KR102648704B1 - 기판 처리 장치 및 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치 및 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 도포 모듈의 파라미터를 자동으로 조정함으로써, 파라미터의 조정 작업을 용이하게 하는 기술을 제공하는 것이다. 조정용 반도체 웨이퍼를 도포 모듈에서 처리한 후, 반도체 웨이퍼 반송 기구에 의해 촬상 모듈에 반송하고, 당해 반도체 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상한다. 그리고, 이 촬상 결과에 기초하여, 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리에 대한 도포막의 외측 모서리의 높이 치수(커트 높이)를 구해서 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이 아니면, 구한 커트 높이와, 미리 작성한 커트 높이 및 반도체 웨이퍼의 회전수의 관계를 나타내는 참고 데이터에 기초하여, 상기 회전수를 재설정하고 있다. 이렇게 도포 모듈의 파라미터인 회전수를 자동으로 조정하고 있으므로, 파라미터의 조정을 용이하게 행할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF ADJUSTING PARAMETERS OF COATING MODULE, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 도포 모듈에 있어서, 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하고, 이어서 반도체 웨이퍼의 베벨부의 도포막 또는 주연부의 도포막을 제거액에 의해 제거하는데 있어서, 도포 모듈의 파라미터를 조정하는 기술에 관한 것이다.
기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 도포막 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정에서 행하여지는 처리의 하나로, 웨이퍼 표면에 도포막을 형성하는 처리가 있다. 이 처리를 행하는 도포 모듈에서는, 예를 들어 스핀 척에 적재되어 회전하는 웨이퍼의 중앙부에, 도포액을 공급해서 도포막이 형성된다. 이렇게 해서 웨이퍼 표면에 도포막이 형성되면, 도포 모듈에 있어서, 도포막 주연부의 불필요한 막을 링 형상으로 제거하는 도포막 단부의 제거나, 웨이퍼의 이면의 세정이 행하여지는 경우가 있다. 도포막 단부의 제거는, 스핀 척에 의해 회전하는 웨이퍼의 주연부에, 국소적으로 노즐로부터 도포막의 용제를 토출해서 행하여지고, 이면 세정은, 스핀 척에 의해 회전하는 웨이퍼의 이면측에 세정 노즐로부터 세정액을 토출해서 행하여진다.
이러한 도포 모듈에 있어서, 신규 도포액이나 세정액을 사용하는 경우 등에는, 실제로 제품인 반도체 웨이퍼에 처리를 행하기 전에, 도포막 단부의 제거나 이면 세정에 영향을 주는 파라미터에 대해서, 미리 조정 작업이 행하여진다. 종래에는, 도포 모듈에 있어서 조정용 웨이퍼에 대하여 소정의 처리를 행한 후, 이 웨이퍼를 예를 들어 현미경 등의 검사 장치에 옮겨, 이 검사 장치에서 웨이퍼 표면이나 이면을 관찰하여 도포막 단부의 커트 상태나 세정 상태를 파악하고, 이것에 기초하여 파라미터의 값을 변경한다. 그리고, 변경된 파라미터를 사용해서 다시 도포 모듈에서 소정의 처리를 행하고, 그 후 검사 장치에서 검사해서 파라미터 조정을 행하는 것과 같이, 시행 착오적으로 조정을 행하고 있었다. 따라서, 파라미터의 조정에는 많은 시간과 수고가 들 뿐 아니라, 오퍼레이터의 경험치도 작용하기 때문에, 번잡한 작업이었다.
특허문헌 1에는, 막 두께 분포를 기판의 위치와 막 두께의 관계를 나타내는 제1 차수 및 제2 차수의 함수에 근사하여, 이들 함수에 기초해서, 도포막의 막 두께를 조정하기 위한 파라미터를 변경함으로써, 파라미터를 적정한 범위 내로 설정하는 기술이 기재되어 있다. 그러나, 이 기술에는, 도포막 단부의 커트 상태나 웨이퍼 이면의 세정 상태에 영향을 주는 파라미터에 대해서는 고려되어 있지 않으므로, 본 발명의 과제를 해결할 수는 없다.
특허문헌 2에는, 도포막 형성 후에 도포막의 주연부에 용제를 공급해서 불필요한 막을 제거하는데 있어서, 기판의 단부면을 촬상해서 형상 데이터를 취득함으로써, 기판의 휨양을 파악하고, 이 휨양에 기초하여 용제의 공급 위치를 결정하는 기술이 기재되어 있다. 그러나, 이 기술은 도포막 단부의 커트 상태나 기판 이면의 세정 상태를 파악해서 파라미터를 조정하는 것이 아니므로, 본 발명의 과제를 해결할 수는 없다.
일본 특허 공개 제2016-147246호 공보 일본 특허 공개 제2017-150849호 공보
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 도포 모듈에 있어서, 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하고, 이어서 반도체 웨이퍼의 베벨부의 도포막 또는 주연부의 도포막을 제거하는데 있어서, 도포 모듈의 파라미터를 자동으로 조정함으로써, 파라미터의 조정을 용이하게 행하는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는,
반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하는 기판 처리 장치에 있어서,
복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하고, 계속해서 반도체 웨이퍼를 회전시키면서, 베벨부의 막 제거용 노즐로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부에 제거액을 토출해서 베벨부의 도포막을 제거하는 도포 모듈과,
반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 구비한 촬상 모듈과,
상기 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와,
기억부와,
상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 도포 모듈에서 처리된, 상기 복수매의 반도체 웨이퍼로부터 선택된 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상하고, 촬상 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리에 대한 도포막의 외측 모서리의 높이 치수를 구하고, 구한 높이 치수가 제1 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제1 허용값이 아니면, 구한 높이 치수와, 미리 작성한 높이 치수 및 반도체 웨이퍼의 회전수의 관계를 나타내는 제1 참고 데이터에 기초해서 반도체 웨이퍼의 회전수를 재설정하여, 다시 상기 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 베벨부의 도포막의 제거를 행하고, 그 후 높이 치수가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제1 허용값이라면, 재설정한 반도체 웨이퍼의 회전수를 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 제어부를 구비한다.
본 발명의 다른 기판 처리 장치는,
반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하는 기판 처리 장치에 있어서,
복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하고, 계속해서 반도체 웨이퍼를 회전시키면서, 주연부의 막 제거용 노즐로부터, 반도체 웨이퍼의 베벨부보다도 내측 위치의 표면에 제거액을 토출해서 상기 주연부의 도포막을 제거하는 적어도 하나의 도포 모듈과,
반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 구비한 촬상 모듈과,
상기 적어도 하나의 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와,
기억부와,
상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 처리된, 상기 복수매의 반도체 웨이퍼로부터 선택된 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 표면을 촬상하고, 촬상 결과에 기초하여, 도포막의 외측 모서리로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리까지의 커트면의 흐트러짐 정도를 구하고, 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 제1 허용값인지 여부를 상기 제1 허용값이 아니면, 구한 커트면의 흐트러짐 정도와, 미리 작성한 커트면의 흐트러짐 정도 및 주연부의 도포막을 제거하기 전에 도포막을 건조시키기 위해서 행하는 도포막의 건조 시간의 관계를 나타내는 제1 참고 데이터에 기초해서 도포막의 건조 시에 있어서의 건조 시간을 재설정하여, 다시 상기 적어도 하나의 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 주연부의 도포막의 제거를 행하고, 그 후 상기 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제1 허용값이라면, 재설정한 상기 건조 시간을 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 제어부를 구비한다.
본 발명의 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법은,
복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하고, 계속해서 반도체 웨이퍼를 회전시키면서, 베벨부의 막 제거용 노즐로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부에 제거액을 토출해서 베벨부의 도포막을 제거하는 도포 모듈과,
반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 구비한 촬상 모듈과,
상기 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와, 기억부를 구비한, 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하기 위한 기판 처리 장치에서의 상기 도포 모듈의 처리 시의 파라미터를 조정하는 방법에 있어서,
상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 도포 모듈에서 처리된, 상기 복수매의 반도체 웨이퍼로부터 선택된 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상하는 공정과,
촬상 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리에 대한 도포막의 외측 모서리의 높이 치수를 구하는 공정과, 구한 높이 치수가 제1 허용값인지 여부를 판정하는 공정과, 상기 구한 높이 치수가 상기 제1 허용값이 아니면, 상기 구한 높이 치수와, 미리 작성한 높이 치수 및 반도체 웨이퍼의 회전수의 관계를 나타내는 제1 참고 데이터에 기초해서 반도체 웨이퍼의 회전수를 재설정하는 공정과,
다시 상기 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 베벨부의 도포막의 제거를 행하고, 그 후 상기 높이 치수가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정하는 공정과, 상기 높이 치수가 상기 제1 허용값이라면, 재설정한 반도체 웨이퍼의 회전수를 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 공정을 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법은,
복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하고, 계속해서 반도체 웨이퍼를 회전시키면서, 주연부의 막 제거용 노즐로부터, 반도체 웨이퍼의 베벨부보다도 내측 위치의 표면에 제거액을 토출해서 상기 주연부의 도포막을 제거하는 적어도 하나의 도포 모듈과,
반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 구비한 촬상 모듈과,
상기 적어도 하나의 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와, 기억부를 구비한, 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하기 위한 기판 처리 장치에서의 상기 도포 모듈의 처리 시의 파라미터를 조정하는 방법에 있어서,
상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 처리된, 상기 복수매의 반도체 웨이퍼로부터 선택된 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 표면을 촬상하는 공정과,
촬상 결과에 기초하여, 도포막의 외측 모서리로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리까지의 커트면의 흐트러짐 정도를 구하는 공정과, 상기 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 제1 허용값인지 여부를 판정하는 공정과, 상기 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값이 아니면, 상기 구한 커트면의 흐트러짐 정도와, 미리 작성한 커트면의 흐트러짐 정도 및 주연부의 도포막을 제거하기 전에 도포막을 건조시키기 위해서 행하는 도포막의 건조 시간의 관계를 나타내는 제1 참고 데이터에 기초해서 도포막의 건조 시에 있어서의 건조 시간을 재설정하는 공정과,
다시 상기 적어도 하나의 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 주연부의 도포막의 제거를 행하는 공정과, 그 후 상기 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정하는 공정과, 상기 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값이라면, 재설정한 상기 건조 시간을 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 공정을 포함한다.
또한, 본 발명의 기억 매체는,
복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하는 도포 모듈과,
반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 구비한 촬상 모듈과,
상기 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구를 구비한, 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하기 위한 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 도포 모듈의 처리 시의 파라미터를 조정하는 방법을 실행하기 위한 스텝 군을 구비한다.
본 발명에 따르면, 기판 처리 장치에 도포 모듈 및 촬상 모듈을 설치하고, 조정용 반도체 웨이퍼를 도포 모듈에서 처리한 후, 반도체 웨이퍼 반송 기구에 의해 촬상 모듈에 반송하고, 당해 반도체 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상한다. 그리고, 이 촬상 결과에 기초하여, 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리에 대한 도포막의 외측 모서리의 높이 치수를 구해서 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이 아니면, 구한 높이 치수와, 미리 작성한 높이 치수 및 반도체 웨이퍼의 회전수의 관계를 나타내는 참고 데이터에 기초하여, 회전수를 재설정하고 있다. 이렇게 도포 모듈의 파라미터인 회전수를 자동으로 조정하고 있으므로, 파라미터의 조정을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 도포 모듈에서 처리된 조정용 반도체 웨이퍼를 반도체 웨이퍼 반송 기구에 의해 촬상 모듈에 반송하고, 이 조정용 반도체 웨이퍼의 표면의 촬상 결과에 기초하여, 도포막의 외측 모서리로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리까지의 커트면의 흐트러짐 정도를 구하고 있다. 그리고, 구한 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이 아니면, 구한 흐트러짐 정도와, 미리 작성한 흐트러짐 정도 및 주연부의 도포막을 제거하기 위해서 도포막을 건조시킬 때의 건조 시간의 관계를 나타내는 참고 데이터에 기초하여, 상기 건조 시간을 재설정하고 있다. 이렇게 해서, 도포 모듈의 처리 시의 파라미터인 상기 건조 시간을 자동으로 조정하고 있으므로, 파라미터의 조정을 용이하게 행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시 형태의 주요부를 도시하는 구성도이다.
도 2는 도포 모듈을 도시하는 종단 측면도이다.
도 3은 베벨부 세정 노즐을 도시하는 부분 종단 측면도이다.
도 4는 제1 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 공정도이다.
도 5는 제1 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 공정도이다.
도 6은 제1 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 공정도이다.
도 7은 제1 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 공정도이다.
도 8은 촬상 모듈을 도시하는 개략 사시도이다.
도 9는 촬상 모듈의 작용을 모식적으로 도시하는 구성도이다.
도 10은 촬상 모듈의 작용을 모식적으로 도시하는 구성도이다.
도 11은 기판 처리 장치의 제어부를 도시하는 구성도이다.
도 12는 웨이퍼의 베벨부를 도시하는 부분 종단 측면도이다.
도 13은 촬상 결과를 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 14는 제1 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 흐름도이다.
도 15는 커트 높이 및 회전수의 관계를 나타내는 참고 데이터와 실 데이터를 도시하는 특성도이다.
도 16은 오염 정도 및 세정 시간의 관계를 나타내는 참고 데이터와 실 데이터를 도시하는 특성도이다.
도 17은 커트 높이를 설명하기 위한 웨이퍼의 베벨부를 도시하는 부분 종단 측면도이다.
도 18은 제2 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 공정도이다.
도 19는 제2 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 공정도이다.
도 20은 제2 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 공정도이다.
도 21은 제2 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 공정도이다.
도 22는 제2 실시 형태의 도포 모듈의 작용을 설명하는 흐름도이다.
도 23은 커트면의 흐트러짐 정도 및 건조 시간의 관계를 나타내는 참고 데이터와 실 데이터를 도시하는 특성도이다.
도 24는 기판 처리 장치를 이루는 도포, 현상 장치를 도시하는 평면도이다.
도 25는 도포, 현상 장치를 나타내는 종단 측면도이다.
(제1 실시 형태)
도 1은, 본 발명의 기판 처리 장치를 구성하는 도포, 현상 장치(1)의 개략 구성을 나타내고 있다. 도포, 현상 장치(1)는, 복수매의 웨이퍼(W)를 수납해서 반송하는 반송 용기(C)가 반출입되는 반출입 블록(S1)과, 처리 블록(S2)을 구비하고 있다. 처리 블록(S2)의 내부에는, 웨이퍼(W)에 대하여 도포액을 도포하는 도포 모듈(2)과, 웨이퍼(W)를 촬상하는 촬상 모듈(3)이 설치되어 있다. 반도체 웨이퍼 반송 기구를 이루는 반송 기구(11)에 의해, 반송 용기(C)와, 도포 모듈(2)과, 촬상 모듈(3)의 사이에서 웨이퍼의 반송이 행하여진다.
파라미터 조정용 웨이퍼(W)는, 반송 용기(C)로부터 취출되어 도포 모듈(2)에 반송되고, 여기서 도포액의 도포, 베벨부의 도포막의 제거 및 이면 세정이 행하여진다. 이어서, 웨이퍼(W)는 촬상 모듈(3)에 반송되어, 그 외측 단부면 및 이면이 촬상된다. 그리고, 이 촬상 결과에 기초하여, 제어부(100)에서, 도포 모듈(2)의 파라미터인, 베벨부의 도포막 제거 시에 있어서의 회전수(린스 회전수)와, 이면 세정 시의 세정 시간이 자동으로 조정된다. 이후, 베벨부의 도포막의 제거 처리를 베벨 세정 처리로서 설명한다.
계속해서, 도포 모듈(2)의 일 실시 형태에 대해서, 도 2 및 도 3을 참조하면서 설명한다. 도면 중 21은 웨이퍼(W)를 보유 지지해서 회전시키는 기판 보유 지지부를 이루는 스핀 척이다. 스핀 척(21)은, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착해서 웨이퍼(W)를 수평하게 보유 지지함과 함께, 샤프트(212)를 통해서 구동 기구(211)에 의해 연직축을 따라 예를 들어 평면으로 보아 시계 방향으로 회전 가능 및 승강 가능하게 구성되어 있다.
스핀 척(21)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주위에는 컵(22)이 설치되어 있고, 컵(22)의 하방측은, 배기관(221)을 통해서 배기됨과 함께, 액체 배출관(222)이 접속되어 있다. 또한, 스핀 척(21)의 하방측에는 샤프트(212)를 둘러싸도록 원형판(213)이 설치되어 있고, 이 원형판(213)의 주위에는 단면 형상이 산형인 링 형상의 산형부(214)가 형성되어 있다. 이 산형부(214)의 정상부에는, 컵(22) 내를 흐르는 미스트의 웨이퍼 이면측에의 유입을 억제하기 위한 돌기부(215)가 설치되어 있다.
도포 모듈(2)은, 도포액을 토출하는 도포액 노즐(24)과, 도포액의 용매인 용제를 토출하는 용제 노즐(25)을 구비하고 있다. 도포액 노즐(24)은, 개폐 밸브(V1)를 구비한 유로(241)를 통해서 도포액 공급 기구(242)에 접속되어 있다. 용제 노즐(25)은, 웨이퍼(W)에의 도포액을 토출하기 전에 행하는 전처리에 사용되는 노즐이며, 개폐 밸브(V2)를 구비한 유로(251)를 통해서 용제 공급 기구(252)에 접속되어 있다. 이들 도포액 노즐(24) 및 용제 노즐(25)은, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 웨이퍼(W)의 중심부 상과 컵(22)의 외측의 퇴피 위치의 사이에서 이동 가능하게 구성되어 있다.
또한, 도포 모듈(2)은, 웨이퍼(W)의 주연부의 막 제거용 노즐인 제거액 노즐(26)과, 베벨부의 막 제거용 베벨부 세정 노즐(27)과, 이면 세정 노즐(28)을 구비하고 있다. 제거액 노즐(26)은, 스핀 척(21)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 베벨부보다도 내측 위치의 표면에, 제거액이 웨이퍼(W)의 회전 방향의 하류측을 향하도록, 제거액을 토출하는 것이다. 제거액 노즐(26)은 예를 들어 직관 형상으로 형성되고, 그 선단이 제거액의 토출구로서 개구되어 있다. 이 제거액 노즐(26)은, 도시하지 않은 이동 기구에 의해, 예를 들어 웨이퍼 주연부에 제거액을 토출하는 처리 위치와, 컵(22)의 외측의 퇴피 위치의 사이에서 이동 가능하게 구성되어 있다.
또한, 베벨부 세정 노즐(27)은, 스핀 척(21)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면측으로부터 베벨부를 향해서 제거액을 토출하는 것이다. 이 베벨부 세정 노즐(27)은, 베이스(271)를 따라 이동 가능하게 구성되어 있고, 베이스(271)는, 예를 들어 산형부(214)에 형성된 도시하지 않은 절결부에 설치되어 있다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 경사면부(272)를 구비하고, 경사면부(272)가 신장됨으로써, 그 선단측이 돌기부(273)로서 형성되어 있다. 이와 같이 베벨부 세정 노즐(27)은, 산형부(214)의 일부로서 기능하고, 돌기부(273)가 산형부(214)의 돌기부(215)의 일부로서 기능하도록 구성되어 있다.
베벨부 세정 노즐(27)의 내부에는, 제거액의 공급로(270)가 형성되고, 그 선단의 토출구(274)로부터 비스듬히 상방측을 향해서 제거액을 공급하도록 구성되어 있다. 예를 들어 웨이퍼(W)를 향해서 제거액을 토출했을 때, 베벨부(W0)에 제거액이 도달하도록, 구체적으로는 제거액의 웨이퍼(W) 상의 도착 지점이 웨이퍼(W)의 외측 모서리로부터 예를 들어 0mm 내지 4.5mm 내측이 되도록 설정되어 있다.
이면 세정 노즐(28)은, 스핀 척(21)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 베벨부(W0)보다도 내측 위치의 이면에 세정액을 토출하는 것이다. 예를 들어 웨이퍼(W)를 향해서 세정액을 토출했을 때, 당해 세정액의 웨이퍼(W) 상의 도착 지점이 웨이퍼(W)의 외측 모서리로부터 예를 들어 70mm보다도 내측이 되도록 구성되어 있다. 베벨부 세정 노즐(27) 및 이면 세정 노즐(28)은, 예를 들어 도포 모듈(2)에 2개씩, 예를 들어 원형판(213)에 있어서 직경 방향에 대향하는 위치에 각각 설치되어 있다(도 5, 도 6 참조).
이 예에서의 제거액 및 세정액은 모두 도포막의 용제이며, 제거액 노즐(26)은 개폐 밸브(V3)를 구비한 유로(261)를 통해서 예를 들어 용제 공급 기구(252)에 접속되고, 베벨부 세정 노즐(27)은, 개폐 밸브(V4)를 구비한 유로(275)를 통해서 예를 들어 용제 공급 기구(252)에 접속되어 있다. 또한, 이면 세정 노즐(28)은, 개폐 밸브(V5)를 구비한 유로(281)를 통해서 예를 들어 용제 공급 기구(252)에 접속되어 있다.
이 도포 모듈(2)에서 실시되는 처리의 일례에 대해서, 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명한다. 우선, 반송 기구(11)에 의해 웨이퍼(W)를 스핀 척(21) 상에 반송해서 적재하고, 용제 노즐(25)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 상에 용제를 토출하는 한편, 웨이퍼(W)를 회전하여, 원심력에 의해 용제를 웨이퍼(W)의 표면 전체에 도포한다. 이어서, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서 도포액 노즐(24)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 상에 도포액, 예를 들어 레지스트액을 토출하여, 원심력에 의해 도포액을 웨이퍼(W)의 표면 전체에 도포한다. 그 후, 소정 시간 웨이퍼(W)를 회전시켜서 액막을 건조시켜, 도포막(10)을 형성한다(도 4).
이어서, 베벨 세정 및 이면 세정을 실행한다. 이 예에서는, 도 5, 도 6에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 예를 들어 베벨부 세정 노즐(27) 및 이면 세정 노즐(28)로부터 동시에 제거액 및 세정액을 웨이퍼(W)를 향해서 토출한다. 이에 의해 베벨부 세정 노즐(27)로부터 토출된 제거액(용제)은, 웨이퍼(W)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측을 향해서, 베벨부(W0)를 지나서 웨이퍼 표면측으로 돌아들어간다. 제거액이 공급된 영역에서는, 도포막이 제거액에 의해 연화되어 용해하고, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측을 향해서 밀려나가 제거된다. 이때, 웨이퍼(W)의 회전수(린스 회전수)가 클수록, 제거액이 웨이퍼 표면측으로 돌아들어가기 어려워진다. 제거액이 표면측으로 지나치게 돌아들어가면, 원하는 영역보다도 내측까지 도포막이 제거되어버리고, 제거액이 돌아들어가는 양이 너무 적으면, 베벨부(W0)에 도포막이 잔존해버린다.
이 실시 형태에서는, 후술하는 바와 같이, 린스 회전수의 조정을 커트 높이를 구함으로써 행한다. 커트 높이(H)란, 후술하는 도 12에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 베벨부(W0)의 내측 모서리에 대한 도포막의 외측 모서리의 높이 치수이다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼의 외측 모서리(베벨부(W0)의 외측 모서리)와 도포막의 외측 모서리의 가로 방향의 거리를 커트 폭(W)으로 하면, 린스 회전수가 클수록, 제거액이 웨이퍼 표면측으로 돌아들어가기 어려워지기 때문에, 웨이퍼의 단부의 도포막의 커트 폭(W)이 작아져, 커트 높이(H)가 커진다. 이와 같이, 커트 높이와 커트 폭에는 상관 관계가 있다.
도 6으로 돌아가서 설명을 계속하면, 이면 세정 노즐(28)로부터 토출된 세정액(용제)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면측에 부착된 도포액에 의한 오염이 제거됨과 함께, 용해한 도포막이 이면측으로 돌아들어가 부착되는 것이 억제된다. 이 이면 세정에서는, 세정 시간이 길수록, 웨이퍼 이면의 도포액에 의한 오염 정도(이하, 「오염 정도」라고 함)인 막 잔사가 적어진다. 이렇게 해서, 베벨 세정 및 이면 세정이 행하여진 후, 도 7에 도시하는 바와 같이, 베벨부 세정 노즐(27)로부터의 제거액의 토출 및 이면 세정 노즐(28)로부터의 세정액의 토출을 각각 정지한다. 이어서, 웨이퍼(W)를 회전시켜서, 웨이퍼(W) 상의 제거액 및 세정액을 원심 탈액해서 건조하고, 도포 모듈(2)에서의 처리를 종료한다.
계속해서, 촬상 모듈(3)에 대해서, 도 8 내지 도 10을 참조하여 설명한다. 도 8은 촬상 모듈(3)의 주요부를 도시하는 개략 사시도이며, 도 9 및 도 10은, 촬상 모듈(3)의 작용을 설명하기 위해서 주요부를 모식적으로 도시하는 것이다. 촬상 모듈(3)은, 웨이퍼(W)의 외측 단부면 및 이면을 촬상하는 것이며, 웨이퍼(W)를 수평하게 보유 지지함과 함께, 회전 기구(311)에 의해 연직축 주위로 회전 가능하게 설치된 보유 지지대(31)를 구비하고 있다. 회전 기구(311)는, 예를 들어 보유 지지대(31)의 회전 위치를 검출하기 위한 인코더를 구비하고 있어, 후술하는 주연 촬상부(4)와, 이면 촬상부(5)에 의한 웨이퍼(W)의 각 면의 촬상 위치와, 회전 위치의 대응짓기를 행할 수 있도록 구성되어 있다.
주연 촬상부(4)는, 예를 들어 웨이퍼 표면의 주연 영역(Wa) 및 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb)(베벨부(W0))을 동시에 촬상하는 것이다. 주연 촬상부(4)는, 도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 촬상 수단인 카메라(41)와, 조명부(42)와, 미러 부재(43)를 구비하고, 카메라(41)와, 조명부(42)는 서로 대향하도록 설치되어 있다. 카메라(41)는, 렌즈(411)와, 예를 들어 CCD 이미지 센서로 이루어지는 촬상 소자(412)를 구비하고 있다.
조명부(42)는, 보유 지지대(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치된 광원(421)과, 하프 미러(422)와, 초점 조절 렌즈(423)를 구비하고 있다. 하프 미러(422)는, 예를 들어 직사각 형상으로 구성되고, 수평 방향에 있어서, 대략 45도 기운 상태로서 배치되어 있다. 초점 조절 렌즈(423)는, 렌즈(411)와의 합성 초점 거리를 변화시키는 기능을 구비하는 것이다.
주연 촬상부(4)는 미러 부재(43)를 구비하고 있고, 이 미러 부재(43)는, 하프 미러(422)의 하방에 배치되고, 보유 지지대(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb)과 웨이퍼 이면의 주연 영역에 대향하도록 설치되어 있다. 미러 부재(43)에서의 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb) 등과 대향하는 부위는, 보유 지지대(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb)으로부터 이격되는 측을 향해서 우묵하게 들어간 만곡면으로서 구성되고, 당해 만곡면은 예를 들어 경면 가공이 실시된 반사면(431)으로서 구성되어 있다.
조명부(42)에 있어서는, 광원(421)으로부터 출사된 광은, 하프 미러(422)를 통과해서 하방을 향해 조사되고, 이 하프 미러(422)를 통과한 확산 광은, 미러 부재(43)의 반사면(431)에서 반사된다. 확산 광이 반사면(431)에서 반사된 반사광은, 주로 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb)과 웨이퍼 표면의 주연 영역(Wa)에 조사된다. 웨이퍼 표면의 주연 영역(Wa)으로부터 반사된 반사광은, 도 9 중 일점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 하프 미러(422)에서 다시 반사되어, 초점 조정 렌즈(423)는 통과하지 않고, 카메라(41)의 렌즈(411)를 통과하여, 촬상 소자(412)에 입사된다. 한편, 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb)으로부터 반사된 반사광은, 도 9 중 점선으로 나타내는 바와 같이, 미러 부재(43)의 반사면(431)과 하프 미러(422)에서 순차 반사되어, 초점 조절 렌즈(423)와 렌즈(411)를 순차 통과하고, 촬상 소자(412)에 입사된다.
이와 같이, 카메라(41)의 촬상 소자(412)에는, 웨이퍼 표면의 주연 영역(Wa)으로부터의 광과, 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb)으로부터의 광의 양쪽이 입력되므로, 카메라(41)는, 웨이퍼 표면의 주연 영역(Wa)과 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb)의 양쪽을 촬상할 수 있다. 카메라(41)에 의해 촬상된 촬상 화상의 데이터는, 예를 들어 제어부(100)에 송신된다.
이면 촬상부(5)는, 도 8 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 렌즈(511)와, 예를 들어 CCD 이미지 센서로 이루어지는 촬상 소자(512)를 구비한 촬상 수단을 이루는 카메라(51)와, 조명부(52)를 구비하고, 카메라(51)와 조명부(52)는, 서로 대향하도록 설치되어 있다. 조명부(52)는, 보유 지지대(31)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하방에 배치되고, 광원(521)과 하프 미러(522)를 구비하고 있다. 하프 미러(522)는, 예를 들어 직사각 형상으로 구성되고, 수평 방향에 있어서, 대략 45도 기운 상태로 배치되어 있다. 하프 미러(522)의 하방에 위치하는 광원(521)으로부터 출사된 광은, 하프 미러(522)를 전체적으로 통과해서 상방을 향해 조사된다. 하프 미러(522)를 통과한 광은, 웨이퍼(W)의 이면에서 반사된 후, 하프 미러(522)에서 다시 반사되어, 카메라(51)의 렌즈(511)를 통과하고, 촬상 소자(512)에 입사된다. 이렇게 해서, 촬상된 웨이퍼(W)의 이면의 촬상 화상의 데이터는, 예를 들어 제어부(100)에 송신된다.
이 촬상 모듈(3)에서는, 제어부(100)의 제어 신호에 기초하여, 웨이퍼(W)가 적재된 보유 지지대(31)가 회전 기구(311)에 의해 회전하고, 이 상태에서 주연 촬상부(4) 및 이면 촬상부(5)에 있어서, 각각 광원(421, 521)을 ON으로 하면서, 카메라(41, 51)에 의한 촬상을 행한다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 주연 전체 둘레에 걸쳐서, 웨이퍼 표면의 주연 영역(Wa)과, 웨이퍼(W)의 외측 단부면(Wb)과, 웨이퍼(W)의 이면(Wc)이 촬상된다. 웨이퍼(W)가 1회전하여, 카메라(41, 51)에 의한 촬상이 완료되면, 카메라(41, 51)에 의한 촬상 화상의 데이터는 후술하는 제어부(100)에 송신된다.
도포, 현상 장치(1)는 제어부(100)를 구비하고 있다. 이 제어부(100)는, 예를 들어 도 11에 도시한 바와 같이, CPU(101)와, 기억부(102)와, 컴퓨터로 이루어지는 프로그램 저장부(103)와, 화상 해석부(104)와, 입력부(105)와, 표시부(106)를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부(103)에는, 후술하는 도포막의 형성 처리 및 파라미터 조정을 행할 수 있도록 명령(스텝 군)이 짜여진 프로그램이 저장되어 있다. 그리고, 이 프로그램에 의해 제어부(100)로부터 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호가 출력됨으로써, 도포, 현상 장치(1)의 각 부의 동작이 제어된다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.
기억부(102)에는, 도포, 현상 장치(1)에서 실시될 처리에 대한 다양한 레시피가 저장되고, 파라미터 조정에 대해서는, 예를 들어 촬상 모듈(3)에서 촬상된 촬상 결과나, 도포 모듈(2)에서 실시되는 레시피, 후술하는 참고 데이터나 실 데이터 등이 저장된다. 화상 해석부(104)는, 촬상 모듈(3)에서 촬상된 촬상 결과(화상 데이터)에 기초하여, 커트 높이 및 웨이퍼 이면의 오염 정도를 구하는 기능을 구비하고 있다. 촬상 결과로부터 커트 높이를 구하는 방법에 대해서는 후술한다. 입력부(105)는, 예를 들어 파라미터 조정 시에, 커트 높이의 목표값 등의 입력이나, 복수의 도포 모듈(2)을 구비할 경우에는, 조정하는 도포 모듈(2)의 선택, 도포 모듈(2)에서 실시할 레시피 등의 선택을 행하는 기능, 표시부(106)는, 예를 들어 파라미터 조정의 결과 등을 표시하는 기능을 각각 구비하고 있다.
프로그램 저장부(103)에 저장되는 각종 프로그램에는, 파라미터 조정용 프로그램도 포함되어 있다. 파라미터 조정용 프로그램은, 웨이퍼(W)의 촬상 결과에 기초해서 구한 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이 아니면, 구한 커트 높이와, 커트 높이의 참고 데이터에 기초하여 베벨 세정의 회전수(린스 회전수)를 재설정하는 기능을 구비하고 있다. 커트 높이의 참고 데이터란, 미리 작성한, 커트 높이 및 린스 회전수의 관계를 나타내는 데이터이며, 예를 들어 지금 처리를 하고 있는 레지스트와는 상이한 레지스트를 사용하여, 또는 지금 사용하고 있는 세정액과는 상이한 세정액을 사용해서 과거에 취득한 데이터이다.
또한, 재설정한 린스 회전수를 사용하여, 다시 도포 모듈(2)에서 조정용 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 베벨 세정을 행하고, 그 후 마찬가지로 하여, 촬상 결과로부터 구한 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 재설정한 린스 회전수를 제품인 반도체 웨이퍼(이하, 「제품 웨이퍼」라고 함)의 처리 시의 파라미터(이하, 「처리용 파라미터」라고 함)로서 기억부(102)에 기억하는 기능을 구비하고 있다.
또한, 이 예의 파라미터 조정 프로그램은, 커트 높이의 판정 동작 외에도, 웨이퍼(W)의 촬상 결과에 기초해서 구한 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이 아니면, 구한 오염 정도와, 오염 정도의 참고 데이터에 기초하여 세정 시간을 재설정하는 기능을 구비하고 있다. 오염 정도의 참고 데이터란, 미리 작성한, 오염 정도 및 웨이퍼 이면의 세정 시간(이하, 「세정 시간」이라고 함)의 관계를 나타내는 데이터이며, 예를 들어 지금 처리를 하고 있는 레지스트와는 상이한 레지스트를 사용하여, 또는 지금 사용하고 있는 세정액과는 상이한 세정액을 사용해서 과거에 취득한 데이터이다.
또한, 재설정한 세정 시간으로 도포 모듈(2)에서, 조정용 웨이퍼(W)에 대하여 도포액의 도포, 베벨 세정 및 이면 세정을 행하고, 그 후 마찬가지로 하여, 촬상 결과로부터 구한 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 재설정한 세정 시간을 처리용 파라미터로서 기억부(102)에 기억하는 기능을 구비하고 있다.
또한, 파라미터 조정 프로그램은, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고, 또한 제3회째의 일련의 동작을 행할 때는, 린스 회전수의 재설정은 참고 데이터 대신에 실 데이터를 사용하도록 구성되어 있다. 여기서, 일련의 동작이란, 도포 모듈(2)에서 조정용 웨이퍼(W)에 대하여 도포액의 도포, 베벨 세정을 행하고 나서, 커트 높이를 구하고, 이 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정하는 동작이다. 또한, 실 데이터란, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 커트 높이 및 제1 린스 회전수와, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 커트 높이 및 제2 린스 회전수로부터 구한 커트 높이 및 린스 회전수의 관계를 나타내는 데이터이다.
또한, 파라미터 조정 프로그램은, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 제3회째의 일련의 동작을 행할 때는, 세정 시간의 재설정은 참고 데이터 대신에 실 데이터를 사용하도록 구성되어 있다. 실 데이터란, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 오염 정도 및 제1 세정 시간과, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 오염 정도 및 제2 세정 시간으로부터 구한 오염 정도 및 세정 시간의 관계를 나타내는 데이터이다. 또한, 일련의 동작이란, 도포 모듈(2)에서 조정용 웨이퍼(W)에 대하여 도포액의 도포, 이면 세정을 행하고, 오염 정도를 구하고, 이 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하는 동작이다.
또한, 파라미터 조정 프로그램은, n(미리 설정한 3 이상의 자연수)회째의 일련의 동작이 종료하고, 촬상 결과에 기초해서 구한 값(커트 높이 및 오염 정도)이 허용값에서 벗어났을 때는, 이후의 작업을 정지하도록 구성되어 있다.
화상 해석부(104)에서, 촬상 결과로부터 커트 높이를 구하는 방법의 일례에 대해서, 도 12 및 도 13을 예로 들어 설명한다. 도 12는, 웨이퍼(W)의 베벨부(W0)의 종단 측면도, 도 13은 촬상 모듈(3)의 주연 촬상부(4)에서 촬상된, 웨이퍼 표면의 주연 영역(Wa)의 화상 데이터를 모식적으로 도시하는 것이다. 도 12 중, H1은 베벨부(W0)의 내측 모서리의 높이 위치, H2는 베벨부(W0)의 외측 모서리의 높이 위치, 도 13 중의 N은 노치부이다. 또한, H3은 도포막(10)의 외측 모서리의 높이 위치(도포막(10)이 형성된 영역과 베벨부(W0)의 경계의 높이 위치)이다.
도 13에서는, 예를 들어 영역(S1)은 도포막이 형성된 영역, 영역(S2)은 도포막이 형성되어 있지 않은 영역(웨이퍼의 표면), 영역(S3)은 웨이퍼의 노치부 등 검사 대상이 존재하지 않는 영역을 각각 나타내고, 이들 영역(S1 내지 S3)은 서로 콘트라스트가 상이한 영역으로서 나타내고 있다. 도 12 및 도 13 중, W1은 베벨부와 웨이퍼 표면의 경계 위치, W2는 커트 위치, W3은 웨이퍼 외측 단부 위치이다. 콘트라스트의 차이에 의해, 화상 데이터로부터 상기 위치(W1, W2)가 검출된다. 커트 높이(H)는, 이미 설명한 바와 같이, 베벨부(W0)의 내측 모서리에 대한 도포막의 외측 모서리의 높이 치수이며, (W1-W2)의 절댓값과 상관이 있기 때문에, 이 (W1-W2)로부터 산출된다. 화상 해석부(104)에서는, 예를 들어 화상 데이터로부터, 웨이퍼(W)의 둘레 방향의 360개소의 위치의 커트 높이의 데이터를 취득하고, 그 평균값을 커트 높이(H)로서 구하고 있다.
또한, 화상 해석부(104)에서는, 촬상 모듈(3)의 주연 촬상부(4) 및 이면 촬상부(5)에서 촬상된, 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면의 화상 데이터에 있어서도, 예를 들어 콘트라스트의 차이에 의해, 막 잔사가 부착된 영역이 파악되고, 이것에 기초하여 웨이퍼(W) 이면의 도포액에 의한 오염 정도가 구해진다. 또한, 도 13에 나타내는 예는 발명의 이해를 위해서 든 것이며, 웨이퍼(W)의 이면측으로 도포막이 돌아들어가 있는 상태는 이면의 화상 데이터로부터 파악된다. 따라서, 실제로는, 촬상 모듈(3)의 주연 촬상부(4) 및 이면 촬상부(5)에서 촬상된, 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면의 촬상 결과에 기초하여, 커트 높이(H) 및 오염 정도가 구해진다. 따라서, 웨이퍼의 이면의 오염 정도에는, 웨이퍼의 이면 및 베벨부의 오염 정도(결함수)도 포함된다.
계속해서, 도포, 현상 장치(1)에서 행하여지는, 도포 모듈(2)에서의 파라미터의 자동 조정에 대해서 설명한다. 이 파라미터의 자동 조정은, 도포, 현상 장치(1)의 구동 시나 메인터넌스 시, 도포 모듈(2)에 있어서, 도포액이나 용제의 종류를 변경하는 경우, 신규 도포액, 용제나 세정액을 사용하는 경우 등에 실시된다. 여기에서는, 신규 도포액을 사용하는 경우를 예로 들어, 도 14 내지 도 17을 참조하여 설명한다.
우선, 입력부(105)에 있어서, 조정을 행하는 도포 모듈(2), 커트 높이의 목표값을 입력하고, 기억부(102)에 저장되어 있는 기준 레시피를 선택한다. 기준 레시피로서는, 예를 들어 자동 파라미터 조정을 행할 때 사용되는 표준의 레시피를 준비해도 되고, 유사한 도포액을 사용한 레시피이어도 된다. 기준 레시피에는, 예를 들어 도 15에 도시하는 바와 같이, 베벨 세정에 있어서의, 커트 높이 및 린스 회전수의 관계를 나타내는 참고 데이터(R1)가 저장되어 있어, 커트 높이의 목표값, 예를 들어 120㎛로 설정하면, 기준 레시피에서의 린스 회전수가 예를 들어 800rpm으로 설정된다. 또한, 예를 들어 도 16에 도시하는 바와 같이, 기준 레시피에는, 웨이퍼 이면의 도포액에 의한 오염 정도 및 이면의 세정 시간의 관계를 나타내는 참고 데이터(R2)가 저장되어 있고, 오염 정도가 허용값(L1)이 되는 세정 시간(T1)이 설정되어 있다.
그리고, 파라미터 조정용 웨이퍼(W)를 수납한 반송 용기(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 도포 모듈(2)에 반송하여, 이미 설명한 바와 같이 도포막을 형성하고, 설정된 린스 회전수 800rpm과 세정 시간(T1)에 의해, 베벨 세정 및 이면 세정을 실시한다. 이어서, 웨이퍼(W)를 촬상 모듈(3)에 반송하고, 이미 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외측 단부면 및 이면의 화상 데이터를 취득한다(스텝 S1). 촬상 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(11)에 의해 예를 들어 원래의 반송 용기(C)로 되돌려진다.
계속해서, 제어부(100)에 있어서, 화상 데이터에 기초하여, 커트 높이 및 오염 정도를 구하고(스텝 2), 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정한다(스텝 S3). 허용값이란, 목적으로 하는 커트 높이에 대하여 예를 들어 ±10％ 이내이다. 또한, 이 수치는 발명의 이해를 위해서 예를 든 것이며, 실제 기기의 일례를 나타내는 것은 아니다. 이 예에서는, 도 17의 (a)에 도시하는 바와 같이, 화상 데이터로부터 구한 커트 높이를 60㎛로 한다. 따라서, 스텝 S4로 진행하여, 린스 회전수를 재설정한다. 이 재설정은, 참고 데이터(R1)에 기초해서 행하고, 여기에서는 커트 높이를 크게 하고 싶으므로, 참고 데이터(R1)에 기초하여, 린스 회전수를 예를 들어 900rpm으로 재설정한다. 한편, 가령 커트 높이가 허용 값이라고 판정되면, 스텝 S5, 스텝 S13으로 진행하여, 스텝 S13에서는, 이때의 린스 회전수를 제품 웨이퍼(W)의 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하고, 린스 회전수의 파라미터 조정 작업을 종료한다.
스텝 S5에서는, 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 스텝 S13으로 진행하여, 이때의 세정 시간을 처리용 파라미터로서 기억부(102)에 기억하고, 세정 시간의 파라미터 조정 작업을 종료한다. 한편, 오염 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 스텝 S6으로 진행하여, 세정 시간을 재설정하고, 스텝 S7로 진행한다. 이 재설정은, 참고 데이터(R2)에 기초하여 행하고, 오염 정도가 허용값이 되도록, 세정 시간을 길게 하도록 재설정한다. 여기에서는, 오염 정도가 허용값을 초과하고 있어, 세정 시간을 재설정하는 예로 설명한다.
스텝 S7에서는, 다시 파라미터 조정용의 다른 웨이퍼(W)를 도포 모듈(2)에 반송하고, 도포막의 형성, 린스 회전수 및 세정 시간을 재설정한 레시피로, 베벨 세정 및 이면 세정을 실행한다. 이어서, 촬상 모듈(3)에서 이미 설명한 화상 데이터를 취득하여, 커트 높이 및 오염 정도를 구한다. 촬상 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(11)에 의해 예를 들어 원래의 반송 용기(C)로 되돌려진다.
그리고, 스텝 S8로 진행하여, 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정한다. 이 예에서는, 도 17의 (b)에 도시하는 바와 같이, 구한 커트 높이(H)를 90㎛로 한다. 따라서, 스텝 S9로 진행하여, 베벨 세정 횟수가 설정 횟수를 초과했는지 여부, 즉 일련의 동작이 설정 횟수인 n회를 초과하였는지 여부를 판정한다. 설정 횟수를 초과하였으면, 즉 n회째의 일련의 동작이 종료하고 커트 높이가 허용값에서 벗어나 있을 때는, 스텝 S14로 진행하여, 파라미터 조정 불가로 해서, 예를 들어 표시부(106)에 그 취지를 표시하고, 조정 작업을 종료한다. 이후는, 예를 들어 오퍼레이터가 수동으로 파라미터 조정을 행한다.
스텝 S9에서, 설정 횟수를 초과하지 않았으면, 스텝 S10으로 진행하여, 린스 회전수를 재설정한다. 이 재설정은, 도 15에 도시하는 실 데이터(A1)에 기초해서 행한다. 도 15 중 D1은, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 커트 높이(60㎛) 및 린스 회전수(800rpm)의 데이터이며, D2는 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 커트 높이(90㎛) 및 린스 회전수(900rpm)의 데이터이다. 이들 D1, D2로부터, 커트 높이 및 린스 회전수의 관계를 나타내는 실 데이터(A1)를 구하고, 제3회째의 일련의 동작을 할 때는, 이 실 데이터(A1)에 기초하여, 커트 높이가 120㎛가 되는 회전수, 이 예에서는 1000rpm을 재설정하고, 스텝 S11로 진행한다. 한편, 가령 스텝 S8에서 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서 구한 커트 높이가 허용 값이라고 판정되면, 스텝 S11, 스텝 S13으로 진행한다. 스텝 S13에서는, 그때의 린스 회전수를 처리용 파라미터로서 기억하고, 린스 회전수의 파라미터 조정 작업을 종료한다.
스텝 S11에서는, 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 스텝 S13으로 진행하여, 이때의 린스 시간을 처리용 파라미터로서 기억하고, 세정 시간의 파라미터 조정 작업을 종료한다. 한편, 오염 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 스텝 S12에서, 세정 시간을 재설정한다. 이 재설정은, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 오염 정도 및 세정 시간과, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 오염 정도 및 세정 시간으로부터 구한, 오염 정도 및 세정 시간의 관계를 나타내는 실 데이터(A2)(도 16 참조)에 기초해서 행한다.
계속해서, 다시 파라미터 조정용의 다른 웨이퍼(W)를 도포 모듈(2)에 반송하여, 도포막의 형성을 행하고, 린스 회전수 및 세정 시간을 재설정한 레시피로, 베벨 세정 및 이면 세정을 실행한다. 이어서, 웨이퍼(W)의 촬상 결과로부터 커트 높이 및 오염 정도를 구한다(스텝 S7). 이렇게 해서 촬상 결과에 기초해서 구한 값은, 제3회째의 일련의 동작 시에 있어서의 커트 높이 및 오염 정도의 데이터가 된다.
그리고, 스텝 S8로 진행하여, 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정한다. 이 예에서는, 도 17의 (c)에 도시하는 바와 같이, 구한 커트 높이를 120㎛로 한다. 따라서, 허용값이므로 스텝 S11 및 스텝 S13으로 진행하여, 스텝 S13에서, 재설정한 린스 회전수를 처리용 파라미터로서 기억하고, 린스 회전수의 파라미터 조정 작업을 종료한다. 가령 커트 높이가 허용값을 초과하고 있으면, 스텝 S9로 진행하여, 베벨 세정 횟수가 설정 횟수를 초과했는지 여부를 판정하고, 설정 횟수를 초과하지 않았으면, 스텝 S10에서 린스 회전수를 재설정한다. 이 재설정은, 제1회째의 일련의 동작 시에 취득된 데이터(커트 높이 및 린스 회전수), 제2회째의 일련의 동작 시에 취득된 데이터, 제3회째의 일련의 동작 시에 취득된 데이터에 기초하여, 커트 높이 및 린스 회전수의 관계를 나타내는 실 데이터를 구하고, 이것에 기초해서 행한다. 이렇게 해서, 린스 회전수를 변경하고, 스텝 S11로 진행한다.
스텝 S11에서는, 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 스텝 S13으로 진행하여, 오염 정도에 관한 파라미터인 이면의 세정 시간의 파라미터 조정을 종료한다. 한편, 오염 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 스텝 S12에서, 세정 시간을 재설정한다. 이 재설정은, 제1회째의 일련의 동작 시에 취득된 데이터(오염 정도 및 세정 시간), 제2회째의 일련의 동작 시에 취득된 데이터, 제3회째의 일련의 동작 시에 취득된 데이터에 기초하여, 오염 정도 및 세정 시간의 관계를 나타내는 실 데이터를 구하고, 이것에 기초해서 행한다. 이상에서, 실 데이터는 도 15, 도 16에 도시하는 근사 곡선이어도 되고, 근사 관계식이어도 된다.
이렇게 해서, 베벨 세정 횟수가 설정 횟수를 초과하지 않는 동안에는, 커트 높이가 허용값을 초과하고 있으면, 린스 회전수를 재설정하여, 다시 도포막의 형성, 베벨 세정을 행한 후, 커트 높이를 구해서 허용값인지 여부를 판정하는 작업을 반복한다. 또한, 베벨 세정 횟수가 설정 횟수를 초과하지 않는 동안에는, 오염 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 세정 시간을 재설정하여, 다시 도포막의 형성, 세정 처리를 행한 후, 오염 정도를 구해서 허용값인지 여부를 판정하는 작업을 반복한다.
이렇게 해서, 파라미터 조정 작업을 종료하면, 예를 들어 당해 도포 모듈(2)에서, 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억된 파라미터를 사용해서 복수매의 웨이퍼(W)에 대해서 연속 처리를 행한다. 그리고, 처리 후의 웨이퍼(W)를 촬상해서 커트 높이 및 오염 정도를 구해서 허용값인지 여부를 판정하고, 파라미터의 정당성을 확인하도록 해도 된다. 이때 커트 높이 및 오염 정도에 문제가 발생한 경우에는, 추가로 파라미터의 자동 조정을 행하도록 해도 되고, 수동으로 파라미터의 미세 조정을 행하도록 해도 된다.
상술한 실시 형태에 따르면, 조정용 웨이퍼에 대하여 도포 모듈(2)에서 도포액의 도포, 이어서 베벨 세정을 행하고, 이어서 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상하고, 이 촬상 결과에 기초해서 구한 커트 높이가 허용값이 아니면, 참고 데이터에 기초하여 린스 회전수를 재설정한다. 그리고, 다시 도포 모듈(2)에 있어서, 조정용 웨이퍼(W)에 도포액의 도포, 베벨 세정을 행하고, 웨이퍼를 촬상해서 구한 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 재설정한 린스 회전수를 제품인 웨이퍼(W)의 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하고 있다. 이에 의해, 커트 높이를 결정하는 린스 회전수의 설정을 자동으로 행할 수 있으므로, 이 때문에, 오퍼레이터가 수동으로 린스 회전수의 조정을 행하는 경우에 비해, 파라미터 조정에 요하는 수고 및 시간이 대폭 삭감되어, 파라미터 조정 작업이 용이하게 된다.
또한, 커트 높이의 판정 동작 외에도, 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면의 촬상 결과에 기초해서 구한 오염 정도가 허용값이 아니면, 참고 데이터에 기초하여 세정 시간을 재설정한다. 그리고, 다시 도포 모듈(2)에 있어서, 조정용 웨이퍼(W)에 도포액의 도포, 베벨 세정을 행하고, 웨이퍼를 촬상해서 구한 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 재설정한 세정 시간을 제품인 웨이퍼(W)의 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하고 있다. 이에 의해, 오염 정도를 결정하는 세정 시간의 설정을 자동으로 행할 수 있으므로, 이 때문에, 오퍼레이터가 수동으로 조정을 행하는 경우에 비해, 파라미터 조정 작업이 용이하게 된다.
또한, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 추가로 제3회째의 일련의 동작을 행할 때에는, 린스 회전수 또는 세정 시간의 재설정은 참고 데이터 대신에 실 데이터를 사용해서 행하여지므로, 재설정되는 파라미터의 정밀도가 높아진다. 이 때문에, 파라미터 조정에 요하는 시간이 단축되고, 보다 파라미터 조정 작업이 용이하게 된다.
이와 같이, 반송 용기(C)로부터 도포 모듈(2)에의 웨이퍼(W)의 반송, 도포 모듈(2)로부터 촬상 모듈(3)에의 웨이퍼(W)의 반송을 반송 기구(11)에 의해 자동적으로 행하고, 파라미터의 재설정을 참고 데이터 또는 실 데이터에 기초하여 자동적으로 행하고 있으므로, 효율적으로 파라미터의 조정 작업을 행할 수 있다. 또한, 오퍼레이터를 통하지 않고 조정 작업을 행할 수 있고, 오퍼레이터의 경험치에 좌우되지 않으므로, 조정 작업의 정밀도가 높아진다. 또한, 촬상 모듈(3)에 있어서, 주연 촬상부(4) 및 이면 촬상부(5)에서, 동시에 웨이퍼(W)의 외측 단부면 및 이면을 촬상할 수 있으므로, 이 점에서도 조정 작업에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 베벨부 세정 처리의 반복 횟수를 미리 설정하여, 이 반복 횟수를 초과해서 커트 높이 또는 오염 정도가 허용값에서 벗어날 때는, 조정 작업을 종료하고 있다. 이에 의해, 자동 조정이 곤란한 경우에도, 조정 작업이 자동적으로 종료하므로, 적절한 타이밍에서 그 후의 대응을 취할 수 있다.
이상에서, 도포, 현상 장치(1)에, 도포 모듈이 복수개 설치되어 있는 경우에 있어서, 하나의 도포 모듈에서 파라미터 조정을 행하는 경우에 사용되는 참고 데이터는, 당해 하나의 도포 모듈에서 도포하는 도포막과 동일한 종별의 도포막에 대해서, 이미 다른 도포 모듈에서 얻어진 실 데이터를 사용하도록 해도 된다. 도포, 현상 장치(1)에 있어서, 복수의 도포 모듈이 설치되어 있는 경우에는, 파라미터의 자동 조정에 의해, 도포 모듈에 개체차가 있어도, 처리 상태가 균일해지므로, 유효하다.
(제1 실시 형태의 변형예)
이 변형예에서는, 베벨부의 도포막의 제거에 수반하는 커트 높이에 관한 파라미터의 조정만을 행하도록 해도 된다. 즉, 도포 모듈에서 처리된 조정용 웨이퍼에 대해서, 촬상 모듈에서 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상하고, 촬상 결과에 기초하여 커트 높이만을 구하고, 구한 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정하여, 허용값이 아니면 참고 데이터에 기초하여 린스 회전수를 재설정한다. 그리고, 다시 도포 모듈에서 도포액의 도포, 재설정된 린스 회전수로 베벨 세정을 행하고, 그 후 마찬가지로 하여 커트 높이가 허용값인지 여부를 판정하여, 허용값이라면, 재설정한 린스 회전수를 제품 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하도록 제어부(100)를 구성해도 된다.
예를 들어 미리 입력부(105)에 있어서, 조정을 행하는 파라미터로서, 「린스 회전수 및 세정 시간」, 「린스 회전수」의 한쪽을 선택할 수 있도록 구성하고, 선택된 파라미터에 대해서 이미 설명한 조정 작업을 하도록 해도 된다. 또한, 「린스 회전수」만을 조정하는 경우에는, 도포 모듈에 있어서, 조정용 웨이퍼(W)에 대하여 도포액의 도포와 베벨 세정만을 행하도록 해도 된다. 상술한 실시 형태에서는, 베벨 세정 및 이면 세정을 동시에 행하였지만, 베벨부 세정 노즐(27)로부터 제거액을 토출해서 베벨 세정을 행한 후, 베벨부 세정 노즐(27)로부터의 제거액의 토출을 정지하고, 이어서, 세정 노즐(28)로부터 세정액을 토출해서 이면 세정을 행해도 된다. 이 경우에도, 웨이퍼(W)의 외측 단부면 및 이면을 촬상해서 커트 높이와 오염 정도를 구하여, 커트 높이에 기초하는 린스 회전수의 조정, 오염 정도에 기초하는 세정 시간의 조정이 행하여진다.
(제2 실시 형태)
이 실시 형태는, 제거액 노즐(26)을 사용해서 주연부의 도포막을 제거하는 EBR 처리를 행하는 예이다. 이 실시 형태에서의 도포 모듈(2)에서 행하여지는 처리에 대해서, 도 18 내지 도 21을 참조하여 간단하게 설명한다. 스핀 척(21) 상에 적재된 웨이퍼(W)에 도포액을 도포하고, 그 후, 소정 시간 웨이퍼(W)를 회전시켜서 액막을 건조시켜, 도포막을 형성할 때까지는, 제1 실시 형태와 마찬가지이다(도 18).
이어서, 도 19에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 제거액 노즐(26)로부터, 웨이퍼(W)의 베벨부(W0)보다도 내측 위치의 표면에 제거액을 토출하여, EBR 처리를 행한다. 제거액 노즐(26)로부터는, 웨이퍼(W)의 회전 방향의 하류측을 향하도록, 또한 제거액의 토출 궤적의 연장선이 도포막의 주연부의 외측을 향하도록 제거액이 토출된다. 웨이퍼(W)의 회전의 원심력에 의해, 제거액의 액류는 웨이퍼(W)의 외측을 향해서 밀려나가도록 빠르게 흘러 나간다. 이에 의해, 제거액의 공급 영역에서는, 도포막이 제거액에 의해 연화되어 용해하고, 용해된 도포막의 성분을 포함하는 제거액은, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측을 향해서 밀려나가 제거된다. 이때, 제거액 노즐(26)로부터 웨이퍼(W)에 대한 제거액의 토출 위치에 따라, 웨이퍼의 단부의 도포막의 커트 폭이 변화한다. 또한, EBR 처리를 행하기 전의 건조 시간에 따라, 커트면의 흐트러짐 정도가 변화한다.
커트면의 흐트러짐 정도란, 도포막의 외측 모서리로부터 베벨부의 내측 모서리까지의 커트면의 흐트러짐 정도이다. 예를 들어 도포막의 외측 모서리로부터 베벨부의 내측 모서리까지의 거리를, 웨이퍼의 둘레 방향의 360점에서 검출하여, 이 검출값으로부터 3시그마를 구하고, 이 3시그마의 값을 사용하여, 커트면의 흐트러짐 정도를 평가하고 있다. 이 커트면의 흐트러짐 정도는, 예를 들어 촬상 모듈(3)의 주연 촬상부(4)에서, 웨이퍼 표면의 주연 영역(Wa)을 촬상하여, 이 촬상 결과에 기초해서 구해지고, 예를 들어 도포막의 외측 모서리로부터 베벨부의 내측 모서리까지의 거리는 커트 높이(H)로서 취득된다. 커트면의 흐트러짐 정도는, EBR 처리를 행하기 전의 도포막 건조 처리의 건조 시간에 의존하여, 건조 시간을 길게 하면, 도포막이 건조하고, 용제에 녹기 어려워져, 커트면의 흐트러짐 정도가 완화된다.
이어서, 도 20에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서, 이면 세정 노즐(28)로부터 세정액을 웨이퍼(W) 이면을 향해서 토출하여, 웨이퍼 이면의 세정을 행한다. 이 이면 세정에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 세정 시간이 길수록, 오염 정도가 작아진다. 이렇게 해서, EBR 처리와, 이면 세정이 행하여진 후, 도 21에 도시하는 바와 같이, 이면 세정 노즐(28)로부터의 세정액의 토출을 정지하고, 이어서, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W) 상의 제거액 및 세정액을 원심 탈액하여 건조한다.
이 실시 형태의 제어부(100)는, 화상 해석부(104)에 있어서, 웨이퍼 표면의 촬상 결과로부터 커트면의 흐트러짐 정도를 구하고, 이미 설명한 바와 같이 웨이퍼 외측 단부면 및 이면의 촬상 결과로부터 오염 정도를 구하도록 구성되어 있다. 또한, 이 예의 파라미터 조정용 프로그램은, 제1 실시 형태에서 커트 높이에 기초하여 린스 회전수를 조정하는 기능 대신에, 커트면의 흐트러짐 정도에 기초하여 EBR 처리 전의 건조 시간을 조정하는 기능을 구비하고 있다. 커트면의 흐트러짐 정도의 판정 동작 외에도, 웨이퍼(W)의 촬상 결과로부터 오염 정도를 구하고, 이것에 기초하여 세정 시간을 조정하는 기능 등, 기타 기능에 대해서는 제1 실시 형태와 마찬가지이며, 설명을 생략한다.
건조 시간의 조정에 대해서, 제어부(100)의 파라미터 조정 프로그램은, 웨이퍼(W)의 촬상 결과에 기초해서 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정해서 허용값이 아니면, 구한 흐트러짐 정도와, 커트면의 흐트러짐 정도의 참고 데이터에 기초하여, EBR 처리 전의 건조 시간을 재설정하는 기능을 구비하고 있다. 참고 데이터란, 미리 작성한, 커트면의 흐트러짐 정도 및 건조 시간의 관계를 나타내는 데이터이다. 또한, 재설정한 건조 시간을 사용해서 도포 모듈(2)에서, 조정용 웨이퍼(W)에 대하여 도포액의 도포, 건조 및 EBR 처리를 행하고, 그 후 마찬가지로 하여 촬상 결과로부터 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정하는 기능을 구비하고 있다. 그리고, 허용값이라면, 재설정한 건조 시간을 제품 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하는 기능을 구비하고 있다.
또한, 파라미터 조정 프로그램은, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 제3회째의 일련의 동작을 행할 때는, 건조 시간의 재설정은 참고 데이터 대신에 실 데이터를 사용하도록 구성되어 있다. 실 데이터란, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 커트면의 흐트러짐 정도 및 제1 건조 시간과, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 커트면의 흐트러짐 정도 및 제2 건조 시간으로부터 구한 커트면의 흐트러짐 정도 및 건조 시간의 관계를 나타내는 데이터이다.
이 실시 형태에서의 파라미터의 자동 조정에 대해서, 제1 실시 형태와 상이한 점을 중심으로, 도 22 및 도 23을 참조하여 간단하게 설명한다. 우선, 입력부(105)에 있어서, 조정을 행하는 도포 모듈(2), 기억부(102)에 저장되어 있는 기준 레시피를 선택한다. 기준 레시피에는, 예를 들어 도 23에 도시하는 커트면의 흐트러짐 정도와 건조 시간의 관계를 나타내는 참고 데이터(R3)와, 오염 정도 및 이면의 세정 시간의 관계를 나타내는 참고 데이터(R2)(도 16 참조)가 저장되어 있다. 기준 레시피의 선택에 의해, 예를 들어 커트면의 흐트러짐 정도의 허용값(L2)과 건조 시간(T2), 오염 정도의 허용값(L1)과 세정 시간(T1)이 설정된다.
그리고, 도포 모듈(2)에서, 파라미터 조정용 웨이퍼(W)에 대하여 이미 설명한 바와 같이, 도포액의 도포, 설정된 건조 시간(T2)으로 건조, EBR 처리 및 설정된 세정 시간으로 이면 세정을 실시한다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 촬상 모듈(3)에서 촬상되어, 웨이퍼(W)의 주연 영역(Wa), 베벨부(W0) 및 이면(Wc)의 화상 데이터를 취득한다(스텝 S21).
계속해서, 화상 데이터에 기초하여, 커트 폭, 커트면의 흐트러짐 정도 및 오염 정도를 구하고(스텝 S22), 커트 폭에 기초하여, 제거액 노즐(26)로부터의 제거액의 토출 위치(도포막에서의 제거액의 착지 위치)를 조정한다(스텝 S23). 그리고, 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정하고(스텝 S24). 허용값이라면, 스텝 S26, 스텝 S34로 진행하여, 스텝 S34에서는, 이때의 건조 시간(T2)을 제품 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하고, 건조 시간의 파라미터 조정 작업을 종료한다.
허용값을 초과하고 있으면, 스텝 S25로 진행하여, 참고 데이터(R3)에 기초하여 건조 시간이 길어지도록 재설정하고, 스텝 S26으로 진행한다. 스텝 S26에서는, 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 스텝 S34로 진행하여, 이때의 세정 시간(T1)을 제품 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하고, 세정 시간의 파라미터 조정 작업을 종료한다. 한편, 오염 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 참고 데이터(R2)에 기초하여 세정 시간이 길어지도록 재설정한다(스텝 S27).
이어서, 예를 들어 파라미터 조정용의 다른 웨이퍼(W)에 대하여 도포 모듈(2)에서, 도포액의 도포, 재설정된 건조 시간으로 건조 처리, EBR 처리, 재설정된 세정 시간으로 이면 세정을 행하고, 촬상 모듈(3)에서 웨이퍼(W)를 촬상하여, 화상 데이터를 취득하고, 커트면의 흐트러짐 정도 및 오염 정도를 구한다(스텝 S28).
그리고, 스텝 S29에서, 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 스텝 S32, 스텝 S34로 진행하여, 스텝 S34에서는, 이때의 건조 시간을 처리용 파라미터로서 기억하고, 건조 시간의 조정 작업을 종료한다. 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 스텝 S30으로 진행하여, EBR 처리 횟수가 설정 횟수를 초과한 것인지 여부를 판정한다. 설정 횟수를 초과하였으면, 스텝 S35로 진행하여, 파라미터 조정 불가로 해서, 예를 들어 표시부(106)에 그 취지를 표시하고, 조정 작업을 종료한다.
스텝 S30에서, 설정 횟수를 초과하지 않았으면, 스텝 S31로 진행하여, 건조 시간을 재설정하고, 스텝 S32로 진행한다. 이 재설정은, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 커트면의 흐트러짐 정도 및 제1 건조 시간과, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 커트면의 흐트러짐 정도 및 제2 건조 시간으로부터 구한, 커트면의 흐트러짐 정도 및 건조 시간의 관계를 나타내는 실 데이터(A3)에 기초해서 행한다.
스텝 S32에서는, 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면, 스텝 S34로 진행하여, 이때의 세정 시간을 처리용 파라미터로서 기억하고, 세정 시간의 조정 작업을 종료한다. 한편, 오염 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 스텝 S33에서, 세정 시간을 재설정한다. 이 재설정은, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 오염 정도 및 제1 세정 시간과, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 오염 정도 및 제2 세정 시간으로부터 구한, 오염 정도 및 세정 시간의 관계를 나타내는 실 데이터에 기초해서 행한다.
이어서, 예를 들어 파라미터 조정용의 다른 웨이퍼(W)에 대하여 도포 모듈(2)에서, 도포액의 도포, 재설정된 건조 시간으로 건조 처리, EBR 처리, 재설정된 세정 시간으로 이면 세정을 행하고, 촬상 모듈(3)에서 웨이퍼(W)를 촬상하여 화상 데이터를 취득하여, 커트면의 흐트러짐 정도 및 오염 정도를 구한다(스텝 S28). 이렇게 해서, EBR 처리 횟수가 설정 횟수를 초과하지 않는 동안에는, 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 건조 시간을 재설정하여, 다시 도포액의 도포, 건조, EBR 처리를 행한 후, 커트면의 흐트러짐 정도를 구해서 허용값인지 여부를 판정하는 작업을 반복한다. 또한, EBR 처리 횟수가 설정 횟수를 초과하지 않는 동안에는, 오염 정도가 허용값을 초과하고 있으면, 세정 시간을 재설정하여, 다시 도포막의 형성, 세정 처리를 행한 후, 오염 정도를 구해서 허용값인지 여부를 판정하는 작업을 반복한다.
이 실시 형태에 따르면, 도포 모듈(2)에서 처리된 조정용 웨이퍼를 반송 기구(11)에 의해 촬상 모듈(3)에 반송하여, 이 조정용 웨이퍼의 표면의 촬상 결과에 기초해서 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정하고 있다. 그리고, 허용값이 아니면, 구한 커트면의 흐트러짐 정도와, 미리 작성한 커트면의 흐트러짐 정도와 건조 시간의 관계를 나타내는 참고 데이터에 기초하여 건조 시간을 재설정하여, 다시 도포 모듈(2)에서 처리를 행한다. 그 후 마찬가지로 하여 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이라면 재설정한 건조 시간을 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하고 있으므로, 건조 시간을 자동으로 조정할 수 있어, 파라미터 조정을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 추가로 제3회째의 일련의 동작을 행할 때에는, 커트면의 흐트러짐 정도의 재설정은 참고 데이터 대신에 실 데이터를 사용해서 행하여지므로, 재설정되는 파라미터의 정밀도가 높아진다. 이 때문에, 파라미터 조정에 요하는 시간이 단축되고, 보다 파라미터 조정 작업이 용이하게 된다.
또한, 조정용 웨이퍼의 표면의 촬상 결과에 기초해서 구한 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하고, 허용값이 아니면, 구한 오염 정도와, 미리 작성한 오염 정도 및 세정 시간의 관계를 나타내는 참고 데이터에 기초하여 세정 시간을 재설정하고 있으므로, 세정 시간을 자동으로 조정할 수 있어, 파라미터 조정을 용이하게 행할 수 있다. 기타 효과는, 제1 실시 형태의 효과와 마찬가지이다.
이상에서, 이 실시 형태에서는, 커트면의 흐트러짐 정도에 관한 파라미터의 조정만을 행하도록 해도 된다. 즉, 도포 모듈에서 처리된 조정용 웨이퍼에 대해서, 촬상 모듈에서 웨이퍼의 표면을 촬상하여, 촬상 결과에 기초하여 커트면의 흐트러짐 정도만을 구하고, 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정하여, 허용값이 아니면 참고 데이터에 기초하여 건조 시간을 재설정한다. 그리고, 다시 도포 모듈에서 도포액의 도포, 재설정된 건조 시간으로 건조, EBR 처리를 행하고, 그 후 마찬가지로 하여 커트면의 흐트러짐 정도가 허용값인지 여부를 판정하여, 허용값이라면, 재설정한 건조 시간을 제품 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 기억부(102)에 기억하도록 제어부(100)를 구성해도 된다.
제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는, 제어부(100)에 있어서 화상 데이터의 해석을 행하고 있지만, 도포, 현상 장치(1)를 제어하는 주 제어부와, 촬상 모듈(3)을 제어하는 전용의 컨트롤러를 설치하여, 화상 데이터의 해석은 전용의 컨트롤러에서 행하도록 해도 된다. 이 경우에는, 주 제어부와 전용의 컨트롤러에 의해, 본 발명의 제어부가 구성된다. 또한, 상술한 실시 형태에서는, 파라미터 조정용 웨이퍼(W)를 복수매 준비하고 있지만, 파라미터를 재설정하여, 다시 도포 모듈(2)에서 처리를 행하는 경우에는, 일단 도포 모듈(2)에서 처리된 파라미터 조정용 웨이퍼(W)의 도포막을 제거하고 나서, 다시 도포 모듈(2)에서 처리를 행하도록 해도 된다. 이상에서, 촬상 모듈은 상술한 예에 한하지 않고, 웨이퍼 표면을 촬상하는 촬상부를 별개로 설치하는 구성이어도 된다.
계속해서, 도포, 현상 장치(1)의 전체 구성에 대해서, 도 24의 평면도 및 도 25의 종단 측면도를 참조하면서 설명한다. 도포, 현상 장치(1)는, 반출입 블록을 이루는 캐리어 블록(S1)과, 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)을 가로 방향으로 직선형으로 접속해서 구성되어 있다. 도면 중 S4는 노광 장치이다. 캐리어 블록(S1)의 적재대(81)에 적재된 반송 용기(C) 내의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(83)에 의해, 개폐부(82)를 통해서 처리 블록(S2)과의 사이에서 전달된다.
처리 블록(S2)은, 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 단위 블록(E1 내지 E6)을 하방으로부터 차례로 적층해서 구성되어 있고, 이들 단위 블록(E1 내지 E6)에서는 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행하여진다. 단위 블록(E1, E2)이 서로 마찬가지로 구성되고, 단위 블록(E3, E4)이 서로 마찬가지로 구성되고, 단위 블록(E5, E6)이 서로 마찬가지로 구성되어 있다.
상술한 도포 모듈(2) 및 촬상 모듈(3)은, 단위 블록(E3, E4)에 설치되어 있다. 도 24는, 단위 블록(E3, E4)의 평면도이며, 도포 모듈(2)은, 반송 기구(F3)의 반송로(12)의 일방측에 설치되어 있고, 반송로(12)의 타방측에 설치된 선반 유닛(71)에는, 이미 설명한 도포 모듈(2)이나 촬상 모듈(3), 가열 모듈(13)이 설치되어 있다.
단위 블록(E1, E2, E5, E6)은, 웨이퍼(W)에 공급하는 약액이 상이한 것을 제외하고, 단위 블록(E3, E4)과 마찬가지로 구성된다. 단위 블록(E1, E2)은, 도포 모듈(2) 대신에 웨이퍼(W)에 반사 방지막 형성용 약액을 공급하는 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고 있다. 단위 블록(E5, E6)은, 도포 모듈(2) 대신에 웨이퍼(W)에 약액으로서 현상액을 공급해서 레지스트막을 현상하는 현상 모듈을 구비한다. 도 25에서는, 각 단위 블록(E1 내지 E6)의 반송 기구를 F1 내지 F6으로서 나타내고 있다.
처리 블록(S2)에서의 캐리어 블록(S1)측에는, 각 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(72)와, 타워(72)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 반송 기구(84)가 설치되어 있다. 타워(72)는 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있고, 웨이퍼(W)가 적재되는 전달 모듈(TRS)을 구비하고 있다.
인터페이스 블록(S3)은, 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(73, 74, 75)를 구비하고 있고, 타워(73)와 타워(74)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 반송 기구(85)와, 타워(73)와 타워(75)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 반송 기구(86)와, 타워(73)와 노광 장치(S4)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송 기구(87)가 설치되어 있다.
타워(73)는, 전달 모듈(TRS), 노광 처리 전의 복수매의 웨이퍼(W)를 저장해서 체류시키는 버퍼 모듈, 노광 처리 후의 복수매의 웨이퍼(W)를 저장하는 버퍼 모듈, 및 웨이퍼(W)의 온도 조정을 행하는 온도 조정 모듈 등이 서로 적층되어 구성되어 있지만, 여기에서는, 버퍼 모듈 및 온도 조정 모듈의 도시는 생략한다. 도 1에서는, 반송 기구(83) 및 반송 기구(F3, F4)의 기능을 겸용하는 반송 기구로서, 반도체 웨이퍼 반송 기구(11)를 도시하고, 전달 모듈 등을 생략하고 있다.
이 도포, 현상 장치(1) 및 노광 장치(S4)로 이루어지는 시스템에 있어서, 제품용 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해서 간단하게 설명한다. 웨이퍼(W)는, 반송 용기(C)로부터 반송 기구(83)에 의해, 처리 블록(S2)에서의 타워(72)의 전달 모듈(TRS0)에 반송되고, 여기서부터 웨이퍼(W)는, 단위 블록(E1, E2)에 할당되어 반송된다.
할당된 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(TRS1(TRS2))→반사 방지막 형성 모듈→가열 모듈→전달 모듈(TRS1(TRS2))의 순서대로 반송되고, 계속해서, 반송 기구(84)에 의해 단위 블록(E3)에 대응하는 전달 모듈(TRS3)과, 단위 블록(E4)에 대응하는 전달 모듈(TRS4)에 할당된다.
이렇게 전달 모듈(TRS3, TRS4)에 할당된 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(TRS3(TRS4))로부터 단위 블록(E3(E4)) 내를, 도포 모듈(2) 및 가열 모듈(13)에서 순차 처리된 후, 타워(73)의 전달 모듈(TRS31(TRS41))에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 기구(85, 87)에 의해, 타워(74)를 통해서 노광 장치(S4)에 반입되어, 레지스트막이 노광된다.
노광 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(86, 87)에 의해 타워(73, 75)간에 반송되어, 단위 블록(E5, E6)에 대응하는 타워(73)의 전달 모듈(TRS51, TRS61)에 각각 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 가열 모듈에 반송되어 말하자면 포스트 익스포저 베이크(PEB)가 행하여진다. 계속해서, 웨이퍼(W)는, 현상 모듈에 반송되어 현상액이 공급되고, 레지스트 패턴이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 타워(72)의 전달 모듈(TRS5, TRS6)에 반송된 후, 반송 기구(83)를 통해서 반송 용기(C)로 되돌려진다.
1 : 도포, 현상 장치 11 : 반송 기구
2 : 도포 모듈 26 : 제거액 노즐
27 : 베벨 세정 노즐 28 : 이면 세정 노즐
3 : 촬상 모듈 4 : 주연 촬상부
5 : 이면 촬상부 W : 반도체 웨이퍼

Claims (18)

  1. 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하는 기판 처리 장치에 있어서,
    복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
    상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하고, 계속해서 반도체 웨이퍼를 회전시키면서, 베벨부의 막 제거용 노즐로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부에 제거액을 토출해서 베벨부의 도포막을 제거하는 도포 모듈과,
    반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 포함하는 촬상 모듈과,
    상기 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와,
    기억부와,
    상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 도포 모듈에서 처리된, 상기 복수매의 반도체 웨이퍼로부터 선택된 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상하고, 촬상 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리에 대한 도포막의 외측 모서리의 높이 치수를 구하고, 구한 높이 치수가 제1 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제1 허용값이 아니면, 구한 높이 치수와, 미리 작성한 높이 치수 및 반도체 웨이퍼의 회전수의 관계를 나타내는 제1 참고 데이터에 기초해서 반도체 웨이퍼의 회전수를 재설정하여, 다시 상기 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 베벨부의 도포막의 제거를 행하고, 그 후 상기 높이 치수가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제1 허용값이라면 재설정한 반도체 웨이퍼의 회전수를 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도포 모듈에서 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 베벨부의 도포막의 제거부터, 상기 높이 치수가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정하는 동작을 일련의 동작이라고 칭하기로 하면, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 추가로 제3회째의 일련의 동작을 행할 때에는, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 회전수의 재설정은, 상기 제1 참고 데이터를 사용하는 대신에, 실 데이터를 사용하고,
    상기 실 데이터는, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 반도체 웨이퍼의 제1 회전수 및 제1 높이 치수와, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 반도체 웨이퍼의 제2 회전수 및 제2 높이 치수로부터 구한, 상기 높이 치수 및 반도체 웨이퍼의 회전수의 관계를 나타내는 데이터인 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 도포 모듈은, 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 후에 추가로 이면 세정 노즐로부터 세정액을 토출하여, 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 이면을 세정하도록 구성되고,
    상기 제어부는, 상기 촬상 결과에 기초하여, 반도체 웨이퍼의 이면의 도포액에 의한 오염 정도를 구하고, 구한 오염 정도가 제2 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제2 허용값이 아니면, 구한 오염 정도와, 미리 작성한 오염 정도 및 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간의 관계를 나타내는 제2 참고 데이터에 기초해서 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간을 재설정하여, 다시 상기 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포, 베벨부의 도포막의 제거 및 이면의 세정을 행하고, 그 후 상기 오염 정도가 상기 제2 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제2 허용값이라면 재설정한 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간을 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하도록 더 구성되어 있는 기판 처리 장치.
  4. 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하는 기판 처리 장치에 있어서,
    복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
    상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하고, 계속해서 반도체 웨이퍼를 회전시키면서, 주연부의 막 제거용 노즐로부터, 반도체 웨이퍼의 베벨부보다도 내측 위치의 표면에 제거액을 토출해서 상기 주연부의 도포막을 제거하는 적어도 하나의 도포 모듈과,
    반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 포함하는 촬상 모듈과,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와,
    기억부와,
    상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 처리된, 상기 복수매의 반도체 웨이퍼로부터 선택된 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 표면을 촬상하고, 촬상 결과에 기초하여, 도포막의 외측 모서리로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리까지의 커트면의 흐트러짐 정도를 구하고, 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 제1 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제1 허용값이 아니면, 구한 커트면의 흐트러짐 정도와, 미리 작성한 커트면의 흐트러짐 정도 및 주연부의 도포막을 제거하기 전에 도포막을 건조시키기 위해서 행하는 도포막의 건조 시간의 관계를 나타내는 제1 참고 데이터에 기초해서 도포막의 건조 시에 있어서의 건조 시간을 재설정하여, 다시 상기 적어도 하나의 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 주연부의 도포막의 제거를 행하고, 그 후 상기 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제1 허용값이라면 재설정한 상기 건조 시간을 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포부터, 상기 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정하는 동작을 일련의 동작이라고 칭하기로 하면, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 추가로 제3회째의 일련의 동작을 행할 때에는, 상기 도포막의 건조 시에 있어서의 건조 시간의 재설정은, 상기 제1 참고 데이터를 사용하는 대신에, 실 데이터를 사용하고,
    상기 실 데이터는, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 건조 시간 및 제1 커트면의 흐트러짐 정도와, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 건조 시간 및 제2 커트면의 흐트러짐 정도로부터 구한, 상기 커트면의 흐트러짐 정도 및 상기 건조 시간의 관계를 나타내는 데이터인 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈은, 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 후에 추가로 이면 세정 노즐로부터 세정액을 토출하여, 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 이면을 세정하도록 더 구성되고,
    상기 제어부는, 상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 처리된 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상하고, 이 촬상 결과에 기초하여, 반도체 웨이퍼의 이면의 도포액에 의한 오염 정도를 구하고, 구한 오염 정도가 제2 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제2 허용값이 아니면, 구한 오염 정도와, 미리 작성한 오염 정도 및 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간의 관계를 나타내는 제2 참고 데이터에 기초해서 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간을 재설정하여, 다시 상기 적어도 하나의 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포, 상기 주연부의 도포막의 제거 및 이면의 세정을 행하고, 그 후 상기 오염 정도가 상기 제2 허용값인지 여부를 판정해서 상기 제2 허용값이라면 재설정한 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간을 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하도록 구성되어 있는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포부터, 상기 오염 정도가 상기 제2 허용값인지 여부를 판정하는 동작을 일련의 동작이라고 칭하기로 하면, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 추가로 제3회째의 일련의 동작을 행할 때에는, 상기 세정 시간의 재설정은, 상기 제2 참고 데이터를 사용하는 대신에, 실 데이터를 사용하고,
    상기 실 데이터는, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 세정 시간 및 제1 오염 정도와, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 세정 시간 및 제2 오염 정도로부터 구한, 상기 세정 시간 및 상기 오염 정도의 관계를 나타내는 데이터인 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어부는, n(미리 설정한 3 이상의 자연수)회째의 일련의 동작이 종료하고, 상기 촬상 결과에 기초해서 구한 상기 오염 정도가 상기 제2 허용값에서 벗어나 있었을 때는, 이후의 작업을 정지하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항, 제2항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈은, 복수의 도포 모듈을 포함하고,
    상기 복수의 도포 모듈 중의 하나의 도포 모듈에서 사용되는 상기 제1 참고 데이터는, 당해 하나의 도포 모듈에서 도포하는 도포막과 동일한 종별의 도포막에 대해서 이미 상기 복수의 도포 모듈 중의 다른 도포 모듈에서 얻어진 실 데이터로서 사용되는 기판 처리 장치.
  10. 복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
    상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하고, 계속해서 반도체 웨이퍼를 회전시키면서, 베벨부의 막 제거용 노즐로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부에 제거액을 토출해서 베벨부의 도포막을 제거하는 도포 모듈과,
    반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 포함하는 촬상 모듈과,
    상기 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와, 기억부를 포함하는, 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하기 위한 기판 처리 장치에서의 상기 도포 모듈의 처리 시의 파라미터를 조정하는 방법에 있어서,
    상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 도포 모듈에서 처리된, 상기 복수매의 반도체 웨이퍼로부터 선택된 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면을 촬상하는 공정과,
    촬상 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리에 대한 도포막의 외측 모서리의 높이 치수를 구하는 공정과,
    구한 높이 치수가 제1 허용값인지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 구한 높이 치수가 상기 제1 허용값이 아니면, 상기 구한 높이 치수와, 미리 작성한 높이 치수 및 반도체 웨이퍼의 회전수의 관계를 나타내는 제1 참고 데이터에 기초해서 반도체 웨이퍼의 회전수를 재설정하는 공정과,
    다시 상기 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 베벨부의 도포막의 제거를 행하고, 그 후 상기 높이 치수가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 높이 치수가 상기 제1 허용값이라면 재설정한 반도체 웨이퍼의 회전수를 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 공정을 포함하는 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 도포 모듈에서 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 베벨부의 도포막의 제거부터, 상기 높이 치수가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정하는 동작을 일련의 동작이라고 칭하기로 하면, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 추가로 제3회째의 일련의 동작을 행할 때에는, 상기 반도체 웨이퍼의 회전수의 재설정은, 상기 제1 참고 데이터를 사용하는 대신에, 실 데이터를 사용하고,
    상기 실 데이터는, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 반도체 웨이퍼의 회전수 및 제1 높이 치수와, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 반도체 웨이퍼의 회전수 및 제2 높이 치수로부터 구한, 상기 높이 치수 및 반도체 웨이퍼의 회전수의 관계를 나타내는 데이터인 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 도포 모듈에서, 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 후에 추가로 이면 세정 노즐로부터 세정액을 토출하여, 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 이면을 세정하는 공정과,
    상기 촬상 결과에 기초하여, 반도체 웨이퍼의 이면의 도포액에 의한 오염 정도를 구하는 공정과,
    상기 구한 오염 정도가 제2 허용값인지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 구한 오염 정도가 상기 제2 허용값이 아니면, 상기 구한 오염 정도와, 미리 작성한 오염 정도 및 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간의 관계를 나타내는 제2 참고 데이터에 기초해서 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간을 재설정하는 공정과,
    다시 상기 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포, 베벨부의 도포막의 제거 및 이면의 세정을 행하는 공정과,
    그 후 상기 오염 정도가 상기 제2 허용값인지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 오염 정도가 상기 제2 허용값이라면, 재설정한 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간을 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 공정을 더 포함하는 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법.
  13. 복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
    상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하고, 계속해서 반도체 웨이퍼를 회전시키면서, 주연부의 막 제거용 노즐로부터, 반도체 웨이퍼의 베벨부보다도 내측 위치의 표면에 제거액을 토출해서 상기 주연부의 도포막을 제거하는 적어도 하나의 도포 모듈과,
    반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 포함하는 촬상 모듈과,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈 및 상기 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와, 기억부를 포함하는, 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하기 위한 기판 처리 장치에서의 상기 도포 모듈의 처리 시의 파라미터를 조정하는 방법에 있어서,
    상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 처리된, 상기 복수매의 반도체 웨이퍼로부터 선택된 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 표면을 촬상하는 공정과,
    촬상 결과에 기초하여, 도포막의 외측 모서리로부터 반도체 웨이퍼의 베벨부의 내측 모서리까지의 커트면의 흐트러짐 정도를 구하는 공정과,
    상기 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 제1 허용값인지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 구한 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값이 아니면, 상기 구한 커트면의 흐트러짐 정도와, 미리 작성한 커트면의 흐트러짐 정도 및 주연부의 도포막을 제거하기 전에 도포막을 건조시키기 위해서 행하는 도포막의 건조 시간의 관계를 나타내는 제1 참고 데이터에 기초해서 도포막의 건조 시에 있어서의 건조 시간을 재설정하는 공정과,
    다시 상기 적어도 하나의 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 및 주연부의 도포막의 제거를 행하는 공정과,
    그 후, 상기 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값이라면, 재설정한 상기 건조 시간을 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 공정을 포함하는 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포부터, 상기 커트면의 흐트러짐 정도가 상기 제1 허용값인지 여부를 판정하는 동작을 일련의 동작이라고 칭하기로 하면, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 추가로 제3회째의 일련의 동작을 행할 때에는, 상기 도포막의 건조 시에 있어서의 건조 시간의 재설정은, 상기 제1 참고 데이터를 사용하는 대신에, 실 데이터를 사용하고,
    상기 실 데이터는, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 건조 시간 및 제1 커트면의 흐트러짐 정도와, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 건조 시간 및 제2 커트면의 흐트러짐 정도로부터 구한, 상기 커트면의 흐트러짐 정도 및 상기 건조 시간의 관계를 나타내는 데이터인 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈에서, 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포 후에 추가로 이면 세정 노즐로부터 세정액을 토출하여, 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 이면을 세정하는 공정과,
    상기 촬상 모듈을 제어하여, 상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 처리된 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼의 외측 단부면 및 이면의 촬상하는 공정과,
    촬상 결과에 기초하여, 반도체 웨이퍼의 이면의 도포액에 의한 오염 정도를 구하는 공정과,
    상기 구한 오염 정도가 제2 허용값인지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 구한 오염 정도가 상기 제2 허용값이 아니면, 구한 오염 정도와, 미리 작성한 오염 정도 및 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간의 관계를 나타내는 제2 참고 데이터에 기초해서 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간을 재설정하는 공정과,
    다시, 상기 적어도 하나의 도포 모듈을 제어하여, 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포, 상기 주연부의 도포막의 제거 및 이면의 세정을 행하는 공정과,
    그 후, 상기 오염 정도가 상기 제2 허용값인지 여부를 판정하는 공정과,
    상기 오염 정도가 상기 제2 허용값이라면, 재설정한 반도체 웨이퍼의 이면의 세정 시간을 제품인 반도체 웨이퍼의 처리 시의 파라미터로서 상기 기억부에 기억하는 공정을 더 포함하는 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈에서 상기 파라미터 조정용 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액의 도포부터, 상기 오염 정도가 허용값인지 여부를 판정하는 동작을 일련의 동작이라고 칭하기로 하면, 제1회째의 일련의 동작, 제2회째의 일련의 동작이 종료하고 추가로 제3회째의 일련의 동작을 행할 때에는, 상기 세정 시간의 재설정은, 상기 제2 참고 데이터를 사용하는 대신에, 실 데이터를 사용하고,
    상기 실 데이터는, 제1회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제1 세정 시간 및 제1 오염 정도와, 제2회째의 일련의 동작 시에 있어서의 제2 세정 시간 및 제2 오염 정도로부터 구한, 상기 세정 시간 및 상기 오염 정도의 관계를 나타내는 데이터인 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 도포 모듈은, 복수의 도포 모듈을 포함하고,
    상기 복수의 도포 모듈로부터 선택된 하나의 도포 모듈에서 사용되는 상기 제1 참고 데이터는, 당해 하나의 도포 모듈에서 도포하는 도포막과 동일한 종별의 도포막에 대해서 이미 상기 복수의 도포 모듈로부터 선택된 다른 도포 모듈에서 얻어진 실 데이터로서 사용되는 도포 모듈의 파라미터의 조정 방법.
  18. 복수매의 반도체 웨이퍼를 수용하는 반송 용기가 반출입되는 반출입 블록과,
    상기 반출입 블록에 반송된 반송 용기로부터 취출된 반도체 웨이퍼에 대하여 도포액을 도포하는 도포 모듈과,
    반도체 웨이퍼를 촬상하기 위한 촬상부를 포함하는 촬상 모듈과,
    상기 도포 모듈 및 촬상 모듈의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구를 포함하는, 반도체 웨이퍼에 도포막을 형성하기 위한 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 제10항 또는 제13항에 기재된, 상기 도포 모듈의 처리 시의 파라미터를 조정하는 방법을 실행하기 위한 스텝 군을 포함하는 기억 매체.
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