CN110896041B - 基板处理设备及其流体供应装置 - Google Patents

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Abstract

一种流体供应装置包括导引单元、第一流体传输单元以及第二流体传输单元。导引单元包括固定台。第一流体传输单元设置于固定台下方,并包括第一摆臂喷洒组件,其中第一流体传输单元连接固定台。第二流体传输单元设置于固定台上方,并包括第二摆臂喷洒组件,其中第一摆臂喷洒组件与第二摆臂喷洒组件皆沿着一转轴而各自独立地相对于固定台旋转。此外,一种包括上述流体供应装置的基板处理设备在此也提出。

Description

基板处理设备及其流体供应装置
技术领域
本发明是有关于一种应用于半导体工艺的设备,尤其涉及一种基板处理设备及其流体供应装置。
背景技术
目前用于半导体工艺的清洗设备与蚀刻设备已具备摆臂喷洒(swing spraying)的功能,而这类的清洗设备与蚀刻设备通常包括多根摆臂喷嘴(swing nozzle),其中这些摆臂喷嘴能在晶圆(wafer)上方水平地左右摆动,并且同时喷洒清洁液、蚀刻液或气体等流体,以均匀地将上述流体喷洒在晶圆上,让清洁液或蚀刻液能对晶圆的整个平面进行表面处理(surface treatment),或是让气体能吹干晶圆的整个平面。
在现有的清洗设备与蚀刻设备中,这些摆臂喷嘴通常配置在用来置放晶圆的工作平台周围。所以,清洗设备与蚀刻设备须要在工作平台的周围提供区域来装设这些摆臂喷嘴。当清洗设备与蚀刻设备因为工艺需求而必须装设较多摆臂喷嘴时,工作平台的周围区域需要具有足够的面积来容纳及装设这些摆臂喷嘴。然而,工作平台的周围区域面积有限,所以清洗设备与蚀刻设备可装设摆臂喷嘴的数量也受到限制。因此,现有的清洗设备与蚀刻设备难以配合工艺需求而装设更多摆臂喷嘴。
发明内容
本发明提供一种流体供应装置,其能有助于增加上述清洗设备与蚀刻设备可装设摆臂喷嘴的数量。
本发明还提供一种基板处理设备,其包括上述流体供应装置。
本发明所提供的流体供应装置包括导引单元、第一流体传输单元以及第二流体传输单元。导引单元包括固定台。第一流体传输单元设置于固定台下方,并包括第一摆臂喷洒组件,其中第一流体传输单元连接固定台。第二流体传输单元设置于固定台上方,并包括第二摆臂喷洒组件,其中第一摆臂喷洒组件与第二摆臂喷洒组件皆沿着一转轴而各自独立地相对于固定台旋转。
在本发明的一实施例中,上述流体供应装置还包括连接第一流体传输单元的第一驱动单元。第一摆臂喷洒组件包括第一转轴、第一喷嘴以及第一悬臂。第一悬臂的一端连接第一转轴,而第一悬臂的另一端连接第一喷嘴。第一驱动单元用以驱动第一转轴且带动第一悬臂以第一转轴为轴心摆动,并用以上下移动第一摆臂喷洒组件、第二摆臂喷洒组件与固定台。
在本发明的一实施例中,上述流体供应装置还包括连接第二流体传输单元的第二驱动单元。第二摆臂喷洒组件包括第二转轴、第二喷嘴以及第二悬臂。第二悬臂的一端连接第二转轴,而第二悬臂的另一端连接第二喷嘴。第二驱动单元用以驱动第二转轴且带动第二悬臂以第二转轴为轴心摆动,并用以上下移动第二摆臂喷洒组件,其中第一转轴与第二转轴彼此同轴(coaxial)。
在本发明的一实施例中,上述第一驱动单元位于固定台下方,且第一转轴连接固定台。第二驱动单元固定于固定台上。当第一悬臂以第一转轴为轴心而摆动时,固定台相对于第一驱动单元与第二驱动单元静止不动,其中第一悬臂的摆动不干涉第二悬臂的摆动。
在本发明的一实施例中,上述导引单元还包括固定于承载件的导轨组件,而导轨组件连接固定台。当第一悬臂以第一转轴为轴心而摆动时,导轨组件相对于第二驱动单元和第一驱动单元静止不动。当第一驱动单元上下移动固定台时,固定台沿着纵向轨迹而相对于承载件移动,并且保持固定台与导轨组件之间的连接。
在本发明的一实施例中,上述导引单元还包括辅助升降件。辅助升降件连接导轨组件,并用于上下移动固定台。
在本发明的一实施例中,上述第一喷嘴具有第一输出口,而第二喷嘴具有第二输出口,其中第一输出口和第二输出口相对于一水平面上具有相同的高度(level)。
在本发明的一实施例中,上述第二喷嘴位于第一喷嘴的上方,且第一喷嘴与第二喷嘴彼此共轴重迭。
在本发明的一实施例中,上述第一悬臂包括水平部与转折部。水平部连接于转折部与第一转轴之间,而转折部从水平部向下倾斜延伸,并连接第一喷嘴。
在本发明的一实施例中,上述导引单元包括连接第一转轴和固定台的轴承(bearing)。
本发明所提供的基板处理设备包括承载单元,至少一液体收集单元以及上述流体供应装置。承载单元包括工作平台与旋转轴。工作平台连接旋转轴,并以旋转轴为轴心而旋转。此外,工作平台具有供基板放置的承载面。流体供应装置将流体供应至基板,而液体收集单元设置于承载单元的外侧,其中液体收集单元用于接收从基板流出的液体。
在本发明的一实施例中,上述第一摆臂喷洒组件包括第一喷嘴,而第二摆臂喷洒组件包括第二喷嘴,其中第一喷嘴与第二喷嘴皆沿着弧形轨迹在基板上移动。
在本发明的一实施例中,上述第一摆臂喷洒组件包括第一喷嘴,而第二摆臂喷洒组件包括第二喷嘴,其中第一喷嘴与第二喷嘴在基板上的沿着第一轨迹和第二轨迹移动,而第一轨迹和第二轨迹为相同轴心且不同半径的相异轨迹。
在本发明的一实施例中,上述第一喷嘴或第二喷嘴移动至基板的中央区域之后开始供应流体。
在本发明的一实施例中,上述第一喷嘴或第二喷嘴供应流体至基板的边缘,并从基板的边缘持续供应流体至基板的圆心。
在本发明的一实施例中,上述第一喷嘴与第二喷嘴同时在基板上移动,而第一喷嘴与第二喷嘴保持彼此紧邻。
在本发明的一实施例中,上述第一喷嘴供应第一流体至基板的第一区域,而第二喷嘴供应第二流体至基板的第二区域,其中第一区域与第二区域成同心圆排列,且基板的圆心位于第一区域与第二区域其中一者。
在本发明的一实施例中,上述第一喷嘴供应第一流体至基板,而第二喷嘴与第一喷嘴彼此相向移动,并从基板的边缘朝向基板的圆心移动。在第二喷嘴与第一喷嘴交错之后,第二喷嘴才开始供应一第二流体至基板。
在本发明的一实施例中,当第二喷嘴供应第二流体时,第二驱动单元控制第二喷嘴下降,使第一输出口和第二输出口相对于水平面上具有相同的高度。
基于上述,本发明的流体供应装置包括多个流体传输单元(第一流体传输单元与第二流体传输单元),且这些流体传输单元彼此堆迭,其中利用导引装置,这些流体传输单元的摆臂喷洒组件(第一摆臂喷洒组件与第二摆臂喷洒组件)能各自独立地旋转与摆动。如此,单一个流体供应装置可供应多种流体至基板,从而有助于增加清洗设备与蚀刻设备可装设摆臂喷嘴(例如第一与第二摆臂喷洒组件)的数量,以满足需要较多摆臂喷嘴的工艺需求。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述特征和优点能够更明显易懂,以下特举实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明一实施例的基板处理设备的侧视示意图。
图1B是图1A中的基板处理设备的俯视示意图。
图1C是图1A中的流体供应装置的其中一种供应流体方式的俯视示意图。
图1D与图1E是图1A中的流体供应装置的另一种供应流体方式的俯视示意图。
图2A是本发明另一实施例的基板处理设备的侧视示意图。
图2B是图2A中的基板处理设备的俯视示意图。
具体实施方式
图1A是本发明一实施例的基板处理设备的侧视示意图,而图1B是图1A中的基板处理设备的俯视示意图。请参阅图1A与图1B,基板处理设备100可作为清洗设备或蚀刻设备,并且能对基板W1进行清洗或蚀刻,其中基板W1可以是硅晶圆、蓝宝石基板(sapphire)或玻璃基板,而基板处理设备100可应用于生产半导体元件、发光二极管制造或显示器面板。
基板处理设备100包括流体供应装置200以及承载单元120,其中承载单元120包括工作平台121,而流体供应装置200配置在工作平台121的周边。在图1A所示的实施例中,基板处理设备100所包括的流体供应装置200数量为一个,但在其他实施例中,根据工艺需求,基板处理设备100可以包括至少两个流体供应装置200,例如三个流体供应装置200。因此,基板处理设备100所包括的流体供应装置200的数量可以是多个,不限定只能一个。
流体供应装置200能将第一流体D1与第二流体D2供应至工作平台121,其中第一流体D1与第二流体D2可以是液体或气体,而液态的第一流体D1与第二流体D2可以是清洁液或蚀刻液,例如去离子水(Deionized Water,DIW)、酸液或碱液。工作平台121具有承载面121a,其可供基板W1放置,而工作平台121能将基板W1固定在承载面121a上。例如,工作平台121可包括真空吸盘(vacuum chuck)或白努利吸盘(Bernoulli chuck),以使工作平台121能用真空或非接触式的方式将基板W1固定在工作平台121的承载面121a上。
承载单元120还包括旋转轴122,而工作平台121连接旋转轴122,并以旋转轴122为轴心而旋转,让固定在承载面121a上的基板W1能沿着旋转轴122的轴心122r而相对于流体供应装置200旋转。当流体供应装置200将第一流体D1与第二流体D2供应至工作平台121上的基板W1时,可以启动旋转轴122旋转,让基板W1沿着旋转轴122而旋转。此时,第一流体D1与第二流体D2供应在旋转中的基板W1,以至于第一流体D1与第二流体D2能在基板W1的上平面PW1上流动,进而可以分散于上平面PW1。基板处理设备100还可包括基座140,其中工作平台121与流体供应装置200皆配置于基座140上,而驱动旋转轴122旋转的动力源,例如马达,可配置在基座140内。
基板处理设备100还包括至少一个液体收集单元130,其形状可以是杯状或是其他可收集液体的形状,不以本案的举例为限制。液体收集单元130设置于承载单元120的外侧,并用于接收从基板W1流出的液体,即液态的第一流体D1与第二流体D2。因此,液体收集单元130能收集来自于工作平台121的液体,例如从基板W1旋出的清洁液或蚀刻液。此外,液体收集单元130还可以连接外部的回收液处理槽,让使用过的清洁液或蚀刻液能经由液体收集单元130输送至回收液处理设备。
流体供应装置200包括第一流体传输单元210、第二流体传输单元220与导引单元230。导引单元230包括固定台231,其中第一流体传输单元210设置于固定台231下方,并连接固定台231,而第二流体传输单元220设置于固定台231上方。所以,固定台231位于第一流体传输单元210与第二流体传输单元220之间,并且将第一流体传输单元210与第二流体传输单元220隔开。
第一流体传输单元210包括第一摆臂喷洒组件211,而第一摆臂喷洒组件211包括第一转轴211r、第一悬臂211a以及第一喷嘴211n。第一悬臂211a的一端连接第一转轴211r,而第一悬臂211a的另一端连接第一喷嘴211n。所以,第一悬臂211a位于第一转轴211r与第一喷嘴211n之间。第一悬臂211a的延伸方向与第一转轴211r的延伸方向彼此不同。以图1A为例,第一悬臂211a的延伸方向可与第一转轴211r的延伸方向垂直。
第二流体传输单元220包括第二摆臂喷洒组件221,而第二摆臂喷洒组件221包括第二转轴221r、第二悬臂221a以及第二喷嘴221n。第二悬臂221a的一端连接第二转轴221r,而第二悬臂221a的另一端连接第二喷嘴221n。所以,第二悬臂221a位于第二转轴221r与第二喷嘴221n之间。此外,第二悬臂221a的延伸方向与第二转轴221r的延伸方向彼此不同。以图1A为例,第二悬臂221a的延伸方向可与第二转轴221r的延伸方向垂直。此外,图1A所示的第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221仅供举例说明,并非限定第一悬臂211a的延伸方向一定要与第一转轴211r的延伸方向垂直,第二悬臂221a的延伸方向一定要与第二转轴221r的延伸方向垂直。
第一悬臂211a与第二悬臂221a两者长度实质上相同。当第一悬臂211a与第二悬臂221a彼此平行且重迭时,第二喷嘴221n会位于第一喷嘴211n的上方,且第一喷嘴211n与第二喷嘴221n彼此共轴重迭。举例来说,将基板处理设备100置放于水平面H1之后,第一喷嘴211n所具有的第一输出口P21相对于水平面H1上具有高度L11,而第二喷嘴221n所具有的第二输出口P22相对于水平面H1上具有高度L12,其中高度L11小于高度L12,如图1A所示。
流体供应装置200还包括第一驱动单元241与第二驱动单元242,其中第一驱动单元241连接第一流体传输单元210,而第二驱动单元242连接第二流体传输单元220。第一驱动单元241位于固定台231下方,而第二驱动单元242固定于固定台231上,所以固定台231位于第一驱动单元241与第二驱动单元242之间。此外,第一驱动单元241与第二驱动单元242能分别驱动第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221各自相对于固定台231旋转。
第一驱动单元241能驱动第一转轴211r且带动第一悬臂211a以第一转轴211r为轴心摆动,而第二驱动单元242能驱动第二转轴221r且带动第二悬臂221a以第二转轴221r为轴心摆动,其中第一转轴211r与第二转轴221r彼此同轴。也就是说,第一转轴211r与第二转轴221r两者的轴心(axis)实质上皆在同一条直线上,其中此直线例如是图1A所示的转轴RA1。其次,第一驱动单元241仅驱动第一转轴211r,但不驱动第二转轴221r。第二驱动单元242仅驱动第二转轴221r,但不驱动第一转轴211r。因此,第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221皆能沿着同一转轴RA1而各自独立地相对于固定台231旋转。
导引单元230还包括轴承232,其例如是滚珠轴承(ball bearing)或磁性轴承(magnetic bearing),而轴承232连接固定台231,并可配置于固定台231内,如图1A所示。轴承232还连接第一转轴211r,其中第一转轴211r插设于轴承232,以使第一流体传输单元210的第一转轴211r连接固定台231。轴承232能支撑第一转轴211r的旋转,以使第一转轴211r能顺利地相对于固定台231而转动,让固定台231可以不跟着第一转轴211r一起转动。
导引单元230还包括导轨组件233,其连接固定台231,并可固定于承载件S1。在图1A所示的实施例中,承载件S1可为墙壁,即导轨组件233可固定在墙壁上,其中导轨组件233可用胶黏、钉子或螺锁而固定于墙壁上。此外,在其他实施例中,承载件S1可为固定于基座140的立柱,而导轨组件233可固定在此立柱上,其中导轨组件233可用胶黏、钉子、螺锁或焊接而固定于此立柱上。
当第一悬臂211a以第一转轴211r为轴心而摆动时,由于导轨组件233固定于承载件S1,因此导轨组件233相对于第二驱动单元242和第一驱动单元241可以静止不动,即固定台231相对于第一驱动单元241与第二驱动单元242是静止不动。其次,由于固定台231因具备轴承232而能不跟着第一转轴211r转动,所以第一悬臂211a的摆动不干涉第二悬臂221a的摆动。也就是说,第一悬臂211a与第二悬臂221a两者不会彼此妨碍摆动与转动。如此,第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221能各自独立地相对于固定台231旋转。
第一驱动单元241与第二驱动单元242不仅能分别驱动第一悬臂211a与第二悬臂221a摆动,而且还能分别上下移动第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221,其中第一驱动单元241更能上下移动第二摆臂喷洒组件221与固定台231。详细而言,第一驱动单元241与第二驱动单元242可包括滚珠螺杆,其例如是全球传动公司所出产的RSLY系列精密滚珠螺杆花键。利用滚珠螺杆,第一驱动单元241与第二驱动单元242不仅能使第一悬臂211a与第二悬臂221a摆动,而且还能上下移动第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221。
此外,第一驱动单元241与第二驱动单元242两者也可各自包括汽缸与马达。马达用于驱动第一悬臂211a与第二悬臂221a摆动,而汽缸用于上下移动第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221。如此,第一驱动单元241与第二驱动单元242也能摆动及上下移动第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221。另外,第一驱动单元241与第二驱动单元242两者的体现手段有多种,因此不限定只有以上所揭露的实施态样。
当第一驱动单元241上下移动固定台231时,固定台231会沿着纵向轨迹而相对于承载件S1移动,并且保持固定台231与导轨组件233之间的连接。详细而言,导轨组件233可包括滑轨R23与移动件M23,其中移动件M23可移动地装设于滑轨R23,以使移动件M23能相对于滑轨R23移动,而移动中的移动件M23能一直连接着滑轨R23而不会脱离滑轨R23。移动件M23固定于固定台231,而滑轨R23固定于承载件S1。例如,移动件M23可用螺锁或焊接而固定于固定台231,而滑轨R23可用钉子或螺锁而固定于墙壁上。
当第一驱动单元241上下移动第一转轴211r且使固定台231上下连动时,固定台231会带动移动件M23,以使移动件M23能沿着滑轨R23而移动。由于移动中的移动件M23能一直连接着滑轨R23,因此移动中的固定台231与导轨组件233之间的连接得以保持,而固定台231会沿着滑轨R23所提供的纵向轨迹而相对于承载件S1移动。另外,导引单元230还可以包括辅助升降件234,其可包括马达。辅助升降件234连接导轨组件233,并能配合第一驱动单元241来上下移动固定台231。换句话说,固定台231可利用第一驱动单元241与辅助升降件234两者的驱动而相对于承载件S1移动,即固定台231的移动不限定只倚靠第一驱动单元241的驱动。
当流体供应装置200运作时,第一悬臂211a与第二悬臂221a会摆动,以使第一喷嘴211n与第二喷嘴221n能沿着弧形轨迹T1在基板W1上移动。由于第一悬臂211a与第二悬臂221a两者长度实质上相同,因此第一喷嘴211n与第二喷嘴221n两者是沿着相同的弧形轨迹T1在基板W1上移动,其中弧形轨迹T1可通过基板W1的圆心C1,但这不限定本发明。
流体供应装置200可以有多种供应流体方式。例如,第一喷嘴211n或第二喷嘴221n可以移动至基板W1的中央区域A0之后才开始供应流体,其中圆心C1位于中央区域A0内。第一喷嘴211n或第二喷嘴221n还未移动至中央区域A0以前,不会提供流体。或者,第一喷嘴211n或第二喷嘴221n可以供应流体(第一流体D1或第二流体D2)至基板W1的边缘,并且从基板W1的边缘持续供应流体至基板W1的圆心C1。
请参阅图1A与图1C,其中图1C所揭露的是另一种供应流体方式。基板W1可以划分成两块区域:第一区域A1与第二区域A2,其中第一区域A1与第二区域A2成同心圆排列。以图1C为例,第二区域A2围绕第一区域A1,而基板W1的圆心C1位于第一区域A1内,其中第一区域A1可以相同于图1B中的中央区域A0。第一喷嘴211n可以供应第一流体D1至基板W1的第一区域A1,但不供应至第二区域A2。第二喷嘴221n可以供应第二流体D2至基板W1的第二区域A2,但不供应至第一区域A1。也就是说,第一喷嘴211n供应第一流体D1至基板W1的内侧区域,但不供应至基板W1的外侧区域。第二喷嘴221n供应第二流体D2至外侧区域,但不供应至内侧区域。
由于工作平台121会以旋转轴122为轴心而旋转,因此第一流体D1受到离心力的趋使而分布于第一区域A1与第二区域A2,但第二流体D2仅分布于第二区域A2,不会流到圆心C1。另外,在图1C所示的实施例中,第二区域A2围绕第一区域A1,但在其他实施例中,第一区域A1可与第二区域A2互换,即第一区域A1可围绕第二区域A2,而圆心C1位于第二区域A2内。换句话说,第一喷嘴211n可供应第一流体D1至基板W1的外侧区域,但不供应至基板W1的内侧区域。第二喷嘴221n可供应第二流体D2至内侧区域,但不供应至外侧区域。
图1D与图1E是图1A中的流体供应装置的另一种供应流体方式的俯视示意图。请参阅图1A、图1D与图1E,在此实施例的供应流体方式中,第一悬臂211a与第二悬臂221a的移动方向不同,以使第二喷嘴221n与第一喷嘴211n彼此相向移动,且两者一开始都是从基板W1的边缘朝向圆心C1移动,如图1D所示。当第一喷嘴211n与第二喷嘴221n沿着弧形轨迹T1而相向移动时,第一喷嘴211n会持续供应第一流体D1至基板W1,但第二喷嘴221n不会供应第二流体D2至基板W1,并仅沿着弧形轨迹T1朝向第一喷嘴211n而移动,直到第二喷嘴221n与第一喷嘴211n交错。换句话说,在第二喷嘴221n与第一喷嘴211n交错之后,第二喷嘴221n才会开始供应第二流体D2至基板W1。
因此,当上方的第二喷嘴221n开始供应第二流体D2时,第二流体D2不会供应到第一喷嘴211n与第一悬臂211a,以使第二流体D2对基板W1的供应不会被第一喷嘴211n与第一悬臂211a所干扰。如此,第二流体D2在接触基板W1以前,不会碰触到第一喷嘴211n与第一悬臂211a,以避免影响到第二流体D2对基板W1的表面处理,防止发生良率(yield)降低的可能性。
此外,在本实施例中,当第二喷嘴221n供应第二流体D2时,第二驱动单元242可以控制第二喷嘴221n下降,使得第一输出口P21和第二输出口P22相对于水平面H1上具有相同的高度,例如是高度L11。如此,第一输出口P21与第二输出口P22可位于同一水平面,让第一输出口P21与第二输出口P22两者与基板W1之间的距离能一致。也就是说,第一流体D1与第二流体D2两者从流体供应装置200供应到基板W1的距离能尽量一致而不会相差太多。不过,在其他实施例中,当第二喷嘴221n供应第二流体D2时,第二喷嘴221n也可不必下降,所以第二喷嘴221n不一定要下降才能供应第二流体D2。
图2A是本发明另一实施例的基板处理设备的侧视示意图,而图2B是图2A中的基板处理设备的俯视示意图。请参阅图2A与图2B,本实施例的基板处理设备300与前述实施例的基板处理设备100相似,两者也包括相同的元件,例如导引单元230与承载单元120。以下主要叙述基板处理设备100与300之间的差异,而两者相同特征原则上不再重复叙述。
基板处理设备300包括至少一个流体供应装置400,其中流体供应装置400包括第一流体传输单元410与第二流体传输单元420。第一流体传输单元410包括第一摆臂喷洒组件411,而第二流体传输单元420包括第二摆臂喷洒组件421,其中第一摆臂喷洒组件411与第二摆臂喷洒组件421不同于前述实施例中的第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221。详细而言,第一摆臂喷洒组件411包括第一喷嘴211n,而第二摆臂喷洒组件421包括第二喷嘴221n,其中第一悬臂411a与第二悬臂421a两者长度明显不同。以图2A为例,第一悬臂411a的长度显然小于第二悬臂421a的长度。
其次,第一悬臂411a与第二悬臂421a两者的形状也明显不同于图2A中的第一悬臂211a与第二悬臂221a两者的形状,其中第一悬臂411a与第二悬臂421a两者的形状为弯折条状。具体而言,第一悬臂411a包括水平部41h与转折部41b,其中水平部41h连接于转折部41b与第一转轴211r之间,而转折部41b从水平部41h向下倾斜延伸,并连接第一喷嘴211n。第二悬臂421a也包括水平部42h与转折部42b,其中水平部42h连接于转折部42b与第二转轴221r之间,而转折部42b从水平部42h向下倾斜延伸,并连接第二喷嘴221n。
第一喷嘴211n的第一输出口P21与第二喷嘴221n的第二输出口P22相对于水平面H1上具有相同的高度L20,所以第一输出口P21与第二输出口P22位于同一水平面H2,其中水平面H2位于水平面H1上方,而整个基板处理设备300是置放于水平面H1。由于第一输出口P21与第二输出口P22相对于水平面H1上具有相同的高度L20,因此第一输出口P21与第二输出口P22两者与基板W1之间的距离能一致,促使第一流体D1与第二流体D2两者从流体供应装置400供应到基板W1的距离一致。此外,也因为第一输出口P21与第二输出口P22位于同一水平面H2,所以第二流体D2基本上不会碰触到第一喷嘴211n与第一悬臂211a,避免影响到第二流体D2对基板W1的表面处理,防止发生良率降低的可能性。
由于第一悬臂411a与第二悬臂421a两者长度不同,因此第一喷嘴211n与第二喷嘴221n在基板W1上能分别沿着第一轨迹T2和第二轨迹T3移动,其中第一轨迹T2和第二轨迹T3为相同轴心且不同半径的相异轨迹,如图2B所示。此外,第一轨迹T2和第二轨迹T3其中一者可通过基板W1圆心C1。以图2B为例,第二轨迹T3可通过圆心C1,但第一轨迹T2未通过圆心C1。不过,在其他实施例中,第一轨迹T2和第二轨迹T3也可以都不通过圆心C1,所以第一轨迹T2和第二轨迹T3不限定其中一者一定要通过圆心C1。另外,在其他实施例中,第一轨迹T2和第二轨迹T3虽然为不相同轨迹,但实际上两轨迹之距离极为相近。
流体供应装置400可以有多种供应流体方式,其中流体供应装置400可以采用上述实施例所揭露的供应流体方式,例如图1B至图1E所揭露的供应流体方式。此外,由于本实施例中的第一输出口P21与第二输出口P22位于同一水平面H2,因此第一喷嘴211n与第二喷嘴221n可以同时在基板W1上移动,且在第一喷嘴211n与第二喷嘴221n两者移动的过程中,第一喷嘴211n与第二喷嘴221n可以保持彼此紧邻,以使第一喷嘴211n与第二喷嘴221n能一起同向移动。
值得一提的是,图2A实施例中的第一悬臂411a与第二悬臂421a可应用于图1A实施例中的第一悬臂211a与第二悬臂221a。详细而言,在图1A所示的实施例中,在第一喷嘴211n与第二喷嘴221n能彼此共轴重迭的条件下,图1A的第一悬臂211a与第二悬臂221a可替换成弯折悬臂,如同图2A所示的第一悬臂411a与第二悬臂421a。如此,上方第二喷嘴221n的高度L12可降低,甚至第二喷嘴221n的高度L12可相当于弯折悬臂的水平部(例如水平部41h)的高度,以缩短第二喷嘴221n与第一喷嘴211n之间的距离,让第二喷嘴221n能更贴近于第一喷嘴211n。
综上所述,以上实施例所揭露的流体供应装置包括多个流体传输单元(例如第一流体传输单元210与第二流体传输单元220),且这些流体传输单元彼此堆迭,其中相邻两个流体传输单元之间配置导引装置,以使这些流体传输单元的摆臂喷洒组件(例如第一摆臂喷洒组件211与第二摆臂喷洒组件221)能各自独立地旋转与摆动。因此,单一个流体供应装置可供应多种流体至基板。相较于现有的清洗设备与蚀刻设备,本发明所提供的流体供应装置有助于增加清洗设备与蚀刻设备可装设摆臂喷嘴(例如摆臂喷洒组件)的数量,以满足需要较多摆臂喷嘴的工艺需求。
特别一提的是,在以上所揭露的实施例中,流体供应装置所包括的流体传输单元的数量为两个:第一流体传输单元与第二流体传输单元,而固定台的数量为一个,但是在其他未绘示的实施例中,单一个流体供应装置所包括的流体传输单元的数量可以是两个以上,例如三个,而单一个流体供应装置所包括的固定台数量可以是一个以上,例如两个。
换句话说,一个流体供应装置可包括N个固定台与(N+1)个流体传输单元,其中N为正整数,而这(N+1)个流体传输单元与这N个固定台彼此交替地堆迭。因此,本发明的流体供应装置可包括三个以上的流体传输单元以及两个以上的固定台,所以在本发明的流体供应装置中,流体传输单元的数量不限定为两个,而固定台的数量不限定只能一个。
本发明所提及的基板可为载板形式、晶圆形式或芯片形式等,并且可为圆型或方型,且不以此为限。此外,本发明的基板处理设备及其流体供应装置可应用于基板湿工艺(蚀刻、清洗及干燥等),例如单基板湿工艺、多基板湿工艺、单一方芯片锡球下金属蚀刻、薄化晶圆支撑/剥离、贴合/剥离工艺、碳化硅再生晶圆以及再生硅晶圆等,且不以此为限。
以上所述,仅是本发明的实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (19)

1.一种流体供应装置,其特征在于,包括:
一导引单元,包括一固定台;
一设置于该固定台下方的第一流体传输单元,包括一第一摆臂喷洒组件,其中该第一流体传输单元连接该固定台;
一设置于该固定台上方的第二流体传输单元,包括一第二摆臂喷洒组件,其中该第一摆臂喷洒组件与该第二摆臂喷洒组件皆沿着一转轴而各自独立地相对于该固定台旋转;
一第一驱动单元,连接该第一流体传输单元,用以上下移动该第一摆臂喷洒组件、该第二摆臂喷洒组件与该固定台;以及
一第二驱动单元,连接该第二流体传输单元,用以上下移动该第二摆臂喷洒组件。
2.如权利要求1所述的流体供应装置,其特征在于,该第一摆臂喷洒组件包括一第一转轴、一第一喷嘴以及一第一悬臂,该第一悬臂的一端连接该第一转轴,该第一悬臂的另一端连接该第一喷嘴,该第一驱动单元用以驱动该第一转轴且带动该第一悬臂以该第一转轴为轴心摆动。
3.如权利要求2所述的流体供应装置,其特征在于,该第二摆臂喷洒组件包括一第二转轴、一第二喷嘴以及一第二悬臂,该第二悬臂的一端连接该第二转轴,该第二悬臂的另一端连接该第二喷嘴,该第二驱动单元用以驱动该第二转轴且带动该第二悬臂以该第二转轴为轴心摆动。
4.如权利要求3所述的流体供应装置,其特征在于,该第一驱动单元位于该固定台下方,且该第一转轴连接该固定台,该第二驱动单元固定于该固定台上,当该第一悬臂以该第一转轴为轴心而摆动时,该固定台相对于该第二驱动单元与该第一驱动单元静止不动,其中该第一悬臂的摆动不干涉该第二悬臂的摆动。
5.如权利要求4所述的流体供应装置,其特征在于,该导引单元还包括一固定于一承载件的导轨组件,该导轨组件连接该固定台,当该第一悬臂以该第一转轴为轴心而摆动时,该导轨组件相对于该第二驱动单元和该第一驱动单元静止不动,当该第一驱动单元上下移动该固定台时,该固定台沿着一纵向轨迹而相对于该承载件移动,并且保持该固定台与该导轨组件之间的连接。
6.如权利要求5所述的流体供应装置,其特征在于,该导引单元还包括一辅助升降件,该辅助升降件连接该导轨组件,用于上下移动该固定台。
7.如权利要求3所述的流体供应装置,其特征在于,该第一喷嘴具有一第一输出口,而该第二喷嘴具有一第二输出口,该第一输出口和该第二输出口相对于一水平面上具有一相同的高度。
8.如权利要求3所述的流体供应装置,其特征在于,该第二喷嘴位于该第一喷嘴的上方,且该第一喷嘴与该第二喷嘴彼此共轴重迭。
9.如权利要求2所述的流体供应装置,其特征在于,该第一悬臂包括一水平部与一转折部,该水平部连接于该转折部与该第一转轴之间,该转折部从该水平部向下倾斜延伸,并连接该第一喷嘴。
10.如权利要求2所述的流体供应装置,其特征在于,该导引单元包括一连接该第一转轴和该固定台的轴承。
11.一种基板处理设备,其特征在于,包括:
一承载单元,包括一工作平台与一旋转轴,该工作平台连接该旋转轴,并以该旋转轴为轴心而旋转,该工作平台具有一供一基板放置的承载面;
一如权利要求1所述的流体供应装置,将一流体供应至该基板;以及
至少一液体收集单元,设置于该承载单元的一外侧,其中该液体收集单元用于接收从该基板流出的液体。
12.如权利要求11所述的基板处理设备,其特征在于,该第一摆臂喷洒组件包括一第一喷嘴,该第二摆臂喷洒组件包括一第二喷嘴,该第一喷嘴与该第二喷嘴皆沿着一弧形轨迹在该基板上移动。
13.如权利要求11所述的基板处理设备,其特征在于,该第一摆臂喷洒组件包括一第一喷嘴,该第二摆臂喷洒组件包括一第二喷嘴,该第一喷嘴与该第二喷嘴在该基板上的沿着一第一轨迹和一第二轨迹移动,该第一轨迹和该第二轨迹为相同轴心且不同半径的相异轨迹。
14.如权利要求12或13所述的基板处理设备,其特征在于,该第一喷嘴或该第二喷嘴移动至该基板的一中央区域之后开始供应该流体。
15.如权利要求12或13所述的基板处理设备,其特征在于,该第一喷嘴或该第二喷嘴供应该流体至该基板的边缘,并从该基板的边缘持续供应该流体至该基板的一圆心。
16.如权利要求12或13所述的基板处理设备,其特征在于,该第一喷嘴与该第二喷嘴同时在该基板上移动,该第一喷嘴与该第二喷嘴保持彼此紧邻。
17.如权利要求12或13所述的基板处理设备,其特征在于,该第一喷嘴供应一第一流体至该基板的一第一区域,而该第二喷嘴供应一第二流体至该基板的一第二区域,其中该第一区域与该第二区域成同心圆排列,且该基板的一圆心位于该第一区域与该第二区域其中一者。
18.如权利要求12或13所述的基板处理设备,其特征在于,该第一喷嘴供应一第一流体至该基板,该第二喷嘴与该第一喷嘴彼此相向移动,并从该基板的边缘朝向该基板的一圆心移动,在该第二喷嘴与该第一喷嘴交错之后,该第二喷嘴才开始供应一第二流体至该基板。
19.如权利要求12或13所述的基板处理设备,其特征在于,该第一喷嘴具有一第一输出口,而该第二喷嘴具有一第二输出口,当该第二喷嘴供应一第二流体时,该第二驱动单元控制该第二喷嘴下降,使该第一输出口和该第二输出口相对于一水平面上具有一相同的高度。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112693228B (zh) * 2020-12-30 2022-04-19 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种旋转式液体喷射装置及激光加工装置
CN113471108B (zh) * 2021-07-06 2022-10-21 华海清科股份有限公司 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003275696A (ja) * 2002-03-25 2003-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板洗浄方法
KR20100000292A (ko) * 2008-06-24 2010-01-06 주식회사 케이씨텍 노즐유닛 및 이를 포함하는 기판세정장치
JP2010050226A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
KR20120122858A (ko) * 2011-04-29 2012-11-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN103531503A (zh) * 2012-06-29 2014-01-22 细美事有限公司 用于处理基板的方法和装置
CN105895560A (zh) * 2015-02-18 2016-08-24 株式会社思可林集团 基板处理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101067608B1 (ko) * 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003275696A (ja) * 2002-03-25 2003-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板洗浄方法
KR20100000292A (ko) * 2008-06-24 2010-01-06 주식회사 케이씨텍 노즐유닛 및 이를 포함하는 기판세정장치
JP2010050226A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
KR20120122858A (ko) * 2011-04-29 2012-11-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN103531503A (zh) * 2012-06-29 2014-01-22 细美事有限公司 用于处理基板的方法和装置
CN105895560A (zh) * 2015-02-18 2016-08-24 株式会社思可林集团 基板处理装置

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