TWI483341B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI483341B
TWI483341B TW098118022A TW98118022A TWI483341B TW I483341 B TWI483341 B TW I483341B TW 098118022 A TW098118022 A TW 098118022A TW 98118022 A TW98118022 A TW 98118022A TW I483341 B TWI483341 B TW I483341B
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Norihiro Itoh
Jiro Higashijima
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Tokyo Electron Ltd
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Description

基板處理裝置 【交叉參考之相關申請案】
本申請案主張係2008年6月3日所申請之日本國專利申請案之特願2008-145736及係2008年6月3日所申請之日本國專利申請案之特願2008-145744之優先權，參照特願2008-145736及特願2008-145744之所有內容並將其編入於此。
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法，可沿水平方向設置基板板面並使其旋轉以同時處理該基板。且本發明係關於一種程式記錄媒體，記憶有用以實行可沿水平方向設置基板板面並使其旋轉以同時處理該基板之基板處理方法之程式。
自以往，例如JP6-009713A所揭示，在沿水平方向設置基板板面並固持該基板之狀態下，旋轉該基板並同時進行處理之基板處理裝置及基板處理方法已廣為人知。進行如此之處理時，於處理裝置內需將基板以可旋轉之方式固持。特別是處理因呈薄板狀而在旋轉中易於晃動(跳動)，且因具有大致呈圓形之外輪郭而易於在旋轉中相對於處理裝置滑動(偏離)之圓板狀基板，例如半導體晶圓(於以下亦僅稱晶圓)時，業界要求可穩定固持基板。
且包含送入處理裝置及自處理裝置送出，使用基板處理裝置對基板進行處理時多半可自動進行。因此，不僅需確認處理裝置本身是否正常動作，亦需確認為處理對象之基板狀態，亦即，是否已將基板持入裝置內，基板之支持位置是否正常，基板之固持狀態是否正常等。業界特別要求處理呈易於晃動(跳動)之薄板狀，且易於在旋轉中相對於處理裝置滑動(偏離)之圓板狀基板，例如半導體晶圓時，高精度監視基板狀態。
依本發明第1態樣之基板處理裝置沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其特徵在於包含：平台，包含可旋轉之底板，該底板包含朝上方突出，複數之突出構件，其中該突出構件自下方接觸該基板，在該基板與該平台之間形成間隙而可支持該基板；旋轉驅動機構，旋轉驅動該底板；及壓力調節裝置，包含：抽吸用管路，其一端朝該間隙開放；及抽吸機構，連結該抽吸用管路。
依本發明第2態樣之基板處理裝置沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其特徵在於包含：平台，包含可旋轉之底板，該底板包含朝上方突出，複數之突出構件，其中該突出構件自下方接觸該基板，在該基板與該平台之間形成間隙而可旋轉固持該基板；旋轉驅動機構，旋轉驅動該底板；及壓力監視裝置，包含：壓力測定用管路，其一端朝該間隙開放；及壓力感測器，連結該壓力測定用管路。
依本發明第1態樣之基板處理方法沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其特徵在於包含：支持步驟，於包含朝上方突出，複數之突出構件之平台之該突出構件上載置基板，在該基板與該平台之間形成間隙以支持該基板；加速步驟，開始使該經支持之基板旋轉，再使基板之旋轉速度加速；及處理步驟，使該基板旋轉，並同時處理該基板；且在自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，藉由包含其一端朝該間隙開放之抽吸用管路與連結該抽吸用管路之抽吸機構之壓力調節裝置抽吸該間隙之氛圍。
依本發明第2態樣之基板處理方法沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其特徵在於包含：支持步驟，於包含朝上方突出，複數之突出構件之平台之該突出構件上載置基板，在該基板與該平台之間形成間隙以支持該基板；及處理步驟，使該基板旋轉，並同時處理該基板；且在自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，根據藉由包含其一端朝該間隙開放之壓力測定用管路與連接該壓力測定用管路之壓力感測器之壓力監視裝置所測定之壓力，確認該基板之狀態。
依本發明第1態樣之程式記錄媒體記錄有藉由控制基板處理裝置之控制裝置所實行之程式，其特徵在於藉由以該控制裝置實行該程式，使該基板處理裝置實施下列被處理基板之基板處理方法：沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其中包含：支持步驟，在包含朝上方突出，複數之突出構件之平台之該突出構件上載置基板，在該基板與該平台之間形成間隙以支持該基板；加速步驟，開始使該經支持之基板旋轉，再使基板之旋轉速度加速；及處理步驟，旋轉該基板並同時處理該基板；且在自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，藉由包含其一端朝該間隙開放之抽吸用管路與連結該抽吸用管路之抽吸機構之壓力調節裝置抽吸該間隙之氛圍。
依本發明第2態樣之程式記錄媒體記錄有藉由控制基板處理裝置之控制裝置所實行之程式，其特徵在於藉由以該控制裝置實行該程式，使該基板處理裝置實施下列被處理基板之基板處理方法：沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其中包含：支持步驟，在包含朝上方突出，複數之突出構件之平台之該突出構件上載置基板，在該基板與該平台之間形成間隙以支持該基板；及處理步驟，旋轉該基板並同時處理該基板；且在自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，根據藉由包含其一端朝該間隙開放之壓力測定用管路與連接該壓力測定用管路之壓力感測器之壓力監視裝置所測定之壓力，確認該基板之狀態。
依第1實施形態之基板處理裝置沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其特徵在於包含：平台，包含可旋轉之底板，該底板包含朝上方突出，複數之突出構件，其中該突出構件自下方接觸該基板，在該基板與該平台之間形成間隙而可支持該基板；旋轉驅動機構，旋轉驅動該底板；及壓力調節裝置，包含：抽吸用管路，其一端朝該間隙開放；及抽吸機構，連結該抽吸用管路。
依藉由第1實施形態實施之基板處理裝置，可提供一種基板處理裝置及基板處理方法，可穩定固持基板並可適當處理基板。
如以下之具體態樣可適用於依如此之第1實施形態之基板處理裝置。
依第1實施形態之基板處理裝置亦可更包含控制裝置，連接該旋轉驅動機構及該壓力調節裝置，該控制裝置於該底板受到旋轉驅動時，至少根據藉由該旋轉驅動機構所驅動之該底板之旋轉速度，控制藉由該壓力調節裝置所進行之抽吸。依如此之第1實施形態之基板處理裝置中，該控制裝置亦可於藉由該旋轉驅動機構所驅動之該底板之旋轉速度在預先所設定之旋轉速度以下時或未滿該預先所設定之旋轉速度時，藉由該壓力調節裝置實施抽吸，於超過預先所設定之旋轉速度時或在該預先所設定之旋轉速度以上時，停止藉由該壓力調節裝置進行抽吸。
且依第1實施形態之基板處理裝置亦可更包含壓力監視裝置，包含：壓力測定用管路，其一端朝該間隙開放；及壓力感測器，連結該壓力測定用管路。
依如此之第1實施形態之基板處理裝置亦可更包含控制裝置，連接該壓力監視裝置，該控制裝置根據藉由該壓力監視裝置所測定之該間隙內之壓力，確認該基板之狀態。且依如此之第1實施形態之基板處理裝置中，該控制裝置亦可於該底板旋轉之際，藉由該壓力監視裝置所測定之壓力超過至少根據測定時該基板之旋轉速度所訂定之既定值時或在該既定值以上時，判斷有所異常。或是在依如此之第1實施形態之基板處理裝置中，該控制裝置亦可於藉由該壓力監視裝置所測定之壓力高到超過至少根據測定時該基板是否旋轉，與旋轉時測定時該基板之旋轉速度所訂定之既定值時或在該既定值以上時，判斷有所異常。
且在依第1實施形態之基板處理裝置中，於該底板與該基板對面之位置亦可形成有開口部，該平台更包含配置於該底板之該開口部之昇降板，依第1實施形態之基板處理裝置更包含：旋轉軸構件，連結該底板並連結該旋轉驅動機構，俾可旋轉驅動，其中包含連通該底板之該開口部之中空部；昇降軸構件，以相對於該旋轉軸構件可滑動之方式於該旋轉軸構件之該中空部內延伸，連結該昇降板；及昇降驅動機構，連結該昇降軸構件，昇降驅動該昇降軸構件。
依如此之第1實施形態之基板處理裝置中，該抽吸用管路亦可於該昇降軸構件內延伸，該抽吸用管路之一端朝位於該昇降板與該基板之間之該間隙開放。且在依如此之第1實施形態之基板處理裝置中，該壓力測定用管路亦可於該昇降軸構件內延伸，該壓力測定用管路之一端朝位於該昇降板與該基板之間之該間隙開放。
且依第1實施形態之基板處理裝置亦可更包含旋轉軸構件，連結該底板，並連結該旋轉驅動機構，俾可旋轉驅動。依如此之第1實施形態之基板處理裝置中，該抽吸用管路亦可於該旋轉軸構件內延伸，該抽吸用管路之一端朝位於該底板與該基板之間之該間隙開放。且在依如此之第1實施形態之基板處理裝置中，該壓力測定用管路亦可於該旋轉軸構件內延伸，該壓力測定用管路之一端朝位於該底板與該基板之間之該間隙開放。
且在依第1實施形態之基板處理裝置中，該突出構件亦可包含：支持部，自下方接觸該基板之周緣部；及限制部，相較於該支持部更延伸至上方，位於該基板周緣部之側方。
依第2實施形態之基板處理裝置沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其特徵在於包含：平台，包含可旋轉之底板，該底板包含朝上方突出，複數之突出構件，其中該突出構件自下方接觸該基板，在該基板與該平台之間形成間隙而可旋轉固持該基板；旋轉驅動機構，旋轉驅動該底板；及壓力監視裝置，包含：壓力測定用管路，其一端朝該間隙開放；及壓力感測器，連結該壓力測定用管路。
依藉由第2實施形態實施之基板處理裝置，可輕易且正確確認基板之狀態。且可適用於依第1實施形態之基板處理裝置之上述具體態樣亦可適用於依如此之第2實施形態之基板處理裝置。
依第1實施形態之基板處理方法沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其特徵在於包含：支持步驟，於包含朝上方突出，複數之突出構件之平台之該突出構件上載置基板，在該基板與該平台之間形成間隙以支持該基板；加速步驟，開始使該經支持之基板旋轉，再使基板之旋轉速度加速；及處理步驟，使該基板旋轉，並同時處理該基板；且在自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，藉由包含其一端朝該間隙開放之抽吸用管路與連結該抽吸用管路之抽吸機構之壓力調節裝置抽吸該間隙之氛圍。
依藉由第1實施形態實施之基板處理方法，可提供一種基板處理裝置及基板處理方法，可穩定固持基板並可適當處理基板。
如以下具體之態樣可適用於依如此之第1實施形態之基板處理方法。
依第1實施形態之基板處理方法中，亦可於該加速步驟中，至少至基板之旋轉速度在預先所訂定之旋轉速度以上或超過該預先所訂定之旋轉速度為止，藉由壓力調節裝置實施抽吸。
且依第1實施形態之基板處理方法亦可更包含固持步驟，實施於該支持步驟後，該加速步驟前，其中藉由該壓力調節裝置抽吸該間隙之氛圍，朝平台抽吸該基板以固持之。
且在依第1實施形態之基板處理方法中，亦可於該處理步驟中至少一期間內，停止藉由該壓力調節裝置進行抽吸。
且在依第1實施形態之基板處理方法中，該處理步驟亦可包含對該旋轉中之基板進行不同處理之複數步驟，於複數之步驟中至少任一者中，停止藉由壓力調節裝置進行抽吸。
且在依第1實施形態之基板處理方法中，亦可於該處理步驟中，基板之旋轉速度在預先所訂定之旋轉速度以上之期間內或超過該預先所訂定之旋轉速度之期間內，停止藉由壓力調節裝置進行抽吸。
且在依第1實施形態之基板處理方法中，亦可自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，根據藉由包含其一端朝該間隙開放之壓力測定用管路與連接該壓力測定用管路之壓力感測器之壓力監視裝置所測定之壓力，確認該基板之狀態。依如此之第1實施形態之基板處理方法中，亦可當藉由該壓力監視裝置所測定之壓力超過至少根據測定時該基板之旋轉速度所訂定之既定值時或在該既定值以上時，判斷有所異常，藉此確認該基板之狀態。
依第2實施形態之基板處理方法沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其特徵在於包含：支持步驟，於包含朝上方突出，複數之突出構件之平台之該突出構件上載置基板，在該基板與該平台之間形成間隙以支持該基板；及處理步驟，使該基板旋轉，並同時處理該基板；且在自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，根據藉由包含其一端朝該間隙開放之壓力測定用管路與連接該壓力測定用管路之壓力感測器之壓力監視裝置所測定之壓力，確認該基板之狀態。依藉由第2實施形態實施之基板處理方法，可輕易且正確確認基板之狀態。且可適用於依第1實施形態之基板處理方法之上述具體態樣中一者以上亦可適用於依如此之第2實施形態之基板處理方法。
依第1實施形態之程式記錄媒體記錄有藉由控制基板處理裝置之控制裝置所實行之程式，其特徵在於藉由以該控制裝置實行該程式，使該基板處理裝置實施下列被處理基板之基板處理方法：沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其中包含：支持步驟，在包含朝上方突出，複數之突出構件之平台之該突出構件上載置基板，在該基板與該平台之間形成間隙以支持該基板；加速步驟，開始使該經支持之基板旋轉，再使基板之旋轉速度加速；及處理步驟，旋轉該基板並同時處理該基板；且在自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，藉由包含其一端朝該間隙開放之抽吸用管路與連結該抽吸用管路之抽吸機構之壓力調節裝置抽吸該間隙之氛圍。
可適用於依第1實施形態之基板處理方法之上述具體之態樣可適用於可藉由依如此之第1實施形態之程式記錄媒體所記錄之程式實行之被處理基板之處理方法。
依第2實施形態之程式記錄媒體記錄有藉由控制基板處理裝置之控制裝置所實行之程式，其特徵在於藉由以該控制裝置實行該程式，使該基板處理裝置實施下列被處理基板之基板處理方法：沿水平方向設置基板板面，旋轉該基板並同時進行處理，其中包含：支持步驟，在包含朝上方突出，複數之突出構件之平台之該突出構件上載置基板，在該基板與該平台之間形成間隙以支持該基板；及處理步驟，旋轉該基板並同時處理該基板；且在自該支持步驟結束後起至該處理步驟結束為止之間至少一期間內，根據藉由包含其一端朝該間隙開放之壓力測定用管路與連接該壓力測定用管路之壓力感測器之壓力監視裝置所測定之壓力，確認該基板之狀態。可適用於依第1實施形態之基板處理方法之上述具體之態樣可適用於可藉由依如此之第2實施形態之程式記錄媒體所記錄之程式實行之被處理基板之處理方法。
以下參照圖式更具體地說明關於本發明之一實施形態。又，為便於圖示與理解，本案說明書中所添附之圖式係自該等實物適當經變更縮尺及縱橫之尺寸比等而加以誇張者。圖1至圖4係用以說明本發明一實施形態圖。其中圖1係顯示基板處理裝置之縱剖面圖，圖2係顯示基板處理裝置之上表面圖，圖3係用以說明基板處理裝置之動作圖，圖4係用以說明基板處理方法之流程圖。又，圖1顯示圖2中沿I-I線之剖面。
又，以下之實施形態中顯示依本發明之基板處理裝置及基板處理方法適用於清洗外輪郭大致呈圓形之薄板狀半導體晶圓(被處理基板之一例)之例。然而，依本發明之基板處理裝置及基板處理方法當然不限定於適用於清洗晶圓之情形。
如圖1至圖3所示，基板處理裝置10係可沿水平方向設置晶圓W之板面(上表面及下表面)以旋轉該基板並同時進行處理之裝置，包含圓板狀平台15，在與晶圓W之間形成間隙(空隙)G並以可旋轉之方式支持晶圓W。又，圖2中係以雙點虛線顯示晶圓W。
如圖1至圖3所示，平台15，換言之即包含：底板20，在與晶圓W之中央部Wa對面之部分形成有開口部(穿通孔)20a；及昇降板25，配置於底板20之開口部20a。
昇降板25位於圓板狀平台15之中央部，與晶圓W之中央部Wa對面。又，底板20與晶圓W之中央部Wa以外之外方部Wb對面。
底板20包含板構件24與設於板構件24之上表面24a之複數突出構件22。圖2所示之例中，突出構件22在以圓板狀平台15之中心為中心之圓周上大致隔著等間隔配置有三個。自底板20之板構件24朝上方突出之突出構件22包含：支持部22a，於晶圓W之周緣部自下方接觸晶圓W；及限制部22b，較支持部22a更朝上延伸至上方。
支持部22a藉由自下方接觸晶圓W而可在底板20(平台15)上支持晶圓W。又，支持部22a之高度h可在約例如1mm至10mm之範圍內，此時，如後述可使間隙G內壓力變動易於產生。且限制部22b如圖2所示，配置於沿水平方向較支持部22a更外方，如圖1及圖3所示，位於載置於支持部22a上之晶圓W周緣部之水平方向外方。因此，限制部22b可限制載置於支持部22a上之晶圓W朝水平方向移動。
昇降板25包含：本體部29，具有朝圓板狀平台15之中心向下方傾斜之上表面；及升降銷27，設於本體部29之周緣部並朝上方突出。
圖2所示之例中，升降銷27在以圓板狀平台15之中心為中心之圓周上大致隔著等間隔配置有三個。
如圖1所示，基板處理裝置10更包含：旋轉軸構件30，固定連結底板20之下表面並沿鉛直方向延伸；及旋轉驅動機構35，連結旋轉軸構件30以旋轉驅動旋轉軸構件30。
如圖示，旋轉軸構件30形成為筒狀，旋轉軸構件30之中空部30a連通底板20之開口部20a。旋轉軸構件30以可以沿鉛直方向延伸之軸心為中心旋轉之方式由軸承32所固持。旋轉驅動機構35包含：帶輪37，自外方固定旋轉軸構件30；及驅動構件36，經由驅動帶38賦予帶輪37驅動力(例如馬達)。
且如圖1所示，基板處理裝置10更包含：昇降軸構件40，固定連結昇降板25之下表面並沿鉛直方向延伸；及昇降驅動機構42，連結昇降軸構件40以昇降驅動昇降軸構件40。昇降軸構件40可相對於旋轉軸構件30滑動，於筒狀之旋轉軸構件30之中空部30a內延伸。藉由昇降驅動機構42進行昇降驅動，昇降板25可沿鉛直方向在位於圖3中以雙點虛線表示之底板20之開口部20a內之位置與位於圖3中以實線表示之底板20之上方之位置之間移動。
且如圖1所示，基板處理裝置10包含：壓力監視裝置50，可測定載置於平台15上之晶圓W與平台15之間間隙G之壓力；及壓力調節裝置55，可調節載置於平台15上之晶圓W與平台15之間間隙G之壓力。
壓力監視裝置50包含：壓力測定用管路51，其一端在與晶圓W之中央部Wa對面之位置朝間隙G開放；及壓力感測器53，連結另一端壓力測定用管路51。
在此，壓力測定管路51僅於其兩端形成有開口。因此，在因壓力感測器53另一端實質上受到阻塞之壓力測定管路51內，實質上未形成有氣流。因此，壓力感測器53雖配置於遠離該區域之位置，卻可在壓力測定用管路51之一端已開放之區域高精度測定其壓力。如圖1所示，壓力測定用管路51於昇降軸構件40內延伸，且通過昇降板25中與晶圓W之中央部Wa對面之部分。其結果，壓力測定用管路51之一端朝形成於平台15與晶圓W之間之間隙G中，位於昇降板25與晶圓W之間之部分開放。
另一方面，壓力調節裝置55包含：抽吸用管路56，其一端在與晶圓W之中央部Wa對面之位置朝間隙G開放；及抽吸機構58，連結另一端抽吸用管路56。
在此，抽吸用管路56僅於其兩端形成有開口。因此，抽吸機構58可在抽吸用管路56之一端已開放之區域抽吸氛圍，以調節該區域中之壓力。如圖1所示，抽吸用管路56於昇降軸構件40內延伸，且通過昇降板25中與晶圓W之中央部Wa對面之部分。其結果，抽吸用管路56之一端朝形成於平台15與晶圓W之間之間隙G中，位於昇降板25與晶圓W之間之部分開放。
且如圖2所示，除壓力測定用管路51及抽吸用管路56以外，氣體供給管路45及處理液供給管路47亦穿通昇降板25。氣體供給管路45之一端及處理液供給管路47之一端亦與壓力測定用管路51之一端及抽吸用管路56之一端相同，在與晶圓W之中央部Wa對面之位置朝晶圓W與平台15之間之間隙G開放。氣體供給管路45及處理液供給管路47與壓力測定用管路51及抽吸用管路56相同，通過昇降軸構件40內。
處理液供給管路47經由切換閥等連接供給藥液之藥液源、供給潤洗液之潤洗液源、供給乾燥液之乾燥液源等。
另一方面，氣體供給管路45連接供給例如氮氣等非活性氣體之氣體源。又，氣體供給管路45朝間隙G開放之前端(上端)配置於高於壓力測定用管路51、抽吸用管路56及處理液供給管路47上端之位置。又，此氣體供給管路45之前端(上端)配置在載置於底板20上之晶圓W下表面(背面)附近，且形成為向前端逐漸狹窄。因此，由氣體供給管路45所供給之氣體可於流速降低前，亦即以高速對晶圓W下表面供給之。
且如圖1所示，於平台15上方設有對在平台15之底板20上受到支持之晶圓W上表面(表面)供給處理液之表面側處理液供給部12及供給氣體之表面側氣體供給部13。可在由底板20所支持之晶圓W上方移動之移動臂11支持表面側處理液供給部12及表面側氣體供給部13。例如圖2所示，移動臂11以可擺動之方式構成，可將表面側處理液供給部12及表面側氣體供給部13配置於自上方與晶圓W中心對面之位置(圖2中之雙點虛線)或自上方與晶圓W周緣部對面之位置，更可將其配置於朝外方偏離晶圓W上方之位置(圖2中之實線)等。表面側處理液供給部12可經由切換閥等連接供給藥液之藥液源、供給潤洗液之潤洗液源、供給乾燥液之乾燥液源等。表面側氣體供給部13連接供給例如氮氣等非活性氣體之氣體源。
又，由處理液供給管路47及表面側處理液供給部12所供給之藥液中，可使用例如稀氫氟酸、氨過氧化氫水(SC1)、鹽酸過氧化氫水(SC2)等。且亦可由處理液供給管路47及表面側處理液供給部12供給水，特別是純水(DIW)作為潤洗液。且亦可由處理液供給管路47及表面側處理液供給部12供給異丙醇(IPA)作為乾燥液。
又，如圖1所示，基板處理裝置10更包含控制裝置60，連接以上各構成要素並控制各構成要素。具體而言，控制裝置60連接上述旋轉驅動機構35、昇降驅動機構42、壓力監視裝置50、壓力調節裝置55及各閥類等，控制此等設備類之動作。
特別是依本實施形態之控制裝置60可根據藉由壓力監視裝置50所測定之間隙G內壓力，確認晶圓W之狀態，例如是否已載置晶圓W、是否正常支持晶圓W、是否正常固持晶圓W等。更具體而言，當藉由壓力監視裝置50所測定之壓力超過至少根據測定時晶圓W是否旋轉與若正在旋轉測定時晶圓W之旋轉速度(單位為例如rpm)所訂定之既定值時或為該既定值以上時，控制裝置60判斷未配置晶圓W或是未正常支持或固持晶圓W之關於晶圓W狀態之異常存在。
且依本實施形態之控制裝置60可在旋轉驅動底板20時，至少根據藉由旋轉驅動機構35之驅動而旋轉之底板20之旋轉速度，控制以壓力調節裝置55進行之抽吸。更具體而言，藉由旋轉驅動機構35之驅動旋轉之底板20之旋轉速度在預先所設定之旋轉速度以下時或未滿該預先所設定之旋轉速度時，控制裝置60藉由壓力調節裝置55實施抽吸。
又，控制裝置60連接有步驟管理者等為管理基板處理裝置10而進行指令之輸入操作等之鍵盤，或可視化以顯示基板處理裝置10之運轉狀況之顯示器等所構成之輸入輸出裝置。且控制裝置60可對記錄有用以實現藉由基板處理裝置10所實行之處理之程式等之記錄媒體62進行存取。記錄媒體62可由ROM及RAM等記憶體、硬碟、CD-ROM、DVD-ROM及軟碟等碟狀記錄媒體等已知之程式記錄媒體所構成。
其次，主要參照圖4所示之流程圖並同時說明關於使用如以上之構成所構成之基板處理裝置10而得以實行之基板處理方法一例。又，用以實行以下所說明之基板處理方法之各構成要素之動作，係藉由根據預先由程式記錄媒體62所收納之程式進行並來自控制裝置60之控制信號而得以控制。
首先，於平台15之突出構件22上載置為處理對象之晶圓W，在晶圓W與平台15之間形成間隙G以於平台15上支持晶圓W(S1)。具體而言，如圖3所示，藉由輸送裝置65將係處理對象之晶圓W持入平台15上方。此時於輸送裝置65之輸送臂66上支持晶圓W。其次，因昇降驅動機構42之驅動，昇降板25上昇(S11)。上昇中之昇降板25自輸送裝置65之輸送臂66接收晶圓W，藉由升降銷27自下方支持晶圓W(S12)。輸送裝置65之輸送臂66傳遞晶圓W至昇降板25後，朝水平方向外方移動，以自平台15之上方區域讓避。其後，因昇降驅動機構42之驅動，昇降板25下降(S13)。如圖1所示，於昇降板25下降之狀態下，昇降板25之升降銷27前端配置於低於底板20之突出構件22前端之位置。因此，昇降板25下降中，於昇降板25之升降銷27上受到支持之晶圓W在底板20之突出構件22之突出構件22上受到支持。如此，晶圓W在與平台15之間隔著間隙G於平台15上受到支持。
又，本實施形態中，平台15由可旋轉之底板20與可昇降之昇降板25所構成。又，在自底板20上昇之昇降板25上，於與輸送裝置65之間可實施晶圓W之傳遞。依如此之本實施形態，可不考慮自下方支持晶圓W，朝平台15上方輸送晶圓W之輸送臂65之厚度t2(參照圖3)，而適當設定突出構件22之突出高度h。因此，突出構件22之突出高度h較輸送臂65之厚度t2(參照圖3)薄，故於突出構件22上受到支持之晶圓W與平台15之間間隙G之厚度t1(參照圖3)可夠薄。其結果，如後述，間隙G內壓力變動得以易於發生，可促進間隙G內負壓之形成。
其次，將載置於平台15上之晶圓W固持在平台上(S2)。又，在此所謂「固持」意指不光僅因載置(自下方支持)而產生之只有重力在發生作用，積極將晶圓W留在平台15上者亦在作用。具體而言，藉由壓力調節裝置55，抽吸形成於晶圓W與平台15之間間隙G內之氛圍。如藉由圖1及圖2所可理解者，間隙G之周緣已開放。然而，如上述，可設定構成間隙G周緣之底板20之板構件24上表面24a與晶圓W下表面之間隙G厚度t1夠薄。因此，可藉由適當調整壓力調節裝置55之抽吸機構58之輸出，降低在平台15上受到支持之晶圓W下方間隙G內之壓力至低於晶圓W上方之壓力。亦即可於間隙G產生負壓，朝平台15抽吸晶圓W以穩定固持晶圓W。
又，此步驟S2中，壓力監視裝置50監視間隙G內壓力，更嚴密而言，監視於壓力測定用管路51一端附近間隙G內壓力之變動。如上述，晶圓W由突出構件22之支持部22a正常支持時，間隙G之厚度t1夠薄，並藉由壓力調節裝置55進行抽吸，可降低間隙G內之壓力。預先調查此時間隙G內壓力變動之特性，並由控制裝置60或記錄裝置62預先記錄之。
另一方面，晶圓W未由突出構件22之支持部22a正常支持時，起因於壓力調節裝置55之抽吸之於間隙G內壓力變動之特性與晶圓正常受到支持時之特性不同。多半因晶圓W未正常受到支持，至少於晶圓W周緣部之一部分間隙G之厚度t1會變厚，壓力之降低速度變慢，或是壓力無法降低。
又，控制裝置60於藉由抽吸之方式固持晶圓W之步驟S2期間內，比較藉由壓力監視裝置50所測定之壓力變化與預先所記錄正常時壓力變動之特性。其結果，可高精度確認晶圓W之狀態，亦即晶圓W是否正確載置於既定位置，正常受到支持。判斷晶圓W未正常受到支持時，中止對該晶圓W進行處理。另一方面，確認晶圓W正常受到支持，且確認藉由壓力監視裝置50所測定之間隙G內壓力降低至未滿既定壓力或該既定壓力以下時，實行下一步驟S3。
晶圓W一旦因抽吸而於平台15上受到固持，即藉由旋轉驅動機構35，與晶圓W一齊旋轉驅動底板20。至底板20之旋轉速度(晶圓W之旋轉速度)到達預先所設定之旋轉速度(在此為第1旋轉速度)止，旋轉驅動機構35加速旋轉底板20(S3)。又，可藉由連接控制裝置60，未圖示之旋轉速度計測定底板20及晶圓W之旋轉速度。又，控制裝置60監視藉由旋轉速度計所測定之旋轉速度。
加速步驟S3中，藉由壓力調節裝置55持續實施間隙G內氛圍之抽吸。使晶圓W之旋轉速度加速之期間內，晶圓W於突出構件22上晃動(跳動)或晶圓W於突出構件22上滑動(偏離)等異常易於發生。然而，依本實施形態，使晶圓W之旋轉速度加速之加速步驟S3中可充分降低晶圓W之中央部Wa與平台15之間間隙G之壓力，於異常易於發生之加速步驟S3中可在平台15上穩定固持晶圓W。
且若使晶圓W及底板20旋轉，起因於因底板20上之凹凸(例如突出構件22)造成推進，或與底板20之上表面或晶圓W之下表面產生摩擦等，間隙G內之氛圍(氣體)即亦會以底板20之旋轉軸心為中心旋轉，其結果，離心力會作用於該氛圍(氣體)。亦即，相對於基板W及旋轉之平台15，間隙G內之氣體會自旋轉軸心朝放射方向外方相對移動。藉此，晶圓W與平台15之間間隙G之壓力會低於晶圓W上方之壓力。特別是位於與晶圓W之中央部Wa對面之間隙G之壓力最為降低。且晶圓W及底板20之旋轉速度愈快，間隙G內之壓力愈為降低。且平台15與晶圓W之間間隙G之厚度t1愈薄，離心力愈可有效作用於間隙G內之氣體，而使間隙G內壓力之降低愈為顯著。如此，因晶圓W及底板20之旋轉速度上昇，可促進於間隙G內負壓之形成，而可在平台15上更穩定固持晶圓W。
又，加速步驟S3中，亦藉由壓力監視裝置50持續實施間隙G內壓力之監視。於支持步驟S1中，在平台15上正常載置晶圓W，其後持續於加速步驟S3中正常固持晶圓時，在平台15與晶圓W之間間隙G之厚度t1可保持較薄，其結果，間隙G內之壓力隨旋轉速度之增加逐漸降低。預先調查此時於間隙G內正常之壓力變動特性，並由控制裝置60或記錄裝置62預先記錄之。
另一方面，晶圓W在突出構件22之平台15上未正常受到固持時，與固持步驟S2相同，起因於壓力調節裝置55之抽吸，於間隙G內壓力變動之特性與晶圓正常受到支持時之特性不同。多半因晶圓W未正常受到支持，至少於晶圓W周緣部之一部分間隙G之厚度t1會變厚，壓力不易降低，或是壓力無法降低。
又，控制裝置60在使旋轉速度加速之步驟S3期間內，比較藉由壓力監視裝置50所測定之壓力變化與預先所記錄正常時壓力變動之特性。更具體而言，控制裝置60於加速步驟S3期間內，監視藉由壓力監視裝置50所測定之壓力，藉由壓力監視裝置50所測定之壓力超過至少根據測定時晶圓W之旋轉速度所訂定之既定值(根據預先所記錄正常時之壓力值所設定之數值)時或為該既定值以上時，判斷有所異常。如此，可高精度確認晶圓W之狀態，亦即晶圓W在平台15上是否正常受到固持。判斷晶圓W未正常受到固持時，中止對該晶圓W進行處理。
另一方面，因間隙G內之壓力正常降低而確認晶圓W正常受到固持，且底板20及晶圓W之旋轉速度終至到達既定旋轉速度(該第1旋轉速度)時，實行下一步驟S4。
又，底板20及晶圓W之旋轉速度一旦到達第1旋轉速度，即停止藉由壓力調節裝置55進行抽吸。亦即，一旦因旋轉驅動機構35之驅動，底板20之旋轉速度在第1旋轉速度以上或超過該第1旋轉速度，控制裝置60即停止藉由壓力調節裝置55進行抽吸。惟即使已停止藉由壓力調節裝置55進行抽吸，底板20及晶圓W之旋轉速度仍夠快。因此，於間隙G可形成充分之負壓，可在平台上穩定持續固持晶圓W並使其旋轉。
其次，實施使晶圓W旋轉並同時處理該晶圓W之處理步驟S4。本實施形態中，處理步驟S4包含：藥液處理步驟S41，藉由藥液以藥液清洗晶圓W；潤洗處理步驟S42，藉由潤洗液(純水)對經藥液處理之晶圓W進行潤洗處理；及乾燥處理步驟S43，使晶圓W乾燥。
於藥液處理步驟S41中，由表面側處理液供給部12及處理液供給管路47對晶圓W之上表面(表面)及下表面(背面)供給藥液，同時處理晶圓W之上表面(表面)及下表面(背面)。藥液處理步驟S41中，藉由旋轉驅動機構35旋轉驅動，持續以第1旋轉速度(例如500rpm)使底板20及晶圓W旋轉。
其次，於潤洗處理步驟S42中，由表面側處理液供給部12及處理液供給管路47對晶圓W之上表面(表面)及下表面(背面)供給潤洗液，同時對晶圓W之上表面(表面)及下表面(背面)進行潤洗處理。藥液處理步驟S42中，藉由旋轉驅動機構35旋轉驅動，持續以快於第1旋轉速度之第2旋轉速度(例如1000rpm)使底板20及晶圓W旋轉。
其後實行乾燥處理步驟S43。作為一例，乾燥處理步驟S43亦可包含取代步驟與甩脫乾燥步驟。取代步驟中，由表面側處理液供給部12及處理液供給管路47供給乾燥液，藉由乾燥液取代殘餘於晶圓W上表面及下表面上之潤洗液(純水)。取代步驟中，持續以快於第1旋轉速度之第3旋轉速度(例如700rpm)使底板20及晶圓W旋轉。且在甩脫乾燥步驟中，以快於第1旋轉速度之第4旋轉速度(例如1000rpm)使底板20及晶圓W旋轉，並同時由表面側氣體供給部13及氣體供給管路45供給非活性氣體，以自晶圓W之上表面及下表面上吹走殘餘在晶圓上之液體。
如此對晶圓W進行處理步驟S4。本實施形態中，藉由隨晶圓W及底板20旋轉而形成於晶圓W與平台15之間之間隙G之負壓，晶圓W可固持於平台15上。僅突出構件22可接觸晶圓W，且突出構件22與晶圓W之接觸面積極小。因此可有效果防止底板20旋轉中晶圓W周圍之氣流紊亂。其結果，可極為適當地對在平台15上穩定受到固持之晶圓W施以處理。
又，於處理步驟S4中，以定速旋轉晶圓W之期間內，藉由壓力調節裝置55於間隙G內氛圍之抽吸已停止。然而，處理步驟S4之期間內，晶圓W係以相對較高之第1旋轉速度以上之旋轉速度旋轉。因此於間隙G形成有充分之負壓，於處理步驟S4之期間內，可在平台15上持續穩定固持晶圓W。
且於處理步驟S4中，藉由壓力監視裝置50持續實施間隙G內壓力之監視。晶圓W及底板20若大致以定速旋轉，間隙G內壓力即可大致採取一定值。又，預先調查以第1至第4旋轉速度旋轉時間隙G內之壓力，並由控制裝置60或記錄裝置62預先記錄之。
惟晶圓W在突出構件22之平台15上未正常受到固持時，形成於晶圓W與平台15之間之間隙G厚度t1會變動，隨此厚度t1之變動間隙G內之壓力亦會變動。又，控制裝置60於處理步驟S4之期間內，藉由壓力監視裝置50監視所測定之壓力，根據未圖示之旋轉速度計之計測裝置，確認晶圓W固持狀態有無異常。更具體而言，藉由壓力監視裝置50所測定之壓力超過至少根據測定時晶圓W之旋轉速度所訂定之既定值(根據預先所記錄正常時之壓力值所設定之數值)時或在該既定值以上時，判斷有所異常。因於如此情形下，可推定晶圓W在平台15上晃動(跳動)或晶圓W脫離平台15等異常發生，在晶圓W與平台15之間所形成之間隙G厚度t1變大。如此，可高精度確認晶圓W之狀態，亦即晶圓W是否在平台15上正常受到固持。判斷晶圓W之固持狀態非正常時，中止對該晶圓W進行處理。判斷晶圓W已在正常受到固持之狀態下進行處理時，實行下一步驟S5。
其次，使至此以第4旋轉速度旋轉之底板20及晶圓W之旋轉速度減速(S5)。又，於此減速步驟S5中，藉由壓力調節裝置55實施間隙G內氛圍之抽吸。亦即，一旦藉由旋轉驅動機構35之驅動旋轉之底板20之旋轉速度在第4旋轉速度以下或未滿該第4旋轉速度，控制裝置60即藉由壓力調節裝置55實施抽吸。因此，底板20及晶圓W之旋轉速度變低，起因於底板20及晶圓W之旋轉，間隙G內之負壓之形成即使不充分，亦可形成起因於藉由壓力調節裝置55進行抽吸，於間隙G內充分之負壓。其結果，於晶圓W在突出構件22上晃動(跳動)或晶圓W在突出構件22上滑動(偏離)等異常易於發生之減速步驟S5中，可在平台15上持續穩定固持晶圓W。
且於此減速步驟S5中，藉由壓力監視裝置50持續實施間隙G內壓力之監視。減速步驟S5中晶圓W持續正常受到固持時，間隙G內之壓力隨旋轉速度降低逐漸上昇。預先調查此時於間隙G內壓力變動之特性，並由控制裝置60或記錄裝置62預先記錄之。又，控制裝置60於旋轉速度減速之步驟S5期間內，比較藉由壓力監視裝置50所測定之壓力變化與預先所記錄正常時壓力變動之特性。其結果，可高精度確認晶圓W之狀態，亦即晶圓W在平台15上是否正常受到固持。
底板20及晶圓W之旋轉一旦停止，即停止藉由壓力調節裝置55抽吸，減速步驟S5結束。
其後實施處理結束之晶圓W之排出(S6)。於排出步驟S6中，首先，昇降板25上昇(S61)。昇降板25上昇時，在底板20之突出構件22上受到支持之處理結束之晶圓W移載至昇降板25之升降銷27上。又，曾支持晶圓W之昇降板25一旦上昇至既定位置，輸送裝置65之輸送臂66即朝曾由昇降板25所支持之晶圓W下方延伸出去。於此狀態下，昇降板25一旦下降，即可將晶圓W自昇降板25朝輸送裝置65之輸送臂66傳遞(S62)。
如此對晶圓W進行之一連串處理即告結束。且藉由輸送裝置65將其次應受到處理之晶圓W持入，對此晶圓W實施與上述處理相同之處理。
依如以上所圖示之實施形態，藉由底板20與晶圓W旋轉時形成於晶圓W與平台15之間之間隙G之負壓，可朝平台側抽吸晶圓W以將其固持於平台15上。且設有壓力調節裝置55，包含：抽吸用管路56，位於與晶圓W之中央部Wa對面之位置，其一端朝晶圓W與平台15之間之間隙G開放；及抽吸機構58，連結另一端抽吸用管路56。
因此，晶圓W之旋轉速度慢時，可使用壓力調節裝置55，充分降低形成於晶圓W與平台15之間間隙G之壓力，藉此，可在平台15上穩定固持晶圓W。
具體而言，於晶圓W之旋轉速度加速及減速之加速步驟S3中及減速步驟S5中可充分降低晶圓W之中央部Wa與平台15之間間隙G之壓力，於易於發生異常之加速步驟S3中或減速步驟S5中則可在平台15上穩定固持晶圓W。藉此，可有效防止起因於晶圓W為薄板狀，於加速步驟S3中或減速步驟S5中易於發生之晶圓W在平台15上之晃動(跳動)，或起因於晶圓W具有大致呈圓形之外輪郭，於加速步驟S3中或減速步驟S5中易於發生之晶圓W在平台15上之滑動(偏離)等之發生。
且亦可在晶圓W開始旋轉前，藉由壓力調節裝置55抽吸在平台15上受到支持之晶圓W與平台15之間間隙G之氛圍，朝平台15抽吸以固持晶圓W。此時，可在特別易於發生晶圓W在平台15上晃動(跳動)，或晶圓W相對於平台15滑動(偏離)等，緊接於晶圓W開始旋轉後，穩定固持晶圓W。
又，壓力調節裝置55不接觸晶圓W，且於晶圓W周圍氣流亦不紊亂。因此，可對穩定受到固持之晶圓W施以適當之處理。
且依所圖示之實施形態，設有壓力監視裝置50，包含：壓力測定用管路51，位於與晶圓W(具有圓形之外輪郭之薄板狀基板)之中央部Wa對面之位置，其一端朝晶圓W與平台15之間之間隙(空隙)G開放；及壓力感測器53，連結另一端壓力測定用管路51。
藉由使用如此之壓力監視裝置50，可確認晶圓W旋轉中晶圓W之中央部Wa與平台15之間間隙G壓力之變化。藉由監視此壓力之極為簡易之行為，可輕易且正確地確認在平台15上晶圓之狀態，例如晶圓W是否已持入平台15上，晶圓W之支持位置是否正常，晶圓W之固持狀態是否正常等。
且藉由在晶圓W之旋轉速度加速之加速步驟中監視晶圓W之中央部Wa與平台15之間間隙G之壓力，可輕易且正確地確認易於發生異常之加速或減速步驟中晶圓W之狀態。藉此，可輕易且正確地確認起因在於因晶圓W為薄板狀而易於發生，於加速或減速步驟中晶圓W在平台15上晃動(跳動)，或因晶圓W具有大致呈圓形之外輪郭而易於發生，於加速或減速步驟中晶圓W相對於平台15滑動(偏離)等，晶圓W之固持位置(支持位置)之偏離。
且如此之壓力監視裝置50不需大的設置空間。且使用如此之壓力監視裝置50之晶圓W狀態之監視不因處理步驟中處理液之飛散或結露等而受到不良影響。
且依所圖示之實施形態，藉由使用壓力調節裝置55，可使配置於正常位置之晶圓W之中央部Wa與平台15之間間隙G之壓力變動易於發生。因此，藉由壓力監視裝置50，可更正確地確認晶圓W是否配置於平台15上正常之位置。
且依所圖示之實施形態，可在自底板20上昇之昇降板25上實施晶圓W之傳遞。此時，可不考慮朝平台15上方輸送晶圓W之輸送臂66之厚度t2而設定突出構件22之突出高度h。因此，可適當設定突出構件22之突出高度h，使在突出構件22上受到支持之晶圓W與平台15之間間隙G之厚度t1夠薄。其結果，晶圓W之中央部Wa與平台15之間間隙G壓力之變化易於發生。亦即，可藉由旋轉晶圓W，或是藉由以壓力調節裝置55進行抽吸，大幅降低間隙G內之壓力。藉此，可在平台15上更穩定固持晶圓W。且因晶圓W之中央部Wa與平台15之間間隙G壓力之變化易於發生，可使用壓力監視裝置50，更正確地確認晶圓W之狀態。
且依所圖示之實施形態，突出構件22包含限制部22b，位於沿水平方向晶圓W周緣部之外方。因此，藉由此限制部22b，可限制載置於突出構件22之支持部22a上之晶圓W朝水平方向移動。藉此，可在平台15上穩定固持晶圓W。
又，可將各種變更加入所圖示之實施形態。以下說明關於變形之一例。
例如於上述實施形態中，雖已揭示組合壓力監視裝置50與壓力調節裝置55以加以使用之例，但不限於此，亦可僅使用壓力監視裝置50及壓力調節裝置55中任一者。作為一例，於使用壓力調節裝置55時，亦可使用光學系感測器(典型的有光電感測器)確認藉由因旋轉形成負壓及因壓力調節裝置55抽吸間隙G內氛圍而在平台15上受到固持之晶圓W之狀態是否正常。且亦可在使用壓力監視裝置50時，於平台設置在平台上機械式固持(機械式夾持)晶圓W之機械式夾頭機構，根據藉由壓力監視裝置50所測定之間隙G內壓力，確認因此機械式夾頭機構在突出構件22上受到固持之晶圓W之狀態是否正常。
且於上述實施形態中，雖已揭示於橫跨加速步驟S3及減速步驟S5之所有期間，均藉由壓力調節裝置55實施間隙G內氛圍之抽吸之例，但不限於此。亦可僅在加速步驟S3中一部分期間內，或在減速步驟S5中一部分期間內藉由壓力調節裝置55實施抽吸。作為一例，亦可於晶圓W(底板20)之旋轉速度在預先所訂定之旋轉速度(例如400rpm)以上之期間內，或超過該預先所訂定之旋轉速度之期間內，停止藉由壓力調節裝置55進行抽吸。進行如此之控制時，於加速步驟S3中包含開始時之一定期間內，及減速步驟S5中包含結束時之一定期間內，藉由壓力調節裝置55實施抽吸。且基板之旋轉速度慢時，亦有基板可穩定受到固持之傾向。因此，亦可在自基板開始旋轉後，至基板之旋轉速度超過既定值或為該既定值以上為止，停止藉由壓力調節裝置55進行抽吸。
且於上述實施形態中，雖已揭示於橫跨處理步驟S4中所有期間，均停止藉由壓力調節裝置55進行抽吸之例，但並不限於此。例如於(底板20)晶圓W之旋轉速度有相對較低之傾向之藥液處理步驟S41中亦藉由壓力調節裝置55實施抽吸。藉此，可更穩定固持晶圓W。
且於上述實施形態中，雖已揭示於支持步驟S1中未藉由壓力調節裝置55實施抽吸之例，但不限於此，亦可於支持步驟S1中，特別是在支持晶圓W之昇降板25下降中，藉由壓力調節裝置55實施抽吸。此時，可藉由壓力調節裝置55進行抽吸以引導晶圓W，俾晶圓W正確配置於既定位置。且亦可在支持步驟S1中，藉由壓力調節裝置55實施抽吸，並根據藉由壓力監視裝置50所測定之晶圓W載置前後壓力之變化，確認晶圓W是否載置於既定位置。藉由壓力調節裝置55實施抽吸並同時在平台15上載置晶圓W時，若正確配置晶圓W於平台15上既定位置，在晶圓W與平台15之間形成既定之較薄的間隙G，於載置晶圓W前後間隙G內之壓力即會大幅變動。因此，可根據藉由壓力監視裝置50所測定之壓力變化，輕易且正確地確認晶圓W是否於平台15上既定位置正確受到支持。
且於上述實施形態中，雖已揭示控制裝置60根據底板20之旋轉速度控制有無藉由壓力調節裝置55進行抽吸之例，但不限於此。例如，控制裝置60亦可根據間隙G內之壓力控制有無藉由壓力調節裝置55進行抽吸。具體而言，控制裝置60亦可於間隙G內之壓力超過預先所設定之壓力時或為該預先所設定之壓力以上時，藉由壓力調節裝置55實施抽吸。且亦可根據旋轉速度與壓力測定結果判斷。如上述，有時旋轉速度若慢基板之固持即可穩定。因此，基板之旋轉速度在既定值以下或未滿該既定值時，間隙G內之壓力即使仍高，亦可不藉由壓力調節裝置55進行抽吸。
且於上述實施形態中，雖已揭示平台15由底板20與昇降板25所構成之例，但不限於此。例如平台15亦可由圓板狀底板所構成。此例中，壓力測定用管路51及/或抽吸用管路56亦可於旋轉軸構件30內延伸，且通過圓板狀底板中與晶圓W之中央部Wa對面之部分，壓力測定用管路51及/或抽吸用管路56之一端朝位於圓板狀底板與晶圓W之中央部Wa之間之間隙G開放。
且於上述實施形態中，雖已揭示昇降板25上昇時可自下方支持晶圓W之例，但不限於此，昇降板25上昇時亦可自下方吸附晶圓W。
且於上述實施形態中，雖已揭示壓力測定用管路51之一端及抽吸用管路56之一端於與晶圓(基板)W之中央部(中心及其周圍)Wa對面之位置朝間隙G開放之例，但不限於此，亦可於中央部Wa以外，例如中央部Wa之周邊朝間隙G開放。
又，於以上雖已說明相對於上述實施形態之數種變形例，但當然亦可適當組合複數之變形例以適用之。
且於以上之說明中，雖已揭示使依本發明之基板處理裝置適用於用以對晶圓W進行清洗處理之裝置之例，但本來並不限於此，亦可適用於LCD基板或CD基板之清洗處理及乾燥處理，且亦可適用於清洗處理以外之各種處理。
G．．．間隙
h．．．高度
S1~6、S11~13、S41~43、S61~62．．．支持步驟
t1、t2．．．厚度
Wa．．．晶圓之中央部
Wb．．．晶圓之外方部
W．．．晶圓
10．．．基板處理裝置
11．．．移動臂
12．．．表面側處理液供給部
13．．．表面側氣體供給部
15．．．平台
20．．．底板
20a．．．底板之開口部
22．．．突出構件
22a．．．支持部
22b．．．限制部
24．．．板構件
24a．．．板構件之上表面
25．．．昇降板
27．．．升降銷
29．．．本體部
30．．．旋轉軸構件
30a．．．旋轉軸構件之中空部
32．．．軸承
35．．．旋轉驅動機構
36．．．驅動構件
37．．．帶輪
38．．．驅動帶
40．．．昇降軸構件
42．．．昇降驅動機構
45．．．氣體供給管路
47．．．處理液供給管路
50．．．壓力監視裝置
51．．．壓力測定用管路
53．．．壓力感測器
55．．．壓力調節裝置
56．．．抽吸用管路
58．．．抽吸機構
60．．．控制裝置
62．．．記錄媒體(記錄裝置)
65．．．輸送裝置
66．．．輸送臂
圖1係用以說明依本發明之一實施形態，顯示基板處理裝置之縱剖面圖。
圖2係顯示圖1之基板處理裝置之上表面圖。
圖3係用以說明圖1之基板處理裝置昇降板動作圖。
圖4係用以說明可藉由圖1之基板處理裝置實施之基板處理方法一例之流程圖。
G．．．間隙
Wa．．．晶圓之中央部
Wb．．．晶圓之外方部
W．．．晶圓
10．．．基板處理裝置
11．．．移動臂
12．．．表面側處理液供給部
13．．．表面側氣體供給部
15．．．平台
20．．．底板
20a．．．底板之開口部
22．．．突出構件
22a．．．支持部
22b．．．限制部
24．．．板構件
24a．．．板構件之上表面
25．．．昇降板
27．．．升降銷
29．．．本體部
30．．．旋轉軸構件
30a．．．旋轉軸構件之中空部
32．．．軸承
35．．．旋轉驅動機構
36．．．驅動構件
37．．．帶輪
38．．．驅動帶
40．．．昇降軸構件
42．．．昇降驅動機構
45．．．氣體供給管路
50．．．壓力監視裝置
51．．．壓力測定用管路
53．．．壓力感測器
55．．．壓力調節裝置
56．．．抽吸用管路
58．．．抽吸機構
60．．．控制裝置
62．．．記錄媒體(記錄裝置)

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，使基板之板面沿著水平方向，一面旋轉該基板一面進行處理，其特徵在於包含：平台，具有可旋轉之底板，該底板包含朝上方突出的複數之突出構件，該突出構件自下方接觸該基板，支持著該基板，而在該基板與該平台之間形成間隙；旋轉驅動機構，旋轉驅動該底板；壓力調節裝置，包含：抽吸用管路，其一端朝該間隙開放；與抽吸機構，連結於該抽吸用管路；及控制裝置，連接該旋轉驅動機構及該壓力調節裝置；該控制裝置於該底板受到旋轉驅動時，至少根據藉由該旋轉驅動機構所驅動之該底板之旋轉速度，控制由該壓力調節裝置所進行之抽吸；該控制裝置，在該底板受到旋轉驅動時進行該壓力調節裝置所進行之抽吸與停止抽吸的切換控制。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該控制裝置於藉由該旋轉驅動機構所驅動之該底板之旋轉速度在預先所設定之旋轉速度以下時或未滿該預先所設定之旋轉速度時，藉由該壓力調節裝置實施抽吸；於超過預先所設定之旋轉速度時或在該預先所設定之旋轉速度以上時，停止藉由該壓力調節裝置進行抽吸。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更包含壓力監視裝置，該壓力監視裝置具有：壓力測定用管路，其一端朝該間隙開放；及壓力感測器，連結於該壓力測定用管路。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，更包含控制裝置，連接於該壓力監視裝置； 該控制裝置根據由該壓力監視裝置所測定之該間隙內之壓力，確認該基板之狀態。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，於該底板旋轉之際，若由該壓力監視裝置所測定之壓力，超過至少根據測定時該基板之旋轉速度所訂定之既定值時或在該既定值以上時，該控制裝置即判斷有異常。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該底板在其面對該基板之位置形成有開口部，該平台更包含配置於該底板之該開口部之昇降板；該基板處理裝置更包含：旋轉軸構件，連結該底板，並連結該旋轉驅動機構而可受其旋轉驅動，包含連通於該底板之該開口部的中空部；昇降軸構件，以可相對於該旋轉軸構件滑動之方式延伸於該旋轉軸構件之該中空部內，並連結於該昇降板；及昇降驅動機構，連結於該昇降軸構件，用以昇降驅動該昇降軸構件；且該抽吸用管路延伸於該昇降軸構件內，該抽吸用管路之一端朝位於該昇降板與該基板間之該間隙開放。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更包含旋轉軸構件，連結於該底板，並連結於該旋轉驅動機構而可受其旋轉驅動；該抽吸用管路延伸於該旋轉軸構件內，該抽吸用管路之一端朝位於該底板與該基板之間的該間隙開放。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，該突出構件包含：支持部，自下方接觸該基板之周緣部；及 限制部，延伸至較該支持部更上方，位於該基板周緣部之側方。
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