TW202135201A - 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 - Google Patents

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大塚幸信
髙木慎介
久我恭弘
牛丸浩二
藤瀬遼平
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Abstract

本發明之目的在於有效率地回收昇華物，同時令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。為了達成上述目的，本發明一實施態樣之熱處理裝置，具備：熱處理單元，對於形成有被膜的基板實施熱處理；以及控制單元，控制熱處理單元。上述熱處理單元，具有：加熱部，支持並加熱基板；處理室，覆蓋加熱部所支持的基板；氣體噴吐部，具有形成了沿著與加熱部所支持的基板互相對向的面散布的複數之噴吐孔的噴頭部，並從複數之噴吐孔向該基板的表面噴吐氣體；外周排氣部，從比加熱部所支持的基板的周緣更外側的外周區域，將處理室內的處理空間的氣體排出；以及中心排氣部，從比加熱部所支持的基板的周緣更內側的中心區域，將處理空間的氣體排出。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
本發明係關於一種基板處理裝置、基板處理方法以及記錄媒體。
於專利文獻1，揭示了一種對形成於基板的塗布膜進行加熱處理的加熱處理裝置。該加熱處理裝置，具備：載置部，設置在處理容器內並載置基板；加熱部，用以加熱載置於載置部的基板；以及外周排氣口與中央排氣口將處理容器內的氣體排出。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-115919號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明提供一種基板處理裝置、基板處理方法以及記錄媒體，其可有效率地回收昇華物，同時可令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。 [解決問題的手段]
本發明一實施態樣之基板處理裝置，具備：熱處理單元，對於形成有被膜的基板實施熱處理；以及控制單元，控制熱處理單元。上述熱處理單元，具有：加熱部，支持並加熱基板；處理室，覆蓋加熱部所支持的基板；氣體噴吐部，具有形成了沿著與加熱部所支持的基板互相對向的面散布的複數之噴吐孔的噴頭部，並從複數之噴吐孔向該基板的表面噴吐氣體；外周排氣部，從比加熱部所支持的基板的周緣更外側的外周區域，將處理室內的處理空間的氣體排出；以及中心排氣部，從比加熱部所支持的基板的周緣更內側的中心區域，將處理空間的氣體排出。 [發明的功效]
若根據本發明，便可提供出一種基板處理裝置、基板處理方法以及記錄媒體，其可有效率地回收昇華物，同時可令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。
以下，針對各種例示之實施態樣進行說明。
本發明一例示之實施態樣的基板處理裝置，具備：熱處理單元，對於形成有被膜的基板實施熱處理；以及控制單元，控制熱處理單元。上述熱處理單元，具有：加熱部，支持並加熱基板；處理室，覆蓋加熱部所支持的基板；氣體噴吐部，具有形成了沿著與加熱部所支持的基板互相對向的面散布的複數之噴吐孔的噴頭部，並從複數之噴吐孔向該基板的表面噴吐氣體；外周排氣部，從比加熱部所支持的基板的周緣更外側的外周區域，將處理室內的處理空間的氣體排出；以及中心排氣部，從比加熱部所支持的基板的周緣更內側的中心區域，將處理空間的氣體排出。
上述基板處理裝置的熱處理單元，可利用中心排氣部在基板的熱處理中從中心區域排氣，被膜的昇華物便有效率地被回收。另外，利用氣體噴吐部對基板的表面噴吐氣體，伴隨從中心區域的排氣的氣流的上升便被抑制。因此，氣流對被膜的膜厚的影響在基板面內被均化。因此，可有效率地回收昇華物，同時可令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。
熱處理單元，亦可更具有排氣切換部，其切換從外周排氣部將處理空間的氣體排出的第1狀態，與至少從中心排氣部將處理空間的氣體排出的第2狀態。控制單元，亦可利用氣體噴吐部從複數之噴吐孔噴吐氣體，同時控制排氣切換部以從第1狀態切換到第2狀態。在對作為處理對象的基板進行加熱的後段，膜層的形成正在進行，排氣對膜厚變動的影響較小。上述構造，可在加熱後段實行中心排氣。其結果，便可有效率地回收昇華物，同時可令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性更進一步提高。
熱處理單元，亦可更具有：基板升降部，令基板升降；以及開閉切換部，切換利用處理室形成處理空間的關閉狀態，與相較於關閉狀態令處理室更遠離加熱部的開啟狀態。處理室，亦可包含設置了噴頭部的頂板。控制單元，亦可以令基板從加熱部上升並接近頂板的方式，控制基板升降部，並以「在令基板接近頂板之後，從關閉狀態切換到開啟狀態」的方式，控制開閉切換部。此時，從處於接近頂板的狀態的基板的被膜所產生的昇華物，便更確實地被回收。因此，可抑制被膜的昇華物對熱處理單元造成污染的情況。
外周排氣部，亦可具有用以將處理空間的氣體排出的的外周排氣孔。控制單元，亦可在令基板接近頂板時，以令基板上升到比外周排氣孔更高的位置的方式，控制基板升降部。此時，當令基板接近頂板時，伴隨外周排氣孔的排氣而在基板的表面上所產生的氣流較弱。因此，昇華物流到基板之外的可能性降低，故可更有效率地回收昇華物。
處理室，亦可以在外周區域形成了將處理空間與處理室外的空間連接的連通部的狀態，覆蓋加熱部上的基板。外周排氣部，亦可包含開口於連通部的外周排氣孔，並經由該外周排氣孔以及連通部，將處理空間的氣體排出。此時，可防止昇華物經由連通部洩漏到處理室外的空間。
處理室，亦可包含：保持部，保持加熱部；以及蓋部，以從上方覆蓋加熱部上的基板的方式，配置成與保持部之間設有間隙的狀態。保持部與蓋部之間的間隙，亦可發揮作為上述連通部的功能。此時，由於可開閉處理室而不會伴隨發生各構件之間的接觸，故可抑制因為處理室的開閉而導致微粒產生的情況。
熱處理單元，亦可對包含上述基板在內的複數枚基板依序實施熱處理。控制單元，亦可在更換作為處理對象的基板的期間，令氣體噴吐部持續從複數之噴吐孔噴吐氣體。此時，伴隨從氣體噴吐部的氣體噴吐所發生之周圍溫度的變化大致保持固定。因此，可令熱處理的處理結果在基板之間穩定一致。
中心排氣部，亦可包含以開口於處理空間的方式設置於噴頭部的中心排氣孔。氣體噴吐部，亦可更包含向中心排氣孔的下方噴吐氣體的噴嘴部。此時，藉由從噴嘴部向排氣口的下方噴吐氣體，便可抑制中心排氣孔附近的膜厚的突出量。因此，可在基板面內令膜厚均一性更進一步提高。
上述基板處理裝置，亦可更具備氣體供給單元，將含有一成分的第1氣體與含有另一成分的第2氣體混合，以產生該一成分的濃度被調節成既定值的調節氣體，同時將該調節氣體供給到該氣體噴吐部。氣體噴吐部，亦可以調節氣體作為氣體，向該基板的表面噴吐。氣體供給單元，亦可配置於與熱處理單元所配置的空間分隔開的另一空間。此時，便可降低用以產生調節氣體的構件因為熱處理產生的熱所受到的影響。
控制單元，亦可至少在加熱部加熱基板的期間的前半段，令氣體噴吐部噴吐調節氣體。由於在加熱基板的前半段的期間，膜層的形成正在進行，故可更確實地使用調節氣體調節被膜的品質。
加熱部，亦可包含：熱板，產生用以加熱基板的熱；複數之間隔銷，設置於熱板的主面，並以與主面之間隔著間隙的方式支持基板；以及吸引孔，開口於主面，並對配置在複數之間隔銷上的基板進行吸引。複數之間隔銷，亦可包含：第1組的間隔銷，配置於主面之中的位於吸引孔附近的吸引區域；以及第2組的間隔銷，配置於主面之中的吸引區域以外的非吸引區域。吸引區域的每單位面積內的第1組的間隔銷的數量，亦可比非吸引區域的每單位面積內的第2組的間隔銷的數量更多。由於在吸引區域來自吸引孔的吸引力較大，故發生於基板內部的應力對1個間隔銷所施加的負重會有變大的傾向。上述構造，藉由增加在吸引區域中第1組的間隔銷的每單位面積內的數量，以抑制對1個間隔銷所施加的負重增加的情況。
上述基板處理裝置，亦可具備包含熱處理單元在內的複數之熱處理單元。加熱部，亦可包含：熱板，產生用以加熱基板的熱；複數之間隔銷，設置於熱板的主面，並以與主面之間隔著間隙的方式支持基板；以及吸引孔，開口於主面，並對配置在複數之間隔銷上的基板進行吸引。複數之熱處理單元，亦可包含第1熱處理單元與第2熱處理單元。第1熱處理單元所實行的熱處理的基板的加熱溫度，亦可比第2熱處理單元所實行的熱處理的基板的加熱溫度更高。第1熱處理單元的加熱部所包含的複數之間隔銷的數量，亦可比第2熱處理單元的加熱部所包含的複數之間隔銷的數量更多。當熱處理的基板的加熱溫度較高時，因為基板的熱膨脹而發生在基板內部的應力對1個間隔銷所施加的負重會有變大的傾向。上述構造，藉由增加實行加熱溫度較高的熱處理的第1熱處理單元的加熱部所包含的間隔銷的數量，以抑制對1個間隔銷所施加的負重增加的情況。
上述基板處理裝置，亦可具備包含熱處理單元在內的複數之熱處理單元。加熱部，亦可包含：熱板，產生用以加熱基板的熱；複數之間隔銷，設置於熱板的主面，並以與主面之間隔著間隙的方式支持基板；以及吸引孔，開口於主面，並對配置在複數之間隔銷上的基板進行吸引。複數之熱處理單元，亦可包含第1熱處理單元與第2熱處理單元。從第1熱處理單元的吸引孔對基板所施加的吸引力，亦可比從第2熱處理單元的吸引孔對基板所施加的吸引力更大。第1熱處理單元的加熱部所包含的複數之間隔銷的數量，亦可比第2熱處理單元的加熱部所包含的複數之間隔銷的數量更多。當來自吸引孔的吸引力較大時，發生於基板的內部的應力對1個間隔銷所施加的負重會有變大的傾向。上述構造，藉由增加以吸引力較大的狀態實行熱處理的第1熱處理單元的加熱部所包含的間隔銷的數量，以抑制對1個間隔銷所施加的負重增加的情況。
本發明一例示之實施態樣的基板處理方法，係包含對於形成有被膜的基板實施熱處理的步驟在內的方法。對基板實施熱處理的步驟，包含以下步驟：於加熱部支持並加熱處於被處理室所覆蓋的狀態的基板；從比加熱部所支持的基板的周緣更外側的外周區域，將處理室內的處理空間的氣體排出；從比加熱部所支持的基板的周緣更內側的中心區域，將處理空間的氣體排出；以及從沿著與加熱部所支持的基板互相對向的面散布的複數之噴吐孔，向該基板的表面噴吐氣體。此時，與上述的基板處理裝置同樣，可有效率地回收昇華物，同時可令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。
對基板實施熱處理的步驟，亦可更包含以下步驟：從複數之噴吐孔向基板的表面噴吐氣體，同時由從外周區域將處理空間的氣體排出的第1狀態，切換到至少從中心區域將處理空間的氣體排出的第2狀態。此時，與上述的基板處理裝置同樣，可有效率地回收昇華物，同時可令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性更進一步提高。
對基板實施熱處理的步驟，亦可更包含以下步驟：令基板從加熱部上升並接近處理室的頂板；以及在令基板接近頂板之後，從利用處理室形成處理空間的關閉狀態，切換到相較於關閉狀態令處理室更遠離加熱部的開啟狀態。此時，與上述的基板處理裝置同樣，可抑制被膜的昇華物對熱處理單元造成污染的情況。
從外周區域將處理空間的氣體排出的步驟，亦可包含經由外周排氣孔將處理空間的氣體排出的步驟。令基板接近頂板的步驟，亦可包含令基板上升到比外周排氣孔更高的位置的步驟。此時，與上述的基板處理裝置同樣，可更有效率地回收昇華物。
上述基板處理方法，亦可包含對包含基板在內的複數枚基板依序實施熱處理的步驟。對複數枚基板依序實施熱處理的步驟，亦可包含在更換作為處理對象的基板的期間，持續從複數之噴吐孔噴吐氣體的步驟。此時，與上述的基板處理裝置同樣，可令熱處理的處理結果在基板之間穩定一致。
從中心區域將處理空間的氣體排出的步驟，亦可更包含以下步驟：經由設置於形成有複數之噴吐孔的噴頭部的中心排氣孔，將處理空間內的氣體排出；以及從噴嘴部向中心排氣孔的下方噴吐氣體。此時，與上述的基板處理裝置同樣，可在基板面內令膜厚均一性更進一步提高。
本發明一例示之實施態樣的記錄媒體，係記憶了用以令裝置實行上述基板處理方法的程式的電腦可讀取記錄媒體。
以下，參照圖式並針對一實施態樣進行說明。在說明中，會對相同的要件或具有相同功能的要件附上相同的符號，並省略重複說明。
[第1實施態樣] 首先，參照圖1~圖12，針對第1實施態樣之基板處理系統進行說明。圖1所示的基板處理系統1，係對基板實施感光性被膜的形成、該感光性被膜的曝光，以及該感光性被膜的顯影的系統。作為處理對象的基板，例如為半導體的晶圓W。感光性被膜，例如為光阻膜。基板處理系統1，具備塗布顯影裝置2與曝光裝置3。曝光裝置3，係對形成在晶圓W（基板）上的光阻膜（感光性被膜）進行曝光的裝置。具體而言，曝光裝置3，利用浸液曝光等方法對光阻膜的曝光對象部分照射能量線。塗布顯影裝置2，在曝光裝置3的曝光處理之前，實行於形成有下層膜的晶圓W的表面塗布光阻（藥劑）以形成光阻膜的處理，並在曝光處理之後實行光阻膜的顯影處理。
[基板處理裝置] 以下，作為基板處理裝置的一例，對塗布顯影裝置2的構造進行說明。如圖1以及圖2所示的，塗布顯影裝置2，具備：載置區塊4、處理區塊5、介面區塊6，以及控制裝置100（控制單元）。
載置區塊4，實行對塗布顯影裝置2內的晶圓W的導入以及從塗布顯影裝置2內的晶圓W的導出。例如，載置區塊4，可支持晶圓W用的複數之載體C，並內建了包含傳遞臂在內的搬運裝置A1。載體C，例如收納了複數枚圓形的晶圓W。搬運裝置A1，從載體C取出晶圓W並傳遞到處理區塊5，從處理區塊5接收晶圓W並送回載體C內。處理區塊5，具有複數之處理模組11、12、13、14。
處理模組11，內建了塗布單元U1、熱處理單元U2，以及將晶圓W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組11，利用塗布單元U1以及熱處理單元U2在晶圓W的表面上形成下層膜。塗布單元U1，將下層膜形成用的處理液塗布在晶圓W上。熱處理單元U2，實行伴隨下層膜的形成的各種熱處理。亦即，熱處理單元U2，對於形成有處理液被膜的晶圓W實施熱處理。藉此，於晶圓W的表面形成下層膜。關於下層膜的具體例，例如可列舉出旋塗碳（spin on carbon，SOC）膜等所謂的硬遮罩。當在熱處理中對於形成有被膜的晶圓W進行加熱時，會從該被膜產生昇華物（不需要的物質）。因此，於熱處理單元U2，設置了用以將昇華物排出的排氣部。
處理模組12，內建了塗布單元U3、熱處理單元U4，以及將晶圓W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組12，利用塗布單元U3以及熱處理單元U4在下層膜之上形成光阻膜。塗布單元U3，將光阻膜形成用的處理液塗布在下層膜之上。熱處理單元U4，實行伴隨被膜的形成的各種熱處理。
處理模組13，內建了塗布單元U5、熱處理單元U6，以及將晶圓W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組13，利用塗布單元U5以及熱處理單元U6在光阻膜之上形成上層膜。塗布單元U5，將上層膜形成用的液體塗布在光阻膜之上。熱處理單元U6，實行伴隨上層膜的形成的各種熱處理。
處理模組14，內建了顯影單元U7、熱處理單元U8，以及將晶圓W搬運到該等單元的搬運裝置A3。處理模組14，利用顯影單元U7以及熱處理單元U8，實行實施過曝光處理的光阻膜的顯影處理以及伴隨顯影處理的熱處理。顯影單元U7，將顯影液塗布在已曝光過的晶圓W的表面上，之後，利用沖洗液對其進行沖洗，以實行光阻膜的顯影處理。熱處理單元U8，實行伴隨顯影處理的各種熱處理。關於熱處理的具體例，可列舉出顯影處理前的加熱處理（PEB，Post Exposure Bake，曝後烤）、顯影處理後的加熱處理（PB，Post Bake，後烘烤）等。
在處理區塊5內的載置區塊4側設置了棚台單元U10。棚台單元U10，區劃出在上下方向上並排的複數之單位。在棚台單元U10的附近設置了包含升降臂在內的搬運裝置A7。搬運裝置A7，令晶圓W在棚台單元U10的各單位之間升降。
在處理區塊5內的介面區塊6側設置了棚台單元U11。棚台單元U11，區劃出在上下方向上並排的複數之單位。
介面區塊6，在其與曝光裝置3之間實行晶圓W的傳遞。例如，介面區塊6，內建了包含傳遞臂在內的搬運裝置A8，並與曝光裝置3連接。搬運裝置A8，將配置於棚台單元U11的晶圓W傳給曝光裝置3。搬運裝置A8，從曝光裝置3接收晶圓W並送回棚台單元U11。
另外，基板處理裝置的具體構造，不限於以上所例示的塗布顯影裝置2的構造。基板處理裝置，只要具備實行下層膜等被膜的熱處理的熱處理單元，以及可控制該等單元的控制裝置，則無論為何等裝置均可。
（熱處理單元） 接著，參照圖3以及圖4，針對處理模組11的熱處理單元U2的一例詳細進行說明。如圖3所示的，熱處理單元U2，具有：加熱部20、基板升降部30、處理室40，以及排氣部60。另外，在圖3中，除了一部分的要件之外，表示其為剖面的影線被省略。
加熱部20，支持並加熱晶圓W。加熱部20，例如，具有熱板22與熱板加熱器24。熱板22，支持作為熱處理對象的晶圓W，並將熱傳導至所支持的該晶圓W。熱板加熱器24，令熱板22的溫度上升。作為一例，在熱處理中，熱板22的溫度保持在300°~500°左右。熱板加熱器24，例如，設置在熱板22內。熱板22，例如大致形成圓板狀。熱板22的直徑，亦可比晶圓W的直徑更大。熱板22，具有載置面22a，並以晶圓W載置於載置面22a的既定位置的狀態支持該晶圓W。熱板22，亦可由熱傳導率較高的鋁、銀或銅等金屬所構成。
基板升降部30，令晶圓W在熱板22上升降。基板升降部30，例如，在「晶圓W載置於熱板22的載置面22a的處理位置」與「在離開熱板22的上方處與搬入裝置（搬出裝置）之間實行晶圓W的傳遞的傳遞位置」之間令晶圓W升降。基板升降部30，具有複數支（例如3支）支持銷32與升降驅動部34。
支持銷32，係從下方支持晶圓W的銷。支持銷32，例如，以貫通熱板22並在上下方向上延伸的方式構成。複數支支持銷32，亦可在熱板22的環繞中心的周向上彼此等間隔配置。升降驅動部34，以電動馬達或升降汽缸等作為動力源，令支持銷32升降。升降驅動部34，例如，以支持銷32的上端比載置面22a更往上方突出的方式令支持銷32上升，藉此，令晶圓W上升到傳遞位置。另外，升降驅動部34，以支持銷32的上端比載置面22a位於更下方的方式令支持銷32下降，藉此，令晶圓W下降到處理位置（將晶圓W載置於載置面22a）。升降驅動部34，因應控制裝置100的動作指示令支持銷32升降，藉此，令晶圓W在處理位置與傳遞位置之間升降。
處理室40，覆蓋被加熱部20所支持的晶圓W。處理室40覆蓋熱板22上的晶圓W，藉此，在熱板22上形成用以實行熱處理的處理空間S。處理空間S，係密閉至可對晶圓W上的被膜充分進行加熱的程度的空間。處理室40，例如，具有頂板42、側壁44，以及處理室加熱器46。
頂板42，形成具有與熱板22相同程度之大小的直徑的圓板狀。頂板42，以與熱板22的載置面22a在上下方向上互相對向的方式配置。亦即，頂板42從上方覆蓋載置面22a。側壁44，以從頂板42的外緣往下方延伸的方式形成。側壁44，包圍載置面22a。在圖3所示的例子中，係由頂板42的底面、側壁44的內面以及載置面22a構成處理空間S。處理室加熱器46，設置於頂板42，令頂板42（處理室40）的溫度上升。藉此，防止伴隨著對作為處理對象的被膜進行加熱所產生的昇華物附著於處理室40。
處理室40，以可在上下方向上移動的方式，設置在熱處理單元U2的框體內。熱處理單元U2，例如，具有驅動處理室40的處理室驅動部48（開閉切換部）。處理室驅動部48，以電動馬達等作為動力源，令處理室40在上下方向上移動。處理室驅動部48令處理室40下降，藉此，利用處理室40形成處理空間S。以下，將利用處理室40形成處理空間S的狀態稱為「關閉狀態」。在關閉狀態下，處理室40（側壁44）的下端部接近熱板22。例如，在關閉狀態下，側壁44的下端部（下端與其附近部位）可與熱板22接觸，亦可在側壁44的下端部與熱板22之間留有間隙。像這樣，在關閉狀態下，可形成密閉狀態的處理空間S，亦可形成於一部分留有間隙的狀態的處理空間S。另外，圖3，係例示出在側壁44與熱板22之間留有間隙的態樣。
利用處理室驅動部48令處理室40上升，藉此，相較於上述關閉狀態，處理室40更遠離加熱部20（熱板22）。以下，將相較於關閉狀態處理室40更遠離加熱部20的狀態稱為「開啟狀態」。在開啟狀態下，在熱板22上並未形成處理空間S，熱板22上的空間向處理室40外的空間開放。亦即，在開啟狀態下，處理室40與熱板22分開到無法對晶圓W充分進行加熱的程度。處理室驅動部48，因應控制裝置100的動作指示令處理室40升降，藉此，切換關閉狀態與開啟狀態。
處理室40，包含氣體噴吐部50。氣體噴吐部50，在處理室40內的處理空間S中，從上方向熱板22上的晶圓W噴吐氣體。氣體噴吐部50，例如，向晶圓W的表面的大致全面噴吐氣體。氣體噴吐部50所噴吐的氣體的種類並無限定，例如，可使用空氣、含水量經過調節的氣體，或是惰性氣體（氮氣）。氣體噴吐部50，透過供給管路56與氣體供給源連接。氣體噴吐部50，亦可具有設置於頂板42的噴頭部52。於噴頭部52，形成有設置在頂板42的下側的緩衝空間，以及複數之噴吐孔54，設置於與熱板22上的晶圓W互相對向的頂板42的底面，並令緩衝空間與處理空間S之間互相穿通。緩衝空間，係連接複數之噴吐孔54與供給管路56的空間。
圖4，係從下方觀察圖3所例示的處理室40的示意圖。如圖4所示的，複數之噴吐孔54，散布在頂板42的底面。複數之噴吐孔54，例如，以大致上平均一致的密度，散布在頂板42的底面之中的與熱板22上的晶圓W互相對向的部分（對向部分）。另外，亦可在從上方觀察比對向部分更外側（比晶圓W的周緣更外側）之處也設置噴吐孔54。複數之噴吐孔54，在上述對向部分散佈配置。複數之噴吐孔54，亦可以「當從氣體噴吐部50噴吐空氣等氣體時，每單位時間的噴吐量在晶圓W的整個表面上大致上平均一致」的方式散布。
複數之噴吐孔54的開口面積，亦可彼此大致相同。當複數之噴吐孔54的開口面積彼此大致相同時，複數之噴吐孔54，亦可以噴吐孔54的開口面積相對於對向部分的每單位面積的所占比例平均一致的方式散布。從上下方向觀察，噴吐孔54的形狀亦可為圓或橢圓。複數之噴吐孔54亦可以相鄰的各噴吐孔54之間的間隔大致相同的方式散布。作為一例，如圖4所示的，當複數之噴吐孔54沿著橫方向以及縱方向2維排列時，可為在橫方向上相鄰的各噴吐孔54之間的間隔平均一致的態樣，亦可為在縱方向上相鄰的各噴吐孔54之間的間隔平均一致的態樣。亦可為在橫方向上相鄰的各噴吐孔54之間的間隔與在縱方向上相鄰的各噴吐孔54之間的間隔大致相同的態樣。
回到圖3，排氣部60，將處理室40內（處理空間S內）的氣體排出到處理室40的外部。排氣部60，包含：外周排氣部70、中心排氣部80，以及排氣切換部90。
外周排氣部70，從比加熱部20所支持的晶圓W的周緣更外側的外周區域，將處理空間S內的氣體排出。外周排氣部70，例如，透過設置在氣體噴吐部50的外側的複數之排氣孔72（複數之外周排氣孔），從處理空間S的外周，將處理室40內的氣體排出。複數之排氣孔72，如圖4所例示的，設置在氣體噴吐部50的噴頭部52的外側。
複數之排氣孔72，設置在處理室40的頂板42內，各自在頂板42的底面的外周部位（亦即處理空間S的頂面的外周部位）開口。複數之排氣孔72，亦可在噴頭部52的外側配置成環狀。複數之排氣孔72，亦可從上方觀察比熱板22上的晶圓W的周緣位於更外側。換言之，複數之排氣孔72，亦可從上方觀察並未與熱板22上的晶圓W重疊。頂板42內的排氣孔72的形狀並無特別限定。複數之排氣孔72，透過排氣導管74與排氣泵連接。藉由排氣泵的吸引，經由複數之排氣孔72，將處理空間S內的氣體排出到處理室40外。
中心排氣部80，從比加熱部20所支持的晶圓W的周緣更內側的中心區域，將處理空間S內的氣體排出。從上方觀察，上述中心區域的外緣，例如，以具有晶圓W的半徑的一半左右的半徑的圓定之。然而，中心區域不限於如上所述，例如，亦可構成「從比晶圓W的半徑的一半左右更外側之處，利用中心排氣部80進行排氣」的構造。中心排氣部80，亦可具有設置於氣體噴吐部50的噴頭部52的一個排氣孔82（中心排氣孔），且中心軸Ax位在排氣孔82內。亦可如圖4所例示的，排氣孔82的中心與中心軸Ax大致對齊一致。或者，亦可在中心區域，排氣孔82的中心相對偏離中心軸Ax。
排氣孔82，以向處理空間S開口的方式，設置於氣體噴吐部50。具體而言，排氣孔82，設置於包含氣體噴吐部50的噴頭部52在內的頂板42內，並在頂板42的底面的中央部位開口。包含噴頭部52在內的頂板42內的排氣孔82的形狀並無特別限定。例如，從上下方向觀察，排氣孔82的形狀亦可為圓或橢圓。排氣孔82的大小（徑長），可比噴吐孔54的大小（徑長）更大，亦可比排氣孔72更大。排氣孔82，透過排氣導管84與排氣泵連接。藉由排氣泵的吸引，經由排氣孔82，將處理空間S內的氣體排出到處理室40外。
排氣切換部90，切換處理空間S的排氣狀態。具體而言，排氣切換部90，切換從外周排氣部70將處理空間S的氣體排出的狀態（以下稱為「第1狀態」），與至少從中心排氣部80將處理空間S的氣體排出的狀態（以下稱為「第2狀態」）。以下，在第2狀態中，係例示出除了中心排氣部80之外亦從外周排氣部70將處理空間S的氣體排出的態樣。排氣切換部90，例如，具有閥門92與閥門94。
閥門92，切換外周排氣部70的排氣狀態。具體而言，閥門92，設置於排氣導管74，令排氣孔72與排氣泵之間開閉。閥門94，切換中心排氣部80的排氣狀態。具體而言，閥門94，設置於排氣導管84，令排氣孔82與排氣泵之間開閉。排氣泵可在塗布顯影裝置2運作中經常持續地排氣，亦可藉由閥門92、94個別地開閉而切換處理空間S的排氣狀態。此時，當閥門92為關閉狀態時，從外周排氣部70的排氣處於停止狀態，當閥門92為開啟狀態時，從外周排氣部70的排氣處於進行狀態。另外，當閥門94為關閉狀態時，從中心排氣部80的排氣處於停止狀態，當閥門94為開啟狀態時，從中心排氣部80的排氣處於進行狀態。排氣切換部90（閥門92、94），因應控制裝置100的動作指示而動作。閥門92、94例如各自為電磁閥。
熱處理單元U2，更具備冷卻板98，具有冷卻晶圓W的功能[參照圖9（c）]。冷卻板98，在處理室40外的冷卻位置，與其至少一部分配置在處理室40內的晶圓W的搬入搬出位置之間往返移動。或者，冷卻板98，亦可固定於在水平方向上與熱板22並排的位置，熱處理單元U2，亦可具有在冷卻板98與熱板22之間移動同時搬運晶圓W的搬運臂。
中心排氣部80的排氣量（每單位時間的氣體排出量），可與外周排氣部70的排氣量為相同程度，亦可比外周排氣部70的排氣量更大。例如，中心排氣部80的排氣量，亦可為外周排氣部70的排氣量的1.1~5.0倍左右。另外，氣體噴吐部50的氣體供給量（每單位時間的氣體噴吐量），亦可比外周排氣部70以及中心排氣部80各自的排氣量更小。例如，氣體噴吐部50的氣體供給量，亦可為中心排氣部80的排氣量的1/6~1/2左右。此時，亦可從處理室40的下端部與熱板22之間的間隙將氣體吸入處理室40內。
（控制裝置） 控制裝置100，控制包含熱處理單元U2在內的塗布顯影裝置2的各部位。控制裝置100，以實行以下動作的方式構成：令處於被處理室40所覆蓋的狀態的晶圓W被加熱部20所支持並加熱；從比被加熱部20所支持的晶圓W的周緣更外側的外周區域將處理空間S的氣體排出；從被加熱部20所支持的晶圓W的周緣的內側的中心區域將處理空間S的氣體排出；以及從複數之噴吐孔54向晶圓W的表面噴吐氣體。
如圖2所示的，控制裝置100，關於功能上的構造，具有記憶部102與控制部104。記憶部102，記憶了用以令包含熱處理單元U2在內的塗布顯影裝置2的各部位動作的程式。記憶部102，亦記憶了各種資料（例如用以令熱處理單元U2動作的指示信號的資訊），以及來自設置於各部位的感測器等的資訊。記憶部102，例如為半導體記憶體、光碟、磁碟、磁光碟。該程式，亦可記憶於有別於記憶部102的另一外部記憶裝置，或傳播信號等無形媒體。亦可從該等其他媒體將該程式安裝於記憶部102，而令記憶部102記憶該程式。控制部104，根據從記憶部102所讀取到的程式，控制塗布顯影裝置2的各部位的動作。
控制裝置100，係由一個或複數之控制用電腦所構成。例如，控制裝置100，具有圖5所示的電路110。電路110，具有：一個或複數之處理器112、記憶體114、儲存器116、計時器122，以及輸入輸出埠118。儲存器116，例如具有硬碟等電腦可讀取的記錄媒體。記錄媒體，記憶了用以令控制裝置100實行包含後述熱處理工序在內的基板處理工序的程式。記錄媒體，亦可為非揮發性的半導體記憶體、磁碟以及光碟等的可取出的媒體。記憶體114，暫時性地記憶從儲存器116的記錄媒體載入的程式以及處理器112的運算結果。處理器112，與記憶體114協同運作並執行上述程式，以構成上述各功能模組。計時器122，例如計算一定周期的基準脈衝以計算經過時間。輸入輸出埠118，根據處理器112的指令，在其與熱處理單元U2之間輸入、輸出電子信號。
另外，控制裝置100的硬體構造，不限於必定由程式構成各功能模組的態樣。例如，控制裝置100的各功能模組，亦可由專用的邏輯電路或其所積體的ASIC（Application Specific Integrated Circuit，特殊應用積體電路）所構成。
[基板處理工序] 圖6，係表示包含塗布顯影處理在內的基板處理工序的一例的流程圖。控制裝置100，例如，以依照如下工序實行針對1枚晶圓W的塗布顯影處理的方式，控制塗布顯影裝置2。首先，控制裝置100的控制部104，以將載體C內的晶圓W搬運到棚台單元U10的方式，控制搬運裝置A1，並以將該晶圓W配置於處理模組11用的單位的方式，控制搬運裝置A7。
接著，控制部104，以將棚台單元U10的晶圓W搬運到處理模組11內的塗布單元U1以及熱處理單元U2的方式，控制搬運裝置A3。另外，控制部104，以在該晶圓W的表面上形成下層膜的方式，控制塗布單元U1以及熱處理單元U2（步驟S01）。關於伴隨在步驟S01中所實行的下層膜形成步驟的熱處理（以下稱為「熱處理工序」）容後詳述。之後，控制部104，以將形成有下層膜的晶圓W送回棚台單元U10的方式，控制搬運裝置A3，並以將該晶圓W配置於處理模組12用的單位的方式，控制搬運裝置A7。
接著，控制部104，以將棚台單元U10的晶圓W搬運到處理模組12內的塗布單元U3以及熱處理單元U4的方式，控制搬運裝置A3。另外，控制部104，以在該晶圓W的下層膜上形成光阻膜的方式，控制塗布單元U3以及熱處理單元U4（步驟S02）。之後，控制部104，以將晶圓W送回棚台單元U10的方式，控制搬運裝置A3，並以將該晶圓W配置於處理模組13用的單位的方式，控制搬運裝置A7。
接著，控制部104，以將棚台單元U10的晶圓W搬運到處理模組13內的各單元的方式，控制搬運裝置A3。另外，控制部104，以在該晶圓W的光阻膜上形成上層膜的方式，控制塗布單元U5以及熱處理單元U6（步驟S03）。之後，控制裝置100，以將晶圓W搬運到棚台單元U11的方式，控制搬運裝置A3。
接著，控制部104，以將棚台單元U11所收納的晶圓W送出到曝光裝置3的方式，控制搬運裝置A8。然後，在曝光裝置3中，對形成於晶圓W的被膜實施曝光處理（步驟S04）。之後，控制部104，以從曝光裝置3接收實施過曝光處理的晶圓W並將該晶圓W配置於棚台單元U11中的處理模組14用的單位的方式，控制搬運裝置A8。
接著，控制部104，以將棚台單元U11的晶圓W搬運到處理模組14內的熱處理單元U8的方式，控制搬運裝置A3。然後，控制裝置100，以對晶圓W的被膜實施顯影前的熱處理的方式，控制熱處理單元U8（步驟S05）。接著，控制部104，以對由熱處理單元U8實施過熱處理的晶圓W的被膜實施顯影處理以及顯影處理後的熱處理的方式，控制顯影單元U7以及熱處理單元U8（步驟S06、S07）。之後，控制部104，以將晶圓W送回棚台單元U10的方式，控制搬運裝置A3，並以將該晶圓W送回載體C內的方式，控制搬運裝置A7以及搬運裝置A1。以上包含塗布顯影處理在內的基板處理便完成。控制部104，亦可針對其他晶圓W（後續的晶圓W）也重複實行步驟S01~S07的處理。
（熱處理工序） 圖7，係表示在熱處理單元U2中所實行的熱處理工序的一例的流程圖。圖7所例示的流程圖，顯示出熱處理單元U2對複數枚晶圓W依序實施熱處理的態樣的工序。首先，控制裝置100的控制部104，以「在熱板22維持既定溫度且中心排氣部80實行排氣的狀態下，從氣體噴吐部50噴吐氣體」的方式，控制熱處理單元U2（步驟S11）。例如，控制部104，將設置於供給管路56的開閉閥門從關閉狀態切換到開啟狀態，以從氣體供給源將氣體供給到噴頭部52的緩衝空間內。藉此，從形成於噴頭部52的複數之噴吐孔54噴吐氣體。
接著，控制部104，以可從外周排氣部70排氣的方式，控制排氣切換部90（步驟S12）。例如，控制部104，將設置於與外周排氣部70的排氣孔72連接的排氣導管74的閥門92從關閉狀態切換到開啟狀態。藉此，氣體從位於複數之排氣孔72的下方的空間內經由排氣孔72排出。藉由實行步驟S12，處理室40內的排氣狀態，成為由外周排氣部70與中心排氣部80實行排氣的第2狀態。在以後的步驟中，控制部104，根據記憶部102所記憶的處理條件，將熱板22的溫度維持在既定的溫度，同時持續進行從氣體噴吐部50的氣體噴吐，以及從外周排氣部70的排氣。在第2狀態下，氣體噴吐部50所噴吐的氣體主要從中心排氣部80排出。另外，當在側壁44與熱板22之間形成了間隙時，從間隙進入到處理室40內的氣體，係從外周排氣部70以及中心排氣部80二部位排出。因此，在處理室40內主要係形成從外周側向內周側（中心側）的氣體流。
接著，控制部104，以令處理室40上升的方式，控制處理室驅動部48（步驟S13）。例如，控制部104，以「從利用處理室40形成處理空間S的關閉狀態，切換到令處理室40離開加熱部20（熱板22）的開啟狀態」的方式，控制處理室驅動部48。
接著，控制部104，以將形成有處理液被膜的作為處理對象的晶圓W搬入處理室40內的方式，控制熱處理單元U2（步驟S14）。例如，控制部104，以將載置了作為處理對象的晶圓W的冷卻板98插入熱板22與處理室40之間的方式（以配置於搬入搬出位置的方式），控制熱處理單元U2。然後，控制部104，以支持銷32接收配置在熱板22的上方的冷卻板98上的晶圓W的方式，利用升降驅動部34令支持銷32上升。藉此，作為處理對象的晶圓W被搬入處理室40內。
接著，控制部104，以令晶圓W下降的方式，控制升降驅動部34（步驟S15）。具體而言，控制部104，以晶圓W載置於熱板22的載置面22a的方式，利用升降驅動部34令支持該晶圓W的支持銷32下降。
接著，控制部104，以從中心排氣部80的排氣變成停止狀態的方式，控制排氣切換部90（步驟S16）。例如，控制部104將閥門94從開啟狀態切換到關閉狀態，以從中心排氣部80的排氣變成停止狀態。藉此，在排氣部60中，並未從排氣孔82排出氣體，但仍從複數之排氣孔72排出氣體。亦即，處理室40內的排氣狀態，從第2狀態，切換到中心排氣部80並未排氣但從外周排氣部70排氣的第1狀態。
接著，控制部104，以令處理室40下降的方式，控制處理室驅動部48（步驟S17）。例如，控制部104，如圖8（a）所示的，以從開啟狀態切換到形成了處理空間S的關閉狀態的方式，控制處理室驅動部48。藉此，對作為處理對象的晶圓W的加熱開始。藉由實行步驟S11~S17，在「從氣體噴吐部50噴吐氣體，同時並未從中心排氣部80排氣，但從外周排氣部70排氣」的狀態下，開始熱處理。在第1狀態下，從氣體噴吐部50噴吐的氣體，以及，從形成在側壁44與熱板22之間的間隙進入到處理室40內的氣體，從外周排氣部70排氣。因此，在晶圓W的表面上形成了流向外周側的緩慢氣體流。
接著，控制部104，在處理室40的下降結束之後（在晶圓W的加熱開始之後），待機直到經過第1既定時間為止。第1既定時間，記憶於記憶部102。第1既定時間，設定為晶圓W上的被膜固化到既定程度的長短。控制部104在待機直到經過第1既定時間為止的期間，維持從外周排氣部70將處理空間S的氣體排出的第1狀態。在第1既定時間中，並未從中心區域排氣但從外周區域排氣，同時利用氣體噴吐部50從複數之噴吐孔54向熱板22上的晶圓W的表面噴吐氣體。從晶圓W的加熱開始，在初期的階段中，晶圓W的被膜的固化（形成）更進一步推進。如上所述的，在初期階段中，藉由形成不包含中心區域在內而係從外周區域將處理空間S的氣體排出的第1狀態，便可抑制伴隨排氣而產生的氣流對被膜的形成所造成的影響。
在經過第1既定時間之後，控制部104，將中心排氣部80的排氣從停止狀態切換到排氣狀態（步驟S19）。具體而言，控制部104，以從中心排氣部80排氣的方式，將閥門94從關閉狀態切換到開啟狀態。亦即，控制部104，利用氣體噴吐部50從複數之噴吐孔54噴吐氣體，同時控制排氣切換部90以將處理室40內的排氣狀態從第1狀態切換到第2狀態。
接著，控制部104，在切換到第2狀態之後（在中心排氣部80的排氣開始之後），待機直到經過第2既定時間為止（步驟S20）。第2既定時間，記憶於記憶部102。第2既定時間，設定為晶圓W上的被膜固化到熱處理之期望程度為止的長短。控制部104在待機直到經過第2既定時間為止的期間，維持從外周排氣部70與中心排氣部80將處理空間S的氣體排出的第2狀態。在第2既定時間中，如圖8（b）所示的，從中心區域排氣並從外周區域排氣，同時利用氣體噴吐部50從複數之噴吐孔54向熱板22上的晶圓W的表面噴吐氣體。在晶圓W上的被膜的固化推進到氣流對被膜的影響比初期階段更小的程度的階段（後段）中，藉由形成加以從中心區域排氣的第2狀態，便可更有效率地將昇華物排出。如上所述的，在第2狀態下，在晶圓W的表面附近，會形成從晶圓W的外周側流向內周側（中心側）的氣體流。利用該氣體流，便可將昇華物從中心排氣部80排出。
在經過第2既定時間之後，控制部104，以令晶圓W上升的方式，控制升降驅動部34（步驟S21）。具體而言，控制部104，如圖8（c）所示的，以令晶圓W從加熱部20（熱板22）上升並接近處理室40的頂板42的方式，利用升降驅動部34令支持銷32上升。例如，控制部104，利用升降驅動部34令晶圓W上升到設定在實行加熱的處理位置與實行晶圓W的搬入搬出的傳遞位置之間的待機位置。此時，控制部104，以維持利用處理室40形成處理空間S的關閉狀態的方式，控制處理室驅動部48。控制部104，持續從中心區域與外周區域排氣，同時以令晶圓W上升並接近頂板42的方式，控制升降驅動部34。另外，在步驟S21中，由於晶圓W離開載置面22a，故加熱部20對作為處理對象的晶圓W的加熱便結束。另外，在令晶圓W移動到待機位置的狀態下，可促進氣體噴吐部50所噴吐的氣體的沿著晶圓W表面的移動以及從中心排氣部80的排氣。因此，可促進從中心排氣部80的昇華物的排出。
接著，控制部104，在令晶圓W上升到待機位置之後，待機直到經過第3既定時間為止（步驟S22）。第3既定時間，記憶於記憶部102。第3既定時間，定為「因為熱板22所加熱的晶圓W的溫度降低，而從該晶圓W上的被膜產生的昇華物大幅減少」的長短。第3既定時間，亦可設定為數秒~數十秒左右。例如，從兼顧回收昇華物與維持產能的觀點考量，第3既定時間可為1~10秒，亦可為1.5~8秒，亦可為2~6秒。像這樣，控制部104，以令晶圓W接近頂板42的狀態持續經過第3既定時間的方式，控制熱處理單元U2。
在經過第3既定時間之後，控制部104，以令處理室40上升的方式，控制處理室驅動部48（步驟S23）。具體而言，控制部104，如圖9（a）所示的，以處理空間S對處理室40外開放的方式，並以從處理室40接近熱板22的關閉狀態切換到處理室40離開熱板22的開啟狀態的方式，控制處理室驅動部48。像這樣，控制部104，在令晶圓W接近頂板42之後（更詳細而言，在維持接近頂板42的狀態之後），利用處理室驅動部48從關閉狀態切換到開啟狀態。
接著，控制部104，以令位於待機位置的晶圓W上升的方式，控制升降驅動部34（步驟S24）。具體而言，控制部104，如圖9（b）所示的，以令晶圓W從待機位置上升到傳遞位置的方式，利用升降驅動部34令支持晶圓W的支持銷32上升。
接著，控制部104，以將位於傳遞位置的晶圓W搬出到處理室40外的方式，控制熱處理單元U2（步驟S25）。例如，控制部104，藉由控制用以令冷卻板98移動的驅動部，如圖9（c）所示的，從處理室40與熱板22之間，將冷卻板98插入到處理室40內（支持銷32所支持的晶圓W與熱板22之間）。然後，控制部104，利用升降驅動部34令支持晶圓W的支持銷32下降。藉此，將該晶圓W從支持銷32傳遞到冷卻板98。之後，控制部104，控制驅動部，將保持著晶圓W的冷卻板98移動到處理室40外。藉此，作為處理對象的晶圓W被搬出到處理室40外。根據以上所述，對第1枚晶圓W的一連串熱處理便結束。
控制部104，在步驟S25結束之後，重複步驟S14~步驟S25的一連串處理。藉此，依序對複數枚晶圓W實施熱處理。一熱處理中的步驟S22~S25與下一熱處理中的步驟S14~S17的處理，係更換作為處理對象的晶圓W的處理。在更換作為處理對象的晶圓W的期間中，控制部104，令氣體噴吐部50持續從複數之噴吐孔54噴吐氣體，並持續從外周排氣部70排氣。
[第1實施態樣的功效] 以上之第1實施態樣的塗布顯影裝置2，具備：熱處理單元U2，對於形成有被膜的晶圓W實施熱處理；以及控制裝置100，控制熱處理單元U2。熱處理單元U2，具有：加熱部20，支持並加熱晶圓W；處理室40，覆蓋加熱部20所支持的晶圓W；氣體噴吐部50，具有形成了沿著與加熱部20所支持的晶圓W互相對向的面散布的複數之噴吐孔54的噴頭部52，並從複數之噴吐孔54向該晶圓W的表面噴吐氣體；外周排氣部70，從比加熱部20所支持的晶圓W的周緣更外側的外周區域，將處理室40內的處理空間S的氣體排出；以及中心排氣部80，從比加熱部20所支持的晶圓W的周緣更內側的中心區域，將處理空間S的氣體排出。
以上之第1實施態樣的基板處理工序，包含對於形成有被膜的晶圓W實施熱處理的步驟。對晶圓W實施熱處理的步驟，包含以下步驟：以加熱部20支持並加熱處於被處理室40覆蓋的狀態的晶圓W；從比加熱部20所支持的晶圓W的周緣更外側的外周區域，將處理空間S的氣體排出；從加熱部20所支持的晶圓W的周緣的內側的中心區域，將處理空間S的氣體排出；以及從沿著與加熱部20所支持的晶圓W互相對向的面散布的複數之噴吐孔54，向該晶圓W的表面噴吐氣體。
該塗布顯影裝置2以及基板處理工序，在對作為處理對象的晶圓W的熱處理的至少一部分中，亦從中心區域排氣，以有效率地回收被膜的昇華物。另外，藉由從氣體噴吐部50對晶圓W的表面噴吐氣體，便可降低伴隨從中心區域的排氣的氣流對膜厚所造成的影響。因此，可有效率地回收昇華物，同時可令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。
雖從中心區域排氣可有效率地回收昇華物，惟伴隨中心排氣所產生的晶圓W上的氣流，會對該晶圓W上的被膜的膜厚均一性造成影響。具體而言，伴隨中心排氣的氣流，大致以從晶圓W的周緣向中央逐漸上升的方式流動。因此，該氣流的界線層與晶圓W的表面的間隔在晶圓W面內不均一，晶圓W上的被膜的揮發成分的量會發生不均一的情況。此時，晶圓W上的膜厚會有越向中心越厚的傾向。
相對於此，在上述塗布顯影裝置2以及基板處理工序中，係從沿著與晶圓W的表面互相對向的面散布的複數之噴吐孔54噴吐氣體。伴隨從中心區域排氣所產生的氣流（以下稱為「氣流F」），雖會從晶圓W的周緣向中心逐漸上升，惟如圖8（b）所示的，藉由從複數之噴吐孔54噴吐氣體，便可在晶圓W的表面的大致全面，抑制氣流F的上升。因此，伴隨中心排氣所產生的氣流F的界線層與晶圓W的表面的間隔，其在晶圓W面內的差便縮小。其結果，便可抑制中心排氣對晶圓W面內的膜厚所造成的變動。因此，可有效率地回收昇華物，同時令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。
在以上的第1實施態樣中，熱處理單元U2，更具有排氣切換部90，切換從外周排氣部70將處理空間S的氣體排出的第1狀態，與至少從中心排氣部80將處理空間S的氣體排出的第2狀態。控制裝置100，利用氣體噴吐部50從複數之噴吐孔54噴吐氣體，同時控制排氣切換部90以從第1狀態切換到第2狀態。藉由在對作為處理對象的晶圓W加熱的後段，從第1狀態切換到第2狀態，便可從中心排氣部80將處理空間S的氣體排出，進而有效率地回收晶圓W上的被膜的昇華物。另一方面，在加熱的後段被膜的形成已推進，伴隨排氣的氣流對膜厚變動所造成的影響較小。因此，可有效率地回收昇華物，同時令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性更進一步提高。
另外，上述的實施態樣，在第2狀態中仍持續從外周排氣部70排氣，因此，係從中心排氣部80以及外周排氣部70二部位進行排氣。藉由形成該等狀態，便可抑制從第1狀態切換到第2狀態時，伴隨處理空間S內的氣流變化所導致的氣流的紊亂。因此，可防止因為切換狀態時所發生的氣流的紊亂，而導致作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性降低。尤其，當像上述實施態樣那樣，構成在側壁44與熱板22之間形成間隙而氣體從該間隙進入到處理室40內的構造時，藉由從外周排氣部70排氣便可形成上升流。因此，在第2狀態仍持續從外周排氣部70排氣，以在晶圓W的外周持續地形成從間隙進入的氣體被外周排氣部70排出所形成的上升流。藉此，便可更進一步抑制比上升流更內側的晶圓W表面附近的氣流的紊亂。
在以上的第1實施態樣中，熱處理單元U2，更具有：基板升降部30，令晶圓W升降；以及處理室驅動部48，切換利用處理室40形成處理空間S的關閉狀態，與相較於關閉狀態令處理室40更遠離加熱部20的開啟狀態。處理室40，包含設置了噴頭部52的頂板42。控制裝置100，以令晶圓W從加熱部20上升並接近頂板42的方式，控制基板升降部30，並以在令晶圓W接近頂板42之後從關閉狀態切換到開啟狀態的方式，控制處理室驅動部48。從加熱部20上升而加熱結束的晶圓W，仍具有熱能，故在加熱結束後仍會產生昇華物。在上述構造中，由於晶圓W從加熱部20上升之後會接近處理室40，故可將加熱結束後仍產生的昇華物圍堵在處理室40內，並排出到處理室40外。因此，可抑制晶圓W上的被膜的昇華物對熱處理單元U2造成污染。
在以上的第1實施態樣中，熱處理單元U2，對包含上述晶圓W在內的複數枚晶圓W依序實施熱處理。控制裝置100，在更換作為處理對象的晶圓W的期間，令氣體噴吐部50持續從複數之噴吐孔54噴吐氣體。此時，伴隨從氣體噴吐部50的氣體噴吐的周圍溫度變化大致保持固定。因此，可令熱處理的處理結果在晶圓W之間穩定一致。例如，當氣體噴吐部50的噴頭部52設置於頂板42時，在晶圓W的更換期間，不會發生因為有無從氣體噴吐部50噴吐氣體而導致的處理室40的溫度變化。因此，比較容易在持續的熱處理中將處理室40的溫度大致保持固定，故可令晶圓W的熱處理穩定一致。
在以上之第1實施態樣的熱處理工序中，對晶圓W實施熱處理的步驟，更包含：從複數之噴吐孔54向晶圓W的表面噴吐氣體，同時由從外周區域將處理空間S的氣體排出的第1狀態，切換到至少從中心區域將處理空間S的氣體排出的第2狀態的步驟。此時，與上述的塗布顯影裝置2同樣，可有效率地回收昇華物，同時令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性更進一步提高。
在以上的第1實施態樣中，對晶圓W實施熱處理的步驟，更包含以下步驟：令晶圓W從加熱部20上升並接近處理室40的頂板42；以及在令晶圓W接近頂板42之後，從利用處理室40形成處理空間S的關閉狀態，切換到相較於關閉狀態令處理室40更遠離加熱部20的開啟狀態。此時，與上述的塗布顯影裝置2同樣，可抑制被膜的昇華物對熱處理單元U2造成污染。
在以上的第1實施態樣中，熱處理工序，包含對複數枚晶圓W依序實施熱處理的步驟。對複數枚晶圓W依序實施熱處理的步驟，包含在更換作為處理對象的晶圓W的期間，持續從複數之噴吐孔54噴吐氣體的步驟。此時，與上述的塗布顯影裝置2同樣，可令熱處理的處理結果在晶圓W之間穩定一致。
另外，在以上的第1實施態樣中，在熱處理單元U2中實行過下層膜的熱處理之後，於形成有下層膜的晶圓W的表面，利用處理模組12的塗布單元U1塗布光阻膜，形成光阻被膜。根據下層膜的種類的不同，有時也會使用更容易產生昇華物的處理液。或者，有時會使用對氣流的敏感度較高的處理液。在使用該等處理液形成下層膜的情況下，上述第1實施態樣之塗布顯影裝置2以及基板處理工序，將更有效地兼顧昇華物的有效率回收與膜厚均一性。
（變化實施例） 中心排氣部80的構造不限於上述的實施例。在中心排氣部80中，亦可取代一個排氣孔82，而從設置於氣體噴吐部50的噴頭部52（頂板42）的複數之排氣孔82（複數之中心排氣孔）將處理空間S的氣體排出。亦可如圖10所示的，例如，以包圍中心軸Ax的方式設置的複數之排氣孔82設置於噴頭部52。複數之排氣孔82，各自偏離中心軸Ax。複數之排氣孔82，亦可在中心軸Ax的周向上彼此等間隔配置。複數之排氣孔82各自的大小，亦可比噴吐孔54更大。亦可在複數之排氣孔82中的相鄰的排氣孔82之間，配置1或複數之噴吐孔54。另外，亦可於噴頭部52，設置：配置於中心軸Ax的周圍的複數之排氣孔82，以及配置於中心軸Ax的排氣孔82。
因為流向中心排氣部80的排氣孔82的氣流的流動，晶圓W上的被膜之中的對應排氣孔82的位置的膜厚會有比其他部分更突出的傾向。當利用複數之排氣孔82從中心區域將處理空間S的氣體排出，而總排氣量相同時，從每1個排氣孔82的每單位時間的排氣量便減少。因此，流向各排氣孔82的氣流減弱，故可令在對應1個排氣孔82的位置的膜厚的突出量減少。
氣體噴吐部50，亦可如圖11所示的，更包含向排氣孔82的下方噴吐氣體的噴嘴部58。噴嘴部58，亦可以將噴頭部52的緩衝空間與處理空間S之間連接的方式形成筒狀。或者，噴嘴部58，亦可為從垂直傾斜方向貫通噴頭部52的底面的噴吐孔。複數之噴嘴部58，亦可以包圍一個排氣孔82的方式配置。各噴嘴部58的氣體的噴吐量，可與各噴吐孔54的噴吐量大致相同，亦可相異。控制部104，在對晶圓W實行熱處理的期間，利用氣體噴吐部50從噴吐孔54與噴嘴部58對處理空間S供給氣體。在圖11所例示的噴頭部52中，在從氣體供給源對噴頭部52的緩衝空間供給氣體之後，該氣體便從複數之噴吐孔54與複數之噴嘴部58噴吐到處理空間S。
在該構造中，中心排氣部80，包含以向處理空間S開口的方式設置於噴頭部52的排氣孔82。氣體噴吐部50，更包含向排氣孔82的下方噴吐氣體的噴嘴部58。藉由從噴嘴部58向排氣孔82的下方噴吐氣體，在排氣孔82的下方流向排氣孔82的氣流便減弱。藉此，便可抑制在對應排氣孔82的位置的膜厚的突出量。因此，可在晶圓W面內令膜厚均一性更進一步提高。
在具有該構造的熱處理單元U2所實行的熱處理工序中，從中心區域將處理空間S的氣體排出的步驟，包含以下步驟：經由設置於形成有複數之噴吐孔54的噴頭部52的排氣孔82，將處理空間S內的氣體排出；以及向排氣孔82的下方從噴嘴部58噴吐氣體。此時，亦可在晶圓W面內令膜厚均一性更進一步提高。
在上述的一例中，複數之噴吐孔54的密度，在頂板42的與晶圓W互相對向的部分（對向部分）的全面大致平均一致，惟複數之噴吐孔54的密度，亦可在中心排氣部80的排氣孔82的附近區域，比在其他區域的密度更高。具體而言，亦可在排氣孔82的附近區域（附近區域）噴吐孔54的開口面積所占比例（噴吐孔54的開口面積相對於附近區域的全面積的比例），比在上述附近區域以外的區域噴吐孔54的開口面積所占比例更大。
排氣孔82的上述附近區域，亦可設定於與因為排氣孔82的排氣而令膜厚等受到影響的晶圓W上的一部分互相對向的區域。在一例中，當一個排氣孔82設置於中心軸Ax時，排氣孔82的附近區域，亦可設定為以中心軸Ax為中心且具有該排氣孔82的半徑的2倍~10倍左右的半徑的範圍。或者，當複數之排氣孔82設置在中心軸Ax的周圍時，排氣孔82的附近區域，亦可設定為以中心軸Ax為中心且具有中心軸Ax與各排氣孔82的中心的距離的1.1倍~5倍左右的半徑的範圍。另外，排氣孔82的附近區域，亦可設定為具有晶圓W的半徑的1/6倍~1/3倍左右的半徑的範圍。亦可對應排氣孔82的配置位置，變更複數之噴吐孔54緊密配置的附近區域的位置。
在以上的構造中，在排氣孔82的附近區域，複數之噴吐孔54的密度，比在其他區域的複數之噴吐孔54的密度更高，故在排氣孔82的下方流向排氣孔82的氣流減弱。藉此，便可抑制在對應排氣孔82的位置的膜厚的突出量。因此，可在晶圓W面內令膜厚均一性更進一步提高。
在作為處理對象的晶圓W加熱後，令晶圓W接近頂板42的方法，不限於上述的實施例。在圖7所示的步驟S20的接下來（在將第2狀態持續第2既定時間之後），如圖12（a）所示的，控制部104，亦可一邊維持晶圓W被處理室40所包圍的狀態，一邊令晶圓W與處理室40大略同時上升。例如，控制部104，在處理室40維持關閉狀態的情況下，控制基板升降部30，以接近頂板42的方式令晶圓W上升。然後，在晶圓W接近頂板42之後，控制部104，不待機既定時間，而係控制基板升降部30與處理室驅動部48，以令晶圓W與處理室40以大致相同的速度上升。控制部104，例如，令晶圓W與處理室40上升，直到晶圓W配置於傳遞位置為止。
然後，控制部104，亦可令晶圓W配置於傳遞位置且該晶圓W接近頂板42的狀態持續既定時間。之後，控制部104，亦可如圖12（b）所示的，在將晶圓W維持在傳遞位置的情況下，控制處理室驅動部48，以令處理室40更進一步上升。此時，亦可抑制被膜的昇華物對熱處理單元U2造成污染。
上述係以形成在晶圓W上的下層膜作為熱處理的對象為例進行說明，惟作為熱處理對象的膜層，亦可為在處理模組12、13、14中分別被施以熱處理的光阻膜、上層膜、顯影液的被膜，亦可為該等膜層以外的晶圓W上的被膜。熱處理單元U4、U6、U8，亦可與熱處理單元U2同樣，各自具有包含氣體噴吐部50在內的處理室40與排氣部60。另外，作為處理對象的基板不限於半導體晶圓，例如亦可為玻璃基板、遮罩基板、FPD（Flat Panel Display，平板顯示器）等。
[第2實施態樣] 接著，一邊參照圖13~圖18，一邊針對第2實施態樣之基板處理系統進行說明。第2實施態樣之基板處理系統，在處理模組11中取代熱處理單元U2而具有熱處理單元U20此點，與第1實施態樣之基板處理系統1有所不同。熱處理單元U20，例如，如圖13所示的，具有：框體198、加熱部20、基板升降部30、處理室40A，以及排氣部60A。框體198，至少收納加熱部20、基板升降部30，以及處理室40A。此時，處理室40A，配置在框體198所形成的收納空間V內。
處理室40A，與處理室40同樣，藉由覆蓋加熱部20所支持的晶圓W，以在熱板22上形成實行熱處理用的處理空間S。處理室40A，以在外周區域形成將處理空間S與處理室40A外的空間（更詳細而言，係收納空間V內且處理室40A外的空間）連接的連通部的狀態，覆蓋加熱部20上的晶圓W。處理室40A，例如，具有保持部130與蓋部140。
保持部130，將加熱部20的熱板22保持於既定的位置。保持部130，例如，包含支持底壁132與周壁部134。支持底壁132，形成具有與熱板22的直徑相同程度的直徑的圓板狀。支持底壁132，以與熱板22的載置面22a的相反側的面（亦即背面）互相對向（接觸）的方式配置，並支持該背面。周壁部134，以從支持底壁132的外緣往上方延伸的方式形成。周壁部134，形成圓環狀，並具有與熱板22的厚度相同程度的高度。周壁部134，包圍熱板22的周圍。例如，周壁部134的內周面與熱板22的外周面互相對向。亦可在周壁部134的內周面與熱板22的外周面之間形成間隙。
蓋部140，在形成處理空間S時，以從上方覆蓋加熱部20上的晶圓W的方式，配置成在其與保持部130之間形成了間隙g的狀態。蓋部140，例如，包含頂板142與側壁144。頂板142，以與上述頂板42同樣的方式形成。亦即，在頂板142內設置了氣體噴吐部50的噴頭部52。
側壁144，與上述側壁44同樣，以從頂板142的外緣往下方延伸的方式形成。側壁144，形成圓環狀，並包圍載置面22a。於圖13顯示出形成處理空間S時的蓋部140的配置的一例，在該配置中，側壁144的下端面144a，與保持部130的周壁部134的上端面，以接近的狀態互相對向。具體而言，在側壁144的下端面144a與周壁部134的上端面之間形成了間隙g，該間隙g，發揮作為將處理空間S與處理室40A外的空間連接的連通部的功能。
側壁144的內周面144b，隨著從該側壁144的下端接近頂板42，以水平方向上的與頂板42的中心（中心軸Ax）的距離縮小的方式，相對於上下方向傾斜。此時，側壁144的內徑，隨著從側壁144的下端接近頂板42而縮小。
蓋部140，以可在上下方向上移動的方式，設置在框體198內。熱處理單元U20的處理室驅動部48，令蓋部140在上下方向上移動。處理室驅動部48，令蓋部140下降到蓋部140的側壁144接近周壁部134，藉此，利用處理室40A形成處理空間S（處理室40A形成關閉狀態）。處理室驅動部48，令蓋部140以蓋部140的側壁144離開周壁部134的方式上升，藉此，熱板22上的空間向處理室40A外的空間開放（處理室40A形成開啟狀態）。
排氣部60A，在取代外周排氣部70而具有外周排氣部70A此點，與第1實施態樣的排氣部60有所不同。另外，於圖13，係例示出排氣部60A的中心排氣部80具有複數之排氣孔82（中心排氣孔）的態樣。外周排氣部70A，與外周排氣部70同樣，從比加熱部20所支持的晶圓W的周緣更外側的外周區域，將處理空間S內的氣體排出。外周排氣部70A，具有設置在氣體噴吐部50的噴頭部52的外側的複數之第1排氣孔172以及複數之第2排氣孔174。
複數之第1排氣孔172，設置在蓋部140的側壁144內，各自開口於側壁144的傾斜的內周面144b。亦可如圖14所示的，複數之第1排氣孔172，在頂板142的外側配置成環狀。另外，複數之第1排氣孔172，亦可與排氣孔72同樣，設置在頂板142內，並各自開口於頂板142的底面的外周部位。
複數之第2排氣孔174（複數之外周排氣孔），設置在蓋部140的側壁144內，各自開口於側壁144的下端面144a。複數之第2排氣孔174，在處理室40A為關閉狀態的情況下，開口於蓋部140（側壁144）與保持部130（周壁部134）之間的間隙g。複數之第2排氣孔174，亦可在比複數之第1排氣孔172更外側之處配置成環狀。第2排氣孔174的高度位置，比第1排氣孔172的高度位置更低，且比中心排氣部80的排氣孔82的高度位置更低。
第1排氣孔172以及第2排氣孔174，透過排氣導管176與排氣泵連接。排氣導管176，亦可以「分別與複數之第1排氣孔172以及複數之第2排氣孔174連接的排氣流通管路，在蓋部140內合流成一條流通管路」的方式形成。具有以上構造的外周排氣部70A，經由開口於間隙g的第2排氣孔174以及間隙g，將處理空間S內的氣體排出，同時經由第1排氣孔172，將處理空間S內的氣體排出。另外，外周排氣部70A，亦可不具有複數之第1排氣孔172，亦可經由第2排氣孔174以及間隙g，將處理空間S內的氣體排出。
控制裝置100的控制部104，亦可與第1實施態樣之熱處理單元U2的熱處理工序同樣，令第2實施態樣之熱處理單元U20實行圖7所示的熱處理工序。此時，在步驟S21中，如圖15（a）所示的，控制部104，以在熱處理後令晶圓W接近頂板142的方式，利用升降驅動部34令支持銷32上升。在步驟S23中（在經過第2既定時間之後），如圖15（b）所示的，控制部104，以處理室40A從關閉狀態切換到開啟狀態的方式，控制處理室驅動部48。例如，控制部104，以處理室40A的蓋部140離開保持部130的方式，利用處理室驅動部48令蓋部140上升。在第2實施態樣的熱處理工序中，蓋部140的升降動作，相當於第1實施態樣的處理室40的升降動作。
在步驟S21的處理中，控制部104，亦可以令晶圓W上升到比第2排氣孔174更高的位置的方式，控制升降驅動部34。亦即，對晶圓W實行加熱的處理位置與對處理室40A實行搬入、搬出晶圓W的傳遞位置之間的待機位置，亦可比處理室40A為關閉狀態時的第2排氣孔174更高。此時，配置於待機位置的晶圓W的被膜形成表面的相反側的背面的高度位置，亦可比第2排氣孔174的開口邊緣更高。另外，配置於待機位置的晶圓W的背面的高度位置，亦可在第1排氣孔172的開口邊緣的最下部之下，亦可比該最下部更高。
在此，參照圖16以及圖17，針對加熱部20的詳細構造的一例進行說明。如圖16所示的，加熱部20，亦可包含：熱板22、複數之間隔銷182，以及吸引孔184。於熱板22，如上所述的內建了熱板加熱器24，故熱板22，以熱板加熱器24為熱源，產生用以加熱作為處理對象的晶圓W的熱。熱板22的載置面22a（主面），在加熱部20支持著晶圓W的狀態下，與晶圓W的背面互相對向。
複數之間隔銷182，設置於熱板22的載置面22a。間隔銷182，係比載置面22a更往上方突出的突起。當作為處理對象的晶圓W載置於載置面22a時，複數之間隔銷182，以在載置面22a與晶圓W（晶圓W的背面）之間形成間隙的方式支持晶圓W。
吸引孔184，對配置在複數之間隔銷182上的晶圓W進行吸引。吸引孔184，以沿著厚度方向（與載置面22a垂直的方向）貫通熱板22的方式設置，並開口於載置面22a。吸引孔184，在複數之間隔銷182支持著晶圓W的狀態下，開口於晶圓W的背面與載置面22a之間的間隙（空間）。另外，加熱部20，亦可包含複數之吸引孔184。複數之吸引孔184，各自透過吸引管路186與吸引泵連接。藉由吸引泵的吸引，在晶圓W的背面與載置面22a之間的間隙中，對晶圓W的背面，往接近載置面22a的方向，產生吸引力。複數之間隔銷182上的晶圓W的背面被複數之吸引孔184所吸引，藉此，矯正（消除）晶圓W所發生的翹曲。
於圖17，以示意方式顯示出從上方觀察熱板22的載置面22a時的複數之間隔銷182以及複數之吸引孔184的配置的一例。複數之間隔銷182，包含：配置於複數之吸引孔184各自的附近區域（以下稱為「吸引區域SR」）的第1組的間隔銷182，以及配置於吸引區域SR以外的區域（非吸引區域）的第2組的間隔銷182。吸引區域SR，係與受到吸引孔184的吸引力的影響的晶圓W的背面的一部分互相對向的區域，例如，設定為具有吸引孔184的半徑的3倍~20倍左右的半徑的範圍。另外，吸引區域SR，亦可設定為具有晶圓W的半徑的1/10倍~1/3倍左右的半徑的範圍。
吸引區域SR的每單位面積內的第1組的間隔銷182的數量，比吸引區域SR以外的非吸引區域的每單位面積內的第2組的間隔銷182的數量更多。複數之間隔銷182的大小（從上方觀察載置面22a時的間隔銷182的外緣所包圍的區域的面積），亦可彼此大致相同。此時，當從上方觀察載置面22a時，在吸引區域SR中第1組的間隔銷182所占的比例（第1組的間隔銷182的面積相對於吸引區域SR的全部面積所占的比例），比在非吸引區域中第2組的間隔銷182（的面積）所占的比例更大。以上的配置，在吸引區域SR中相鄰的各間隔銷182之間的間隔，比在非吸引區域中相鄰的各間隔銷182之間的間隔更小。
處理模組11，亦可具有以彼此相異的熱處理條件實行熱處理的2個熱處理單元。處理模組11，例如，亦可具有以彼此相異的熱處理條件實行熱處理的熱處理單元U21、U22。熱處理單元U21、U22，各自除了一部分的構造之外，與熱處理單元U20以同樣的方式構成。熱處理單元U21（第1熱處理單元）所實行的熱處理的晶圓W的加熱溫度，亦可比熱處理單元U22（第2熱處理單元）所實行的熱處理的晶圓W的加熱溫度更高。在熱處理中，若加熱溫度較高，則因為伴隨加熱的晶圓W的熱膨脹而發生的晶圓W內部的應力（更詳細而言，係具有沿著晶圓W的表面的方向的分量的應力）會有變大的傾向。因此，在熱處理單元U21、U22中，間隔銷182的數量，會因應熱處理的加熱溫度而調整。
具體而言，如圖18（a）以及圖18（b）所示的，熱處理單元U21的加熱部20，與熱處理單元U22的加熱部20，以間隔銷182的數量（總數）彼此相異的方式構成。以較高的加熱溫度實行熱處理的熱處理單元U21的加熱部20所具有的間隔銷182的數量（總數），比以較低的加熱溫度實行熱處理的熱處理單元U22的加熱部20所具有的間隔銷182的數量（總數）更多。藉此，在熱處理單元U21與熱處理單元U22之間，各間隔銷182從因為熱膨脹而發生的晶圓W內部的應力所承受到的負重（1個間隔銷182所承受到的負重）的差便縮小。
取代熱處理時的加熱溫度，或除了加熱溫度之外，吸引孔184的氣體吸引力（每單位時間的氣體吸引量），亦可在熱處理單元U21的熱處理與熱處理單元U22的熱處理之間彼此相異。更詳細而言，熱處理單元U21的加熱部20的吸引孔184對晶圓W所施加的吸引力，亦可比熱處理單元U22的加熱部20的吸引孔184對晶圓W所施加的吸引力更大。當吸引孔184所施加的吸引力較大時，伴隨吸引晶圓W以消除翹曲而於晶圓W內部所發生的應力（具有沿著晶圓W的表面的方向的分量的應力）會有變大的傾向。因此，在熱處理單元U21、U22中，間隔銷182的數量，會因應吸引孔184的吸引力而調整。
在對晶圓W所施加的吸引力較大的狀態下實行熱處理的熱處理單元U21的加熱部20所具有的間隔銷182的數量，比在對晶圓W所施加的吸引力較小的狀態下實行熱處理的熱處理單元U22的加熱部20所具有的間隔銷182的數量更多。因此，在熱處理單元U21與熱處理單元U22之間，各間隔銷182從伴隨吸引消除翹曲而發生的晶圓W內部的應力所承受到的負重的差便縮小。另外，在熱處理單元U21、U22的加熱部20各自之中，與圖17所例示的配置同樣，吸引孔184的附近區域的每單位面積內的間隔銷182的數量，亦可比吸引孔184的附近區域以外的區域的每單位面積內的間隔銷182的數量更多。
[第2實施態樣的功效] 第2實施態樣之具備熱處理單元U20、U21、U22的塗布顯影裝置2，亦與第1實施態樣之塗布顯影裝置2同樣，可有效率地回收昇華物，同時可令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。
在以上的第2實施態樣中，外周排氣部70A，具有用以將處理空間S的氣體排出的外周排氣孔（第2排氣孔174）。控制裝置100，在令晶圓W接近頂板142時，以令晶圓W上升到比外周排氣孔更高的位置的方式，控制基板升降部30。此時，在令晶圓W接近頂板142時，伴隨外周排氣孔的排氣的在晶圓W的表面上的向外側的氣流較弱。因此，昇華物流到晶圓W之外的可能性降低，故可更有效率地回收昇華物。
在以上的第2實施態樣中，處理室40A，係以在外周區域形成了將處理空間S與處理室40A外的空間連接的連通部（間隙g）的狀態，覆蓋加熱部20上的晶圓W。外周排氣部70A，包含開口於連通部的外周排氣孔（第2排氣孔174），並經由該外周排氣孔以及連通部，將處理空間S的氣體排出。此時，可防止昇華物經由連通部漏洩到處理室外的空間。具體而言，由於從處理空間S流到處理室外的空間的昇華物係通過連通部，故藉由透過連通部排氣，便可令昇華物漏洩的可能性降低。
在以上的第2實施態樣中，處理室40A，包含：保持部130，保持加熱部20，以及蓋部140，以從上方覆蓋加熱部20上的晶圓W的方式，配置成在其與保持部130之間形成間隙g的狀態。保持部130與蓋部140之間的間隙g，發揮作為上述連通部的功能。此時，由於保持部與蓋部不會伴隨處理室40A的開閉而接觸，故可抑制伴隨處理室40A的開閉而產生微粒的情況。
在以上的第2實施態樣中，加熱部20，包含：熱板22，產生用以加熱晶圓W的熱；複數之間隔銷182，設置於熱板22的主面（載置面22a），並以與主面之間隔著間隙的方式支持晶圓W；以及吸引孔184，開口於主面，並對配置在複數之間隔銷182上的晶圓W進行吸引。複數之間隔銷182，包含：第1組的間隔銷182，配置於主面之中的位於吸引孔184的附近的吸引區域SR；以及第2組的間隔銷182，配置於主面之中的吸引區域SR以外的非吸引區域。吸引區域SR的每單位面積內的第1組的間隔銷182的數量，比非吸引區域的每單位面積內的第2組的間隔銷182的數量更多。由於在吸引區域SR來自吸引孔184的吸引力較大，故發生於晶圓W的內部的應力對1個間隔銷182所施加的負重會有變大的傾向。上述構造，係在吸引區域SR令第1組的間隔銷182的每單位面積內的數量增多，以抑制對1個間隔銷182所施加的負重增加。對1個間隔銷182所施加的負重，係晶圓W與間隔銷182的接觸部分發生摩擦的主要原因。因此，藉由抑制負重的增加，以抑制因為該摩擦而導致從晶圓W以及間隔銷182產生微粒的情況。
在以上的第2實施態樣中，塗布顯影裝置2，具備複數之熱處理單元。加熱部20，包含：熱板22，產生用以加熱晶圓W的熱；複數之間隔銷182，設置於熱板22的主面（載置面22a），並以與主面之間隔著間隙的方式支持晶圓W；以及吸引孔184，開口於主面，並對配置在複數之間隔銷182上的晶圓W進行吸引。複數之熱處理單元，包含第1熱處理單元（熱處理單元U21）與第2熱處理單元（熱處理單元U22）。第1熱處理單元所實行的熱處理的晶圓W的加熱溫度，比第2熱處理單元所實行的熱處理的晶圓W的加熱溫度更高。第1熱處理單元的加熱部20所包含的複數之間隔銷182的數量，比第2熱處理單元的加熱部20所包含的複數之間隔銷182的數量更多。當熱處理的晶圓W的加熱溫度較高時，因為晶圓W的熱膨脹而發生於晶圓W的內部的應力對1個間隔銷182所施加的負重會有變大的傾向。在上述構造中，藉由增加實行加熱溫度較高的熱處理的第1熱處理單元的加熱部20所包含的間隔銷182的數量，以抑制對1個間隔銷182所施加的負重增加。
在以上的第2實施態樣中，塗布顯影裝置2，亦可具備複數之熱處理單元。加熱部20，包含：熱板22，產生用以加熱晶圓W的熱；複數之間隔銷182，設置於熱板22的主面（載置面22a），並以與主面之間隔著間隙的方式支持晶圓W；以及吸引孔184，開口於主面，並對配置在複數之間隔銷182上的晶圓W進行吸引。複數之熱處理單元，包含第1熱處理單元（熱處理單元U21）與第2熱處理單元（熱處理單元U22）。從第1熱處理單元的吸引孔184對晶圓W所施加的吸引力，比從第2熱處理單元的吸引孔184對晶圓W所施加的吸引力更大。第1熱處理單元的加熱部20所包含的複數之間隔銷182的數量，比第2熱處理單元的加熱部20所包含的複數之間隔銷182的數量更多。當吸引孔184的吸引力較大時，發生於晶圓W的內部的應力對1個間隔銷182所施加的負重會有變大的傾向。在上述構造中，藉由增加以吸引力較大的狀態實行熱處理的第1熱處理單元的加熱部20所包含的間隔銷182的數量，以抑制對1個間隔銷182所施加的負重增加。
[第3實施態樣] 接著，一邊參照圖19~圖21，一邊針對第3實施態樣之基板處理系統進行說明。第3實施態樣之基板處理系統，在取代塗布顯影裝置2而具備塗布顯影裝置2B此點，與第1實施態樣之基板處理系統1有所不同。如圖19所示的，塗布顯影裝置2B的處理區塊5，取代處理模組11、12、13、14，而具有2個處理模組11、2個處理模組12，以及2個收納部16。收納部16，例如，收納在處理模組11以及處理模組12中實行晶圓W的處理所必要的附屬裝置（單元）。作為附屬裝置的一例，可列舉出：對各塗布單元U1、U3供給處理液的單元，以及對各熱處理單元U2供給氣體的單元等。
塗布顯影裝置2B，具備收納於收納部16並對處理模組11的各熱處理單元U2供給氣體的氣體供給單元200。如圖19所示的，氣體供給單元200，亦可配置在下段的收納部16內。氣體供給單元200，設置於收納部16，故係配置於與在處理模組11中收納各熱處理單元U2的空間分隔開的另外的空間。例如，利用支持處理模組11的各單元的層板，配置熱處理單元U2的空間與配置氣體供給單元200的空間被分隔開。
氣體供給單元200，將一成分的濃度被調節成既定值的氣體（以下稱為「調節氣體」）供給到各熱處理單元U2的氣體噴吐部50。此時，氣體噴吐部50，從複數之噴吐孔54向晶圓W的表面Wa噴吐調節氣體。作為調節氣體，例如可列舉出氧的濃度經過調節的氣體。另外，作為調節氣體，亦可使用氮、氨或氬等成分的濃度經過調節的氣體。關於一成分的濃度的上述既定值，例如，係對應熱處理中的處理空間S內的該成分的濃度的目標值而預先設定之。
氣體供給單元200，亦可將含有作為濃度調節對象的成分（以下稱為「調節成分」）的氣體（第1氣體）與含有相異於調節成分的另一成分的氣體（第2氣體）混合，產生調節氣體。例如，氣體供給單元200，藉由將以氧為主要成分的氧氣（高濃度的氧氣）與以氮為主要成分的氮氣（高濃度的氮氣）混合，以產生氧濃度被調節成既定值的調節氣體。
在一例中，如圖19所示的，對氣體供給單元200，從氧氣的氣體源202經由氣體供給管路204供給氧氣，並從氮氣的氣體源206經由氣體供給管路208供給氮氣。氣體供給單元200，以氧濃度成為既定值的方式，將來自氣體源202的氧氣與來自氣體源206的氮氣在收納部16內混合，以產生調節氣體。然後，氣體供給單元200，經由氣體供給管路210以及從該氣體供給管路210分支的供給管路56，將調節氣體供給到噴頭部52。由於調節氣體係由複數種氣體所混合，故氣體供給管路210所流通的調節氣體內的調節成分的濃度（例如氧濃度），比氣體供給管路204所流通的氧氣內的調節成分的濃度（例如氧濃度）更低。
控制裝置100的控制部104，亦可以與圖7所示的熱處理工序同樣的工序，令第3實施態樣的熱處理單元U2實行熱處理。圖20，係表示在第3實施態樣的熱處理單元U2中所實行的熱處理工序的一例的流程圖。首先，控制部104，在熱板22維持既定的溫度且中心排氣部80實行排氣的狀態下，與步驟S11~S14同樣，實行步驟S41~S44。藉由步驟S41的實行，調節成分濃度經過調節的調節氣體，開始從氣體噴吐部50噴吐。以下，係例示出使用氧濃度經過調節的調節氣體的態樣。
接著，控制部104，以令晶圓W下降的方式，控制升降驅動部34（步驟S45）。與上述步驟S15的處理相異，控制部104，以晶圓W下降到設定在實行加熱的處理位置與實行晶圓W的搬入搬出的傳遞位置之間的位置（例如上述的待機位置）的方式，控制升降驅動部34。另外，在該時點，處理空間S尚未形成，故熱板22的上方的空間的氧濃度，與框體198內的收納空間V的氧濃度（例如大氣的氧濃度）大略一致。
接著，控制部104，與步驟S16、S17同樣，實行步驟S46、S47。然後，控制部104，在處理室40的下降結束之後（在處理空間S形成之後），待機直到經過第4既定時間為止。第4既定時間，記憶於記憶部102。第4既定時間，設定為處理空間S內的氧濃度接近目標濃度Tc的長度。
於圖21，顯示出處理空間S（熱板22的上方的空間）內的氧濃度的時間變化的一例。在圖21所示的曲線圖中，係在時刻t0實行步驟S47（形成處理空間S）。然後，從時刻t0到時刻t1的時間對應上述的第4既定時間，在時刻t1，處理空間S內的氧濃度與目標濃度Tc大致相等。
接著（在經過第4既定時間之後），控制部104，以令晶圓W更進一步下降的方式，控制升降驅動部34（步驟S49）。具體而言，控制部104，以晶圓W載置於熱板22的載置面22a的方式，利用升降驅動部34令支持該晶圓W的支持銷32下降。藉此，對作為處理對象的晶圓W的加熱便開始。
接著，控制部104，與步驟S18同樣，在對晶圓W的加熱開始之後，待機直到經過第1既定時間為止（步驟S50）。控制部104，在待機直到經過第1既定時間為止的期間，維持從外周排氣部70將處理空間S的氣體排出的第1狀態。在第1既定時間中，不從中心區域排氣，而從外周區域排氣，同時利用氣體噴吐部50從複數之噴吐孔54向熱板22上的晶圓W的表面噴吐氧濃度經過調節的氣體。
在圖21的曲線圖中，從時刻t1到時刻t2的時間，對應第1既定時間，在從時刻t1到時刻t2的時間（期間）中，處理空間S內的氧濃度大致保持固定。亦即，從上述的氣體供給單元200所供給的調節氣體的濃度，係以在從外周區域排氣的第1狀態下處理空間S內的氧濃度保持目標濃度Tc的方式設定之。
接著，控制部104，與步驟S19同樣，將中心排氣部80的排氣從停止狀態切換到排氣狀態（步驟S51）。藉此，處理室40內的排氣狀態，從第1狀態，切換到從外周區域以及中心區域排氣的第2狀態。伴隨切換到第2狀態，從排氣部60的排氣量增加，故處理空間S內的氧濃度受到處理空間S之外的氣體的氧濃度的影響。例如，如圖21所示的，在時刻t2以後，處理空間S內的氣體的氧濃度，變化（減少）到與處理室40外的空間的氧濃度大略一致的程度。
接著，控制部104，與步驟S20~步驟S25同樣，實行步驟S52~步驟S57。在圖21的曲線圖中，在時刻t3實行步驟S53，對晶圓W的加熱結束，在時刻t4實行步驟S55，處理室40切換到開啟狀態。時刻t2以後，處理空間S（熱板22上的空間）內的氧濃度，與處理室40外的空間的氧濃度為相同程度，而大致保持固定。
控制部104，在步驟S57結束之後，重複步驟S44~步驟S57的一連串的處理。藉此，對複數枚晶圓W依序實施熱處理。在以上的實施例中，控制部104，在針對1枚晶圓W的熱處理的整個期間，令調節氣體從氣體噴吐部50噴吐。亦可與此相異，控制部104，在對作為處理對象的晶圓W的加熱期間的整個期間，或在該加熱期間的前半段期間，令氣體噴吐部50噴吐調節氣體，並在該等期間以外的期間，不令氣體噴吐部50噴吐調節氣體。對晶圓W的加熱期間的前半段的期間，亦可相當於不實行中心排氣而實行外周排氣的第1狀態持續的期間。
[第3實施態樣的功效] 在第3實施態樣之塗布顯影裝置2B中，亦與第1實施態樣之塗布顯影裝置2同樣，可有效率地回收昇華物，同時令作為熱處理對象的被膜的膜厚均一性提高。
在以上的第3實施態樣中，塗布顯影裝置2B，更具備氣體供給單元200，將含有一成分的第1氣體與含有另一成分的第2氣體混合，以產生該一成分的濃度被調節成既定值的調節氣體，同時將調節氣體供給到氣體噴吐部50。氣體噴吐部50，向晶圓W的表面噴吐調節氣體。氣體供給單元200，配置於與熱處理單元U2所配置的空間分隔開的另一空間。此時，在加熱晶圓W的期間，可將晶圓W的周圍的氣體所含有的一成分的濃度保持大致固定，並可調節熱處理後的被膜的品質。另外，可降低用以產生調節氣體的構件（例如第1氣體以及第2氣體的配管）因為熱處理產生的熱所受到的影響。
在以上的第3實施態樣中，控制裝置100，至少在加熱部20加熱晶圓W的期間的前半段，令氣體噴吐部50從複數之噴吐孔54噴吐調節氣體。由於在加熱晶圓W的前半段的期間，膜層的形成正在進行，故可更確實地使用調節氣體調節被膜的品質。
根據以上的說明，本發明之各種實施態樣，係基於說明之目的而在本說明書中說明之，吾人應能理解，在不超出本發明之範圍以及發明精神的情況下，實可作出各種變更。因此，本說明書所揭示的各種實施態樣並無限定之意圖，其真正的範圍與發明精神，由所附的專利請求範圍揭示之。
1:基板處理系統 3:曝光裝置 2,2B:塗布顯影裝置 4:載置區塊 5:處理區塊 6:介面區塊 11~14:處理模組 16:收納部 20:加熱部 22:熱板 22a:載置面 24:熱板加熱器 30:基板升降部 32:支持銷 34:升降驅動部 40,40A:處理室 42:頂板 44:側壁 46:處理室加熱器 48:處理室驅動部 50:氣體噴吐部 52:噴頭部 54:噴吐孔 56:供給管路 58:噴嘴部 60,60A:排氣部 70,70A:外周排氣部 72:排氣孔 74:排氣導管 80:中心排氣部 82:排氣孔 84:排氣導管 90:排氣切換部 92,94:閥門 98:冷卻板 100:控制裝置 102:記憶部 104:控制部 110:電路 112:處理器 114:記憶體 116:儲存器 118:輸入輸出埠 122:計時器 130:保持部 132:支持底壁 134:周壁部 140:蓋部 142:頂板 144:側壁 144a:下端面 144b:內周面 172:第1排氣孔 174:第2排氣孔 176:排氣導管 182:間隔銷 184:吸引孔 186:吸引管路 198:框體 200:氣體供給單元 202,206:氣體源 204,208,210:氣體供給管路 A1,A3,A7,A8:搬運裝置 Ax:中心軸 C:載體 F:氣流 g:間隙 S:處理空間 S01~S07,S11~S25,S41~S57:步驟 SR:吸引區域 t0~t4:時刻 Tc:目標濃度 U1,U3,U5:塗布單元 U2,U4,U6,U8,U20,U21,U22:熱處理單元 U7:顯影單元 U10,U11:棚台單元 V:收納空間 W:晶圓
[圖1]係表示第1實施態樣之基板處理系統的一例的示意圖。 [圖2]係表示塗布顯影裝置的一例的示意圖。 [圖3]係表示熱處理單元的一例的示意圖。 [圖4]係表示氣體噴吐部的一例的示意圖。 [圖5]係表示控制裝置的硬體構造的一例的區塊圖。 [圖6]係表示基板處理工序的一例的流程圖。 [圖7]係表示熱處理工序的一例的流程圖。 [圖8]（a）~（c）係表示熱處理工序中的各構件的動作以及氣體的流動的一例的示意圖。 [圖9]（a）~（c）係表示熱處理工序中的各構件的動作以及氣體的流動的一例的示意圖。 [圖10]係表示氣體噴吐部的另一例的示意圖。 [圖11]係表示氣體噴吐部的另一例的示意圖。 [圖12]（a）以及（b）係表示熱處理工序中的各構件的動作的另一例的示意圖。 [圖13]係表示第2實施態樣之基板處理系統所具備的熱處理單元的一例的示意圖。 [圖14]係表示氣體噴吐部以及外周排氣部的一例的示意圖。 [圖15]（a）以及（b）係表示熱處理工序中的各構件的動作的一例的示意圖。 [圖16]係以示意方式表示加熱部的詳細構造的一例的側視圖。 [圖17]係以示意方式表示加熱部的詳細構造的一例的俯視圖。 [圖18]（a）以及（b）係表示變化實施例之熱處理單元的加熱部的一例的示意圖。 [圖19]係表示第3實施態樣之基板處理系統所具備的塗布顯影裝置的一例的示意圖。 [圖20]係表示熱處理工序的一例的流程圖。 [圖21]係表示處理空間的氧濃度的時間變化的一例的曲線圖。
20:加熱部
22:熱板
22a:載置面
24:熱板加熱器
30:基板升降部
32:支持銷
34:升降驅動部
40:處理室
42:頂板
44:側壁
46:處理室加熱器
48:處理室驅動部
50:氣體噴吐部
52:噴頭部
54:噴吐孔
56:供給管路
60:排氣部
70:外周排氣部
72:排氣孔
74:排氣導管
80:中心排氣部
82:排氣孔
84:排氣導管
90:排氣切換部
92,94:閥門
S:處理空間
U2:熱處理單元
W:晶圓

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為包含： 熱處理單元，對於形成有被膜的基板實施熱處理；以及 控制單元，控制該熱處理單元； 該熱處理單元，包含： 加熱部，支持並加熱該基板； 處理室，覆蓋著由該加熱部所支持的該基板； 氣體噴吐部，具有噴頭部，該噴頭部形成有沿著與該加熱部所支持的該基板互相對向的面散布的複數之噴吐孔，並從該複數之噴吐孔向該基板的表面噴吐氣體； 外周排氣部，從比該加熱部所支持的該基板的周緣更外側的外周區域，將該處理室內的處理空間的氣體排出；以及 中心排氣部，從比該加熱部所支持的該基板的周緣更內側的中心區域，將該處理空間的氣體排出。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該熱處理單元，更包含：排氣切換部，切換從該外周排氣部將該處理空間的氣體排出的第1狀態，與至少從該中心排氣部將該處理空間的氣體排出的第2狀態； 該控制單元，利用該氣體噴吐部從該複數之噴吐孔噴吐該氣體，同時控制該排氣切換部以從該第1狀態切換到該第2狀態。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該熱處理單元，更包含： 基板升降部，令該基板升降；以及 開閉切換部，切換利用該處理室形成該處理空間的關閉狀態，與相較於該關閉狀態令該處理室更遠離該加熱部的開啟狀態； 該處理室，包含設置了該噴頭部的頂板； 該控制單元， 控制該基板升降部，以令該基板從該加熱部上升並接近該頂板，且 控制該開閉切換部，以在令該基板接近該頂板之後，從該關閉狀態切換到該開啟狀態。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中， 該外周排氣部，包含用以將該處理空間的氣體排出的外周排氣孔； 該控制單元，在令該基板接近該頂板時，控制該基板升降部，以令該基板上升到比該外周排氣孔更高的位置。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該處理室，以在該外周區域形成將該處理空間與該處理室外的空間予以連接之連通部的狀態下，覆蓋該加熱部上的該基板； 該外周排氣部，包含開口於該連通部的外周排氣孔，並經由該外周排氣孔以及該連通部，將該處理空間的氣體排出。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 該處理室，包含： 保持部，保持該加熱部；以及 蓋部，以從上方覆蓋該加熱部上的該基板的方式，配置成在該蓋部與該保持部之間設有間隙的狀態； 該保持部與該蓋部之間的該間隙，發揮作為該連通部的功能。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該熱處理單元，對包含該基板在內的複數枚基板，依序實施該熱處理； 該控制單元，在更換作為處理對象的該基板的期間，令該氣體噴吐部持續從該複數之噴吐孔噴吐該氣體。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該中心排氣部，包含：中心排氣孔，以開口於該處理空間的方式，設置於該噴頭部； 該氣體噴吐部，更包含：噴嘴部，向該中心排氣孔的下方噴吐該氣體。
  9. 如請求項1至8項中任一項之基板處理裝置，其中， 更包含：氣體供給單元，藉由將含有一成分的第1氣體與含有另一成分的第2氣體混合，以產生該一成分的濃度被調節成既定值的調節氣體，同時將該調節氣體供給到該氣體噴吐部； 該氣體噴吐部，以該調節氣體作為該氣體，向該基板的表面噴吐； 該氣體供給單元，配置於與該熱處理單元的配置空間分隔開的另一空間。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中， 該控制單元，至少在該加熱部加熱該基板的期間的前半段，令該氣體噴吐部噴吐該調節氣體。
  11. 如請求項1至8項中任一項之基板處理裝置，其中， 該加熱部，包含： 熱板，產生用以加熱該基板的熱； 複數之間隔銷，設置於該熱板的主面，並以與該主面之間隔著間隙的方式支持該基板；以及 吸引孔，開口於該主面，並對配置在該複數之間隔銷上的該基板進行吸引； 該複數之間隔銷，包含： 第1組的間隔銷，配置於該主面之中的位於該吸引孔附近的吸引區域；以及 第2組的間隔銷，配置於該主面之中的該吸引區域以外的非吸引區域； 該吸引區域的每單位面積內的該第1組的間隔銷的數量，比該非吸引區域的每單位面積內的該第2組的間隔銷的數量更多。
  12. 如請求項1至8項中任一項之基板處理裝置，其中， 更具備包含該熱處理單元在內的複數之熱處理單元； 該加熱部，包含： 熱板，產生用以加熱該基板的熱； 複數之間隔銷，設置於該熱板的主面，並以與該主面之間隔著間隙的方式支持該基板；以及 吸引孔，開口於該主面，並對配置在該複數之間隔銷上的該基板進行吸引； 該複數之熱處理單元，包含第1熱處理單元與第2熱處理單元； 該第1熱處理單元所實行的該熱處理的該基板的加熱溫度，比該第2熱處理單元所實行的該熱處理的該基板的加熱溫度更高； 該第1熱處理單元的該加熱部所包含的該複數之間隔銷的數量，比該第2熱處理單元的該加熱部所包含的該複數之間隔銷的數量更多。
  13. 如請求項1至8項中任一項之基板處理裝置，其中， 更具備包含該熱處理單元在內的複數之熱處理單元； 該加熱部，包含： 熱板，產生用以加熱該基板的熱； 複數之間隔銷，設置於該熱板的主面，並以與該主面之間隔著間隙的方式支持該基板；以及 吸引孔，開口於該主面，並對配置在該複數之間隔銷上的該基板進行吸引； 該複數之熱處理單元，包含第1熱處理單元與第2熱處理單元； 從該第1熱處理單元的該吸引孔對該基板所施加的吸引力，比從該第2熱處理單元的該吸引孔對該基板所施加的吸引力更大； 該第1熱處理單元的該加熱部所包含的該複數之間隔銷的數量，比該第2熱處理單元的該加熱部所包含的該複數之間隔銷的數量更多。
  14. 一種基板處理方法，包含對於形成有被膜的基板實施熱處理的步驟，其中， 對該基板實施該熱處理的步驟，包含以下步驟： 將處於由被處理室所覆蓋之狀態的該基板藉由加熱部予以支持並加熱； 從比該加熱部所支持的該基板的周緣更外側的外周區域，將該處理室內的處理空間的氣體排出； 從比該加熱部所支持的該基板的周緣更內側的中心區域，將該處理空間的氣體排出；以及 從沿著與該加熱部所支持的該基板互相對向的面散布的複數之噴吐孔，向該基板的表面噴吐氣體。
  15. 如請求項14之基板處理方法，其中， 對該基板實施該熱處理的步驟，更包含以下步驟： 從該複數之噴吐孔向該基板的表面噴吐氣體，同時由從該外周區域將該處理空間的氣體排出的第1狀態，切換到至少從該中心區域將該處理空間的氣體排出的第2狀態。
  16. 如請求項14之基板處理方法，其中， 對該基板實施該熱處理的步驟，更包含以下步驟： 令該基板從該加熱部上升並接近該處理室的頂板；以及 在令該基板接近該頂板之後，從利用該處理室形成該處理空間的關閉狀態，切換到相較於該關閉狀態令該處理室更遠離該加熱部的開啟狀態。
  17. 如請求項16之基板處理方法，其中， 從該外周區域將該處理空間的氣體排出的步驟，包含經由外周排氣孔將該處理空間的氣體排出的步驟； 令該基板接近該頂板的步驟，包含令該基板上升到比該外周排氣孔更高的位置的步驟。
  18. 如請求項14之基板處理方法，其中， 更包含：對包含該基板在內的複數枚基板依序實施該熱處理的步驟； 對該複數枚基板依序實施該熱處理的步驟，包含：在更換作為處理對象的該基板的期間，持續從該複數之噴吐孔噴吐該氣體的步驟。
  19. 如請求項14至18項中任一項之基板處理方法，其中， 從該中心區域將該處理空間的氣體排出的步驟，更包含以下步驟： 經由設置於形成有該複數之噴吐孔的噴頭部的中心排氣孔，將該處理空間內的氣體排出；以及 從噴嘴部向該中心排氣孔的下方噴吐該氣體。
  20. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其中： 記憶了用以令裝置實行請求項14至19項中任一項所記載的基板處理方法之程式。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN114171437A (zh) * 2021-12-01 2022-03-11 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室的冷却装置及半导体工艺腔室
JP2023167845A (ja) * 2022-05-13 2023-11-24 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体
CN115502067B (zh) * 2022-10-25 2023-09-26 长鑫存储技术有限公司 加热装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI814282B (zh) * 2022-03-17 2023-09-01 陽程科技股份有限公司 應用於晶圓肥邊去除之膠膜及其去除方法

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