JP2023167845A - 加熱処理装置、加熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】加熱処理後の塗布膜の基板面内均一性を損なわずに、加熱中に処理空間内に生じた物質に起因する欠陥が基板に発生するのを抑制する。
【解決手段】塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理装置であって、基板を収容する処理空間を形成する処理容器と、前記処理空間に収容された基板が載置される載置面と、基板を加熱する加熱部と、を有する熱板と、前記熱板に対する基板の高さを調整する調整機構と、前記処理空間を排気する排気部と、制御部と、を備え、前記制御部は、（Ａ）前記熱板に対する基板の高さを前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし基板の加熱処理を開始する工程と、（Ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を実行するよう、制御を行う。
【選択図】図２

Description

本開示は、加熱処理装置、加熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。

特許文献１に開示の加熱処理装置は、塗布膜が形成された基板を処理容器内で加熱するものであって、処理容器内に設けられ、基板を載置する載置部と、載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、を有する。また、特許文献１において、処理容器は、天井部を構成する蓋部を有し、蓋部は、上面部と下面部との間に排気室が形成されている。蓋部の下面部における周辺部には、排気室と連通する外周排気口が形成されている。蓋面部の下面部における中央部には、中央排気口が形成されている。中央排気口は、排気室を貫通するように設けられた中央排気管の一端側が接続されている。

特開２０２１－９９２３号公報

本開示にかかる技術は、加熱処理後の塗布膜の基板面内均一性を損なわずに、加熱中に処理空間内に生じた物質に起因する欠陥が基板に発生するのを抑制する。

本開示の一態様は、塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理装置であって、基板を収容する処理空間を形成する処理容器と、前記処理空間に収容された基板が載置される載置面と、基板を加熱する加熱部と、を有する熱板と、前記熱板に対する基板の高さを調整する調整機構と、前記処理空間を排気する排気部と、制御部と、を備え、前記制御部は、（Ａ）前記熱板に対する基板の高さを前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし基板の加熱処理を開始する工程と、（Ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を実行するよう、制御を行う。

本開示によれば、加熱処理後の塗布膜の基板面内均一性を損なわずに、加熱中に処理空間内に生じた物質に起因する欠陥が基板に発生するのを抑制することができる。

本実施形態にかかる加熱処理装置の構成を側面から見て模式的に示した説明図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の各工程での加熱処理装置の状態を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の各工程での加熱処理装置の状態を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理に含まれる加熱処理中のウェハＷの温度履歴を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例における、処理空間の排気形態を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例における、加熱処理を終了させる工程での処理空間の状態を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の効果の説明図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の効果の説明図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の各工程における、底部材に対する蓋部材の高さを示す図である。 加熱処理が所定の進行度合いになったか否かの判定に用いられるデータの説明図である。

半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板の表面上に、各種処理液、例えばハードマスクとして用いられるＳＯＣ膜形成用の処理液が塗布されることがある。そして、これらの処理液の塗布後すなわち塗布膜の形成後においては、加熱処理装置の処理容器内で基板を加熱する加熱処理が行われる。

また、加熱処理装置では、加熱中に処理容器内に生じた欠陥原因物質を回収することを目的として、処理容器内が排気される。欠陥原因物質とは、基板に付着することにより欠陥の原因となる物質である。しかし、上述のように排気を行ったとしても、欠陥原因物質を回収し切れない場合がある。また、処理容器内からの排気量を大きくしたり排気時間を長くしたりすれば欠陥原因物質を多く回収できるが、塗布膜の厚さが基板の面内で不均一になってしまうことがある。

そこで、本開示にかかる技術は、加熱処理後の塗布膜の基板面内均一性を損なわずに、加熱中に処理容器内（具体的には処理容器により形成される処理空間内）に生じた物質に起因する欠陥が基板に発生するのを抑制する。

以下、本実施形態にかかる加熱処理装置及び加熱処理方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜加熱処理装置＞
図１は、本実施形態にかかる加熱処理装置の構成を側面から見て模式的に示した説明図である。

図１に示すように、加熱処理装置１は、基板としてのウェハＷを収容する処理空間Ｓを形成する処理容器２を有している。この処理容器２は、熱板１１を有する底部材３と、底部材３の後述の載置面１１ａと対向する天井部４ａを含み底部材３との間で処理空間Ｓを形成する蓋部材４を有している。また、処理容器２は、図示しない筐体内に設けられている。

底部材３は、図示しない前記筐体の基台５の上に支持部材６を介して支持されている。底部材３は、周縁部１２ａよりも内側に凹部が形成された扁平な円筒体からなる支持台１２を備えている。支持台１２の凹部に熱板１１が設けられる。

熱板１１の上面１１ａは、ウェハＷが載置される載置面である。熱板１１の上面１１ａ（以下、載置面１１ａ）には、ウェハＷの下面を支持する図示しない複数のギャップピンが設けられていてもよい。
また、熱板１１内には、ウェハＷを加熱する加熱部としてのヒータ１３が設けられている。ヒータ１３は、載置面１１ａを加熱することにより、ウェハＷを加熱することができる。具体的には、ヒータ１３は、載置面１１ａを加熱することにより、載置面１１ａに載置されたウェハＷを加熱し、また、載置面１１ａから離間した位置に位置するウェハＷを加熱することができる。ヒータ１３は後述の制御部１００により制御される。

蓋部材４の天井部４ａは、底部材３よりも直径の大きい円板状に形成されている。
また、蓋部材４は、底部材３と天井部４ａとの間の隙間の周囲を塞ぎ処理空間Ｓを形成する側壁部４ｂを有する。側壁部４ｂは平面視円環状に形成されている。

この蓋部材４は、昇降機構２０によって昇降する。昇降機構２０は、蓋部材４の昇降のための駆動力すなわち底部材３に対する蓋部材４の高さを調整するための駆動力を発生するモータ等の駆動源を有し、例えば基台５に設けられる。この昇降機構２０は、後述の制御部１００により制御される。昇降機構２０は、蓋部材４を下降させることで、処理空間Ｓを形成することができる。また、昇降機構２０は、蓋部材４を上昇させることで、処理空間Ｓを開放することができる。さらに、昇降機構２０は、蓋部材４を昇降させることで、すなわち、底部材３に対する蓋部材４の高さを調整することで、処理空間Ｓの容積を変更することができる。
このように、昇降機構２０は、底部材３に対する蓋部材４の高さを調整する調整機構を構成すると共に、処理空間Ｓの容積を変更する変更部を構成する。

また、蓋部材４の天井部４ａには、シャワーヘッド３０が設けられている。
シャワーヘッド３０は、天井部４ａから下方に、酸素を含有するガスすなわち酸素含有ガスを供給する。シャワーヘッド３０が供給する酸素含有ガスは例えばドライエアである。
また、シャワーヘッド３０は、天井部４ａから下方に、酸素を含まない不活性ガスを供給する。シャワーヘッド３０が供給する不活性ガスは例えば窒素ガスである。

シャワーヘッド３０は、複数の吐出孔３１と、ガス分配空間３２と、を有する。

吐出孔３１はそれぞれ、シャワーヘッド３０の下面に形成されている。吐出孔３１は、例えば、シャワーヘッド３０の下面中央部における、後述する排気口４１以外の部分に、略均一に配置されている。複数の吐出孔３１は、熱板１１上のウェハＷの周縁部の上方に位置する第１吐出孔と、熱板１１上のウェハＷの中央部の上方に位置する第２吐出孔と、を含む。

ガス分配空間３２は、シャワーヘッド３０に導入された酸素含有ガスまたは不活性ガスを分配して各吐出孔３１に供給する。
シャワーヘッド３０には、当該シャワーヘッド３０に酸素含有ガスまたは不活性ガスを導入する導入管３３が接続されている。

導入管３３には、供給管３４を介して、酸素含有ガスを貯留するガス源３５が接続されている。供給管３４には、酸素含有ガスの流通を制御する開閉弁や流量調節弁等を含む供給機器群３６が設けられている。
また、導入管３３には、供給管３７を介して、不活性ガスを貯留するガス源３８が接続されている。供給管３７には、不活性ガスの流通を制御する開閉弁や流量調節弁等を含む供給機器群３９が設けられている。
供給機器群３６、３９は後述の制御部１００により制御される。

加熱処理装置１においては、シャワーヘッド３０、導入管３３、供給管３７、供給機器群３９によって、処理空間Ｓに不活性ガスを供給するガス供給部が構成され、シャワーヘッド３０、導入管３３、供給管３４、供給機器群３６によって、処理空間Ｓに酸素含有ガスを供給する他のガス供給部が構成されている。

さらに、加熱処理装置１には、中央排気部４０と周縁排気部５０が設けられている。これら中央排気部４０と周縁排気部５０により、処理空間Ｓを排気する排気部が構成されている。

中央排気部４０は、載置面１１ａの上方であって、当該載置面１１ａ上のウェハＷの中央寄りの位置（図の例では上記中央の位置）に相当する位置から、処理空間Ｓを排気する。中央排気部４０は排気口４１を有する。排気口４１は、シャワーヘッド３０の下面における中央寄りの位置（図の例では中央の位置）に設けられており、下方に開口している。中央排気部４０は、この排気口４１を介して、処理空間Ｓを排気する。

また、中央排気部４０は、排気口４１から上方向に延伸するように形成された中央排気路４２を有する。中央排気路４２には、排気管４３を介して、真空ポンプ等の排気装置４４が接続されている。排気管４３には、排気量を調整するバルブ等を有する排気機器群４５が設けられている。排気装置４４及び排気機器群４５は後述の制御部１００により制御される。

周縁排気部５０は、載置面１１ａの上方であって、当該載置面１１ａ上のウェハＷの周縁部寄りの位置（図の例では上記ウェハＷの周端のやや外側の位置）に相当する位置から、処理空間Ｓを排気する。周縁排気部５０は、排気口５１を有する。排気口５１は、シャワーヘッド３０の外周を囲むように、天井部４ａの下面から、下方に開口している。排気口５１は、複数の排気孔をシャワーヘッド３０の外周に沿って並べたものであってもよい。周縁排気部５０は、この排気口５１を介して、処理空間Ｓを排気する。

また、周縁排気部５０は、排気口５１に通ずる周縁排気路５２を有する。周縁排気路５２には、排気管５３を介して、真空ポンプ等の排気装置５４が接続されている。排気管５３には、排気量を調整するバルブ等を有する排気機器群５５が設けられている。排気装置５４及び排気機器群５５は後述の制御部１００により制御される。

さらに、天井部４ａは、加熱されるように構成されている。例えば、天井部４ａには、当該天井部４ａを加熱する図示しないヒータが内蔵されている。このヒータが後述の制御部１００により制御され、天井部４ａ（具体的には例えばシャワーヘッド３０）が所定の温度に調整される。

さらに、加熱処理装置１では、底部材３の下方に、ウェハＷを昇降させる昇降機構６０が設けられている。昇降機構６０は、処理容器２の外部に設けられた図示しない搬送機構との間でウェハＷの受け渡しを行うための受渡部材としての昇降ピン６１が、支持台１２及び熱板１１を貫通するように設けられている。昇降ピン６１は、例えば熱板１１の周方向に等間隔で少なくとも３本設けられる。

昇降ピン６１は、昇降機構６２によって昇降し、上昇したときに熱板１１の上方に突出可能に構成されている。昇降機構６２は、昇降ピン６１の昇降のための駆動力を発生するモータ等の駆動源を有し、例えば基台５に設けられる。昇降ピン６１を昇降させることで、熱板１１に対する、昇降ピン６１に支持されたウェハＷの高さを調整することができる。この昇降機構６２は、後述の制御部１００により制御される。
このように、昇降機構６０は、熱板１１に対するウェハＷの高さを調整する調整機構を構成する。

上述した加熱処理装置１は、制御部１００を備えている。制御部１００は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、記憶部１０１を有している。記憶部１０１には、例えば後述する加熱処理装置１の各種動作を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部１００にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは一時的に記憶するものであっても非一時的に記憶するものであってもよい。また、プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

＜ウェハ処理の例１＞
続いて、加熱処理装置１を用いて行われる加熱処理を含むウェハ処理の、本実施形態にかかる例を説明する。
図２及び図３はそれぞれ、本実施形態にかかるウェハ処理の各工程での加熱処理装置１の状態を示す図である。図４は、本実施形態にかかるウェハ処理に含まれる加熱処理中のウェハＷの温度履歴を示す図である。
なお、以下で例示する本実施形態にかかるウェハ処理はいずれも、制御部１００の制御の下、行われる。

（ステップＳ１：ウェハＷの搬入）
まず、加熱処理装置１内にウェハＷが搬入される。
具体的には、蓋部材４が上昇された後、塗布膜としてＳＯＣ膜が形成されたウェハＷが、図示しない搬送機構によって、熱板１１の上方まで移動される。その後、昇降ピン６１が上昇され、ウェハＷが図２（Ａ）に示すように昇降ピン６１に受け渡され、熱板１１に対するウェハＷの高さが受け渡し高さＨｄまで上昇する。受け渡し高さＨｄは例えば３０ｍｍ～５０ｍｍである。

このとき、中央排気部４０による排気はＯＦＦとされる。周縁排気部５０による排気はウェハ処理中、常時ＯＮとされる。
また、このとき、熱板１１の載置面１１ａの温度が例えば２００～４５０℃となるようにヒータ１３が制御されている。なお、ウェハ処理中、ヒータ１３は例えば熱板１１の載置面１１ａの温度が一定となるように制御される。また、天井部４ａに対する図示しないヒータは、ウェハ処理中、例えば天井部４ａ（具体的にはシャワーヘッド３０）の温度が所定の温度で一定になるように制御される。

（ステップＳ２：加熱処理の開始）
続いて、熱板１１に対するウェハＷの高さが、熱板１１から所定の距離離れる所定の高さすなわち第１の高さＨ１とされ、加熱処理が開始される。
具体的には、蓋部材４が下降されて図２（Ｂ）に示すように処理空間Ｓが形成される。
また、蓋部材４の下降と同時または蓋部材４の下降後、昇降ピン６１が下降され、熱板１１に対するウェハＷの高さが、受け渡し高さＨｄと異なり受け渡し高さＨｄより低い第１の高さＨ１とされる。このように熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされ、処理空間Ｓが形成されると、加熱処理の開始となる。なお、第１の高さＨ１は、例えば２ｍｍ～１０ｍｍであり、予め設定され、記憶部１０１に記憶されている。
また、加熱処理中、底部材３に対する蓋部材４の高さ、すなわち、処理空間Ｓの容積は、一定である。

（ステップＳ３：第１の高さＨ１での加熱）
次に、第１の高さＨ１でウェハＷが加熱されると共に、周縁排気部５０による排気が行われ加熱中に処理空間Ｓに生じた欠陥原因物質の回収が行われる。

具体的には、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１で維持されると共に、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓへの酸素含有ガスの供給が行われる。
また、周縁排気部５０による排気が行われ、加熱中にＳＯＣ膜から生じた欠陥原因物質等、処理空間Ｓ内の欠陥原因物質が回収される。

なお、シャワーヘッド３０からの酸素含有ガスの吐出は、加熱処理の開始前から行われていてもよい。

ステップＳ３は、加熱処理が所定の進行度合いになるまで行われる。具体的には、ステップＳ３は、図４に示すように、ウェハＷの温度が、ＳＯＣ膜における酸素との架橋反応が開始する温度よりやや低い所定の温度Ｔｔになるまで行われる。

加熱処理が所定の進行度合いになったか否かの判定すなわちウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定は、例えば、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされてから経過した時間が所定の時間Ｔ１を超えたか否かに基づいて行われる。制御部１００は、上記所定の時間Ｔ１を超えると、所定の進行度合いになったと判定し、すなわち、所定の温度Ｔｔになったと判定する。この判定に用いられる「所定の時間Ｔ１」は、ＳＯＣ膜の種類によって異なり、例えば、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介したユーザ入力に基づいて予め設定され、記憶部１０１に記憶されている。

（ステップＳ４：ウェハＷの下降）
そして、加熱処理が所定の進行度合いになった後は、ウェハＷが下降される。
具体的には、加熱処理が所定の進行度合いになった後は、昇降ピン６１が下降され、ウェハＷが熱板１１の載置面１１ａに載置される。

（ステップＳ５：載置された状態での加熱）
次に、ウェハＷが熱板１１に載置された状態で加熱されると共に、周縁排気部５０による排気及び中央排気部４０による排気が行われ加熱中に処理空間Ｓに生じた欠陥原因物質の回収が行われる。

具体的には、図３（Ａ）に示すようにウェハＷが熱板１１に載置された状態が維持されると共に、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓへの酸素含有ガスの供給が行われる。熱板１１により加熱されたウェハＷがある温度を超えると、ウェハＷ上のＳＯＣ膜中の材料が、処理空間Ｓ中等の酸素と熱により架橋反応する。ＳＯＣ膜は、膜中に架橋反応が起こることで硬化すなわちエッチング耐性が生じる。

また、排気機器群４５が制御され、中央排気部４０による排気がＯＦＦからＯＮに切り替えられ、周縁排気部５０による排気及び中央排気部４０による排気の両方が行われる。これにより、加熱中にＳＯＣ膜から生じた欠陥原因物質等、処理空間Ｓ内の欠陥原因物質が回収される。
このステップＳ５は、ウェハＷが熱板１１に載置されてから所定の時間Ｔ２が経過するまで行われる。

上記所定の時間Ｔ２（すなわち熱板１１に載置された状態での加熱時間）は例えば３０秒～１２０秒であり、また、上記所定の時間Ｔ１（すなわち第１の高さＨ１での加熱時間）は、上記所定の時間Ｔ２の０．５～１．５倍である。

中央排気部４０による排気がＯＦＦからＯＮに切り替えられるタイミングは、具体的には、例えば、ステップＳ５の加熱の開始直後（すなわちウェハＷの熱板１１への載置直後）である。また、上記タイミングは、ステップＳ５の加熱が開始されてから（すなわちウェハＷが熱板１１に載置されてから）所定の時間Ｔ３経過後であってもよい。その理由は後述する。上記所定の時間Ｔ３は例えば２秒以上１０秒以下である。

（ステップＳ６：加熱処理の終了）
ステップＳ５が完了すると、昇降ピン６１の上昇によりウェハＷが載置面１１ａから離されると共に、蓋部材４が上昇され処理空間Ｓが開放され、加熱処理が終了となる。
具体的には、ステップＳ５の完了後、例えば、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓへの酸素含有ガスの供給、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気がＯＮに維持されたまま、昇降ピン６１の上昇と蓋部材４の上昇が同時に行われる。これにより、図３（Ｂ）に示すように、ウェハＷが受け渡し高さＨｄまで上昇すると共に、処理空間Ｓが開放される。

（ステップＳ７：ウェハＷの搬出）
その後、加熱処理装置１外へウェハＷが搬出される。
具体的には、昇降ピン６１が下降され、ウェハＷが、図示しない搬送機構に受け渡され、当該搬送機構によって、熱板１１の上方から移動される。
これで、本例にかかるウェハ処理は完了となる。

本例と異なるウェハ処理として、以下の比較例１、２にかかるウェハ処理が考えられる。

（比較例１）
第１の高さＨ１でのウェハＷの加熱が行われず、熱板１１に載置された状態でのウェハＷの加熱のみが行われ、加熱の際、最初から中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気の両方がＯＮにされる。

（比較例２）
第１の高さＨ１でのウェハＷの加熱が行われず、熱板１１に載置された状態でのウェハＷの加熱のみが行われ、加熱の際、最初の１０～２０秒程度、中央排気部４０による排気がＯＦＦにされ、周縁排気部５０による排気のみがＯＮにされ、その後、５０秒程度、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気の両方がＯＮにされる。

しかし、本発明者らが鋭意実験を重ねたところ、比較例１、２では以下の課題があることが判明した。すなわち、比較例１にかかるウェハ処理では、ウェハ処理後のウェハＷの表面に欠陥は生じないが、ウェハ処理後におけるＳＯＣ膜の厚さが、ウェハＷの中央部で厚くなることあった。また、比較例２にかかるウェハ処理では、ＳＯＣ膜の種類によっては、処理空間Ｓ中の欠陥原因物質を十分回収することができず、ウェハ処理後のウェハＷの表面に欠陥が生じることがあり、排気時間を長くしても、上記欠陥を十分に減らすことができない場合があった。
これは、該当する種類のＳＯＣ膜では、第１の高さＨ１でのウェハＷの加熱が行われない場合、加熱処理開始直後且つ熱板１１に載置された直後というウェハＷの温度変化が激しい期間に、中央排気部４０による排気を行わないと、その後に中央排気部４０による排気を行っても回収することができない欠陥原因物質が生じることが理由と考えられる。

それに対し、本例にかかるウェハ処理では、ウェハＷが、第１の高さＨ１での加熱が行われた後、熱板１１に載置される。そのため、加熱処理開始直後のウェハＷの温度変化及び熱板１１に載置された直後のウェハＷの温度変化が比較的緩やかである。したがって、本例にかかるウェハ処理によれば、ウェハＷの温度変化が激しい期間に生じ得る、回収しにくい欠陥原因物質Ｐが発生するのを抑制することができる。
また、ＳＯＣ膜が形成されたウェハＷに対する加熱処理では、初期段階が、ＳＯＣ膜の流動性が最も高く、排気の影響が膜厚に出やすい。それに対し、本例にかかるウェハ処理では、加熱処理の初期段階にあたる、第１の高さＨ１でウェハＷを加熱する工程において、中央排気部４０による排気はＯＦＦ状態である。したがって、加熱処理時に中央排気を行うことによりＳＯＣ膜の厚さがウェハＷの中央部で厚くなるのを抑制することができる。

なお、以上の本実施形態にかかるウェハ処理の例では、ステップＳ５による加熱の際の、熱板１１に対するウェハＷの高さは、熱板１１に載置された状態となる高さであるが、これに限られず、第１の高さＨ１より熱板１１に近接する状態となる高さであればよい。以下の例についても同様である。

＜本実施形態の主な効果＞
以上のように、本実施形態にかかる例のウェハ処理は、熱板１１に対するウェハＷの高さを、熱板１１から所定の距離離れる第１の高さＨ１とし、ウェハＷの加熱処理を開始する（ａ）工程と、加熱処理が所定の進行度合いになった際に、熱板１１に対するウェハＷの高さを第１の高さＨ１より低くし、ウェハＷを熱板１１に載置した状態または近接した状態にすると共に、処理空間Ｓ内の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む。そのため、加熱処理の全期間に亘って、ウェハＷの温度変化が比較的緩やかである。したがって、ウェハＷの温度変化が激しい期間に生じ得る、回収しにくい欠陥原因物質Ｐが発生するのを抑制することができる。また、本実施形態にかかる例のウェハ処理では、処理空間Ｓ中の欠陥原因物質の回収効率を高めるための処理空間Ｓの排気（具体的には中央排気部４０による排気）がＯＮにされるのは、加熱処理が所定の進行度合いになった後、すなわち、ウェハＷ上の塗布膜の流動性が低下した後である。したがって、上記処理空間Ｓの排気（具体的には中央排気部４０による排気）により膜厚の面内不均一性が生じるのを抑制することができる。

よって、本実施形態によれば、加熱処理後の塗布膜のウェハＷ面内での均一性を損なわずに、加熱中に処理空間Ｓ内に生じた物質に起因する欠陥がウェハＷに発生するのを抑制することができる。

前述のように、中央排気部４０による排気がＯＦＦからＯＮに切り替えられるタイミングは、熱板１１に載置されてから所定の時間Ｔ３経過後であってもよい。これは、塗布膜の種類や第１の高さＨ１での加熱時間等によっては、第１の高さＨ１での加熱のみでは、塗布膜の流動性を、中央排気部４０による排気の影響を受けない程度に、十分に落とすことができない場合があるからである。

（ウェハ処理の例２）
図５は、本実施形態にかかるウェハ処理の他の例における、処理空間Ｓの排気形態を示す図である。
以上の例では、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程では、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気がＯＮに維持されたまま、蓋部材４の上昇が行われ、処理空間Ｓが開放されていた。これに代えて、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程では、図５に示すように、中央排気部４０による排気がＯＮに維持されたまま、周縁排気部５０による排気をＯＦＦにさせ、その後、所定の時間Ｔ２経過してから、蓋部材４の上昇が行われ、処理空間Ｓが開放されてもよい。これにより、処理空間Ｓが開放されたときに、欠陥原因物質が、底部材３と蓋部材４との間の隙間から、処理容器２外に漏れ出すのを抑制することができる。

（ウェハ処理の例３）
図６は、本実施形態にかかるウェハ処理の他の例における、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程での処理空間Ｓの状態を示す図である。
上述のウェハ処理の例１等では、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気がＯＮに維持されたまま、昇降ピン６１の上昇すなわちウェハＷの上昇と蓋部材４の上昇とが同時に行われ、ウェハＷが受け渡し高さＨｄまで上昇すると共に、処理空間Ｓが開放されていた。これに代えて、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程では、まず、図６に示すように、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気がＯＮに維持されたまま、昇降ピン６１の上昇のみが行われ、熱板１１に対するウェハＷの高さが第２の高さＨ２とされ、処理空間Ｓが形成されたままとしてもよい。そして、その後、所定の時間Ｔ３経過してから、昇降ピン６１の再上昇と蓋部材４の上昇が同時に行われ、ウェハＷが受け渡し高さＨｄまで上昇すると共に、処理空間Ｓが開放されてもよい。
なお、第１の高さＨ１と第２の高さＨ２は同じであってもよいし、異なってもよい。

第２の高さＨ２は、例えば、第１の高さＨ１と同様、予め設定され、記憶部１０１に記憶されている。
また、第２の高さＨ２は、以下のように制御部１００により予め算出され決定され、記憶部１０１に記憶されていてもよい。すなわち、制御部１００により、処理対象のウェハＷの反り量の検出結果が、図示しない外部の検出装置から取得され、上記検出結果に基づいて、第２の高さＨ２が予め算出され決定され、記憶部１０１に記憶されていてもよい。なお、上記外部の検出装置は、例えば、ウェハＷを側方から撮像し撮像結果から当該ウェハＷの反り量を検出する、公知の装置である。

例えば、以下のようにして、制御部１００により、処理対象のウェハＷの反り量の検出結果から第２の高さＨ２が算出され決定される。
すなわち、制御部１００により、取得されたウェハＷの反り量Ｗｐと記憶部１０１に記憶されていた第２の高さＨ２のデフォルト値Ｈ２_０との和が算出され、その結果が実際の第２の高さＨ２（＝Ｗｐ＋Ｈ２_０）に決定される。これにより、蓋部材４の周縁部の下端に対するウェハＷの周縁部の高さＨ３が、ウェハＷの反り量によらず一定となる。
蓋部材４の周縁部の下端に対するウェハＷの周縁部の高さＨ３が異なると、昇降ピン６１の再上昇と蓋部材４の上昇が同時に行われ処理空間Ｓが開放される際に、蓋部材４の周縁部の下を通ってウェハＷの表面に流れ込む気流も異なってくる。具体的には、昇降ピン６１の再上昇と蓋部材４の上昇が同時に行われ処理空間Ｓが開放される際、上記高さＨ３が大きいと、ウェハＷの表面に流れ込む気流が少なくなり、上記高さＨ３が小さいと、ウェハＷの表面に流れ込む気流が多くなる。したがって、蓋部材４の周縁部の下端に対するウェハＷの周縁部の高さＨ３をウェハＷの反り量によらず一定にすることにより、上述の処理空間Ｓの開放の際にウェハＷの表面に流れ込む気流も略一定となる。その結果、ウェハＷの反り量が熱処理結果に与える影響を抑制することができる。

また、本例の場合、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程における処理空間Ｓの排気形態を、上述のウェハ処理の例６と同様にしてもよい。すなわち、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程で、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気のうち、蓋部材４の上昇前に、周縁排気部５０による排気のみＯＦＦにさせ、その後所定の時間Ｔ３経過してから、蓋部材４の上昇が行われ、処理空間Ｓが開放されてもよい。

なお、上述のウェハ処理の例１～３を行う場合、処理空間Ｓへの不活性ガスの供給に用いられる供給管３７、ガス源３８、供給機器群３９を加熱処理装置１から省略することができる。

＜ウェハ処理の例４＞
図７及び図８は、本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の効果の説明図である。
以上の例では、加熱処理中、処理空間Ｓに供給されるガスは酸素含有ガスであり不活性ガスへの切り替えは特に行われていなかった。
それに対し、本例では、加熱処理中に、処理空間Ｓに供給されるガスが、酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられ、処理空間Ｓ内の酸素含有ガスが不活性ガスで置換される。すなわち、本例では、加熱処理の途中で、酸素含有ガスの雰囲気での加熱から、低酸素濃度雰囲気での加熱（具体的には不活性ガスの雰囲気での加熱）に切り替えられる。

処理空間Ｓに供給されるガスが酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられるタイミングは、例えば、ステップＳ５の熱板１１に載置された状態でのウェハＷの加熱中である。
具体的には、上記タイミングは、例えば、ステップＳ５の加熱中であって、ウェハＷ上のＳＯＣ膜において酸素との反応による架橋反応が所定の進行度合いになったとき、より具体的には、ＳＯＣ膜における上記架橋反応が完了する温度以上の所定の温度Ｔｓとなったときである。

ＳＯＣ膜において酸素との反応による架橋反応が所定の進行度合いになったか否かの判定すなわちウェハＷの温度が所定の温度Ｔｓになったか否かの判定は、例えば、ウェハＷが熱板１１に載置されてから経過した時間が所定の時間Ｔ１１を超えたか否かに基づいて行われる。制御部１００は、上記所定の時間Ｔ１１を超えると、所定の進行度合いになったと判定し、すなわち、所定の温度Ｔｓになったと判定する。この判定に用いられる「所定の時間Ｔ１１」は、ＳＯＣ膜の種類によって異なり、例えば、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介したユーザ入力に基づいて予め設定され、記憶部１０１に記憶されている。

本例のように加熱処理の後段で不活性ガスの雰囲気下で加熱を行う場合、加熱処理を終了させる際、蓋部材４が上昇される前、すなわち、処理空間Ｓが開放される前に、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓへの不活性ガスの供給は停止される。

ウェハＷの熱板１１への載置直後を含む期間で、急激な温度変化等によって、図７（Ａ）に示すように、比較的大粒の欠陥原因物質Ｐ１がＳＯＣ膜から飛散する場合がある。この欠陥原因物質Ｐ１の飛散は、加熱処理が進行すれば収まる。しかし、本例とは異なり、不活性ガスへの切り替えを行わない場合、加熱処理が進行すると、上述の欠陥原因物質Ｐ１が、図７（Ｂ）に示すように、その後ウェハＷ上のＳＯＣ膜から気化した材料による微粒子Ｐ２と、処理空間Ｓ中の酸素と結合し、質量が大きい別の欠陥原因物質Ｐ３となる場合がある。この欠陥原因物質Ｐ３は、質量が大きいだけでなく、大量に発生する。したがって、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気では、欠陥原因物質Ｐ３を回収し切れず、図７（Ｃ）に示すように、欠陥原因物質Ｐ３が、加熱処理終了時の処理空間Ｓ中に充満してしまい、ウェハ処理終了後のウェハＷの表面全面に付着したまま残ってしまう場合がある。

それに対し、本例にかかるウェハ処理では、ＳＯＣ膜において酸素による架橋反応が所定の進行度合いになった後（具体的には架橋反応が完了した後）は、処理空間Ｓへ供給されるガスが酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられる。そのため、ウェハＷの熱板１１への載置直後を含む期間で上述の比較的大粒の欠陥原因物質Ｐ１が飛散したとしても、この欠陥原因物質Ｐ１が、図８（Ａ）に示すように、前述の微粒子Ｐ２と、処理空間Ｓ中の酸素と結合しないため、質量が大きい別の欠陥原因物質Ｐ３（図７（Ｂ）参照）に変化しない。代わりに、上記欠陥原因物質Ｐ１は、その一部が熱で揮発して縮小していく（図８（Ａ）中、Ｐ４は縮小した欠陥原因物質）。縮小した欠陥原因物質Ｐ４は、図８（Ｂ）に示すように、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気により、容易に回収することができる。したがって、上記欠陥原因物質Ｐ３（図２（Ｂ）参照）やその他の欠陥原因物質が、加熱処理終了時の処理空間Ｓ中に充満するのを抑制することができ、ウェハ処理終了後のウェハＷの表面全面に欠陥原因物質が付着したまま残るのを抑制することができる。

処理空間Ｓに供給されるガスが酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられるタイミングが上述のタイミングの場合、切り替えと同時に、中央排気部４０による排気をＯＦＦからＯＮに切り替えてもよい。

また、処理空間Ｓに供給されるガスが酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられるタイミングすなわち処理空間Ｓの不活性ガスへの置換タイミングは、ステップＳ５の加熱が開始されるとき、すなわち、ステップＳ４のウェハＷが熱板１１に載置されるよう下降されるときであってもよい。

＜ウェハ処理の例５＞
図９は、本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の各工程における、底部材３に対する蓋部材４の高さを示す図である。
以上の例では、加熱処理中、底部材３に対する蓋部材４の高さすなわち処理空間Ｓの容積は一定であった。これに代えて、処理空間Ｓ内の酸素含有ガスを不活性ガスへ置換する工程（以下、置換工程）において、酸素含有ガスの雰囲気での加熱工程より、処理空間Ｓの容積を小さくしてもよい。また、この場合、不活性ガスの雰囲気での加熱工程において、上記置換工程より、処理空間Ｓの容積を大きくしてもよい。

具体的には、図９（Ａ）に示すように、底部材３に対する蓋部材４の高さを第１の高さＨ１１にした状態で、酸素含有ガスの雰囲気での加熱工程が行われ、図９（Ｂ）に示すように、底部材３に対する蓋部材４の高さを第１の高さＨ１２より低い第２の高さＨ１２にした状態で、置換工程が行われてもよい。また、この場合に、底部材３に対する蓋部材４の高さを第２の高さＨ１２より高い第３の高さＨ１３にした状態で、不活性ガスの雰囲気での加熱工程が行われてもよい。第３の高さＨ１３は、第１の高さＨ１１と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

本例のように、置換工程において処理空間Ｓの容積を小さくすることで、処理空間Ｓ内の雰囲気を不活性ガスで置換するのに要する時間を短縮することができる。その結果、前述の質量が大きい欠陥原因物質Ｐ３の発生を抑制することができる。

また、不活性ガスの雰囲気での加熱工程において、上述のように処理空間Ｓの容積を大きくすることで、すなわち、底部材３に対する蓋部材４の高さを高くすることで、ウェハＷの直上における気流をウェハ面内でより均一にすることができる。また、蓋部材４（具体的にはシャワーヘッド３０）に欠陥原因物質が付着し汚染されるのを抑制することができる。

不活性ガスの雰囲気での加熱工程において、前述のように置換工程より処理空間Ｓの容積を大きくする場合、処理空間Ｓへの不活性ガスの供給流量を、置換工程において大きくし、不活性ガスの雰囲気での加熱工程において相対的に小さくしてもよい。これにより、置換工程において処理空間Ｓ内の雰囲気を不活性ガスで置換するのに要する時間を短くしつつ、加熱処理全体での不活性ガスの消費量を抑えることができる。

（変形例）
上述のウェハ処理の例１等では、加熱処理が所定の進行度合いになったか否かの判定すなわちウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介したユーザ入力に基づいて予め設定された所定の時間Ｔ１に基づいて行われていた。

加熱処理が所定の進行度合いになったか否かの判定方法すなわちウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定方法は、これに限られない。
例えば、図１０に示すような関係Ｒを示すデータＤ１を予め記憶部１０１に記憶させておく。上記関係Ｒは、熱板１１を現在の設定温度とし、当該熱板１１に対するウェハＷの高さを予め設定された第１の高さＨ１としてウェハＷを加熱したときの、ウェハＷの温度と加熱時間との関係である。また、上記所定の温度（すなわち、第１の高さＨ１での加熱による目標到達温度）Ｔｔを、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。そして、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が、記憶部１０１に記憶された上記データＤ１に基づいて、行われてもよい。具体的には、制御部１００により、記憶部１０１に記憶された上記データＤ１と所定の温度Ｔｔとに基づいて、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１が算出され決定され、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされてから経過した時間が上記時間Ｔ２１を超えたか否かの判定に基づき、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が行われてもよい。

ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定に用いる情報として決定した、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１は、図示しない表示部（例えば液晶ディスプレイ）等の外部出力部を介して外部出力されてもよい。

また、熱板１１に対するウェハＷの高さを第１の高さＨ１としてウェハＷを加熱したときのウェハＷの温度と加熱時間との関係Ｒを、熱板１１の温度毎且つ熱板１１に対するウェハＷの高さ毎に示すデータＤ２を、予め記憶部１０１に記憶させてもよい。そして、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が、記憶部１０１に記憶された上記データＤ２に基づいて、行われてもよい。

例えば、熱板１１の現在温度、上記所定の温度Ｔｔ及び第１の高さＨ１の設定値を、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。また、制御部１００により、これらの情報と上記データＤ２とに基づいて、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１が算出され決定される。そして、制御部１００により、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされてから経過した時間が上記時間Ｔ２１を超えたか否かの判定に基づき、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が行われる。

なお、熱板１１に対するウェハＷの高さを第１の高さＨ１としてウェハＷを加熱したときのウェハＷの温度と加熱時間との関係Ｒは、熱板１１の設定温度及び熱板１１に対するウェハＷの高さだけでなく、蓋部材４（具体的にはシャワーヘッド３０）の設定温度の影響を受ける。したがって、上記関係Ｒを、熱板１１の温度毎、熱板１１に対するウェハＷの高さ毎且つ蓋部材４の温度毎に示すデータＤ３を、予め記憶部１０１に記憶させてもよい。そして、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が、記憶部１０１に記憶された上記データＤ３に基づいて、行われてもよい。

例えば、蓋部材４の温度、熱板１１の温度、上記所定の温度Ｔｔ及び第１の高さＨ１の設定値を、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。また、制御部１００により、これらの情報と上記データＤ２とに基づいて、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１が算出され決定される。そして、制御部１００により、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされてから経過した時間が上記時間Ｔ２１を超えたか否かの判定に基づき、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が行われる。

上記データＤ１を用いる例と同様、上記データＤ２または上記データＤ３を用いる例でも、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定に用いる情報として決定した、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１は、図示しない表示部（例えば液晶ディスプレイ）等の外部出力部を介して外部出力されてもよい。

また、上記データＤ２に基づいて、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定に用いる情報の候補が決定されてもよい。
例えば、熱板１１の温度及び上記所定の温度Ｔｔの設定値と、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１として許容される範囲とを、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。また、制御部１００により、これらの情報と上記データＤ２とに基づいて、上記時間Ｔ２１と第１の高さＨ１との組み合わせの候補が決定される。決定された候補は、図示しない表示部（例えば液晶ディスプレイ）等の外部出力部を介して外部出力されてもよい。

同様に、上記データＤ３に基づいて、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定に用いる情報の候補が決定されてもよい。
例えば、蓋部材４の温度、熱板１１の温度及び上記所定の温度Ｔｔの設定値と、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１として許容される範囲とを、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。また、制御部１００により、これらの情報と上記データＤ３とに基づいて、上記時間Ｔ２１と第１の高さＨ１との組み合わせの候補が決定される。決定された候補は、図示しない表示部（例えば液晶ディスプレイ）等の外部出力部を介して外部出力されてもよい。

また、上記データＤ２または上記データＤ３に基づいて決定された、上記時間Ｔ２１と上記高さＨ１との組み合わせの候補が、以下のようにして処理対象のウェハＷの反り量の検出結果に基づいて絞られるようにしてもよい。
すなわち、ウェハＷの形状が側面視凸状（中央部が上方にと突出した形状）であり当該ウェハＷの反り量が大きい場合、当該ウェハＷの周縁部において熱板１１との距離が近くなって加熱量が多くなり、その結果、膜厚の面内均一性が損なわれるおそれがある。そのため、例えばウェハＷが側面視凸状に沿っておりその反り量が５００μｍ以上の場合は、制御部１００により、上記時間Ｔ２１と第１の高さＨ１との組み合わせの候補が、第１の高さＨ１が３ｍｍ以上のもののみに絞られるようにしてもよい。
なお、処理対象のウェハＷの反り量の検出結果は、例えば図示しない外部の検出装置から取得される。また、上記組み合わせ候補の絞り込みに必要な、ウェハＷの反り量以外の情報は、例えば記憶部１０１に予め記憶されている。

なお、第１の高さＨ１が以下のようにして処理対象のウェハＷの反り量の検出結果に基づいて調整されるようにしてもよい。すなわち、第１の高さＨ１の基本値を設定しておき、例えばウェハＷが側面視凸状に沿っておりその反り量が５００μｍ以上の場合は、第１の高さＨ１が基本値より大きい値が適用され、それ以外の場合は、第１の高さＨ１に基本値が適用されてもよい。

以上では、底部材３に対する蓋部材４の高さを、蓋部材４を昇降させることで調整していたが、蓋部材４を昇降させることで調整してもよい。
また、以上では、熱板１１に対するウェハＷの高さを、ウェハＷを昇降させることで調整していたが、熱板１１を昇降させることで調整してもよい。

以上では、塗布膜の例としてＳＯＣ膜を挙げたが、本開示にかかる技術は、他の塗布膜にも用いることができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲、後述の付記項及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は上記の効果を損なわない範囲で、任意に組み合わせることができる。また、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
［付記項１］
塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理装置であって、
基板を収容する処理空間を形成する処理容器と、
前記処理空間に収容された基板が載置される載置面と、基板を加熱する加熱部と、を有する熱板と、
前記熱板に対する基板の高さを調整する調整機構と、
前記処理空間を排気する排気部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（Ａ）前記熱板に対する基板の高さを前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし基板の加熱処理を開始する工程と、
（Ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を実行するよう、制御を行う、加熱処理装置。
［付記項２］
前記排気部は、
前記載置面の上方であって、前記載置面上の基板の中央寄りの位置に相当する位置から、前記処理空間を排気する中央排気部と、
前記載置面の上方であって、前記載置面上の前記基板の周縁部寄りの位置に相当する位置から、前記処理空間を排気する周縁排気部と、を有し、
前記制御部は、
前記中央排気部による排気を、前記（Ａ）工程でＯＦＦに維持し、前記（Ｂ）工程でＯＦＦからＯＮに切り替え、
前記周縁排気部による排気を、前記（Ａ）工程からＯＮのまま維持するよう、制御を行う、付記項１に記載の加熱処理装置。
［付記項３］
前記処理容器は、
前記熱板を含む底部材と、
前記載置面に対向する天壁を含み、前記底部材との間で前記処理空間を形成する蓋部材と、を有し、
前記底部材に対する前記蓋部材の高さを調整する別の調整機構をさらに備え、
前記制御部は、
（Ｃ）前記加熱処理の終了時に、前記中央排気部による排気をＯＮに維持したまま、前記周縁排気部による排気をＯＦＦにし、その後、所定の時間経過してから、前記底部材に対する前記蓋部材の高さを高くし、前記処理空間を開放する工程をさらに実行するよう、制御を行う、付記項２に記載の加熱処理装置。
［付記項４］
前記制御部は、前記熱板の現在の設定温度における、前記熱板に対する基板の高さが前記所定の高さのときの基板温度と加熱時間との関係を示すデータに基づいて
、前記加熱処理が前記所定の進行度合いになったか否かの判定、または、当該判定に用いられる情報の決定を行う
、付記項１～３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
［付記項５］
前記制御部は、基板温度と加熱時間との関係を前記熱板の温度毎且つ前記熱板に対する基板の高さ毎に示すデータに基づいて 、前記所定の高さの決定、前記加熱処理が前記所定の進行度合いになったか否かの判定、当該判定に用いられる情報の決定、または、当該情報の候補の決定の少なくともいずれか１つを行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
［付記項６］
前記データを記憶する記憶部をさらに備える、付記項４に記載の加熱処理装置。
［付記項７］
前記データを記憶する記憶部をさらに備える、付記項５に記載の加熱処理装置。
［付記項８］
前記処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部をさらに備え、
前記制御部は、
加熱処理中に前記処理空間内の酸素含有ガスを不活性ガスで置換するよう、制御を行う、付記項１～７のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
［付記項９］
前記制御部は、前記（Ｂ）工程中に、前記処理空間内の酸素含有ガスを不活性ガスで置換するよう、制御を行う、付記項８に記載の加熱処理装置。
［付記項１０］
塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理方法であって、
（ａ）処理空間に収容された基板が載置される載置面を有する前記熱板に対する基板の高さを、前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし、基板の加熱処理を開始する工程と、
（ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む、加熱処理方法。
［付記項１１］
塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理方法を、加熱処理装置によって実行させるように、当該加熱処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記加熱処理方法は、
（ａ）処理空間に収容された基板が載置される載置面を有する熱板に対する基板の高さを、前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし、基板の加熱処理を開始する工程と、
（ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む、加熱処理方法。

１ 加熱処理装置
２ 処理容器
１１ 熱板
１１ａ 載置面
１３ ヒータ
２０ 昇降機構
４０ 中央排気部
５０ 周縁排気部
６０ 昇降機構
１００ 制御部
Ｓ 処理空間
Ｗ ウェハ

Claims (11)

1. 塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理装置であって、
   基板を収容する処理空間を形成する処理容器と、
   前記処理空間に収容された基板が載置される載置面と、基板を加熱する加熱部と、を有する熱板と、
   前記熱板に対する基板の高さを調整する調整機構と、
   前記処理空間を排気する排気部と、
   制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   （Ａ）前記熱板に対する基板の高さを前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし基板の加熱処理を開始する工程と、
   （Ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を実行するよう、制御を行う、加熱処理装置。
2. 前記排気部は、
   前記載置面の上方であって、前記載置面上の基板の中央寄りの位置に相当する位置から、前記処理空間を排気する中央排気部と、
   前記載置面の上方であって、前記載置面上の前記基板の周縁部寄りの位置に相当する位置から、前記処理空間を排気する周縁排気部と、を有し、
   前記制御部は、
   前記中央排気部による排気を、前記（Ａ）工程でＯＦＦに維持し、前記（Ｂ）工程でＯＦＦからＯＮに切り替え、
   前記周縁排気部による排気を、前記（Ａ）工程からＯＮのまま維持するよう、制御を行う、請求項１に記載の加熱処理装置。
3. 前記処理容器は、
   前記熱板を含む底部材と、
   前記載置面に対向する天壁を含み、前記底部材との間で前記処理空間を形成する蓋部材と、を有し、
   前記底部材に対する前記蓋部材の高さを調整する別の調整機構をさらに備え、
   前記制御部は、
   （Ｃ）前記加熱処理の終了時に、前記中央排気部による排気をＯＮに維持したまま、前記周縁排気部による排気をＯＦＦにし、その後、所定の時間経過してから、前記底部材に対する前記蓋部材の高さを高くし、前記処理空間を開放する工程をさらに実行するよう、制御を行う、請求項２に記載の加熱処理装置。
4. 前記制御部は、前記熱板の現在の設定温度における、前記熱板に対する基板の高さが前記所定の高さのときの基板温度と加熱時間との関係を示すデータに基づいて、前記加熱処理が前記所定の進行度合いになったか否かの判定、または、当該判定に用いられる情報の決定を行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
5. 前記制御部は、基板温度と加熱時間との関係を前記熱板の温度毎且つ前記熱板に対する基板の高さ毎に示すデータに基づいて、前記所定の高さの決定、前記加熱処理が前記所定の進行度合いになったか否かの判定、当該判定に用いられる情報の決定、または、当該情報の候補の決定の少なくともいずれか１つを行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
6. 前記データを記憶する記憶部をさらに備える、請求項４に記載の加熱処理装置。
7. 前記データを記憶する記憶部をさらに備える、請求項５に記載の加熱処理装置。
8. 前記処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部をさらに備え、
   前記制御部は、
   加熱処理中に前記処理空間内の酸素含有ガスを不活性ガスで置換するよう、制御を行う、請求項１に記載の加熱処理装置。
9. 前記制御部は、前記（Ｂ）工程中に、前記処理空間内の酸素含有ガスを不活性ガスで置換するよう、制御を行う、請求項８に記載の加熱処理装置。
10. 塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理方法であって、
    （ａ）処理空間に収容された基板が載置される載置面を有する熱板に対する基板の高さを、前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし、基板の加熱処理を開始する工程と、
    （ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む、加熱処理方法。
11. 塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理方法を、加熱処理装置によって実行させるように、当該加熱処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記加熱処理方法は、
    （ａ）処理空間に収容された基板が載置される載置面を有する熱板に対する基板の高さを、前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし、基板の加熱処理を開始する工程と、
    （ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む、加熱処理方法。

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