JP3701188B2

JP3701188B2 - 基板洗浄方法およびその装置

Info

Publication number: JP3701188B2
Application number: JP2000304986A
Authority: JP
Inventors: 雅伸佐藤; 貞雄平得; 周一安田; 伸康平岡
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-10-04
Filing date: 2000-10-04
Publication date: 2005-09-28
Anticipated expiration: 2020-10-04
Also published as: JP2002113429A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、適宜「基板」とする）に対して、基板洗浄用の混合物をノズルから吐出して基板を洗浄する基板洗浄方法およびその装置に係り、特に、基板面内の混合物の供給位置が、基板中心と基板周縁との間を通るようにノズルを移動させながら洗浄処理を施す技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板洗浄装置として、基板を回転自在に支持する回転支持機構と、一定量および一定圧力の洗浄液を吐出するノズルと、基板上においてこのノズルを一定速度で移動させる移動機構とを備えているものが挙げられる。このような装置では、基板を一定速度で回転させつつ、基板面内での洗浄液の供給位置が基板中心と基板周縁との間を通るようにノズルを往復移動させることによって基板全面にわたって洗浄液を吐出させ、基板表面に付着しているパーティクル（微小異物）などを離脱させて洗浄除去するようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
【０００４】
すなわち、基板は回転している関係上、その基板の中心部においてはノズルに対する相対速度が遅く、周縁部に向かうにつれて速くなる。そのため、相対速度の遅い中心部では単位面積当たりの洗浄時間が長くなる。逆に周縁部においては、単位面積当たりの洗浄時間が短くなる。例えば、中心部で最も適した洗浄度合いとなるように設定すると、相対速度の速い基板の周縁部では十分に洗浄を行うことができず、洗浄ムラが生じて後段の基板処理工程において悪影響を与えるといった問題がある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板面内を移動する混合物の供給位置に応じて洗浄条件を変えることによって、基板の全面にわたって均一に洗浄処理を施すことができる基板洗浄方法およびその装置を提供することを主たる目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、請求項１に記載の基板洗浄方法は、回転している基板に対して、気体と液体の混合物をノズルから吐出させ、その吐出された混合物の基板面内における供給位置が、基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄方法において、前記混合物が基板面内に吐出されたときに、洗浄度合いに起因する、ノズルに供給される混合物のうち気体の流量、または気体の圧力を、基板面内における混合物の供給位置に応じて変化させるようにしたことを特徴とする。
【０００７】
また、請求項２に記載の基板洗浄装置は、回転手段を介して回転支持手段上で回転している基板に対して、気体と液体の混合物をノズルから吐出させ、その吐出させた混合物の基板面内における供給位置が、基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄装置において、前記混合物が基板面内に吐出されたときに、洗浄度合いに起因する、ノズルに供給される混合物のうち気体の流量、または気体の圧力を可変する可変手段と、基板面内における混合物の供給位置に応じて可変手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とするものである。
【０００８】
また、請求項３に記載の基板洗浄装置は、請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記可変手段は、前記気体の流量を可変する流量可変手段であって、かつ、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側では気体の流量を多くし、ノズルが中心部側に移動するにつれて少なくなるように前記制御手段により流量可変手段を制御することを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項４に記載の基板洗浄装置は、請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記可変手段は、前記気体の圧力を可変する圧力可変手段であって、かつ、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側では気体の圧力を高くし、ノズルが中心部側に移動するにつれて低くなるように前記制御手段により圧力可変手段を制御することを特徴とするものである。
【００１２】
（削除）
【００１３】
（削除）
【００１４】
【作用】
請求項１に記載の方法発明の作用は次のとおりである。
洗浄度合いに係わる、ノズルに供給される混合物のうち気体の流量、または気体の圧力を、基板面内の混合物を供給する位置に応じて可変することにより、回転している基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
【００１５】
また、請求項２に記載の装置発明の作用は次のとおりである。基板面内の混合物を供給する位置に応じて、基板の洗浄度合いに係わる、ノズルに供給される混合物のうち気体の流量、または気体の圧力を可変させるように可変手段が制御される。これにより、回転手段を介して回転支持手段上で回転している基板全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
【００１６】
また、請求項３に記載の装置発明によれば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側では気体の流量を多く、逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移動するにつれて気体の流量を少なくなるように、ノズルに供給される気体の流量が制御される。つまり、気体の流量を増やすことで基板面内の単位面積当たりの気体の供給量が増加され、逆に、減らすことで基板の単位面積当たりの気体の供給量が減少される。そうすることで、基板の回転に伴うノズルに対する相対速度が基板の中心部側と周縁部側で異なっていても、基板面内の単位面積当たりの気体の供給量が一定に保たれ、基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
【００１７】
また、請求項４に記載の装置発明によれば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側では気体の圧力を高く、逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移動するにつれて低くなるように、ノズルに供給される気体の圧力が制御される。つまり、気体の圧力を高くすることで基板に衝突する混合物の衝突レベルを強くし、逆に、気体の圧力を低くすることで衝突レベルを弱くする。そうすることで、基板の回転に伴うノズルに対する相対速度が基板の中心部側と周縁部側で異なっていても、基板面内の単位面積当たりに衝突する混合物の衝突レベルが調整されて、基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
【００２０】
（削除）
【００２１】
（削除）
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板洗浄装置の概略構成図であり、図２はその平面図である。
【００２３】
円筒状に形成されてなる６個の支持ピン１ａが立設された円板状のスピンチャック１は、底面に連結された回転軸３を介して電動モータ５で回転されるようになっている。この回転駆動により、支持ピン１ａに周縁部を当接支持された基板Ｗが回転中心Ｐ周りに水平面内で回転される。スピンチャック１の周囲には、ノズル７から吐出された混合物Ｋが飛散することを防止するための飛散防止カップ９が配備されている。この飛散防止カップ９は、未洗浄の基板Ｗをスピンチャック１に載置したり、図示していない搬送手段が洗浄済の基板Ｗをスピンチャック１から受け取る際に図中の矢印で示すようにスピンチャック１に対して昇降するように構成されている。なお、電動モータ５は本発明の回転手段に、スピンチャック１と、回転軸３とは回転支持手段にそれぞれ相当する。
【００２４】
ノズル７は、混合物Ｋをその吐出孔７ａから基板Ｗの表面に供給するように構成されているとともに、その胴部７ｂには支持アーム８が取り付けられている。また、胴部７ｂの支持アーム８が取り付けられている部分には、図３に示すように、ノズル７が基板Ｗに対して傾斜角θの範囲で揺動可能にする駆動部１０を備えている。また、ノズル７は、支持アーム８ごと昇降・移動機構１１によって、基板Ｗ面内を混合物Ｋの供給される供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通って供給終了位置Ｆに向かうように揺動する構成となっている。さらに、支持アーム８には、回転モータ１１ａの回転軸１１ｂに連結されている。回転モータ１１ａは回転中心Ｐｂの周りにノズル７を基板Ｗ上で揺動させるためのものであり、その回転量がエンコーダ１１ｃによって検出されて後述するコントローラ２０にフィードバックされる。
【００２５】
なお、エンコーダ１１ｃは、直接的には、ノズルの位置を検出するこによって、基板面内を移動する混合物Ｋの供給位置を検出している。また、傾斜角θは、洗浄条件により適宜に設定される。なお、回転モータ１１ａは本発明の移動手段に、駆動部１０は角度可変手段にそれぞれに相当する。
【００２６】
回転モータ１１ａとエンコーダ１１ｃを搭載している昇降ベース１１ｄは、立設されたガイド軸１１ｅに摺動自在に嵌め付けられているとともに、ガイド１１ｅに並設されているボールネジ１１ｆに螺合さている。このボールネジ１１ｆは、昇降モータ１１ｇの回転軸に連動連結されており、その昇降量は回転量としてエンコーダ１１ｈによって検出されて後述するコントローラ２０にフィードバックされる。つまり、昇降・移動機構１１により、ノズル７が昇降および揺動移動するようになっている。なお、上記のボールネジ１１ｆと、昇降モータ１１ｇとは本発明におけるノズルの高さ可変手段に相当する。
【００２７】
また、ノズル７は、その胴部７ｂに圧縮空気を導入する配管１５ａと、液体を導入する配管１５ｂとが連通接続された２流体ノズルを構成している。
配管１５ａには、流通する空気の圧力・流量をコントローラ２０から入力された制御信号に対応する圧力・流量に変換して調整する電空レギュレータ１７ａと、空気の圧力を検出する圧力センサ１８ａと、流量を検出する流量センサ１９ａとがそれぞれ備えられている。なお、使用される気体は空気に限定されるものではなく、Ｎ₂などのように２流体ノズルに用いられるものならば、特に限定されない。
【００２８】
また、配管１５ｂには、流通する液体の圧力・流量をコントローラ２０から入力された制御信号に対応する圧力・流量に変換して調整する電空レギュレータ１７ｂと、液体の圧力を検出する圧力センサ１８ｂと、流量を検出する流量センサ１９ｂとがそれぞれ備えられている。なお、使用される液体は、純水、酸、アルカリ、およびオゾンを純水に溶解したオゾン水などの基板洗浄に使用される洗浄液であれば、特に限定されない。
【００２９】
電空レギュレータ１７ａおよび１７ｂのそれぞれには、本発明の制御手段に相当するコントローラ２０から制御信号が入力され、この制御信号に応じて配管１５ａ、１５ｂを流通する空気と液体の圧力および流量とがそれぞれ調整される。一方、圧力センサ１８ａ、１８ｂと流量センサ１９ａ、１９ｂのそれぞれから逐次検出された検出結果がコントローラ２０にフィードバックされる。なお、電空レギュレータ１７ａおよび１７ｂは、本発明の流量可変手段と圧力可変手段の両方にそれぞれ相当する。
【００３０】
本実施例の特徴的構成を備えているコントローラ２０には、電動モータ５と、回転モータ１１ａと、昇降モータ１１ｇと、エンコーダ１１ｃ、１１ｈ、ノズルの駆動部１０と、電空レギュレータ１７ａ、１７ｂと、圧力センサ１８ａ、１８ｂと、流量センサ１９ａ、１９ｂのそれぞれが接続されている。そして、各基板Ｗに応じた洗浄条件が、洗浄処理プログラム（レシピーとも呼ばれる）として予めコノントローラ２０に格納されており、各基板Ｗごとの洗浄プログラムに準じて前記各部が制御されている。
【００３１】
なお、コノントローラ２０には、さらに洗浄プログラムの作成・変更や、複数の洗浄プログラムの中から所望のものを選択するために用いる指示部３０が接続されている。
各部の制御および作用については、以下基板の洗浄例を用いて具体的に説明する。
【００３２】
（ａ）空気の流量を可変制御する場合
先ず、飛散防止カップ９をスピンチャック１に対して下降させ、基板Ｗをスピンチャック１に載置する。そして、飛散防止カップ９を上昇させるとともに、ノズル７を基板Ｗの供給開始位置Ｓに移動させる。
【００３３】
次に、基板Ｗを一定速度で回転させつつ、ノズル７から混合物Ｋを基板Ｗに供給開始する。このとき、図２に示すように、供給開始位置Ｓが、基板Ｗの周縁上にあるので、基板Ｗの回転に伴うノズル７に対する相対速度が回転中心Ｐよりも速くなる。そのため、コントローラ２０では、エンコーダ１１ｃから検出されたノズル７の位置に基づいて、電空レギュレータ１７ａに備えられた調整弁の開閉を調整して空気の流量を回転中心Ｐの時点よりも多くなるように制御信号を電空レギュレータ１７ａに送って制御している。
【００３４】
そして、ノズル７は、回転中心Ｐを通り混合物Ｋの供給終了位置Ｆまで一定の速度で移動する。このとき、ノズル７に供給される空気の流量は、エンコーダ１１ｃから検出されたノズル７の位置に応じて、図４に示すように、可変される。つまり、ノズル７の位置が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて空気の流量が減少され、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて空気の流量が増加される。すなわち、ノズル７に対する相対速度に関係なく基板Ｗの単位面積当たりの混合物Ｋの供給量が一定となるようにコントローラ２０が電空レギュレータ１７ａを制御している。
【００３５】
ノズル７が供給終了位置Ｆに到達すると、コントローラ２０からの制御信号が電空レギュレータ１７ａおよび１７ｂに送られて混合物Ｋの供給が停止する。そして、ノズル７は待機位置１３に移動される。そして、基板Ｗを高速回転させて基板面に付着している混合物Ｋを飛散し、基板Ｗの振り切り乾燥処理を行って一連の動作が終了する。
【００３６】
以上の構成に基づいて、発明者が実験を行ったところ、図５に示すような結果が得られた。つまり、基板Ｗの回転、気体の流量および圧力が一定に設定された従来装置を用いた時のパーティクル除去率は、基板の中心部に対して周縁部で約２０％も低下している。一方、本実施例装置においては、除去率の変動を約５％に抑制されていることが確認された。
すなわち、空気の流量を調整するだけで基板の全面にわたってほぼ均一に高いパーティクル除去率を維持した洗浄を行うことができる。
【００３７】
なお、この実施例では、基板面内の混合物Ｋの供給位置に応じて空気の流量を可変しているが、液体もしくは気体と液体の両方の流量を供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて減らし、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて増やすようにしてもよい。
【００３８】
（ｂ）空気の圧力を可変制御する場合
上記（ａ）と同一の構成と効果を有するので、説明の重複を避けるため、相違する点のみを説明する。以下同様とする。
コントローラ２０は、移動するノズル７の位置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じた制御信号を電空レギュレータ１７ａに送り空気の圧力を調整する。このとき、圧力センサ１８ａで逐次検出された気体の圧力がコントローラ２０にそれぞれフィードバックされる。そして、コントローラ２０は空気の圧力を以下のように可変するように電空レギュレータ１７ａを制御している。
【００３９】
すなわち、ノズル７は、混合物Ｋの供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通り混合物Ｋの供給終了位置Ｆまで一定の速度で移動する。このとき、ノズル７に供給される空気の圧力は、エンコーダ１１ｃから検出された位置に応じて、図６に示すように、可変される。つまり、ノズル７の位置が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて、空気の圧力が低くされ、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて、空気の圧力が高くされる。そのため、ノズル７に対する相対速度の速い基板Ｗの周縁部側では基板に衝突する混合物Ｋの衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側では衝突レベルが弱くなるので、相対速度に関係なく基板の全面にわたって洗浄度合いが一定にされる。
【００４０】
なお、この実施例では、基板面内の混合物Ｋの供給位置に応じて気体の圧力を可変しているが、液体もしくは気体と液体の両方の圧力を供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて低くし、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて高くするようにしてもよい。
【００４１】
（ｃ）ノズルの高さを可変制御する場合
コントローラ２０は、移動するノズル７の位置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて昇降・移動機構１１を制御している。つまり、基板Ｗの表面からノズル７までの高さを可変することにより、ノズル７から吐出された混合物Ｋの速度が調整され、基板Ｗ面内に供給される混合物Ｋの衝突レベルの強弱を制御している。
【００４２】
すなわち、ノズル７は、供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通り供給終了位置Ｆまで一定の速度で移動する。このとき、ノズル７の高さは、エンコーダ１１ｃから検出された位置に応じて、図７に示すように、可変される。つまり、ノズル７の移動する位置が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて、ノズル７の高さを高くなるようにし、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて、低くなるように制御される。
【００４３】
したがって、基板Ｗの周縁側では混合物Ｋの衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側に向かうにつれ衝突レベルが弱くなるので、ノズル７に対する相対速度に関係なく基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされる。
【００４４】
（ｄ）ノズルの角度を可変するように制御する場合
コントローラ２０は、移動するノズル７の位置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて駆動部１０を制御している。つまり、基板Ｗ面に対してノズル７の角度を可変することにより、基板Ｗ面内に供給される混合物Ｋの衝突レベルの強弱を制御している。
【００４５】
すなわち、ノズル７は、供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通り供給終了位置Ｆまで一定の速度で移動する。このとき、ノズル７の角度は、エンコーダ１１ｃから検出された位置に応じて、図８に示すように、可変される。つまり、ノズル７の位置が供給開始位置Ｓのとき、基板面への混合物Ｋの衝突レベルが最も強くなるように、基板Ｗの表面に対してノズル７の吐出孔７ａが垂直下方向（９０°）に向けられるように設定される。そして、ノズル７が回転中心Ｐに向かうにつれて、ノズル７に傾斜角θを持たせるようにし、混合物Ｋの衝突レベルが弱くなるようにしている。逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて、ノズル７の傾斜角θを垂直（９０°）になるようにし、混合物Ｋの衝突レベルを強くしている。
【００４６】
したがって、基板Ｗの周縁側では混合物Ｋの衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側に向かうにつれ衝突レベルが弱くなるので、ノズル７の相対速度に関係なく基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされる。
【００４７】
（ｅ）ノズルの移動速度を制御する場合
コントローラ２０は、基板面内を移動するノズル７の位置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じてノズル７の移動速度を制御している。
【００４８】
すなわち、ノズル７は、図９に示すように、供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて移動速度を速くし、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて移動速度を遅くしている。そうすることで、ノズル７に対する相対速度の速い基板周縁部側と相対速度の遅い回転中心Ｐ側の基板面内での単位面積当たりの混合物Ｋの供給量が均等に保たれる。したがって、基板Ｗ面内の位置により相対速度による洗浄ムラが抑制され、基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされる。
【００４９】
（ｆ）基板の回転速度を制御する場合
コントローラ２０は、基板面内を移動するノズル７の位置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて電動モータ５の回転速度を制御している。
【００５０】
すなわち、電動モータ５は、図１０に示すように、ノズル７が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて回転速度を遅くし、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて回転速度を速くしている。そうすることで、ノズル７に対する相対速度の速い基板周縁部側と相対速度の遅い回転中心Ｐ側の基板面内での単位面積当たりの混合物Ｋの供給量が均等に保たれる。したがって、基板面内の位置により相対速度による洗浄ムラが抑制され、基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされる。
【００５１】
以上のように、本実施例では、基板の洗浄効果に起因する各因子をコントローラ２０により制御することにより、回転している基板の混合物Ｋの供給位置に応じて、混合物Ｋの供給量や、基板に衝突する混合物Ｋの衝突レベルが調整される。その結果、基板洗浄時の基板の回転に伴うノズル７に対する相対速度に関係なく、基板Ｗの全面にわたって高いパーティクル除去率を維持した洗浄を行うことができる。
【００５２】
この発明は、上記実施例の形態に限られることなく、下記のように、変形実施することができる。
（１）上記実施例では、１個のノズルを用いて混合物の供給開始位置Ｓから供給終了位置Ｆまで移動させていたが、２個以上のノズルを用いてもよい。つまり、図１１に示すように、２個のノズル７Ａおよび７Ｂを備え、各ノズル７Ａ、７Ｂごとに混合物Ｋを供給する基板面の範囲を指定し、その範囲内で上記実施例と同じように各機構部などを制御するようにしてもよい。
【００５３】
（２）上記実施例では、基板面の供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通って供給終了位置Ｆまでの間を１方向に１回、ノズルを移動させているが、往復移動させて複数回に渡り、混合物を基板に供給するようにしてもよい。
【００５４】
（３）上記実施例では、基板の洗浄効果に起因する因子を単体で制御して基板洗浄を行っているが、複数個の因子を制御して基板の洗浄を行ってもよい。
【００５５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、洗浄度合いに係わる、ノズルに供給される混合物のうち気体の流量、または気体の圧力を基板面内の混合物の供給する位置に応じて可変することによって、洗浄度合いを一定にすることができる。したがって、基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【００５６】
また、請求項２に記載の発明によれば、洗浄度合いに係わる、ノズルに供給される混合物のうち気体の流量、または気体の圧力を基板面内の混合物を供給する位置に応じて可変するように、可変手段を制御手段により制御する。そうすることで、基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。また、請求項３に記載の発明によれば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側では気体の流量を多く、逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移動するにつれて気体の流量を少なくなるように、ノズルに供給される気体の流量が制御される。つまり、基板面内の単位面積当たりの気体の供給量を一定にすることができる。すなわち、基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。また、請求項４に記載の発明によれば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側では気体の圧力を高く、逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移動するにつれて低くなるように、ノズルに供給される気体の圧力が制御される。つまり、基板面内の混合物の供給位置に応じて基板に衝突する混合物の衝突レベルが調整され、基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る基板洗浄装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】基板洗浄装置の平面図である。
【図３】ノズルの駆動部の概略構成図である。
【図４】ノズルに供給される気体の流量変化を示した図である。
【図５】本案装置と従来の装置によるパーティクル除去率を示した図である。
【図６】ノズルに供給される気体の圧力変化を示した図である。
【図７】基板面内を移動するノズルの高さの変化を示した図である。
【図８】基板面内を移動するノズルの角度の変化を示した図である。
【図９】基板面内を移動するノズルの移動速度の変化を示した図である。
【図１０】基板面内を移動するノズルの移動に応じて変化する回転モータの回転数を示した図である。
【図１１】変形実施例のノズルを２つ設けた基板洗浄装置の平面図である。
【符号の説明】
Ｗ … ウエハ
Ｋ … 混合物
Ｓ … 供給開始位置
Ｐ … 基板回転中心
Ｆ … 供給終了位置
１ … スピンチャック
３ … 回転軸
５ … 電動モータ
７ … ノズル
８ … 支持アーム
９ … 飛散防止カップ
１０ … 駆動部（ノズル
１１ … 昇降・移動機構
１１ｃ、１１ｈ … エンコーダ
１７ａ … 電空レギュレータ（空気用）
１７ｂ … 電空レギュレータ（液体用）
１８ａ … 圧力センサ（空気用）
１８ｂ … 圧力センサ（液体用）
１９ａ … 流量センサ（空気用）
１９ｂ … 流量センサ（液体用）
２０ … コントローラ

Claims

回転している基板に対して、気体と液体の混合物をノズルから吐出させ、その吐出された混合物の基板面内における供給位置が、基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄方法において、
前記混合物が基板面内に吐出されたときに、洗浄度合いに起因する、ノズルに供給される混合物のうち気体の流量、または気体の圧力を、基板面内における混合物の供給位置に応じて変化させるようにしたことを特徴とする基板洗浄方法。
回転手段を介して回転支持手段上で回転している基板に対して、気体と液体の混合物をノズルから吐出させ、その吐出させた混合物の基板面内における供給位置が、基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄装置において、
前記混合物が基板面内に吐出されたときに、洗浄度合いに起因する、ノズルに供給される混合物のうち気体の流量、または気体の圧力を可変する可変手段と、
基板面内における混合物の供給位置に応じて可変手段を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
請求項２に記載の基板洗浄装置において、
前記可変手段は、前記気体の流量を可変する流量可変手段であって、
かつ、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側では気体の流量を多くし、ノズルが中心部側に移動するにつれて少なくなるように前記制御手段により流量可変手段を制御することを特徴とする基板洗浄装置。
請求項２に記載の基板洗浄装置において、
前記可変手段は、前記気体の圧力を可変する圧力可変手段であって、
かつ、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側では気体の圧力を高くし、ノズルが中心部側に移動するにつれて低くなるように前記制御手段により圧力可変手段を制御することを特徴とする基板洗浄装置。