、基板処理装置。

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