JP2010050226A - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】この発明は半導体ウエハを高い清浄度で洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
基板を保持して回転駆動される回転テーブル１６と、回転テーブルの上方に設けられ基板を横切る方向に駆動されならが基板に処理液を供給する第１のノズル体４６と、基板の中心部に向けて処理液を供給し第１のノズル体によって基板の中心部以外の部分が処理されているときに基板の中心部が乾燥するのを防止する第２のノズル体５４を具備する。
【選択図】 図１

Description

この発明は基板を回転させながら処理液を供給して処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。

たとえば液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、矩形状のガラス基板や半導体ウエハなどの基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは、スピン方式の処理装置を用いて基板を薬液で処理した後、洗浄作用を有する処理液で洗浄処理し、ついで処理液を除去して乾燥処理するということが行われる。

上記処理装置は、周知のように処理槽を有し、この処理槽内にはカップ体が設けられ、このカップ体内には駆動源によって回転駆動される回転テーブルが設けられている。この回転テーブルには上記基板が着脱可能に供給保持される。

上記基板は、回転テーブルとともに所定の回転速度で回転駆動されながら、その板面に処理液が供給されて洗浄処理される。洗浄処理を所定時間行った後、基板は洗浄時よりも高速度で回転させられる。それによって、基板に付着残留した汚れを含む洗浄液が遠心力によって除去されて基板が乾燥処理されることになる。

上記基板を処理液によって洗浄処理する際、洗浄効果を高めるために処理液をミスト状にして供給するということが行われている。すなわち、洗浄に用いられる洗浄ノズルには処理液と高圧気体とが供給される。それによって、洗浄ノズル内で処理液と高圧気体が混合されることで、処理液がミスト状になって上記洗浄ノズルから基板に向かって噴射される。

処理液を洗浄ノズルからミスト状にして噴射すると、ミスト状となった処理液の微細な粒子が基板に形成されたパターン間に確実に入り込むから、処理液を液状のままで供給する場合に比べて洗浄効果を高めることができるということがある。

通常、上記洗浄ノズルは、回転テーブルに保持された基板の上方で水平方向に回動駆動されるアーム体の先端に設けられている。そして、このアーム体が回動駆動されて上記洗浄ノズルが上記基板を横切る方向に移動することで、この洗浄ノズルから上記基板の上面にミスト状の処理液を噴射供給することができるようになっている。

アーム体の先端に洗浄ノズルを設け、この洗浄ノズルから基板に処理液をミスト状にして供給することは特許文献１に示されている。
特開２００２−１１３４２９号公報

基板の上方で、アーム体の先端に設けられた洗浄ノズルを、上記基板を横切る方向に駆動しながら、その基板の上面にミスト状の処理液を噴射供給して洗浄処理すると、上述したように基板に処理液を液体の状態で供給する場合に比べて洗浄効果を高めることができるということがある。

しかしながら、処理液をミスト状にして供給すると、液体の状態で供給する場合に比べて処理液の供給量が少なくなる。とくに、ミストの粒子を小さくして洗浄効果を向上させるには、洗浄ノズルに供給される処理液と気体のうち、処理液の量を少なくする必要があるから、そのことによっても基板に供給される処理液の量が少なくなる。

基板に供給される処理液の量が少なくなると、回転テーブルとともに基板が回転することで、その基板の上面が乾燥し易くなるということがある。とくに、回転する基板の上面に供給される処理液は中心部から周辺部に向かって流れるから、洗浄ノズルによるミスト状の処理液の供給が基板の中心部から周辺部に移行すると、中心部が乾燥し易いということがある。しかも、基板の乾燥した中心部には一度除去された汚れが再付着するということもある。

処理液によって処理された基板の上面の中心部が乾燥すると、基板から除去された汚れが処理液とともに基板の板面から流れ落ちずに残留し易くなる。そのため、基板の中心部に汚れが残り、十分な洗浄効果が得られないということになる。

この発明は、基板をミスト状の処理液で洗浄したときに、基板のとくに中心部が乾燥し難くすることで、基板の中心部に洗浄除去された汚れが再付着するのを防止して洗浄効果を高めることができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。

この発明は、基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
この回転テーブルの上方に設けられ上記基板を横切る方向に駆動されならが上記基板に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
上記基板の中心部に向けて処理液を供給し上記処理液供給手段によって上記基板の中心部以外の部分が処理されているときに上記基板の中心部が乾燥するのを防止する乾燥防止手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。

上記回転テーブルの上方には基端を支点として水平方向に円弧運動するアーム体が設けられ、このアーム体の先端には上記処理液供給手段及び上記アーム体の円弧運動に応じて首振りして上記基板の中心部に上記処理液を供給する上記乾燥防止手段が設けられていることが好ましい。

上記乾燥防止手段を駆動して首振りさせる首振り機構と、上記アーム体の円弧運動に応じて上記乾燥防止手段からの処理液が上記基板の中心部に供給されるよう上記乾燥防止手段の首振り角度を制御する制御手段と
を具備することが好ましい。

この発明は、基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理方法であって、
上記基板を回転駆動させる工程と、
回転駆動される上記基板の上面にこの上面を横切る方向に上記処理液を供給して上記基板を処理する工程と、
上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給し上記基板の中心部以外の部分が上記処理液によって処理されているときに上記基板の中心部が乾燥するのを防止する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。

処理液を上記基板の中心部に供給しているときに、その中心部に液状の処理液の供給を停止することが好ましい。

この発明によれば、処理液によって基板を処理するときに、基板の中心部に処理液を液状の状態で供給する。そのため、処理液で基板を洗浄処理することで、基板に供給される処理液の量が少なくなっても、基板の中心部に供給される処理液によって基板が乾燥するのが防止されるから、処理液によって基板から除去された汚れが基板に再付着して汚れの原因になるのを防止することができる。

以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１乃至図５はこの発明の第１の実施の形態を示し、図１に示すスピン処理装置は処理槽１を備えている。この処理槽１内にはカップ体２が配置されている。このカップ体２は、上記処理槽１の底板上に設けられた下カップ３と、この下カップ３に対して図示しない上下駆動機構により上下動可能に設けられた上カップ４とからなる。

上記下カップ３の底壁には周方向に所定間隔で複数の排出管５が接続されている。これら排出管５は排気ポンプ６に連通している。この排気ポンプ６は制御装置７によって発停及び回転数が制御されるようになっている。

上記カップ体２の下面側にはベース板８が配置されている。このベース板８には、上記下カップ３と対応する位置に取付け孔９が形成されている。この取付け孔９には駆動手段を構成する制御モータ１１の固定子１２の上端部が嵌入固定されている。制御モータ１１は上記制御装置７によって発停及び回転数が制御されるようになっている。

上記固定子１２は筒状をなしていて、その内部には同じく筒状の回転子１３が回転自在に嵌挿されている。この回転子１３の上端面には筒状の連結体１４が下端面を接触させて一体的に固定されている。この連結体１４の下端には上記固定子１２の内径寸法よりも大径な鍔部１５が形成されている。この鍔部１５は上記固定子１２の上端面に摺動自在に接触しており、それによって回転子１３の回転を阻止することなくこの回転子１３が固定子１２から抜け落ちるのを防止している。

上記下カップ３には上記回転子１３と対応する部分に通孔３ａが形成され、上記連結体１４は上記通孔３ａからカップ体２内に突出している。この連結体１４の上端には回転テーブル１６が取付けられている。この回転テーブル１６の周辺部には周方向に所定間隔、この実施の形態では６０度間隔で６本（２本のみ図示）の円柱状の保持部材１７が図示しない駆動機構によって回転可能に設けられている。

上記保持部材１７の上端面には、この保持部材１７の回転中心から偏心した位置にテーパ面を有する支持ピン１８が設けられている。回転テーブル１６には、基板としての半導体ウエハＷが周縁部の下面を上記支持ピン１８のテーパ面に当接するよう供給される。その状態で上記保持部材１７を回転させれば、支持ピン１８が偏心回転するから、回転テーブル１６に供給された半導体ウエハＷは、上記支持ピン１８によって保持される。

上記回転テーブル１６は乱流防止カバー２１によって覆われている。この乱流防止カバー２１は上記回転テーブル１６の外周面を覆う外周壁２２と、上面を覆う上面壁２３とを有し、上記外周壁２２は上側が小径部２２ａ、下側が大径部２２ｂに形成されている。回転テーブル１６を回転させたときに、この乱流防止カバー２１によって回転テーブル１６の上面で乱流が発生するのが防止される。上記上カップ４の上面は開口していて、その内周面にはリング状部材２５が設けられている。

上記回転テーブル１６に未処理の半導体ウエハＷを供給したり、乾燥処理された半導体ウエハＷを取り出すときには、上記上カップ４が後述するごとく下降させられる。

上記処理槽１の上部壁には開口部３１が形成されている。この開口部３１にはＵＬＰＡやＨＥＰＡなどのファン・フィルタユニット３２が設けられている。このファン・フィルタユニット３２はクリーンルーム内の空気をさらに清浄化して処理槽１内に導入するもので、その清浄空気の導入量は上記ファン・フィルタユニット３２の駆動部３３を上記制御装置７によって制御して行うようになっている。つまり、上記駆動部３３により、ファン・フィルタユニット３２のファン（図示せず）の回転数を制御することで、処理槽１内への清浄空気の供給量を制御できるようになっている。

上記処理槽１の一側には出し入れ口３４が開口形成されている。この出し入れ口３４は、処理槽１の一側に上下方向にスライド可能に設けられたシャッタ３５によって開閉される。このシャッタ３５は圧縮空気で作動するシリンダ３６によって駆動される。つまり、上記シリンダ３６には圧縮空気の流れを制御する制御弁３７が設けられ、この制御弁３７を上記制御装置７によって切換え制御することで、上記シャッタ３５を上下動させることができるようになっている。

上記制御モータ１１の回転子１３内には筒状の固定軸４１が挿通されている。この固定軸４１の上端には、上記回転テーブル１６に形成された通孔４２から上記回転テーブル１６の上面側に突出したノズルヘッド４３が設けられている。このノズルヘッド４３には上記回転テーブル１６に保持された半導体ウエハＷの下面に向けて処理液としての薬液及び純水を噴射する一対のノズル４４が設けられている。

上記乱流防止カバー２１の上面壁２３には上記ノズルヘッド４３と対向して開口部４５が形成され、この開口部４５によって上記ノズル４４から噴射された処理液が半導体ウエハＷの下面に到達可能となっている。

上記回転テーブル１６に保持された半導体ウエハＷの上方には、洗浄処理時に半導体ウエハＷの上面に処理液をミスト状にして供給する処理液供給手段としての第１のノズル体４６が配置されている。この第１のノズル体４６は水平に配置されたアーム体４７の先端に取付け部材４８を介して軸線を垂直にして取付けられている。

上記アーム体４７の基端は軸線を垂直にして配置された回転軸４９の上端部に連結されている。この回転軸４９の下端は回転駆動源５１の出力軸５２に連結されている。回転駆動源５１の出力軸５２は上記制御装置７によって回転角度が制御される。それによって、上記アーム体４７の先端に設けられた第１のノズル体４６は、図５に矢印Ｒで示すように半導体ウエハＷの径方向一端Ｅ１から中心Ｏを通過して径方向他端Ｅ２に至る、上記半導体ウエハＷを径方向に横切る円弧運動をするようになっている。

上記アーム体４７の先端部で、上記第１のノズル体４６の近くには第２のノズル体５４が首振り機構５５によって噴射角度の制御可能に設けられている。この首振り機構５５は、図２と図３に示すように上記アーム体４７に設けられたリニアモータ５６を有する。このリニアモータ５６は直線駆動される作動軸５７の軸線を水平にして上記アーム体４７に取り付けられている。上記作動軸５７の先端には取り付け杆５８の一端である上端が枢着されている。つまり、取り付け杆５８の上端には長孔５８ａが形成され、この長孔５８ａに上記作動軸５７の先端に設けられた支軸５７ａが移動可能に係合されている。

上記取り付け杆５８は中途部が軸線を水平にした支軸５９によって枢支され、他端である下端には上記第２のノズル体５４が取り付けられている。上記支軸５９は上記アーム体４７の先端部側面から側方に向かって延出された支持部材６０に枢支されている。

それによって、上記リニアモータ５６の作動軸５７が水平方向に往復駆動されると、上記取り付け杆５８は支軸５９を支点として図２に矢印Ｎ１で示す回動方向、つまり上記アーム体４７の回動によって矢印Ｎ２で示す第１のノズル体４６の移動方向とほぼ同方向に沿って揺動するようになっている。

上記作動軸５７が図２に実線で示す垂直な中立位置にあるとき、上記第２のノズル体５４の軸線Ｏ２と、上記第１のノズル体４６の軸線Ｏ１は上記回転テーブル１６に保持された半導体ウエハＷの上面で一致するよう、上記第２のノズル体５４は上記取り付け杆５８に対して傾斜して取り付けられている。そして、アーム体４７が回転駆動されると、上記取り付け杆５８は図２に鎖線で示すように所定の範囲で揺動駆動される。

つまり、上記第２のノズル体５４は、アーム体４７が回転したときに、アーム体４７の回転角度に応じてその軸線Ｏ２が常に半導体ウエハＷの中心を向くよう取り付け杆５８を介してリニアモータ５６によって揺動駆動される。上記リニアモータ５６の駆動は上記制御装置７によって制御される。

図４に示すように、上記第１のノズル体４６にはたとえば純水などの洗浄液と、気体としての不活性ガス、たとえば窒素ガスがそれぞれ給液管６１及び給気管６２を通じて供給される。給液管６１及び給気管６２には上記制御装置７によって開閉制御される開閉弁６１ａ，６２ａが設けられている。それによって、上記第１のノズル体４６からは、上記回転テーブル１６に保持された半導体ウエハＷに向けて処理液が窒素ガスによってミスト化されて噴射されるようになっている。

上記第２のノズル体５４には純水などの洗浄液を供給する給液管６４が接続されている。この給液管６４の中途部には上記制御装置７によって開閉制御される開閉弁６４ａが設けられている。それによって、上記第２のノズル体５４からは処理液が液体の状態で噴射されるようになっている。

上記第１のノズル体４６が半導体ウエハＷの中心部にミスト状の処理液を供給しているときには、制御装置７は給液管６４に設けられた開閉弁６４ａを閉じ、半導体ウエハＷの中心部への液状の処理液の供給を停止する。それによって、半導体ウエハＷの中心部はミスト状の処理液だけが供給されて処理される。つまり、液状の処理液による液膜がない状態でミスト状の処理液によって洗浄処理されるから、その洗浄処理を良好に行なうことができる。

なお、第１のノズル体４６が半導体ウエハＷの中心部以外の部分にミスト状の処理液を供給しているときには、上記開閉弁６４ａが開放されて半導体ウエハＷの中心部に向かって液状の処理液が供給されるようになっている。

つぎに、上記構成の処理装置によって半導体ウエハＷを洗浄処理する場合について説明する。
半導体ウエハＷを回転テーブル１６に保持し、この回転テーブル１６を所定の回転数で回転させたならば、アーム体４７の先端の取付け部材４８に設けられた第１のノズル体４６からミスト状の処理液を半導体ウエハＷに向けて噴射する。

それと同時に、回転駆動源５１を作動させてアーム体４７を半導体ウエハＷの径方向に沿って回転させながら、第２のノズル体５４から液状の処理液を半導体ウエハＷに向けて供給する。

このようにすることで、半導体ウエハＷは、第１のノズル体４６から供給されるミスト状の処理液によって微細な部分も良好に洗浄処理される。しかしながら、処理液をミスト状にして供給すると、処理液の量が少なくなるから、半導体ウエハＷの上面の径方向中心部から周辺部に向かう処理液の流れが生じ難くなる。そのため、半導体ウエハＷの、とくに処理液の流れる量が少ない中心部が乾燥し易くなるから、その中心部に一度洗浄除去された汚れが再付着してしまうということがある。

しかしながら、制御装置７は、アーム体４７の回転角度に係らず、常に第２のノズル体５４の軸線が半導体ウエハＷの中心を向くよう、リニアモータ５６の駆動を制御する。そのため、第２のノズル体５４からは第１のノズル体４６がミスト状の処理液を半導体ウエハＷの中心部分以外の部分に噴射しているときであっても、半導体ウエハＷの中心部に液状の処理液が噴射供給される。

上記第２のノズル体５４によって半導体ウエハＷの中心部に供給された液状の処理液は、半導体ウエハＷの中心部から周辺部に向かって流れるから、第１のノズル体４６から噴射供給されるミスト状の処理液が半導体ウエハＷの中心部から外れた部分に供給されているときに、半導体ウエハＷの中心部が乾燥するのを防止する。

しかも、第２のノズル体５４によって半導体ウエハＷの中心部に供給された液状の処理液は中心部から周辺部に向かって流れるから、その流れによってミスト状の処理液によって除去された汚れが半導体ウエハＷの上面から確実に排出される。そのため、そのことによっても半導体ウエハＷの洗浄効果を向上させることができる。

上記第１のノズル体４６が半導体ウエハＷの中心部にミスト状の処理液を供給しているときには、第２のノズル体５４が半導体ウエハＷの中心部に液状の処理液を供給するのが停止される。そのため、半導体ウエハＷの中心部は液状の処理液による液膜が形成されていない状態で、ミスト状の処理液によって処理されるから、半導体ウエハＷの中心部も良好に洗浄処理することができる。

図６はこの発明の第２の実施の形態を示す首振り機構の変形例である。この実施の形態は一対の首振り機構５５Ａがアーム体４７を挟んで左右対称に設けられている。この首振り機構５５Ａは、アーム体４７に回転軸７２を垂直にして設けられたモータ７１を有し、上記回転軸７２にはカム体７３が嵌着固定されている。

上記カム体７３の外周面である、カム面には中途部が支軸７４によって枢支された取り付け杆７５の一端が当接している。各取り付け杆７５は一端が上記カム体７３の外周面に弾性的に当接するようばね７６によって付勢されている。上記取り付け杆７５の他端には第２のノズル体５４が設けられている。

そして、上記モータ７１の回転軸７２が制御装置７によってアーム体４７の回転角度に応じて駆動されることで、上記取り付け杆７５が実線で示す角度θで傾斜した状態から、鎖線で示す垂直状態との間で揺動する。

そして、上記アーム体４７が図５で示す半導体ウエハＷのＥ１からＯに向かって回転するときには、回転方向の前方に位置する一方の第２のノズル体５４の角度が半導体ウエハＷの中心を向くよう一方のモータ７１の駆動が制御装置７によって制御され、上記アーム体４７がＯからＥ２に向かって回転するときには回転方向の後方に位置する他方の第２のノズル体５４の角度が半導体ウエハＷの中心を向くよう他方のモータ７１の駆動が制御装置７によって制御される。

それによって、第１のノズル体４６が半導体ウエハＷの中心部以外の部分にミスト状の処理液を供給しているときに、一対の第２のノズル体５４によって液状の処理液を半導体ウエハＷの中心部に供給することができる。

なお、上記取り付け杆７５を枢支した支軸７４は、上記アーム体４７に取り付けられた、図６に鎖線で示す逆Ｔ字状の取り付け部材７７に設けられ、上記取り付け杆７５を付勢したばね７６の一端も上記取り付け部材７７に連結されている。

このように、アーム体４７に一対の第２のノズル体５４を設ければ、１つの場合に比べて半導体ウエハＷに処理液を供給する範囲を半分にすることができるから、その供給範囲に応じて第２のノズル体５４の揺動角度も半分にすることができる。

仮に、第２のノズル体５４を１つとすることでその揺動角度が大きくなると、その第２のノズル体５４から噴射される液状の処理液の噴射方向が第２のノズル体５４の軸線方向から大きくずれるから、処理液が半導体ウエハＷの中心部に確実に供給されなくなるということがある。

そのため、半導体ウエハＷが大口径化した場合であっても、第２のノズル体５４を２つ設けることで、第２のノズル体５４の揺動角度を１つの場合に比べて約半分にできるから、半導体ウエハＷの中心部に液状の処理液を確実に供給することが可能となる。

第２の実施の形態において、アーム体４７を図５で示す半導体ウエハＷの径方向外方の一端側のＥ１から中心Ｏに向かって回転させたのち、中心Ｏから径方向他方の外方Ｅ２に向かって回転させるようにした。

上記基板Ｗが前工程で濡れている場合には上述したようにアーム体４７を回転させても差し支えないが、前工程で基板Ｗが濡れていない場合には、アーム体４７を基板Ｗの中心Ｏから径方向外方に向かって回転させるようにすることが好ましい。このようにすれば、基板Ｗの中心部に液膜を先に形成することになるから、基板Ｗの中心部からの汚れの排出を高めることが可能となる。

図７はこの発明の第３の実施の形態を示す首振り機構の変形例である。この実施の形態の首振り機構５５Ｂはアーム体４７に第１のモータ８１が設けられている。この第１のモータ８１の回転軸８１ａにはねじ軸８２が連結されている。このねじ軸８２には図示しないガイドによって回転不能な状態で上下方向に移動可能に設けられた可動体８３が螺合されている。

上記可動体８３には第２のモータ８４が設けられている。この第２のモータ８４の回転軸８４ａには取り付け杆８５が連結されていて、この取り付け杆８５の下端には第２のノズル体５４が軸線を垂直線に対して所定の角度θで傾斜させて取り付けられている。

上記第２のモータ８４は制御装置７によってアーム体４７の回転角度に応じて駆動が制御される。それによって、上記第２のノズル体５４はアーム体４７の回転角度に係らず、液状の処理液の噴射方向が半導体ウエハＷの中心部に向くよう揺動角度が制御される。

さらに、上記第１のモータ８１を作動させれば、第２のモータ８４と一体的に設けられた第２のノズル体５４の高さを変更することができる。それによって、第２ノズル体５４から噴射される液状の処理液の飛距離を、半導体ウエハＷの口径に応じて変えることができる。

つまり、半導体ウエハＷの口径が異なる場合、第２のノズル体５４の揺動角度が同じであっても、高さ位置を変更するその半導体ウエハＷの中心部に処理液を供給することができる。

なお、上記各実施の形態では基板として半導体ウエハを例に挙げて説明したが、基板としては液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス板であってもよく、要は清浄に洗浄することが要求される板状のものであれば、この発明を適用することができる。

また、アーム体の回転に応じて第２のノズル体の傾斜角度を変える首振り機構は、上記各実施の形態に挙げた構成に限定されるものでなく、他の構成であっても差し支えない。

また、上記各実施の形態では第１のノズル体から基板に供給される処理液をミスト状にし、第２のノズル体から基板に供給される処理液を液状の状態としたが、第１のノズル体から基板に供給される処理液を液状の状態とし、第２のノズル体から基板に供給される処理液をミスト状としても差し支えない。また、第１、第２のノズル体の両方から液状或いはミスト状の処理液を基板に供給するようにしてもよい。

この発明の第１の実施の形態を示す基板の洗浄装置の概略的構成図。 水平アームの先端に設けられる首振り機構の概略的構成を示す正面図。 水平アームの先端に設けられる首振り機構の概略的構成を示す側面図。 第１、第２のノズル体の配管系統図。 半導体ウエハ上の第１のノズル体の軌跡を示す説明図。 この発明の第２の実施の形態を示す首振り機構の構成図。 この発明の第３の実施の形態を示す首振り機構の構成図。

符号の説明

７…制御装置、１６…回転テーブル、４６…第１のノズル体（第１の処理液供給手段）、４７…アーム体、５４…第２のノズル体（乾燥防止手段）、５５，５５Ａ，５５Ｂ…首振り機構。

Claims (5)

1. 基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
   上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
   この回転テーブルの上方に設けられ上記基板を横切る方向に駆動されならが上記基板に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
   上記基板の中心部に向けて処理液を供給し上記処理液供給手段によって上記基板の中心部以外の部分が処理されているときに上記基板の中心部が乾燥するのを防止する乾燥防止手段と
   を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
2. 上記回転テーブルの上方には基端を支点として水平方向に円弧運動するアーム体が設けられ、このアーム体の先端には上記処理液供給手段及び上記アーム体の円弧運動に応じて首振りして上記基板の中心部に上記処理液を供給する上記乾燥防止手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
3. 上記乾燥防止手段を駆動して首振りさせる首振り機構と、上記アーム体の円弧運動に応じて上記乾燥防止手段からの処理液が上記基板の中心部に供給されるよう上記乾燥防止手段の首振り角度を制御する制御手段と
   を具備することを特徴とする請求項２記載の基板の処理装置。
4. 基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理方法であって、
   上記基板を回転駆動させる工程と、
   回転駆動される上記基板の上面にこの上面を横切る方向に上記処理液を供給して上記基板を処理する工程と、
   上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給し上記基板の中心部以外の部分が上記処理液によって処理されているときに上記基板の中心部が乾燥するのを防止する工程と
   を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
5. 処理液を上記基板の中心部に供給しているときに、その中心部に液状の処理液の供給を停止することを特徴とする請求項４記載の基板の処理方法。

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