TW201448017A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Takayoshi Tanaka
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Dainippon Screen Mfg
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Abstract

本發明之基板處理裝置係包括：噴嘴移動單元，其以使在基板之上表面內之噴射區域之位置移動在基板之上表面中心部與基板之上表面周緣部之間的方式，一方面將液滴噴嘴與保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面使上述液滴噴嘴及上述保護液噴嘴產生移動；以及變更控制單元，其配合基板之上表面內之上述噴射區域之位置，加以變更控制在基板之上表面而來自上述保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自上述保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者；且上述變更控制單元係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述著液位置及上述入射角度控制為第1狀態，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述著液位置及上述入射角度控制為不同於上述第1狀態之第2狀態。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行使用有處理液之處理。
對基板逐片進行處理之單片式基板處理裝置例如具備：旋轉夾頭，其水平地保持基板且使其旋轉；液滴噴嘴，其使處理液之液滴碰撞由旋轉夾頭保持之基板之上表面；及保護液噴嘴，其朝向由旋轉夾頭保持之基板之上表面吐出保護液(例如參照US2012/0247506A1)。於該基板處理裝置中，液滴噴嘴及保護液噴嘴一方面將相互之位置關係保持為固定一方面移動。
於此種基板處理裝置中，液滴噴嘴朝向基板之上表面內之區域(以下，稱為「噴射區域」)吐出處理液。又，與自液滴噴嘴吐出處理液同時地，自保護液噴嘴朝向基板之上表面吐出保護液。自保護液噴嘴吐出之保護液進入噴射區域，而於噴射區域形成具有充分之厚 度之保護液之液膜。因此，處理液之液滴於由保護液之液膜覆蓋噴射區域之位置之狀態下碰撞噴射區域。
於US2012/0247506A1中記載之基板處理裝置中，必須以如下方式設定保護液噴嘴相對於液滴噴嘴之相對位置及姿勢，即，供給至基板之上表面之保護液可對抗處理液之液滴而進入噴射區域，且可由該保護液覆蓋噴射區域之全域。
然而，保護液於基板之上表面之擴展方法於基板之中心部與基板之周緣部有很大不同。因此，若以對基板之上表面中心部供給保護液之情形為基準設定保護液噴嘴之位置及姿勢，則有如下之虞：於基板之上表面周緣部，保護液未遍及噴射區域之全域，而於噴射區域產生未形成具有充分之厚度之保護膜之液膜之部分。又，若以對基板之上表面周緣部供給保護液之情形為基準設定保護液噴嘴之位置及姿勢，則有如下之虞：於基板之上表面中央部，保護液未遍及噴射區域之全域，而於噴射區域產生未形成具有充分之厚度之保護膜之液膜之部分。
於噴射區域中之未由液膜覆蓋之部分、或覆蓋噴射區域之液膜較薄之部分，若處理液之液滴吹送至噴射區域，則有如下之虞：因液滴與基板之碰撞而對形成於基板之圖案施加較大之衝擊，產生圖案崩塌等損傷。
於基板之上表面中心部及基板之上表面周緣部之兩者，為了利用保護液確實地覆蓋噴射區域之全域，而考慮增大供給至基板之保護液之流量，但於該方法中，1片基板之處理所需之成本增加。
因此，本發明之目的在於提供一種不增大供給至基板之 保護液之流量便可抑制基板之損傷的基板處理裝置及基板處理方法。
本發明之第1態樣係提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括：基板保持單元，其將基板保持呈水平；旋轉單元，其使藉由上述基板保持單元所保持之基板，繞著鉛垂之旋轉軸線而進行旋轉；液滴噴嘴，其生成處理液之液滴，而該處理液之液滴係被吹附至藉由上述基板保持單元所保持之基板的上表面內之噴射區域；保護液噴嘴，其向上述基板之上表面吐出保護液，而於上述基板之上表面形成保護液之液膜，於藉由上述保護液之液膜而上述噴射區域之位置被加以覆蓋之狀態下，使處理液之液滴對上述噴射區域產生碰撞；噴嘴移動單元，其以使上述噴射區域之位置移動在上述基板之上表面中心部與上述基板之上表面周緣部之間之方式，一方面將上述液滴噴嘴與上述保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面使上述液滴噴嘴及上述保護液噴嘴產生移動；以及變更控制單元(8)，其配合上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置，加以變更控制在基板之上表面而來自上述保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自上述保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者；且上述變更控制單元係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述著液位置及上述入射角度控制為第1狀態，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述著液位置及上述入射角度控制為不同於上述第1狀態之第2狀態。
根據該構成，可根據基板之上表面內之噴射區域之位置變更自保護液噴嘴吐出之保護液之著液位置及入射角度。更詳細而言，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部時，將著液位置及 入射角度控制為第1狀態，又，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部時，將著液位置及入射角度控制為第2狀態。
上述第1狀態係亦可為以如下之方式而加以設定之狀態，即，在上述噴射區域之位置被配置在基板之上表面中心部之狀態下，而自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2狀態係亦可為以如下之方式而加以設定之狀態，即，在上述噴射區域之位置被配置在基板之上表面周緣部之狀態下，而自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
更具體而言，較佳為，第1狀態於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之狀態下被最佳化，第2狀態於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之狀態下被最佳化。於此種情形時，即便自配置於基板之上表面中心部之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域，又，即便自配置於基板之上表面周緣部之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
其結果，無論噴射區域之位置配置於基板之上表面之任一位置，均可藉由向基板供給少流量之保護液，而利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。藉此，不增大供給至基板之保護液之流量便可抑制基板之損傷。
於本發明之一實施形態中，上述保護液噴嘴係包括第1保護液噴嘴及第2保護液噴嘴，上述第1保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢係以如下之方式而加以設定，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部之狀態下，而自上述第1保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述 第2保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢係以如下之方式而加以設定，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部之狀態下，而自上述第2保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述變更控制單元係包括吐出控制單元，該吐出控制單元係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，不自上述第2保護液噴嘴吐出保護液而僅自上述第1保護液噴嘴吐出保護液，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，不自上述第1保護液噴嘴吐出保護液而僅自上述第2保護液噴嘴吐出保護液。
根據該構成，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部時，僅自第1保護液噴嘴吐出保護液。第1保護液噴嘴係設定為如下位置及姿勢，即，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之狀態下，自第1保護液噴嘴吐出之保護液遍及噴射區域之全域。因此，即便自第1保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
又，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部時，僅自第2保護液噴嘴吐出保護液。第2保護液噴嘴係設定為如下位置及姿勢，即，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之狀態下，自第2保護液噴嘴吐出之保護液遍及噴射區域之全域。因此，即便自第2保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
上述吐出控制單元係亦可並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第2保護液噴嘴之保護液 之吐出，且以同步之方式與自該第2保護液噴嘴之吐出停止時，開始自上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，且以同步之方式自該第1保護液噴嘴之吐出停止時，開始自上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出。
根據該構成，於噴射區域之位置自基板之上表面周緣部朝向基板之上表面中心部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第2保護液噴嘴切換為第1保護液噴嘴。又，於噴射區域之位置自基板之上表面中心部朝向基板之上表面周緣部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第1保護液噴嘴切換為第2保護液噴嘴。藉此，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之周邊區域之情形時，僅自第2保護液噴嘴對基板供給保護液，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之周邊區域之情形時，僅自第1保護液噴嘴對基板供給保護液。因此，即便供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
又，上述吐出控制單元係亦可並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出，且於自該第2保護液噴嘴之吐出停止之前，開始自上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，且於自該第1保護液噴嘴之吐出停止之前，開始自上述第2保護液噴嘴之 保護液之吐出。
根據該構成，於噴射區域之位置自基板之上表面周緣部朝向基板之上表面中心部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第2保護液噴嘴切換為第1保護液噴嘴。又，於噴射區域之位置自基板之上表面中心部朝向基板之上表面周緣部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第1保護液噴嘴切換為第2保護液噴嘴。藉此，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之周邊區域之情形時，僅自第2保護液噴嘴對基板供給保護液，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之周邊區域之情形時，僅自第1保護液噴嘴對基板供給保護液。因此，即便供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
然而，若同時進行第2保護液噴嘴之吐出停止及第1保護液噴嘴之吐出開始，於假設第2保護液噴嘴之吐出停止之時機早於第1保護液噴嘴之吐出開始時機之情形時，有如下之虞：產生如不自第1及第2保護液噴嘴之兩者吐出保護液之期間。於此種期間中，因基板之上表面未由保護液保護，故其結果，有對基板造成損傷之虞。
於同時進行第1保護液噴嘴之吐出停止與第2保護液噴嘴之吐出開始之情形時，亦有產生相同之問題之虞。
相對於此，於本案發明中，於自第2保護液噴嘴之吐出停止之前開始自第1保護液噴嘴吐出保護液，且於自第1保護液噴嘴之吐出停止之前開始自第2保護液噴嘴吐出保護液。換言之，使保護液自第1保護液噴嘴之吐出期間與保護液自第2保護液噴嘴之吐出期間部分重複。藉此，當於第1保護液噴嘴與第2保護液噴嘴之間切換吐出保護液之保護液噴嘴時，可設置自第1及第2保護液噴嘴同時吐 出保護液之期間，從而可確實地防止於切換吐出保護液之保護液噴嘴時產生未自第1及第2保護液噴嘴之兩者吐出保護液之狀態。
本發明之基板處理裝置係亦可更進一步包括：第1保護液供給管，其用於對上述第1保護液噴嘴供給保護液；第1保護液閥(26)，其介裝於上述第1保護液供給管，且用於切換朝向上述第1保護液噴嘴之保護液之供給/供給停止；第2保護液供給管(28)，其用於對上述第2保護液噴嘴供給保護液；及第2保護液閥(29)，其介裝於上述第2保護液供給管，且用於切換朝向上述第2保護液噴嘴之保護液之供給/供給停止；且上述吐出控制單元係並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，關閉處於開啟狀態之上述第2保護液閥，且於關閉該第2保護液閥之前，開啟上述第1保護液閥，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，關閉處於開啟狀態之上述第1保護液閥，且於關閉該第1保護液閥之前，開啟上述第2保護液閥。
於本發明之另一實施形態中，上述保護液噴嘴係為單一之保護液噴嘴，上述變更控制單元係更進一步包括有位置姿勢控制單元，該位置姿勢控制單元係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢，控制為如下之第1位置及姿勢，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢，控制為如下之第2位置及姿勢， 即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
根據該構成，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部時，將保護液噴嘴相對於液滴噴嘴之相對位置及姿勢控制為第1位置及姿勢。第1位置及姿勢係如下位置及姿勢，即，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之狀態下，自保護液噴嘴吐出之保護液遍及噴射區域之全域。因此，即便自處於第1位置及姿勢之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
又，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部時，將保護液噴嘴相對於液滴噴嘴之相對位置及姿勢控制為第2位置及姿勢。第2位置及姿勢係如下位置及姿勢，即，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之狀態下，自保護液噴嘴吐出之保護液遍及噴射區域之全域。因此，即便自處於第2位置及姿勢之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
又，本發明之第2態樣提供一種基板處理方法，該基板處理方法係包括：基板保持步驟，其將基板保持呈水平；旋轉步驟，其使上述被保持之基板繞著鉛垂之旋轉軸線而進行旋轉；液滴供給步驟，其自液滴噴嘴將處理液之液滴吹附至上述被保持之基板之上表面內之噴射區域；自保護液噴嘴向上述基板之上表面吐出保護液，而於上述被保持之基板之上表面形成保護液之液膜，在藉由上述保護液之液膜而上述噴射區域之位置被加以覆蓋之狀態下，使上述處理液之液滴對上述噴射區域產生碰撞之步驟；噴嘴移動步驟，其以上述噴射區 域之位置移動在上述基板之上表面中心部與上述基板之上表面周緣部之間之方式，一方面將上述液滴噴嘴與上述保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面使上述液滴噴嘴及上述保護液噴嘴產生移動；變更步驟，其以與上述噴嘴移動步驟呈並行之方式，配合上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置，加以變更在基板之上表面而來自上述保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自上述保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者；且在上述變更步驟中，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述著液位置及上述入射角度設定為第1狀態，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述著液位置及上述入射角度設定為不同於上述第1狀態之第2狀態。
根據該方法，可根據基板之上表面內之噴射區域之位置變更自保護液噴嘴吐出之保護液之著液位置及入射角度。更詳細而言，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部時，將著液位置及入射角度控制為第1狀態，又，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部時，將著液位置及入射角度控制為第2狀態。
上述第1狀態係亦可為以如下之方式而加以設定之狀態，即，在上述噴射區域之位置被配置在基板之上表面中心部之狀態下，而自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2狀態係亦可為以如下之方式而加以設定之狀態，即，在上述噴射區域之位置被配置在基板之上表面周緣部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
更具體而言，較佳為，第1狀態於噴射區域之位置配置 於基板之上表面中心部之狀態下被最佳化，第2狀態於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之狀態下被最佳化。於此種情形時，即便自配置於基板之上表面中心部之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域，又，即便自配置於基板之上表面周緣部之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
其結果，無論噴射區域之位置配置於基板之上表面之任一位置，均可藉由向基板供給少流量之保護液，而利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。藉此，不增大供給至基板之保護液之流量便可抑制基板之損傷。
於本發明之一實施形態中，上述保護液噴嘴係包括第1保護液噴嘴及第2保護液噴嘴，上述第1保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢係以如下之方式而加以設定，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部之狀態下，而自上述第1保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢係以如下之方式而加以設定，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部之狀態下，而自上述第2保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。於該情形時，上述變更步驟係亦可包括吐出切換步驟，該吐出切換步驟係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，不自上述第2保護液噴嘴吐出保護液而僅自上述第1保護液噴嘴吐出保護液，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，不自上述第1保護液噴嘴吐出保護液而僅自上述第2保護液噴嘴吐出保護液。
根據該方法，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部時，僅自第1保護液噴嘴吐出保護液。第1保護液噴嘴係設定為如下位置及姿勢，即，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之狀態下，自第1保護液噴嘴吐出之保護液遍及噴射區域之全域。因此，即便自第1保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
又，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部時，僅自第2保護液噴嘴吐出保護液。第2保護液噴嘴係設定為如下位置及姿勢，即，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之狀態下，自第2保護液噴嘴吐出之保護液遍及噴射區域之全域。因此，即便自第2保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
上述吐出切換步驟係亦可並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出，且以同步之方式於自該第2保護液噴嘴之吐出停止時，開始自上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，且以同步之方式於自該第1保護液噴嘴之吐出停止時，開始自上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出。
根據該方法，於噴射區域之位置自基板之上表面周緣部朝向基板之上表面中心部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第2保護液噴嘴切換為第1保護液噴嘴。又，於噴射區域之位置自基 板之上表面中心部朝向基板之上表面周緣部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第1保護液噴嘴切換為第2保護液噴嘴。藉此，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之周邊區域之情形時，僅自第2保護液噴嘴對基板供給保護液，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之周邊區域之情形時，僅自第1保護液噴嘴對基板供給保護液。因此，即便供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
又，上述吐出切換步驟係亦可並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出，且於自該第2保護液噴嘴之吐出停止之前，開始自上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，且於自該第1保護液噴嘴之吐出停止之前，開始自上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出。
根據該方法，於噴射區域之位置自基板之上表面周緣部朝向基板之上表面中心部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第2保護液噴嘴切換為第1保護液噴嘴。又，於噴射區域之位置自基板之上表面中心部朝向基板之上表面周緣部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第1保護液噴嘴切換為第2保護液噴嘴。藉此，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之周邊區域之情形時，僅自第2保護液噴嘴對基板供給保護液，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之周邊區域之情形時，僅自第1保護液噴嘴對基板供 給保護液。因此，即便供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
然而，若同時進行第2保護液噴嘴之吐出停止與第1保護液噴嘴之吐出開始，則於假設第2保護液噴嘴之吐出停止之時機早於第1保護液噴嘴之吐出開始時機之情形時，有如下之虞：產生如未自第1及第2保護液噴嘴之兩者吐出保護液之期間。於此種期間中，因基板之上表面未由保護液保護，故其結果，有對基板造成損傷之虞。
於同時進行第1保護液噴嘴之吐出停止與第2保護液噴嘴之吐出開始之情形時，亦有產生相同之問題之虞。
相對於此，於本案發明中，於自第2保護液噴嘴之吐出停止之前開始自第1保護液噴嘴吐出保護液，且於自第1保護液噴嘴之吐出停止之前開始自第2保護液噴嘴吐出保護液。換言之，使保護液自第1保護液噴嘴之吐出期間與保護液自第2保護液噴嘴之吐出期間部分重複。藉此，當於第1保護液噴嘴與第2保護液噴嘴之間切換吐出保護液之保護液噴嘴時，可設置自第1及第2保護液噴嘴同時吐出保護液之期間，從而可確實地防止於切換吐出保護液之保護液噴嘴時產生未自第1及第2保護液噴嘴之兩者吐出保護液之狀態。
於本發明之第2實施形態中，上述保護液噴嘴係包括單一之保護液噴嘴。於該情形時，上述變更步驟係亦可包括有位置姿勢變更步驟，該位置姿勢變更步驟係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之位置及姿勢，變更為如下之第1位置及姿勢，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，在上述噴射區域之位 置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之位置及姿勢，變更為如下之第2位置及姿勢，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
根據該方法，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部時，將保護液噴嘴相對於液滴噴嘴之相對位置及姿勢控制為第1位置及姿勢。第1位置及姿勢係如下位置及姿勢，即，於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之狀態下，自保護液噴嘴吐出之保護液遍及噴射區域之全域。因此，即便自處於第1位置及姿勢之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
又，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部時，將保護液噴嘴相對於液滴噴嘴之相對位置及姿勢控制為第2位置及姿勢。第2位置及姿勢係如下位置及姿勢，即，於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之狀態下，自保護液噴嘴吐出之保護液遍及噴射區域之全域。因此，即便自處於第2位置及姿勢之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。
本發明之第3態樣提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置係包括：基板保持單元，其將基板保持呈水平；旋轉單元，其使藉由上述基板保持單元所保持之基板，繞著鉛垂之旋轉軸線而進行旋轉；液滴噴嘴，其生成處理液之液滴，而該處理液之液滴係被吹附至藉由上述基板保持單元所保持之基板的上表面內之噴射區域；第1保護液噴嘴，其用於向上述基板之上表面吐出保護液；第2保護液噴嘴， 其用於向上述基板之上表面吐出保護液；保護液供給單元，其用於對上述第1及第2保護液噴嘴供給保護液；噴嘴移動單元，其用於使上述液滴噴嘴以及上述第1及第2保護液噴嘴產生移動；保護液吐出控制單元，其控制上述保護液供給單元，且自上述第1及第2保護噴嘴之兩者，向上述基板之上表面吐出保護液，而於上述基板之上表面形成保護液之液膜，於藉由上述保護液之液膜而上述噴射區域被加以覆蓋之狀態下，使處理液之液滴對上述噴射區域產生碰撞；以及噴嘴移動控制單元，其並行於自上述第1及第2保護噴嘴之保護液之吐出，一方面將上述液滴噴嘴與上述第1及第2保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面以使上述噴射區域移動在上述基板之上表面中心部與上述基板之上表面周緣部之間之方式，使上述液滴噴嘴以及上述第1及第2保護液噴嘴產生移動；且上述第1保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之位置及姿勢係設定為如下之第1位置及姿勢，即，在上述基板之上表面而來自該保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自該保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者定義之著液狀態成為第1著液狀態，上述第2保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之位置及姿勢係設定為如下之第2位置及姿勢，即，由著液位置及入射角度之至少一者定義之著液狀態成為不同於上述第1著液狀態之第2著液狀態。
根據該構成，自設定為第1位置及姿勢之第1保護液噴嘴以及設定為第2位置及姿勢之第2保護液噴嘴之兩者吐出保護液。與保護液自第1及第2保護液噴嘴之吐出同時地，使噴射區域於基板之上表面中心部與基板之上表面周緣部之間移動。
來自處於第1位置及姿勢之第1保護液噴嘴之保護液之著液狀態(包括著液位置及入射角度之至少一者之著液狀態)處於第1著液狀態，處於第2位置及姿勢之來自第2保護液噴嘴之保護液之著液狀態處於與第1著液狀態不同之第2著液狀態。
於該情形時，可以噴射區域之位置配置於基板上表面之不同之兩位置之情形為基準，分別設定第1保護液噴嘴之第1位置及姿勢以及第2保護液噴嘴之第2位置及姿勢(即第1及第2著液狀態)。
因此，無論為噴射區域之位置配置於基板之上表面之任一位置之情形，均可向噴射區域高效率地供給保護液，其結果，不供給大量之保護液便可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。藉此，不增大供給至基板之保護液之流量便可抑制基板之損傷。
上述第1位置及姿勢係亦可為如下之位置及姿勢，即，在上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之位置之狀態下，自上述第1保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2位置及姿勢係亦可為如下之位置及姿勢，即，在上述噴射區域被配置在上述基板之上表面周緣部之位置之狀態下，自上述第2保護液噴嘴所吐出之保護液遍及上述噴射區域之全域。
更具體而言，較佳為，第1著液狀態於噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之狀態下被最佳化，第2著液狀態於噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之狀態下被最佳化。於此種情形時，即便自配置於基板之上表面中心部之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域，又，即便自配置於基板之上表面周緣部之保護液噴嘴供給至基板之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全 域。
其結果，無論噴射區域之位置配置於基板之上表面之任一位置，均可藉由向基板供給少流量之保護液，而利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。藉此，不增大供給至基板之保護液之流量便可抑制基板之損傷。
於本發明之一實施形態中，上述保護液吐出控制單元係控制上述保護液供給單元，不因為在上述基板之上表面內之上述噴射區域的位置變化而自上述第1及第2保護液噴嘴將固定流量之保護液加以吐出。
又，於該一實施形態中，上述保護液供給單元係亦可包括用於調整供給至上述第1及第2保護液噴嘴之保護液之流量的流量調整單元，上述保護液吐出控制單元係亦可包括控制上述流量調整單元之吐出流量控制單元，上述吐出流量控制單元係亦可配合在上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置變化而使自上述第1及第2保護液噴嘴所吐出之保護液之流量產生變化。
根據該構成，於噴射區域配置於基板之上表面中心部及上表面周緣部時，可減少自第1及第2保護液噴嘴吐出之保護液之流量。藉此，可抑制基板之損傷並且更進一步地減少供給至基板之保護液之總流量。
又，於該情形時，上述吐出流量控制單元係亦可相較於上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之情形，於被配置在上述基板之上表面周緣部之情形時，則使自上述第1及第2保護液噴嘴所吐出之保護液之流量產生增加。
進而，自上述第1及第2保護液噴嘴之保護液之吐出流 量比亦可設定為1：1。
本發明之第4態樣提供一種基板處理方法，該基板處理方法包括如下步驟：基板保持步驟，其係將基板保持呈水平；將第1保護液噴嘴設置為如下之第1位置及姿勢之步驟，即，包括在上述被保持之基板之上表面而來自該保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於液滴噴嘴之相對的著液位置、及自該保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者之著液狀態成為第1著液狀態；將第2保護液噴嘴設置為如下之第2位置及姿勢之步驟，即，由著液位置及入射角度之至少一者定義之著液狀態成為不同於上述第1著液狀態之第2著液狀態；旋轉步驟，其使上述被保持之基板繞著鉛垂之旋轉軸線而進行旋轉；液滴供給步驟，其自上述液滴噴嘴將處理液之液滴吹附至上述被保持之基板之上表面內之噴射區域；保護液吐出步驟，其自上述第1及第2保護液噴嘴之兩者，向上述基板之上表面吐出保護液，而於上述被保持之基板之上表面形成保護液之液膜，藉由上述保護液之液膜而上述噴射區域被加以覆蓋之狀態下，使上述處理液之液滴對上述噴射區域產生碰撞；以及噴嘴移動步驟，其並行於自上述第1及第2保護噴嘴之保護液之吐出，一方面將上述液滴噴嘴與上述第1及第2保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面以使上述噴射區域移動在上述基板之上表面中心部與上述基板之上表面周緣部之間之方式，使上述液滴噴嘴以及上述第1及第2保護液噴嘴產生移動。
根據該方法，自設定為第1位置及姿勢之第1保護液噴嘴以及設定為第2位置及姿勢之第2保護液噴嘴之兩者吐出保護液。與保護液自第1及第2保護液噴嘴之吐出同時地，使噴射區域於基板 之上表面中心部與基板之上表面周緣部之間移動。
來自處於第1位置及姿勢之第1保護液噴嘴之保護液之著液狀態(包括著液位置及入射角度之至少一者之著液狀態)處於第1著液狀態，來自處於第2位置及姿勢之第2保護液噴嘴之保護液之著液狀態處於與第1著液狀態不同之第2著液狀態。
於該情形時，可以噴射區域之位置配置於基板上表面之不同之兩位置之情形為基準，分別設定第1保護液噴嘴之第1位置及姿勢以及第2保護液噴嘴之第2位置及姿勢(即第1及第2著液狀態)。
因此，無論為噴射區域之位置配置於基板之上表面之任一位置之情形，均可向噴射區域高效率地供給保護液，其結果，不供給大量之保護液便可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域之全域。藉此，不增大供給至基板之保護液之流量便可抑制基板之損傷。
上述第1位置及姿勢係亦可為如下之位置及姿勢，即，在上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之位置之狀態下，自上述第1保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2位置及姿勢係亦可為如下之位置及姿勢，即，在上述噴射區域被配置在上述基板之上表面周緣部之位置之狀態下，自上述第2保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
於本發明之一實施形態中，上述保護液吐出步驟係包括如下之步驟：不因為在上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置變化而自上述第1及第2保護液噴嘴將固定流量之保護液加以吐出。
於本發明之另一實施形態中，上述保護液吐出步驟係配合上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置變化而使自上述第1及第2保護液噴嘴吐出之保護液之流量產生變化。根據該方法，於噴射 區域配置於基板之上表面中心部及上表面周緣部時，可減少自第1及第2保護液噴嘴吐出之保護液之流量。藉此，可抑制基板之損傷並且更進一步地減少供給至基板之保護液之總流量。
又，於該情形時，上述保護液吐出步驟係亦可相較於上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之情形，於被配置在上述基板之上表面周緣部之情形時，則使自上述第1及第2保護液噴嘴所吐出之保護液之流量產生增加。
本發明中之上述、或進而其他目的、特徵及效果係藉由參照隨附圖式於以下敍述之實施形態之說明而明確。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧護罩
4‧‧‧清洗液噴嘴
5‧‧‧液滴噴嘴
5a‧‧‧下表面
5b‧‧‧上表面
6‧‧‧第1保護液噴嘴
7‧‧‧第2保護液噴嘴
8‧‧‧控制裝置
9‧‧‧旋轉基座
10‧‧‧旋轉馬達
11‧‧‧清洗液閥
12‧‧‧清洗液供給管
13‧‧‧處理液供給管
14‧‧‧處理液供給機構
15‧‧‧處理液排出管
16‧‧‧排出閥
17‧‧‧壓電元件
18‧‧‧配線
19‧‧‧電壓施加機構
20‧‧‧噴嘴移動機構
21‧‧‧噴嘴臂
22‧‧‧轉動機構
23‧‧‧升降機構
24‧‧‧噴嘴座
25‧‧‧第1保護液供給管
26‧‧‧第1保護液閥
28‧‧‧保護液供給管
29‧‧‧第2保護液閥
30‧‧‧流量調整閥
31‧‧‧保護液供給集合管
36‧‧‧本體
37‧‧‧罩蓋
38‧‧‧封件
39‧‧‧供給口
40‧‧‧排出口
41‧‧‧處理液流通路
42‧‧‧噴射口
42a‧‧‧噴射口
42b‧‧‧噴射口
43‧‧‧第1吐出口
44‧‧‧第2吐出口
201‧‧‧基板處理裝置
206‧‧‧保護液噴嘴
207‧‧‧噴嘴變更機構
225‧‧‧保護液供給管
226‧‧‧保護液閥
227‧‧‧流量調整閥
243‧‧‧第3吐出口
AF‧‧‧流量
AF1‧‧‧第1流量
AF2‧‧‧第2流量
AF3‧‧‧第3流量
C1‧‧‧旋轉中心
D1‧‧‧第1吐出方向
D2‧‧‧第2吐出方向
D3‧‧‧第3吐出方向
D4‧‧‧第4吐出方向
D5‧‧‧長度方向
Dc1‧‧‧距離
Dc3‧‧‧距離
De2‧‧‧距離
De4‧‧‧距離
Dr‧‧‧旋轉方向
IR‧‧‧上表面內周區域
L‧‧‧行
L1‧‧‧旋轉軸線
L2‧‧‧旋轉軸線
M‧‧‧中央位置
M1‧‧‧中間部
M2‧‧‧外側部分
M3‧‧‧內側部分
CR‧‧‧上表面外周區域
P1‧‧‧第1著液位置
P2‧‧‧第2著液位置
P3‧‧‧第3著液位置
P4‧‧‧第4著液位置
Pc‧‧‧中心位置
Pe‧‧‧周緣位置
Pm‧‧‧中間位置
T1‧‧‧噴射區域
W‧‧‧基板
X1‧‧‧軌跡
θH1‧‧‧角度
θH2‧‧‧角度
θH3‧‧‧角度
θH4‧‧‧角度
θV1‧‧‧角度
θV2‧‧‧角度
θV3‧‧‧角度
θV4‧‧‧角度
圖1係模式性地表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之構成的圖。
圖2係圖1所示之液滴噴嘴及與其相關之構成之俯視圖。
圖3係圖1所示之液滴噴嘴以及第1及第2保護液噴嘴之模式性之側視圖。
圖4係圖1所示之液滴噴嘴以及第1及第2保護液噴嘴之模式性之俯視圖。
圖5係表示圖1所示之液滴噴嘴與第1保護液噴嘴之位置關係之模式性之俯視圖。
圖6係表示圖1所示之液滴噴嘴與第2保護液噴嘴之位置關係之模式性之俯視圖。
圖7A至7E係用以對藉由圖1所示之基板處理裝置而進行之第1處理例進行說明之圖。
圖8A至8H係用以對圖7B所示之洗淨步驟及第2覆蓋步驟進行說明之圖。
圖9係表示使噴射區域自基板之上表面周緣部朝向上表面中心部移動之情形時之第1及第2保護液閥之開閉動作的時序圖。
圖10係表示使噴射區域自基板之上表面中心部朝向上表面周緣部移動之情形時之第1及第2保護液閥之開閉動作的時序圖。
圖11係表示實施例1及比較例1中之供給至基板之保護液之流量與基板之損傷數之關係的圖表。
圖12A至12L係用以對藉由圖1所示之基板處理裝置而進行之基板之第2處理例進行說明的圖。
圖13係表示使噴射區域自基板之上表面周緣部朝向上表面中心部移動之情形時之第1及第2保護液閥之開閉動作的時序圖。
圖14係表示使噴射區域自基板之上表面中心部朝向上表面周緣部移動之情形時之第1及第2保護液閥之開閉動作的時序圖。
圖15A至15E係用以對藉由圖1所示之基板處理裝置而進行之第3處理例進行說明的圖。
圖16A係概略性地表示基板之上表面之各處之噴射區域之位置距旋轉中心之距離與到達至噴射區域之保護液之流量之關係的圖表。
圖16B係表示實施例2及比較例2中之供給至基板之保護液之流量與基板之損傷數之關係的圖表。
圖17A至17C係用以對藉由圖1所示之基板處理裝置而進行之第4處理例進行說明之圖。
圖18係模式性地表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之構成的圖。
圖19係表示噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之情形時之圖18所示之液滴噴嘴與第3保護液噴嘴之位置關係之模式性的側視圖。
圖20係表示噴射區域之位置配置於基板之上表面中心部之情形時之圖18所示之液滴噴嘴與第3保護液噴嘴之位置關係之模式性的俯視圖。
圖21係表示噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之情形時之圖18所示之液滴噴嘴與第3保護液噴嘴之位置關係之模式性的側視圖。
圖22係表示噴射區域之位置配置於基板之上表面周緣部之情形時之圖18所示之液滴噴嘴與第3保護液噴嘴之位置關係之模式性的俯視圖。
圖23A至23F係用以對藉由圖18所示之基板處理裝置而進行之基板之第5處理例進行說明的圖。
圖1係模式性地表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之構成的圖。圖2係液滴噴嘴5及與其相關之構成之俯視圖。
基板處理裝置1係對半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式基板處理裝置。基板處理裝置1具備：旋轉夾頭2(基板保持單元)，其將基板W保持為水平且使其旋轉；筒狀之護罩3，其包圍旋轉夾頭2；清洗液噴嘴4，其對基板W供給清洗液；液滴噴嘴5，其使處理液之液滴碰撞基板W；第1保護液噴嘴6，其對基板W供給保護液；第2保護液噴嘴7，其對基板W供給保護液；及控制裝置8，其控制旋轉夾頭2等基板處理裝置1所具備之裝置之動作或閥之 開閉。
旋轉夾頭2包括：旋轉基座9，其將基板W保持為水平且可繞通過該基板W之旋轉中心C1之鉛垂之旋轉軸線L1旋轉；及旋轉馬達(旋轉單元)10，其使該旋轉基座9繞旋轉軸線L1旋轉。旋轉夾頭2既可為於水平方向夾持基板W而將該基板W保持為水平之夾持式夾頭，亦可為藉由吸附作為非器件形成面之基板W之背面(下表面)而將該基板W保持為水平之真空式夾頭。於基板處理裝置1中，旋轉夾頭2為夾持式夾頭。
清洗液噴嘴4連接於介裝有清洗液閥11之清洗液供給管12。若開啟清洗液閥11，則自清洗液噴嘴4朝向基板W之上表面中央部吐出清洗液。另一方面，若關閉清洗液閥11，則停止自清洗液噴嘴4吐出清洗液。作為供給至清洗液噴嘴4之清洗液，可例示純水(去離子水)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、或稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水等。
液滴噴嘴5係利用噴墨方式噴射多個液滴之噴墨噴嘴。液滴噴嘴5經由處理液供給管13而連接於處理液供給機構14。進而，液滴噴嘴5連接於介裝有排出閥16之處理液排出管15。處理液供給機構14例如包括泵。處理液供給機構14始終於既定壓力(例如10MPa以下)下將處理液供給至液滴噴嘴5。作為供給至液滴噴嘴5之處理液，例如可列舉SC-1(包括NH4OH及H2O2之混合液)等藥液、或純水、碳酸水等。控制裝置8可藉由控制處理液供給機構14而將供給至液滴噴嘴5之處理液之壓力變更為任意壓力。
又，如圖1所示，液滴噴嘴5包括配置於液滴噴嘴5之內部之壓電元件(piezo element)17。壓電元件17經由配線18而連接於 電壓施加機構19。電壓施加機構19例如包括反相器。電壓施加機構19將交流電壓施加至壓電元件17。若將交流電壓施加至壓電元件17，則壓電元件17以與所施加之交流電壓之頻率對應之頻率進行振動。控制裝置8可藉由控制電壓施加機構19而將施加至壓電元件17之交流電壓之頻率變更為任意頻率(例如數百KHz~數MHz)。因此，壓電元件17之振動之頻率由控制裝置8控制。
基板處理裝置1更包括噴嘴移動機構20(噴嘴移動單元)。噴嘴移動機構20包括：噴嘴臂21，其於前端保持液滴噴嘴5；轉動機構22，其連接於噴嘴臂21；及升降機構23，其連接於轉動機構22。轉動機構22例如包括馬達。升降機構23例如包括滾珠螺桿機構、及驅動該滾珠螺桿機構之馬達。轉動機構22使噴嘴臂21繞設置於旋轉夾頭2之周圍之鉛垂之旋轉軸線L2轉動。液滴噴嘴5與噴嘴臂21一併繞旋轉軸線L2進行轉動。藉此，液滴噴嘴5於水平方向上進行移動。另一方面，升降機構23使轉動機構22於鉛垂方向上升降。液滴噴嘴5及噴嘴臂21與轉動機構22一併於鉛垂方向上進行升降。藉此，液滴噴嘴5於鉛垂方向上進行移動。
轉動機構22使液滴噴嘴5於包括旋轉夾頭2之上方之水平面內水平地移動。如圖2所示，轉動機構22使液滴噴嘴5沿著沿由旋轉夾頭2保持之基板W之上表面延伸之圓弧狀之軌跡X1水平地移動。軌跡X1係如下曲線：連結於自垂直於由旋轉夾頭2保持之基板W之上表面之垂直方向(鉛垂方向)觀察時不與基板W之上表面重疊之2個位置，且於自鉛垂方向觀察時通過基板W之上表面之旋轉中心C1。於液滴噴嘴5位於由旋轉夾頭2保持之基板W之上方之狀態下，若升降機構23使液滴噴嘴5下降，則液滴噴嘴5接近基板W之上表 面。於使處理液之液滴碰撞基板W時，於液滴噴嘴5接近基板W之上表面之狀態下，藉由控制裝置8控制轉動機構22，而使液滴噴嘴5沿著軌跡X1水平地移動。
如圖1所示，第1保護液噴嘴6及第2保護液噴嘴7由安裝於噴嘴臂21之噴嘴座24保持。若轉動機構22及升降機構23之至少一者使噴嘴臂21移動，則液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7於液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7之位置關係保持為固定之狀態下進行移動。因此，若轉動機構22使噴嘴臂21轉動，則第1及第2保護液噴嘴6、7與液滴噴嘴5一併沿著軌跡X1水平地進行移動。
第1保護液噴嘴6連接於第1保護液供給管25。第2保護液噴嘴7連接於第2保護液供給管28。於第1保護液供給管25介裝有第1保護液閥(保護液供給單元)26。於第2保護液供給管28介裝有第2保護液閥(保護液供給單元)29。第1及第2保護液供給管25、28分支連接於連接到保護液供給源之保護液供給集合管31。於保護液供給集合管31介裝有流量調整閥(保護液供給單元)30。
若關閉第2保護液閥29並且開啟第1保護液閥26，則僅自第1保護液噴嘴6朝向基板W之上表面吐出保護液。
若關閉第1保護液閥26並且開啟第2保護液閥29，則僅自第2保護液噴嘴7朝向基板W之上表面吐出保護液。
若開啟第1及第2保護液閥26、29之兩者，則自第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者朝向基板W之上表面吐出保護液。此時，自第1及第2保護液噴嘴6、7之保護液之吐出流量變得相互相等，又，與僅自第1保護液噴嘴6吐出保護液之情形、或僅自第2保護液 噴嘴7吐出保護液之情形相比較，其吐出流量為一半。
又，自第1保護液噴嘴6之保護液之吐出流量、及自第2保護液噴嘴7之保護液之吐出流量可藉由控制裝置8調整流量調整閥30之開度而變更。
作為供給至第1及第2保護液噴嘴6、7之保護液，例如可列舉SC-1等藥液或清洗液。
圖3係液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7之模式性之側視圖。圖4係液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7之模式性之俯視圖。圖5係表示液滴噴嘴5與第1保護液噴嘴6之位置關係之模式性之俯視圖。圖6係表示液滴噴嘴5與第2保護液噴嘴7之位置關係之模式性之俯視圖。於圖4中，關於液滴噴嘴5，僅表示其上表面5b，於圖5及圖6中，僅表示其下表面5a(對向面)。又，於圖示方面，圖5係表示下述噴射區域T1位於基板W之上表面中心部之情形，圖6係表示下述噴射區域T1位於基板W之上表面周緣部之情形。以下，對液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7進行說明。首先，對液滴噴嘴5進行說明。
如圖3所示，液滴噴嘴5包括：本體36，其噴射處理液之液滴；罩蓋37，其覆蓋本體36；壓電元件17，其由罩蓋37覆蓋；及封件38，其介於本體36與罩蓋37之間。本體36及罩蓋37均由具有耐藥性之材料形成。本體36例如由石英形成。罩蓋37例如由氟系樹脂形成。封件38例如由乙烯-丙烯-二烯M類橡膠(EPDM，ethylene propylene diene M-class rubber)等彈性材料形成。本體36具有耐壓性。本體36之一部分與壓電元件17收容於罩蓋37之內部。配線18之端部例如藉由焊料(solder)而於罩蓋37之內部連接於壓電元件17。罩蓋 37之內部藉由封件38而密閉。
如圖3所示，本體36包括：供給口39，其被供給處理液；排出口40，其將供給至供給口39之處理液排出；處理液流通路41，其將供給口39與排出口40連接；及數個噴射口42，其連接於處理液流通路41。處理液流通路41設置於本體36之內部。供給口39、排出口40、及噴射口42於本體36之表面形成開口。供給口39及排出口40位於較噴射口42更上方。本體36之下表面5a例如為水平之平坦面，噴射口42於本體36之下表面5a形成開口。噴射口42例如為具有數μm~數十μm之直徑之微孔。處理液供給管13及處理液排出管15分別連接於供給口39及排出口40。
如圖5及圖6所示，數個噴射口42構成數個(於圖5及圖6中，例如為4個)行L。各行L包括以等間隔排列之多個(例如10個以上)噴射口42。各行L沿著水平之長度方向D5呈直線狀延伸。各行L並不限於直線狀，亦可為曲線狀。4個行L係相互平行。4個行L中之2個行L於與長度方向D5正交之水平之方向上鄰接。同樣地，剩餘2個行L亦於與長度方向D5正交之水平之方向上鄰接。鄰接之2個行L係成對。構成一對之2個行L中之一個行L之數個噴射口42(圖5及圖6之噴射口42a)與構成另一個行L之數個噴射口42(圖5及圖6之噴射口42b)於長度方向D5上錯開。液滴噴嘴5係以於自鉛垂方向觀察時例如4個行L與軌跡X1交叉之方式保持於噴嘴臂21(一併參照圖2)。
處理液供給機構14(參照圖1)始終於高壓下將處理液供給至液滴噴嘴5。自處理液供給機構14經由處理液供給管13而供給至供給口39之處理液被供給至處理液流通路41。於關閉排出閥16之狀 態下，處理液流通路41中之處理液之壓力(液壓)較高。因此，於關閉排出閥16之狀態下，藉由液壓而自各噴射口42噴射處理液。進而，於關閉排出閥16之狀態下，若將交流電壓施加至壓電元件17，則對在處理液流通路41中流動之處理液賦予壓電元件17之振動，自各噴射口42噴射之處理液因該振動而被截斷。因此，於關閉排出閥16之狀態下，若將交流電壓施加至壓電元件17，則處理液之液滴自各噴射口42噴射。藉此，以均勻之速度同時噴射粒徑均勻之多個處理液之液滴。
另一方面，於開啟排出閥16之狀態下，供給至處理液流通路41之處理液自排出口40排出至處理液排出管15。即，於開啟排出閥16之狀態下，處理液流通路41中之液壓未充分地上升，故供給至處理液流通路41之處理液未自作為微孔之噴射口42噴射而自排出口40排出至處理液排出管15。因此，自噴射口42之處理液之吐出藉由排出閥16之開閉而控制。控制裝置8於不將液滴噴嘴5用於基板W之處理期間(液滴噴嘴5之待機中)開啟排出閥16。因此，即便為液滴噴嘴5之待機中，亦可維持處理液於液滴噴嘴5之內部流通之狀態。
於使處理液之液滴碰撞基板W之上表面時，控制裝置8藉由噴嘴移動機構20(參照圖1)而使液滴噴嘴5移動，藉此使液滴噴嘴5之下表面5a(本體36之下表面5a)接近基板W之上表面。然後，控制裝置8於液滴噴嘴5之下表面5a與基板W之上表面對向之狀態下，關閉排出閥16而使處理液流通路41之壓力上升並且驅動壓電元件17，藉此對處理液流通路41內之處理液施加振動。藉此，粒徑均勻之多個處理液之液滴以均勻之速度同時被噴射。然後，如圖3、圖5及圖6所示，自液滴噴嘴5噴射之多個液滴被吹送至基板W之上表面內之2個噴射區域T1。即，一個噴射區域T1係一對之2個行L之正下方之 區域，自構成該2個行L之噴射口42噴射之處理液之液滴被吹送至一個噴射區域T1。同樣地，另一噴射區域T1係另一對之2個行L之正下方之區域，自構成該2個行L之噴射口42噴射之處理液之液滴被吹送至另一噴射區域T1。如圖5及圖6所示，各噴射區域T1係沿長度方向D5延伸之俯視長方形狀，2個噴射區域T1平行。
其次，一方面參照圖3~圖5，一方面對第1保護液噴嘴6進行說明。
第1保護液噴嘴6具有吐出保護液之第1吐出口43。第1吐出口43配置於較液滴噴嘴5之上端更下方。第1吐出口43例如為圓形。第1吐出口43並不限於圓形，既可為橢圓形，亦可為狹縫狀。
第1保護液噴嘴6係以所吐出之保護液向基板W之上表面之著液狀態成為第1著液狀態之方式吐出保護液。若具體地進行說明，則第1保護液噴嘴6朝向基板W上之第1著液位置P1吐出保護液。第1著液位置P1係於基板W之旋轉方向Dr上較噴射區域T1更上游側之位置。自第1著液位置P1起至噴射區域T1之中央位置M之距離Dc1(參照圖5)例如為15~40mm之既定距離。第1吐出口43向朝向第1著液位置P1之第1吐出方向D1吐出保護液。換言之，來自第1吐出口43之保護液相對於基板W上之第1著液位置P1沿第1吐出方向D1入射。第1吐出方向D1係自第1吐出口43朝向第1著液位置P1之方向，且係於俯視下自第1吐出口43朝向液滴噴嘴5之方向。第1吐出方向D1相對於長度方向D5傾斜。俯視下長度方向D5與第1吐出方向D1所成之角度(入射角度)θH1(參照圖5)例如設定為25~35度之範圍內之既定角度。
如圖3所示，第1吐出方向D1相對於鉛垂方向朝向噴 射區域T1之方向傾斜。即，第1著液位置P1於水平方向上配置於較第1吐出口43更靠噴射區域T1側，第1吐出方向D1相對於基板W之上表面傾斜。基板W之上表面與第1吐出方向D1所成之角度(入射角度)θV1(參照圖3)例如設定為10~40度之範圍內之既定角度。
第2保護液噴嘴7具有吐出保護液之第2吐出口44。第2吐出口44配置於較液滴噴嘴5之上端更下方。第2吐出口44例如為圓形。第2吐出口44並不限於圓形，既可為橢圓形，亦可為狹縫狀。
第2保護液噴嘴7係以所吐出之保護液向基板W之上表面之著液狀態成為第2著液狀態之方式吐出保護液。若具體地進行說明，則朝向基板W上之第2著液位置P2吐出保護液。第2著液位置P2係於基板W之旋轉方向Dr上較噴射區域T1更上游側之位置。自第2著液位置P2起至中央位置M之距離De2(參照圖6)例如為15~40mm之既定距離。
第2吐出口44向朝向第2著液位置P2之第2吐出方向D2吐出保護液。換言之，來自第2吐出口44之保護液相對於基板W上之第2著液位置P2沿第2吐出方向D2入射。第2吐出方向D2係自第2吐出口44朝向第2著液位置P2之方向，且係於俯視下自第2吐出口44朝向液滴噴嘴5之方向。第2吐出方向D2相對於長度方向D5傾斜。俯視下長度方向D5與第2吐出方向D2所成之角度(入射角度)θH2(參照圖6)例如設定為25~35度之範圍內之既定角度。
如圖3所示，第2吐出方向D2相對於鉛垂方向朝向噴射區域T1之方向傾斜。即，第2著液位置P2於水平方向上配置於較第2吐出口44更靠噴射區域T1側，第2吐出方向D2相對於基板W之上表面傾斜。基板W之上表面與第2吐出方向D2所成之角度(入射 角度)θV2(參照圖3)例如設定為10~40度之範圍內之既定角度。
於噴嘴座24(參照圖1)安裝有第1及第2保護液噴嘴6、7。第1保護液噴嘴6之位置及姿勢(第1位置及姿勢)係於噴射區域T1之位置配置於作為包括基板W之旋轉中心C1之部分之基板W之上表面中心部之狀態下被最佳化。即，第1著液狀態(第1著液位置P1(參照圖3)、角度θV1(參照圖3)及角度θH1(參照圖5))係如下著液狀態：當於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下僅自第1保護液噴嘴6吐出保護液之情形時，該保護液最高效率地遍及噴射區域T1之全域。換言之，第1保護液噴嘴6之第1位置及姿勢係如下位置及姿勢：當於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下僅自第1保護液噴嘴6吐出保護液之情形時，該保護液最高效率地遍及噴射區域T1之全域。
又，第2保護液噴嘴7之位置及姿勢係於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下被最佳化。即，第2著液狀態(第2著液位置P2(參照圖3)、角度θV2(參照圖3)及角度θH2(參照圖6))係如下著液狀態：當於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下僅自第2保護液噴嘴7吐出保護液之情形時，該保護液最高效率地遍及噴射區域T1之全域。換言之，第2保護液噴嘴7之第2位置及姿勢係如下位置及姿勢：當於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下僅自第2保護液噴嘴7吐出保護液之情形時，該保護液最高效率地遍及噴射區域T1之全域。
如圖3及圖4所示，於基板處理裝置1中，第1及第2保護液噴嘴6、7之姿勢係相互相同，且上下錯開而配置。換言之，第1及第2保護液噴嘴6、7於俯視下相互重複(於圖4中，為方便圖示， 而表示錯開些許之狀態)。
即，於基板處理裝置1中，第1保護液噴嘴6之吐出口43與第2保護液噴嘴7之吐出口44上下錯開，其結果，第2著液位置P2成為較第1著液位置P1更靠近噴射區域T1之位置(Dc1(參照圖5)>De2(參照圖6)。第2著液位置P2配置於連結第1吐出口43與第1著液位置P1之線段之延長線上。
又，第1吐出方向D1與第2吐出方向D2為相同方向。即，角度θV2(參照圖3)與角度θV1(參照圖3)相同，角度θH2(參照圖6)與角度θH1(參照圖5)相同。
再者，若第1及第2保護液噴嘴6、7之位置及姿勢分別於基板W之上表面中心部及上表面周緣部被最佳化，則關於第1及第2保護液噴嘴6、7，不僅可使吐出口43、44之位置不同，而且亦可使姿勢相互不同。於該情形時，使第1吐出方向D1亦與第2吐出方向D2不同。又，亦可以所吐出之保護液之第1及第2著液位置P1、P2相同之方式設置第1及第2保護液噴嘴6、7。然而，於該情形時，必須使第1吐出方向D1與第2吐出方向D2相互不同。
於使用基板處理裝置1所執行之第1及第2處理例(於下文進行敍述)中，於噴射區域T1之位置配置於包括作為包括基板W之旋轉中心C1之部分之上表面中心部的上表面內周區域(上表面中心部之周邊區域)IR之情形時，控制裝置8不使保護液自第2保護液噴嘴7吐出，而使保護液僅自第1保護液噴嘴6吐出。又，於噴射區域T1之位置配置於包括上表面周緣部之上表面外周區域(上表面周緣部之周邊區域)OR之情形時，控制裝置8不使保護液自第1保護液噴嘴6吐出，而使保護液僅自第2保護液噴嘴7吐出。又，控制裝置8控制旋 轉夾頭2而使基板W旋轉。
參照圖1、圖3及圖5，對第1及第2處理例中噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之情形時之保護液之流動進行說明。
因對旋轉狀態之基板W供給保護液，故自第1保護液噴嘴6供給至基板W之上表面中心部之保護液藉由與基板W之接觸而於徑方向(旋轉半徑方向)上被加速並且於基板W之旋轉方向Dr(參照圖6)上被加速。因此，一方面自第1著液位置P1向徑方向擴展一方面向旋轉方向流動。第1吐出方向D1傾向於鉛垂方向，且於基板W之中心部，基板W之旋轉速度較慢，故供給至基板W之上表面中心部之保護液一方面保持以第1著液位置P1為1個頂點之三角形狀一方面廣範圍地擴展。
參照圖1、圖3及圖6，對第1及第2處理例中噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之情形時之保護液之流動進行說明。
因對旋轉狀態之基板W供給保護液，故自第2保護液噴嘴7供給至基板W之上表面周緣部之保護液藉由與基板W之接觸而於徑方向(旋轉半徑方向)上被加速並且於基板W之旋轉方向Dr上被加速。因此，供給至基板W之保護液一方面自第2著液位置P2向徑方向擴展一方面向旋轉方向流動。於基板W之周緣部，基板W之旋轉速度較快，故供給至基板W之上表面周緣部之保護液以高速擴展成以第2著液位置P2為1個頂點之角度較小之銳角三角形狀(沿著基板W之周方向之大致直線狀)。
又，於使用基板處理裝置1所執行之第3及第4處理例 (於下文進行敍述)中，與噴射區域T1之位置之移動(掃描)同時地，控制裝置8使保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出。此時之自第1及第2保護液噴嘴6、7之保護液之吐出流量相互相等(吐出流量比為1：1)。又，控制裝置8控制旋轉夾頭2而使基板W旋轉。
參照圖1、圖3及圖5，對第3及第4處理例中噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之情形時之保護液之流動進行說明。又，對於第2保護液噴嘴7，一方面亦一併參照圖6一方面進行說明。
來自第1保護液噴嘴6之保護液著液於第1著液位置P1，來自第2保護液噴嘴7之保護液著液於第2著液位置P2。因對旋轉狀態之基板W供給保護液，故供給至基板W之保護液藉由與基板W之接觸而於徑方向(旋轉半徑方向)上被加速，並且於基板W之旋轉方向Dr(參照圖6)上被加速。因此，供給至基板W之保護液一方面自各著液位置P1、P2向徑方向擴展一方面向旋轉方向流動。第1及第2吐出方向D1、D2傾向於鉛垂方向，且於基板W之中心部，基板W之旋轉速度較慢，故供給至基板W之上表面中心部之保護液一方面保持以各著液位置P1、P2為1個頂點之三角形狀一方面廣範圍地擴展。
參照圖1、圖3及圖6，對在第2處理例中噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之情形時之保護液之流動進行說明。又，對於第1保護液噴嘴6，一方面亦一併參照圖5一方面進行說明。
來自第1保護液噴嘴6之保護液著液於第1著液位置P1，來自第2保護液噴嘴7之保護液著液於第2著液位置P2。因對旋轉狀態之基板W供給保護液，故供給至基板W之保護液藉由與基板 W之接觸而於徑方向(旋轉半徑方向)上被加速，並且於基板W之旋轉方向Dr上被加速。因此，供給至基板W之保護液一方面自各著液位置P1、P2向徑方向擴展一方面向旋轉方向流動。於基板W之周緣部，基板W之旋轉速度較快，故供給至基板W之上表面周緣部之保護液形成以各著液位置P1、P2為1個頂點之角度較小之銳角三角形狀(沿著基板W之周方向之大致直線狀)並且以高速向徑方向擴展。
圖7A~7E係用以對藉由本發明之一實施形態之基板處理裝置1而進行之基板W之第1處理例進行說明的圖。參照圖1及圖7A~7E，對第1處理例進行說明。
包括例如直徑300mm之圓形基板之未處理之基板W由搬送機器人(未圖示)搬送，且將作為器件形成面之表面例如朝上載置於旋轉夾頭2上。然後，控制裝置8藉由旋轉夾頭2而保持基板W。其後，控制裝置8控制旋轉馬達10而使由旋轉夾頭2保持之基板W旋轉。
其次，進行將作為清洗液之一例之純水自清洗液噴嘴4供給至基板W，且利用純水覆蓋基板W之上表面之第1覆蓋步驟。具體而言，控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉一方面開啟清洗液閥11，如圖7A所示，使純水自清洗液噴嘴4朝向由旋轉夾頭2保持之基板W之上表面中央部吐出。自清洗液噴嘴4吐出之純水被供給至基板W之上表面中央部，受到因基板W之旋轉而產生之離心力而沿著基板W之上表面向外方擴展。藉此，對基板W之上表面全域供給純水，而形成覆蓋基板W之上表面全域之純水之液膜。然後，若開啟清洗液閥11後經過既定時間，則控制裝置8關閉清洗液閥11而使自清洗液噴嘴4之純水之吐出停止。
接著，同時進行將作為處理液之一例之碳酸水之液滴自液滴噴嘴5供給至基板W而將基板W洗淨的洗淨步驟、及將作為保護液之一例之SC-1供給至基板W且利用SC-1覆蓋基板W之上表面的第2覆蓋步驟。即，如圖7B及圖7C所示，控制裝置8使SC-1自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出，且使碳酸水之液滴自液滴噴嘴5噴射，並且一方面使基板W以固定速度旋轉，一方面藉由噴嘴移動機構20而使液滴噴嘴5沿著軌跡X1於中心位置Pc與周緣位置Pe之間往返數次(半掃描)。因控制裝置8一方面使基板W旋轉一方面使液滴噴嘴5於中心位置Pc與周緣位置Pe之間移動，故藉由噴射區域T1而掃描基板W之上表面，噴射區域T1之位置通過基板W之上表面全域。如圖2中以實線所示般，中心位置Pc係於俯視下液滴噴嘴5與基板W之上表面中心部重疊之位置，如圖2中以兩點鏈線所示般，周緣位置Pe係於俯視下液滴噴嘴5與基板W之上表面周緣部重疊之位置。
於洗淨步驟及第2覆蓋步驟結束後，進行將作為清洗液之一例之純水自清洗液噴嘴4供給至基板W而沖洗附著於基板W之液體或異物之清洗步驟。具體而言，控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉一方面開啟清洗液閥11，如圖7D所示，使純水自清洗液噴嘴4朝向由旋轉夾頭2保持之基板W之上表面中央部吐出。自清洗液噴嘴4吐出之純水被供給至基板W之上表面中央部，受到因基板W之旋轉而產生之離心力而沿著基板W之上表面向外方擴展。藉此，對基板W之上表面全域供給純水，沖洗附著於基板W之液體或異物。然後，若開啟清洗液閥11後經過既定時間，則控制裝置8關閉清洗液閥11而使自清洗液噴嘴4之純水之吐出停止。
接著，進行使基板W乾燥之乾燥步驟(旋轉乾燥)。具體 而言，控制裝置8控制旋轉馬達10而使基板W以高旋轉速度(例如數千rpm)旋轉。藉此，較大之離心力作用於附著於基板W之純水，如圖7E所示，附著於基板W之純水被甩至基板W之周圍。以如此之方式，自基板W中去除純水，使基板W乾燥。然後，於將乾燥步驟進行既定時間之後，控制裝置8控制旋轉馬達10而使利用旋轉夾頭2之基板W之旋轉停止。其後，藉由搬送機器人而將經處理過之基板W自旋轉夾頭2搬出。
圖8A~8H係用以對洗淨步驟及第2覆蓋步驟進行說明之圖。圖9及圖10係表示第1及第2保護液閥26、29之開閉動作之時序圖。圖9係表示使噴射區域T1自基板W之上表面周緣部朝向上表面中心部移動之情形，圖10係表示使噴射區域T1自基板W之上表面中心部朝向上表面周緣部移動之情形。參照圖1、圖8A~8H、圖9及圖10，對洗淨步驟及第2覆蓋步驟進行說明。
控制裝置8藉由控制噴嘴移動機構20，而如圖8A所示，使液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7自基板W之旋轉範圍外之起始位置(未圖示)向旋轉夾頭2之上方移動，且使液滴噴嘴5之下表面5a接近基板W之上表面周緣部。即，液滴噴嘴5配置於周緣位置Pe。
其後，控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉一方面開啟第2保護液閥29，而如圖8B所示，使SC-1自第2保護液噴嘴7吐出。流量調整閥30之開度係以保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之合計吐出流量成為既定之少流量之第1吐出流量(例如約0.5升/分鐘)之方式進行調整，因此，自第2保護液噴嘴7吐出約0.5升/分鐘之吐出流量之SC-1。
又，控制裝置8與SC-1自第2保護液噴嘴7吐出同時地，使碳酸水之液滴自液滴噴嘴5噴射。具體而言，控制裝置8於液滴噴嘴5之下表面5a接近於基板W之上表面，且SC-1自第2保護液噴嘴7吐出之狀態下，關閉排出閥16並且藉由電壓施加機構19而將既定頻率之交流電壓施加至液滴噴嘴5之壓電元件17。藉由多個碳酸水之液滴自液滴噴嘴5向下方噴射，而噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部。自第2保護液噴嘴7吐出之SC-1遍及配置於基板W之上表面周緣部之噴射區域T1之全域而形成SC-1之液膜，且自液滴噴嘴5向由該SC-1之液膜覆蓋之噴射區域T1吹送多個碳酸水之液滴。
進而，如圖8B所示，控制裝置8使基板W以固定之旋轉速度旋轉，並且一方面使SC-1以固定之吐出流量自第2保護液噴嘴7吐出，一方面藉由噴嘴移動機構20而使液滴噴嘴5沿著基板W之上表面朝向中心位置Pc移動。藉此，如圖8C所示，利用SC-1之液膜覆蓋噴射區域T1位置，並且使基板W之上表面外周區域OR朝向基板W之旋轉中心C1移動。
如圖8D及圖9所示，於液滴噴嘴5通過中間位置Pm之時機，控制裝置8關閉第2保護液閥29而使SC-1自第2保護液噴嘴7之吐出停止，並且開啟第1保護液閥26而使SC-1自第1保護液噴嘴6吐出。
即，吐出保護液之保護液噴嘴由之前之第2保護液噴嘴7切換為第1保護液噴嘴6。如上所述，流量調整閥30之開度係以保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之合計吐出流量成為既定之少流量之第1吐出流量(例如約0.5升/分鐘)之方式進行調整，故自第1保護液 噴嘴6吐出約0.5升/分鐘之吐出流量之SC-1。碳酸水之液滴自液滴噴嘴5之噴射係繼續進行，自第1保護液噴嘴6吐出之SC-1遍及配置於基板W之中間部M1之噴射區域T1之全域，藉此，形成覆蓋噴射區域T1之全域之SC-1之液膜。中間位置Pm係於俯視下液滴噴嘴5與基板W之中間部M1重疊之位置(更詳細而言，噴射區域T1之中央位置M與基板W之中間部M1重疊之位置)。基板W之中間部M1係基板W之旋轉中心C1與基板周緣之間之中間部分(於直徑300mm之基板W中，為距旋轉中心C1 75mm之位置)。
進而，控制裝置8係一方面使SC-1以固定之吐出流量自第1保護液噴嘴6吐出，一方面繼續進行以固定之旋轉速度之基板W之旋轉、及液滴噴嘴5朝向中心位置Pc之移動。藉此，噴射區域T1之位置由SC-1之液膜覆蓋，並且使上表面內周區域IR朝向基板W之旋轉中心C1移動。
其後，如圖8E所示，若液滴噴嘴5到達中心位置Pc，則控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。因此，液滴噴嘴5自中心位置Pc朝向周緣位置Pe開始移動。藉此，自液滴噴嘴5噴射碳酸水之液滴，且自第1保護液噴嘴6吐出SC-1，並且液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7朝向周緣位置Pe移動。藉此，如圖8F所示，噴射區域T1之位置由SC-1之液膜覆蓋，並且使上表面內周區域IR朝向基板W之周緣移動。
如圖8G及圖10所示，於液滴噴嘴5通過中間位置Pm之時機，控制裝置8關閉第1保護液閥26而使SC-1自第1保護液噴嘴6之吐出停止，並且開啟第2保護液閥29而使SC-1自第2保護液噴嘴7吐出。
即，吐出保護液之保護液噴嘴由之前之第1保護液噴嘴6切換為第2保護液噴嘴7。藉此，自第2保護液噴嘴7吐出約0.5升/分鐘之吐出流量之SC-1。碳酸水之液滴自液滴噴嘴5之噴射係繼續進行，自第2保護液噴嘴7吐出之SC-1遍及配置於基板W之中間部M1之噴射區域T1之全域，藉此，形成覆蓋噴射區域T1之全域之SC-1之液膜。
進而，控制裝置8一方面使SC-1以固定之吐出流量自第2保護液噴嘴7吐出，一方面繼續進行以固定之旋轉速度之基板W之旋轉、及液滴噴嘴5朝向周緣位置Pe之移動。藉此，噴射區域T1之位置由SC-1之液膜覆蓋，並且使上表面外周區域OR朝向基板W之周緣移動。
其後，如圖8H所示，若液滴噴嘴5到達周緣位置Pe，則控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。藉此，液滴噴嘴5自周緣位置Pe朝向中心位置Pc開始移動。
如此，因控制裝置8一方面使基板W旋轉一方面使液滴噴嘴5於中心位置Pc與周緣位置Pe之間移動，故藉由噴射區域T1而掃描基板W之上表面，噴射區域T1之位置通過基板W之上表面全域。
藉由多個碳酸水之液滴自液滴噴嘴5向下方噴射，而向由SC-1之液膜覆蓋之噴射區域T1吹送多個碳酸水之液滴。因此，基板W之上表面全域被吹送有碳酸水之液滴。附著於基板W之上表面之微粒等異物係藉由液滴對基板W之碰撞而被物理性地去除。又，異物與基板W之結合力因SC-1使基板W溶解而被削弱。因此，更加確實地去除異物。又，於基板W之上表面全域由液膜覆蓋之狀態下，碳 酸水之液滴被吹送至噴射區域T1，故抑制或防止異物對基板W之再附著。以如此之方式，進行第2覆蓋步驟及洗淨步驟。
於洗淨步驟及第2覆蓋步驟中，於掃描之噴射區域T1之位置配置於上表面內周區域IR之情形時，控制裝置8不使保護液自第2保護液噴嘴7吐出，而使保護液僅自第1保護液噴嘴6吐出。又，如上所述，第1保護液噴嘴6之位置及姿勢係於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下被最佳化。因此，無論噴射區域T1之位置配置於上表面內周區域IR之任一位置，自第1保護液噴嘴6吐出之保護液均可遍及該噴射區域T1之全域，藉此，形成覆蓋噴射區域T1之全域之SC-1之液膜。
又，於洗淨步驟及第2覆蓋步驟中，於掃描之噴射區域T1之位置配置於上表面外周區域OR之情形時，控制裝置8不使保護液自第1保護液噴嘴6吐出，而使保護液僅自第2保護液噴嘴7吐出。又，如上所述，第2保護液噴嘴7之位置及姿勢係於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下被最佳化。因此，無論噴射區域T1之位置配置於上表面外周區域OR之任一位置，自第2保護液噴嘴7吐出之保護液均可遍及該噴射區域T1之全域，藉此，形成覆蓋噴射區域T1之全域之SC-1之液膜。
再者，上表面內周區域IR係指基板W之上表面內較中間部M1更靠內周側之區域，上表面外周區域OR係指基板W之上表面內較中間部M1更靠外周側之區域。
然後，若噴嘴臂21之往返搖動動作進行了預先決定之次數，則控制裝置8開啟排出閥16而使液滴自液滴噴嘴5之噴射停止。進而，控制裝置8關閉處於開啟狀態之第1或第2保護液閥26、29而 使SC-1自第1或第2保護液噴嘴6、7之吐出停止。
圖11係表示實施例1及比較例1中之供給至基板W之保護液之流量與基板W之損傷數之關係之圖表。
實施例1係表示如上述處理例1般執行切換吐出保護液之保護液噴嘴之第2覆蓋步驟及洗淨步驟之情形，比較例1係表示使保護液僅自第1保護液噴嘴6吐出並且執行第2覆蓋步驟及洗淨步驟之情形。又，於基板W之上表面形成有厚度37nm之多晶矽薄膜。關於圖11之損傷數，除供給至基板W之保護液之流量以外，係於相同之條件下處理基板W時之測定值。具體而言，所供給之保護液(SC-1)之液溫為40℃，吐出時之保護液之流速為38m/s，且基板之旋轉速度為300rpm。又，噴嘴臂21之1次往返搖動動作(往返半掃描)所需之時間為10sec，半掃描之執行次數為3次。
於比較例1中，於供給至基板W之保護液之流量未滿0.7升/分鐘時，損傷數較多。相對於此，於實施例1中，即便供給至基板W之保護液之流量為0.5升/分鐘，損傷數亦極少。因此，於第1處理例之情形時，不增大供給至基板W之保護液之流量便可抑制基板W之損傷。
藉由以上，根據第1實施形態之第1處理例，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面內周區域IR時，僅自第1保護液噴嘴6吐出保護液。第1保護液噴嘴6係以於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下，自第1保護液噴嘴6吐出之保護液遍及噴射區域T1之全域之方式被最佳化。因此，即便供給至基板W之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋配置於上表面內周區域IR之噴射區域T1之全域。
又，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面外周區域OR時，僅自第2保護液噴嘴7吐出保護液。第2保護液噴嘴7係以於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下，自第2保護液噴嘴7吐出之保護液遍及噴射區域T1之全域之方式被最佳化。因此，即便供給至基板W之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋配置於上表面外周區域OR之噴射區域T1之全域。
其結果，無論噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面之任一位置，均可藉由向基板W供給少流量之保護液，而利用保護液之液膜覆蓋噴射區域T1之全域。藉此，不增大供給至基板W之保護液之流量便可抑制基板W之損傷。
又，於噴射區域T1之位置自基板W之上表面中心部朝向基板W之上表面周緣部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第1保護液噴嘴6切換為第2保護液噴嘴7。進而，於噴射區域T1之位置自基板W之上表面周緣部朝向基板W之上表面中心部移動之狀態下，吐出保護液之保護液噴嘴由第2保護液噴嘴7切換為第1保護液噴嘴6。藉此，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面內周區域IR之情形時，僅自第1保護液噴嘴6對基板W供給保護液，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面外周區域OR之情形時，僅自第2保護液噴嘴7對基板W供給保護液。因此，無論噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面之任一位置，均可藉由因供給少流量之保護液而形成之保護液之液膜，而覆蓋噴射區域T1之全域。
然而，於處理例1中，存在以下問題。
即，於噴射區域T1之位置自基板W之上表面周緣部朝向基板W之上表面中心部移動之狀態下，於第2保護液噴嘴7之吐出 停止之時機早於第1保護液噴嘴6之吐出開始時機之情形時，有如下之虞：產生不自第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者吐出保護液之期間。於此種期間中，因基板W之上表面未由保護液保護，故其結果，有對基板W造成損傷之虞。
於噴射區域T1之位置自基板W之上表面中心部朝向基板W之上表面周緣部移動之狀態下，於第1保護液噴嘴6之吐出停止之時機早於第2保護液噴嘴7之吐出開始時機之情形時，亦產生相同之問題。
為解決上述問題，而可採用以下敍述之第2處理例。
圖12A~12L係用以對藉由基板處理裝置1而進行之第2處理例進行說明之圖。圖13及圖14係表示第1及第2保護液閥26、29之開閉動作之時序圖。圖13係表示使噴射區域T1自基板W之上表面周緣部朝向上表面中心部移動之情形，圖14係表示使噴射區域T1自基板W之上表面中心部朝向上表面周緣部移動之情形。
圖12A~12L係表示第2處理例中之洗淨步驟及第2覆蓋步驟。第2處理例中之與第1處理例不同者僅為洗淨步驟及第2覆蓋步驟。除此以外之步驟因與第1處理例之情形相同，故省略說明。參照圖1、圖12A~12L、圖13及圖14，對第2處理例中之洗淨步驟及第2覆蓋步驟進行說明。
控制裝置8藉由控制噴嘴移動機構20，而如圖12A所示，使液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7自基板W之旋轉範圍外之起始位置(未圖示)向旋轉夾頭2之上方移動，且使液滴噴嘴5之下表面5a接近基板W之上表面周緣部。即，液滴噴嘴5配置於周緣位置Pe。
其後，控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉，一方面開啟第2保護液閥29，如圖12B所示，使SC-1自第2保護液噴嘴7吐出。自第2保護液噴嘴7吐出約0.5升/分鐘之吐出流量之SC-1。
又，控制裝置8與自第2保護液噴嘴7吐出SC-1同時地，使碳酸水之液滴自液滴噴嘴5噴射。藉由多個碳酸水之液滴自液滴噴嘴5向下方噴射，而噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部。自第2保護液噴嘴7吐出之SC-1遍及配置於基板W之上表面周緣部之噴射區域T1之全域而形成SC-1之液膜，且自液滴噴嘴5向由該SC-1之液膜覆蓋之噴射區域T1吹送多個碳酸水之液滴。
進而，如圖12B所示，控制裝置8使基板W以固定之旋轉速度旋轉，並且一方面使SC-1以固定之吐出流量自第2保護液噴嘴7吐出，一方面藉由噴嘴移動機構20而使液滴噴嘴5沿著基板W之上表面朝向中心位置Pc移動。藉此，如圖12C所示，噴射區域T1之位置由SC-1之液膜覆蓋，並且使基板W之上表面外周區域OR朝向基板W之旋轉中心C1移動。
如圖12D及圖13所示，於液滴噴嘴5通過較中間位置Pm更靠外周之既定位置之時機(更詳細而言，噴射區域T1之中央位置M通過基板W之上表面內較中間部M1更靠外周之外側部分M2之時機)，控制裝置8一方面將第2保護液閥29維持為開啟狀態，一方面開啟第1保護液閥26而使SC-1自第1保護液噴嘴6吐出。藉此，開始利用第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者同時吐出SC-1。如上所述，流量調整閥30之開度係以保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之合計吐出流量成為既定之少流量之第1吐出流量(例如約0.5升/分鐘)之方 式進行調整，故自第1及第2保護液噴嘴6、7分別吐出約0.25升/分鐘之吐出流量之SC-1。
碳酸水之液滴自液滴噴嘴5之噴射係繼續進行，自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出之SC-1遍及配置於基板W之上表面之外側部分M2之噴射區域T1之全域，藉此，形成覆蓋噴射區域T1之全域之SC-1之液膜。
其後，控制裝置8一方面使SC-1以固定之吐出流量自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出，一方面繼續進行以固定之旋轉速度之基板W之旋轉、及液滴噴嘴5朝向中心位置Pc之移動。藉此，如圖12E所示，液滴噴嘴5到達中間位置Pm，其後亦進一步朝向中心位置Pc沿著基板W之上表面移動。
然後，如圖12F及圖13所示，於液滴噴嘴5通過較中間位置Pm更靠內周之既定位置之時機(更詳細而言，噴射區域T1之中央位置M通過基板W之上表面內較中間部M1更靠內周之內側部分M3之時機)，控制裝置8關閉第2保護液閥29而使SC-1自第2保護液噴嘴7之吐出停止。藉此，結束利用第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者同時吐出SC-1，此後，僅自第1保護液噴嘴6吐出SC-1。如上所述，流量調整閥30之開度係以保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之合計吐出流量成為既定之少流量之第1吐出流量(例如約0.5升/分鐘)之方式進行調整，故此時，自第1保護液噴嘴6吐出約0.5升/分鐘之吐出流量之SC-1。
進而，控制裝置8一方面使SC-1以固定之吐出流量自第1保護液噴嘴6吐出，一方面繼續進行以固定之旋轉速度之基板W之旋轉、及液滴噴嘴5朝向中心位置Pc之移動。藉此，噴射區域T1 之位置由SC-1之液膜覆蓋，並且使上表面內周區域IR朝向基板W之旋轉中心C1移動。
其後，如圖12G所示，若液滴噴嘴5到達中心位置Pc，則控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。藉此，液滴噴嘴5自中心位置Pc朝向周緣位置Pe開始移動。其後，自液滴噴嘴5噴射碳酸水之液滴，且自第1保護液噴嘴6吐出SC-1，並且液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7朝向周緣位置Pe移動。藉此，噴射區域T1之位置由SC-1之液膜覆蓋，並且自基板W之上表面中心部朝向上表面周緣部移動。
其後，自液滴噴嘴5噴射碳酸水之液滴，且自第1保護液噴嘴6吐出SC-1，如圖12H所示，液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7朝向周緣位置Pe移動。藉此，噴射區域T1之位置一方面由SC-1之液膜覆蓋，一方面使上表面內周區域IR朝向基板W之周緣移動。
如圖12I及圖14所示，於液滴噴嘴5通過較中間位置Pm更靠內周之既定位置之時機(更詳細而言，噴射區域T1之中央位置M通過基板W之上表面之內側部分M3之時機)，控制裝置8一方面將第1保護液閥26維持為開啟狀態，一方面開啟第2保護液閥29而使SC-1自第2保護液噴嘴7吐出。藉此，開始利用第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者同時吐出SC-1。此時，自第1及第2保護液噴嘴6、7分別吐出約0.25升/分鐘之吐出流量之SC-1。
碳酸水之液滴自液滴噴嘴5之噴射係繼續進行，自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出之SC-1遍及配置於基板W之上表面之內側部分M3之噴射區域T1之全域，藉此，形成覆蓋噴射區域T1之全 域之SC-1之液膜。
其後，控制裝置8一方面使SC-1以固定之吐出流量自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出，一方面繼續進行以固定之旋轉速度之基板W之旋轉及液滴噴嘴5朝向周緣位置Pe之移動。藉此，如圖12J所示，液滴噴嘴5到達中間位置Pm，其後亦進一步朝向周緣位置Pe沿著基板W之上表面移動。
然後，如圖12K及圖14所示，於液滴噴嘴5通過較中間位置Pm更靠外周之既定位置之時機(更詳細而言，噴射區域T1之中央位置M通過基板W之上表面之外側部分M2之時機)，控制裝置8關閉第1保護液閥26而使SC-1自第1保護液噴嘴6之吐出停止。藉此，結束利用第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者同時吐出SC-1，此後，僅自第2保護液噴嘴7吐出SC-1。此時，自第2保護液噴嘴7吐出約0.5升/分鐘之吐出流量之SC-1。
進而，控制裝置8一方面使SC-1以固定之吐出流量自第2保護液噴嘴7吐出，一方面繼續進行以固定之旋轉速度之基板W之旋轉、及液滴噴嘴5朝向周緣位置Pe之移動。藉此，噴射區域T1之位置一方面由SC-1之液膜覆蓋，一方面使上表面外周區域OR朝向基板W之周緣移動。
其後，若如圖12L所示，液滴噴嘴5到達周緣位置Pe，則控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。藉此，液滴噴嘴5自周緣位置Pe朝向中心位置Pc開始移動。
於噴射區域T1(液滴噴嘴5)自基板W之上表面周緣部移動至基板W之上表面中心部所需的時間、及噴射區域T1(液滴噴嘴5)自基板W之上表面中心部移動至基板W之上表面周緣部所需的時間 分別設定為5.0秒之情形時，自第1及第2保護液噴嘴6、7同時吐出保護液之時間(於第1及第2保護液閥26、29之一者處於開啟狀態之情形時，開啟第1及第2保護液閥26、29之另一者之後關閉第1及第2保護液閥26、29之一者之前的時間)例如設定為0.2秒。
然後，若將噴嘴臂21之往返搖動動作進行預先決定之次數，則控制裝置8開啟排出閥16而使液滴自液滴噴嘴5之噴射停止。進而，控制裝置8關閉處於開啟狀態之第1或第2保護液閥26、29而使SC-1自第1或第2保護液噴嘴6、7之吐出停止。
藉由以上，根據該第2處理例，於自第2保護液噴嘴7之吐出停止之前開始保護液自第1保護液噴嘴6之吐出，且於自第1保護液噴嘴6之吐出停止之前開始保護液自第2保護液噴嘴7之吐出。換言之，使保護液自第1保護液噴嘴6之吐出期間與保護液自第2保護液噴嘴7之吐出期間部分重複。藉此，當於第1保護液噴嘴6與第2保護液噴嘴7之間切換吐出保護液之保護液噴嘴時，可設置自第1及第2保護液噴嘴6、7同時吐出保護液之期間，從而可確實地防止於切換吐出保護液之保護液噴嘴時產生未自第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者吐出保護液之狀態。
圖15A~15E係用以對藉由圖1所示之基板處理裝置而進行之第3處理例進行說明之圖。圖15A~15E係表示第3處理例中之洗淨步驟及第2覆蓋步驟。第3處理例中之與第1處理例不同者僅為洗淨步驟及第2覆蓋步驟。除此以外之步驟因與第1處理例之情形相同，故省略說明。參照圖1、圖15A~15E，對第3處理例中之洗淨步驟及第2覆蓋步驟進行說明。
控制裝置8藉由控制噴嘴移動機構20，而如圖15A所 示，使液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7自基板W之旋轉範圍外之起始位置(未圖示)向旋轉夾頭2之上方移動，且使液滴噴嘴5之下表面5a接近基板W之上表面周緣部。即，液滴噴嘴5配置於周緣位置Pe。
其後，控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉，一方面開啟第1及第2保護液閥26、29使SC-1自第1及2之保護液噴嘴6、7之兩者吐出。於該處理例3中，流量調整閥30之開度係以保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之合計吐出流量成為作為小流量之既定流量AF(例如約1.3升/分鐘)之方式進行調整。此時，自第1及第2保護液噴嘴6、7分別吐出約0.65升/分鐘之吐出流量之SC-1。
又，控制裝置8與SC-1自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出同時地，使碳酸水之液滴自液滴噴嘴5噴射。具體而言，控制裝置8於液滴噴嘴5之下表面5a接近基板W之上表面，且自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出SC-1之狀態下，關閉排出閥16並且藉由電壓施加機構19而將既定頻率之交流電壓施加至液滴噴嘴5之壓電元件17。藉由多個碳酸水之液滴自液滴噴嘴5向下方噴射，而噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部。自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出之SC-1遍及配置於基板W之上表面周緣部之噴射區域T1之全域而形成SC-1之液膜，且自液滴噴嘴5向由該SC-1之液膜覆蓋之噴射區域T1吹送多個碳酸水之液滴。
進而，如圖15B所示，控制裝置8使基板W以固定之旋轉速度旋轉，並且一方面使SC-1以固定之吐出流量(流量AF)自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出，一方面藉由噴嘴移動機構20而使液滴噴嘴5沿著基板W之上表面朝向中心位置Pc移動。藉此，噴射區域 T1之位置由SC-1之液膜覆蓋，並且使基板W之上表面朝向基板W之旋轉中心C1移動。
其後，若如圖15C所示，液滴噴嘴5到達中心位置Pc，則控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。因此，液滴噴嘴5自中心位置Pc朝向周緣位置Pe開始移動。藉此，自液滴噴嘴5噴射碳酸水之液滴，且一方面自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出SC-1，一方面液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7朝向周緣位置Pe移動。藉此，如圖15D所示，噴射區域T1之位置一方面由SC-1之液膜覆蓋，一方面使基板W之上表面朝向基板W之周緣移動。
其後，若如圖15E所示，液滴噴嘴5到達周緣位置Pe，則控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。藉此，液滴噴嘴5自周緣位置Pe朝向中心位置Pc開始移動。
如此，控制裝置8一方面使基板W旋轉一方面使液滴噴嘴5於中心位置Pc與周緣位置Pe之間移動，故藉由噴射區域T1而掃描基板W之上表面，噴射區域T1之位置通過基板W之上表面全域。
藉由多個碳酸水之液滴自液滴噴嘴5向下方噴射，而向由SC-1之液膜覆蓋之噴射區域T1吹送多個碳酸水之液滴。因此，向基板W之上表面全域吹送碳酸水之液滴。附著於基板W之上表面之微粒等異物藉由液滴對基板W之碰撞而被物理性地去除。又，異物與基板W之結合力因SC-1使基板W溶解而被削弱。因此，更加確實地去除異物。又，於基板W之上表面全域由液膜覆蓋之狀態下，碳酸水之液滴被吹送至噴射區域T1，故抑制或防止異物對基板W之再附著。以如此之方式，進行第2覆蓋步驟及洗淨步驟。
然後，若將噴嘴臂21之往返搖動動作進行預先決定之 次數，則控制裝置8開啟排出閥16而使液滴自液滴噴嘴5之噴射停止。進而，控制裝置8關閉處於開啟狀態之第1及第2保護液閥26、29而使SC-1自第1及第2保護液噴嘴6、7之吐出停止。
圖16A係概略性地表示基板W之上表面之各處之噴射區域T1之位置距旋轉中心C1之距離與到達至噴射區域T1之保護液之流量之關係的圖表。
第1保護液噴嘴6之位置及姿勢(第1位置及姿勢)係於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下被最佳化。於該情形時，當噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部時，供給至基板W之保護液被高效率地供給至噴射區域T1。然而，隨著噴射區域T1之位置距旋轉中心C1之距離變大(隨著噴射區域T1之位置朝向基板W之周緣移動)，到達至噴射區域T1之保護液之流量成反比例地減少。而且，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部時，僅少許流量之保護液到達噴射區域T1。於該情形時，為使自第1保護液噴嘴6供給之保護液遍及配置於基板W之上表面周緣部之噴射區域T1，而必須使大流量之保護液自第1保護液噴嘴6吐出。
第2保護液噴嘴7之位置及姿勢(第2位置及姿勢)係於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下被最佳化。於該情形時，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部時，供給至基板W之保護液高效率地供給至噴射區域T1。然而，隨著噴射區域T1之位置距旋轉中心C1之距離變小(隨著噴射區域T1之位置朝向基板W之旋轉中心C1移動)，到達至噴射區域T1之保護液之流量成反比例地減少。而且，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部時，僅少許流量之保護液到達噴射區域T1。於該情形 時，為使自第2保護液噴嘴7供給之保護液遍及配置於基板W之上表面中心部之噴射區域T1，而必須使大流量之保護液自第2保護液噴嘴7吐出。
於處理例3中，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下，自第1保護液噴嘴6吐出之保護液有效地發揮功能，而向噴射區域T1高效率地供給保護液。又，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下，自第2保護液噴嘴7吐出之保護液有效地發揮功能，而向噴射區域T1高效率地供給保護液。
然後，於噴射區域T1之位置配置於基板W之旋轉中心C1與上表面周緣部之間之部分之狀態下，自各保護液噴嘴6、7吐出之保護液向噴射區域T1之供給效率不高，為將第1及第2保護液噴嘴6、7於互不相同之位置最佳化，而將不少之合計供給流量供給至噴射區域T1。再者，於噴射區域T1配置於基板W上表面之中間部M1時，自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出之SC-1供給至噴射區域T1之效率最低。
圖16B係表示實施例2及比較例2中之供給至基板W之保護液之流量與基板W之損傷數之關係的圖表。
實施例2係表示如上述處理例3般執行使保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者吐出之第2覆蓋步驟及洗淨步驟之情形，比較例2係表示僅一方面自第1保護液噴嘴6吐出保護液一方面執行第2覆蓋步驟及洗淨步驟之情形。又，於基板W之上表面形成有厚度37nm之多晶矽薄膜。關於圖16B之損傷數，除供給至基板W之保護液之流量以外，係於相同之條件下處理基板W時之測定值。具體而言， 基板之旋轉速度為300rpm。又，噴嘴臂21之1次往返搖動動作(往返半掃描)所需之時間為15sec，半掃描之執行次數為2次。
於比較例2中，於供給至基板W之保護液之流量未滿1.8升/分鐘時，損傷數較多。相對於此，於實施例2中，即便供給至基板W之保護液之流量為1.1升/分鐘，損傷數亦極少。因此，於第3處理例之情形時，不增大供給至基板W之保護液之流量便可抑制基板W之損傷。
藉由以上，根據第3處理例，與噴射區域T1之移動同時地，自第1及第2保護液噴嘴6、7之兩者吐出保護液。第1保護液噴嘴6之位置及姿勢係以於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下，自第1保護液噴嘴6吐出之保護液遍及噴射區域T1之全域之方式被最佳化。又，第2保護液噴嘴7之位置及姿勢係以於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下，自第2保護液噴嘴7吐出之保護液遍及噴射區域T1之全域之方式被最佳化。
因此，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下，自第1保護液噴嘴6吐出之保護液被高效率地供給至噴射區域T1，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下，自第2保護液噴嘴7吐出之保護液被高效率地供給至噴射區域T1。又，於噴射區域T1之位置配置於基板W之旋轉中心C1與上表面周緣部之間之部分之狀態下，為將第1及第2保護液噴嘴6、7於互不相同之位置最佳化，而將不少之合計供給流量供給至噴射區域T1。因此，即便供給至基板W之保護液之流量為少流量(流量AF)，亦可利用保護液之液膜覆蓋配置於基板W之旋轉中心C1與上表面周緣部之間之部分之噴射區域T1之全域。
其結果，無論為噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面之任一位置之情形，均可藉由向基板W供給少流量之保護液，而利用保護液之液膜覆蓋噴射區域T1之全域。藉此，不增大供給至基板W之保護液之流量便可抑制基板W之損傷。
圖17A~17C係用以對藉由基板處理裝置1而進行之基板W之第4處理例進行說明的圖。圖17A~17C係表示第4處理例中之洗淨步驟及第2覆蓋步驟。第4處理例中之與第1處理例不同者僅為洗淨步驟及第2覆蓋步驟。除此以外之步驟因與第1處理例之情形相同，故省略說明。參照圖1、圖17A~17C，對第4處理例中之洗淨步驟及第2覆蓋步驟進行說明。
第4處理例之洗淨步驟及第2覆蓋步驟與第3處理例之洗淨步驟及第2覆蓋步驟不同之點係根據基板W之上表面內之噴射區域T1之位置變化而使自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出之保護液之流量產生變化之點。更具體而言，相較於噴射區域T1配置於基板W之上表面中心部之情形，於配置於基板W之上表面周緣部之情形時，自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出更大流量之保護液之點不同。
控制裝置8藉由控制噴嘴移動機構20，而使液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7自基板W之旋轉範圍外之起始位置(Home position)(未圖示)向旋轉夾頭2之上方移動，且使液滴噴嘴5之下表面5a接近基板W之上表面周緣部。即，液滴噴嘴5配置於周緣位置Pe。
其後，控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉，一方面開啟第1及第2保護液閥26、29使SC-1自第1及2之保護液噴嘴6、7之兩者吐出。如上所述，流量調整閥30之開度係以保 護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之合計吐出流量成為既定之少流量AF1(例如約1.0升/分鐘)之方式進行調整。具體而言，此時，自第1及第2保護液噴嘴6、7分別吐出約0.5升/分鐘之吐出流量之SC-1。
又，控制裝置8與SC-1自第1及第2保護液噴嘴6、7之吐出同時地，使碳酸水之液滴自液滴噴嘴5噴射。藉由多個碳酸水之液滴自液滴噴嘴5向下方噴射，而噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部。自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出之SC-1遍及配置於基板W之上表面周緣部之噴射區域T1之全域而形成SC-1之液膜，且自液滴噴嘴5向由該SC-1之液膜覆蓋之噴射區域T1吹送多個碳酸水之液滴。
進而，如圖17A所示，控制裝置8使基板W以固定之旋轉速度旋轉，並且藉由噴嘴移動機構20而使液滴噴嘴5沿著基板W之上表面朝向中心位置Pc移動。藉此，噴射區域T1之位置由SC-1之液膜覆蓋，並且使基板W之上表面朝向基板W之旋轉中心C1移動。
隨著噴射區域T1遠離基板W之周緣，控制裝置8逐漸擴大調整閥30之開度，從而增大保護液自第1保護液噴嘴6及第2保護液噴嘴7之吐出流量。
如圖17B所示，於液滴噴嘴5通過中間位置Pm之狀態(具體而言，噴射區域T1之中央位置M通過基板W上表面之中間部M1之狀態)下，流量調整閥30之開度係以保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之合計吐出流量成為既定之第2流量AF2(例如約1.3升/分鐘)之方式被擴大。此時，自第1及第2保護液噴嘴6、7分別吐出約0.65升/分鐘之吐出流量之SC-1。再者，基板W之中間部M1係基板W之旋轉中心C1與基板W周緣之間之中間之部分(於直徑300mm之 基板W中，為距旋轉中心C1 75mm之位置)。
於噴射區域T1通過基板W上表面之中間部M1之後，隨著噴射區域T1接近基板W之旋轉中心C1，控制裝置8逐漸地縮小調整閥30之開度，從而減少保護液自第1保護液噴嘴6及第2保護液噴嘴7之吐出流量。
如圖17C所示，於液滴噴嘴5到達中心位置Pc之狀態下，流量調整閥30之開度係以保護液自第1及第2保護液噴嘴6、7之合計吐出流量成為既定之第3流量AF3(例如約0.7升/分鐘)之方式被縮小。此時，自第1及第2保護液噴嘴6、7分別吐出約0.35升/分鐘之吐出流量之SC-1。
又，若液滴噴嘴5到達中心位置Pc，則控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。因此，液滴噴嘴5自中心位置Pc朝向周緣位置Pe開始移動。藉此，自液滴噴嘴5噴射碳酸水之液滴，且一方面自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出SC-1，一方面液滴噴嘴5以及第1及第2保護液噴嘴6、7朝向周緣位置Pe移動。藉此，噴射區域T1之位置一方面由SC-1之液膜覆蓋，一方面使基板W之上表面朝向基板W之周緣移動。於噴射區域T1到達基板W上表面之中間部M1之前，隨著噴射區域T1遠離基板W之旋轉中心C1，控制裝置8逐漸地擴大調整閥30之開度，於噴射區域T1通過基板W上表面之中間部M1之後，隨著噴射區域T1接近基板W之周緣，控制裝置8逐漸地縮小調整閥30之開度。
然後，若將噴嘴臂21之往返搖動動作進行預先決定之次數，則控制裝置8開啟排出閥16而使液滴自液滴噴嘴5之噴射停止。進而，控制裝置8關閉處於開啟狀態之第1及第2保護液閥26、29， 使SC-1自第1及第2保護液噴嘴6、7之吐出停止。
如上所述，於噴射區域T1配置於基板W上表面之中間部M1時，自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出之SC-1供給至噴射區域T1之效率最低。於噴射區域T1配置於此種位置之情形時，將自第1或第2保護液噴嘴6、7之吐出流量設為最大之第2流量AF2(例如約1.3升/分鐘)，故即便於噴射區域T1配置於基板W上表面之中間部M1之情形時，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域T1之全域。
又，於噴射區域T1配置於基板W之上表面中心部及上表面周緣部時，自第1及第2保護液噴嘴6、7吐出之SC-1被高效率地供給至噴射區域T1，故可減少自第1或第2保護液噴嘴6、7之吐出流量。特別是，於噴射區域T1配置於基板W之上表面中心部之情形時，來自第1及第2保護液噴嘴6、7之SC-1被更高效率地導至噴射區域T1，故即便將供給至基板W之SC-1之流量減少為第3流量AF3(例如約0.7升/分鐘)，亦可利用保護液之液膜覆蓋噴射區域T1之全域。藉此，可一方面抑制基板W之損傷，並且更進一步地減少供給至基板W之保護液之總流量。
圖18係模式性地表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置201之構成的圖。於圖18中，對於與第1實施形態之基板處理裝置1相同之部分附註相同之參照符號，並省略說明。
除保護液噴嘴以外，第2實施形態之基板處理裝置201具備與第1實施形態之基板處理裝置1相同之構成。即，基板處理裝置201具備第3保護液噴嘴206、及使第3保護液噴嘴206之位置及姿勢變更之噴嘴變更機構207而代替第1實施形態之第1及第2保護液噴嘴6、7。
第3保護液噴嘴206保持於安裝於噴嘴臂21之噴嘴座24。因此，若轉動機構22使噴嘴臂21轉動，則第3保護液噴嘴206與液滴噴嘴5一併沿著軌跡X1(圖2參照)水平地移動。噴嘴變更機構207變更噴嘴座24之位置或相對於旋轉夾頭2之鉛垂方向及水平方向之角度之兩者，從而使第3保護液噴嘴206之位置及姿勢變更。
第3保護液噴嘴206連接於介裝有第3保護液閥226及流量調整閥227之第3保護液供給管225。若開啟第3保護液閥226，則自第3保護液噴嘴206朝向基板W之上表面吐出保護液。另一方面，若關閉第3保護液閥226，則停止保護液自第3保護液噴嘴206之吐出。保護液自第3保護液噴嘴206之吐出速度係藉由控制裝置8調整流量調整閥227之開度而變更。作為供給至第3保護液噴嘴206之保護液，例如可列舉清洗液、或SC-1等藥液。
第3保護液噴嘴206具有吐出保護液之第3吐出口243(圖19~圖22)。第3吐出口243配置於較液滴噴嘴5之上端更下方。第3吐出口243例如為圓形。第3吐出口243並不限於圓形，既可為橢圓形，亦可為狹縫狀。
於該基板處理裝置201中，可根據基板W之上表面內之噴射區域T1之位置而變更第3保護液噴嘴206之位置及姿勢之至少一者。於使用有基板處理裝置201之第5處理例(於下文進行敍述)中，根據基板W之上表面內之噴射區域T1之位置而使第3保護液噴嘴206上下移動。
圖19及圖20係表示噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之情形時之液滴噴嘴5與第3保護液噴嘴206之位置關係之模式性的圖。圖19係表示側視圖，圖20係表示俯視圖。
於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之情形時，第3保護液噴嘴206朝向基板W上之第3著液位置P3吐出保護液。將該圖19及圖20所示之第3保護液噴嘴206之位置及姿勢稱為「第1位置及姿勢」。
第3著液位置P3係於基板W之旋轉方向Dr上較噴射區域T1更上游側之位置。自第3著液位置P3起至噴射區域T1之中央位置M之距離Dc3(參照圖20)係例如15~40mm之既定距離。第3吐出口243向朝向第3著液位置P3之第3吐出方向D3吐出保護液。換言之，來自第3吐出口243之保護液相對於基板W上之第3著液位置P3向第3吐出方向D3入射。第3吐出方向D3係自第3吐出口243朝向第3著液位置P3之方向，且係於俯視下自第3吐出口243朝向液滴噴嘴5之方向。第3吐出方向D3相對於長度方向D5傾斜。俯視下長度方向D5與第3吐出方向D3所成之角度θH3(參照圖20)例如設定為25~35度之範圍內之既定角度。
如圖19所示，第3吐出方向D3相對於鉛垂方向朝向噴射區域T1之方向傾斜。即，第3著液位置P3於水平方向上配置於較第3吐出口243更靠噴射區域T1側，第3吐出方向D3相對於基板W之上表面傾斜。基板W之上表面與第3吐出方向D3所成之角度(入射角度)θV3(參照圖19)例如設定為10~40度之範圍內之既定角度。
圖21及圖22係表示噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部情形時之液滴噴嘴5與第3保護液噴嘴206之位置關係之模式性的圖。圖21係表示側視圖，圖22係表示俯視圖。
於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之情形時，第3保護液噴嘴206朝向基板W上之第4著液位置P4吐出 保護液。將該圖21及圖22所示之第3保護液噴嘴206之位置及姿勢稱為「第2位置及姿勢」。
第4著液位置P4係於基板W之旋轉方向Dr上較噴射區域T1更上游側之位置。自第4著液位置P4起至噴射區域T1之中央位置M之距離De4(參照圖22)係例如15~40mm之既定距離。第3吐出口243向朝向第4著液位置P4之第4吐出方向D4吐出保護液。換言之，來自第3吐出口243之保護液相對於基板W上之第4著液位置P4向第4吐出方向D4入射。第4吐出方向D4係自第3吐出口243朝向第4著液位置P4之方向，且係於俯視下自第3吐出口243朝向液滴噴嘴5之方向。第4吐出方向D4相對於長度方向D5傾斜。俯視下長度方向D5與第4吐出方向D4所成之角度θH4(參照圖22)例如設定為25~35度之範圍內之既定角度。
如圖21所示，第4吐出方向D4相對於鉛垂方向朝向噴射區域T1之方向傾斜。即，第4著液位置P4於水平方向上配置於較第3吐出口243更靠噴射區域T1側，第4吐出方向D4相對於基板W之上表面傾斜。基板W之上表面與第4吐出方向D4所成之角度(入射角度)θV4(參照圖21)例如設定為10~40度之範圍內之既定角度。
第3保護液噴嘴206之第1位置及姿勢係於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下被最佳化。即，第3著液位置P3(參照圖19)、角度θV3(參照圖19)及角度(入射角度)θH3(參照圖20)係如下著液狀態：當於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下自第3保護液噴嘴206吐出保護液之情形時，該保護液最高效率地遍及噴射區域T1之全域。換言之，第3保護液噴嘴206之第1位置及姿勢係如下位置及姿勢：當於噴射區域T1之位置配 置於基板W之上表面中心部之狀態下自第3保護液噴嘴206吐出保護液之情形時，該保護液最高效率地遍及噴射區域T1之全域。
又，第3保護液噴嘴206之第2位置及姿勢係於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下被最佳化。即，第4著液位置P4(參照圖21)、角度θV4(參照圖21)及角度(入射角度)θH4(參照圖22)係如下著液狀態：當於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下自第3保護液噴嘴206吐出保護液之情形時，該保護液最高效率地遍及噴射區域T1之全域。換言之，第3保護液噴嘴206之第2位置及姿勢係如下位置及姿勢：當於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態下自第3保護液噴嘴206吐出保護液之情形時，該保護液最高效率地遍及噴射區域T1之全域。
於基板處理裝置201之第3處理例中，第3保護液噴嘴206於處於第1位置及姿勢之情形、及處於第2位置及姿勢之情形時，其姿勢相互相同，其配置位置上下錯開。因此，於處於第1位置及姿勢之情形、及處於第2位置及姿勢之情形時，吐出口243之配置位置上下錯開，其結果，第4著液位置P4成為較第3著液位置P3更接近噴射區域T1之位置(Dc3(參照圖20)>De4(參照圖22))。第4著液位置P4配置於連結吐出口243與第3著液位置P3之線段之延長線上。
又，第3吐出方向D3與第4吐出方向D4為相同方向。即，角度θV4(參照圖21)與角度θV3(參照圖19)相同，角度θH4(參照圖22)與角度θH3(參照圖20)相同。
再者，若將第3保護液噴嘴206之第1以及第2位置及姿勢分別於基板W之上表面中心部及上表面周緣部最佳化，則亦可使第3保護液噴嘴206於第1位置及姿勢與第2位置及姿勢之間，不僅 使吐出口243之位置不同，而且使第3保護液噴嘴206之姿勢亦互不相同。於該情形時，使第3吐出方向D3亦與第4吐出方向D4不同。
又，亦可以所吐出之保護液之著液位置P3、P4相同之方式設定第1以及第2位置及姿勢。然而，於該情形時，必須使第3吐出方向D3與第4吐出方向D4互不相同。
參照圖18~圖20，對噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之情形時之保護液之流動進行說明。控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉，一方面使保護液自處於第1位置及姿勢之第3保護液噴嘴206吐出。因對旋轉狀態之基板W供給保護液，故供給至基板W之保護液藉由與基板W之接觸而於徑方向(旋轉半徑方向)上被加速，並且於基板W之旋轉方向Dr(參照圖22)上被加速。因此，供給至基板W之保護液一方面自第3著液位置P3向徑方向擴展一方面向旋轉方向流動。第3吐出方向D3傾向於鉛垂方向，且於基板W之中心部，基板W之旋轉速度較慢，故供給至基板W之上表面中心部之保護液一方面保持以第3著液位置P3為1個頂點之三角形狀一方面廣範圍地擴展。
參照圖18、圖21及圖22，對噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之情形時之保護液之流動進行說明。控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉，一方面使保護液自處於第2位置及姿勢之第3保護液噴嘴206吐出。因對旋轉狀態之基板W供給保護液，故供給至基板W之保護液藉由與基板W之接觸而於徑方向(旋轉半徑方向)上被加速，並且於基板W之旋轉方向Dr上被加速。因此，供給至基板W之保護液一方面自第4著液位置P4向徑方向擴展一方面向旋轉方向流動。於基板W之周緣部，基板W之旋轉 速度較快，故供給至基板W之上表面周緣部之保護液以高速擴展成以第4著液位置P4為1個頂點之角度較小之銳角三角形狀(沿著基板W之周方向之大致直線狀)。
圖23A~23F係用以對藉由本發明之第2實施形態之基板處理裝置201而進行之基板W之第5處理例進行說明的圖。
第5處理例中之與利用基板處理裝置1之第1處理例不同者僅為洗淨步驟及第2覆蓋步驟。除此以外之步驟因與第1處理例之情形相同，故省略說明。參照圖18~圖23F，對第5處理例中之洗淨步驟及第2覆蓋步驟進行說明。
控制裝置8藉由控制噴嘴移動機構20，而如圖23A所示，使液滴噴嘴5及第3保護液噴嘴206自基板W之旋轉範圍外之起始位置(未圖示)向旋轉夾頭2之上方移動，且使液滴噴嘴5之下表面5a接近基板W之上表面周緣部。即，液滴噴嘴5配置於周緣位置Pe。再者，於該狀態下，第3保護液噴嘴206被控制為第2位置及姿勢(參照圖21及圖22)。
其後，控制裝置8一方面藉由旋轉夾頭2而使基板W旋轉，一方面開啟第3保護液閥226，如圖23B所示，使SC-1自第3保護液噴嘴206吐出。流量調整閥227之開度係以自第3保護液噴嘴206以既定之少流量之第1吐出流量(例如約0.5升/分鐘)吐出保護液之方式進行調整，因此，自第3保護液噴嘴206吐出約0.5升/分鐘之吐出流量之SC-1。
又，控制裝置8與SC-1自第3保護液噴嘴206之吐出同時地，使碳酸水之液滴自液滴噴嘴5噴射。藉由多個碳酸水之液滴自液滴噴嘴5向下方噴射，而噴射區域T1之位置配置於基板W之上 表面周緣部。自配置於第2位置及姿勢(參照圖21及圖22)之第3保護液噴嘴206吐出之SC-1著液於基板W之上表面內之第4著液位置P4(參照圖21)。而且，遍及配置於基板W之上表面周緣部之噴射區域T1之全域而形成SC-1之液膜，且自液滴噴嘴5向由該SC-1之液膜覆蓋之噴射區域T1吹送多個碳酸水之液滴。
進而，如圖23B所示，控制裝置8使基板W以固定之旋轉速度旋轉，並且一方面使SC-1以固定之吐出流量自第3保護液噴嘴206吐出，一方面藉由噴嘴移動機構20而使液滴噴嘴5朝向中心位置Pc沿著基板W之上表面移動。
其後，自液滴噴嘴5噴射碳酸水之液滴，且自第3保護液噴嘴206吐出SC-1，並且如圖23C所示，液滴噴嘴5及第3保護液噴嘴206朝向中心位置Pc移動。藉此，噴射區域T1之位置一方面由SC-1之液膜覆蓋，一方面使上表面朝向基板W之旋轉中心C1移動。
又，伴隨液滴噴嘴5自周緣位置Pe向中心位置Pc之移動，控制裝置8控制噴嘴變更機構207，使第3保護液噴嘴206自第2位置及姿勢(參照圖21及圖22)逐漸地下降至第1位置及姿勢(參照圖19及圖20)。於該第2實施形態中，於第3保護液噴嘴206處於第1位置及姿勢(參照圖19及圖20)之情形、及處於第2位置及姿勢(參照圖21及圖22)之情形時，其姿勢相互相同，且上下錯開而配置，故為使第3保護液噴嘴206自第2位置及姿勢(參照圖21及圖22)變更為第1位置及姿勢(參照圖19及圖20)，而使第3保護液噴嘴206下降。第3保護液噴嘴206之下降速度為等速，且於液滴噴嘴5離開周緣位置Pe時開始下降，於液滴噴嘴5到達至中心位置Pc時結束下降。
如圖23D所示，於液滴噴嘴5到達中心位置Pc時，第 3保護液噴嘴206配置於第1位置及姿勢(參照圖19及圖20)。自配置於第1位置及姿勢之第3保護液噴嘴206吐出之SC-1著液於基板W之上表面內之第3著液位置P3(參照圖21及圖22)。而且，遍及配置於基板W之上表面中心部之噴射區域T1之全域而形成SC-1之液膜，且自液滴噴嘴5向由該SC-1之液膜覆蓋之噴射區域T1吹送多個碳酸水之液滴。
於液滴噴嘴5到達中心位置Pc之後，控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。藉此，液滴噴嘴5自中心位置Pc朝向周緣位置Pe開始移動。其後，自液滴噴嘴5噴射碳酸水之液滴，且一方面自第3保護液噴嘴206吐出SC-1，一方面液滴噴嘴5及第3保護液噴嘴206朝向周緣位置Pe移動。藉此，噴射區域T1之位置一方面由SC-1之液膜覆蓋，一方面如圖23E所示，使基板W之上表面朝向基板W之周緣移動。
又，伴隨液滴噴嘴5自中心位置Pc向周緣位置Pe之移動，控制裝置8控制噴嘴變更機構207，使第3保護液噴嘴206自第1位置及姿勢(參照圖19及圖20)逐漸地上升至第2位置及姿勢(參照圖21及圖22)。第3保護液噴嘴206之上升速度為等速，且於液滴噴嘴5離開中心位置Pc時開始上升，於液滴噴嘴5到達至周緣位置Pe時結束上升。
其後，如圖23F所示，若液滴噴嘴5到達周緣位置Pe，則控制裝置8控制轉動機構22而使噴嘴臂21之搖動方向反轉。藉此，液滴噴嘴5自周緣位置Pe朝向中心位置Pc開始移動。
然後，若將噴嘴臂21之往返搖動動作進行預先決定之次數，則控制裝置8開啟排出閥16而使液滴自液滴噴嘴5之噴射停止。 進而，控制裝置8關閉處於開啟狀態之第3保護液閥226，使SC-1自第3保護液噴嘴206之吐出停止。
藉由以上，根據該第2實施形態，於噴射區域T1之位置配置於基板W之中心部時，將第3保護液噴嘴206之位置控制為第1位置及姿勢(參照圖19及圖20)。第1位置及姿勢(參照圖19及圖20)係以於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態下，自第3保護液噴嘴206吐出之保護液遍及噴射區域T1之全域之方式被最佳化的位置。因此，即便供給至基板W之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋配置於上表面內周區域IR之噴射區域T1之全域。
又，於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之時，將第3保護液噴嘴206之位置控制為第2位置及姿勢(參照圖21及圖22)。第2位置及姿勢(參照圖21及圖22)係以於噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣之狀態下，自第3保護液噴嘴206吐出之保護液遍及噴射區域T1之全域之方式被最佳化的位置。因此，即便供給至基板W之保護液之流量為少流量，亦可利用保護液之液膜覆蓋配置於上表面外周區域OR之噴射區域T1之全域。
其結果，無論噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面之任一位置，均可藉由向基板W供給少流量之保護液，而利用保護液之液膜覆蓋噴射區域T1之全域。藉此，不增大供給至基板W之保護液之流量便可抑制基板W之損傷。
以上，對本發明之2個實施形態進行了說明，但本發明亦可以其他形態實施。
於第2實施形態中，表示第3保護液噴嘴206於第1位 置及姿勢與第2位置及姿勢之間使配置位置上下不同但其姿勢相互相同之情形，為使第3保護液噴嘴206於第1位置及姿勢與第2位置及姿勢之間變更，而控制裝置8控制噴嘴變更機構207使第3保護液噴嘴206升降。然而，當第3保護液噴嘴206於第1位置及姿勢與第2位置及姿勢之間不僅配置位置而且姿勢亦互不相同之情形時，控制裝置8亦可控制噴嘴變更機構207一方面使第3保護液噴嘴206移動一方面使第3保護液噴嘴206之姿勢變更。
又，亦可藉由噴嘴變更機構207之控制，而僅使姿勢於第1位置及姿勢與第2位置及姿勢之間變更。
於第2實施形態中，對於與基板W之上表面內之噴射區域T1之移動同時地，使第3保護液噴嘴206之位置及姿勢變更之情形進行了說明，但亦可以第3保護液噴嘴206相對於液滴噴嘴5之相對位置及姿勢變更之方式使液滴噴嘴5之位置及姿勢變更。
又，於第1實施形態中，將第1保護液噴嘴6之位置及姿勢之最佳化之基準設為噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態，又，將第2保護液噴嘴7之位置及姿勢之最佳化之基準設為噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態。然而，既可將第1保護液噴嘴6之位置及姿勢之基準設為除上表面中心部以外之上表面內周區域IR之既定位置，亦可將第2保護液噴嘴7之位置及姿勢之基準設為除上表面中心部以外之上表面外周區域OR之既定位置。
又，於第2實施形態中，將第3保護液噴嘴206之第1位置及姿勢之基準設為噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面中心部之狀態，又，將第3保護液噴嘴206之第2位置及姿勢之基準設 為噴射區域T1之位置配置於基板W之上表面周緣部之狀態。然而，既可將第1位置及姿勢之基準設為除上表面中心部以外之上表面內周區域IR之既定位置，亦可將第2位置及姿勢之基準設為除上表面中心部以外之上表面外周區域OR之既定位置。
又，於上述第1及第2實施形態中，對於基板處理裝置1、201為處理半導體晶圓等圓板狀之基板之裝置之情形進行了說明，但基板處理裝置1、201亦可為處理液晶顯示裝置用玻璃基板等多邊形基板之裝置。
又，於上述2個實施形態中，如上所述，就耐藥性等而言，液滴噴嘴5之本體36包括石英，但於例如以20~60m/秒左右之相對較高之速度吐出液滴進行處理之情形時，有產生如下不良之情況：因於流路中流動之處理液帶電，故液滴亦帶電，因靜電力而液滴之直進性喪失，洗淨效果降低，或液滴之尺寸之均勻性受損而變成較大之液滴，作為運動能量較大之液滴碰撞基板之結果，圖案倒塌，或伴隨液滴吐出之細小之霧因靜電力而被引至液滴噴嘴5且附著於外壁變成水滴，並落於基板或裝置而成為污染之原因等。此情況特別是於將作為非導體之純水用作處理液之情形時顯著產生。
該現象可藉由對處理液或液滴噴嘴5之流路內壁賦予導電性而減少或解決。例如，藉由使用使碳酸氣體溶存於純水中而成之所謂碳酸水、或SC1、SC2、其他電解質溶液作為處理液，可減少因液滴帶電所致之不良情況。根據本發明者等人之實驗，例如於碳酸水之情形時，於比電阻為3MΩ．cm以下時，有減輕對基板之損傷之效果，於比電阻為1MΩ．cm以下時，實現微粒去除率之提高。或者，藉由利用金或銀等導體對液滴噴嘴5之石英製之本體36之流路內壁進行塗佈 且將該導體接地、或於流路內插入導體棒等且將該導體接地等方法，亦可減輕或解決該不良情況。
此外，可於申請專利範圍所記載之事項之範圍實施各種設計變更。
雖對本發明之實施形態進行了詳細說明，但該等僅為使本發明之技術內容明確而使用之具體例，本發明並不應限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
本申請案係與於2013年3月15日向日本專利局一併提出之日本專利特願2013-54246號及日本專利特願2013-54247號對應，該等申請案之所有揭示內容均藉由引用而併入本文中。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧護罩
4‧‧‧清洗液噴嘴
5‧‧‧液滴噴嘴
6‧‧‧第1保護液噴嘴
7‧‧‧第2保護液噴嘴
8‧‧‧控制裝置
9‧‧‧旋轉基座
10‧‧‧旋轉馬達
11‧‧‧清洗液閥
12‧‧‧清洗液供給管
13‧‧‧處理液供給管
14‧‧‧處理液供給機構
15‧‧‧處理液排出管
16‧‧‧排出閥
17‧‧‧壓電元件
18‧‧‧配線
19‧‧‧電壓施加機構
20‧‧‧噴嘴移動機構
21‧‧‧噴嘴臂
22‧‧‧轉動機構
23‧‧‧升降機構
24‧‧‧噴嘴座
25‧‧‧第1保護液供給管
26‧‧‧第1保護液閥
28‧‧‧保護液供給管
29‧‧‧第2保護液閥
30‧‧‧流量調整閥
31‧‧‧保護液供給集合管
C1‧‧‧旋轉中心
L1‧‧‧旋轉軸線
L2‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧基板

Claims (24)

  1. 一種基板處理裝置，其包括：基板保持單元，其將基板保持呈水平；旋轉單元，其使藉由上述基板保持單元所保持之基板，繞著鉛垂之旋轉軸線而進行旋轉；液滴噴嘴，其生成處理液之液滴，而該處理液之液滴係被吹附至藉由上述基板保持單元所保持之基板的上表面內之噴射區域；保護液噴嘴，其向上述基板之上表面吐出保護液，而於上述基板之上表面形成保護液之液膜，於藉由上述保護液之液膜而上述噴射區域之位置被加以覆蓋之狀態下，使處理液之液滴對上述噴射區域產生碰撞；噴嘴移動單元，其以使上述噴射區域之位置移動在上述基板之上表面中心部與上述基板之上表面周緣部之間之方式，一方面將上述液滴噴嘴與上述保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面使上述液滴噴嘴及上述保護液噴嘴產生移動；以及變更控制單元，其配合上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置，加以變更控制在基板之上表面而來自上述保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自上述保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者；且上述變更控制單元係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述著液位置及上述入射角度控制為第1狀態，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周 緣部時，將上述著液位置及上述入射角度控制為不同於上述第1狀態之第2狀態。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述第1狀態係為以如下之方式而加以設定之狀態，即，在上述噴射區域之位置被配置在基板之上表面中心部之狀態下，而自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2狀態係為以如下之方式而加以設定之狀態，即，在上述噴射區域之位置被配置在基板之上表面周緣部之狀態下，而自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述保護液噴嘴係包括第1保護液噴嘴及第2保護液噴嘴，上述第1保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢係以如下之方式而加以設定，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部之狀態下，而自上述第1保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢係以如下方式而加以設定，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部之狀態下，而自上述第2保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述變更控制單元係包括吐出控制單元，該吐出控制單元係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，不自上述第2保護液噴嘴吐出保護液而僅自上述第1保護液噴嘴吐出保護液，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上 表面周緣部時，不自上述第1保護液噴嘴吐出保護液而僅自上述第2保護液噴嘴吐出保護液。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述吐出控制單元係並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出，且以同步之方式於自該第2保護液噴嘴之吐出停止時，開始自上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，且以同步之方式於自該第1保護液噴嘴之吐出停止時，開始自上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述吐出控制單元係並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出，且於自該第2保護液噴嘴之吐出停止之前，開始自上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，且於自該第1保護液噴嘴之吐出停止之前，開始自上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其更進一步包括：第1保護液供給管，其用於對上述第1保護液噴嘴供給保護液； 第1保護液閥，其介裝於上述第1保護液供給管，且用於切換朝向上述第1保護液噴嘴之保護液之供給/供給停止；第2保護液供給管，其用於對上述第2保護液噴嘴供給保護液；及第2保護液閥，其介裝於上述第2保護液供給管，且用於切換朝向上述第2保護液噴嘴之保護液之供給/供給停止；且上述吐出控制單元係並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，關閉處於開啟狀態之上述第2保護液閥，且於關閉該第2保護液閥之前，開啟上述第1保護液閥，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，關閉處於開啟狀態之上述第1保護液閥，且於關閉該第1保護液閥之前，開啟上述第2保護液閥。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述保護液噴嘴係為單一之保護液噴嘴，上述變更控制單元係更一步包括有位置姿勢控制單元，該位置姿勢控制單元係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢，控制為如下之第1位置及姿勢，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢，控制為如下之第2位置及姿勢，即，在上述噴射區域之 位置被配置在上述基板之上表面周緣部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
  8. 一種基板處理方法，其包括如下之步驟：基板保持步驟，其將基板保持呈水平；旋轉步驟，其使上述被保持之基板繞著鉛垂之旋轉軸線而進行旋轉；液滴供給步驟，其自液滴噴嘴將處理液之液滴吹附至上述被保持之基板之上表面內之噴射區域；自保護液噴嘴向上述基板之上表面吐出保護液，而於上述被保持之基板之上表面形成保護液之液膜，在藉由上述保護液之液膜而上述噴射區域之位置被加以覆蓋之狀態下，使上述處理液之液滴對上述噴射區域產生碰撞之步驟；噴嘴移動步驟，其以使上述噴射區域之位置移動在上述基板之上表面中心部與上述基板之上表面周緣部之間之方式，一方面將上述液滴噴嘴與上述保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面使上述液滴噴嘴及上述保護液噴嘴產生移動；及變更步驟，其以與上述噴嘴移動步驟呈並行之方式，配合上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置，加以變更在基板之上表面而來自上述保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自上述保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者；且在上述變更步驟中，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述著液位置及上述入射角度設定為第1 狀態，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述著液位置及上述入射角度設定為不同於上述第1狀態之第2狀態。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中，上述第1狀態係為以如下之方式而加以設定之狀態，即，在上述噴射區域之位置被配置在基板之上表面中心部之狀態下，而自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2狀態係為以如下之方式而加以設定之狀態，即，在上述噴射區域之位置被配置在基板之上表面周緣部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中，上述保護液噴嘴係包括第1保護液噴嘴及第2保護液噴嘴，上述第1保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢係以如下之方式而加以設定，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部之狀態下，而自上述第1保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之相對的位置及姿勢係以如下之方式而加以設定，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部之狀態下，而自上述第2保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述變更步驟係包括吐出切換步驟，該吐出切換步驟係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，不自上述第2保護液噴嘴吐出保護液而僅自上述第1保護液噴嘴吐出保護液，而在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面 周緣部時，不自上述第1保護液噴嘴吐出保護液而僅自上述第2保護液噴嘴吐出保護液。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，上述吐出切換步驟係並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出，且以同步之方式於自該第2保護液噴嘴之吐出停止時，開始自上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，且以同步之方式於自該第1保護液噴嘴之吐出停止時，開始自上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，上述吐出切換步驟係並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面周緣部而朝向上述基板之上表面中心部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出，且於自該第2保護液噴嘴之吐出停止之前，開始自上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，並行於上述噴射區域之位置之自上述基板之上表面中心部而朝向上述基板之上表面周緣部之移動，停止來自處於吐出保護液之狀態之上述第1保護液噴嘴之保護液之吐出，且於自該第1保護液噴嘴之吐出停止之前，開始自上述第2保護液噴嘴之保護液之吐出。
  13. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中，上述保護液噴嘴係為單一之保護液噴嘴， 上述變更步驟係更進一步包括有位置姿勢變更步驟，該位置姿勢變更步驟係在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部時，將上述保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之位置及姿勢，變更為如下之第1位置及姿勢，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面中心部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部時，將上述保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之位置及姿勢，變更為如下之第2位置及姿勢，即，在上述噴射區域之位置被配置在上述基板之上表面周緣部之狀態下，自上述保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
  14. 一種基板處理裝置，其包括：基板保持單元，其將基板保持呈水平；旋轉單元，其使藉由上述基板保持單元所保持之基板，繞著鉛垂之旋轉軸線而進行旋轉；液滴噴嘴，其生成處理液之液滴，而該處理液之液滴係被吹附至藉由上述基板保持單元所保持之基板的上表面內之噴射區域；第1保護液噴嘴，其用於向上述基板之上表面吐出保護液；第2保護液噴嘴，其用於向上述基板之上表面吐出保護液；保護液供給單元，其用於對上述第1及第2保護液噴嘴供給保護液；噴嘴移動單元，其用於使上述液滴噴嘴以及上述第1及第2保護液噴嘴產生移動； 保護液吐出控制單元，其控制上述保護液供給單元，且自上述第1及第2保護噴嘴之兩者，向上述基板之上表面吐出保護液，而於上述基板之上表面形成保護液之液膜，於藉由上述保護液之液膜而上述噴射區域被加以覆蓋之狀態下，使處理液之液滴對上述噴射區域產生碰撞；以及噴嘴移動控制單元，其並行於自上述第1及第2保護噴嘴之保護液之吐出，一方面將上述液滴噴嘴與上述第1及第2保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面以使上述噴射區域移動在上述基板之上表面中心部與上述基板之上表面周緣部之間之方式，使上述液滴噴嘴以及上述第1及第2保護液噴嘴產生移動；且上述第1保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之位置及姿勢係設定為如下之第1位置及姿勢，即，包括在上述基板之上表面而來自該保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自該保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者之著液狀態成為第1著液狀態，上述第2保護液噴嘴之相對於上述液滴噴嘴之位置及姿勢係設定為如下之第2位置及姿勢，即，包括上述著液位置及上述入射角度之至少一者之上述著液狀態成為不同於上述第1著液狀態之第2著液狀態。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，上述第1位置及姿勢係為如下之位置及姿勢，即，在上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之位置之狀態下，自上述第1保護液 噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2位置及姿勢係為如下之位置及姿勢，即，在上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之位置之狀態下，自上述第2保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之基板處理裝置，其中，上述保護液吐出控制單元係控制上述保護液供給單元，不因為在上述基板之上表面內之上述噴射區域的位置變化而自上述第1及第2保護液噴嘴將固定流量之保護液加以吐出。
  17. 如申請專利範圍第14或15項之基板處理裝置，其中，上述保護液供給單元係包括用於調整供給至上述第1及第2保護液噴嘴之保護液之流量的流量調整單元，上述保護液吐出控制單元係包括控制上述流量調整單元之吐出流量控制單元，上述吐出流量控制單元係配合在上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置變化而使自上述第1及第2保護液噴嘴所吐出之保護液之流量產生變化。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，上述吐出流量控制單元係相較於上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之情形，於被配置在上述基板之上表面周緣部之情形時，則使自上述第1及第2保護液噴嘴所吐出之保護液之流量產生增加。
  19. 如申請專利範圍第14或15項之基板處理裝置，其中，自上述第1及第2保護液噴嘴之保護液之吐出流量比係設定為1：1。
  20. 一種基板處理方法，其包括如下步驟： 基板保持步驟，其係將基板保持呈水平；將第1保護液噴嘴設置為如下之第1位置及姿勢之步驟，即，包括在上述被保持之基板之上表面而來自該保護液噴嘴之保護液進行著液時之相對於上述液滴噴嘴之相對的著液位置、及自該保護液噴嘴所吐出之保護液被入射至上述著液位置時之相對於上述液滴噴嘴之相對的入射角度之至少一者之著液狀態成為第1著液狀態；將第2保護液噴嘴設置為如下之第2位置及姿勢之步驟，即，包括上述著液位置及上述入射角度之至少一者之上述著液狀態成為不同於上述第1著液狀態之第2著液狀態；旋轉步驟，其使上述被保持之基板繞著鉛垂之旋轉軸線而進行旋轉；液滴供給步驟，其自上述液滴噴嘴將處理液之液滴吹附至上述被保持之基板之上表面內之噴射區域；保護液吐出步驟，其自上述第1及第2保護液噴嘴之兩者，向上述基板之上表面吐出保護液，而於上述被保持之基板之上表面形成保護液之液膜，藉由上述保護液之液膜而上述噴射區域被加以覆蓋之狀態下，使上述處理液之液滴對上述噴射區域產生碰撞；以及噴嘴移動步驟，其並行於自上述第1及第2保護噴嘴之保護液之吐出，一方面將上述液滴噴嘴與上述第1及第2保護液噴嘴之位置關係保持為固定，一方面以使上述噴射區域移動在上述基板之上表面中心部與上述基板之上表面周緣部之間之方式，使上述液滴噴嘴以及上述第1及第2保護液噴嘴產生移動。
  21. 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中，上述第1位置及姿勢係為如下之位置及姿勢，即，在上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之位置之狀態下，自上述第1保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域，上述第2位置及姿勢係為如下之位置及姿勢，即，在上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之位置之狀態下，自上述第2保護液噴嘴所吐出之保護液為遍及上述噴射區域之全域。
  22. 如申請專利範圍第20或21項之基板處理方法，其中，上述保護液吐出步驟係包括如下之步驟：不因為在上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置變化而自上述第1及第2保護液噴嘴將固定流量之保護液加以吐出。
  23. 如申請專利範圍第20或21項之基板處理方法，其中，上述保護液吐出步驟係配合在上述基板之上表面內之上述噴射區域之位置變化而使自上述第1及第2保護液噴嘴吐出之保護液之流量產生變化。
  24. 如申請專利範圍第23項之基板處理方法，其中，上述保護液吐出步驟係相較於上述噴射區域被配置在上述基板之上表面中心部之情形，於被配置在上述基板之上表面周緣部之情形時，則使自上述第1及第2保護液噴嘴所吐出之保護液之流量產生增加。
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