JPH06204196A - 付着物の除去方法及びその装置 - Google Patents
付着物の除去方法及びその装置Info
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- JPH06204196A JPH06204196A JP36167292A JP36167292A JPH06204196A JP H06204196 A JPH06204196 A JP H06204196A JP 36167292 A JP36167292 A JP 36167292A JP 36167292 A JP36167292 A JP 36167292A JP H06204196 A JPH06204196 A JP H06204196A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハやガラス基板などの搬送物に付着した
有機物膜やレジスト等の付着物を、時間の無駄なく除去
することができる付着物の除去方法及びその装置を提供
する。 【構成】 ウエハ等の搬送物２を搬送するための搬送路
２１を有する磁気浮上搬送装置２２と、上記搬送路２１
の内部２０に設けられ、この搬送路内部２０を移動中の
搬送物２に紫外線を照射して、この搬送物２に付着した
付着物を取り除く紫外線ランプ２３とを備えている。
有機物膜やレジスト等の付着物を、時間の無駄なく除去
することができる付着物の除去方法及びその装置を提供
する。 【構成】 ウエハ等の搬送物２を搬送するための搬送路
２１を有する磁気浮上搬送装置２２と、上記搬送路２１
の内部２０に設けられ、この搬送路内部２０を移動中の
搬送物２に紫外線を照射して、この搬送物２に付着した
付着物を取り除く紫外線ランプ２３とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハやガラス基板な
どの搬送物に付着した有機物膜やレジスト等を除去する
方法及びその装置に関する。
どの搬送物に付着した有機物膜やレジスト等を除去する
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程において、ウエハやガラ
ス基板などは、炭素系の分子が引き起こす有機物汚染に
よりその表面に有機物膜が形成されることが知られてい
る。また、上記ウエハやガラス基板などの各表面には、
上記製造工程で使用されたレジスト（感光性樹脂）が残
留したままになっていることがある。
ス基板などは、炭素系の分子が引き起こす有機物汚染に
よりその表面に有機物膜が形成されることが知られてい
る。また、上記ウエハやガラス基板などの各表面には、
上記製造工程で使用されたレジスト（感光性樹脂）が残
留したままになっていることがある。
【０００３】上述のウエハやガラス基板などに付着した
有機物膜やレジストを取り除くのに、紫外線とオゾン
（Ｏ3） とを組み合わせた所謂ドライ洗浄法による洗浄
装置またはアッシング装置が従来から用いられている。
有機物膜やレジストを取り除くのに、紫外線とオゾン
（Ｏ3） とを組み合わせた所謂ドライ洗浄法による洗浄
装置またはアッシング装置が従来から用いられている。
【０００４】この洗浄装置またはアッシング装置は、一
枚乃至数枚のウエハやガラス基板などを収納室の中に並
べ、所定時間のあいだ洗浄またはアッシング（灰化）す
るようになっている。
枚乃至数枚のウエハやガラス基板などを収納室の中に並
べ、所定時間のあいだ洗浄またはアッシング（灰化）す
るようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の装置の場合に
は、作業者が、ウエハ又はガラス基板をウエハキャリア
などに入れて上記洗浄装置またはアッシング装置まで運
び、次いで、上記収納室内にウエハを作業者の手または
ロボットにより並べる。そして、ウエハの洗浄またはア
ッシングが終了した時点で、作業者がウエハを集めてウ
エハキャリアに収納した後、次の工程のプロセス製造装
置に運び、作業者の手またはロボットによりこのプロセ
ス製造装置内に上記ウエハを挿入する。
は、作業者が、ウエハ又はガラス基板をウエハキャリア
などに入れて上記洗浄装置またはアッシング装置まで運
び、次いで、上記収納室内にウエハを作業者の手または
ロボットにより並べる。そして、ウエハの洗浄またはア
ッシングが終了した時点で、作業者がウエハを集めてウ
エハキャリアに収納した後、次の工程のプロセス製造装
置に運び、作業者の手またはロボットによりこのプロセ
ス製造装置内に上記ウエハを挿入する。
【０００６】このように、従来の方法の場合には、ウエ
ハを次のプロセス製造工程に移す前に、洗浄またはアッ
シングのために所定の時間が必要であり、また時間待ち
をしなくてはならず製造工程における時間が無駄になっ
ていた。
ハを次のプロセス製造工程に移す前に、洗浄またはアッ
シングのために所定の時間が必要であり、また時間待ち
をしなくてはならず製造工程における時間が無駄になっ
ていた。
【０００７】更に、ウエハを取り扱うのにロボットが用
いられる場合が一部ではあるものの、大半の洗浄装置ま
たはアッシング装置では作業者の手によってウエハを取
り出し、搬送、挿入を繰り返すので、ウエハが汚染され
る危険性が高いという課題があった。かかる危険性があ
る従来の手法は、１６ＭＢ（メガバイト）、２５６Ｍ
Ｂ、１ＧＢ（ギガバイト）などを目指すこれからの高集
積回路（ＬＳＩ）を造る製造工程には不向きである。
いられる場合が一部ではあるものの、大半の洗浄装置ま
たはアッシング装置では作業者の手によってウエハを取
り出し、搬送、挿入を繰り返すので、ウエハが汚染され
る危険性が高いという課題があった。かかる危険性があ
る従来の手法は、１６ＭＢ（メガバイト）、２５６Ｍ
Ｂ、１ＧＢ（ギガバイト）などを目指すこれからの高集
積回路（ＬＳＩ）を造る製造工程には不向きである。
【０００８】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、ウエハやガラス基板などの搬送物に付着
した有機物膜やレジスト等を時間のムダなく除去するこ
とができる付着物の除去方法およびその装置を提供する
ことを目的とする。
されたもので、ウエハやガラス基板などの搬送物に付着
した有機物膜やレジスト等を時間のムダなく除去するこ
とができる付着物の除去方法およびその装置を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる付着物の
除去方法は、搬送物を搬送する磁気浮上搬送装置の搬送
路の内部に紫外線ランプを配設し、この紫外線ランプか
ら発せられる紫外線を、上記搬送路の内部を移動中の上
記搬送物に照射することにより、この搬送物に付着した
付着物を取り除くものである。
除去方法は、搬送物を搬送する磁気浮上搬送装置の搬送
路の内部に紫外線ランプを配設し、この紫外線ランプか
ら発せられる紫外線を、上記搬送路の内部を移動中の上
記搬送物に照射することにより、この搬送物に付着した
付着物を取り除くものである。
【００１０】また、オゾナイザにより作りだされるオゾ
ンを上記搬送路内に導入することが好ましく、更にこれ
に加えて塩素ガス及びフッ素ガスを上記搬送路内に導入
することが好ましい。
ンを上記搬送路内に導入することが好ましく、更にこれ
に加えて塩素ガス及びフッ素ガスを上記搬送路内に導入
することが好ましい。
【００１１】また、上記方法を実施するための付着物の
除去装置は、搬送物を搬送するための搬送路を有する磁
気浮上搬送装置と、上記搬送路の内部に設けられ、この
搬送路内部を移動中の上記搬送物に紫外線を照射して、
この搬送物に付着した付着物を取り除く紫外線ランプと
を備えたものである。
除去装置は、搬送物を搬送するための搬送路を有する磁
気浮上搬送装置と、上記搬送路の内部に設けられ、この
搬送路内部を移動中の上記搬送物に紫外線を照射して、
この搬送物に付着した付着物を取り除く紫外線ランプと
を備えたものである。
【００１２】なお、上記除去装置は、オゾンを上記搬送
路内部に導入するオゾナイザを備えることが好ましく、
更にこれに加えて塩素ガス及びフッ素ガスを上記搬送路
内に導入するガス導入装置を備えることが好ましい。
路内部に導入するオゾナイザを備えることが好ましく、
更にこれに加えて塩素ガス及びフッ素ガスを上記搬送路
内に導入するガス導入装置を備えることが好ましい。
【００１３】
【作用】本発明においては、磁気浮上搬送装置の搬送路
を移動中の搬送物から、この搬送物に付着した有機物膜
やレジストなどの付着物を、紫外線ランプから発せられ
る紫外線によって除去している。
を移動中の搬送物から、この搬送物に付着した有機物膜
やレジストなどの付着物を、紫外線ランプから発せられ
る紫外線によって除去している。
【００１４】波長が１８４．９ｎｍの紫外線は酸素（Ｏ
2）をオゾン（Ｏ3）に変化させる作用を有しているの
で、搬送路中の酸素は紫外線を照射されることにより発
生基の酸素イオン（Ｏ+）を生じる。この酸素イオンは
結合力が強く炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、酸素（Ｏ）を含
む有機物と結合して二酸化炭素（ＣＯ2）と水（Ｈ2Ｏ）
となるので、この酸素イオンと２５４ｎｍの波長の紫外
線とにより有機物膜やレジストを二酸化炭素と水に分解
し除去する。本発明にかかる方法及び装置は、このメカ
ニズムを応用することにより、ウエハやガラス基板など
の製造中にこれらの表面に付着した付着物を除去してい
る。
2）をオゾン（Ｏ3）に変化させる作用を有しているの
で、搬送路中の酸素は紫外線を照射されることにより発
生基の酸素イオン（Ｏ+）を生じる。この酸素イオンは
結合力が強く炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、酸素（Ｏ）を含
む有機物と結合して二酸化炭素（ＣＯ2）と水（Ｈ2Ｏ）
となるので、この酸素イオンと２５４ｎｍの波長の紫外
線とにより有機物膜やレジストを二酸化炭素と水に分解
し除去する。本発明にかかる方法及び装置は、このメカ
ニズムを応用することにより、ウエハやガラス基板など
の製造中にこれらの表面に付着した付着物を除去してい
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図３に基
づいて説明する。図１は、本発明の一実施例にかかる付
着物の除去装置を有する半導体製造装置の構成図、図２
は図１の横断面図で、搬送路の外部に永久磁石が設けら
れたタイプの磁気浮上搬送装置を示している。図１に示
すように、半導体製造装置１は、ウエハ、又は液晶パネ
ル作成用のガラス基板等の搬送物２に所定の加工を施す
前段の製造工程に設けられた前段のプロセス製造装置３
と、この前段のプロセス製造装置３により加工処理がな
された搬送物２を搬送するとともに搬送物２に付着した
付着物を取り除く付着物の除去装置４と、この付着物の
除去装置４により清浄になった搬送物２に所定の加工処
理を施す後段の製造工程に設けられた後段のプロセス製
造装置５とを備えている。
づいて説明する。図１は、本発明の一実施例にかかる付
着物の除去装置を有する半導体製造装置の構成図、図２
は図１の横断面図で、搬送路の外部に永久磁石が設けら
れたタイプの磁気浮上搬送装置を示している。図１に示
すように、半導体製造装置１は、ウエハ、又は液晶パネ
ル作成用のガラス基板等の搬送物２に所定の加工を施す
前段の製造工程に設けられた前段のプロセス製造装置３
と、この前段のプロセス製造装置３により加工処理がな
された搬送物２を搬送するとともに搬送物２に付着した
付着物を取り除く付着物の除去装置４と、この付着物の
除去装置４により清浄になった搬送物２に所定の加工処
理を施す後段の製造工程に設けられた後段のプロセス製
造装置５とを備えている。
【００１６】前段のプロセス製造装置３と付着物の除去
装置４との間には、第１の仕切弁７と搬入用ロボット６
と第２の仕切弁８とが配設されている。搬入用ロボット
６は、前段のプロセス製造装置３から付着物の除去装置
４に搬送物２を受け渡すためのものである。
装置４との間には、第１の仕切弁７と搬入用ロボット６
と第２の仕切弁８とが配設されている。搬入用ロボット
６は、前段のプロセス製造装置３から付着物の除去装置
４に搬送物２を受け渡すためのものである。
【００１７】一方、付着物の除去装置４と後段のプロセ
ス製造装置５との間には、第３の仕切弁９と搬出用ロボ
ット１０と第４の仕切弁１１とが配設されている。搬出
用ロボット１０は、付着物の除去装置４から後段のプロ
セス製造装置５に搬送物２を受け渡すためのものであ
る。仕切弁７，８，９及び１１により、各プロセス製造
装置３及び５と各ロボット６及び１０と付着物の除去装
置４とが互いに遮断されて独立して気密性を保持できる
ようになっている。
ス製造装置５との間には、第３の仕切弁９と搬出用ロボ
ット１０と第４の仕切弁１１とが配設されている。搬出
用ロボット１０は、付着物の除去装置４から後段のプロ
セス製造装置５に搬送物２を受け渡すためのものであ
る。仕切弁７，８，９及び１１により、各プロセス製造
装置３及び５と各ロボット６及び１０と付着物の除去装
置４とが互いに遮断されて独立して気密性を保持できる
ようになっている。
【００１８】付着物の除去装置４は、図１及び図２に示
すように、内部２０を搬送物２が矢印Ｂの方向に搬送さ
れる搬送路２１を有する磁気浮上搬送装置２２と、搬送
路２１の内部２０に設けられた紫外線ランプ２３とを備
えている。この紫外線ランプ２３は、搬送路内部２０を
矢印Ｂのように移動中の搬送物２に紫外線を照射して、
この搬送物２の表面に付着した有機物膜やレジスト等の
付着物を取り除くためのものである。
すように、内部２０を搬送物２が矢印Ｂの方向に搬送さ
れる搬送路２１を有する磁気浮上搬送装置２２と、搬送
路２１の内部２０に設けられた紫外線ランプ２３とを備
えている。この紫外線ランプ２３は、搬送路内部２０を
矢印Ｂのように移動中の搬送物２に紫外線を照射して、
この搬送物２の表面に付着した有機物膜やレジスト等の
付着物を取り除くためのものである。
【００１９】紫外線ランプ２３は、低圧水銀ランプ、高
圧水銀ランプ、キセノンランプ及び重水素ランプなど紫
外線を発するものであればどのようなランプであっても
良い。好ましくは低圧水銀ランプが良く、又ランプを構
成するガラスには合成石英のものを用いるのがよい。こ
の低圧水銀ランプは、有機物のアッシング（灰化）に必
要なオゾン（Ｏ3）を、酸素（Ｏ2）→Ｏ3 の変化によっ
て作り出せる１８４．９ｎｍの波長の紫外線を発するこ
とができる性質を有しているので好ましい。
圧水銀ランプ、キセノンランプ及び重水素ランプなど紫
外線を発するものであればどのようなランプであっても
良い。好ましくは低圧水銀ランプが良く、又ランプを構
成するガラスには合成石英のものを用いるのがよい。こ
の低圧水銀ランプは、有機物のアッシング（灰化）に必
要なオゾン（Ｏ3）を、酸素（Ｏ2）→Ｏ3 の変化によっ
て作り出せる１８４．９ｎｍの波長の紫外線を発するこ
とができる性質を有しているので好ましい。
【００２０】板状の石英ガラス２４が、紫外線ランプ２
３の下方に位置して搬送路２１に取付けられている。こ
の石英ガラス２４は、搬送路２１の内部がまんいち汚染
されたとしても、その汚れが搬送路２１の天井部２１ｓ
にまで到達しないようにするためのものである。一定時
間使用後の石英ガラス２４の汚れが軽度の場合であれ
ば、この石英ガラス２４を取り外して洗浄すれば良く、
また、著しく石英ガラス２４が汚れた場合には、この石
英ガラス２４を搬送路２１から取り外して新しいものに
交換すれば良い。なお、本実施例では石英ガラス２４を
取り付けた状態を示したが、この石英ガラス２４を省略
することもできる。
３の下方に位置して搬送路２１に取付けられている。こ
の石英ガラス２４は、搬送路２１の内部がまんいち汚染
されたとしても、その汚れが搬送路２１の天井部２１ｓ
にまで到達しないようにするためのものである。一定時
間使用後の石英ガラス２４の汚れが軽度の場合であれ
ば、この石英ガラス２４を取り外して洗浄すれば良く、
また、著しく石英ガラス２４が汚れた場合には、この石
英ガラス２４を搬送路２１から取り外して新しいものに
交換すれば良い。なお、本実施例では石英ガラス２４を
取り付けた状態を示したが、この石英ガラス２４を省略
することもできる。
【００２１】上述のように１８４．９ｎｍの波長の紫外
線は酸素をオゾンに変えることができるが、本実施例で
は搬送物２に付着した有機物を効率良く処理するために
大量のオゾンを作り出すことが可能なオゾナイザ２５を
設けている。このオゾナイザ２５により作り出されたオ
ゾンは導入用弁２６を介して搬送路内部２０に導入され
るようになっている。なお、搬送物２の処理枚数が少な
い場合や付着した有機物の量が少ない場合にはオゾナイ
ザ２５を取り付けなくてもよい。この場合には、図示し
ない空気ポンプにより清浄な空気を搬送路内部２０に送
り込むことによって、紫外線ランプ２３から発せられる
１８４．９ｎｍの紫外線が空気中の酸素をオゾンに変化
させ、これにより、上記有機物の洗浄またはアッシング
を行うことができる。
線は酸素をオゾンに変えることができるが、本実施例で
は搬送物２に付着した有機物を効率良く処理するために
大量のオゾンを作り出すことが可能なオゾナイザ２５を
設けている。このオゾナイザ２５により作り出されたオ
ゾンは導入用弁２６を介して搬送路内部２０に導入され
るようになっている。なお、搬送物２の処理枚数が少な
い場合や付着した有機物の量が少ない場合にはオゾナイ
ザ２５を取り付けなくてもよい。この場合には、図示し
ない空気ポンプにより清浄な空気を搬送路内部２０に送
り込むことによって、紫外線ランプ２３から発せられる
１８４．９ｎｍの紫外線が空気中の酸素をオゾンに変化
させ、これにより、上記有機物の洗浄またはアッシング
を行うことができる。
【００２２】更に本実施例では、塩素ガス（Ｃｌ2）及
びフッ素ガス（Ｆ2）を搬送路内部２０に導入するため
のガス導入装置２７を設けている。このガス導入装置２
７から供給される塩素ガス及びフッ素ガスは、導入用弁
２８を介して搬送路内部２０に供給される。紫外線と塩
素ガスは金属粒子に対して洗浄を行い、紫外線とフッ素
ガスは二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の無機物に対して洗
浄を行う。
びフッ素ガス（Ｆ2）を搬送路内部２０に導入するため
のガス導入装置２７を設けている。このガス導入装置２
７から供給される塩素ガス及びフッ素ガスは、導入用弁
２８を介して搬送路内部２０に供給される。紫外線と塩
素ガスは金属粒子に対して洗浄を行い、紫外線とフッ素
ガスは二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の無機物に対して洗
浄を行う。
【００２３】また、除去装置４は、洗浄またはアッシン
グにより搬送路内部２０で発生したガスを処理するため
の排ガス処理装置２９を備えている。洗浄またはアッシ
ングののちに搬送路内部２０に残留するオゾン、炭酸ガ
ス、水分等は、排出用弁３０を介して排ガス処理装置２
９に排出されてここで処理されるので人体等に与える悪
影響はなくなる。
グにより搬送路内部２０で発生したガスを処理するため
の排ガス処理装置２９を備えている。洗浄またはアッシ
ングののちに搬送路内部２０に残留するオゾン、炭酸ガ
ス、水分等は、排出用弁３０を介して排ガス処理装置２
９に排出されてここで処理されるので人体等に与える悪
影響はなくなる。
【００２４】磁気浮上搬送装置２２は、搬送物２を載置
する搬送用カート４０を、磁力により浮上させて搬送路
２１に対して非接触状態にして走行せしめる構造を有し
ている。搬送物２は、搬送用カート４０上に支持片４１
を介して載置されており、また図２に示すように、搬送
用カート４０の進行方向両側下部には、板状の一対の超
電導材４２がそれぞれ固定されている。また、搬送路２
１の底部４３の下部には、搬送物２の移動方向（Ｂ方
向）に列設された２列の多数の永久磁石４４が配設され
ている。搬送路２１の下部の永久磁石４４と、搬送用カ
ート４０の超電導材４２との間には磁気的反発力が生ず
るようになっており、これにより、搬送用カート４０は
上方に押し上げられて搬送路２１の内部２２に非接触状
態で浮上する。更に、この搬送路２１の底部４３には図
示しないリニアモータがＢ方向に複数個等間隔で列設さ
れているので、このリニアモータを駆動することによっ
て搬送用カート４０は搬送物２を乗せたままで矢印Ｂ方
向に走行することとなる。
する搬送用カート４０を、磁力により浮上させて搬送路
２１に対して非接触状態にして走行せしめる構造を有し
ている。搬送物２は、搬送用カート４０上に支持片４１
を介して載置されており、また図２に示すように、搬送
用カート４０の進行方向両側下部には、板状の一対の超
電導材４２がそれぞれ固定されている。また、搬送路２
１の底部４３の下部には、搬送物２の移動方向（Ｂ方
向）に列設された２列の多数の永久磁石４４が配設され
ている。搬送路２１の下部の永久磁石４４と、搬送用カ
ート４０の超電導材４２との間には磁気的反発力が生ず
るようになっており、これにより、搬送用カート４０は
上方に押し上げられて搬送路２１の内部２２に非接触状
態で浮上する。更に、この搬送路２１の底部４３には図
示しないリニアモータがＢ方向に複数個等間隔で列設さ
れているので、このリニアモータを駆動することによっ
て搬送用カート４０は搬送物２を乗せたままで矢印Ｂ方
向に走行することとなる。
【００２５】図２に示すように、搬送路２１の中央部下
部には、矢印Ｃのように揺動させて角度調節ができるミ
ラー４５が取り付けられている。このミラー４５は、洗
浄またはアッシングの際に、このミラー４５の角度を変
えることにより、紫外線ランプ２３から発せられる紫外
線を反射して搬送路２１の内壁にこの紫外線を照射し
て、上記内壁を清浄化する。
部には、矢印Ｃのように揺動させて角度調節ができるミ
ラー４５が取り付けられている。このミラー４５は、洗
浄またはアッシングの際に、このミラー４５の角度を変
えることにより、紫外線ランプ２３から発せられる紫外
線を反射して搬送路２１の内壁にこの紫外線を照射し
て、上記内壁を清浄化する。
【００２６】次に、上記構成を有する付着物の除去装置
４の動作を説明する。図１において、まず最初に第１、
第２の仕切弁７，８を開き、第３、第４の仕切弁９，１
１を閉じる。なおこのとき導入用弁２６，２８及び排出
用弁３０も閉じておく。そして搬入用ロボット６を操作
して、前段のプロセス製造装置３にあるウエハ又はガラ
ス基板などの搬送物２を、搬送路内部２０で浮上してい
る搬送用カート４０に支持片４１を介して載置する。次
いで、第１、第２の仕切弁７，８を閉じる。次いで、紫
外線ランプ２３をＯＮするとともに、導入用弁２６，２
８及び排出用弁３０を開にし、オゾナイザ２５からオゾ
ンを搬送路内部２０に導入する。一方、ガス導入装置２
７により塩素ガス及びフッ素ガスを搬送路内部２０に導
入する。また、排ガス処理装置２９を運転して搬送路内
部２０にあるガスを引き抜いて処理を行う。さらに、ミ
ラー４５の角度を調整して紫外線の反射光が搬送路２１
の内壁の所望の位置に照射するようにしておく。
４の動作を説明する。図１において、まず最初に第１、
第２の仕切弁７，８を開き、第３、第４の仕切弁９，１
１を閉じる。なおこのとき導入用弁２６，２８及び排出
用弁３０も閉じておく。そして搬入用ロボット６を操作
して、前段のプロセス製造装置３にあるウエハ又はガラ
ス基板などの搬送物２を、搬送路内部２０で浮上してい
る搬送用カート４０に支持片４１を介して載置する。次
いで、第１、第２の仕切弁７，８を閉じる。次いで、紫
外線ランプ２３をＯＮするとともに、導入用弁２６，２
８及び排出用弁３０を開にし、オゾナイザ２５からオゾ
ンを搬送路内部２０に導入する。一方、ガス導入装置２
７により塩素ガス及びフッ素ガスを搬送路内部２０に導
入する。また、排ガス処理装置２９を運転して搬送路内
部２０にあるガスを引き抜いて処理を行う。さらに、ミ
ラー４５の角度を調整して紫外線の反射光が搬送路２１
の内壁の所望の位置に照射するようにしておく。
【００２７】次いで、図示しないリニアモータを駆動す
ることにより、搬送用カート４０は、永久磁石４４と超
電導材４２との間に作用する磁気的反発力により搬送路
内部２０で浮上しながら矢印Ｂのように図１の右方から
左方に移動して搬送物２を搬送する。そして、紫外線ラ
ンプ２３から発せられた紫外線は石英ガラス２４を透過
したのち搬送物２の表面に照射される。この紫外線（特
に、２５４ｎｍの波長の紫外線）と搬送路内部２０に存
在するオゾンとの組み合わせにより、搬送物２の表面に
付着している有機物膜やレジストが分解されて炭酸ガス
と水になる。また、この搬送物２のほか搬送路２１の内
部に金属粒子による汚染がある場合には、紫外線と塩素
ガスとの組み合わせによりこの金属粒子が洗浄され、さ
らに二酸化ケイ素等の無機物による汚染がある場合には
紫外線とフッ素ガスとの組み合わせによって洗浄がさ
れ、これにより除去装置４のセルフクリーニングが行わ
れる。なお、上記金属粒子や無機物の洗浄の必要がない
場合には、ガス導入装置２７をＯＦＦして導入用弁２８
を閉じておけばよい。
ることにより、搬送用カート４０は、永久磁石４４と超
電導材４２との間に作用する磁気的反発力により搬送路
内部２０で浮上しながら矢印Ｂのように図１の右方から
左方に移動して搬送物２を搬送する。そして、紫外線ラ
ンプ２３から発せられた紫外線は石英ガラス２４を透過
したのち搬送物２の表面に照射される。この紫外線（特
に、２５４ｎｍの波長の紫外線）と搬送路内部２０に存
在するオゾンとの組み合わせにより、搬送物２の表面に
付着している有機物膜やレジストが分解されて炭酸ガス
と水になる。また、この搬送物２のほか搬送路２１の内
部に金属粒子による汚染がある場合には、紫外線と塩素
ガスとの組み合わせによりこの金属粒子が洗浄され、さ
らに二酸化ケイ素等の無機物による汚染がある場合には
紫外線とフッ素ガスとの組み合わせによって洗浄がさ
れ、これにより除去装置４のセルフクリーニングが行わ
れる。なお、上記金属粒子や無機物の洗浄の必要がない
場合には、ガス導入装置２７をＯＦＦして導入用弁２８
を閉じておけばよい。
【００２８】ところで、除去装置４自体の洗浄に関して
は汚染粒子が大きいものについては搬送路内部２０を流
れる気流とともに排出することができるが、この気流で
取り切れない微粒子については紫外線と上述の数種のガ
スを組み合わせて洗浄している。
は汚染粒子が大きいものについては搬送路内部２０を流
れる気流とともに排出することができるが、この気流で
取り切れない微粒子については紫外線と上述の数種のガ
スを組み合わせて洗浄している。
【００２９】このようにして、ウエハやガラス基板等の
搬送物２の表面に付着した有機物膜や取り除かれるべき
レジストは紫外線ランプ２３から発せられて、移動中の
搬送物２に照射される紫外線と、紫外線及びオゾナイザ
２５により作られたオゾンとにより、搬送物２が後段の
プロセス製造装置５に到着するまでに除去される。搬送
用カート４０及び搬送物２が前段のプロセス製造装置３
から後段のプロセス製造装置５に向かうまでの速度は、
搬送物２の移動中に上記除去作業が完全に終了するよう
に調節すればよい。
搬送物２の表面に付着した有機物膜や取り除かれるべき
レジストは紫外線ランプ２３から発せられて、移動中の
搬送物２に照射される紫外線と、紫外線及びオゾナイザ
２５により作られたオゾンとにより、搬送物２が後段の
プロセス製造装置５に到着するまでに除去される。搬送
用カート４０及び搬送物２が前段のプロセス製造装置３
から後段のプロセス製造装置５に向かうまでの速度は、
搬送物２の移動中に上記除去作業が完全に終了するよう
に調節すればよい。
【００３０】図１の搬送路２１の左端に搬送物２が到着
すると、第３、第４の仕切弁９，１１を開け、搬出用ロ
ボット１０を操作して搬送物２を搬送路２１から後段の
プロセス製造装置５に移し替える。その後、第３、第４
の仕切弁９，１１を閉じるとともに、空になった搬送用
カート４０を前段のプロセス製造装置３側に移動させ
る。
すると、第３、第４の仕切弁９，１１を開け、搬出用ロ
ボット１０を操作して搬送物２を搬送路２１から後段の
プロセス製造装置５に移し替える。その後、第３、第４
の仕切弁９，１１を閉じるとともに、空になった搬送用
カート４０を前段のプロセス製造装置３側に移動させ
る。
【００３１】このように、本実施例装置においては、ウ
エハやガラス基板などの表面に付着した有機物を洗浄す
る除去作業、またはウエハやガラス基板などの表面に塗
布されたレジストをアッシングする除去作業を、ウエハ
等の自動搬送中に行ったので、除去作業のための時間が
不要となり半導体製造装置の製造工程が大幅に時間短縮
できる。また本装置を用いれば作業者の手を経ることな
く有機物の洗浄またはレジストの除去ができ、極めて清
浄で効率のよい除去作業ができる。
エハやガラス基板などの表面に付着した有機物を洗浄す
る除去作業、またはウエハやガラス基板などの表面に塗
布されたレジストをアッシングする除去作業を、ウエハ
等の自動搬送中に行ったので、除去作業のための時間が
不要となり半導体製造装置の製造工程が大幅に時間短縮
できる。また本装置を用いれば作業者の手を経ることな
く有機物の洗浄またはレジストの除去ができ、極めて清
浄で効率のよい除去作業ができる。
【００３２】また、除去装置４自体の洗浄については、
有機物に対しては紫外線とオゾンを、金属粒子に対して
は紫外線と塩素ガスを、二酸化ケイ素等の無機物に対し
ては紫外線とフッ素ガスとをそれぞれ組み合わせること
によりセルフクリーニングが可能となる。
有機物に対しては紫外線とオゾンを、金属粒子に対して
は紫外線と塩素ガスを、二酸化ケイ素等の無機物に対し
ては紫外線とフッ素ガスとをそれぞれ組み合わせること
によりセルフクリーニングが可能となる。
【００３３】図３は、本発明の他の実施例を示す図２相
当の横断面図で、搬送路２１ａの内部に制御磁極が設け
られたタイプの磁気浮上搬送装置２２ａを示している。
図示するように、搬送用カート４０ａは、水平方向を向
く平板部５０と、この平板部５０の両側から下方に向け
て一体的に取り付けられた一対の側板部５１とを備えて
いる。平板部５０の上面に支持片４１を介してウエハま
たはガラス基板などの搬送物２が載置されているのは上
記実施例と同様である。搬送路２１ａの内部２０ａに
は、図中左右一対の制御磁極５２が各側板部５１の外方
に配設されている。そして各側板部５１の外面には、各
制御磁極５２に対応させて磁性材５３がそれぞれ固定さ
れている。制御磁極５２とこれに対向する磁性材５３と
の間に作用する磁気的吸引力により搬送用カート４０は
図中左右方向に対して非接触状態で保持される。
当の横断面図で、搬送路２１ａの内部に制御磁極が設け
られたタイプの磁気浮上搬送装置２２ａを示している。
図示するように、搬送用カート４０ａは、水平方向を向
く平板部５０と、この平板部５０の両側から下方に向け
て一体的に取り付けられた一対の側板部５１とを備えて
いる。平板部５０の上面に支持片４１を介してウエハま
たはガラス基板などの搬送物２が載置されているのは上
記実施例と同様である。搬送路２１ａの内部２０ａに
は、図中左右一対の制御磁極５２が各側板部５１の外方
に配設されている。そして各側板部５１の外面には、各
制御磁極５２に対応させて磁性材５３がそれぞれ固定さ
れている。制御磁極５２とこれに対向する磁性材５３と
の間に作用する磁気的吸引力により搬送用カート４０は
図中左右方向に対して非接触状態で保持される。
【００３４】各側板部５１の下端には一対の磁性材５４
が内方に向けてそれぞれ固定されている。そして、搬送
路内部２０ａにはこの磁性材５４を挟む上下位置に制御
磁極５５，５６が配設されている。これにより、上下の
制御磁極５５，５６と搬送用カート４０ａの磁性材５４
との間に作用する磁気的吸引力により搬送用カート４０
ａは上下方向に非接触状態で浮上することとなる。その
他の構成に関しては上記実施例と同様である。
が内方に向けてそれぞれ固定されている。そして、搬送
路内部２０ａにはこの磁性材５４を挟む上下位置に制御
磁極５５，５６が配設されている。これにより、上下の
制御磁極５５，５６と搬送用カート４０ａの磁性材５４
との間に作用する磁気的吸引力により搬送用カート４０
ａは上下方向に非接触状態で浮上することとなる。その
他の構成に関しては上記実施例と同様である。
【００３５】なお磁気浮上搬送装置としては、この他に
も渦電流反発型など数多くのタイプのものがあるが、紫
外線ランプを取り付けるスペースがあれば磁気浮上搬送
装置はいずれのタイプのものでもよい。
も渦電流反発型など数多くのタイプのものがあるが、紫
外線ランプを取り付けるスペースがあれば磁気浮上搬送
装置はいずれのタイプのものでもよい。
【００３６】
【発明の効果】本発明は上記のように構成したので、搬
送物に付着した有機物膜やレジスト等の付着物を、時間
の無駄なく除去することができる。
送物に付着した有機物膜やレジスト等の付着物を、時間
の無駄なく除去することができる。
【図１】本発明の一実施例にかかる付着物の除去装置を
有する半導体製造装置の構成図である。
有する半導体製造装置の構成図である。
【図２】図１の横断面図で、搬送路の外部に永久磁石が
設けられたタイプの磁気浮上搬送装置を示している。
設けられたタイプの磁気浮上搬送装置を示している。
【図３】本発明の他の実施例を示す図２相当の横断面図
で、搬送路の内部に制御磁極が設けられたタイプの磁気
浮上搬送装置を示している。
で、搬送路の内部に制御磁極が設けられたタイプの磁気
浮上搬送装置を示している。
１ 付着物の除去装置 ２ 搬送物 ２０，２０ａ 内部 ２１，２１ａ 搬送路 ２２，２２ａ 磁気浮上搬送装置 ２３ 紫外線ランプ ２５ オゾナイザ ２７ ガス導入装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ 9277−4Ｍ 21/68 Ａ 8418−4Ｍ (72)発明者 森 敏 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 搬送物を搬送する磁気浮上搬送装置の搬
送路の内部に紫外線ランプを配設し、この紫外線ランプ
から発せられる紫外線を、上記搬送路の内部を移動中の
上記搬送物に照射することにより、この搬送物に付着し
た付着物を取り除くことを特徴とする付着物の除去方
法。 - 【請求項２】 オゾナイザによりつくり出されるオゾン
を上記搬送路内部に導入することを特徴とする請求項１
記載の付着物の除去方法。 - 【請求項３】 塩素ガス及びフッ素ガスを上記搬送路内
部に導入することを特徴とする請求項２記載の付着物の
除去方法。 - 【請求項４】 搬送物を搬送するための搬送路を有する
磁気浮上搬送装置と、 上記搬送路の内部に設けられ、この搬送路内部を移動中
の上記搬送物に紫外線を照射して、この搬送物に付着し
た付着物を取り除く紫外線ランプとを備えたことを特徴
とする付着物の除去装置。 - 【請求項５】 オゾンを上記搬送路内部に導入するオゾ
ナイザを備えたことを特徴とする請求項４記載の付着物
の除去装置。 - 【請求項６】 塩素ガス及びフッ素ガスを上記搬送路内
部に導入するガス導入装置を備えたことを特徴とする請
求項５記載の付着物の除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36167292A JPH06204196A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 付着物の除去方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36167292A JPH06204196A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 付着物の除去方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204196A true JPH06204196A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18474488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36167292A Pending JPH06204196A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 付着物の除去方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204196A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158314A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-06-21 | Sumco Corp | エピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の評価方法並びにエピタキシャル層の評価装置 |
| JP2009224383A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
| JP2009267213A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| WO2014199808A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | ウシオ電機株式会社 | アッシング装置 |
| JP2022009989A (ja) * | 2017-11-13 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP36167292A patent/JPH06204196A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007158314A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-06-21 | Sumco Corp | エピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の評価方法並びにエピタキシャル層の評価装置 |
| JP2009224383A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
| TWI423365B (zh) * | 2008-03-13 | 2014-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating, developing device, and coating and developing method |
| JP2009267213A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP4564078B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2010-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| WO2014199808A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | ウシオ電機株式会社 | アッシング装置 |
| JP2022009989A (ja) * | 2017-11-13 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
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