TW202133223A - 基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於令液體處理的實行結果很容易接近目標處理結果。為了達成上述目的，本發明之基板處理方法，對基板實施液體處理，該液體處理包含：塗布處理，其包含以第1旋轉速度令該基板旋轉，同時向該基板的表面噴吐處理液的步驟；以及乾燥處理，其包含在該塗布處理之後以第2旋轉速度令該基板旋轉，以令該基板的表面上的該處理液的被膜乾燥的步驟；該基板處理方法包含以下步驟：根據以既定基準條件實行該液體處理所得到的該被膜的膜厚分布與預先設定的該被膜的目標膜厚分布，對於決定該基準條件中之比該乾燥處理以該第2旋轉速度令該基板開始旋轉更前段的該液體處理的條件的至少1個參數，進行調整；以及依照在該基準條件中之對該至少1個參數進行調整所得到的控制條件，對該基板實施該液體處理。

Description

基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置

本發明係關於一種基板處理方法、記錄媒體以及基板處理裝置。

於專利文獻1，揭示了一種半導體處理裝置，其具備對被溫度控制機構控制溫度的被處理物實施既定處理的處理機構。該半導體處理裝置的控制機構，將上述處理機構的處理條件，變更為依周圍溫度的處理條件。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平4－99018號公報

[發明所欲解決的問題]

在基板處理裝置中，作為基板處理之一，有時會實行使用處理液的液體處理。本發明提供一種基板處理方法、記錄媒體以及基板處理裝置，其可令液體處理的實行結果很容易接近目標處理結果。 [解決問題的手段]

本發明一例示之實施態樣的基板處理方法，對基板實施液體處理，該液體處理包含：塗布處理，其包含以第1旋轉速度令該基板旋轉，同時向該基板的表面噴吐處理液的步驟；以及乾燥處理，其包含在該塗布處理之後以第2旋轉速度令該基板旋轉，以令該基板的表面上的該處理液的被膜乾燥的步驟；該基板處理方法包含以下步驟：根據以既定基準條件實行該液體處理所得到的該被膜的膜厚分布與預先設定的該被膜的目標膜厚分布，對於決定該基準條件中之比該乾燥處理以該第2旋轉速度令該基板開始旋轉更前段的該液體處理的條件的至少1個參數，進行調整；以及依照在該基準條件中之對該至少1個參數進行調整所得到的控制條件，對該基板實施該液體處理。 [發明的功效]

若根據本發明，便可提供一種基板處理方法、記錄媒體以及基板處理裝置，其可令液體處理的實行結果很容易接近目標處理結果。

以下，針對各種例示之實施態樣進行說明。

一例示之實施態樣的基板處理方法，對基板實施液體處理，液體處理包含：塗布處理，其包含以第1旋轉速度令基板旋轉，同時向基板的表面噴吐處理液的步驟；以及乾燥處理，其包含在塗布處理之後以第2旋轉速度令基板旋轉，以令基板的表面上的處理液的被膜乾燥的步驟；基板處理方法包含以下步驟：根據以既定基準條件實行液體處理所得到的被膜的膜厚分布與預先設定的被膜的目標膜厚分布，在基準條件之中，對決定比乾燥處理以第2旋轉速度令基板開始旋轉更前段的液體處理的條件的至少1個參數，進行調整；以及依照在基準條件之中對至少1個參數進行調整所得到的控制條件，對基板實施液體處理。吾人認為，比乾燥處理以第2旋轉速度令基板開始旋轉更前段的液體處理的條件，會對液體處理的實行結果（亦即膜厚分布）造成很大的影響。在上述方法中，由於係對決定比乾燥處理以第2旋轉速度令基板開始旋轉更前段的液體處理的條件的參數進行調整，故可令液體處理的實行結果很容易接近目標處理結果。

塗布處理，亦可更包含在處理液噴吐結束之後，以與第1旋轉速度相異的第3旋轉速度令基板旋轉的步驟。吾人認為，在處理液噴吐結束之後所實行的基板旋轉的條件，亦會對膜厚分布造成很大的影響。當係調整關於噴吐結束之後的基板旋轉的參數時，便可輕易地調整條件。

調整至少1個參數的步驟，亦可包含：調整從第1旋轉速度、處理液的噴吐時間、處理液的噴吐速度、第3旋轉速度、以第3旋轉速度令基板旋轉的時間、在處理液噴吐開始時點的基板溫度以及處理液的溫度構成的群組所選出的至少1個參數的步驟。由於上述群組所包含的複數個參數的其中任1個改變，膜厚分布便跟著變動，故可調整實行結果的膜厚分布，令其接近目標膜厚分布。

液體處理，亦可更包含在塗布處理之前調整基板溫度的基板調溫處理。調整至少1個參數的步驟，亦可包含調整在處理液噴吐開始時點的基板溫度的步驟。調整在處理液噴吐開始時點的基板溫度的步驟，亦可包含調整基板調溫處理的目標溫度的步驟。此時，便可在基板調溫處理中調整在噴吐開始時點的基板溫度。因此，當吾人調整在噴吐開始時點的基板溫度時，便可輕易地調整條件。

調整至少1個參數的步驟，亦可包含「產生令『構成基準條件的複數個參數各自的變化』與『被膜的膜厚分布的推定值』互相對應的推定資訊」的步驟，以及「根據推定資訊，算出至少1個參數的調整量」的步驟。此時，便可以定量的方式判斷液體處理的條件的變更對膜厚分布所造成的影響。藉此，便可不依賴操作者等的技能或經驗，而以實行液體處理所得到的膜厚分布接近目標膜厚分布的方式，調整液體處理的條件。

算出至少1個參數的調整量的步驟，亦可包含「從複數個參數之中，選出『根據推定資訊的被膜膜厚分布的預測接近目標膜厚分布』的調整對象參數」的步驟，以及「依接近目標膜厚分布時的調整對象參數的值，算出至少1個參數的調整量」的步驟。此時，由於係根據推定資訊選出應調整的參數，故可縮短用以調整液體處理的條件的時間。

亦可對複數個參數預先設定優先順位。從複數個參數之中選出調整對象參數的步驟，亦可包含根據優先順位選出調整對象參數的步驟。此時，由於係根據優先順位選出應調整的參數，故可更容易地調整液體處理的條件。

複數個參數，亦可包含「推定資訊所包含的被膜的膜厚分布推定值具有互相抵銷關係」的一對逆相關參數。從複數個參數之中選出調整對象參數的步驟，亦可包含「以調整對象參數並未包含一對逆相關參數的方式，從複數個參數之中選出調整對象參數」的步驟。此時，由於可降低應調整參數的數量增多到必要數量以上的可能性，故可簡單地實行參數的調整。

產生推定資訊的步驟，亦可包含：在複數個參數之中令1個參數以複數個階段變化，實行液體處理，並針對變化的各階段取得被膜的膜厚分布的第1實測值的步驟；以及根據實測值，針對基板的複數個位置，分別產生表示依1個參數的被膜的膜厚變化的複數個迴歸式的步驟。此時，藉由複數個迴歸式，針對並未得到實測值的參數值，亦可獲得膜厚的預測值。

產生推定資訊的步驟，亦可包含：在複數個參數之中令2個參數以複數個階段各自變化，實行液體處理，並針對變化的階段的各組合，取得被膜的膜厚分布的第2實測值的步驟；以及根據實測值，針對基板的複數個位置，分別產生包含2個參數的交互影響且表示依2個參數的被膜的膜厚變化的複數個模型公式的步驟。根據參數組合的不同，一方參數的變化，有時會對另一方參數所對應的膜厚變化幅度造成影響。在上述構成中，由於產生考慮到交互影響的模型公式，故可精度更良好地預測膜厚。

一例示之實施態樣的記錄媒體，係記憶了用以令裝置實行上述基板處理方法的程式的電腦可讀取記錄媒體。

一例示之實施態樣的基板處理裝置，包含：液體處理單元，其實行液體處理；以及控制單元，其控制液體處理單元；液體處理包含：塗布處理，其包含以第1旋轉速度令基板旋轉，同時向基板的表面噴吐處理液的步驟；以及乾燥處理，其包含在塗布處理之後以第2旋轉速度令基板旋轉，以令基板的表面上的處理液的被膜乾燥的步驟。控制單元，實行以下步驟：根據以既定基準條件令液體處理單元實行液體處理所得到的被膜的膜厚分布與預先設定的被膜的目標膜厚分布，在基準條件之中，對決定比乾燥處理以第2旋轉速度令基板開始旋轉更前段的液體處理的條件的至少1個參數，進行調整；以及依照在基準條件之中對至少1個參數進行調整所得到的控制條件，利用液體處理單元對基板實施液體處理。此時，與上述之基板處理方法同樣，可令液體處理的實行結果很容易接近目標的處理結果。

以下，參照圖式針對一實施態樣進行說明。在說明中，相同的要件或具有相同功能的要件會附上相同的符號，並省略重複說明。

[基板處理系統] 圖1所示的基板處理系統1（基板處理裝置），係對工作件W，實施感光性被膜的形成、該感光性被膜的曝光，以及該感光性被膜的顯影的系統。作為處理對象的工作件W，例如為基板，或是藉由實施既定處理而形成了膜層以及電路等的狀態的基板。工作件W所包含的基板，例如為含矽的晶圓。工作件W（基板），亦可形成圓形。作為處理對象的工作件W，可為玻璃基板、遮罩基板、FPD（Flat Panel Display，平面顯示器）等，亦可為對該基板等實施既定處理所得到的中間體。感光性被膜，例如為光阻膜。

基板處理系統1，具備：塗布顯影裝置2、曝光裝置3，以及控制裝置100（控制單元）。曝光裝置3，係對形成於工作件W（基板）的光阻膜（感光性被膜）進行曝光的裝置。具體而言，曝光裝置3，利用浸液曝光等方法，對光阻膜的曝光對象部分照射能量線。塗布顯影裝置2，在曝光裝置3的曝光處理之前，實行對工作件W的表面塗布光阻（藥液）以形成光阻膜的處理，並在曝光處理之後，實行光阻膜的顯影處理。

（基板處理裝置） 以下，作為基板處理裝置的一例，對塗布顯影裝置2的構造進行說明。如圖1以及圖2所示的，塗布顯影裝置2，具備：載體區塊4、處理區塊5，以及介面區塊6。

載體區塊4，實行將工作件W導入塗布顯影裝置2內的步驟，以及從塗布顯影裝置2內導出工作件W的步驟。例如，載體區塊4，可支持工作件W用的複數個載體C，並內建了包含傳遞臂在內的搬運裝置A1。載體C，例如收納複數枚圓形的工作件W。搬送裝置A1，從載體C取出工作件W並傳遞到處理區塊5，或從處理區塊5接收工作件W並送回到載體C內。處理區塊5，具有複數個處理模組11、12、13、14。

處理模組11，內建了塗布單元U1、熱處理單元U2，以及將工作件W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組11，利用塗布單元U1以及熱處理單元U2，在工作件W的表面上形成下層膜。塗布單元U1，將下層膜形成用的處理液塗布在工作件W上。熱處理單元U2，實行伴隨下層膜的形成步驟的各種熱處理。

處理模組12（液體處理單元），內建了塗布單元U1、熱處理單元U2，以及將工作件W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組12，實行包含利用塗布單元U1以及熱處理單元U2在下層膜上形成光阻膜的步驟在內的液體處理。塗布單元U1，將光阻膜形成用的處理液（光阻）塗布在下層膜之上。熱處理單元U2，實行伴隨被膜的形成步驟的各種熱處理。

處理模組12，亦可更具有溫度調整部16與膜厚測定部18。溫度調整部16，在塗布單元U1對工作件W供給光阻之前，實行調整工作件W的溫度的處理（以下稱為「基板調溫處理」）。溫度調整部16，例如，藉由冷卻工作件W，以調整該工作件W的溫度。溫度調整部16，可用任何方法實行工作件W的冷卻，作為冷卻方法的一例，可列舉出：冷卻板的冷卻、預濕稀釋劑的冷卻，以及對工作件W的背面供給純水等液體或液霧的冷卻。

膜厚測定部18，取得形成於工作件W的表面Wa的光阻膜的厚度的相關資訊（以下稱為「膜厚資訊」）。膜厚測定部18，例如，取得工作件W的表面Wa的拍攝影像的畫素值，作為膜厚資訊。畫素值，係表示構成影像的畫素各自的狀態的數值。例如，畫素值，係表示畫素的色彩濃淡程度（例如黑白影像的灰階）的數值。在表面Wa的拍攝影像中，畫素值，會依畫素的拍攝對象部分的高度而變動。亦即，畫素值，也會依該拍攝對象部分的光阻膜的厚度而變動。另外，膜厚測定部18，亦可取代拍攝影像，而根據對工作件W照射光線所得到的反射光取得膜厚資訊。

處理模組13，內建了塗布單元U1、熱處理單元U2，以及將工作件W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組13，利用塗布單元U1以及熱處理單元U2，在光阻膜上形成上層膜。塗布單元U1，將上層膜形成用的液體塗布在光阻膜之上。熱處理單元U2，實行伴隨上層膜的形成步驟的各種熱處理。

處理模組14，內建了塗布單元U1、熱處理單元U2，以及將工作件W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組14，利用塗布單元U1以及熱處理單元U2，實行實施過曝光處理的光阻膜的顯影處理，以及伴隨顯影處理的熱處理。塗布單元U1，在已曝光的工作件W的表面上塗布顯影液，之後，利用沖洗液將其沖掉，以實行光阻膜的顯影處理。熱處理單元U2，實行伴隨顯影處理的各種熱處理。作為熱處理的具體例，可列舉出：顯影處理前的加熱處理（PEB，Post Exposure Bake，曝後烤）、顯影處理後的加熱處理（PB，Post Bake，後烘烤）等。

在處理區塊5內的載體區塊4側設置了棚台單元U10。棚台單元U10，區劃出沿著上下方向並排的複數個單位。在棚台單元U10的附近設置了包含升降臂在內的搬運裝置A7。搬運裝置A7，令工作件W在棚台單元U10的各單位之間升降。

在處理區塊5內的介面區塊6側設置了棚台單元U11。棚台單元U11，區劃出沿著上下方向並排的複數個單位。

介面區塊6，在其與曝光裝置3之間傳遞工作件W。例如，介面區塊6，內建了包含傳遞臂在內的搬運裝置A8，並與曝光裝置3連接。搬運裝置A8，將配置於棚台單元U11的工作件W傳遞到曝光裝置3。搬運裝置A8，從曝光裝置3接收工作件W並送回棚台單元U11。

（塗布單元） 接著，針對處理模組12的塗布單元U1的一例，詳細進行說明。塗布單元U1，實行包含「令工作件W旋轉，同時向該工作件W噴吐處理液」的步驟在內的處理（以下稱為「塗布處理」）。另外，塗布單元U1，實行包含「在塗布處理之後，令工作件W旋轉，以令工作件W的表面Wa上的處理液被膜乾燥」的步驟在內的處理（以下稱為「乾燥處理」）。亦即，處理模組12所實行的液體處理，包含：基板調溫處理、塗布處理，以及乾燥處理。塗布單元U1，如圖3所示的，具有旋轉保持部20與處理液供給部30。

旋轉保持部20，根據控制裝置100的動作指示，保持工作件W並令其旋轉。旋轉保持部20，例如具有保持部22與旋轉驅動部24。保持部22，支持著表面Wa朝上且水平配置的工作件W的中心部位，例如利用真空吸附等方式保持該工作件W。旋轉驅動部24，例如係以電動馬達等為動力源的致動器，並令保持部22繞垂直的軸線Ax旋轉。藉此，保持部22上的工作件W便旋轉。保持部22，亦可以工作件W的中心與軸線Ax大致對齊的方式保持工作件W。保持部22，例如，以依控制裝置100的動作指示的旋轉速度，令工作件W旋轉。塗布單元U1，亦可具有包圍保持部22所保持的工作件W的周圍的杯部（圖中未顯示）。

處理液供給部30，根據控制裝置100的動作指示，向工作件W的表面Wa噴吐處理液，以對該表面Wa供給處理液。處理液，係用以形成光阻膜的溶液（光阻）。處理液供給部30，例如，具有：噴嘴32、液體供給部38、供給管路34，以及開閉閥36。噴嘴32，對保持部22所保持的工作件W的表面Wa噴吐處理液。噴嘴32，例如，配置在工作件W的上方，往下方噴吐處理液。

液體供給部38，根據控制裝置100的動作指示，透過供給管路34將處理液供給到噴嘴32。液體供給部38，例如利用泵等向噴嘴32送出處理液。液體供給部38，亦可以依控制裝置100的動作指示的流量（每單位時間的流量），將處理液供給到噴嘴32。作為一例，液體供給部38，亦可包含測定處理液流量的流量感測器，並以依根據流量測定值的動作指示的壓力，向噴嘴32送出處理液。從液體供給部38供給到噴嘴32的處理液，係從噴嘴32向工作件W噴吐，故從噴嘴32噴吐的處理液的流量，會依從液體供給部38供給到噴嘴32的處理液的流量而變動。

液體供給部38，亦可將依控制裝置100的動作指示的溫度的處理液，供給到噴嘴32。作為一例，液體供給部38，可具有調整液源內的處理液的溫度的功能，亦可依動作指示調整液源內的處理液的溫度。從噴嘴32噴吐的處理液的溫度，會依液體供給部38的液源內的處理液的溫度而變動。

開閉閥36，設置於噴嘴32與液體供給部38之間的供給管路34。開閉閥36，根據控制裝置100的動作指示，將供給管路34的開閉狀態切換成開啟狀態或關閉狀態。開閉閥36，例如為氣動閥。開閉閥36，若接收到來自控制裝置100的開啟指令，便將供給管路34的開閉狀態，從關閉狀態切換到開啟狀態。藉此，便開始從噴嘴32噴吐處理液。開閉閥36，若接收到來自控制裝置100的關閉指令，便將供給管路34的開閉狀態，從開啟狀態切換到關閉狀態。藉此，便停止從噴嘴32噴吐處理液。

控制裝置100，控制塗布顯影裝置2。控制裝置100，依照既定的條件（以下稱為「控制條件」），實行利用處理模組12對工作件W實施液體處理的步驟。控制條件，包含實行液體處理的裝置的動作、處理液的狀態以及限定工作件W的周圍環境的複數個參數，詳細內容後述之。控制裝置100，例如，依照控制條件，利用溫度調整部16對工作件W實施基板調溫處理，並依照控制條件，利用塗布單元U1對工作件W實施塗布處理以及乾燥處理。控制裝置100，例如，關於功能上的構造（以下稱為「功能模組」），具有：動作指示部102、條件記憶部104，以及條件調整部110。另外，動作指示部102、條件記憶部104以及條件調整部110所實行的處理，相當於控制裝置100所實行的處理。

動作指示部102，以「控制處理模組12的各要件，利用處理模組12對工作件W實施液體處理」的方式構成。條件記憶部104，以記憶控制條件的方式構成。亦即，動作指示部102，依照條件記憶部104所記憶的控制條件，利用處理模組12對工作件W實施液體處理。條件調整部110，以調整控制條件的方式構成。條件調整部110，例如，更新條件記憶部104所記憶的控制條件。關於控制條件以及控制條件的調整方法的詳細內容，容後述之。

控制裝置100，係由一個或複數個控制用電腦所構成。例如，控制裝置100，具有圖4所示的電路200。電路200，具有：一個或複數個處理器202、記憶體204、儲存器206，以及輸入輸出埠208。儲存器206，例如具有硬碟等電腦可讀取的記錄媒體。記錄媒體，記憶了程式，其用以令控制裝置100實行包含後述的調整處理在內的基板處理方法。記錄媒體，亦可為非揮發性的半導體記憶體、磁碟以及光碟等的可取出的媒體。記憶體204，暫時記憶從儲存器206的記錄媒體載入的程式以及處理器202的運算結果。處理器202，與記憶體204協同運作並實行上述程式，以構成各功能模組。輸入輸出埠208，依照來自處理器202的指令，在其與溫度調整部16、膜厚測定部18、旋轉保持部20以及處理液供給部30等之間，實行電子信號的輸入輸出。

當控制裝置100由複數個控制用電腦所構成時，各功能模組亦可各自由個別的控制用電腦所實現。控制裝置100，亦可由包含動作指示部102以及條件記憶部104在內的控制用電腦與包含條件調整部110在內的控制用電腦所構成。或者，該等各功能模組亦可各自係由2個以上的控制用電腦的組合所實現。在該等情況下，複數個控制用電腦，亦可在可互相通信連接的狀態下，協同實行基板處理工序。另外，控制裝置100的硬體構造，不限於必定係由程式構成各功能模組的態樣。例如，控制裝置100的各功能模組，亦可由專用的邏輯電路或其所積體的ASIC（Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路）所構成。

另外，基板處理系統的具體構造，不限於以上所例示的基板處理系統1的構造。基板處理系統，只要具備實行包含塗布處理以及乾燥處理在內的液體處理的液體處理單元，以及可控制該等單元的控制裝置，則無論為何等態樣均可。

接著，針對在基板處理系統1中所實行的工作件W的處理，進行說明。控制裝置100的動作指示部102，例如，以依照如下工序實行對工作件W的處理的方式，控制塗布顯影裝置2。首先，動作指示部102，以將載體C內的工作件W搬運到棚台單元U10的方式，控制搬運裝置A1，並以將該工作件W配置於處理模組11用的單位的方式，控制搬運裝置A7。

接著，動作指示部102，以將棚台單元U10的工作件W搬運到處理模組11內的塗布單元U1以及熱處理單元U2的方式，控制搬運裝置A3。另外，動作指示部102，以在該工作件W的表面Wa上形成下層膜的方式，控制塗布單元U1以及熱處理單元U2。之後，動作指示部102，以將形成了下層膜的工作件W送回棚台單元U10的方式，控制搬運裝置A3，並以將該工作件W配置於處理模組12的溫度調整部16的方式，控制搬運裝置A7。

接著，動作指示部102，以冷卻光阻噴吐前的工作件W的方式，控制溫度調整部16。動作指示部102，以將棚台單元U10的工作件W搬運到處理模組12內的塗布單元U1、熱處理單元U2以及膜厚測定部18的方式，控制搬運裝置A3。動作指示部102，以在工作件W的下層膜上形成光阻膜的方式，控制塗布單元U1以及熱處理單元U2。控制裝置100，以取得用以測定光阻膜的膜厚的膜厚資訊的方式，控制膜厚測定部18。關於在處理模組12中所實行的液體處理方法的一例，容後述之。之後，動作指示部102，以將工作件W送回棚台單元U10的方式，控制搬運裝置A3，並以將該工作件W配置於處理模組13用的單位的方式，控制搬運裝置A7。

接著，動作指示部102，以將棚台單元U10的工作件W搬運到處理模組13內的塗布單元U1以及熱處理單元U2的方式，控制搬運裝置A3。另外，動作指示部102，以在該工作件W的光阻膜上形成上層膜的方式，控制塗布單元U1以及熱處理單元U2。之後，動作指示部102，以將工作件W搬運到棚台單元U11的方式，控制搬運裝置A3。

接著，動作指示部102，以將棚台單元U11所收納的工作件W送出到曝光裝置3的方式，控制搬運裝置A8。然後，在曝光裝置3中，對形成於工作件W的光阻膜實施曝光處理。之後，動作指示部102，以「從曝光裝置3接收實施過曝光處理的工作件W，並將該工作件W配置於棚台單元U11中的處理模組14用的單位」的方式，控制搬運裝置A8。

接著，動作指示部102，以將棚台單元U11的工作件W搬運到處理模組14的熱處理單元U2的方式，控制搬運裝置A3。然後，動作指示部102，以實行伴隨顯影處理的熱處理以及顯影處理的方式，控制塗布單元U1以及熱處理單元U2。根據以上所述，控制裝置100，結束對1枚工作件W的基板處理。

（液體處理方法） 接著，參照圖5以及圖6，對在處理模組12中所實行的液體處理方法的一例，進行說明。在該液體處理方法中，如圖5所示的，控制裝置100的動作指示部102，首先，以實行調整工作件W的溫度的基板調溫處理的方式，控制溫度調整部16（步驟S11）。動作指示部102，例如，在基板調溫處理中，以令工作件W的溫度接近控制條件所包含的目標溫度的方式，控制溫度調整部16。作為一例，動作指示部102，以令工作件W的溫度接近控制條件所包含的目標溫度的方式，利用溫度調整部16冷卻工作件W。

動作指示部102，在基板調溫處理之後，以將工作件W搬運到塗布單元U1的方式，控制搬運裝置A3。例如，動作指示部102，以實施過基板調溫處理（冷卻）的工作件W被保持部22所保持的方式，控制搬運裝置A3。在將工作件W搬運到塗布單元U1後，在開始下一個處理（後述的步驟S12）的時點的工作件W的溫度，會依基板調溫處理所調整的工作件W的溫度而變動。亦即，藉由用基板調溫處理調整工作件W的溫度（目標溫度），以調整在下一個處理的開始時點的工作件W的溫度。

接著，動作指示部102，變更保持部22所保持的工作件W的旋轉速度（步驟S12）。於圖6，顯示出步驟S12之後的工作件W的旋轉速度的控制例。動作指示部102，例如，如圖6所示的，以將停止的工作件W的旋轉加速到旋轉速度ω1的方式，控制旋轉驅動部24。旋轉速度ω1，為控制條件所包含。

接著，動作指示部102，以開始從噴嘴32噴吐處理液（光阻）的方式，控制處理液供給部30（步驟S13）。動作指示部102，例如，以「開始向以旋轉速度ω1旋轉的工作件W的表面Wa噴吐處理液」的方式，對開閉閥36輸出開啟指令。利用開閉閥36將供給管路34的開閉狀態從關閉狀態切換到開啟狀態，以開始噴吐處理液。動作指示部102，亦可以「依照控制條件所包含的處理液的噴吐速度，從噴嘴32噴吐處理液」的方式，控制液體供給部38。另外，動作指示部102，亦可以「具有対応控制條件所包含的處理液設定溫度的溫度的處理液，從噴嘴32噴吐」的方式，控制液體供給部38。

接著，動作指示部102，從開始噴吐處理液到經過第1設定時間ts1為待機（步驟S14）。藉此，在第1設定時間ts1的期間中的至少一部分，工作件W以旋轉速度ω1旋轉，同時向工作件W的表面Wa噴吐處理液。第1設定時間ts1，例如，以「供給可在工作件W的表面Wa上形成被膜的程度的液量的處理液」的方式設定，而為控制條件所包含。

在經過第1設定時間ts1之後，動作指示部102，以停止從噴嘴32噴吐處理液的方式，控制處理液供給部30（步驟S15）。動作指示部102，例如，以停止向工作件W的表面Wa噴吐處理液的方式，對開閉閥36輸出關閉指令。利用開閉閥36將供給管路34的開閉狀態從開啟狀態切換到關閉狀態，以停止噴吐處理液。

第1設定時間ts1，亦可由「動作指示部102對開閉閥36輸出開啟指令的時序」與「動作指示部102對開閉閥36輸出關閉指令的時序」決定之。此時，以旋轉速度ω1令工作件W旋轉同時噴吐處理液的時間，會與第1設定時間ts1大致一致，或是依第1設定時間ts1而變動。吾人料想，對開閉閥36的開啟指令的輸出時序與實際開始噴吐處理液的時序會有時差，關閉指令的輸出時序與實際停止噴吐處理液的時序也會有時差。然而，即使發生該等時差，藉由調整第1設定時間ts1，開始或停止噴吐處理液的時序也會受到調整，故以旋轉速度ω1令工作件W旋轉同時對表面Wa噴吐處理液的時間也會受到調整。

另外，即使開啟、關閉指令與實際的開始、停止有時差，仍可以「第1設定時間ts1與以旋轉速度ω1令工作件W旋轉同時對工作件W噴吐處理液的時間一致」的方式，設定開啟指令或關閉指令的輸出時序。例如，動作指示部102，亦可以「在工作件W開始以旋轉速度ω1旋轉之後，立即開始噴吐處理液」的方式，在步驟S12的旋轉速度的變更中，對開閉閥36輸出開啟指令。然後，動作指示部102，亦可在從開始噴吐處理液到經過第1設定時間ts1之後，對開閉閥36輸出關閉指令。在此情況下，停止噴吐處理液的時序，會在第1設定時間ts1的結束時序之後。步驟S12～S15的處理，相當於塗布處理所包含的噴吐處理。

接著，動作指示部102，變更工作件W的旋轉速度（步驟S16）。動作指示部102，例如，如圖6所示的，以令工作件W的旋轉從旋轉速度ω1減速到旋轉速度ω2（第3旋轉速度）的方式，控制旋轉驅動部24。旋轉速度ω2，為控制條件所包含，且與旋轉速度ω1相異。旋轉速度ω2，亦可比旋轉速度ω1更小。作為一例，旋轉速度ω2，為旋轉速度ω1的1／50倍～1／2倍左右的大小。

接著，動作指示部102，從工作件W開始以旋轉速度ω2旋轉到經過第2設定時間ts2為待機（步驟S17）。藉此，在第2設定時間ts2的期間，工作件W以旋轉速度ω2旋轉。第2設定時間ts2，設定成供給到工作件W的表面Wa的處理液充分到達工作件W的中央部位的程度的時間，而為控制條件所包含。第2設定時間ts2，可與第1設定時間ts1相異，亦可相同。作為一例，第2設定時間ts2，為第1設定時間ts1的1／15倍～5倍左右的長度。步驟S16、S17的處理，相當於塗布處理所包含的回流處理。塗布處理，包含步驟S12～S15的噴吐處理與步驟S16、S17的回流處理。

在經過第2設定時間ts2之後，動作指示部102，變更工作件W的旋轉速度（步驟S18）。動作指示部102，例如，如圖6所示的，以令工作件W的旋轉從旋轉速度ω2加速到旋轉速度ω3（第2旋轉速度）的方式，控制旋轉驅動部24。旋轉速度ω3，為控制條件所包含，可與旋轉速度ω1相同，亦可相異。作為一例，旋轉速度ω3，為旋轉速度ω1的0.2倍～2倍左右的大小。另外，旋轉速度ω3，亦可與圖6所例示的態樣相異，而係與旋轉速度ω2相同，或是比旋轉速度ω2更低。

接著，動作指示部102，從工作件W開始以旋轉速度ω3旋轉到經過第3設定時間ts3為待機（步驟S19）。藉此，在第3設定時間ts3的期間，工作件W以旋轉速度ω3旋轉。第3設定時間ts3，設定成供給到工作件W的處理液在表面Wa上形成為被膜的程度，而為控制條件所包含。第3設定時間ts3，可與第1設定時間ts1（第2設定時間ts2）相異，亦可相同。作為一例，第3設定時間ts3，為第1設定時間ts1的5倍～60倍左右的長度。步驟S18、S19的處理，相當於乾燥處理。

在經過第3設定時間ts3之後，例如，動作指示部102，以停止工作件W的旋轉的方式，控制旋轉保持部20。根據以上所述，對作為處理對象的工作件W的一連串的液體處理方法便結束。

[控制條件] 在此，針對限定液體處理實行時的各裝置的動作以及處理液的狀態等的控制條件的一例，詳細進行說明。當令構成控制條件的複數個參數變化時，控制裝置100所控制的各裝置的動作以及處理液的狀態等也會跟著變化。因此，複數個參數的變化，會對液體處理所得到的處理液被膜的膜厚造成影響。

控制條件所包含的參數的變更，根據其特性的不同，會有對處理液的被膜整體造成影響的情況，以及對所形成的被膜的一部分造成局部性影響的情況。換言之，構成控制條件的複數個參數，包含對處理液的被膜的膜厚的分布造成影響的參數，以及對處理液的被膜整體的膜厚造成影響的參數。膜厚的分布（以下稱為「膜厚分布」），係表示工作件W的複數個測定位置的膜厚變動的分布（profile）。被膜整體的膜厚，係不考慮複數個測定位置的膜厚變動（分布）所定義的膜厚整體的厚度，例如由複數個測定位置的膜厚的平均值表示之。

對膜厚分布造成影響的參數，係在控制條件之中，決定比乾燥處理以旋轉速度ω3令工作件W開始旋轉更前段的液體處理的條件的參數。吾人認為，當比乾燥處理以旋轉速度ω3令工作件W開始旋轉更前段時，工作件W表面的被膜處於尚未充分固定的狀態。因此，控制該階段的處理條件的參數，存在對膜厚的分布造成影響的可能性。另一方面，吾人認為，乾燥處理令被膜乾燥，被膜的移動便受到限制，故其係存在對被膜整體的膜厚造成影響的可能性。

關於對膜厚分布造成影響的參數，可列舉出：決定塗布處理的噴吐處理的條件的參數，以及決定塗布處理的回流處理的條件的參數。作為噴吐處理的參數的一例，可列舉出：旋轉速度ω1、與處理液的噴吐時間相關的第1設定時間ts1、從噴嘴32噴吐處理液的速度、所噴吐的處理液的溫度，以及在處理液噴吐開始時點的工作件W的溫度。作為決定回流處理的條件的參數的一例，可列舉出：旋轉速度ω2，以及決定以旋轉速度ω2旋轉的時間的第2設定時間ts2。作為其他對膜厚分布造成影響的塗布處理的參數的一例，可列舉出：包圍保持部22上的工作件W的周圍的杯部內的空間的溫度以及濕度。關於對被膜整體的膜厚造成影響的參數，可列舉出：乾燥處理的旋轉速度ω3。

[控制條件的調整] 在基板處理系統1中，在實行上述液體處理之前，會實行控制條件的調整，更詳細而言，會實行控制條件所包含的複數個參數的調整。亦即，在基板處理系統1中，在實行了用以調整控制條件的處理（以下稱為「調整處理」）之後，會依照所調整的控制條件對工作件W實行液體處理（以下稱為「本處理」）。在調整處理實行之前，條件記憶部104，記憶了特定出處理液被膜的目標膜厚分布的資訊（以下稱為「目標膜厚分布」），以及複數個參數被設定為初期值的條件資訊（以下稱為「基準條件」）。目標膜厚分布以及基準條件，例如，依操作者等的輸入資訊預先設定之。

在基準條件中所設定的各參數的初期值，例如，係為了得到目標膜厚分布而利用模擬等所設定的理論值（計算值）。因為實行液體處理的裝置的個別差異以及液體處理實行時的周圍環境等的關係，即使依照基準條件實行液體處理，大多仍無法獲得與目標膜厚分布一樣的實際膜厚分布。因此，在基板處理系統1中，係藉由調整基準條件的複數個參數以設定控制條件，進而形成具有更接近目標膜厚分布的膜厚的被膜。以下，針對用以令膜厚分布接近目標膜厚分布的控制條件的調整方法，進行說明。因此，只要並無特別說明，「參數」便係指對膜厚分布造成影響的參數。

首先，針對實行調整處理的控制裝置100的條件調整部110的詳細構造，進行說明。條件調整部110，根據以基準條件實行所得到的被膜的膜厚分布（以下稱為「初期基準分布」）與目標膜厚分布，在基準條件之中，調整至少1個參數。條件調整部110，例如，根據以基準條件所得到的被膜的初期基準分布與目標膜厚分布的差分，以液體處理的處理結果（亦即膜厚分布）接近目標膜厚分布的方式，調整至少1個參數。目標膜厚分布，作為一例，以膜厚分布很平坦的方式設定。亦即，以在工作件W面內膜厚為固定的方式，將工作件W的複數個測定位置的膜厚目標值設定為固定值。

條件調整部110，在基準條件之中，對決定比乾燥處理以旋轉速度ω3令工作件W開始旋轉更前段的液體處理的條件的至少1個參數，進行調整。條件調整部110，例如，調整從旋轉速度ω1、處理液的噴吐時間（第1設定時間ts1）、處理液的噴吐速度、在處理液噴吐開始時點的工作件W的溫度以及處理液的溫度構成的群組所選出的至少1個參數。或者，條件調整部110，調整從由上述群組、旋轉速度ω2以及令工作件W以旋轉速度ω2旋轉的第2設定時間ts2構成的群組所選出的至少1個參數。條件調整部110，亦可藉由調整基板調溫處理的目標溫度，以調整在塗布處理的處理液噴吐開始時點的工作件W的溫度。

如圖7所示的，條件調整部110，例如，包含：資料取得部112、推定資訊產生部114、推定資訊記憶部116、調整量算出部118，以及條件變更部122，作為功能模組。

資料取得部112，以「根據來自膜厚測定部18的膜厚資訊，取得形成於工作件W的被膜的膜厚分布」的方式構成。資料取得部112，例如，根據膜厚資訊，取得工作件W的複數個測定位置各自的膜厚。

推定資訊產生部114，以「產生表示變更液體處理的條件時的膜厚分布的推定值的推定資訊」的方式構成。推定資訊，例如，係令「控制條件所包含的複數個參數各自的變化」與「被膜的膜厚分布的推定值」互相對應的資訊。推定資訊，亦可為表示在複數個參數之中令任一個參數變化時的膜厚分布的變化量（在各測定位置的膜厚的增減量）的推定值的資訊。

調整量算出部118，以「算出在複數個參數之中，作為調整對象的1個或複數個參數的調整量」的方式構成。調整量算出部118，例如，根據推定資訊記憶部116所記憶的推定資訊，算出作為調整對象的參數（調整對象參數）的調整量。調整量算出部118，在算出調整量時，例如，從複數個參數之中，藉由將「根據令1個或複數個參數變化時的推定資訊的被膜的膜厚分布的預測」與「目標膜厚分布」作比較，以選出作為調整對象的參數。

條件變更部122，以「藉由變更條件記憶部104所記憶的基準條件，以設定控制條件」的方式構成。條件變更部122，亦可依調整量算出部118所算出的調整對象參數的調整量，變更基準條件之中的至少1個參數的設定值。藉由變更基準條件之中的至少1個參數，便可獲得在本處理中所使用的控制條件。

接著，參照圖8～圖15，針對包含調整處理在內的基板處理方法的一例，進行說明。如圖8所示的，控制裝置100，在調整處理中，首先產生推定資訊（步驟S31）。關於推定資訊的產生處理的一例，容後述之。

接著，控制裝置100，在調整處理中，調整基準條件之中的至少1個參數（步驟S32）。條件調整部110，例如，根據在步驟S31所得到的推定資訊，在基準條件之中，變更調整對象參數的值。關於參數調整處理的一例，容後述之。

接著，控制裝置100，實行本處理（步驟S33）。動作指示部102，依照在步驟S32調整基準條件所得到的控制條件，對作為處理對象的工作件W實行包含液體處理在內的基板處理（本處理）。動作指示部102，亦可與圖5所例示的步驟S11～S19同樣，利用處理模組12對工作件W實行液體處理。動作指示部102，可對預先設定的處理枚數的工作件W，重複步驟S33的處理，亦可在預先設定的期間中，對作為處理對象的工作件W，持續實行步驟S33的處理。

（推定資訊的產生處理） 在步驟S31的推定資訊的產生處理中，如圖9所示的，控制裝置100，以測定條件實行液體處理（步驟S41）。測定條件，係決定為了產生推定資訊所實行的液體處理的各種動作等者。另外，測定條件的初期值可與基準條件所包含的各種參數相同。控制裝置100，以「將用測定條件實施過液體處理的工作件W，從塗布單元U1搬運到膜厚測定部18」的方式，控制搬運裝置A3。另外，在此所使用的工作件W，可為與本處理所使用的工作件W相同者。

接著，控制裝置100，測定在步驟S41實行的液體處理所形成的被膜的膜厚分布（步驟S42）。資料取得部112，例如，根據膜厚測定部18的膜厚資訊，如圖10所示的，取得沿著測定線L的膜厚分布，該測定線L正交於通過在圓形的工作件W的周圍方向上的基準位置（例如缺口N的位置）與中心CP的線。資料取得部112，亦可藉由測定在測定線L上所設定的複數個測定位置P的膜厚，以取得沿著測定線L的膜厚分布。複數個測定位置P，可包含工作件W的中心CP，亦可設定成在測定線L上等間隔排列。另外，測定線L亦可設定成並未通過中心CP。

接著，控制裝置100，針對變化對象參數，判斷變化階段的全部液體處理的實行是否結束（步驟S43）。控制裝置100，在基準條件的複數個參數之中令1個參數以複數個階段變化，並令處理模組12實行複數次液體處理（調整用液體處理）。控制裝置100，針對變化參數以外的其他參數，係將其固定於初期值（基準條件所設定的值）。上述令1個參數變化的階段數、變化範圍以及各階段的設定值，例如，由操作者等預先設定之。推定資訊產生部114，在步驟S43中，判定預先設定的變化階段的全部液體處理是否結束。

在步驟S43中，當判斷變化階段的全部液體處理並未結束時（步驟S43：NO），控制裝置100，變更所變化的參數的設定值（步驟S44）。亦即，控制裝置100，變更測定條件。然後，控制裝置100，重複步驟S41～S43的處理。控制裝置100，藉由重複實行以上的步驟S41～S43，在複數個參數之中令1個參數以複數個階段變化並實行液體處理，以針對變化的各階段取得被膜的膜厚分布的實測值（第1實測值）。

圖11的圖形，顯示出以複數個階段變化的參數為旋轉速度ω1時的膜厚分布的實測值（第1實測值）的取得結果的一例。圖11的橫軸，為膜厚的測定位置，其將「對應於從工作件W的中心CP算起的距離的值」與「依相對於中心CP的方向的正負」組合，顯示出測定位置。在圖11所示的例子中，控制裝置100，以包含「作為旋轉速度ω1的初期值的旋轉速度ω1r［rpm］」與「對旋轉速度ω1r分別加上500rpm、1000rpm、－500rpm以及－1000rpm的旋轉速度」在內的5個階段，令對象參數變化。亦即，推定資訊產生部114，取得5個階段的膜厚分布的實測值。另外，控制裝置100，針對旋轉速度ω1以外的複數個參數，將其固定為初期值，令旋轉速度ω1以5個階段（包含ω1r）變化，並針對各階段取得膜厚分布。另外，變化階段數，不限於5個階段，可比5個階段更少，亦可比5個階段更多。藉由增加變化階段數，便可更詳細地掌握參數變化所導致的膜厚分布變化。

當在步驟S43中，判斷變化階段的全部液體處理結束時（步驟S43：YES），控制裝置100，便產生關於變化參數的複數個迴歸式（步驟S45）。推定資訊產生部114，例如，分別針對沿著測定線L的複數個測定位置P，產生表示依變化參數的膜厚推定值的迴歸式。推定資訊產生部114，例如，根據重複步驟S41～S43所得到的膜厚分布的複數個實測值，針對各測定位置P產生迴歸式。推定資訊產生部114，作為一例，根據在各測定位置P的膜厚的複數個實測值，算出近似線（近似直線或近似曲線），以產生關於各測定位置P的迴歸式。近似線（迴歸式）的次數，可為1次（直線近似），亦可為2次以上。

在圖12的圖形中，描繪出當變化對象參數為旋轉速度ω1時所得到的各測定條件的實測值。於圖12的圖形，顯示出令旋轉速度ω1以6個階段變化所得到的實測值。在圖12中，作為實測值的一例，顯示出測定位置P分別在0mm、60mm、90mm、120mm、133mm、145mm以及148mm的膜厚實測值。在圖12所示的例子中，在旋轉速度ω1為（ω1r－1000）rpm～（ω1r＋1500）rpm的範圍內，推定資訊產生部114，針對各測定位置P，根據6個階段的實測值，算出近似式並產生迴歸式。另外，為了方便說明，係顯示出7處的實測值，惟產生迴歸式的複數個測定位置的數目，不限於7個，可比7個更多，亦可比7個更少。作為一例，亦可膜厚變動較大的周緣部位的測定位置數目，比膜厚變動較小的中央部位的測定位置數目更多。另外，在圖12中，係針對以正值表示的測定位置P顯示出實測值，惟針對以負值表示的測定位置P，亦實行同樣的處理。

接著，控制裝置100，根據複數個迴歸式，算出實測的測定條件之間的膜厚分布的推定值（步驟S46）。如上所述的，針對令參數變化的複數個階段以外的條件（測定條件以外的條件），並未獲得膜厚分布的實測值。因此，推定資訊產生部114，依複數個迴歸式各自所示的複數個測定位置的膜厚值，算出令參數變化的複數個階段之間的膜厚分布的推定值。參數為一值時的複數個迴歸式各自所示的膜厚值的集合，顯示出將參數設定為該值時的膜厚分布的推定值。推定資訊產生部114，亦可藉由算出「實行步驟S45、S46所得到的膜厚分布的推定值」與「基準條件的初期值的膜厚分布的實測值」的差分，以算出令一參數變化時的膜厚分布變動量（在各測定位置P的膜厚增減量）的推定值。

關於膜厚分布推定值的算出範圍以及間隔，例如，由操作者等預先設定之。推定資訊產生部114，例如，令為了獲得測定條件而變化的參數以既定幅度逐步變化，並分別針對複數個值取得膜厚分布推定值。既定幅度，亦可比為了獲得實測值而令變化對象參數變化的幅度更小。作為一例，當為了獲得測定條件而變化的參數為旋轉速度時，推定資訊產生部114，針對每10rpm、50rpm或100rpm算出膜厚分布推定值。當變化對象參數為溫度時，推定資訊產生部114，針對每0.5℃或1℃算出膜厚分布預測。

圖13的圖形，顯示出根據複數個迴歸式的膜厚分布推定值的一例。圖13，除了旋轉速度ω1r的膜厚分布實測值，以及旋轉速度ω1r減少500rpm的旋轉速度的膜厚分布實測值之外，更顯示出旋轉速度ω1r減少100rpm的旋轉速度的膜厚分布推定值。該膜厚分布推定值，可從如圖12所示的旋轉速度ω1r減少100rpm的旋轉速度的複數個迴歸式各自所示的膜厚推定值（在複數個測定位置的膜厚推定值）得之。

接著，控制裝置100，判斷是否針對複數個參數全部實行了迴歸式的產生以及推定值的算出（步驟S47）。推定資訊產生部114，例如，令基準條件的複數個參數依序作為變化對象參數，令其以複數個階段變化，並實行迴歸式的產生以及推定值的算出。在步驟S47中，當判斷並非實行了複數個參數全部的迴歸式的產生以及推定值的算出時（步驟S47：NO），控制裝置100，將變化對象參數變更為其他參數。然後，控制裝置100（推定資訊產生部114），針對變更的參數，重複步驟S41～S47的處理。另外，當變更參數並重複相同處理時，在步驟S41之中，亦可省略以基準條件所包含的各種參數為測定條件的被膜的膜厚分布的取得，並利用在其他參數的推定資訊的產生所使用的相同條件下的沿著測定線L的被膜的膜厚分布（初期基準分布）而構成之。

另一方面，在步驟S47中，當判斷實行了複數個參數全部的迴歸式的產生以及推定值的算出時（步驟S47：YES），控制裝置100，便結束一連串的推定資訊的產生處理。根據以上所述，推定資訊記憶部116，產生令「控制條件所包含的複數個參數各自的變化」與「被膜的膜厚分布推定值」互相對應的推定資訊。另外，推定資訊記憶部116，亦可產生表示在複數個參數之中令任一個參數變化時的從以初期值的測定條件所得到的膜厚分布算起的變化量（在各測定位置的膜厚增減量）的推定值的推定資訊。

（參數調整處理） 在步驟S32的參數調整處理中，如圖14所示的，控制裝置100，以條件記憶部104所記憶的基準條件（設定為初期值的控制條件）實行液體處理（步驟S51）。接著，控制裝置100，測定以基準條件實行的液體處理所得到的被膜的膜厚分布（步驟S52）。資料取得部112，例如，與步驟S41同樣，取得沿著測定線L的被膜的膜厚分布（初期基準分布）。另外，亦可以「省略步驟S51、S52，而在步驟S41所取得的被膜的膜厚分布之中，使用以與基準條件相同的測定條件所取得的沿著測定線L的被膜的膜厚分布（初期基準分布）」的方式構成。

接著，控制裝置100，根據在基準條件下的被膜的膜厚分布與推定資訊，抽出可用於為了令膜厚分布接近目標膜厚分布的調整條件之中的待選者，亦即待選條件（步驟S53）。調整量算出部118，例如，根據推定資訊，算出令複數個參數在推定資訊所包含的變化範圍內變化時的膜厚分布的預測值。調整量算出部118，例如，藉由對初期基準分布加算推定資訊所示的膜厚分布變動值，以算出表示膜厚分布預測的預測膜厚分布。調整量算出部118，亦可抽出預測膜厚分布與目標膜厚分布的差分比既定值（例如可容許作為膜厚分布的變動幅度的值）更小的1個或複數個待選條件。預測膜厚分布與目標膜厚分布的差分，例如，以在複數個測定位置P的膜厚差的平均表示之。

作為一例，調整量算出部118，亦可針對令複數個參數之中的2個參數各自在預先設定的變化範圍以及變化幅度內變化所得到的全部條件，算出複數個預測膜厚分布。此時，2個參數以外的其他參數固定為初期值。然後，調整量算出部118，亦可改變2個參數的組合，同樣地算出複數個預測膜厚分布。調整量算出部118，亦可分別針對複數個參數所包含的2個參數的組合全部，算出複數個預測膜厚分布。調整量算出部118，亦可抽出預測膜厚分布與目標膜厚分布的差分比既定值更小的2個參數，作為待選條件。另外，調整量算出部118，亦可針對2個參數的組合的一部分，算出複數個預測膜厚分布，或是分別針對複數個參數之中的3個以上的參數（例如全部的參數）的組合，算出複數個預測膜厚分布。

接著，控制裝置100，判斷當以上述的方法等抽出待選條件時，其結果是否抽出了複數個待選條件（步驟S54）。當判斷抽出了複數個待選條件時（步驟S54：YES），控制裝置100，便根據既定的限縮條件，從複數個待選條件之中限縮出1個待選條件（步驟S55）。調整量算出部118，例如，根據對複數個參數所預先設定的優先順位，從複數個待選條件之中限縮出1個待選條件。作為一例，調整量算出部118，亦可選擇複數個待選條件所包含的應調整參數的優先順位較高的1個待選條件。優先順位，亦可考慮液體處理實行時的條件調整容易度等，而由操作者預先設定之。另外，亦可從複數個待選條件選擇可實現更接近目標膜厚分布的狀態的1個待選條件。

當判斷抽出了單一待選條件時（步驟S54：NO），調整量算出部118，便不實行步驟S55。調整量算出部118，選擇限縮的待選條件或單一待選條件所包含的1個或複數個參數（例如2個參數），作為調整對象參數。藉此，便可從複數個參數之中，選出根據推定資訊的預測膜厚分布接近目標膜厚分布的調整對象參數。

於圖15，以示意方式例示出選擇了作為調整對象的參數的結果。在圖15中，初期膜厚分布以「Ft0」表示，複數個參數以「h1」～「h6」表示，預測膜厚分布以「Ft1」表示。另外，膜厚以「th」表示，膜厚的變動量以「Δth」表示，測定位置以「P」表示。調整量算出部118，將「針對初期膜厚分布Ft0，以令參數h1～h6之中的2個參數各自變化的複數個條件，算出複數個預測膜厚分布Ft1」的步驟，在變更2個參數的組合的情況下，重複實行。調整量算出部118，選擇預測膜厚分布Ft1與初期膜厚分布Ft0的差分低於既定值的2個參數，作為調整對象參數。在圖15所示的例子中，當令參數h1、h6各自變化並將參數h2～h5維持初期值時，會得到上述差分低於既定值的預測膜厚分布Ft1。亦即，選擇參數h1以及參數h6作為調整對象參數。

在複數個參數之中，有時會存在具有推定資訊所包含的被膜的膜厚分布推定值（膜厚變動量）會互相抵銷的關係的一對參數。推定值會互相抵銷的關係，係當令該一對參數各自變化時，每個測定位置P（工作件W的半徑方向的位置）的膜厚分布推定值（膜厚變動量）的增減傾向彼此相反的關係。吾人認為，當用該一對參數實行調整時，在測定位置P的大部分，各參數的特徴性的膜厚變動量的變化會互相抵銷，其結果，不問測定位置P何在，膜厚變動量趨近大致固定。

像這樣，當用一對參數實行調整時，將「相較於根據各參數所預料的膜厚變動量，在測定位置P的大部分，膜厚變動量趨近固定」的關係，稱為「推定資訊所包含的被膜的膜厚分布推定值會互相抵銷的關係」。以下，將具有推定值會互相抵銷的關係的一對參數稱為「逆相關參數」。例如，亦可由操作者，從複數個參數之中，預先設定（指定）1組或複數組逆相關參數。在上述的例子中，亦可將參數h1、h4的組合預先設定為逆相關參數。

在上述步驟S53的一例中，調整量算出部118，在算出複數個預測膜厚分布時，係分別針對變化的2個以上的參數的組合全部，算出複數個預測膜厚分布。取代於此，當預先設定了逆相關參數時，調整量算出部118，亦可從變化的2個以上的參數的組合，將該2個以上的參數包含逆相關參數雙方在內的組合排除，而算出複數個預測膜厚分布。此時，於預測膜厚分布與目標膜厚分布的差分比既定值更小的待選條件，並未包含逆相關參數雙方。或者，亦可取代上述的優先順位，或是除了優先順位之外更考慮2個參數的膜厚變動分布的彼此關係性，而作為選擇參數時的基準。此時，調整量算出部118，亦可將包含逆相關參數雙方在內的待選條件排除在外。

例如，當並未預先設定逆相關參數時，不僅參數h5、h6的組合，參數h1、h4、h5、h6的組合亦可為待選條件。然而，由於參數h1、h4、h5、h6的組合之中的參數h1、h4，具有推定值會互相抵銷的關係，故實質上不會對膜厚分布的調整有所助益。相對於此，藉由預先設定逆相關參數，便可將包含其結果並不會對膜厚分布變動造成影響的各參數在內的組合，從待選條件排除。如以上所述的，當從複數個參數之中，選擇預測膜厚分布接近目標膜厚分布的調整對象參數時，亦可以一對逆相關參數雙方並未包含在調整對象參數中的方式，實行參數選擇。

作為被膜的膜厚分布推定值（膜厚變動量）會互相抵銷的逆相關參數的一例，可列舉出具有膜厚變動分布上下對稱關係的一對參數。在圖15的例子中，係選擇參數h1、h6，惟雙方參數所具有的膜厚變動分布（以橫軸表示工作件W的半徑方向位置、以縱軸表示膜厚變動量的模型）並非彼此上下對稱的形狀此點，亦為選擇參數h1、h6的理由之一。上下對稱中的上下，係指縱軸（膜厚變動量）。在此，係以假設選擇具有膜厚變動分布大致為上下對稱的關係的參數h1、h4的態樣為例，進行說明。在參數h1中，相較於半徑方向上的中央部位，外周圍部位的變動更大，在參數h4中，相較於外周圍部位，中央部位的變動更大。因此，若令參數h1、h4各自變化，則對膜厚變動助益較大的區域與較小的區域彼此相反。其結果，工作件W面內的局部性膜厚調整變得困難，對面內整體的膜厚分布控制性會降低。

相對於此，參數h1、h6的膜厚變動分布不具有彼此上下對稱的關係，另外，也並非同樣的（具有相似形狀的）分布，從中央部位到外周圍部位的膜厚變動量的分布相異。此時，可實行「相較於外周圍部位，令中央部位的膜厚變化更大，或者，相較於中央部位，令外周圍部位的膜厚變化更大」的局部性膜厚調整，對工作件W面內整體的膜厚分布控制性便提高。

在此，係以參數h1、h6的組合為例進行說明，惟作為所選擇的其他組合，例如：亦可為參數h1、h3的組合，亦可為參數h3、h4的組合，亦可為參數h5、h6的組合。另外，2個參數的膜厚變動分布是否具有上下對稱的關係，亦可換言之，為從中央部位向外周圍部位的膜厚變動量的傾斜（傾向）是否具有同樣的關係。亦即，當膜厚變動分布具有上下對稱的關係時，變動方向雖相反，惟膜厚變動量彼此同樣地增減。當膜厚變動分布具有上下非對稱的關係時，膜厚變動量係以從中央部位向外周圍部位的膜厚變動量的傾斜（傾向）彼此相異的方式變化。

回到圖14的流程圖，在步驟S54或步驟S55實行之後，控制裝置100，算出來自基準條件的參數的調整量（步驟S56）。調整量算出部118，例如，算出預測膜厚分布與目標膜厚分布的差分低於既定值時的調整對象參數值與初期值的差，作為調整量。然後，控制裝置100，對條件記憶部104所記憶的基準條件之中的調整對象參數，調整在步驟S56所得到的調整量（步驟S57）。亦即，控制裝置100（條件調整部110），藉由調整基準條件，以設定控制條件。另外，對應步驟S56的程序，亦可以在待選條件抽出（步驟S53）時實行的方式構成。換言之，亦可在抽出待選條件時，一邊令參數變化一邊算出預測膜厚分布，並根據該預測膜厚分布更接近目標膜厚分布時的參數值，決定調整量。

接著，控制裝置100，實行在步驟S56所設定的控制條件的驗證（步驟S58）。例如，控制裝置100，依照在步驟S56所設定的控制條件，利用處理模組12實行液體處理，並取得該液體處理所得到的被膜的膜厚分布（實測膜厚分布）。控制裝置100，亦可藉由比較選擇調整對象參數時所算出的預測膜厚分布與實測膜厚分布，以判定在步驟S31所產生的推定資訊（迴歸式）是否適當。控制裝置100，例如，亦可在預測膜厚分布與實測膜厚分布的差分比既定值更小時，判定推定資訊為適當。控制裝置100，在該差分比既定值更大時，判定推定資訊並非適當，控制裝置100，可用其他待選條件實行參數調整，亦可改變迴歸式的產生方法並再度實行步驟S41～S47的處理。另外，控制裝置100，亦可利用在步驟S57所得到的實測膜厚分布，修正在步驟S31所算出的迴歸式。根據以上所述，控制裝置100，結束參數的一連串的調整處理。另外，藉由實行步驟S58，便可評定控制條件的調整是否適當，惟亦可以不實行該工序的方式構成。

[實施態樣的功效] 以上的實施例的液體處理包含：塗布處理，其包含以旋轉速度ω1令工作件W旋轉，同時向該工作件W的表面Wa噴吐處理液的步驟；以及乾燥處理，其包含在塗布處理之後以旋轉速度ω3令工作件W旋轉，而令工作件W的表面Wa上的處理液的被膜乾燥的步驟；以上的實施例的基板處理方法，包含以下步驟：根據以既定基準條件實行該液體處理所得到的被膜的膜厚分布與預先設定的被膜的目標膜厚分布，在基準條件之中，對決定比乾燥處理以旋轉速度ω3令工作件W開始旋轉更前段的液體處理的條件的至少1個參數，進行調整；以及依照在基準條件之中對至少1個參數進行調整所得到的控制條件，對工作件W實施液體處理。吾人認為，比乾燥處理以旋轉速度ω3令工作件W開始旋轉更前段的液體處理的條件，會對液體處理實行結果（亦即膜厚分布）造成較大的影響。在上述方法中，由於係對決定比乾燥處理以旋轉速度ω3令工作件W開始旋轉更前段的液體處理的條件的參數進行調整，故可令液體處理的實行結果很容易接近目標處理結果。

在以上的實施例的基板處理方法中，塗布處理，亦可更包含「在處理液噴吐結束之後，以與旋轉速度ω2相異的旋轉速度ω3令工作件W旋轉」的步驟。吾人認為，在處理液噴吐結束之後所實行的工作件W的旋轉的條件，亦會對膜厚分布造成很大的影響。當吾人調整噴吐結束之後的工作件W的旋轉的相關參數時，便可輕易地對條件進行調整。

在以上的實施例的基板處理方法中，調整至少1個參數的步驟，亦可包含「調整從旋轉速度ω1、處理液的噴吐時間、處理液的噴吐速度、旋轉速度ω2、以旋轉速度ω2令工作件W旋轉的時間、在處理液的噴吐開始時點的工作件W的溫度以及處理液的溫度構成的群組所選出的至少1個參數」的步驟。由於上述群組所包含的複數個參數的其中任1個改變，膜厚分布便跟著變動，故可調整實行結果的膜厚分布，令其接近目標膜厚分布。

在以上的實施例的基板處理方法中，液體處理，亦可更包含在塗布處理之前調整工作件W的溫度的基板調溫處理。調整至少1個參數的步驟，亦可包含調整在處理液噴吐開始時點的工作件W的溫度的步驟。調整在處理液噴吐開始時點的工作件W的溫度的步驟，亦可包含調整基板調溫處理的目標溫度的步驟。此時，可在基板調溫處理中調整在噴吐開始時點的工作件W的溫度。因此，當吾人調整在噴吐開始時點的工作件W的溫度時，便可輕易地對條件進行調整。

在以上的實施例的基板處理方法中，調整至少1個參數的步驟，亦可包含「產生令『構成基準條件的複數個參數各自的變化』與『被膜的膜厚分布的推定值』互相對應的推定資訊」的步驟，以及「根據推定資訊算出至少1個參數的調整量」的步驟。此時，根據推定資訊，液體處理的條件的變更對膜厚分布所造成的影響以定量的方式表示。藉此，便可不依賴操作者等的技能或經驗，而以實行液體處理所得到的膜厚分布接近目標膜厚分布的方式，調整液體處理的條件。

關於條件的調整方法，操作者確認依照基準條件所得到的膜厚分布，操作者本身，根據到目前為止的經驗或者直覺（技能），重複實行參數的變更與實測值的確認的嘗試錯誤步驟，並調整參數（設定控制條件），此亦為吾人所思及。此時，參數的調整，需要操作者的熟練程度，而且，即使是熟練的操作者，仍有必要重複地嘗試錯誤，故有時調整處理需要花費時間。另一方面，在上述基板處理方法中，根據推定資訊，液體處理的條件變更對膜厚分布所造成的影響係以定量的方式表示。因此，即使並非熟練的操作者，仍可實行參數的調整，再者，由於無須重複實行過多的嘗試錯誤步驟，故可縮短調整處理所需要的時間。因此，藉由使用推定資訊進行參數的調整，令液體處理的實行結果接近目標處理結果會比較容易。

另外，關於「使用推定資訊對參數進行調整，以令液體處理的實行結果接近目標處理結果」此等方法，即使液體處理為用以形成光阻膜的處理以外的處理，仍有其功效。例如，使用了推定資訊的參數調整步驟，亦可適用於包含在處理模組14（液體處理單元）中所實行的顯影處理在內的液體處理。此時，亦可以形成於工作件W的表面Wa的圖案的線寬接近目標線寬的方式，對決定包含顯影處理在內的液體處理的條件的參數，進行調整。推定資訊，亦可為令「決定包含顯影處理在內的液體處理的條件的參數的變化」與「線寬的預測值」互相對應的資訊。

在以上的實施例的基板處理方法中，算出至少1個參數的調整量的步驟，亦可包含「從複數個參數之中，選出根據推定資訊的被膜的膜厚分布的預測接近目標膜厚分布的調整對象參數」的步驟，以及「依接近目標膜厚分布時的調整對象參數的值，算出至少1個參數的調整量」的步驟。此時，由於係根據推定資訊選出應調整參數，再算出調整量，故相較於重複進行參數的變化與實測值的確認的嘗試錯誤步驟的態樣，更可縮短用以調整液體處理的條件的時間。

在以上的實施例的基板處理方法中，複數個參數亦可預先設定優先順位。從複數個參數之中選出調整對象參數的步驟，亦可包含根據優先順位選出調整對象參數的步驟。此時，由於係根據優先順位選出應調整的參數，故可更容易地調整液體處理的條件。

在以上的實施例的基板處理方法中，複數個參數，亦可包含根據推定資訊的被膜的膜厚分布的推定值具有互相抵銷關係的一對逆相關參數。從複數個參數之中選出調整對象參數的步驟，亦可包含「以調整對象參數並未包含一對逆相關參數的方式，從複數個參數之中選出調整對象參數」的步驟。此時，由於可降低應調整參數的數量增多到必要數量以上的可能性，故可簡單地實行參數的調整。

在以上的實施例的基板處理方法中，產生推定資訊的步驟，亦可包含「在複數個參數之中令1個參數以複數個階段變化，實行液體處理，並於變化的各階段取得被膜的膜厚分布的實測值」的步驟，以及「根據實測值，針對基板的複數個位置，分別產生表示依1個參數的被膜的膜厚變化的複數個迴歸式」的步驟。此時，藉由複數個迴歸式，針對並未得到實測值的參數值，亦可獲得膜厚的預測值。

以上的實施例的基板處理系統1，具備：處理模組12以及控制裝置100；該處理模組12，實行液體處理，該液體處理包含：塗布處理，其以旋轉速度ω1令工作件W旋轉，同時向該工作件W的表面Wa噴吐處理液；以及乾燥處理，其在塗布處理之後，以旋轉速度ω3令工作件W旋轉，而令工作件W的表面Wa上的處理液的被膜乾燥；該控制裝置100，控制處理模組12。控制裝置100，實行以下步驟：根據以既定基準條件令處理模組12實行液體處理所得到的被膜的膜厚分布與預先設定的被膜的目標膜厚分布，在基準條件之中，對決定比乾燥處理以旋轉速度ω3令工作件W開始旋轉更前段的液體處理的條件的至少1個參數，進行調整；以及依照在基準條件之中對至少1個參數進行調整所得到的控制條件，利用處理模組12對工作件W實施液體處理。在該系統中，與上述的基板處理方法同樣，可令液體處理的實行結果很容易接近目標的處理結果。

[變化實施例] 在以上的實施例中所產生的迴歸式，其產生並未考慮參數相互之間的影響。根據參數組合的不同，依一參數，令其他參數變化時的膜厚變動量有時會不同。因此，推定資訊產生部114，亦可取代上述的迴歸式，而產生考慮到2個參數的交互影響（交互作用）的複數個模型公式。以下，針對「考慮2個參數的交互作用，產生模型公式，並製作推定資訊」的態樣，進行說明。

控制裝置100，例如，依照「令應考慮交互影響的2個參數，以複數個階段各自變化」的條件，實行液體處理。然後，控制裝置100（推定資訊產生部114），針對變化的階段的各組合，取得依照測定條件實行液體處理的被膜的膜厚分布實測值（第2實測值）。推定資訊產生部114，根據測定條件的液體處理所得到的實測值，針對工作件W的複數個測定位置，分別產生包含2個參數的交互影響且表示依2個參數的被膜的膜厚變化的複數個模型公式。推定資訊產生部114，例如，在各測定位置，根據上述實測值，產生表示相對於2個參數的膜厚變化的預測曲面，作為模型公式。

推定資訊產生部114，亦可根據複數個模型公式，算出令2個參數變化的階段間的膜厚的預測值。另外，推定資訊產生部114，亦可針對複數個參數之中的一部分參數，產生考慮到交互作用的複數個模型公式。亦即，推定資訊產生部114，亦可根據複數個模型公式與並未考慮交互作用的複數個迴歸式，產生推定資訊。

在變化實施例的基板處理方法中，產生推定資訊的步驟，亦可包含以下步驟：在複數個參數之中令2個參數以複數個階段各自變化，實行液體處理，並針對變化的階段的各組合取得被膜的膜厚分布實測值；以及根據實測值，針對工作件W的複數個位置，分別產生包含2個參數的交互影響且表示依2個參數的被膜的膜厚變化的複數個模型公式。根據參數組合的不同，一方參數的變化，有時會對另一方參數所對應的膜厚變化幅度造成影響。在上述構成中，由於產生考慮到交互影響的模型公式，故可精度更良好地預測膜厚。

在此，針對並未考慮交互作用的態樣與考慮交互作用的態樣之間的膜厚推定值的差異，舉例揭示之。假定2個參數h1、h2為直線近似，將各自的近似式的傾斜表示為「b1」、「b2」，將常數表示為「C」，根據並未考慮交互作用的迴歸式，一測定位置的膜厚th，以式（1）表示之。 th＝b1×h1＋b2×h2＋C      （1） 另一方面，根據考慮到交互作用的模型公式，一測定位置的膜厚th，在將表示交互影響的係數表示為「b3」的情況下，以式（2）表示之。 th＝b1×h1＋b2×h2＋b3×h1×h2＋C      （2）

在式（1）中，即使一方參數h1的值不同，依另一方參數h2的膜厚th的變化幅度仍為固定。在式（2）中，包含了含有係數b3的項，該係數b3含有交互影響，故若一方參數h1的值不同，依另一方參數h2的膜厚th的變化幅度也會不同。亦即，於式（2）所示的模型公式，包含了參數h1與參數h2的交互作用的影響。因此，藉由算出如式（2）的考慮到交互作用的模型公式，根據參數組合的不同，相較於並未考慮交互作用的態樣，可精度更良好地預測膜厚。

條件調整部110，亦可將調整對象參數的調整量算出結果，輸出到顯示裝置。顯示裝置，亦可能夠對操作者顯示算出結果。條件調整部110，亦可在調整量算出結果輸出之後，根據來自操作者的輸入資訊，調整基準條件（亦可設定控制條件）。

圖8所示的步驟S31的推定資訊的產生，以及步驟S32的參數的調整工序，亦可於每一個塗布顯影裝置2實行之。或者，步驟S31的處理結果（推定資訊），亦可在複數個塗布顯影裝置2之間共通使用。例如，當在複數個塗布顯影裝置2之中，以用來獲得參數調整所利用的各種資訊的裝置為「塗布顯影裝置2A」，並以作為參數調整對象的裝置為「塗布顯影裝置2B」時，亦可根據在塗布顯影裝置2A中以各測定條件（參照圖9）所實行的液體處理，產生推定資訊。然後，塗布顯影裝置2B的條件調整部110，亦可取得針對塗布顯影裝置2A所產生的推定資訊，並調整參數（亦可實行步驟S02）。另外，塗布顯影裝置2A、2B，彼此具有相同的功能（為相同種類的裝置）。

步驟S32的一部分處理結果（初期膜厚分布），亦可在複數個塗布顯影裝置2之間共通使用。例如，亦可測定在塗布顯影裝置2A中依照基準條件實行所得到的被膜的膜厚分布，亦即初期膜厚分布（參照圖14）。然後，塗布顯影裝置2B的條件調整部110，亦可取得針對塗布顯影裝置2A所測定到的初期膜厚分布，並調整參數（亦可實行步驟S53～S58）。像這樣，塗布顯影裝置2B的條件調整部110，亦可根據相當於在塗布顯影裝置2B中依照基準條件實行的處理結果的初期膜厚分布（推定在塗布顯影裝置2B中也會獲得同等結果的初期膜厚分布）與目標膜厚分布，調整參數。另外，塗布顯影裝置2B的條件調整部110，亦可取得針對塗布顯影裝置2A所調整的參數資訊，以調整參數。亦可針對包含塗布顯影裝置2A、2B在內的複數個塗布顯影裝置2，設置一個條件調整部110，且該條件調整部110，根據在一塗布顯影裝置2中所得到的參數調整量，分別針對其他塗布顯影裝置2調整參數。

另外，以上的實施例亦包含下述的構成。 （附註） 一種基板處理方法，其特徵為包含以下步驟：根據以既定基準條件使用處理液對基板實行液體處理的液體處理結果與預先設定的目標處理結果，在該基準條件中之調整對該基板的該液體處理的結果造成影響的至少1個參數；以及依照在該基準條件中之調整該至少1個參數所得到的控制條件，對該基板實施該液體處理；調整該至少1個參數的步驟，包含以下步驟：產生令構成該基準條件的複數個參數各自的變化與該液體處理結果的推定值互相對應的推定資訊；以及根據該推定資訊，算出該至少1個參數的調整量。

1:基板處理系統 2:塗布顯影裝置 3:曝光裝置 4:載體區塊 5:處理區塊 6:介面區塊 16:溫度調整部 18:膜厚測定部 20:旋轉保持部 22:保持部 24:旋轉驅動部 11~14:處理模組 30:處理液供給部 32:噴嘴 34:供給管路 36:開閉閥 38:液體供給部 100:控制裝置 102:動作指示部 104:條件記憶部 110:條件調整部 112:資料取得部 114:推定資訊產生部 116:推定資訊記憶部 118:調整量算出部 122:條件變更部 200:電路 202:處理器 204:記憶體 206:儲存器 208:輸入輸出埠 212:計時器 A1,A3,A7,A8:搬運裝置 Ax:軸線 CP:中心 C:載體 Ft0:初期膜厚分布 Ft1:預測膜厚分布 h1~h6:參數 L:測定線 N:缺口 P:測定位置 S11~S19,S31~S33,S41~S48,S51~S58:步驟 th:膜厚 ts1~ts3:第1~第3設定時間 U10,U11:棚台單元 U1:塗布單元 U2:熱處理單元 Wa:表面 W:工作件 Δth:膜厚的變動量 ω1~ω3,ω1r:旋轉速度

[圖1]係表示基板處理系統的一例的示意立體圖。 [圖2]係表示塗布顯影裝置的一例的示意圖。 [圖3]係表示液體處理單元的一例的示意圖。 [圖4]係表示控制裝置的硬體構造的一例的方塊圖。 [圖5]係表示液體處理方法的一例的流程圖。 [圖6]係表示液體處理的旋轉速度的控制例的圖式。 [圖7]係表示控制裝置的功能上的構造的一例的方塊圖。 [圖8]係表示基板處理方法的一例的流程圖。 [圖9]係表示推定資訊的產生處理的一例的流程圖。 [圖10]係表示膜厚的測定位置的一例的示意圖。 [圖11]係表示膜厚分布的實測值的一例的圖形。 [圖12]係表示圖示出膜厚推定值的迴歸式的一例的圖形。 [圖13]係表示根據迴歸式的膜厚分布的推定值的一例的圖形。 [圖14]係表示控制條件的調整處理的一例的流程圖。 [圖15]係用以說明參數的選擇的一例的圖式。

ts1~ts3:第1~第3設定時間

ω1~ω3:旋轉速度

Claims (12)

1. 一種基板處理方法，用以對基板實施液體處理，該液體處理包含： 塗布處理，其包含一面以第1旋轉速度令該基板旋轉，一面向該基板的表面噴吐處理液的步驟；以及 乾燥處理，其包含在該塗布處理之後以第2旋轉速度令該基板旋轉，以令該基板的表面上的該處理液的被膜乾燥的步驟； 該基板處理方法包含以下步驟： 根據以既定基準條件實行該液體處理所得到的該被膜的膜厚分布與預先設定的該被膜的目標膜厚分布，對於決定該基準條件中之比該乾燥處理以該第2旋轉速度令該基板開始旋轉更前段的該液體處理的條件的至少1個參數，進行調整；以及 依照在該基準條件中之對該至少1個參數進行調整所得到的控制條件，對該基板實施該液體處理。
2. 如請求項1之基板處理方法，其中， 該塗布處理，更包含：在該處理液噴吐結束之後，以與該第1旋轉速度相異的第3旋轉速度，令該基板旋轉的步驟。
3. 如請求項2之基板處理方法，其中， 對該至少1個參數進行調整的步驟，包含：對於從由該第1旋轉速度、該處理液的噴吐時間、該處理液的噴吐速度、該第3旋轉速度、以該第3旋轉速度令該基板旋轉的時間、在該處理液的噴吐開始時點的該基板之溫度、以及該處理液的溫度所構成的群組所選出的至少1個參數進行調整的步驟。
4. 如請求項3之基板處理方法，其中， 該液體處理，更包含：在該塗布處理之前對該基板的溫度進行調整的基板調溫處理； 對該至少1個參數進行調整的步驟，包含：對在該處理液的噴吐開始時點的該基板的溫度進行調整的步驟； 對在該處理液的噴吐開始時點的該基板的溫度進行調整的步驟，包含：對該基板調溫處理的目標溫度進行調整的步驟。
5. 如請求項1之基板處理方法，其中， 對該至少1個參數進行調整的步驟，包含以下步驟： 產生令構成該基準條件的複數個參數各自的變化與該被膜的膜厚分布推定值互相對應的推定資訊；以及 根據該推定資訊，算出該至少1個參數的調整量。
6. 如請求項5之基板處理方法，其中， 算出該至少1個參數的調整量的步驟，包含以下步驟： 從該複數個參數之中，選出根據該推定資訊的該被膜的膜厚分布的預測接近該目標膜厚分布的調整對象參數；以及 依接近該目標膜厚分布時的該調整對象參數的值，算出該至少1個參數的調整量。
7. 如請求項6之基板處理方法，其中， 對該複數個參數預先設定優先順位； 從該複數個參數之中選出該調整對象參數的步驟，包含：根據該優先順位選出該調整對象參數的步驟。
8. 如請求項6或7之基板處理方法，其中， 該複數個參數，包含：該推定資訊所包含之該被膜的膜厚分布推定值具有互相抵銷關係的一對逆相關參數； 從該複數個參數之中選出該調整對象參數的步驟，包含：以該調整對象參數不包含該一對逆相關參數雙方的方式，從該複數個參數之中選出該調整對象參數的步驟。
9. 如請求項5至7項中任一項之基板處理方法，其中， 產生該推定資訊的步驟，包含以下步驟： 在該複數個參數之中令1個參數以複數個階段變化，實行該液體處理，並針對變化的各階段，取得該被膜的膜厚分布的第1實測值；以及 根據該第1實測值，針對該基板的複數個位置，分別產生表示依該1個參數的該被膜的膜厚變化的複數個迴歸式。
10. 如請求項5至7項中任一項之基板處理方法，其中， 產生該推定資訊的步驟，包含以下步驟： 令該複數個參數中之2個參數以複數個階段各自變化，實行該液體處理，並針對變化的階段的各組合取得該被膜的膜厚分布的第2實測值；以及 根據該第2實測值，針對該基板的複數個位置，分別產生包含該2個參數的交互影響且表示依該2個參數的該被膜的膜厚變化的複數個模型公式。
11. 一種可由電腦讀取的記錄媒體，其記憶了程式，該程式用以令一裝置實行如請求項1至7項中任一項所記載的基板處理方法。
12. 一種基板處理裝置，包含： 液體處理單元，其實行液體處理；以及 控制單元，其控制該液體處理單元； 該液體處理包含： 塗布處理，其包含一面以第1旋轉速度令基板旋轉，一面向該基板的表面噴吐處理液的步驟；以及 乾燥處理，其包含在該塗布處理之後以第2旋轉速度令該基板旋轉，以令該基板的表面上的該處理液的被膜乾燥的步驟； 該控制單元實行以下步驟： 根據以既定基準條件令該液體處理單元實行該液體處理所得到的該被膜的膜厚分布與預先設定的該被膜的目標膜厚分布，對於決定該基準條件中之比該乾燥處理以該第2旋轉速度令該基板開始旋轉更前段的該液體處理的條件的至少一個參數，進行調整；以及 依照在該基準條件中之對該至少1個參數進行調整所得到的控制條件，利用該液體處理單元，對該基板實施該液體處理。

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