JP6854187B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、コントローラ100とを備える。
続いて、処理モジュール15の熱処理ユニットU2について詳細に説明する。図4に示すように、熱処理ユニットU2は、筐体90と、加熱機構30と、温度調整機構50と、開閉機構70(図7(a),(b)及び図8参照)と、コントローラ100(制御部)とを有する。
次に、基板処理方法の一例として、コントローラ100の制御に応じて熱処理ユニットU2が実行する基板処理手順を、図11を参照して説明する。図11に示す基板処理のシーケンスは、加熱プレート34におけるウェハWの加熱処理(熱処理)が実行されている状態から開始している。所定の加熱時間が経過すると、時刻t1において、チャンバ開閉制御部101が昇降機構33を制御することにより、天板部32が上昇しチャンバが開かれる(チャンバーUP)。更に、時刻t2において、支持ピン昇降制御部102が昇降機構36を制御することにより、支持ピン35が上昇し(支持ピンUP)、ウェハWが支持ピン35によって支持される。
熱処理ユニットU2は、載置されたウェハWの温度調整を行う、切欠き部51a,ガイド溝51dが形成された温度調整プレート51と、切欠き部51a,ガイド溝51dを開閉可能に構成された開閉プレート71,72と、を備え、開閉プレート71,72は、切欠き部51a,ガイド溝51dを閉じることにより、切欠き部51a,ガイド溝51dに対応する領域と、温度調整プレート51における切欠き部51a,ガイド溝51dの周囲の領域との間で熱を伝導させるように構成されている。
Claims (7)
- 載置された基板の温度調整を行う、所定の切欠きが形成された温度調整プレートと、
前記切欠きを開閉可能に構成された開閉部と、を備え、
前記開閉部は、前記切欠きを閉じることにより、前記切欠きに対応する領域と、前記温度調整プレートにおける前記切欠きの周囲の領域との間で熱を伝導させるように構成されており、
前記開閉部を駆動させる駆動部と、
前記温度調整プレートの移動に応じて前記開閉部による前記切欠きの開閉が行われるように前記駆動部を制御する制御部と、を更に備えている、基板処理装置。 - 前記開閉部は、前記切欠きの開閉状態に関わらず、前記温度調整プレートに追従して移動するように設けられている、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記駆動部は、前記温度調整プレートに設けられている、請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、
前記温度調整プレートに前記基板が受け渡しされる際に、前記開閉部によって前記切欠きが開放されるように前記駆動部を制御することと、
前記基板の受け渡し後における前記基板の温度調整期間の少なくとも一部において、前記開閉部によって前記切欠きが閉じられるように前記駆動部を制御することと、を実行するように構成されている、請求項3記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記温度調整期間後、前記温度調整プレートから前記基板が離間した後に、前記開閉部によって前記切欠きが閉じられるように前記駆動部を制御すること、を更に実行するように構成されている、請求項4記載の基板処理装置。 - 基板を所定温度に調整する温度調整プレートが移動し、該温度調整プレートに基板が受け渡しされる際に、該温度調整プレートに形成された切欠きを開放する工程と、
前記基板の受け渡し後における該基板の温度調整期間の少なくとも一部において、前記切欠きを閉じる工程と、を含む基板処理方法。 - 請求項6記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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