KR20080071676A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명은 기판 처리 공정 수행시 기판 표면에 발생되는 유기 오염물질을 자외선을 사용하여 효과적으로 세정한다. 특히, 본 발명은 박리 공정이 수행된 기판이 후속 공정을 진행하는 설비로 이동하기 전에, 기판 표면에 잔류하는 유기 오염물질을 극자외선을 방사시켜 기판 표면의 유기 오염물질을 효과적으로 세정함으로써, 후속 공정시 별도의 초기 세정 장치가 요구되지 않는다.
평판 디스플레이, 기판, 유기물, 유기 오염물질, 세정, 자외선, 극자외선

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 유기 오염물질 세정부의 내부 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 장치
10 : 제1 공정 처리부
20 : 제2 공정 처리부
110 : 기판 로딩부
120 : 박리공정부
130 : 린스공정부
140 : 건조공정부
150 : 유기오염물질 세정부
160 : 기판 언로딩부
170 : 기판 로딩부
180 : 증착공정부
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적인 기판 처리 장치는 반도체 집적회로 칩의 제조를 위한 웨이퍼 및 평판 디스플레이의 제조를 위한 유리 기판 등의 기판을 처리하는 장치이다. 이 중 평판 디스플레이 제조용 유리 기판을 처리하는 장치는 일렬로 배치되는 복수의 공정챔버들 및 기판이 각각의 공정챔버들을 순차적으로 이동하도록 기판을 이송시키는 이송부재를 포함한다. 공정챔버들은 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공정공간을 가진다. 각각의 공정챔버들은 모두 동일한 기판 처리 공정들을 수행하거나, 또는 각각의 공정챔버들의 일부 및 전부가 서로 상이한 기판 처리 공정을 수행할 수 있다. 이송부재는 복수의 구동샤프트들을 회전시켜 기판을 일정속도로 이동시킨다. 이러한 기판 처리 장치 중 박리 공정을 수행하는 장치는 기판 표면의 불필요한 이물질을 박리시키는 공정을 수행한다. 일반적인 박리 공정은 기판 표면에 박리액(stripper)을 공급하여 이루어진다. 또한, 이러한 박리 공정 이후에는 박리액의 제거를 위한 린스 공정 및 기판의 건조를 위한 건조 공정이 수행된다.
그러나, 상술한 박리 공정, 그리고 박리 공정 이후에 부가되는 린스 및 건조 공정을 수행하는 과정에서는 기판 표면에 유기 오염물질(organic contaminant)이 발생된다. 유기 오염물질은 보통 기판을 처리하는 과정에서 기판 표면이 외부 공기와 접촉하여 발생된다. 이러한 유기 오염물질은 일반적인 린스공정이나 건조공정으 로는 용이하게 제거되지 않으므로, 후속 공정시 기판 처리 공정의 효율을 저하시킨다. 특히, 후속 공정이 증착 공정인 경우에는 기판 표면에 잔류하는 유기 오염물질에 의해 물질의 증착 효율이 현저히 떨어지게 된다. 이를 방지하기 위해 증착 공정 이전에는 초기 세정 공정이 부가되나, 일반적인 세정 공정으로는 이러한 유기 오염물질의 효과적인 세정이 이루어지지 않는다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 유기 오염물질을 효과적으로 제거하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 박리 공정의 진행으로 인해 발생되는 유기 오염물질을 효과적으로 제거하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판으로 박리액을 공급하여 기판 표면에 잔류하는 이물질을 박리하는 공정을 수행하는 박리공정부, 기판 표면에 잔류하는 상기 박리액을 린스하는 린스공정부, 기판으로 건조가스를 분사하여 기판을 건조시키는 건조공정부, 그리고 기판 표면에 자외선을 노출시키는 자외선 세정공정부를 포함하되, 상기 박리공정부, 상기 린스공정부, 상기 건조공정부, 그리고 상기 자외선 세정공정부는 순차적으로 기판을 처리한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 유기오염물질 세정공정부에 의해 유기 오염물질의 제거 공정이 완료된 기판 표면에 증착 공정을 수행하는 증착 공정부를 더 포함하되, 상기 증착 공정은 기판 표면으로 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 초기 세정 공정 없이 진행된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 박리 공정을 수행하는 단계, 린스 공정을 수행하는 단계, 건조 공정을 수행하는 단계, 그리고 극자외선을 이용하여 기판 표면에 잔류하는 유기물을 제거하는 유기 오염물질 세정공정을 수행하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 상기 유기 오염물질 세정공정 후 기판의 초기 세정공정 없이 기판 표면에 증착물질을 증착시키는 증착공정이 진행된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 평판 디스플레이 제조용 유리 기판을 처리하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 유기오염물질 세정공정부의 내부 구성을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 제1 공정 처리부(first process treating member)(10) 및 제2 공정 처리부(second process treating member)(20)를 포함한다. 제1 공정 처리부(10)는 기판(s) 표면에 불필요한 박막을 제거하는 박리 공정(strip process)을 수행하고, 제2 공정 처리부(20)는 기판(s) 표면에 증착 물질을 증착 공정(deposition process)을 수행한다.
제1 공정 처리부(10)는 제1 로딩부(first loading member)(110), 박리공정부(strip process member)(120), 린스공정부(rinse process member)(130), 건조공정부(dry process member)(140), 유기오염물질 세정공정부(organic contaminant cleaning process member)(150), 그리고 기판 언로딩부(substrate unloading mnember)(160)를 포함한다. 그리고, 제2 공정 처리부(20)는 제2 로딩부(second loading member)(170) 및 증착공정부(deposition process member)(180)를 포함한다. 여기서, 제1 로딩부(110), 박리공정부(120), 린스공정부(130), 건조공정부(140), 유기오염물질 세정공정부(150), 그리고 기판 언로딩부(160)는 일렬로 배치된다. 또한, 제2 로딩부(170) 및 증착공정처리부(170)는 동일한 방식으로 일렬로 배치된다.
본 실시예에서는 제1 및 제2 공정 처리부(10, 20)의 구성들이 일렬로 배치되는 인라인(in-line) 배치 방식의 장치(1)를 예로 들어 설명하였으나, 제1 및 제2 공정 처리부(10, 20)의 구성들은 다양한 방식으로 배치될 수 있다.
계속해서, 상술한 제1 및 제2 공정 처리부(10, 20)의 구성에 대해 상세히 설명한다. 제1 기판 로딩부(110)는 기판(s)을 로딩(loading)시킨다. 제1 기판 로딩 부(110)는 로봇암(robot arm)과 같은 기판 이송 장치(미도시됨)로부터 기판(s)을 이송받아 기판(s)을 안착시켜 대기시킨다.
박리공정부(120)는 공정시 일정 속도로 이동되는 기판(s)을 향해 박리액을 분사하여 기판(s) 표면의 불필요한 막을 박리(strip)시킨다. 린스공정부(130)는 린스공정(rinse process)를 수행한다. 린스공정부(130)는 기판(s)으로 린스액을 분사하여 기판(s) 표면에 잔류하는 박리액 및 기타 이물질을 제거한다. 그리고, 건조공정부(130)는 건조공정(dry process)를 수행한다. 건조공정부(130)는 기판(s)으로 건조가스(dry gas)를 분사하여 기판(s) 표면에 잔류하는 처리액 및 기타 이물질을 제거한다.
유기오염물질 세정공정부(150)는 기판(s) 표면에 잔류하는 유기 오염물질을 제거한다. 도 2를 참조하면, 유기오염물질 세정공정부(150)는 공정챔버(process chamber)(152), 이송부재(transferring member)(154), 자외선 램프(ultra violet lamp)(156), 그리고 석영판(quartz plate)(158)을 포함한다. 공정챔버(152)는 내부에 유기 오염물질을 세정하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 이송부재(154)는 공정시 공정챔버(152) 내부에서 기판(s)을 지지 및 이동시킨다. 이송부재(154)로는 복수개가 기판(s)의 이동방향과 수직하는 방향으로 평행하게 배치되어 회전되는 샤프트(shaft)들을 사용할 수 있다. 자외선 램프(156)는 공정시 이송부재(154)에 의해 지지된 기판(s)으로 자외선을 방사한다. 자외선 램프(156)로는 복수의 수은 램프가 사용될 수 있다. 이때, 자외선 램프(156)가 방사하는 자외선은 극자외선(EUV:Extreme Ultra Violet)이다. 기판(s)으로 방사된 극자외선은 기판(s) 표면 에 유기 오염물질(organic contaminant)를 일산화탄소(CO) 및 이산화탄소(CO₂), 그리고 물(H20) 등의 형태로 분해 및 산화시켜 기판(s) 표면으로부터 제거한다. 석영판(158)은 자외선 램프(156)로부터 방사되는 자외선을 기판(s)으로 투과시켜 기판(s)으로 진행되는 자외선 광의 광효율을 향상시킨다.
기판 언로딩부(160)는 기판(s)을 언로딩(unloading)시킨다. 기판 언로딩부(160)는 유기 오염물질 세정부(150)로부터 유기오염물질의 세정이 완료된 기판(s)을 이송받아 대기시킨다. 기판 언로딩부(160)에 기판(s)이 대기하면, 제1 공정 처리부(10)와 제2 공정 처리부(20) 사이에 설치되는 기판 이송 장치(미도시됨)는 기판 언로딩부(160)로부터 제2 공정 처리부(20)의 제2 기판 로딩부(170)로 기판(s)을 로딩한다. 제2 기판 로딩부(170)는 제1 기판 로딩부(110)와 동일한 구성을 가진다. 그리고, 증착공정부(180)는 기판(s) 표면에 물질을 증착시켜 막을 형성시키는 증착 공정을 수행한다.
여기서, 본 실시예에서는 제1 공정 처리부(10)가 기판 언로딩부(160)를 구비하고, 제2 공정 처리부(20)가 제2 기판 로딩부(170)를 구비하는 기판 처리 장치(1)를 예로 들어 설명하였으나, 기판 처리 장치(1)는 기판 언로딩부(160) 및 제2 기판 로딩부(170)를 구비하지 않을 수도 있다. 이는 유기 오염물질 세정공정부(150)가 효과적으로 기판(s) 표면의 유기 오염물질을 제거할 수 있으므로, 후속 공정시 별도의 세정 공정 없이도 증착 공정이 바로 진행될 수 있기 때문이며, 이 경우에는 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 기판 로딩부 및 기판 언로딩부를 구비하지 않을 수 있다.
이하, 상술한 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 공정이 개시되면, 기판(s)은 제1 공정 처리부(10)의 제1 기판 로딩부(110)에 로딩된다(S110). 제1 기판 로딩부(110)에 로딩된 기판(s)은 박리공정부(120), 린스공정부(130), 건조공정부(140), 그리고 유기오염물질 세정부(150)를 순차적으로 이동되면서, 박리공정(S120), 린스공정(S130), 건조공정부(S140), 그리고 유기오염물질 세정공정(S150)이 진행된 후 제1 공정 처리부(10)로부터 언로딩(unloading)된다(S160). 그리고, 제1 공정 처리부(10)로부터 언로딩된 기판(s)은 제2 공정 처리부(20)의 제2 기판 로딩부(170)로 로드된 후 증착공정부(180)에서 증착 공정이 수행된다.
상술한 기판 처리 장치(1)는 박리 공정 및 박리 공정 후에 부가되는 린스 및 건조 공정을 수행하는 과정에서 발생되는 유기 오염물질을 제1 공정 처리부(10)로부터 기판(s)이 언로딩되기 전에 극자외선을 이용하여 효과적으로 세정한다. 특히, 일반적으로 박리 공정 및 박리 공정으로 인해 부가되는 린스 및 건조 공정 진행시에는 다량의 유기 오염물질이 발생되며, 이러한 유기 오염물질은 일반적인 세정처리, 예컨대 세정액 및 린스액을 공급하여 기판 표면을 세정하는 공정으로는 효율적으로 제거되지 않았다. 그러나, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 박리 공정 후에 극자외선을 이용하여 기판(s) 표면의 유기 오염물질을 제거시키는 유기 오염물 질 세정부(160)를 구비함으로써, 제1 공정 처리부(10)로부터 언로딩되기 전에 기판(s) 표면의 유기 오염물질을 효과적으로 제거한다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는 후속 공정(예컨대, 증착 공정)을 수행하는 장치(2)에서 공정이 수행되기 전에 별도의 세정처리부(초기 세정 장치)가 부가될 필요가 없다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 박리 공정시 기판 표면에 발생하는 유기 오염물질을 효과적으로 제거하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 박리 공정시 발생되는 유기 오염물질을 극자외선을 사용하여 효과적으로 제거함으로써, 증착 공정 등의 후속 공정 처리시 기판을 초기 세정하는 장치가 별도로 부가되지 않는다.

Claims (4)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판으로 박리액을 공급하여 기판 표면에 잔류하는 이물질을 박리하는 공정을 수행하는 박리공정부와,
    기판 표면에 잔류하는 상기 박리액을 린스하는 린스공정부와,
    기판으로 건조가스를 분사하여 기판을 건조시키는 건조공정부와,
    기판 표면에 자외선을 노출시키는 자외선 세정공정부를 포함하되,
    상기 박리공정부, 상기 린스공정부, 상기 건조공정부, 그리고 상기 자외선 세정공정부는 순차적으로 기판을 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기오염물질 세정공정부는,
    공정을 수행하는 공간을 제공하는 챔버와,
    상기 챔버 내부에 위치된 기판으로 극자외선(extreme ultra violet)을 방출시키는 자외선 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    박리 공정을 수행하는 단계와,
    린스 공정을 수행하는 단계와,
    건조 공정을 수행하는 단계와,
    극자외선을 이용하여 기판 표면에 잔류하는 유기물을 제거하는 유기 오염물질 세정공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 유기 오염물질 세정공정 후 기판의 초기 세정공정 없이 기판 표면에 증착물질을 증착시키는 증착공정이 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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