JP6022431B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板に処理液を供給して所定の処理を施す基板液処理装置において、処理液を回収して再利用する技術に関する。

半導体装置の製造においては、半導体ウエハ等の基板に、洗浄処理、ウエットエッチング処理等の液処理が施される。このような液処理を行うための基板液処理装置の処理液供給機構として、処理液を貯留するタンクと、タンクから出てタンクに戻る循環ラインと、循環路から分岐する分岐ラインと、循環路から分岐ラインを介して供給された処理液と基板に吐出するノズルを有する液処理ユニット（モジュール）と、を備えたものが公知である。

特許文献１には、上記の形式の基板液処理装置として、基板の上面及び下面にそれぞれ同時に同じ処理液を供給する上面用ノズル及び下面用ノズルを備えたものが開示されている。上面用ノズル及び下面用ノズルからそれぞれ基板に供給された処理液は、液処理ユニット内で不可避的に混ざり合い、液処理ユニットから排出される。排出された処理液は、回収されて再利用される。特許文献１記載の基板液処理装置では、上面用ノズルに処理液を供給する処理液供給機構と下面用ノズルに処理液を供給する処理液供給機構の大半の構成要素（例えばタンク及び循環ライン）が共通である。このため、回収された処理液が、基板の上下面に区別されることなく供給される。

しかし、通常、基板の状態は上下面で同じではない。このため、あるいは別の理由により、基板の上面に供給すべき液に求められる状態と、基板の下面に供給すべき液に求められる状態とが異なる場合がある。特許文献１の装置ではそのような要求に対応できない。

特開２００６−０８０５４７号公報

本発明は、基板の第１面及び第２面（第１面の裏面）に同時に同じ組成の処理液を供給することができ、かつ、基板の第１面及び第２面に供給された処理液が混合された後に回収され再利用されるように構成された基板液処理装置において、基板の第１面及び第２面に異なる状態の処理液の供給を可能とする技術を提供するものである。

本発明の一実施形態によれば、処理液を貯留する第１タンクと、前記第１タンクに貯留された処理液を吐出する第１ノズルと、を有し、前記第１ノズルにより基板の第１面に処理液を供給する第１処理液供給機構と、前記第１タンクに貯留された処理液と同じ組成の処理液を貯留する第２タンクと、前記第２タンクに貯留された処理液を吐出する第２ノズルと、を有し、前記第２ノズルにより基板の第２面に処理液を供給する第２処理液供給機構と、前記第１ノズルおよび第２ノズルにより供給された処理液により基板に処理が行われる処理部と、前記第１ノズルおよび第２ノズルから基板に供給された後に混ざり合った処理液を前記処理部から回収し、前記第２タンクに戻す回収ラインを備えた基板液処理装置が提供される。

本発明の上記実施形態によれば、第１処理液供給機構及び第２処理液供給機構のうちの一方の供給機構、すなわち第２供給機構のタンクである第２タンクに処理液を回収しているので、基板の第２面に供給される処理液中に含まれる回収液の含有量を、基板の第１面に供給される処理液中に含まれる回収液の含有量より多くすることができる。これにより、処理液中に回収液が含まれることにより生じる利点を活用することができるようになるか、あるいは、処理液中に回収液が含まれることによる欠点を緩和することができるようになる。このため、基板をより効率良く処理することが可能となる。

発明の一実施形態に係る基板液処理装置の構成を示す処理液回路図である。

以下に図面を参照して発明の実施形態について説明する。

図１に示すように、基板液処理装置は、基板に対して液処理を行う複数（図１には３つだけ示した）の液処理ユニット（処理部）３００と、液処理ユニット３００に処理液を供給する第１処理液供給機構１００と、第２処理液供給機構２００とを備えている。

各液処理ユニット３００は、基板を水平姿勢で保持するとともに鉛直軸線周りに回転させるスピンチャック３０２と、スピンチャック３０２に保持された基板Ｗ例えば半導体ウエハの上面（例えば回路形成面である表面）に処理液を供給する第１ノズル３０４と、基板Ｗの下面（例えば回路が形成されていない裏面）に処理液を供給する第２ノズル３０６とを有している。

各液処理ユニット３００は、基板Ｗに供給された後に基板Ｗから飛散する処理液を受け止めて回収する液受けカップ３０８を有している。

第１処理液供給機構１００は、処理液を貯留する第１タンク１０２と、第１タンク１０２から出て第１タンク１０２に戻る第１循環ライン１０４とを有している。第１循環ライン１０４にはポンプ１０６が設けられている。ポンプ１０６は、第１タンク１０２から出て第１循環ライン１０４を通り第１タンク１０２に戻る循環流を形成する。ポンプ１０６の下流側において第１循環ライン１０４には、処理液に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去するフィルタ１０８、第１ヒータ１１０及び温度計１０９が上流側から順次介設されている。

第１循環ライン１０４から、各液処理ユニット３００に対応する第１分岐ライン１１２が分岐している。第１分岐ライン１１２の末端には第１ノズル３０４が接続されている。第１分岐ライン１１２には、必要に応じて第１ノズル３０４から基板Ｗの上面に処理液を供給することができるように、流れ制御のための弁１１４（開閉弁、流量調整弁等）が介設されている。

第２処理液供給機構２００は、第１処理液供給機構１００と同様の構成を有している。処理液を貯留する第２タンク２０２と、第２タンク２０２から出て第２タンク２０２に戻る第２循環ライン２０４とを有している。第２タンク２０２に貯留される処理液は、第１タンクに貯留される処理液と同じ組成を有している。なお、本明細書で、「同じ組成」というのは、両タンク内の処理液の目標とする組成が同じであることを意味し、時間経過あるいは装置の運転に伴い不可避的に両タンク内の処理液の組成に若干の差（例えば、液成分の蒸発等に起因する濃度差、若しくはコンタミネーションの含有量の差）が生じたとしても、そのことは問題としないで、両タンク内の処理液は同じ組成を有していると解釈するものとする。

第２循環ライン２０４にはポンプ２０６が設けられている。ポンプ２０６は、タンク２０２から出て第２循環ライン２０４を通り第２タンク２０２に戻る循環流を形成する。ポンプ２０６の下流側において第２循環ライン２０４には、処理液に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去するフィルタ２０８、第２ヒータ２１０、温度計２０９が上流側から順次介設されている。

第２循環ライン２０４から、各処理ユニット１０に対応する第２分岐ライン２１２が分岐している。第２分岐ライン２１２の末端には第２ノズル３０６が接続されている。第２分岐ライン２１２には、必要に応じて第２ノズル３０６から基板Ｗの下面に処理液を供給することができるように、流れ制御のための弁２１４（開閉弁、流量調整弁等）が介設されている。

各液処理ユニット３００の液受けカップ３０８の底部にはそれぞれ、分岐回収ライン３１０が接続されている。これらの分岐回収ライン３１０は合流して１つの主回収ライン３１２となり、第２タンク２０２に接続されている。

基板液処理装置はさらに、補充ライン３２２，３２４をそれぞれ介して、第１タンク１０２および第２タンク２０２に処理液または処理液構成成分を補充するタンク液補充部３２０を有している。第１タンク１０２および第２タンク２０２には、これらのタンク１０２，２０２内の処理液を廃棄するためのドレン部３３０が設けられている。

第１タンク１０２内には、複数、図示例では２つの邪魔板１０２ａ、１０２ｂが設けられている。邪魔板１０２ａ、１０２ｂは、第１タンク１０２内に流入した液（第１循環ライン１０４から戻ってきた処理液、補充ライン３２２から供給される処理液、後述する連通路１４０を通って第２タンク２０２から流入してくる処理液）が、第１タンク１０２内に存在する処理液と十分に混ざり合った後に第１循環ライン１０４へ流出するように、第１タンク１０２内における主流Ｆ１を蛇行させて、主流Ｆ１が流れる距離をできるだけ長くするために設けられている。

同様に、第２タンク２０２内には、複数、図示例では２つの邪魔板２０２ａ、２０２ｂが設けられている。邪魔板２０２ａ、２０２ｂは、第２タンク２０２内に流入した液（第２循環ライン２０４から戻ってきた処理液、主回収ライン３１２から戻ってきた処理液、補充ライン３２４から供給される処理液）が、第２タンク２０２内に存在する処理液と十分に混ざり合った後に第２循環ライン２０４へ流出するように、第２タンク２０２内における主流Ｆ２を蛇行させて、主流Ｆ２が流れる距離をできるだけ長くするように設けられている。

第１タンク１０２と第２タンク２０２とは連通路１４０により連通している。第２タンク２０２内の処理液の液位が所定高さ以上になったときに第２タンク２０２内の処理液が連通路１４０を介してオーバーフローして第１タンク１０２内に流入するようになっている。勿論、この逆の流れ、すなわち、第１タンク１０２内の処理液の液位が所定高さ以上になったときに第１タンク１０２内の処理液が連通路を介してオーバーフローして第２タンク２０２内に流入することもありうる。

第１タンク１０２及び第２タンク２０２は、図１に概略的に示されるように処理液を貯留する２つの分離された貯留空間を有する単一の構造物として形成することができる。この場合、連通路１４０は、例えば、２つの貯留空間を仕切る壁に形成された穴、あるいは当該穴に差し込まれたパイプ片などから構成することができる。これに代えて、第１タンク１０２及び第２タンク２０２を互いに独立した構造物として形成してもよい。この場合、連通路１４０は、例えば、２つのタンクを連結する管路から構成することができる。

第１タンク１０２及び第２タンク２０２にはそれぞれ、タンク内の処理液の液位を検出するための液位センサ１０２ｃ，２０２ｃが設けられている。

液処理装置は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、液処理装置において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって液処理装置の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

次に、液処理装置の運用の一例について、処理液が有機薬液である場合を例にとって説明する。なお、本例では、裏面への有機薬液の供給は専ら基板を温めるためだけに行われているものとする。本例では、１つの処理ユニットにおいて１枚の基板が処理される際に、第１ノズル３０４から基板の上面（回路形成面である表面）に温度７０℃の処理液が１リットル毎分（以下「ＬＰＭ」と略す）の流量で１分間（６０秒間）供給され、これと同時またはほぼ同時に第２ノズル３０６から基板の下面（回路が形成されていない面である裏面）に温度８０℃の処理液が１．５ＬＰＭの流量で１分間供給される。

最初に、第１タンク１０２及び第２タンク２０２にはそれぞれ３０リットル処理液が入っているものとする。また、運転開始後、ポンプ１０６により第１タンク１０２から第１循環ライン１０４に２０ＬＰＭの流量で処理液が送り出され、ポンプ２０６により第２タンク２０２から第２循環ライン２０４に２５ＬＰＭの流量で処理液が送り出されるものとする。

温度計１０９による計測値が所定値となるように、すなわち第１ノズル３０４から基板Ｗに供給される処理液の温度が所定値、例えば７０℃となるように、温度計１０９による計測値に基づき第１ヒータ１１０の出力がフィードバック制御される。このとき、第１ヒータ１１０の最大出力は例えば１５ｋｗ程度である。同様に、温度計２０９による計測値が所定値となるように、すなわち第２ノズル３０６から基板Ｗに供給される処理液の温度が所定値、例えば８０℃となるように、温度計２０９による計測値に基づき第２ヒータ２１０の出力がフィードバック制御される。このとき、第２ヒータ２１０の最大出力は例えば２０ｋｗ程度である。

基板Ｗに対して液処理を実行している液処理ユニット３００の台数に対応する量の処理液が、第１分岐ライン１１２を介して第１循環ライン１０４から液処理ユニット３００に送られる。液処理ユニット３００へと向かわなかった残りの処理液は第１循環ライン１０４を通って第１タンク１０２に戻る。第１循環ライン１０４を構成する配管部材を介した放熱があるので、第１循環ライン１０４を通って第１タンク１０２に戻るまでの間に、処理液の温度はやや低下する。

同様に基板Ｗに対して液処理を実行している液処理ユニット３００の台数に対応する量の処理液が、第２分岐ライン２１２を介して第２循環ライン２０４から液処理ユニット３００に送られる。液処理ユニット３００へと向かわなかった残りの処理液は第２循環ライン２０４を通って第２タンク２０２に戻る。第２循環ライン２０４を構成する配管部材を介した放熱があるので、第２循環ライン２０４を通って第２タンク２０２に戻るまでの間に、処理液の温度はやや低下する。

液処理を実行している各１台の液処理ユニット３００において、第１ノズル３０４から基板Ｗに供給された処理液（７０℃）、及び第２ノズル３０６から基板Ｗに供給された処理液（８０℃）は、液受けカップ３０８により回収されるとともに液受けカップ３０８内で混合され、分岐回収ライン３１０及び主回収ライン３１２を通って、第２タンク２０２に戻される。

このとき、１枚の基板Ｗに供給された処理液が全て回収されるわけではなく、回収ロスがあり、回収率は例えば９０％である。すなわち、１台の液処理ユニット３００が基板Ｗを処理しているときには、液処理ユニット３００（すなわち第１、第２ノズル３０４，３０６）への処理液の供給流量は１．０ＬＰＭ＋１．５ＬＰＭ＝２．５ＬＰＭであり、液処理ユニット３００からの処理液の回収流量は２．５ＬＰＭ×０．９＝２．２５ＬＰＭである。

なお、回収ロスの要因としては、（１）回転する基板Ｗに処理液を供給した際に処理液が霧化ないし蒸発して飛散すること、（２）液受けカップ３０８内に適当な気流を形成するとともに霧化ないし蒸発した処理液が液処理ユニット３００内を汚染しないように液受けカップ３０８内を吸引する吸引機構（図示せず）により工場排気系に処理液が流出すること、等がある。

基板Ｗに供給された処理液は、霧化することにより、並びに基板Ｗ、液受けカップ３０８、分岐回収ライン３１０、主回収ライン３１２等に熱を奪われることにより冷却されるため、第２タンク２０２に戻る直前の主回収ライン３１２内の処理液温度は例えば６０℃である。

ここで第１タンク１０２及び第１循環ライン１０４を含む循環系（第１循環系）と、第２タンク２０２及び第２循環ライン２０４を含む循環系（第２循環系）の処理液の収支を考える。第２循環系からは、基板Ｗの処理を実行中の液処理ユニット３００一台あたり１．５ＬＰＭの流量で処理液が出て行き、主回収ライン３１２から２．２５ＬＰＭの流量で処理液が入ってくる。すなわち２．２５ＬＰＭ−１．５ＬＰＭ＝０．７５ＬＰＭに相当する分だけ第２タンク２０２内の液が増える（連通路１４０が無ければ）。また、第１循環系からは、基板Ｗの処理を実行中の液処理ユニット３００一台あたり１．０ＬＰＭが出て行き、入ってくる処理液は無い（連通路１４０が無ければ）。

しかしながら、第１タンク１０２と第２タンク２０２とが連通路１４０により連通しているので、第１タンク１０２内の処理液が、前述した０．７５ＬＰＭに対応する流量で連通路１４０を通って第２タンク２０２に流入する。このため、第１タンク１０２における処理液の収支はプラスマイナスゼロ（±０）となり、第２タンク２０２の液位は変化しない。

また、第１タンク１０２では、１．０ＬＰＭ−０．７５ＬＰＭ＝０．２５ＬＰＭに相応する量の処理液が減少してゆくことになる。すなわち、第１タンク１０２内の処理液は、基板Ｗの処理を実行中の液処理ユニット３００一台あたり０．２５ＬＰＭで減少してゆき、これに応じて第１タンク１０２内の処理液の液位が減少する。

液位センサ１０２ｃにより、第１タンク１０２内の処理液の液位が所定高さより低いことが検出されると、タンク液補充部３２０から補充ライン３２２を介して常温の新しい処理液が補充される。

上記の実施形態によれば、以下の有利な効果が得られる。

基板Ｗに供給された処理液は、第２タンク２０２に戻される。この第２タンク２０２が属する第２処理液供給機構２００は、第１処理液供給機構１００よりも高温の処理液を基板Ｗに供給するための処理液供給機構である。このため、第２処理液供給機構２００の第２ヒータ２１０は、第１処理液供給機構１００の第１ヒータ１１０よりも負担が大きい。

上記の実施形態では、基板に供給された処理液が第２タンク２０２に戻されるが、この戻される処理液の温度は、第２ヒータ２１０で加熱された直後の温度よりも低くはなっているが、常温に比べたら十分に高い温度である。そして、通常の連続運転時においては、第２タンク２０２に常温の新液が補充されることは無い。従って、これを再加熱する第２ヒータ２１０の負担はあまり大きくない。

これに対して、第１タンク１０２では定期的に常温の新液が補充されるため、新液補充直後に新液が混ざった処理液を再加熱する第１ヒータ１１０の負担は比較的大きくなる。しかしながら、第１タンク１０２が属する第１処理液供給機構１００は、第２処理液供給機構よりも低い温度の処理液を基板Ｗに供給するものである。従って、第１タンク１０２に基板に供給された処理液を回収して新液を第２タンクに補充する場合と比較すると、第１、第２ヒータ１１０，２１０の負担が平準化あるいは均一化される。

上記の実施形態の利点を別の視点から考える。第２処理液供給機構２００は基板Ｗの回路が形成されていない面に処理液を供給するものであるので、第２処理液供給機構２００から供給される処理液に要求される清浄度（例えばパーティクル含有量）は、第１処理液供給機構１００から供給される処理液よりも低い。

基板に供給された後に回収された処理液には、基板に供給される前よりも多くのパーティクルが含まれる。パーティクルの大部分はフィルタ１０８，２０８で除去されるが、パーティクルをより多く含む処理液を基板Ｗの回路形成面に供給することは好ましくない。

上記実施形態では、基板に供給された後に回収された処理液はまず、第２タンク２０２に流入する。第２タンク２０２に流入した回収された処理液の一部は、第２タンク２０２内に存在する処理液と混合された後に第１タンク１０２に流入する。従って、第２タンク２０２から第１タンク１０２に流入する処理液中のパーティクル濃度は、主回収ライン３１２を流れる処理液中のパーティクル濃度よりも低い。さらに、第１タンク１０２には定期的に新液が補充されるので、これによっても第１タンク１０２内のパーティクル濃度は低くなる。

すなわち、上記実施形態によれば、基板に供給された処理液を直接第１タンクに戻さないので、より清浄度の高さが要求される第１タンク１０２及び第１循環ライン１０４を含む循環系の清浄度を高く保つことが可能となる。

なお、上記実施形態においては、第１タンク１０２内に邪魔板１０２ａ、１０２ｂが設けられているため、第１タンク１０２内における、第１循環ライン１０４から処理液が戻されてくる領域（図中右上部分）と第１循環ライン１０４に処理液が送り出される領域（図中左下部分）との間の流路長さが長くなる。比較的多くのパーティクルを含有している可能性のある第２タンク２０２から連通路１４０を介して第１タンク１０２に流入してくる処理液は、第１循環ライン１０４から処理液が戻されてくる領域に流入するので、第１タンク１０２を第１循環ライン１０４に処理液が送り出される領域まで流れる間に、比較的清浄な処理液と十分に混ざり合う。このため、第１タンク１０２から第１循環ライン１０４にパーティクル濃度の高い処理液が送り出されることを防止することができる。

上記実施形態によれば、基板Ｗの両面に同時に同じ組成の処理液を供給するにあたって、２つの異なる処理液供給機構を設け、一方の処理液供給機構に属するタンクに、基板に両面にそれぞれ供給された後に混合された処理液を回収している。これにより、使用済みの処理液を最大限に再利用しつつ、装置構成要素の負担の低減や、処理面に応じた適切な状態の処理液の供給が可能となり、より効率良く基板の処理を行うことができる。

すなわち、上記実施形態においては、温度に関しては、より低温の処理液を加熱する役割を第１処理液供給機構１００の第１ヒータ１１０に持たせることにより、処理液の設定温度が高い第２処理液供給機構２００の第２ヒータ２１０の負担を低減し、第２ヒータ２１０の消費電力が第１ヒータ１１０の消費電力より大幅に大きくなる（第１タンク１０２に回収した場合にはそうなる）ことを防止することができる。これにより、第１、第２ヒータ１１０，２１０の最大出力を下げることができ、使用済みの処理液を最大限に再利用しつつ装置全体としての効率的な運用が可能となっている。また、パーティクルに関しては、清浄度の低い処理液を第２処理液供給機構２００に戻すことにより、より清浄度の高い処理液が求められる第１処理液供給機構の清浄度の向上を、使用済みの処理液を最大限に再利用しつつ実現している。

また、上記実施形態によれば、基板Ｗの表面（回路形成面）を所定の処理液（この場合ＤＨＦ）で高温処理（常温より高い温度での処理を意味する）する場合に、基板Ｗを温めるために処理液と同じ組成の処理液を使用しているため、これらが互いに混ざり合ったとしても、その液を処理液として再利用することができる。

上記実施形態においては、基板に供給された後の処理液を、設定温度が相対的に高く、かつ、要求される清浄度が相対的に低い処理液を供給するための処理液供給機構の属するタンクに回収したが、別の観点から処理液を回収するタンクを決定してもよい。

例えば、裏面（回路が形成されていない面）への処理液の供給の目的が裏面周縁部の洗浄であってもよく、この場合、表面（回路形成面）及び裏面に同じ温度の処理液が供給され、かつ、表面への処理液の供給流量が裏面への処理液の供給流量より多い場合が想定される。この事例では、表面への処理液の供給を担当する処理液供給機構のヒータの負担の方が大きくなるため、ヒータ負担の平均化を重視するならば、基板に供給された後の処理液を表面への処理液の供給を担当する処理液供給機構のタンクに戻すことも考えられる。

上記実施形態においては、第２タンク２０２に回収された処理液の一部を連通路１４０を介して第１タンク１０２に流入させていたが、例えば、処理液の再利用効率よりも第１タンク１０２にパーティクル濃度の高い処理液を流入させたくないという要求を優先するならば、タンクを個別に設けてもよい。この場合、第２タンク２０２の液位が上昇してゆくことになるが、第２タンク２０２内の処理液を定期的にドレン部３３０を用いて排出してもよい。これに代えて、第１タンク２０２にオーバーフローによるドレン機構を設けてもよい。

１００ 第１処理液供給機構
１０２ 第１タンク
１０４ 第１循環ライン
１１０ 第１ヒータ
１１２ 第１分岐ライン
１４０ 連通路
２００ 第２処理液供給機構
２０２ 第２タンク
２０４ 第２循環ライン
２１０ 第２ヒータ
２１２ 第２分岐ライン
３００ 液処理ユニット（処理部）
３０４ 第１ノズル
３０６ 第２ノズル
３１２ 主回収ライン（回収ライン）

Claims (8)

1. 処理液を貯留する第１タンクと、前記第１タンクに貯留された処理液を吐出する第１ノズルと、を有し、前記第１ノズルにより基板の第１面に処理液を供給する第１処理液供給機構と、
   前記第１タンクに貯留された処理液と同じ組成の処理液を貯留する第２タンクと、前記第２タンクに貯留された処理液を吐出する第２ノズルと、を有し、前記第２ノズルにより基板の第２面に処理液を供給する第２処理液供給機構と、
   前記第１ノズルおよび第２ノズルにより供給された処理液により基板に処理が行われる処理部と、
   前記第１ノズルおよび第２ノズルから基板に供給された後に混ざり合った処理液を前記処理部から回収し、前記第２タンクに戻す回収ラインと、
   を備え、
   前記第１処理液供給機構は、前記第１ノズルから吐出される処理液の温度が第１温度になるように処理液を加熱する第１ヒータを有し、
   前記第２処理液供給機構は、前記第２ノズルから吐出される処理液の温度が第２温度になるように処理液を加熱する第２ヒータを有し、
   前記第２温度は前記第１温度よりも高い、
   基板液処理装置。
2. 前記第１面が基板の回路形成面であり、前記第２面がその裏面である、請求項１記載の基板液処理装置。
3. 処理液を貯留する第１タンクと、前記第１タンクに貯留された処理液を吐出する第１ノズルと、を有し、前記第１ノズルにより基板の第１面に処理液を供給する第１処理液供給機構と、
   前記第１タンクに貯留された処理液と同じ組成の処理液を貯留する第２タンクと、前記第２タンクに貯留された処理液を吐出する第２ノズルと、を有し、前記第２ノズルにより基板の第２面に処理液を供給する第２処理液供給機構と、
   前記第１ノズルおよび第２ノズルにより供給された処理液により基板に処理が行われる処理部と、
   前記第１ノズルおよび第２ノズルから基板に供給された後に混ざり合った処理液を前記処理部から回収し、前記第２タンクに戻す回収ラインと、
   を備え、
   前記第１面が基板の回路形成面であり、前記第２面が回路形成されていない面である、基板液処理装置。
4. 処理液を貯留する第１タンクと、前記第１タンクに貯留された処理液を吐出する第１ノズルと、を有し、前記第１ノズルにより基板の第１面に処理液を供給する第１処理液供給機構と、
   前記第１タンクに貯留された処理液と同じ組成の処理液を貯留する第２タンクと、前記第２タンクに貯留された処理液を吐出する第２ノズルと、を有し、前記第２ノズルにより基板の第２面に処理液を供給する第２処理液供給機構と、
   前記第１ノズルおよび第２ノズルにより供給された処理液により基板に処理が行われる処理部と、
   前記第１ノズルおよび第２ノズルから基板に供給された後に混ざり合った処理液を前記処理部から回収し、前記第２タンクに戻す回収ラインと、
   を備え、
   前記第１タンクと前記第２タンクが連通路により接続されており、前記第２タンク内の処理液の液位が所定高さ以上になったときに前記第２タンク内の処理液が前記連通路を介して前記第１タンク内に流入する、基板液処理装置。
5. 前記第１処理液供給機構は、前記第１タンクから出て前記第１タンクに戻る第１循環ラインと、前記第１循環ラインから分岐して、前記第１循環ラインから前記第１ノズルに処理液を供給する第１分岐ラインを有し、
   前記第２処理液供給機構は、前記第２タンクから出て前記第２タンクに戻る第２循環ラインと、前記第２循環ラインから分岐して、前記第２循環ラインから前記第２ノズルに処理液を供給する第２分岐ラインを有している、
   請求項４記載の基板液処理装置。
6. 前記第１タンク内において、前記第１循環ラインから処理液が戻される領域と前記第１循環ラインに処理液が送り出される領域との間の流路長さを延長するために、前記第１タンク内に邪魔板が設けられており、前記連通路は、前記第１循環ラインから処理液が戻されてくる領域に、前記第１タンク内の処理液を流入させる、請求項５記載の基板液処理装置。
7. 第１タンクに貯留されている処理液を、第１温度で第１ノズルにより基板の第１面に供給することと、
   前記第１タンクに貯留されている処理液と同じ組成を有する第２タンクに貯留されている処理液を、前記第１温度より高い第２温度で第２ノズルにより基板の第２面に供給することと、
   前記第１ノズルおよび第２ノズルから基板に供給された後に混ざり合った処理液を回収して第２タンクに戻すことと、
   それまで第２タンクにあった処理液と第２タンクに戻された処理液とを混合したものを、前記第１温度より高い前記第２温度で基板の第２面に供給することと、
   を備え、
   前記第１面が基板の回路形成面であり、前記第２面が回路形成されていない面である、基板液処理方法。
8. 前記第２タンクに戻された処理液の一部が、前記第１タンクに送られる、請求項７記載の基板液処理方法。

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