JP2002336761A - 基板回転式処理装置 - Google Patents

基板回転式処理装置

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JP2002336761A
JP2002336761A JP2001150725A JP2001150725A JP2002336761A JP 2002336761 A JP2002336761 A JP 2002336761A JP 2001150725 A JP2001150725 A JP 2001150725A JP 2001150725 A JP2001150725 A JP 2001150725A JP 2002336761 A JP2002336761 A JP 2002336761A
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discharge port
wafer
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liquid supply
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Hiromi Kiyose
浩巳 清瀬
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の中心部と周辺部とで処理結果に差が生
じることをなくすことができる装置を提供する。 【解決手段】 スピンチャック10に保持されたウエハ
Wの表面へ処理液を供給する給液ノズル20を、吐出口
22がウエハの周辺部と中心部との間を往復するように
水平面内で移動自在に支持し、回転するウエハの表面へ
ノズルの吐出口から処理液を吐出しながら吐出口がウエ
ハの周辺部から中心部へ移動するようにコントローラ6
4で制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用あるいはフォトマスク用のガラス基板、
光ディスク用基板などの基板を水平姿勢に保持して鉛直
軸回りに回転させながらエッチング液等の処理液を基板
の表面へ供給してエッチング、洗浄等の処理を行う枚葉
式の基板回転式処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造工程におい
て、半導体ウエハを1枚ずつ処理液で処理、例えばエッ
チング処理する場合には、スピンチャックによってウエ
ハを水平姿勢に保持し、スピンチャックを支持する回転
支軸に連結されたスピンモータによりスピンチャックと
共にウエハを鉛直軸回りに回転させながら、スピンチャ
ック上のウエハの上方に配置された給液ノズルからウエ
ハの表面へエッチング液を供給して処理するスピン処理
装置が使用される。このスピン処理装置を使用してウエ
ハの処理を行う場合、通常は、回転するウエハの中心部
にエッチング液を供給し、遠心力によりウエハ面上でエ
ッチング液を中心部から周辺部へ流動させて、ウエハの
全面をエッチング処理するようにする。そして、ウエハ
の周辺部から周囲へ飛散したエッチング液は、内部が排
気されているカップによって回収される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のスピン処理装置
のように、給液ノズルの吐出口をスピンチャック上のウ
エハの中心部に配置し、回転するウエハの中心部へエッ
チング液を連続して供給し、ウエハの中心部に供給され
たエッチング液を遠心力でウエハの周辺部へ拡散させる
ようにした場合、ウエハの中心部には常に新鮮なエッチ
ング液が供給され、ウエハの周辺部に向かうのに従って
エッチング液の濃度が低下することになり、また、中心
部に比べて周辺部における液温が低くなる。このため、
図4の(a)に示すように一定の膜厚の被膜が形成され
たウエハをエッチング処理したときに、ウエハの中心部
の方が周辺部より多くエッチングされて、図4の(b)
に示すように、エッチング処理後における膜厚がウエハ
の周辺部から中心部に向かって同心円的に薄くなる、と
いった傾向がある。このような傾向は、エッチング液の
供給流量、ウエハの処理回転数、エッチング液の温度な
どを調整することにより、ある程度は改善することが可
能であるが、ウエハの中心部が周辺部に比べて多くエッ
チングされるということには変わりがない。
【0004】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板の中心部と周辺部とで処理結果
に差が生じることをなくすことができる基板回転式処理
装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させる基板
保持・回転手段と、この基板保持・回転手段に保持され
た基板の周囲を取り囲むように配設され基板上から周囲
へ飛散する処理液を回収するためのカップと、このカッ
プの近傍に配設され、前記基板保持・回転手段に保持さ
れた基板の表面へ処理液を供給するノズルを有する処理
液供給手段と、を備えた基板回転式処理装置において、
前記ノズルを、その吐出口が基板の周辺部と中心部との
間を往復するように水平面内で移動自在に支持し、前記
ノズルを水平面内で移動させる移動手段と、前記基板保
持・回転手段に保持されて回転する基板の表面へ前記ノ
ズルの吐出口から処理液を吐出しながら吐出口が基板の
周辺部から中心部へ移動するように、前記基板保持・回
転手段、前記処理液供給手段および前記移動手段を制御
する制御手段と、を備えたことを特徴とする基板回転式
処理装置。
【0006】請求項2に係る発明は、請求項1記載の処
理装置において、処理液がエッチング液であることを特
徴とする。
【0007】請求項3に係る発明は、請求項1または請
求項2記載の処理装置において、前記制御手段により、
前記ノズルの吐出口が基板の周辺部から中心部へ移動し
た後に吐出口を基板の中心部に停止させて吐出口から基
板の中心部へ所定時間だけ継続して処理液を吐出するよ
うに制御されることを特徴とする。
【0008】請求項4に係る発明は、請求項1または請
求項2記載の処理装置において、前記制御手段により、
前記ノズルの吐出口が基板の周辺部から中心部へ移動す
るのに従って移動速度を遅くするように前記移動手段が
制御されることを特徴とする。
【0009】請求項1に係る発明の基板回転式処理装置
においては、基板保持・回転手段に保持されて鉛直軸回
りに回転する基板の表面へ処理液供給手段のノズルの吐
出口から処理液を吐出しながら、移動手段によって吐出
口が基板の周辺部から中心部へ移動させられる。したが
って、ノズルの吐出口を固定し基板の中心部へ処理液を
連続して供給する従来の装置におけるように、基板の中
心部が周辺部に比べて処理量が多くなる、といったこと
が起こらない。そして、制御手段によって移動手段等を
適切に制御することにより、基板の中心部と周辺部とで
処理結果に差が生じないようにすることが可能になる。
【0010】請求項2に係る発明の処理装置では、基板
の中心部と周辺部とにおけるエッチング量を等しくする
ことが可能になる。
【0011】請求項3に係る発明の処理装置では、ノズ
ルの吐出口が基板の周辺部から中心部へ移動した時点
で、周辺部の方が中心部に比べて処理量が多くなってい
るときに、吐出口が基板の中心部に停止して吐出口から
基板の中心部へ所定時間だけ継続して処理液が吐出され
ることにより、基板の周辺部と中心部とで処理量が等し
くなる。
【0012】請求項4に係る発明の処理装置では、ノズ
ルの吐出口が基板の周辺部から中心部へ移動するのに従
って移動速度が遅くなるので、基板の周辺部の方が中心
部に比べて処理液と接触する時間が長くなることによる
影響が相殺され、基板の周辺部と中心部とで処理量が等
しくなる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図1ないし図3を参照しながら説明する。
【0014】図1は、この発明の実施形態の1例を示
し、基板回転式処理装置の概略構成を示す図である。こ
の処理装置は、基板、例えば半導体ウエハWを固定する
チャック部12を有しウエハWを水平姿勢に保持するス
ピンチャック10を備えている。スピンチャック10
は、回転支軸14に支持され、回転支軸14は、スピン
モータ16の回転軸に連結されている。そして、スピン
モータ16を駆動させることにより、ウエハWは、スピ
ンチャック10に保持されて鉛直軸回りに回転させられ
る。
【0015】スピンチャック10の周囲には、上面が大
きく開口しスピンチャック10上のウエハWの側方およ
び下方を取り囲むような容器形状に形成されたカップ1
8が配設されている。このカップ18は、ウエハWの搬
出入に際して昇降するように保持されている。また、カ
ップ18の底部には、図示していないが、排気管が連通
して接続されており、ウエハWの回転に伴ってウエハW
上から周囲へ飛散した処理液、例えばエッチング液のミ
ストをカップ18の内底部に導くようになっている。ま
た、カップ18の底部には、ドレン排出管が連通して接
続されており、ミストがエアーと共にカップ18の内底
部に導かれエアーから分離されたエッチング液やウエハ
W上から飛散してカップ18の内周壁面に衝突し壁面を
伝って流下したエッチング液のドレンを排出するように
なっている。
【0016】スピンチャック10に保持されたウエハW
の上方には、ウエハWの表面へエッチング液を供給する
給液ノズル20が配設されている。給液ノズル20の先
端の吐出口22は、ウエハWの表面に対向するように下
向きに設けられている。給液ノズル20は、保持部24
に片持ち式に保持されている。保持部24は、回転支軸
26に支持され、回転支軸26は、正・逆回転モータ2
8の回転軸に連結されている。そして、回転モータ28
を正方向および逆方向へ回転駆動させることにより、図
2に平面図を示すように、給液ノズル20を水平面内に
おいて揺動させ、給液ノズル20の吐出口22をウエハ
Wの周辺部と中心部との間で往復移動させることができ
る構成となっている。
【0017】正・逆回転モータ28は、昇降保持板30
に取着されており、昇降保持板30は、昇降用駆動モー
タ32の回転軸34の上部に形成されたねじ部36に螺
合している。駆動モータ32の回転軸34の上端部は、
固定フレーム38に回動自在に支持されている。固定フ
レーム38には、ガイド軸40が固定されている。駆動
モータ32の回転軸34とガイド軸40とは、それぞれ
鉛直に立設されており、ガイド軸40に摺動自在に昇降
保持板30が係合している。そして、給液ノズル20を
カップ18の外方の待機位置と図1および図2に示した
カップ18内方の処理位置との間で移動させるときに、
昇降用駆動モータ32を正方向および逆方向に回転駆動
させることにより、昇降保持板30を昇降させ、昇降保
持板30に保持された回転モータ28と共に給液ノズル
20を上下方向へ移動させることができるように構成さ
れている。
【0018】給液ノズル20には、給液配管42が接続
されている。給液配管42には、流量計44および流量
制御弁46がそれぞれ介挿されたエッチング液供給管4
8が連通して接続されており、エッチング液供給管48
は、エッチング液供給部50に接続されている。また、
給液配管42には、流量計54および流量制御弁56が
それぞれ介挿されたリンス液供給管58が連通して接続
されており、リンス液供給管58は、リンス液供給部6
0に接続されている。そして、エッチング処理時に、エ
ッチング液供給部50からエッチング液供給管48およ
び給液配管42を通って給液ノズル20へエッチング液
が供給され、また、エッチング処理後に、リンス液供給
部60からリンス液供給管58および給液配管42を通
って給液ノズル20へリンス液が供給されるようになっ
ている。
【0019】各流量計44、54は、それぞれコントロ
ーラ64に接続されており、それぞれの検出信号がコン
トローラ64へ入力される。また、コントローラ64
は、スピンモータ16、正・逆回転モータ28、昇降用
駆動モータ32および各流量制御弁46、56にそれぞ
れ接続されており、それぞれに対して制御信号が出力さ
れるようになっている。さらに、コントローラ64に
は、指示部66が接続されており、指示部66からコン
トローラ64に対し所要の制御動作が指示される。
【0020】以上のような構成の処理装置を使用してウ
エハWをエッチング処理する場合、給液ノズル20を、
図2に実線で示すように、吐出口22がスピンチャック
10上のウエハWの周辺部に対向するように配置する。
この状態で、スピンモータ16を駆動させてウエハWを
回転させる。そして、エッチング液供給部50から給液
ノズル20へエッチング液を供給して、給液ノズル20
の吐出口22からウエハWの表面へエッチング液を吐出
しながら、正・逆回転モータ28を駆動させて、給液ノ
ズル20を実線位置から二点鎖線で示す位置へ揺動さ
せ、給液ノズル20の吐出口22をウエハWの周辺部か
ら中心部へ移動させる。
【0021】給液ノズル20の吐出口22がウエハWの
中心部まで移動すると、給液ノズル20を停止させる。
給液ノズル20が停止した後も、吐出口22からウエハ
Wの中心部へ所定時間だけ継続してエッチング液を吐出
させる。エッチング処理が終了すると、給液ノズル20
の吐出口22からのエッチング液の吐出を停止し、回転
モータ28を逆方向に回転駆動させて、給液ノズル20
を二点鎖線位置から実線位置へ揺動させ、給液ノズル2
0の吐出口22をウエハWの中心部から周辺部へ移動さ
せる。以上の一連の処理動作は、コントローラ64から
スピンモータ16、正・逆回転モータ28および流量制
御弁46へそれぞれ制御信号を送ってそれらを制御する
ことにより行われる。
【0022】このように、回転するウエハWの表面へ給
液ノズル20の吐出口22からエッチング液を吐出しな
がら吐出口22をウエハWの周辺部から中心部へ移動さ
せると、吐出口22がウエハWの中心部に達した時点で
は、ウエハWの周辺部の方が中心部よりエッチング液と
多くの時間接触することになるので、ウエハWの周辺部
の方がより多くエッチングされる。この結果、処理前に
図3の(a)に示すように一定の膜厚であった被膜が、
図3の(b)に示すように、ウエハWの中心部から周辺
部に向かって同心円的に薄くなる。そして、給液ノズル
20の吐出口22がウエハWの中心部に停止した後も、
吐出口22からウエハWの中心部へ所定時間だけ継続し
てエッチング液が供給されることにより、ウエハWの中
心部のエッチング量が増加して、最終的にはウエハWの
中心部と周辺部とにおけるエッチング量が等しくなる。
この結果、図3の(c)に示すように、ウエハWの全面
にわたって膜厚が一定になる。
【0023】なお、図3に関する説明は、処理前に膜厚
が一定である場合についてのものであるが、前工程(例
えば成膜工程)でウエハの表面に形成された被膜に同心
円状の膜厚のむらがあるような場合などにも、上記した
ような方法を応用してエッチング処理を行うことによ
り、エッチング量を調節して、エッチング処理後の膜厚
をウエハの全面にわたって均等にすることが可能にな
る。
【0024】上記した実施形態では、給液ノズル20の
吐出口22からエッチング液を吐出しながら吐出口22
をウエハWの周辺部から中心部まで移動させ、給液ノズ
ル20がウエハWの中心部に停止した後も、引き続き吐
出口22から所定時間だけエッチング液を吐出すること
により、ウエハWの中心部と周辺部とでエッチング量が
等しくなるようにしたが、それとは異なる方法で、ウエ
ハWの全面にわたってエッチング量が等しくなるように
してもよい。例えば、コントローラ64で正・逆回転モ
ータ28を制御することにより、給液ノズル20の吐出
口22がウエハWの周辺部から中心部へ移動するのに従
って吐出口22の移動速度を遅くするようにしたり、コ
ントローラ64で流量制御弁46を制御することによ
り、給液ノズル20の吐出口22がウエハWの周辺部か
ら中心部へ移動するのに従って、吐出口22からウエハ
Wの表面へ供給されるエッチング液の流量を増加させる
ようにしたりすることができる。
【0025】なお、給液ノズル20の移動手段や吐出口
22の移動軌跡などは、図示例のものに限定されない。
また、上記した説明では、ウエハWをエッチング処理す
る場合を例にとったが、この発明は、他の処理を行う基
板回転式処理装置にも適用し得るものである。
【0026】
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板回転式処理装
置を使用すると、基板の中心部と周辺部とで処理結果に
差が生じることをなくすことができる。
【0027】請求項2に係る発明の処理装置では、基板
の中心部と周辺部とにおけるエッチング量を等しくする
ことができる。
【0028】請求項3および請求項4に係る各発明の処
理装置では、基板の周辺部と中心部とで処理量を確実に
等しくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施形態の1例を示し、基板回転式
処理装置の概略構成を示す図である。
【図2】図1に示した処理装置の要部を示す平面図であ
る。
【図3】図1に示した処理装置を使用してウエハをエッ
チング処理したときの膜厚の変化の過程を説明するため
の図である。
【図4】従来のスピン処理装置を使用してウエハをエッ
チング処理したときの処理結果を示す図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ 10 スピンチャック 12 チャック部 14 回転支軸 16 スピンモータ 18 カップ 20 給液ノズル 22 給液ノズルの吐出口 24 保持部 26 回転支軸 28 正・逆回転モータ 30 昇降保持板 32 昇降用駆動モータ32 42 給液配管 44 流量計 46 流量制御弁 48 エッチング液供給管 50 エッチング液供給部 64 コントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B05D 7/00 B05D 7/00 H C23F 1/08 103 C23F 1/08 103 H01L 21/304 643 H01L 21/304 643A 648 648G 21/306 21/306 J Fターム(参考) 4D075 AC06 AC64 AC79 AC84 AC88 AC93 AC94 BB14Y BB65Y BB66Y BB95Y CA48 DA06 DA08 DB11 DB13 DB14 DC22 DC24 DC27 4F042 AA02 AA07 AA08 BA04 BA08 CB07 CB18 CC03 CC04 CC09 DD02 DD17 DD18 DF09 DF28 DF32 EB05 EB09 EB18 EB21 EB24 EB25 EB28 EB29 4K057 WA11 WB06 WM07 WM11 WN01 5F043 EE07 EE08

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに
    回転させる基板保持・回転手段と、 この基板保持・回転手段に保持された基板の周囲を取り
    囲むように配設され基板上から周囲へ飛散する処理液を
    回収するためのカップと、 このカップの近傍に配設され、前記基板保持・回転手段
    に保持された基板の表面へ処理液を供給するノズルを有
    する処理液供給手段と、を備えた基板回転式処理装置に
    おいて、 前記ノズルを、その吐出口が基板の周辺部と中心部との
    間を往復するように水平面内で移動自在に支持し、 前記ノズルを水平面内で移動させる移動手段と、 前記基板保持・回転手段に保持されて回転する基板の表
    面へ前記ノズルの吐出口から処理液を吐出しながら吐出
    口が基板の周辺部から中心部へ移動するように、前記基
    板保持・回転手段、前記処理液供給手段および前記移動
    手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする
    基板回転式処理装置。
  2. 【請求項2】 処理液がエッチング液である請求項1記
    載の基板回転式処理装置。
  3. 【請求項3】 前記制御手段により、前記ノズルの吐出
    口が基板の周辺部から中心部へ移動した後に吐出口を基
    板の中心部に停止させて吐出口から基板の中心部へ所定
    時間だけ継続して処理液を吐出するように制御される請
    求項1または請求項2記載の基板回転式処理装置。
  4. 【請求項4】 前記制御手段により、前記ノズルの吐出
    口が基板の周辺部から中心部へ移動するのに従って移動
    速度を遅くするように前記移動手段が制御される請求項
    1または請求項2記載の基板回転式処理装置。
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