JP2002113429A - 基板洗浄方法およびその装置 - Google Patents
基板洗浄方法およびその装置Info
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- JP2002113429A JP2002113429A JP2000304986A JP2000304986A JP2002113429A JP 2002113429 A JP2002113429 A JP 2002113429A JP 2000304986 A JP2000304986 A JP 2000304986A JP 2000304986 A JP2000304986 A JP 2000304986A JP 2002113429 A JP2002113429 A JP 2002113429A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板面内の全面にわたって均一に洗浄処理を
施す基板洗浄方法および装置を提供する。 【解決手段】 ノズル７から基板面内に供給される混合
物Ｋを組成する空気や液体、または物理的な作用により
洗浄効果に起因する複数の因子のそれぞれがコントロー
ラ２０を介して各機構部により制御される。つまり、基
板面内の混合物Ｋを供給する位置に応じて混合物Ｋの供
給量や、混合物Ｋが基板面に衝突する衝突レベルのそれ
ぞれが調整される。これにより、基板の回転に伴うノズ
ル７に対する相対速度に関係なく、基板の全面にわたっ
て均一に洗浄処理を施すことができる。
施す基板洗浄方法および装置を提供する。 【解決手段】 ノズル７から基板面内に供給される混合
物Ｋを組成する空気や液体、または物理的な作用により
洗浄効果に起因する複数の因子のそれぞれがコントロー
ラ２０を介して各機構部により制御される。つまり、基
板面内の混合物Ｋを供給する位置に応じて混合物Ｋの供
給量や、混合物Ｋが基板面に衝突する衝突レベルのそれ
ぞれが調整される。これにより、基板の回転に伴うノズ
ル７に対する相対速度に関係なく、基板の全面にわたっ
て均一に洗浄処理を施すことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板（以下、適宜「基板」とする）
に対して、基板洗浄用の混合物をノズルから吐出して基
板を洗浄する基板洗浄方法およびその装置に係り、特
に、基板面内の混合物の供給位置が、基板中心と基板周
縁との間を通るようにノズルを移動させながら洗浄処理
を施す技術に関する。
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板（以下、適宜「基板」とする）
に対して、基板洗浄用の混合物をノズルから吐出して基
板を洗浄する基板洗浄方法およびその装置に係り、特
に、基板面内の混合物の供給位置が、基板中心と基板周
縁との間を通るようにノズルを移動させながら洗浄処理
を施す技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の基板洗浄装置として、基
板を回転自在に支持する回転支持機構と、一定量および
一定圧力の洗浄液を吐出するノズルと、基板上において
このノズルを一定速度で移動させる移動機構とを備えて
いるものが挙げられる。このような装置では、基板を一
定速度で回転させつつ、基板面内での洗浄液の供給位置
が基板中心と基板周縁との間を通るようにノズルを往復
移動させることによって基板全面にわたって洗浄液を吐
出させ、基板表面に付着しているパーティクル（微小異
物）などを離脱させて洗浄除去するようになっている。
板を回転自在に支持する回転支持機構と、一定量および
一定圧力の洗浄液を吐出するノズルと、基板上において
このノズルを一定速度で移動させる移動機構とを備えて
いるものが挙げられる。このような装置では、基板を一
定速度で回転させつつ、基板面内での洗浄液の供給位置
が基板中心と基板周縁との間を通るようにノズルを往復
移動させることによって基板全面にわたって洗浄液を吐
出させ、基板表面に付着しているパーティクル（微小異
物）などを離脱させて洗浄除去するようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。
【０００４】すなわち、基板は回転している関係上、そ
の基板の中心部においてはノズルに対する相対速度が遅
く、周縁部に向かうにつれて速くなる。そのため、相対
速度の遅い中心部では単位面積当たりの洗浄時間が長く
なる。逆に周縁部においては、単位面積当たりの洗浄時
間が短くなる。例えば、中心部で最も適した洗浄度合い
となるように設定すると、相対速度の速い基板の周縁部
では十分に洗浄を行うことができず、洗浄ムラが生じて
後段の基板処理工程において悪影響を与えるといった問
題がある。
の基板の中心部においてはノズルに対する相対速度が遅
く、周縁部に向かうにつれて速くなる。そのため、相対
速度の遅い中心部では単位面積当たりの洗浄時間が長く
なる。逆に周縁部においては、単位面積当たりの洗浄時
間が短くなる。例えば、中心部で最も適した洗浄度合い
となるように設定すると、相対速度の速い基板の周縁部
では十分に洗浄を行うことができず、洗浄ムラが生じて
後段の基板処理工程において悪影響を与えるといった問
題がある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板面内を移動する混合物の供給位置
に応じて洗浄条件を変えることによって、基板の全面に
わたって均一に洗浄処理を施すことができる基板洗浄方
法およびその装置を提供することを主たる目的とする。
たものであって、基板面内を移動する混合物の供給位置
に応じて洗浄条件を変えることによって、基板の全面に
わたって均一に洗浄処理を施すことができる基板洗浄方
法およびその装置を提供することを主たる目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板洗浄方法は、回転している基
板に対して、気体と液体の混合物をノズルから吐出さ
せ、その吐出された混合物の基板面内における供給位置
が、基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記
ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板
洗浄方法において、前記混合物が基板面内に吐出された
ときに、洗浄度合いに起因する複数の因子のうち少なく
ともいずれか一つを、基板面内における混合物の供給位
置に応じて変化させるようにしたことを特徴とする
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板洗浄方法は、回転している基
板に対して、気体と液体の混合物をノズルから吐出さ
せ、その吐出された混合物の基板面内における供給位置
が、基板中心と基板周縁との間を移動するように、前記
ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板
洗浄方法において、前記混合物が基板面内に吐出された
ときに、洗浄度合いに起因する複数の因子のうち少なく
ともいずれか一つを、基板面内における混合物の供給位
置に応じて変化させるようにしたことを特徴とする
【０００７】また、請求項２に記載の基板洗浄装置は、
回転手段を介して回転支持手段上で回転している基板に
対して、気体と液体の混合物をノズルから吐出させ、そ
の吐出させた混合物の基板面内における供給位置が、基
板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズル
を移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄装
置において、前記混合物が基板面内に吐出されたとき
に、洗浄度合いに起因する複数の因子のうち少なくとも
いずれか一つの状態を可変する可変手段と、基板面内に
おける混合物の供給位置に応じて可変手段を制御する制
御手段とを備えたことを特徴とするものである。
回転手段を介して回転支持手段上で回転している基板に
対して、気体と液体の混合物をノズルから吐出させ、そ
の吐出させた混合物の基板面内における供給位置が、基
板中心と基板周縁との間を移動するように、前記ノズル
を移動手段により移動させて洗浄処理を施す基板洗浄装
置において、前記混合物が基板面内に吐出されたとき
に、洗浄度合いに起因する複数の因子のうち少なくとも
いずれか一つの状態を可変する可変手段と、基板面内に
おける混合物の供給位置に応じて可変手段を制御する制
御手段とを備えたことを特徴とするものである。
【０００８】また、請求項３に記載の基板洗浄装置は、
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は、
ノズルから吐出される混合物のうち気体または液体の流
量の少なくともいずれか一つであり、この流量を可変す
る流量可変手段を備え、かつ、基板面内の混合物の供給
位置である基板周縁部側では流量を多くし、ノズルが中
心部側に移動するにつれて少なくなるように前記制御手
段により流量可変手段を制御することを特徴とするもの
である。
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は、
ノズルから吐出される混合物のうち気体または液体の流
量の少なくともいずれか一つであり、この流量を可変す
る流量可変手段を備え、かつ、基板面内の混合物の供給
位置である基板周縁部側では流量を多くし、ノズルが中
心部側に移動するにつれて少なくなるように前記制御手
段により流量可変手段を制御することを特徴とするもの
である。
【０００９】また、請求項４に記載の基板洗浄装置は、
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は、
ノズルから吐出される混合物のうち気体または液体の圧
力の少なくともいずれか一つであり、この圧力を可変す
る圧力可変手段を備え、かつ、基板面内の混合物の供給
位置である基板周縁部側では圧力を高くし、ノズルが中
心部側に移動するにつれて低くなるように前記制御手段
により圧力可変手段を制御することを特徴とするもので
ある。
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は、
ノズルから吐出される混合物のうち気体または液体の圧
力の少なくともいずれか一つであり、この圧力を可変す
る圧力可変手段を備え、かつ、基板面内の混合物の供給
位置である基板周縁部側では圧力を高くし、ノズルが中
心部側に移動するにつれて低くなるように前記制御手段
により圧力可変手段を制御することを特徴とするもので
ある。
【００１０】また、請求項５に記載の基板洗浄装置は、
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は基
板面からノズルまでの高さであり、この高さを可変する
高さ可変手段を備え、かつ、基板面内の混合物の供給位
置である基板周縁部側ではノズルの高さを低くし、ノズ
ルが中心部側に移動するにつれて高くなるように高さ可
変手段を前記制御手段により制御することを特徴とする
ものである。
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は基
板面からノズルまでの高さであり、この高さを可変する
高さ可変手段を備え、かつ、基板面内の混合物の供給位
置である基板周縁部側ではノズルの高さを低くし、ノズ
ルが中心部側に移動するにつれて高くなるように高さ可
変手段を前記制御手段により制御することを特徴とする
ものである。
【００１１】また、請求項６に記載の基板洗浄装置は、
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は、
基板面に対して混合物を吐出するノズルの角度であり、
この角度を可変する角度可変手段を備え、かつ、基板面
内の混合物の供給位置である基板周縁部側ではノズルの
角度を垂直に近い角度にし、ノズルが中心部側に移動す
るつれて水平方向に傾けるように角度可変手段を前記制
御手段により制御することを特徴とするものである。
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は、
基板面に対して混合物を吐出するノズルの角度であり、
この角度を可変する角度可変手段を備え、かつ、基板面
内の混合物の供給位置である基板周縁部側ではノズルの
角度を垂直に近い角度にし、ノズルが中心部側に移動す
るつれて水平方向に傾けるように角度可変手段を前記制
御手段により制御することを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項７に記載の基板洗浄装置は、
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子がノ
ズルの移動速度であり、かつ、基板面内の混合物の供給
位置である基板周縁部側ではノズルの移動速度を遅く
し、ノズルが中心部側に移動するにつれて速くなるよう
に前記移動手段を前記制御手段により制御することを特
徴とするものである。
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子がノ
ズルの移動速度であり、かつ、基板面内の混合物の供給
位置である基板周縁部側ではノズルの移動速度を遅く
し、ノズルが中心部側に移動するにつれて速くなるよう
に前記移動手段を前記制御手段により制御することを特
徴とするものである。
【００１３】また、請求項８に記載の基板洗浄装置は、
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は、
基板の回転速度であり、かつ、基板面内の混合物の供給
位置である基板周縁部側にノズルが位置するときは基板
の回転速度を遅くし、ノズルが中心部側に移動するにつ
れて速くなるように前記回転手段を前記制御手段により
制御にすることを特徴とするものである。
請求項２に記載の基板洗浄装置において、前記因子は、
基板の回転速度であり、かつ、基板面内の混合物の供給
位置である基板周縁部側にノズルが位置するときは基板
の回転速度を遅くし、ノズルが中心部側に移動するにつ
れて速くなるように前記回転手段を前記制御手段により
制御にすることを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】請求項１に記載の方法発明の作用は次のとおり
である。洗浄度合いに係わる複数の因子のうち少なくと
もいずれか一つの洗浄条件を、基板面内の混合物をの供
給する位置に応じて可変することにより、回転している
基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
である。洗浄度合いに係わる複数の因子のうち少なくと
もいずれか一つの洗浄条件を、基板面内の混合物をの供
給する位置に応じて可変することにより、回転している
基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
【００１５】また、請求項２に記載の装置発明の作用は
次のとおりである。基板面内の混合物を供給する位置に
応じて、基板の洗浄度合いに係わる複数の因子のうち少
なくともいずれが一つの状態を可変させるように可変手
段が制御される。これにより、回転手段を介して回転支
持手段上で回転している基板全面にわたって洗浄度合が
一定にされる。
次のとおりである。基板面内の混合物を供給する位置に
応じて、基板の洗浄度合いに係わる複数の因子のうち少
なくともいずれが一つの状態を可変させるように可変手
段が制御される。これにより、回転手段を介して回転支
持手段上で回転している基板全面にわたって洗浄度合が
一定にされる。
【００１６】また、請求項３に記載の装置発明によれ
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
は流量を多く、逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移
動するにつれて流量を少なくなるようように、ノズルか
ら基板面内に吐出される気体または液体の少なくともい
ずれか１つの流量が制御される。つまり、流量を増やす
ことで基板面内の単位面積当たりの混合物の供給量が増
加され、逆に、減らすことで基板の単位面積当たりの混
合物の供給量が減少される。そうすることで、基板の回
転に伴うノズルに対する相対速度が基板の中心部側と周
縁部側で異なっていても、基板面内の単位面積当たりの
混合物の供給量が一定に保たれ、基板の全面にわたって
洗浄度合が一定にされる。
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
は流量を多く、逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移
動するにつれて流量を少なくなるようように、ノズルか
ら基板面内に吐出される気体または液体の少なくともい
ずれか１つの流量が制御される。つまり、流量を増やす
ことで基板面内の単位面積当たりの混合物の供給量が増
加され、逆に、減らすことで基板の単位面積当たりの混
合物の供給量が減少される。そうすることで、基板の回
転に伴うノズルに対する相対速度が基板の中心部側と周
縁部側で異なっていても、基板面内の単位面積当たりの
混合物の供給量が一定に保たれ、基板の全面にわたって
洗浄度合が一定にされる。
【００１７】また、請求項４に記載の装置発明によれ
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
は圧力を高く、逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移
動するにつれて低くくなるようように、ノズルから基板
面内に吐出される気体または液体の少なくもいずれか一
つの圧力が制御される。つまり、圧力を高くすることで
基板に衝突する混合物の衝突レベルを強くし、逆に、圧
力を低くすることで衝突レベルを弱くする。そうするこ
とで、基板の回転に伴うノズルに対する相対速度が基板
の中心部側と周縁部側で異なっていても、基板面内の単
位面積当たりに衝突する混合物の衝突レベルが調整され
て、基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
は圧力を高く、逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移
動するにつれて低くくなるようように、ノズルから基板
面内に吐出される気体または液体の少なくもいずれか一
つの圧力が制御される。つまり、圧力を高くすることで
基板に衝突する混合物の衝突レベルを強くし、逆に、圧
力を低くすることで衝突レベルを弱くする。そうするこ
とで、基板の回転に伴うノズルに対する相対速度が基板
の中心部側と周縁部側で異なっていても、基板面内の単
位面積当たりに衝突する混合物の衝突レベルが調整され
て、基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
【００１８】また、請求項５に記載の装置発明によれ
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
は基板面からノズルまでの高さを低くくし、逆に、ノズ
ルが基板面内の中心部側に移動するにつれて高くなるよ
うように高さ可変手段が制御される。つまり、ノズルの
高さを低くすることで基板に衝突する混合物の衝突レベ
ルを強くし、逆に高くすることで衝突レベルを弱くす
る。そうすることで、基板の回転に伴うノズルに対する
相対速度が基板の中心部側と周縁部側で異なっていて
も、基板面内の単位面積当たりに衝突する混合物の衝突
レベルが調整されて、基板の全面にわたって洗浄度合が
一定にされる。
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
は基板面からノズルまでの高さを低くくし、逆に、ノズ
ルが基板面内の中心部側に移動するにつれて高くなるよ
うように高さ可変手段が制御される。つまり、ノズルの
高さを低くすることで基板に衝突する混合物の衝突レベ
ルを強くし、逆に高くすることで衝突レベルを弱くす
る。そうすることで、基板の回転に伴うノズルに対する
相対速度が基板の中心部側と周縁部側で異なっていて
も、基板面内の単位面積当たりに衝突する混合物の衝突
レベルが調整されて、基板の全面にわたって洗浄度合が
一定にされる。
【００１９】また、請求項６に記載の装置発明によれ
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
は基板面に対するノズルの角度を垂直に近い角度にし、
逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移動するにつれて
水平方向に傾くように角度可変手段が制御される。つま
り、基板面に対するノズルの角度が垂直であれば基板に
衝突する混合物の衝突レベルが強く、逆に、水平方向に
傾斜角を持たせると衝撃レベルが弱くなる。そうするこ
とで、基板の回転に伴うノズルに対する相対速度が基板
の中心部側と周縁部側で異なっていても、基板面内の単
位面積当たりに衝突する混合物の衝突レベルが調整され
て、基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
は基板面に対するノズルの角度を垂直に近い角度にし、
逆に、ノズルが基板面内の中心部側に移動するにつれて
水平方向に傾くように角度可変手段が制御される。つま
り、基板面に対するノズルの角度が垂直であれば基板に
衝突する混合物の衝突レベルが強く、逆に、水平方向に
傾斜角を持たせると衝撃レベルが弱くなる。そうするこ
とで、基板の回転に伴うノズルに対する相対速度が基板
の中心部側と周縁部側で異なっていても、基板面内の単
位面積当たりに衝突する混合物の衝突レベルが調整され
て、基板の全面にわたって洗浄度合が一定にされる。
【００２０】また、請求項７に記載の装置発明によれ
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
はノズルの移動速度を遅くし、逆に、ノズルが基板面内
の中心部側に移動するにつれて移動速度が速くなるよう
に移動手段が制御される。つまり、ノズルに対する相対
速度の速い部分ではノズルの移動速度を遅くし、逆に、
相対速度の遅い部分では移動速度が速くされる。そうす
ることで、基板面内の単位面積当たりの混合物の供給量
が均等に保たれ、基板の全面にわたって洗浄度合が一定
にされる。
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側で
はノズルの移動速度を遅くし、逆に、ノズルが基板面内
の中心部側に移動するにつれて移動速度が速くなるよう
に移動手段が制御される。つまり、ノズルに対する相対
速度の速い部分ではノズルの移動速度を遅くし、逆に、
相対速度の遅い部分では移動速度が速くされる。そうす
ることで、基板面内の単位面積当たりの混合物の供給量
が均等に保たれ、基板の全面にわたって洗浄度合が一定
にされる。
【００２１】また、請求項８に記載の装置発明によれ
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側に
ノズルが位置するときは、基板の回転速度を遅くし、逆
に、ノズルが基板面内の中心部側に移動するにつれて回
転速度が速くなるように回転手段が制御される。つま
り、ノズルに対する相対速度の速い部分では基板の回転
速度を遅くし、逆に、相対速度の遅い部分では回転速度
が速くされる。そうすることで、基板面内の単位面積当
たりの混合物の供給量が均等に保たれ、基板の全面にわ
たって洗浄度合が一定にされる。
ば、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側に
ノズルが位置するときは、基板の回転速度を遅くし、逆
に、ノズルが基板面内の中心部側に移動するにつれて回
転速度が速くなるように回転手段が制御される。つま
り、ノズルに対する相対速度の速い部分では基板の回転
速度を遅くし、逆に、相対速度の遅い部分では回転速度
が速くされる。そうすることで、基板面内の単位面積当
たりの混合物の供給量が均等に保たれ、基板の全面にわ
たって洗浄度合が一定にされる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は実施例に係る基板洗浄装置の
概略構成図であり、図２はその平面図である。
実施例を説明する。図１は実施例に係る基板洗浄装置の
概略構成図であり、図２はその平面図である。
【００２３】円筒状に形成されてなる６個の支持ピン１
ａが立設された円板状のスピンチャック１は、底面に連
結された回転軸３を介して電動モータ５で回転されるよ
うになっている。この回転駆動により、支持ピン１ａに
周縁部を当接支持された基板Ｗが回転中心Ｐ周りに水平
面内で回転される。スピンチャック１の周囲には、ノズ
ル７から吐出された混合物Ｋが飛散することを防止する
ための飛散防止カップ９が配備されている。この飛散防
止カップ９は、未洗浄の基板Ｗをスピンチャック１に載
置したり、図示していない搬送手段が洗浄済の基板Ｗを
スピンチャック１から受け取る際に図中の矢印で示すよ
うにスピンチャック１に対して昇降するように構成され
ている。なお、電動モータ５は本発明の回転手段に、ス
ピンチャック１と、回転軸３とは回転支持手段にそれぞ
れ相当する。
ａが立設された円板状のスピンチャック１は、底面に連
結された回転軸３を介して電動モータ５で回転されるよ
うになっている。この回転駆動により、支持ピン１ａに
周縁部を当接支持された基板Ｗが回転中心Ｐ周りに水平
面内で回転される。スピンチャック１の周囲には、ノズ
ル７から吐出された混合物Ｋが飛散することを防止する
ための飛散防止カップ９が配備されている。この飛散防
止カップ９は、未洗浄の基板Ｗをスピンチャック１に載
置したり、図示していない搬送手段が洗浄済の基板Ｗを
スピンチャック１から受け取る際に図中の矢印で示すよ
うにスピンチャック１に対して昇降するように構成され
ている。なお、電動モータ５は本発明の回転手段に、ス
ピンチャック１と、回転軸３とは回転支持手段にそれぞ
れ相当する。
【００２４】ノズル７は、混合物Ｋをその吐出孔７ａか
ら基板Ｗの表面に供給するように構成されているととも
に、その胴部７ｂには支持アーム８が取り付けられてい
る。また、胴部７ｂの支持アーム８が取り付けられてい
る部分には、図３に示すように、ノズル７が基板Ｗに対
して傾斜角θの範囲で揺動可能にする駆動部１０を備え
ている。また、ノズル７は、支持アーム８ごと昇降・移
動機構１１によって、基板Ｗ面内を混合物Ｋの供給され
る供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通って供給終了位置
Ｆに向かうように揺動する構成となっている。さらに、
支持アーム８には、回転モータ１１ａの回転軸１１ｂに
連結されている。回転モータ１１ａは回転中心Ｐｂの周
りにノズル７を基板Ｗ上で揺動させるためのものであ
り、その回転量がエンコーダ１１ｃによって検出されて
後述するコントローラ２０にフィードバックされる。
ら基板Ｗの表面に供給するように構成されているととも
に、その胴部７ｂには支持アーム８が取り付けられてい
る。また、胴部７ｂの支持アーム８が取り付けられてい
る部分には、図３に示すように、ノズル７が基板Ｗに対
して傾斜角θの範囲で揺動可能にする駆動部１０を備え
ている。また、ノズル７は、支持アーム８ごと昇降・移
動機構１１によって、基板Ｗ面内を混合物Ｋの供給され
る供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通って供給終了位置
Ｆに向かうように揺動する構成となっている。さらに、
支持アーム８には、回転モータ１１ａの回転軸１１ｂに
連結されている。回転モータ１１ａは回転中心Ｐｂの周
りにノズル７を基板Ｗ上で揺動させるためのものであ
り、その回転量がエンコーダ１１ｃによって検出されて
後述するコントローラ２０にフィードバックされる。
【００２５】なお、エンコーダ１１ｃは、直接的には、
ノズルの位置を検出するこによって、基板面内を移動す
る混合物Ｋの供給位置を検出している。また、傾斜角θ
は、洗浄条件により適宜に設定される。なお、回転モー
タ１１ａは本発明の移動手段に、駆動部１０は角度可変
手段にそれぞれに相当する。
ノズルの位置を検出するこによって、基板面内を移動す
る混合物Ｋの供給位置を検出している。また、傾斜角θ
は、洗浄条件により適宜に設定される。なお、回転モー
タ１１ａは本発明の移動手段に、駆動部１０は角度可変
手段にそれぞれに相当する。
【００２６】回転モータ１１ａとエンコーダ１１ｃを搭
載している昇降ベース１１ｄは、立設されたガイド軸１
１ｅに摺動自在に嵌め付けられているとともに、ガイド
１１ｅに並設されているボールネジ１１ｆに螺合さてい
る。このボールネジ１１ｆは、昇降モータ１１ｇの回転
軸に連動連結されており、その昇降量は回転量としてエ
ンコーダ１１ｈによって検出されて後述するコントロー
ラ２０にフィードバックされる。つまり、昇降・移動機
構１１により、ノズル７が昇降および揺動移動するよう
になっている。なお、上記のボールネジ１１ｆと、昇降
モータ１１ｇとは本発明におけるノズルの高さ可変手段
に相当する。
載している昇降ベース１１ｄは、立設されたガイド軸１
１ｅに摺動自在に嵌め付けられているとともに、ガイド
１１ｅに並設されているボールネジ１１ｆに螺合さてい
る。このボールネジ１１ｆは、昇降モータ１１ｇの回転
軸に連動連結されており、その昇降量は回転量としてエ
ンコーダ１１ｈによって検出されて後述するコントロー
ラ２０にフィードバックされる。つまり、昇降・移動機
構１１により、ノズル７が昇降および揺動移動するよう
になっている。なお、上記のボールネジ１１ｆと、昇降
モータ１１ｇとは本発明におけるノズルの高さ可変手段
に相当する。
【００２７】また、ノズル７は、その胴部７ｂに圧縮空
気を導入する配管１５ａと、液体を導入する配管１５ｂ
とが連通接続された２流体ノズルを構成している。配管
１５ａには、流通する空気の圧力・流量をコントローラ
２０から入力された制御信号に対応する圧力・流量に変
換して調整する電空レギュレータ１７ａと、空気の圧力
を検出する圧力センサ１８ａと、流量を検出する流量セ
ンサ１９ａとがそれぞれ備えられている。なお、使用さ
れる気体は空気に限定されるものではなく、Ｎ2 などの
ように２流体ノズルに用いられるものならば、特に限定
されない。
気を導入する配管１５ａと、液体を導入する配管１５ｂ
とが連通接続された２流体ノズルを構成している。配管
１５ａには、流通する空気の圧力・流量をコントローラ
２０から入力された制御信号に対応する圧力・流量に変
換して調整する電空レギュレータ１７ａと、空気の圧力
を検出する圧力センサ１８ａと、流量を検出する流量セ
ンサ１９ａとがそれぞれ備えられている。なお、使用さ
れる気体は空気に限定されるものではなく、Ｎ2 などの
ように２流体ノズルに用いられるものならば、特に限定
されない。
【００２８】また、配管１５ｂには、流通する液体の圧
力・流量をコントローラ２０から入力された制御信号に
対応する圧力・流量に変換して調整する電空レギュレー
タ１７ｂと、液体の圧力を検出する圧力センサ１８ｂ
と、流量を検出する流量センサ１９ｂとがそれぞれ備え
られている。なお、使用される液体は、純水、酸、アル
カリ、およびオゾンを純水に溶解したオゾン水などの基
板洗浄に使用される洗浄液であれば、特に限定されな
い。
力・流量をコントローラ２０から入力された制御信号に
対応する圧力・流量に変換して調整する電空レギュレー
タ１７ｂと、液体の圧力を検出する圧力センサ１８ｂ
と、流量を検出する流量センサ１９ｂとがそれぞれ備え
られている。なお、使用される液体は、純水、酸、アル
カリ、およびオゾンを純水に溶解したオゾン水などの基
板洗浄に使用される洗浄液であれば、特に限定されな
い。
【００２９】電空レギュレータ１７ａおよび１７ｂのそ
れぞれには、本発明の制御手段に相当するコントローラ
２０から制御信号が入力され、この制御信号に応じて配
管１５ａ、１５ｂを流通する空気と液体の圧力および流
量とがそれぞれ調整される。一方、圧力センサ１８ａ、
１８ｂと流量センサ１９ａ、１９ｂのそれぞれから逐次
検出された検出結果がコントローラ２０にフィードバッ
クされる。なお、電空レギュレータ１７ａおよび１７ｂ
は、本発明の流量可変手段と圧力可変手段の両方にそれ
ぞれ相当する。
れぞれには、本発明の制御手段に相当するコントローラ
２０から制御信号が入力され、この制御信号に応じて配
管１５ａ、１５ｂを流通する空気と液体の圧力および流
量とがそれぞれ調整される。一方、圧力センサ１８ａ、
１８ｂと流量センサ１９ａ、１９ｂのそれぞれから逐次
検出された検出結果がコントローラ２０にフィードバッ
クされる。なお、電空レギュレータ１７ａおよび１７ｂ
は、本発明の流量可変手段と圧力可変手段の両方にそれ
ぞれ相当する。
【００３０】本実施例の特徴的構成を備えているコント
ローラ２０には、電動モータ５と、回転モータ１１ａ
と、昇降モータ１１ｇと、エンコーダ１１ｃ、１１ｈ、
ノズルの駆動部１０と、電空レギュレータ１７ａ、１７
ｂと、圧力センサ１８ａ、１８ｂと、流量センサ１９
ａ、１９ｂのそれぞれが接続されている。そして、各基
板Ｗに応じた洗浄条件が、洗浄処理プログラム（レシピ
ーとも呼ばれる）として予めコノントローラ２０に格納
されており、各基板Ｗごとの洗浄プログラムに準じて前
記各部が制御されている。
ローラ２０には、電動モータ５と、回転モータ１１ａ
と、昇降モータ１１ｇと、エンコーダ１１ｃ、１１ｈ、
ノズルの駆動部１０と、電空レギュレータ１７ａ、１７
ｂと、圧力センサ１８ａ、１８ｂと、流量センサ１９
ａ、１９ｂのそれぞれが接続されている。そして、各基
板Ｗに応じた洗浄条件が、洗浄処理プログラム（レシピ
ーとも呼ばれる）として予めコノントローラ２０に格納
されており、各基板Ｗごとの洗浄プログラムに準じて前
記各部が制御されている。
【００３１】なお、コノントローラ２０には、さらに洗
浄プログラムの作成・変更や、複数の洗浄プログラムの
中から所望のものを選択するために用いる指示部３０が
接続されている。各部の制御および作用については、以
下基板の洗浄例を用いて具体的に説明する。
浄プログラムの作成・変更や、複数の洗浄プログラムの
中から所望のものを選択するために用いる指示部３０が
接続されている。各部の制御および作用については、以
下基板の洗浄例を用いて具体的に説明する。
【００３２】（ａ）空気の流量を可変制御する場合 先ず、飛散防止カップ９をスピンチャック１に対して下
降させ、基板Ｗをスピンチャック１に載置する。そし
て、飛散防止カップ９を上昇させるとともに、ノズル７
を基板Ｗの供給開始位置Ｓに移動させる。
降させ、基板Ｗをスピンチャック１に載置する。そし
て、飛散防止カップ９を上昇させるとともに、ノズル７
を基板Ｗの供給開始位置Ｓに移動させる。
【００３３】次に、基板Ｗを一定速度で回転させつつ、
ノズル７から混合物Ｋを基板Ｗに供給開始する。このと
き、図２に示すように、供給開始位置Ｓが、基板Ｗの周
縁上にあるので、基板Ｗの回転に伴うノズル７に対する
相対速度が回転中心Ｐよりも速くなる。そのため、コン
トローラ２０では、エンコーダ１１ｃから検出されたノ
ズル７の位置に基づいて、電空レギュレータ１７ａに備
えられた調整弁の開閉を調整して空気の流量を回転中心
Ｐの時点よりも多くなるように制御信号を電空レギュレ
ータ１７ａに送って制御している。
ノズル７から混合物Ｋを基板Ｗに供給開始する。このと
き、図２に示すように、供給開始位置Ｓが、基板Ｗの周
縁上にあるので、基板Ｗの回転に伴うノズル７に対する
相対速度が回転中心Ｐよりも速くなる。そのため、コン
トローラ２０では、エンコーダ１１ｃから検出されたノ
ズル７の位置に基づいて、電空レギュレータ１７ａに備
えられた調整弁の開閉を調整して空気の流量を回転中心
Ｐの時点よりも多くなるように制御信号を電空レギュレ
ータ１７ａに送って制御している。
【００３４】そして、ノズル７は、回転中心Ｐを通り混
合物Ｋの供給終了位置Ｆまで一定の速度で移動する。こ
のとき、ノズル７に供給される空気の流量は、エンコー
ダ１１ｃから検出されたノズル７の位置に応じて、図４
に示すように、可変される。つまり、ノズル７の位置が
供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて空気の
流量が減少され、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに
向かうにつれて空気の流量が増加される。すなわち、ノ
ズル７に対する相対速度に関係なく基板Ｗの単位面積当
たりの混合物Ｋの供給量が一定となるようにコントロー
ラ２０が電空レギュレータ１７ａを制御している。
合物Ｋの供給終了位置Ｆまで一定の速度で移動する。こ
のとき、ノズル７に供給される空気の流量は、エンコー
ダ１１ｃから検出されたノズル７の位置に応じて、図４
に示すように、可変される。つまり、ノズル７の位置が
供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて空気の
流量が減少され、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに
向かうにつれて空気の流量が増加される。すなわち、ノ
ズル７に対する相対速度に関係なく基板Ｗの単位面積当
たりの混合物Ｋの供給量が一定となるようにコントロー
ラ２０が電空レギュレータ１７ａを制御している。
【００３５】ノズル７が供給終了位置Ｆに到達すると、
コントローラ２０からの制御信号が電空レギュレータ１
７ａおよび１７ｂに送られて混合物Ｋの供給が停止す
る。そして、ノズル７は待機位置１３に移動される。そ
して、基板Ｗを高速回転させて基板面に付着している混
合物Ｋを飛散し、基板Ｗの振り切り乾燥処理を行って一
連の動作が終了する。
コントローラ２０からの制御信号が電空レギュレータ１
７ａおよび１７ｂに送られて混合物Ｋの供給が停止す
る。そして、ノズル７は待機位置１３に移動される。そ
して、基板Ｗを高速回転させて基板面に付着している混
合物Ｋを飛散し、基板Ｗの振り切り乾燥処理を行って一
連の動作が終了する。
【００３６】以上の構成に基づいて、発明者が実験を行
ったところ、図５に示すような結果が得られた。つま
り、基板Ｗの回転、気体の流量および圧力が一定に設定
された従来装置を用いた時のパーティクル除去率は、基
板の中心部に対して周縁部で約２０％も低下している。
一方、本実施例装置においては、除去率の変動を約５％
に抑制されていることが確認された。すなわち、空気の
流量を調整するだけで基板の全面にわたってほぼ均一に
高いパーティクル除去率を維持した洗浄を行うことがで
きる。
ったところ、図５に示すような結果が得られた。つま
り、基板Ｗの回転、気体の流量および圧力が一定に設定
された従来装置を用いた時のパーティクル除去率は、基
板の中心部に対して周縁部で約２０％も低下している。
一方、本実施例装置においては、除去率の変動を約５％
に抑制されていることが確認された。すなわち、空気の
流量を調整するだけで基板の全面にわたってほぼ均一に
高いパーティクル除去率を維持した洗浄を行うことがで
きる。
【００３７】なお、この実施例では、基板面内の混合物
Ｋの供給位置に応じて空気の流量を可変しているが、液
体もしくは気体と液体の両方の流量を供給開始位置Ｓか
ら回転中心Ｐに向かうにつれて減らし、逆に回転中心Ｐ
から供給終了位置Ｆに向かうにつれて増やすようにして
もよい。
Ｋの供給位置に応じて空気の流量を可変しているが、液
体もしくは気体と液体の両方の流量を供給開始位置Ｓか
ら回転中心Ｐに向かうにつれて減らし、逆に回転中心Ｐ
から供給終了位置Ｆに向かうにつれて増やすようにして
もよい。
【００３８】（ｂ）空気の圧力を可変制御する場合 上記（ａ）と同一の構成と効果を有するので、説明の重
複を避けるため、相違する点のみを説明する。以下同様
とする。コントローラ２０は、移動するノズル７の位置
をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じた制御
信号を電空レギュレータ１７ａに送り空気の圧力を調整
する。このとき、圧力センサ１８ａで逐次検出された気
体の圧力がコントローラ２０にそれぞれフィードバック
される。そして、コントローラ２０は空気の圧力を以下
のように可変するように電空レギュレータ１７ａを制御
している。
複を避けるため、相違する点のみを説明する。以下同様
とする。コントローラ２０は、移動するノズル７の位置
をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じた制御
信号を電空レギュレータ１７ａに送り空気の圧力を調整
する。このとき、圧力センサ１８ａで逐次検出された気
体の圧力がコントローラ２０にそれぞれフィードバック
される。そして、コントローラ２０は空気の圧力を以下
のように可変するように電空レギュレータ１７ａを制御
している。
【００３９】すなわち、ノズル７は、混合物Ｋの供給開
始位置Ｓから回転中心Ｐを通り混合物Ｋの供給終了位置
Ｆまで一定の速度で移動する。このとき、ノズル７に供
給される空気の圧力は、エンコーダ１１ｃから検出され
た位置に応じて、図６に示すように、可変される。つま
り、ノズル７の位置が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに
向かうにつれて、空気の圧力が低くされ、逆に回転中心
Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて、空気の圧力が
高くされる。そのため、ノズル７に対する相対速度の速
い基板Ｗの周縁部側では基板に衝突する混合物Ｋの衝突
レベルが強く、回転中心Ｐ側では衝突レベルが弱くなる
ので、相対速度に関係なく基板の全面にわたって洗浄度
合いが一定にされる。
始位置Ｓから回転中心Ｐを通り混合物Ｋの供給終了位置
Ｆまで一定の速度で移動する。このとき、ノズル７に供
給される空気の圧力は、エンコーダ１１ｃから検出され
た位置に応じて、図６に示すように、可変される。つま
り、ノズル７の位置が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに
向かうにつれて、空気の圧力が低くされ、逆に回転中心
Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて、空気の圧力が
高くされる。そのため、ノズル７に対する相対速度の速
い基板Ｗの周縁部側では基板に衝突する混合物Ｋの衝突
レベルが強く、回転中心Ｐ側では衝突レベルが弱くなる
ので、相対速度に関係なく基板の全面にわたって洗浄度
合いが一定にされる。
【００４０】なお、この実施例では、基板面内の混合物
Ｋの供給位置に応じて気体の圧力を可変しているが、液
体もしくは気体と液体の両方の圧力を供給開始位置Ｓか
ら回転中心Ｐに向かうにつれて低くし、逆に回転中心Ｐ
から供給終了位置Ｆに向かうにつれて高くするようにし
てもよい。
Ｋの供給位置に応じて気体の圧力を可変しているが、液
体もしくは気体と液体の両方の圧力を供給開始位置Ｓか
ら回転中心Ｐに向かうにつれて低くし、逆に回転中心Ｐ
から供給終了位置Ｆに向かうにつれて高くするようにし
てもよい。
【００４１】（ｃ）ノズルの高さを可変制御する場合 コントローラ２０は、移動するノズル７の位置をエンコ
ーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて昇降・移動機
構１１を制御している。つまり、基板Ｗの表面からノズ
ル７までの高さを可変することにより、ノズル７から吐
出された混合物Ｋの速度が調整され、基板Ｗ面内に供給
される混合物Ｋの衝突レベルの強弱を制御している。
ーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて昇降・移動機
構１１を制御している。つまり、基板Ｗの表面からノズ
ル７までの高さを可変することにより、ノズル７から吐
出された混合物Ｋの速度が調整され、基板Ｗ面内に供給
される混合物Ｋの衝突レベルの強弱を制御している。
【００４２】すなわち、ノズル７は、供給開始位置Ｓか
ら回転中心Ｐを通り供給終了位置Ｆまで一定の速度で移
動する。このとき、ノズル７の高さは、エンコーダ１１
ｃから検出された位置に応じて、図７に示すように、可
変される。つまり、ノズル７の移動する位置が供給開始
位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて、ノズル７の高
さを高くなるようにし、逆に回転中心Ｐから供給終了位
置Ｆに向かうにつれて、低くなるように制御される。
ら回転中心Ｐを通り供給終了位置Ｆまで一定の速度で移
動する。このとき、ノズル７の高さは、エンコーダ１１
ｃから検出された位置に応じて、図７に示すように、可
変される。つまり、ノズル７の移動する位置が供給開始
位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて、ノズル７の高
さを高くなるようにし、逆に回転中心Ｐから供給終了位
置Ｆに向かうにつれて、低くなるように制御される。
【００４３】したがって、基板Ｗの周縁側では混合物Ｋ
の衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側に向かうにつれ衝突
レベルが弱くなるので、ノズル７に対する相対速度に関
係なく基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされ
る。
の衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側に向かうにつれ衝突
レベルが弱くなるので、ノズル７に対する相対速度に関
係なく基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされ
る。
【００４４】（ｄ）ノズルの角度を可変するように制御
する場合 コントローラ２０は、移動するノズル７の位置をエンコ
ーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて駆動部１０を
制御している。つまり、基板Ｗ面に対してノズル７の角
度を可変することにより、基板Ｗ面内に供給される混合
物Ｋの衝突レベルの強弱を制御している。
する場合 コントローラ２０は、移動するノズル７の位置をエンコ
ーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて駆動部１０を
制御している。つまり、基板Ｗ面に対してノズル７の角
度を可変することにより、基板Ｗ面内に供給される混合
物Ｋの衝突レベルの強弱を制御している。
【００４５】すなわち、ノズル７は、供給開始位置Ｓか
ら回転中心Ｐを通り供給終了位置Ｆまで一定の速度で移
動する。このとき、ノズル７の角度は、エンコーダ１１
ｃから検出された位置に応じて、図８に示すように、可
変される。つまり、ノズル７の位置が供給開始位置Ｓの
とき、基板面への混合物Ｋの衝突レベルが最も強くなる
ように、基板Ｗの表面に対してノズル７の吐出孔７ａが
垂直下方向（９０°）に向けられるように設定される。
そして、ノズル７が回転中心Ｐに向かうにつれて、ノズ
ル７に傾斜角θを持たせるようにし、混合物Ｋの衝突レ
ベルが弱くなるようにしている。逆に回転中心Ｐから供
給終了位置Ｆに向かうにつれて、ノズル７の傾斜角θを
垂直（９０°）になるようにし、混合物Ｋの衝突レベル
を強くしている。
ら回転中心Ｐを通り供給終了位置Ｆまで一定の速度で移
動する。このとき、ノズル７の角度は、エンコーダ１１
ｃから検出された位置に応じて、図８に示すように、可
変される。つまり、ノズル７の位置が供給開始位置Ｓの
とき、基板面への混合物Ｋの衝突レベルが最も強くなる
ように、基板Ｗの表面に対してノズル７の吐出孔７ａが
垂直下方向（９０°）に向けられるように設定される。
そして、ノズル７が回転中心Ｐに向かうにつれて、ノズ
ル７に傾斜角θを持たせるようにし、混合物Ｋの衝突レ
ベルが弱くなるようにしている。逆に回転中心Ｐから供
給終了位置Ｆに向かうにつれて、ノズル７の傾斜角θを
垂直（９０°）になるようにし、混合物Ｋの衝突レベル
を強くしている。
【００４６】したがって、基板Ｗの周縁側では混合物Ｋ
の衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側に向かうにつれ衝突
レベルが弱くなるので、ノズル７の相対速度に関係なく
基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされる。
の衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側に向かうにつれ衝突
レベルが弱くなるので、ノズル７の相対速度に関係なく
基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされる。
【００４７】（ｅ）ノズルの移動速度を制御する場合 コントローラ２０は、基板面内を移動するノズル７の位
置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じてノ
ズル７の移動速度を制御している。
置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じてノ
ズル７の移動速度を制御している。
【００４８】すなわち、ノズル７は、図９に示すよう
に、供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて移
動速度を速くし、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに
向かうにつれて移動速度を遅くしている。そうすること
で、ノズル７に対する相対速度の速い基板周縁部側と相
対速度の遅い回転中心Ｐ側の基板面内での単位面積当た
りの混合物Ｋの供給量が均等に保たれる。したがって、
基板Ｗ面内の位置により相対速度による洗浄ムラが抑制
され、基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされ
る。
に、供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かうにつれて移
動速度を速くし、逆に回転中心Ｐから供給終了位置Ｆに
向かうにつれて移動速度を遅くしている。そうすること
で、ノズル７に対する相対速度の速い基板周縁部側と相
対速度の遅い回転中心Ｐ側の基板面内での単位面積当た
りの混合物Ｋの供給量が均等に保たれる。したがって、
基板Ｗ面内の位置により相対速度による洗浄ムラが抑制
され、基板Ｗの全面にわたって洗浄度合いが一定にされ
る。
【００４９】（ｆ）基板の回転速度を制御する場合 コントローラ２０は、基板面内を移動するノズル７の位
置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて電
動モータ５の回転速度を制御している。
置をエンコーダ１１ｃで逐次検出し、各位置に応じて電
動モータ５の回転速度を制御している。
【００５０】すなわち、電動モータ５は、図１０に示す
ように、ノズル７が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向
かうにつれて回転速度を遅くし、逆に回転中心Ｐから供
給終了位置Ｆに向かうにつれて回転速度を速くしてい
る。そうすることで、ノズル７に対する相対速度の速い
基板周縁部側と相対速度の遅い回転中心Ｐ側の基板面内
での単位面積当たりの混合物Ｋの供給量が均等に保たれ
る。したがって、基板面内の位置により相対速度による
洗浄ムラが抑制され、基板Ｗの全面にわたって洗浄度合
いが一定にされる。
ように、ノズル７が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向
かうにつれて回転速度を遅くし、逆に回転中心Ｐから供
給終了位置Ｆに向かうにつれて回転速度を速くしてい
る。そうすることで、ノズル７に対する相対速度の速い
基板周縁部側と相対速度の遅い回転中心Ｐ側の基板面内
での単位面積当たりの混合物Ｋの供給量が均等に保たれ
る。したがって、基板面内の位置により相対速度による
洗浄ムラが抑制され、基板Ｗの全面にわたって洗浄度合
いが一定にされる。
【００５１】以上のように、本実施例では、基板の洗浄
効果に起因する各因子をコントローラ２０により制御す
ることにより、回転している基板の混合物Ｋの供給位置
に応じて、混合物Ｋの供給量や、基板に衝突する混合物
Ｋの衝突レベルが調整される。その結果、基板洗浄時の
基板の回転に伴うノズル７に対する相対速度に関係な
く、基板Ｗの全面にわたって高いパーティクル除去率を
維持した洗浄を行うことができる。
効果に起因する各因子をコントローラ２０により制御す
ることにより、回転している基板の混合物Ｋの供給位置
に応じて、混合物Ｋの供給量や、基板に衝突する混合物
Ｋの衝突レベルが調整される。その結果、基板洗浄時の
基板の回転に伴うノズル７に対する相対速度に関係な
く、基板Ｗの全面にわたって高いパーティクル除去率を
維持した洗浄を行うことができる。
【００５２】この発明は、上記実施例の形態に限られる
ことなく、下記のように、変形実施することができる。 （１）上記実施例では、１個のノズルを用いて混合物の
供給開始位置Ｓから供給終了位置Ｆまで移動させていた
が、２個以上のノズルを用いてもよい。つまり、図１１
に示すように、２個のノズル７Ａおよび７Ｂを備え、各
ノズル７Ａ、７Ｂごとに混合物Ｋを供給する基板面の範
囲を指定し、その範囲内で上記実施例と同じように各機
構部などを制御するようにしてもよい。
ことなく、下記のように、変形実施することができる。 （１）上記実施例では、１個のノズルを用いて混合物の
供給開始位置Ｓから供給終了位置Ｆまで移動させていた
が、２個以上のノズルを用いてもよい。つまり、図１１
に示すように、２個のノズル７Ａおよび７Ｂを備え、各
ノズル７Ａ、７Ｂごとに混合物Ｋを供給する基板面の範
囲を指定し、その範囲内で上記実施例と同じように各機
構部などを制御するようにしてもよい。
【００５３】（２）上記実施例では、基板面の供給開始
位置Ｓから回転中心Ｐを通って供給終了位置Ｆまでの間
を１方向に１回、ノズルを移動させているが、往復移動
させて複数回に渡り、混合物を基板に供給するようにし
てもよい。
位置Ｓから回転中心Ｐを通って供給終了位置Ｆまでの間
を１方向に１回、ノズルを移動させているが、往復移動
させて複数回に渡り、混合物を基板に供給するようにし
てもよい。
【００５４】（３）上記実施例では、基板の洗浄効果に
起因する因子を単体で制御して基板洗浄を行っている
が、複数個の因子を制御して基板の洗浄を行ってもよ
い。
起因する因子を単体で制御して基板洗浄を行っている
が、複数個の因子を制御して基板の洗浄を行ってもよ
い。
【００５５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、洗浄度合いに係わる因子の少
なくともいずれか一つを基板面内の混合物の供給する位
置に応じて可変することによって、洗浄度合いを一定に
することができる。したがって、基板の全面にわたって
均一に洗浄を行うことができる。
１に記載の発明によれば、洗浄度合いに係わる因子の少
なくともいずれか一つを基板面内の混合物の供給する位
置に応じて可変することによって、洗浄度合いを一定に
することができる。したがって、基板の全面にわたって
均一に洗浄を行うことができる。
【００５６】また、請求項２に記載の発明によれば、洗
浄度合いに係わる因子の少なくともいずれか一つを基板
面内の混合物を供給する位置に応じて可変するように、
可変手段を制御手段により制御する。そうすることで、
基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
浄度合いに係わる因子の少なくともいずれか一つを基板
面内の混合物を供給する位置に応じて可変するように、
可変手段を制御手段により制御する。そうすることで、
基板の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【００５７】また、請求項３に記載の発明によれば、ノ
ズルから吐出される混合物を組成する気体または液体の
流量の少なくともいずれか一つを、請求項７に記載の発
明によれば、ノズルの移動速度を、請求項８に記載の発
明によれば、基板の回転速度を基板面内の混合物を供給
する位置に応じてそれぞれ制御される。つまり、基板面
内の混合物の供給する位置に応じて混合物の供給量が調
整され、基板面内の単位面積当たりの混合物の供給量を
一定にすることができる。すなわち、基板の全面にわた
って均一に洗浄を行うことができる。
ズルから吐出される混合物を組成する気体または液体の
流量の少なくともいずれか一つを、請求項７に記載の発
明によれば、ノズルの移動速度を、請求項８に記載の発
明によれば、基板の回転速度を基板面内の混合物を供給
する位置に応じてそれぞれ制御される。つまり、基板面
内の混合物の供給する位置に応じて混合物の供給量が調
整され、基板面内の単位面積当たりの混合物の供給量を
一定にすることができる。すなわち、基板の全面にわた
って均一に洗浄を行うことができる。
【００５８】また、請求項４に記載の発明によれば、ノ
ズルから吐出される混合物を組成する気体または液体の
圧力の少なくともいずれか一つを、請求項５に記載の発
明によれば、基板面からノズルまでの高さを、請求項６
に記載の発明によれば、基板面に対するノズルの角度を
基板面の混合物の供給する位置に応じてそれぞれが制御
される。つまり、基板面内の混合物の供給位置に応じて
基板に衝突する混合物の衝突レベルが調整され、基板の
全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
ズルから吐出される混合物を組成する気体または液体の
圧力の少なくともいずれか一つを、請求項５に記載の発
明によれば、基板面からノズルまでの高さを、請求項６
に記載の発明によれば、基板面に対するノズルの角度を
基板面の混合物の供給する位置に応じてそれぞれが制御
される。つまり、基板面内の混合物の供給位置に応じて
基板に衝突する混合物の衝突レベルが調整され、基板の
全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【図１】実施例に係る基板洗浄装置の概略構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】基板洗浄装置の平面図である。
【図３】ノズルの駆動部の概略構成図である。
【図４】ノズルに供給される気体の流量変化を示した図
である。
である。
【図５】本案装置と従来の装置によるパーティクル除去
率を示した図である。
率を示した図である。
【図６】ノズルに供給される気体の圧力変化を示した図
である。
である。
【図７】基板面内を移動するノズルの高さの変化を示し
た図である。
た図である。
【図８】基板面内を移動するノズルの角度の変化を示し
た図である。
た図である。
【図９】基板面内を移動するノズルの移動速度の変化を
示した図である。
示した図である。
【図１０】基板面内を移動するノズルの移動に応じて変
化する回転モータの回転数を示した図である。
化する回転モータの回転数を示した図である。
【図１１】変形実施例のノズルを２つ設けた基板洗浄装
置の平面図である。
置の平面図である。
Ｗ … ウエハ Ｋ … 混合物 Ｓ … 供給開始位置 Ｐ … 基板回転中心 Ｆ … 供給終了位置 １ … スピンチャック ３ … 回転軸 ５ … 電動モータ ７ … ノズル ８ … 支持アーム ９ … 飛散防止カップ １０ … 駆動部（ノズル） １１ … 昇降・移動機構 １１ｃ、１１ｈ … エンコーダ １７ａ… 電空レギュレータ（空気用） １７ｂ… 電空レギュレータ（液体用） １８ａ… 圧力センサ（空気用） １８ｂ… 圧力センサ（液体用） １９ａ… 流量センサ（空気用） １９ｂ… 流量センサ（液体用） ２０ … コントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８Ｇ (72)発明者 平得 貞雄 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 安田 周一 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 平岡 伸康 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA30 HA01 2H090 JB02 JC19 3B201 AA03 AB01 AB34 AB42 BB23 BB45 BB88 BB92 BB93 BB96 BB98 CC13 CC21 CD31
Claims (8)
- 【請求項１】 回転している基板に対して、気体と液体
の混合物をノズルから吐出させ、その吐出された混合物
の基板面内における供給位置が、基板中心と基板周縁と
の間を移動するように、前記ノズルを移動手段により移
動させて洗浄処理を施す基板洗浄方法において、 前記混合物が基板面内に吐出されたときに、洗浄度合い
に起因する複数の因子のうち少なくともいずれか一つ
を、基板面内における混合物の供給位置に応じて変化さ
せるようにしたことを特徴とする基板洗浄方法。 - 【請求項２】 回転手段を介して回転支持手段上で回転
している基板に対して、気体と液体の混合物をノズルか
ら吐出させ、その吐出させた混合物の基板面内における
供給位置が、基板中心と基板周縁との間を移動するよう
に、前記ノズルを移動手段により移動させて洗浄処理を
施す基板洗浄装置において、 前記混合物が基板面内に吐出されたときに、洗浄度合い
に起因する複数の因子のうち少なくともいずれか一つの
状態を可変する可変手段と、 基板面内における混合物の供給位置に応じて可変手段を
制御する制御手段とを備えたことを特徴とする基板洗浄
装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記因子は、ノズルから吐出される混合物のうち気体ま
たは液体の流量の少なくともいずれか一つであり、この
流量を可変する流量可変手段を備え、 かつ、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側
では流量を多くし、ノズルが中心部側に移動するにつれ
て少なくなるように前記制御手段により流量可変手段を
制御することを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記因子は、ノズルから吐出される混合物のうち気体ま
たは液体の圧力の少なくともいずれか一つであり、この
圧力を可変する圧力可変手段を備え、 かつ、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側
では圧力を高くし、ノズルが中心部側に移動するにつれ
て低くなるように前記制御手段により圧力可変手段を制
御することを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項５】 請求項２に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記因子は基板面からノズルまでの高さであり、この高
さを可変する高さ可変手段を備え、 かつ、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側
ではノズルの高さを低くし、ノズルが中心部側に移動す
るにつれて高くなるように高さ可変手段を前記制御手段
により制御することを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項６】 請求項２に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記因子は、基板面に対して混合物を吐出するノズルの
角度であり、この角度を可変する角度可変手段を備え、 かつ、基板面内の混合物の供給位置である基板周縁部側
ではノズルの角度を垂直に近い角度にし、ノズルが中心
部側に移動するにつれて水平方向に傾けるように角度可
変手段を前記制御手段により制御することを特徴とする
基板洗浄装置。 - 【請求項７】 請求項２に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記因子がノズルの移動速度であり、かつ、基板面内の
混合物の供給位置である基板周縁部側ではノズルの移動
速度を遅くし、ノズルが中心部側に移動するにつれて速
くなるように前記移動手段を前記制御手段により制御す
ることを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項８】 請求項２に記載の基板洗浄装置におい
て、 前記因子は、基板の回転速度であり、かつ、基板面内の
混合物の供給位置である基板周縁部側にノズルが位置す
るときは基板の回転速度を遅くし、ノズルが中心部側に
移動するにつれて速くなるように前記回転手段を前記制
御手段により制御にすることを特徴とする基板洗浄装
置。
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|---|---|---|---|
| JP2000304986A JP3701188B2 (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | 基板洗浄方法およびその装置 |
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