CN1656601A - 半导体制造方法及其装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体制造方法，在半导体制造线的各制造工序中对半导体晶片进行加工处理，其中，对被搬入在各制造工序布置的制造装置中的半导体晶片，分别在加工处理前和加工处理后取得图像数据，根据加工处理前的图像数据或者合格品的掩模图像数据以及加工处理后的图像数据，检测上述制造装置的处理条件引起的缺陷，根据该检测结果对上述制造装置的处理条件进行更改控制，对半导体晶片进行加工处理。

Description

半导体制造方法及其装置
技术领域
本发明涉及例如液晶显示器和等离子显示器等平板显示器、半导体晶片等的半导体制造方法及其装置。
背景技术
图21A～图21G表示半导体制造的前工序。在半导体晶片1的表面上形成氧化膜(SiO2)，在该氧化膜上淀积氮化硅膜的薄膜2。
然后，进入光刻工序，在半导体晶片1的表面上涂敷光致抗蚀剂(感光性树脂)3的薄膜。光致抗蚀剂3的涂敷方法是利用涂敷机把光致抗蚀剂3的液体滴到半导体晶片1的表面上，使半导体晶片1高速旋转，从而在半导体晶片1的表面上形成光致抗蚀剂3的薄膜。
然后，在逐次移动式曝光装置(stepper)等曝光机上，通过光掩模基板(以下简称为掩模)4，把紫外线照射到半导体晶片1上的光致抗蚀剂3上。这样，在掩模4上描绘的半导体图形被转印(曝光)到光致抗蚀剂3上。
然后，通过进行显影，用溶剂把曝光部分的光致抗蚀剂3溶化，剩下未曝光部分的光致抗蚀剂图形3a(正型)。相反，残留曝光部分的光致抗蚀剂3，使未曝光部分的光致抗蚀剂图形3a溶化的是负型。
显影结束后，对在半导体晶片1表面上形成的光致抗蚀剂图形3a进行外观检查。
然后，把在半导体晶片1表面上残留的光致抗蚀剂图形3a作为掩模，连续地选择除去(腐蚀)半导体晶片1的表面上的氧化膜和氮化硅膜。
然后，用灰化法(ashing)除去半导体晶片1的表面上的光致抗蚀剂图形3a(剥离光致抗蚀剂)。然后，对半导体晶片1进行清洗，除去杂质。
以后，反复进行从光致抗蚀剂3的涂敷到半导体晶片1的清洗的工序，在半导体晶片1的表面上形成多层图形。
从光致抗蚀剂3的涂敷到显影，采用使涂敷机/显影机和曝光机一体化系统化的光刻装置来进行。
但是，利用光刻装置中的涂敷机，由于异物附着和光致抗蚀剂粘度、旋转条件，在半导体晶片1的表面上会出现光致抗蚀剂3的成膜不均匀。
在曝光机上，散焦、掩模错误而转印出其他电路图形。并且，掩模遮光板(masking blade)太大或太小。受到掩模4上的缺陷的影响。受到附着在掩模4上的异物的影响。对半导体晶片1进行双重曝光，或者仍保持未曝光状态。
在显影机中，由于显影液的温度和显影时间，造成显影不合格。
但是，检查这种不合格现象的半导体晶片1的外观检查，是把半导体晶片1搬出、送到光刻蚀装置外的外观检查装置上来进行。
因此，涂敷机、曝光机和显影机的各工作条件所引起的缺陷很难立即检测出来。其结果，产生大量不合格品，不能稳定地制造半导体。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供这样一种半导体制造方法及其装置，它检测出与半导体制造工序中布置的各制造装置的工作条件相关联的缺陷，对各制造装置的工作条件进行可变设定，从而稳定地进行半导体制造。
根据本发明的主要观点，提供的半导体制造方法及其装置如下：在半导体流水线的各制造工序对半导体基片进行加工处理的半导体制造方法中，对于搬入到各制造工序所布置的制造装置上的半导体基片，分别在加工处理前和加工处理后取得图像数据，根据加工处理前的图像数据或者合格品的掩模图像数据以及加工处理后的图像数据，检测出上述制造装置的处理条件造成的缺陷，根据该检测结果对上述制造装置的处理条件进行更改控制，对半导体基片进行加工处理。
附图说明
图1A是涉及本发明的半导体制造装置的第1实施方式的结构图。
图1B是表示该装置中的晶片盒(cassette)、返修(rework)装置和搬运机械手的布置示例图。
图2是该装置中的涂敷机的结构图。
图3是把光致抗蚀剂的粘度作为参数的涂敷机的转速和光致抗蚀剂膜厚的关系图。
图4A是边缘冲洗切削机的构成图。
图4B是表示边缘冲洗切削宽度的图。
图5是表示半导体晶片外周缘的光致抗蚀剂的切削的图。
图6是涉及本发明的半导体制造装置的第1实施方式的显影机的构成图。
图7是该装置中的曝光机的结构图。
图8是该装置中的第1～第3检查部的结构图。
图9是该装置中的表面缺陷检查装置的结构图。
图10是表示该装置中的照明部的倾斜角度与亮度值的关系图。
图11是该装置中的检查处理部的结构图。
图12是该装置中的边缘冲洗切削宽度的检测部位图。
图13是该装置中的工序控制装置的结构图。
图14是表示该装置中的光致抗蚀剂涂敷不合格的示意图。
图15是该装置中的半导体晶片倾斜时的曝光状态的示意图。
图16是该装置中的显影不合格的示意图。
图17是涉及本发明的半导体制造装置的第2实施方式的结构图。
图18是该装置的缺陷数据库的示意图。
图19是涉及本发明的半导体制造装置的第3实施方式的结构图。
图20是表示该装置的应用例的结构图。
图21A是表示半导体制造工序中的光刻工序的图。
图21B是表示半导体制造工序中的光刻工序的图。
图21C是表示半导体制造工序中的光刻工序的图。
图21D是表示半导体制造工序中的光刻工序的图。
图21E是表示半导体制造工序中的光刻工序的图。
图21F是表示半导体制造工序中的光刻工序的图。
图21G是表示半导体制造工序中的光刻工序的图。
具体实施方式
以下参照附图，详细说明本发明的第1实施方式。
图1A是光刻工序中布置的半导体制造装置的结构图。半导体制造装置具有涂敷机/显影机10和曝光机11。在涂敷机/显影机10的投入口设置了晶片盒12。晶片盒12中收容光刻处理前的多枚半导体晶片1。晶片盒13设置在涂敷机/显影机10的搬出口。晶片盒13收容光刻处理结束的多枚半导体晶片1。
在涂敷机/显影机10内，具有涂敷机14、显影机15、返修装置16、及第1～第3检查部60～62。
而且，在半导体制造装置的外部，如图1B所示设置了：内部收容合格品的多枚半导体晶片1的晶片盒C1、内部收容不能返修的不合格品(NG)半导体晶片1的晶片盒C2、以及返修装置16，而且，也可以在涂敷机/显影机10内设置搬运机械手Rb。在晶片盒C1内，收容光刻处理前的多枚半导体晶片1、以及光刻处理结束后的合格品的多个半导体晶片1。搬运机械手Rb能在各晶片盒C1、C2和返修装置16之间进行移动，如果用显影机15进行显影后的半导体晶片1是合格品，就把半导体晶片1放入到晶片盒C1内，如果是能返修的半导体晶片1，就送至返修装置16，如果是不能返修的不合格(NG)的半导体晶片1，就放入到晶片盒C2内。
图2是涂敷机14的结构图。在涂敷机主体14a内部，设置了电机17。在电机17的轴18上设置了真空吸盘19。真空吸盘19对半导体晶片1进行吸附和保持。
在半导体晶片1的上方，布置了抗蚀剂喷咀20。抗蚀剂喷咀20通过连接管21连接到光致抗蚀剂槽22。在光致抗蚀剂槽22内存放光致抗蚀剂3的液体。在光致抗蚀剂槽22设置了加热器23。在光致抗蚀剂槽22内设置了温度计24，用于检测光致抗蚀剂3的温度。对加热器23进行通电控制，把由温度计24检测出的光致抗蚀剂3的液温调整到规定温度(恒温)。
光致抗蚀剂3的粘度随温度而变化。在半导体晶片1的表面上所形成的光致抗蚀剂3的膜厚如图3所示，根据涂敷机14中的电机17的转速和光致抗蚀剂3的粘度的关系，对涂敷机14的转速和光致抗蚀剂的液温进行控制，以便达到设定膜厚。
在连接管21上连接泵25和流量计26。泵25把光致抗蚀剂槽22内的光致抗蚀剂液体输送到抗蚀剂喷咀20。流量计26对输送到抗蚀剂喷咀20内的光致抗蚀剂3的液量进行测量。由泵25输送的光致抗蚀剂3的液量，根据由流量计26所检测出的液量进行控制。这样，从抗蚀剂喷咀20中滴下到半导体晶片1的表面上的光致抗蚀剂3的液量被控制成规定的量。
在由真空吸盘19吸附保持的半导体晶片1的周围，设置了杯状体27，对半导体晶片1进行包围。涂敷机主体容器14a上设置了加热器28。在涂敷机主体容器14a内设置了温度计29和湿度计30。对加热器28进行通电控制，根据由温度计29检测出的温度，把涂敷机主体容器14a内的温度调整到规定的温度(例如20～25℃)。涂敷机主体容器14a内的湿度，根据由湿度计30检测出的湿度而保持在规定的湿度(例如相对湿度40％以下)下。通过湿度控制来防止光致抗蚀剂3的薄膜的粘接性降低。
在电机17上安装转速传感器31。电机17的转速根据转速传感器31检测出的转速来调整，将其控制在规定的转速。通过对电机17的旋转进行控制，使半导体晶片1的表面上的光致抗蚀剂3的膜厚形成为规定的厚度。
涂敷机14具有图4A所示的边缘冲洗切削机47。边缘冲洗切削机47如图5所示，对涂敷了光致抗蚀剂3之后的半导体晶片1的外周缘的光致抗蚀剂3进行切削。
具体来说，清洗喷咀47a被设置在半导体晶片1的外周缘的上方。清洗喷咀47a向光致抗蚀剂3的外周缘滴下适量的清洗液32。这样，半导体晶片1的外周缘的光致抗蚀剂3，如图4B所示仅切削规定的边缘冲洗切削宽度E。
涂敷机14利用涂敷机控制部14a来控制涂敷机14的工作条件，例如温度、湿度、光致抗蚀剂的滴下量、半导体晶片1的转速及其旋转时间。
图6是显影机15的结构图。在显影机容器15a内设置电机33。在电机33的轴34上设置真空吸盘35。真空吸盘35对半导体晶片1进行吸附和保持。
在半导体晶片1的上方设置显影喷咀36。显影喷咀36通过连接管37而连接到显影液槽38内。在显影液槽38内存放显像液。在显影液槽38设置加热器39。在显影液槽38内设置用于检测显影液温度的温度计40。在显影液槽38对加热器39进行通电控制，以便把由温度计40检测出的显影液的温度控制到规定的温度。
泵41和流量计42连接至连接管37。泵41把显影液槽38内的显影液输送到显影喷咀36。流量计42测量出输送到显影喷咀36的显影液的量，由泵41输送的显影液量，根据由流量计42检测出的液量来进行控制。这样，从显影喷咀36向半导体晶片1表面滴下的显影液量，可以控制到规定的量。
在真空吸盘35的下部，设置了杯状体43。在显影机容器32上设置了加热器43。在显影机容器15a内设置了温度44和湿度计45。加热器43根据由温度计44检测出的温度来进行通电控制。这样，把显影机容器15a内的温度控制在规定的温度。显影机容器15a内的湿度根据由湿度计45检测出的湿度而持在规定的湿度。
在电机33上安装了转速传感器46。电机33根据由转速传感器46检测出的转速来进行转速控制，使其达到规定转速。通过电机33的旋转控制使显影液在半导体晶片1的表面上均匀流动。
显影机15利用显影机控制部15a来控制向半导体晶片1的表面上滴下的显影液的量和温度等。
图7是曝光机11的概要结构图。曝光机11例如是分布重复曝光机(缩小投影曝光装置)。光源50例如采用水银灯。在光源50的光轴51上，设置了：聚光镜52、形成了半导体图形的光掩模基板(以下简称为掩模)53、以及投影透镜54。在光轴51上设置了放置半导体晶片1的载物台55。载物台55利用XYZ倾斜机构56能在XYZ方向上移动。而且，与Z方向的倾斜角也能改变。曝光机11把形成在掩模53上的图形例如缩小到十分之一、五分之一、四分之一等，投影到半导体晶片1上。
曝光机11利用曝光控制部11a来控制光源50的曝光量、曝光光学系统的聚焦量、载物台55的倾斜度等。
在用涂敷机14涂敷光致抗蚀剂，用曝光机11转印图形，用显影机15显影时半导体晶片1上产生缺陷的情况下，返修装置16把形成在半导体晶片1上的薄膜2的图形除掉。
第1检查部60设置在布置晶片盒12的搬入线一侧。第1检查部60对涂敷光致抗蚀剂3之前的半导体晶片1进行摄像，取得图像数据Im1。
第2检查部61设置在涂敷机14和曝光11之间。第2检查部61，对涂敷光致抗蚀剂3之后的半导体晶片1进行摄像，取得图像数据Im2。
第3检查部62设置在放置晶片盒13的搬出线一侧。第3检查部62对曝光、显影结束后的半导体晶片1进行摄像，取得图像数据Im3。
图8是第1～第3检查部60～62的结构图。第1～第3检查部60～62是同一结构。在载物台65上放置半导体晶片1。在载物台65的上方，布置了线状的照明部66和由线传感器摄像机等构成的摄像部67。照明部66的布置使光轴相对于半导体晶片1的表面的倾斜角度为规定角度θ1。照明部66把线状的照明光照射到半导体晶片1的表面上。照明部66设置成能转动、且对半导体晶片1表面的倾斜角度θ1能在规定范围内进行调整。照明部66能通过电气或机构的制动器按照所需的倾斜角度θ1进行固定。
摄像部67布置成倾斜状，使光轴相对于半导体晶片1的表面的倾斜度达到规定角度θ2。摄像部67对于因照明部66的照明而在半导体晶片1的表面上产生的衍射光一行一行地进行拍摄。摄像部67固定在使光轴按规定角θ2倾斜的状态。
干涉滤光片68设置成在摄像部67的摄像光路上能够插拔的状态。干涉滤光片68在对半导体晶片1的表面的干涉图像进行拍摄时插入到摄像部67的摄像光路上。
在涂敷机/显影机10内，准备了搬运机械手Ra。搬运机械手Ra取出用涂敷机14涂敷了光致抗蚀剂的半导体晶片1，传送到曝光机11上，取出由曝光机11曝光处理后的半导体晶片1，传送到显影机15上。并且，在光致抗蚀剂涂敷之前、光致抗蚀剂涂敷之后、曝光显影之后，搬运机械手Ra从涂敷机/显影机10、曝光机11中取出半导体晶片1，放置到第1～第3检查部60～62的载物台65上，在表面缺陷检查之后，从载物台65上取出半导体晶片1，放回到流入线上。
搬运机械手Rb设置在涂敷机/显影机10外，把被判断为报废的半导体晶片1从返修装置16中取出，放入破坏用的晶片盒内。
图9是表面缺陷检查装置63的结构图。在主计算机70上连接第1～第3检查部60～62中的各摄像部67。主计算机70向CRT显示器或液晶显示器等图像显示部71、输入部72、载物台传送旋转控制部73、光学系统控制部74、照明角度控制部75、基片搬送部76和设计信息解析部77，发送各种工作指令。设计信息解析部77连接在CAD(计算机辅助设计)部78上，该CAD部78具有芯片设计工序所使用的设计信息。
主计算机70生成一种曲线，它表示图10所示的照明部66的倾斜角度θ1与亮度值的关系。根据该曲线，从通过摄像部67的拍摄而取得的图像数据Im1-Im3中判断在衍射光中最适合观察的n次光(1次光、2次光)的位置。
主计算机70具有存储部80和检查处理部81。存储部80存储通过摄像部67的摄像而取得的各图像数据Im1-Im3、以及通过检查处理部81而取得的检查结果的信息(缺陷信息)。
检查处理部81分别接收通过第1～第3检查部60～62的各摄像部67的摄像而取得的图像数据，即涂敷光致抗蚀剂3之前的半导体晶片1的图像数据Im1、涂敷光致抗蚀剂3之后的半导体晶片1的图像数据Im2、以及显影后的半导体晶片1的图像数据Im3，对各图像数据Im1-Im3进行解析处理，对涂敷光致抗蚀剂后、曝光处理后、显影后的半导体晶片1进行检查。
检查处理部81求出光致抗蚀剂涂敷后、曝光处理后、显影后的各种缺陷信息，例如缺陷的种类、数量、位置、面积等信息，作为对半导体晶片1的检查结果，把缺陷信息显示到图像显示部71上。
检查处理部81如图11所示，具有：光致抗蚀剂处理部82、曝光、显影处理部83、工序处理部84、切削宽度处理部85和掩模图像处理部86。
光致抗蚀剂处理部82对存储在存储部80内的各个图像数据Im1和Im2进行比较，求出差图像数据(Im2-Im1)，根据差图像数据(Im2-Im1)，检测出半导体晶片1的表面上的异物，而且根据差图像数据(Im2-Im1)检测出光致抗蚀剂3的涂敷状态。
曝光、显影处理部83对存储在存储部80内的图像数据Im3和预先存储的显影后的合格的半导体晶片1的图像数据(以下称为掩模图像数据)IRef3进行比较，求出差图像数据(IRef3-Im3)，根据差图像数据(IRef3-Im3)对刚制成后的半导体晶片1进行外观检查。
曝光、显影处理部83，根据对半导体晶片1的外观检查结果，检测出曝光机11中的散焦、掩模差异、遮挡叶片(masking balde)太大或太小，掩模53上的缺陷或异物的检测、对半导体晶片1的双重曝光、未曝光、在显影机15中的显影不良。
工序处理部84对存储在存储部80内的图像数据Im3和Im1进行比较，求出差图像数据(Im3-Im1)，从差图像数据(Im3-Im1)中检查出第1次光刻工序(光致抗蚀剂涂敷、曝光、显影)中的处理状态。
工序处理部84结束光刻工序，把检查出的不合格的半导体晶片1传送到返修装置16上，返修后的半导体晶片1再次传送到涂敷机14。工序处理部84对再次送入到涂敷机14内的半导体晶片1的制造号码进行存储，对检查出不合格的次数进行计数。
工序处理部84在被检查出不合格的次数达到规定的不合格次数以上时，把该半导体晶片1判断为不合格品，决定将其从光刻工序流水线中取出。
切削宽度处理部85根据存储在存储部80内的图像数据Im2对图4B所示的边缘冲洗切削宽度E，在半导体晶片1的周缘部的多个部位，例如图12所示在4个部位P1～P4进行检测，判断出边缘冲洗切削宽度E是否能满足预先设定的允许宽度。
切削宽度处理部85根据图像数据Im2，从半导体晶片1的整个周缘部的边缘图像中检测出边缘部的缺口、裂纹等缺陷。
掩模图像处理部86读取以下数据：预先存储在存储部80内的、涂敷光致抗蚀剂3之前的合格的半导体晶片1的掩模图像数据IRef1、涂敷光致抗蚀剂3之后的合格的半导体晶片1的掩模图像数据IRef2、以及显影后的合格的半导体晶片1的掩模图像数据IRef3。
掩模图像处理部86求出各掩模图像数据IRef2和IRef1的掩模差图像数据(IRef2-IRef1)，根据掩模差图像数据(IRef2-IRef1)和差图像数据(Im2-Im1)的差图像数据(IRef2-IRef1)-(Im2-Im1)，检测光致抗蚀剂3的涂敷状态。
并且，掩模图像数据处理部86求出各掩模图像数据IRef3和IRef1的掩模差图像数据(IRef3-IRef1)，从掩模差图像数据(IRef3-IRef1)和差图像数据(Im3-Im1)的差图像数据(IRef3-IRef1)-(Im3-Im1)，检查出第1次光刻工序中的处理状态，从第1次光刻工序结束后的半导体晶片1中，检测不合格品。
工序控制装置87接收检查处理部81的检查结果，根据该检查结果、涂敷机14、显影机15、和曝光机11的各种工作条件的比较结果，对涂敷机14、显影机15和曝光机11分别进行反馈控制。工序控制装置87如图13所示，具有：存储部88、光致抗蚀剂控制部89、曝光显影控制部90、工序控制部91、切削宽度控制部92和掩模图像控制部93。
存储部88存储与检查处理部81的检查结果相对应进行反馈控制的涂敷机14、显影机15和曝光机11的各种工作条件。涂敷机14的工作条件是例如温度、湿度、光致抗蚀剂3的滴下量、半导体晶片1的转速及其旋转时间等。显影机15的工作条件是例如在半导体晶片1的表面上滴下的显影液的量、温度等、曝光机11的工作条件是例如光源50的曝光量、曝光光学系统的聚焦量、载物台55的倾斜度、掩模基板的号码等。
光致抗蚀剂控制部89根据光致抗蚀剂处理部82在半导体晶片1的表面上的光致抗蚀剂3的涂敷状态的检查结果，向涂敷机控制部14a内发送反馈控制信号，使其更改涂敷机14的工作条件，例如温度、湿度、光致抗蚀剂3向半导体晶片1上的滴下量、半导体晶片1的转速及其旋转时间中的至少一项。
曝光、显影控制部90根据曝光、显影处理部83对半导体晶片1的外观检查结果，向曝光控制部11a或显影控制部15a发送反馈控制信号，使其更改曝光机11或显影机15中的一个或两者的工作条件。
曝光显影控制部90向曝光控制部11a内发送反馈控制信号，使其控制以下项目：例如作为曝光机11的工作条件的光源50的曝光量、曝光光学系统的聚焦量、以及控制载物台55的倾斜度的XYZ倾斜机构56的倾斜等项目中的至少一项。
曝光、显影控制部90在利用曝光显影处理部83检测出显影机15中的显影不合格时，向显影机15内发送反馈控制信号，以便控制作为显影机15的工作条件的、滴到半导体晶片1的表面上的显影液的量和温度中的至少一项。
工序控制部91接收从工序处理部84来的第1次光刻工序已结束的半导体晶片1的检查结果，当根据该检查结果检测出半导体晶片1的不合格品时，向返修装置16发出控制信号，使其把该半导体晶片1传送到返修装置16内，然后再投入到涂敷机14。
为了把被检查处理部81判断为不能返修的不合格(NG)基片以及被工序处理部84判断为返修次数超过规定的不合格基片，从光刻工序流水线中取出，工序控制部91向搬运机械手Rb送出把半导体晶片1放入到不合格品用的晶片盒内的指令。
切削宽度控制部92如图12所示，向涂敷机控制部14a发送切削宽度控制信号，使其调整冲洗液的滴下量，以便在由切削宽度处理部85检测出的4个部位P1～P4上的边缘冲洗切削宽度E，分别达到允许范围以内。
切削宽度控制部92在判断出边缘冲洗切削宽度E不能满足预先设定的允许宽度的情况下，把不合格的半导体晶片1再次送入到返修装置16内。
掩模图像控制部93接收由掩模图像处理部86检测出的光致抗蚀剂3的涂敷状态，根据光致抗蚀剂3的涂敷状态，向涂敷机控制部14a内发送反馈控制信号，使其更改涂敷机14的工作条件，例如更改温度、湿度、光致抗蚀剂3向半导体晶片1的滴下量、半导体晶片1的转速及其旋转时间中的至少一项。
掩模图像控制部93根据由掩模图像处理部86检测出的第1次光刻工序的最终检测结果，判断出是不能返修的不合格品时，向返修装置16和涂敷机控制部14a内发送指令，以便把该半导体晶片1送入返修装置16内，再次送入涂敷机14。
而且，各检查部60～62分别布置在涂敷机14、曝光机11、显影机15的前后。但也可以把一个检查部布置在涂敷机/显影机10内，利用搬运机械手等在涂敷机14、曝光机11和显影机15之间传送该检查部。
也可以在曝光机11和显影机15之间布置第4检查部94。第4检查部94取得曝光处理后的半导体晶片1的图像数据Im4。
检查处理部81求出图像数据Im4和Im2的差图像数据(Im4-Im2)，根据差图像数据(Im4-Im2)检测出曝光机11中的散焦、掩模差异、掩模53的遮挡叶片太大或太小、掩模53上的缺陷或异物、对半导体晶片1的双重曝光、未曝光等项目中的至少一项。
载物台传送旋转控制部73对放置了半导体晶片1的载物台65的移动进行控制，使移动间距与摄像部67的摄像相同步，而且移动方向与照明部66的线照明的纵长方向相交叉。
载物台传送旋转控制部73对载物台65进行旋转控制和定位控制。为了使半导体晶片1旋转，要使载物台65本身旋转。并且，优选在能够单轴移动的载物台65上设置旋转载物台，使该旋转载物台旋转。并且，利用传感器来检测旋转中的半导体晶片1的定位面或缺口(notch)，根据定位面或缺口的位置来使旋转载物台等停止，把半导体晶片1按规定状态进行定位。
光学系统控制部74在取得干涉图像时，对干涉滤光片48的插入和照明部66的光量进行控制。
照明角度控制部75根据主计算机70的指示来控制照明部66的照明相对于半导体晶片1表面的倾斜角度。
基片传送部76对搬运机械手Ra的动作进行控制，使其在光致抗蚀剂涂敷之前、光致抗蚀剂涂敷之后、和曝光显影之后，取出半导体晶片1，放置到载物台65上，在表面缺陷检查之后，取下载物台65上的半导体晶片1，送回到流入线上。
以下说明上述结构的装置的作用。
如图21B所示，淀积了薄膜2的半导体晶片1，在晶片盒12内收放多个片。晶片盒12设置在图1所示的涂敷机/显影机10的投入口处。收放在晶片盒12内的半导体晶片1一片一片地送入到涂敷机/显影机10内时，利用搬运机械手Ra把半导体晶片1传送到图2所示的涂敷机14内。
在涂敷机14内，半导体晶片1被吸附保持在真空吸盘19上。利用泵25的动作，把存放在光致抗蚀剂槽22内的光致抗蚀剂3的液体按规定量输送到抗蚀剂喷咀20内，并使其滴下到半导体晶片1的表面上的大致中央部上。
然后，当利用电机17的驱动而使半导体晶片1高速旋转时，在半导体晶片1的表面上涂敷成光致抗蚀剂3的薄膜。
接着，边缘冲洗切削机47，如图4A所示把适量的冲洗液32从冲洗喷咀47a滴下到光致抗蚀剂3的外周缘上。这样，半导体晶片1的外周缘的光致抗蚀剂3如图4B所示按规定宽度被清除掉。
然后，半导体晶片1由搬运机械手Ra将其传送到曝光机11上，如图7所示，放置在载物台55上。当从光源50放射曝光光时，形成在掩模53上的图形例如按照十分之一、五分之一、四分之一等比例缩小投影到半导体晶片1的表面上。曝光结束后的半导体晶片1由搬运机械手Ra将其传送到图6所示的显影机15上。
在显影机15上，半导体晶片1由真空吸盘35进行吸附和保持。利用泵41的动作把存放在显影液槽38内的显影液按规定量输送到显影喷咀36内，再将其滴下到半导体晶片1的表面上的大致中央部。与此同时利用电机33的驱动，使半导体晶片1高速旋转时，显影液在半导体晶片1的表面上流动，进行显影处理。这样，若是正型光致抗蚀剂，则曝光部分的光致抗蚀剂3被溶掉，未曝光部分的光致抗蚀剂图形3留下来。若是负型光致抗蚀剂，则曝光部分的光致抗蚀剂3留下来，未曝光部分的光致抗蚀剂图形3被溶掉。
在涂敷机/显影机10和曝光机11中一连串的工序处理中，图8所示的第1～第3检查部60～62，分别在光致抗蚀剂涂敷前、光致抗蚀剂涂敷后和曝光显影后，取得半导体晶片1的各图像数据Im1-Im3。
图9所示的基片传送部76，从储料器中取出衍射光角度设定用的半导体晶片，放置到载物台1上。载物台传送旋转控制部73对放置了角度设定用的半导体晶片的载物台1进行定位。
主计算机70设定照明部66的半导体晶片上的照射位置。照明角度控制部75把照明部66相对于半导体晶片表面的倾斜角度设定为初始设定角度(转动开始位置)上，从初始设定角度起依次调整照明部66的倾斜角度。
摄像部67对各个倾斜角度分别取得从半导体晶片表面来的衍射光，把衍射光的数据输送到主计算机70内。
主计算机70对照明部66的每个倾斜角度分别求得从摄像部67中取得的衍射光数据的亮度平均值，对该平均亮度值求出与各个倾斜角度相对应的亮度值。并且，主计算机70从衍射光数据中生成图10所示的亮度值和角度的关系曲线，根据该曲线，判断出由摄像部67拍摄的衍射光中最适合于观察的n次光的位置。
照明角度控制部75把由主计算机70判定的角度θg设定为照明部66相对于半导体晶片的倾斜度θg。照明部66的倾斜角度的设定，按半导体晶片1的各个品种，以及半导体晶片1的各个制造工序分别进行。并且，对同品种的半导体晶片1在同工序中进行表面缺陷检查的情况下，采用存储在存储部80内的倾斜角度。
在把照明部66设定为最佳倾斜角度θg的状态，在光致抗蚀剂涂敷前、光致抗蚀剂涂敷后和曝光显影后，分别对半导体晶片1进行表面缺陷检查。
在第1检查部60中，基片传送部76把半导体晶片1放置在载物台65上。载物台传送旋转控制部73使载物台65在一个方向(X方向)上按一定速度移动。与其相同步，摄像部67在与载物台1的移动方向相垂直的方向上一行一行地拍摄衍射光。由摄像部67拍摄的衍射图像数据，在半导体晶片1整个面的扫描结束前传送到检查处理部81内。
对半导体晶片1的整个面拍摄衍射图像结束后，由光学系统控制部74如图8所示，把干涉滤光片68插入到摄像光路中，同时把照明部66的光量控制到最佳状态。照明角度控制部75把照明部66相对于半导体晶片1表面的倾斜角度设定为对拍摄干涉图像最佳的角度。载物台传送旋转控制部73进行控制，使载物台65在与拍摄衍射图像时相反的方向上按一定速度移动。与此同步，摄像部67在与载物台65的移动方向相垂直的方向上逐行拍摄干涉光。由摄像部67拍摄的干涉图像数据在半导体晶片1的整个面的扫描结束之前传送到图像解析部79内。
光致抗蚀剂涂敷前取得的衍射图像数据和干涉图像数据存储到存储部80内作为图像数据Im1。
对半导体晶片1整个面拍摄衍射图像和干涉图像结束后，检查处理部81对衍图像数据和干涉图像数据分别进行解析处理，抽取出光致抗蚀剂工序前的半导体晶片1表面上的膜厚不均匀、灰尘、伤痕等缺陷，把缺陷的种类、数量、位置、面积等缺陷信息显示到图像显示部71上。检查处理部81把提取的缺陷信息按缺陷种类等进行分类，存储到存储部80中。
在第2检查部61中也是一样，对光致抗蚀剂涂敷后的半导体晶片1的整个面上取得衍射图像数据和干涉图像数据，并将其存储到存储部80内作为图像数据Im2。检查处理部81对图像数据Im2进行解析处理，抽取出光致抗蚀剂涂敷后的半导体晶片1表面上的膜厚不均匀、灰尘、伤痕等缺陷。
在第3检查部62中也是一样，对显影后的半导体晶片1的整个面上取得衍射图像数据和干涉图像数据，并将其存储到存储部80内作为图像数据Im3。检查处理部81对图像数据Im3进行解析处理，抽取出曝光、显影处理后的半导体晶片1表面上的抗蚀剂图形、灰尘、伤痕等缺陷。
然后，光致抗蚀剂处理部82根据各个图像数据Im1和Im2的差图像数据(Im2-Im1)来判断光致抗蚀剂3的涂敷状态是否合格。
若光致抗蚀剂3的涂敷状态不合格，则例如图14所示，出现以下部分：未涂敷光致抗蚀剂3的部分S1、光致抗蚀剂膜厚超过规定膜厚的部分S2、以及光致抗蚀剂膜厚小于规定膜厚的部分S3等。在未涂敷光致抗蚀剂3的部分S1内，由于异物G而造成光致抗蚀剂3液体不能流动，产生未涂敷光致抗蚀剂3的部分S1。
光致抗蚀剂控制部89取得从光致抗蚀剂处理部82来的光致抗蚀剂3的涂敷状态的合格不合格信息，根据光致抗蚀剂3的涂敷状态，更改涂敷机14的工作条件，例如更改温度、湿度、光致抗蚀剂3向半导体晶片1上的滴下量、半导体晶片1的转速及其旋转时间等中的至少一个。
然后，边缘冲洗切削机47把适量的冲洗液32滴下到光致抗蚀剂3的外周缘上，如图4B所示，按照规定的边缘冲洗切削宽度E来切削光致抗蚀剂3。
切削宽度处理部85根据图像数据Im2如图12所示在4个部位P1～P4上检测出图4B所示的边缘冲洗切削宽度E。切削宽度控制部92在边缘冲洗切削宽度E不在允许范围以内时，对边缘冲洗切削机47中的冲洗液滴下量进行调整，使4个部位P1～P4的边缘冲洗切削宽度E分别达到允许范围以内。
然后，曝光、显影处理部83，对显影后的图像数据Im3和预先存储的显影后的合格的半导体晶片1的图像数据IRef3的差图像数据(IRef3-Im3)，进行图像处理，以便检测出散焦。
并且，曝光显影处理部83从差图像数据(IRef3-Im3)中检测出掩模差异、遮挡叶片、掩模53上的缺陷或异物、双重曝光、未曝光。
曝光显影控制部90接收曝光显影处理部83的检查结果，向曝光控制部11a内发送反馈控制信号，以便例如对曝光机11的光源50的曝光量、曝光光学系统的聚焦量中的至少一项进行控制。
而且，曝光显影控制部90，当从曝光显影处理部83收到在显影机15中的显影不合格的结果时，向显影机控制部15a发送反馈控制信号，该信号控制显影机15中向半导体晶片1的表面上滴下的显影液的量和温度中的至少一项。
再者，曝光显影处理部83对差图像数据(IRef3-Im3)进行图像处理，如图15所示，若检测出了半导体晶片1上的各个芯片的曝光状态均出现了曝光量多的部分Q1和少的部分Q2，则判断为半导体晶片1和载物台55一起倾斜。
曝光显影控制部90若从曝光显影处理部83接收到半导体晶片1倾斜的判断结果，则向曝光机控制部11a内发送控制信号，以便控制XYZ倾斜机构56的倾斜度。
并且，曝光显影处理部83对差图像数据(IRef3-Im3)进行图像处理，检测出图16所示的在显影机15中的显影不合格的部分e1、e2。曝光显影控制部90若从曝光显影处理部83接收到显影不合格的部分e1、e2，则向显影控制部15a内发送反馈控制信号，该信号调整显影机15向半导体晶片1的表面上滴下的显影液的量和温度中的至少一项。
工序处理部84根据差图像数据(Im3-Im1)检查一次光刻工序的处理状态，接收到该检查结果或者由掩模图像处理部86进行的第1次光刻工序中的处理状态的检查结果(掩模差图像数据)，根据这些检查结果，检测半导体晶片1的合格品、能返修的不合格品，或不能返修的不合格(NG)基片。若从半导体晶片1中检测出能返修的不合格品，则工序处理部84向返修装置16发送对不合格半导体晶片1进行修正的指示。
返修装置16把能返修的不合格半导体晶片1上所形成的光致抗蚀剂图形3a除掉，把半导体晶片1再次送入到涂敷机14内。
工序处理部84存储再次送入到涂敷机14内的半导体晶片1的制造号码，对判断为不合格的次数进行计数，若判断为不合格的次数超过了规定的不合格次数，则把该半导体晶片1判断为不合格品(NG)，判断为将其从光刻工序流水线中取出。于是，由搬运机械手Rb把被判断为报废的半导体晶片1放入到报废用的晶片盒内。
掩模图像处理部86，与上述方法一样，根据差图像数据(IRef3-IRef1)-(Im2-Im1)，检测出光致抗蚀剂3的涂敷状态。掩模图像控制部93根据由掩模图像处理部86检测出的涂敷状态，更改涂敷机14的工作条件，例如更改温度、湿度、光致抗蚀剂3向半导体晶片1上的滴下量、半导体晶片1的转速及其旋转时间中的至少一项。
并且，掩模图像处理部86和上述方法一样，根据差图像数据(IRef3-IRef1)-(Im3-Im1)，输出第1次光刻工序中的处理状态的检查结果。
以下说明本发明装置的校正。
装置校正是定期地用1片～多片标准半导体晶片投入到流入线上加工。若标准半导体晶片流过光致抗蚀剂涂敷、曝光、显影各工序，则取得光致抗蚀剂涂敷前、光致抗蚀剂涂敷后、曝光显影后的各图像数据Im1～Im3。
光致抗蚀剂处理部82根据各图像数据Im1和Im2的比较结果，检测出光致抗蚀剂3的涂敷状态，把该检查结果发送到光致抗蚀剂控制部89内。光致抗蚀剂控制部89根据涂敷状态，更改涂敷机14的工作条件中的至少一项，进行反馈控制。这样来校正涂敷机14。
切削宽度处理部85根据图像数据Im2在4个部位P1～P4上检测边缘冲洗切削宽度E。切削宽度控制部92控制涂敷机14的冲洗液滴下量，使4个部位P1～P4上的各边缘冲洗切削宽度E分别达到允许范围内。这样来校正边缘冲洗切削宽度E。
曝光显影控制部90，和上述方法一样，根据差图像数据(IRef3-Im3)，对半导体晶片1进行外观检查。曝光显影控制部90根据曝光显影处理部83的外观检查结果，对曝光机11或显影机15中的某一个或两者的工作条件进行反馈控制。这样，曝光机11对光源50的曝光量、光学系统的聚焦量等进行校正。显影机15校正显影液的容量、温度等。
并且，曝光显影处理部83对差图像数据(IRef3-Im3)进行图像处理，如图14所示，当检测出曝光量多的部分Q1和少的部分Q2时，判断为半导体晶片1和载物台55一起倾斜。曝光显影控制部90在曝光机11中对控制载物台55倾斜用的XYZ倾斜机构56的倾斜进行反馈控制，对XYZ倾斜机构56进行校正。
这样若采用上述第1实施方式，则根据由第1～第3、(第4)检查部60～62、(69)取得的各图像数据Im1～Im3、(Im4)，检查出光致抗蚀剂涂敷前、光致抗蚀剂涂敷后、曝光显影后的各处理结果，根据该检查结果，分别对涂敷机14、曝光机11或显影机15的工作条件进行反馈控制。这样，对光致抗蚀剂涂敷、曝光、显影的各工序条件进行调整设定，可以稳定地制造半导体。
光致抗蚀剂涂敷前、光致抗蚀剂涂敷后、曝光显影后的各种检查根据以下数据而进行：图像数据Im1和Im2的差图像数据(Im2-Im1)、图像数据Im3和掩模图像数据IRef3的差图像数据(IRef3-Im3)、图像数据Im3和Im1的差图像数据(Im3-Im1)、差图像数据(IRef2-IRef1)-(Im2-Im1)、差图像数据(IRef3-IRef1)-(Im3-Im1)。这样一来，在涂敷机/显影机(C/D)10内的光致抗蚀剂涂敷、显影的各种处理状态全都能准确地进行检查，根据该检查结果，可以对涂敷机/显影机(C/D)10进行最佳反馈控制。
工序处理部84根据第1次光刻工序中的处理状态的检查结果，检测半导体晶片1的合格品或能够返修的不合格品，由返修装置16对该不合格的半导体晶片1进行返修。这样一来，在第1次光刻工序中进行处理时不合格的半导体晶片1，可以再次进行光刻处理，使其成为合格的半导体晶片1，能减小半导体晶片1的浪费。
并且，检查出不合格的次数若超过规定的不合格次数，则把该不合格半导体晶片1判断成为不合格品(NG)，看作是半导体晶片1本身有问题，可以报废。
光致抗蚀剂涂敷前、光致抗蚀剂涂敷后、曝光显影后的半导体晶片1的表面缺陷检查，可以在由涂敷机/显影机(C/D)10和曝光机11构成的半导体制造装置中联机进行。并且，可以根据半导体晶片1的表面缺陷检查结果，对涂敷机14、曝光机11和显影机15的工作条件进行反馈控制。
并且，根据图像数据Im3和Im1的差图像数据(Im3-Im1)，可以检查出在1次光刻工序整体中的处理状态。
对光致抗蚀剂涂敷后的检查结果和曝光显影后的检查结果进行比较，如果根据光致抗蚀剂涂敷后的检查结果未检测出不合格，而根据曝光显影后的检查结果检测出了不合格，就判断为在曝光显影工序中存在造成不合格品的原因。
通过对各图像数据Im1-Im3进行图像解析处理，可以联机地检测出光致抗蚀剂涂敷、曝光、显影各工序中的半导体晶片1的表面上的膜厚不均匀，灰尘、伤痕等缺陷，而且能在线取得缺陷的种类、数量、位置、面积等信息。
通过定期地把1片～数片的标准半导体晶片投入试验，能够校正涂敷机14的温度、湿度、光致抗蚀剂槽22内的抗蚀剂3的液温、抗蚀剂3的滴下量、电机17的转速及其旋转时间。并且也能够自动地校正边缘冲洗切削机47中的冲洗液的滴下量、曝光机11中的光源50的曝光量、光学系统中的聚焦量、XYZ倾斜机构56的倾斜度、显影机15中的显影液的容量、温度等。
以下参照附图，说明本发明第2实施方式。而且，对于和图1相同的部分，标注相同的符号，其详细说明从略。
图17是半导体制造装置的结构图。缺陷提取部100取得由第1～第3检查部60～62分别取得的各图像数据Im1-Im3，根据各图像数据Im1-Im3，提取光致抗蚀剂涂敷前、光致抗蚀剂涂敷后、曝光显影后的半导体晶片1上的缺陷。
缺陷分类部101求出下列由缺陷提取部100提取的半导体晶片1上的缺陷部的特征量。
a：在曝光机11中，通过掩模53把曝光光的1次投射缩小投影到半导体晶片1的表面上时的、取决于投射的特征量、
b：在曝光机11中，把1次投射的曝光光缩小投影到半导体晶片1的表面上时的取决于投射倾斜度的特征量、
c：在曝光机11中，连续照射曝光光的情况所决定的特征量、半导体晶片1的表面上照射的曝光光的遗漏所决定的特征量、
d：取决于在曝光机11中在半导体晶片1的整个面上都未照射曝光光的情况的特征量、
e：取决于在曝光机11中在半导体晶片1的表面上照射了曝光光时的投射周围的异常，例如图形缺口的特征量、
f：取决于在曝光机11中在半导体晶片1的表面1缩小投影的掩模图形不同的情况的特征量、
g：取决于显影处理中的图形塌边的特征量、
h：表示在第1～第3检查部60～62中，取得衍射图像数据时从半导体晶片1来的衍射光的变化的特征量、
i：表示在第1～第3检查部60～62中，取得衍射图像数据时从半导体晶片1来的衍射光的异常的特征量。
j：表示在第1～第3检查部60～62中，取得干涉图像数据时从半导体晶片1来的干涉光的异常的特征量、
k：取决于半导体晶片1的圆周缘上的斑痕、凹凸形状的特征量、
e：取决于半导体晶片1表面上出现的圆心形状的特征量、
m：取决于半导体晶片1的表面上出现的细长形状的特征量、
n：取决于半导体晶片1的表面上出现的斜方形状的特征量、
o：取决于曝光后和显影后的半导体晶片1的表面上的正常图形的特征量、
p：取决于涂敷机14中的旋转速度不均匀的特征量、
q：取决于半导体晶片1的整个面和合格的半导体晶片1的整个面不同的全面异常的特征量等。
缺陷解析部102接收到由缺陷分类部101求出的缺陷部的特征量，根据特征量来解析缺陷部的种类。以下举出缺陷部的种类解析的一例。
a：根据取决于光投射、取决于衍射光变化、图像塌边、曝光量等各种特征量、把缺陷部判断为散焦。
b：根据取决于光投射，如投射倾斜、曝光光的连续性等的各种特征量，把缺陷部判断为倾斜异常。
c：根据投射遗漏、全在错误等所产生的各特征量，把缺陷部判断为未曝光。
d：根据投射周围异常、图像缺口等所带来的各种特征量，把缺陷部判断为掩模基板错误。
e：取决于光投射，根据干涉异常、衍射异常等所产生的各种特征量，把缺陷部判断为定位错误。
f：图形不同的、全面异常等所产生的各种特征量，把缺陷部判断为掩模差错。
g：根据半导体晶片1的圆周缘上的不均匀、凹凸形状所依赖的各种特征量，把缺陷部判断为涂敷不均匀。
h：根据半导体晶片1圆周缘上的不均匀、表面上出现的圆心形状所依赖的各种特征量，把缺陷部判断为光致抗蚀剂涂敷过少。
i：根据半导体晶片1的表面上出现的圆心形状、细长形状所产生的各种特征量，把缺陷部判断为异常不均匀。
j：根据半导体晶片1的表面上出现的斜方形状、全面异常而产生的各种特征量，把缺陷部判断为显影不合格。
k：根据全面异常、图形正常所产生的各种特征量，把缺陷部判断为烘干过多。
l：根据全面异常所依赖的特征量，把缺陷部判断为光致抗蚀剂差错。
m：根据旋转状态不一致所依赖的特征量，把缺陷部判断为光致抗蚀剂粘度过大。
为了详细测量已解析的缺陷部的种类，缺陷解析部102利用图18所示的检查方法选定表103，选定最佳检查方法。检查方法选定表93中，对边缘检查、膜厚检查、分光检查、线宽检查、重合检查和微观检查，分别列入了缺陷部的种类。
边缘检查例如列出了涂敷不均匀、涂敷过少、掩模基板差错等缺陷部。膜厚检查例如列举了定位差错、涂敷不均匀、涂敷过少、涂敷过多等缺陷部。所以，缺陷解析部102，如缺陷部的种类例如是涂敷不均匀，就从检查方法选定表103中选定边缘检查。
缺陷解析部102把从缺陷分类部101中接收的缺陷部的特征量存放到测量数据库104内，而且把作为解析结果的缺陷部的种类和选定的检查方法存放到测量数据库104内。并且，缺陷解析部102把通过边缘检查、膜厚检查、分光检查、线宽检查、重合检查和微观检查而取得的各测量数据存放到测量数据库104内。
检查管理部105接收由缺陷解析部92选定的检查方法，选择出执行检查方法的检查装置，例如边缘检查装置106、膜厚检查装置107，分光检查装置108，线宽检查装置109，重合检查装置110或显微检查装置111，进行检查工作。而且，检查管理部105不仅限于一台检查装置，也可以把多个台检查装置组合在一起进行检查工作。
边缘检查装置106检查半导体晶片1的圆周缘上的边缘冲洗切削宽度E，缺口，裂纹等。
膜厚检查装置107检查形成在半导体晶片1的表面上的膜厚，例如光致抗蚀剂膜厚。
分光检查装置108测量在半导体晶片1表面上照射了照明光时的反射光的分光。
线宽检查装置109检查形成在半导体晶片1的表面上的例如微细图形的线宽等。
重合检查装置110在半导体晶片1的表面上转印图像，测量形成在半导体晶片1的表面上的图形的定位。
显微检查装置111利用显微镜放大半导体晶片1的表面上的特定区域，从放大图像中检查出半导体晶片1的表面上的缺陷部。
并且，检查管理部105把利用边缘检查装置106、膜厚检查装置107、分光检查装置108、线宽检查装置109、重合检查装置110或显微检查装置111而获得的各个测量数据，通过缺陷解析部102而存放到测量数据库104内，而且发送到工艺控制部112内。
工艺控制部102接收从边缘检查装置96、膜厚检查装置97，分光检查装置98、线宽检查装置99，重合检查装置100和显微检查装置101中来的各种测量数据，根据各种测量数据来对涂敷机14，曝光机11和显影机15的工作条件进行反馈控制。
以下说明上述结构的装置的工作。
缺陷提取部100根据由第1～第3检查部60～62分别取得的各种图像数据Im1-Im3，从光致抗蚀剂涂敷前、光致抗蚀剂涂敷后、曝光显影后的上述各差图像数据中提取半导体晶片1上的缺陷部。
缺陷部出现例如灰尘、伤痕、如图14所示的未涂敷光致抗蚀剂3的部分S1、光致抗蚀剂膜厚超过规定膜厚的部分S2、光致抗蚀剂膜厚小于规定膜厚的部分S3、以及图4B所示的边缘冲洗切削宽度E不在允许范围内的部分。
缺陷分类部101求出由缺陷提取部100提取的缺陷部的特征量。
缺陷解析部102接收由缺陷分类部101求出的缺陷部的特征量，根据特征量来解析缺陷部的种类。并且，缺陷解析部102为了根据缺陷部的种类的解析结果来详细测量该缺陷部的种类，从图18所示的检查方法选定表103中选定最佳检查方法。
与此同时，缺陷解析部102把从缺陷分类部101中取得的缺陷部的特征量存放到测量数据库104内，而且把作为解析结果的缺陷部的种类和选定的检查方法存放到测量数据库104内。
然后，检查管理部105接收由缺陷解析部102选定的检查方法，选择出执行该检查方法的至少一台检查装置106～111，进行检查工作。
若利用边缘检查装置106、膜厚检查装置107、分光检查装置108、线宽检查装置109、重合检查装置110或显微检查装置111进行测量，则从各台检查装置106～111中输出的各个测量数据被发送到检查管理部105内。
检查管理部105通过缺陷解析部102把从各检查装置106～111来的各个测量数据存放到测量数据库104内，而且发送到工艺控制部112内。
工艺控制部112接收从各检查装置106～111来的各个测量数据，根据各测量数据来对涂敷机14、曝光机11和显影机15的工作条件进行反馈控制。例如，工艺控制部102根据边缘检查装置96和膜厚检查装置97等的各测量数据，按照光致抗蚀剂3的涂敷状态对涂敷机14的工作条件进行更改。并且，上述工艺控制部102例如根据分光检查装置98和线宽检查装置99等的各测量数据，对曝光机11的工作条件进行更改。
这样，在上述第2实施方式中，根据各图像数据Im1-Im3而提取的半导体晶片1上的缺陷部的特征量作为依据，选定出对半导体晶片1的缺陷部进行详细检查的方法，使执行被选定的检查方法的各检查装置106～111进行工作，取得各测量数据，根据各测量数据，对涂敷机14、曝光机11和显影机15的工作条件进行反馈控制。
这样，根据半导体晶片1的缺陷部的种类，能够选定最佳检查方法，能够对缺陷部进行详细的检查测量，并且，根据通过检查而取得的测量数据，能够对涂敷机14、曝光机11和显影机15的工作条件进行适当的反馈控制。其结果，能够适当地设定光致抗蚀剂涂敷、曝光、显影的各工序处理条件，更稳定地制造半导体。
以下参照附图，说明本发明的第3实施方式。第3实施方式是把第1或第2实施方式适用于图19所示的半导体制造装置中的。
在六角形的装置框体120的内部，以搬运机械手121为中心把晶片盒122、检查装置123、涂敷机124、曝光机125、显影机126、返修装置127和腐蚀装置128布置成放射状。
晶片盒122存放半导体晶片1。晶片盒122通过装置框体120的出入口129进行搬入和搬出。
检查装置123内部组装了：第1实施方式中的第1～第3(第4)检查部60～62(69)、表面缺陷检查装置63和工序控制装置87。
表面缺陷检查装置63和第2实施方式中说明的一样，内部组装了：缺陷提取部100、缺陷分类部101、缺陷解析部102、检查方法选定表103、测量数据库104、检查管理部105、边缘检查装置106、膜厚检查装置107、分光检查装置108、线宽检查装置109、重合检查装置110，显微检查装置111和工艺控制部112。
搬运机械手121从晶片盒122中取出半导体晶片1，按照光刻工序的处理顺序，依次传送到检查装置123、涂敷机124、检查装置123、曝光机125、检查装置123、显影机126、检查装置123内。
在利用检查装置123判断出半导体晶片1的不合格品时，搬运机械手121把半导体晶片1传送到返修装置118内，并再次投入到光刻工序中。
这种结构的装置，也和第1或第2实施方式中说明的装置一样，利用检查装置123来检查涂敷机124、曝光机125、显影机126、腐蚀装置128中的各项处理结果，根据各检查结果，对涂敷机124、曝光机125、显影机126、腐蚀装置128分别进行工作条件反馈控制。
由于内部组装了腐蚀装置128，所以在一个装置框体120内，即可形成图形。
图20是第3实施方式中所示的装置的应用例的结构图。各装置框体120布置成六角形的各壁互相嵌合的状态。各装置框体120的各出入口129设置成互相对置的状态，确保半导体晶片1的搬运线路f1、f2。
各装置框体120按照形成在半导体晶片1上的第1层膜形成工序～第n层膜形成工序的顺序，依次布置多个。在装置框体120内，为了在半导体晶片1的表面上形成一层膜，进行光刻工序和腐蚀处理。
并且，半导体晶片1在各装置框体120内依次搬运，进行多次光刻工序和腐蚀处理。
在制造多品种小批量的半导体晶片1的情况下，在一个装置框体120内通过反复多次进行光刻工序和腐蚀处理，可以在半导体晶片1的表面上依次形成第1层～第n层的膜。
这样多次反复光刻工序对半导体晶片1进行处理的装置，也能对涂敷机124、曝光机125和显影机126的工作条件进行适当的反馈控制，能更稳定地制造半导体。
而且，本发明并非仅限于第1～第3实施方式。
例如，第1～第3检查部60～62并非仅限于图8所示的结构。例如，也可以把从照明部66照射的照射光不变成线状，而是对半导体晶片1的整个表面一起完成照明，或者，对半导体晶片1的表面局部进行点照明。
在一次完成照明的情况下，利用面状的照明光对半导体晶片1的整个表面均匀地进行照明。这样，一次即可完成对半导体晶片1整个区域的摄像。在点照明的情况下利用点状照明光仅对半导体晶片1上的所需区域进行照明。这样，仅对半导体晶片1的所需区域进行摄像。
半导体晶片1的外观检查也可以是取得在半导体晶片1的表面上互相邻接的规定尺寸的各个区域的图像数据，对这些图像数据互相比较，检测出缺陷部。并且，半导体晶片1的外观检查也可以是取得半导体晶片1的整个表面的图像数据，从图像数据中提取互相邻接的各区域的各图像数据，在各图像数据之间进行比较，检测出缺陷部。
这样的外观检查，对于难于获得合格的半导体晶片的流水线刚投产时是有效的方法。在流水线稳定后，切换成为与合格半导体晶片相比较的合格品比较方式。
涂敷机14、显影机15、曝光机11的各种反馈控制也可以是在涂敷机14、显影机15、曝光机11的半导体晶片1的搬入口和搬出口上，分别布置与第1～第3检查部60～62相同的各种检查部，根据各检查部的检查结果，分别进行反馈控制。
第2实施方式中所使用的检查装置106～111，如果是能够检测出在涂敷机14、显影机15、曝光机11等各种半导体制造装置中产生的各种缺陷、以及工作条件造成的特有现象，就也可以使用图形检查装置和扫描型电子显微镜或边缘检查装置等各种检查装置。
产业上利用的可能性
本发明适用于例如液晶显示器和EL显示器等平板显示器所使用的玻璃基片的表面缺陷检查、玻璃基片上形成的各个像素的各显示电极的线宽检查和图形检查等。

Claims (14)

1、一种半导体制造方法，在半导体制造线的各制造工序加工处理半导体基片，其特征在于：
对被搬入在各制造工序布置的制造装置中的半导体基片，分别在加工处理前和加工处理后取得图像数据，根据加工处理前的图像数据或者合格品的掩模图像数据以及加工处理后的图像数据，检测上述制造装置的处理条件引起的缺陷，根据该检测结果对上述制造装置的处理条件进行更改控制，对半导体基片进行加工处理。
2、一种半导体制造方法，在半导体制造线的各制造工序加工处理半导体基片，其特征在于：
对被搬入上述半导体流水线的光刻工序中的上述半导体基片，至少在加工处理前和加工处理后分别取得图像数据，根据这些图像数据，检测在上述光刻工序布置的涂敷光致抗蚀剂的涂敷机、形成图形的曝光机、进行显影的显影机的各种处理条件所引起的缺陷，根据该检测结果，对上述涂敷机、上述曝光机、上述显影机中的至少一个的处理条件进行更改控制，来加工处理上述半导体基片。
3、如权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于上述光刻工序具有以下工序：
光致抗蚀剂涂敷工序，对上述半导体基片涂敷光致抗蚀剂；
曝光工序，对上述光致抗蚀剂进行曝光，形成图形；以及
显影工序，对上述光致抗蚀剂进行显影，
在上述光致抗蚀剂涂敷工序中，根据光致抗蚀剂涂敷前和涂敷后的图像数据的差图像数据，检测在光致抗蚀剂工序布置的涂敷机的处理条件所引起的缺陷，并且根据上述曝光、显影工序后的图像数据与预先存储的显影后的合格品图像数据的差图像数据，检测曝光机和显影机中的某一个的处理条件所引起的缺陷。
4、如权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于：在上述各工序中若判断上述半导体基片是不合格品、且能够修正，则上述半导体基片通过返修工序把不合格的光致抗蚀剂剥离后，投入到上述光致抗蚀剂涂敷工序。
5、如权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于：在上述各工序中上述半导体基片已多次被判断是不合格品时，把上述半导体基片从上述工序中排出。
6、一种半导体制造系统，布置在半导体流水线的各制造工序上，用于对半导体基片进行各种加工，其特征在于具有：
缺陷检查部，用于对搬入在上述各制造工序布置的上述各半导体制造装置的至少一台中的半导体基片，取得搬入前和搬入后的图像数据；以及
控制装置，用于根据由上述缺陷检查部取得的图像数据，求出作为上述对象的半导体制造装置的处理条件所引起的缺陷，对该半导体制造装置的处理条件进行控制。
7、如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于：上述各种半导体制造装置包括：在上述半导体流水线的光刻工序布置的涂敷光致抗蚀剂的涂敷机、形成图形的曝光机、以及进行显影处理的显影机，
上述缺陷检查部在涂敷上述光致抗蚀剂之前及其之后，上述控制装置根据上述第1和第2检查部的图像数据的差图像数据，检测由上述涂敷机的处理条件所引起的缺陷，并且，根据上述第3检测部的图像数据和预先记录的显影后的合格品图像数据的差图像数据，检测上述曝光机和上述显影机中的某一个的工作条件所引起的缺陷，对上述涂敷机、上述曝光机和上述显影机的处理条件进行更改控制。
8、如权利要求7所述的半导体制造系统，其特征在于：上述缺陷检查部包括：用于取得涂敷上述光致抗蚀剂之前的上述半导体基片的图像的第1检查部、以及用于取得上述显影机的显影处理后的上述半导体基片的图像的第3检查部，
上述控制装置根据由上述第1检查部取得的涂敷上述光致抗蚀剂之前的图像数据、及由上述第3检查部取得的上述显影处理后的图像数据或者预先存储的显影之后的掩模图像数据，检查在第1次上述光刻工序的处理结果，根据该检查结果来对上述涂敷机、上述曝光机和上述显影机的处理条件进行更改控制。
9、如权利要求要7所述的半导体制造系统，其特征在于：上述控制装置，对作为上述涂敷机的处理条件的温度、上述光致抗蚀剂滴向上述半导体基片的滴下量、上述半导体基片的旋转速度、及光致抗蚀剂切削宽度中的至少一项进行反馈控制，
作为上述曝光机的处理条件，对曝光量、散焦、掩模差异、上述掩模的遮挡叶片、上述掩模上的缺陷、双重曝光、未曝光、定位等至少一项进行反馈控制，
作为显影机的处理条件，对显影液的容量、温度进行反馈控制。
10、如权利要求7所述的半导体制造系统，其特征在于：在上述第1检查部和第3检查部之间，布置用于对判断为不合格的上述半导体基片的光致抗蚀剂进行剥离处理的返修装置，用返修装置对不合格的半导体基片的光致抗蚀剂进行剥离之后，通过上述第1检查部再次投入上述涂敷机。
11、如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于：上述各种半导体制造装置包括：构成上述半导体流水线的光刻工序的涂敷光致抗蚀剂的涂敷机、形成图形的曝光机、显影处理的显影机、以及对不合格的半导体基片的光致抗蚀剂进行剥离的返修装置，
上述检查部包括能检查半导体基片整个面的宏观检查和详细检查的检查结果，它以搬运机械手为中心把收容上述半导体基片的晶片盒、上述涂敷机、上述曝光机、上述显影机、和上述返修装置布置成放射状。
12、如权利要求11所述的半导体制造系统，其特征在于：在上述各种半导体装置中还加入了腐蚀装置，上述腐蚀装置用于腐蚀处理由上述显影机进行了显影处理的半导体基片。
13、如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于：在上述半导体流水线上，取代上述半导体制造，定期投入校正用的半导体基片，这样由上述控制装置对在半导体流水线的各制造工序布置的半导体制造装置进行自动检修。
14、如权利要求6所述的半导体制造系统，其特征在于：上述控制装置在根据由上述缺陷检查部取得的图像数据，不能确定作为上述对象的半导体制造装置的处理条件所引起缺陷时，选定一种根据该缺陷的特征量来进行详细检查的检查方法，利用布置在流水线外的边缘检查装置、膜厚检查装置、分光检查装置、线宽测量装置、重合检查装置和显微检查装置中的某一种来进行详细检查。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101512722B (zh) * 2006-08-28 2010-12-08 光学转变公司 具有光学控制装置的旋转涂敷机
CN102288138A (zh) * 2011-06-27 2011-12-21 上海卓晶半导体科技有限公司 半导体基片自动测试设备
CN102446337A (zh) * 2011-10-12 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种缺陷通报系统
CN107275253A (zh) * 2016-03-30 2017-10-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、液处理方法以及存储介质
CN107636450A (zh) * 2015-06-08 2018-01-26 东京毅力科创株式会社 基板的检查方法、计算机存储介质以及基板检查装置
WO2019047244A1 (zh) * 2017-09-11 2019-03-14 深圳市柔宇科技有限公司 机械手臂、曝光机前单元和温度控制方法
CN110045582A (zh) * 2019-04-19 2019-07-23 东莞市多普光电设备有限公司 一种基于数字微镜ldi的装置及倾斜扫描方法
CN111128792A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 台湾积体电路制造股份有限公司 晶片粘接方法及装置与晶片处理方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3787123B2 (ja) * 2003-02-13 2006-06-21 株式会社東芝 検査方法、プロセッサ及び半導体装置の製造方法
US20050209822A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-22 Masato Ishiba Inspection method and system and production method of mounted substrate
DE102004029012B4 (de) * 2004-06-16 2006-11-09 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Inspektion eines Wafers
JP3972941B2 (ja) * 2004-06-30 2007-09-05 オムロン株式会社 部品実装基板用のはんだ印刷検査方法およびはんだ印刷検査用の検査機
JP4295175B2 (ja) * 2004-08-05 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 塗布成膜装置及び塗布成膜方法
WO2006023612A2 (en) * 2004-08-19 2006-03-02 Zetetic Institute Sub-nanometer overlay, critical dimension, and lithography tool projection optic metrology systems based on measurement of exposure induced changes in photoresist on wafers
JP4449698B2 (ja) * 2004-10-26 2010-04-14 株式会社ニコン 重ね合わせ検査システム
JP4449697B2 (ja) * 2004-10-26 2010-04-14 株式会社ニコン 重ね合わせ検査システム
US20060129265A1 (en) * 2004-12-11 2006-06-15 Ouchi Norman K Directed defective item repair system and methods
JP2006222284A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
US20060228557A1 (en) * 2005-04-08 2006-10-12 Beon-Kyu Kim Photochromic materials having extended pi-conjugated systems and compositions and articles including the same
US7556750B2 (en) 2005-04-08 2009-07-07 Transitions Optical, Inc. Photochromic materials with reactive substituents
US8647538B2 (en) 2005-04-08 2014-02-11 Transitions Optical, Inc. Photochromic compounds having at least two photochromic moieties
US9037280B2 (en) * 2005-06-06 2015-05-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for performing one or more defect-related functions
US8111374B2 (en) 2005-09-09 2012-02-07 Nikon Corporation Analysis method, exposure method, and device manufacturing method
WO2007029828A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Nikon Corporation 解析方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2007212230A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Tokyo Electron Ltd 欠陥検査方法，欠陥検査システム及びコンピュータプログラム
JP5077770B2 (ja) * 2006-03-07 2012-11-21 株式会社ニコン デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
US7553678B2 (en) * 2006-03-17 2009-06-30 United Microelectronics Corp. Method for detecting semiconductor manufacturing conditions
JP2007266074A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び液浸リソグラフィーシステム
TW200818256A (en) * 2006-05-22 2008-04-16 Nikon Corp Exposure method and apparatus, maintenance method, and device manufacturing method
JP4813322B2 (ja) * 2006-10-17 2011-11-09 シャープ株式会社 基板修復システム、基板修復方法、プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR100846960B1 (ko) * 2006-12-28 2008-07-17 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 포토레지스트 제거 공정의 안정화 방법
US20080186481A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Chien-Lung Chen Optical vision inspection apparatus
US8435593B2 (en) 2007-05-22 2013-05-07 Asml Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate and method of preparing a substrate for lithography
JP5067049B2 (ja) * 2007-07-12 2012-11-07 株式会社ニコン 端部検査装置、及び被検査体の端部検査方法
US8948494B2 (en) 2012-11-12 2015-02-03 Kla-Tencor Corp. Unbiased wafer defect samples
TW201422401A (zh) * 2012-12-03 2014-06-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 成品取出的檢測系統及檢測方法
JP6022431B2 (ja) * 2013-10-17 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR102238648B1 (ko) * 2014-06-03 2021-04-09 삼성전자주식회사 반도체 공정 관리 시스템, 이를 포함하는 반도체 제조 시스템 및 반도체 제조 방법
JP6473047B2 (ja) * 2015-05-26 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検査装置および基板処理装置
TWI627588B (zh) 2015-04-23 2018-06-21 日商思可林集團股份有限公司 檢查裝置及基板處理裝置
JP6752638B2 (ja) * 2016-06-27 2020-09-09 株式会社ディスコ 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置
US10109046B2 (en) * 2016-07-19 2018-10-23 Globalfoundries Inc. Methods of detecting faults in real-time for semiconductor wafers
JP2019036634A (ja) * 2017-08-15 2019-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11048163B2 (en) * 2017-11-07 2021-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Inspection method of a photomask and an inspection system
KR102247828B1 (ko) 2018-07-23 2021-05-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102277979B1 (ko) * 2019-07-18 2021-07-15 세메스 주식회사 기판 처리 방법
CN114467363A (zh) * 2019-09-30 2022-05-10 太阳油墨制造株式会社 布线基板用基材的再利用方法
JP7385504B2 (ja) * 2020-03-06 2023-11-22 浜松ホトニクス株式会社 検査装置及び処理システム
JP7028285B2 (ja) * 2020-07-13 2022-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2022182693A (ja) * 2021-05-28 2022-12-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03230516A (ja) * 1990-02-06 1991-10-14 Mitsubishi Electric Corp レジスト塗布装置
EP0910123B1 (en) * 1996-03-19 2008-09-10 Hitachi, Ltd. Process control system
KR0172801B1 (ko) * 1996-06-24 1999-03-20 김주용 공정 마진 테스트용 포토 마스크와 테스트 방법
JPH1070069A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Canon Inc 半導体露光装置におけるごみ検出装置
JPH10261692A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
EP0930498A3 (en) * 1997-12-26 1999-11-17 Nidek Co., Ltd. Inspection apparatus and method for detecting defects
EP0932194A1 (en) * 1997-12-30 1999-07-28 International Business Machines Corporation Method and system for semiconductor wafer fabrication process real-time in-situ interactive supervision
US5985497A (en) * 1998-02-03 1999-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for reducing defects in a semiconductor lithographic process
JP4722244B2 (ja) * 1998-07-14 2011-07-13 ノバ・メジャリング・インストルメンツ・リミテッド 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置
JP2000235949A (ja) * 1998-12-17 2000-08-29 Tokyo Electron Ltd 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法
US6281962B1 (en) * 1998-12-17 2001-08-28 Tokyo Electron Limited Processing apparatus for coating substrate with resist and developing exposed resist including inspection equipment for inspecting substrate and processing method thereof
JP2001118781A (ja) * 1999-10-20 2001-04-27 United Microelectronics Corp ビデオセンサ利用のレジストコーティング状況検査方法及び装置
JP2002373843A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Nec Corp 塗布装置及び塗布膜厚制御方法
JP2003031488A (ja) * 2001-07-19 2003-01-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像装置および基板処理方法
JP3904419B2 (ja) * 2001-09-13 2007-04-11 株式会社日立製作所 検査装置および検査システム
KR100537684B1 (ko) * 2001-09-19 2005-12-20 올림푸스 가부시키가이샤 반도체웨이퍼검사장치
JP3916468B2 (ja) * 2002-01-11 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US6724476B1 (en) * 2002-10-01 2004-04-20 Advanced Micro Devices, Inc. Low defect metrology approach on clean track using integrated metrology

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101512722B (zh) * 2006-08-28 2010-12-08 光学转变公司 具有光学控制装置的旋转涂敷机
CN102288138A (zh) * 2011-06-27 2011-12-21 上海卓晶半导体科技有限公司 半导体基片自动测试设备
CN102446337A (zh) * 2011-10-12 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种缺陷通报系统
CN107636450A (zh) * 2015-06-08 2018-01-26 东京毅力科创株式会社 基板的检查方法、计算机存储介质以及基板检查装置
CN107636450B (zh) * 2015-06-08 2020-09-08 东京毅力科创株式会社 基板的检查方法、计算机存储介质以及基板检查装置
CN107275253A (zh) * 2016-03-30 2017-10-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、液处理方法以及存储介质
WO2019047244A1 (zh) * 2017-09-11 2019-03-14 深圳市柔宇科技有限公司 机械手臂、曝光机前单元和温度控制方法
CN111128792A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 台湾积体电路制造股份有限公司 晶片粘接方法及装置与晶片处理方法
CN111128792B (zh) * 2018-10-30 2023-10-03 台湾积体电路制造股份有限公司 晶片粘接方法及装置与晶片处理方法
CN110045582A (zh) * 2019-04-19 2019-07-23 东莞市多普光电设备有限公司 一种基于数字微镜ldi的装置及倾斜扫描方法
CN110045582B (zh) * 2019-04-19 2020-12-18 东莞市多普光电设备有限公司 一种基于数字微镜ldi的装置及倾斜扫描方法

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