JP7232886B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7232886B2 JP7232886B2 JP2021180058A JP2021180058A JP7232886B2 JP 7232886 B2 JP7232886 B2 JP 7232886B2 JP 2021180058 A JP2021180058 A JP 2021180058A JP 2021180058 A JP2021180058 A JP 2021180058A JP 7232886 B2 JP7232886 B2 JP 7232886B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- unit
- section
- light irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
本実施形態に係る基板処理装置1は、基板に対し、保護膜(有機被膜)の形成と、エッチングによる保護膜表面の平滑化とを行う装置である。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。保護膜は、例えばスピンオンカーボン(SOC)等の所謂ハードマスクである。図1及び2に示すように、基板処理装置1は、互いに隣接するキャリアブロック2及び処理ブロック3と、制御部100とを備える。
続いて、アッシングユニットU2について詳細に説明する。図3に示すように、アッシングユニットU2は、上記保護膜を表面Waに有するウェハWを保持して回転させる回転保持部30と、回転保持部30により保持されたウェハWの表面Waに保護膜のアッシング用の光を照射する光照射部40と、回転保持部30により保持されたウェハWと光照射部40との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成する気流形成部50と、を有する。より具体的な例として、アッシングユニットU2は、ケース20と、回転保持部30と、光照射部40と、気流形成部50と、支持部60と、距離変更部70と、酸素添加部80とを有する。
続いて、基板処理方法の一例として、アッシングユニットU2が実行する基板処理手順を説明する。この基板処理手順は、ウェハWと光照射部40との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成することと、ウェハWと光照射部40との間に酸素含有ガスの気流が形成されている状態にて、当該光照射部40から当該ウェハWの表面Waにアッシング用の光を照射することと、気流有りの照射状態にて、当該ウェハWを回転させることと、を含む。以下、図7~15を参照し、基板処理手順を具体的に例示する。なお、図7~15の手順は、気流形成部50による気流の形成が継続された状態(すなわち、排気口52からの排気が継続された状態)で実行されるものとする。
続いて、上記ステップS04のアッシング処理の具体的手順を例示する。図9に示すように、制御部100は、まずステップS11,S12,S13を実行する。ステップS11では、加熱制御部111が、レシピ記憶部117に記憶されたアッシング処理用の温度目標値に従って、各加熱領域の温度を変更するように熱板33を制御する。アッシング処理用の温度目標値は、温度分布が均一である場合にアッシングの進行速度が高くなる領域に対応する加熱領域の温度を低くし、温度分布が均一である場合にアッシングの進行速度が低くなる領域に対応する加熱領域の温度を高くするように予め設定されている。ステップS12では、回転制御部115が、回転駆動部32による保持部31の回転駆動を開始するように回転保持部30を制御する。これにより、ウェハW及び熱板33の回転が開始される。ステップS13では、照射制御部114が、光源41を点灯させるように光照射部40を制御する。
図11のステップS31~S37は、図9のアッシング手順から温度調節に係るステップS11,S19を省略し、代わりに光量分布を調節して光源41を点灯させるようにした手順を示している。ステップS31~S37は、ステップS12~S18にそれぞれ対応している。
図12のステップS41~S49は、図9のアッシング手順から温度調節に係るステップS11,S19を省略し、代わりに酸素添加部80による酸素の添加に係るステップS41,S48を追加した手順を示している。ステップS42~S47及びステップS49は、ステップS12~S18と同じである。酸素の添加開始に係るステップS41では、添加制御部116が、バルブ83を開くように酸素添加部80を制御する。これにより、酸素含有ガスへの酸素の添加が開始される。酸素の添加停止に係るステップS48では、添加制御部116が、バルブ83を閉じるように酸素添加部80を制御する。これにより、酸素含有ガスへの酸素の添加が停止される。
図13のステップS51~S59は、光源41の点灯中においてウェハWを二回転以上回転させるように、図9のステップS11~S19を改変した手順を示している。図13に示すように、制御部100は、まずステップS11,S12,S13と同様のステップS51,S52,S53を実行する。ステップS51では、加熱制御部111が、レシピ記憶部117に記憶されたアッシング処理用の温度目標値に従って、各加熱領域の温度を変更するように熱板33を制御する。ステップS52では、回転制御部115が、回転駆動部32による保持部31の回転駆動を開始するように回転保持部30を制御する。ステップS53では、照射制御部114が、光源41を点灯させるように光照射部40を制御する。
図14のステップS61~S68は、図13のアッシング手順から温度調節に係るステップS51,S59を省略し、代わりにウェハWと光照射部40との間の距離を一回転ごとに変更するステップS67を追加した手順を示している。ステップS61~ステップS66及びステップS68は、図13のステップS52~S58と同じである。制御部100は、ウェハWの回転停止に係るステップS65と、ウェハWの逆回転開始に係るステップS68との間でステップS67を実行する。ステップS67では、距離変更制御部113が、レシピ記憶部117に記憶された制御目標値に従って、ウェハWと光照射部40との間の距離を変更するように距離変更部70を制御する(図15の(a)及び(b)参照)。当該制御目標値は、上記第一距離及び第二距離を含む範囲でウェハWと光照射部40との間の距離を変更させるように予め設定されている。なお、距離変更に係るステップS67は、第三変形例において例示したいずれの手順にも組み合わせ可能である。
以上に説明したように、基板処理装置1は、有機被膜を表面Waに有するウェハWを保持して回転させる回転保持部30と、回転保持部30により保持されたウェハWの表面Waに有機被膜のアッシング用の光を照射する光照射部40と、回転保持部30により保持されたウェハWと光照射部40との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成する気流形成部50と、気流形成部50がウェハWと光照射部40との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該ウェハWの表面Waにアッシング用の光を照射するように光照射部40を制御する照射制御部114と、気流形成部50がウェハWと光照射部40との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部40が当該ウェハWの表面Waにアッシング用の光を照射している状態にて、当該ウェハWを回転させるように回転保持部30を制御する回転制御部115と、を備える。
Claims (9)
- 有機被膜を表面に有する基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により保持された前記基板の表面に光を照射する光照射部と、
前記回転保持部により保持された前記基板と前記光照射部との間を通過するように、ガスの気流を形成する気流形成部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流を形成している状態にて、前記基板の表面に前記光を照射するように光照射部を制御する照射制御部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流を形成しており、前記光照射部が前記基板の表面に前記光を照射している状態にて、前記基板を回転させるように前記回転保持部を制御する回転制御部と、
前記基板の裏面に対向するように前記回転保持部に設けられ、前記基板と共に回転する熱板と、
前記基板の径方向に並ぶ領域間における前記光による処理の進行の差異を削減する条件にて、温度分布を調節するように前記熱板を制御する加熱制御部と、を備え、
前記回転制御部は、前記基板への前記光の照射開始時からの時間の経過に応じて、前記基板の回転速度を低下させるように前記回転保持部を制御する基板処理装置。 - 有機被膜を表面に有する基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により保持された前記基板の表面に光を照射する光照射部と、
前記回転保持部により保持された前記基板と前記光照射部との間を通過するように、ガスの気流を形成する気流形成部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流を形成している状態にて、前記基板の表面に前記光を照射するように光照射部を制御する照射制御部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流を形成しており、前記光照射部が前記基板の表面に前記光を照射している状態にて、前記基板を回転させるように前記回転保持部を制御する回転制御部と、を備え、
前記回転制御部は、前記基板への前記光の照射開始時からの時間の経過に応じて、前記基板の回転速度を低下させるように前記回転保持部を制御し、
前記照射制御部は、前記基板の径方向に並ぶ領域間における前記光による処理の進行の差異を削減する条件にて、前記光の照射量を調節するように前記光照射部を制御する基板処理装置。 - 有機被膜を表面に有する基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により保持された前記基板の表面に光を照射する光照射部と、
前記回転保持部により保持された前記基板と前記光照射部との間を通過するように、ガスの気流を形成する気流形成部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流を形成している状態にて、前記基板の表面に前記光を照射するように光照射部を制御する照射制御部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流を形成しており、前記光照射部が前記基板の表面に前記光を照射している状態にて、前記基板を回転させるように前記回転保持部を制御する回転制御部と、
前記回転保持部に保持された前記基板と、前記光照射部との間の距離を変更する距離変更部と、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されている状態において、前記基板と前記光照射部との間の距離を変更することで、前記気流の方向における酸素濃度の分布を変更するように前記距離変更部を制御する距離変更制御部と、を備え、
前記回転制御部は、前記基板への前記光の照射開始時からの時間の経過に応じて、前記基板の回転速度を低下させるように前記回転保持部を制御する基板処理装置。 - 前記回転保持部に保持された前記基板と、前記光照射部との間の距離を変更する距離変更部と、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されている状態において、前記基板と前記光照射部との距離が互いに異なる複数条件下で前記光が照射されるように、前記基板と前記光照射部との間の距離を変更するように前記距離変更部を制御する距離変更制御部と、を更に備える、請求項1又は2記載の基板処理装置。 - 前記光照射部は、前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流を形成している状態にて、前記基板と前記光照射部との間に進入する前の前記ガスにも前記光を照射するように構成されている、請求項1~4のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 有機被膜を表面に有する基板と、光を照射する光照射部との間を通過するように、ガスの気流を形成することと、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されている状態にて、前記光照射部から前記基板の表面に前記光を照射することと、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されており、前記光照射部が前記基板の表面に前記光を照射している状態にて、前記基板の裏面に対向する熱板と共に前記基板を回転させることと、
前記基板の径方向に並ぶ領域間における前記光による処理の進行の差異を削減する条件にて、温度分布を調節するように前記基板と共に回転する前記熱板を制御することと、を含み、
前記熱板と共に前記基板を回転させることは、前記基板への前記光の照射開始時からの時間の経過に応じて、前記基板の回転速度を低下させることを含む基板処理方法。 - 有機被膜を表面に有する基板と、光を照射する光照射部との間を通過するように、ガスの気流を形成することと、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されている状態にて、前記光照射部から前記基板の表面に前記光を照射することと、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されており、前記光照射部が前記基板の表面に前記光を照射している状態にて、前記基板を回転させることと、を含み、
前記基板を回転させることは、前記基板への前記光の照射開始時からの時間の経過に応じて、前記基板の回転速度を低下させることを含み、
前記基板の表面に前記光を照射することは、前記基板の径方向に並ぶ領域間における前記光による処理の進行の差異を削減する条件にて、前記光の照射量を調節することを含む基板処理方法。 - 有機被膜を表面に有する基板と、光を照射する光照射部との間を通過するように、ガスの気流を形成することと、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されている状態にて、前記光照射部から前記基板の表面に前記光を照射することと、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されており、前記光照射部が前記基板の表面に前記光を照射している状態にて、前記基板を回転させることと、を含み、
前記基板と前記光照射部との間に前記ガスの気流が形成されている状態において、前記気流の方向における酸素濃度の分布を変更するように、前記基板と前記光照射部との間の距離を変更することと、を含み、
前記基板を回転させることは、前記基板への前記光の照射開始時からの時間の経過に応じて、前記基板の回転速度を低下させることを含む基板処理方法。 - 請求項6~8のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021180058A JP7232886B2 (ja) | 2017-11-13 | 2021-11-04 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017218545A JP6974126B2 (ja) | 2017-11-13 | 2017-11-13 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
JP2021180058A JP7232886B2 (ja) | 2017-11-13 | 2021-11-04 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017218545A Division JP6974126B2 (ja) | 2017-11-13 | 2017-11-13 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022009989A JP2022009989A (ja) | 2022-01-14 |
JP7232886B2 true JP7232886B2 (ja) | 2023-03-03 |
Family
ID=87888566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021180058A Active JP7232886B2 (ja) | 2017-11-13 | 2021-11-04 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7232886B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000218156A (ja) | 1998-11-25 | 2000-08-08 | Hooya Shot Kk | 紫外光照射装置 |
JP2016027617A (ja) | 2014-06-23 | 2016-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61224320A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Hitachi Ltd | 洗浄装置 |
JPS6251225A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Hitachi Ltd | 光化学反応方法 |
JPH0695511B2 (ja) * | 1986-09-17 | 1994-11-24 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 洗浄乾燥処理方法 |
JP2588511B2 (ja) * | 1986-09-24 | 1997-03-05 | 株式会社日立製作所 | 処理装置 |
JPH05109674A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Ushio Inc | レジスト膜の灰化方法と灰化装置 |
JPH06204196A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Ebara Corp | 付着物の除去方法及びその装置 |
-
2021
- 2021-11-04 JP JP2021180058A patent/JP7232886B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000218156A (ja) | 1998-11-25 | 2000-08-08 | Hooya Shot Kk | 紫外光照射装置 |
JP2016027617A (ja) | 2014-06-23 | 2016-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022009989A (ja) | 2022-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20240018559A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램 | |
US20150371894A1 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, substrate processing system and recording medium | |
JP5655690B2 (ja) | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 | |
JP2023174664A (ja) | 液処理装置、液処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP7232886B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 | |
JP6362575B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 | |
JP6145065B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 | |
JP6765009B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
US11049739B2 (en) | Ashing apparatus, ashing method and recording medium | |
JP6402215B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6402216B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US10096465B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and recording medium | |
JP6917147B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2021068739A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6854187B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211116 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7232886 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |