JPH03230516A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH03230516A JPH03230516A JP2026601A JP2660190A JPH03230516A JP H03230516 A JPH03230516 A JP H03230516A JP 2026601 A JP2026601 A JP 2026601A JP 2660190 A JP2660190 A JP 2660190A JP H03230516 A JPH03230516 A JP H03230516A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- abnormality
- resist coating
- resist film
- Prior art date
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- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造装置のうち、特にレジスト塗布装
置に関するものである。
置に関するものである。
第２図は従来のレジスト塗布装置を示す側面断面図であ
り、図において、（１）はモーター （２）はモター（
１）上に真空吸着されたウェハー （Ｓ）はウェハー
（２）にレジスト液を滴下するノズル、（４）は回転時
のレジスト飛散を防ぐ為の受は皿である。
り、図において、（１）はモーター （２）はモター（
１）上に真空吸着されたウェハー （Ｓ）はウェハー
（２）にレジスト液を滴下するノズル、（４）は回転時
のレジスト飛散を防ぐ為の受は皿である。
次に動作について説明する。モーター（１ン上にウニバ
ー ｉ２）が真空吸着され、次いでレジスト吐出ノズル
（８）が、ウニｌＸ−（２）の中心上に移動し、約１０
σ程度のレジスト液を滴下する。次いでモータ（１）が
回転し、ウェハー（２）上に数ミクロンの厚さのレジス
ト膜が形成すれる。
ー ｉ２）が真空吸着され、次いでレジスト吐出ノズル
（８）が、ウニｌＸ−（２）の中心上に移動し、約１０
σ程度のレジスト液を滴下する。次いでモータ（１）が
回転し、ウェハー（２）上に数ミクロンの厚さのレジス
ト膜が形成すれる。
レジスト膜形成の過程で異常があった場合、例えば吐出
されたレジスト液中に気泡があった場合などは、第３図
に示すようにレジスト膜厚が異なった部分が生じる。こ
の現象は、フォトＩＪソゲラフイーにおいて、パターン
欠陥の原因の大きな割合いを占めている。
されたレジスト液中に気泡があった場合などは、第３図
に示すようにレジスト膜厚が異なった部分が生じる。こ
の現象は、フォトＩＪソゲラフイーにおいて、パターン
欠陥の原因の大きな割合いを占めている。
これはロット処理が終了した後の検査でチエツクしてお
り、発生しているウェハーは、レジスト膜を除去して、
やり直しをする。母集団はやり直しが終了する迄、次工
程の処理ができない。この為工期が長くなってしまう。
り、発生しているウェハーは、レジスト膜を除去して、
やり直しをする。母集団はやり直しが終了する迄、次工
程の処理ができない。この為工期が長くなってしまう。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、レジスト膜異常を検出できる為になされたもの
で、レジスト膜異常を検出できるとともに、異常があっ
た膜を除去し、再度、塗布を行うことができるレジスト
塗布装置を得ることを目的とする。
もので、レジスト膜異常を検出できる為になされたもの
で、レジスト膜異常を検出できるとともに、異常があっ
た膜を除去し、再度、塗布を行うことができるレジスト
塗布装置を得ることを目的とする。
この発明に係るレジスト塗布装置は、ウェハーを観察す
るカメラと、その像を画像処理するユニットを有すると
ともに、レジストの溶媒を吐出するノズルを有する。
るカメラと、その像を画像処理するユニットを有すると
ともに、レジストの溶媒を吐出するノズルを有する。
この発明におけるレジスト塗布装置のカメラはウェハー
上のレジスト膜を撮影する。画像処理ユニットはカメラ
により撮影されたレジスト膜の異常の有無を判定する。
上のレジスト膜を撮影する。画像処理ユニットはカメラ
により撮影されたレジスト膜の異常の有無を判定する。
レジストの溶媒を吐出するノズルは、ウェハ上全回のレ
ジストを除去する。
ジストを除去する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（６）はカメラ、（６）は画像処理ユニッ
ト、（γ）はレジストの溶媒を吐出するノズルである。
図において、（６）はカメラ、（６）は画像処理ユニッ
ト、（γ）はレジストの溶媒を吐出するノズルである。
次に動作について説明する。従来の技術と同様にレジス
ト膜が形成されたウェハーは、カメラ（５）で観察され
る。その画像は画像処理ユニット（６）で処理でれ異常
の有無が判定される。異常が検出でれた場合の溶媒吐出
ノズル（γ）がウェハー（２）中心上に移動Ｌ、ｇｏＡ
（エチルセロソルブアセテート）等の液を吐出しウェハ
ー（２）全面のレジストを除去する。その後、再び従来
と同様にレジストを塗布する。
ト膜が形成されたウェハーは、カメラ（５）で観察され
る。その画像は画像処理ユニット（６）で処理でれ異常
の有無が判定される。異常が検出でれた場合の溶媒吐出
ノズル（γ）がウェハー（２）中心上に移動Ｌ、ｇｏＡ
（エチルセロソルブアセテート）等の液を吐出しウェハ
ー（２）全面のレジストを除去する。その後、再び従来
と同様にレジストを塗布する。
以上のように、この発明によれば、レジスト塗布装置に
、レジスト膜異常を検出する機能とウニへ−全開のレジ
ストを除去する機能を有するようにしたので、フォトリ
ソグラフィーのパターン欠陥の要因がなくなり、やり直
しにより、工期が長くなるのを防ぐ効果がある。以上、
レジストについて説明したが、ポリイミド等地の材料で
も同様の効果がある。
、レジスト膜異常を検出する機能とウニへ−全開のレジ
ストを除去する機能を有するようにしたので、フォトリ
ソグラフィーのパターン欠陥の要因がなくなり、やり直
しにより、工期が長くなるのを防ぐ効果がある。以上、
レジストについて説明したが、ポリイミド等地の材料で
も同様の効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるレジスト塗布装置を
示す側面断面図、第２図は従来のレジスト塗布装置を示
す側面断面図、第３図はウェハー上のレジスト膜に異常
がある場合の一例を示す図である。 図において、（５）はカメラ、（６）は画像処理ユニッ
ト、（γ）は溶媒吐出ノズルである。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
示す側面断面図、第２図は従来のレジスト塗布装置を示
す側面断面図、第３図はウェハー上のレジスト膜に異常
がある場合の一例を示す図である。 図において、（５）はカメラ、（６）は画像処理ユニッ
ト、（γ）は溶媒吐出ノズルである。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- ウェハーを観察するカメラと、その像を画像処理して欠
陥の有無を判定するユニットと、欠陥を認識した場合ウ
ェハー上全面のレジストを除去する機能を有するレジス
ト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2026601A JPH03230516A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2026601A JPH03230516A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230516A true JPH03230516A (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=12198041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2026601A Pending JPH03230516A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03230516A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118781A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | United Microelectronics Corp | ビデオセンサ利用のレジストコーティング状況検査方法及び装置 |
| WO2003077291A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Olympus Corporation | Semiconductor manufacturing method and device thereof |
| JP2005177555A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 回転塗布装置 |
| KR100577582B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 포토 스피너 설비 및 이를 이용한 웨이퍼 티칭불량방지방법 |
| JP2009545444A (ja) * | 2006-08-28 | 2009-12-24 | トランジションズ オプティカル， インコーポレイテッド | 光学制御器を有するスピンコーター |
| JP2014067910A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
-
1990
- 1990-02-06 JP JP2026601A patent/JPH03230516A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118781A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | United Microelectronics Corp | ビデオセンサ利用のレジストコーティング状況検査方法及び装置 |
| WO2003077291A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Olympus Corporation | Semiconductor manufacturing method and device thereof |
| JPWO2003077291A1 (ja) * | 2002-03-12 | 2005-07-07 | オリンパス株式会社 | 半導体製造方法及びその装置 |
| JP2005177555A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 回転塗布装置 |
| KR100577582B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 포토 스피너 설비 및 이를 이용한 웨이퍼 티칭불량방지방법 |
| JP2009545444A (ja) * | 2006-08-28 | 2009-12-24 | トランジションズ オプティカル， インコーポレイテッド | 光学制御器を有するスピンコーター |
| JP2014087792A (ja) * | 2006-08-28 | 2014-05-15 | Transitions Optical Inc | 光学制御器を有するスピンコーター |
| JP2014067910A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
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