CN104051304A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在不使向基板供给的保护液的流量增大的情况下就能够抑制基板损伤的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置具有：喷嘴移动单元，一边将液滴喷嘴和保护液喷嘴的位置关系保持为恒定，一边使液滴喷嘴及保护液喷嘴移动，以使喷射区域在基板的上表面内的位置在基板的上表面中心部和基板的上表面周缘部之间移动；变更控制单元，根据喷射区域在基板的上表面内的位置，变更控制着落位置和入射角度中的至少一方，在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部时，变更控制单元将着落位置及入射角度控制在第一状态，在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部时，将着落位置及入射角度控制在与第一状态不同的第二状态。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。作为成为处理对象的基板，包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED（Field Emission Display：场发射显示器）用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板进行使用了处理液的处理。
对基板一张一张进行处理的单张式基板处理装置例如具有：旋转卡盘，将基板保持为水平来使基板旋转；液滴喷嘴，使处理液的液滴与旋转卡盘所保持的基板的上表面碰撞；保护液喷嘴，向旋转卡盘所保持的基板的上表面喷出保护液（例如参照US2012/0247506A1）。在该基板处理装置中，液滴喷嘴以及保护液喷嘴一边将彼此的位置关系保持为恒定一边移动。
在这样的基板处理装置中，液滴喷嘴向基板的上表面内的区域（以下称为“喷射区域”）喷出处理液。另外，与从液滴喷嘴喷出处理液并行地，从保护液喷嘴向基板的上表面喷出保护液。从保护液喷嘴喷出的保护液进入喷射区域，具有充分厚度的保护液的液膜形成在喷射区域。因而，处理液的液滴在由保护液的液膜覆盖喷射区域的位置的状态下与喷射区域碰撞。
在US2012/0247506A1记载的基板处理装置中，保护液喷嘴的相对于液滴喷嘴的相对的位置以及姿势需要设定为，供给到基板的上表面上的保护液抵抗处理液的液滴进入喷射区域，且由该保护液覆盖整个喷射区域。
但是，保护液在基板的上表面上的扩展方式在基板的中心部和基板的周缘部显著不同。因此，当以向基板的上表面中心部供给保护液的情况为基准来设定保护液喷嘴的位置以及姿势时，在基板的上表面周缘部，保护液不会遍及整个喷射区域，有可能在喷射区域产生未形成具有充分厚度的保护膜的液膜的部分。另外，当以向基板的上表面周缘部供给保护液的情况为基准来设定保护液喷嘴的位置以及姿势时，在基板的上表面中央部，保护液未遍及整个喷射区域，有可能在喷射区域产生未形成具有充分厚度的保护膜的液膜的部分。
在喷射区域中，在未被液膜覆盖的部分或覆盖喷射区域的液膜薄的部分，当处理液的液滴喷到喷射区域时，因液滴和基板的碰撞，对在基板上形成的图案施加大的冲击，有可能发生图案倒塌等损伤。
为了在基板的上表面中心部以及基板的上表面周缘部都可靠地由保护液覆盖整个喷射区域，考虑增大向基板供给的保护液的流量，但若采用该方法，则导致处理一张基板所需的成本增加。
发明内容
因此，本发明的目的是提供在不使向基板供给的保护液的流量增大的情况下就能够抑制基板损伤的基板处理装置以及基板处理方法。
本发明的第一局面提供一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
基板保持单元，将基板保持为水平，
旋转单元，使由所述基板保持单元保持的基板围绕铅垂的旋转轴线进行旋转，
液滴喷嘴，生成向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的喷射区域喷射的处理液的液滴，
保护液喷嘴，向所述基板的上表面喷出保护液来在所述基板的上表面上形成保护液的液膜，在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的位置的状态下，使处理液的液滴与所述喷射区域碰撞，
喷嘴移动单元，一边将所述液滴喷嘴和所述保护液喷嘴的位置关系保持为恒定一边使所述液滴喷嘴以及所述保护液喷嘴移动，以使所述喷射区域的位置在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动，
变更控制单元8，根据所述喷射区域在所述基板的上表面内的位置，变更着落位置和入射角度中的至少一方，其中，所述着落位置是指，来自所述保护液喷嘴的保护液在基板的上表面上着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位置，所述入射角度是指，在从所述保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的入射角度，
在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，所述变更控制单元将所述着落位置以及所述入射角度控制在第一状态，所述变更控制单元在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时，将所述着落位置以及所述入射角度控制在与所述第一状态不同的第二状态。
根据该结构，根据喷射区域在基板的上表面内的位置，来变更从保护液喷嘴喷出的保护液的着落位置以及入射角度。更详细地说，在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部时，着落位置以及入射角度被控制在第一状态，另外，在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部时，着落位置以及入射角度被控制在第二状态。
所述第一状态可以是以如下方式设定的状态，即，在所述喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二状态可以是以如下方式设定的状态，即，在所述喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。
更具体地说，优选第一状态在喷射区域的位置配置基板的上表面中心部的状态下变为最佳，第二状态在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下变为最佳。在这样的情况下，即使从在基板的上表面中心部配置的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域，另外，即使从在基板的上表面周缘部配置的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
其结果，无论喷射区域的位置配置在基板的上表面上的哪个位置，通过向基板供给少流量的保护液，都能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。由此，在不使向基板供给的保护液的流量增大的情况下就能够抑制基板的损伤。
在本发明的一实施方式中，所述保护液喷嘴包括第一保护液喷嘴以及第二保护液喷嘴，
所述第一保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设设定为，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下，从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下，从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述变更控制单元具有喷出控制单元，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，所述喷出控制单元不使保护液从所述第二保护液喷嘴喷出而使保护液仅从所述第一保护液喷嘴喷出，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时，所述喷出控制单元不使保护液从所述第一保护液喷嘴喷出而使保护液仅从所述第二保护液喷嘴喷出。
根据该结构，在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部时，仅从第一保护液喷嘴喷出保护液。第一保护液喷嘴被设定在如下的位置以及姿势，即，在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下，从第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个喷射区域。因此，即使从第一保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
另外，在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部时，仅从第二保护液喷嘴喷出保护液。第二保护液喷嘴被设定在如下的位置以及姿势，即，在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下，从第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个喷射区域。因此，即使从第二保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
可以与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，所述喷出控制单元使保护液停止从处于保护液的喷出状态的所述第二保护液喷嘴喷出，且与停止从该第二保护液喷嘴进行喷出同步地开始使保护液从所述第一保护液喷嘴喷出，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，所述喷出控制单元使保护液停止从处于保护液的喷出状态的所述第一保护液喷嘴喷出，且与从该第一保护液喷嘴停止喷出同步地开始使保护液从所述第二保护液喷嘴喷出。
根据该结构，在喷射区域的位置从基板的上表面周缘部向基板的上表面中心部移动的状态下，正喷出保护液的保护液喷嘴从第二保护液喷嘴切换为第一保护液喷嘴。另外，在喷射区域的位置从基板的上表面中心部向基板的上表面周缘部移动的状态下，正喷出保护液的保护液喷嘴从第一保护液喷嘴切换为第二保护液喷嘴。由此，在基板的上表面周缘部的周边区域配置有喷射区域的位置的情况下，仅从第二保护液喷嘴向基板供给保护液，在基板的上表面中心部的周边区域配置有喷射区域的位置的情况下，仅从第一保护液喷嘴向基板供给保护液。因此，即使向基板供给的保护液的流量为少流量，也能利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
另外，可以与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，所述喷出控制单元使保护液停止从处于保护液的喷出状态的所述第二保护液喷嘴喷出，且在停止从该第二保护液喷嘴喷出之前，开始使保护液从所述第一保护液喷嘴喷出，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，所述喷出控制单元使保护液停止从处于保护液的喷出状态的所述第一保护液喷嘴喷出，且在停止从该第一保护液喷嘴喷出之前，开始使保护液从所述第二保护液喷嘴喷出。
根据该结构，在喷射区域的位置从基板的上表面周缘部向基板的上表面中心部移动的状态下，正喷出保护液的保护液喷嘴从第二保护液喷嘴切换为第一保护液喷嘴。另外，在喷射区域的位置从基板的上表面中心部向基板的上表面周缘部移动的状态下，正喷出保护液的保护液喷嘴从第一保护液喷嘴切换为第二保护液喷嘴。由此，在基板的上表面周缘部的周边区域配置有喷射区域的位置的情况下，仅从第二保护液喷嘴向基板供给保护液，在基板的上表面中心部的周边区域配置有喷射区域的位置的情况下，仅从第一保护液喷嘴向基板喷出保护液。因此，即使在向基板供给的保护液的流量为少流量的情况下，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
但是，当同时进行第二保护液喷嘴的喷出停止和第一保护液喷嘴的喷出开始时，假如第二保护液喷嘴的喷出停止的时刻比第一保护液喷嘴的喷出开始时刻提前的情况下，有可能发生从第一以及第二保护液喷嘴都不喷出保护液的期间。在该期间中，由于没有由保护液保护基板的上表面，所以其结果，有可能对基板造成损伤。
在同时进行第一保护液喷嘴的喷出停止和第二保护液喷嘴的喷出开始的情况下也可能产生同样的问题。
相对于此，在本发明中，在停止从第二保护液喷嘴喷出停止之前开始从第一保护液喷嘴喷出保护液，且在停止从第一保护液喷嘴喷出之前开始从第二保护液喷嘴喷出保护液。换言之，使从第一保护液喷嘴喷出保护液的期间与从第二保护液喷嘴喷出保护液的期间一部分重复。由此，在第一保护液喷嘴和第二保护液喷嘴之间切换喷出保护液的保护液喷嘴时，能够设置从第一以及第二保护液喷嘴同时喷出保护液的期间，在切换喷出保护液的保护液喷嘴时，能可靠地防止产生从第一以及第二保护液喷嘴都不喷出保护液的状态。
另外，基板处理装置可以具有：
第一保护液供给管，用于向所述第一保护液喷嘴供给保护液，
第一保护液阀26，安装在所述第一保护液供给管上，用于对保护液向所述第一保护液喷嘴的供给/停止供给进行切换，
第二保护液供给管28，用于向所述第二保护液喷嘴供给保护液，
第二保护液阀29，安装在所述第二保护液供给管上，用于对保护液向所述第二保护液喷嘴的供给/停止供给进行切换；
与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，所述喷出控制单元关闭处于打开状态的所述第二保护液阀，且在该第二保护液阀关闭完成之前打开所述第一保护液阀，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，所述喷出控制单元关闭处于打开状态的所述第一保护液阀，且在该第一保护液阀关闭完成之前打开所述第二保护液阀。
本发明的其他实施方式中，所述保护液喷嘴是单一的保护液喷嘴，
所述变更控制单元还包括位置姿势控制单元，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，所述位置姿势控制单元将所述保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势控制在第一位置以及姿势，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部上时，所述位置姿势控制单元将所述保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势控制在第二位置以及姿势，其中，该第一位置以及姿势是指，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域的位置以及姿势，所述第二位置以及姿势是指，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域的位置以及姿势。
根据该结构，在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部时，将保护液喷嘴的相对于液滴喷嘴的相对的位置以及姿势控制在第一位置以及姿势。第一位置以及姿势是如在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下，从保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个喷射区域那样的位置以及姿势。因此，即使从处于第一位置以及姿势的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
另外，在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部时，将保护液喷嘴的相对于液滴喷的相对的位置以及姿势控制在第二位置以及姿势。第二位置以及姿势是如在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下，从保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个喷射区域那样的位置以及姿势。因此，即使从处于第二位置以及姿势的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
另外，本发明的第二局面提供一种基板处理方法，包括：
基板保持工序，将基板保持为水平，
旋转工序，使被保持的所述基板围绕铅垂的旋转轴线进行旋转，
液滴供给工序，从液滴喷嘴向被保持的所述基板的上表面内的喷射区域喷射处理液的液滴，
碰撞工序，从保护液喷嘴向所述基板的上表面喷出保护液，来在被保持的所述基板的上表面形成保护液的液膜，在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的位置的状态下，使所述处理液的液滴与所述喷射区域碰撞，
喷嘴移动工序，一边将所述液滴喷嘴和所述保护液喷嘴的位置关系保持为恒定一边使所述液滴喷嘴以及所述保护液喷嘴移动，以使所述喷射区域的位置在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动，
变更工序，与所述喷嘴移动工序并行，根据所述喷射区域在所述基板的上表面内的位置，变更着落位置和入射角度中的至少一方，其中，所述着落位置是指，来自所述保护液喷嘴的保护液在基板的上表面上着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位置，所述入射角度是指，在从所述保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的入射角度；
在所述变更工序中，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，使所述着落位置以及所述入射角度处于第一状态，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时，使所述着落位置以及所述入射角度处于与所述第一状态不同的第二状态。
根据该方法，根据喷射区域在基板的上表面内的位置，变更从保护液喷嘴喷出的保护液的着落位置以及入射角度。更详细地说，在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部时，着落位置以及入射角度被控制在第一状态，另外，在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部时，着落位置以及入射角度被控制在第二状态。
所述第一状态可以是以如下方式设定的状态，即，在所述喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二状态可以是以如下方式设定的状态，即，在所述喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。。
更具体地说，优选第一状态在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下变为最佳，第二状态在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下变为最佳。在这样的情况下，即使从在基板的上表面中心部配置的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域，另外，即使从在基板的上表面周缘部配置的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
其结果，无论喷射区域的位置配置在基板的上表面上的哪个位置，通过向基板供给少流量的保护液，都能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。由此，在不使向基板供给的保护液的流量增大的情况下就能够抑制基板的损伤。
在本发明的一实施方式中，所述保护液喷嘴包括第一保护液喷嘴以及第二保护液喷嘴，
所述第一保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下，从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下，从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。
在该情况下，所述变更工序可以包括喷出切换工序，在所述喷出切换工序中，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，不从所述第二保护液喷嘴喷出保护液而仅从所述第一保护液喷嘴喷出保护液，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时，不从所述第一保护液喷嘴喷出保护液而仅从所述第二保护液喷嘴喷出保护液。
根据该方法，在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部时，仅从第一保护液喷嘴喷出保护液。第一保护液喷嘴被设定在如在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下，从第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个喷射区域那样的位置以及姿势。因此，即使从第一保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
另外，在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部时，仅从第二保护液喷嘴喷出保护液。第二保护液喷嘴被设定为如在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下，从第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个喷射区域那样的位置以及姿势。因此，即使从第二保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
在所述喷出切换工序中，可以与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，停止从处于保护液的喷出状态的所述第二保护液喷嘴喷出保护液，且与停止从该第二保护液喷嘴进行喷出同步地开始从所述第一保护液喷嘴喷出保护液，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，停止从处于保护液的喷出状态的所述第一保护液喷嘴喷出保护液，且与从该第一保护液喷嘴停止喷出同步地开始从所述第二保护液喷嘴喷出保护液。
根据该方法，在喷射区域的位置从基板的上表面周缘部向基板的上表面中心部移动的状态下，正喷出保护液的保护液喷嘴从第二保护液喷嘴切换为第一保护液喷嘴。另外，在喷射区域的位置从基板的上表面中心部向基板的上表面周缘部移动的状态下，正喷出保护液的保护液喷嘴从第一保护液喷嘴切换为第二保护液喷嘴。由此，在基板的上表面周缘部的周边区域配置有喷射区域的位置的情况下，仅从第二保护液喷嘴向基板供给保护液，在基板的上表面中心部的周边区域配置有喷射区域的位置的情况下，仅从第一保护液喷嘴向基板喷出保护液。因此，即使向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
另外，在所述喷出切换工序中，可以与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，停止从处于保护液的喷出状态的所述第二保护液喷嘴喷出保护液，且在停止从该第二保护液喷嘴喷出之前，开始从所述第一保护液喷嘴喷出保护液，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，停止从处于保护液的喷出状态的所述第一保护液喷嘴喷出保护液，且在停止从该第一保护液喷嘴喷出之前，开始从所述第二保护液喷嘴喷出保护液。
根据该方法，在喷射区域的位置从基板的上表面周缘部向基板的上表面中心部移动的状态下，正喷出保护液的保护液喷嘴从第二保护液喷嘴切换为第一保护液喷嘴。另外，在喷射区域的位置从基板的上表面中心部向基板的上表面周缘部移动的状态下，正喷出保护液的保护液喷嘴从第一保护液喷嘴切换为第二保护液喷嘴。由此，在基板的上表面周缘部的周边区域配置有喷射区域的位置的情况下，仅从第二保护液喷嘴向基板供给保护液，在基板的上表面中心部的周边区域配置有喷射区域的位置的情况下，仅从第一保护液喷嘴向基板供给保护液。因此，即使向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
但是，当同时进行第二保护液喷嘴的喷出停止和第一保护液喷嘴的喷出开始时，假如第二保护液喷嘴的喷出停止的时刻比第一保护液喷嘴的喷出开始时刻提前的情况下，有可能发生从第一以及第二保护液喷嘴都不喷出保护液的期间。在该期间中，由于没有由保护液保护基板的上表面，所以其结果，有可能对基板造成损伤。
在同时进行第一保护液喷嘴的喷出停止和第二保护液喷嘴的喷出开始的的情况下也可能产生同样的问题。。
相对于此，在本发明中，在停止从第二保护液喷嘴喷出停止之前开始从第一保护液喷嘴喷出保护液，且在停止从第一保护液喷嘴喷出之前开始从第二保护液喷嘴喷出保护液。换言之，使从第一保护液喷嘴喷出保护液的期间与从第二保护液喷嘴喷出保护液的期间一部分重复。由此，在第一保护液喷嘴和第二保护液喷嘴之间切换喷出保护液的保护液喷嘴时，能够设置从第一以及第二保护液喷嘴同时喷出保护液的期间，在切换喷出保护液的保护液喷嘴时，能可靠地防止产生从第一以及第二保护液喷嘴都不喷出保护液的状态。
在本发明的第二实施方式中，所述保护液喷嘴包括单一的保护液喷嘴。在该情况下，所述变更工序可以包括位置姿势变更工序，在所述位置姿势变更工序中，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，将所述保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势变更为第一位置以及姿势，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部上时，将所述保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势变更为第二位置以及姿势，其中，该第一位置以及姿势是指，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域的位置以及姿势，所述第二位置以及姿势是指，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域的位置以及姿势。
根据该方法，在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部时，将保护液喷嘴的相对于液滴喷嘴的相对的位置以及姿势控制在第一位置以及姿势。第一位置以及姿势是如在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下，从保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个喷射区域那样的位置以及姿势。因此，即使从处于第一位置以及姿势的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
另外，在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部时，将保护液喷嘴的相对于液滴喷嘴的相对的位置以及姿势控制在第二位置以及姿势。第二位置以及姿势是如在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下，从保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个喷射区域那样的位置以及姿势。因此，即使从处于第二位置以及姿势的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
本发明的第三局面提供一种一种基板处理装置，其特征在于，
基板保持单元，将基板保持为水平，
旋转单元，使由所述基板保持单元保持的基板围绕铅垂的旋转轴线进行旋转，
液滴喷嘴，生成向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的喷射区域喷射的处理液的液滴，
第一保护液喷嘴，用于向所述基板的上表面喷出保护液，
第二保护液喷嘴，用于向所述基板的上表面喷出保护液，
保护液供给单元，用于向所述第一以及第二保护液喷嘴供给保护液，
喷嘴移动单元，用于使所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴移动，
保护液喷出控制单元，控制所述保护液供给单元，从所述第一以及第二保护喷嘴向所述基板的上表面喷出保护液，来在所述基板的上表面上形成保护液的液膜，在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的状态下，使处理液的液滴与所述喷射区域碰撞，
喷嘴移动控制单元，与从所述第一以及第二保护喷嘴喷出保护液并行，一边将所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴的位置关系保持为恒定，一边使所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴移动，以使所述喷射区域在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动；
所述第一保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的位置以及姿势被设定为如下的第一位置以及姿势，即，由着落位置以及入射角度中的至少一方定义的着落状态处于第一着落状态，其中，所述着落位置是指，在来自该保护液喷嘴的保护液在所述基板的上表面着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位置，所述入射角度是指，在从该保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的的入射角度，
所述第二保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的位置以及姿势被设定为如下的第二位置以及姿势，即，由所述着落位置以及所述入射角度中的至少一方定义的所述着落状态处于与所述第一着落状态不同的第二着落状态。
根据该结构，从设定在第一位置以及姿势的第一保护液喷嘴和设定在第二位置以及姿势的第二保护液喷嘴都喷出保护液。与从第一以及第二保护液喷嘴喷出保护液并行，喷射区域在基板的上表面中心部和基板的上表面周缘部之间移动。
来自处于第一位置以及姿势的第一保护液喷嘴的保护液的着落状态（包含着落位置以及入射角度中的至少一方的着落状态）处于第一着落状态，来自处于第二位置以及姿势的第二保护液喷嘴的保护液的着落状态处于与第一着落状态不同的第二着落状态。
在该情况下，能够以喷射区域的位置配置在基板上表面的不同的两个位置的情况为基准，分别设定第一保护液喷嘴的第一位置以及姿势和第二保护液喷嘴的第二位置以及姿势（即，第一以及第二着落状态）。
因此，即使在喷射区域的位置配置在基板的上表面的任意位置的情况下，也能够高效地向喷射区域供给保护液，其结果，在不供给大量的保护液的情况下，就能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。由此，在不使向基板供给的保护液的流量增大的情况下，就能够抑制基板的损伤。
所述第一位置以及姿势可以是如下的位置以及姿势，即，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面中心部的位置的状态下，从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二位置以及姿势可以是如下的位置以及姿势，即，在所述喷射区域配置在在所述基板的上表面中心部的位置的状态下，从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。
更具体地说，优选第一状态在喷射区域的位置配置基板的上表面中心部的状态下变为最佳，第二状态在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下变为最佳。在这样的情况下，即使从在基板的上表面中心部配置的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域，另外，即使从在基板的上表面周缘部配置的保护液喷嘴向基板供给的保护液的流量为少流量，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。
其结果，无论喷射区域的位置配置在基板的上表面上的哪个位置，通过向基板供给少流量的保护液，都能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。由此，在不使向基板供给的保护液的流量增大的情况下就能够抑制基板的损伤。
在本发明的一实施方式中，所述保护液喷出控制单元控制所述保护液供给单元，不管所述喷射区域的位置在所述基板的上表面内如何变化，都从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出一定流量的保护液。
另外，在该一实施方式中，所述保护液供给单元可以包括用于对向所述第一以及第二保护液喷嘴供给的保护液的流量进行调整的流量调整单元，
所述保护液喷出控制单元包括对所述流量调整单元进行控制的喷出流量控制单元，
所述喷出流量控制单元根据所述喷射区域的位置在所述基板的上表面内的变化，使从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量变化。
根据该结构，在喷射区域配置在基板的上表面中心部以及上表面周缘部时，能够减小从第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量。由此，能够抑制基板的损伤，并进一步减小向基板供给的保护液的总流量。
另外，在该情况下，相比所述喷射区域配置所述基板的上表面中心部的情况，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面周缘部的情况下，所述喷出流量控制单元可以使从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量变多。
进而，来自所述第一以及第二保护液喷嘴的保护液的喷出流量比可以被设定为1：1。
本发明的第四局面提供一种基板处理方法，
包括：
基板保持工序，将基板保持为水平，
将第一保护液喷嘴设置在第一位置以及姿势的工序，所述第一位置以及姿势为如下的位置以及姿势，即，包含着落位置以及入射角度中的至少一方的着落状态处于第一着落状态，其中，所述着落位置是指，在来自该保护液喷嘴的保护液在被保持的所述基板的上表面着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位置，所述入射角度是指，在从该保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的入射角度，
将第二保护液喷嘴设置在第二位置以及姿势的工序，其中，第二位置以及姿势为如下的位置以及姿势，即，包含所述着落位置以及所述入射角度中的至少一方的所述着落状态处于与所述第一着落状态不同的第二着落状态，
旋转工序，使被保持的所述基板围绕铅垂的旋转轴线旋转，
液滴供给工序，从所述液滴喷嘴向被保持的所述基板的上表面内的喷射区域喷射处理液的液滴，
保护液喷出工序，从所述第一以及第二保护液喷嘴向所述基板的上表面喷出保护液，来在被保持的所述基板的上表面上形成保护液的液膜，在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的状态下，使所述处理液的液滴与所述喷射区域碰撞，
喷嘴移动工序，与从所述第一以及第二保护喷嘴喷出保护液并行，一边将所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴的位置关系保持为恒定，一边使所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴移动，以使所述喷射区域在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动。
根据该方法，从设定在第一位置以及姿势的第一保护液喷嘴和设定在第二位置以及姿势的第二保护液喷嘴都喷出保护液。与从第一以及第二保护液喷嘴喷出保护液并行，使喷射区域在基板的上表面中心部和基板的上表面周缘部之间移动。
来自处于第一位置以及姿势的第一保护液喷嘴的保护液的着落状态（包含着落位置以及入射角度中的至少一方的着落状态）处于第一着落状态，来自处于第二位置以及姿势的第二保护液喷嘴的保护液的着落状态处于与第一着落状态不同的第二着落状态。
在该情况下，能够以喷射区域的位置配置在基板上表面的不同的两个位置的情况为基准，分别设定第一保护液喷嘴的第一位置以及姿势和第二保护液喷嘴的第二位置以及姿势（即，第一以及第二着落状态）。
因此，即使在喷射区域的位置配置在基板的上表面的任意位置的情况下，也能够高效地向喷射区域供给保护液，其结果，在不供给大量的保护液的情况下，就能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域。由此，在不使向基板供给的保护液的流量增大的情况下，就能够抑制基板的损伤。
所述第一位置以及姿势可以是如下的位置以及姿势，即，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面中心部的位置的状态下，从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二位置以及姿势可以是如下的位置以及姿势，即，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面中心部的位置的状态下，从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。
在本发明的一实施方式中，所述保护液喷出工序包括不管所述喷射区域的位置在所述基板的上表面内如何变化，都从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出一定流量的保护液的工序。
在本发明的其他实施方式中，在所述保护液喷出工序中，根据所述喷射区域的位置在所述基板的上表面内的变化，使从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量变化。根据该方法，能够在喷射区域配置在基板的上表面中心部以及上表面周缘部时，减小从第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量。由此，能够抑制基板的损伤并进一步减小向基板供给的保护液的总流量。
另外，在该情况下，在所述保护液喷出工序中，相比所述喷射区域配置在所述基板的上表面中心部的情况，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面周缘部的情况下，使从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量变多。
本发明的前述或其他的目的、特征以及效果通过参照附图进行的对实施方式的说明会更加清楚。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是图1所示的液滴喷嘴以及与其关联的结构的俯视图。
图3是图1所示的液滴喷嘴和第一以及第二保护液喷嘴的示意性的侧视图。
图4是图1所示的液滴喷嘴和第一以及第二保护液喷嘴的示意性的俯视图。
图5是表示图1所示的液滴喷嘴和第一保护液喷嘴的位置关系的示意性的俯视图。
图6是表示图1所示的液滴喷嘴和第二保护液喷嘴的位置关系的示意性的俯视图。
图7A～7E是用于说明利用图1所示的基板处理装置进行的第一处理例的图。
图8A～8H是用于说明图7B所示的清洗工序以及第二覆盖工序的图。
图9是表示使喷射区域从基板的上表面周缘部向上表面中心部移动的情况下的第一以及第二保护液阀的开闭动作的时序图。
图10是表示使喷射区域从基板的上表面中心部向上表面周缘部移动的情况下的第一以及第二保护液阀的开闭动作的时序图。
图11是表示实施例1以及比较例1中的向基板供给的保护液的流量和基板的损伤数的关系的曲线图。
图12A～12L是用于说明利用图1所示的基板处理装置进行的基板的第二处理例的图。
图13是使喷射区域从基板的上表面周缘部向上表面中心部移动的情况下的第一以及第二保护液阀的开闭动作的时序图。
图14是使喷射区域从基板的上表面中心部向上表面周缘部移动的情况下的第一以及第二保护液阀的开闭动作的时序图。
图15A～15E是用于说明利用图1所示的基板处理装置进行的第三处理例的图。
图16A是概略地表示在基板的上表面的各处的喷射区域的位置距旋转中心的距离与到达喷射区域的保护液的流量的关系的曲线图。
图16B是表示实施例2以及比较例2中的向基板供给的保护液的流量和基板的损伤数的关系的曲线图。
图17A～17C是用于说明利用图1所示的基板处理装置进行的第四处理例的图。
图18是示意性地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的结构的图。
图19是表示在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的情况下的图18所示的液滴喷嘴和第三保护液喷嘴之间的位置关系的示意性的侧视图。
图20是表示在喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的情况下的图18所示的液滴喷嘴和第三保护液喷嘴的位置关系的示意性的俯视图。
图21是表示在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的情况下的图18所示的液滴喷嘴和第三保护液喷嘴的位置关系的示意性的侧视图。
图22是表示在喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的情况下的图18所示的液滴喷嘴和第三保护液喷嘴的位置关系的示意性的俯视图。
图23A～23F是用于说明利用图18所示的基板处理装置进行的基板的第五处理例的图。
具体实施方式
图1是示意性地表示本发明的一实施方式的基板处理装置1的结构的图。图2是液滴喷嘴5以及与其关联的结构的俯视图。
基板处理装置1是对半导体晶片等圆板状的基板W一张一张进行处理的单张式基板处理装置。基板处理装置1具有：旋转卡盘2（基板保持单元），将基板W保持为水平并使基板旋转；筒状的杯3，包围旋转卡盘2；冲洗液喷嘴4，向基板W供给冲洗液；液滴喷嘴5，使处理液的液滴与基板W碰撞；第一保护液喷嘴6，向基板W供给保护液；第二保护液喷嘴7，向基板W供给保护液；控制装置8，对旋转卡盘2等基板处理装置1所具有的装置的动作和阀的开闭进行控制。
旋转卡盘2包括：旋转基座9，将基板W保持为水平，并能够围绕通过该基板W的旋转中心C1的铅垂的旋转轴线L1旋转；旋转马达（旋转单元）10，使该旋转基座9围绕旋转轴线L1旋转。旋转卡盘2可以是在水平方向上夹持基板W来将该基板W保持为水平的夹持式的卡盘，也可以是通过对非器件形成面即基板W的背面（下表面）进行吸附来将该基板W保持为水平的真空式卡盘。在基板处理装置1中，旋转卡盘2是夹持式的卡盘。
冲洗液喷嘴4与安装有冲洗液阀11的冲洗液供给管12相连接。当冲洗液阀11打开时，从冲洗液喷嘴4向基板W的上表面中央部喷出冲洗液。另一方面，当冲洗液阀11关闭时，停止从冲洗液喷嘴4喷出冲洗液。作为向冲洗液喷嘴4供给的冲洗液，能够例示出纯水（去离子水）、碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、稀释浓度（例如，10～100ppm左右）的盐酸水等。
液滴喷嘴5是通过喷墨方式来喷射大量液滴的喷墨喷嘴。液滴喷嘴5经由处理液供给管13与处理液供给机构14相连接。进而，液滴喷嘴5与安装有排出阀16的处理液排出管15相连接。处理液供给机构14例如包括泵。处理液供给机构14总是以规定压力（例如、10MPa以下）将处理液向液滴喷嘴5供给。作为向液滴喷嘴5供给的处理液，能够举出例如SC-1（含有NH4OH和H2O2的混合液）等药液、纯水、碳酸水等。控制装置8能够通过控制处理液供给机构14，将向液滴喷嘴5供给的处理液的压力变更为任意的压力。
另外，如图1所示，液滴喷嘴5包括在液滴喷嘴5的内部配置的压电元件（piezo element）17。压电元件17经由配线18与电压施加机构19相连接。电压施加机构19例如包含变换器。电压施加机构19向压电元件17施加交流电压。当交流电压施加在压电元件17上时，压电元件17以与所施加的交流电压的频率对应的频率振动。控制装置8通过控制电压施加机构19，能够将在压电元件17上施加的交流电压的频率变更为任意的频率（例如数百KHz～数MHz）。因此，压电元件17的振动的频率由控制装置8控制。
基板处理装置1还包括喷嘴移动机构20（喷嘴移动单元）。喷嘴移动机构20包括：喷嘴臂21，在顶端保持液滴喷嘴5；转动机构22，与喷嘴臂21相连接；升降机构23，与转动机构22相连接。转动机构22例如包括马达。升降机构23例如包括滚珠螺杆机构和驱动该滚珠螺杆机构的马达。转动机构22使喷嘴臂21围绕在旋转卡盘2的周围设置的铅垂的旋转轴线转动。液滴喷嘴5与喷嘴臂21一起围绕旋转轴线L2转动。由此，液滴喷嘴5在水平方向上移动。另一方面，升降机构23使转动机构22在铅垂方向上升降。液滴喷嘴5以及喷嘴臂21与转动机构22一起在铅垂方向上升降。由此，液滴喷嘴5在铅垂方向上移动。
转动机构22使液滴喷嘴5在包含旋转卡盘2的上方的水平面内水平移动。如图2所示，转动机构22沿着圆弧状的轨迹X1使液滴喷嘴5水平移动，该轨迹沿着保持在旋转卡盘2上的基板W的上表面延伸。轨迹X1是在从与保持在旋转卡盘2上的基板W的上表面垂直的垂直方向（铅垂方向）观察时连接不与基板W的上表面重叠的两个位置，并在从铅垂方向观察时通过基板W的上表面的旋转中心C1的曲线。当在液滴喷嘴5位于保持在旋转卡盘2上的基板W的上方的状态下，升降机构23使液滴喷嘴5下降时，液滴喷嘴喷嘴5接近基板W的上表面。在使处理液的液滴与基板W碰撞时，在液滴喷嘴5接近基板W的上表面的状态下，控制装置8控制转动机构22，来使液滴喷嘴5沿着轨迹X1水平移动。
如图1所示，第一保护液喷嘴6以及第二保护液喷嘴7保持在安装在喷嘴臂21上的喷嘴架24上。当转动机构22以及升降机构23中的至少一方使喷嘴臂21移动时，液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7在液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7的位置关系保持恒定的状态下移动。因此，当转动机构22使喷嘴臂21转动时，第一以及第二保护液喷嘴6、7与液滴喷嘴5一起沿着轨迹X1水平移动。
第一保护液喷嘴6与第一保护液供给管25相连接。第二保护液喷嘴7与第二保护液供给管28相连接。在第一保护液供给管25上安装有第一保护液阀（保护液供给单元）26。在第二保护液供给管28上安装有第二保护液阀（保护液供给单元）29。第一以及第二保护液供给管25、28分支连接在与保护液供给源相连接的保护液供给集合管31上。在保护液供给集合管31上安装有流量调整阀（保护液供给单元）30。
当关闭第二保护液阀29并打开第一保护液阀26时，仅从第一保护液喷嘴6向基板W的上表面喷出保护液。
在关闭第一保护液阀26并打开第二保护液阀29时，仅从第二保护液喷嘴7向基板W的上表面喷出保护液。
当第一以及第二保护液阀26、29都打开时，从第一以及第二保护液喷嘴6、7向基板W的上表面喷出保护液。此时，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的喷出流量彼此相等，另外，与仅从第一保护液喷嘴6喷出保护液的情况和仅从第二保护液喷嘴7喷出保护液的情况向比较，其喷出流量为一半。
另外，来自第一保护液喷嘴6的保护液的喷出流量、以及来自第二保护液喷嘴7的保护液的喷出流量能够通过控制装置8调整流量调整阀30的开度来变更。
作为向第一以及第二保护液喷嘴6、7供给的保护液，能够举出例如SC-1等药液或冲洗液。
图3是液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7的示意性的侧视图。图4是液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7的示意性的俯视图。图5是表示液滴喷嘴5和第一保护液喷嘴6的位置关系的示意性的俯视图。图6是表示液滴喷嘴5和第二保护液喷嘴7的位置关系的示意性的俯视图。在图4中，液滴喷嘴5仅示出其上表面5b，在图5以及图6中，仅示出其下表面5a（相向面）。另外，在图示的关系上，图5示出后述的喷射区域T1位于基板W的上表面中心部的情况，图6示出后述的喷射区域T1位于基板W的上表面周缘部的情况。以下，对液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7进行说明。首先，对液滴喷嘴5进行说明。
如图3所示，液滴喷嘴5包括：主体36，喷射处理液的液滴；罩部37，覆盖主体36；压电元件17，由罩部37覆盖；密封件38，安装在主体36和罩部37之间。主体36以及罩部37均由具有耐药性的材料形成。主体36例如由石英形成。罩部37例如由氟类树脂形成。密封件38例如由EPDM（三元乙丙橡胶）等弹性材料形成。主体36具有耐压性。主体36的一部分和压电元件17容纳在罩部37的内部。配线18的端部例如通过焊锡（solder）在罩部37的内部与压电元件17相连接。罩部37的内部由密封件38密闭。
如图3所示，主体36包括：供给口39，供给处理液；排出口40，对供给到供给口39的处理液进行排出；处理液流通路41，连接供给口39和排出口40；多个喷射口42，与处理液流通路41相连接。处理液流通路41设置在主体36的内部。供给口39、排出口40、以及喷射口42在主体36的表面开口。供给口39以及排出口40比喷射口42靠上方。主体36的下表面5a是例如水平的平坦面，喷射口42在主体36的下表面5a开口。喷射口42是例如具有数μm～数十μm的直径的微细孔。处理液供给管13以及处理液排出管15分别与供给口39以及排出口40相连接。
如图5以及图6所示，多个喷射口42构成多个（在图5以及图6中例如为4个）列L。各列L由以等间隔排列的多个（例如10个以上）喷射口42构成。各列L沿着水平的长度方向D5呈直线状延伸。各列L并不限于直线状，也可是曲线状。4个列L彼此平行。四个列L中的两个列L在与长度方向D5垂直的水平方向上相邻。同样，剩余的两个列L也在与长度方向D5垂直的水平的方向上相邻。相邻的两个列L成对。在一对的两个列L中，构成一个列L的多个喷射口42（图5以及图6的喷射口42a）和构成另一个列L的多个喷射口42（图5以及图6的喷射口42b）在长度方向D5上错开。液滴喷嘴5例如以在从铅垂方向观察时4个列L与轨迹X1交叉的方式保持在喷嘴臂21上（同时参照图2）。
处理液供给机构14（参照图1）总是以高压向液滴喷嘴5供给处理液。从处理液供给机构14经由处理液供给管13供给至供给口39的处理液被供给至处理液流通路41。在排出阀16被关闭的状态下，在处理液流通路41的处理液的压力（液压）高。因此，在排出阀16被关闭的状态下，利用液压从各喷射口42喷射处理液。进而，在排出阀16被关闭的状态下，当交流电压施加在压电元件17上时，对在处理液流通路41流动的处理液赋予压电元件17的振动，从各喷射口42喷射的处理液因该振动而分裂。因此，在排出阀16被关闭的状态下，当交流电压施加在压电元件17上时，处理液的液滴从各喷射口42喷射。由此，粒径均匀的大量处理液的液滴以均匀的速度同时喷射。
另一方面，在排出阀16被打开的状态下，供给至处理液流通路41的处理液从排出口40排出到处理液排出管15。即，在排出阀16被打开的状态下，在处理液流通路41内的液压未充分上升，所以供给到处理液流通路41的处理液不从作为微细孔的喷射口42喷射，而从排出口40排出到处理液排出管15。因此，是否从喷射口42喷出处理液由排出阀16的开闭控制。控制装置8在未将液滴喷嘴5用于基板W的处理的期间（液滴喷嘴5处于待机中），打开排出阀16。因此，即使液滴喷嘴5处于待机中，也维持处理液在液滴喷嘴5的内部流通的状态。
在要使处理液的液滴与基板W的上表面碰撞时，控制装置8利用喷嘴移动机构20（参照图1）使液滴喷嘴5移动，使液滴喷嘴5的下表面5a（主体36的下表面5a）与基板W的上表面接近。并且，控制装置8在液滴喷嘴5的下表面5a与基板W的上表面相向的状态下，关闭排出阀16使处理液流通路41的压力上升，并且，通过驱动压电元件17，对处理液流通路41内的处理液施加振动。由此，粒径均匀的大量的处理液的液滴以均匀的速度同时喷射。并且，如图3、图5以及图6所示，从液滴喷嘴5喷射的大量的液滴喷射到基板W的上表面内的两个喷射区域T1。即，一个喷射区域T1是一对的两个列L的正下方的区域，从构成该两个列L的喷射口42喷射的处理液的的液滴喷射到一个喷射区域T1。同样，另一个喷射区域T1是另一对的两个列L的正下方的区域，从构成该两个列L的喷射口42喷射的处理液的液滴喷射到另一个喷射区域T1。如图5以及图6所示，各喷射区域T1在俯视下是在长度方向D5延伸的长方形状，两个喷射区域T1平行。
接着，参照图3～图5对第一保护液喷嘴6进行说明。
第一保护液喷嘴6具有喷出保护液的第一喷出口43。第一喷出口43比液滴喷嘴5的上端靠下方。第一喷出口43例如为圆形。第一喷出口43并不限于圆形，也可以是楕圆形，也可以是狭缝状。
第一保护液喷嘴6以使所喷出的保护液向基板W的上表面的着落状态为第一着落状态的方式喷出保护液。具体地说，第一保护液喷嘴6向基板W上的第一着落位置P1喷出保护液。第一着落位置P1是在基板W的旋转方向Dr上比喷射区域T1更靠上游侧的位置。从第一着落位置P1至喷射区域T1的中央位置M为止的距离Dc1（参照图5）是例如15～40mm的规定的距离。第一喷出口43沿着朝向第一着落位置P1的第一喷出方向D1喷出保护液。换言之，来自第一喷出口43的保护液向基板W上的第一着落位置P1沿着第一喷出方向D1入射。第一喷出方向D1是从第一喷出口43朝向第一着落位置P1的方向，并是在俯视下从第一喷出口43朝向液滴喷嘴5的方向。第一喷出方向D1相对于长度方向D5倾斜。在俯视下长度方向D5和第一喷出方向D1所形成的角度（入射角度）θH1（参照图5）例如设定为在25～35度的范围内的规定的角度。
如图3所示，第一喷出方向D1相对于铅垂方向向喷射区域T1侧倾斜。即，第一着落位置P1在水平方向上比第一喷出口43更靠喷射区域T1侧，第一喷出方向D1相对于基板W的上表面倾斜。基板W的上表面和第一喷出方向D1所形成的角度（入射角度）θV1（参照图3）例如设定为在10～40度的范围内的规定的角度。
第二保护液喷嘴7具有喷出保护液的第二喷出口44。第二喷出口44比液滴喷嘴5的上端靠下方。第二喷出口44例如为圆形。第二喷出口44并不限于圆形，也可以是楕圆形，也可以是狭缝状。
第二保护液喷嘴7以使所喷出的保护液向基板W的上表面上的着落状态为第二着落状态的方式喷出保护液。具体地说，第二保护液喷嘴7向基板WW上的第二着落位置P2喷出保护液。第二着落位置P2是在基板W的旋转方向Dr上比喷射区域T1更靠上游侧的位置。从第二着落位置P2至中央位置M为止的距离De2（参照图6）是例如15～40mm的规定的距离。
第二喷出口44沿着朝向第二着落位置P2的第二喷出方向D2喷出保护液。换言之，来自第二喷出口44的保护液向基板W上的第二着落位置P2沿着第二喷出方向D2入射。第二喷出方向D2是从第二喷出口44朝向第二着落位置P2的方向，并是在俯视下从第二喷出口44朝向液滴喷嘴5的方向。第二喷出方向D2相对于长度方向D5倾斜。在俯视下长度方向D5和第二喷出方向D2所形成的角度（入射角度）θH2（参照图6）例如设定为在25～35度的范围内的规定的角度。
如图3所示，第二喷出方向D2相对于铅垂方向向喷射区域T1侧倾斜。即，第二着落位置P2在水平方向上比第二喷出口44更靠喷射区域T1侧，第二喷出方向D2相对于基板W的上表面倾斜。基板W的上表面和第二喷出方向D2所形成的角度（入射角度）θV2（参照图3）例如设定为在10～40度的范围内的规定的角度。
在喷嘴架24（参照图1）上安装有第一以及第二保护液喷嘴6、7。第一保护液喷嘴6的位置以及姿势（第一位置以及姿势）在喷射区域T1的位置配置在基板W的包含旋转中心C1的部分即基板W的上表面中心部的状态下变为最佳。即，第一着落状态（第一着落位置P1（参照图3）、角度θV1（参照图3）以及角度θH1（参照图5））是如在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的状态下，并在仅从第一保护液喷嘴6喷出保护液的情况下，该保护液最高效地遍及整个喷射区域T1那样的着落状态。换言之，第一保护液喷嘴6的第一位置以及姿势是如在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的状态下，并在仅从第一保护液喷嘴6喷出保护液的情况下，该保护液最高效地遍及整个喷射区域T1那样的位置以及姿势。
另外，第二保护液喷嘴7的位置以及姿势在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的状态下变为最佳。即，第二着落状态（第二着落位置P2（参照图3）、角度θV2（参照图3）以及角度θH2（参照图6））是如在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置的状态下，并在仅从第二保护液喷嘴7喷出保护液的情况下，该保护液最高效地遍及整个喷射区域区域T1那样的着落状态。换言之，第二保护液喷嘴7的第二位置以及姿势是如在基板W的上表面周缘部上配置有喷射区域T1的位置的状态下，并在仅从第二保护液喷嘴7喷出保护液的情况下，该保护液最高效地遍及整个喷射区域T1那样的位置以及姿势。
如图3以及图4所示，在基板处理装置1中，第一以及第二保护液喷嘴6、7的姿势彼此相同，并上下错开配置。换言之，第一以及第二保护液喷嘴6、7在俯视下彼此重复（在图4中，为了便于图示，示出错开一些的状态）。
即，在基板处理装置1中，第一保护液喷嘴6的喷出口43和第二保护液喷嘴7的喷出口44上下错开，其结果，第二着落位置P2位于比第一着落位置P1更接近喷射区域T1的位置（Dc1（参照图5）>De2（参照图6）。第二着落位置P2配置在连接第一喷出口43和第一着落位置P1的线段的延长线上。
另外，第一喷出方向D1是与第二喷出方向D2相同的方向。即，角度θV2（参照图3）与角度θV1（参照图3）相同，角度θH2（参照图6）与角度θH1（参照图5）相同。
此外，只要第一以及第二保护液喷嘴6、7的位置以及姿势在基板W的上表面中心部以及上表面周缘部分别变为最佳即可，第一以及第二保护液喷嘴6、7不仅可以使喷出口43、44的位置不同，而且可以使姿势也彼此不同。在该情况下，第一喷出方向D1也与第二喷出方向D2不同。另外，也能够以喷出的保护液的第一以及第二着落位置P1、P2共同的方式设置第一以及第二保护液喷嘴6、7。但是，在该情况下，需要使第一喷出方向D1和第二喷出方向D2彼此不同。
在使用基板处理装置1执行的第一以及第二处理例（后述）中，在基板W的包含上表面中心部的上表面内周区域（上表面中心部的周边区域）IR配置有喷射区域T1的位置的情况下，控制装置8不从第二保护液喷嘴7喷出保护液而仅从第一保护液喷嘴6喷出保护液，上表面部为含有基板W的旋转中心C1的部分。另外，在包含上表面周缘部的上表面外周区域（上表面周缘部的周边区域）OR配置有喷射区域T1的位置的情况下，控制装置8不从第一保护液喷嘴6喷出保护液，而仅从第二保护液喷嘴7喷出保护液。另外，控制装置8控制旋转卡盘2来使基板W旋转。
参照图1、图3以及图5，对在第一以及第二处理例中，在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的情况下的保护液的流动进行说明。
由于向处于旋转状态的基板W供给保护液，所以从第一保护液喷嘴6供给到基板W的上表面中心部的保护液因与基板W的接触而在径向（旋转半径方向）上被加速，并且在基板W的旋转方向Dr（参照图6）被加速。因此，从第一着落位置P1一边沿径向扩展一边在旋转方向上流动。第一喷出方向D1相对于铅垂方向倾斜，并且在基板W的中心部，基板W的旋转速度慢，所以供给到基板W的上表面中心部的保护液一边保持将第一着落位置P1作为定点之一的三角形状一边向宽范围扩展。
参照图1、图3以及图6，对在第一以及第二处理例中，在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置的情况下的保护液的流动进行说明。
由于向处于旋转状态的基板W供给保护液，所以从第二保护液喷嘴7供给到基板W的上表面周缘部的保护液因与基板W的接触而在径向（旋转半径方向）上被加速并且在基板W的旋转方向Dr上被加速。因此，供给到基板W上的保护液从第二着落位置P2一边在径向上扩展一边在旋转方向上流动。在基板W的周缘部，基板W的旋转速度快，所以供给到基板W的上表面周缘部的保护液以高速扩展成将第二着落位置P2作为顶点之一的角度小的锐角三角形状（沿基板W的周向的大致直线状）。
另外，在使用基板处理装置1执行的第三以及第四处理例（后述）中，与喷射区域T1的位置的移动（扫描）并行，控制装置8使保护液从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出。此时的来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的喷出流量彼此相等（喷出流量比1：1）。另外，控制装置8控制旋转卡盘2使基板W旋转。
参照图1、图3以及图5，对在第三以及第四处理例中，在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的情况下的保护液的流动进行说明。另外，对第二保护液喷嘴7也参照图6进行说明。
来自第一保护液喷嘴6的保护液着落在第一着落位置P1，来自第二保护液喷嘴7的保护液着落在第二着落位置P2。由于向旋转状态的基板W供给保护液，所以供给到基板W的保护液因与基板W的接触而在径向（旋转半径方向）上被加速，并且在基板W的旋转方向Dr（参照图6）上被加速。因因此，供给到基板W上的保护液从各着落位置P1、P2一边在径向上扩展一边在旋转方向上流动。第一以及第二喷出方向D1、D2相对于铅垂方向倾斜，并且在基板W的中心部，基板W的旋转速度慢，所以供给到基板W的上表面中心部的保护液一边保持将各着落位置P1、P2作为顶点之一的三角形状一边宽范围扩展。
参照图1、图3以及图6，对在第二处理例中，在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置的情况下的保护液的流动进行说明。另外，对于第一保护液喷嘴6也参照图5进行说明。
来自第一保护液喷嘴6的保护液着落在第一着落位置P1上，来自第二保护液喷嘴7的保护液着落在第二着落位置P2上。由于向旋转状态的基板W供给保护液，所以供给到基板W上的保护液因与基板W的接触而在径向（旋转半径方向）上被加速，并在基板W的旋转方向Dr上被加速。因此，供给到基板W上的保护液从各着落位置P1、P2一边在径向上扩展一边在旋转方向上流动。在基板W的周缘部，基板W的旋转速度快，所以供给到基板W的上表面周缘部上的保护液一边形成将各着落位置P1、P2作为顶点之一的角度小的锐角三角形状（沿基板W的周向的大致直线状）一边在径向上高速扩展。
图7A～7E是用于说明利用本发明的一实施方式的基板处理装置1进行的基板W的第一处理例的图。参照图1以及图7A～7E对第一处理例进行说明。
由例如直径300mm的圆形基板形成的未处理的基板W由搬送机械手（未图示）搬送，并使器件形成面即表面例如朝上载置在旋转卡盘2上。并且，控制装置8通过旋转卡盘2来保持基板W。然后，控制装置8控制旋转马达10，使旋转卡盘2所保持的基板W旋转。
接着，进行第一覆盖工序，即，从冲洗液喷嘴4向基板W供给作为冲洗液的一例的纯水，利用纯水覆盖基板W的上表面。具体地说，控制装置8一边利用旋转卡盘2使基板W旋转，一边打开冲洗液阀11，如图7A所示，从冲洗液喷嘴4向旋转卡盘2所保持的基板W的上表面中央部喷出纯水。从冲洗液喷嘴4喷出的纯水供给到基板W的上表面中央部，受到由基板W的旋转产生的离心力，沿着基板W的上表面向外方扩展。由此，在基板W的整个上表面上供给有纯水，形成覆盖基板W的整个上表面的纯水的液膜。并并且，当从打开冲洗液阀11起经过了规定时间时，控制装置8关闭冲洗液阀11，停止从冲洗液喷嘴4喷出纯水。
接着，并行进行从液滴喷嘴5向基板W供给作为处理液的一例的碳酸水的液滴来清洗基板的清洗工序和向基板W供给作为保护液的一例的SC-1来利用SC-1覆盖基板W的上表面的第二覆盖工序。也就是说，控制装置8如图7B以及图7C所示那样从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1且从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴，并且，一边使基板W以一定速度旋转一边利用喷嘴移动机构20使液滴喷嘴5沿着轨迹X1在中心位置Pc和周缘位置Pe之间多次往复（半扫描）。由于控制装置8一边使基板W旋转一边使液滴喷嘴5在中心位置Pc和周缘位置Pe之间移动，所以利用喷射区域T1扫描基板W的上表面，喷射区域T1的位置通过基板W的整个上表面。如在图2用实线所示那样，中心位置Pc是在俯视下液滴喷嘴5和基板W的上表面中心部重叠的位置，如在图2中用双点划线所示，周缘位置Pe是在俯视下液滴喷嘴5和基板W的上表面周缘部重叠的位置。
清洗工序以及第二覆盖工序结束后，进行从冲洗液喷嘴4向基板W供给作为冲洗液的一例的纯水，来冲洗掉在基板W上附着的液体或异物的冲洗工序。具体地说，控制装置8一边利用旋转卡盘2使基板W旋转，一边打开冲洗液阀11，如图7D所示那样从冲洗液喷嘴4向旋转卡盘2所保持的基板W的上表面中央部喷出纯水。从冲洗液喷嘴4喷出的纯水供给到基板W的上表面中央部，受到由基板W的旋转产生的离心力，沿着基板W的上表面向外方扩展。由此，在基板W的整个上表面供给有纯水，冲洗掉在基板W上附着的液体或异物。并且，当从打开冲洗液阀11起经过了规定时间时，控制装置8关闭冲洗液阀11来停止从冲洗液喷嘴4喷出纯水。
接着，进行使基板W干燥干燥的干燥工序（旋转干燥）。具体地说，控制装置8控制旋转马达10来使基板W以高旋转速度（例如数千rpm）旋转。由此，对在基板W附着的纯水作用有大的离心力，如图7E所示，在基板W上附着的纯水被甩到基板W的周围。这样一来，从基板W除去纯水，使基板W干燥。并且，在干燥工序进行规定时间后，控制装置8控制旋转马达10，停止利用旋转卡盘2使基板W旋转。然后，处理完的基板W由搬送机械手从旋转卡盘2搬出。
图8A～8H是用于对清洗工序以及第二覆盖工序进行说明的图。图9以及图10是表示第一以及第二保护液阀26、29的开闭动作的时序图。在图9中示出使喷射区域T1从基板W的上表面周缘部向上表面中心部移动的情况，在图10中示出使喷射区域T1从基板W的上表面中心部向上表面周缘部移动的情况。参照图1、图8A～8H、图9以及图10，对清洗工序以及第二覆盖工序进行说明。
控制装置8通过控制喷嘴移动机构20，如图8A所示，使液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7从基板W的旋转范围外的原始位置（Homeposition）（未图示）移动到旋转卡盘2的上方，且使液滴喷嘴5的下表面5a接近基板W的上表面周缘部。即，液滴喷嘴5配置在周缘位置Pe。
然后，控制装置8一边利用旋转卡盘2使基板W旋转，一边打开第二保护液阀29，如图8B所示，从第二保护液喷嘴7喷出SC-1。流量调整阀30的开度调整为，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的合计喷出流量为规定的少流量（小流量）的第一喷出流量（例如约0.5升/分钟），因此，从第二保护液喷嘴7喷出约0.5升/分钟的喷出流量的SC-1。
另外，控制装置8与从第二保护液喷嘴7喷出SC-1并行地从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴。具体地说，控制装置8在液滴喷嘴5的下表面5a接近基板W的上表面，并从第二保护液喷嘴7喷出SC-1的状态下，关闭排出阀16，并且，利用电压施加机构19将规定的频率的交流电压施加到液滴喷嘴5的压电元件17上。大量的碳酸水的液滴从液滴喷嘴5向下方喷射，由此，在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置。从第二保护液喷嘴7喷出的SC-1遍及在基板W的上表面周缘部配置的整个喷射区域T1，形成SC-1的液膜，从液滴喷嘴5向由该SC-1的液膜覆盖的喷射区域T1喷射大量的碳酸水的液滴。
进而，控制装置8如图8B所示，以一定的旋转速度使基板W旋转，并且一边以一定的喷出流量从第二保护液喷嘴7喷出SC-1，一边利用喷嘴移动机构20使液滴喷嘴5沿着基板W的上表面向中心位置Pc移动。由此，如图8C所示，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并且在基板W的上表面外周区域OR向基板W的旋转中心C1移动。
如图8D以及图9所示，在液滴喷嘴5通过中间位置Pm的时刻，控制装置8关闭第二保护液阀29停止从第二保护液喷嘴7喷出SC-1，并且打开第一保护液阀26从第一保护液喷嘴6喷出SC-1。
即，喷出保护液的保护液喷嘴从此前的第二保护液喷嘴7切换为第一保护液喷嘴6。如前述那样，流量调整阀30的开度被调整为，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的合计喷出流量为规定的少流量的第一喷出流量（例如约0.5升/分钟），所以从第一保护液喷嘴6喷出约0.5升/分钟的喷出流量的SC-1。从液滴喷嘴5持续喷射碳酸水的液滴，从第一保护液喷嘴6喷出的SC-1遍及在基板W的中间部M1配置的整个喷射区域T1，由此，形成覆盖整个喷射区域T1的SC-1的液膜。中间位置Pm是在俯视下液滴喷嘴5和基板W的中间部M1重叠的位置（更详细地说，喷射区域T1的中央位置M与基板W的中间部M1重叠的位置）。基板W的中间部M1是基板W的旋转中心C1和基板周缘之间的中间的部分（在直径300mm的基板W中，距旋转中心C1有75mm的位置）。
进而，控制装置8一边以一定的喷出流量从第一保护液喷嘴6喷出SC-1，一边持续进行在一定的旋转速度下的基板W的旋转、以及液滴喷嘴5向中心位置Pc的移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并且在上表面内周区域IR向基板W的旋转中心C1移动。
然后，如图8E所示，当液滴喷嘴5到达中心位置Pc时，控制装置8控制转动机构22使喷嘴臂21的摆动方向反转。因此，液滴喷嘴5开始从中心位置Pc向周缘位置Pe移动。由此，从液滴喷嘴5喷出碳酸水的液滴，且从第一保护液喷嘴6喷出SC-1，并且，液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7向周缘位置Pe移动。由此，如图8F所示，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，在上表面内周区域IR向基板W的周缘移动。
如图8G以及图10所示，在液滴喷嘴5通过中间位置Pm的时刻，控制装置8关闭第一保护液阀26停止从第一保护液喷嘴6喷出SC-1，并且打开第二保护液阀29从第二保护液喷嘴7喷出SC-1。
即，喷出保护液的保护液喷嘴从此前的第一保护液喷嘴6切换为第二保护液喷嘴7。由此，从第二保护液喷嘴7喷出约0.5升/分钟的喷出流量的SC-1。持续从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴，从第二保护液喷嘴7喷出的SC-1遍及在基板W的中间部M1配置的整个喷射区域T1，由此，形成覆盖整个喷射区域T1的SC-1的液膜。
进而，控制装置8一边使SC-1从第二保护液喷嘴7以一定的喷出流量喷出，一边持续进行在一定的旋转速度下的基板W的旋转、以及液滴喷嘴5的向周缘位置Pe的移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并且，在上表面外周区域OR向基板W的周缘移动。
然后，如图8H所示，当液滴喷嘴5到达周缘位置Pe时，控制装置8控制转动机构22使喷嘴臂21的摆动方向反转。由此，液滴喷嘴5开始从周缘位置Pe向中心位置Pc移动。
这样，控制装置8一边使基板W旋转一边使液滴喷嘴5在中心位置Pc和周缘位置Pe之间移动，因此，由喷射区域T1扫描基板W的上表面，喷射区域T1的位置通过基板W的整个上表面。
大量的碳酸水的液滴从液滴喷嘴5向下方喷射，由此，向由SC-1的液膜覆盖的喷射区域T1喷射大量的碳酸水的液滴。因此，向基板W的整个上表面喷射碳酸水的液滴。在基板W的上表面上附着的颗粒等异物因液滴与基板W的碰撞而被物理除去。另外，异物和基板W的结合力因SC-1使基板W溶解而减弱。因此，异物得以更可靠地被除去。另外，在基板W的整个上表面被液膜覆盖的状态下，碳酸水的液滴被喷射到喷射区域T1，因此，能够抑制或防止异物相对基板W的再附着。这样一来，进行第二覆盖工序以及清洗工序。
在清洗工序以及第二覆盖工序中，在进行扫描的喷射区域T1的位置配置在上表面内周区域IR的情况下，控制装置8不使保护液从第二保护液喷嘴7喷出，使保护液仅从第一保护液喷嘴6喷出。另外，如前述那样，第一保护液喷嘴6的位置以及姿势在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的状态下变为最佳。因此，无论喷射区域T1的位置配置在上表面内周区域IR的哪个位置，从第一保护液喷嘴6喷出的保护液遍及整个喷射区域T1，由此，形成覆盖整个喷射区域T1的SC-1的液膜。
另外，在清洗工序以及第二覆盖工序中，在进行扫描的喷射区域T1的位置配置在上表面外周区域OR的情况下，控制装置8不使保护液从第一保护液喷嘴6喷出，而使保护液仅从第二保护液喷嘴7喷出。另外，如前述那样，第二保护液喷嘴7的位置以及姿势在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的状态下变为最佳。因此，无论喷射区域T1的位置配置在上表面外周区域OR的哪个位置，从第二保护液喷嘴7喷出的保护液遍及整个喷射区域T1，由此，形成覆盖整个喷射区域T1的SC-1的液膜。
此外，上表面内周区域IR是指基板W的上表面上的比中间部M1靠内周侧的区域，上表面外周区域OR是指基板W的上表面上的比中间部M1靠外周侧的区域。
并且，当喷嘴臂21的往复摆动动作进行预定的次数时，控制装置8打开排出阀16来停止从液滴喷嘴5喷射液滴。进而，控制装置8关闭处于打开状态的第一或第二保护液阀26、29，来停止从第一或第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1。
图11是表示实施例1以及比较例1中，向基板W供给的保护液的流量和基板W的损伤数之间的关系的曲线图。
实施例1示出如前述的处理例1那样对喷出保护液的保护液喷嘴进行切换来执行第二覆盖工序以及清洗工序的情况，比较例1示出仅从第一保护液喷嘴6喷出保护液来执行第二覆盖工序以及清洗工序的情况。另外，设定在基板W的上表面形成有厚度37nm的多晶硅的薄膜。图11的损伤数是除了向基板W供给的保护液的流量外在相同的条件下处理基板W时的测定値。具体地说，要供给的保护液（SC-1）的液温为40℃，喷出时的保护液的流速为38m/s，基板的旋转速度为300rpm。另外，喷嘴臂21的一次的往复摆动动作（往复半扫描）所需要的时间为10sec，半扫描的执行次数为三次。
在比较例1中，在向基板W供给的保护液的流量小于0.7升/分钟时，损伤数多。相对于此，在实施例1中，即使向基板W供给的保护液的流量为0.5升/分钟，损伤数也极少。因此，在第一处理例的情况下，在不使向基板W供给的保护液的流量增大的情况下就能够抑制基板W的损伤。
通过以上所述，根据第一实施方式的第一处理例，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面内周区域IR时，仅从第一保护液喷嘴6喷出保护液。第一保护液喷嘴6以在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的状态下，从第一保护液喷嘴6喷出的保护液遍及整个喷射区域T1的方式变为最佳。因此，即使向基板W供给的保护液的流量为少流量，也能利用保护液的液膜覆盖在上表面内周区域IR配置的整个喷射区域T1。
另外，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面外周区域OR时，仅从第二保护液喷嘴7喷出保护液。第二保护液喷嘴7以在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的状态下，从第二保护液喷嘴7喷出的保护液遍及整个喷射区域T1的方式变为最佳。因此，即使向基板W供给的保护液的流量为少流量，也能利用保护液的液膜覆盖在上表面外周区域OR配置的整个喷射区域T1。
其结果，无论喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面上的哪个位置，通过向基板W供给少流量的保护液，都能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域T1。由此，在不使向基板W供给的保护液的流量增大的情况下就能够抑制基板W的损伤。
另外，在喷射区域T1的位置从基板W的上表面中心部向基板W的上表面周缘部移动的状态下，喷出保护液的保护液喷嘴从第一保护液喷嘴6切换为第二保护液喷嘴7。进而，在喷射区域T1的位置从基板W的上表面周缘部向基板W的上表面中心部移动的状态下，喷出保护液的保护液喷嘴从第二保护液喷嘴7切换为第一保护液喷嘴6。由此，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面内周区域IR的情况下，仅从第一保护液喷嘴6向基板W供给保护液，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面外周区域OR的情况下，仅从第二保护液喷嘴7向基板W供给保护液。因此，无论喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面上的哪个位置，都能够利用通过供给少流量的保护液而形成的保护液的液膜，覆盖整个喷射区域T1。
但是，在处理例1中存在如下问题。
即，在喷射区域T1的位置从基板W的上表面周缘部向基板W的上表面中心部移动的状态下，在第二保护液喷嘴7停止喷出的时刻比第一保护液喷嘴6开始喷出的时刻提前的情况下，可能产生从第一以及第二保护液喷嘴6、7都不喷出保护液的期间。在该期间中，由于没有通过保护液来保护基板W的上表面，因此其结果，有可能对基板W造成损伤。
在喷射区域T1的位置从基板W的上表面中心部向基板W的上表面周缘部移动的状态下，在第一保护液喷嘴6停止喷出的时刻比第二保护液喷嘴7开始喷出的时刻提前的情况下，也可能产生同样的问题。
为了解决上述问题，能够采用如下所述的第二处理例。
图12A～12L是用于对利用基板处理装置1进行的第二处理例进行说明的图。图13以及图14是表示第一以及第二保护液阀26、29的开闭动作的时序图。图13表示使喷射区域T1从基板W的上表面周缘部向上表面中心部移动的情况，图14表示使喷射区域T1从基板W的上表面中心部向上表面周缘部的移动的情况。
图12A～12L表示第二处理例中的清洗工序以及第二覆盖工序。第二处理例中与第一处理例不同的仅是清洗工序以及第二覆盖工序。除此之外的工序与第一处理例的情况同样，故省略说明。参照图1、图12A～12L、图13以及图14，对第二处理例中的清洗工序以及第二覆盖工序进行说明。
控制装置8通过控制喷嘴移动机构20，如图12A所示，使液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7从基板W的旋转范围外的原始位置（未图示）向旋转卡盘2的上方移动，且使液滴喷嘴5的下表面5a接近基板W的上表面周缘部。即，液滴喷嘴5配置在周缘位置Pe。
然后，控制装置8一边利用旋转卡盘2使基板W旋转，一边打开第二保护液阀29，如图12B所示，从第二保护液喷嘴7喷出SC-1。从第二保护液喷嘴7喷出约0.5升/分钟的喷出流量的SC-1。
另外，与从第二保护液喷嘴7喷出SC-1并行，控制装置8使碳酸水的液滴从液滴喷嘴5喷射。通过从液滴喷嘴5向下方喷射大量的碳酸水的液滴，在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置。从第二保护液喷嘴7喷出的SC-1遍及在基板W的上表面周缘部配置的整个喷射区域T1，形成SC-1的液膜，从液滴喷嘴5向由该SC-1的液膜覆盖的喷射区域T1喷射大量的碳酸水的液滴。
进而，控制装置8如图12B所示那样，以一定的旋转速度使基板W旋转，并一边以一定的喷出流量从第二保护液喷嘴7喷出SC-1，一边利用喷嘴移动机构20使液滴喷嘴5沿着基板W的上表面向中心位置Pc移动。由此，如图12C所示，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并在基板W的上表面外周区域OR向基板W的旋转中心C1移动。
图12D以及图13所示，在液滴喷嘴5通过比中间位置Pm更靠外周的规定位置的时刻（更详细地说，喷射区域T1的中央位置M通过基板W的上表面上的比中间部M1更靠外周的外侧部分M2的时刻），控制装置8将第第二保护液阀29维持在打开状态，并打开第一保护液阀26从第一保护液喷嘴6喷出SC-1。由此，第一以及第二保护液喷嘴6、7开始同时喷出SC-1。如前述那样，流量调整阀30的开度调整为，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的合计喷出流量为规定的少流量的第一喷出流量（例如约0.5升/分钟），所以从第一以及第二保护液喷嘴6、7分别喷出约0.25升/分钟的喷出流量的SC-1。
持续从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴，从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出的SC-1遍及在基板W的上表面的外侧部分M2配置的整个喷射区域T1，由此，形成覆盖整个喷射区域T1的SC-1的液膜。
然后，控制装置8一边以一定的喷出流量从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1，一边持续进行在一定的旋转速度下的基板W的旋转、以及液滴喷嘴5的向中心位置Pc的移动。由此，如图12E所示，液滴喷嘴5到达中间位置Pm，然后，进一步沿着基板W的上表面朝向中心位置Pc移动。
并且，如图12F以及图13所示，在液滴喷嘴5通过比中间位置Pm更靠内周的规定位置的时刻（更详细地说，喷射区域T1的中央位置M在基板W的上表面上通过比中间部M1更靠内周的内侧部分M3的时刻），控制装置8关闭第二保护液阀29停止从第二保护液喷嘴7喷出SC-1。由此，结束由第一以及第二保护液喷嘴6、7同时喷出SC-1，之后，仅从第一保护液喷嘴6喷出SC-1。如前述那样，流量调整阀30的开度被调整为，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的合计喷出流量为规定的少流量的第一喷出流量（例如约0.5升/分钟），因此，此时从第一保护液喷嘴6喷出约0.5升/分钟的喷出流量的SC-1。
进而，控制装置8一边以一定的喷出流量从第一保护液喷嘴6喷出SC-1，一边持续进行在一定的旋转速度下的基板W的旋转、以及液滴喷嘴5的向中心位置Pc的移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并在上表面内周区域IR向基板W的旋转中心C1移动。
然后，如图12G所示，当液滴喷嘴5到达中心位置Pc时，控制装置8控制转动机构22来使喷嘴臂21的摆动方向反转。由此，液滴喷嘴5开始从中心位置Pc向周缘位置Pe移动。然后，从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴且从第一保护液喷嘴6喷出SC-1，并且，液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7向周缘位置Pe移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并从基板W的上表面中心部向上表面周缘部移动。
然后，从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴且从第一保护液喷嘴6喷出SC-1，并且如图12H所示，液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7向周缘位置Pe移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并在上表面内周区域IR向基板W的周缘移动。
如图12I以及图14所示，在液滴喷嘴5通过比中间位置Pm更靠内周的规定位置的时刻（更详细地说，喷射区域T1的中央位置M通过基板W的上表面的内侧部分M3的时刻），控制装置8将第一保护液阀26维持在打开状态，并打开第二保护液阀29从第二保护液喷嘴7喷出SC-1。由此，开始通过第一以及第二保护液喷嘴6、7同时喷出SC-1。此时，从第一以及第二保护液喷嘴6、7分别喷出约0.25升/分钟的喷出流量的SC-1。
持续从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴，从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出的SC-1遍及在基板W的上表面的内侧部分M3配置的整个喷射区域T1，由此，形成覆盖整个喷射区域T1的SC-1的液膜。
然后，控制装置8一边以一定的喷出流量从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1，一边持续进行在一定的旋转速度下的基板W的旋转、以及液滴喷嘴5向周缘位置Pe的移动。由此，如图12J所示，液滴喷嘴5到达中间位置Pm，之后进一步沿着基板W的上表面向周缘位置Pe移动。
并且，如图12K以及图14所示，在液滴喷嘴5通过比中间位置Pm更靠外周的规定位置的时刻（更详细地说，喷射区域T1的中央位置M通过基板W的上表面的外侧部分M2的时刻），控制装置8关闭第一保护液阀26而停止从第一保护液喷嘴6喷出SC-1。由此，结束通过第一以及第二保护液喷嘴6、7同时喷出SC-1，之后仅从第二保护液喷嘴7喷出SC-1。此时，从第二保护液喷嘴7喷出约0.5升/分钟的喷出流量的SC-1。
进而，控制装置8一边以一定的喷出流量从第二保护液喷嘴7喷出SC-1，一边持续进行在一定的旋转速度下的基板W的旋转、以及液滴喷嘴5向周缘位置Pe的移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并在上表面外周区域OR向基板W的周缘移动。
然后，如图12L所示，当液滴喷嘴5到达周缘位置Pe时，控制装置8控制转动机构22来使喷嘴臂21的摆动方向反转。由此，液滴喷嘴5开始从周缘位置Pe向中心位置Pc移动。
喷射区域T1（液滴喷嘴5）从基板W的上表面周缘部至基板W的上表面中心部的移动所需的期间、以及喷射区域T1（液滴喷嘴5）从基板W的上表面中心部至基板W的上表面周缘部的移动所需的期间分别设定为5.0秒的情况下，从第一以及第二保护液喷嘴6、7同时喷出保护液的期间（在第一以及第二保护液阀26、29中的一个处于打开状态的情况下，从打开第一以及第二保护液阀26，29中的另一个起到关闭第一以及第二保护液阀26、29中的一个的期间）设定为例如0.2秒。
并且，当喷嘴臂21的往复摆动动作进行预定的次数时，控制装置8打开排出阀16而停止从液滴喷嘴5喷射液滴。进而，控制装置8关闭处于打开状态的第一或第二保护液阀26、29，停止从第一或第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1。
通过以上所述，根据该第二处理例，在停止从第二保护液喷嘴7喷出之前，开始从第一保护液喷嘴6喷出保护液，且在停止从第一保护液喷嘴6喷出之前，开始从第二保护液喷嘴7喷出保护液。换言之，使从第一保护液喷嘴6喷出保护液的喷出期间与从第二保护液喷嘴7喷出保护液的喷出期间一部重复。由此，在第一保护液喷嘴6和第二保护液喷嘴7之间切换喷出保护液的保护液喷嘴时，能够设置同时从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出保护液的期间，能够可靠防止在切换喷出保护液的保护液喷嘴时发生从第一以及第二保护液喷嘴6、7都不喷出保护液的状态。
图15A～15E是用于对利用图1所示的基板处理装置进行的第三处理例进行说明的图。图15A～15E示出第三处理例中的清洗工序以及第二覆盖工序。第三处理例中与第一处理例不同的仅是清洗工序以及第二覆盖工序。除此之外的工序与第一处理例的情况同样，故省略说明。参照图1、图15A～15E对第三处理例中的清洗工序以及第二覆盖工序进行说明。
控制装置8通过控制该hi喷嘴移动机构20，如图15A所示，使液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7从基板W的旋转范围外的原始位置（未图示）移动到旋转卡盘2的上方，且使液滴喷嘴5的下表面5a接近基板W的上表面周缘部。即，液滴喷嘴5配置在周缘位置Pe。
然后，控制装置8一边通过旋转卡盘2使基板W旋转，一边打开第一以及第二保护液阀26、29，从第一以及第二的保护液喷嘴6、7都喷出SC-1。在该处理例3中，流量调整阀30的开度被调整为，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的合计喷出流量为小流量即规定的流量AF（例如约1.3升/分钟）。此时，从第一以及第二保护液喷嘴6、7分别喷出约0.65升/分钟的喷出流量的SC-1。
另外，与从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1并行，控制装置8使碳酸水的液滴从液滴喷嘴5喷射。具体地说，控制装置8在液滴喷嘴5的下表面5a接近基板W的上表面，并从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1的状态下，关闭排出阀16，并通过电压施加机构19将规定的频率的交流电压施加在液滴喷嘴5的压电元件17上。大量的碳酸水的液滴从液滴喷嘴5向下方喷射，由此在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置。从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出的SC-1遍及在基板W的上表面周缘部配置的整个喷射区域T1，形成SC-1的液膜，从液滴喷嘴向由该SC-1的液膜覆盖的喷射区域T1喷射大量的碳酸水的液滴。
进而，如图15B所示，控制装置8使基板W以一定的旋转速度旋转，并且一边以一定的喷出流量（流量AF）从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1，一边利用喷嘴移动机构20使液滴喷嘴5沿着基板W的上表面向中心位置Pc移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并且在基板W的上表面向基板W的旋转中心C1移动。
然后，如图15C所示，当液滴喷嘴5到达中心位置Pc时，控制装置8控制转动机构22来使喷嘴臂21的摆动方向反转。因此，液滴喷嘴5开始从中心位置Pc向周缘位置Pe移动。由此，从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴，且从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1，并且，液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7向周缘位置Pe移动。由此，如图15D所示，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并且，在基板W的上表面向基板W的周缘移动。
然后，如图15E所示，当液滴喷嘴5到达周缘位置Pe时，控制装置8控制转动机构22来使喷嘴臂21的摆动方向反转。由此，液滴喷嘴5开始从周缘位置Pe向中心位置Pc移动。
这样，控制装置8一边使基板W旋转，一边在中心位置Pc和周缘位置Pe之间使液滴喷嘴5移动，因此，利用喷射区域T1扫描基板W的上表面，喷射区域T1的位置通过基板W的整个上表面。
大量的碳酸水的液滴从液滴喷嘴5向下方喷射，由此向由SC-1的液膜覆盖的喷射区域T1喷射大量的碳酸水的液滴。因此，向基板W的整个上表面喷射碳酸水的液滴。在基板W的上表面附着的颗粒等的异物因液滴与基板W的碰撞而被物理除去。另外，异物和基板W之间的结合力因SC-1使基板W溶解而减弱。因此，异物被更可靠地除去。另外，在基板W的整个上表面被液膜覆盖的状态下，碳酸水的液滴喷射到喷射区域T1，因此能够抑制或防止异物向基板W的再附着。这样进行第二覆盖工序以及清洗工序。
并且，当喷嘴臂21的往复摆动动作进行预定的次数时，控制装置8打开排出阀16而停止从液滴喷嘴5喷射液滴。进而，控制装置8关闭处于打开状态的第一以及第二保护液阀26、29而停止从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1。
图16A是概略表示在基板W的上表面的各处，喷射区域T1的位置距旋转中心C1的距离和到达喷射区域T1的保护液的流量之间的关系的曲线图。
第一保护液喷嘴6的位置以及姿势（第一位置以及姿势）在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的状态下变为最佳。在该情况下，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部时，向基板W供给的保护液被高效地供给到喷射区域T1。但是，随着喷射区域T1的位置距旋转中心C1的距离变大（随着喷射区域T1的位置向基板W的周缘移动），到达喷射区域T1的保护液的流量呈反比例减少。并且，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部时，仅少许的流量的保护液到达喷射区域T1。在该情况下，为了使从第一保护液喷嘴6供给的保护液遍及在基板W的上表面周缘部配置的喷射区域T1，必须从第一保护液喷嘴6喷出大流量的保护液。
第二保护液喷嘴7的位置以及姿势（第二位置以及姿势）在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的状态下变为最佳。在该情况下，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部时，供给到基板W的保护液高效地供给到喷射区域T1。但是，随着在喷射区域T1的位置距旋转中心C1心C1的距离变小（随着喷射区域T1的位置向基板W的旋转中心C1移动），到达喷射区域T1的保护液的流量呈反比例减少。并且，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部时，仅少许的流量的保护液到达喷射区域T1。在该情况下，为了使从第二保护液喷嘴7供给的保护液遍及在基板W的上表面中心部配置的喷射区域T1，必须从第二保护液喷嘴7喷出大流量的保护液。
在处理例3中，在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的状态下，从第一保护液喷嘴6喷出的保护液有效发挥功能，向喷射区域T1高效地供给保护液。另外，在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置的状态下，从第二保护液喷嘴7喷出的保护液有效发挥功能，向喷射区域T1高效地供给保护液。
并且，在基板W的旋转中心C1和上表面周缘部之间的部分配置有喷射区域T1的位置的状态下，从各保护液喷嘴6、7喷出的保护液向喷射区域T1的供给效率不高，而为了第一以及第二保护液喷嘴6、7在彼此不同的位置变为最佳，不少的合计供给流量供给到喷射区域T1。此外，在喷射区域T1配置在基板W上表面的中间部M1时，从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出的SC-1供给到喷射区域T1的效率最低。
图16B是表示实施例2以及比较例2中的向基板W供给的保护液的流量和基板W的损伤数之间的关系的曲线图。
实施例2示出如前述的处理例3那样从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出保护液来执行第二覆盖工序以及清洗工序的情况，比较例2示出仅从第一保护液喷嘴6喷出保护液来执行第二覆盖工序以及清洗工序的情况。另外，假设在基板W的上表面上形成有厚度为37nm的多晶硅的薄膜。图16B的损伤数是除了向基板W供给的保护液的流量外在相同的条件下处理基板W时的测定値。具体地说，基板的旋转速度为300rpm。另外，喷嘴臂21的一次往复摆动动作（往复半扫描）所需的时间为15sec，半扫描的执行次数为2次。
在比较例2中，向基板W供给的保护液的流量小于1.8升/分钟时，损伤数多。相对于此，在实施例2中，即使向基板W供给的保护液的流量为1.1升/分钟，损伤数也极少。因此，在第三处理例的情况下，在不增大向基板W板W供给的保护液的流量的情况下就能抑制基板W的损伤。
通过以上所述，根据第三处理例，与喷射区域T1的移动并行地从第一以及第二保护液喷嘴6、7这两者喷出保护液。第一保护液喷嘴6的位置以及姿势以在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的状态下，从第一保护液喷嘴6喷出的保护液遍及整个喷射区域T1的方式变为最佳。另外，第二保护液喷嘴7的位置以及姿势以在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的状态下，从第二保护液喷嘴7喷出的保护液遍及整个喷射区域T1的方式变为最佳。
因此，在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的状态下，从第一保护液喷嘴6喷出的保护液向喷射区域T1高效地供给，在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置的状态下，从第二保护液喷嘴7喷出的保护液向喷射区域T1高效地供给。另外，在基板W的旋转中心C1和上表面周缘部之间的部分配置有喷射区域T1的位置的状态下，为了第一以及第二保护液喷嘴6、7在彼此不同的位置变为最佳，不少的合计供给流量供给到喷射区域T1。因此，即使向基板W供给的保护液的流量为少流量（流量AF），也能利用保护液的液膜覆盖在基板W的旋转中心C1和上表面周缘部之间的部分配置的整个喷射区域T1。
其结果，即使在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面的任意位置的情况下，也能通过向基板W供给少流量的保护液，利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域T1。由此，不增大向基板W供给的保护液的流量就能够抑制基板W的损伤。
图17A～17C是用于对利用基板处理装置1进行的基板W的第四处理例进行说明的图。在图17A～17C中，示出第四处理例中的清洗工序以及第二覆盖工序。第四处理例中与第一处理例不同的仅是清洗工序以及第二覆盖工序。除此之外的工序与第一处理例的情况相同，故省略说明。参照图1、图17A～17C，对第四处理例中的清洗工序以及第二覆盖工序进行说明。
第四处理例的清洗工序以及第二覆盖工序与第三处理例的清洗工序以及第二覆盖工序区别之处在于，根据基板W的上表面内的喷射区域T1的位置变化，使从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出的保护液的流量变化。更具体地说，不同之处在于，相比喷射区域T1配置在基板W的上表面中心部的的情况，在喷射区域T1配置在基板W的上表面周缘部的情况下，从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出更大流量的保护液。
控制装置8通过控制喷嘴移动机构20，使液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7从基板W的旋转范围外的原始位置（未图示）移动到旋转卡盘2的上方，且使液滴喷嘴5的下表面5a接近基板W的上表面周缘部。即，液滴喷嘴5配置在周缘位置Pe。
然后，控制装置8一边通过旋转卡盘2使基板W旋转，一边打开第一以及第二保护液阀26、29，从第一以及第二保护液喷嘴6、7都喷出SC-1。如前述那样，流量调整阀30的开度被调整为，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的合计喷出流量为规定的少流量AF1（例如约1.0升/分钟）。具体地说，此时从第一以及第二保护液喷嘴6、7分别喷出约0.5升/分钟的喷出流量的SC-1。
另外，与从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1并行，控制装置8使碳酸水的液滴从液滴喷嘴5喷射。大量的碳酸水的液滴从液滴喷嘴5向下方喷射，由此在基板W的上表面周缘部上配置有喷射区域T1的位置。从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出的SC-1遍及在基板W的上表面周缘部配置的整个喷射区域T1，形成SC-1的液膜，从液滴喷嘴5向由该SC-1的液膜覆盖的喷射区域T1喷射大量的碳酸水的液滴。
进而，如图17A所示，控制装置8使基板W以一定的旋转速度旋转，并且，利用喷嘴移动机构20使液滴喷嘴5沿着基板W的上表面向中心位置Pc移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并在基板W的上表面上向基板W的旋转中心C1移动。
随着喷射区域T1从基板W的周缘离开，控制装置8使调整阀30的开度渐渐扩大，而使来自第一保护液喷嘴6以及第二保护液喷嘴7的保护液的喷出流量增大。
如图17B所示，在液滴喷嘴5通过中间位置Pm的状态（具体地说，喷射区域T1的中央位置M通过基板W上表面的中间部M1的状态）下，流量调整阀30的开度扩大为，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的合计喷出流量为规定的第二流量AF2（例如约1.3升/分钟）。此时，从第一以及第二保护液喷嘴6、7分别喷出约0.65升/分钟的喷出流量的SC-1。此外，基板W的中间部M1是基板W的旋转中心C1和基板W周缘之间的中间的部分（在直径300mm的基板W中，距离旋转中心C1有75mm的位置）。
在喷射区域T1通过基板W上表面的中间部M1后，随着喷射区域T1接近基板W的旋转中心C1，控制装置8使调整阀30的开度渐渐缩小，使来自第一保护液喷嘴6以及第二保护液喷嘴7的保护液的喷出流量减少。
如图17C所示，在液滴喷嘴5到达中心位置Pc的状态下，流量调整阀30的开度被缩小为，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的保护液的合计喷出流量为规定的第三流量AF3（例如约0.7升/分钟）。此时，从第一以及第二保护液喷嘴6、7分别喷出约0.35升/分钟的喷出流量的SC-1。
另外，当液滴喷嘴5到达中心位置Pc时，控制装置8控制转动机构22使喷嘴臂21的摆动方向反转。因此，液滴喷嘴5开始从中心位置Pc向周缘位置Pe移动。由此，从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴且从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1，液滴喷嘴5和第一以及第二保护液喷嘴6、7向周缘位置Pe移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并在基板W的上表面上向基板W的周缘移动。直到喷射区域T1到达基板W上表面的中间部M1为止，随着喷射区域T1从基板W的旋转中心C1离开，控制装置8使调整阀30的开度渐渐扩大，在喷射区域T1通过基板W上表面的中间部M1后，随着喷射区域T1接近基板W的周缘，控制装置8使调整阀30的开度渐渐缩小。
并且，当喷嘴臂21的往复摆动动作进行预定的次数时，控制装置8打开排出阀16而停止从液滴喷嘴5喷射液滴。进而，控制装置8关闭处于打开状态的第一以及第二保护液阀26、29，停止从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出SC-1。
如前述那样，在喷射区域T1配置在基板W上表面的中间部M1上时，从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出的SC-1向喷射区域T1供给的效率最低。在这样的位置配置喷射区域T1的情况下，使来自第一或第二保护液喷嘴6、7的喷出流量为最大的第二流量AF2（例如约1.3升/分钟），所以即使在喷射区域T1配置在基板W上表面的中间部M1的情况下，也能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域T1。
另外，在喷射区域T1配置在基板W的上表面中心部以及上表面周缘部时，从第一以及第二保护液喷嘴6、7喷出的SC-1高效地向喷射区域T1供给，因此能够使来自第一或第二保护液喷嘴6、7的喷出流量降低。特别是，在喷射区域T1配置在基板W的上表面中心部的情况下，来自第一以及第二保护液喷嘴6、7的SC-1高效地导向喷射区域T1，即使将向基板W供给的SC-1的流量降低到第三流量AF3（例如约0.7升/分钟），也能够由保护液的液膜覆盖整个喷射区域T1。由此，能够抑制基板W的损伤并进一步降低向基板W供给的保护液的总流量。
图18是示意性地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置201的结构的图。在图18中，对与第一实施方式的基板处理装置1共同的部分标注相同的附图标记，而省略说明。
第二实施方式的基板处理装置201除了保护液喷嘴外，具有与第一实施方式的基板处理装置1共同的结构。即，基板处理装置201取代第一实施方式的第一以及第二保护液喷嘴6、7，而具有第三保护液喷嘴206和使第三保护液喷嘴206的位置以及姿势变更的喷嘴变更机构207。
第三保护液喷嘴206保持在安装在喷嘴臂21上的喷嘴架24上。因此，当转动机构22使喷嘴臂21转动时，第三保护液喷嘴206与液滴喷嘴5一起沿着轨迹X1（参照图2）水平移动。喷嘴变更机构207变更喷嘴架24的位置和相对于旋转卡盘2的铅垂方向以及水平方向的角度，来变更第三保护液喷嘴206的位置以及姿势。
第三保护液喷嘴206与安装有第三保护液阀226以及流量调整阀227的第三保护液供给管225相连接。当第三保护液阀226打开时，从第三保护液喷嘴206向基板W的上表面喷出保护液。另一方面，当第三保护液阀226关闭时，停止从第三保护液喷嘴206喷出保护液。控制装置8对流量调整阀227的开度调整，来变更来自第三保护液喷嘴206的保护液的喷出速度。作为向第三保护液喷嘴206供给的保护液，能够举出例如冲洗液、SC-1等药液。
第三保护液喷嘴206具有喷出保护液的第三喷出口243（图19～图22）。第三喷出口243比液滴喷嘴5的上端靠下方。第三喷出口243例如为圆形。第三喷出口243并不限于圆形，也可以是楕圆形，也可以是狭缝状。
在该基板处理装置201中，能够根据喷射区域T1在基板W的上表面上的位置，变更第三保护液喷嘴206的位置以及姿势中的至少一方。在使用了基板处理装置201的第五处理例（后面叙述），根据喷射区域T1在基板W的上表面上的位置，使第三保护液喷嘴206上下移动。
图19以及图20是表示在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的情况下的液滴喷嘴5和第三保护液喷嘴206之间的位置关系的示意性的图。图19为侧视图，图20为俯视图。
在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的情况下，第三保护液喷嘴206向基板W上的第三着落位置P3喷出保护液。将该图19以及图20所示的第三保护液喷嘴206的位置以及姿势称为“第一位置以及姿势”。
第三着落位置P3是在基板W的旋转方向Dr上比喷射区域T1靠上游侧的位置。从第三着落位置P3至喷射区域T1的中央位置M的距离Dc3（参照图20）例如为15～40mm的规定的距离。第三喷出口243沿着朝向第三着落位置P3的第三喷出方向D3喷出保护液。换言之，来自第三喷出口243的保护液向基板W上的第三着落位置P3沿着第三喷出方向D3入射。第三喷出方向D3是从第三喷出口243朝向第三着落位置P3的方向，并且，是在俯视下从第三喷出口243朝向液滴喷嘴5的方向。第三喷出方向D3相对于长度方向D5倾斜。在俯视下长度方向D5和第三喷出方向D3所形成的角度θH3（参照图20）被设定为例如在25～35度的范围内的规定的角度。
如图19所示，第三喷出方向D3相对于铅垂方向向喷射区域T1侧倾斜。即，第三着落位置P3在水平方向上比第三喷出口243更靠喷射区域T1侧，第三喷出方向D3相对于基板W的上表面倾斜。基板W的上表面和第三喷出方向D3所形成的角度（入射角度）θV3（参照图19）被设定为例如在10～40度的范围内的规定的角度。
图21以及图22是表示在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的情况下的液滴喷嘴5和第三保护液喷嘴206之间的置关系的示意图。图21为侧视图，图22为俯视图。
在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的情况下，第三保护液喷嘴206向基板W上的第四着落位置P4喷出保护液。将该图21以及图22所示的第三保护液喷嘴206的位置以及姿势称为“第二位置以及姿势”。
第四着落位置P4是在基板W的旋转方向Dr上比喷射区域T1更靠上游侧的位置。从第四着落位置P4至喷射区域T1的中央位置M的距离De4（参照图22）为例如15～40mm的规定的距离。第三喷出口243沿着朝向第四着落位置P4的第四喷出方向D4喷出保护液。换言之，来自第三喷出口243的保护液沿着第四喷出方向D4向基板W上的第四着落位置P4入射。第四喷出方向D4是从第三喷出口243朝向第四着落位置P4的方向，并且是在俯视下从第三喷出口243朝向液滴喷嘴5的方向。第四喷出方向D4相对于长度方向D5倾斜。在俯视下长度方向D5和第四喷出方向D4所形成的角度θH4（参照图22）被设定为例如在25～35度的范围内的规定的角度。
如图21所示，第四喷出方向D4相对于铅垂方向向喷射区域T1侧倾斜。即，第四着落位置P4在水平方向上比第三喷出口243更靠喷射区域T1侧，第四喷出方向D4相对于基板W的上表面倾斜。基板W的上表面和第四喷出方向D4所形成的角度（入射角度）θV4（参照图21）例如被设定为在10～40度的范围内的规定的角度。
第三保护液喷嘴206的第一位置以及姿势在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的状态下变为最佳。即，第三着落位置P3（参照图19）、角度θV3（参照图19）以及角度（入射角度）θH3（图20参照）是如在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的状态下，在从第三保护液喷嘴206喷出保护液的情况下，该保护液最高效地遍及整个喷射区域T1那样的着落状态。换言之，第三保护液喷嘴206的第一位置以及姿势是如在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的状态下，在第三保护液喷嘴206喷出保护液的情况下，该保护液最高效遍及整个喷射区域T1那样的位置以及姿势。
另外，第三保护液喷嘴206的第二位置以及姿势在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的状态下变为最佳。即，第四着落位置P4（图21参照）、角度θV4（参照图21）以及角度（入射角度）θH4（参照图22）是如在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置的状态下，在从第三保护液喷嘴206喷出保护液的情况下，该保护液最高效地遍及整个喷射区域T1那样的着落状态。换言之，第三保护液喷嘴206的第二位置以及姿势是如在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置的状态下，在第三保护液喷嘴206喷出保护液的情况下，该保护液最高效地遍及整个喷射区域T1那样的位置以及姿势。
在基板处理装置201的第三处理例中，第三保护液喷嘴206在位于第一位置以及姿势的情况和位于第二位置以及姿势的情况下，其姿势相互相同，其配置位置上下错开。因此，在位于第一位置以及姿势的情况和位于第二位置以及姿势的情况下，喷出口243的配置位置上下错开，其结果，第四着落位置P4位于比第三着落位置P3更靠喷射区域T1的位置（Dc3（参照图20）>De4（参照图22））。第四着落位置P4配置在连接喷出口243和第三着落位置P3的线段的延长线上。
另外，第三喷出方向D3为与第四喷出方向D4相同的方向。即，角度θV4（参照图21）与角度θV3（参照图19）相同，角度θH4（参照图22）与角度θH3（参照图20）相同。
此外，只要第三保护液喷嘴206的第一位置以及姿势和第二位置以及姿势分别在基板W的上表面中心部以及上表面周缘部变为最佳即可，可以在第三保护液喷嘴206的第一位置以及姿势和第二位置以及姿势之间，不仅使第三保护液喷嘴206的喷出口243的位置不同，而且使第三保护液喷嘴206的姿势也彼此不同。在该情况下，第三喷出方向D3也与第四喷出方向D4不同。
另外，也可以以要喷出的保护液的着落位置P3、P4共通（相同）的方式，设定第一以及第二位置以及姿势。其中，在该情况下，需要使第三喷出方向D3和第四喷出方向D4相互不同。
参照图18～图20，对在基板W的上表面中心部配置有喷射区域T1的位置的情况下的保护液的流动进行说明。控制装置8一边利用旋转卡盘2使基板W旋转，一边从位于第一位置以及姿势的第三保护液喷嘴206喷出保护液。由于向旋转状态的基板W供给保护液，所以供给到基板W上的保护液因与基板W的接触而在径向（旋转半径方向）上被加速，并且在基板W的旋转方向Dr（参照图22）上被加速。因此，供给到基板W上的保护液一边从第三着落位置P3在径向上扩展一边在旋转方向上流动。由于第三喷出方向D3相对于铅垂方向倾斜，且在基板W的中心部，基板W的旋转速度慢，因此，供给到基板W的上表面中心部的保护液一边保持将第三着落位置P3作为顶点之一的三角形一边宽范围地扩展。
参照图18、图21以及图22，对在基板W的上表面周缘部配置有喷射区区域T1的位置的情况下的保护液的流动进行说明。控制装置8一边利用旋转卡盘2使基板W旋转，一边从位于第二位置以及姿势的第三保护液喷嘴206喷出保护液。由于向旋转状态的基板W供给保护液，所以供给到基板W上的保护液因与基板W的接触在径向（旋转半径方向）上被加速，并且在基板W的旋转方向Dr上被加速。因此，供给到基板W上的保护液一边从第四着落位置P4在径向上扩展一边在旋转方向上流动。由于在基板W的周缘部，基板W的旋转速度快，所以供给到基板W的上表面周缘部上的保护液呈将第四着落位置P4作为顶点之一的角度小的锐角三角形状（沿着基板W的周向的大致直线状）以高速扩展。
图23A～23F是用于说明对利用本发明的第二实施方式的基板处理装置201进行的基板W的第五处理例的图。
第五处理例中与基板处理装置1的第一处理例不同之处仅在于清洗工序以及第二覆盖工序。除此之外的工序与第一处理例的情况同样，故省略说明。参照图18～图23F，对第五处理例中的清洗工序以及第二覆盖工序进行说明。
控制装置8通过控制喷嘴移动机构20，如图23A所示，使液滴喷嘴5以及第三保护液喷嘴206从基板W的旋转范围外的原始位置（未图示）向旋转卡盘2的上方移动，且使液滴喷嘴5的下表面5a接近基板W的上表面周缘部。即，液滴喷嘴5配置在周缘位置Pe。此外，在该状态下，第三保护液喷嘴206被控制在第二位置以及姿势（参照图21以及图22）。
然后，控制装置8一边利用旋转卡盘2使基板W旋转，一边打开第三保护液阀226，如图23B所示，从第三保护液喷嘴206喷出SC-1。流量调整阀227的开度被调整为，从第三保护液喷嘴206以规定的少流量的第一喷出流量（例如约0.5升/分钟）喷出保护液，因此，从第三保护液喷嘴206喷出约0.5升/分钟的喷出流量的SC-1。
另外，与从第三保护液喷嘴206喷出SC-1并行，控制装置8使碳酸水的液滴从液滴喷嘴5喷射。大量的碳酸水的液滴从液滴喷嘴5向下方喷射，由此在基板W的上表面周缘部配置有喷射区域T1的位置。从配置在第二位置以及姿势（参照图21以及图22参照）的第三保护液喷嘴206喷出的SC-1着落到基板W的上表面上的第四着落位置P4（参照图21）。并且，遍及到在基板W的上表面周缘部配置的整个喷射区域T1，形成SC-1的液膜，从液滴喷嘴5向由该SC-1的液膜覆盖的喷射区域T1喷射大量的碳酸水的液滴。
进而，控制装置8如图23B所示使基板W以一定的旋转速度旋转，并且一边使SC-1以一定的喷出流量从第三保护液喷嘴206喷出，一边通过喷嘴移动机构20使液滴喷嘴5向中心位置Pc沿着基板W的上表面移动。
然后，从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴，且从第三保护液喷嘴206喷出SC-1，并且如图23C所示，液滴喷嘴5以及第三保护液喷嘴206朝向中心位置Pc移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并在上表面上向基板W的旋转中心C1移动。
另外，随着液滴喷嘴5从周缘位置Pe向中心位置Pc的移动，控制装置8控制喷嘴变更机构207，使第三保护液喷嘴206从第二位置以及姿势（参照图21以及图22）向第一位置以及姿势（参照图19以及图20）渐渐下降。在该第二实施方式中，第三保护液喷嘴206在位于第一位置以及姿势（参照图19以及图20）的情况和位于第二位置以及姿势（参照图21以及图22）的情况下，其姿势彼此相同，且在上下错开配置，因此，为了使第三保护液喷嘴206从第二位置以及姿势（参照图21以及图22）向第一位置以及姿势（参照图19以及图20）变更，使第三保护液喷嘴206下降。第三保护液喷嘴206的下降速度速度为恒定速度，在液滴喷嘴5离开周缘位置Pe时开始下降，在液滴喷嘴5到达中心位置Pc时结束下降。
如图23D所示，在液滴喷嘴5到达中心位置Pc时，第三保护液喷嘴206配置在第一位置以及姿势（参照图19以及图20参照）。从配置在第一位置以及姿势的第三保护液喷嘴206喷出的SC-1着落到基板W的上表面上的第三着落位置P3（参照图21以及图22）。并且，遍及在基板W的上表面中心部配置的整个喷射区域T1，形成SC-1的液膜，从液滴喷嘴5向由该SC-1的液膜覆盖的喷射区域T1喷射大量碳酸水的液滴。
在液滴喷嘴5到达中心位置Pc后，控制装置8控制转动机构22使喷嘴臂21的摆动方向反转。由此，液滴喷嘴5开始从中心位置Pc向周缘位置Pe移动。然后，从液滴喷嘴5喷射碳酸水的液滴，且从第三保护液喷嘴206喷出SC-1，并且，液滴喷嘴5以及第三保护液喷嘴206向周缘位置Pe移动。由此，喷射区域T1的位置由SC-1的液膜覆盖，并如图23E所示，在基板W的上表面上向基板W的周缘移动。
另外，伴随液滴喷嘴5从中心位置Pc向周缘位置Pe的移动，控制装置8控制喷嘴变更机构207，使第三保护液喷嘴206从第一位置以及姿势（参照图19以及图20）向第二位置以及姿势（参照图21以及图22）渐渐上升。第三保护液喷嘴206的上升速度为恒定速度，在液滴喷嘴5离开中心位置Pc时开始上升，在液滴喷嘴5到达周缘位置Pe时结束上升。
然后，如图23F所示，当液滴喷嘴5到达周缘位置Pe时，控制装置8控制转动机构22，使喷嘴臂21的摆动方向反转。由此，液滴喷嘴5开始从周缘位置Pe向中心位置Pc移动。
并且，当喷嘴臂21的往复摆动动作进行预定的次数时，控制装置8打开排出阀16，停止从液滴喷嘴5喷射液滴。进而，控制装置8关闭处于打开状态的第三保护液阀226，并停止从第三保护液喷嘴206喷出SC-1。
如上所述，根据该第二实施方式，在喷射区域T1的位置配置在基板W的中心部时，将第三保护液喷嘴206的位置控制在第一位置以及姿势（参照图19以及图20）。第一位置以及姿势（参照图19以及图20）是以在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的状态下，从第三保护液喷嘴206喷出的保护液遍及整个喷射区域T1的方式变为最佳的位置以及姿势。因此，即使供给到基板W上的保护液的流量为少流量，也能利用保护液的液膜覆盖在上表面内周区域IR配置的整个喷射区域T1。
另外，在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部上时，将第三保护液喷嘴206的位置控制在第二位置以及姿势（参照图21以及图22）。第二位置以及姿势（参照图21以及图22）是以在喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘的状态下，从第三保护液喷嘴206喷出的保护液遍及整个喷射区域T1的方式变为最佳的位置以及姿势。因此，即使向基板W供给的保护液的流量是少流量，也能利用保护液的液膜覆盖在上表面外周区域OR配置的整个喷射区域T1。
其结果，无论喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面上的哪个位置，通过向基板W供给少流量的保护液，都能够利用保护液的液膜覆盖整个喷射区域T1。由此，在不使向基板W供给的保护液的流量增大的情况下，就能够抑制基板W的损伤。
以上对本发明的两个实施方式进行了说明，但本发明也能够以其他方式来实施。
在第二实施方式中，示出了第三保护液喷嘴206在第一位置以及姿势和第二位置以及姿势之间，使配置位置上下不同但其姿势彼此相同的情况，为了使第三保护液喷嘴206在第一位置以及姿势和第二位置以及姿势之间变更，控制装置8控制喷嘴变更机构207来使第三保护液喷嘴206升降。但是，在第一位置以及姿势和第二位置以及姿势之间，第三保护液喷嘴206不仅配置位置不同而且姿势也彼此不同的情况下，控制装置8可以控制喷嘴变更机构207使第三保护液喷嘴206移动并变更第三保护液喷嘴206的姿势。
另外，也可以通过喷嘴变更机构207的控制，在第一位置以及姿势和第二位置以及姿势之间仅变更姿势。
在第二实施方式中，对与喷射区域T1在基板W的上表面内的移动并行地对第三保护液喷嘴206的位置以及姿势进行变更的情况进行了说明，但是，也可以为了使第三保护液喷嘴206相对于液滴喷嘴5的相对的位置以及姿势变更，使液滴喷嘴5的位置以及姿势变更。
另外，在第一实施方式中，第一保护液喷嘴6的位置以及姿势的最佳的基准为喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的状态，另外，第二保护液喷嘴7的位置以及姿势的最佳的基准为喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的状态。但是，第一保护液喷嘴6的位置以及姿势的基准可以为除了上表面中心部的上表面内周区域IR的规定位置，第二保护液喷嘴7的位置以及姿势的基准可以为除了上表面中心部的上表面外周区域OR的规定位置。
另外，在第二实施方式中，第三保护液喷嘴206的第一位置以及姿势的基准为喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面中心部的状态，另外，第三保护液喷嘴206的第二位置以及姿势的基准为喷射区域T1的位置配置在基板W的上表面周缘部的状态。但是，第一位置以及姿势的基准可以为除了上表面中心部之外的上表面内周区域IR的规定位置，第二位置以及姿势的基准可以为除了上表面中心部的上表面外周区域OR的规定位置。
另外，在前述的第一以及第二实施方式中，对基板处理装置1、201是对半导体晶片等的圆板状的基板进行处理的装置的情况进行了说明，但是，基板处理装置1、201也可以是对液晶显示装置用玻璃基板等多边形的基板进行处理的装置。
另外，在前述的两个实施方式中，液滴喷嘴5的主体36如前述那样从耐药性等角度考虑由石英构成，但是，在例如以20～60m/秒左右的比较高的速度喷出液滴进行处理的情况下，导致在流路流动的处理液带电，导致产生如下问题，即，液滴带电，因静电力损失液滴的直线前进性，导致清洗效果下降，或者损失液滴的尺寸的均匀性而成为大的液滴，动能大的液滴与基板碰撞的结果，导致图案倒塌，或者伴随液滴喷出产生的细的雾因静电力被拉向液滴喷嘴5并附着在外壁上而成为水滴，并落在基板或装置上成为汚染的原因。这在特别在使用作为非导体的纯水来作为处理液的情况下显著发生。
该现象能够通过对处理液或液滴喷嘴5的流路内壁赋予导电性而能够减少或解决。例如，通过使用使二氧化碳气体溶于纯水而产生的所谓的碳酸水、SC1、SC2等电解质溶液作为处理液，能够减少由液滴的带电产生的问题。根据本发明人的实验，例如在碳酸水的情况下，在电阻率3MΩ·cm以下具有减轻对基板的损伤的效果，在电阻率1MΩ·cm以下发现提高颗粒的除去率。或者，通过对液滴喷嘴5的石英制的主体36的流路内壁用金或銀等导体进行涂层并使该导体接地，或者向流路内插入导体棒等并使该导体接地等的方法，也能够减轻或解决该问题。
此外，能够对权利要求记载的事项的范围内能够进行各种设计以及变更。
对本发明的实施方式进行了详细说明，但这些只不过是为了使本发明的技术的内容更清楚而使用的具体例子，本发明不应该限定于这些具体例进行解释，本发明的范围仅由权利要求书的范围来限定。
本申请对应于2013年3月15日向日本国特许厅一起提出的特愿2013-54246号以及特愿2013-54247号，这些申请的所有公开内容通过引用而编入在本申请中。

Claims (24)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
基板保持单元，将基板保持为水平，
旋转单元，使由所述基板保持单元保持的基板围绕铅垂的旋转轴线进行旋转，
液滴喷嘴，生成向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的喷射区域喷射的处理液的液滴，
保护液喷嘴，向所述基板的上表面喷出保护液来在所述基板的上表面上形成保护液的液膜，在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的位置的状态下，使处理液的液滴与所述喷射区域碰撞，
喷嘴移动单元，一边将所述液滴喷嘴和所述保护液喷嘴的位置关系保持为恒定一边使所述液滴喷嘴以及所述保护液喷嘴移动，以使所述喷射区域的位置在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动，
变更控制单元，根据所述喷射区域在所述基板的上表面内的位置，变更着落位置和入射角度中的至少一方，其中，所述着落位置是指，来自所述保护液喷嘴的保护液在基板的上表面上着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位置，所述入射角度是指，在从所述保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的入射角度，
在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，所述变更控制单元将所述着落位置以及所述入射角度控制在第一状态，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时，所述变更控制单元将所述着落位置以及所述入射角度控制在与所述第一状态不同的第二状态。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一状态是以如下方式设定的状态，即，在所述喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二状态是以如下方式设定的状态，即，在所述喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保护液喷嘴包括第一保护液喷嘴以及第二保护液喷嘴，
所述第一保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下，从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下，从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述变更控制单元具有喷出控制单元，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，所述喷出控制单元不使保护液从所述第二保护液喷嘴喷出而使保护液仅从所述第一保护液喷嘴喷出，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时，所述喷出控制单元不使保护液从所述第一保护液喷嘴喷出而使保护液仅从所述第二保护液喷嘴喷出。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，所述喷出控制单元使保护液停止从处于保护液的喷出状态的所述第二保护液喷嘴喷出，且与停止从该第二保护液喷嘴进行喷出同步地开始使保护液从所述第一保护液喷嘴喷出，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，所述喷出控制单元使保护液停止从处于保护液的喷出状态的所述第一保护液喷嘴喷出，且与从该第一保护液喷嘴停止喷出同步地开始使保护液从所述第二保护液喷嘴喷出。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，所述喷出控制单元使保护液停止从处于保护液的喷出状态的所述第二保护液喷嘴喷出，且在停止从该第二保护液喷嘴喷出之前，开始使保护液从所述第一保护液喷嘴喷出，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，所述喷出控制单元使保护液停止从处于保护液的喷出状态的所述第一保护液喷嘴喷出，且在停止从该第一保护液喷嘴喷出之前，开始使保护液从所述第二保护液喷嘴喷出。出。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
具有：
第一保护液供给管，用于向所述第一保护液喷嘴供给保护液，
第一保护液阀，安装在所述第一保护液供给管上，用于对保护液向所述第一保护液喷嘴的供给/停止供给进行切换，
第二保护液供给管，用于向所述第二保护液喷嘴供给保护液，
第二保护液阀，安装在所述第二保护液供给管上，用于对保护液向所述第二保护液喷嘴的供给/停止供给进行切换；
与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，所述喷出控制单元关闭处于打开状态的所述第二保护液阀，且在该第二保护液阀关闭完成之前打开所述第一保护液阀，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，所述喷出控制单元关闭处于打开状态的所述第一保护液阀，且在该第一保护液阀关闭完成之前打开所述第二保护液阀。
7.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保护液喷嘴是单一的保护液喷嘴，
所述变更控制单元还包括位置姿势控制单元，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，所述位置姿势控制单元将所述保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势控制在第一位置以及姿势，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部上时，所述位置姿势控制单元将所述保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势控制在第二位置以及姿势，其中，该第一位置以及姿势是指，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域的位置以及姿势，所述第二位置以及姿势是指，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域的位置以及姿势。
8.一种基板处理方法，其特征在于，
包括：
基板保持工序，将基板保持为水平，
旋转工序，使被保持的所述基板围绕铅垂的旋转轴线进行旋转，
液滴供给工序，从液滴喷嘴向被保持的所述基板的上表面内的喷射区域喷射处理液的液滴，
碰撞工序，从保护液喷嘴向所述基板的上表面喷出保护液，来在被保持的所述基板的上表面形成保护液的液膜，在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的位置的状态下，使所述处理液的液滴与所述喷射区域碰撞，
喷嘴移动工序，一边将所述液滴喷嘴和所述保护液喷嘴的位置关系保持为恒定一边使所述液滴喷嘴以及所述保护液喷嘴移动，以使所述喷射区域的位置在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动，
变更工序，与所述喷嘴移动工序并行，根据所述喷射区域在所述基板的上表面内的位置，变更着落位置和入射角度中的至少一方，其中，所述着落位置是指，来自所述保护液喷嘴的保护液在基板的上表面上着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位置，所述入射角度是指，在从所述保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的入射角度；
在所述变更工序中，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，使所述着落位置以及所述入射角度处于第一状态，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时，使所述着落位置以及所述入射角度处于与所述第一状态不同的第二状态。
9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一状态是以如下方式设定的状态，即，在所述喷射区域的位置配置在基板的上表面中心部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二状态是以如下方式设定的状态，即，在所述喷射区域的位置配置在基板的上表面周缘部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。
10.如权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
所述保护液喷嘴包括第一保护液喷嘴以及第二保护液喷嘴，
所述第一保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下，从从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势被设定为，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下，从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述变更工序包括喷出切换工序，在所述喷出切换工序中，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，不从所述第二保护液喷嘴喷出保护液而仅从所述第一保护液喷嘴喷出保护液，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部时，不从所述第一保护液喷嘴喷出保护液而仅从所述第二保护液喷嘴喷出保护液。
11.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述喷出切换工序中，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，停止从处于保护液的喷出状态的所述第二保护液喷嘴喷出保护液，且与停止从该第二保护液喷嘴进行喷出同步地开始从所述第一保护液喷嘴喷出保护液，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，停止从处于保护液的喷出状态的所述第一保护液喷嘴喷出保护液，且与从该第一保护液喷嘴停止喷出同步地开始从所述第二保护液喷嘴喷出保护液。
12.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述喷出切换工序中，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面周缘部向所述基板的上表面中心部的移动并行，停止从处于保护液的喷出状态的所述第二保护液喷嘴喷出保护液，且在停止从该第二保护液喷嘴喷出之前，开始从所述第一保护液喷嘴喷出保护液，与所述喷射区域的位置从所述基板的上表面中心部向所述基板的上表面周缘部的移动并行，停止从处于保护液的喷出状态的所述第一保护液喷嘴喷出保护液，且在停止从该第一保护液喷嘴喷出之前，开始从所述第二保护液喷嘴喷出保护液。
13.如权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
所述保护液喷嘴是单一的保护液喷嘴，
所述变更工序还包括位置姿势变更工序，在所述位置姿势变更工序中，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部时，将所述保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势变更为第一位置以及姿势，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部上时，将所述保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的相对的位置以及姿势变更为第二位置以及姿势，其中，该第一位置以及姿势是指，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面中心部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域的位置以及姿势，所述第二位置以及姿势是指，在所述喷射区域的位置配置在所述基板的上表面周缘部的状态下，从所述保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域的位置以及姿势。
14.一种基板处理装置，其特征在于，
基板保持单元，将基板保持为水平，
旋转单元，使由所述基板保持单元保持的基板围绕铅垂的旋转轴线进行旋转，
液滴喷嘴，生成向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的喷射区域喷射的处理液的液滴，
第一保护液喷嘴，用于向所述基板的上表面喷出保护液，
第二保护液喷嘴，用于向所述基板的上表面喷出保护液，
保护液供给单元，用于向所述第一以及第二保护液喷嘴供给保护液，
喷嘴移动单元，用于使所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴移动，
保护液喷出控制单元，控制所述保护液供给单元，从所述第一以及第二保护喷嘴向所述基板的上表面喷出保护液，来在所述基板的上表面上形成保护液的液膜，在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的状态下，使处理液的液滴与所述喷射区域碰撞，
喷嘴移动控制单元，与从所述第一以及第二保护喷嘴喷出保护液并行，一边将所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴的位置关系保持为恒定，一边使所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴移动，以使所述喷射区域在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动；
所述第一保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的位置以及姿势被设定为如下的第一位置以及姿势，即，包含着落位置以及入射角度中的至少一方的着落状态处于第一着落状态，其中，所述着落位置是指，在来自该保护液喷嘴的保护液在所述基板的上表面着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位位置，所述入射角度是指，在从该保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的的入射角度，
所述第二保护液喷嘴的相对于所述液滴喷嘴的位置以及姿势被设定为如下的第二位置以及姿势，即，包含所述着落位置以及所述入射角度中的至少一方的所述着落状态处于与所述第一着落状态不同的第二着落状态。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一位置以及姿势是如下的位置以及姿势，即，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面中心部的位置的状态下，从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二位置以及姿势是如下的位置以及姿势，即，在所述喷射区域配置在在所述基板的上表面中心部的位置的状态下，从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。
16.如权利要求14或15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保护液喷出控制单元控制所述保护液供给单元，不管所述喷射区域的位置在所述基板的上表面内如何变化，都从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出一定流量的保护液。
17.如权利要求14或15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述保护液供给单元包括用于对向所述第一以及第二保护液喷嘴供给的保护液的流量进行调整的流量调整单元，
所述保护液喷出控制单元包括对所述流量调整单元进行控制的喷出流量控制单元，
所述喷出流量控制单元根据所述喷射区域的位置在所述基板的上表面内的变化，使从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量变化。
18.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
相比所述喷射区域配置所述基板的上表面中心部的情况，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面周缘部的情况下，所述喷出流量控制单元使从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量变多。
19.如权利要求14或15所述的基板处理装置，其特征在于，
来自所述第一以及第二保护液喷嘴的保护液的喷出流量比被设定为1：1。
20.一种基板处理方法，其特征在于，
包括：
基板保持工序，将基板保持为水平，
将第一保护液喷嘴设置在第一位置以及姿势的工序，所述第一位置以及姿势为如下的位置以及姿势，即，包含着落位置以及入射角度中的至少一方的着落状态处于第一着落状态，其中，所述着落位置是指，在来自该保护液喷嘴的保护液在被保持的所述基板的上表面着落的相对于所述液滴喷嘴的相对的着落位置，所述入射角度是指，在从该保护液喷嘴喷出的保护液向所述着落位置入射时的相对于所述液滴喷嘴的相对的入射角度，
将第二保护液喷嘴设置在第二位置以及姿势的工序，其中，第二位置以及姿势为如下的位置以及姿势，即，包含所述着落位置以及所述入射角度中的至少一方的所述着落状态处于与所述第一着落状态不同的第二着落状态，
旋转工序，使被保持的所述基板围绕铅垂的旋转轴线旋转，
液滴供给工序，从所述液滴喷嘴向被保持的所述基板的上表面内的喷射区域喷射处理液的液滴，
保护液喷出工序，从所述第一以及第二保护液喷嘴向所述基板的上表面喷出保护液，来在被保持的所述基板的上表面上形成保护液的液膜，在由所述保护液的液膜覆盖所述喷射区域的状态下，使所述处理液的液滴与所述喷射区域碰撞，
喷嘴移动工序，与从所述第一以及第二保护喷嘴喷出保护液并行，一边将所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴的位置关系保持为恒定，一边使所述液滴喷嘴和所述第一以及第二保护液喷嘴移动，以使所述喷射区域在所述基板的上表面中心部和所述基板的上表面周缘部之间移动。
21.如权利要求20所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一位置以及姿势是如下的位置以及姿势，即，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面中心部的位置的状态下，从所述第一保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域，
所述第二位置以及姿势是如下的位置以及姿势，即，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面中心部的位置的状态下，从所述第二保护液喷嘴喷出的保护液遍及整个所述喷射区域。
22.如权利要求20或21所述的基板处理方法，其特征在于，
所述保护液喷出工序包括不管所述喷射区域的位置在所述基板的上表面内如何变化，都从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出一定流量的保护液的工序。
23.如权利要求20或21所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述保护液喷出工序中，根据所述喷射区域的位置在所述基板的上表面内的变化，使从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量变化。
24.如权利要求23所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述保护液喷出工序中，相比所述喷射区域配置在所述基板的上表面中心部的情况，在所述喷射区域配置在所述基板的上表面周缘部的情况下，使从所述第一以及第二保护液喷嘴喷出的保护液的流量变多。
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