JP6016330B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 227
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 120
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 35
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 18
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
2 基板保持部
5 回転機構
9 基板
13 角度制御部
34 ノズル
71 ノズル走査機構
72 吐出角度変更機構
90 回転軸
Claims (3)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する保持部と、
前記基板の中心を通り、前記基板の主面に垂直な回転軸を中心として、前記基板を前記保持部と共に回転する回転機構と、
前記基板の前記主面に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルを前記基板の前記主面に沿って走査するノズル走査機構と、
前記ノズルからの前記処理液の吐出方向の前記基板の前記主面に対する角度である吐出角度を変更する吐出角度変更機構と、
前記吐出角度変更機構を制御する角度制御部と、
を備え、
前記ノズルから吐出された前記処理液が前記基板の前記主面に接触する接触位置において、前記処理液の接触方向の前記主面に平行な成分が、前記接触位置における前記基板の回転の接線方向を向く、または、前記接線方向から径方向外側に傾斜し、
前記角度制御部による制御により、前記基板上を前記中心からエッジに向かって移動する処理液である基板上処理液の前記接触位置における移動速度が大きくなるに従って前記吐出角度が小さくなり、前記基板上処理液の前記接触位置における移動速度が小さくなるに従って前記吐出角度が大きくなり、
前記基板上処理液の前記接触位置における移動速度は、前記基板の回転速度が大きくなるに従って大きくなり、前記基板の回転速度が小さくなるに従って小さくなり、
前記角度制御部による制御により、前記基板の回転速度が大きくなるに従って前記吐出角度が小さくなり、前記基板の回転速度が小さくなるに従って前記吐出角度が大きくなることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する保持部と、
前記基板の中心を通り、前記基板の主面に垂直な回転軸を中心として、前記基板を前記保持部と共に回転する回転機構と、
前記基板の前記主面に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルを前記基板の前記主面に沿って走査するノズル走査機構と、
前記ノズルからの前記処理液の吐出方向の前記基板の前記主面に対する角度である吐出角度を変更する吐出角度変更機構と、
前記吐出角度変更機構を制御する角度制御部と、
を備え、
前記ノズルから吐出された前記処理液が前記基板の前記主面に接触する接触位置において、前記処理液の接触方向の前記主面に平行な成分が、前記接触位置における前記基板の回転の接線方向を向く、または、前記接線方向から径方向外側に傾斜し、
前記角度制御部による制御により、前記基板上を前記中心からエッジに向かって移動する処理液である基板上処理液の前記接触位置における移動速度が大きくなるに従って前記吐出角度が小さくなり、前記基板上処理液の前記接触位置における移動速度が小さくなるに従って前記吐出角度が大きくなり、
前記基板上処理液の前記接触位置における移動速度は、前記接触位置が前記基板の前記中心から前記エッジへと向かうに従って大きくなり、前記接触位置が前記エッジから前記中心へと向かうに従って小さくなり、
前記角度制御部による制御により、前記接触位置が前記基板の前記中心から離れるに従って前記吐出角度が小さくなり、前記接触位置が前記基板の前記中心に近づくに従って前記吐出角度が大きくなり、前記接触位置が前記中心を通過すると前記ノズルの傾斜方向が反対向きに変更されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記処理液が、硫酸と過酸化水素水との混合液を加熱したものであることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069380A JP6016330B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011069380A JP6016330B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204720A JP2012204720A (ja) | 2012-10-22 |
JP6016330B2 true JP6016330B2 (ja) | 2016-10-26 |
Family
ID=47185324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011069380A Expired - Fee Related JP6016330B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6016330B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076468A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 株式会社ディスコ | スピンナー洗浄装置 |
JP7407574B2 (ja) | 2019-11-29 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP7505439B2 (ja) | 2021-04-12 | 2024-06-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3644805B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2005-05-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JP2002151455A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハ用洗浄装置 |
JP3701188B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2005-09-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法およびその装置 |
-
2011
- 2011-03-28 JP JP2011069380A patent/JP6016330B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012204720A (ja) | 2012-10-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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