WO2021145175A1 - 基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

液処理の実行結果を目標の処理結果に容易に近づけることが可能な基板処理方法を提供することを目的とする。　基板処理方法は、第１回転速度で基板を回転させつつ当該基板の表面に向けて処理液を吐出することを含む塗布処理と、塗布処理後に第２回転速度で基板を回転させて基板の表面上の処理液の被膜を乾燥させることを含む乾燥処理とを含む液処理を所定の基準条件に従って実行して得られた被膜の膜厚分布と、予め定められた被膜の目標膜厚分布とに基づいて、基準条件のうち、乾燥処理の第２回転速度での基板の回転開始よりも前段における液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節することと、基準条件のうち少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、基板に液処理を施すことと、を含む。

Description

基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置

　本開示は、基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置に関する。

　特許文献１には、温度制御手段によって温度制御された被処理物に所定の処理を施す処理手段を備える半導体処理装置が開示されている。この半導体処理装置の制御手段は、上記処理手段の処理条件を、周囲温度に応じた処理条件に変更する。

特開平４－９９０１８号公報

　基板処理装置では、基板処理の一つとして、処理液を用いた液処理が行われる場合がある。本開示は、液処理の実行結果を目標の処理結果に容易に近づけることが可能な基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置を提供する。

　一つの例示的実施形態に係る基板処理方法は、第１回転速度で基板を回転させつつ当該基板の表面に向けて処理液を吐出することを含む塗布処理と、塗布処理後に第２回転速度で基板を回転させて基板の表面上の処理液の被膜を乾燥させることを含む乾燥処理とを含む液処理を所定の基準条件に従って実行して得られた被膜の膜厚分布と、予め定められた被膜の目標膜厚分布とに基づいて、基準条件のうち、乾燥処理の第２回転速度での基板の回転開始よりも前段における液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節することと、基準条件のうち少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、基板に液処理を施すこととを含む。

　本開示によれば、液処理の実行結果を目標の処理結果に容易に近づけることが可能な基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置が提供される。

図１は、基板処理システムの一例を示す模式的な斜視図である。 図２は、塗布現像装置の一例を示す模式図である。 図３は、液処理ユニットの一例を示す模式図である。 図４は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図５は、液処理方法の一例を示すフローチャートである。 図６は、液処理での回転速度の制御例を示す図である。 図７は、制御装置の機能上の構成の一例を示すブロック図である。 図８は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図９は、推定情報の生成処理の一例を示すフローチャートである。 図１０は、膜厚の測定位置の一例を示す模式図である。 図１１は、膜厚分布の実測値の一例を示すグラフである。 図１２は、膜厚の推定値を示す回帰式の一例を示すグラフである。 図１３は、回帰式に基づく膜厚分布の推定値の一例を示すグラフである。 図１４は、制御条件の調節処理の一例を示すフローチャートである。 図１５は、パラメータの選択の一例を説明するための図である。

　以下、種々の例示的実施形態について説明する。

　一つの例示的実施形態に係る基板処理方法は、第１回転速度で基板を回転させつつ当該基板の表面に向けて処理液を吐出することを含む塗布処理と、塗布処理後に第２回転速度で基板を回転させて基板の表面上の処理液の被膜を乾燥させることを含む乾燥処理とを含む液処理を所定の基準条件に従って実行して得られた被膜の膜厚分布と、予め定められた被膜の目標膜厚分布とに基づいて、基準条件のうち、乾燥処理の第２回転速度での基板の回転開始よりも前段における液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節することと、基準条件のうち少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、基板に液処理を施すこととを含む。乾燥処理の第２回転速度での基板の回転開始よりも前段における液処理の条件が、液処理の実行結果である膜厚分布に大きく影響すると考えられる。上記方法では、乾燥処理の第２回転速度での基板の回転開始よりも前段における液処理の条件を定めたパラメータが調節されるので、液処理の実行結果を目標の処理結果に容易に近づけることが可能となる。

　塗布処理は、処理液の吐出完了後に、第１回転速度とは異なる第３回転速度で基板を回転させることを更に含んでもよい。処理液の吐出完了後において行われる基板の回転の条件も膜厚分布へ大きく影響すると考えられる。吐出完了後の基板の回転に関するパラメータを調節する場合、条件の調節を容易に行うことが可能となる。

　少なくとも１つのパラメータを調節することは、第１回転速度、処理液の吐出時間、処理液の吐出速度、第３回転速度、第３回転速度で基板を回転させる時間、処理液の吐出開始時点での基板の温度、及び処理液の温度から成る群から選択された少なくとも１つを調節することを含んでもよい。上記群に含まれる複数のパラメータのいずれか１つが変化することで膜厚分布が変動するので、実行結果の膜厚分布を目標膜厚分布に近づける調節が可能となる。

　液処理は、塗布処理の前に基板の温度を調節する基板温調処理を更に含んでもよい。少なくとも１つのパラメータを調節することは、処理液の吐出開始時点での基板の温度を調節することを含んでもよい。処理液の吐出開始時点での基板の温度を調節することは、基板温調処理における目標温度を調節することを含んでもよい。この場合、吐出開始時点での基板の温度を基板温調処理において調節することができる。そのため、吐出開始時点での基板の温度を調節する際に、条件の調節を容易に行うことができる。

　少なくとも１つのパラメータを調節することは、基準条件を構成する複数のパラメータそれぞれの変化と、被膜の膜厚分布の推定値とを対応付けた推定情報を生成することと、推定情報に基づいて、少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することとを含んでもよい。この場合、液処理の条件の変更による膜厚分布への影響を定量的に判断することができる。従って、オペレータ等の技能あるいは経験に基づくことなく、液処理を実行して得られる膜厚分布が目標膜厚分布に近づくように、液処理の条件を調節することが可能となる。

　少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することは、複数のパラメータの中から、推定情報に基づく被膜の膜厚分布の予測が目標膜厚分布に近づく調節対象パラメータを選択することと、目標膜厚分布に近づく際の調節対象パラメータの値に応じて、少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することとを含んでもよい。この場合、推定情報に基づいて、調節すべきパラメータが選択されるので、液処理の条件を調節するための時間を短縮することが可能となる。

　複数のパラメータには優先順位が予め定められていてもよい。複数のパラメータの中から調節対象パラメータを選択することは、優先順位にも基づいて調節対象パラメータを選択することを含んでもよい。この場合、優先順位にも基づき調節すべきパラメータが選択されるので、液処理の条件を更に容易に調節することが可能となる。

　複数のパラメータは、推定情報に含まれる被膜の膜厚分布の推定値が互いに打ち消し合う関係を有する一対の逆相関パラメータを含んでもよい。複数のパラメータの中から調節対象パラメータを選択することは、一対の逆相関パラメータの双方が調節対象パラメータに含まれないように複数のパラメータの中から調節対象パラメータを選択することを含んでもよい。この場合、調節すべきパラメータの数が必要以上に多くなってしまう可能性を低減できるので、パラメータの調節を簡便に行うことが可能となる。

　推定情報を生成することは、複数のパラメータのうち１つのパラメータを複数段階に変化させて液処理を実行し、変化させる段階ごとに被膜の膜厚分布の第１実測値を取得することと、実測値に基づいて、基板における複数の位置について、１つのパラメータに応じた被膜の膜厚の変化を示す複数の回帰式をそれぞれ生成することとを含んでもよい。この場合、複数の回帰式によって、実測値を得ていないパラメータの値についても膜厚の予測値を得ることが可能となる。

　推定情報を生成することは、複数のパラメータのうち２つのパラメータを複数段階にそれぞれ変化させて液処理を実行し、変化させる段階の組合せごとに被膜の膜厚分布の第２実測値を取得することと、実測値に基づいて、基板における複数の位置について、２つのパラメータの互いの影響を含み、且つ２つのパラメータに応じた被膜の膜厚の変化を示す複数のモデル式をそれぞれ生成することとを含んでもよい。パラメータの組合せによっては、一方のパラメータの変化が、他方のパラメータに応じた膜厚の変化幅に影響を及ぼす場合がある。上記構成では、互いの影響が考慮されたモデル式が生成されるので、膜厚の予測をより精度良く行うことが可能となる。

　一つの例示的実施形態に係る記憶媒体は、上述の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。

　一つの例示的実施形態に係る基板処理装置は、第１回転速度で基板を回転させつつ当該基板の表面に向けて処理液を吐出することを含む塗布処理と、塗布処理後に第２回転速度で基板を回転させて基板の表面上の処理液の被膜を乾燥させることを含む乾燥処理とを含む液処理を行う液処理ユニットと、液処理ユニットを制御する制御ユニットとを備える。制御ユニットは、所定の基準条件に従って液処理ユニットに液処理を実行させて得られた被膜の膜厚分布と、予め定められた被膜の目標膜厚分布とに基づいて、基準条件のうち、乾燥処理の第２回転速度での基板の回転開始よりも前段における液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節することと、基準条件のうち少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、液処理ユニットにより基板に液処理を施すこととを実行する。この場合、上述の基板処理方法と同様に、液処理の実行結果を目標の処理結果に容易に近づけることが可能となる。

　以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

［基板処理システム］
　図１に示される基板処理システム１（基板処理装置）は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜及び回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat　Panel　Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

　基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３と、制御装置１００（制御ユニット）を備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

（基板処理装置）
　以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。

　キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

　処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

　処理モジュール１２（液処理ユニット）は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成することを含む液処理を行う。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（レジスト）を下層膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、被膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

　処理モジュール１２は、温度調節部１６と、膜厚測定部１８とを更に有してもよい。温度調節部１６は、塗布ユニットＵ１がワークＷにレジストを供給する前に、ワークＷの温度を調節する処理（以下、「基板温調処理」という。）を行う。温度調節部１６は、例えば、ワークＷを冷却することにより、当該ワークＷの温度を調節する。温度調節部１６は、いずれの方法でワークＷの冷却を行ってもよい。冷却方法の一例として、クーリングプレートによる冷却、プリウェットシンナーによる冷却、及び純水等の液体あるいはミストをワークＷの裏面に供給することによる冷却が挙げられる。

　膜厚測定部１８は、ワークＷの表面Ｗａに形成されたレジスト膜の厚さに関する情報（以下、「膜厚情報」という。）を取得する。膜厚測定部１８は、例えば、膜厚情報として、ワークＷの表面Ｗａの撮像画像における画素値を取得する。画素値とは、画像を構成する画素それぞれの状態を示す数値である。一例として、画素値は、画素の色彩の濃淡レベル（例えば白黒画像におけるグレイレベル）を示す数値である。表面Ｗａの撮像画像において、画素値は、画素に対応する撮像対象部分の高さに応じて変動し得る。すなわち、画素値は、当該撮像対象部分におけるレジスト膜の厚さにも応じて変動し得る。なお、膜厚測定部１８は、撮像画像に代えて、ワークＷに光を照射して得られる反射光に基づき膜厚情報を取得してもよい。

　処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

　処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。塗布ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post　Exposure　Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post　Bake）等が挙げられる。

　処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

　処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

　インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

（塗布ユニット）
　続いて、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１の一例について詳細に説明する。塗布ユニットＵ１は、ワークＷを回転させつつ当該ワークＷに向けて処理液を吐出することを含む処理（以下、「塗布処理」という。）を行う。また、塗布ユニットＵ１は、塗布処理後にワークＷを回転させてワークＷの表面Ｗａ上の処理液の被膜を乾燥させることを含む処理（以下、「乾燥処理」という。）を行う。つまり、処理モジュール１２が行う液処理は、基板温調処理と、塗布処理と、乾燥処理とを含んでいる。塗布ユニットＵ１は、図３に示されるように、回転保持部２０と、処理液供給部３０とを有する。

　回転保持部２０は、制御装置１００の動作指示に基づいて、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部２０は、例えば保持部２２と、回転駆動部２４とを有する。保持部２２は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたワークＷの中心部を支持し、当該ワークＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部２４は、例えば電動モータ等の動力源を含むアクチュエータであり、鉛直な軸線Ａｘまわりに保持部２２を回転させる。これにより、保持部２２上のワークＷが回転する。保持部２２は、ワークＷの中心が軸線Ａｘに略一致するようにワークＷを保持してもよい。保持部２２は、例えば、制御装置１００の動作指示に応じた回転速度でワークＷを回転させる。塗布ユニットＵ１は、保持部２２に保持されたワークＷの周囲を囲むカップ（不図示）を有していてもよい。

　処理液供給部３０は、制御装置１００の動作指示に基づいて、ワークＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出することで、当該表面Ｗａに処理液を供給する。処理液は、レジスト膜を形成するための溶液（レジスト）である。処理液供給部３０は、例えば、ノズル３２と、液供給部３８と、供給路３４と、開閉バルブ３６とを有する。ノズル３２は、保持部２２に保持されたワークＷの表面Ｗａに処理液を吐出する。ノズル３２は、例えば、ワークＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。

　液供給部３８は、制御装置１００の動作指示に基づいて、供給路３４を介してノズル３２に処理液を供給する。液供給部３８は、例えばポンプ等により処理液をノズル３２に向けて送り出す。液供給部３８は、制御装置１００の動作指示に応じた流量（単位時間あたりの流量）で処理液をノズル３２に供給してもよい。一例として、液供給部３８は、処理液の流量を測定する流量センサを含んでおり、流量の測定値に基づいた動作指示に応じた圧力でノズル３２に向けて処理液を送り出してもよい。液供給部３８からノズル３２に供給される処理液は、ノズル３２からワークＷに向けて吐出されるので、ノズル３２から吐出される処理液の流量は、液供給部３８からノズル３２に供給される処理液の流量に応じて変動し得る。

　液供給部３８は、制御装置１００の動作指示に応じた温度の処理液をノズル３２に供給してもよい。一例として、液供給部３８は、液源内の処理液の温度を調節する機能を有してもよく、動作指示に応じて液源内の処理液の温度を調節してもよい。ノズル３２から吐出される処理液の温度は、液供給部３８の液源内の処理液の温度に応じて変動し得る。

　開閉バルブ３６は、ノズル３２と液供給部３８との間の供給路３４に設けられる。開閉バルブ３６は、制御装置１００の動作指示に基づいて、供給路３４の開閉状態を開状態と閉状態とに切り替える。開閉バルブ３６は、例えばエアオペレーションバルブである。開閉バルブ３６は、制御装置１００からの開指令を受けると、供給路３４の開閉状態を閉状態から開状態に遷移させる。これにより、ノズル３２からの処理液の吐出が開始する。開閉バルブ３６は、制御装置１００からの閉指令を受けると、供給路３４の開閉状態を開状態から閉状態に遷移させる。これにより、ノズル３２からの処理液の吐出が停止する。

　制御装置１００は、塗布・現像装置２を制御する。制御装置１００は、所定の条件（以下、「制御条件」という。）に従って、処理モジュール１２によりワークＷに液処理を施すことを実行する。制御条件は、液処理を実行する装置の動作、処理液の状態、及びワークＷの周囲の環境を規定する複数のパラメータを含んでいるが、詳細は後述する。制御装置１００は、例えば、制御条件に従って、温度調節部１６によりワークＷに基板温調処理を施し、制御条件に従って、塗布ユニットＵ１によりワークＷに塗布処理及び乾燥処理を施す。制御装置１００は、例えば、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、動作指示部１０２と、条件記憶部１０４と、条件調節部１１０とを有する。なお、動作指示部１０２、条件記憶部１０４及び条件調節部１１０が実行する処理は、制御装置１００が実行する処理に相当する。

　動作指示部１０２は、処理モジュール１２の各要素を制御することにより、処理モジュール１２によりワークＷに液処理を施すように構成されている。条件記憶部１０４は、制御条件を記憶するように構成されている。つまり、動作指示部１０２は、条件記憶部１０４が記憶している制御条件に従って、処理モジュール１２によりワークＷに液処理を施す。条件調節部１１０は、制御条件を調節するように構成されている。条件調節部１１０は、例えば、条件記憶部１０４が記憶している制御条件を更新する。制御条件、及び制御条件の調節方法の詳細については後述する。

　制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図４に示される回路２００を有する。回路２００は、一つ又は複数のプロセッサ２０２と、メモリ２０４と、ストレージ２０６と、入出力ポート２０８と、タイマ２１２とを有する。ストレージ２０６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する調節処理を含む基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ２０４は、ストレージ２０６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ２０２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ２０２は、メモリ２０４と協働して上記プログラムを実行することで、各機能モジュールを構成する。入出力ポート２０８は、プロセッサ２０２からの指令に従って、温度調節部１６、膜厚測定部１８、回転保持部２０、及び処理液供給部３０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ２１２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

　制御装置１００が複数の制御用コンピュータで構成される場合、各機能モジュールがそれぞれ、個別の制御用コンピュータによって実現されていてもよい。制御装置１００は、動作指示部１０２及び条件記憶部１０４を含む制御用コンピュータと、条件調節部１１０を含む制御用コンピュータとで構成されてもよい。あるいは、これらの各機能モジュールがそれぞれ、２つ以上の制御用コンピュータの組み合わせによって実現されていてもよい。これらの場合、複数の制御用コンピュータは、互いに通信可能に接続された状態で、基板処理手順を連携して実行してもよい。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application　Specific　Integrated　Circuit）により構成されていてもよい。

　なお、基板処理システムの具体的な構成は、以上に例示した基板処理システム１の構成に限られない。基板処理システムは、塗布処理及び乾燥処理を含む液処理を行う液処理ユニット、及びこれを制御可能な制御装置を備えていればどのようなものであってもよい。

［基板処理方法］
　続いて、基板処理システム１において実行されるワークＷの処理について説明する。制御装置１００の動作指示部１０２は、例えば以下の手順でワークＷに対する処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず動作指示部１０２は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に動作指示部１０２は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、動作指示部１０２は、このワークＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後動作指示部１０２は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２の温度調節部１６に配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に動作指示部１０２は、レジストが吐出される前のワークＷを冷却するように温度調節部１６を制御する。動作指示部１０２は、温度調節部１６内のワークＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２及び膜厚測定部１８に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。動作指示部１０２は、ワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。制御装置１００は、レジスト膜の膜厚を測定するための膜厚情報を取得するように膜厚測定部１８を制御する。処理モジュール１２において行われる液処理方法の一例については後述する。その後動作指示部１０２は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

　次に動作指示部１０２は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、動作指示部１０２は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後動作指示部１０２は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

　次に動作指示部１０２は、棚ユニットＵ１１に収容されたワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。そして、露光装置３において、ワークＷに形成されたレジスト膜に露光処理が施される。その後動作指示部１０２は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、当該ワークＷを棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

　次に動作指示部１０２は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。そして、動作指示部１０２は、現像処理に伴う熱処理、及び現像処理を実行するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。以上により、制御装置１００は、１枚のワークＷに対する基板処理を終了する。

（液処理方法）
　続いて、図５及び図６を参照して、処理モジュール１２において行われる液処理方法の一例を説明する。この液処理方法では、図５に示されるように、制御装置１００の動作指示部１０２は、まず、ワークＷの温度を調節する基板温調処理を実行するように温度調節部１６を制御する（ステップＳ１１）。動作指示部１０２は、例えば、基板温調処理において、制御条件に含まれる目標温度に、ワークＷの温度が近づくように温度調節部１６を制御する。一例として、動作指示部１０２は、制御条件に含まれる目標温度にワークＷの温度が近づくように、温度調節部１６によりワークＷを冷却させる。

　動作指示部１０２は、基板温調処理後に、ワークＷを塗布ユニットＵ１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。例えば、動作指示部１０２は、基板温調処理が施された（冷却された）ワークＷが保持部２２に保持されるように搬送装置Ａ３を制御する。塗布ユニットＵ１へのワークＷの搬送後において、次の処理（後述のステップＳ１２）を開始する時点でのワークＷの温度は、基板温調処理で調節されたワークＷの温度に応じて変動し得る。すなわち、基板温調処理でのワークＷの温度（目標温度）を調節することで、次の処理の開始時点でのワークＷの温度が調節される。

　次に、動作指示部１０２は、保持部２２に保持されているワークＷの回転速度を変更する（ステップＳ１２）。図６には、ステップＳ１２以降におけるワークＷの回転速度の制御例が示されている。動作指示部１０２は、例えば、図６に示されるように、停止しているワークＷの回転を回転速度ω１まで加速させるように回転駆動部２４を制御する。回転速度ω１は、制御条件に含まれている。

　次に、動作指示部１０２は、ノズル３２からの処理液（レジスト）の吐出を開始するように処理液供給部３０を制御する（ステップＳ１３）。動作指示部１０２は、例えば、回転速度ω１で回転しているワークＷの表面Ｗａに向けての処理液の吐出が開始されるように開閉バルブ３６に開指令を出力する。開閉バルブ３６により供給路３４の開閉状態が閉状態から開状態に切り替わることにより、処理液の吐出が開始される。動作指示部１０２は、制御条件に含まれる処理液の吐出速度に従って、ノズル３２から処理液が吐出されるように液供給部３８を制御してもよい。また、動作指示部１０２は、制御条件に含まれる処理液の設定温度に応じた温度を有する処理液がノズル３２から吐出されるように液供給部３８を制御してもよい。

　次に、動作指示部１０２は、処理液の吐出を開始してから第１設定時間ｔｓ１が経過するまで待機する（ステップＳ１４）。これにより、第１設定時間ｔｓ１の間の少なくとも一部において、ワークＷが回転速度ω１で回転しつつ、処理液がワークＷの表面Ｗａに向けて吐出される。第１設定時間ｔｓ１は、例えば、ワークＷの表面Ｗａ上に被膜が形成できる程度の量の処理液が供給されるように設定されており、制御条件に含まれている。

　第１設定時間ｔｓ１が経過すると、動作指示部１０２は、ノズル３２からの処理液の吐出を停止するように処理液供給部３０を制御する（ステップＳ１５）。動作指示部１０２は、例えば、ワークＷの表面Ｗａに向けての処理液の吐出が停止するように開閉バルブ３６に閉指令を出力する。開閉バルブ３６により供給路３４の開閉状態が開状態から閉状態に切り替わることにより、処理液の吐出が停止する。

　第１設定時間ｔｓ１は、動作指示部１０２が開閉バルブ３６に開指令を出力するタイミングと、動作指示部１０２が開閉バルブ３６に閉指令を出力するタイミングとによって定められてもよい。この場合、回転速度ω１でワークＷが回転しつつ、処理液が吐出される時間は、第１設定時間ｔｓ１に略一致するか又は第１設定時間ｔｓ１に応じて変動し得る。開閉バルブ３６への開指令の出力タイミングと、処理液の吐出が実際に開始するタイミングとに差があり、閉指令の出力タイミングと、処理液の吐出が実際に停止するタイミングとに差がある場合が想定される。しかしながら、このような差が生じたとしても、第１設定時間ｔｓ１を調節することで、処理液の吐出が開始又は停止するタイミングも調節されるので、回転速度ω１でワークＷが回転しつつ、表面Ｗａに処理液が吐出される時間が調節される。

　なお、開・閉指令と実際の開始・停止とに差があっても、第１設定時間ｔｓ１が、回転速度ω１でワークＷが回転しつつ、ワークＷに処理液が吐出される時間に一致するように、開指令又は閉指令の出力タイミングが設定されてもよい。例えば、動作指示部１０２は、ワークＷが回転速度ω１で回転し始めた直後に、処理液の吐出が開始されるように、ステップＳ０２の回転速度の変更中に開閉バルブ３６に開指令を出力してもよい。そして、動作指示部１０２は、処理液の吐出開始から第１設定時間ｔｓ１が経過すると、開閉バルブ３６に閉指令を出力してもよい。この場合には、処理液の吐出が停止するタイミングが、第１設定時間ｔｓ１の終了のタイミングよりも後になる。ステップＳ１２～Ｓ１５の処理は、塗布処理に含まれる吐出処理に相当する。

　次に、動作指示部１０２は、ワークＷの回転速度を変更する（ステップＳ１６）。動作指示部１０２は、例えば、図６に示されるように、ワークＷの回転を回転速度ω１から回転速度ω２（第３回転速度）まで減速させるように回転駆動部２４を制御する。回転速度ω２は、制御条件に含まれており、回転速度ω１と異なっている。回転速度ω２は、回転速度ω１よりも小さくてもよい。一例として、回転速度ω２は、回転速度ω１の１／５０倍～１／２倍程度の大きさである。

　次に、動作指示部１０２は、ワークＷが回転速度ω２で回転し始めてから第２設定時間ｔｓ２が経過するまで待機する（ステップＳ１７）。これにより、第２設定時間ｔｓ２の間、ワークＷが回転速度ω２で回転する。第２設定時間ｔｓ２は、ワークＷの表面Ｗａに供給された処理液がワークＷの中央部に十分に寄せられる程度の時間に設定されており、制御条件に含まれている。第２設定時間ｔｓ２は、第１設定時間ｔｓ１と異なっていてもよく、同じであってもよい。一例として、第２設定時間ｔｓ２は、第１設定時間ｔｓ１の１／１５倍～５倍程度の長さである。ステップＳ１６，Ｓ１７の処理は、塗布処理に含まれるリフロー処理に相当する。塗布処理は、ステップＳ１２～Ｓ１５の吐出処理と、ステップＳ１６，Ｓ１７のリフロー処理とを含んでいる。

　第２設定時間ｔｓ２の経過後に、動作指示部１０２は、ワークＷの回転速度を変更する（ステップＳ１８）。動作指示部１０２は、例えば、図６に示されるように、ワークＷの回転を回転速度ω２から回転速度ω３（第２回転速度）まで加速させるように回転駆動部２４を制御する。回転速度ω３は、制御条件に含まれており、回転速度ω１と同じであってもよく、異なっていてもよい。一例として、回転速度ω３は、回転速度ω１の０．２倍～２倍程度の大きさである。なお、回転速度ω３は、図６の例示と異なり、回転速度ω２と同じであってもよく、回転速度ω２よりも低くてもよい。

　次に、動作指示部１０２は、ワークＷが回転速度ω３で回転し始めてから第３設定時間ｔｓ３が経過するまで待機する（ステップＳ１９）。これにより、第３設定時間ｔｓ３の間、ワークＷが回転速度ω３で回転する。第３設定時間ｔｓ３は、ワークＷに供給された処理液の被膜が表面Ｗａ上に形成される程度に設定されており、制御条件に含まれている。第３設定時間ｔｓ３は、第１設定時間ｔｓ１（第２設定時間ｔｓ２）と異なっていてもよく、同じであってもよい。一例として、第３設定時間ｔｓ３は、第１設定時間ｔｓ１の５倍～６０倍程度の長さである。ステップＳ１８，Ｓ１９の処理は、乾燥処理に相当する。

　第３設定時間ｔｓ３が経過すると、例えば、動作指示部１０２は、ワークＷの回転を停止するように回転保持部２０を制御する。以上により、処理対象のワークＷに対する一連の液処理方法が終了する。

［制御条件］
　ここで、液処理実行時の各装置の動作、及び処理液の状態等を規定する制御条件の一例について詳細に説明する。制御条件を構成する複数のパラメータを変化させると、制御装置１００により制御される各装置の動作、及び処理液の状態等も変化する。そのため、複数のパラメータの変化によって、液処理により得られる処理液の被膜の膜厚に影響が生じる。

　制御条件に含まれるパラメータの変更は、その特性によって、処理液の被膜全体に影響を与える場合と、形成される被膜の一部に対して局所的に影響を与える場合とがある。換言すると、制御条件を構成する複数のパラメータは、処理液の被膜の膜厚の分布に影響を及ぼすパラメータと、処理液の被膜全体の膜厚に影響を及ぼすパラメータとを含んでいる。膜厚の分布（以下、「膜厚分布」という。）は、ワークＷにおける複数の測定位置における膜厚の変動を示す分布（プロファイル）である。被膜全体の膜厚とは、複数の測定位置における膜厚の変動（分布）を考慮せずに定義される膜厚全体の厚さであり、例えば複数の測定位置での膜厚の平均値によって示される。

　膜厚分布に影響を及ぼすパラメータは、制御条件のうち、乾燥処理の回転速度ω３でのワークＷの回転開始よりも前段における液処理の条件を定めたパラメータである。乾燥処理の回転速度ω３でのワークＷの回転開始よりも前段では、ワークＷ表面の被膜が十分に固定されていない状態であると考えられる。したがって、この段階での処理条件を制御するパラメータは、膜厚の分布に影響を与える可能性がある。一方、乾燥処理での被膜の乾燥により被膜の移動は規制されるので、乾燥処理の回転速度ω３でのワークＷの回転開始以降における液処理の条件を定めたパラメータは、被膜全体の膜厚へ影響を与える可能性があると考えられる。

　膜厚分布に影響を及ぼすパラメータとしては、塗布処理の吐出処理での条件を定めたパラメータ、及び塗布処理のリフロー処理での条件を定めたパラメータが挙げられる。吐出処理でのパラメータの一例として、回転速度ω１、処理液の吐出時間に関係する第１設定時間ｔｓ１、ノズル３２からの処理液の吐出速度、吐出される処理液の温度、及び処理液の吐出開始時点でのワークＷの温度が挙げられる。リフロー処理での条件を定めたパラメータの一例として、回転速度ω２、及び回転速度ω２で回転させる時間を定めた第２設定時間ｔｓ２が挙げられる。その他に膜厚分布に影響を及ぼす塗布処理でのパラメータの一例として、保持部２２上のワークＷの周囲を囲むカップ内の空間の温度及び湿度が挙げられる。被膜全体の膜厚に影響を及ぼすパラメータとして、乾燥処理での回転速度ω３が挙げられる。

［制御条件の調節］
　基板処理システム１では、上述の液処理を実行する前に制御条件の調節、より詳細には制御条件に含まれる複数のパラメータの調節が行われる。つまり、基板処理システム１では、制御条件を調節するための処理（以下、「調節処理」という。）が実行された後に、調節された制御条件に従ってワークＷに対する液処理（以下、「本処理」という。）が実行される。調節処理の実行前において、条件記憶部１０４は、処理液の被膜についての目標の膜厚分布を特定する情報（以下、「目標膜厚分布」という。）と、複数のパラメータが初期値に設定されている条件情報（以下、「基準条件」という。）とを記憶している。目標膜厚分布及び基準条件は、例えば、オペレータ等の入力情報に応じて予め設定されている。

　基準条件において設定されている各パラメータの初期値は、例えば、目標膜厚分布が得られるように、シミュレーション等により設定された理論値（計算値）である。液処理を実行する装置の個体差、及び液処理実行時の周囲の環境等により、基準条件に従って液処理を実行しても実際の膜厚分布が目標膜厚分布どおりに得られない場合が多い。このため、基板処理システム１では、基準条件の複数のパラメータを調節することによって、制御条件を設定することにより、目標膜厚分布により近い膜厚の被膜を形成する。以下では、膜厚分布を目標膜厚分布に近づけるための制御条件の調節方法を説明する。このため、特に説明がない限り、「パラメータ」は膜厚分布に影響を及ぼすパラメータを意味する。

　まず、調節処理を実行する制御装置１００の条件調節部１１０の詳細について説明する。条件調節部１１０は、基準条件に従って実行して得られた被膜の膜厚分布（以下、「初期基準分布」という。）と、目標膜厚分布とに基づいて、基準条件のうち少なとも１つのパラメータを調節する。条件調節部１１０は、例えば、基準条件で得られた被膜の初期基準分布と目標膜厚分布との差分に基づいて、液処理の処理結果である膜厚分布が目標膜厚分布に近づくように、少なくとも１つのパラメータを調節する。目標膜厚分布は、一例として、膜厚分布が平坦となるように設定されている。つまり、ワークＷ面内において膜厚が一定となるように、ワークＷにおける複数の測定位置での膜厚の目標値が一定の値に設定されている。

　条件調節部１１０は、基準条件のうち、乾燥処理の回転速度ω３でのワークＷの回転開始よりも前段における液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節する。条件調節部１１０は、例えば、回転速度ω１、処理液の吐出時間（第１設定時間ｔｓ１）、処理液の吐出速度、処理液の吐出開始時点でのワークＷの温度、及び処理液の温度から成る群から選択された少なくとも１つのパラメータを調節する。あるいは、条件調節部１１０は、上記の群、回転速度ω２、及び回転速度ω２でワークＷを回転させる第２設定時間ｔｓ２から成る群から選択された少なくとも１つのパラメータを調節する。条件調節部１１０は、基板温調処理における目標温度を調節することによって、塗布処理における処理液の吐出開始時点でのワークＷの温度を調節してもよい。

　図７に示されるように、条件調節部１１０は、機能モジュールとして、例えば、データ取得部１１２と、推定情報生成部１１４と、推定情報記憶部１１６と、調節量算出部１１８と、条件変更部１２２とを含んでいる。

　データ取得部１１２は、膜厚測定部１８からの膜厚情報に基づいて、ワークＷに形成された被膜の膜厚分布を取得するように構成されている。データ取得部１１２は、例えば、膜厚情報に基づいて、ワークＷにおける複数の測定位置それぞれでの膜厚を取得する。

　推定情報生成部１１４は、液処理の条件を変更した際の膜厚分布の推定値を示す推定情報を生成するように構成されている。推定情報は、例えば、制御条件に含まれる複数のパラメータそれぞれの変化と、被膜の膜厚分布の推定値とを対応付けた情報である。推定情報は、複数のパラメータのうちいずれかのパラメータを変化させた際の膜厚分布の変化量（各測定位置での膜厚の増減量）の推定値を示す情報であってもよい。

　調節量算出部１１８は、複数のパラメータのうち調節対象となる１又は複数のパラメータの調節量を算出するように構成されている。調節量算出部１１８は、例えば、推定情報記憶部１１６が記憶する推定情報に基づいて、調節対象のパラメータ（調節対象パラメータ）の調節量を算出する。調節量算出部１１８は、調節量を算出する際に、例えば、複数のパラメータの中から、１又は複数のパラメータを変化させた際の推定情報に基づく被膜の膜厚分布の予測を目標膜厚分布と比較していくことで、調節対象のパラメータを選択する。

　条件変更部１２２は、条件記憶部１０４が記憶する基準条件を変更することで、制御条件を設定するように構成されている。条件変更部１２２は、調節量算出部１１８が算出した調節対象のパラメータの調節量に応じて、基準条件のうちの少なくとも１つのパラメータの設定値を変更してもよい。基準条件のうちの少なくとも１つのパラメータが変更されることで、本処理において用いられる制御条件が得られる。

　続いて、図８～図１５を参照して、調節処理を含む基板処理方法の一例について説明する。図８に示されるように、制御装置１００は、調節処理において、まず推定情報を生成する（ステップＳ３１）。推定情報の生成処理の一例については後述する。

　次に、制御装置１００は、調節処理において、基準条件のうちの少なくとも１つのパラメータを調節する（ステップＳ３２）。条件調節部１１０は、例えば、ステップＳ３１で得られた推定情報に基づいて、基準条件のうち調節対象のパラメータの値を変更する。パラメータの調節処理の一例については後述する。

　次に、制御装置１００は、本処理を実行する（ステップＳ３３）。動作指示部１０２は、ステップＳ３２で基準条件が調節されて得られた制御条件に従って、処理対象のワークＷに対して液処理を含む基板処理（本処理）を実行する。動作指示部１０２は、図５に例示したステップＳ１１～Ｓ１９と同様に、処理モジュール１２によりワークＷに対して液処理を実行してもよい。動作指示部１０２は、予め定められた処理枚数のワークＷに対してステップＳ３３の処理を繰り返してもよく、予め定められた期間において処理対象のワークＷに対してステップＳ３３の処理を継続してもよい。

（推定情報の生成処理）
　ステップＳ３１の推定情報の生成処理では、図９に示されるように、制御装置１００が、測定条件で液処理を実行する（ステップＳ４１）。測定条件は、推定情報を生成するために実行される液処理の各種動作等を定めたものである。また、測定条件の初期値は基準条件に含まれる各種パラメータと同じとすることができる。制御装置１００は、測定条件で液処理が施されたワークＷを塗布ユニットＵ１から膜厚測定部１８に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。なお、ここで用いられるワークＷは、本処理で使用されるワークＷと同じものとすることができる。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ４１で実行された液処理により形成された被膜の膜厚分布を測定する（ステップＳ４２）。データ取得部１１２は、例えば、膜厚測定部１８による膜厚情報に基づいて、図１０に示されるように、円形のワークＷの周方向において基準位置（例えば、ノッチＮの位置）と中心ＣＰとを通る線に直交する測定ラインＬに沿った膜厚分布を取得する。データ取得部１１２は、測定ラインＬ上に設定される複数の測定位置Ｐにおける膜厚を測定することで、測定ラインＬに沿った膜厚分布を取得してもよい。複数の測定位置Ｐは、ワークＷの中心ＣＰを含んでいてもよく、測定ラインＬ上に等間隔に配列されるように設定されていてもよい。なお、中心ＣＰを通らないように測定ラインＬが設定されていてもよい。

　次に、制御装置１００は、変化させる対象のパラメータについて、変化段階の全ての液処理の実行が終了したかどうかを判断する（ステップＳ４３）。制御装置１００は、基準条件の複数のパラメータのうち１つのパラメータを複数段階に変化させて、複数回の液処理（調節のための液処理）を処理モジュール１２に実行させる。制御装置１００は、変化させるパラメータ以外の他のパラメータについては初期値（基準条件で設定される値）に固定する。上記１つのパラメータを変化させる段階の数、変化範囲、及び各段階での設定値は、例えば、オペレータ等により予め定められている。推定情報生成部１１４は、ステップＳ４３において、予め定められた変化させる段階全ての液処理が終了したかどうかを判定する。

　ステップＳ４３において、変化させる段階の全ての液処理が終了していないと判断された場合（ステップＳ４３：ＮＯ）、制御装置１００は、変化させるパラメータの設定値を変更する（ステップＳ４４）。つまり、制御装置１００は、測定条件を変更する。そして、制御装置１００は、ステップＳ４１～Ｓ４３の処理を繰り返す。制御装置１００は、以上のステップＳ４１～Ｓ４３を繰り返し実行することで、複数のパラメータのうち１つのパラメータを複数段階に変化させて液処理を実行し、変化させる段階ごとに被膜の膜厚分布の実測値（第１実測値）を取得する。

　図１１のグラフは、複数段階に変化させるパラメータが、回転速度ω１である場合の膜厚分布の実測値（第１実測値）の取得結果の一例を示している。図１１における横軸は、膜厚の測定位置であり、ワークＷの中心ＣＰからの距離に対応する値と中心ＣＰに対する方向に応じた正負とを組み合わせて測定位置を示している。図１１に示される例では、制御装置１００は、回転速度ω１の初期値である回転速度ω１ｒ［ｒｐｍ］と、回転速度ω１ｒに５００ｒｐｍ、１０００ｒｐｍ、－５００ｒｐｍ、及び－１０００ｒｐｍをそれぞれ加えた回転速度と含む５つの段階に、対象のパラメータを変化させている。つまり、推定情報生成部１１４は、５段階の膜厚分布の実測値を取得している。なお、制御装置１００は、回転速度ω１以外の複数のパラメータについては初期値に固定して、回転速度ω１を（ω１ｒを含む）５つの段階に変化させ、段階ごとに膜厚分布を取得している。なお、変化させる段階の数は、５段階に限られず、５段階よりも少なくてもよく、５段階よりも多くてもよい。変化させる段階の数を増やすことで、パラメータの変化による膜厚分布の変化をより詳細に把握することができる。

　ステップＳ４３において、変化させる段階の全ての液処理が終了したと判断された場合（ステップＳ４３：ＹＥＳ）、制御装置１００は、変化させたパラメータについての複数の回帰式を生成する（ステップＳ４５）。推定情報生成部１１４は、例えば、測定ラインＬに沿った複数の測定位置Ｐそれぞれについて、変化させたパラメータに応じた膜厚の推定値を示す回帰式を生成する。推定情報生成部１１４は、例えば、ステップＳ４１～Ｓ４３を繰り返すことで得られた膜厚分布の複数の実測値に基づいて、各測定位置Ｐについて回帰式を生成する。推定情報生成部１１４は、一例として、各測定位置Ｐでの膜厚の複数の実測値に基づいて、近似線（近似直線又は近似曲線）を算出することで、各測定位置Ｐについての回帰式を生成する。近似線（回帰式）の次数は、１次（直線近似）であってもよく、２次以上であってもよい。

　図１２のグラフでは、変化させる対象のパラメータが回転速度ω１である場合に得られる各測定条件での実測値がプロットされている。図１２のグラフには、回転速度ω１を６段階に変化させて得られた実測値が示されている。図１２では、実測値の一例として、測定位置Ｐが０ｍｍ、６０ｍｍ、９０ｍｍ、１２０ｍｍ、１３３ｍｍ、１４５ｍｍ、及び１４８ｍｍそれぞれでの膜厚の実測値が示されている。図１２に示される例では、回転速度ω１が、（ω１ｒ－１０００）ｒｐｍ～（ω１ｒ＋１５００）ｒｐｍの範囲において、推定情報生成部１１４は、各測定位置Ｐについて、６段階の実測値に基づいて近似式を算出し回帰式を生成する。なお、説明の便宜のために７箇所での実測値が示されているが、回帰式を生成する複数の測定位置の数は、７個に限られず、７個よりも多くてもよく、７個よりも少なくてもよい。一例として、膜厚の変動が小さい中央部での測定位置の数に比べて、膜厚の変動が大きい周縁部の測定位置の数が多くてもよい。なお、図１２では、正の値で示される測定位置Ｐについてのみ実測値を示しているが、負の値で示される測定位置Ｐについても、同様の処理を行う。

　次に、制御装置１００は、複数の回帰式に基づいて、実測する測定条件の間での膜厚分布の推定値を算出する（ステップＳ４６）。上述のように、パラメータを変化させる複数段階以外の条件（測定条件以外の条件）については、膜厚分布の実測値が得られていない。そのため、推定情報生成部１１４は、複数の回帰式がそれぞれ示す複数の測定位置での膜厚値に応じて、パラメータを変化させる複数段階の間での膜厚分布の推定値を算出する。パラメータが一の値であるときの複数の回帰式それぞれが示す膜厚値の集合は、パラメータを当該値に設定した際の膜厚分布の推定値を示している。推定情報生成部１１４は、ステップＳ４５，Ｓ４６を実行することで得られた膜厚分布の推定値と、基準条件の初期値での膜厚分布の実測値との差分を算出することで、一のパラメータを変化させた際の膜厚分布の変動量（各測定位置Ｐでの膜厚の増減量）の推定値を算出してもよい。

　膜厚分布の推定値を算出する範囲及び間隔については、例えば、オペレータ等により予め設定されている。推定情報生成部１１４は、例えば、測定条件を得るために変化させたパラメータを所定の幅で変化させていき、複数の値それぞれにおいて膜厚分布の推定値を取得する。所定の幅は、実測値を得るために変化対象パラメータを変化させる幅よりも小さくてもよい。一例として、測定条件を得るために変化させたパラメータが回転速度である場合に、推定情報生成部１１４は、１０ｒｐｍ、５０ｒｐｍ又は１００ｒｐｍごとに膜厚分布の推定値を算出する。変化対象パラメータが温度である場合に、推定情報生成部１１４は、０．５℃又は１℃ごとに膜厚分布の予測を算出する。

　図１３のグラフは、複数の回帰式に基づく、膜厚分布の推定値の一例を示している。図１３は、回転速度ω１ｒでの膜厚分布の実測値と、回転速度ω１ｒから５００ｒｐｍを減少した回転速度での膜厚分布の実測値とに加えて、回転速度ω１ｒから１００ｒｐｍを減少した回転速度での膜厚分布の推定値を示している。この膜厚分布の推定値は、図１２に示されるように、回転速度ω１ｒから１００ｒｐｍを減少した回転速度での複数の回帰式それぞれが示す膜厚の推定値（複数の測定位置での膜厚の推定値）から得ることができる。

　次に、制御装置１００は、複数のパラメータの全てについて、回帰式の生成及び推定値の算出を行ったかを判断する（ステップＳ４７）。推定情報生成部１１４は、例えば、基準条件の複数のパラメータを順に、変化させる対象のパラメータとして複数段階に変化させ、回帰式の生成及び推定値の算出を行う。ステップＳ４７において、複数のパラメータ全ての回帰式の生成及び推定値の算出が行われていないと判断された場合（ステップＳ４７：ＮＯ）、制御装置１００は、変化させる対象のパラメータを他のパラメータに変更する。そして、制御装置１００（推定情報生成部１１４）は、変更したパラメータについて、ステップＳ４１～Ｓ４７の処理を繰り返す。なお、パラメータを変更して同じ処理を繰り返す場合、ステップＳ４１のうち、基準条件に含まれる各種パラメータを測定条件とした被膜の膜厚分布の取得を省略し、他のパラメータに係る推定情報の生成で使用した同じ条件での測定ラインＬに沿った被膜の膜厚分布（初期基準分布）を利用する構成としてもよい。

　一方、ステップＳ４７において、複数のパラメータ全ての回帰式の生成及び推定値の算出が行われたと判断された場合（ステップＳ４７：ＹＥＳ）、制御装置１００は、一連の推定情報の生成処理を終了する。以上により、推定情報記憶部１１６は、制御条件に含まれる複数のパラメータそれぞれの変化と、被膜の膜厚分布の推定値とを対応付けた推定情報を生成する。なお、推定情報記憶部１１６は、複数のパラメータのうちいずれかのパラメータを変化させた際の、初期値の測定条件で得られた膜厚分布からの変化量（各測定位置での膜厚の増減量）の推定値を示す推定情報を生成してもよい。

（パラメータの調節処理）
　ステップＳ３２のパラメータの調節処理では、図１４に示されるように、制御装置１００が、条件記憶部１０４が記憶している基準条件（初期値に設定されている制御条件）で液処理を実行する（ステップＳ５１）。次に、制御装置１００は、基準条件に従って実行された液処理により得られる被膜の膜厚分布を測定する（ステップＳ５２）。データ取得部１１２は、例えば、ステップＳ４１と同様に、測定ラインＬに沿った被膜の膜厚分布（初期基準分布）を取得する。なお、ステップＳ５１，Ｓ５２を省略し、ステップＳ４１で取得した被膜の膜厚分布のうち、基準条件と同じ測定条件で取得した測定ラインＬに沿った被膜の膜厚分布（初期基準分布）を用いる構成としてもよい。

　次に、制御装置１００は、基準条件での被膜の膜厚分布と、推定情報とに基づいて、膜厚分布を目標膜厚分布に近づけるための調節に用いることができる条件の候補である候補条件を抽出する（ステップＳ５３）。調節量算出部１１８は、例えば、推定情報に基づいて、複数のパラメータを、推定情報に含まれる変化範囲内にて変化させた際の膜厚分布の予測値を算出する。調節量算出部１１８は、例えば、初期基準分布に推定情報が示す膜厚分布の変動値を加算することで、膜厚分布の予測を示す予測膜厚分布を算出する。調節量算出部１１８は、予測膜厚分布と目標膜厚分布との差分が所定値（例えば、膜厚分布の変動幅として許容できる値）よりも小さくなる１又は複数の候補条件を抽出してもよい。予測膜厚分布と目標膜厚分布との差分は、例えば、複数の測定位置Ｐそれぞれでの膜厚同士の差の平均で示される。

　一例として、調節量算出部１１８は、複数のパラメータのうちの２つのパラメータを予め設定された変化範囲及び変化幅にてそれぞれ変化させて得られる全ての条件について、複数の予測膜厚分布を算出してもよい。この際、２つのパラメータ以外の他のパラメータは初期値に固定される。そして、調節量算出部１１８は、２つのパラメータの組合せを変えて、同様に複数の予測膜厚分布を算出してもよい。調節量算出部１１８は、複数のパラメータに含まれる２つのパラメータの組合せ全てのそれぞれについて、複数の予測膜厚分を算出してもよい。調節量算出部１１８は、予測膜厚分布と目標膜厚分布との差分が所定値より小さくなる２つのパラメータを、候補条件として抽出してもよい。なお、調節量算出部１１８は、２つのパラメータの組合せの一部について、複数の予測膜厚分布を算出してもよく、複数のパラメータのうちの３以上のパラメータ（例えば、全てのパラメータ）の組合せそれぞれについて、複数の予測膜厚分布を算出してもよい。

　次に、制御装置１００は、上記の手法等で候補条件を抽出した結果、複数の候補条件が抽出されたかどうかを判断する（ステップＳ５４）。複数の候補条件が抽出されたと判断された場合（ステップＳ５４：ＹＥＳ）、制御装置１００は、所定の絞込条件に基づいて、複数の候補条件の中から１つ候補条件に絞り込む（ステップＳ５５）。調節量算出部１１８は、例えば、複数のパラメータに予め定められた優先順位に基づいて、複数の候補条件の中から１つ候補条件に絞り込む。一例として、調節量算出部１１８は、複数の候補条件に含まれる調節すべきパラメータの優先順位が高い１つの候補条件を選択してもよい。優先順位は、液処理の実行時における条件の調節の容易さ等を考慮して、オペレータにより予め設定されていてもよい。また、複数の候補条件から目標膜厚分布により近い状態を実現することができる１つの候補条件を選択することとしてもよい。

　単一の候補条件が抽出されたと判断された場合（ステップＳ５４：ＮＯ）、調節量算出部１１８は、ステップＳ５５を実行しない。調節量算出部１１８は、絞り込まれた候補条件、あるいは単一の候補条件に含まれる１又は複数のパラメータ（例えば、２つのパラメータ）を、調節対象のパラメータとして選択する。これにより、複数のパラメータの中から、推定情報に基づく予測膜厚分布が目標膜厚分布に近づく調節対象のパラメータが選択される。

　図１５には、調節対象のパラメータが選択された結果が模式的に例示されている。図１５では、初期膜厚分布が「Ｆｔ０」で示されており、複数のパラメータが「ｈ１」～「ｈ６」で示されており、予測膜厚分布が「Ｆｔ１」で示されている。また、膜厚が「ｔｈ」で示されており、膜厚の変動量が「Δｔｈ」で示されており、測定位置が「Ｐ」で示されている。調節量算出部１１８は、初期膜厚分布Ｆｔ０に、パラメータｈ１～ｈ６のうちの２つのパラメータそれぞれを変化させた複数の条件について複数の予測膜厚分布Ｆｔ１を算出することを、２つのパラメータの組合せを変更して繰り返す。調節量算出部１１８は、予測膜厚分布Ｆｔ１と初期膜厚分布Ｆｔ０との差分が所定値を下回る２つのパラメータを、調節対象のパラメータとして選択する。図１５に示される例では、パラメータｈ１，ｈ６をそれぞれ変化させ、パラメータｈ２～ｈ５を初期値に維持した場合に、上記差分が所定値を下回る予測膜厚分布Ｆｔ１が得られている。つまり、パラメータｈ１及びパラメータｈ６が調節対象のパラメータとして選択されている。

　複数のパラメータの中に、推定情報に含まれる被膜の膜厚分布の推定値（膜厚の変動量）が互いに打ち消し合う関係を有する一対のパラメータが存在する場合がある。推定値が互いに打ち消し合う関係とは、当該一対のパラメータをそれぞれ変化させたときに、測定位置Ｐ（ワークＷの半径方向の位置）毎の膜厚分布の推定値（膜厚の変動量）の増減の傾向が互いに逆となる関係である。これらの一対のパラメータの両方を用いて調節を行った場合、測定位置Ｐの大部分で各パラメータにおける特徴的な膜厚の変動量の変化が打ち消されることになり、結果として測定位置Ｐによらず膜厚変動量が略一定に近付くことが考えられる。

　このように、一対のパラメータの両方を用いて調節を行った場合、各パラメータから想定される膜厚の変動量に比べて測定位置Ｐの大部分において膜厚変動量が一定に近付く関係を「推定情報に含まれる被膜の膜厚分布の推定値が互いに打ち消し合う関係」という。以下、推定値が互いに打ち消し合う関係を有する一対のパラメータを「逆相関パラメータ」と称する。例えば、オペレータによって、複数のパラメータの中から、１又は複数組の逆相関パラメータが予め設定（指定）されていてもよい。上述の例では、パラメータｈ１，ｈ４の組合せが、逆相関パラメータとして予め設定されていてもよい。

　上述したステップＳ５３の一例では、調節量算出部１１８は、複数の予測膜厚分布を算出する際に、変化させる２以上のパラメータの組合せ全てのそれぞれについて、複数の予測膜厚分布を算出している。これに代えて、逆相関パラメータが予め設定されている場合、調節量算出部１１８は、変化させる２以上のパラメータの組合せから、当該２以上のパラメータが逆相関パラメータの双方を含む組合せを除いて、複数の予測膜厚分布を算出してもよい。この場合、予測膜厚分布と目標膜厚分布との差分が所定値より小さくなる候補条件に、逆相関パラメータの双方が含まれない。あるいは、パラメータを選択する際の基準として上述した優先順位に代えて、又は優先順位に加えて、２つのパラメータの膜厚変動分布の互いの関係性が考慮されてもよい。この場合、調節量算出部１１８は、逆相関パラメータの双方を含む候補条件を除外してもよい。

　例えば、逆相関パラメータが予め設定されていない場合、パラメータｈ５，ｈ６の組合せだけでなく、パラメータｈ１，ｈ４，ｈ５，ｈ６の組合せも候補条件になり得る。しかしながら、パラメータｈ１，ｈ４，ｈ５，ｈ６の組合せのうちのパラメータｈ１，ｈ４は、推定値が互いに打ち消し合う関係を有するので、実質的に膜厚分布の調節に寄与していない。これに対して、逆相関パラメータを予め設定することで、結果的に膜厚分布の変動に影響を与えないパラメータ同士を含む組合せを候補条件から除くことができる。以上のように、複数のパラメータの中から、予測膜厚分布が目標膜厚分布に近づく調節対象のパラメータを選択する際に、一対の逆相関パラメータの双方が調節対象のパラメータに含まれないようにパラメータの選択が実行されてもよい。

　被膜の膜厚分布の推定値（膜厚の変動量）が互いに打ち消し合う逆相関パラメータの一例として、膜厚変動分布が上下対称の関係を有する一対のパラメータが挙げられる。図１５の例では、パラメータｈ１，ｈ６が選択されているが、双方のパラメータが有する膜厚変動分布（横軸をワークＷの半径方向位置とし、縦軸を膜厚変動量として示されるモデル）が、互いに上下対称の形状ではないことも、パラメータｈ１，ｈ６が選択された理由の一つでもある。上下対称における上下は、縦軸（膜厚変動量）を意味する。ここで、膜厚変動分布が概ね上下対称の関係を有するパラメータｈ１，ｈ４が仮に選択された場合を例に説明する。パラメータｈ１では半径方向における中央部に比べ外周部の変動が大きく、パラメータｈ４では外周部に比べて中央部の変動が大きい。そのため、パラメータｈ１，ｈ４のそれぞれを変化させると、膜厚変動への寄与が大きい領域と小さい領域とが互いに逆となる。その結果、ワークＷ面内の局所的な膜厚の調節が困難になり、面内全体の膜厚分布に対する制御性が低下してしまう。

　これに対して、パラメータｈ１，ｈ６の膜厚変動分布は互いに上下対称の関係を有さずに、また、同様の（相似した形状を有する）プロファイルでもなく、中央部から外周部にかけての膜厚変動量の分布が異なる。この場合、外周部よりも中央部の膜厚を変化させる、又は中央部よりも外周部の膜厚を変化させるような局所的な膜厚の調節を行うことができ、ワークＷ面内全体の膜厚分布に対する制御性が向上する。

　ここでは、パラメータｈ１，ｈ６の組合せを例として説明したが、選択される他の組合せとしては、例えばパラメータｈ１，ｈ３の組合せでもよいし、パラメータｈ３，ｈ４の組合せでもよいし、パラメータｈ５，ｈ６の組合せでもよい。なお、２つのパラメータの膜厚変動分布が上下対称の関係を有するか否かは、中央部から外周部に向けての膜厚変動量の傾き（傾向）が同様の関係を有するか否かと言い換えることもできる。すなわち、膜厚変動分布が上下対称の関係を有する場合、変動する方向は反対であるが、膜厚変動量が互いに同様に増減する。膜厚変動分布が上下非対称の関係を有する場合、中央部から外周部に向けての膜厚変動量の傾き（傾向）が互いに異なるように膜厚変動量が変化する。

　図１４のフローチャートに戻り、ステップＳ５４又はステップＳ５５の実行後に、制御装置１００は、基準条件からのパラメータの調節量を算出する（ステップＳ５６）。調節量算出部１１８は、例えば、予測膜厚分布と目標膜厚分布との差分が所定値を下回るときの調節対象のパラメータの値と初期値との差を調節量として算出する。そして、制御装置１００は、条件記憶部１０４が記憶している基準条件のうちの調節対象のパラメータを、ステップＳ５６で得られた調節量だけ調節する（ステップＳ５７）。すなわち、制御装置１００（条件調節部１１０）は、基準条件を調節することにより制御条件を設定する。なお、ステップＳ５６に対応するプロセスは、候補条件の抽出（ステップＳ５３）の際に行う構成としてもよい。すなわち、候補条件を抽出する際に、パラメータを変化させながら予測膜厚分布を算出している場合、この予測膜厚分布が目標膜厚分布により近づく際のパラメータの値に基づいて調節量を決定することとしてもよい。

　次に、制御装置１００は、ステップＳ５７で設定された制御条件の検証を実行する（ステップＳ５８）。例えば、制御装置１００は、ステップＳ５７で設定された制御条件に従って、処理モジュール１２により液処理を実行し、当該液処理により得られた被膜の膜厚分布（実測膜厚分布）を取得する。制御装置１００は、調節対象パラメータを選択する際に算出した予測膜厚分布と実測膜厚分布とを比較することで、ステップＳ３１で生成された推定情報（回帰式）が妥当かどうかを判定してもよい。制御装置１００は、例えば、予測膜厚分布と実測膜厚分布との差分が所定値よりも小さい場合に、推定情報が妥当であると判定してもよい。制御装置１００は、当該差分が所定値よりも大きい場合に、推定情報が妥当ではないと判定し、制御装置１００は、他の候補条件を用いてパラメータの調節を行ってもよく、回帰式の生成方法を変えてステップＳ４１～Ｓ４７の処理を再度行ってもよい。また、制御装置１００は、ステップＳ５８で得られた実測膜厚分布により、ステップＳ３１で算出された回帰式を修正してもよい。以上により、制御装置１００は、パラメータの一連の調節処理を終了する。なお、ステップＳ５８を行うことで、制御条件の調節が適切であるかを評価することができるが、この手順を行わない構成としてもよい。

［実施形態の効果］
　以上の例の基板処理方法は、回転速度ω１でワークＷを回転させつつ当該ワークＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出することを含む塗布処理と、塗布処理後に回転速度ω３でワークＷを回転させてワークＷの表面Ｗａ上の処理液の被膜を乾燥させることを含む乾燥処理とを含む液処理を所定の基準条件に従って実行して得られた被膜の膜厚分布と、予め定められた被膜の目標膜厚分布とに基づいて、基準条件のうち、乾燥処理の回転速度ω３でのワークＷの回転開始よりも前段における液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節することと、基準条件のうち少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、ワークＷに液処理を施すことを含む。乾燥処理の回転速度ω３でのワークＷの回転開始よりも前段における液処理の条件が、液処理の実行結果である膜厚分布に大きく影響すると考えられる。上記方法では、乾燥処理の回転速度ω３でのワークＷの回転開始よりも前段における液処理の条件を定めたパラメータが調節されるので、液処理の実行結果を目標の処理結果に容易に近づけることが可能となる。

　以上の例の基板処理方法において、塗布処理は、処理液の吐出完了後に、回転速度ω２とは異なる回転速度ω３でワークＷを回転させることを更に含んでもよい。処理液の吐出完了後において行われるワークＷの回転の条件も膜厚分布へ大きく影響すると考えられる。吐出完了後のワークＷの回転に関するパラメータを調節する場合、条件の調節を容易に行うことが可能となる。

　以上の例の基板処理方法において、少なくとも１つのパラメータを調節することは、回転速度ω１、処理液の吐出時間、処理液の吐出速度、回転速度ω２、回転速度ω２でワークＷを回転させる時間、処理液の吐出開始時点でのワークＷの温度、及び処理液の温度から成る群から選択された少なくとも１つを調節することを含んでもよい。上記群に含まれる複数のパラメータのいずれか１つが変化することで膜厚分布が変動するので、実行結果の膜厚分布を目標膜厚分布に近づける調節が可能となる。

　以上の例の基板処理方法において、液処理は、塗布処理の前にワークＷの温度を調節する基板温調処理を更に含んでいてもよい。少なくとも１つのパラメータを調節することは、処理液の吐出開始時点でのワークＷの温度を調節することを含んでいてもよい。処理液の吐出開始時点でのワークＷの温度を調節することは、基板温調処理における目標温度を調節することを含んでもよい。この場合、吐出開始時点でのワークＷの温度を基板温調処理において調節することができる。そのため、吐出開始時点でのワークＷの温度を調節する際に、条件の調節を容易に行うことができる。

　以上の例の基板処理方法において、少なくとも１つのパラメータを調節することは、基準条件を構成する複数のパラメータそれぞれの変化と、被膜の膜厚分布の推定値とを対応付けた推定情報を生成することと、推定情報に基づいて、少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することとを含んでもよい。この場合、推定情報に基づき、液処理の条件の変更による膜厚分布への影響が定量的に示される。従って、オペレータ等の技能あるいは経験に基づくことなく、液処理を実行して得られる膜厚分布が目標膜厚分布に近づくように、液処理の条件を調節することが可能となる。

　条件の調節方法として、基準条件に従って得られた膜厚分布をオペレータが確認し、オペレータ自身が、これまでの経験あるいは勘（技能）に基づき、パラメータの変更と実測値の確認との試行錯誤を繰り返してパラメータを調節する（制御条件を設定する）ことも考えられる。この場合、パラメータの調節には、オペレータの熟練が必要となり、また熟練のオペレータであっても試行錯誤を繰り返す必要があり調節処理に時間を要する場合がある。一方、上記基板処理方法では、推定情報に基づき、液処理の条件の変更による膜厚分布への影響が定量的に示される。そのため、熟練のオペレータでなくてもパラメータの調節を行うことができ、更に、多くの試行錯誤を繰り返す必要がないので調節処理に要する時間を短くすることが可能となる。従って、推定情報を用いてパラメータの調節を行うことで、液処理の実行結果を目標の処理結果に近づけることが容易である。

　なお、推定情報を用いたパラメータの調節により、液処理の実行結果を目標の処理結果に近づけることに関しては、液処理が、レジスト膜を形成するための処理以外の処理であっても有効である。例えば、推定情報を用いたパラメータの調節が、処理モジュール１４（液処理ユニット）において行われる現像処理を含む液処理に適用されてもよい。この場合、ワークＷの表面Ｗａに形成されるパターンの線幅が、目標の線幅に近づくように、現像処理を含む液処理の条件を定めるパラメータが調節されてもよい。推定情報は、現像処理を含む液処理の条件を定めるパラメータの変化と、線幅の予測値を対応付けた情報であってもよい。

　以上の例の基板処理方法において、少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することは、複数のパラメータの中から、推定情報に基づく被膜の膜厚分布の予測が目標膜厚分布に近づく調節対象パラメータを選択することと、目標膜厚分布に近づく際の調節対象パラメータの値に応じて、少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することとを含んでもよい。この場合、推定情報に基づいて、調節すべきパラメータが選択され、更に調節量が算出されるので、パラメータの変化と実測値の確認との試行錯誤を繰り返す場合に比べて、液処理の条件を調節するための時間を短縮することが可能となる。

　以上の例の基板処理方法において、複数のパラメータには優先順位が予め定められていてもよい。複数のパラメータの中から調節対象パラメータを選択することは、優先順位にも基づいて調節対象パラメータを選択することを含んでいてもよい。この場合、優先順位にも基づき調節すべきパラメータが選択されるので、液処理の条件を更に容易に調節することが可能となる。

　以上の例の基板処理方法において、複数のパラメータは、推定情報に基づく被膜の膜厚分布の推定値が互いに打ち消し合う関係を有する一対の逆相関パラメータを含んでもよい。複数のパラメータの中から調節対象パラメータを選択することは、一対の逆相関パラメータの双方が調節対象パラメータに含まれないように複数のパラメータの中から調節対象パラメータを選択することを含んでもよい。この場合、調節すべきパラメータの数が必要以上に多くなってしまう可能性を低減できるので、パラメータの調節を簡便に行うことが可能となる。

　以上の例の基板処理方法において、推定情報を生成することは、複数のパラメータのうち１つのパラメータを複数段階に変化させて液処理を実行し、変化させる段階ごとに被膜の膜厚分布の実測値を取得することと、実測値に基づいて、基板における複数の位置について、１つのパラメータに応じた被膜の膜厚の変化を示す複数の回帰式をそれぞれ生成することとを含んでいてもよい。この場合、複数の回帰式によって、実測値を得ていないパラメータの値についても膜厚の予測値を得ることが可能となる。

　以上の例の基板処理システム１は、回転速度ω１でワークＷを回転させつつ当該ワークＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出することを含む塗布処理と、塗布処理後に回転速度ω３でワークＷを回転させてワークＷの表面Ｗａ上の処理液の被膜を乾燥させることを含む乾燥処理とを含む液処理を行う処理モジュール１２と、処理モジュール１２を制御する制御装置１００とを備える。制御装置１００は、所定の基準条件に従って処理モジュール１２に液処理を実行させて得られた被膜の膜厚分布と、予め定められた被膜の目標膜厚分布とに基づいて、基準条件のうち、乾燥処理の回転速度ω３でのワークＷの回転開始よりも前段における液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節することと、基準条件のうち少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、処理モジュール１２によりワークＷに液処理を施すこととを実行する。このシステムでは、上述の基板処理方法と同様に、液処理の実行結果を目標の処理結果に容易に近づけることが可能となる。

［変形例］
　以上の例において生成される回帰式は、パラメータ相互間の影響を考慮せずに生成される。パラメータの組合せによっては、一のパラメータに応じて、他のパラメータを変化させた際の膜厚の変動量が異なる場合がある。そのため、推定情報生成部１１４は、上述の回帰式に代えて、２つのパラメータの互いの影響（交互作用）を考慮した複数のモデル式を生成してもよい。以下、２つのパラメータの交互作用を考慮してモデル式を生成して、推定情報を作製する場合について説明する。

　制御装置１００は、例えば、互いの影響を考慮すべき２つのパラメータを複数段階にそれぞれ変化させた条件に従って液処理を実行する。そして、制御装置１００（推定情報生成部１１４）は、変化させる段階の組合せごとに、測定条件に従って実行された液処理による被膜の膜厚分布の実測値（第２実測値）を取得する。推定情報生成部１１４は、測定条件での液処理により得られた実測値に基づいて、ワークＷの複数の測定位置について、２つのパラメータの互いに影響を含み、且つ２つのパラメータに応じた被膜の膜厚の変化を示す複数のモデル式をそれぞれ生成する。推定情報生成部１１４は、例えば、各測定位置において、上記実測値に基づいて、２つのパラメータに対する膜厚の変化を示す予測曲面をモデル式として生成する。

　推定情報生成部１１４は、複数のモデル式に基づいて、２つのパラメータを変化させる段階間での膜厚の予測値を算出してもよい。なお、推定情報生成部１１４は、複数のパラメータのうちの一部のパラメータについて、交互作用を考慮した複数のモデル式を生成してもよい。すなわち、推定情報生成部１１４は、複数のモデル式と、交互作用を考慮していない複数の回帰式とに基づいて、推定情報を生成してもよい。

　変形例に係る基板処理方法において、推定情報を生成することは、複数のパラメータのうち２つのパラメータを複数段階にそれぞれ変化させて液処理を実行し、変化させる段階の組合せごとに被膜の膜厚分布の実測値を取得することと、実測値に基づいて、ワークＷにおける複数の位置について、２つのパラメータの互いの影響を含み、且つ２つのパラメータに応じた被膜の膜厚の変化を示す複数のモデル式をそれぞれ生成することとを含んでいてもよい。パラメータの組合せによっては、一方のパラメータの変化が、他方のパラメータに応じた膜厚の変化幅に影響を及ぼす場合がある。上記構成では、互いの影響が考慮されたモデル式が生成されるので、膜厚の予測をより精度良く行うことが可能となる。

　ここで、交互作用を考慮しない場合と交互作用を考慮した場合との間における膜厚の推定値の違いについて例示する。２つのパラメータｈ１，ｈ２を直線近似したと仮定し、それぞれの近似式の傾きを「ｂ１」，「ｂ２」として表し、定数を「Ｃ」として表すと、交互作用を考慮していない回帰式に基づく、一の測定位置における膜厚ｔｈは、式（１）で示される。
　　　ｔｈ＝ｂ１×ｈ１＋ｂ２×ｈ２＋Ｃ　　　（１）
　一方、交互作用を考慮したモデル式に基づく、一の測定位置における膜厚ｔｈは、互いの影響を示す係数を「ｂ３」として表すと、式（２）で示される。
　　　ｔｈ＝ｂ１×ｈ１＋ｂ２×ｈ２＋ｂ３×ｈ１×ｈ２＋Ｃ　　　（２）

　式（１）では、一方のパラメータｈ１の値が異なっても、他方のパラメータｈ２に応じた膜厚ｔｈの変化幅は一定である。式（２）では互いの影響を含む係数ｂ３を含む項が含まれているので、一方のパラメータｈ１の値が異なると、他方のパラメータｈ２に応じた膜厚ｔｈの変化幅も異なる。つまり、式（２）で示されるモデル式には、パラメータｈ１とパラメータｈ２との交互作用の影響が含まれている。そのため、式（２）のような交互作用を考慮したモデル式を算出することで、パラメータの組合せによっては、交互作用を考慮しない場合に比べて、より精度良く膜厚を予測することが可能となる。

　条件調節部１１０は、調節対象パラメータの調節量の算出結果を表示装置に出力してもよい。表示装置は、算出結果をオペレータに表示可能であってもよい。条件調節部１１０は、調節量の算出結果の出力後に、オペレータからの入力情報に基づいて基準条件を調節してもよい（制御条件を設定してもよい）。

　図８に示されるステップＳ３１の推定情報の生成、及びステップＳ３２のパラメータの調節手順が、一つの塗布・現像装置２ごとに実行されてもよい。あるいは、ステップＳ３１の処理結果（推定情報）が、複数の塗布・現像装置２の間で共通に用いられてもよい。例えば、複数の塗布・現像装置２のうちパラメータの調節に利用する各種情報を得るための装置を「塗布・現像装置２Ａ」とし、パラメータの調節対象の装置を「塗布・現像装置２Ｂ」とした場合に、塗布・現像装置２Ａにおいて各測定条件（図９参照）で実行された液処理に基づいて推定情報が生成されてもよい。そして、塗布・現像装置２Ｂの条件調節部１１０は、塗布・現像装置２Ａについて生成された推定情報を取得して、パラメータを調節してもよい（ステップＳ０２を実行してもよい）。なお、塗布・現像装置２Ａ，２Ｂは、互いに同一の機能を有する（同じ種類の装置である）。

　ステップＳ３２の一部の処理結果（初期膜厚分布）が、複数の塗布・現像装置２の間で共通に用いられてもよい。例えば、塗布・現像装置２Ａにおいて基準条件に従って実行して得られた被膜の膜厚分布である初期膜厚分布が測定されてもよい（図１４参照）。そして、塗布・現像装置２Ｂの条件調節部１１０は、塗布・現像装置２Ａについて測定された初期膜厚分布を取得して、パラメータを調節してもよい（ステップＳ５３～Ｓ５８を実行してもよい）。このように、塗布・現像装置２Ｂの条件調節部１１０は、塗布・現像装置２Ｂにおいて基準条件に従って実行された処理結果に相当する初期膜厚分布（塗布・現像装置２Ｂにおいても同等の結果が得られると推定される初期膜厚分布）と目標膜厚分布とに基づいてパラメータを調節してもよい。なお、塗布・現像装置２Ｂの条件調節部１１０は、塗布・現像装置２Ａについて調節されたパラメータの情報を取得することで、パラメータを調節してもよい。塗布・現像装置２Ａ，２Ｂを含む複数の塗布・現像装置２について、一つの条件調節部１１０が設けられ、当該条件調節部１１０が、一の塗布・現像装置２において得られたパラメータの調節量に基づいて、他の塗布・現像装置２それぞれについてパラメータを調節してもよい。

　なお、以上の例は下記の構成も含んでいる。
（付記）
　処理液を用いた基板への液処理を所定の基準条件に従って実行した液処理結果と予め定められた目標処理結果とに基づいて、前記基準条件のうち前記基板への前記液処理の結果に影響を及ぼす少なくとも１つのパラメータを調節することと、
　前記基準条件のうち前記少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、前記基板に対して前記液処理を施すこととを含み、
　前記少なくとも１つのパラメータを調節することは、
　　前記基準条件を構成する複数のパラメータそれぞれの変化と、前記液処理結果の推定値とを対応付けた推定情報を生成することと、
　　前記推定情報に基づいて、前記少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することとを含む、基板処理方法。

　１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、１２…処理モジュール、１６…温度調節部、Ｕ１…塗布ユニット、２０…回転保持部、３０…処理液供給部、１００…制御装置、１１０…条件調節部、Ｗ…ワーク。

Claims (12)

1. 　第１回転速度で基板を回転させつつ当該基板の表面に向けて処理液を吐出することを含む塗布処理と、前記塗布処理後に第２回転速度で前記基板を回転させて前記基板の表面上の前記処理液の被膜を乾燥させることを含む乾燥処理とを含む液処理を所定の基準条件に従って実行して得られた前記被膜の膜厚分布と、予め定められた前記被膜の目標膜厚分布とに基づいて、前記基準条件のうち、前記乾燥処理の前記第２回転速度での前記基板の回転開始よりも前段における前記液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節することと、
   　前記基準条件のうち前記少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、前記基板に前記液処理を施すこととを含む、基板処理方法。
2. 　前記塗布処理は、前記処理液の吐出完了後に、前記第１回転速度とは異なる第３回転速度で前記基板を回転させることを更に含む、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 　前記少なくとも１つのパラメータを調節することは、前記第１回転速度、前記処理液の吐出時間、前記処理液の吐出速度、前記第３回転速度、前記第３回転速度で前記基板を回転させる時間、前記処理液の吐出開始時点での前記基板の温度、及び前記処理液の温度から成る群から選択された少なくとも１つを調節することを含む、請求項２に記載の基板処理方法。
4. 　前記液処理は、前記塗布処理の前に前記基板の温度を調節する基板温調処理を更に含み、
   　前記少なくとも１つのパラメータを調節することは、前記処理液の吐出開始時点での前記基板の温度を調節することを含み、
   　前記処理液の吐出開始時点での前記基板の温度を調節することは、前記基板温調処理における目標温度を調節することを含む、請求項３に記載の基板処理方法。
5. 　前記少なくとも１つのパラメータを調節することは、
   　　前記基準条件を構成する複数のパラメータそれぞれの変化と、前記被膜の膜厚分布の推定値とを対応付けた推定情報を生成することと、
   　　前記推定情報に基づいて、前記少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することとを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 　前記少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することは、
   　　前記複数のパラメータの中から、前記推定情報に基づく前記被膜の膜厚分布の予測が前記目標膜厚分布に近づく調節対象パラメータを選択することと、
   　　前記目標膜厚分布に近づく際の前記調節対象パラメータの値に応じて、前記少なくとも１つのパラメータの調節量を算出することとを含む、請求項５に記載の基板処理方法。
7. 　前記複数のパラメータには優先順位が予め定められており、
   　前記複数のパラメータの中から前記調節対象パラメータを選択することは、前記優先順位にも基づいて前記調節対象パラメータを選択することを含む、請求項６に記載の基板処理方法。
8. 　前記複数のパラメータは、前記推定情報に含まれる前記被膜の膜厚分布の推定値が互いに打ち消し合う関係を有する一対の逆相関パラメータを含み、
   　前記複数のパラメータの中から前記調節対象パラメータを選択することは、前記一対の逆相関パラメータの双方が前記調節対象パラメータに含まれないように前記複数のパラメータの中から前記調節対象パラメータを選択することを含む、請求項６又は７に記載の基板処理方法。
9. 　前記推定情報を生成することは、
   　　前記複数のパラメータのうち１つのパラメータを複数段階に変化させて前記液処理を実行し、変化させる段階ごとに前記被膜の膜厚分布の第１実測値を取得することと、
   　　前記第１実測値に基づいて、前記基板における複数の位置について、前記１つのパラメータに応じた前記被膜の膜厚の変化を示す複数の回帰式をそれぞれ生成することとを含む、請求項５～８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
10. 　前記推定情報を生成することは、
    　　前記複数のパラメータのうち２つのパラメータを複数段階にそれぞれ変化させて前記液処理を実行し、変化させる段階の組合せごとに前記被膜の膜厚分布の第２実測値を取得することと、
    　　前記第２実測値に基づいて、前記基板における複数の位置について、前記２つのパラメータの互いの影響を含み、且つ前記２つのパラメータに応じた前記被膜の膜厚の変化を示す複数のモデル式をそれぞれ生成することとを含む、請求項５～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
11. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
12. 　第１回転速度で基板を回転させつつ当該基板の表面に向けて処理液を吐出することを含む塗布処理と、前記塗布処理後に第２回転速度で前記基板を回転させて前記基板の表面上の前記処理液の被膜を乾燥させることを含む乾燥処理とを含む液処理を行う液処理ユニットと、
    　前記液処理ユニットを制御する制御ユニットとを備え、
    　前記制御ユニットは、
    　　所定の基準条件に従って前記液処理ユニットに前記液処理を実行させて得られた前記被膜の膜厚分布と、予め定められた前記被膜の目標膜厚分布とに基づいて、前記基準条件のうち、前記乾燥処理の前記第２回転速度での前記基板の回転開始よりも前段における前記液処理の条件を定めた少なくとも１つのパラメータを調節することと、
    　　前記基準条件のうち前記少なくとも１つのパラメータを調節することで得られる制御条件に従って、前記液処理ユニットにより前記基板に前記液処理を施すこととを実行する、基板処理装置。

Images