JPH11121367A - 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は塗布材料を滴下するガラス基盤を均一
温度に温度制御して均一な塗布膜を形成する塗布膜形成
方法及び塗布膜形成装置を提供する。 【解決手段】塗布膜形成装置１０は、温度制御板１３を
主軸１１に沿って移動させてターンテーブル１２に密着
させ、ターンテーブル１２上にガラス基盤１５を載置さ
せて吸引口１２ａにより吸着させると、温度制御板１３
のヒーター線１７により所定の目標温度に温度制御す
る。温度センサ１６でターンテーブル１２の温度を検出
して目標温度に均一に加熱されると、温度制御板１３を
ターンテーブル１２から引き離して、主軸１１を介して
ターンテーブル１２を所定の低速回転させ、アーム１４
を介して吐出口２１をガラス基盤１５の外周位置まで移
動させて、ガラス基盤１５の外周から内周に向かってア
ーム１８を回動させつつガラス基盤１５上にレジストを
滴下する。レジストの滴下を完了すると、ターンテーブ
ル１２を所定の高速で回転させ、ガラス基盤１５上のレ
ジストを振り切って膜厚を均一にするとともに、レジス
トを乾燥させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、塗布膜形成方法及
び塗布膜形成装置に関し、詳細には、光ディスクを作製
するための光ディスク原盤用レジスト膜を形成する等の
ようにスピンコート法により塗布膜を形成する塗布膜形
成方法及び塗布膜形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近時、光学的に情報の再生を行ったり、
光学的に情報の再生と記録を行う光ディスクが出現して
おり、このような光ディスクとしては、例えば、ＣＤ
（コンパクトディスク：Compact Disc）、ＣＤ−ＲＯＭ
（Compact Disc Read Only Memory ）及び光磁気ディス
ク等がある。

【０００３】このような光ディスクは、一般的に、直径
１２０ｍｍあるいは８０ｍｍで、盤厚が１．２ｍｍの円
盤状に形成されており、音楽情報だけでなく、コンピュ
ータソフトの情報等の記録媒体として広く利用されてい
る。

【０００４】従来、光ディスク原盤の作製は、まず、ガ
ラス基盤にフォトレジストを均一に塗布し、レジスト膜
の塗布されたガラス基盤を、所定のフォーマットにした
がって光変調されたレーザー集光ビームで露光すること
により、案内溝や情報を記録していく。この露光された
原盤を現像処理することにより、凹凸を作り、それを元
に、この表面に導電性金属スパッタ処理とメッキ作業を
行って、スタンパと呼ばれる金型を作成し、このスタン
パがディスク基板のレプリカ用の型となる。

【０００５】上記光ディスク原盤の作製工程において、
ガラス基盤にフォトレジストを均一に塗布する工程で
は、スピンコート法が一般に使用されている。

【０００６】このフォトレジストを塗布するスピンコー
ト装置は、一般に、図８に示すようになっており、ター
ンテーブル１上に表面を精密に研磨して洗浄したガラス
基盤２を載せ、ガラス基盤２をターンテーブル１に真空
吸着させる。このターンテーブル１の主軸３に接続され
たモータを回転駆動して、ターンテーブル１を主軸３を
中心として回転するとともに、ターンテーブル１に吸着
されたガラス基盤２を回転させ、アーム４をガラス基盤
２の端部から中心部まで移動させつつ、アーム４の先端
からレジストをガラス基盤２上に滴下させる。

【０００７】ガラス基盤２上に滴下されたレジストは、
回転するガラス基盤２の遠心力により、その膜厚が均一
にされつつ、乾燥される。

【０００８】そして、レジストは、その膜厚がディスク
基盤のピットやグループの溝深さとなって現れるため、
膜厚にムラが無く均一であることが要求される。

【０００９】この膜厚の変動要因としては、種々考えら
れるが、重要な要因の一つとして、ガラス基盤２の温度
変動があり、このガラス基盤２の温度変動は、ターンテ
ーブル１を回転駆動するモータからの熱流入が大きな要
因と考えられる。

【００１０】そこで、従来、ターンテーブルを熱伝導率
の低い材質で形成して、モータからの熱流入を小さくし
たスピンコート装置が提案されている（特開昭５８−８
２５２１号公報、特開平２−２９１１０８号公報参
照）。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のスピンコート装置にあっては、単に、ターン
テーブルを熱伝導率の低い材質で形成して、モータから
の熱流入を減少させているだけであるため、レジスト膜
を均一にする上で充分な解決とはなっていなかった。

【００１２】すなわち、ガラス基盤に塗布されるレジス
ト膜は、ターンテーブルからガラス基盤に伝達される温
度によりその膜厚が変化するが、ターンテーブルの材質
を熱伝導率の低いものとするだけでは、ターンテーブル
を回転駆動するモータからの熱流入を完全には、無くす
ことができず、また、ターンテーブルに吸着されるガラ
ス基盤自身が温度差を有しており、さらに、室温の変化
も影響して、レジスト膜の膜厚が不均一になる。また、
同じガラス基盤であっても、使用中に徐々にターンテー
ブルの温度分布差がガラス基盤に温度分布差を引き起こ
して、例えば、内周部分と外周部分で膜厚が変化すると
いう問題があった。

【００１３】そこで、請求項１記載の発明は、ガラス基
盤を載置するターンテーブルの下面に所定の熱伝導率の
良好な材料で形成され温度制御可能な温度制御板を離接
可能に密着させ、当該温度制御板によりターンテーブル
を介してガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御
した後、温度制御板をターンテーブルから引き離して、
ターンテーブルを回転させつつ塗布材料をガラス基板上
に滴下させて、ガラス基盤表面に塗布することにより、
簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一な温
度に保持するとともに、常時ガラス基盤を目標温度に保
持して、ガラス基盤の温度変化によって生じる塗布材料
の膜厚変化を防止し、塗布材料を均一な膜厚に塗布する
ことのできる塗布膜形成方法を提供することを目的とし
ている。

【００１４】請求項２記載の発明は、塗布動作中にター
ンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．
２５℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温
度制御することにより、温度制御が不可能なターンテー
ブルの回転中においても、外部からのガラス基盤への熱
流入による温度上昇を少なくし、ガラス基盤をより一層
均一な温度に保持して、塗布材料をより一層均一な膜厚
に塗布することのできる塗布膜形成方法を提供すること
を目的としている。

【００１５】請求項３記載の発明は、塗布材料を目標温
度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させることに
より、塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防
止して、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持し、塗
布材料をより一層均一な膜厚に塗布することのできる塗
布膜形成方法を提供することを目的としている。

【００１６】請求項４記載の発明は、雰囲気温度近傍の
温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布
材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度
調整した後、ガラス基盤上に滴下させることにより、ガ
ラス基盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材
料により抑制しつつ、均一な温度に保持し、均一な膜厚
に塗布することのできる塗布膜形成方法を提供すること
を目的としている。

【００１７】請求項５記載の発明は、所定の熱伝導率の
良好な材料で形成されターンテーブルの下面に離接可能
に密着された温度制御板を、温度制御手段により温度制
御して、ターンテーブルを介してガラス基盤を所定の目
標温度に均一に温度制御した後、温度制御板をターンテ
ーブルから引き離して、ターンテーブルを回転させつつ
塗布材料をガラス基板上に滴下させて、塗布材料をガラ
ス基盤表面に塗布することにより、簡単な構成で、ガラ
ス基盤全体を温度勾配無く均一な温度に保持するととも
に、常時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラス基盤
の温度変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を防止
し、塗布材料を均一な膜厚に塗布することのできる塗布
膜形成装置を提供することを目的としている。

【００１８】請求項６記載の発明は、塗布動作中にター
ンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．
２５℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温
度制御することにより、温度制御が不可能なターンテー
ブルの回転中においても、外部からのガラス基盤への熱
流入による温度上昇を少なくし、ガラス基盤をより一層
均一な温度に保持して、塗布材料をより一層均一な膜厚
に塗布することのできる塗布膜形成装置を提供すること
を目的としている。

【００１９】請求項７記載の発明は、塗布材料を目標温
度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させることに
より、塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防
止して、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持して、
塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することのできる
塗布膜形成装置を提供することを目的としている。

【００２０】請求項８記載の発明は、雰囲気温度近傍の
温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布
材料を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度
調整した後、ガラス基盤上に滴下させることにより、ガ
ラス基盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材
料により抑制しつつ、均一な温度に保持し、塗布材料を
均一な膜厚に塗布することのできる塗布膜形成装置を提
供することを目的としている。

【００２１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の塗
布膜形成方法は、ターンテーブル上にガラス基盤を載置
して、前記ターンテーブルを介して前記ガラス基盤を回
転しつつ、前記ガラス基盤上に塗布材料を滴下させ、前
記ガラス基盤上に滴下された前記塗布材料を遠心力によ
り振り切って前記ガラス基盤表面に塗布する塗布膜形成
方法であって、前記ターンテーブルの下面に所定の熱伝
導率の良好な材料で形成され温度制御可能な温度制御板
を離接可能に密着させ、当該温度制御板により前記ター
ンテーブルを介して前記ガラス基盤を所定の目標温度に
均一に温度制御した後、前記温度制御板を前記ターンテ
ーブルから引き離して、前記ターンテーブルを回転させ
つつ前記塗布材料の塗布を行うことにより、上記目的を
達成している。

【００２２】上記構成によれば、ガラス基盤を載置する
ターンテーブルの下面に所定の熱伝導率の良好な材料で
形成され温度制御可能な温度制御板を離接可能に密着さ
せ、当該温度制御板によりターンテーブルを介してガラ
ス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御した後、温度
制御板をターンテーブルから引き離して、ターンテーブ
ルを回転させつつ塗布材料をガラス基板上に滴下させ
て、ガラス基盤表面に塗布しているので、簡単な構成
で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一な温度に保持す
ることができるとともに、常時ガラス基盤を目標温度に
保持して、ガラス基盤の温度変化によって生じる塗布材
料の膜厚変化を防止ことができ、塗布材料を均一な膜厚
に塗布することができる。

【００２３】この場合、例えば、請求項２に記載するよ
うに、前記塗布膜形成方法は、前記塗布動作中に前記タ
ーンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±
０．２５℃だけ高い温度を前記目標温度として、前記温
度制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御してもよ
い。

【００２４】上記構成によれば、塗布動作中にターンテ
ーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５
℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制
御しているので、温度制御が不可能なターンテーブルの
回転中においても、外部からのガラス基盤への熱流入に
よる温度上昇を少なくして、ガラス基盤をより一層均一
な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一
な膜厚に塗布することができる。

【００２５】また、例えば、請求項３に記載するよう
に、前記塗布膜形成方法は、前記塗布材料を前記目標温
度に温度調整した後、前記ガラス基盤上に滴下させても
よい。

【００２６】上記構成によれば、塗布材料を目標温度に
温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、
塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防止し
て、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することが
でき、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することが
できる。

【００２７】さらに、例えば、請求項４に記載するよう
に、前記塗布膜形成方法は、雰囲気温度近傍の温度を前
記目標温度として、前記温度制御板を介して前記ガラス
基盤を温度制御し、前記塗布材料を当該目標温度よりも
所定温度だけ低い温度に温度調整した後、前記ガラス基
盤上に滴下させてもよい。

【００２８】上記構成によれば、雰囲気温度近傍の温度
を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布材料
を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整
した後、ガラス基盤上に滴下させているので、ガラス基
盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材料によ
り抑制しつつ、均一な温度に保持することができ、均一
な膜厚に塗布することができる。

【００２９】請求項５記載の発明の塗布膜形成装置は、
ターンテーブル上にガラス基盤を載置して、前記ターン
テーブルを介して前記ガラス基盤を回転しつつ、前記ガ
ラス基盤上に塗布材料を滴下させ、前記ガラス基盤上に
滴下された前記塗布材料を遠心力により振り切って前記
ガラス基盤表面に塗布する塗布膜形成装置であって、所
定の熱伝導率の良好な材料で形成され前記ターンテーブ
ルの下面に離接可能に密着される温度制御板と、前記温
度制御板を温度制御して前記ターンテーブルを介して前
記ガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御する温
度制御手段と、を備え、前記温度制御手段により前記ガ
ラス基盤を前記目標温度に均一に温度制御した後、前記
温度制御板を前記ターンテーブルから引き離して、前記
ターンテーブルを回転させつつ前記塗布材料を前記ガラ
ス基板上に滴下させて、前記塗布材料を前記ガラス基盤
表面に塗布することにより、上記目的を達成している。

【００３０】上記構成によれば、所定の熱伝導率の良好
な材料で形成されターンテーブルの下面に離接可能に密
着された温度制御板を、温度制御手段により温度制御し
て、ターンテーブルを介してガラス基盤を所定の目標温
度に均一に温度制御した後、温度制御板をターンテーブ
ルから引き離して、ターンテーブルを回転させつつ塗布
材料をガラス基板上に滴下させて、塗布材料をガラス基
盤表面に塗布しているので、簡単な構成で、ガラス基盤
全体を温度勾配無く均一な温度に保持することができる
とともに、常時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラ
ス基盤の温度変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を
防止することができ、塗布材料を均一な膜厚に塗布する
ことができる。

【００３１】この場合、例えば、請求項６に記載するよ
うに、前記温度制御手段は、前記塗布動作中に前記ター
ンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．
２５℃だけ高い温度を目標温度として、前記温度制御板
を介して前記ガラス基盤を温度制御するものであっても
よい。

【００３２】上記構成によれば、塗布動作中にターンテ
ーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５±０．２５
℃だけ高い温度を目標温度として、ガラス基盤を温度制
御しているので、温度制御が不可能なターンテーブルの
回転中においても、外部からのガラス基盤への熱流入に
よる温度上昇を少なくして、ガラス基盤をより一層均一
な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均一
な膜厚に塗布することができる。

【００３３】また、例えば、請求項７に記載するよう
に、前記塗布膜形成装置は、前記塗布材料の温度を調整
する塗布材料温度調整手段をさらに備え、前記塗布材料
温度調整手段は、前記塗布材料を前記目標温度に調整す
るものであってもよい。

【００３４】上記構成によれば、塗布材料を目標温度に
温度調整した後、ガラス基盤上に滴下させているので、
塗布材料の滴下によるガラス基盤の温度変化を防止し
て、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することが
でき、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することが
できる。

【００３５】さらに、例えば、請求項８に記載するよう
に、前記塗布膜形成装置は、前記塗布材料の温度を調整
する塗布材料温度調整手段をさらに備え、前記温度制御
手段は、雰囲気温度近傍の温度を前記目標温度として前
記ガラス基盤を温度制御し、前記塗布材料温度調整手段
は、前記塗布材料を当該目標温度より所定温度だけ低い
温度に温度調整するものであってもよい。

【００３６】上記構成によれば、雰囲気温度近傍の温度
を目標温度として、ガラス基盤を温度制御し、塗布材料
を当該目標温度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整
した後、ガラス基盤上に滴下させているので、ガラス基
盤の温度上昇を目標温度よりも低い温度の塗布材料によ
り抑制しつつ、均一な温度に保持することができ、塗布
材料を均一な膜厚に塗布することができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。

【００３８】図１〜図５は、本発明の塗布膜形成方法及
び塗布膜形成装置の第１の実施の形態を示す図であり、
図１は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の
第１の実施の形態を適用した塗布膜形成装置１０の要部
斜視図である。

【００３９】図１において、塗布膜形成装置１０は、主
軸１１の上端部に所定の半径を有した円盤状のターンテ
ーブル１２が固定されており、主軸１１には、ターンテ
ーブル１２と略同じ半径を有した温度制御板１３が主軸
１１に沿って上下方向に移動可能に配設されている。タ
ーンテーブル１２は、主軸１１が図示しないモータによ
り回転駆動されることにより、主軸１１を中心として回
転駆動され、ターンテーブル１２の近傍には、レジスト
（塗布材料）を塗布する塗布機構１４が配設されてい
る。上記ターンテーブル１２上面には、レジストの塗布
対象であるガラス基盤１５が載置される。

【００４０】ターンテーブル１２は、熱の流入と流出を
少なくするために、比較的熱伝導率の低い材料により形
成されており、図２に示すように、ターンテーブル１２
上に載置されたガラス基盤１５を吸着するための複数の
吸引口１２ａがターンテーブル１２表面に開口する状態
で形成されている。上記主軸１１には、上記ターンテー
ブル１２に連通する吸引通路１１ａが形成されており、
主軸１１の吸引通路１１ａには、図示しない真空ポンプ
に接続されている。この真空ポンプにより吸引通路１１
ａ及び吸引口１２ａを通して真空引きを行うことによ
り、ガラス基盤１５をターンテーブル１２上に真空吸着
させる。

【００４１】温度制御板１３は、熱伝導率の良好な部
材、例えば、銅（Ｃｕ）等により形成されており、主軸
１１に沿って安定して上下方向に移動するとともに主軸
１１の滑らかな回転を可能とするために、その中心部に
主軸１１の貫通する貫通孔１３ａが形成されているとと
もに、主軸１１の外周面に摺接する円筒状のガイド部１
３ｂを備えている。温度制御板１３の上面には、複数の
温度センサ１６が配設されており、温度センサ１６は、
図２に示すように、その表面が温度制御板１３の表面と
一致する状態で温度制御板１３の表面に埋設されてい
る。温度センサ１６は、図３に示すように、貫通孔１３
ａを中心として相直交する４方向に並んで、温度制御板
１３の内周側と外周側とに２個ずつ配設されており、温
度制御板１３及びターンテーブル１２を介してガラス基
盤１５の温度を各位置で検出する。この温度センサ１６
としては、例えば、金属温度計（例えば、Ｐｔ温度計）
あるいはサーミスタ等の抵抗温度計を利用することがで
き、これらの抵抗温度計は、比較的良好な感度で、長期
間にわたって安定した温度測定を精度良く行うことがで
きる。また、温度センサ１６としては、熱電対を用いる
こともできるが、熱電対は、抵抗温度計に比較すると、
多少精度は落ち、また、検出電圧が小さいという欠点は
あるが、測定部の構造が簡単であるため、非常に小型
で、薄くすることができるというメリットがある。な
お、温度制御板１３に取り付ける温度センサ１６ではな
く、赤外線センサを利用して、直接ガラス基盤１５の温
度を直接検出してもよい。

【００４２】また、温度制御板１３の裏面には、図３に
破線で示すように、中央の貫通孔１３ａ部分から外周に
向かって螺旋状にヒーター線１７が配設されており、ヒ
ーター線１７は、図示しない制御部により通電のオン／
オフが制御されるとともに、通電電流が調整されて、温
度制御板１３がターンテーブル１２に密着した状態で温
度制御板１３を加熱することにより、ターンテーブル１
２を介してガラス基盤１５を均一に所定の目標温度に加
熱する。塗布膜形成装置１０は、この温度制御を、例え
ば、温度センサ１６の検出温度を目標温度と比較して、
ヒーター線１７への通電電流をフィードバック制御する
ことにより行う。上記ヒーター線１７及び制御部は、温
度制御手段として機能する。

【００４３】このように、温度制御板１３がターンテー
ブル１２に密着してターンテーブル１２を介してガラス
基盤１５を均一な所定の目標温度に加熱するため、ター
ンテーブル１２の吸引口１２ａは、比較的小さく形成さ
れており、ターンテーブル１２とガラス基盤１５との接
触面積が大きく設定されている。

【００４４】上記塗布機構１４は、アーム１８の先端に
電磁弁１９が取り付けられており、電磁弁１９には、テ
フロンチューブ２０が接続されているとともに、吐出口
２１が取り付けられている。アーム１８は、アーム支柱
２２に回転可能に取り付けられており、図４に両矢印で
示すように、アーム支柱２２を中心として、図示しない
駆動機構により回転駆動される。電磁弁１９、特に、吐
出口２１は、アーム１８がアーム支柱２２を中心として
回転されることにより、、ガラス基盤１５の外周位置か
ら内周位置まで移動される。また、アーム支柱２２は、
図示しない駆動機構により上下方向に所定量移動可能と
なっており、吐出口２１とガラス基盤１５との高さ調整
が可能となっている。なお、図４にガラス基盤１５の外
周に沿って記されている矢印は、ガラス基盤１５の回転
方向を示している。

【００４５】そして、電磁弁１９には、レジストを貯留
する図示しないタンクから加圧圧送方式によりテフロン
チューブ２０を介して塗布材料であるレジストが供給さ
れ、電磁弁１９がオンされてその通路が開かれると、吐
出口２１からレジストをガラス基盤１５上に滴下し、電
磁弁１９がオフされてその通路が閉じられると、レジス
トの滴下を停止する。なお、塗布機構１４は、図示しな
いが、電磁弁１９に供給されるレジストを後述するター
ンテーブル１２の設定温度と同じ温度に加熱する加熱機
構（塗布材料温度調整手段）、例えば、上記レジストを
貯留するタンクを加熱するヒーター等を備えている。

【００４６】塗布膜形成装置１０は、図示しないが、上
記主軸１１を介してターンテーブル１２を所定の回転数
で回転させるモータの回転制御、ガラス基盤１５を吸着
するための真空ポンプの駆動制御、温度センサ１６の検
出温度に基づくヒーター線１７への通電のオン／オフ制
御と通電電流の調整による温度制御板１３及びガラス基
盤１５の温度制御、温度制御板１３の上下移動制御及び
上記駆動機構によるアーム１８の回転と電磁弁１９のオ
ン／オフ制御等を行う制御部を備えている。

【００４７】次に、本実施の形態の作用を説明する。塗
布膜形成装置１０は、温度制御板１３により塗布対象の
ガラス基盤１５を室温よりも高い所定の温度に均一に加
熱した後、レジストの塗布を行って、レジストを均一に
塗布するところにその特徴がある。

【００４８】すなわち、塗布膜形成装置１０は、通常の
待機時、温度制御板１３をターンテーブル１２を主軸１
１に沿って上方に移動させて、ターンテーブル１２に密
着させた状態とし、温度制御板１３のヒーター線１７に
通電するとともに、通電電流を制御して、所定の設定温
度に温度制御する。なお、この温度調整においては、上
述のように、ターンテーブル１２を、熱の流入と流出を
少なくするために、熱伝導率の比較的小さい材質で形成
していると、ターンテーブル１２を所定温度に均一に加
熱するのに多少の時間を要する。

【００４９】塗布膜形成装置１０は、この温度調整を行
っている待機状態に、ターンテーブル１２上に塗布対象
のガラス基盤１５を載置させ、真空ポンプを駆動させ
て、吸引口１２ａによりガラス基盤１５をターンテーブ
ル１２に吸着させる。

【００５０】塗布膜形成装置１０は、ターンテーブル１
２にガラス基盤１５を吸着させると、温度センサ１６の
検出結果をモニターして、ターンテーブル１２の温度が
均一に目標温度になっているかチェックして、温度セン
サ１６の検出結果によりターンテーブル１２が目標温度
に均一に加熱されていると、温度制御板１３を主軸１１
に沿って引き下げ、ターンテーブル１２から引き離す。

【００５１】その後、塗布膜形成装置１０は、モータに
より主軸１１を介してターンテーブル１２を所定の低速
回転により回転を開始し、塗布機構１４のアーム１４を
回転させて、吐出口２１をガラス基盤１５の外周位置ま
で移動させる。

【００５２】塗布膜形成装置１０は、吐出口２１をガラ
ス基盤１５の外周位置まで移動させると、アーム１４を
下方、すなわち、ガラス基盤１５方向に移動させて、吐
出口２１とガラス基盤１５との距離が適切な塗布距離と
なる位置まで移動させ、電磁弁１９をオンして電磁弁１
９の通路を開いて、レジストのガラス基盤１５上への滴
下を開始する。

【００５３】このとき、レジストは、塗布機構１４の備
えている上記加熱機構によりガラス基盤１５の設定温度
（目標温度）と同じ温度に加熱されており、塗布膜形成
装置１０は、電磁弁１９を開いてレジストの滴下を開始
すると、アーム１８をガラス基盤１５の内周方向に移動
させつつ、レジストの滴下を行う。すなわち、塗布膜形
成装置１０は、図４に示すように、ガラス基盤１５の外
周から内周に向かってアーム１８を回動させて吐出口２
１をガラス基盤１５の外周から内周に向かって移動させ
つつ、吐出口２１からガラス基盤１５上にレジストを滴
下する。

【００５４】そして、塗布膜形成装置１０は、吐出口２
１をガラス基盤１５の中心部まで移動させて、レジスト
をガラス基盤１５の外周から中心まで滴下させると、電
磁弁１９を閉じて、レジストの滴下を終了し、アーム１
８を回転させて、ガラス基盤１５上から外れた初期位置
に戻す。この状態で、レジストは、ガラス基盤１５上全
体にわたって塗布された状態となる。

【００５５】次に、塗布膜形成装置１０は、ターンテー
ブル１２を所定の高速で回転させ、ガラス基盤１５上に
滴下されたレジストを振り切って、膜厚を均一にすると
ともに、レジストを乾燥させる。このとき、塗布膜形成
装置１０は、ターンテーブル１２の回転速度、すなわ
ち、回転数を制御することにより、レジスト膜の膜厚を
所望の膜厚に調整する。

【００５６】塗布膜形成装置１０は、上記ターンテーブ
ル１２を高速回転させて、レジストの乾燥が完了する
と、ターンテーブル１２の回転を停止させ、再度、温度
制御板１３を主軸１１に沿って上昇させて、ターンテー
ブル１２に密着させる。塗布膜形成装置１０は、温度制
御板１３をターンテーブル１２から離して上記レジスト
の塗布処理を行っている間も、温度制御板１３の温度を
上記目標温度に温度制御しており、この温度制御してい
る温度制御板１３によりターンテーブル１２を目標温度
に温度制御する。

【００５７】このように、本実施の形態においては、ガ
ラス基盤１５を載置するターンテーブル１２の下面に熱
伝導率の良好な材料で形成され温度制御可能な温度制御
板１３を離接可能に密着させ、当該温度制御板１３によ
りターンテーブル１２を介してガラス基盤１５を目標温
度に均一に温度制御した後、温度制御板１３をターンテ
ーブル１２から引き離して、ターンテーブル１２を回転
させつつ塗布材料であるレジストをガラス基板１５上に
滴下させて、ガラス基盤１５表面に塗布している。

【００５８】したがって、簡単な構成で、ガラス基盤１
５全体を温度勾配が無く、均一な温度に保持することが
できるとともに、常時、ガラス基盤１５を目標温度に保
持して、ガラス基盤１５の温度変化によって生じるレジ
ストの膜厚変化を防止ことができ、レジストを均一な膜
厚に塗布することができる。

【００５９】そして、上記温度制御板１３によるターン
テーブル１２を温度制御する目標温度は、ターンテーブ
ル１２が主軸１１を介してモータにより回転駆動される
際に、当該モータの熱により加熱されて上昇する最高温
度Ｔｍよりも少しだけ高い温度、例えば、Ｔｍ＋０．５
±０．２５℃に設定する。

【００６０】すなわち、ターンテーブル１２は、温度制
御板１３により温度制御せずに回転させると、図５に●
の線で示すように、温度変化する。なお、図５中、▲の
線は、室温を示している。図５から分かるように、ター
ンテーブル１２は、回転時に温度上昇するが、この温度
上昇は、主軸１１を介してターンテーブル１２を回転駆
動するモータからの熱流入によるものである。

【００６１】ところが、目標温度Ｔｏを最高温度Ｔｍよ
りも大きく離れた高い温度に設定すると、ターンテーブ
ル１２からの熱の流出が発生するとともに、室温との温
度差も大きくなって、ターンテーブル１２から熱が放出
され、温度管理が困難になる。

【００６２】そこで、ターンテーブル１２の回転に伴う
温度上昇の最高温度Ｔｍを予め測定し、目標温度（Ｔ
ｏ）を、上述のように、この最高温度Ｔｍより少しだけ
高い温度（Ｔｏ＝Ｔｍ＋０．５±０．２５℃）に設定す
る。

【００６３】このように、温度制御しない場合のターン
テーブル１２の最高温度Ｔｍより少しだけ高い温度に目
標温度Ｔｏを設定して、温度制御板１３によりガラス基
盤１５を当該目標温度Ｔｏに加熱すると、ターンテーブ
ル１２の回転に伴う熱流入によるターンテーブル１２及
びガラス基盤１５の温度上昇を抑制することができると
ともに、主軸１１も温度制御板１３により目標温度Ｔｏ
近くに加熱されているため、主軸１１を伝達したモータ
からのターンテーブル１２及びガラス基盤１５への熱流
入を抑制することができる。

【００６４】したがって、レジストを塗布している間、
ターンテーブル１２、すなわち、ガラス基盤１５を全面
にわたって均一な温度に維持させることができ、レジス
トを均一な膜厚で塗布することができる。

【００６５】また、レジストを予め目標温度Ｔｏと同じ
温度に制御しているため、レジストの滴下によるガラス
基盤１５の温度変化を防止することができ、ガラス基盤
１５を全面にわたってより一層均一な温度に維持させる
ことができる。その結果、レジストをより一層均一な膜
厚で塗布することができる。

【００６６】なお、上記実施の形態においては、目標温
度Ｔｏを、ターンテーブル１２の回転に伴う温度上昇の
最高温度Ｔｍより少し高い温度に設定し、レジストをこ
の目標温度Ｔｏと同じ温度に調整しているが、目標温度
Ｔｏとしては、上記ターンテーブル１２の回転に伴う温
度上昇の最高温度Ｔｍより少し高い温度に限るものでは
なく、例えば、雰囲気温度（室温）近くに設定してもよ
い。この場合は、レジストを当該目標温度Ｔｏよりも少
し低い温度に調整して、滴下させる。このようにする
と、ターンテーブル１２を回転駆動するモータからの熱
流入による温度上昇をレジストの温度により緩和するこ
とができ、ターンテーブル１２の温度変化を抑制するこ
とができる。したがって、この場合にも、レジストを均
一な膜厚で塗布することができる。

【００６７】図６は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布
膜形成装置の第２の実施の形態を示す図であり、図６
は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第２
の実施の形態を適用した塗布膜形成装置３０の正面断面
図である。

【００６８】なお、本実施の形態は、上記第１の実施の
形態と同様の塗布膜形成装置に適用したものであり、本
実施の形態の説明においては、第１の実施の形態の塗布
膜形成装置１０と同様の構成部分には、同一の符号を付
して、その詳細な説明を省略する。

【００６９】図６において、塗布膜形成装置３０は、第
１の実施の形態の塗布膜形成装置１０と同様に、主軸１
１の先端にターンテーブル３１が固定され、主軸１１に
沿って移動可能に温度制御板３２が配設されているとと
もに、図示しないが、アーム１８、電磁弁１９、テフロ
ンチューブ２０、吐出口２１及びアーム支柱２２等を有
した塗布機構１４を備えている。

【００７０】ターンテーブル３１は、主軸１１に形成さ
れた吸引通路１１ａに連通する吸引口３１ａにより、そ
の上面に載置されたガラス基盤１５を吸着するが、この
ガラス基盤１５の載置される上面近くに複数の温度セン
サ３３が埋設されている。

【００７１】温度センサ３３は、ターンテーブル３１を
介してターンテーブル３１の上面に載置されるガラス基
盤１５の温度を均一に測定するために、例えば、図３に
示した温度制御板１３に配設された温度センサ１６と同
様に、ターンテーブル３１の中心位置を中心として相直
交する４方向に並んで、ターンテーブル３１の内周側と
外周側とに２個ずつ配設されており、ターンテーブル３
１を介してガラス基盤１５の温度を各位置で検出する。
この温度センサ３３としては、例えば、金属温度計（例
えば、Ｐｔ温度計）あるいはサーミスタ等の抵抗温度計
を利用することができ、これらの抵抗温度計は、比較的
良好な感度で、長期間にわたって安定した温度測定を精
度良く行うことができる。また、温度センサ３３として
は、熱電対を用いることもできるが、熱電対は、抵抗温
度計に比較すると、多少精度は落ち、また、検出電圧が
小さいという欠点はあるが、測定部の構造が簡単である
ため、非常に小型で、薄くすることができるというメリ
ットがある。

【００７２】ターンテーブル３１には、上記温度センサ
３３に接続された埋め込み導線３４が接続されており、
埋め込み導線３４は、ターンテーブル３１の裏面に形成
された図示しない接続端子に接続されている。なお、埋
め込み導線３４は、図６において破線で示されている
が、これは、ターンテーブル３１に形成されている吸引
口３１ａと干渉しない位置に温度センサ３３及び埋め込
み導線３４を配設していることを示している。

【００７３】温度制御板３２は、図示しないが第１の実
施の形態の温度制御板１３と同様に、熱伝導率の良好な
部材により形成されており、主軸１１に沿って安定して
上下方向に移動するために、その中心部に主軸１１の貫
通する貫通孔３２ａが形成されているとともに、主軸１
１の外周面に摺接する円筒状のガイド部３２ｂを備えて
いる。また、温度制御板３２は、その裏面に螺旋状にヒ
ーター線１７（図示略）が配設されており、ヒーター線
１７は、図示しない制御部により通電のオン／オフが制
御されるとともに、通電電流が調整されて、温度制御板
３２がターンテーブル３１に密着した状態で温度制御板
３２を加熱することにより、ターンテーブル３１を均一
に所定の目標温度に加熱する。この温度制御板３２に
は、埋め込み導線３５が配設されており、埋め込み導線
３５は、温度制御板３２の下面から上面にわたって埋め
込まれているとともに、上面側には、当該上面から突出
した接続端子３５ａが形成されている。埋め込み導線３
５は、温度制御板３２の下端から塗布形成装置３０の制
御部に接続されている。

【００７４】この温度制御板３２の埋め込み導線３５の
接続端子３５は、温度制御板３２がターンテーブル３１
に密着されたとき、ターンテーブル３１の埋め込み導線
３４の接続端子に接触して、温度センサ３３の検出信号
を制御部に出力する。したがって、温度制御板３２の接
続端子３５とターンテーブル３１の接続端子は、少なく
ともいずれか一方がリング状に形成されていると、ター
ンテーブル３１の回転停止位置の如何に関わらず、ター
ンテーブル３１の接続端子と温度制御板３２の接続端子
との位置調整を行うことなく、簡単に接続させることが
できる。例えば、ターンテーブル３１の接続端子をター
ンテーブル３１の裏面から多少窪んだ状態のリング形状
に形成し、温度制御板３２の接続端子３５を温度制御板
３２から単に上方に突出させて形成することにより、タ
ーンテーブル３１の回転停止位置に関わらず、簡単に温
度制御板３２の接続端子３５とターンテーブル３１の接
続端子を接続させることができる。

【００７５】本実施の形態の塗布膜形成装置３０は、塗
布に先だって、上記第１の実施の形態と同様に、温度制
御板３２を主軸１１に沿って上方に移動させて、ターン
テーブル３１に密着させた状態とし、温度制御板３２の
ヒーター線１７に通電を開始する。

【００７６】この待機状態に、ターンテーブル３１上に
塗布対象のガラス基盤１５を載置させ、真空ポンプを駆
動させて、吸引口３１ａによりガラス基盤１５をターン
テーブル３１に真空吸着させる。上記温度制御板３２が
ターンテーブル３１に密着されると、温度制御板３２の
埋め込み導線３５の接続端子３５ａとターンテーブル３
１の埋め込み導線３４の接続端子が接続され、温度セン
サ３３の検出信号が制御部に出力される。

【００７７】塗布膜形成装置２０は、ターンテーブル３
１にガラス基盤１５を吸着させると、温度センサ３３の
検出結果をモニターして、ターンテーブル３１の温度、
すなわち、ガラス基盤１５の温度が均一に目標温度にな
っているかチェックして、温度センサ３３の検出結果に
よりターンテーブル３１が目標温度に均一に加熱されて
いると、温度制御板３２を主軸１１に沿って引き下げ、
ターンテーブル３１から引き離す。

【００７８】その後、塗布膜形成装置２０は、モータに
より主軸１１を介してターンテーブル３１を所定の低速
回転により回転を開始し、塗布機構１４によりレジスト
をガラス基盤１５上に滴下さて、上記第１の実施の形態
と同様にレジストを塗布する。

【００７９】そして、塗布膜形成装置２０は、温度セン
サ３３がターンテーブル３１の上面近傍に配設されてい
るため、ターンテーブル３１上に載置されるガラス基盤
１５の温度をより正確に検出することができ、レジスト
をより一層均一な膜厚で塗布することができる。

【００８０】図７は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布
膜形成装置の第３の実施の形態を示す図であり、図７
は、本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の第３
の実施の形態を適用した塗布膜形成装置４０の正面断面
図である。

【００８１】なお、本実施の形態は、上記第１の実施の
形態と同様の塗布膜形成装置に適用したものであり、本
実施の形態の説明においては、第１の実施の形態の塗布
膜形成装置１０と同様の構成部分には、同一の符号を付
して、その詳細な説明を省略する。

【００８２】図７において、塗布膜形成装置４０は、第
１の実施の形態の塗布膜形成装置１０と同様に、主軸１
１の先端にターンテーブル４１が固定され、主軸１１に
沿って移動可能に温度制御板４２が配設されているとと
もに、図示しないが、アーム１８、電磁弁１９、テフロ
ンチューブ２０、吐出口２１及びアーム支柱２２等を有
した塗布機構１４を備えている。

【００８３】ターンテーブル４１は、主軸１１に形成さ
れた吸引通路１１ａに連通する吸引口４１ａにより、そ
の上面に載置されたガラス基盤１５を吸着するが、この
ガラス基盤１５の載置される上面と下面を貫通する複数
の貫通孔４３が形成されている。

【００８４】貫通孔４３は、例えば、図３に示した温度
制御板１３に配設された温度センサ１６と同様に、ター
ンテーブル４１の中心位置を中心として相直交する４方
向に並んで、ターンテーブル４１の内周側と外周側とに
２個ずつ形成されている。なお、貫通孔４３は、図７に
おいて破線で示されているが、これは、ターンテーブル
４１に形成されている吸引口４１ａと干渉しない位置に
貫通孔４３を形成していることを示している。

【００８５】温度制御板４２は、図示しないが第１の実
施の形態の温度制御板１３と同様に、熱伝導率の良好な
部材により形成されており、主軸１１に沿って安定して
上下方向に移動するために、その中心部に主軸１１の貫
通する貫通孔４２ａが形成されているとともに、主軸１
１の外周面に摺接する円筒状のガイド部４２ｂを備えて
いる。また、温度制御板４２は、図示しないが、第１の
実施の形態の温度制御板１３と同様に、その裏面に螺旋
状にヒーター線１７が配設されており、ヒーター線１７
は、図示しない制御部により通電のオン／オフが制御さ
れるとともに、通電電流が調整されて、温度制御板４２
がターンテーブル４１に密着した状態で温度制御板４２
を加熱することにより、ターンテーブル４１を均一に所
定の目標温度に加熱する。この温度制御板４１の上面に
は、ターンテーブル４１の貫通孔４３に対向する位置
に、弾性部材４４を介して温度センサ４５が取り付けら
れており、弾性部材４４は、例えば、バネあるいはゴム
等で形成されて、温度センサ４５をターンテーブル４１
方向に付勢する。

【００８６】温度センサ４５としては、例えば、金属温
度計（例えば、Ｐｔ温度計）あるいはサーミスタ等の抵
抗温度計を利用することができ、これらの抵抗温度計
は、比較的良好な感度で、長期間にわたって安定した温
度測定を精度良く行うことができる。また、温度センサ
４５としては、熱電対を用いることもできるが、熱電対
は、抵抗温度計に比較すると、多少精度は落ち、また、
検出電圧が小さいという欠点はあるが、測定部の構造が
簡単であるため、非常に小型で、薄くすることができる
というメリットがある。

【００８７】温度センサ４５は、温度制御板４２がター
ンテーブル４１に密着されたとき、ターンテーブル４１
の貫通孔４３を貫通するとともに、弾性部材４４に付勢
されて、ターンテーブル４１上に載置されたガラス基盤
１５に当接し、ガラス基盤１５の温度を検出して、検出
信号を制御部に出力する。

【００８８】本実施の形態の塗布膜形成装置４０は、塗
布に先だって、上記第１の実施の形態と同様に、温度制
御板４２を主軸１１に沿って上方に移動させて、ターン
テーブル４１に密着させた状態とし、温度制御板４２の
ヒーター線１７に通電を開始する。

【００８９】この温度調整を行っている待機状態に、タ
ーンテーブル４１上に塗布対象のガラス基盤１５を載置
させ、真空ポンプを駆動させて、吸引口４１ａによりガ
ラス基盤１５をターンテーブル４１に真空吸着させる。
上記温度制御板４２がターンテーブル４１に密着される
と、温度制御板４２の弾性部材４４の先端に取り付けら
れた温度センサ４５が、ターンテーブル４１の貫通孔４
３に挿入されるとともに、弾性部材４４に付勢されて貫
通孔４３を貫通して、ターンテーブル４１上のガラス基
盤１５の裏面に当接し、温度センサ４５がガラス基盤１
５の温度を直接検出して、検出信号を制御部に出力す
る。

【００９０】塗布膜形成装置２０は、ターンテーブル４
１にガラス基盤１５を吸着させると、温度センサ４５の
検出結果をモニターして、ガラス基盤１５の温度が均一
に目標温度になっているかチェックして、温度センサ４
５の検出結果によりガラス基盤１５が目標温度に均一に
加熱されていると、温度制御板４２を主軸１１に沿って
引き下げ、ターンテーブル４１から引き離す。

【００９１】その後、塗布膜形成装置４０は、モータに
より主軸１１を介してターンテーブル４１を所定の低速
回転により回転を開始し、塗布機構１４によりレジスト
をガラス基盤１５上に滴下さて、上記第１の実施の形態
と同様にレジストを塗布する。

【００９２】そして、塗布膜形成装置４０は、温度セン
サ４５がターンテーブル４１の貫通穴４３を貫通して、
ガラス基盤１５に接触してガラス基盤１５の温度を直接
検出しているため、ターンテーブル４１上に載置される
ガラス基盤１５の温度を直接検出することができ、ガラ
ス基盤１５の温度をより一層均一に目標温度に制御し
て、レジストをより一層均一な膜厚で塗布することがで
きる。

【００９３】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【００９４】

【発明の効果】請求項１記載の発明の塗布膜形成方法に
よれば、ガラス基盤を載置するターンテーブルの下面に
所定の熱伝導率の良好な材料で形成され温度制御可能な
温度制御板を離接可能に密着させ、当該温度制御板によ
りターンテーブルを介してガラス基盤を所定の目標温度
に均一に温度制御した後、温度制御板をターンテーブル
から引き離して、ターンテーブルを回転させつつ塗布材
料をガラス基板上に滴下させて、ガラス基盤表面に塗布
しているので、簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾
配無く均一な温度に保持することができるとともに、常
時ガラス基盤を目標温度に保持して、ガラス基盤の温度
変化によって生じる塗布材料の膜厚変化を防止ことがで
き、塗布材料を均一な膜厚に塗布することができる。

【００９５】請求項２記載の発明の塗布膜形成方法によ
れば、塗布動作中にターンテーブルの上昇する最高温度
よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度
として、ガラス基盤を温度制御しているので、温度制御
が不可能なターンテーブルの回転中においても、外部か
らのガラス基盤への熱流入による温度上昇を少なくし
て、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することが
でき、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することが
できる。

【００９６】請求項３記載の発明の塗布膜形成方法によ
れば、塗布材料を目標温度に温度調整した後、ガラス基
盤上に滴下させているので、塗布材料の滴下によるガラ
ス基盤の温度変化を防止して、ガラス基盤をより一層均
一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均
一な膜厚に塗布することができる。

【００９７】請求項４記載の発明の塗布膜形成方法によ
れば、雰囲気温度近傍の温度を目標温度として、ガラス
基盤を温度制御し、塗布材料を当該目標温度よりも所定
温度だけ低い温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴
下させているので、ガラス基盤の温度上昇を目標温度よ
りも低い温度の塗布材料により抑制しつつ、均一な温度
に保持することができ、均一な膜厚に塗布することがで
きる。

【００９８】請求項５記載の発明の塗布膜形成装置によ
れば、所定の熱伝導率の良好な材料で形成されターンテ
ーブルの下面に離接可能に密着された温度制御板を、温
度制御手段により温度制御して、ターンテーブルを介し
てガラス基盤を所定の目標温度に均一に温度制御した
後、温度制御板をターンテーブルから引き離して、ター
ンテーブルを回転させつつ塗布材料をガラス基板上に滴
下させて、塗布材料をガラス基盤表面に塗布しているの
で、簡単な構成で、ガラス基盤全体を温度勾配無く均一
な温度に保持することができるとともに、常時ガラス基
盤を目標温度に保持して、ガラス基盤の温度変化によっ
て生じる塗布材料の膜厚変化を防止することができ、塗
布材料を均一な膜厚に塗布することができる。

【００９９】請求項６記載の発明の塗布膜形成装置によ
れば、塗布動作中にターンテーブルの上昇する最高温度
よりも、＋０．５±０．２５℃だけ高い温度を目標温度
として、ガラス基盤を温度制御しているので、温度制御
が不可能なターンテーブルの回転中においても、外部か
らのガラス基盤への熱流入による温度上昇を少なくし
て、ガラス基盤をより一層均一な温度に保持することが
でき、塗布材料をより一層均一な膜厚に塗布することが
できる。

【０１００】請求項７記載の発明の塗布膜形成装置によ
れば、塗布材料を目標温度に温度調整した後、ガラス基
盤上に滴下させているので、塗布材料の滴下によるガラ
ス基盤の温度変化を防止して、ガラス基盤をより一層均
一な温度に保持することができ、塗布材料をより一層均
一な膜厚に塗布することができる。

【０１０１】請求項８記載の発明の塗布膜形成装置によ
れば、雰囲気温度近傍の温度を目標温度として、ガラス
基盤を温度制御し、塗布材料を当該目標温度よりも所定
温度だけ低い温度に温度調整した後、ガラス基盤上に滴
下させているので、ガラス基盤の温度上昇を目標温度よ
りも低い温度の塗布材料により抑制しつつ、均一な温度
に保持することができ、塗布材料を均一な膜厚に塗布す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の
第１の実施の形態を適用した塗布膜形成装置の概略斜視
図。

【図２】図１の塗布膜形成装置の正面部分断面図。

【図３】図１の温度制御板の上面図。

【図４】図１の塗布機構のアームの動きを示す上面図。

【図５】図１の塗布膜形成装置の温度制御板により温度
制御しない場合のターンテーブルの温度変化を室温とと
もに示す図。

【図６】本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の
第２の実施の形態を適用した塗布膜形成装置の要部正面
断面図。

【図７】本発明の塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置の
第３の実施の形態を適用した塗布膜形成装置の要部正面
断面図。

【図８】従来の塗布膜形成装置の斜視図。

【符号の説明】

１０ 塗布膜形成装置 １１ 主軸 １１ａ 吸引通路 １２ ターンテーブル １２ａ 吸引口 １３ 温度制御板 １３ａ 貫通孔 １３ｂ ガイド部 １４ 塗布機構 １５ ガラス基盤 １６ 温度センサ １７ ヒーター線 １８ アーム １９ 電磁弁 ２０ テフロンチューブ ２１ 吐出口 ３０ 塗布膜形成装置 ３１ ターンテーブル ３１ａ 吸引口 ３２ 温度制御板 ３２ａ 貫通孔 ３２ｂ ガイド部 ３３ 温度センサ ３４ 埋め込み導線 ３５ 埋め込み導線 ３５ａ 接続端子 ４０ 塗布膜形成装置 ４１ ターンテーブル ４１ａ 吸引口 ４２ 温度制御板 ４２ａ 貫通孔 ４２ｂ ガイド部 ４３ 貫通孔 ４４ 弾性部材 ４５ 温度センサ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ターンテーブル上にガラス基盤を載置し
   て、前記ターンテーブルを介して前記ガラス基盤を回転
   しつつ、前記ガラス基盤上に塗布材料を滴下させ、前記
   ガラス基盤上に滴下された前記塗布材料を遠心力により
   振り切って前記ガラス基盤表面に塗布する塗布膜形成方
   法であって、前記ターンテーブルの下面に所定の熱伝導
   率の良好な材料で形成され温度制御可能な温度制御板を
   離接可能に密着させ、当該温度制御板により前記ターン
   テーブルを介して前記ガラス基盤を所定の目標温度に均
   一に温度制御した後、前記温度制御板を前記ターンテー
   ブルから引き離して、前記ターンテーブルを回転させつ
   つ前記塗布材料の塗布を行うことを特徴とする塗布膜形
   成方法。
2. 【請求項２】前記塗布膜形成方法は、前記塗布動作中に
   前記ターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．
   ５±０．２５℃だけ高い温度を前記目標温度として、前
   記温度制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御するこ
   とを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成方法。
3. 【請求項３】前記塗布膜形成方法は、前記塗布材料を前
   記目標温度に温度調整した後、前記ガラス基盤上に滴下
   させることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
   塗布膜形成方法。
4. 【請求項４】前記塗布膜形成方法は、雰囲気温度近傍の
   温度を前記目標温度として、前記温度制御板を介して前
   記ガラス基盤を温度制御し、前記塗布材料を当該目標温
   度よりも所定温度だけ低い温度に温度調整した後、前記
   ガラス基盤上に滴下させることを特徴とする請求項１記
   載の塗布膜形成方法。
5. 【請求項５】ターンテーブル上にガラス基盤を載置し
   て、前記ターンテーブルを介して前記ガラス基盤を回転
   しつつ、前記ガラス基盤上に塗布材料を滴下させ、前記
   ガラス基盤上に滴下された前記塗布材料を遠心力により
   振り切って前記ガラス基盤表面に塗布する塗布膜形成装
   置であって、所定の熱伝導率の良好な材料で形成され前
   記ターンテーブルの下面に離接可能に密着される温度制
   御板と、前記温度制御板を温度制御して前記ターンテー
   ブルを介して前記ガラス基盤を所定の目標温度に均一に
   温度制御する温度制御手段と、を備え、前記温度制御手
   段により前記ガラス基盤を前記目標温度に均一に温度制
   御した後、前記温度制御板を前記ターンテーブルから引
   き離して、前記ターンテーブルを回転させつつ前記塗布
   材料を前記ガラス基板上に滴下させて、前記塗布材料を
   前記ガラス基盤表面に塗布することを特徴とする塗布膜
   形成装置。
6. 【請求項６】前記温度制御手段は、前記塗布動作中に前
   記ターンテーブルの上昇する最高温度よりも、＋０．５
   ±０．２５℃だけ高い温度を目標温度として、前記温度
   制御板を介して前記ガラス基盤を温度制御することを特
   徴とする請求項５記載の塗布膜形成装置。
7. 【請求項７】前記塗布膜形成装置は、前記塗布材料の温
   度を調整する塗布材料温度調整手段をさらに備え、前記
   塗布材料温度調整手段は、前記塗布材料を前記目標温度
   に調整することを特徴とする請求項５または請求項６記
   載の塗布膜形成装置。
8. 【請求項８】前記塗布膜形成装置は、前記塗布材料の温
   度を調整する塗布材料温度調整手段をさらに備え、前記
   温度制御手段は、雰囲気温度近傍の温度を前記目標温度
   として前記ガラス基盤を温度制御し、前記塗布材料温度
   調整手段は、前記塗布材料を当該目標温度より所定温度
   だけ低い温度に温度調整することを特徴とする請求項５
   記載の塗布膜形成装置。