CN108630571B - 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 - Google Patents

处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108630571B
CN108630571B CN201810167202.3A CN201810167202A CN108630571B CN 108630571 B CN108630571 B CN 108630571B CN 201810167202 A CN201810167202 A CN 201810167202A CN 108630571 B CN108630571 B CN 108630571B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flow rate
processing
circulation
liquid
pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810167202.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108630571A (zh
Inventor
井上正史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN108630571A publication Critical patent/CN108630571A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108630571B publication Critical patent/CN108630571B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种处理液供给装置,用于对多个处理部供给处理液。该处理液供给装置具有:处理液槽,用于积存处理液;多个循环配管,分别与所述多个处理部对应设置,并分别使所述处理液槽内的处理液进行循环;供给配管,分支连接到各所述循环配管,并对对应的所述处理部供给处理液;流量检测单元,安装于各所述循环配管,并检测在该循环配管内流经的处理液的流量;流量调节阀,安装于各所述循环配管,并调节该循环配管内的处理液的流量;开度调节单元,基于由安装于各所述循环配管上的所述流量检测单元检测出的处理液的检测流量,调节对应的所述流量调节阀的开度。

Description

处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
技术领域
本发明涉及对处理基板的处理单元供给处理液的处理液供给装置、具有该处理液供给装置的基板处理装置、以及利用该处理液供给装置及该基板处理装置的处理液供给方法。作为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence:电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display:平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在美国专利申请公开第2011/023909号说明书所记载的液处理装置中,设置有多个利用从液体供给机构供给的处理液来处理基板的处理单元。液体供给机构具有用于供给被温度调节后的处理液的液体供给源和用于使从液体供给源供给的被温度调节后的处理液循环的循环通路。
在美国专利申请公开第2011/023909号说明书的液体供给装置中,在循环通路内流动的处理液经由循环通路向外部放热。因此,在循环通路内流动的处理液在从液体供给源流向处理单元期间温度降低。由放热导致的处理液的温度降低的程度取决于循环通路内的处理液的流量。
此处,在设置有多个处理单元的液体供给装置中,有时设置多个循环通路。在这样的液体处理装置中,将层叠有多个处理单元的组称为处理部(处理塔)。循环通路与各处理部对应设置。在这样的情况下,并非对每个循环通路设置一个液体供给源,而是优选将多个循环通路连接到通用的液体供给源。
在循环通路内流动的处理液受到的阻力因循环通路的长度、安装于循环通路的部件的不同而不同。因此,即使在相同压力下对循环通路输送处理液,各循环通路中的处理液的流量在循环通路间也并不一定是一致的。由此,各循环通路中的处理液的温度降低的程度也不是一致的,有可能使对处理单元供给的处理液的温度因循环通路的不同而不同。因此,有可能因在不同的处理基板的处理部中,基板的状态(处理的程度)也不同。
因此,本发明的一个目的在于,提供在使处理液槽内的处理液在多个循环配管内循环的结构中,能够使循环配管间的处理液的温度差降低的处理液供给装置、基板处理装置及处理液供给方法。
发明内容
本发明的一个实施方式提供一种处理液供给装置,用于对多个处理部供给处理液,所述处理液供给装置具有:处理液槽,用于贮存处理液;多个循环配管,分别与所述多个处理部对应设置,并分别使所述处理液槽内的处理液循环;供给配管,分支连接到各所述循环配管,并向对应的所述处理部供给处理液;流量检测单元,安装于各所述循环配管上,并检测在该循环配管内流经的处理液的流量;流量调节阀,安装于各所述循环配管上,并调节该循环配管内的处理液的流量;开度调节单元,基于由安装于各所述循环配管上的所述流量检测单元检测出的处理液的检测流量,调节对应的所述流量调节阀的开度。
根据该结构,处理液槽内的处理液在多个循环配管内循环。多个循环配管连接到通用的处理液槽。由分支连接到各循环配管的供给配管向对应的处理部供给在各循环配管内循环的处理液。
开度调节单元基于由安装于各循环配管的流量检测单元检测的处理液的检测流量,调节对应的流量调节阀的开度。此时,调节各流量调节阀的开度使得各检测流量之差降低,从而能够降低循环配管间的处理液的流量之差。该情况下,降低循环配管间的处理液的温度差。因此,循环配管间的温度差被降低后的处理液从各循环配管经由供给配管被供给到处理部。由此,能够降低处理液的处理部间的温度差。
本发明的一个实施方式中,所述流量检测单元在对应的所述循环配管的比所述供给配管的分支位置更靠上游侧的位置安装于该循环配管。
与比分支位置更靠上游侧的位置相比,循环配管内的处理液的流量在比分支位置更靠下游侧的位置上容易受到供给到供给配管的处理液的供给状态的变化的影响。供给到供给配管的处理液的供给状态是指是否从循环配管对供给配管供给处理液,或从循环配管对供给配管供给处理液的供给量的变化。于是,若流量检测单元是在比循环配管的供给配管的分支位置更靠上游侧的位置安装于循环配管的结构,则能够降低供给到供给配管的处理液的供给状态的变化对循环配管内的处理液流量的检测所产生的影响。即,流量检测单元能够稳定地检测循环配管内的处理液的流量。因此,能够进一步降低循环配管间的检测流量之差。
本发明的一个实施方式中,所述流量调节阀在对应的所述循环配管的比所述供给配管的分支位置更靠下游侧的位置安装于该循环配管。
循环配管中,处理液从上游侧流向安装有流量调节阀的部分。因此,与比流量调节阀更靠下游侧的循环配管内的压力相比,流量调节阀能够通过其流量的调节来稳定地改变比流量调节阀更靠上游侧的循环配管内的压力。于是,若流量调节阀是在比对应的循环配管的供给配管的分支位置更靠下游侧的位置安装于循环配管的结构,则能够稳定地改变分支位置附近的压力。由此,能够稳定从循环配管向供给配管流动的处理液的流量。
本发明的一个实施方式中,所述处理部具有多个用于处理基板的处理单元。并且,所述供给配管从对应的所述循环配管分支,并具有对各所述处理单元供给处理液的多个分支配管。
根据该结构,供给配管具有多个分支配管,该多个分支配管从对应的循环配管分支,并向对应的处理部的各处理单元供给处理液。因此,与在每个处理单元中设置一个循环配管的结构相比,能够降低循环配管的数量。
本发明的一个实施方式中提供一种基板处理装置,该基板处理装置具有所述处理液供给装置和用于处理基板的多个所述处理部。根据该结构,能够起到与前述相同的效果。
本发明的一个实施方式中提供一种处理液供给方法,用于对多个处理部供给处理液,所述处理液供给方法包括:循环工序,由分别与所述多个处理部对应设置的多个循环配管,分别使所述处理液槽内的处理液循环,所述处理液槽用于贮存处理液;流量检测工序,检测在所述循环工序中流经各所述循环配管的处理液的流量;开度调节工序,基于在所述流量检测工序中检测出的各所述循环配管内的处理液的检测流量,调节在各所述循环配管上安装的流量调节阀的开度,使得所述循环配管间的处理液的流量之差降低。
根据该方法,多个循环配管能够连接到通用的处理液槽。在循环工序中,处理液槽内的处理液在多个循环配管内循环。
开度调节工序中,基于在流量检测工序中检测出的处理液的检测流量,调节安装于各循环配管的对应的流量调节阀的开度。此时,调节各流量调节阀的开度使得检测流量之差降低,从而能够降低循环配管间的处理液的流量之差。由此,降低循环配管间的处理液的温度差。
通过以下参照附图对实施方式的说明,本发明的上述的、或其他的目的、特征及效果将变得显而易见。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的基板处理装置的内部布局的示意性俯视图。
图2是所述基板处理装置的示意性纵剖视图。
图3是示出所述基板处理装置所具有的处理液供给装置的结构的示意图。
图4是示出循环配管及对应的处理部的周边的结构的示意图。
图5是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图6是用于说明利用所述基板处理装置进行的处理液供给的一例的流程图。
图7是用于详细说明所述处理液供给的反馈控制(图6的S4)的流程图。
图8A是示出当基于检测压力来调节流量调节阀的开度时的循环配管内的处理液流量的变化的图。
图8B是示出当基于检测流量来调节流量调节阀的开度时的循环配管内的压力的变化的图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明的一个实施方式的基板处理装置1的内部布局的图解性俯视图。图2是基板处理装置1的示意性纵剖视图。
基板处理装置1是一张一张地处理硅晶片等基板W的单张式装置。本实施方式中,基板W是圆板状的基板。基板处理装置1包括利用药液、冲洗液等处理液来处理基板W的多个(本实施方式中为四个)处理塔2A~2D(处理部)。在统称多个处理塔2A~2D时,称为处理塔2。基板处理装置1还包括对多个处理塔2A~2D供给处理液的处理液供给装置3,以及与各处理塔2A~2D对应设置、并收纳用于对处理塔2A~2D供给处理液的配管的流体单元4A~4D。
各处理塔2A~2D包括上下层叠的多个(例如三个)处理单元20(参照图2)。处理单元20是一张一张地处理基板W的单张式处理单元。多个处理单元20的每一个例如具有相同的结构。
基板处理装置1还具有:装载台LP,用于载置托架C,该托架C收纳用于在处理单元20中处理的多张基板W;搬送机器人IR及CR,在装载台LP与处理单元20之间搬送基板W;控制器7,用于控制基板处理装置1。
基板处理装置1还包括在水平方向延伸的搬送路径5。搬送路径5从搬送机器人IR向搬送机器人CR呈直线状延伸。搬送机器人IR在托架C与搬送机器人CR之间搬送基板W。搬送机器人CR在搬送机器人IR与处理单元20之间搬送基板W。
多个处理塔2将搬送路径5夹在中间并对称地配置。多个处理塔2分别在搬送路径5的两侧沿搬送路径5延伸的方向(延长方向X)排列。本实施方式中,在搬送路径5的两侧分别配置两个处理塔2。
将多个处理塔2A~2D中,靠近搬送机器人IR的一侧的两个处理塔2分别称为第一处理塔2A及第二处理塔2B。第一处理塔2A及第二处理塔2B将搬送路径5夹在中间并相对。将多个处理塔2A~2D中,远离搬送机器人IR的一侧的两个处理塔2分别称为第三处理塔2C及第四处理塔2D。第三处理塔2C及第四处理塔2D将搬送路径5夹在中间并相对。第一处理塔2A及第三处理塔2C在延长方向X上并列配置。第二处理塔2B及第四处理塔2D在延长方向X上并列配置。对应的流体单元4A~4D在延长方向X上与各处理塔2A~2D邻接。
处理液供给装置3具有用于积存药液等处理液的处理液槽21。基板处理装置1包括壳体6,所述壳体6在延长方向X上配置在搬送机器人IR的相反侧,用于收纳处理液槽21。处理液槽21配置在壳体6内,并被配置在如下位置:与配置在搬送路径5两侧的处理塔2C、2D中的一侧的处理塔2C相比,更靠近配置在搬送路径5两侧的处理塔2C、2D中的另一侧的处理塔2D。
图3是示出基板处理装置1中具有的处理液供给装置3的结构的示意图。
处理液供给装置3还具有:多个循环配管22A~22D,该多个循环配管22A~22D分别使处理液槽21内的处理液循环;供给配管23A~23D,分支连接到各循环配管22A~22D,并向对应的处理塔2A~2D供给处理液;通用配管24,连结处理液槽21与多个循环配管22A~22D的上游端。多个循环配管22A~22D从通用配管24的下游端进行分支。将循环配管22A~22D总称为循环配管22。将供给配管23A~23D总称为供给配管23。
循环配管22A~22D与多个处理塔2A~2D分别对应设置。将循环配管22A~22D中分支连接有供给配管23A~23D的部分称为分支位置26A~26D。将分支位置26A~26D总称为分支位置26。
处理液供给装置3具有:循环流量计27A~27D,安装于各循环配管22A~22D上,并检测在该循环配管22A~22D内流经的处理液的流量;循环流量调节阀28A~28D,安装于各循环配管22A~22D上,并调节该循环配管22A~22D内的处理液的流量。
将循环流量计27A~27D总称为循环流量计27。循环流量计27A~27D是流量检测单元的一例。将循环流量调节阀28A~28D总称为循环流量调节阀28。循环流量调节阀28A~28D可以例如是电动针型阀,但不限于此,也可以是泄压阀等阀。循环流量调节阀28A~28D是流量调节阀的一例。
各循环流量计27A~27D在对应的循环配管22A~22D的比供给配管23A~23D的分支位置26A~26D更靠上游侧的位置安装于循环配管22A~22D。各循环流量调节阀28A~28D在比对应的分支位置26A~26D更靠下游侧的位置安装于相应的循环配管22A~22D。因此,各循环流量调节阀28A~28D在对应的循环配管22A~22D上安装在比循环流量计27A~27D更靠下游侧的位置。
在通用配管24上,从上游侧依次安装有泵30、过滤器31及加热单元32。泵30向下游侧输送通用配管24内的处理液。过滤器31对流经通用配管24的处理液进行过滤。加热单元32是用于加热通用配管24内的处理液的加热器等。
泵30向下游侧输送通用配管24内的处理液,由此使处理液槽21内的处理液在各循环配管22A~22D内循环。此时,处理液槽21内的处理液经由通用配管24被供给到各循环配管22A~22D。因此,处理液槽21内原有的处理液被在通用配管24上安装的加热单元32加热。因此,对循环配管22A~22D供给加热后的处理液。加热单元32作为调节从处理液供给源对多个循环配管22A~22D供给的处理液的温度的温度调节单元而发挥功能。
处理液供给装置3的与各处理塔2A~2D关联的构件在所有处理塔2A~2D中具有几乎同样的结构。因此,下面将着重说明在处理液供给装置3中与第一处理塔2A对应的构件。图4是示出第一处理塔2A及对应的循环配管22A的周边的结构的示意图。
参照图4,第一处理塔2A的各处理单元20具有:旋转卡盘40,将一张基板W保持为水平姿势,并以贯通基板W的中央部的铅直的旋转轴线A1为中心使该基板W旋转;杯41,包围旋转卡盘40;第一喷嘴42及第二喷嘴43,对基板W供给处理液;处理腔室44,收纳旋转卡盘40、杯41、第一喷嘴42及第二喷嘴43。
在处理腔室44形成有出入口(未图示),该出入口用于将基板W搬入处理腔室44内,或从处理腔室44内搬出基板W。处理腔室44具有用于开闭该出入口的闸门单元(未图示)。
旋转卡盘40具有多个卡盘销45、旋转基座46、旋转轴47和对旋转轴47施加旋转力的电动机48。旋转轴47沿着旋转轴线A1在铅直方向延伸。旋转轴47的上端与旋转基座46的下表面中央结合。
旋转基座46具有沿水平方向的圆板形状。多个卡盘销45在周向间隔开地配置在旋转基座46的上表面的周缘部。旋转基座46及卡盘销45被包括在水平地保持基板W的基板保持单元中。电动机48使旋转轴47旋转,由此基板W以旋转轴线A1为中心旋转。电动机48被包括在使基板W以旋转轴线A1为中心旋转的基板旋转单元中。
该实施方式中,第一喷嘴42及第二喷嘴43分别是被配置为向基板W的上表面的旋转中心喷出处理液的固定喷嘴。处理液槽21中积存的药液等处理液经由循环配管22A及供给配管23A被供给到第一喷嘴42。冲洗液等处理液从不同于处理液槽21的其他槽等供给源50经由配管51被供给到第二喷嘴43。配管51上安装有阀52,该阀52用于切换是否对第二喷嘴43供给处理液。
药液例如是氢氟酸(氟化氢水溶液:HF)。药液不限于氢氟酸,也可以是包括硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、缓冲氢氟酸(BHF)、稀氢氟酸(DHF)、氨水、过氧化氢、有机酸(例如,柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如,TMAH:四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐剂中的至少一个的溶液。作为混合了这些溶液的药液的例子,举出SPM(硫酸、过氧化氢混合液)、SC1(氨、过氧化氢混合液)、SC2(盐酸、过氧化氢混合液)等。
冲洗液例如是去离子水(Deionized Water:DIW)。冲洗液不限于DIW,也可以是碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如,10ppm~100ppm左右)的盐酸水、氨水、还原水(富氢水)。冲洗液中含有水。
作为处理液,除了药液及冲洗液之外,可举出表面张力低于水的低表面张力液体等。低表面张力液体是在对基板上供给了冲洗液后,用于置换基板上的冲洗液的液体。将基板W上的冲洗液置换为低表面张力液体后,通过从基板W上除去低表面张力液体,能够良好地干燥基板W的上表面。与不利用低表面张力液体从基板W的上表面除去冲洗液从而干燥基板W的情况相比,在利用低表面张力液体来干燥基板W的上表面的情况下,能够使作用于基板W上形成的图案的表面张力降低。
作为低表面张力液体,可以使用不与基板W的上表面及在基板W上形成的图案发生化学反应的(反应性较差)的、IPA以外的有机溶剂。更具体而言,能够将包括IPA、HFE(氢氟醚)、甲醚、乙醚、丙酮及反-1,2二氯乙烯中的至少一个的溶液用作低表面张力液体。此外,低表面张力液体不必仅由单一成分组成,也可以是与其他成分混合的液体。例如,低表面张力液体可以是IPA液与纯水的混合液,也可以是IPA液与HFE液的混合液。
供给配管23A从循环配管22A分支,并且具有对处理塔2A的各处理单元20供给处理液的多个分支配管33~35。各分支配管33~35的上游端在对应的分支位置33a~35a连接到循环配管22A。各分支配管33~35的下游端连接到对应的处理单元20的第一喷嘴42。
循环配管22A上的供给配管23A的分支位置26A包括各分支配管33~35的分支位置33a~35a。因此,循环流量计27A在循环配管22A的比最上游侧的分支配管33的分支位置33a更靠上游侧的位置上安装于循环配管22A。而且,循环流量调节阀28A在循环配管22A的比最下游侧的分支配管35的分支位置35a更靠下游侧的位置上安装于循环配管22A。循环流量计27A及循环流量调节阀28A配置在壳体6内。
供给流量计36、供给流量调节阀37及供给阀38从上游侧依次安装于多个分支配管33~35上。各供给流量计36检测在供给配管23A的对应的分支配管33~35内流经的处理液的流量。各供给流量调节阀37调节在供给配管23A的对应的分支配管33~35内的处理液的流量。各供给阀38切换是否对供给配管23A的对应的分支配管33~35供给处理液。供给流量调节阀37例如是电动针型阀。供给阀38例如是泄压阀。
循环配管22A包括:上游侧第一配管60,具有循环配管22A的上游端并被收纳于壳体6内;下游侧第一配管61,包括循环配管22A的下游端并被收纳于壳体6内;第二配管62,被收纳于流体单元4A中。循环配管22A还包括:上游侧第三配管63,连接上游侧第一配管60与第二配管62,并在壳体6与流体单元4A之间延伸;下游侧第三配管64,连接下游侧第一配管61与第二配管62,并在壳体6与流体单元4A之间延伸。上游侧第三配管63也称为上游侧中继配管。下游侧第三配管64也称为下游侧中继配管。循环流量计27A安装在上游侧第一配管60上,循环流量调节阀28A安装在第二配管62上。
图5是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制器7具有微型计算机,按照规定的程序来控制基板处理装置1中具有的控制对象。更具体而言,控制器7包括处理器(CPU)7A和存储有控制程序的存储器7B,通过使处理器7A执行程序,由此执行用于进行基板处理的各种控制。特别是,控制器7控制搬送机器人IR、CR、电动机48、流量计27A~27D、36及阀类28A~28D、37、38、52等的动作。
图6是用于说明利用处理液供给装置3进行的供给处理液的一例的流程图,主要示出通过使控制器7执行程序来实现的处理。
在处理液供给装置3进行的处理液供给中,首先,由控制器7设定在各循环配管22内流经的处理液的流量的目标值(目标流量Q)(目标流量设定工序:步骤S1)。此时,对所有循环配管22设定目标流量Q。目标流量Q对所有循环配管22通用。如此,控制器7作为目标流量设定单元而发挥功能。
然后,启动安装在通用配管24上的泵30,开始各循环配管22所进行的处理液的循环(步骤S2)。由此,多个循环配管22分别执行使处理液槽21内的处理液循环的循环工序。
然后,由各循环流量计27开始进行对应的循环配管22的流量的检测(步骤S3)。由此,执行用于检测流经各循环配管22的处理液的流量的流量检测工序。将由循环流量计27检测出的处理液的流量称为检测流量。流量检测工序在循环工序开始后进行。然后,基于检测流量进行反馈控制(步骤S4)。在由循环配管22使处理液槽21内的处理液循环的期间,持续执行反馈控制。
图7是用于详细说明处理液供给的反馈控制(图6的S4)的流程图。
在反馈控制中,首先,由控制器7判断各循环配管22内的检测流量是否与目标流量Q(设定值)一致(步骤T1)。当检测流量与目标流量Q不同时(步骤T1中为No(否)),调节各循环流量调节阀28的开度(开度调节工序:步骤T2)。在开度调节工序中,基于在各循环配管22中检测出的检测流量,调节循环流量调节阀28的开度,使得检测流量接近目标流量Q。由此,降低循环配管22间的处理液的流量差。如此,控制器7作为基于检测流量来调节对应的循环流量调节阀28的开度的开度调节单元而发挥功能。当检测流量与目标流量Q一致时(步骤T1中为Yes(是)),不进行开度调节工序。然后,由控制器7再次判断各循环配管22内的检测流量是否与目标流量Q(设定值)一致(步骤T1)。
一边由处理液供给装置3进行处理液的供给,一边由基板处理装置1进行基板处理。在基板处理中,未处理的基板W由搬送机器人IR、CR从托架C搬入处理单元20,并被传递给旋转卡盘40。然后,基板W被水平地保持在与旋转基座46的上表面从上方间隔开的位置,直到被搬送机器人CR搬出(基板保持工序)。电动机48使旋转基座46旋转。由此,被卡盘销45水平保持的基板W进行旋转(基板旋转工序)。
接着,在搬送机器人CR退避到处理单元20外之后,进行药液处理。具体而言,通过打开供给阀38,从处理液供给装置3对第一喷嘴42供给例如药液(供给工序)。在从第一喷嘴42供给药液之前,开始反馈控制(图6的步骤S4)。
然后,从第一喷嘴42向旋转状态下的基板W的上表面喷出(供给)药液。供给的药液在离心力的作用下扩散到基板W的整个上表面。由此,利用药液处理基板W的上表面。
在经过了一定时间的药液处理后,将基板W上的药液置换为DIW,由此进行用于从基板W上排除药液的DIW冲洗处理。具体而言,关闭供给阀38,打开阀52。由此,从第二喷嘴43向基板W的上表面供给(喷出)例如冲洗液。被供给到基板W上的DIW在离心力的作用下扩散到基板W的整个上表面。基板W上的药液被该DIW冲洗掉。
在经过了一定时间的冲洗处理后,进行干燥处理。具体而言,电动机48使基板W以高于在药液处理及冲洗液处理中的基板W的旋转速度的高旋转速度(例如3000rpm)进行旋转。由此,较大的离心力作用于基板W的上表面的冲洗液,基板W的上表面的冲洗液被甩向基板W的周围。如此,从基板W除去冲洗液,从而干燥基板W。然后,当基板W的高速旋转从开始后经过了规定时间时,电动机48通过旋转基座46使基板W停止旋转。
然后,搬送机器人CR进入处理单元20,从旋转卡盘40上取下处理完成的基板W,将基板W向处理单元20外搬出。该基板W从搬送机器人CR被传递给搬送机器人IR,并由搬送机器人IR收纳于托架C。在各处理塔2A~2D中进行这样的基板处理。
根据本实施方式,处理液槽21内的处理液在多个循环配管22内循环。并非对每个循环配管22设置一个处理液槽21,而是多个循环配管22连接到通用的处理液槽21。在各循环配管22内循环的处理液被供给到分支连接至各循环配管22的供给配管23所对应的处理塔2。
控制器7基于由安装于各循环配管22的循环流量计27检测出的处理液的检测流量,调节对应的循环流量调节阀28的开度(反馈控制)。此时,通过调节各循环流量调节阀28的开度使得检测流量的差降低,能够降低循环配管22间的处理液的流量差。该情况下,循环配管22间的处理液的温度差得以降低。因此,循环配管22间的温度差降低后的处理液从各循环配管22经由供给配管23被供给到处理塔2。由此,能够降低处理液在处理塔2间的温度差。
在开始对供给配管23供给处理液后也继续进行反馈控制,由此能够根据供给到供给配管23的处理液的供给状态来调节循环流量调节阀28的开度。由此,无论对供给配管23供给处理液的供给状态如何,都能降低循环配管22间的处理液的流量差。
当处理液槽21中积存的处理液是氢氟酸等药液时,通过降低对处理塔2供给的处理液在处理塔2间的温度差,能够降低各处理塔2间的基板W的蚀刻程度之差。当在处理液槽21中积存的处理液是DIW等冲洗液或是IPA等低表面张力液体时,能够降低处理塔间的基板W的上表面的干燥程度之差。
与分支位置26的更上游侧相比,在分支位置26的更下游侧,循环配管22内的处理液的流量更易受到供给至供给配管23的处理液的供给状态的变化的影响。供给至供给配管23的处理液的供给状态的变化是指是否从循环配管22对供给配管23供给处理液、或从循环配管22对供给配管23供给的处理液的供给量的变化。
根据本实施方式,循环流量计27在循环配管22的比供给配管23的分支位置26更靠上游侧的位置安装于循环配管22。因此,能够降低供给至供给配管23的处理液的供给状态的变化对循环配管22内的处理液的流量的检测所产生的影响。即,循环流量计27能够稳定地检测循环配管22内的处理液的流量。因此,能够进一步降低循环配管22间的检测流量之差。
在循环配管22中,处理液从上游侧流入安装有循环流量调节阀28的部分。因此,与循环流量调节阀28的更下游侧的循环配管22内的压力相比,循环流量调节阀28能够通过其开度的调节来稳定地改变循环流量调节阀28的更上游侧的循环配管22内的压力。根据本实施方式,循环流量调节阀28在对应的循环配管22的供给配管23的分支位置26更靠下游侧的位置安装于循环配管22。因此,能够稳定地改变分支位置26附近的压力。由此,能够使从循环配管22流入供给配管23的处理液的流量保持稳定。
此外,根据本实施方式,各供给配管23A~23D具有多个分支配管33~35,该多个分支配管33~35从对应的循环配管22A~22D分支,并对对应的处理塔2A~2D的各处理单元20供给处理液。因此,与在每个处理单元20中设置一个循环配管22的结构相比,能够降低循环配管22的数量。
为了对处理单元20稳定地供给处理液,不仅需要使循环配管22内的处理液的流量q接近目标流量Q,还需要使循环配管22内的压力p接近目标压力P。循环配管22内的压力p及循环配管22内的处理液的流量q都需要至少在规定范围内。
参照图8A及图8B,循环配管22内的处理液的流量q的规定范围是指,例如,比目标流量Q大规定量ΔQ的第一流量Q1与比目标流量小规定量ΔQ的第二流量Q2之间的范围(Q2≤q≤Q1)。循环配管22内的压力p的规定范围是指,例如,比目标压力P大规定量ΔP的第一压力P1与比目标压力P小规定量ΔP的第二压力P2之间的范围(P2≤p≤P1)。
图8A是示出当基于检测压力来调节循环流量调节阀28的开度时的流量q的变化的图,图8B是示出当基于检测流量来调节循环流量调节阀28的开度时的压力p的变化的图。如图8B所示,本实施方式中,利用循环流量计27检测流量,并基于该检测流量调节循环流量调节阀28的开度,由此控制流量q。由于流量q与压力p之间存在相关关系,因此可以通过控制该流量q来间接地控制压力p。
于是,如图8A所示,不同于本实施方式,假设利用压力计代替循环流量计27来检测压力p,并基于该检测压力来调节循环流量调节阀28,由此控制压力p。能够通过控制该压力来间接地控制循环配管22内的处理液的流量q。但是,随着压力p的变化而变化的流量q的变化程度大于随着流量q的变化而变化的压力p的变化程度。因此,与如图8B所示的、利用循环流量计27控制流量q从而控制压力p的情况相比,在如图8A所示的、利用压力计来控制压力p从而控制流量q的情况下,需要高精度地调节循环流量调节阀28。因此,与不同于本实施方式的利用压力计的情况相比,在像本实施方式这样的利用循环流量调节阀28的情况下,能够容易地控制流量q。
本发明并不限于以上说明的实施方式,而是可以通过其他方式来实施。
例如,不同于上述的实施方式,可以设置用于加热处理液槽21内的处理液的加热器。利用该加热器来加热处理液槽21内的处理液。
此外,不同于上述的实施方式,通用配管24上可以安装有用于冷却处理液的冷却器。此外,不同于上述的实施方式,可以设置用于冷却处理液槽21内的处理液的冷却器。由多个循环配管22A~22D进行循环的处理液被这些冷却器冷却。可以将对多个循环配管22A~22D供给的处理液在该冷却器中进行冷却,或者利用加热单元32(加热器)或在处理液槽21内设置的加热器来加热对多个循环配管22A~22D供给的处理液,由此调节在多个循环配管22A~22D内循环的处理液的温度。该情况下,由加热器及冷却器构成温度调节单元。此外,作为温度调节单元,可以设置具有加热器及冷却器这二者的功能的单一单元。
此外,上述的实施方式中,说明了各循环流量计27在对应的循环配管22的比供给配管23的分支位置26更靠上游侧的位置安装于该循环配管22。但是,不同于上述的实施方式,也可以有各循环流量计27在对应的循环配管22的比供给配管23的分支位置26更靠下游侧的位置安装于该循环配管22的方式。此外,还可以有各循环流量计27在最上游侧的分支位置33a与最下游侧的分支位置35a之间安装于相应的循环配管22的方式。
此外,上述的实施方式中,说明了各循环流量调节阀28在对应的循环配管22的比供给配管23的分支位置26更靠下游侧的位置安装于该循环配管22。但是,不同于上述的实施方式,也可以有各循环流量调节阀28在对应的循环配管22的比供给配管23的分支位置26更靠上游侧的位置安装于该循环配管22的方式。此外,还可以有各循环流量调节阀28在最上游侧的分支位置33a与最下游侧的分支位置35a之间安装于相应的循环配管22的方式。
此外,上述的实施方式中,说明了循环流量计27及循环流量调节阀28配置在壳体6中。但是,不同于上述的实施方式,循环流量计27及循环流量调节阀28也可以配置在壳体6外。例如,各循环流量计27及各循环流量调节阀28可以配置在对应的流体单元4内。
此外,也可以将与本实施方式的处理液供给装置3相同的结构应用于对第二喷嘴43供给处理液的处理液供给装置。
此外,上述的实施方式中,处理单元20具有第一喷嘴42及第二喷嘴43。但是,喷嘴的数量不限于两个,也可以设置三个以上。该情况下,可以将与实施方式的处理液供给装置3相同的结构应用于对各喷嘴供给处理液的处理液供给装置。
当喷嘴的数量为三个时,可以从第一喷嘴42对基板W供给氢氟酸等药液,从第二喷嘴43对基板W供给DIW等冲洗液,并且从其他喷嘴对基板W供给IPA等有机溶剂(低表面张力液体)。由此,在上述的基板处理中,可以在DIW冲洗处理与干燥处理之间进行用IPA置换DIW的有机溶剂处理。
已经详细说明了本发明的实施方式,但这些仅是用于阐明本发明的技术内容的具体例,本发明不应被解释为限定于这些具体例,本发明的范围仅由附加的权利要求书来限定。
本申请对应于2017年3月16日向日本专利局提交的特愿2017-051860号,本申请的全部公开内容通过引用结合于此。

Claims (5)

1.一种处理液供给装置,用于向多个处理部供给处理液,各所述处理部具有多个用于处理基板的处理单元,所述处理液供给装置具有:
处理液槽,用于贮存处理液;
多个循环配管,分别与所述多个处理部对应设置,并分别使所述处理液槽内的处理液循环;
多个供给配管,分支连接到各所述循环配管,并向对应的所述处理部中的多个所述处理单元分别供给处理液;
流量检测单元,安装于各所述循环配管上,并检测在该循环配管内流经的处理液的流量;
流量调节阀,安装于各所述循环配管上,并调节该循环配管内的处理液的流量;
开度调节单元,基于由安装于各所述循环配管上的所述流量检测单元检测出的处理液的检测流量,调节对应的所述流量调节阀的开度,
所述开度调节单元调节各所述流量调节阀的开度,使得多个所述循环配管之间的所述检测流量的差降低。
2.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其中,
所述流量检测单元在对应的所述循环配管的比所述供给配管的分支位置更靠上游侧的位置安装于该循环配管上。
3.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其中,
所述流量调节阀在对应的所述循环配管的比所述供给配管的分支位置更靠下游侧的位置安装于该循环配管上。
4.一种基板处理装置,具有:
如权利要求1所述的处理液供给装置;
多个所述处理部,用于处理基板。
5.一种处理液供给方法,用于向多个处理部供给处理液,各所述处理部具有多个用于处理基板的处理单元,所述处理液供给方法包括:
循环工序,由分别与所述多个处理部对应设置的多个循环配管,分别使处理液槽内的处理液循环,所述处理液槽用于贮存处理液;
供给工序,从分支连接到各所述循环配管的多个供给配管,向对应的所述处理部中的多个所述处理单元分别供给处理液;
流量检测工序,检测在所述循环工序中流经各所述循环配管的处理液的流量;以及
开度调节工序,基于在所述流量检测工序中检测出的各所述循环配管内的处理液的检测流量,调节在各所述循环配管上安装的流量调节阀的开度,使得各所述循环配管间的处理液的流量之差降低,
所述开度调节工序包括调节各所述流量调节阀的开度以使得多个所述循环配管之间的所述检测流量的差降低的工序。
CN201810167202.3A 2017-03-16 2018-02-28 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 Active CN108630571B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-051860 2017-03-16
JP2017051860A JP6887836B2 (ja) 2017-03-16 2017-03-16 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108630571A CN108630571A (zh) 2018-10-09
CN108630571B true CN108630571B (zh) 2022-03-08

Family

ID=63706147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810167202.3A Active CN108630571B (zh) 2017-03-16 2018-02-28 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6887836B2 (zh)
KR (1) KR102134949B1 (zh)
CN (1) CN108630571B (zh)
TW (1) TWI656915B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7264729B2 (ja) * 2019-05-31 2023-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7181156B2 (ja) * 2019-05-31 2022-11-30 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
JP7562328B2 (ja) 2020-07-31 2024-10-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
TWI799172B (zh) * 2021-03-19 2023-04-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置、及基板處理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127034A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW201613012A (en) * 2014-09-18 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing device
CN105470167A (zh) * 2014-09-30 2016-04-06 株式会社思可林集团 基板处理装置
JP2016127243A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN105895560A (zh) * 2015-02-18 2016-08-24 株式会社思可林集团 基板处理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08108125A (ja) * 1994-10-13 1996-04-30 Sony Disc Technol:Kk 液供給装置
JP4940123B2 (ja) * 2007-12-21 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8950414B2 (en) * 2009-07-31 2015-02-10 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP5893592B2 (ja) * 2013-08-23 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6022431B2 (ja) * 2013-10-17 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
CN109037111B (zh) * 2015-02-25 2022-03-22 株式会社思可林集团 基板处理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127034A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW201613012A (en) * 2014-09-18 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing device
JP2016063074A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN105470167A (zh) * 2014-09-30 2016-04-06 株式会社思可林集团 基板处理装置
JP2016127243A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN105895560A (zh) * 2015-02-18 2016-08-24 株式会社思可林集团 基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201834753A (zh) 2018-10-01
TWI656915B (zh) 2019-04-21
KR102134949B1 (ko) 2020-07-16
JP2018157042A (ja) 2018-10-04
CN108630571A (zh) 2018-10-09
KR20180106841A (ko) 2018-10-01
JP6887836B2 (ja) 2021-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108511366B (zh) 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
CN108630571B (zh) 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
TWI553888B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US9793176B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6817860B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN109545704B (zh) 药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置
JP6878077B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2020110709A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7132054B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
KR20140101315A (ko) 웨이퍼 형상의 물체의 표면을 처리하는 프로세스 및 장치
JP2010129809A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6826890B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2009231732A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7096004B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US10199243B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7312304B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP7170511B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2023098079A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20240129571A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant