CN105702606B - 一种气液喷雾刻蚀设备及方法 - Google Patents

一种气液喷雾刻蚀设备及方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种气液喷雾刻蚀设备及方法。所述设备包括刻蚀腔室、气体提供装置、刻蚀液提供装置、气液混合装置、气液喷射装置；气液混合装置用于将刻蚀液提供装置提供的刻蚀液和气体提供装置提供的载气混合，形成气液混合物，其中，刻蚀液用于刻蚀刻目标物；气液喷射装置用于利用所述气液混合物形成喷雾并按照设定压强将所述喷雾喷射至目标物上的目标位置。所述方法，采用本发明任意一项实施例所提供的气液喷雾刻蚀设备对目标物进行刻蚀，包括：将用于刻蚀目标物的刻蚀液与刻蚀液的载气进行混合，形成气液混合物；将所述气液混合物按照设定速率喷射到待刻蚀的目标物上的目标位置。本发明所提供的设备及方法，能够改善湿法刻蚀效果。

Description

一种气液喷雾刻蚀设备及方法
技术领域
本发明涉及生产制造技术领域，尤其涉及一种气液喷雾刻蚀设备及方法。
背景技术
湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。简单来说，就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。目前TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板制造的刻蚀方法采用湿法刻蚀，具体采用喷淋或浸泡的方法。这两种方法都存在CD BIAS(CriticalDimension Bias，线宽偏差)大、侧蚀比大等问题，尤其在高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)的TFT刻蚀时问题更明显。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种气液喷雾刻蚀设备及方法，能够改善湿法刻蚀效果。
基于上述目的本发明提供的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，包括刻蚀腔室、气体提供装置、刻蚀液提供装置、气液混合装置、气液喷射装置；其中：
气液混合装置，与所述气体提供装置、刻蚀液提供装置分别连接，用于将刻蚀液提供装置提供的刻蚀液和气体提供装置提供的载气混合，形成气液混合物，其中，所述刻蚀液用于刻蚀刻蚀腔室中的目标物；
气液喷射装置，与所述气液混合装置连接，用于利用所述气液混合物形成喷雾并按照设定压强将所述喷雾喷射至目标物上的目标位置。
可选的，所述气液喷雾刻蚀设备还包括：
支撑装置：用于在刻蚀过程中承载待刻蚀的目标物，并带动所述目标物旋转。
可选的，所述支撑装置正对所述气液喷射装置喷射方向设置。
可选的，所述支撑装置包括用于吸附所述目标物的真空吸附机构和与所述真空吸附机构连接的旋转电机；所述旋转电机用于匀速或匀加速驱动所述真空吸附机构旋转。
可选的，所述气液混合装置为气液混合泵。
可选的，还包括清洗装置，用于在设定时间向所述目标物的待刻蚀面喷射清洗液。
可选的，所述载气为惰性保护气体。
可选的，还包括第一温度控制机构，用于控制刻蚀液的温度。
可选的，还包括第二温度控制机构，用于控制刻蚀腔室内的温度。
可选的，还包括距离调节机构，用于在不同的喷雾压力参数下，调节喷嘴与目标物间的距离。
可选的，所述刻蚀液提供装置提供刻蚀液的压强为0.1-0.5MPa；所述气体提供装置提供气体的压强为0.1-2MPa；所述气液混合装置的气液混合比为0-20％，所述气液混合装置的最大输出压强不小于0.5MPa。
可选的，所述气液喷射装置喷射的喷雾雾滴粒径为目标物上所需线宽的0.001-1倍。
同时，本发明提供一种气液喷雾刻蚀方法，采用本发明任意一项实施例所提供的气液喷雾刻蚀设备对目标物进行刻蚀，包括：
将用于刻蚀目标物的刻蚀液与刻蚀液的载气进行混合，形成气液混合物；
将所述气液混合物按照设定速率喷射到待刻蚀的目标物上的目标位置。
可选的，所述气液喷雾刻蚀设备还包括用于吸附所述目标物的真空吸附机构和与所述真空吸附机构连接的旋转电机；所述旋转电机用于匀速或匀加速驱动所述真空吸附机构旋转，所述方法还包括：
对所述目标物进行清洗；
在对所述目标物进行清洗的过程中，利用所述旋转电机按照设定的第一速率驱动所述真空吸附机构，使得真空吸附机构带动所述目标物旋转。
可选的，所述方法还包括：
根据设定的喷雾压力参数，调整所述气液喷射装置与所述目标物之间的距离。
可选的，所述气液喷雾刻蚀设备还包括用于吸附所述目标物的真空吸附机构和与所述真空吸附机构连接的旋转电机；所述旋转电机用于匀速或匀加速驱动所述真空吸附机构旋转，所述方法还包括：
将所述气液混合物按照设定速率喷射到待刻蚀的目标物上的目标位置时，利用所述旋转电机按照设定的第二速率驱动所述真空吸附机构，使得真空吸附机构带动所述目标物旋转。
从上面所述可以看出，本发明所提供的气液刻蚀设备及刻蚀方法，利用气液混合物形成的喷雾对目标物进行刻蚀，载气能够提到喷雾喷射的力度和速度，喷雾中刻蚀液的粒径能够得减小，从而降低线宽偏差、降低侧蚀比，提高刻蚀精度、刻蚀效果和刻蚀速率。同时刻蚀液的提供量能够得到较为准确的控制，减少刻蚀液的残留。本发明实施例提供的气液喷雾刻蚀设备及刻蚀方法，能够在刻蚀过程中匀速或匀加速转动目标物，并在刻蚀结束后对目标物进行清洗，提高刻蚀均匀性，并进一步减少刻蚀液的残留。
附图说明
图1为本发明实施例所提供的气液喷雾刻蚀设备结构示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明首先提供一种气液喷雾刻蚀设备，结构如图1所示，包括刻蚀腔室100、气体提供装置101、刻蚀液提供装置102、气液混合装置103、气液喷射装置104；其中：
气液混合装置103，与所述气体提供装置101、刻蚀液提供装置102分别连接，用于将刻蚀液提供装置102提供的刻蚀液和气体提供装置提供的载气混合，形成气液混合物，其中，所述刻蚀液用于刻蚀刻蚀腔室中的目标物；
气液喷射装置104，与所述气液混合装置103连接，用于利用所述气液混合物形成喷雾并按照设定压强将所述喷雾喷射至目标物上的目标位置。
从上面所述可以看出，本发明提供的气液喷雾刻蚀设备，通过气液混合物形成的喷雾对目标物进行刻蚀，将载气和刻蚀液进行混合，使得喷雾在喷出时的速度能够提高，通过高压喷雾的物理冲击作用能实时除去窄沟道中的难溶残留物，喷雾粒径大小能够有效地得到控制，从而降低线宽偏差、降低侧蚀比、提高刻蚀坡度角，提高刻蚀精度，提高刻蚀效率，均一性好，刻蚀可控性高，刻蚀效果优于普通的湿法刻蚀，适用于高PPI(Pixels PerInch，像素密度)的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板制造。
本领域技术人员应当理解，所述气液喷射装置应包括必要的输出机构，如一个或多个喷嘴等。所述刻蚀液提供装置包括或连接一刻蚀液存储池。
在本发明具体实施例中，所述气体提供装置包括气泵，并包括或连接一气体存储器。所述刻蚀液提供装置包括液体泵。
在本发明具体实施例中，所述气液喷射装置包括美国的Spray公司所出售的HighPressure(高压)系列喷嘴。
在具体实施例中，所述目标物为基板。
在本发明一些实施例中，所述气液喷雾刻蚀设备还包括：
支撑装置：用于在刻蚀过程中承载待刻蚀的目标物，并带动所述目标物旋转。
在本发明具体实施例中，所述支撑装置能够带动所述目标物匀速或匀加速旋转，使得目标物上需要刻蚀的部位均能够移动到气液喷射装置下方进行刻蚀，且能够使得刻蚀程度均匀。
在本发明一些实施例中，所述支撑装置正对所述气液喷射装置喷射方向设置。
在本发明其它一些实施例中，当气液喷射装置沿着水平方向喷射喷雾时，支撑装置可设置在目标物所在位置的下方，目标物架设在支撑装置上，正对着气液喷射装置设置。
在本发明一些实施例中，仍然参照图1，所述支撑装置包括用于吸附所述目标物的真空吸附机构105和与所述真空吸附机构105连接的旋转电机106；所述旋转电机106用于匀速或匀加速驱动所述真空吸附机构105旋转。
在实际操作中，所述真空吸附机构直接与目标物接触，可以将目标物牢固地固定，防止在旋转过程中目标物脱离支撑装置；同时使得支撑装置能够适用于各种大小不同的目标物。通过旋转电机低速驱动真空吸附机构旋转，使得目标物上的刻蚀液能够及时被甩出，防止过度刻蚀。在具体实施例中，刻蚀时，基板的旋转速度可在1-6r/min之间调节。
在本发明其它实施例中，所述支撑装置包括用于与目标物连接并固定目标物的卡盘，以及与卡盘连接的旋转电机。
在本发明其它实施例中，当气液喷雾刻蚀设备仅用于刻蚀特定的目标物时，所述支撑装置包括真空吸附机构、或卡盘等用于承载、固定目标物的机构。
在本发明一些实施例中，所述气液混合装置为气液混合泵。更具体的，所述气液混合泵为涡轮泵。
在本发明一些实施例中，仍然参照图1，所述气液喷雾刻蚀设备还包括清洗装置107，用于在设定时间向所述目标物的待刻蚀面喷射清洗液。
所述清洗液为纯净水、或蒸馏水、或其它具有清洁作用的液体。
所述设定的时间，指刻蚀完成时，或刻蚀操作停止时，或其它需要清洗目标物的时间。在一种具体实施例中，刻蚀过程完成后，立即打开清洗装置，由清洗装置将纯净水喷射至目标物进行清洗，保证精确的刻蚀时间；纯水喷淋压力可在0.01-0.1MPa之间调节，纯净水喷淋时基板的旋转速度可在1-10r/min之间调节，保证清洗快速均匀。
在本发明一些实施例中，所述载气为惰性保护气体。
更具体的，所述惰性保护气体为在刻蚀环境下不易与刻蚀液或目标物发生化学反应的气体，例如，氮气、惰性气体等。
在本发明一种具体实施例中，所述载气为氮气，气液混合装置为涡轮气液混合泵，该混合泵对高压氮气和高压药液进行混合，混合后氮气包括溶解态氮气和二流体氮气。
在本发明一些实施例中，还包括第一温度控制机构，与刻蚀液提供装置连接，用于控制刻蚀液的温度。
在本发明一些实施例中，所述气液喷雾刻蚀设备还包括第二温度控制机构，设置于刻蚀腔内，具体可以设置于刻蚀腔室内壁上，用于控制刻蚀腔室内的温度。
在本发明一些实施例中，第一温度控制机构和第二温度控制机构所设定的温度可根据不同工艺可进行调节，但一般情况下刻蚀腔室内的温度高于刻蚀液提供装置中的刻蚀液温度。
在本发明一些实施例中，还包括距离调节机构，用于在不同的喷雾压力参数下，调节喷嘴与目标物间的距离。
具体的，所述距离调节机构为设置于支撑装置上的升降机构，或设置于气液喷射装置上的升降机构。不同喷雾输出压力下，喷嘴与基板间距可在0.02-0.2m之间调节。
喷嘴与基板的距离调节可实现对喷雾的最优化利用和最大程度改善喷雾均匀性。喷雾距离的调节可在测试基板上安装压力检测仪来确定，例如：在测试基板上随机位置安装多个压力传感器，喷淋时不断变化喷雾距离，选择所述多个压力传感器监测值最接近时的喷雾距离为此喷雾条件下的最佳距离。
在本发明一些实施例中，所述设定压强根据刻蚀需要进行计算；所述刻蚀液提供装置提供刻蚀液的压强为0.1-0.5MPa；所述气体提供装置提供气体的压强为0.1-2MPa；所述气液混合装置的气液混合比为0-20％，所述气液混合装置的最大输出压强不小于0.5MPa。
在本发明一些实施例中，所述气液喷射装置喷射的喷雾雾滴粒径为目标物上所需线宽的0.001-1倍。
常温下，利用Spray公司High Pressure系列喷嘴喷出的雾滴大小可由索太尔平均直径公式得到：
D＝300Gf 0.25/δP0.4；式中，D为喷雾的平均直径，Gf为液体的流量，δP为喷雾压力；液体流量可由安装流量表测得，喷雾压力可由气液混合泵读出。雾化后液滴的粒径及速度是影响刻蚀效果尤其是侧蚀比的重要因素。若液滴粒径太小，所带动能小，不能有效的将刻蚀难溶残留物除去，若粒径太大，不能实现降低侧蚀比的效果。因此选择合适的粒径参数是非常重要的。例如，对液晶面板TFT基板的Gate(栅极)和S/D(源漏极)进行刻蚀时，喷雾雾滴粒径为目标物上所需线宽的0.01-0.3倍时。
在本发明一种具体实施例中，所述目标物为基板，采用刻蚀液、氮气通过涡轮气液混合泵增压后，利用美国的Spray公司提供的High Pressure系列喷嘴产生喷雾，对基板输送高压喷雾进行刻蚀。不同的喷雾压力参数下，可调节喷嘴与基板间的距离，来达到最合适的喷雾距离。刻蚀过程中，基板进行低速旋转甩掉积累的药液，并保证刻蚀的均匀性。喷雾刻蚀完成后，可快速打开清洗装置，清洗装置喷射纯净水到基板，及时将基板上的药液洗掉，以保证精确的刻蚀时间，防止过度刻蚀。刻蚀液提供装置具有刻蚀液池，刻蚀液池的侧壁上和刻蚀腔室侧壁上均装有温度控制装置，可提高腔室温度，保证喷雾温度，增加反应过程的可控性。
同时，本发明提供一种气液喷雾刻蚀方法，采用本发明任意一项实施例所提供的气液喷雾刻蚀设备对目标物进行刻蚀，包括：
将用于刻蚀目标物的刻蚀液与刻蚀液的载气进行混合，形成气液混合物；
将所述气液混合物按照设定速率喷射到待刻蚀的目标物上的目标位置。
本发明所提供的气液喷雾刻蚀方法，能够利用高压喷雾对目标物进行刻蚀，可大大降低侧蚀比，降低线宽偏差，增大坡度角，更加适用于对精度要求较高的目标物刻蚀，例如高PPI的TFT阵列制造。本发明实施例所提供的气液喷雾刻蚀方法，在不同喷雾压力下，能够调整气液喷射装置与目标物间的距离，可保证气液喷射装置上每个喷嘴的喷雾面积得到最优化利用，再结合目标物的旋转，可保证刻蚀的均一性。将刻蚀液与载气的混合物所产生的喷雾高压喷出，可完全避免刻蚀残留的发生，避免化学反应产生的气泡对刻蚀形状的影响。本发明实施例所提供的方法对形状控制和线宽控制都能得到有效改善，且刻蚀速度快。
在本发明一些实施例中，所述气液喷雾刻蚀设备包括用于吸附所述目标物的真空吸附机构和与所述真空吸附机构连接的旋转电机；所述旋转电机用于匀速或匀加速驱动所述真空吸附机构旋转，所述方法还包括：
对所述目标物进行清洗；
在对所述目标物进行清洗的过程中，利用所述旋转电机按照设定的第一速率驱动所述真空吸附机构，使得真空吸附机构带动所述目标物旋转。
在具体实施例中，所述气液喷雾刻蚀设备还包括用于对目标物进行清洗的清洗装置。
在本发明一些实施例中，所述方法还包括：
根据设定的喷雾压力参数，调整所述气液喷射装置与所述目标物之间的距离。
在本发明一些实施例中，所述气液喷雾刻蚀设备包括用于吸附所述目标物的真空吸附机构和与所述真空吸附机构连接的旋转电机；所述旋转电机用于匀速或匀加速驱动所述真空吸附机构旋转，所述方法还包括：
将所述气液混合物按照设定速率喷射到待刻蚀的目标物上的目标位置时，利用所述旋转电机按照设定的第二速率驱动所述真空吸附机构，使得真空吸附机构带动所述目标物旋转。
从上面所述可以看出，本发明所提供的气液刻蚀设备及刻蚀方法，利用气液混合物形成的喷雾对目标物进行刻蚀，载气能够提到喷雾喷射的力度和速度，喷雾中刻蚀液的粒径能够得减小，从而降低线宽偏差、降低侧蚀比，提高刻蚀精度、刻蚀效果和刻蚀速率。同时刻蚀液的提供量能够得到较为准确的控制，减少刻蚀液的残留。本发明实施例提供的气液喷雾刻蚀设备及刻蚀方法，能够在刻蚀过程中匀速或匀加速转动目标物，并在刻蚀结束后对目标物进行清洗，提高刻蚀均匀性，并进一步减少刻蚀液的残留。
应当理解，本说明书所描述的多个实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，包括刻蚀腔室、气体提供装置、刻蚀液提供装置、气液混合装置、气液喷射装置；其中：
气液混合装置，与所述气体提供装置、刻蚀液提供装置分别连接，用于将刻蚀液提供装置提供的刻蚀液和气体提供装置提供的载气混合，形成气液混合物，其中，所述刻蚀液用于刻蚀刻蚀腔室中的目标物；
气液喷射装置，与所述气液混合装置连接，用于利用所述气液混合物形成喷雾并按照设定压强将所述喷雾喷射至目标物上的目标位置；
还包括距离调节机构，用于在不同的喷雾压力参数下，调节喷嘴与目标物间的距离。
2.根据权利要求1所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，还包括：
支撑装置：用于在刻蚀过程中承载待刻蚀的目标物，并带动所述目标物旋转。
3.根据权利要求2所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，所述支撑装置正对所述气液喷射装置喷射方向设置。
4.根据权利要求2所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，所述支撑装置包括用于吸附所述目标物的真空吸附机构和与所述真空吸附机构连接的旋转电机；所述旋转电机用于匀速或匀加速驱动所述真空吸附机构旋转。
5.根据权利要求1所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，所述气液混合装置为气液混合泵。
6.根据权利要求1所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，还包括清洗装置，用于在设定时间向所述目标物的待刻蚀面喷射清洗液。
7.根据权利要求1所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，所述载气为惰性保护气体。
8.根据权利要求1所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，还包括第一温度控制机构，用于控制刻蚀液的温度。
9.根据权利要求1所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，还包括第二温度控制机构，用于控制刻蚀腔室内的温度。
10.根据权利要求1-9中任意一项所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，所述刻蚀液提供装置提供刻蚀液的压强为0.1-0.5MPa；所述气体提供装置提供气体的压强为0.1-2MPa；所述气液混合装置的气液混合比为0-20％，所述气液混合装置的最大输出压强不小于0.5MPa。
11.根据权利要求1-9中任意一项所述的气液喷雾刻蚀设备，其特征在于，所述气液喷射装置喷射的喷雾雾滴粒径为目标物上所需线宽的0.001-1倍。
12.一种气液喷雾刻蚀方法，其特征在于，采用权利要求1-11中任意一项所述的气液喷雾刻蚀设备对目标物进行刻蚀，包括：
将用于刻蚀目标物的刻蚀液与刻蚀液的载气进行混合，形成气液混合物；
将所述气液混合物按照设定速率喷射到待刻蚀的目标物上的目标位置；
所述方法还包括：
根据设定的喷雾压力参数，调整所述气液喷射装置与所述目标物之间的距离。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，采用权利要求4所述的气液喷雾刻蚀设备对目标物进行刻蚀，所述方法还包括：
对所述目标物进行清洗；
在对所述目标物进行清洗的过程中，利用旋转电机按照设定的第一速率驱动真空吸附机构，使得真空吸附机构带动所述目标物旋转。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，采用权利要求4所述的气液喷雾刻蚀设备对目标物进行刻蚀，所述方法还包括：
将所述气液混合物按照设定速率喷射到待刻蚀的目标物上的目标位置时，利用旋转电机按照设定的第二速率驱动真空吸附机构，使得真空吸附机构带动所述目标物旋转。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110620031B (zh) * 2018-06-20 2022-02-11 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种晶圆表面颗粒清洗装置
CN110047735A (zh) * 2019-04-02 2019-07-23 深圳市华星光电技术有限公司 金属结构湿制程处理方法、tft制备方法、tft及显示装置
JP7391297B2 (ja) * 2019-06-28 2023-12-05 株式会社Flosfia エッチング処理方法およびエッチング処理装置
CN112701039A (zh) * 2020-12-28 2021-04-23 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种金属电极结构的实现方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270415A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Tera Tec:Kk エッチング方法および装置
JP5585076B2 (ja) * 2009-12-24 2014-09-10 栗田工業株式会社 洗浄方法
CN103480622B (zh) * 2013-09-18 2016-06-08 合肥京东方光电科技有限公司 基板清洗装置及其工作方法、基板清洗系统
JP6320762B2 (ja) * 2014-01-15 2018-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN103779186B (zh) * 2014-02-20 2016-09-14 北京七星华创电子股份有限公司 气液两相雾化流量可控清洗装置及清洗方法

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