JP5308934B2 - 基板検査方法および基板検査装置 - Google Patents
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Description
本発明は、基板検査方法および基板検査装置に関するものである。
半導体製造のフォトリソグラフィ工程では、ウェハの表面にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成した後、ウェハの外周部(ウェハエッジ部)から一定の幅でレジスト膜を除去することにより(EBR:Edge Bead Remover)、ウェハの外周部のレジスト膜が厚い部分(以下、「エッジビード」という。)を除去することとしている。また、エッジビードを確実に除去しないと後の工程に影響を及ぼすおそれがあるため、EBR処理を施した部分の管理が重要となっている。
従来、EBR処理によるレジスト膜の除去幅(以下、「EBR幅」という。)が適切か否かを検査する装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1に記載の検査装置は、フォトレジストの材質に応じてレジスト膜の反射率特性が異なるため、照明波長を変化させて被検査基板の外周部の複数枚の画像を取得することにより、EBR幅が適切か否かを検査することとしている。
しかしながら、特許文献1に記載の検査装置は、照明波長を変化させて複数枚の画像を取得するためスループットが低下するという不都合がある。仮に、波長数を制限してスループットを向上しようとすると、検査精度が低下するという問題がある。さらに、フォトレジストの材質に合わせて照明波長を選択したりレシピを作成したりするのでは、検査が煩雑になるという問題がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、高スループッドで高精度の検査を行う基板検査方法および基板検査装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
本発明は、表面にレジスト膜が形成された検査基板のエッジ周辺に照明光を照射してその反射光を撮影し、前記エッジ周辺の明視野画像を取得する明視野画像取得工程と、前記検査基板の前記エッジ周辺に照明光を2つの光路に分けて照射して前記検査基板表面からの反射光と前記レジスト膜からの反射光とが合成された干渉光を撮影し、前記エッジ周辺の微分干渉画像を取得する微分干渉画像取得工程と、前記明視野画像に基づいて前記検査基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出工程と、前記微分干渉画像に基づいて前記検査基板と前記レジスト膜との境界位置を検出する境界位置検出工程と、前記エッジ位置から前記境界位置までの距離を判定する判定工程とを備える基板検査方法を提供する。
本発明は、表面にレジスト膜が形成された検査基板のエッジ周辺に照明光を照射してその反射光を撮影し、前記エッジ周辺の明視野画像を取得する明視野画像取得工程と、前記検査基板の前記エッジ周辺に照明光を2つの光路に分けて照射して前記検査基板表面からの反射光と前記レジスト膜からの反射光とが合成された干渉光を撮影し、前記エッジ周辺の微分干渉画像を取得する微分干渉画像取得工程と、前記明視野画像に基づいて前記検査基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出工程と、前記微分干渉画像に基づいて前記検査基板と前記レジスト膜との境界位置を検出する境界位置検出工程と、前記エッジ位置から前記境界位置までの距離を判定する判定工程とを備える基板検査方法を提供する。
本発明によれば、エッジ位置検出工程により、エッジ周辺の明視野画像における検査基板と検査基板外との反射率特性の相違による輝度変化に基づいて、検査基板のエッジ位置が精度よく検出される。また、境界位置検出工程により、エッジ周辺の微分干渉画像における検査基板表面とレジスト膜との段差によって生じる輝度変化に基づいて、レジスト膜の反射率特性に関係なく検査基板とレジスト膜との境界位置が精度よく検出される。
したがって、照明波長を変化させることなく検査基板全体のエッジ周辺の明視野画像と微分干渉画像を取得するだけで、検査基板のエッジ位置から検査基板とレジスト膜との境界位置までの距離を容易かつ正確に把握でき、その距離が適切か否かを判定することができる。これにより、レジスト膜の反射率特性に応じて照明波長を変化させて複数枚の画像を取得する従来の方法と比較して、高スループットで高精度の検査を行うことができる。例えば、検査基板の周縁部から一定の範囲で除去したレジスト膜の除去幅が適切か否か、すなわち、エッジビードが精度よく確実に除去されているか否かを高スループットで高精度に検査することができる。
上記発明においては、前記明視野画像取得工程により取得された前記明視野画像から隣接画素間で同等の輝度変化が連続する帯状の領域を抽出してエッジ位置領域として設定するエッジ位置領域設定工程と、前記微分干渉画像取得工程により取得された前記微分干渉画像から隣接画素間で同等の輝度変化が連続する帯状の領域を抽出して境界位置領域として設定する境界位置領域設定工程とを備え、前記エッジ位置検出工程が、前記明視野画像中の前記エッジ位置領域から前記エッジ位置を検出するとともに、前記境界位置検出工程が、前記微分干渉画像中の前記境界位置領域から前記境界位置を検出することとしてもよい。
検査基板のエッジ位置を検出する領域を明視野画像の視野より狭いエッジ位置領域に限定するとともに、検査基板とレジスト膜との境界位置を検出する領域を微分干渉画像の視野より狭い境界位置領域に限定することで、明視野画像全体からエッジ位置を検出したり、微分干渉画像全体から境界位置を検出したりする場合と比較して、スループットを向上することができる。
また、上記発明においては、前記エッジ位置領域設定工程が、前記明視野画像から数ヶ所の間隔をあけた前記エッジ位置を抽出して該エッジ位置の近似曲線を作成し、該近似曲線を含む前記エッジ位置領域を設定し、前記境界位置領域設定工程が、前記微分干渉画像から数ヶ所の間隔をあけた前記境界位置を抽出して該境界位置の近似曲線を作成し、該近似曲線を含む前記境界位置領域を設定することとしてもよい。
このように構成することで、検査基板のエッジ位置の近似曲線により、処理時間の短縮と処理量の低減を図りつつ、実際のエッジ位置にほぼ近い範囲に制限したエッジ位置領域を設定することができる。同様に、検査基板とレジスト膜との境界位置の近似曲線により、処理時間の短縮と処理量の低減を図りつつ、実際の境界位置にほぼ近い範囲に制限した境界位置領域を設定することができる。これにより、スループットの向上および検査精度の向上を図ることができる。
本発明は、表面にレジスト膜が形成された検査基板のエッジ周辺に照射する照明光を発する光源と、該光源から発せられた前記照明光を前記検査基板のエッジ周辺に照射してその反射光を撮影し、前記エッジ周辺の明視野画像を取得する明視野画像取得光学系と、前記光源から発せられた前記照明光を2つの光路に分岐して前記検査基板のエッジ周辺に照射して前記検査基板表面からの反射光と前記レジスト膜からの反射光とが合成された干渉光を撮影し、前記エッジ周辺の微分干渉画像を取得する微分干渉画像取得光学系と、前記明視野画像取得光学系と前記微分干渉画像取得光学系とを切り換える切換え手段と、前記明視野画像取得光学系により取得された前記明視野画像から前記検査基板のエッジ位置を検出するとともに、前記微分干渉画像取得光学系により取得された前記微分干渉画像から前記検査基板と前記レジスト膜との境界位置を検出する検出部と、該検出部により検出された前記エッジ位置から前記境界位置までの距離を判定する判定部とを備える基板検査装置を提供する。
本発明によれば、判定部により、検査基板のエッジ周辺の明視野画像における検査基板と検査基板外との反射率特性の相違による輝度変化に基づいて、検査基板のエッジ位置が精度よく検出される。同様に、検査基板のエッジ周辺の微分干渉画像における検査基板表面とレジスト膜との段差によって生じる輝度変化に基づいて、レジスト膜の反射率特性に関係なく検査基板とレジスト膜との境界位置が精度よく検出される。
したがって、照明波長を変化させることなく検査基板全体のエッジ周辺の明視野画像と微分干渉画像を取得するだけで、検査基板のエッジ位置から検査基板とレジスト膜との境界位置までの距離を容易かつ正確に把握でき、その距離が適切か否かを判定することができる。これにより、レジスト膜の反射率特性に応じて照明波長を変化させて複数枚の画像を取得する従来の装置と比較して、高スループットで高精度に検査することができる。
上記発明においては、前記検査基板を載置して回転させるターンテーブルを備え、前記明視野画像取得光学系および前記微分干渉画像取得光学系が、前記ターンテーブル上の前記検査基板のエッジに交差する方向に延びる撮像範囲を有する撮像素子を備えることとしてもよい。
このように構成することで、ターンテーブルを回転させて検査基板を回転させつつ、撮像素子によって検査基板のエッジに交差する撮像範囲の画像を順次取得することにより、エッジ全長にわたる明視野画像および微分干渉画像を簡易に取得して、検査基板全体のエッジ検査を迅速に行うことができる。
本発明によれば、高スループッドで高精度の検査を行うことができるという効果を奏する。
以下、本発明の一実施形態に係る基板検査方法および基板検査装置について、図面を参照して説明する。
本実施形態に係る基板検査方法および基板検査装置は、フォトレジストが塗布された半導体ウェハ(検査基板)の外周部から一定の幅でレジスト膜を除去した除去幅が適切か否かを検査(以下、「EBR検査」という。)するものである。以下、半導体ウェハの外周部から一定の幅でレジスト膜を除去することをEBR(Edge Bead Remover)といい、EBR処理によりレジスト膜が除去された幅をEBR幅という。
本実施形態に係る基板検査方法および基板検査装置は、フォトレジストが塗布された半導体ウェハ(検査基板)の外周部から一定の幅でレジスト膜を除去した除去幅が適切か否かを検査(以下、「EBR検査」という。)するものである。以下、半導体ウェハの外周部から一定の幅でレジスト膜を除去することをEBR(Edge Bead Remover)といい、EBR処理によりレジスト膜が除去された幅をEBR幅という。
本実施形態に係る基板検査装置100は、図1に示すように、半導体ウェハ(以下、ウェハという。)1が載置される回転ステージ(ターンテーブル)12と、照明光を発する光源14と、光源14から発せられた照明光をウェハ1のエッジ1a周辺に照射する照明光学系20と、照明光が照射されたウェハ1のエッジ1a周辺の像を結像させる結像光学系30と、結像光学系30により結像された像を撮像するラインスキャンカメラ16と、これら各部材の制御やEBR幅の検査等を行う制御装置40とを備えている。
本実施形態に用いられるウェハ1は、例えば、円板形状の半導体ウェハである。ウェハ1の表面にはフォトレジストが塗布されてレジスト膜3(図3参照)が形成され、EBR処理よりエッジ1a周辺のレジスト膜3が一定の幅で除去されている。
回転ステージ12は、ウェハ1が載置されるステージ平面12aを有し、ステージ平面12aに直交する方向に延びる回転軸周りに回転可能に構成されている。
回転ステージ12は、ウェハ1が載置されるステージ平面12aを有し、ステージ平面12aに直交する方向に延びる回転軸周りに回転可能に構成されている。
照明光学系20は、光源14から発せられた照明光を集光する第1レンズ22と、第1レンズ22により集光された照明光を直線偏光に交換する偏光子24と、偏光子24を透過した照明光を互いに振動方向が直交し少しだけ位相をずらした2つの光線(光路)に分離する照明側DICプリズム(微分干渉プリズム)26と、照明光をウェハ1に照射する第2レンズ28とを備えている。この照明光学系20は、回転ステージ12上のウェハ1のエッジ1a周辺に照明光を照射するように調整されている。
偏光子24および照明側DICプリズム26は、照明光学系20の光軸に挿脱可能に配置されており、制御装置40からの出力信号により挿脱することができるようになっている。
結像光学系30は、ウェハ1からの反射光を集光する第3レンズ32と、第3レンズ32により集光された反射光を合成して1つの光線に戻す結像側DICプリズム34と、結像側DICプリズム34により合成された反射光から干渉信号を抽出する検光子36と、反射光をラインスキャンカメラ16に入射させる第4レンズ38とを備えている。
検光子36と結像側DICプリズム34は、結像光学系30の光軸に挿脱可能に配置されており、偏光子24および照明側DICプリズム26と同様に、制御装置40からの出力信号により挿脱することができるようになっている。
ラインスキャンカメラ16は、回転ステージ12上のウェハ1のエッジ1aに交差する方向に延びる撮像範囲を有する図示しないラインセンサ(撮像素子)を備えている。このラインセンサは、具体的には、ウェハ1のエッジ1aを跨いで回転ステージ12のほぼ半径方向に向かって延びる撮像範囲を有している。
また、ラインスキャンカメラ16は、第4レンズ38により集光された反射光を撮影してウェハ1のエッジ1a周辺の観察画像(明視野画像、微分干渉画像)を取得し、観察画像の画像データを制御装置40へ出力するようになっている。また、ラインスキャンカメラ16は、ウェハ1のエッジ1a周辺、すなわち、ウェハ1だけでなく、ウェハ1のエッジ1aから外方に外れた範囲(ウェハ外部)も同時に視野に納めることができるように調整されている。
照明光学系20の光軸に偏光子24および照明側DICプリズム26を配置するとともに、結像光学系30の光軸に検光子36および結像側DICプリズム34を配置した状態では、光源14から発せられた照明光が偏光子24および照明側DICプリズム26を介してウェハ1のエッジ1a周辺に照射され、ウェハ1の表面からの反射光とレジスト膜3からの反射光とが結像側DICプリズム34および検光子36を介してラインスキャンカメラ16により撮影される微分干渉画像取得光学系Aが構成されるようになっている。この微分干渉画像取得光学系Aによれば、観察画像として、例えば、図2に示すようなウェハ1のエッジ1a周辺の微分干渉画像を取得することができる。
一方、照明光学系20の光軸から偏光子24および照明側DICプリズム26を外すとともに、結像光学系30の光軸から検光子36および結像側DICプリズム34を外した状態では、光源14から発せられた照明光が第1レンズ22および第2レンズ28のみを透過させられてウェハ1のエッジ1a周辺に照射され、その反射光が第3レンズ32および第4レンズ38のみを透過させられてラインスキャンカメラ16により撮影される明視野画像取得光学系Bが構成されるようになっている。この明視野画像取得光学系Bによれば、観察画像として、例えば、図3に示すようなウェハ1のエッジ1a周辺の明視野画像を取得することができる。なお、微分干渉画像および明視野画像は複数のライン画像によって構成されている。
制御装置40は、画像データ等の各種情報を入力する入力部42と、各種情報を外部に出力する出力部44と、観察画像やGUI(Graphical User Interface)等を表示する表示部46と、制御プログラム等を記憶する記憶部48と、EBR幅等の検査を行うEBR検査部(判定部)52と、EBR検査部52等を制御する制御部54とを備えている。また、制御装置40は、図示しないMPU(演算処理装置)を用いて構成されており、記憶部48に記憶されている制御プログラムをMPUが読み出して実行することにより、入力部42、出力部44、表示部46、記憶部48、EBR検査部52および制御部54を作動させるようになっている。
入力部42は、キーボード、マウス、通信装置等を用いて構成されている。この入力部42は、表示部46に表示されるGUIを介して各種設定パラメータ等の入力を行うようになっている。
出力部44は、通信装置、携帯型記憶媒体等を用いて構成されている。この出力部44は、画像データを含む各種データおよび処理データ等を外部に出力するようになっている。
出力部44は、通信装置、携帯型記憶媒体等を用いて構成されている。この出力部44は、画像データを含む各種データおよび処理データ等を外部に出力するようになっている。
表示部46は、液晶ディスプレイ等を用いて構成され、観察画像のほか、設定情報および報知情報等を表示するようになっている。
記憶部48は、ハードディスク、ROMおよびRAM等を用いて構成されている。この記憶部48は、基板検査装置100を制御するための制御プログラムを記憶するほか、画像データを含む各種データ等を記憶することができるようになっている。
記憶部48は、ハードディスク、ROMおよびRAM等を用いて構成されている。この記憶部48は、基板検査装置100を制御するための制御プログラムを記憶するほか、画像データを含む各種データ等を記憶することができるようになっている。
EBR検査部52は、EBR検査を実行するための制御条件を設定するとともに、ラインスキャンカメラ16により取得された観察画像に対してEBR検査のための各種処理を行うようになっている。例えば、EBR検査部52は、明視野画像を取得するための制御条件や微分干渉画像を取得するための制御条件等を設定するようになっている。
また、EBR検査部52は、図4に示すように、明視野画像から隣接画素間で同等の輝度変化が連続する帯状の領域を抽出してウェハ境界位置存在領域(エッジ位置領域)2として設定し、その領域2からウェハ1のエッジ1aの位置(エッジ位置、ウェハ境界位置W)を検出するようになっている。
また、EBR検査部52は、図5に示すように、微分干渉画像から隣接画素間で同等の輝度変化が連続する帯状の領域を抽出してEBR境界位置存在領域(境界位置領域)4として設定し、その領域4からウェハ1とレジスト膜3との境界3aの位置(境界位置、EBR境界位置E)を検出するようになっている。
さらに、EBR検査部52は、検出したウェハ1のエッジ1aの位置(言い換えれば、ウェハ境界位置W)からウェハ1とレジスト膜3との境界3aの位置(言い換えれば、EBR境界位置E)までの距離を算出して、その距離(EBR幅)が適切か否か、すなわち、ウェハ1の外周部のレジスト膜3が厚い部分(エッジビード)がEBR処理により適切に除去されているか等を判定するようになっている。
制御部54は、EBR検査部52を制御するほか、基板検査装置100の各部の動作を制御するものである。具体的には、回転ステージ12、光源14およびラインスキャンカメラ16の作動を制御したり、偏光子24、照明側DICプリズム26、検光子36および結像側DICプリズム34の挿脱を制御したりするようになっている。すなわち、制御部54は、微分干渉画像取得光学系Aと明視野画像取得光学系Bとを切り替える切換え手段としての機能も備えている。
次に、このように構成された基板検査装置100を用いて実施される本実施形態に係る基板検査方法について説明する。
本実施形態に係る基板検査方法は、照明光学系20の光軸から偏光子24および照明側DICプリズム26を外すとともに結像光学系30の光軸から検光子36および結像側DICプリズム34を外した状態で、光源14から発せられた照明光をウェハ1のエッジ1a周辺に照射し、その反射光をラインスキャンカメラ16により撮影して、ウェハ1のエッジ1a周辺の明視野画像を取得するようになっている(明視野画像取得工程)。
本実施形態に係る基板検査方法は、照明光学系20の光軸から偏光子24および照明側DICプリズム26を外すとともに結像光学系30の光軸から検光子36および結像側DICプリズム34を外した状態で、光源14から発せられた照明光をウェハ1のエッジ1a周辺に照射し、その反射光をラインスキャンカメラ16により撮影して、ウェハ1のエッジ1a周辺の明視野画像を取得するようになっている(明視野画像取得工程)。
また、照明光学系20の光軸に偏光子24および照明側DICプリズム26を配置するとともに結像光学系30の光軸に検光子36および結像側DICプリズム34を配置した状態で、光源14から発せられた照明光を2つの光線に分離してウェハ1のエッジ1a周辺に照射し、ウェハ1表面からの反射光とレジスト膜3からの反射光とが合成された干渉光をラインスキャンカメラ16により撮影して、エッジ1a周辺の微分干渉画像を取得するようになっている(微分干渉画像取得工程)。
そして、制御装置40のEBR検査部52において、明視野画像取得工程で取得された明視野画像にウェハ境界位置存在領域2を設定するとともに(エッジ位置領域設定工程)、微分干渉画像取得工程で取得された微分干渉画像にEBR境界位置存在領域4を設定するようになっている(境界位置領域設定工程)。
また、このEBR検査部52により、エッジ位置領域設定工程で設定された明視野画像中のウェハ境界位置存在領域2からウェハ境界位置W(ウェハ1のエッジ位置)を検出するとともに(エッジ位置検出工程)、境界位置領域設定工程で設定された微分干渉画像中のEBR境界位置存在領域4からEBR境界位置E(ウェハ1とレジスト膜3との境界位置)を検出し(境界位置検出工程)、検出されたウェハ境界位置WからEBR境界位置Eまでの距離を判定するようになっている(判定工程)。
以下、上記各工程について図6のフローチャートを参照して詳細に説明する。
まず、EBR処理されたウェハ1を回転ステージ12のステージ平面12a上に載置する。ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心とのずれがないように載置することが望ましい。
まず、EBR処理されたウェハ1を回転ステージ12のステージ平面12a上に載置する。ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心とのずれがないように載置することが望ましい。
明視野画像取得工程においては、制御装置40からの出力信号により、照明光学系20の光軸から偏光子24および照明側DICプリズム26が外された状態に設定されるとともに、結像光学系30の光軸から検光子36および結像側DICプリズム34が外された状態に設定される。
そして、光源14から照明光学系20を介してウェハ1のエッジ1a周辺に向けて照明光が照射される。この状態で、回転ステージ12とともにウェハ1が一周回転し、ラインスキャンカメラ16により、ウェハ1のエッジ1a周辺からの反射光が結像光学系30を介して撮影されて明視野画像が取得される(ステップS1)。
ここで、回転ステージ12とともに円板形状のウェハ1を回転させることで、照明光の照射位置を固定した状態でウェハ1の全周にわたるエッジ1a周辺に照明光を照射することができる。そして、ラインスキャンカメラ16により、図3に示すようなウェハ1のエッジ1aがほぼ直線状に映し出される明視野画像を簡易に取得することができる。
この場合に、ウェハ1表面からの反射光と比較してウェハ1外からの反射光は殆どないため、明視野画像にウェハ境界位置Wを明瞭に映し出すことができる。また、ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心とにずれがないように配置することで、ウェハ境界位置Wをほぼ直線状に映し出すことができる。なお、ウェハ1の反射率とレジスト膜3の反射率との相違により、ほぼ直線状に映し出されるEBR境界位置Eのコントラストが殆どないところもある。
ラインスキャンカメラ16により取得された明視野画像は、制御装置40へと送られて記憶部48に保存される。
ラインスキャンカメラ16により取得された明視野画像は、制御装置40へと送られて記憶部48に保存される。
次に、微分干渉画像取得工程においては、制御装置40からの出力信号により、照明光学系20の光軸に偏光子24および照明側DICプリズム26が配置されるとともに、結像光学系30の光軸に検光子36および結像側DICプリズム34が配置される。
そして、光源14から照明光学系20を介してウェハ1のエッジ1a周辺に向けて照明光が照射される。この状態で、回転ステージ12とともにウェハ1が一周回転し、ラインスキャンカメラ16により、ウェハ1表面からの反射光とレジスト膜3からの反射光とが結像光学系30を介して撮影されて微分干渉画像が取得される(ステップS2)。
ここで、微分干渉画像取得時においても、回転ステージ12とともに円板形状のウェハ1を回転させることで、照明光の照射位置を固定した状態でウェハ1の全周にわたるエッジ1a周辺に照明光を照射し、図2に示すようなレジスト膜3の境界3aの位置がほぼ直線状に映し出される微分干渉画像を簡易に取得することができる。
この場合に、ウェハ1表面とレジスト膜3との間には段差が存在するため、EBR境界位置Eに輝度変化が生じ、微分干渉画像にEBR境界位置Eを明瞭に映し出すことができる。なお、EBR境界位置Eの輝度変化はレジスト膜3の反射率特性に依存しない。
ラインスキャンカメラ16により取得された微分干渉画像は、制御装置40へと送られて記憶部48に保存される。
ラインスキャンカメラ16により取得された微分干渉画像は、制御装置40へと送られて記憶部48に保存される。
次に、エッジ位置領域設定工程においては、EBR検査部52により、図4に示すように、明視野画像にウェハ境界位置存在領域2が設定される(ステップS3)。ウェハ境界位置存在領域2としては、例えば、基板検査装置100の性能を評価し、ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心との最大ずれ量によりウェハ1のエッジ1aの位置の最大変動量△Pを予測して、以下のように設定される
ウェハ境界位置存在領域2の中心の横座標:s
ウェハ境界位置存在領域2の中心の縦座標:縦画像サイズ/2
ウェハ境界位置存在領域2の横サイズ:K×△P
ウェハ境界位置存在領域2の縦サイズ:縦画像サイズ
ここで、kは調整係数であり、K<(s/△P)を満たすようにkを大きめに設定することが望ましい。
ウェハ境界位置存在領域2の中心の横座標:s
ウェハ境界位置存在領域2の中心の縦座標:縦画像サイズ/2
ウェハ境界位置存在領域2の横サイズ:K×△P
ウェハ境界位置存在領域2の縦サイズ:縦画像サイズ
ここで、kは調整係数であり、K<(s/△P)を満たすようにkを大きめに設定することが望ましい。
さらに、ウェハ境界位置存在領域2内において、明視野画像を構成する各ライン画像のうち、一定間隔をあけた複数のライン画像から、それぞれウェハ1のエッジ1aの位置、すなわち、ウェハ境界位置W1,W2,・・・,Wnが抽出される(ステップS4)。この場合に、ウェハ境界位置Wnは、一般的なエッジ抽出フィルタ処理を用いて、各ライン画像中のエッジ強度が一番強いところを抽出することとすればよい。また、抽出するウェハ境界位置Wnの数は、スループット重視の場合は比較的小さい値に設定し、精度重視の場合はスループット重視の場合より大きい値に設定することとすればよい。
そして、抽出された複数のウェハ境界位置Wnを用いて、近似曲線
が求められる(ステップS5)。ここで、以下の近似モデル式(1)を利用することができる。
ここで、
xw:明視野画像の横座標
yw:明視野画像の縦座標
θq:撮像開始時のウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心との角度
l:回転ステージ12の回転中心とラインスキャンカメラ16との距離
a:ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心との距離
r:ウェハ1の半径
なお、この近似モデル式(1)は、ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心とのずれに基づいて設定されたものである。
xw:明視野画像の横座標
yw:明視野画像の縦座標
θq:撮像開始時のウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心との角度
l:回転ステージ12の回転中心とラインスキャンカメラ16との距離
a:ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心との距離
r:ウェハ1の半径
なお、この近似モデル式(1)は、ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心とのずれに基づいて設定されたものである。
また、複数のウェハ境界位置Wnの近似曲線
を用いて、明視野画像の各縦座標ywに対して、横座標xwが求められる。そして、xw−△Pからxw+△Pまでの範囲が各ライン画像におけるウェハ境界位置Wnのサーチ領域として設定される(ステップS6)。
エッジ位置領域設定工程において、ウェハ境界位置存在領域2を設定することで、明視野画像全体からウェハ境界位置Wを検出する場合と比較して、検出処理のデータ量を低減し、スループットを向上することができる。また、ウェハ境界位置Wnの近似曲線により、処理時間の短縮と処理量の低減を図りつつ、ウェハ1の実際のエッジ1aにほぼ近い範囲に制限したサーチ領域を設定することができる。
また、境界位置領域設定工程においては、EBR検査部52により、図5に示すように、微分干渉画像にEBR境界位置存在領域4が設定される(ステップS7)。EBR境界位置存在領域4としては、例えば、前工程のEBR処理時に設定されるEBR基準幅widthに基づいて、以下のように設定される。
EBR境界位置存在領域4の中心の横座標:s+width
EBR境界位置存在領域4の中心の縦座標:縦画像サイズ/2
EBR境界位置存在領域4の横サイズ:width×2
EBR境界位置存在領域4の縦サイズ:縦画像サイズ
EBR境界位置存在領域4の中心の横座標:s+width
EBR境界位置存在領域4の中心の縦座標:縦画像サイズ/2
EBR境界位置存在領域4の横サイズ:width×2
EBR境界位置存在領域4の縦サイズ:縦画像サイズ
さらに、EBR境界位置存在領域4内において、微分干渉画像を構成する各ライン画像のうち、一定間隔をあけた複数のライン画像から、それぞれレジスト膜3の境界3aの位置、すなわち、EBR境界位置E1,E2,・・・,Emが抽出される(ステップS8)。この場合に、ウェハ境界位置Wnと同様に、EBR境界位置Emは、一般的なエッジ抽出フィルタ処理を用いて、各ライン画像中のエッジ強度が一番強いところを抽出することとすればよい。また、抽出するEBR境界位置Emの数も、スループット重視の場合は比較的小さい値に設定し、精度重視の場合はスループット重視の場合より大きい値に設定することとすればよい。
そして、抽出された複数のEBR境界位置Emを用いて、近似曲線
が求められる(ステップS9)。ここでは、前記近似モデル式(1)と同様に、以下の近似モデル式(2)を用いることとすればよい。
ここで、
xE:微分干渉画像の横座標
yE:微分干渉画像の縦座標
θq:撮像開始時のレジスト膜3の中心と回転ステージ12の回転中心との角度
l:回転ステージ12の回転中心とラインスキャンカメラ16との距離
a:レジスト膜3の中心と回転ステージ12の回転中心との距離
r:レジスト膜3の半径
なお、この近似モデル式(2)は、レジスト膜3の中心と回転ステージ12の回転中心とのずれに基づいて設定されたものである。
xE:微分干渉画像の横座標
yE:微分干渉画像の縦座標
θq:撮像開始時のレジスト膜3の中心と回転ステージ12の回転中心との角度
l:回転ステージ12の回転中心とラインスキャンカメラ16との距離
a:レジスト膜3の中心と回転ステージ12の回転中心との距離
r:レジスト膜3の半径
なお、この近似モデル式(2)は、レジスト膜3の中心と回転ステージ12の回転中心とのずれに基づいて設定されたものである。
また、EBR境界位置Emの近似曲線
を用いて、微分干渉画像の各縦座標yEに対して、横座標xEが求められる。そして、xE−α1×cからxE+α1×cまでの範囲が各ライン画像におけるEBR境界位置Emの第1サーチ領域として設定され、また、xE−α2×cからxE+α2×cまでの範囲が各ラインのEBR境界位置Emの第2サーチ領域として設定される(ステップS10)。
ここで、α1、α2は任意の値であり、α2>α1≧1を満たす。これにより、サイズが異なるサーチ領域を設定することとなる。なお、cは前工程のEBR時において設定されるEBR幅の変動許容値である。
ここで、α1、α2は任意の値であり、α2>α1≧1を満たす。これにより、サイズが異なるサーチ領域を設定することとなる。なお、cは前工程のEBR時において設定されるEBR幅の変動許容値である。
境界位置領域設定工程において、EBR境界位置存在領域4を設定することで、微分干渉画像全体からEBR境界位置Eを検出する場合と比較して、検出処理のデータ量を低減し、スループットを向上することができる。また、EBR境界位置Emの近似曲線により、処理時間の短縮と処理量の低減を図りつつ、ウェハ1とレジスト膜3の実際の境界3aにほぼ近い範囲に制限した第1サーチ領域および第2サーチ領域を設定することができる。
なお、近似曲線を簡単に求めるために、前記近似モデル式(1),(2)を簡略化することとしてもよい。
なお、近似曲線を簡単に求めるために、前記近似モデル式(1),(2)を簡略化することとしてもよい。
次に、エッジ位置検出工程においては、明視野画像におけるライン画像ごとにウェハ境界位置Wnのサーチ領域からウェハ境界位置Wが検出される(ステップS11)。検出方法は一般的なエッジ抽出フィルタ処理を用いることとすればよい。
また、境界位置検出工程においては、微分干渉画像におけるライン画像ごとにEBR境界位置Emの第1サーチ領域および第2サーチ領域からEBR境界位置Eが検出される(ステップS12)。検出方法は、ウェハ境界位置Wの検出と同様に、一般的なエッジ抽出フィルタ処理を用いることとすればよい。
具体的には、まず、サイズが小さいEBR境界位置Emの第1サーチ領域からレジスト膜3の境界位置3aを検出し、検出された境界位置3aのエッジ強度が予め設定された閾値より小さい場合は、サイズが大きいEBR境界位置Emの第2サーチ領域から境界位置3aを検出することとすればよい。なお、第1サーチ領域と第2サーチ領域の重複部分の計算は省略することとしてもよい。サイズが異なる複数のEBR境界位置Emの第1サーチ領域および第2サーチ領域を設定することで、実際のEBR幅がEBR基準幅から大きく乖離しても測定することができる。
さらに、判定工程においては、EBR検査部52により、明視野画像におけるライン画像および微分干渉画像におけるライン画像ごとに、エッジ位置検出工程で検出されたウェハ境界位置Wと境界位置検出工程で検出されたEBR境界位置Eとの差分からEBR幅が算出され、EBR幅が適切か否か判定される(ステップS13)。
例えば、境界位置検出工程でEBR境界位置Emの第1サーチ領域から第2サーチ領域に変えても、検出されたEBR境界位置Eの強度が予め設定された閾値より小さい場合は、このライン画像にEBR除去不良の可能性があると判定される。また、それ以外の各ライン画像に対して、判定工程で算出されたEBR幅の最大値と最小値が求められ、最大値または最小値が予め設定された許容範囲外にある場合には、EBR幅が異常と判定される。
以上説明したように、本実施形態に係る基板検査方法および基板検査装置100によれば、エッジ位置検出工程により、エッジ1a周辺の明視野画像に基づいてウェハ境界位置Wを精度よく検出することができ、また、境界位置検出工程により、エッジ1a周辺の微分干渉画像に基づいて、レジスト膜3の反射率特性に関係なくEBR境界位置Eを精度よく検出することができる。
したがって、照明波長を変化させることなくウェハ1の全周にわたるエッジ1a周辺の明視野画像と微分干渉画像を取得するだけで、ウェハ境界位置WからEBR境界位置Eまでの距離を容易かつ正確に把握でき、その距離が適切か否かを検査することができる。これにより、レジスト膜3の反射率特性に応じて照明波長を変化させて複数枚の画像を取得する従来の方法と比較して、高スループットで高精度の検査を行うことができる。
なお、本実施形態においては、エッジ位置領域設定工程において、EBR検査部52により、ウェハ1の中心と回転ステージ12の回転中心との最大ずれ量に基づいて明視野画像にウェハ境界位置存在領域2を設定することとしたが、これに代えて、例えば、操作者が観察画像を観ながら手動でウェハ境界位置存在領域2を設定することとしてもよい。また、ラインスキャンカメラ16とウェハ1との相対位置より画像のs列目からウェハ1が撮像されることを予測することができるので、例えば、ラインスキャンカメラ16とウェハ1との相対位置や基板検査装置100の情報に基づいてウェハ境界位置存在領域2を設定することとしてもよい。また、境界位置領域設定工程においても、同様に、操作者が観察画像を観ながらEBR境界位置存在領域4を手動で設定することとしてもよい。
また、本実施形態においては、EBR境界位置Eを検出する際に、微分干渉画像のみを用いることとしたが、例えば、ウェハ1とレジスト膜3との境界3a周辺の明視野画像のコントラストがよい場合には、明視野画像と微分干渉画像を両方使用してEBR境界位置Eを検出することとしてもよい。
また、本実施形態においては、微分干渉画像取得光学系Aと明視野画像取得光学系Bとを制御部54からの出力信号により切り替えることとしたが、これに代えて、例えば、手動で切り替えることとしてもよい。
また、照明光学系20の偏光子24と照明側DICプリズム26との間にさらに波長板を配置することとしてもよい。波長板により、偏光子24により分岐された2つの光線の照明光の位相差を変更してリターデーション量を調整することで、レジスト膜3の厚さに合わせてEBR境界線3bのコントラストをより大きくさせることができる。
また、本実施形態においては、微分干渉画像取得光学系Aと明視野画像取得光学系Bとを制御部54からの出力信号により切り替えることとしたが、これに代えて、例えば、手動で切り替えることとしてもよい。
また、照明光学系20の偏光子24と照明側DICプリズム26との間にさらに波長板を配置することとしてもよい。波長板により、偏光子24により分岐された2つの光線の照明光の位相差を変更してリターデーション量を調整することで、レジスト膜3の厚さに合わせてEBR境界線3bのコントラストをより大きくさせることができる。
また、制御装置40としては、例えば、標準的な構成のコンピュータ、すなわち、制御プログラムの実行によってコンピュータ全体の動作制御を司るMPU等の演算処理装置と、この演算処理装置が必要に応じてワークメモリとして使用するメインメモリと、各種のプログラムや制御データなどを記憶して保存しておく、例えば、ハードディスク装置などの記憶装置と、各種データの授受を管理するインタフェース部と、種々の操作に対応付けられて示される操作者からの指示を取得する入力装置と、各種情報の表示を行う表示装置とを有して構成されているコンピュータを用いて構成することとしてもよい。
また、本実施形態は以下のように変形することができる。
例えば、本実施形態においては、照射側と観察側とが別々の照明光学系20および結像光学系30を備える基板検査装置100を例示して説明したが、これに代えて、図7に示すように、照明側と観察側とで一部を共有する照明光学系120および結像光学系130を備える顕微鏡タイプの基板検査装置200を採用することとしてもよい。例えば、基板検査装置200の照明光学系120としては、第1レンズ22と、第1レンズ22を透過した照明光の光量を制限する絞り124と、絞り124を通過した照明光を平行光にする第5レンズ126と、偏光子24とを備え、偏光子24が光軸から挿脱可能に配置されていることとすればよい。また、対物レンズ136により照射される照明光がウェハ1のエッジ1a周辺に照射されるように調整することとすればよい。
例えば、本実施形態においては、照射側と観察側とが別々の照明光学系20および結像光学系30を備える基板検査装置100を例示して説明したが、これに代えて、図7に示すように、照明側と観察側とで一部を共有する照明光学系120および結像光学系130を備える顕微鏡タイプの基板検査装置200を採用することとしてもよい。例えば、基板検査装置200の照明光学系120としては、第1レンズ22と、第1レンズ22を透過した照明光の光量を制限する絞り124と、絞り124を通過した照明光を平行光にする第5レンズ126と、偏光子24とを備え、偏光子24が光軸から挿脱可能に配置されていることとすればよい。また、対物レンズ136により照射される照明光がウェハ1のエッジ1a周辺に照射されるように調整することとすればよい。
また、結像光学系130としては、照明光学系120からの照明光とウェハ1からの反射光とを分岐するハーフミラー132と、照明光を互いに振動方向が直交し少しだけ位相をずらした2つの光線に分離する一方、ウェハ1からの反射光を合成して1つの光線に戻すノマルスキプリズム134と、ノマルスキプリズム134を透過した照明光をウェハ1に照射する一方、ウェハ1からの反射光を集光する対物レンズ136と、検光子36と、検光子36を透過した反射光を集光する第6レンズ138とを備え、ノマルスキプリズム134および検光子36が光軸から挿脱可能に配置されていることとすればよい。また、結像光学系30により結像された画像をCCDカメラ116により撮像することとすればよい。
1 ウェハ(検査基板)
12 回転ステージ(ターンテーブル)
14 光源
52 EBR検査部(検出部、判定部)
54 制御部(切換え手段)
A 微分干渉画像取得光学系
B 明視野画像取得光学系
S1 ステップS1(明視野画像取得工程)
S2 ステップS2(微分干渉画像取得工程)
S3 ステップS3(エッジ位置領域設定工程)
S7 ステップS7(境界位置領域設定工程)
S11 ステップS11(エッジ位置検出工程)
S12 ステップS12(境界位置検出工程)
S13 ステップS13(判定工程)
12 回転ステージ(ターンテーブル)
14 光源
52 EBR検査部(検出部、判定部)
54 制御部(切換え手段)
A 微分干渉画像取得光学系
B 明視野画像取得光学系
S1 ステップS1(明視野画像取得工程)
S2 ステップS2(微分干渉画像取得工程)
S3 ステップS3(エッジ位置領域設定工程)
S7 ステップS7(境界位置領域設定工程)
S11 ステップS11(エッジ位置検出工程)
S12 ステップS12(境界位置検出工程)
S13 ステップS13(判定工程)
Claims (5)
- 表面にレジスト膜が形成された検査基板のエッジ周辺に照明光を照射してその反射光を撮影し、前記エッジ周辺の明視野画像を取得する明視野画像取得工程と、
前記検査基板の前記エッジ周辺に照明光を2つの光路に分けて照射して前記検査基板表面からの反射光と前記レジスト膜からの反射光とが合成された干渉光を撮影し、前記エッジ周辺の微分干渉画像を取得する微分干渉画像取得工程と、
前記明視野画像に基づいて前記検査基板のエッジ位置を検出するエッジ位置検出工程と、
前記微分干渉画像に基づいて前記検査基板と前記レジスト膜との境界位置を検出する境界位置検出工程と、
前記エッジ位置から前記境界位置までの距離を判定する判定工程とを備える基板検査方法。 - 前記明視野画像取得工程により取得された前記明視野画像から隣接画素間で同等の輝度変化が連続する帯状の領域を抽出してエッジ位置領域として設定するエッジ位置領域設定工程と、
前記微分干渉画像取得工程により取得された前記微分干渉画像から隣接画素間で同等の輝度変化が連続する帯状の領域を抽出して境界位置領域として設定する境界位置領域設定工程とを備え、
前記エッジ位置検出工程が、前記明視野画像中の前記エッジ位置領域から前記エッジ位置を検出するとともに、前記境界位置検出工程が、前記微分干渉画像中の前記境界位置領域から前記境界位置を検出する請求項1に記載の基板検査方法。 - 前記エッジ位置領域設定工程が、前記明視野画像から数ヶ所の間隔をあけた前記エッジ位置を抽出して該エッジ位置の近似曲線を作成し、該近似曲線を含む前記エッジ位置領域を設定し、前記境界位置領域設定工程が、前記微分干渉画像から数ヶ所の間隔をあけた前記境界位置を抽出して該境界位置の近似曲線を作成し、該近似曲線を含む前記境界位置領域を設定する請求項2に記載の基板検査方法。
- 表面にレジスト膜が形成された検査基板のエッジ周辺に照射する照明光を発する光源と、
該光源から発せられた前記照明光を前記検査基板のエッジ周辺に照射してその反射光を撮影し、前記エッジ周辺の明視野画像を取得する明視野画像取得光学系と、
前記光源から発せられた前記照明光を2つの光路に分岐して前記検査基板のエッジ周辺に照射して前記検査基板表面からの反射光と前記レジスト膜からの反射光とが合成された干渉光を撮影し、前記エッジ周辺の微分干渉画像を取得する微分干渉画像取得光学系と、
前記明視野画像取得光学系と前記微分干渉画像取得光学系とを切り換える切換え手段と、
前記明視野画像取得光学系により取得された前記明視野画像から前記検査基板のエッジ位置を検出するとともに、前記微分干渉画像取得光学系により取得された前記微分干渉画像から前記検査基板と前記レジスト膜との境界位置を検出する検出部と、
該検出部により検出された前記エッジ位置から前記境界位置までの距離を判定する判定部とを備える基板検査装置。 - 前記検査基板を載置して回転させるターンテーブルを備え、前記明視野画像取得光学系および前記微分干渉画像取得光学系が、前記ターンテーブル上の前記検査基板のエッジに交差する方向に延びる撮像範囲を有する撮像素子を備える請求項4に記載の基板検査装置。
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