CN115502067B - 加热装置 - Google Patents

加热装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115502067B
CN115502067B CN202211312726.XA CN202211312726A CN115502067B CN 115502067 B CN115502067 B CN 115502067B CN 202211312726 A CN202211312726 A CN 202211312726A CN 115502067 B CN115502067 B CN 115502067B
Authority
CN
China
Prior art keywords
exhaust
holes
area
air
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202211312726.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN115502067A (zh
Inventor
董万如
魏毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202211312726.XA priority Critical patent/CN115502067B/zh
Publication of CN115502067A publication Critical patent/CN115502067A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115502067B publication Critical patent/CN115502067B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0466Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases the gas being a non-reacting gas
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • B05D3/0254After-treatment
    • B05D3/0272After-treatment with ovens
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Abstract

本公开提供一种加热装置,加热装置包括壳体、加热基座和气流板,壳体具有容纳腔,加热基座和气流板均位于容纳腔中,加热基座、气流板和部分壳体共同围设形成第一容纳腔,待加热件位于第一容纳腔中,且位于加热基座的承载面上;气流板上间隔设置有多个通孔,各通孔均沿气流板的厚度方向贯穿气流板,多个通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔,多个排气孔围设在所有进气孔的外周。由于将多个排气孔围设在进气孔的外周,使得多个排气孔较为分散,排气孔较易将分散于第一容纳腔中的气体排出去。因此,本公开提供的加热装置,加热装置可以减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件上,从而减少或避免冷凝物对待加热件的影响,保证最终产品的质量与良率。

Description

加热装置
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种加热装置。
背景技术
在半导体工艺制程中,通常需要对晶圆进行烘焙,例如,在晶圆上涂布涂层(以光刻胶为例)后,需要对晶圆进行软烘焙,以去除晶圆上的溶剂,干燥光刻胶。在显影后需要对晶圆进行硬烘焙,以进一步去除晶圆上的溶剂以使光刻胶变硬,提高光刻胶对晶圆表面的黏附性。
相关技术中,可以采用加热装置对晶圆进行烘焙,以去除晶圆上的涂层(例如光刻胶)中的溶剂。加热装置可以包括加热室和位于加热室内的加热板,晶圆设置在加热板上,加热板对晶圆加热以使晶圆上的涂层中的溶剂蒸发。蒸发的溶剂通过排气通道排出加热室。
然而,上述蒸发的溶剂易在加热室中冷凝而滴落回晶圆上,从而对晶圆上的涂层造成影响。
发明内容
本公开实施例提供一种加热装置,加热装置可以减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件上,从而减少或避免冷凝物对待加热件的影响,保证最终产品的质量与良率。
本公开实施例提供如下技术方案:
本公开实施例提供一种加热装置,加热装置包括壳体、加热基座和气流板,壳体具有容纳腔,加热基座和气流板均位于容纳腔中,加热基座、气流板和部分壳体共同围设形成第一容纳腔,待加热件位于第一容纳腔中,且位于加热基座的承载面上;气流板上间隔设置有多个通孔,各通孔均沿气流板的厚度方向贯穿气流板,多个通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔,多个排气孔围设在所有进气孔的外周。
加热装置可以包括壳体、加热基座和气流板,壳体具有容纳腔,加热基座和气流板均位于容纳腔中。其中,加热基座、气流板和部分壳体共同围设形成第一容纳腔,待加热件位于第一容纳腔中,且位于加热基座的承载面上。第一容纳腔中的气体可以通过气流板后排出。气流板上间隔设置有多个通孔,各通孔均沿气流板的厚度方向贯穿气流板,多个通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔,多个排气孔围设在所有进气孔的外周。由于将多个排气孔围设在进气孔的外周,而非将排气孔集中设置于气流板的中心,使得多个排气孔较为分散,排气孔更容易将分散于第一容纳腔中的气体(例如,待加热件上的涂层中的溶剂产生的溶剂蒸汽)排出去,从而提高排气孔对容纳腔中的溶剂蒸汽的排出效果,减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件上,从而减少或避免冷凝物对待加热件的影响,保证最终产品的质量与良率。
在一种可能的实施方式中,气流板包括进气区和排气区,排气区围设在进气区的外周;进气孔位于进气区,排气孔位于排气区。
在一种可能的实施方式中,排气区包括第一排气区和第二排气区,第二排气区围设在第一排气区的外周;排气孔包括第一排气孔和第二排气孔,第一排气孔位于第一排气区,第二排气孔位于第二排气区;单位面积内的第一排气区的所有第一排气孔的气体流速之和小于单位面积内的第二排气区的所有第二排气孔的气体流速之和。
从而使得第二排气区的气流板的排气效果优于第一排气区的气流板的排气效果,可以更快的将与加热基座边缘对应的第一容纳腔中的溶剂蒸汽排出第一容纳腔,以缓解由于加热基座的边缘各处加热不均导致的溶剂蒸汽冷凝。
在一种可能的实施方式中,单位面积内的第一排气区的所有第一排气孔的横截面面积之和小于单位面积内的第二排气区的所有第二排气孔的横截面面积之和。
在一种可能的实施方式中,各排气孔的横截面面积均相同,单位面积内的第一排气区的第一排气孔的数量小于单位面积内的第二排气区的第二排气孔的数量。
在一种可能的实施方式中,气流板还包括辅助排气区,辅助排气区位于排气区远离进气区的一侧,通孔还包括位于辅助排气区的辅助排气孔;辅助排气区在承载面上的正投影位于待加热件在承载面上的正投影外,排气区在承载面上的正投影位于待加热件在承载面上的正投影内;单位面积内的辅助排气区的所有辅助排气孔的气体流速之和大于单位面积内的排气区的所有排气孔的气体流速之和。
可以同时使得待加热件的涂层的厚度均匀性和气流板的排气效果均较好。
在一种可能的实施方式中,加热装置还包括进气通道和排气通道,进气通道和排气通道均位于容纳腔中,进气通道和排气通道均与壳体的外部连通,进气孔和进气通道连通,排气孔与排气通道连通。
在一种可能的实施方式中,排气通道包括第一排气通道和第二排气通道,第一排气通道与第一排气孔连通,第二排气通道与第二排气孔连通,第一排气通道和第二排气通道分别设置有气压控制阀。
不同的气压控制阀可以分别用于控制第一排气通道和第二排气通道的气体流速大小,从而分别控制第一排气孔和第二排气孔的气体流速。
在一种可能的实施方式中,所有辅助排气孔的气体流速与所有排气孔的气体流速的加和值等于所有进气孔的气体流速的加和值。
从而可以使得进入第一容纳腔的气体总量与排出第一容纳腔的气体总量一致,以维持第一容纳腔中的气压稳定。
在一种可能的实施方式中,排气区的面积大于进气区的面积。
从而使得排气区的面积较大,可以在排气区设置较多的排气孔,另外,可以使得排气孔的分布范围较广,从而提高各排气孔对第一容纳腔中的溶剂蒸汽的排出效果。
在一种可能的实施方式中,进气区位于气流板的中心。
使得通过进气孔进入到第一容纳腔中的气体对通过各排气孔排出第一容纳腔的气体的影响均较小。
在一种可能的实施方式中,加热装置还包括加热件,容纳腔还包括第二容纳腔,第二容纳腔位于气流板背离第一容纳腔的一侧;进气通道和排气通道均位于第二容纳腔内,加热件位于排气通道内。
加热件可以对进入排气通道中溶剂蒸汽加热,从而可以避免溶剂蒸汽在排气通道中冷凝。
在一种可能的实施方式中,排气孔中设置有吸附件,吸附件具有透气通道,透气通道沿气流板的厚度方向贯穿吸附件。
吸附件可以用于对气体中的溶剂蒸汽进行吸附,从而更好的减少溶剂蒸汽残留,进一步缓解溶剂蒸汽的冷凝。
在一种可能的实施方式中,吸附件包括容置壳和吸附剂,容置壳中具有容置腔,吸附剂位于容置腔中,容置壳沿厚度方向的相对两个壳壁上均设置有第一透气孔,两个壳壁上的第一透气孔与容置腔连通并共同形成透气通道。
在一种可能的实施方式中,吸附件包括沿气流板的厚度方向层叠设置的至少两层透气层和至少一层吸附层,每相邻两层透气层之间均设置有吸附层,透气层中设置有第二透气孔,至少两层透气层的第二透气孔相互连通并形成透气通道。
本公开的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例提供的加热装置加热待加热件的结构示意图;
图2为本公开实施例提供的气流板的俯视图;
图3为本公开实施例提供的气流板的另一俯视图;
图4为本公开实施例提供的吸附件的结构示意图;
图5为本公开实施例提供的吸附件的剖视图;
图6为本公开实施例提供的吸附件的另一剖视图。
附图标记说明:
10:加热装置; 110:壳体; 111:进气口;
112:排气口; 113:辅助排气口; 120:容纳腔;
121:第一容纳腔; 122:第二容纳腔; 130:加热基座;
131:承载面; 141:进气管; 142:排气管;
143:进气通道; 144:排气通道; 145:辅助排气通道;
150:加热件; 160:吸附件; 161:容置壳;
162:第一透气孔; 163:容置腔; 164:吸附剂;
165:透气层; 166:吸附层; 170:气流板;
170a:进气区; 170b:排气区; 170c:第一排气区;
170d:第一子排气区; 170e:第二子排气区; 170f:第三子排气区;
170g:第二排气区; 170h:辅助排气区; 180:通孔;
181:进气孔; 182:排气孔; 183:第一排气孔;
1831:第一子排气孔; 1832:第二子排气孔; 1833:第三子排气孔;
184:第二排气孔; 185:辅助排气孔; 200:待加热件。
具体实施方式
在一些实施例中,加热装置可以包括加热室、加热板和气流板,气流板和加热板均位于加热室中,晶圆位于加热板上。通过加热板对晶圆加热以使晶圆上的涂层中的溶剂蒸发。蒸发的溶剂通过气流板后排出加热室。气流板包括中心区和外围区,外围区围设在中心区的外周,中心区的气流板上设置有一个出气孔,外围区的气流板上设置有多个入气孔。加热室还设置有出气通道和入气通道,出气孔与出气通道连通,入气孔与入气通道连通。蒸发的溶剂通过出气孔和出气通道后排出加热室。加热室外的气体通过入气通道和入气孔后输入加热室内。
然而,由于出气孔设置在中心区的气流板上,中心区集中设置于外围区的内侧,导致出气孔的位置较为集中,而加热室中的蒸发的溶剂较为分散。通过该出气孔无法及时排出加热室中的蒸发的溶剂,使得蒸发的溶剂在加热室中容易冷凝而滴落回晶圆上,从而对晶圆上的涂层造成影响,进而影响到最终产品的品质与良率。
本公开实施例提供一种加热装置,加热装置可以包括壳体、加热基座和气流板,壳体具有容纳腔,加热基座和气流板均位于容纳腔中。其中,加热基座、气流板和部分壳体共同围设形成第一容纳腔,待加热件位于第一容纳腔中,且位于加热基座的承载面上。第一容纳腔中的气体可以通过气流板后排出。气流板上间隔设置有多个通孔,各通孔均沿气流板的厚度方向贯穿气流板,多个通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔,多个排气孔围设在所有进气孔的外周。由于将多个排气孔围设在进气孔的外周,而非将排气孔集中设置于气流板的中心,使得多个排气孔较为分散,相当于增加了排气孔的面积,排气孔更容易将分散于第一容纳腔中的气体(例如,待加热件上的涂层中的溶剂产生的溶剂蒸汽)排出去,从而提高排气孔对容纳腔中的溶剂蒸汽的排出效果,减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件上,从而减少或避免冷凝物对待加热件的影响,保证最终产品的质量与良率。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
以下将结合图1-图6对本公开实施例提供的加热装置10进行说明。
加热装置10可以用于对待加热件200进行加热处理。例如,待加热件200可以为晶圆,晶圆上可以设置有含溶剂的涂层,该涂层可以为光刻胶或者其他需要加热的涂层。以涂层为光刻胶为例,该加热装置10可以用于光刻胶的软烘焙、硬烘焙等。其中,待加热件200并不属于加热装置10的结构件。
参见图1所示,加热装置10可以包括壳体110,壳体110围设形成容纳腔120,容纳腔120可以用于容置加热装置10的其他结构部件,可以在容纳腔120中对待加热件200进行加热。
容纳腔120中可以设置有加热基座130,加热基座130用放置待加热件200并对待加热件200进行加热。例如,加热基座130可以设置在容纳腔120的底部。加热基座130具有承载面131,承载面131可以用于承载待加热件200。例如,承载面131可以为加热基座130的顶面,待加热件200在承载面131的所在平面上的正投影位于承载面131内,承载面131的面积大于或等于待加热件200,从而使得承载面131对待加热件200的支撑效果和加热效果较好。
一些示例中,壳体110的底壁具有开口,开口连通容纳腔120和壳体110的外部,加热基座130盖封在开口处,壳体110与加热基座130共同围设形成密闭的空间,从而使得壳体110的结构较为简单。另一些示例中,壳体110的底壁不具有开口,壳体110围设形成密闭的空间,加热基座130完全被壳体110包围,从而使得壳体110对加热基座130形成较好的保护。
在对待加热件200进行加热的过程中,待加热件200上的涂层中的溶液蒸发而产生溶剂蒸汽,需要将溶剂蒸汽排出容纳腔120。另外,还需要向容纳腔120中输入气体(例如氮气),以维持容纳腔120处于所需的压力值。壳体110上可以具有进气口111和排气口112,进气口111和排气口112均连通容纳腔120和壳体110的外部。进气口111可以与外部的气源连通,气源可以为容纳腔120中提供所需气体。排气口112可以用于排出容纳腔120中的溶剂蒸汽。
容纳腔120中还可以设置有进气通道143和排气通道144。进气通道143和进气口111连通,气源通过进气口111、进气通道143后输入容纳腔120中。排气通道144和排气口112连通,容纳腔120中的气体可以通过排气通道144和排气口112后排出容纳腔120。
参见图1所示,容纳腔120中还可以设置有气流板170,气流板170可以将容纳腔120分隔成第一容纳腔121和第二容纳腔122,第一容纳腔121可以位于容纳腔120的靠近底部的一侧,第二容纳腔122可以位于容纳腔120的靠近顶部的一侧。加热基座130、气流板170和部分壳体110共同围设形成第一容纳腔121,气流板170和另一部分壳体110共同围设形成第二容纳腔122。待加热件200位于第一容纳腔121中,待加热件200产生的溶剂蒸汽位于第一容纳腔121中,并通过气流板170后进入第二容纳腔122。在第一容纳腔121中对待加热件200进行加热,相比于未设置气流板170在容纳腔120中对待加热件200进行加热,第一容纳腔121的体积小于容纳腔120的体积小,使得第一容纳腔121的内部温度更容易升高、温度均匀性也更好,有利于均匀的蒸发待加热件200的涂层的溶剂,从而有利于干燥后的涂层的厚度均匀性。
参见图1和图2所示,气流板170上可以间隔设置有多个通孔180,各通孔180均沿气流板170的厚度方向贯穿气流板170,各通孔180均与第一容纳腔121和第二容纳腔122连通。进气通道143和排气通道144均可以位于第二容纳腔122。多个通孔180可以包括进气孔181和排气孔182,进气孔181可以与进气通道143连通,排气孔182可以与排气通道144连通。气源的气体通过进气口111、进气通道143和进气孔181后进入第一容纳腔121。第一容纳腔121中气体通过排气孔182、排气通道144和排气口112后排出第一容纳腔121。
示例性的,进气孔181的数量可以为至少一个,进气孔181的数量可以为1个、2个、3个、4个或5个及以上。排气孔182的数量可以为至少两个,排气孔182的数量可以为2个、3个、4个或5个及以上。
以下对本公开实施例提供的气流板170进行详细说明。
参见图3所示,气流板170可以包括进气区170a和排气区170b,排气区170b围设在进气区170a的外周,进气孔181可以位于进气区170a,排气孔182可以位于排气区170b。排气区170b和进气区170a在承载面131的所在平面上的正投影位于待加热件200在承载面131的所在平面上的正投影内,排气区170b和进气区170a的通孔180可以正对于待加热件200,溶剂蒸汽主要分布在排气区170b和进气区170a对应的第一容纳腔121中,因此,排气区170b和进气区170a的通孔180对待加热件200的涂层的厚度均匀性影响较大。
其中,多个排气孔182可以围设在所有进气孔181的外周。由于将多个排气孔182围设在进气孔181的外周,而非将排气孔182集中设置于气流板170的中心,使得多个排气孔182较为分散,排气孔182更容易将分散于第一容纳腔121中的溶剂蒸汽排出去,从而提高排气孔182对容纳腔120中的溶剂蒸汽的排出效果,减少或避免溶剂蒸汽冷凝而滴落回待加热件200上,从而减少或避免冷凝物对待加热件200的影响,保证最终产品的质量与良率。
示例性的,进气区170a可以位于气流板170的中心,使得通过进气孔181进入到第一容纳腔121中的气体对通过各排气孔182排出第一容纳腔121的气体的影响均较小。
示例性的,排气区170b的面积可以大于进气区170a的面积,从而使得排气区170b的面积较大,可以在排气区170b设置较多的排气孔182,另外,可以使得排气孔182的分布范围较广,从而提高各排气孔182对第一容纳腔121中的溶剂蒸汽的排出效果。
以下对本公开实施例提供的排气区170b进行说明。
参见图3所示,排气区170b可以包括第一排气区170c和第二排气区170g,第二排气区170g围设在第一排气区170c的外周。排气孔182可以包括第一排气孔183和第二排气孔184,第一排气孔183位于第一排气区170c,第二排气孔184位于第二排气区170g。第一排气区170c在承载面131上的正投影靠近加热基座130的中心设置,第二排气区170g在承载面131上的正投影靠近加热基座130的边缘设置。其中,加热基座130的靠近中心位置的加热较为均匀,加热基座130的靠近边缘位置的加热均匀性较差,从而使得与加热基座130边缘对应的第一容纳腔121的各处的温度差异较大,与加热基座130边缘对应的第一容纳腔121中的溶剂蒸汽更容易发生冷凝而滴落至待加热件200上。因此,单位面积内的第二排气区170g的所有第二排气孔184的气体流速之和可以大于单位面积内的第一排气区170c的所有第一排气孔183的气体流速之和,从而使得第二排气区170g的气流板170的排气效果优于第一排气区170c的气流板170的排气效果,可以更快的将与加热基座130边缘对应的第一容纳腔121中的溶剂蒸汽排出第一容纳腔121,以缓解由于加热基座130的边缘各处加热不均导致的溶剂蒸汽冷凝。
其中,可以通过调整单个排气孔182的横截面面积、排气孔182的数量、排气孔182的分布位置等方式来调整单位面积内的排气区170b的所有排气孔182的气体流速之和,以调整排气区170b的气流板170的各处的排气效果。各第一排气孔183的横截面面积可以均相同或者至少部分不同,各第二排气孔184的横截面面积可以均相同或者至少部分不同,各第一排气孔183和各第二排气孔184的横截面面积可以均相同或者至少部分不同。排气孔182的横截面可以指排气孔182的平行于气流板170的截面。
示例性的,单位面积内的第二排气区170g的所有第二排气孔184的横截面面积之和可以大于单位面积内的第一排气区170c的所有第一排气孔183的横截面面积之和,从而使得第二排气区170g的气流板170的排气效果优于第一排气区170c的气流板170的排气效果,第二排气区170g的气流板170可以更快的将与加热基座130边缘对应的第一容纳腔121中的溶剂蒸汽排出第一容纳腔121,以缓解由于加热基座130的边缘各处加热不均导致的溶剂蒸汽冷凝。
在各排气孔182(各第一排气孔183和各第二排气孔184)的横截面面积均相同的实施方式中,由于各排气孔182的横截面面积均相同,使得各排气孔182的制备较为简单。单位面积内的第二排气区170g的第二排气孔184的数量可以大于单位面积内的第一排气区170c的第一排气孔183的数量,从而使得单位面积内的第二排气区170g的所有第二排气孔184的横截面面积之和可以大于单位面积内的第一排气区170c的所有第一排气孔183的横截面面积之和,以缓解由于加热基座130的边缘各处加热不均导致的溶剂蒸汽冷凝。
示例性的,单位面积内的排气区170b的所有排气孔182的气体流速之和为第一数值,沿第一排气区170c至第二排气区170g的方向,第一数值逐渐增大。相当于,沿第一排气区170c至第二排气区170g的方向,气流板170的排气效果逐渐增强,从而可以避免沿第一排气区170c至第二排气区170g方向上的相邻两个单位面积的排气区170b的气流板170的排气效果差距较大,以减少对待加热件200的涂层的厚度均匀性的影响或减少冷凝对待加热件200的影响。
例如,单位面积内的排气区170b的所有排气孔182的横截面面积之和为第二数值,沿第一排气区170c至第二排气区170g的方向,第二数值逐渐增大,从而可以较易实现气流板170的排气效果沿第一排气区170c至第二排气区170g的方向逐渐增强,避免沿第一排气区170c至第二排气区170g方向上的相邻两个单位面积的排气区170b的气流板170的排气效果差距较大,以减少对待加热件200的涂层的厚度均匀性的影响或减少冷凝对待加热件200的影响。
在各排气孔182的横截面面积均相同的实施方式中,单位面积内的排气区170b的排气孔182的数量为第三数值,第二数值=第三数值*单个排气孔182的横截面面积。沿第一排气区170c至第二排气区170g的方向,第三数值逐渐增大,从而使得第二数值逐渐增大,避免沿第一排气区170c至第二排气区170g方向上的相邻两个单位面积的排气区170b的气流板170的排气效果差距较大,以减少对待加热件200的涂层的厚度均匀性的影响或减少冷凝对待加热件200的影响。
示例性的,第一排气区170c可以包括多个从内到外依次套设的子排气区,子排气区的数量可以为2个、3个或4个及以上。继续参见图3所示,以子排气区的数量为3个为例进行说明。三个子排气区从内到外依次为第一子排气区170d、第二子排气区170e和第三子排气区170f。第一排气孔183包括位于第一子排气区170d的第一子排气孔1831、位于第二子排气区170e的第二子排气孔1832以及位于第三子排气区170f的第三子排气孔1833。将第一排气区170c分割为多个子排气区,对不同的子排气区的排气孔182进行更为精细的设置,从而可以细化第一排气区170c的排气效果。
一些实施例中,参见图3所示,气流板170还可以包括辅助排气区170h,辅助排气区170h可以位于排气区170b远离进气区170a的一侧。例如,辅助排气区170h可以围设在排气区170b的外周。通孔180还可以包括位于辅助排气区170h的辅助排气孔185。辅助排气区170h在承载面131的所在平面上的正投影可以位于待加热件200在承载面131的所在平面上的正投影外。辅助排气区170h与待加热件200并非正对设置,从而使得辅助排气区170h的通孔180对待加热件200的涂层的厚度均匀性影响较小。
参见图1所示,加热装置10还可以包括辅助排气通道145,辅助排气通道145可以位于第二容纳腔122中。壳体110上还可以设置有辅助排气口113。辅助排气口113连通辅助排气通道145和壳体110的外部。第一容纳腔121中的气体可以通过辅助排气孔185、辅助排气通道145和辅助排气口113排出第一容纳腔121。例如,加热装置10中可以设置有进气管141和排气管142,进气通道143可以由进气管141围设形成,进气管141的外侧可以环设有排气管142,排气管142和进气管141之间形成排气通道144,排气管142和壳体110之间形成辅助排气通道145。
图1中的虚线箭头a示出了气体通过排气孔182、排气通道144排出第一容纳腔121的路径,图1中的实线箭头b示出了气体通过辅助排气孔185、辅助排气通道145排出第一容纳腔121的路径,图1中的空心箭头c示出了外部气体通过进气通道143、进气孔181进入第一容纳腔121的路径。
示例性的,单位面积内的辅助排气区170h的所有辅助排气孔185的气体流速之和可以大于单位面积内的排气区170b的所有排气孔182的气体流速之和,从而可以使得辅助排气区170h的气流板170的排气效果优于排气区170b的气流板170的排气效果,另外,由于辅助排气区170h的气流板170对待加热件200上的涂层的厚度均匀性影响较小,从而可以同时使得待加热件200的涂层的厚度均匀性和气流板170的排气效果均较好。
示例性的,辅助排气孔185的数量可以为至少一个,辅助排气孔185的数量可以为1个、2个、3个、4个或5个及以上。当辅助排气孔185的数量为多个时,多个辅助排气孔185可以围设在排气区170b的外周。
示例性的,所有辅助排气孔185的气体流速与所有排气孔182的气体流速的加和值可以等于所有进气孔181的气体流速的加和值,从而可以使得进入第一容纳腔121的气体总量与排出第一容纳腔121的气体总量一致,以维持第一容纳腔121中的气压稳定。
以下对本公开实施例提供的排气通道144进行说明。
排气通道144可以包括第一排气通道和第二排气通道,第一排气通道与各第一排气孔183连通,第二排气通道与各第二排气孔184连通。通过分别为第一排气孔183和第二排气孔184设置第一排气通道和第二排气通道,从而可以避免第一排气通道和第二排气通道之间相互影响而影响第一排气孔183和第二排气孔184的排气效果,另外,可以使得第一排气孔183和第二排气孔184的气体流速的控制更为容易和精确。例如,第一排气通道和第二排气通道可以分别设置有气压控制阀,不同的气压控制阀可以分别用于控制第一排气通道和第二排气通道的气体流速大小,从而分别控制第一排气孔183和第二排气孔184的气体流速。另一些示例中,第一排气区170c和第二排气区170g的各排气孔182也可以共用同一个通道进行排气,从而使得排气通道144的结构较为简单。
在第一排气区170c(图3)包括多个子排气区的实施方式中,第一排气通道可以包括多个子排气通道,一个子排气区对应一个子排气通道,多个子排气通道上可以分别设置有气压控制阀。不同的气压控制阀可以分别控制不同的子排气通道的气体流速大小,以分别控制不同的子排气区的排气孔182的气体流速,从而进一步细化不同子排气区的气流板170的排气效果。另一些示例中,多个子排气区中的任意两个可以共用一个通道进行排气,从而使得第一排气通道的结构较为简单。
一些实施例中,参见图1所示,加热装置10可以包括加热件150,加热件150可以位于排气通道144和辅助排气通道145中的至少一者中。
以加热件150位于排气通道144中为例,加热件150可以对进入排气通道144中溶剂蒸汽加热,从而可以避免溶剂蒸汽在排气通道144中冷凝。示例性的,可以将加热件150安装在排气管142的内壁面、排气管142的外壁面、壳体110的内壁面和进气管141的外壁面中的至少一者上。将加热件150安装在排气管142上时,可以同时对排气通道144和辅助排气通道145中溶剂蒸汽进行较好的加热。
以下对本公开实施例提供的吸附件160进行说明。
排气孔182中可以设置有吸附件160(图4),可以是部分排气孔182中设置有吸附件160,也可以是全部的排气孔182中均设置有吸附件160。吸附件160可以具有透气通道,透气通道沿气流板170的厚度方向贯穿吸附件160。第一容纳腔121中的气体可以通过吸附件160的透气通道而排出第一容纳腔121。吸附件160可以用于对气体中的溶剂蒸汽进行吸附,从而更好的减少溶剂蒸汽残留,进一步缓解溶剂蒸汽的冷凝。例如,吸附件160可拆卸的设置在排气孔182中,从而便于吸附件160的更换。
在设置有辅助排气孔185的实施方式中,吸附件160还可以设置在至少部分辅助排气孔185中,从而可以更好的吸附溶剂蒸汽。
一些示例中,参见图4和图5所示,吸附件160可以包括容置壳161和吸附剂164,容置壳161中具有容置腔163,吸附剂164位于容置腔163中,容置壳161沿厚度方向的相对两个壳壁上均设置有第一透气孔162,两个壳壁上的第一透气孔162与容置腔163连通并共同形成透气通道。吸附剂164可以包括活性炭(例如高温活性炭)、氧化铝、硅胶、分子筛、聚苯乙烯、纤维素中的任意一者或多者。
另一些示例中,参见图6所示,吸附件160可以包括沿气流板170的厚度方向层叠设置的至少两层透气层165和至少一层吸附层166,每相邻两层透气层165之间均设置有吸附层166,透气层165可以对吸附层166形成保护和支撑作用。透气层165中设置有第二透气孔,至少两层透气层165的第二透气孔相互连通并形成透气通道。透气层165的层数可以为2层、3层、4层或5层及以上。吸附层166的层数可以比透气层165的层数少一层。例如,吸附层166可以是由上述实施例的吸附剂164中的至少一者形成。透气层165可以包括纤维隔膜。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种加热装置,其特征在于,包括:壳体、加热基座和气流板,所述壳体具有容纳腔,所述加热基座和所述气流板均位于所述容纳腔中,所述加热基座、所述气流板和部分所述壳体共同围设形成第一容纳腔,待加热件位于所述第一容纳腔中,且位于所述加热基座的承载面上;
所述气流板上沿所述气流板的中心区域至边缘区域间隔设置有多个通孔,各所述通孔均沿所述气流板的厚度方向贯穿所述气流板,多个所述通孔包括至少一个进气孔和多个排气孔,所述进气孔位于所述气流板的中心区域,多个所述排气孔围设在所有所述进气孔的外周;
所述排气孔中设置有吸附件,所述吸附件具有透气通道,所述透气通道沿所述气流板的厚度方向贯穿所述吸附件;
所述气流板包括进气区和排气区,所述排气区围设在所述进气区的外周;所述进气孔位于所述进气区,所述排气孔位于所述排气区;
所述排气区包括第一排气区和第二排气区,所述第二排气区围设在所述第一排气区的外周;所述排气孔包括第一排气孔和第二排气孔,所述第一排气孔位于所述第一排气区,所述第二排气孔位于所述第二排气区;
单位面积内的所述第一排气区的所有所述第一排气孔的气体流速之和小于单位面积内的所述第二排气区的所有所述第二排气孔的气体流速之和;
还包括进气通道和排气通道,所述进气通道和排气通道均位于所述容纳腔中,所述进气通道和所述排气通道均与所述壳体的外部连通,所述进气孔和所述进气通道连通,所述排气孔与所述排气通道连通。
2.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,单位面积内的所述第一排气区的所有所述第一排气孔的横截面面积之和小于单位面积内的所述第二排气区的所有所述第二排气孔的横截面面积之和。
3.根据权利要求2所述的加热装置,其特征在于,各所述排气孔的横截面面积均相同,单位面积内的所述第一排气区的所述第一排气孔的数量小于单位面积内的所述第二排气区的所述第二排气孔的数量。
4.根据权利要求1-3任一所述的加热装置,其特征在于,所述气流板还包括辅助排气区,所述辅助排气区位于所述排气区远离所述进气区的一侧,所述通孔还包括位于所述辅助排气区的辅助排气孔;
所述辅助排气区在所述承载面上的正投影位于所述待加热件在所述承载面上的正投影外,所述排气区在所述承载面上的正投影位于所述待加热件在所述承载面上的正投影内;
单位面积内的所述辅助排气区的所有所述辅助排气孔的气体流速之和大于单位面积内的所述排气区的所有所述排气孔的气体流速之和。
5.根据权利要求1-3任一所述的加热装置,其特征在于,所述排气通道包括第一排气通道和第二排气通道,所述第一排气通道与所述第一排气孔连通,所述第二排气通道与所述第二排气孔连通,所述第一排气通道和所述第二排气通道分别设置有气压控制阀。
6.根据权利要求4所述的加热装置,其特征在于,所有所述辅助排气孔的气体流速与所有所述排气孔的气体流速的加和值等于所有所述进气孔的气体流速的加和值。
7.根据权利要求1-3任一所述的加热装置,其特征在于,所述排气区的面积大于所述进气区的面积。
8.根据权利要求4所述的加热装置,其特征在于,还包括加热件,所述容纳腔还包括第二容纳腔,所述第二容纳腔位于所述气流板背离所述第一容纳腔的一侧;
所述进气通道和所述排气通道均位于所述第二容纳腔内,所述加热件位于所述排气通道内。
9.根据权利要求1-3任一所述的加热装置,其特征在于,所述吸附件包括容置壳和吸附剂,所述容置壳中具有容置腔,所述吸附剂位于所述容置腔中,所述容置壳沿厚度方向的相对两个壳壁上均设置有第一透气孔,所述两个壳壁上的所述第一透气孔与所述容置腔连通并共同形成所述透气通道。
10.根据权利要求1-3任一所述的加热装置,其特征在于,所述吸附件包括沿所述气流板的厚度方向层叠设置的至少两层透气层和至少一层吸附层,每相邻两层所述透气层之间均设置有所述吸附层,所述透气层中设置有第二透气孔,至少两层所述透气层的所述第二透气孔相互连通并形成所述透气通道。
CN202211312726.XA 2022-10-25 2022-10-25 加热装置 Active CN115502067B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211312726.XA CN115502067B (zh) 2022-10-25 2022-10-25 加热装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211312726.XA CN115502067B (zh) 2022-10-25 2022-10-25 加热装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115502067A CN115502067A (zh) 2022-12-23
CN115502067B true CN115502067B (zh) 2023-09-26

Family

ID=84512830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211312726.XA Active CN115502067B (zh) 2022-10-25 2022-10-25 加热装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115502067B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274051A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置
CN1608309A (zh) * 2001-10-25 2005-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理装置以及热处理方法
CN1682084A (zh) * 2002-09-10 2005-10-12 Fsi国际公司 具有受热盖的热处理设备
CN1837731A (zh) * 2005-03-25 2006-09-27 东京毅力科创株式会社 加热装置、涂布显影装置及加热方法
CN103931005A (zh) * 2011-09-14 2014-07-16 玛太克司马特股份有限公司 Led制造方法、led制造设备和led
CN108080220A (zh) * 2018-01-24 2018-05-29 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种单片硅晶圆气相hmds涂布装置
CN207709326U (zh) * 2017-12-21 2018-08-10 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种烘焙装置
JP2019021806A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置及び基板加熱方法
CN113725061A (zh) * 2021-09-01 2021-11-30 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理装置及方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8298336B2 (en) * 2005-04-01 2012-10-30 Lam Research Corporation High strip rate downstream chamber
JP6406192B2 (ja) * 2014-12-10 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体
JP2021068886A (ja) * 2019-10-17 2021-04-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
CN213142185U (zh) * 2020-11-18 2021-05-07 乐金显示光电科技(中国)有限公司 等离子体增强化学气相沉积装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274051A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置
CN1608309A (zh) * 2001-10-25 2005-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理装置以及热处理方法
CN1682084A (zh) * 2002-09-10 2005-10-12 Fsi国际公司 具有受热盖的热处理设备
CN1837731A (zh) * 2005-03-25 2006-09-27 东京毅力科创株式会社 加热装置、涂布显影装置及加热方法
CN103931005A (zh) * 2011-09-14 2014-07-16 玛太克司马特股份有限公司 Led制造方法、led制造设备和led
JP2019021806A (ja) * 2017-07-19 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置及び基板加熱方法
CN207709326U (zh) * 2017-12-21 2018-08-10 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种烘焙装置
CN108080220A (zh) * 2018-01-24 2018-05-29 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种单片硅晶圆气相hmds涂布装置
CN113725061A (zh) * 2021-09-01 2021-11-30 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115502067A (zh) 2022-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI382488B (zh) 適合用於基材處理室的氣流等化板
JP5458179B2 (ja) ガス噴射装置及びこれを用いた基板処理装置
JP3939372B2 (ja) 均一なガス流パターンのための排気バッフル
US20160376701A1 (en) Substrate processing apparatus and ceiling part
KR102451499B1 (ko) 샤워헤드 설계
TW200947592A (en) Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
CN112159971B (zh) 一种半导体腔室
KR102586611B1 (ko) 다중 압력 방식들을 위한 동심 펌핑을 갖는 장치
CN115502067B (zh) 加热装置
WO2012171354A1 (zh) 一种排气方法、装置及基片处理设备
JPWO2010016421A1 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
CN107219727B (zh) 减压干燥设备
JPH09320799A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2023530438A (ja) 半導体処理チャンバ用の非対称排気ポンピングプレート設計
JP2001267304A (ja) 半導体製造装置
CN111326447A (zh) 基板处理装置
JPH1027784A (ja) 減圧処理装置
CN113136567B (zh) 改善腔体气流均匀性的薄膜沉积装置及方法
JPS61174388A (ja) エツチング装置
CN116134582A (zh) 多阶段泵送衬垫
JP2004349375A (ja) ドライエッチング装置のガス分散板
TWI437120B (zh) 具有減小的工具足跡之用於均勻薄膜沉積的平行板反應器
JP3668400B2 (ja) 乾燥装置
JPH0982720A (ja) 縦型熱処理装置
CN114396790B (zh) 吹扫干燥装置和吹扫干燥系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant