CN109817549A - 基片处理装置和涂敷单元的参数的调整方法以及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供基片处理装置和涂敷单元的参数的调整方法以及存储介质，通过自动调整涂敷单元的参数，使参数的调整作业变得容易。在由涂敷单元对调整用的半导体晶片进行处理后，利用半导体晶片运送机构将该半导体晶片运送至拍摄单元，拍摄该半导体晶片的外端面和背面。之后，基于该拍摄结果求取涂敷膜的外缘相对于半导体晶片的边缘斜面部的内缘的高度尺寸(去除高度)，判断是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的去除高度和预先生成的表示去除高度与半导体晶片的转速的关系的参考数据，重新设定上述转速。由于能够如上那样自动调整作为涂敷单元的参数的转速，因此能够容易地进行参数的调整。

Description

基片处理装置和涂敷单元的参数的调整方法以及存储介质

技术领域

本发明涉及在涂敷单元中，在半导体晶片上形成涂敷膜，接着在利用除去液除去半导体晶片的边缘斜面部的涂敷膜或周缘部的涂敷膜时，调整涂敷单元的参数的技术。

背景技术

作为在用作基片的半导体晶片(以下记载为晶片)上形成涂敷膜图案的光刻工序中进行的处理之一，有在晶片表面形成涂敷膜的处理。在进行该处理的涂敷单元中，例如向载置于旋转吸盘并旋转的晶片的中央部供给涂敷液而形成涂敷膜。若像这样在晶片表面形成涂敷膜，则有时需要在涂敷单元中进行将涂敷膜周缘部的不需要的膜以环状除去的涂敷膜端部的除去或晶片背面的清洗。涂敷膜端部的除去通过从喷嘴向利用旋转吸盘旋转的晶片的周缘部局部排出涂敷膜的溶剂而进行，背面清洗通过从清洗喷嘴向利用旋转吸盘旋转的晶片的背面侧排出清洗液而进行。

在这样的涂敷单元中使用新的涂敷液或清洗液的情况下等，在实际对产品半导体晶片进行处理之前，预先对涂敷膜端部的除去或背面清洗造成影响的参数进行调整作业。以往，在涂敷单元中，对调整用的晶片进行了规定的处理后，将该晶片搬运到例如显微镜等检查装置，使用该检查装置观察晶片表面或背面以掌握涂敷膜端部的去除状态或清洗状态，并据此来改变参数的值。之后，使用改变后的参数再次由涂敷单元进行规定的处理，之后使用检查装置进行检查并进行参数调整，如此，以反复试验的方式进行调整。因而，参数的调整不仅耗费大量的时间和工作量，而且操作员的经验也起到作用，因此是很复杂的作业。

专利文献1中记载了一种技术，即，将膜厚分布近似为表示基片的位置与膜厚的关系的一阶函数和二阶函数，根据这些函数改变用于调整涂敷膜的膜厚的参数，由此，将参数设定在适宜的范围内。但是，在该技术中，没有考虑到对涂敷膜端部的去除状态、晶片背面的清洗状态造成影响的参数，所以未能解决本发明的技术问题。

在专利文献2中记载了一种技术，即，当在涂敷膜形成后向涂敷膜的周缘部供给溶剂以除去不需要的膜时，拍摄基片的端面而获取形状数据，由此，掌握基片的翘曲量，基于该翘曲量决定溶剂的供给位置。但是，该技术并非掌握涂敷膜端部的去除状态或晶片背面的清洗状态而调整参数的技术，因此，未能解决本发明的技术问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-147246号公报

专利文献2：日本特开2017-150849号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是鉴于这样的情况完成的，其目的在于提供一种技术，即，当在涂敷单元中，在半导体晶片上形成涂敷膜，接着除去半导体晶片的边缘斜面部的涂敷膜或周缘部的涂敷膜时，通过自动调整涂敷单元的参数而容易地进行参数的调整。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一种用于在半导体晶片上形成涂敷膜的基片处理装置的特征在于，包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其能够对从运送到上述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液，之后一边使半导体晶片旋转，一边从用于除去边缘斜面部的膜的喷嘴向半导体晶片的边缘斜面部排出除去液，以除去边缘斜面部的涂敷膜；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；

半导体晶片运送机构，其在上述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片；和

控制部，其进行控制，使得拍摄被上述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的外端面和背面，基于拍摄结果求取涂敷膜的外缘相对于半导体晶片的边缘斜面部的内缘的高度尺寸，判断求取的高度尺寸是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的高度尺寸和预先生成的表示上述高度尺寸与半导体晶片的转速的关系的参考数据重新设定半导体晶片的转速，再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去边缘斜面部的涂敷膜，之后以同样的方式判断上述高度尺寸是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的半导体晶片的转速作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中。

本发明的另一种用于在半导体晶片上形成涂敷膜的基片处理装置的特征在于，包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其对从运送到上述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液，之后一边使半导体晶片旋转，一边从用于除去周缘部的膜的喷嘴向半导体晶片的比边缘斜面部更靠近内侧位置的表面排出除去液，以除去上述周缘部的涂敷膜；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；

半导体晶片运送机构，其在上述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片；和

控制部，其进行控制，使得拍摄被上述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的表面，基于拍摄结果，求取从涂敷膜的外缘至半导体晶片的边缘斜面部的内缘的去除面的不平整程度，判断求取的去除面的不平整程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的去除面的不平整程度和预先生成的表示上述去除面的不平整程度与除去周缘部的涂敷膜前为了使涂敷膜干燥而对涂敷膜进行干燥的干燥时间的关系的参考数据重新设定对涂敷膜进行干燥时的干燥时间，再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去周缘部的涂敷膜，之后，以同样的方式判断上述去除面的不平整程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的上述干燥时间作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中。

本发明的一种调整基片处理装置中的涂敷单元进行处理时的参数的调整方法，其中用于在半导体晶片上形成涂敷膜的上述基片处理装置包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其对从运送至上述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液，之后，一边使半导体晶片旋转一边从用于除去边缘斜面部的膜的喷嘴向半导体晶片的边缘斜面部排出除去液，以除去边缘斜面部的涂敷膜；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；和

半导体晶片运送机构，其在上述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片，

上述涂敷单元的参数的调整方法的特征在于，包括：

拍摄被上述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的外端面和背面的工序；

基于拍摄结果求取涂敷膜的外缘相对于半导体晶片的边缘斜面部的内缘的高度尺寸，判断求取的高度尺寸是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的高度尺寸和预先生成的表示上述高度尺寸与半导体晶片的转速的关系的参考数据重新设定半导体晶片的转速的工序；和

再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去边缘斜面部的涂敷膜，之后，以相同的方式判断上述高度尺寸是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的半导体晶片的转速作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中的工序。

此外，本发明的另一种调整基片处理装置中的涂敷单元进行处理时的参数的调整方法，其中用于在半导体晶片上形成涂敷膜的上述基片处理装置包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其对从运送至上述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液，之后一边使半导体晶片旋转，一边从用于除去周缘部的膜的喷嘴向半导体晶片的比边缘斜面部更靠近内侧位置的表面排出除去液，以除去上述周缘部的涂敷膜；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；和

半导体晶片运送机构，其在上述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片，

上述涂敷单元的参数的调整方法的特征在于，包括：

拍摄由上述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的表面的工序；

基于拍摄结果，求取从涂敷膜的外缘至半导体晶片的边缘斜面部的内缘的去除面的不平整程度，判断求取的去除面的不平整程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的去除面的不平整程度和预先生成的表示上述去除面的不平整程度与除去周缘部的涂敷膜前为了使涂敷膜干燥而对涂敷膜进行干燥的干燥时间的关系的参考数据重新设定对涂敷膜进行干燥时的干燥时间的工序；和

再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去周缘部的涂敷膜，之后，以同样的方式判断上述去除面的不平整程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的上述干燥时间作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中的工序。

另外，本发明的一种存储有在基片处理装置中使用的计算机程序的存储介质，其中用于在半导体晶片上形成涂敷膜的上述基片处理装置包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其对从运送至上述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；和

半导体晶片运送机构，其在上述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片，

上述存储介质的特征在于：

上述计算机程序包括步骤组，其用于执行调整上述涂敷单元进行处理时的参数

发明效果

本发明中，在基片处理装置设置有涂敷单元和拍摄单元，在由涂敷单元对调整用的半导体晶片进行处理后，利用半导体晶片运送机构将该半导体晶片运送至拍摄单元，拍摄该半导体晶片的外端面和背面。之后，基于该拍摄结果求取涂敷膜的外缘相对于半导体晶片的边缘斜面部的内缘的高度尺寸并判断是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的高度尺寸和预先生成的表示高度尺寸与半导体晶片的转速的关系的参考数据，重新设定上述转速。如此，能够自动作为调整涂敷单元的参数的转速，所以能够容易地进行参数的调整。

此外，本发明的另一发明中，利用半导体晶片运送机构将由涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片运送至拍摄单元，基于该调整用的半导体晶片的表面的拍摄结果，求取从涂敷膜的外缘至半导体晶片的边缘斜面部的内缘的去除面的不平整程度。之后，判断求取的不平整程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的不平整程度和预先生成的表示不平整程度与为了除去周缘部的涂敷膜而对涂敷膜进行时的干燥时间的关系的参考数据，重新设定上述干燥时间。如此，能够自动调整作为涂敷单元进行处理时的参数的上述干燥时间，所以能够容易地进行参数的调整。

附图说明

图1是表示本发明的基片处理装置的一实施方式的主要部分的构成图。

图2是表示涂敷单元的纵截侧视图。

图3是表示边缘斜面清洗喷嘴的局部纵截侧视图。

图4是说明第一实施方式的涂敷单元的作用的工序图。

图5是说明第一实施方式的涂敷单元的作用的工序图。

图6是说明第一实施方式的涂敷单元的作用的工序图。

图7是说明第一实施方式的涂敷单元的作用的工序图。

图8是表示拍摄单元的概略立体图。

图9是示意性地表示拍摄单元的作用的构成图。

图10是示意性地表示拍摄单元的作用的构成图。

图11是表示基片处理装置的控制部的构成图。

图12是表示晶片的边缘斜面部的局部纵截侧视图。

图13是示意性地表示拍摄结果的俯视图。

图14是说明第一实施方式的涂敷单元的作用的流程图。

图15是表示示出去除高度与转速的关系的参考数据和实际数据的特性图。

图16是表示示出污染程度与清洗时间的关系的参考数据和实际数据的特性图。

图17是表示用于说明去除高度的晶片的边缘斜面部的局部纵截侧视图。

图18是说明第二实施方式的涂敷单元的作用的工序图。

图19是说明第二实施方式的涂敷单元的作用的工序图。

图20是说明第二实施方式的涂敷单元的作用的工序图。

图21是说明第二实施方式的涂敷单元的作用的工序图。

图22是说明第二实施方式的涂敷单元的作用的流程图。

图23是表示示出去除面的不平整程度与干燥时间的关系的参考数据和实际数据的特性图。

图24是表示构成基片处理装置的涂敷显影装置的俯视图。

图25是表示涂敷显影装置的纵截侧视图。

附图标记说明

1 涂敷显影装置

11 运送机构

2 涂敷单元

26 除去液喷嘴

27 边缘斜面清洗喷嘴

28 背面清洗喷嘴

3 拍摄单元

4 周缘拍摄部

5 背面拍摄部

W 半导体晶片

具体实施方式

(第一实施方式)

图1表示构成本发明的基片处理装置的涂敷显影装置1的概略构成。涂敷显影装置1包括用于将运送容器C(其收纳并运送多个晶片W)送入送出的送入送出区块S1和处理区块S2。在处理区块S2的内部，设置有对晶片W涂敷涂敷液的涂敷单元2和拍摄晶片W的拍摄单元3。利用构成半导体晶片运送机构的运送机构11，在运送容器C、涂敷单元2与拍摄单元3之间运送晶片。

参数调整用的晶片W被从运送容器C中取出并运送至涂敷单元2，在此处进行涂敷液的涂敷、边缘斜面部的涂敷膜的除去和背面清洗。接着，将晶片W运送至拍摄单元3，对其外端面和背面进行拍摄。之后，基于该拍摄结果，利用控制部100自动调整涂敷单元2的参数，即边缘斜面部的除去涂敷膜时的转速(冲洗转速)和清洗背面时的清洗时间。后文中，将边缘斜面部的涂敷膜的除去处理作为边缘斜面清洗处理进行说明。

接下来，参照图2和图3，对涂敷单元2的一个实施方式进行说明。图中的21是旋转吸盘，其构成用于保持晶片W并使其旋转的基片保持部。旋转吸盘21吸附晶片W的背面中央部而保持晶片W水平，并构成为借助轴212利用驱动机构211沿着铅垂轴按照例如俯视时顺时针方向自如旋转和自如升降。

在保持于旋转吸盘21的晶片W的周围设置有罩22，罩22的下方侧经由排气管221进行排气，并与排液管222连接。此外，在旋转吸盘21的下方侧，以包围轴212的方式设置有圆形板213，在该圆形板213的周围形成有截面形状呈山形的环状的山形部214。在该山形部214的顶部设置有突片部215，其用于抑制在罩22内流动的雾流入晶片背面侧。

涂敷单元2包括排出涂敷液的涂敷液喷嘴24和排出作为涂敷液的溶媒的溶剂的溶剂喷嘴25。涂敷液喷嘴24经由设有开闭阀V1的流路241与涂敷液供给机构242连接。溶剂喷嘴25是在排出用于晶片W的涂敷液之前进行的预处理中所使用的喷嘴，经由设有开闭阀V2的流路251与溶剂供给机构252连接。这些涂敷液喷嘴24和溶剂喷嘴25构成为能够利用未图示的移动机构在晶片W的中心部上方与罩22的外侧的退避位置之间自如移动。

涂敷单元2还包括：除去液喷嘴26，其是用于除去周缘部的膜的喷嘴；用于除去边缘斜面部的膜的边缘斜面清洗喷嘴27；和背面清洗喷嘴28。除去液喷嘴26是以除去液朝向晶片W的旋转方向的下游侧的方式，向保持在旋转吸盘21的晶片W的比边缘斜面部更靠近内侧位置的表面排出除去液的喷嘴。除去液喷嘴26例如形成为直管状，其前端开口而成为除去液的排出口。该除去液喷嘴26构成为利用未图示的移动机构，例如在向晶片周缘部排出除去液的处理位置与罩22的外侧的退避位置之间自如移动。

此外，边缘斜面清洗喷嘴27是从保持在旋转吸盘21的晶片W的背面侧向边缘斜面部排出除去液的喷嘴。该边缘斜面清洗喷嘴27构成为沿着基台271自如移动，基台271例如设置在形成于山形部214的未图示的切口部。另外，如图3所示，边缘斜面清洗喷嘴27具有倾斜面部272，倾斜面部272伸出从而其前端侧形成为突片部273。如此，边缘斜面清洗喷嘴27构成为，能够作为山形部214的一部分发挥作用，突片部273能够作为山形部214的突片部215的一部分发挥作用。

在边缘斜面清洗喷嘴27的内部形成有除去液的供给路径270，构成为能够从其前端的排出口274向斜上方侧供给除去液。在例如向晶片W排出除去液时，设定为除去液到达边缘斜面部W0，具体而言，设定为除去液在晶片W上的着落点为距晶片W的外缘位于例如0mm～4.5mm内侧的位置处。

背面清洗喷嘴28是向保持在旋转吸盘11的晶片W的比边缘斜面部W0更靠近内侧位置的背面排出清洗液的喷嘴。背面清洗喷嘴28构成为例如在向晶片W排出清洗液时，该清洗液在晶片W上的着落点为距晶片W的外缘例如70mm的内侧的位置处。边缘斜面清洗喷嘴27和背面清洗喷嘴28例如在涂敷单元2中，例如在圆形板18的直径方向上相对的位置各设置2个(参照图5、图6)。

该例子中的除去液和清洗液均为涂敷膜的溶剂，除去液喷嘴26经由设有开闭阀V3的流路261与例如溶剂供给机构252连接，边缘斜面清洗喷嘴27经由设有开闭阀V4的流路275与例如溶剂供给机构252连接。并且，背面清洗喷嘴28经由设有开闭阀V5的流路281与例如溶剂供给机构252连接。

参照图4～图7，对该涂敷单元2中实施的处理的一个例子进行说明。首先，利用运送机构11将晶片W运送并载置于旋转吸盘21上，从溶剂喷嘴25向晶片W的中心部上排出溶剂，并旋转晶片W，利用离心力使溶剂涂敷在晶片W的整个表面。接着，在使晶片W旋转的状态下从涂敷液喷嘴24向晶片W的中心部上排出涂敷液(例如抗蚀剂液)，利用通过离心力使涂敷液涂敷在晶片W的整个表面。然后，使晶片W旋转规定时间而使液膜干燥，形成涂敷膜10(图4)。

接下来，进行边缘斜面清洗和背面清洗。在该例子中，如图5、图6所示，在使晶片W旋转的状态下，例如从边缘斜面清洗喷嘴27和背面清洗喷嘴28同时向晶片W排出除去液和清洗液。由此，从边缘斜面清洗喷嘴27排出的除去液(溶剂)由于晶片W的离心力而向晶片W的外侧去，经过边缘斜面部W0并绕至晶片表面侧。在供给了除去液的区域，涂敷膜被除去液软化并溶解，由于离心力被推出晶片W的外侧而得以除去。此时，晶片W的转速(冲洗转速)越大，除去液越难以绕至晶片表面侧。若除去液过度绕至表面侧，则比所希望的区域更靠近内侧处的涂敷膜也被除去，若除去液绕至表面侧的量过少，则在边缘斜面部W0残留涂敷膜。

在本实施方式中，如后文所述，通过求取去除高度来进行冲洗转速的调节。所谓去除高度H是指后文所述的如图12所示的、涂敷膜的外缘相对于晶片W的边缘斜面部W0的内缘的高度尺寸。如图12所示，在将晶片的外缘(边缘斜面部W0的外缘)与涂敷膜的外缘在横向上的距离作为去除宽度W时，由于冲洗转速越大，则除去液越难绕至晶片表面侧，因此晶片的端部的涂敷膜的去除宽度W越小，则去除高度H越大。去除高度与去除宽度具有像这样的相关关系。

返回图6继续说明，利用从背面清洗喷嘴28排出的清洗液(溶剂)，能够除去附着在晶片W的背面侧的涂敷液所造成的污染，并抑制溶解的涂敷膜绕回并附着在背面侧。在该背面清洗中，清洗时间越长，则晶片背面的涂敷液所造成的污染程度(以下称为“污染程度”)即膜残渣越少。在像这样进行了边缘斜面清洗和背面清洗后，如图7所示，分别停止从边缘斜面清洗喷嘴27排出除去液和从背面清洗喷嘴28排出清洗液。接着，使晶片W旋转，甩掉晶片W上的除去液和清洗液以使晶片W干燥，结束涂敷单元2处的处理。

接下来，参照图8～图10，对拍摄单元3进行说明。图8是表示拍摄单元3的主要部分的概略立体图，图9和图10是示意性地表示用于说明拍摄单元3的作用的主要部分的图。拍摄单元3是拍摄晶片W的外端面和背面的模块，具有将晶片W保持为水平并设置为通过旋转机构311绕铅垂轴自如旋转的保持台31。旋转机构311例如包括用于检测保持台31的旋转位置的编码器，构成为能够进行后述的周缘拍摄部4和背面拍摄部5对晶片W的各面的拍摄位置与旋转位置的对位。

周缘拍摄部4是例如同时拍摄晶片表面的周缘区域Wa和晶片W的外端面Wb(边缘斜面部W0)的部件。周缘拍摄部4如图8和图9所示，包括作为拍摄机构的照相机41、照明部42和反射镜部件43，照相机41与照明部42设置为彼此相对。照相机41包括透镜411和例如由CCD图像传感器构成的拍摄元件412。

照明部42包括在保持于保持台31的晶片W的上方配置的光源421、半反射镜422和调焦透镜423。半反射镜422例如构成为矩形形状，在水平方向上以倾斜大致45度的状态配置。调焦透镜423具有使其与透镜411的合成焦距变换的功能。

周缘拍摄部4具有反射镜部件43，该反射镜部件43配置在半反射镜422的下方，设置为与保持在保持台31的晶片W的外端面wb和晶片背面的周缘区域相对。反射镜部件43的与晶片W的外端面wb等相对的部位构成为向远离保持于保持台31的晶片W的外端面Wb的一侧凹陷的弯曲面，该弯曲面例如构成为实施了镜面加工的反射面431。

在照明部42，从光源421出射的光通过半反射镜422向下方照射，通过该半反射镜422的扩散光在反射镜部件43的反射面431反射。扩散光在反射面431反射而得的反射光主要照射到晶片W的外端面Wb和晶片表面的周缘区域Wa。从晶片表面的周缘区域Wa反射的反射光如图9中的点划线所示，在半反射镜422再次反射，不通过调焦透镜423而通过照相机41的透镜411，入射到拍摄元件412。另一方面，从晶片W的外端面Wc反射的反射光如图9中的虚线所示，在反射镜部件43的反射面431和半反射镜422依次反射，依次通过调焦透镜423和透镜411，入射到拍摄元件412。

像这样，在照相机41的拍摄元件412输入了来自晶片表面的周缘区域Wa的光和来自晶片W的外端面Wb的光这两者，因此照相机41能够拍摄晶片表面的周缘区域Wa和晶片W的外端面Wb这两者。由照相机41拍摄的拍摄图像的数据例如被发送至控制部100。

如图8和图10所示，背面拍摄部5包括：由拍摄机构构成的照相机51，该拍摄机构具有透镜511和例如由CCD图像传感器构成的拍摄元件512；和照明部52，照相机51与照明部52设置为彼此相对。照明部52配置于保持在保持台31的晶片W的下方，具有光源521和半反射镜522。半反射镜522例如构成为矩形形状，配置为在水平方向上倾斜大致45度的状态。从位于半反射镜522的下方的光源521出射的光全部通过半反射镜522向上方照射。通过了半反射镜522的光在晶片W的背面反射之后，在半反射镜522再次反射，通过照相机51的透镜511入射到拍摄元件512。如此，所拍摄的晶片W的背面的拍摄图像的数据例如被发送至控制部100。

在该拍摄单元3中，基于控制部100的控制信号，利用旋转机构311旋转载置有晶片W的保持台31，在该状态下在周缘拍摄部4和背面拍摄部5中，使各光源421、521开启，利用照相机41、51进行拍摄。如此，能够在晶片W的周缘整周拍摄晶片表面的周缘区域Wa、晶片W的外端面Wb和晶片W的背面Wc。当晶片W旋转1周而利用照相机41、51的拍摄完成时，由照相机41、51拍摄的图像的数据被发送至后述的控制部100。

涂敷显影装置1包括控制部100。该控制部100例如如图11所示，具有CPU(中央处理器)101、存储部102、由计算机构成的程序存储部103、图像解析部104、输入部105和显示部106。在该程序存储部103中存储有编入了命令(步骤组)的程序，使得能够进行后述的涂敷膜的形成处理和参数调整。并且，通过利用该程序从控制部100向涂敷显影装置1的各部输出控制信号，能够控制涂敷显影装置1的各部的动作。该程序例如以储存在硬盘、光盘、磁光盘或存储卡等存储介质的状态存储于程序存储部中。

在存储部102存储有关于由涂敷显影装置1实施的处理的各种方案，关于参数调整，例如存储有由拍摄单元3拍摄的拍摄结果、由涂敷单元2实施的方案、后述的参考数据和实际数据等。图像解析部104具有根据由拍摄单元3拍摄的拍摄结果(图像数据)，求取去除高度和晶片背面的污染程度的功能。根据拍摄结果求取去除高度的方法将在后文叙述。输入部105具有如下功能，例如在参数调整时输入去除高度的目标值等，在设有多个涂敷单元2的情况下选择要进行调整的涂敷单元2，或者选择由涂敷单元2实施的方案等。显示部106具有例如显示参数调整的结果等的功能。

存储在程序存储部103的各种程序包括参数调整用程序。参数调整用程序具有如下功能，即判断基于晶片W的拍摄结果求取的去除高度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的去除高度和去除高度的参考数据，重新设定边缘斜面清洗的转速(冲洗转速)。所谓去除高度的参考数据是指预先生成的表示去除高度与冲洗转速的关系的数据，例如是使用与现在处理的抗蚀剂不同的抗蚀剂，或者使用与现在使用的清洗液不同的清洗液，在过去获得的数据。

此外，参数调整用程序具有如下功能，即以重新设定的冲洗转速再次由涂敷单元2对调整用的晶片进行涂敷液的涂敷和边缘斜面清洗，之后，以同样的方式判断根据拍摄结果求取的去除高度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的冲洗转速作为处理产品半导体晶片(以下称为“产品晶片”)时的参数(以下称为“处理用参数”)，存储在存储部102中。

而且，本例中的参数调整程序除了判断去除高度的动作之外，还具有如下功能，即判断基于晶片W的拍摄结果求取的污染程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的污染程度、污染程度的参考数据重新设定清洗时间。所谓污染程度的参考数据是指预先生成的表示污染程度与晶片背面的清洗时间(以下称为“清洗时间”)的关系的数据，例如是使用与现在处理的抗蚀剂不同的抗蚀剂，或者使用与现在使用的清洗液不同的清洗液，在过去获得的数据。

此外，参数调整程序具有如下功能，即以重新设定的清洗时间，由涂敷单元2对调整用的晶片W进行涂敷液的涂敷、边缘斜面清洗和背面清洗，之后，以同样的方法，判断根据拍摄结果求取的污染程度是否是容许值，若是容许值，则将重新设定的清洗时间作为处理用参数存储在存储部102中。

另外，参数调整程序构成为，能够在第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束而进行第三次的一系列动作时，冲洗转速的重新设定中，代替参考数据而使用实际数据。此处，所谓一系列动作是指由涂敷单元2对调整用的晶片W进行涂敷液的涂敷、边缘斜面清洗，之后求取去除高度并判断该去除高度是否为容许值的动作。此外，所谓实际数据是指根据第一次的一系列动作时的去除高度及冲洗转速和第二次的一系列动作时的去除高度及冲洗转速，求取的表示去除高度与冲洗转速的关系的数据。

而且，参数调整程序构成为，能够在清洗时间的重新设定中，当第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束而进行第三次的一系列动作时，代替参考数据而使用实际数据来进行清洗时间的重新设定。所谓实际数据是指根据第一次的一系列动作时的污染程度及清洗时间和第二次的一系列动作时的污染程度及清洗时间，求取的表示污染程度与清洗时间的关系的数据。此外，所谓一系列动作是指使用涂敷单元2对调整用的晶片W进行涂敷液的涂敷、背面清洗，求取污染程度，并判断该污染程度是否为容许值的动作。

此外，参数调整程序构成为，能够在第n(预先设定的3以上的自然数)次的一系列动作结束后，基于拍摄结果求取的值(去除高度和污染程度)为偏离容许值的值时，停止之后的作业。

以图12和图13为例，对由图像解析部104根据拍摄结果求取去除高度的方法的一例进行说明。图12是晶片W的边缘斜面部W0的纵截侧视图，图13是示意性地表示由拍摄单元3的周缘拍摄部4拍摄的晶片表面的周缘区域Wa的图像数据的图。在图12中，H1是边缘斜面部W0的内缘的高度位置，H2是边缘斜面部W0的外缘的高度位置，N是槽口部。此外，H3是涂敷膜10的外缘的高度位置(形成有涂敷膜10的区域与边缘斜面部W0的边界的高度位置)。

在图13中，分别示出了例如区域S1是形成有涂敷膜的区域，区域S2是未形成涂敷膜的区域(晶片的表面)，区域S3是不存在晶片的槽口部等检查对象的区域，这些区域S1～S3表现为对比度(contrast)各不相同的区域。在图12和图13中，W1是边缘斜面部与晶片表面的边界位置，W2是去除位置，W3是晶片外端位置。由于对比度不同，能够根据图像数据来检测上述位置W1、W2。如上所述，去除高度H是涂敷膜的外缘相对于边缘斜面部W0的内缘的高度尺寸，与(W1-W2)的绝对值有关，因此能够通过该(W1-W2)算出。在图像解析部104中，例如根据图像数据，获得晶片W的周向的360处位置的去除高度H的数据，求取其平均值作为去除高度H。

进一步，在图像解析部104中，在由拍摄单元3的周缘拍摄部4和背面拍摄部5拍摄的晶片的外端面和背面的图像数据中，例如也能够通过对比度的差异而掌握附着有膜残渣的区域，据此能够求取晶片W背面的涂敷液所造成的污染程度。另外，图13所示的例子是为了理解发明而举出的例子，能够根据背面的图像数据来掌握涂敷膜绕至晶片W的背面侧的状态。因此，实际上，基于由拍摄单元3的周缘拍摄部4和背面拍摄部5拍摄的晶片的外端面和背面的拍摄结果，能够求取去除高度H和污染程度。因此，晶片的背面的污染程度也包括晶片的背面和边缘斜面部的污染程度(缺陷数量)。

接下来，对由涂敷显影装置1进行的涂敷单元2中的参数的自动调整进行说明。该参数的自动调整在涂敷显影装置1启动时或维护时、在涂敷单元2中改变涂敷液或溶剂的种类的情况下、在使用新的涂敷液、溶剂或清洗液的情况下等实施。此处，参照图14～图17，以使用新的涂敷液的情况为例进行说明。

首先，在输入部105输入要进行调整的涂敷单元2、去除高度的目标值，选择存储在存储部102中的基准方案。作为基准方案，例如可以准备在进行自动参数调整时使用的标准的方案，或者也可以是使用类似的涂敷液的方案。基准方案中，例如如图15所示，存储有表示边缘斜面清洗时的去除高度与冲洗转速的关系的参考数据R1，若去除高度的目标值被设定为例如120μm，则基准方案中的冲洗转速例如被设定为800rpm。此外，例如如图16所示，基准方案中存储有表示晶片背面的涂敷液造成的污染程度与背面的清洗时间的关系的参考数据R2，设定了污染程度变为容许值L1时的清洗时间T1。

之后，从收纳有参数调整用的晶片W的运送容器C中取出晶片W，运送至涂敷单元2，如上所述形成涂敷膜，以设定的冲洗转速800rpm和清洗时间T1实施边缘斜面清洗和背面清洗。接着，将晶片W运送至拍摄单元3，如上所述，获取晶片W的外端面和背面的图像数据(步骤S1)。拍摄后的晶片W利用运送机构11被送回到例如原来的运送容器C。

接下来，在控制部100中，基于图像数据求取去除高度和污染程度(步骤2)，判断去除高度是否为容许值(步骤S3)。所谓容许值是指为作为目标的去除高度的例如±10％以内。另外，该数值是为了理解发明所列举的数值，而并非实机的一例。在该例子中，如图17的(a)所示，根据图像数据求取的去除高度为60μm。因此，进至步骤S4，重新设定冲洗转速。该重新设定是基于参考数据R1进行的，此处希望增大去除高度，因此基于参考数据R1，将冲洗转速重新设定为例如900rpm。另一方面，假设判断去除高度为容许值，则进至步骤S5、步骤S13，在步骤S13中，将此时的冲洗转速作为处理产品晶片W时的参数存储在存储部102中，冲洗转速的参数调整作业结束。

在步骤S5中，判断污染程度是否为容许值，若是容许值，则进至步骤S13，将此时的清洗时间作为处理用参数存储在存储部102中，清洗时间的参数调整作业结束。另一方面，若污染程度超过容许值，则进至步骤S6，重新设定清洗时间，进至步骤S7。该重新设定是基于参考数据R2进行的，为了使污染程度成为容许值而以清洗时间较长的方式进行重新设定。在此，以污染程度超过容许值而重新设定清洗时间为例进行说明。

在步骤S7中，使用再次将参数调整用的其他的晶片W运送至涂敷单元2，形成涂敷膜，并重新设定冲洗转速及清洗时间的方案，执行边缘斜面清洗和背面清洗。接着，使用拍摄单元3获取已述的图像数据，求取去除高度和污染程度。拍摄后的晶片W由运送机构11被送回到例如原来的运送容器10。

然后，进至步骤S8，判断去除高度是否为容许值。在该例子中，如图17的(b)所示，求取的去除高度H为90μm。因此，进至步骤S9，判断边缘斜面清洗次数是否超过设定次数，即判断一系列动作是否超过了设定次数n次。若超过了设定次数，即在第n次的一系列动作结束而去除高度仍在容许值以外时，进至步骤S14，将无法调整参数这样的内容显示在例如显示部106上，调整作业结束。之后，例如操作员通过手动进行参数调整。

在步骤S9中，若没有超过设定次数，进至步骤S10，重新设定冲洗转速。该重新设定是基于图15所示的实际数据A1进行的。图15中，D1为第一次的一系列动作时的去除高度(60μm)和冲洗转速(800rpm)的数据，D2为第二次的一系列动作时的去除高度(90μm)和冲洗转速(900rpm)的数据。根据该D1、D2，求取表示去除高度与冲洗转速的关系的实际数据A1，在进行第三次的一系列动作时，基于该实际数据A1重新设定去除高度为120μm时的转速，在本例子中重新设定为1000rpm，进至步骤S11。另一方面，假设在步骤S8中判断在第二次的一系列动作时求取的去除高度为容许值，则进至步骤S11、步骤S13。在步骤S13中，将此时的冲洗转速作为处理用参数进行存储，冲洗转速的参数调整作业结束。

在步骤S11中，判断污染程度是否为容许值，若是容许值，则进至步骤S13，将此时的冲洗时间作为处理用参数进行存储，清洗时间的参数调整作业结束。另一方面，若污染程度超过容许值，则在步骤S12中重新设定清洗时间。该重新设定是基于表示污染程度与清洗时间的关系的实际数据A2(参照图16)进行的，该实际数据A2是根据第一次的一系列动作时的污染程度及清洗时间和第二次的一系列动作时的污染程度及清洗时间求取的。

接下来，利用再次将参数调整用的另一晶片W运送至涂敷单元2，形成涂敷膜，重新设定冲洗转速和清洗时间的方案，来执行边缘斜面清洗和背面清洗。接着，根据晶片W的拍摄结果求取去除高度和污染程度(步骤S7)。像这样基于拍摄结果求取的值，成为第三次的一系列动作时的去除高度和污染程度的数据。

之后，进至步骤S8，判断去除高度是否为容许值。在本例子中，如图17的(c)所示，求取的去除高度为120μm。因此，由于是容许值，所以进至步骤S11和步骤S13，在步骤S13将重新设定的冲洗转速作为处理用参数进行存储，冲洗转速的参数调整作业结束。假设去除高度超过容许值，则进至步骤S9，判断边缘斜面清洗次数是否超过设定次数，若没有超过设定次数，则在步骤S10中重新设定冲洗转速。该重新设定是基于第一次的一系列动作时获取的数据(去除高度和冲洗转速)、第二次的一系列动作时获取的数据、第三次的一系列动作时获取的数据，求取表示去除高度与冲洗转速的关系的实际数据，并基于该实际数据进行的。以此种方式改变冲洗转速，进至步骤S11。

在步骤S11中，判断污染程度是否为容许值，若是容许值，则进至步骤S13，与作为污染程度相关的参数的背面清洗时间的参数调整结束。另一方面，若污染程度超过容许值，则在步骤S12中重新设定清洗时间。该重新设定是基于第一次的一系列动作时获取的数据(污染程度和清洗时间)、第二次的一系列动作时获取的数据、第三次的一系列动作时获取的数据，求取表示污染程度与清洗时间的关系的实际数据，并基于该实际数据进行的。在以上内容中，实际数据可以是如图15、图16所示的近似曲线，也可以是近似关系式。

像这样，在边缘斜面清洗次数没有超过设定次数的期间，若去除高度超过容许值，则重复如下作业，即重新设定冲洗转速，再次形成涂敷膜，进行边缘斜面清洗，后求取去除高度并判断是否为容许值。另外，在边缘斜面清洗次数没有超过设定次数的期间，若污染程度超过容许值，则重复如下作业，即重新设定清洗时间，再次形成涂敷膜，进行清洗处理，之后求取污染程度并判断是否为容许值。

像这样，若参数调整作业结束，则例如在该涂敷单元2，使用作为处理时的参数而存储在存储部102中的参数，对多个晶片W进行连续处理。之后，也可以拍摄处理后的晶片W，求取去除高度和污染程度并判断是否为容许值，以确认参数的合理性。此时，在去除高度和污染程度不恰当的情况下，既可以进一步进行参数的自动调整，也可以手动进行参数的微调。

根据上述的实施方式，在涂敷单元2中调整用的晶片涂敷涂敷液并进行边缘斜面清洗，接着，拍摄晶片的外端面和背面，若基于该拍摄结果求取的去除高度不是容许值，则基于参考数据重新设定冲洗转速。然后，再次在涂敷单元2中，对调整用的晶片W涂敷涂敷液，进行边缘斜面清洗，拍摄晶片并判断求取的去除高度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的冲洗转速作为产品晶片W的处理时的参数存储在存储部102中。由此，能够自动设定决定去除高度的冲洗转速，因此，与操作员手动进行冲洗转速的调整的情况相比，能够大幅削减参数调整所需要的工作量和时间，参数调整作业变得容易。

另外，除了判断除高度的动作之外，若基于晶片的外端面和背面的拍摄结果求取的污染程度不是容许值，则基于参考数据重新设定清洗时间。之后，再次在涂敷单元2中，对调整用的晶片W涂敷涂敷液，进行边缘斜面清洗，拍摄晶片并判断求取的污染程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的清洗时间作为产品晶片W的处理时的参数存储在存储部102中。由此，能够自动设定决定污染程度的清洗时间，因此，与操作员手动进行调整的情况相比，参数调整作业变得容易。

此外，在第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束进而进行第三次的一系列动作时，代替参考数据而使用实际数据，进行冲洗转速或清洗时间的重新设定，因此，重新设定的参数的精度变高。因而，参数调整所需要的时间缩短，参数调整作业愈加容易。

像这样，因为利用运送机构11自动进行从运送容器C向涂敷单元2运送晶片W、从涂敷单元2向拍摄单元3运送晶片W，并基于参考数据或实际数据自动进行参数的重新设定，所以能够高效地进行参数的调整作业。此外，因为能够不通过操作员而进行调整作业，不会受到操作员的经验的影响，因此调整作业的精度变高。而且，因为在拍摄单元3中，能够由周缘拍摄部4及背面拍摄部5同时拍摄晶片W的外端面和背面，所以就此点而言也能够缩短调整作业所需要的时间。另外，预先设定边缘斜面处理的重复次数，在超过该重复次数而去除高度或污染程度仍偏离容许值时，结束调整作业。由此，即使在自动调整困难的情况下，调整作业也会自动结束，因此，能够在适宜的时间采取后续对策。

在上文中，在涂敷显影装置1设置有多个涂敷单元的情况下，在一个涂敷单元中进行参数调整时所使用的参考数据，也可以使用对于与该一个涂敷单元涂敷的涂敷膜相同的种类的涂敷膜，已在其他涂敷单元中得到的实际数据。在涂敷显影装置1中，在设置有多个涂敷单元的情况下，通过参数的自动调整，即使涂敷单元存在个体差异，处理状态也能够一致，因而对该情况有效。

(第一实施方式的变形例)

在本实施方式中，也可以仅进行与伴随边缘斜面部的涂敷膜的除去的去除高度相关的参数的调整。换言之，也可以如下方式构成控制部100：对由涂敷单元处理的调整用的晶片，由拍摄单元拍摄晶片的外端面和背面，基于拍摄结果仅求取去除高度，判断求取的去除高度是否为容许值，若不是容许值则基于参考数据重新设定冲洗转速。然后，再次由涂敷单元涂敷涂敷液，并以重新设定的冲洗转速进行边缘斜面清洗，之后以同样的方式判断去除高度是否为容许值，若是容许值则将重新设定的冲洗转速作为产品晶片的处理时的参数存储在存储部102中。

例如在也可以为能够预先在输入部105中选择“冲洗转速和清洗时间”“冲洗转速”之一作为所要进行调整的参数，并就使用所选择的参数进行上述的调整作业。此外，在仅调整“冲洗转速”的情况下，也可以在涂敷单元中，对调整用的晶片W仅进行涂敷液的涂敷和边缘斜面清洗。在上述实施方式中，同时进行了边缘斜面清洗和背面清洗，但也可以在从边缘斜面清洗喷嘴27排出除去液并进行边缘斜面清洗后，停止从边缘斜面清洗喷嘴27排出除去液，接着从清洗喷嘴28排出清洗液进行背面清洗。在该情况下，也拍摄晶片W的外端面和背面来求取去除高度和污染程度，进行基于去除高度的冲洗转速的调整、基于污染程度的清洗时间的调整。

(第二实施方式)

该实施方式是进行使用除去液喷嘴26除去周缘部的涂敷膜的EBR处理的例子。参照图18～图21，简单说明该实施方式中的由涂敷单元2进行的处理。对载置在旋转吸盘21上的晶片W涂敷涂敷液，之后，使晶片W旋转规定时间而使液膜干燥，形成涂敷膜，至此为止与第一实施方式相同(图18)。

接着，如图19所示，一边使晶片W旋转，一边从除去液喷嘴26向晶片W的比边缘斜面部W0更靠近内侧位置的表面排出除去液，进行EBR处理。以朝向晶片W的旋转方向的下游侧且除去液的排出轨迹的延长线向涂敷膜的周缘部的外侧去的方式，从除去液喷嘴26排出除去液。由于晶片W旋转的离心力，除去液的液流以被推出晶片W的外侧的方式快速流去。由此，在除去液的供给区域，涂敷膜被除去液软化并溶解，含有被溶解的涂敷膜的成分的除去液由于离心力被推出晶片W的外侧而被除去。此时，根据从除去液喷嘴26向晶片W排出除去液的位置的不同，晶片的端部的涂敷膜的去除宽度发生变化。此外，根据进行EBR处理前的干燥时间的不同，去除面的不平整程度发生变化。

所谓去除面的不平整程度是指从涂敷膜的外缘至边缘斜面部的内缘的去除面的不平整程度。例如在晶片的周向的360处检测从涂敷膜的外缘至边缘斜面部的内缘的距离，通过该检测值求取3西格玛(3σ)，使用该3西格玛的值评价去除面的不平整程度。该去除面的不平整程度是例如由拍摄单元3的周缘拍摄部4拍摄晶片表面的周缘区域Wa，基于该拍摄结果求取的，例如获取从涂敷膜的外缘至边缘斜面部的内缘的距离作为去除高度H。去除面的不平整程度取决于进行EBR处理前的涂敷膜的干燥处理的干燥时间，干燥时间越长，则涂敷膜干燥，越难溶于溶剂，能够缓和去除面的不平整程度。

接下来，如图20所示，在使晶片W旋转的状态下，从背面清洗喷嘴28向晶片W背面排出清洗液，进行晶片背面的清洗。在该背面清洗中，与第一实施方式同样，清洗时间越长，则污染程度越小。像这样，在进行了EBR处理和背面清洗后，如图21所示，停止从背面清洗喷嘴28排出清洗液，接着使晶片W旋转以甩掉晶片W上的除去液和清洗液而使晶片W干燥。

本实施方式的控制部100构成为在图像解析部104，根据晶片表面的拍摄结果求取去除面的不平整程度，如上所述根据晶片外端面和背面的拍摄结果求取污染程度。而且，本例的参数调整用程序中，代替第一实施方式中基于去除高度调整冲洗转速的功能，而具有基于去除面的不平整程度调整EBR处理前的干燥时间的功能。去除面的不平整程度的判断动作，以及根据晶片W的拍摄结果求取污染程度并基于该污染程度来调整清洗时间的功能等其他功能，与第一实施方式相同，省略说明。

关于干燥时间的调整，控制部100的参数调整程序具有如下功能：判断基于晶片W的拍摄结果求取的去除面的不平整程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的不平整程度和去除面的不平整程度的参考数据，重新设定EBR处理前的干燥时间。所谓参考数据是指预先生成的表示去除面的不平整程度与干燥时间的关系的数据。此外，具有如下功能：以重新设定的干燥时间，在涂敷单元2中对调整用的晶片W涂敷涂敷液并进行干燥和EBR处理，之后，以同样的方式判断根据拍摄结果求取的去除面的不平整程度是否为容许值。并且，具有若是容许值，则将重新设定的干燥时间作为产品晶片的处理时的参数存储在存储部102中的功能。

此外，参数调整程序构成为，能够在第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束而进行第三次的一系列动作时，在干燥时间的重新设定中代替参考数据而使用实际数据。所谓实际数据是指根据第一次的一系列动作时的去除面的不平整程度及干燥时间和第二次的一系列动作时的去除面的不平整程度及干燥时间求取的、表示去除面的不平整程度与干燥时间的关系的数据。

参照图22和图23，以与第一实施方式不同之处为中心，对本实施方式中的参数的自动调整进行简单说明。首先，在输入部105，选择要进行调整的涂敷单元2、存储在存储部102中的基准方案。基准方案中存储有例如如图23所示的表示去除面的不平整程度与干燥时间的关系的参考数据R3和表示污染程度与背面的清洗时间的关系的参考数据R2(参照图16)。通过选择基准方案，设定例如去除面的不平整程度的容许值L2和干燥时间T2、污染程度的容许值L1和清洗时间T1。

之后，如上所述，在涂敷单元2中，对参数调整用的晶片W涂敷涂敷液，以设定的干燥时间T2进行干燥，实施EBR处理，并以设定的清洗时间进行背面清洗。接着，由拍摄单元3拍摄晶片W，获取晶片W的周缘区域Wa、边缘斜面部W0和背面区域Wb的图像数据(步骤S21)。

接下来，基于图像数据，求取去除宽度、去除面的不平整程度和污染程度(步骤S22)，基于去除宽度调整来自除去液喷嘴26的除去液的排出位置(涂敷膜上的除去液的着落位置)(步骤S23)。然后，判断去除面的不平整程度是否为容许值(步骤S24)。若是容许值，进至步骤S26、步骤S34，在步骤S34中，将此时的干燥时间T2作为处理产品晶片时的参数存储在存储部102中，结束干燥时间的参数调整作业。

若超过容许值，则进至步骤S25，基于参考数据R3以增加干燥时间的方式进行重新设定，进至步骤S26。在步骤S26中，判断污染程度是否为容许值，若是容许值，则进至步骤S34，将此时的清洗时间T1作为处理产品晶片时的参数存储在存储部102中，结束清洗时间的参数调整作业。另一方面，若污染程度超过容许值，则基于参考数据R2以增加清洗时间的方式进行重新设定(步骤S27)。

接下来，例如在涂敷单元2中，对参数调整用的另一晶片W涂敷涂敷液，以重新设定的干燥时间进行干燥处理，进行EBR处理，并以重新设定的清洗时间进行背面清洗，由拍摄单元3拍摄晶片W以获取图像数据，求取去除面的不平整程度和污染程度(步骤S28)。

随后，在步骤S29中，判断去除面的不平整程度是否为容许值，若是容许值，则进至步骤S32、步骤S34，在步骤S34中，将此时的干燥时间作为处理用参数进行存储，结束干燥时间的调整作业。若去除面的不平整程度超过容许值，则进至步骤S30，判断EBR处理次数是否超过设定次数。若超过设定次数，则进至步骤S35，将无法调整参数这样的内容显示在例如显示部106上，结束调整作业。

在步骤S30中，若没有超过设定次数，则进至步骤S31，重新设定干燥时间，进至步骤S32。该重新设定是基于实际数据A3进行的，该实际数据A3是根据第一次的一系列动作时的去除面的不平整程度及干燥时间和第二次的一系列动作时的去除面的不平整程度及干燥时间求取的，并表示去除面的不平整程度与干燥时间的关系。

在步骤S32中，判断污染程度是否为容许值，若是容许值，则进至步骤S34，将此时的清洗时间作为处理用的参数进行存储，结束清洗时间的调整作业。另一方面，若污染程度超过容许值，则在步骤S33中重新设定清洗时间。该重新设定是基于根据第一次的一系列动作时的污染程度及清洗时间和第二次的一系列动作时的污染程度及清洗时间求取的、表示污染程度与清洗时间的关系的实际数据进行的。

接下来，例如在涂敷单元2中，对参数调整用的另一晶片W涂敷涂敷液，以重新设定的干燥时间进行干燥处理，进行EBR处理，并以重新设定的清洗时间进行背面清洗，获取图像数据以求取去除面的不平整程度和污染程度(步骤S28)。这样，在EBR处理次数没有超过设定次数的期间，若去除面的不平整程度超过容许值，则重复如下作业，即重新设定干燥时间，再次形成涂敷液，并进行干燥、EBR处理之后，求取去除面的不平整程度并判断是否为容许值。此外，在EBR处理次数没有超过设定次数的期间，若污染程度超过容许值，则重复如下作业，即重新设定清洗时间，再次形成涂敷膜并进行清洗处理之后，求取污染程度并判断是否为容许值。

根据本实施方式，利用运送机构11将由涂敷单元2处理的调整用晶片运送至拍摄单元3，判断基于该调整用晶片的表面的拍摄结果求取的去除面的不平整程度是否为容许值。若不是容许值，则基于求取的去除面的不平整程度和预先生成的表示去除面的不平整程度与干燥时间的关系的参考数据来重新设定干燥时间，再次由涂敷单元2进行处理。之后，以同样的方式，判断去除面的不平整程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的干燥时间作为处理时的参数存储在存储部102中，因此，能够自动调整干燥时间，能够容易地进行参数调整。

而且，由于在第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束进而进行第三次的一系列动作时，在去除面的不平整程度的重新设定中，代替参考数据而使用实际数据，因此能够提高重新设定的参数的精度。因此，能够缩短参数调整所需要的时间，参数调整作业变得更为容易。

此外，判断基于调整用晶片的表面的拍摄结果求取的污染程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的污染程度和预先生成的表示污染程度与清洗时间的关系的参考数据，来重新设定清洗时间，因此，能够自动调整清洗时间，能够容易地进行参数调整。其他效果与第一实施方式的效果相同。

在上文中，在本实施方式中，也可以仅进行与去除面的不平整程度相关的参数的调整。换言之，以如下方式构成控制部100：对于由涂敷单元处理的调整用的晶片，利用拍摄单元拍摄晶片的表面，基于拍摄结果仅求取去除面的不平整程度，判断求取的去除面的不平整程度是否为容许值，若不是容许值则基于参考数据重新设定干燥时间。然后，再次在涂敷单元中涂敷涂敷液，以重新设定的干燥时间进行干燥，并进行EBR处理之后，以同样的方式判断去除面的不平整程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的干燥时间作为处理产品晶片时的参数存储在存储部102中。

在第一实施方式和第二实施方式中，在控制部100中进行图像数据的解析，但也可以设置控制涂敷显影装置1的主控制部和控制拍摄单元3的专用的控制器，由控制器来进行图像数据的解析。在该情况下，由主控制部和控制器构成本发明的控制部。此外，在上述实施方式中，准备了多个参数调整用的晶片W，但也可以在重新设定参数并再次由涂敷单元2进行处理的情况下，一旦除去由涂敷单元2处理过的参数调整用的晶片W的涂敷膜之后，再次由涂敷单元2进行处理。在上文中，拍摄单元不限于上述例子，也可以是另外设置的用于拍摄晶片表面的拍摄部。

接下来，参照图24的俯视图和图25的纵截侧视图，对涂敷显影装置1的整体构成进行说明。涂敷显影装置1以在横向以直线状连接成为送入送出区块的运载区块S1、处理区块S2和接口区块S3的方式构成。图中S4是曝光装置。利用运送机构83，将载置于运载区块S1的载置台81的运送容器C内的晶片W经由开闭部82在运载区块S1与处理区块S2之间进行交接。

处理区块S2以从下方依次层叠对晶片W进行液处理的单位区块E1～E6的方式构成，在这些单位区块E1～E6中彼此并行地进行晶片W的运送和处理。单位区块E1、E2以彼此相同的方式构成，单位区块E3、E4以彼此相同的方式构成，单位区块E5、E6以彼此相同的方式构成。

上述涂敷单元2和拍摄单元3设置于单位区块E3、E4。图24是单位区块E3、E4的俯视图，涂敷单元3设置于运送机构F3的运送路径12的一侧，在设置于运送路径12的另一侧的架组件71设置有上述的涂敷单元2、拍摄单元3和加热模块13。

除了向晶片W供给的药液不同之外，单位区块E1、E2、E5、E6以与单位区块E3、E4相同的方式构成。单位区块E1、E2中，代替涂敷单元2，而具有向晶片W供给防反射膜形成用的药液的防反射膜形成模块。单位区块E5、E6中，代替涂敷单元2，而具有向晶片W供给作为药液的显影液而使抗蚀剂膜显影的显影模块。在图25中，将各单位区块E1～E6的运送机构表示为F1～F6。

在处理区块S2的运载区块S1侧，设置有以跨各单位区块E1～E6的方式上下延伸的塔72和用于对塔72进行晶片W的交接的升降自如的运送机构84。塔72由相互层叠的多个模块构成，具有载置有晶片W的交接模块TRS。

接口区块S3具有以跨单位区块E1～E6的方式上下延伸的塔73、74、75，设置有用于对塔73和塔74进行晶片W的交接的升降自如的运送机构85；用于对塔73和塔75进行晶片W的交接的升降自如的运送机构86；和用于在塔73与曝光装置S4之间进行晶片W的交接的运送机构87。

塔73以将交接模块TRS、存储曝光处理前的多个晶片W并使其停留的缓冲模块、存储曝光处理后的多个晶片W的缓冲模块和进行晶片W的温度调节的温度调节模块SCPL等相互层叠的方式构成，但此处，省略缓冲模块和温度调节模块的图示。在图1中，作为兼具运送机构83和运送机构F3、F4的功能的运送机构，描绘了半导体晶片运送机构11，而省略了交接模块等。

在由该涂敷显影装置1和曝光装置S4构成的系统中，对产品用的晶片W的运送路径进行简单说明。晶片W由运送机构83从运送容器C被运送至处理区块S2中的塔72的交接模块TRS0，晶片W从此处被分配给单位区块E1、E2而进行运送。

将被分配的晶片W按照交接模块TRS1(TRS2)→防反射膜形成模块→加热模块→交接模块TRS1(TRS2)的顺序运送，接下来，由运送机构84分配到与单位区块E3对应的交接模块TRS3和与单位区块E4对应的交接模块TRS4。

如此分配到交接模块TRS3、TRS4的晶片W在从交接模块TRS3(TRS4)到单位区块E3(E4)内，依次使用涂敷单元2和加热模块13进行处理后，被运送至塔73的交接模块TRS31(TRS41)。之后，晶片W由运送机构85、87经由塔74被送入曝光装置S4，对抗蚀剂膜进行曝光。

曝光后的晶片W由运送机构86、87在塔73、75间运送，并被分别运送至与单位区块E5、E6对应的塔73的交接模块TRS51、TRS61。之后，晶片W被运送至加热模块而进行所谓的曝光后烘烤(PEB：post exposure bake)。接着，晶片W被运送至显影模块并被供给显影液，形成抗蚀剂图案。之后，晶片W被运送至塔72的交接模块TRS5、TRS6后，经由运送机构83返回到运送容器C。

Claims (18)

1.一种用于在半导体晶片上形成涂敷膜的基片处理装置，其特征在于，包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其能够对从运送到所述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液，之后一边使半导体晶片旋转，一边从用于除去边缘斜面部的膜的喷嘴向半导体晶片的边缘斜面部排出除去液，以除去边缘斜面部的涂敷膜；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；

半导体晶片运送机构，其在所述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片；和

控制部，其进行控制，使得拍摄被所述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的外端面和背面，基于拍摄结果求取涂敷膜的外缘相对于半导体晶片的边缘斜面部的内缘的高度尺寸，判断求取的高度尺寸是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的高度尺寸和预先生成的表示所述高度尺寸与半导体晶片的转速的关系的参考数据重新设定半导体晶片的转速，再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去边缘斜面部的涂敷膜，之后以同样的方式判断所述高度尺寸是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的半导体晶片的转速作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

将从由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去边缘斜面部的涂敷膜起，至判断所述高度尺寸是否为容许值的动作称为一系列动作，当第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束进而进行第三次的一系列动作时，所述半导体晶片的转速的重新设定中，代替使用所述参考数据而使用实际数据，

所述实际数据是根据第一次的一系列动作时的半导体晶片的转速及所述高度尺寸和第二次的一系列动作时的半导体晶片的转速及所述高度尺寸求取的、表示所述高度尺寸与半导体晶片的转速的关系的数据。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述涂敷单元构成为，能够对半导体晶片涂敷涂敷液后，进而从背面清洗喷嘴排出清洗液，一边使半导体晶片旋转一边清洗背面，

所述控制部构成为，能够基于所述拍摄结果，除所述高度尺寸的判断动作之外，还求取半导体晶片的背面的涂敷液所造成的污染程度，判断求取的污染程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的污染程度和预先生成的表示所述污染程度与半导体晶片的背面的清洗时间的关系的参考数据重新设定半导体晶片的背面的清洗时间，再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液，除去边缘斜面部的涂敷膜并清洗背面，之后，以同样的方式判断所述污染程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的半导体晶片的背面的清洗时间作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中。

4.一种用于在半导体晶片上形成涂敷膜的基片处理装置，其特征在于，包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其对从运送到所述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液，之后一边使半导体晶片旋转，一边从用于除去周缘部的膜的喷嘴向半导体晶片的比边缘斜面部更靠近内侧位置的表面排出除去液，以除去所述周缘部的涂敷膜；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；

半导体晶片运送机构，其在所述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片；和

控制部，其进行控制，使得拍摄被所述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的表面，基于拍摄结果，求取从涂敷膜的外缘至半导体晶片的边缘斜面部的内缘的去除面的不平整程度，判断求取的去除面的不平整程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的去除面的不平整程度和预先生成的表示所述去除面的不平整程度与除去周缘部的涂敷膜前为了使涂敷膜干燥而对涂敷膜进行干燥的干燥时间的关系的参考数据重新设定对涂敷膜进行干燥时的干燥时间，再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去周缘部的涂敷膜，之后，以同样的方式判断所述去除面的不平整程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的所述干燥时间作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中。

5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：

将从由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液开始，至判断所述去除面的不平整程度是否为容许值的动作称为一系列动作，当第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束进而进行第三次的一系列动作时，对所述涂敷膜进行干燥时的干燥时间的重新设定中，代替使用所述参考数据而使用实际数据，

所述实际数据是根据第一次的一系列动作时的所述干燥时间及所述去除面的不平整程度和第二次的一系列动作时的所述干燥时间及所述去除面的不平整程度求取的、表示所述去除面的不平整程度与所述干燥时间的关系的数据。

6.如权利要求4或5所述的基片处理装置，其特征在于：

所述涂敷单元构成为，能够在对半导体晶片涂敷涂敷液后，进而从背面清洗喷嘴排出清洗液，一边使半导体晶片旋转一边清洗背面，

所述控制部构成为，能够拍摄被所述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的外端面和背面，基于该拍摄结果，除所述去除面的不平整程度的判断动作之外，还求取半导体晶片的背面的涂敷液所造成的污染程度，判断求取的污染程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的污染程度和预先生成的表示所述污染程度与半导体晶片的背面的清洗时间的关系的参考数据重新设定半导体晶片的背面的清洗时间，再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液，除去所述周缘部的涂敷膜并清洗背面，之后，以同样的方式判断所述污染程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的半导体晶片的背面的清洗时间作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中。

7.如权利要求3或6所述的基片处理装置，其特征在于：

将从由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液起，至判断所述污染程度是否为容许值的动作称为一系列动作，当第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束进而进行第三次的一系列动作时，所述清洗时间的重新设定中，代替使用所述参考数据而使用实际数据，

所述实际数据是根据第一次的一系列动作时的所述清洗时间及所述污染程度和第二次的一系列动作时的所述清洗时间及所述污染程度求取的、表示所述清洗时间与所述污染程度的关系的数据。

8.如权利要求1～7的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部在完成第n次的一系列动作结束而基于所述拍摄结果求取的值偏离容许值时，停止之后的作业，其中n为预先设定的3以上的自然数。

9.如权利要求1～8的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

一个涂敷单元中所使用的所述参考数据能够使用对于与该一个涂敷单元涂敷的涂敷膜相同的种类的涂敷膜，已由其他涂敷单元得到的实际数据。

10.一种调整基片处理装置中的涂敷单元进行处理时的参数的调整方法，

所述基片处理装置用于在半导体晶片上形成涂敷膜，其包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其对从运送至所述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液，之后，一边使半导体晶片旋转一边从用于除去边缘斜面部的膜的喷嘴向半导体晶片的边缘斜面部排出除去液，以除去边缘斜面部的涂敷膜；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；和

半导体晶片运送机构，其在所述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片，

所述涂敷单元的参数的调整方法的特征在于，包括：

拍摄被所述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的外端面和背面的工序；

基于拍摄结果求取涂敷膜的外缘相对于半导体晶片的边缘斜面部的内缘的高度尺寸，判断求取的高度尺寸是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的高度尺寸和预先生成的表示所述高度尺寸与半导体晶片的转速的关系的参考数据重新设定半导体晶片的转速的工序；和

再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去边缘斜面部的涂敷膜，之后，以相同的方式判断所述高度尺寸是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的半导体晶片的转速作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中的工序。

11.如权利要求10所述的涂敷单元的参数的调整方法，其特征在于：

将从由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去边缘斜面部的涂敷膜起，至判断所述高度尺寸是否为容许值的动作称为一系列动作，在第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束进而进行第三次的一系列动作时，所述半导体晶片的转速的重新设定中，代替使用所述参考数据而使用实际数据，

所述实际数据是表示根据第一次的一系列动作时的半导体晶片的转速及所述高度尺寸和第二次的一系列动作时的半导体晶片的转速及所述高度尺寸求取的、表示所述高度尺寸与半导体晶片的转速的关系的数据。

12.如权利要求10或11所述的涂敷单元的参数的调整方法，其特征在于：

所述涂敷单元构成为，能够对半导体晶片涂敷涂敷液后，进而从背面清洗喷嘴排出清洗液，一边使半导体晶片旋转一边清洗背面，

所述涂敷单元的参数的调整方法包括：

基于所述拍摄结果，除所述高度尺寸的判断动作之外，还求取半导体晶片的背面的涂敷液所造成的污染程度，判断求取的污染程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的污染程度和预先生成的表示所述污染程度与半导体晶片的背面的清洗时间的关系的参考数据重新设定半导体晶片的背面的清洗时间的工序；和

再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液，除去边缘斜面部的涂敷膜并清洗背面，之后，以同样的方式判断所述污染程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的半导体晶片的背面的清洗时间作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中的工序。

13.一种调整基片处理装置中的涂敷单元进行处理时的参数的调整方法，

所述基片处理装置用于在半导体晶片上形成涂敷膜，其包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其对从运送至所述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液，之后一边使半导体晶片旋转，一边从用于除去周缘部的膜的喷嘴向半导体晶片的比边缘斜面部更靠近内侧位置的表面排出除去液，以除去所述周缘部的涂敷膜；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；和

半导体晶片运送机构，其在所述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片，

所述涂敷单元的参数的调整方法的特征在于，包括：

拍摄由所述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的表面的工序；

基于拍摄结果，求取从涂敷膜的外缘至半导体晶片的边缘斜面部的内缘的去除面的不平整程度，判断求取的去除面的不平整程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的去除面的不平整程度和预先生成的表示所述去除面的不平整程度与除去周缘部的涂敷膜前为了使涂敷膜干燥而对涂敷膜进行干燥的干燥时间的关系的参考数据重新设定对涂敷膜进行干燥时的干燥时间的工序；和

再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液并除去周缘部的涂敷膜，之后，以同样的方式判断所述去除面的不平整程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的所述干燥时间作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中的工序。

14.如权利要求13所述的涂敷单元的参数的调整方法，其特征在于：

将从由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液起，至判断所述去除面的不平整程度是否为容许值的动作称为一系列动作，当第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束进而进行第三次的一系列动作时，对所述涂敷膜进行干燥时的干燥时间的重新设定中，代替使用所述参考数据而使用实际数据，

所述实际数据是根据第一次的一系列动作时的所述干燥时间及所述去除面的不平整程度和第二次的一系列动作时的所述干燥时间及所述去除面的不平整程度求取的、表示所述去除面的不平整程度与所述干燥时间的关系的数据。

15.如权利要求13或14所述的涂敷单元的参数的调整方法，其特征在于：

所述涂敷单元构成为，能够对半导体晶片涂敷涂敷液后，进而从背面清洗喷嘴排出清洗液，一边使半导体晶片旋转一边清洗背面，

所述涂敷单元的参数的调整方法包括：

基于由所述涂敷单元处理后的调整用的半导体晶片的外端面和背面的拍摄结果，除所述去除面的不平整程度的判断动作之外，还求取半导体晶片的背面的涂敷液所造成的污染程度，判断求取的污染程度是否为容许值，若不是容许值，则基于求取的污染程度和预先生成的表示所述污染程度与半导体晶片的背面的清洗时间的关系的参考数据重新设定半导体晶片的背面的清洗时间的工序；和

再次由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液，除去所述周缘部的涂敷膜并清洗背面，之后，以同样的方式判断所述污染程度是否为容许值，若是容许值，则将重新设定的半导体晶片的背面的清洗时间作为处理产品半导体晶片时的参数存储在存储部中的工序。

16.如权利要求12或15所述的涂敷单元的参数的调整方法，其特征在于：

将从由涂敷单元对调整用的半导体晶片涂敷涂敷液，至判断所述污染程度是否为容许值的动作称为一系列动作，当第一次的一系列动作、第二次的一系列动作结束进而进行第三次的一系列动作时，所述清洗时间的重新设定中，代替使用所述参考数据而使用实际数据，

所述实际数据是根据第一次的一系列动作时的所述清洗时间及所述污染程度和第二次的一系列动作时的所述清洗时间及所述污染程度求取的、表示所述清洗时间与所述污染程度的关系的数据。

17.如权利要求10～16的任一项所述的涂敷单元的参数的调整方法，其特征在于：

一个涂敷单元中使用得所述参考数据，能够使用对于与由该一个涂敷单元涂敷的涂敷膜相同种类的涂敷膜，已由其他的涂敷单元得到的实际数据。

18.一种存储有在基片处理装置中使用的计算机程序的存储介质，

所述基片处理装置用于在半导体晶片上形成涂敷膜，其包括：

送入送出区块，其用于送入送出对多个半导体晶片进行运送的运送容器；

涂敷单元，其对从运送至所述送入送出区块的运送容器中取出的半导体晶片涂敷涂敷液；

拍摄单元，其具有用于拍摄半导体晶片的拍摄部；和

半导体晶片运送机构，其在所述涂敷单元与拍摄单元之间运送半导体晶片，

所述存储介质的特征在于：

所述计算机程序包括步骤组，其用于执行权利要求10至17的任一项所述的、调整所述涂敷单元进行处理时的参数的方法。