CN105895560A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个上游流路包括分支成多个下游流路的分支上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置，将经由多个上游流路供给的处理液向由基板保持单元保持的基板的上表面喷出。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置。作为成为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在日本国特开2006-344907号公报中公开了一种对半导体晶片等基板一张一张进行处理的单张式的基板处理装置。所述基板处理装置具有将基板保持为水平并使基板旋转的旋转卡盘和向由旋转卡盘保持的基板的上表面中央部喷出温度比室温高的处理液的喷嘴。从喷嘴喷出的高温的处理液着落在基板的上表面中央部后，沿正在旋转的基板的上表面向外方流动。由此，高温的处理液被供给到基板的整个上表面。
着落在正在旋转的基板的上表面中央部上的处理液沿着基板的上表面从中央部向周缘部流动。在该过程中，处理液的温度逐渐下降。因此，温度的均一性下降，导致处理的均一性恶化。如果使从喷嘴喷出的处理液的流量增加，则能够缩短处理液到达基板的上表面周缘部的时间，因此，处理液的温度下降程度减轻，但是在该情况下，会导致处理液的消耗量增加。
发明内容
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。
所述处理液供给系统包括供给流路、多个上游流路、多个下游流路和多个喷出口。所述供给流路将处理液向多个所述上游流路引导。多个所述上游流路从所述供给流路分支，将从所述供给流路供给的处理液向多个所述喷出口引导。多个所述喷出口包括主喷出口和多个副喷出口，所述主喷出口向所述基板的上表面中央部喷出处理液，多个所述副喷出口向从所述上表面中央部离开且距所述旋转轴线的距离不同的所述基板的上表面内的多个位置分别喷出处理液，多个所述喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置，将经由多个所述上游流路供给的处理液向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出。多个所述上游流路包括与所述主喷出口连接的主上游流路和经由多个所述下游流路与多个所述副喷出口连接的多个副上游流路。多个所述副上游流路都是分支成多个所述下游流路的分支上游流路，在每个所述下游流路设置有所述副喷出口。
根据该结构，引导处理液的供给流路分支成多个上游流路。由此，能够使喷出口的数量增加。进而，分支成多个下游流路的分支上游流路包含于多个上游流路，所以能够使喷出口的数量进一步增加。在供给流路内流动的处理液从上游流路或下游流路向喷出口供给，向围绕旋转轴线旋转的基板的上表面喷出。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。因此，与仅使1个喷出口喷出处理液的情况相比较，能够提高基板上的处理液的温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
在使多个喷出口向在径向上分离的多个位置喷出处理液的情况下，向基板的各部供给同一品质的处理液对于提高处理的均一性很重要。在每个喷出口设置罐和过滤器等的情况下，能够将品质与向某个喷出口供给的处理液不同的处理液向其他喷出口供给。相对于此，在本实施方式中，使供给流路分支，使各喷出口喷出从同一流路(供给流路)供给的处理液。由此，能够使各喷出口喷出同一品质的处理液。进而，与在每个喷出口设置罐和过滤器等的结构相比较，能够削减部件个数，简化维护作业。
在本实施方式中，以下的至少一个特征可以加入所述基板处理装置。
所述处理液供给系统还包括上游加热器和多个下游加热器，
所述上游加热器以上游温度对向所述供给流路供给的处理液进行加热，
多个所述下游加热器分别与多个所述副上游流路连接，以比所述上游温度高的下游温度对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热。
在处理液的温度比基板的温度高的情况下，处理液的热被基板夺去。另外，由于处理液与基板一起旋转，所以基板上的处理液一边被空气冷却，一边沿着基板的上表面向外方流动。基板的各部的周速随着离开旋转轴线而增加。周速越大，则基板上的处理液越容易冷却。另外，当假定将基板的上表面在径向上以等间隔分割成多个圆环状的区域时，各区域的面积随着从旋转轴线离开而增加。当表面积大，热容易从处理液向圆环状的区域移动。因此，当从喷出口喷出的处理液的温度都相同时，有时无法得到充分的温度的均一性。
根据该结构，由下游加热器以比上游温度高的下游温度加热的处理液从多个副上游流路向多个副喷出口供给，并从这些喷出口喷出。也就是说，上游温度的处理液从主喷出口喷出，另一方面，温度比上游温度高的处理液从多个副喷出口喷出。这样，由于向基板的上表面供给的处理液的温度随着从旋转轴线离开而阶梯式增加，所以与使各喷出口喷出相同温度的处理液的情况相比较，能够提高基板上的处理液的温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
所述处理液供给系统还包括多个返回流路、多个下游加热器和下游切换单元，多个所述返回流路在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，
多个所述下游加热器在所述返回流路和所述副上游流路的连接位置的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，对在多个所述副上游流路内流动的液体进行加热，
所述下游切换单元能够切换到包括从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述喷出口供给的喷出状态和从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述返回流路供给的喷出停止状态的多个状态中的某个状态。
处理液的温度有时对基板的处理造成大的影响。当在喷出停止中使下游加热器停止时，在再次开始下游加热器的运转时，由下游加热器加热的处理液的温度稳定在想要的温度之前花费时间。因此，无法立刻再次开始处理液的喷出，使吞吐量(每单位时间的基板的处理张数)下降。因此，优选即使在喷出停止中也使下游加热器对液体加热。
根据该结构，在喷出停止中，向上游流路供给液体，使下游加热器加热。由下游加热器加热的液体不会从多个喷出口喷出，而从上游流路流向返回流路。因此，即使在喷出停止中也能维持下游加热器的温度稳定的状态。因此，能够立刻再次开始处理液的喷出。
所述基板处理装置还包括容纳由所述基板保持单元保持的基板的腔室，
所述分支上游流路在所述腔室内分支成多个所述下游流路。
根据该结构，多个下游流路的上游端配置在腔室内。分支上游流路在腔室内分支成多个下游流路。因此，与分支上游流路在腔室外分支的情况相比，能够缩短各下游流路的长度(液体流动的方向的长度)。由此，能够抑制由处理液向下游流路传热引起的处理液的温度下降。
所述处理液供给系统还包括第一喷嘴和第二喷嘴，
多个所述喷出口包括在所述第一喷嘴设置的第一喷出口和在所述第二喷嘴设置的第二喷出口，多个所述喷出口在俯视下在与所述旋转轴线垂直的径向上排列，
所述第一喷嘴包括在水平的长度方向延伸的第一臂部和从所述第一臂部的顶端向下方延伸的第一顶端部，
所述第二喷嘴包括在所述长度方向延伸的第二臂部和从所述第二臂部的顶端向下方延伸的第二顶端部，
所述第一臂部以及第二臂部在与所述长度方向垂直的水平的排列方向排列，
所述第一臂部的顶端和所述第二臂部的顶端以所述第一臂部的顶端位于所述旋转轴线侧的方式在俯视下在所述长度方向上分离。
根据该结构，多个喷出口在俯视下沿径向排列。当以多个喷出口在俯视下沿径向排列的方式将相同长度的多个喷嘴在与长度方向垂直的水平方向排列时，多个喷嘴全体的宽度增加(参照图9)。当以多个喷出口在俯视下沿径向排列的方式将长度不同的多个喷嘴沿铅垂方向排列时，多个喷嘴整体的高度增加(参照图10A以及图10B)。
相对于此，当将第一臂部以及第二臂部在与长度方向垂直的水平的排列方向排列，并以第一臂部的顶端位于旋转轴线侧的方式将第一臂部的顶端和第二臂部的顶端在俯视下在长度方向上错开时，能够抑制多个喷嘴整体的宽度以及高度，并能将多个喷出口在俯视下沿径向排列(参照图4)。由此，能够使多个喷嘴和待机容器等的关联的构件小型化。
多个所述喷出口包括倾斜喷出口，该倾斜喷出口向喷出方向喷出处理液，该喷出方向以随着接近由所述基板保持单元保持的基板的上表面而接近所述旋转轴线的方式相对于所述基板的上表面倾斜。
根据该结构，多个喷出口所包含的倾斜喷出口向相对于基板的上表面向内侧倾斜的喷出方向喷出处理液。由于所喷出的处理液具有朝向旋转轴线的方向的动能，所以沿着基板的上表面向旋转轴线侧流动。然后，该处理液借助由基板的旋转产生的离心力沿着基板的上表面向外方流动，并从基板的上表面排出。因此，与处理液向与基板的上表面垂直的方向喷出的情况、相对于基板的上表面向外侧倾斜的方向喷出的情况相比较，在基板上的处理液的滞留时间增加。因此，能够有效利用处理液，降低处理液的消耗量。
所述基板处理装置还包括对所述处理液供给系统进行控制的控制装置，
所述处理液供给系统还包括多个喷出阀，
多个所述喷出口包括第一喷出口和相对于所述旋转轴线比所述第一喷出口配置得远的第二喷出口，
多个所述上游流路包括向所述第一喷出口引导处理液的第一上游流路和向所述第二喷出口引导处理液的第二上游流路，
多个所述喷出阀包括对所述第一上游流路进行开闭的第一喷出阀和对所述第二上游流路进行开闭的第二喷出阀，
所述控制装置以所述第二喷出阀打开的时间比所述第一喷出阀打开的时间长的方式，打开所述第一喷出阀以及第二喷出阀，然后，关闭所述第一喷出阀以及第二喷出阀。
控制装置可以以第二喷出阀、第一喷出阀的顺序依次打开第一喷出阀以及第二喷出阀，然后，同时关闭第一喷出阀以及第二喷出阀。控制装置也可以同时打开第一喷出阀以及第二喷出阀，然后以第一喷出阀、第二喷出阀的顺序依次关闭第一喷出阀以及第二喷出阀。控制装置可以以第二喷出阀、第一喷出阀的顺序依次打开第一喷出阀以及第二喷出阀，然后以第一喷出阀、第二喷出阀的顺序依次关闭第一喷出阀以及第二喷出阀。
根据该结构，第一喷出口配置在第二喷出口的内侧。从第一喷出口喷出的处理液着落在基板的上表面内的第一着落位置。从第二喷出口喷出的处理液着落在基板的上表面内的第二着落位置。第二着落位置是第一着落位置的外侧的位置。从第一喷出口以及第二喷出口喷出处理液由控制装置控制。
例如，控制装置在开始从第二喷出口喷出处理液后，开始从第一喷出口喷出处理液。然后，控制装置同时结束来自第一喷出口的处理液的喷出和来自第二喷出口的处理液的喷出。因此，处理液相对于第二着落位置的外侧的区域的供给时间比处理液相对于第二着落位置的内侧的区域的处理液的供给时间长。
在仅使1个喷出口喷出处理液的情况下，蚀刻速率(每单位时间的基板的蚀刻量)有随着从基板的中央部离开而减少的趋势。因此，通过随着从基板的中央部离开而使处理液的供给时间增加，能使在基板的中央部以外的位置的蚀刻量增加。由此，能够提高处理的均一性。
所述处理液供给系统还包括喷嘴移动单元和喷出位置调整单元，
所述喷嘴移动单元使多个所述喷出口和所述喷出位置调整单元在多个所述喷出口和所述基板在俯视下重叠的处理位置与多个所述喷出口和所述基板在俯视下不重叠的待机位置之间水平移动，
所述喷出位置调整单元使多个所述喷出口在与所述喷嘴移动单元对多个所述喷出口的移动方向不同的水平的调整方向上移动。
根据该结构，喷嘴移动单元使多个喷出口和喷出位置调整单元在处理位置和待机位置之间水平移动。在处理位置，多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。当喷出位置调整单元使多个喷出口在调整方向上移动时，所有的喷出口接近或远离旋转轴线，处理液相对于基板的上表面的着落位置移动。通过使喷出位置调整单元移动多个喷出口，能够调整蚀刻的轮廓(蚀刻后的基板的上表面的剖面形状)。
本发明的其他实施方式提供一种基板处理装置，包括一边将基板保持为水平一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。
所述处理液供给系统包括供给流路、多个上游流路、多个喷出口和喷嘴移动单元。所述供给流路将处理液向多个所述上游流路引导。多个所述上游流路从所述供给流路分支，将从所述供给流路供给的处理液向多个所述喷出口引导。多个所述喷出口包括主喷出口和多个副喷出口，所述主喷出口向所述基板的上表面中央部喷出处理液，多个所述副喷出口向从所述上表面中央部离开且距所述旋转轴线的距离不同的所述基板的上表面内的多个位置分别喷出处理液，多个所述喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置，将经由多个所述上游流路供给的处理液向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出。多个所述上游流路包括与所述主喷出口连接的主上游流路和与多个所述副喷出口连接的多个副上游流路。所述喷嘴移动单元在所述基板保持单元使基板旋转，多个所述喷出口向所述基板的上表面喷出处理液的状态下，使多个所述喷出口摆动，由此使所述旋转轴线至多个所述喷出口的距离变化。多个喷出口的摆动既可以是往复移动，也可以是之字形移动。
根据该结构，引导处理液的供给流路分支成多个上游流路。由此，能够使喷出口的数量增加。在供给流路内流动的处理液经由上游流路向喷出口供给，向围绕旋转轴线旋转的基板的上表面喷出。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。因此，与仅使1个喷出口喷出处理液的情况相比较，能够提高基板上的处理液的温度的均一性。由此，能够降低处理液的消耗量，并提高处理的均一性。
进而，根据该结构，在基板旋转，多个喷出口喷出处理液的状态下，喷嘴移动单元使多个喷出口摆动。由此，从旋转轴线至各喷出口的距离变化。从多个喷出口喷出的处理液着落在基板的上表面内的多个着落位置。基板的蚀刻量在着落位置最大，随着离开着落位置而减少。由于多个喷出口水平移动，所以相应地，多个着落位置也在基板的上表面内移动。由此，与不使多个喷出口移动的情况相比较，能提高处理的均一性。
在本实施方式中，以下的至少一个特征能够加入到所述基板处理装置。
所述处理液供给系统还包括多个下游流路，
多个所述副上游流路都是分支成多个所述下游流路的分支上游流路，在每个所述下游流路上设置有所述副喷出口。
根据该结构，向多个喷出口供给处理液的流路以多阶段分支。即，供给流路分支成多个上游流路(第一分支)，多个上游流路所包含的分支上游流路分支成多个下游流路(第二分支)。因此，与分支上游流路不包含于多个上游流路的情况相比较，能够使喷出口的数量增加。由此，能够进一步提高基板上的处理液的温度的均一性，进一步提高处理的均一性。
所述基板处理装置还包括容纳由所述基板保持单元保持的基板的腔室，
所述分支上游流路在所述腔室内分支成多个所述下游流路。
根据该结构，多个下游流路的上游端配置在腔室内。分支上游流路在腔室内分支成多个下游流路。因此，与分支上游流路在腔室外分支的情况相比较，能够缩短各下游流路的长度(液体流动的方向的长度)。由此，能够抑制由处理液向下游流路传热引起的处理液的温度下降。
所述处理液供给系统还包括上游加热器和多个下游加热器，
所述上游加热器以上游温度对向所述供给流路供给的处理液进行加热，
多个所述下游加热器在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，以比所述上游温度高的下游温度对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热。
根据该结构，由下游加热器以比上游温度高的下游温度加热的处理液从多个副上游流路向多个副喷出口供给，并从这些喷出口喷出。也就是说，上游温度的处理液从主喷出口喷出，另一方面，温度比上游温度高的处理液从副喷出口喷出。这样，由于向基板的上表面供给的处理液的温度随着远离旋转轴线而阶梯式增加，所以与使各喷出口喷出相同温度的处理液的情况相比较，能够提高基板上的处理液的温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
所述处理液供给系统还包括多个返回流路、多个下游加热器和下游切换单元，
多个所述返回流路在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，
多个所述下游加热器在所述返回流路和所述副上游流路的连接位置的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，对在多个所述副上游流路内流动的液体进行加热，
所述下游切换单元能够切换到包括从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述喷出口供给的喷出状态和从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述返回流路供给的喷出停止状态的多个状态中的某个状态。
根据该结构，在喷出停止中，将处理液向上游流路供给，并使下游加热器加热。由下游加热器加热的处理液不会从多个喷出口喷出而从上游流路流向返回流路。因此，即使在喷出停止中也能够维持下游加热器的温度稳定的状态。因此，能够立刻再次开始处理液的喷出。
所述处理液供给系统还包括第一喷嘴和第二喷嘴，
多个所述喷出口包括在所述第一喷嘴设置的第一喷出口和在所述第二喷嘴设置的第二喷出口，多个所述喷出口在俯视下在与所述旋转轴线垂直的径向上排列，
所述第一喷嘴包括在水平的长度方向延伸的第一臂部和从所述第一臂部的顶端向下方延伸的第一顶端部，
所述第二喷嘴包括在所述长度方向延伸的第二臂部和从所述第二臂部的顶端向下方延伸的第二顶端部，
所述第一臂部以及第二臂部在与所述长度方向垂直的水平的排列方向排列，
所述第一臂部的顶端和所述第二臂部的顶端以所述第一臂部的顶端位于所述旋转轴线侧的方式在俯视下在所述长度方向上分离。
根据该结构，第一喷出口和第二喷出口在俯视下沿径向排列。当以多个喷出口在俯视下沿径向排列的方式将相同长度的多个喷嘴在与长度方向垂直的水平方向排列时，多个喷嘴全体的宽度增加(参照图9)。当以多个喷出口在俯视下沿径向排列的方式将长度不同的多个喷嘴沿铅垂方向排列时，多个喷嘴整体的高度增加(参照图10A以及图10B)。
相对于此，当将第一臂部以及第二臂部在与长度方向垂直的水平的排列方向排列，并以第一臂部的顶端位于旋转轴线侧的方式将第一臂部的顶端和第二臂部的顶端在俯视下在长度方向上错开时，能够抑制多个喷嘴整体的宽度以及高度，并能将多个喷出口在俯视下沿径向排列(参照图4)。由此，能够使多个喷嘴和待机容器等的关联的构件小型化。
本发明的其他实施方式提供一种基板处理装置，包括一边将基板保持为水平一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂旋转轴线旋转的基板保持单元、向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统、向由所述基板保持单元保持的基板供给气体的气体供给单元。
所述处理液供给系统包括供给流路、多个上游流路、多个喷出口。所述气体供给单元包括多个气体喷出口。所述供给流路将处理液向多个所述上游流路引导。多个所述上游流路从所述供给流路分支，将从所述供给流路供给的处理液向多个所述喷出口引导。多个所述喷出口包括主喷出口和多个副喷出口，所述主喷出口向所述基板的上表面中央部喷出处理液，多个所述副喷出口向从所述上表面中央部离开且距所述旋转轴线的距离不同的所述基板的上表面内的多个位置分别喷出处理液，多个所述喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置，将经由多个所述上游流路供给的处理液向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出。多个所述上游流路包括与所述主喷出口连接的主上游流路和与多个所述副喷出口连接的多个副上游流路。多个所述气体喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置，将温度比室温高的气体向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出。气体既可以是氮气等的非活性气体，也可以是由过滤器过滤后的清洁空气，还可以是除它们以外的气体。优选气体的温度比基板上的处理液的沸点低。
根据该结构，引导处理液的供给流路分支成多个上游流路。由此，能够使喷出口的数量增加。在供给流路内流动的处理液经由上游流路向喷出口供给，并向围绕旋转轴线旋转的基板的上表面喷出。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。因此，与仅使1个喷出口喷出处理液的情况相比较，能够提高基板上的处理液的温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
进而，根据该结构，在基板的上表面由处理液的液膜覆盖的状态下，气体喷出口向基板的上表面内的喷射位置喷出气体。气体的喷出压是喷射位置不会从处理液露出的压力。所喷出的气体是温度比室温高的高温的气体。因此，通过供给气体能够改善基板上的处理液的温度下降。进而，由于多个气体喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置，能够在径向上分离的多个位置对基板上的处理液进行加热。由此，能够提高处理液的温度的均一性。
在本实施方式中，以下的至少一个特征可以加入所述基板处理装置。
多个所述喷出口向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的多个着落位置喷出处理液，多个所述气体喷出口向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的多个喷射位置喷出气体，所述多个着落位置和所述多个喷射位置在与所述旋转轴线垂直的径向上以所述喷射位置位于相邻的2个所述着落位置之间的方式错开。位于相邻的2个气体喷出口之间的喷出口的数量既可以是2个以上(垂直图17)，也可以是1个。
根据该结构，多个着落位置和多个喷射位置不在周向(围绕旋转轴线的方向)排列而在径向上错开。基板的蚀刻量随着远离着落位置而减少，在径向上的2个着落位置的中间的位置最小。喷射位置是在径向上的2个着落位置之间的位置。因此，在2个着落位置之间的位置能够抑制或防止处理液的温度下降，在该位置的蚀刻量的减少得到改善。由此，处理的均一性提高。
所述处理液供给系统还包括多个下游流路，
多个所述副上游流路都是分支成多个所述下游流路的分支上游流路，在每个所述下游流路上设置有所述副喷出口。
根据该结构，向多个喷出口供给处理液的流路以多阶段分支。即，供给流路分支成多个上游流路(第一分支)，多个上游流路所包含的分支上游流路分支成多个下游流路(第二分支)。因此，与分支上游流路不包含于多个上游流路的情况相比较，能够使喷出口的数量增加。由此，能够进一步提高基板上的处理液的温度的均一性，进一步提高处理的均一性。
所述基板处理装置还包括容纳由所述基板保持单元保持的基板的腔室，
所述分支上游流路在所述腔室内分支成多个所述下游流路。
根据该结构，多个下游流路的上游端配置在腔室内。分支上游流路在腔室内分支成多个下游流路。因此，与分支上游流路在腔室外分支的情况相比较，能够缩短各下游流路的长度(液体流动的方向的长度)。由此，能够抑制由处理液向下游流路传热引起的处理液的温度下降。
所述处理液供给系统还包括上游加热器和多个下游加热器，
所述上游加热器以上游温度对向所述供给流路供给的处理液进行加热，
多个所述下游加热器在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，以比所述上游温度高的下游温度对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热。
根据该结构，由下游加热器以比上游温度高的下游温度加热的处理液从多个副上游流路向多个副喷出口供给，并从这些喷出口喷出。也就是说，上游温度的处理液从主喷出口喷出，另一方面，温度比上游温度高的处理液从副喷出口喷出。这样，由于向基板的上表面供给的处理液的温度随着远离旋转轴线而阶梯式增加，所以与使各喷出口喷出相同温度的处理液的情况相比较，能够提高基板上的处理液的温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
所述处理液供给系统还包括多个返回流路、多个下游加热器、下游切换单元，多个所述返回流路在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，多个所述下游加热器在所述返回流路和所述副上游流路的连接位置的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热，所述下游切换单元切换到包括从所述供给流路供给到多个所述上游流路的处理液向多个所述喷出口供给的喷出状态和从所述供给流路供给到多个所述上游流路的处理液向多个所述返回流路供给的喷出停止状态的多个状态中的某个状态。
根据该结构，在喷出停止中，将处理液向上游流路供给，并使下游加热器加热。由下游加热器加热的处理液不会从多个喷出口喷出而从上游流路流向返回流路。因此，即使在喷出停止中也能够维持下游加热器的温度稳定的状态。因此，能够立刻再次开始处理液的喷出。
所述处理液供给系统还包括第一喷嘴和第二喷嘴，
多个所述喷出口包括在所述第一喷嘴设置的第一喷出口和在所述第二喷嘴设置的第二喷出口，多个所述喷出口在俯视下在与所述旋转轴线垂直的径向上排列，
所述第一喷嘴包括在水平的长度方向延伸的第一臂部和从所述第一臂部的顶端向下方延伸的第一顶端部，
所述第二喷嘴包括在所述长度方向延伸的第二臂部和从所述第二臂部的顶端向下方延伸的第二顶端部，
所述第一臂部以及第二臂部在与所述长度方向垂直的水平的排列方向排列，
所述第一臂部的顶端和所述第二臂部的顶端以所述第一臂部的顶端位于所述旋转轴线侧的方式在俯视下在所述长度方向上分离。
根据该结构，第一喷出口和第二喷出口在俯视下沿径向排列。当以多个喷出口在俯视下沿径向排列的方式将相同长度的多个喷嘴在与长度方向垂直的水平方向排列时，多个喷嘴全体的宽度增加(参照图9)。当以多个喷出口在俯视下沿径向排列的方式将长度不同的多个喷嘴沿铅垂方向排列时，多个喷嘴整体的高度增加(参照图10A以及图10B)。
相对于此，当将第一臂部以及第二臂部在与长度方向垂直的水平的排列方向排列，并以第一臂部的顶端位于旋转轴线侧的方式将第一臂部的顶端和第二臂部的顶端在俯视下在长度方向上错开时，能够抑制多个喷嘴整体的宽度以及高度，并能将多个喷出口在俯视下沿径向排列(参照图4)。由此，能够使多个喷嘴和待机容器等的关联的构件小型化。
本发明的其他实施方式提供一种基板处理装置，包括一边将基板保持为水平一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂旋转轴线旋转的基板保持单元、向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。
所述处理液供给系统包括供给流路、多个上游流路、多个喷出口、第一喷嘴、第二喷嘴。所述供给流路将处理液向多个所述上游流路引导。多个所述上游流路从所述供给流路分支，并分别与多个所述喷出口连接，将从所述供给流路供给的处理液向多个所述喷出口引导。多个所述喷出口在所述第一喷嘴设置的第一喷出口和在所述第二喷嘴设置的第二喷出口，多个所述喷出口在俯视下在与所述旋转轴线垂直的径向上排列，将经由多个所述上游流路供给的处理液分别向包含所述基板的上表面中央部的所述基板的上表面内的多个位置喷出。所述第一喷嘴包括在水平的长度方向延伸的第一臂部和从所述第一臂部的顶端向下方延伸的第一顶端部。所述第二喷嘴包括在所述长度方向延伸的第二臂部和从所述第二臂部的顶端向下方延伸的第二顶端部。所述第一臂部以及第二臂部在与所述长度方向垂直的水平的排列方向排列。所述第一臂部的顶端和所述第二臂部的顶端以所述第一臂部的顶端位于所述旋转轴线侧的方式在俯视下在所述长度方向上分离。
根据该结构，引导处理液的供给流路分支成多个上游流路。由此，能够使喷出口的数量增加。在供给流路内流动的处理液从上游流路向喷出口供给，并向围绕旋转轴线旋转的基板的上表面喷出。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。因此，与仅使1个喷出口喷出处理液的情况相比较，能够提高基板上的处理液的温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
进而，根据该结构，多个喷出口在俯视下沿径向排列。当以多个喷出口在俯视下沿径向排列的方式将相同长度的多个喷嘴在与长度方向垂直的水平方向排列时，多个喷嘴全体的宽度增加(参照图9)。当以多个喷出口在俯视下沿径向排列的方式将长度不同的多个喷嘴沿铅垂方向排列时，多个喷嘴整体的高度增加(参照图10A以及图10B)。
相对于此，当将第一臂部以及第二臂部在与长度方向垂直的水平的排列方向排列，并以第一臂部的顶端位于旋转轴线侧的方式将第一臂部的顶端和第二臂部的顶端在俯视下在长度方向上错开时，能够抑制多个喷嘴整体的宽度以及高度，并能将多个喷出口在俯视下沿径向排列(参照图4)。由此，能够使多个喷嘴和待机容器等的关联的构件小型化。
本发明的其他实施方式提供一种基板处理装置，包括一边将基板保持为水平一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂旋转轴线旋转的基板保持单元、向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。
所述处理液供给系统包括供给流路、多个上游流路、多个下游加热器、集合流路、狭缝喷出口。所述供给流路分支成多个所述上游流路，将处理液向多个所述上游流路引导。多个所述上游流路包括多个副上游流路和主上游流路，多个所述副上游流路具有在俯视下在与所述旋转轴线垂直的径向上排列的的多个副下游端，所述主上游流路具有配置在所述多个副下游端的所述旋转轴线侧的主下游端。多个所述下游加热器分别与多个所述副上游流路连接，以向所述多个副下游端供给的处理液的温度随着从所述旋转轴线至所述副下游端的距离增加而变高的方式对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热。所述集合流路与多个所述副上游流路连接。所述狭缝喷出口在多个所述副上游流路的下游的位置与所述集合流路连接，并呈在俯视下在径向上在所述基板的上表面中央部和所述基板的上表面周缘部之间延伸的狭缝状，将从所述集合流路供给的处理液向所述基板的上表面喷出。集合流路主要与2个以上的副上游流路连接即可，也可以不与所有的副上游流路连接。
根据该结构，处理液从供给流路向多个上游流路供给。供给到多个上游流路所包含的的多个副上游流路的处理液由多个下游加热器加热。由多个下游加热器加热后的处理液从多个副上游流路向集合流路供给，并从狭缝喷出口向基板的上表面喷出。由此，在基板的上表面中央部和基板的上表面周缘部之间沿径向延伸的带状的液膜形成在狭缝喷出口和基板之间，着落在基板的上表面内的直线状的区域。
当从沿径向排列的多个喷出口向基板的上表面喷出处理液时，处理液着落于在径向上分离的的多个着落位置(处理液最初与基板接触的位置)。在处理液是蚀刻液的情况下，在着落位置的蚀刻速率(每单位时间的蚀刻量)比在相邻的2个着落位置之间的位置的蚀刻速率高。因此，导致处理的均一性下降。因此，通过使从狭缝喷出口喷出的处理液着落于在径向上连续的直线状的区域，能够防止这样的均一性的下降。
另外，向多个副上游流路的多个副下游端供给的处理液的温度随着从旋转轴线至副下游端的距离增加而变高。在多个副下游端的正下方的位置着落有与供给到多个副下游端的处理液相同或几乎相同的温度的处理液。相对于此，在所述正下方的位置之间的位置着落有供给到相邻的2个副下游端的处理液的混合液。也就是说，相互不同的温度的处理液供给到相邻的2个副下游端，该2个温度之间的温度的处理液着落在所述正下方的位置之间的位置。
这样，由于在狭缝喷出口的各位置的处理液的温度随着远离旋转轴线而阶梯式或连续地增加，所以与使均一的温度的处理液从狭缝喷出口喷出的情况向比较，能够提高在基板上的处理液的温度的均一性。由此，能够进一步提高处理的均一性。因此，与使处理液仅着落在基板的上表面中央部的情况相比较，能够一边降低向基板供给的处理液的消耗量一边提高处理的均一性。
另外，在基板的处理中，向基板的各部供给同一品质的处理液对于提高处理的均一性很重要。在每个上游流路设置罐和过滤器等的情况下，能够将品质与向某个上游流路供给的处理液不同的处理液向其他上游流路供给。相对于此，在本实施方式中，使同一流路(供给流路)内的处理液向各上游流路供给。由此，能够向基板的各部供给同一品质的处理液。进而，与在每个上游流路设置罐和过滤器等的结构相比较，能够削减部件个数，简化维护作业。
在本实施方式中，以下的至少一个特征可以加入所述基板处理装。
所述狭缝喷出口在俯视下在径向上从所述基板的上表面中央部延伸到所述基板的上表面周缘部。
根据该结构，狭缝喷出口在俯视下与基板的上表面中央部以及上表面周缘部重叠。从狭缝喷出口喷出的处理液同时着落在包含基板的上表面中央部以及上表面周缘部的直线状的区域。狭缝喷出口向正在旋转的基板的上表面喷出处理液。基板和所述直线状的区域的相对的位置关系因基板的旋转而变化。由此，由于处理液着落在基板的整个上表面，所以能够提高处理的均一性。
在俯视下，所述狭缝喷出口的宽度小于所述副上游流路的所述副下游端的宽度、例如所述副下游端的宽度的最大值。宽度是指，与径向(狭缝喷出口的长度方向)垂直的水平方向上的长度。
根据该结构，由于狭缝喷出口的宽度窄，所以供给到副上游流路的处理液的一部分在到达狭缝喷出口之前在集合流路内沿长度方向扩展，供给到副上游流路的剩余的处理液不在集合流路内沿狭缝喷出口的长度方向扩展的情况下到达狭缝喷出口。因此，处理液的一部分与供给到其他副上游流路的处理液在集合流路的内部或基板和狭缝喷出口之间的空间混合。由此，能够使向基板供给的处理液的温度随着远离旋转轴线而阶梯式或连续地增加。
所述集合流路的下游端的宽度与所述狭缝喷出口的宽度相等。优选所述集合流路的上游端的宽度在所述副下游端的宽度以上。所述集合流路的宽度既可以从上游端至下游端连续地减少，也可以阶梯式地减少。在集合流路的上游端的宽度在副下游端的宽度以上的情况下，在集合流路内的处理液的流动难以在集合流路的上游端受到妨碍。因此，与集合流路的上游端的宽度小于副下游端的宽度的情况相比较，能够降低从狭缝喷出口喷出的处理液的压力下降程度。
所述处理液供给系统还包括多个返回流路和下游切换单元，多个所述返回流路在多个所述下游加热器的下游的位置分别与多个所述副上游流路相连接，所述下游切换单元能够切换到包括从所述供给流路供给到多个所述上游流路的处理液向所述狭缝喷出口供给的喷出状态和从所述供给流路供给到多个所述上游流路的处理液向多个所述返回流路供给的喷出停止状态的多个状态中的某个状态。
根据该结构，在喷出停止中将处理液向上游流路供给，并使下游加热器加热。由下游加热器加热过的处理液不从狭缝喷出口喷出而从上游流路流向返回流路。因此，即使在喷出停止中也能够维持下游加热器的温度稳定的状态。因此，能够再次开始处理液的喷出。
本发明的前述的、或其他目的、特征以及效果通过参照附图进行的下述的实施方式的说明就更加清楚。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的处理液供给系统的示意图，示出喷出状态的处理液供给系统。
图2是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的处理液供给系统的示意图，示出喷出停止状态的处理液供给系统。
图3是表示基板处理装置所具有的处理单元的内部的示意性的主视图。
图4是表示基板处理装置所具有的处理单元的内部的示意性的俯视图。
图5是表示多个喷嘴的示意性的主视图。
图6是表示多个喷嘴的示意性的俯视图。
图7是用于说明由基板处理装置执行的基板的处理的一例的工序图。
图8是表示基板的蚀刻量的分布的曲线图。
图9是表示第一实施方式的第一变形例的多个喷嘴的示意性的俯视图。
图10A以及图10B是表示第一实施方式的第二变形例的多个喷嘴的示意图。图10A是表示多个喷嘴的示意性的主视图，图10B是表示多个喷嘴的示意性的俯视图。
图11是表示第一实施方式的第三变形例的多个喷嘴的示意性的主视图。
图12是表示第一实施方式的第四变形例的药液的喷出时期的时序图。
图13是表示第一实施方式的第五变形例的喷出位置调整单元的示意性的主视图。
图14是表示处理前后的薄膜的厚度和向基板供给的处理液的温度的关系的曲线图。
图15是表示本发明的第二实施方式的多个喷嘴的示意性的俯视图。
图16是表示基板的蚀刻量的分布的曲线图。
图17是表示本发明的第三实施方式的多个喷嘴以及多个气体喷嘴的示意性的主视图。
图18是表示多个喷嘴以及多个气体喷嘴的示意性的俯视图。
图19是用于说明由基板处理装置执行的基板的处理的一例的工序图。
图20是表示基板的蚀刻量的分布的曲线图。
图21是表示本发明的第四实施方式的基板处理装置的处理液供给系统的示意图，示出喷出状态的处理液供给系统。
图22是表示本发明的第四实施方式的基板处理装置的处理液供给系统的示意图，示出喷出停止状态的处理液供给系统。
图23是表示基板处理装置所具有的处理单元的内部的示意性的主视图。
图24是表示基板处理装置所具有的处理单元的内部的示意性的俯视图。
图25是表示水平观察的多个喷嘴以及喷嘴头的示意性的局部剖视图。
图26是表示多个喷嘴以及喷嘴头的示意性的俯视图。
图27是表示多个喷嘴以及喷嘴头的示意性的立体图。
图28是表示基板的蚀刻量的分布的曲线图。
图29A以及图29B是表示第四实施方式的第二变形例的多个喷嘴的示意图。图29A是表示多个喷嘴的示意性的主视图，图29B是表示多个喷嘴的示意性的俯视图。
图30是水平观察本发明的其他实施方式的多个喷嘴以及喷嘴头时的示意性的局部剖视图。
具体实施方式
图1以及图2是表示本发明的一实施方式的基板处理装置1的处理液供给系统的示意图。图1表示喷出状态的处理液供给系统，图2表示喷出停止状态的处理液供给系统。
基板处理装置1是对半导体晶片等圆板状的基板W一张一张进行处理的单张式的装置。基板处理装置1包括利用处理液对基板W进行处理的处理单元2、向处理单元2搬送基板W的搬送机械手(未图示)和对基板处理装置1进行控制的控制装置3。控制装置3是包括运算部和存储部的计算机。
基板处理装置1包括：多个流体箱5，容纳阀51等的流体设备，阀51对相对于处理单元2供给处理液以及停止供给处理液进行控制；多个贮存箱6，容纳罐41，该罐41贮存经由流体箱5向处理单元2供给的处理液。处理单元2以及流体箱5配置在基板处理装置1的框体4中。处理单元2的腔室7和流体箱5在水平方向上排列。贮存箱6配置在框体4外。贮存箱6也可以配置在框体4中。
图3是表示处理单元2的内部的示意性的主视图。图4是表示处理单元2的内部的示意性的俯视图。
如图3所示，处理单元2包括：箱型的腔室7；旋转卡盘11，在腔室7内将基板W保持为水平并使基板W围绕基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1旋转；筒状的杯15，挡住从基板W排出的处理液。
如图4所示，腔室7包括设置有用于基板W通过的搬入搬出口8a的箱型的间隔壁8和对搬入搬出口8a进行开闭的闸门9。闸门9能够相对于间隔壁8在搬入搬出口8a被打开的打开位置和搬入搬出口8a被关闭的关闭位置(图4所示的位置)之间移动。未图示搬送机械手通过搬入搬出口8a向腔室7搬入基板W，通过搬入搬出口8a从腔室7搬出基板W。
如图3所示，旋转卡盘11包括：圆板状的旋转基座12，以水平姿势保持；多个卡盘销13，在旋转基座12的上方将基板W保持为水平姿势；旋转马达14，通过使多个卡盘销13旋转，能够使基板W围绕旋转轴线A1旋转。旋转卡盘11并不限于使多个卡盘销13与基板W的周端面接触的夹持式的卡盘，也可以是通过使作为非器件形成面的基板W的背面(下表面)吸附在旋转基座12的上表面来将基板W保持为水平的真空式的卡盘。
如图3所示，杯15包括围绕旋转轴线A1包围旋转卡盘11的筒状的防溅板(Splash guard)17和围绕旋转轴线A1包围防溅板17的圆筒状的外壁16。处理单元2包括防溅板升降单元18，防溅板升降单元18使防溅板17在防溅板17的上端位于旋转卡盘11对基板W的保持位置的上方的上位置(图3所示的位置)和防溅板17的上端位于旋转卡盘11对基板W的保持位置的下方的下位置之间，沿铅垂方向升降。
如图3所示，处理单元2包括向由旋转卡盘11保持的基板W的上表面并向下方喷出冲洗液的冲洗液喷嘴21。冲洗液喷嘴21与安装有冲洗液阀23的冲洗液配管22连接。处理单元2可以具有使冲洗液喷嘴21在处理位置和待机位置之间移动的喷嘴移动单元。
当冲洗液阀23打开时，冲洗液从冲洗液配管22向冲洗液喷嘴21供给，并从冲洗液喷嘴21喷出。冲洗液例如是纯水(去离子水：Deionized water)。冲洗液并不限于纯水，可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、以及稀释浓度(例如、10～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。
如图4所示，处理单元2包括：多个喷嘴26(第一喷嘴26A、第二喷嘴26B、第三喷嘴26C、以及第四喷嘴26D)，向下方喷出药液；支架25，保持多个喷嘴26；喷嘴移动单元24，通过使支架25移动，使多个喷嘴26在处理位置(在图4中以双点划线所示的位置)和待机位置(在图4中以实线所示的位置)之间移动。
药液的代表例为TMAH(四甲基氢氧化铵)等的蚀刻液和SPM(含有硫酸以及过氧化氢的混合液)等的抗蚀剂剥离液。药液并不限于TMAH以及SPM，可以是含有硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、TMAH以外的有机碱、表面活性剂、防腐剂中的至少一个的液体。
如图3所示，各喷嘴26包括被支架25悬臂支撑的喷嘴主体27。喷嘴主体27包括从支架25沿水平的长度方向D1延伸的臂部28和从臂部28的顶端28a向下方延伸的顶端部29。臂部28的顶端28a是指，在俯视下在长度方向D1上离支架25最远的部分。
如图4所示，多个臂部28以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序在与长度方向D1垂直的水平的排列方向D2上排列。多个臂部28配置在相同的高度。在排列方向D2上相邻的2个臂部28的间隔既可以与其他的任意的间隔相同，也可以与其他间隔中的至少一个不同。图4示出多个臂部28以等间隔配置的例子。
在长度方向D1上的多个臂部28的长度以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D顺序变短。多个喷嘴26的顶端(多个臂部28的顶端28a)以在长度方向D1上以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序排列的方式在长度方向D1上错开。多个喷嘴26的顶端在俯视下呈直线状排列。
喷嘴移动单元24使支架25围绕在杯15的周围铅垂延伸的喷嘴转动轴线A2转动，从而使多个喷嘴26沿着在俯视下通过基板W的圆弧状的路径移动。由此，多个喷嘴26在处理位置和待机位置之间水平移动。处理单元2包括在多个喷嘴26的待机位置的下方配置的有底筒状的待机容器35。待机容器35在俯视下配置在杯15的周围。
处理位置是从多个喷嘴26喷出的药液着落在基板W的上表面上的位置。在处理位置，多个喷嘴26和基板W在俯视下重叠，多个喷嘴26的顶端在俯视下从旋转轴线A1侧以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序沿径向Dr排列。此时，第一喷嘴26A的顶端在俯视下与基板W的中央部重叠，第四喷嘴26D的顶端在俯视下与基板W的周缘部重叠。
待机位置是多个喷嘴26以多个喷嘴26和基板W在俯视下不重叠的方式退避的位置。在待机位置，多个喷嘴26的顶端以在俯视下沿着杯15的外周面(外壁16的外周面)的方式位于杯15的外侧，以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序沿周向(围绕旋转轴线A1的方向)排列。多个喷嘴26以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序远离旋转轴线A1配置。
接着，参照图5以及图6对多个喷嘴26进行说明。然后，对处理液供给系统进行说明。
在以下的说明中，有时在与第一喷嘴26A对应的结构的先头以及末尾分别标注“第一”以及“A”。例如，有时将与第一喷嘴26A对应的上游流路48称为“第一上游流路48A”。对与第二喷嘴26B～第四喷嘴26D对应的结构也同样。
另外，在以下的说明中，有时将上游加热器43对处理液的加热温度称为上游温度，将下游加热器53对处理液的加热温度称为下游温度。有时也将第二下游加热器53～第四下游加热器53对处理液的加热温度分别称为第二下游温度～第四下游温度。
如图5所示，喷嘴主体27包括：树脂管30，引导处理液；剖面呈筒状的芯件31，包围树脂管30；剖面呈筒状的树脂涂层32，包围芯件31的外表面。第一喷嘴26A以外的各喷嘴26还包括在喷嘴主体27的顶端部29安装的喷嘴头33。
喷嘴主体27形成沿喷嘴主体27延伸的1个流路。喷嘴头33形成对从喷嘴主体27供给的处理液进行引导的多个流路。喷嘴主体27的流路形成在喷嘴主体27的外表面开口的喷出口34。喷嘴头33的多个流路形成在喷嘴头33的外表面开口的多个喷出口34。喷嘴主体27的流路相当于后述的上游流路48的一部分。喷嘴头33的各流路相当于后述的下游流路52。第一上游流路48A～第四上游流路48D的下游端分别配置在距旋转轴线A1的距离不同的多个位置。
图5以及图6示出在多个喷嘴26设置的喷出口34的总数为10个的例子。第一喷嘴26A包括在喷嘴主体27设置的1个喷出口34。第一喷嘴26A以外的各喷嘴26包括在喷嘴头33设置的3个喷出口34。在同一喷嘴头33设置的3个喷出口34由3个喷出口34中最接近旋转轴线A1的内侧喷出口、3个喷出口34中距旋转轴线A1最远的外侧喷出口、和在内侧喷出口和外侧喷出口之间配置的中间喷出口构成。
如图6所示，多个喷出口34在俯视下呈直线状排列。两端的2个喷出口34的间隔在基板W的半径以下。相邻的2个喷出口34的间隔既可以与其他的任意的间隔相同，也可以与其他间隔的至少一个不同。另外，多个喷出口34既可以配置在相同的高度，也可以配置在2个以上的不同的高度。
当多个喷嘴26配置在处理位置时，多个喷出口34分别配置在距旋转轴线A1的距离(俯视下的最短距离)不同的多个位置。此时，多个喷出口34中的最接近旋转轴线A1的最内喷出口(第一喷出口34A)配置在基板W的中央部的上方，多个喷出口34中的距旋转轴线A1最远的最外喷出口(第四喷出口34D)配置在基板W的周缘部的上方。多个喷出口34在俯视下沿径向Dr排列。
在第一喷嘴26A设置的第一喷出口34A是向基板W的上表面中央部喷出处理液的主喷出口。在除了第一喷嘴26A以外的各喷嘴26上设置的第二喷出口34B～第四喷出口34D是向中央部以外的基板W的上表面的一部分喷出处理液的多个副喷出口。与第一喷出口34A连接的第一上游流路48A是主上游流路，与第二喷出口34B～第四喷出口34D连接的第二上游流路48B～第四上游流路48D是多个副上游流路。
如图5所示，各喷出口34沿与基板W的上表面垂直的喷出方向喷出药液。多个喷出口34向基板W的上表面内的多个着落位置喷出药液。多个着落位置是距旋转轴线A1的距离不同的分开的位置。当将多个着落位置中最接近旋转轴线A1的着落位置称为第一着落位置，将多个着落位置中第二接近旋转轴线A1的着落位置称为第二着落位置时，从第一喷出口34A喷出的药液着落在第一着落位置，从第二喷出口34B喷出的药液着落在第二着落位置。
接着，参照图1以及图2对处理液供给系统进行详细说明。
处理液供给系统包括：药液罐41，贮存药液；药液流路42，对从药液罐41输送的药液进行引导；上游加热器43，通过以比室温(例如20～30℃)高的上游温度对在药液流路42内流动的药液进行加热，来对药液罐41内的药液的温度进行调整；泵44，将药液罐41内的药液向药液流路42输送；循环流路40，使药液流路42内的药液返回到药液罐41。
处理液供给系统包括对药液流路42进行开闭的供给阀45、对循环流路40进行开闭的循环阀46和与药液流路42连接的供给流路47。上游切换单元包括供给阀45。
处理液供给系统包括将从供给流路47供给的液体向多个喷出口34引导的多个上游流路48、对在多个上游流路48内流动的液体的流量进行检测的多个流量计49、对在多个上游流路48内流动的液体的流量进行变更的多个流量调整阀50、对多个上游流路48分别进行开闭的多个喷出阀51。虽然未图示，但流量调整阀50包括对流路进行开闭的阀主体和对阀主体的开度进行变更的促动器。促动器既可以是空压促动器或电动促动器，也可以是除此以外的促动器。
处理液供给系统包括将从上游流路48供给的液体向多个喷出口34引导的多个下游流路52。除了第一上游流路48A以外的各上游流路48的下游端分支成多个下游流路52。也就是说，除了第一上游流路48A以外的各上游流路48是分支成多个下游流路52的分支上游流路。
在图1以及图2中，例示出分支上游流路分支为2个下游流路52的例子。在图5中，例示出分支上游流路分支为3个下游流路52的例子。从第二上游流路48B分支的3个下游流路52分别与在同一喷嘴头33设置的3个喷出口34(内侧喷出口、中间喷出口、以及外侧喷出口)连接。对于第三上游流路48C以及第四上游流路48D，也与第二上游流路48B同样。第一上游流路48A与在第一喷嘴26A设置的第一喷出口34A连接。
处理液供给系统包括以比上游温度高的下游温度对在除了第一上游流路48A以外的多个上游流路48内流动的液体进行加热的多个下游加热器53。处理液供给系统还包括在多个下游加热器53的下游的位置分别与除了第一上游流路48A以外的多个上游流路48连接的多个返回流路54、分别对多个返回流路54进行开闭的多个返回阀55。下游切换单元包括多个喷出阀51和多个返回阀55。
处理液供给系统包括对从多个返回流路54供给的药液进行冷却的冷却器56和从冷却器56向药液罐41引导药液的罐回收流路57。从多个返回流路54向冷却器56供给的药液被冷却器56冷却接近上游温度后，经由罐回收流路57引导至药液罐41。冷却器56既可以是水冷单元或空冷单元，也可以是除此外的冷却单元。
接着，参照图1，对多个喷出口34喷出药液的喷出状态的处理液供给系统进行说明。在图1中，打开的阀以黑色表示，关闭的阀以白色表示。
药液罐41内的药液由泵44向药液流路42输送。由泵44输送的药液被上游加热器43加热后，从药液流路42流向供给流路47，从供给流路47流向多个上游流路48。向除了第一上游流路48A以外的多个上游流路48(分支上游流路)供给的药液被下游加热器53加热后，流向多个下游流路52。
第一上游流路48A内的药液向在第一喷嘴26A设置的1个第一喷出口34A供给。第二上游流路48B内的药液经由多个下游流路52向在第二喷嘴26B设置的多个第二喷出口34B供给。对于第三上游流路48C以及第四上游流路48D也与第二上游流路48B同样。由此，从所有的喷出口34喷出药液。
下游加热器53对处理液的加热温度(下游温度)比上游加热器43对处理液的加热温度(上游温度)高。第二～第四下游温度以第二～第四下游温度的顺序变高。第一喷出口34A喷出上游温度的药液。各第二喷出口34B喷出第二下游温度的药液。各第三喷出口34C喷出第三下游温度的药液，各第四喷出口34D喷出第四下游温度的药液。因此，从多个喷出口34喷出的药液的温度随着离开旋转轴线A1而阶梯式地增加。
接着，参照图2，对停止从多个喷出口34喷出药液的喷出停止状态的处理液供给系统进行说明。在图2中，打开的阀以黑色表示，关闭的阀以白色表示。
药液罐41内的药液由泵44向药液流路42输送。由泵44输送的药液的一部分被上游加热器43加热后，经由循环流路40返回到药液罐41。由泵44输送的剩余的药液从药液流路42流向供给流路47，从供给流路47流向第一上游流路48A以外的多个上游流路48。
第二上游流路48B内的药液由与第二上游流路48B对应的下游加热器53加热后，经由返回流路54流向冷却器56。第三上游流路48C以及第四上游流路48D也与第二上游流路48B同样。供给到冷却器56的药液由冷却器56冷却后，经由罐回收流路57返回到药液罐41。由此，由泵44输送到药液流路42的所有的药液返回到药液罐41。
处理液的温度有时对基板W的处理造成显著的影响。当在喷出停止中使下游加热器53停止时，在再次开始下游加热器53的运转时，在由下游加热器53加热的处理液的温度稳定在想要的温度之前花费时间。因此，无法立刻再次开始处理液的喷出，吞吐量下降。
如前述那样，即使在喷出停止中，也继续使药液流向下游加热器53，使下游加热器53对药液加热。由此，能够维持下游加热器53的温度稳定的状态。进而，由于使由下游加热器53加热的药液返回到药液罐41，所以能减少药液的消耗量。而且，由于将由冷却器56冷却的药液返回到药液罐41，所以能够抑制药液罐41内的药液的温度的变动。
图7是用于说明由基板处理装置1执行的基板W的处理的一例的工序图。以下的各动作由控制装置3控制基板处理装置1来执行。以下参照图3以及图4。也适当参照图7。
在由处理单元2对基板W进行处理时，在多个喷嘴26从旋转卡盘11的上方退避，防溅板17位于下位置的状态下，由搬送机械手的手部(未图示)将基板W搬入腔室7内。由此，在表面向上的状态下将基板W放置在多个卡盘销13上。然后，搬送机械手的手部从腔室7的内部退避，腔室7的搬入搬出口8a由闸门9关闭。
在基板W放置在多个卡盘销13上后，多个卡盘销13按压在基板W的周缘部上，基板W由多个卡盘销13把持。另外，防溅板升降单元18使防溅板17从下位置移动到上位置。由此，防溅板17的上端配置在基板W的上方。然后，驱动旋转马达14，开始基板W的旋转。由此，基板W以规定的液体处理速度(例如数百rpm)旋转。
接着，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26从待机位置移动到处理位置。由此，多个喷出口34在俯视下与基板W重叠。然后，控制多个喷出阀51等，药液从多个喷嘴26同时喷出(图7的步骤S1)。多个喷嘴26在喷嘴移动单元24使多个喷嘴26静止的状态喷出药液。当从打开多个喷出阀51起经过规定时间时，同时停止从多个喷嘴26喷出药液(图7的步骤S2)。然后，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26从处理位置移动到待机位置。
从多个喷嘴26喷出的药液着落在正在旋转的基板W的上表面后，借助离心力沿着基板W的上表面向外方(从旋转轴线A1离开的方向)流动。到达基板W的上表面周缘部的药液向基板W的周围飞散，被防溅板17的内周面挡住。这样一来，药液供给到基板W的整个上表面，在基板W上形成覆盖基板W的整个上表面的药液的液膜。由此，基板W的整个上表面由药液处理。
在停止从多个喷嘴26喷出药液后，打开冲洗液阀23，开始从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液(纯水)(图7的步骤S3)。由此，基板W上的药液被冲洗液冲洗掉，形成覆盖基板W的整个上表面的冲洗液的液膜。当从打开冲洗液阀23起经过规定时间时，关闭冲洗液阀23，停止从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液(图7的步骤S4)。
在停止从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液后，基板W由旋转马达14在旋转方向上加速，以比液体处理速度更大的干燥速度(例如数千rpm)使基板W旋转(图7的步骤S5)。由此，在基板W附着的冲洗液甩到基板W的周围，使基板W干燥。当从开始基板W的高速旋转起经过规定时间时，停止旋转马达14以及基板W的旋转。
在停止基板W的旋转后，防溅板升降单元18使防溅板17从上位置移动到下位置。进而，解除多个卡盘销13对基板W的保持。搬送机械手在多个喷嘴26从旋转卡盘11的上方退避，防溅板17位于下位置的状态下，使手部进入腔室7的内部。然后，搬送机械手利用手部取下旋转卡盘11上的基板W，将该基板W从腔室7搬出。
图8是表示基板W的蚀刻量的分布的曲线图。
图8所示的测定值A～测定值C下的基板W的处理条件除了喷出药液的喷嘴外，都相同。
测定值A表示，一边使多个喷嘴26静止一边使多个喷出口34(10个喷出口34)喷出药液来对基板W进行蚀刻时的蚀刻量的分布。
测定值B表示，一边使卸下所有喷嘴头33的多个喷嘴26静止一边使多个喷出口34(4个喷出口34)喷出药液来对基板W进行蚀刻时的蚀刻量的分布。即，测定值B表示在使在4个喷嘴主体27分别设置的4个喷出口34(相当于第一喷出口34A)喷出药液时的蚀刻量的分布。
测定值C表示仅使1个喷出口34喷出药液并将药液的着落位置固定在基板W的上表面中央部时的蚀刻量的分布。
测定值C示出，蚀刻量随着离开基板W的中央部而减少，蚀刻量的分布呈山形的曲线。也就是说，蚀刻量在药液的着落位置最大，随着离开着落位置而减少。相对于此，测定值A以及测定值B与测定值C相比较，在基板W的中央部以外的位置的蚀刻量增加，蚀刻的均一性大幅度改善。
在测定值B，形成7个山。正中央的山的顶点是与最内侧的着落位置对应的位置，其外侧的2个山的顶点是与从内侧起第二个着落位置对应的位置。再外侧的2个山的位置是与从内侧起第三个着落位置对应的位置，最外侧的2个山的位置是与从内侧起第四个着落位置对应的位置。
在测定值A，与测定值B同样，形成与多个着落位置对应的多个山。相对于在测定值B，喷出口34的数量为4个，在测定值A，喷出口34的数量为10个，因此山的数量增加。进而，与测定值B比较，表示蚀刻量的分布的线接近沿左右方向延伸的直线(蚀刻量恒定的直线)，蚀刻的均一性得到改善。
如以上所述，在本实施方式中，引导处理液的供给流路47分支为多个上游流路48。由此，能够使喷出口34的数量增加。进而，由于分支成多个下游流路52的分支上游流路包含于多个上游流路48，所以能够使喷出口34的数量进一步增加。
在供给流路47内流动的处理液从上游流路48或下游流路52向喷出口34供给，并向围绕旋转轴线A1旋转的基板W的上表面喷出。多个喷出口34分别配置在距旋转轴线A1的距离不同的多个位置。因此，与仅使1个喷出口34喷出处理液的情况比较，能够提高基板W上的处理液的温度的均一性。由此，能够一边减少处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
另外，在本实施方式中，由下游加热器53以比上游温度高的下游温度加热的处理液从除了最内上游流路(第一上游流路48A)以外的上游流路48向除了最内喷出口(第一喷出口34A)以外的喷出口34供给，并从该喷出口34喷出。也就是说，上游温度的处理液从最内喷出口喷出，另一方面，温度比上游温度高的处理液从位于最内喷出口的外侧的喷出口34喷出。
这样，由于向基板W的上表面供给的处理液的温度随着从旋转轴线A1离开而阶梯式地增加，所以与使各喷出口34喷出相同温度的处理液的情况相比较，能够提高温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
另外，在本实施方式中，多个下游流路52的上游端配置在腔室7内。分支上游流路在腔室7内分支成多个下游流路52。因此，与分支上游流路在腔室7外分支的情况相比较，能够缩短各下游流路52的长度(液体流动的方向的长度)。由此，能够抑制由处理液向下游流路52传热引起的处理液的温度下降。
另外，在本实施方式中，多个上游流路48的上游端配置在流体箱5内。供给流路47在流体箱5内分支成多个上游流路48。因此，与供给流路47在流体箱5的上游的位置分支成多个上游流路48的情况相比较，能够缩短各上游流路48的长度(液体流动的方向的长度)。由此，能够抑制由处理液向上游流路48传热引起的处理液的温度下降。
另外，在本实施方式中，第一喷出口34A和第二喷出口34B在俯视下沿径向Dr排列。当以多个喷出口34在俯视下沿径向Dr排列的方式将相同长度的多个喷嘴26在与长度方向D1垂直的水平方向排列时，多个喷嘴26整体的宽度增加(参照图9)。当以多个喷出口34在俯视下径向Dr排列的方式将长度不同的多个喷嘴26沿铅垂方向排列时，多个喷嘴26整体的高度增加(参照图10A以及图10B)。
相对于此，在本实施方式中，将多个臂部28沿与长度方向D1垂直的水平的排列方向D2排列。进而，以多个臂部28的顶端28a在长度方向D1上从旋转轴线A1侧按第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序排列的方式，使多个臂部28的顶端28a在长度方向D1上错开(参照图4)。由此，能够抑制多个喷嘴26整体的宽度以及高度，并能够将多个喷出口34在俯视下沿径向Dr排列。
本发明并不限于前述的实施方式的内容，在本发明的范围内能够进行各种变更。
例如，在所述实施方式中，对喷嘴26的数量为4个的情况进行了说明，但是喷嘴26的数量既可以是2或3个，也可以是5个以上。
在所述实施方式中，对利用冷却器56冷却在返回流路54内向药液罐41流动的药液的情况进行了说明，但是也可以省略冷却器56。
在所述实施方式中，对使在喷出停止中由下游加热器53加热的液体从上游流路48流向返回流路54的情况进行了说明，但是在喷出停止中使下游加热器53停止的情况下，也可以省略返回流路54。
在所述实施方式中，对下游加热器53未设置在第一上游流路48A而在第一上游流路48A以外的所有的上游流路48上设置有下游加热器53的情况进行了说明，但是，也可以在包含第一上游流路48A的所有的上游流路48上设置下游加热器53。与此相反，也可以在所有的上游流路48上都不设置下游加热器53。对返回流路54也同样。
在所述实施方式中，对喷嘴头33未设置在第一喷嘴26A上，而在第一喷嘴26A以外的所有的喷嘴26上安装有喷嘴头33的情况进行了说明，但是，也可以在包含第一喷嘴26A的所有的喷嘴26上设置喷嘴头33。与此相反，也可以在所有的喷嘴26上都不设置喷嘴头33。
在所述实施方式中，对3个下游流路52和3个喷出口34形成在1个喷嘴头33上的情况进行了说明，但是在1个喷嘴头33上形成的下游流路52以及喷出口34的数量既可以是2个，也可以是4个以上。
在所述实施方式中，对分支上游流路(第一上游流路48A以外的上游流路48)在腔室7内分支成多个下游流路52的情况进行了说明，但是分支上游流路也可以在腔室7外分支。
在所述实施方式中，对多个喷出口34在俯视下沿着径向Dr排列的情况进行了说明，但是，只要多个喷出口34分别配置在距旋转轴线A1的距离不同的多个位置上即可，多个喷出口34也可以不在俯视下沿着径向Dr排列。
在所述实施方式中，对各喷出口34向与基板W的上表面垂直的喷出方向喷出处理液的情况进行了说明，但是，多个喷出口34可以包括倾斜喷出口34x，该倾斜喷出口34x向喷出方向喷出处理液，该喷出方向以随着接近基板W的上表面而接近旋转轴线A1的方式相对于基板W的上表面倾斜。图11示出如下例子，即，在喷嘴头33设置的多个喷出口34中最靠旋转轴线A1侧的内侧喷出口是倾斜喷出口34x。
根据该结构，由于从倾斜喷出口34x喷出的处理液具有朝向旋转轴线A1的方向的动能，所以沿着基板W的上表面流向旋转轴线A1一方。然后，该处理液借助由基板W的旋转产生的离心力，沿着基板W的上表面流向外方，并从基板W的上表面排出。因此，与处理液沿着与基板W的上表面垂直的方向喷出的情况、沿着相对于基板W的上表面向外侧倾斜的方向喷出的情况相比较，处理液在基板W上的滞留时间增加。因此，能够有效利用处理液，降低处理液的消耗量。
在所述实施方式中，对一边使多个喷嘴26静止一边使多个喷嘴26喷出药液的情况进行了说明，但是也可以一边使多个喷嘴26围绕喷嘴转动轴线A2转动一边使多个喷嘴26喷出药液。
在所述实施方式中，对所有的喷出阀51同时被打开，所有的喷出阀51同时被关闭的情况进行了说明，但是，控制装置3也可以以外侧的喷出口34喷出处理液的时间比内侧的喷出口34喷出处理液的时间长的方式，，控制多个喷出阀51。
例如，如图12所示，控制装置3可以以第四喷嘴26D～第一喷嘴26A的顺序使多个喷嘴26喷出处理液，然后，使多个喷嘴26同时停止喷出处理液。具体地说，控制装置3可以以第四喷出阀51～第一喷出阀51的顺序，依次打开4个喷出阀51，然后，同时关闭4个喷出阀51。在该情况下，处理液向基板W的上表面的各部的供给时间随着远离基板W的中央部而阶梯式增加。
在仅使1个喷出口34喷出处理液的情况下，蚀刻速率有随着远离基板W的中央部而减少的趋势。因此，通过随着远离基板W的中央部而使处理液的供给时间增加，能够使在基板W的中央部以外的位置的蚀刻量增加。由此，能够提高处理的均一性。
另外，如图13所示，处理单元2还可以具有喷出位置调整单元58，该喷出位置调整单元58使多个喷出口34在与喷嘴移动单元24对多个喷出口34的移动方向不同的水平的调整方向(在图13中为长度方向D1)移动。喷出位置调整单元58保持在支架25上。喷出位置调整单元58使多个喷嘴26相对于支架25在长度方向D1上移动。喷出位置调整单元58既可以是空压促动器或电动促动器，也可以是除它们以外的促动器。
根据该结构，喷嘴移动单元24使多个喷出口34和喷出位置调整单元58水平移动。在处理位置，多个喷出口34分别配置在距旋转轴线A1的距离不同的多个位置。当喷出位置调整单元58使多个喷出口34在调整方向上移动时，所有的喷出口34接近或远离旋转轴线A1，使处理液相对于基板W的上表面的着落位置移动。通过使喷出位置调整单元58移动多个喷出口34，能够调整蚀刻的轮廓(蚀刻后的基板W的上表面的剖面形状)。
在所述实施方式中，对设置有向供给流路47供给药液的药液流路42的情况进行了说明，但是也可以设置向供给流路47供给液体的多个处理液流路。
例如，第一液体可以从第一液体流路向供给流路47供给，第二液体可以从第二液体流路向供给流路47供给。在该情况下，由于第一液体以及第二液体在供给流路47混合，所以含有第一液体以及第二液体的混合液从供给流路47供给到多个上游流路48。第一液体以及第二液体既可以是同种的液体，也可以是不同的种类的液体。第一液体以及第二液体的具体例是硫酸以及过氧化氢的组合和TMAH以及纯水的组合。
控制装置3可以根据处理前的薄膜的厚度来控制向基板W的表面的各部供给的处理液的温度，由此使处理后的薄膜的厚度均一化。
图14是表示处理前后的薄膜的厚度和向基板W供给的处理液的温度的关系的曲线图。图14的点划线表示处理前的膜厚，图14的双点划线表示处理后的膜厚。图14的实线表示向基板W供给的处理液的温度。图14的横轴表示基板W的半径。处理前的膜厚既可以从基板处理装置1以外的装置(例如主计算机)向基板处理装置1输入，也可以由在基板处理装置1设置的测定器测定。
在图14所示的例子的情况下，控制装置3可以以处理液的温度与处理前的膜厚同样地变化的方式控制基板处理装置1。具体地说，控制装置3可以以在多个上游流路48的处理液的温度为与处理前的膜厚相应的温度的方式，控制多个下游加热器53。
在该情况下，向处理前的膜厚相对大的位置供给温度相对高的处理液，向处理前的膜厚相对小的位置供给温度相对低的处理液。在基板W的表面形成的薄膜的蚀刻量在被供给高温的处理液的位置相对增加，在被供给低温的处理液的位置相对减少。因此，处理后的薄膜的厚度得以均一化。
可以组合前述的所有的结构的2个以上。也可以组合前述的所有的工序的2个以上。
第二实施方式
接着，对本发明的第二实施方式进行说明。对与前述的各部分同等的结构部分，标注与图1等相同的附图标记，并省略说明。
在由处理单元2处理基板W时，在多个喷嘴26从旋转卡盘11的上方退避，并且防溅板17位于下位置的状态下，由搬送机械手的手部(未图示)将基板W搬入腔室7内。由此，基板W以表面朝上的状态放置在多个卡盘销13上。然后，搬送机械手的手部从腔室7的内部退避，腔室7的搬入搬出口8a由闸门9关闭。
在基板W放置在多个卡盘销13上后，多个卡盘销13按压基板W的周缘部，基板W由多个卡盘销13把持。另外，防溅板升降单元18使防溅板17从下位置移动到上位置。由此，防溅板17的上端配置在基板W的上方。然后，驱动旋转马达14，开始基板W的旋转。由此，基板W以规定的液体处理速度(例如数百rpm)旋转。
接着，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26从待机位置移动到处理位置。由此，多个喷出口34在俯视下与基板W重叠。然后，控制多个喷出阀51等，从多个喷嘴26同时喷出药液(图7的步骤S1)。多个喷嘴26在喷嘴移动单元24使多个喷嘴26围绕旋转轴线A1摆动的状态下喷出药液(关于摆动，参照图15的双点划线)。当从打开多个喷出阀51起经过规定时间时，同时停止从多个喷嘴26喷出药液(图7的步骤S2)。然后，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26从处理位置移动到待机位置。
从多个喷嘴26喷出的药液着落在正在旋转的基板W的上表面后，借助离心力沿着基板W的上表面向外方(远离旋转轴线A1的方向)流动。到达基板W的上表面周缘部的药液向基板W的周围飞散，被防溅板17的内周面挡住。这样一来，药液供给到基板W的整个上表面，覆盖基板W的整个上表面的药液的液膜形成在基板W上。由此，基板W的整个上表面由药液处理。
在停止从多个喷嘴26喷出药液后，打开冲洗液阀23，开始从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液(纯水)(图7的步骤S3)。由此，基板W上的药液由冲洗液冲洗掉，形成覆盖基板W的整个上表面的冲洗液的液膜。当从打开冲洗液阀23起经过规定时间时，关闭冲洗液阀23，停止从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液(图7的步骤S4)。
在停止从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液后，基板W被旋转马达14在旋转方向上加速，以比液体处理速度大的干燥速度(例如数千rpm)使基板W旋转(图7的步骤S5)。由此，在基板W上附着的冲洗液被甩到基板W的周围，使基板W干燥。当从开始使基板W以高速旋转起经过规定时间时，停止旋转马达14以及基板W的旋转。
在停止基板W的旋转后，防溅板升降单元18使防溅板17从上位置移动到下位置。进而，解除多个卡盘销13对基板W的保持。搬送机械手在多个喷嘴26从旋转卡盘11的上方退避，且防溅板17位于下位置的状态下，使手部进入腔室7的内部。然后，搬送机械手通过手部取下旋转卡盘11上的基板W，将该基板W从腔室7搬出。
图16是表示基板W的蚀刻量的分布的曲线图。
图16所示的测定值A～测定值C下的基板W的处理条件除了喷出药液的喷嘴外都相同。
测定值A表示一边使多个喷嘴26静止一边使多个喷出口34(10个喷出口34)喷出药液，来对基板W进行蚀刻时的蚀刻量的分布。
测定值B表示一边使卸下所有的喷嘴头33的多个喷嘴26静止一边使多个喷出口34(4个喷出口34)喷出药液，来对基板W进行蚀刻时的蚀刻量的分布。即，测定值B表示使在4个喷嘴主体27分别设置的4个喷出口34(相当于第一喷出口34A)喷出药液时的蚀刻量的分布。
测定值C表示仅使1个喷出口34喷出药液来将药液的着落位置固定在基板W的上表面中央部时的蚀刻量的分布。
在测定值C，示出随着远离基板W的中央部，蚀刻量减少，蚀刻量的分布呈山形的曲线。也就是说，蚀刻量在药液的着落位置最大，随着远离着落位置而减少。相对于此，在测定值A以及测定值B，与测定值C相比较，在基板W的中央部以外的位置的蚀刻量增加，蚀刻的均一性得以大幅度改善。
在测定值B，形成7个山。正中央的山的顶点是与最内侧的着落位置对应的位置，其外侧的2个山的顶点是与从内侧起第二个着落位置对应的位置。再外侧的2个山的位置是与从内侧起第三个着落位置对应的位置，最外侧的2个山的位置是与从内侧起第四个着落位置对应的位置。
在测定值A，与测定值B同样，形成与多个着落位置对应的多个山。相对于在测定值B，喷出口34的数量为4个，在测定值A，喷出口34的数量为10个，因此山的数量增加。进而，与测定值B比较，表示蚀刻量的分布的线接近沿左右方向延伸的直线(蚀刻量恒定的直线)，蚀刻的均一性得到改善。
如以上所述，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26围绕嘴转动轴线A2在从多个喷出口34喷出的药液着落在基板W的上表面的范围内摆动。此时，各喷出口34沿着在喷嘴转动轴线A2上具有中心的圆弧状的路径水平往复移动一回以上。因此，从旋转轴线A1至各喷出口34的距离发生变化。
测定值A以及测定值B表示一边使多个喷嘴26静止一边对基板W蚀刻时的蚀刻量的分布。当喷嘴移动单元24使多个喷嘴26摆动时，由于落位置在向Dr上移动，所以表示蚀刻量的分布的线进一步接近左右方向延伸的直线(蚀刻量恒定的直线)。由此，能够进一步提高蚀刻的均一性。
在第二实施方式中，除了第一实施方式的作用效果外，还能够具有以下的作用效果。
另外，在本实施方式中，在基板W正在旋转，多个喷出口34喷出药液的状态下，喷嘴移动单元24使多个喷出口34摆动。由此，从旋转轴线A1至各喷出口34的距离发生变化。从多个喷出口34喷出的药液着落在基板W的上表面内的多个着落位置。基板W的蚀刻量在着落位置最大，随着远离着落位置而减少。由于多个喷出口34水平移动，所以相应地，多个着落位置也在基板W的上表面内移动。由此，与不使多个喷出口34移动的情况相比较，能够提高处理的均一性。
另外，在本实施方式中，由下游加热器53以比上游温度高的下游温度加热的处理液从除了最内上游流路(第一上游流路48A)以外的上游流路48向除了最内喷出口(第一喷出口34A)以外的喷出口34供给，并从该喷出口34喷出。也就是说，上游温度的处理液从最内喷出口喷出，另一方面，温度比上游温度高的处理液从位于最内喷出口的外侧的喷出口34喷出。
由于向基板W的上表面供给的处理液的温度随着从旋转轴线A1离开而阶梯式地增加，所以与使各喷出口34喷出相同温度的处理液的情况相比较，能够提高温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
本发明并不限于前述的实施方式的内容，在本发明的范围内能够进行各种变更。
例如，对设置有向供给流路47供给药液的药液流路42的情况进行了说明，但是也可以设置有向供给流路47供给液体的多个处理液流路。
例如，第一液体可以从第一液体流路向供给流路47供给，第二液体可以从第二液体流路向供给流路47供给。在该情况下，由于第一液体以及第二液体在供给流路47混合，所以含有第一液体以及第二液体的混合液从供给流路47供给到多个上游流路48。第一液体以及第二液体既可以是同种的液体，也可以是不同的种类的液体。第一液体以及第二液体的具体例是硫酸以及过氧化氢的组合和TMAH以及纯水的组合。
可以组合前述的所有的结构的2个以上。也可以组合前述的所有的工序的2个以上。
第三实施方式
接着，对本发明的第三实施方式进行说明。对与前述的各部分同等的结构部分，标注与图1等相同的附图标记，并省略说明。
基板处理装置1包括通过向基板W喷出高温的气体来对基板W上的液体进行加热的气体供给单元。如图17以及图18所示，气体供给单元包括设置有向下方喷出气体的多个气体喷出口81的多个气体喷嘴82(第一气体喷嘴82A、第二气体喷嘴82B、以及第三气体喷嘴82C)。气体的一例是氮气。气体既可以是除了氮气以外的非活性气体，也可以是由过滤器过滤的清洁空气(Clean air)，还可以是除了这些以外的气体。
如图17所示，气体供给单元包括：向多个气体喷嘴82引导气体的气体配管83、以比室温高的温度对在气体配管83内向多个气体喷出口81流动的气体进行加热的气体加热器84、对气体配管83进行开闭的气体阀85。气体加热器84对气体的加热温度比室温高且比药液的沸点低。
第一气体喷嘴82A～第三气体喷嘴82C分别保持在第一喷嘴26A～第三喷嘴26C上。气体喷嘴82与喷嘴26一起移动。多个喷嘴26和多个气体喷嘴82在径向Dr上交替配置。多个喷出口34和多个气体喷出口81在俯视下沿着径向Dr排列。第一喷出口34A配置在最内侧的气体喷出口81的内方，第二喷出口34B配置在最内侧的气体喷出口81的外方。多个喷出口34和多个气体喷出口81在径向Dr上以气体喷出口81位于相邻的2个喷出口34之间的方式错开。
多个气体喷嘴82向基板W的上表面内的多个喷射位置P1～P3喷出气体。多个喷射位置P1～P3是距旋转轴线A1的距离分别不同的分开的位置。在图17中，用“×”表示药液着落的着落位置。分别与多个第二喷出口34B对应的多个着落位置在径向Dr上位于最内侧的喷射位置P1和中间的喷射位置P2之间。分别与多个第三喷出口34C对应的多个着落位置在径向Dr上位于中间的喷射位置P2和最外侧的喷射位置P3之间。
图19用于说明由基板处理装置1执行的基板W的处理的一例的工序图。以下的各动作通过控制装置3控制基板处理装置1来执行。以下，参照图3以及图4。适当参照图17以及图19。
在利用处理单元2处理基板W时，在多个喷嘴26从旋转卡盘11的上方退避，且防溅板17位于下位置的状态下，由搬送机械手的手部(未图示)将基板W搬入腔室7内。由此，基板W在表面朝上的状态下放置在多个卡盘销13上。然后，搬送机械手的手部从腔室7的内部退避，腔室7的搬入搬出口8a被闸门9关闭。
在基板W放置在多个卡盘销13上后，多个卡盘销13按压基板W的周缘部，基板W由多个卡盘销13把持。另外，防溅板升降单元18使防溅板17从下位置移动到上位置。由此，防溅板17的上端配置在基板W的上方。然后，驱动旋转马达14，开始基板W的旋转。由此，基板W以规定的液体处理速度(例如数百rpm)进行旋转。
接着，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26从待机位置移动到处理位置。由此，多个喷出口34在俯视下与基板W重叠。然后，控制多个喷出阀51等，从多个喷嘴26同时喷出药液(图19的步骤S1)。多个喷嘴26在喷嘴移动单元24使多个喷嘴26静止的状态下喷出药液。当从打开多个喷出阀51起经过规定时间时，同时停止从多个喷嘴26喷出药液(图19的步骤S2)。然后，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26从处理位置移动到待机位置。
从多个喷嘴26喷出的药液着落在正在旋转的基板W的上表面上后，借助离心力沿着基板W的上表面流向外方(离开旋转轴线A1的方向)。到达基板W的上表面周缘部的药液向基板W的周围飞散，被防溅板17的内周面挡住。这样一来，药液供给到基板W的整个上表面上，覆盖基板W的整个上表面的药液的液膜形成在基板W上。由此，基板W的整个上表面由药液处理。
另外，当多个喷嘴26配置在处理位置上时，打开气体阀85(参照图17)，氮气等的高温的气体从多个气体喷嘴82的气体喷出口81喷出。由此，向覆盖基板W的整个上表面的药液的液膜喷射高温的气体。当从打开气体阀85起经过规定时间时，关闭气体阀85，停止从多个气体喷嘴82喷出气体。只要气体的喷出期间的至少一部分与药液的喷出期间重叠既可，气体的喷出既可以与药液的喷出同时开始，也可以在药液的喷出之前或之后开始。对于气体的喷出停止也同样。
在停止从多个喷嘴26喷出药液后，打开冲洗液阀23，开始从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液(纯水)(图19的步骤S3)。由此，基板W上的药液被冲洗液冲洗掉，形成覆盖基板W的整个上表面的冲洗液的液膜。当从打开冲洗液阀23起经过规定时间时，关闭冲洗液阀23，停止从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液(图19的步骤S4)。
当停止从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液后，基板W由旋转马达14在旋转方向上加速，以比液体处理速度大的干燥速度(例如数千rpm)使基板W旋转(图19的步骤S5)。由此，在基板W上附着的冲洗液被甩到基板W的周围，使基板W干燥。当从开始使基板W以高速旋转起经过规定时间时，停止旋转马达14以及基板W的旋转。
在停止基板W的旋转后，防溅板升降单元18使防溅板17从上位置移动到下位置。进而，解除多个卡盘销13对基板W的保持。搬送机械手在多个喷嘴26从旋转卡盘11的上方退避，且防溅板17位于下位置的状态下，使手部进入腔室7的内部。然后，搬送机械手通过手部取下旋转卡盘11上的基板W，将该基板W从腔室7搬出。
图20是表示基板W的蚀刻量的分布的曲线图。
图20所示的测定值A～测定值C下的基板W的处理条件除了喷出药液的喷嘴外都相同。
测定值A表示一边使多个喷嘴26静止一边使多个喷出口34(10个喷出口34)喷出药液，来对基板W进行蚀刻时的蚀刻量的分布。
测定值B表示一边使卸下所有的喷嘴头33的多个喷嘴26静止一边使多个喷出口34(4个喷出口34)喷出药液，来对基板W进行蚀刻时的蚀刻量的分布。即，测定值B表示使在4个喷嘴主体27分别设置的4个喷出口34(相当于第一喷出口34A)喷出药液时的蚀刻量的分布。
测定值C表示仅使1个喷出口34喷出药液来将药液的着落位置固定在基板W的上表面中央部时的蚀刻量的分布。
在测定值C，示出随着远离基板W的中央部，蚀刻量减少，蚀刻量的分布呈山形的曲线。也就是说，蚀刻量在药液的着落位置最大，随着远离着落位置而减少。相对于此，在测定值A以及测定值B，与测定值C相比较，在基板W的中央部以外的位置的蚀刻量增加，蚀刻的均一性得以大幅度改善。
在测定值B，形成7个山。正中央的山的顶点是与最内侧的着落位置对应的位置，其外侧的2个山的顶点是与从内侧起第二个着落位置对应的位置。再外侧的2个山的位置是与从内侧起第三个着落位置对应的位置，最外侧的2个山的位置是与从内侧起第四个着落位置对应的位置。
在测定值A，与测定值B同样，形成与多个着落位置对应的多个山。相对于在测定值B，喷出口34的数量为4个，在测定值A，喷出口34的数量为10个，因此山的数量增加。进而，与测定值B比较，表示蚀刻量的分布的线接近沿左右方向延伸的直线(蚀刻量恒定的直线)，蚀刻的均一性得到改善。
在测定值A～测定值C下的基板W的处理中，不从气体喷嘴82喷出气体。如前所述，控制装置3在多个喷出口34向正在旋转的基板W的上表面喷出药液的状态下，使多个气体喷出口81喷出高温的气体。由此，向覆盖基板W的整个上表面的药液的液膜喷射高温的气体。
气体喷出口81向基板W的上表面内的喷射位置P1～P3(参照图17)喷出气体。喷射位置P1～P3是在径向Dr上的2个着落位置之间位置。因此，如在图20中箭头所示那样，在2个着落位置之间的位置抑制或防止药液的温度下降，在该位置的蚀刻量的减少得以改善。由此，表示蚀刻量的分布的线更接近沿着左右方向延伸的直线(蚀刻量恒定的直线)，蚀刻的均一性得到提高。
第三实施方式中，除了第一实施方式的作用效果外，还能够具有以下的作用效果。
在本实施方式中，在基板W的上表面由药液的液膜覆盖的状态下，气体喷出口81向基板W的上表面内的喷射位置P1～P3喷出气体。气体的喷出压是喷射位置P1～P3不会从药液露出的压力。喷出的气体是温度比室温高的高温的气体。因此，通过供给气体，基板W上的药液的温度下降得到改善。进而，由于多个气体喷出口81分别配置在距旋转轴线A1的距离不同的多个位置，所以能够在径向Dr上分离的多个位置对基板W上的药液进行加热。由此，能够提高药液的温度的均一性。
另外，在本实施方式中，多个着落位置和多个喷射位置P1～P3不在周向(围绕旋转轴线A1的方向)上排列而在径向Dr上错开。基板W的蚀刻量随着远离着落位置而减少，在径向Dr上的2个着落位置的中间的位置最小。喷射位置P1～P3是径向Dr上的2个着落位置之间的位置。因此，能够在2个着落位置之间的位置抑制或防止药液的温度下降，在该位置下的蚀刻量的减少得到改善。由此，能够提高处理的均一性。
另外，在本实施方式中，由下游加热器53以比上游温度高的下游温度加热的处理液从除了最内上游流路(第一上游流路48A)以外的上游流路48向除了最内喷出口(第一喷出口34A)以外的喷出口34供给，并从该喷出口34喷出。也就是说，上游温度的处理液从最内喷出口喷出，另一方面，温度比上游温度高的处理液从位于最内喷出口的外侧的喷出口34喷出。
这样，由于向基板W的上表面供给的处理液的温度随着从旋转轴线A1离开而阶梯式地增加，所以与使各喷出口34喷出相同温度的处理液的情况相比较，能够提高温度的均一性。由此，能够一边降低处理液的消耗量，一边提高处理的均一性。
本发明并不限于前述的实施方式的内容，在本发明的范围内能够进行各种变更。
例如，在所述实施方式中，对喷嘴26的数量为4个的情况进行了说明，但是喷嘴26的数量既可以是2或3个，也可以是5个以上。对于气体喷嘴82也同样。
在所述实施方式中，对多个喷出口34和多个气体喷出口81在俯视下沿着径向Dr排列的情况进行了说明，但是，多个气体喷出口81也可以相对于多个喷出口34在周向上错开。另外，只要多个喷出口34分别配置在距旋转轴线A1的距离不同的多个位置上即可，多个喷出口34也可以在俯视下不在径向Dr上排列。对于气体喷出口81也同样。
基板处理装置1也可以除了气体供给单元外还可以包括使腔室7内的气温上升的室温上升单元，或者代替气体供给单元而包括使腔室7内的气温上升的室温上升单元。室温上升单元既可以是对腔室7内的气体进行加热的加热器，也可以是将温度比室温高的气体向腔室7内输送的送风机。在该情况下，由于腔室7内的气温上升，所以能够抑制或防止基板W上的处理液的温度下降。由此，基板W上的处理液的温度下降，提高处理的均一性。
基板处理装置1除了气体供给单元还可以包括向由旋转卡盘11保的基板W的上表面发光来对基板W上的处理液进行加热的发光单元，或者取代气体供给单元而包括向由旋转卡盘11保的基板W的上表面发光来对基板W上的处理液进行加热的发光单元。发光单元既可以是发出红外线的红外线照射单元(例如红外线加热器)，也可以是发出激光的激光照射单元。
发光单元在基板W的上表面由处理液的液膜覆盖的状态下，向基板W的上表面内的多个照射位置发光。优选多个着落位置和多个照射位置在径向Dr上以照射位置位于相邻的2个着落位置之间的方式错开。通过照射光来抑制基板W上的处理液的温度下降。进而，由于多个照射位置是距旋转轴线A1的距离分别不同的分开的位置，所以能够在径向Dr上分离的多个位置对基板W上的处理液进行加热。由此，能够提高处理液的温度的均一性。
在所述实施方式中，对设置有向供给流路47供给药液的药液流路42的情况进行了说明，但是也可以设置有向供给流路47供给液体的多个处理液流路。
例如，第一液体可以从第一液体流路向供给流路47供给，第二液体可以从第二液体流路向供给流路47供给。在该情况下，由于第一液体以及第二液体在供给流路47混合，所以含有第一液体以及第二液体的混合液从供给流路47供给到多个上游流路48。第一液体以及第二液体既可以是同种的液体，也可以是不同的种类的液体。第一液体以及第二液体的具体例是硫酸以及过氧化氢的组合和TMAH以及纯水的组合。
可以组合前述的所有的结构的2个以上。也可以组合前述的所有的工序的2个以上。
第四实施方式
接着，对本发明的第四实施方式进行说明。对与前述的各部分同等的结构部分标注与图1等相同附图标记，并省略说明。
如图24所示，处理单元2包括：多个喷嘴26(第一喷嘴26A、第二喷嘴26B、第三喷嘴26C、以及第四喷嘴26D)，向下方喷出药液；支架25，保持多个喷嘴26；喷嘴移动单元24，通过使支架25移动，使多个喷嘴26在处理位置(在图24中以双点划线所示的位置)和待机位置(在图24中以实线所示的位置)之间移动。
药液的代表例为TMAH等的蚀刻液和SPM等的抗蚀剂剥离液。药液并不限于TMAH以及SPM，可以是含有硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢、有机酸、TMAH以外的有机碱、表面活性剂、防腐剂中的至少1个的液体。
如图23所示，各喷嘴26包括被支架25悬臂支撑的喷嘴主体27和与其他喷嘴26共有的喷嘴头33。喷嘴主体27包括从支架25沿水平的长度方向D1延伸的臂部28和从臂部28的顶端28a向下方延伸的顶端部29。臂部28的顶端28a是指，在俯视下在长度方向D1上离支架25最远的部分。喷嘴头33被各喷嘴主体27的顶端部29支撑。
如图24所示，多个臂部28以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序在与长度方向D1垂直的水平的排列方向D2上排列。多个臂部28配置在相同的高度。在排列方向D2上相邻的2个臂部28的间隔既可以与其他的任意的间隔相同，也可以与其他间隔中的至少一个不同。图24示出多个臂部28以等间隔配置的例子。
在长度方向D1上的多个臂部28的长度以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D顺序变短。多个喷嘴26的顶端(多个臂部28的顶端28a)以在长度方向D1上以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序排列的方式在长度方向D1上错开。多个喷嘴26的顶端在俯视下呈直线状排列。
喷嘴移动单元24使支架25围绕在杯15的周围铅垂延伸的喷嘴转动轴线A2转动，从而使多个喷嘴26沿着在俯视下通过基板W的圆弧状的路径移动。由此，多个喷嘴26在处理位置和待机位置之间水平移动。处理单元2包括在多个喷嘴26的待机位置的下方配置的有底筒状的待机容器35。待机容器35在俯视下配置在杯15的周围。
处理位置是从喷嘴头33喷出的药液着落在基板W的上表面上的位置。在处理位置，喷嘴头33和基板W在俯视下重叠，多个喷嘴26的顶端在俯视下从旋转轴线A1侧以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序沿径向Dr排列。此时，第一喷嘴26A的顶端在俯视下与基板W的中央部重叠，第四喷嘴26D的顶端在俯视下与基板W的周缘部重叠。
待机位置是多个喷嘴26以喷嘴头33和基板W在俯视下不重叠的方式退避的位置。在待机位置，多个喷嘴26的顶端以在俯视下沿着杯15的外周面(外壁16的外周面)的方式位于杯15的外侧，以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序沿周向(围绕旋转轴线A1的方向)排列。多个喷嘴26以第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序远离旋转轴线A1配置。
接着，参照图25～图27对多个喷嘴26进行说明。然后，对处理液供给系统进行说明。图25～图27表示多个喷嘴26配置在处理位置的状态。
在以下的说明中，有时在与第一喷嘴26A对应的结构的先头以及末尾分别标注“第一”以及“A”。例如，有时将与第一喷嘴26A对应的上游流路48称为“第一上游流路48A”。对与第二喷嘴26B～第四喷嘴26D对应的结构也同样。
另外，在以下的说明中，有时将上游加热器43对处理液的加热温度称为上游温度，将下游加热器53对处理液的加热温度称为下游温度。有时也将第二下游加热器53～第四下游加热器53对处理液的加热温度分别称为第二下游温度～第四下游温度。
如图25所示，喷嘴主体27包括：树脂管30，引导处理液；剖面呈筒状的芯件31，包围树脂管30；剖面呈筒状的树脂涂层32，包围芯件31的外表面。形成有喷出口的树脂管30的下表面配置在喷嘴头33的内部。
喷嘴主体27形成沿喷嘴主体27延伸的1个流路。喷嘴主体27的流路相当于后述的上游流路48的一部分。如图26所示，第一上游流路48A～第四上游流路48D的下游端48d分别配置在距旋转轴线A1的距离不同的多个位置，在俯视下沿径向Dr排列。
第一上游流路48A的下游端48d相比第二上游流路48B～第四上游流路48D的下游端48d配置在旋转轴线A1侧。第一上游流路48A是主上游流路的一例，第二上游流路48B～第四上游流路48D是多个副上游流路的一例。第一上游流路48A的下游端48d是主下游端的一例，第二上游流路48B～第四上游流路48D的下游端48d是多个下游端的一例。
如图25所示，喷嘴头33形成有引导从多个喷嘴主体27供给的处理液的1个流路(集合流路52)和在喷嘴头33的下表面开口的狭缝状的狭缝喷出口34。狭缝喷出口34与基板W的上表面平行。狭缝喷出口34配置在各上游流路48A～48D的下游端48d的下方。
如图26所示，狭缝喷出口34在俯视下在径向Dr上从基板W的上表面中央部延伸到基板W的上表面周缘部。狭缝喷出口34的宽度W1(宽度是指，与径向Dr垂直的水平方向上的长度。以下同样。)从狭缝喷出口34的一端至狭缝喷出口34的另一端恒定。狭缝喷出口34的宽度W1小于各上游流路48A～48D的下游端48d的直径。各上游流路48A～48D的下游端48d的一部分在俯视下与狭缝喷出口34重叠，剩余的部分在俯视下不与狭缝喷出口34重叠。狭缝喷出口34将从集合流路52供给的药液向与基板W的上表面垂直的喷出方向喷出。
如图27所示，集合流路52将各上游流路48A～48D的下游端48d与狭缝喷出口34连接。集合流路52的宽度从集合流路52的上游端52u至集合流路52的下游端52d连续地减少。集合流路52的上游端52u的宽度W2在各上游流路48A～48D的下游端48d的直径以上。集合流路52的下游端52d的宽度与狭缝喷出口34的宽度W1相等。
集合流路52的高度、即从集合流路52的下游端52d至集合流路52的上游端52u的铅垂方向的距离大于集合流路52的上游端52u的宽度W2。在径向Dr上的集合流路52的长度大于从第一上游流路48A的下游端48d至第四上游流路48D的下游端48d的在径向Dr上的距离。在径向Dr上的集合流路52的两端被喷嘴头33关闭。
供给到各上游流路48A～48D的处理液供给到集合流路52内。由于狭缝喷出口34的宽度W1窄，所以供给到各上游流路48A～48D的下游端48d的处理液的一部分在到达狭缝喷出口34前在集合流路52内沿长度方向扩展，剩余的处理液不在集合流路52内沿长度方向扩展而从狭缝喷出口34喷出。因此，供给到某个上游流路48的处理液的一部分与供给到其他上游流路48的处理液在集合流路52的内部或在基板W和狭缝喷出口34之间的空间混合。由此，向整个狭缝喷出口34或几乎整个狭缝喷出口34供给处理液，在径向Dr上延伸的带状的液膜形成在狭缝喷出口34和基板W之间。
接着，参照图21以及图22，对处理液供给系统进行详细说明。
处理液供给系统包括：药液罐41，贮存药液；药液流路42，对从药液罐41输送的药液进行引导；上游加热器43，通过以比室温(例如20～30℃)高的上游温度对在药液流路42内流动的药液进行加热，来对药液罐41内的药液的温度进行调整；泵44，将药液罐41内的药液向药液流路42输送；循环流路40，使药液流路42内的药液返回到药液罐41。
处理液供给系统包括对药液流路42进行开闭的供给阀45、对循环流路40进行开闭的循环阀46和与药液流路42连接的供给流路47。上游切换单元包括供给阀45。
处理液供给系统包括将从供给流路47供给的药液向狭缝喷出口34引导的多个上游流路48和将从多个上游流路48供给来的药液向狭缝喷出口34供给的集合流路52。处理液供给系统还包括对在多个上游流路48内流动的液体的流量进行检测的多个流量计49、对在多个上游流路48内流动的液体的流量进行变更的多个流量调整阀50、对多个上游流路48分别进行开闭的多个喷出阀51。虽然未图示，但是流量调整阀50包括对流路进行开闭的阀主体和对阀主体的开度进行变更的促动器。促动器既可以是空压促动器或电动促动器，也可以是除此以外的促动器。
处理液供给系统包括以比上游温度高的下游温度对在除了第一上游流路48A以外的多个上游流路48内流动的药液进行加热的多个下游加热器53。处理液供给系统还包括在多个下游加热器53的下游的位置分别与除了第一上游流路48A以外的多个上游流路48连接的多个返回流路54、分别对多个返回流路54进行开闭的多个返回阀55。下游切换单元包括多个喷出阀51和多个返回阀55。
处理液供给系统包括对从多个返回流路54供给的药液进行冷却的冷却器56和从冷却器56向药液罐41引导药液的罐回收流路57。从多个返回流路54供给到冷却器56的药液被冷却器56冷却接近上游温度后，经由罐回收流路57引导到药液罐41。冷却器56既可以是水冷单元或空冷单元，也可以是除此外的冷却单元。
接着，参照图21，对狭缝喷出口34喷出药液的喷出状态的处理液供给系统进行说明。在图21中，打开的阀以黑色表示，关闭的阀以白色表示。
药液罐41内的药液由泵44向药液流路42输送。由泵44输送的药液被上游加热器43加热后，从药液流路42流向供给流路47，从供给流路47流向多个上游流路48。供给到多个上游流路48的药液经由集合流路52从多个上游流路48供给到狭缝喷出口34。由此，供给到多个上游流路48的药液从狭缝喷出口34向基板W的上表面喷出。
供给到除了第一上游流路48A以外的多个上游流路48的药液在供给到狭缝喷出口34之前，被下游加热器53加热。下游加热器53对处理液的加热温度(下游温度)比上游加热器43对处理液的加热温度(上游温度)高。第二～第四下游温度以第二～第四下游温度的顺序变高。因此，向第一上游流路48A～第四上游流路48D的下游端48d(参照图25)供给的药液的温度以第一上游流路48A～第四上游流路48D的顺序阶梯式地增加。
接着，参照图22，对停止从狭缝喷出口34喷出药液的喷出停止状态的处理液供给系统进行说明。在图22中，打开的阀以黑色表示，关闭的阀以白色表示。
药液罐41内的药液由泵44向药液流路42输送。与泵44输送的药液的一部分由上游加热器43加热后，经由循环流路40返回到药液罐41。由泵44输送的剩余的药液从药液流路42流向供给流路47，从供给流路47流向除了第一上游流路48A以外的多个上游流路48。
第二上游流路48B内的药液由与第二上游流路48B对应的下游加热器53加热后，经由返回流路54流向冷却器56。对于第三上游流路48C以及第四上游流路48D也与第二上游流路48B同样。供给到冷却器56的药液由冷却器56冷却后，经由罐回收流路57返回到药液罐41。由此，由泵44向药液流路42的所有的药液返回到药液罐41。
处理液的温度有时对基板W的处理造成大的影响。当在喷出停止中使下游加热器53停止时，再次开始下游加热器53的运转时，在由下游加热器53加热的处理液的温度稳定在想要的温度之前，花费时间。因此，无法立刻再次开始处理液的喷出，吞吐量下降。
如前述那样，即使在喷出停止中，也持续使药液流向下游加热器53，使下游加热器53对药液进行加热。由此，能够维持下游加热器53的温度稳定的状态。进而，由于使由下游加热器53加热的药液返回到药液罐41，所以能够降低药液的消耗量。而且，由于使由冷却器56冷却的药液返回到药液罐41，所以能够抑制药液罐41内的药液的温度的变动。
接着，对由基板处理装置1执行的基板W的处理的一例进行说明。以下的各动作通过控制装置3控制基板处理装置1来执行。以下，参照图23以及图24。适当参照图7。
在由处理单元2处理基板W时，在多个喷嘴26从旋转卡盘11的上方退避，且防溅板17位于下位置的状态下，由搬送机械手的手部(未图示)将基板W搬入腔室7内。由此，基板W以表面朝上的状态放置在多个卡盘销13上。然后，搬送机械手的手部从腔室7的内部退避，腔室7的搬入搬出口8a由闸门9关闭。
在基板W放置在多个卡盘销13上后，多个卡盘销13按压基板W的周缘部，基板W由多个卡盘销13把持。另外，防溅板升降单元18使防溅板17从下位置移动到上位置。由此，防溅板17的上端配置在基板W的上方。然后，驱动旋转马达14，开始基板W的旋转。由此，基板W以规定的液体处理速度(例如数百rpm)旋转。
接着，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26从待机位置移动到处理位置。由此，喷嘴头33在俯视下与基板W重叠。然后，控制多个喷出阀51等，从多个喷嘴26同时喷出药液(图7的步骤S1)。多个喷嘴26在喷嘴移动单元24使多个喷嘴26静止的状态下喷出药液。当从打开多个喷出阀51起经过规定时间时，同时停止从多个喷嘴26喷出药液(图7的步骤S2)。然后，喷嘴移动单元24使多个喷嘴26从处理位置移动到待机位置。
从多个喷嘴26喷出的药液同时着落在基板W的上表面内的直线状的区域(参照图27)。多个喷嘴26向正在旋转的基板W的上表面喷出药液。因此，基板W和直线状的区域的相对的位置关系因基板W的旋转而变化。由此，药液着落在基板W的整个上表面上。这样一来，药液被供给到基板W的整个上表面上，覆盖基板W的整个上表面的药液的液膜形成在基板W上。由此，基板W的整个上表面由药液处理。另外，基板W上的药液从基板W的上表面周缘部向基板W的周围飞散，并被防溅板17的内周面挡住。
在停止从多个喷嘴26喷出药液后，打开冲洗液阀23，开始从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液(纯水)(图7的步骤S3)。由此，基板W上的药液被冲洗液冲洗掉，形成覆盖基板W的整个上表面的冲洗液的液膜。当从打开冲洗液阀23起经过规定时间时，关闭冲洗液阀23，停止从冲洗液喷嘴21喷出冲洗液(图7的步骤S4)。
基板W被旋转马达14在旋转方向上加速，以比液体处理速度大的干燥速度(例如数千rpm)使基板W旋转(图7的步骤S5)。由此，在基板W上附着的冲洗液被甩到基板W的周围，使基板W干燥。当从开始使基板W以高速旋转起经过规定时间时，停止旋转马达14以及基板W的旋转。
在停止基板W的旋转后，防溅板升降单元18使防溅板17从上位置移动到下位置。进而，解除多个卡盘销13对基板W的保持。搬送机械手在多个喷嘴26从旋转卡盘11的上方退避，且防溅板17位于下位置的状态下，使手部进入腔室7的内部。然后，搬送机械手通过手部取下旋转卡盘11上的基板W，将该基板W从腔室7搬出。
图28是表示基板W的蚀刻量的分布的曲线图。
图28所示的测定值A～测定值B下的基板W的处理条件除了喷出药液的喷嘴外都相同。
测定值A表示一边使卸下喷嘴头33的多个喷嘴26静止一边使多个喷嘴26喷出药液，来对基板W蚀刻时的蚀刻量的分布。即，测定值A表示使在4个嘴主体27分别设置的4个喷出口(相当于第一上游流路48A～第四上游流路48D的下游端48d)喷出药液时的蚀刻量的分布。
测定值B表示仅使1个喷出口(相当于第一上游流路48A的下游端48d)喷出药液，将药液的着落位置固定在基板W的上表面中央部时的蚀刻量的分布。
在测定值B，示出随着远离基板W的中央部，蚀刻量减少，蚀刻量的分布呈山形的曲线。也就是说，蚀刻量在药液的着落位置最大，随着远离着落位置而减少。相对于此，在测定值A，与测定值B相比较，在基板W的中央部以外的位置的蚀刻量增加，蚀刻的均一性得以大幅度改善。
在测定值A，形成7个山。正中央的山的顶点是与最内侧的着落位置对应的位置，其外侧的2个山的顶点是与从内侧起第二个着落位置对应的位置。再外侧的2个山的位置是与从内侧起第三个着落位置对应的位置，最外侧的2个山的位置是与从内侧起第四个着落位置对应的位置。
这样，当从在径向Dr上排列的多个喷出口向基板W的上表面喷出药液时，药液着落在径向Dr上分离的多个着落位置上。在着落位置的蚀刻速率高于在相邻的2个着落位置之间的位置的蚀刻速率。因此，导致处理的均一性下降。因此，通过使从狭缝喷出口34喷出的药液着落在径向Dr上连续的直线状的区域，能够防止这样的均一性的下降。
如以上所述，在本实施方式中，处理液从供给流路47向所有的上游流路48供给，从所有的上游流路48向集合流路52供给。供给到集合流路52的处理液从狭缝喷出口34向基板W的上表面喷出。由此，在基板W的上表面中央部和基板W的上表面周缘部之间沿径向Dr延伸的带状的液膜形成在狭缝喷出口34和基板W之间，着落在基板W的上表面内的直线状的区域。因此，与从在径向Dr上排列的多个喷出口喷出处理液的情况相比较，能够提高处理的均一性。
另外，向第一上游流路48A～第四上游流路48D的下游端48d供给的处理液的温度随着从旋转轴线A1至下游端48d的距离增加而提高。在多个下游端48d的正下方的位置着落有与供给到多个下游端48d的处理液相同或几乎相同的温度的处理液。相对于此，在所述正下方的位置之间的位置着落有供给到相邻的2个下游端48d的处理液的混合液。也就是说，彼此不同的温度的处理液供给到相邻的2个下游端48d，该2个温度之间的温度的处理液着落在所述正下方的位置之间的位置。
这样，由于在狭缝喷出口34的各位置的处理液的温度随着远离旋转轴线A1而阶梯式或连续地增加，所以与从狭缝喷出口34喷出均一的温度的处理液的情况相比较，能够提高在基板W上的处理液的温度的均一性。由此，能够进一步提高处理的均一性。因此，与使处理液着落在基板W的上表面中央部的情况相比较，能够降低向基板W供给的处理液的消耗量，并能够提高处理的均一性。
另外，在本实施方式中，狭缝喷出口34在俯视下与基板W的上表面中央部以及上表面周缘部重叠。从狭缝喷出口34喷出的处理液同时着落在包含基板W的上表面中央部以及上表面周缘部的直线状的区域。狭缝喷出口34向正在旋转的基板W的上表面喷出处理液。基板W和直线状的区域的相对的位置关系因基板W的旋转而变化。由此，由于处理液着落在基板W的整个上表面上，所以能够提高处理的均一性。
另外，在本实施方式中，由于狭缝喷出口34的宽度W1窄，所以供给到上游流路48供给的处理液的一部分在到达狭缝喷出口34前在集合流路52内沿长度方向扩展，供给到上游流路48的剩余的处理液不在集合流路52内在狭缝喷出口34的长度方向扩展而到达狭缝喷出口34。因此，处理液的一部分与供给到其他上游流路48的处理液在集合流路52的内部或在基板W和狭缝喷出口34之间的空间混合。由此，能够使向基板W供给的处理液的温度随着远离旋转轴线A1而阶梯式或连续地增加。
另外，在本实施方式中，多个臂部28的顶端28a在俯视下沿径向Dr排列(参照图24)。当以多个臂部28的顶端28a在俯视下沿径向Dr排列的方式将相同长度的多个喷嘴26在与长度方向D1垂直的水平方向排列时，多个喷嘴26整体的宽度增加(参照图9)。当以多个臂部28的顶端28a在俯视下沿径向Dr排列的方式将长度不同的多个喷嘴26沿铅垂方向排列时，多个喷嘴26整体的高度增加(参照图29A以及图29B)。
相对于此，在本实施方式中，将多个臂部28沿与长度方向D1垂直的水平的排列方向D2排列。进而，以多个臂部28的顶端28a在长度方向D1上从旋转轴线A1侧按第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顺序排列的方式，将多个臂部28的顶端28a在长度方向D1上错开(参照图24)。由此，能够抑制多个喷嘴26整体的宽度以及高度，并且能够将第一喷嘴26A～第四喷嘴26D的顶端28a在俯视下沿径向Dr排列。
另外，在本实施方式中，多个上游流路48的上游端配置在流体箱5内。供给流路47在流体箱5内分支成多个上游流路48。因此，与供给流路47在流体箱5的上游的位置分支成多个上游流路48的情况相比较，能够缩短各上游流路48的长度(液体流动的方向的长度)。由此，能够抑制由从处理液向上游流路48的传热引起的处理液的温度下降。
本发明并不限于前述的实施方式的内容，在本发明的范围内能够进行各种变更。
例如，在所述实施方式中，对喷嘴26的数量为4个的情况进行了说明，但是喷嘴26的数量既可以是2或3个，也可以是5个以上。
在所述实施方式中，对狭缝喷出口34向与基板W的上表面垂直的喷出方向喷出处理液的情况进行了说明，但是狭缝喷出口34也可以向相对于基板W的上表面倾斜的喷出方向喷出处理液。
在所述实施方式中，对狭缝喷出口34的宽度W1恒定的情况进行了说明，但是狭缝喷出口34的宽度W1也可以不恒定。例如，狭缝喷出口34的宽度W1也可以随着远离旋转轴线A1而阶梯式或连续地增加。
在所述实施方式中，对喷嘴头33与所有的喷嘴(第一喷嘴26A～第四喷嘴26D)连接的情况进行了说明，但是，4个喷嘴中的1个或2个可以不与喷嘴头33连接。例如如图30所示，喷嘴33可以仅与第二喷嘴26B～第四喷嘴26D连接。在该情况下，供给到第一喷嘴26A的处理液从第一上游流路48A的下游端48d向基板W的上表面中央部喷出。
在所述实施方式中，对利用冷却器56对在返回流路54流向药液罐41的药液进行冷却的情况进行了说明，但是也可以省略冷却器56。
控制装置3可以使在喷出停止状态时从供给流路47向多个上游流路48供给的处理液的流量比在喷出状态时从供给流路47向多个上游流路48供给的处理液的流量减少。在该情况下，由于在喷出停止中从返回流路54返回到药液罐41的药液的流量减少，所以能够降低对药液罐41内的药液赋予的热量，抑制液温的变动。
在所述实施方式中，对使在喷出停止中由下游加热器53加热的液体从上游流路48流向返回流路54的情况进行了说明，但是在喷出停止中使下游加热器53停止的情况下，也可以省略返回流路54。
在所述实施方式中，对下游加热器53未设置在第一上游流路48A而在第一上游流路48A以外的所有的上游流路48上设置有下游加热器53的情况进行了说明，但是，也可以在包含第一上游流路48A的所有的上游流路48上设置下游加热器53。
在所述实施方式中，对一边使多个喷嘴26静止一边使多个喷嘴26喷出药液的情况进行了说明，但是也可以使多个喷嘴26围绕喷嘴转动轴线A2转动，并使多个喷嘴26喷出药液。
在所述实施方式中，对设置有向供给流路47供给药液的药液流路42的情况进行了说明，但是也可以设置向供给流路47供给液体的多个处理液流路。
例如，第一液体可以从第一液体流路向供给流路47供给，第二液体可以从第二液体流路向供给流路47供给。在该情况下，由于第一液体以及第二液体在供给流路47混合，所以含有第一液体以及第二液体的混合液从供给流路47供给到多个上游流路48。第一液体以及第二液体既可以是同种的液体，也可以是不同的种类的液体。第一液体以及第二液体的具体例是硫酸以及过氧化氢的组合和TMAH以及纯水的组合。
控制装置3可以根据处理前的薄膜的厚度来控制向基板W的表面的各部供给的处理液的温度，由此使处理后的薄膜的厚度均一化。
图14是表示处理前后的薄膜的厚度和向基板W供给的处理液的温度的关系的曲线图。图14的点划线表示处理前的膜厚，图14的双点划线表示处理后的膜厚。图14的实线表示向基板W供给的处理液的温度。图14的横轴表示基板W的半径。处理前的膜厚既可以从基板处理装置1以外的装置(例如、主计算机)向基板处理装置1输入，也可以由在基板处理装置1设置的测定器测定。
在图14所示的例子的情况下，控制装置3可以以处理液的温度与处理前的膜厚同样地变化的方式控制基板处理装置1。具体地说，控制装置3可以以在多个上游流路48的处理液的温度为与处理前的膜厚相应的温度的方式，控制多个下游加热器53。
在该情况下，向处理前的膜厚相对大的位置供给温度相对高的处理液，向处理前的膜厚相对小的位置供给温度相对低的处理液。在基板W的表面形成的薄膜的蚀刻量在被供给高温的处理液的位置相对增加，在被供给低温的处理液的位置相对减少。因此，处理后的薄膜的厚度得以均一化。
可以组合前述的所有的结构的2个以上。也可以组合前述的所有的工序的2个以上。
也可以将某个实施方式的特征加入其它实施方式中。
本申请对应于2015年2月18日向日本国特许厅提出的特愿2015-029843号、2015年2月25日向日本国特许厅提出的特愿2015-035519号、2015年2月25日向日本国特许厅提出的特愿2015-035520号、2015年2月25日向日本国特许厅提出的特愿2015-035521号、2015年3月26日向日本国特许厅提出的特愿2015-064802号，该申请的全部内容通过引用而编入于此。
对本发明的实施方式进行了详细说明，但这些只不过是用于使本发明的技术的内容更加清楚的具体例，本发明并不应该限定于这些具体例来解释，本发明的精神以及范围仅由权利要求书限定。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
包括：
基板保持单元，一边将基板保持为水平，一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂旋转轴线旋转，
处理液供给系统，包括供给流路、多个上游流路、多个下游流路、多个喷出口，向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液；
所述供给流路将处理液向多个所述上游流路引导，
多个所述上游流路从所述供给流路分支，将从所述供给流路供给的处理液向多个所述喷出口引导，
多个所述喷出口包括主喷出口和多个副喷出口，所述主喷出口向所述基板的上表面中央部喷出处理液，多个所述副喷出口向从所述上表面中央部离开且距所述旋转轴线的距离不同的所述基板的上表面内的多个位置分别喷出处理液，多个所述喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置，将经由多个所述上游流路供给的处理液向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出，
多个所述上游流路包括与所述主喷出口连接的主上游流路和经由多个所述下游流路与多个所述副喷出口连接的多个副上游流路，
多个所述副上游流路都是分支成多个所述下游流路的分支上游流路，在每个所述下游流路设置有所述副喷出口。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括上游加热器和多个下游加热器，
所述上游加热器以上游温度对向所述供给流路供给的处理液进行加热，
多个所述下游加热器分别与多个所述副上游流路连接，以比所述上游温度高的下游温度对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括多个返回流路、多个下游加热器和下游切换单元，
多个所述返回流路在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，
多个所述下游加热器在所述返回流路和所述副上游流路的连接位置的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，对在多个所述副上游流路内流动的液体进行加热，
所述下游切换单元能够切换到多个状态中的某个状态，所述多个状态包括从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述喷出口供给的喷出状态和从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述返回流路供给的喷出停止状态。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还包括容纳由所述基板保持单元保持的基板的腔室，
所述分支上游流路在所述腔室内分支成多个所述下游流路。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括第一喷嘴和第二喷嘴，
多个所述喷出口包括在所述第一喷嘴设置的第一喷出口和在所述第二喷嘴设置的第二喷出口，多个所述喷出口在俯视下在与所述旋转轴线垂直的径向上排列，
所述第一喷嘴包括在水平的长度方向延伸的第一臂部和从所述第一臂部的顶端向下方延伸的第一顶端部，
所述第二喷嘴包括在所述长度方向延伸的第二臂部和从所述第二臂部的顶端向下方延伸的第二顶端部，
所述第一臂部以及第二臂部在与所述长度方向垂直的水平的排列方向排列，
所述第一臂部的顶端和所述第二臂部的顶端以所述第一臂部的顶端位于所述旋转轴线侧的方式在俯视下在所述长度方向上分离。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
多个所述喷出口包括倾斜喷出口，该倾斜喷出口向喷出方向喷出处理液，该喷出方向以随着接近由所述基板保持单元保持的基板的上表面而接近所述旋转轴线的方式相对于所述基板的上表面倾斜。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还包括对所述处理液供给系统进行控制的控制装置，
所述处理液供给系统还包括多个喷出阀，
多个所述喷出口包括第一喷出口和相对于所述旋转轴线比所述第一喷出口配置得远的第二喷出口，
多个所述上游流路包括向所述第一喷出口引导处理液的第一上游流路和向所述第二喷出口引导处理液的第二上游流路，
多个所述喷出阀包括对所述第一上游流路进行开闭的第一喷出阀和对所述第二上游流路进行开闭的第二喷出阀，
所述控制装置以所述第二喷出阀打开的时间比所述第一喷出阀打开的时间长的方式，打开所述第一喷出阀以及第二喷出阀，然后，关闭所述第一喷出阀以及第二喷出阀。
8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括喷嘴移动单元和喷出位置调整单元，
所述喷嘴移动单元使多个所述喷出口和所述喷出位置调整单元在多个所述喷出口和所述基板在俯视下重叠的处理位置与多个所述喷出口和所述基板在俯视下不重叠的待机位置之间水平移动，
所述喷出位置调整单元使多个所述喷出口在与所述喷嘴移动单元对多个所述喷出口的移动方向不同的水平的调整方向上移动。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括喷嘴移动单元，该喷嘴移动单元在所述基板保持单元使基板旋转，多个所述喷出口向所述基板的上表面喷出处理液的状态下，使多个所述喷出口摆动，由此使所述旋转轴线至多个所述喷出口的距离变化。
10.一种基板处理装置，其特征在于，
包括：
基板保持单元，一边将基板保持为水平，一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转，
处理液供给系统，包括供给流路、多个上游流路和多个喷出口，向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液，
气体供给单元，包括多个气体喷出口，向由所述基板保持单元保持的基板供给气体；
所述供给流路将处理液向多个所述上游流路引导，
多个所述上游流路从所述供给流路分支，将从所述供给流路供给的处理液向多个所述喷出口引导，
多个所述喷出口包括主喷出口和多个副喷出口，所述主喷出口向所述基板的上表面中央部喷出处理液，多个所述副喷出口向从所述上表面中央部离开且距所述旋转轴线的距离不同的所述基板的上表面内的多个位置分别喷出处理液，多个所述喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置，将经由多个所述上游流路供给的处理液向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出，
多个所述上游流路包括与所述主喷出口连接的主上游流路和与多个所述副喷出口连接的多个副上游流路，
多个所述气体喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置，将温度比室温高的气体向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
多个所述喷出口向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的多个着落位置喷出处理液，
多个所述气体喷出口向由所述基板保持单元保持的基板的上表面内的多个喷射位置喷出气体，
所述多个着落位置和所述多个喷射位置在与所述旋转轴线垂直的径向上以所述喷射位置位于相邻的2个所述着落位置之间的方式错开。
12.如权利要求10或11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括多个下游流路，
多个所述副上游流路都是分支成多个所述下游流路的分支上游流路，在每个所述下游流路上设置有所述副喷出口。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还包括容纳由所述基板保持单元保持的基板的腔室，
所述分支上游流路在所述腔室内分支成多个所述下游流路。
14.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括上游加热器和多个下游加热器，
所述上游加热器以上游温度对向所述供给流路供给的处理液进行加热，
多个所述下游加热器在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，以比所述上游温度高的下游温度对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热。
15.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括多个返回流路、多个下游加热器和下游切换单元，
多个所述返回流路在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，
多个所述下游加热器在所述返回流路和所述副上游流路的连接位置的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接，对在多个所述副上游流路内流动的液体进行加热，
所述下游切换单元能够切换到多个状态中的某个状态，所述多个状态包括从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述喷出口供给的喷出状态和从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述返回流路供给的喷出停止状态。
16.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给系统还包括第一喷嘴和第二喷嘴，
多个所述喷出口包括在所述第一喷嘴设置的第一喷出口和在所述第二喷嘴设置的第二喷出口，多个所述喷出口在俯视下在与所述旋转轴线垂直的径向上排列，
所述第一喷嘴包括在水平的长度方向延伸的第一臂部和从所述第一臂部的顶端向下方延伸的第一顶端部，
所述第二喷嘴包括在所述长度方向延伸的第二臂部和从所述第二臂部的顶端向下方延伸的第二顶端部，
所述第一臂部以及第二臂部在与所述长度方向垂直的水平的排列方向排列，
所述第一臂部的顶端和所述第二臂部的顶端以所述第一臂部的顶端位于所述旋转轴线侧的方式在俯视下在所述长度方向上分离。
17.一种基板处理装置，其特征在于，
包括：
基板保持单元，一边将基板保持为水平，一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂旋转轴线旋转，
处理液供给系统，包括供给流路、多个上游流路、多个下游加热器、集合流路和狭缝喷出口，向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液；
所述供给流路分支成多个所述上游流路，将处理液向多个所述上游流路引导，
多个所述上游流路包括主上游流路和多个副上游流路，多个所述副上游流路具有在俯视下在与所述旋转轴线垂直的径向上排列的的多个副下游端，所述主上游流路具有配置在所述多个副下游端的所述旋转轴线侧的主下游端，
多个所述下游加热器分别与多个所述副上游流路连接，以向所述多个副下游端供给的处理液的温度随着从所述旋转轴线至所述副下游端的距离增加而变高的方式对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热，
所述集合流路与多个所述副上游流路连接，
所述狭缝喷出口在多个所述副上游流路的下游的位置与所述集合流路连接，并呈在俯视下沿径向在所述基板的上表面中央部和所述基板的上表面周缘部之间延伸的狭缝状，将从所述集合流路供给的处理液向所述基板的上表面喷出。
18.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，
所述狭缝喷出口在俯视下沿径向从所述基板的上表面中央部延伸至所述基板的上表面周缘部。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105914167A (zh) * 2015-02-25 2016-08-31 株式会社思可林集团 基板处理装置
CN108630571A (zh) * 2017-03-16 2018-10-09 株式会社斯库林集团 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
CN110896041A (zh) * 2018-09-13 2020-03-20 辛耘企业股份有限公司 基板处理设备及其流体供应装置
CN111146113A (zh) * 2018-11-02 2020-05-12 细美事有限公司 药液供应组件
US11227780B2 (en) 2018-09-20 2022-01-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for operating the same
TWI759630B (zh) * 2018-09-20 2022-04-01 台灣積體電路製造股份有限公司 冷卻系統及冷卻方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10261521B2 (en) * 2015-06-16 2019-04-16 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing method, and storage medium
JP6367763B2 (ja) * 2015-06-22 2018-08-01 株式会社荏原製作所 ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
US10395930B2 (en) * 2016-12-30 2019-08-27 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP6959743B2 (ja) 2017-02-22 2021-11-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6861553B2 (ja) * 2017-03-24 2021-04-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101994422B1 (ko) * 2017-05-10 2019-07-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7045196B2 (ja) * 2018-01-15 2022-03-31 東京応化工業株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
US11467508B2 (en) * 2018-07-25 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Pellicle adhesive residue removal system and methods
JP7175119B2 (ja) * 2018-07-25 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7308048B2 (ja) * 2019-02-15 2023-07-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 液処理装置および液処理方法
US11081334B2 (en) 2019-08-07 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Particle prevention in wafer edge trimming
JP6894482B2 (ja) * 2019-09-12 2021-06-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP7455597B2 (ja) * 2020-01-31 2024-03-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7562328B2 (ja) 2020-07-31 2024-10-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7509657B2 (ja) * 2020-10-29 2024-07-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2022146507A (ja) * 2021-03-22 2022-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20230053158A (ko) * 2021-10-14 2023-04-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230415204A1 (en) * 2022-06-23 2023-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wet cleaning tool and method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置
KR20080088916A (ko) * 2007-03-30 2008-10-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조 장치 및 그를 이용한 반도체 제조 방법
CN101582372A (zh) * 2008-05-12 2009-11-18 盛美半导体设备（上海）有限公司 用于处理单片半导体工件的溶液制备设备和方法
US20130076829A1 (en) * 2011-09-27 2013-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Inkjet printing apparatus and a purging method therefor

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245287A (ja) 1994-03-04 1995-09-19 Fuji Xerox Co Ltd ウエットエッチング装置
JPH08274052A (ja) 1995-03-30 1996-10-18 Hitachi Ltd 板状物の洗浄方法および装置
JPH09150092A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置の処理液供給装置
JP3398272B2 (ja) 1995-12-05 2003-04-21 大日本スクリーン製造株式会社 薬液吐出ノズル
US6190063B1 (en) 1998-01-09 2001-02-20 Tokyo Electron Ltd. Developing method and apparatus
JP3527426B2 (ja) 1998-01-09 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
JP4018923B2 (ja) 2002-03-28 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP3993048B2 (ja) 2002-08-30 2007-10-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
EP1652222A1 (en) 2003-08-07 2006-05-03 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus
JP2005217226A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置
JP2006041086A (ja) 2004-07-26 2006-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2006231130A (ja) 2005-02-22 2006-09-07 Sharp Corp ウェット処理装置
JP2006344907A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4476217B2 (ja) 2005-12-27 2010-06-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5039939B2 (ja) 2006-01-24 2012-10-03 国立大学法人大阪大学 表面加工方法及び装置
JP4835175B2 (ja) 2006-01-31 2011-12-14 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハの枚葉式エッチング方法
CN101379599B (zh) 2006-01-31 2011-05-04 胜高股份有限公司 晶片的单片式蚀刻方法
US7837805B2 (en) * 2007-08-29 2010-11-23 Micron Technology, Inc. Methods for treating surfaces
JP5449662B2 (ja) 2007-10-18 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 現像装置
JP5173500B2 (ja) 2008-03-11 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
JP2009231732A (ja) 2008-03-25 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5284004B2 (ja) 2008-08-20 2013-09-11 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
KR101041872B1 (ko) 2008-11-26 2011-06-16 세메스 주식회사 노즐 및 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JP5254120B2 (ja) * 2009-04-22 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5381388B2 (ja) * 2009-06-23 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR20110085388A (ko) 2010-01-20 2011-07-27 세메스 주식회사 노즐 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 그 방법
US9378988B2 (en) * 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JP5714449B2 (ja) 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP2013175672A (ja) 2012-02-27 2013-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 洗浄処理装置および洗浄処理方法
KR101344921B1 (ko) 2012-03-28 2013-12-27 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
JP5819762B2 (ja) 2012-03-29 2015-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US9355835B2 (en) * 2012-06-29 2016-05-31 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for processing substrate
JP2014022678A (ja) 2012-07-23 2014-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハのエッチング方法
JP6317547B2 (ja) 2012-08-28 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
KR102057220B1 (ko) * 2013-02-19 2020-01-22 삼성전자주식회사 약액 공급기, 약액 공급기를 구비하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판의 처리방법
JP6203098B2 (ja) 2013-03-29 2017-09-27 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5909477B2 (ja) 2013-10-25 2016-04-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び液供給装置
KR101621482B1 (ko) * 2014-09-30 2016-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置
KR20080088916A (ko) * 2007-03-30 2008-10-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조 장치 및 그를 이용한 반도체 제조 방법
CN101582372A (zh) * 2008-05-12 2009-11-18 盛美半导体设备（上海）有限公司 用于处理单片半导体工件的溶液制备设备和方法
US20130076829A1 (en) * 2011-09-27 2013-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Inkjet printing apparatus and a purging method therefor

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109037111B (zh) * 2015-02-25 2022-03-22 株式会社思可林集团 基板处理装置
CN105914167B (zh) * 2015-02-25 2018-09-04 株式会社思可林集团 基板处理装置
CN105914167A (zh) * 2015-02-25 2016-08-31 株式会社思可林集团 基板处理装置
CN109037111A (zh) * 2015-02-25 2018-12-18 株式会社思可林集团 基板处理装置
US10297476B2 (en) 2015-02-25 2019-05-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN108630571B (zh) * 2017-03-16 2022-03-08 株式会社斯库林集团 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
CN108630571A (zh) * 2017-03-16 2018-10-09 株式会社斯库林集团 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
CN110896041A (zh) * 2018-09-13 2020-03-20 辛耘企业股份有限公司 基板处理设备及其流体供应装置
CN110896041B (zh) * 2018-09-13 2022-05-10 辛耘企业股份有限公司 基板处理设备及其流体供应装置
TWI759630B (zh) * 2018-09-20 2022-04-01 台灣積體電路製造股份有限公司 冷卻系統及冷卻方法
US11227780B2 (en) 2018-09-20 2022-01-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for operating the same
US11721567B2 (en) 2018-09-20 2023-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for operating the same
CN111146113A (zh) * 2018-11-02 2020-05-12 细美事有限公司 药液供应组件
CN111146113B (zh) * 2018-11-02 2023-10-24 细美事有限公司 药液供应组件

Also Published As

Publication number Publication date
TWI689003B (zh) 2020-03-21
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KR102502045B1 (ko) 2023-02-20
US20160240413A1 (en) 2016-08-18
KR102405158B1 (ko) 2022-06-02
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KR20160101871A (ko) 2016-08-26
US20210249279A1 (en) 2021-08-12
US11610790B2 (en) 2023-03-21
TW202030790A (zh) 2020-08-16

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